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JP2010247461A - Imprinting method - Google Patents

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JP2010247461A
JP2010247461A JP2009100726A JP2009100726A JP2010247461A JP 2010247461 A JP2010247461 A JP 2010247461A JP 2009100726 A JP2009100726 A JP 2009100726A JP 2009100726 A JP2009100726 A JP 2009100726A JP 2010247461 A JP2010247461 A JP 2010247461A
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JP
Japan
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layer
imprint mold
buffer layer
imprint
pattern
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Withdrawn
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JP2009100726A
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Japanese (ja)
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Naoko Aizawa
直子 相澤
Hideaki Oe
秀明 大江
Tetsuya Kanekawa
哲也 金川
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imprinting method preventing the occurrence of breakage of an imprint mold and the occurrence of pattern defects due to bending of the imprint mold. <P>SOLUTION: A first supporting/cushioning layer 15 equipped with two layers of a first supporting layer 12 and a first cushioning layer 13 made of material softer than the first supporting layer is arranged between a first stage 11 with a molded body 10 placed thereon and the molded body. A second supporting/cushioning layer 25 equipped with two layers of a second supporting layer 22 and a second cushioning layer 23 made of material softer than the second supporting layer is arranged between the imprint mold 3 arranged so that an uneven pattern forming surface 4 faces to the molded body and a second stage 21 facing to the first stage via the molded body and the imprint mold. The imprint mold 3 is pressed to the molded body 10 to form a pattern corresponding to the uneven pattern of the imprint mold on the molded body. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、表面に凹凸パターンが形成されたインプリントモールドを、被成型体(例えば、基板上に所望のパターンが転写されるべき樹脂が塗布されたものなど)に押し付け、インプリントモールドの凹凸パターンを被成型体に転写して、被成型体にパターンを形成するインプリント方法に関する。   In the present invention, an imprint mold having a concavo-convex pattern formed on the surface is pressed against an object to be molded (for example, a resin on which a desired pattern is transferred onto a substrate), and the concavo-convex shape of the imprint mold The present invention relates to an imprint method in which a pattern is transferred to a molding object and a pattern is formed on the molding object.

近年、半導体デバイス、ディスプレイ、記録メディア、バイオチップ、光デバイスなどの製造工程における微細パターンの形成工程において、インプリント方法が用いられるに至っている。   In recent years, imprint methods have been used in the formation process of fine patterns in the manufacturing process of semiconductor devices, displays, recording media, biochips, optical devices and the like.

このインプリント方法は、最終的に転写すべきパターンのネガポジ反転像に対応する凹凸パターンが形成されたインプリントモールドを、基板上に形成された樹脂膜など押し付けて、インプリントモールドの凹凸パターンに対応するパターンを被成型体に転写する方法である。   In this imprint method, an imprint mold on which a concavo-convex pattern corresponding to a negative / positive reversal image of a pattern to be finally transferred is pressed against a resin film or the like formed on a substrate to form a concavo-convex pattern on the imprint mold. This is a method of transferring a corresponding pattern to a molding target.

ところで、このようなインプリント方法を利用して被成型体に凹凸パターンを転写する方法の一つに熱インプリントプロセスがある。そして、この熱インプリントプロセスに用いる装置として、図18に示すようなインプリント装置が提案されている(特許文献1参照)。
すなわち、このインプリント装置は、インプリントモールド61に形成されたモールドパターン62と、被成型品(基板51と基板51上に配設されたレジスト膜52を備えている)53に転写される転写パターン間の位置ずれを抑制するために、定置ステージ71とその上に載置される被成形品53との間に第1緩衝シート81が配設され、インプリントモールド61とそれを保持する可動ステージ72との間に第2緩衝シート82が配設された構成を有している。
By the way, there is a thermal imprint process as one of the methods for transferring the concavo-convex pattern to the object to be molded using such an imprint method. As an apparatus used for this thermal imprint process, an imprint apparatus as shown in FIG. 18 has been proposed (see Patent Document 1).
In other words, the imprint apparatus transfers a mold pattern 62 formed on the imprint mold 61 and a transfer product 53 (including a substrate 51 and a resist film 52 disposed on the substrate 51). In order to suppress misalignment between patterns, a first buffer sheet 81 is disposed between the stationary stage 71 and the molded product 53 placed thereon, and the imprint mold 61 and the movable that holds it. A second buffer sheet 82 is disposed between the stage 72 and the stage 72.

そして、このインプリント装置によれば、基材及び型にそれぞれのステージから加わる引っ張り力が、緩衝部材により吸収されるため、ステージの熱膨張による、型の転写パターンと基材に転写されたパターンとの間での微小なずれの発生を抑制できるとされている。   According to this imprint apparatus, the tensile force applied from the respective stages to the substrate and the mold is absorbed by the buffer member, so that the pattern transferred to the mold and the pattern transferred to the substrate by the thermal expansion of the stage It is said that it is possible to suppress the occurrence of minute deviations between

しかしながら、このインプリント装置においては、第1および第2緩衝シート81,82として、柔軟で緩衝性(変形量)が大きい緩衝シートを用いた場合、プレス時に第1および第2緩衝シート81,82が大きく変形して(潰れて)平面方向に伸びることにより、インプリントモールド61の周縁部および基板51の周縁部で、第1および第2緩衝シート81,82の厚みが厚くなったり、第1および第2緩衝シート81,82に皺が入ったりする場合があり、インプリントモールド61の一部に負荷がかかって、インプリントモールド61が破損する場合がある。   However, in this imprint apparatus, when a buffer sheet that is flexible and has a large cushioning property (deformation amount) is used as the first and second buffer sheets 81 and 82, the first and second buffer sheets 81 and 82 are used during pressing. Is greatly deformed (collapsed) and extends in the plane direction, the thickness of the first and second buffer sheets 81 and 82 is increased at the peripheral edge of the imprint mold 61 and the peripheral edge of the substrate 51, or the first In addition, wrinkles may enter the second buffer sheets 81 and 82, and a load is applied to a part of the imprint mold 61, and the imprint mold 61 may be damaged.

また、インプリントモールド61に配設されたモールドパターン62の配列が不均一な場合、プレス時に転写エリア内でレジスト膜(樹脂)52の厚みに分布(ばらつき)が発生する。そして、その分布に応じて第1および第2緩衝シート81,82が変形し、結果として、インプリントモールド61が撓んでパターン欠陥やインプリントモールド61の破損が発生する場合がある。   Further, when the arrangement of the mold patterns 62 arranged in the imprint mold 61 is not uniform, distribution (variation) occurs in the thickness of the resist film (resin) 52 in the transfer area during pressing. Then, the first and second buffer sheets 81 and 82 are deformed according to the distribution, and as a result, the imprint mold 61 may bend and a pattern defect or damage to the imprint mold 61 may occur.

一方、第1および第2緩衝シート81,82として、硬くて、変形量が小さい材料からなる緩衝シートを用いた場合、プレス時に、第1および第2ステージ71,72の不均一性やゴミなどによる微小な凹凸を吸収することができず、インプリントモールドの一部に負荷がかかり、インプリントモールドが破損するという問題点がある。   On the other hand, when a buffer sheet made of a material that is hard and has a small deformation amount is used as the first and second buffer sheets 81 and 82, non-uniformity of the first and second stages 71 and 72, dust, and the like during pressing. In other words, it is impossible to absorb the minute unevenness caused by the above, and a load is applied to a part of the imprint mold, and the imprint mold is damaged.

特開2008−49544号公報JP 2008-49544 A

本発明は、上記課題を解決するものであり、プレス時にインプリントモールドの一部に負荷がかかり、インプリントモールドが撓んでパターン欠陥を生じたり、インプリントモールドの破損を生じたりすることを防止することが可能なインプリント方法を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-mentioned problem, and a load is applied to a part of the imprint mold during pressing, preventing the imprint mold from being bent and causing pattern defects or damage to the imprint mold. An object of the present invention is to provide an imprint method that can be performed.

上記課題を解決するため、本発明のインプリント方法は、
表面に凹凸パターンが形成されたインプリントモールドを、所定のパターンを形成すべき被成型体にプレスして、前記インプリントモールドの前記凹凸パターンを前記被成型体に転写することにより、前記被成型体にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記被成型体が載置される第1ステージと前記被成型体との間に、前記第1ステージ側に配設される第1支持層と、前記被成型体側に配設される、前記第1支持層よりも軟らかい材料からなる第1緩衝層の2つの層を備えた2層構造の第1支持・緩衝層を配設するとともに、
前記凹凸パターン形成面が、前記被成型体と対向するように配設される前記インプリントモールドと、前記被成型体および前記インプリントモールドを介して前記第1ステージと対向する第2ステージとの間に、前記第2ステージ側に配設される第2支持層と、前記インプリントモールド側に配設される、前記第2支持層よりも軟らかい材料からなる第2緩衝層の2つの層を備えた2層構造の第2支持・緩衝層を配設し、
前記第1および/または第2ステージを、両者が接近する方向に動作させて、 前記インプリントモールドを前記被成型体に押し付け、前記被成型体に前記インプリントモールドの前記凹凸パターンに対応するパターンを形成すること
を特徴としている。
In order to solve the above problem, the imprint method of the present invention provides:
The imprint mold having a concavo-convex pattern formed on the surface thereof is pressed onto a molding target on which a predetermined pattern is to be formed, and the concavo-convex pattern of the imprint mold is transferred to the molding target, thereby the molding target. An imprint method for forming a pattern on a body,
A first support layer disposed on the first stage side and a first support layer disposed on the molded body side between the first stage on which the molded body is placed and the molded body; A first support / buffer layer having a two-layer structure including two layers of a first buffer layer made of a material softer than one support layer;
The imprint mold disposed so that the concavo-convex pattern forming surface faces the molding target, and the second stage facing the first stage via the molding target and the imprint mold Between the two layers, a second support layer disposed on the second stage side and a second buffer layer disposed on the imprint mold side and made of a softer material than the second support layer. A second support / buffer layer having a two-layer structure is provided;
The first and / or second stage is moved in a direction in which both approach each other, the imprint mold is pressed against the molding object, and the pattern corresponding to the uneven pattern of the imprint mold is pressed against the molding object It is characterized by forming.

なお、本発明において、被成型体とは、基板の表面やキャリアフィルムの表面に、所定のパターンを形成すべき樹脂層、ガラスペースト層、セラミックペースト層などを配設したものや、場合によっては所定のパターンを形成すべき材料単体からなるものなどが挙げられる。
なお、例えば、樹脂層、ガラスペースト層、セラミックペースト層などとして、感光性(光硬化性)のものを用いると光インプリント法を適用することが可能で、熱可塑性のものを用いると熱インプリント法を適用することが可能になる。
In the present invention, the object to be molded is one in which a resin layer, a glass paste layer, a ceramic paste layer or the like on which a predetermined pattern is to be formed is disposed on the surface of the substrate or the surface of the carrier film. Examples thereof include those made of a single material for forming a predetermined pattern.
For example, if a photosensitive (photo-curable) material is used as a resin layer, a glass paste layer, a ceramic paste layer, etc., the photo-imprint method can be applied, and if a thermoplastic material is used, a heat imprinting method can be applied. It becomes possible to apply the printing method.

また、前記第1支持層および第2支持層としては、厚みが0.01〜2.0mmの樹脂フィルムを用いることが望ましい。   Moreover, as the first support layer and the second support layer, it is desirable to use a resin film having a thickness of 0.01 to 2.0 mm.

また、前記第1緩衝層および第2緩衝層として、厚み0.01〜2.0mmのエラストマーからなるものを用いることとが望ましい。   Moreover, it is desirable to use what consists of an elastomer with a thickness of 0.01-2.0 mm as said 1st buffer layer and 2nd buffer layer.

また、前記第1緩衝層および第2緩衝層は、厚みが0.01〜2.0mmで、粘着性を有するものであることがのぞましい。   Further, it is preferable that the first buffer layer and the second buffer layer have a thickness of 0.01 to 2.0 mm and have adhesiveness.

本発明のインプリント方法は、被成型体が載置される第1ステージと被成型体との間に、第1ステージ側に配設される第1支持層と、被成型体側に配設される、第1支持層よりも軟らかい材料からなる第1緩衝層の2つの層を備えた2層構造の第1支持・緩衝層を配設するとともに、凹凸パターン形成面が被成型体と対向するように配設されるインプリントモールドと、被成型体およびインプリントモールドを介して第1ステージと対向する第2ステージとの間に、第2ステージ側に配設される第2支持層と、インプリントモールド側に配設される、第2支持層よりも軟らかい材料からなる2層構造の第2緩衝層の2つの層を備えた第2支持・緩衝層を配設した状態で、インプリントモールドを被成型体に押し付けて、被成型体にインプリントモールドの凹凸パターンに対応するパターンを形成するようにしているので、緩衝層の伸びを支持層で抑制することが可能になり、インプリントモールドの一部に負荷がかかってインプリントモールドが破損することを効率よく防止することが可能になる。   In the imprint method of the present invention, the first support layer disposed on the first stage side and the molding target side are disposed between the first stage on which the molding target is placed and the molding target. The first support / buffer layer having a two-layer structure including two layers of the first buffer layer made of a softer material than the first support layer is disposed, and the concavo-convex pattern forming surface faces the molding target. A second support layer disposed on the second stage side between the imprint mold disposed as described above and the second stage facing the first stage via the workpiece and the imprint mold, In the state where the second support / buffer layer provided with two layers of the second buffer layer of the two-layer structure made of a material softer than the second support layer, which is disposed on the imprint mold side, is disposed. Press the mold against the workpiece and imprint it onto the workpiece. Since the pattern corresponding to the concave / convex pattern of the mold is formed, it becomes possible to suppress the elongation of the buffer layer by the support layer, and a load is applied to a part of the imprint mold, and the imprint mold is damaged. It becomes possible to prevent this efficiently.

すなわち、第1および第2支持・緩衝層を、支持層と緩衝層の2層構造とすることにより、インプリントモールドを被成型体に押し付けて、凹凸パターンを被成型体に転写する際における、第1および第2支持・緩衝層の平面方向の伸びを抑制、防止することができる。その結果、インプリント工程でインプリントモールドの一部に負荷がかかることを十分に抑制、防止することが可能で、パターン欠陥やインプリントモールドの破損を生じることのない信頼性の高いインプリント方法を提供することが可能になる。   That is, when the first and second support / buffer layers have a two-layer structure of a support layer and a buffer layer, the imprint mold is pressed against the molding object, and the uneven pattern is transferred to the molding object. The elongation in the planar direction of the first and second support / buffer layers can be suppressed or prevented. As a result, it is possible to sufficiently suppress and prevent a part of the imprint mold from being subjected to a load in the imprint process, and a highly reliable imprint method that does not cause pattern defects or damage to the imprint mold. It becomes possible to provide.

なお、支持層としては、例えば、ヤング率が0.1GPa以上の(緩衝層より硬い)材料からなるものを用いることが望ましい。   In addition, as a support layer, it is desirable to use what consists of material whose Young's modulus is 0.1 GPa or more (harder than a buffer layer), for example.

また、緩衝層としては、例えば、ヤング率が0.1GPa未満の(支持層よりも軟らかい)材料からなるものを使用することが望ましい。   Moreover, as a buffer layer, it is desirable to use what consists of material whose Young's modulus is less than 0.1 GPa (softer than a support layer), for example.

また、第1支持層および第2支持層として、厚みが0.01〜2.0mmの樹脂フィルムを用いることにより、インプリントモールドをプレスする際の、第1および第2支持・緩衝層の平面方向の伸びをより確実に抑制、防止することが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。
なお、第1支持層および第2支持層の厚みが0.01mm未満になると、第1および第2支持・緩衝層に皺が入り易くなり、モールドの破損を生じる恐れがある。2.0mmを超えると、熱伝導が不十分になり、例えば、熱インプリントの場合に支障をきたすおそれが生じる場合がある。
Moreover, the plane of the 1st and 2nd support and buffer layer at the time of pressing an imprint mold by using a resin film with a thickness of 0.01-2.0 mm as a 1st support layer and a 2nd support layer. It becomes possible to more reliably suppress and prevent the elongation in the direction, and to make the present invention more effective.
If the thicknesses of the first support layer and the second support layer are less than 0.01 mm, wrinkles easily enter the first and second support / buffer layers, and the mold may be damaged. If it exceeds 2.0 mm, the heat conduction becomes insufficient, and for example, there is a possibility of causing trouble in the case of thermal imprinting.

本発明において用いることが可能な樹脂フィルムとしては、例えば、ヤング率が0.1GPa以上の、緩衝層より硬い材料であって、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエステル、ポリイミドなどからなるフィルムが例示される。   Examples of the resin film that can be used in the present invention include a material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more and a material harder than the buffer layer, such as a film made of polyethylene terephthalate, polyester, polyimide, or the like. .

また、第1緩衝層および第2緩衝層として、厚み0.01〜2.0mmのエラストマーからなるものを用いることにより、インプリントモールドをプレスする際の、インプリントモールドに加わる応力を効率よく緩和することができる。
緩衝層としては、ヤング率が0.1GPa未満の、支持層よりも軟らかい材料であって、例えば、アクリル系、合成ゴム系、シリコン系の粘着材や、シリコーンゴム、フッ素ゴム等のエラストマーなどからなるものが例示される。なお、第1緩衝層および第2緩衝層の厚みが0.01mm未満になると十分な緩衝性が得られなくなり、2.0mmを超えると変形量が多くなりすぎて弊害が生じるため、第1緩衝層および第2緩衝層の厚みは、0.01〜2.0mmの範囲とすることが望ましい。
Moreover, the stress applied to the imprint mold when the imprint mold is pressed can be efficiently relieved by using the first buffer layer and the second buffer layer made of an elastomer having a thickness of 0.01 to 2.0 mm. can do.
The buffer layer is a material that has a Young's modulus of less than 0.1 GPa and is softer than the support layer. For example, the buffer layer is made of an acrylic, synthetic rubber, or silicon adhesive material, or an elastomer such as silicone rubber or fluororubber. This is exemplified. If the thickness of the first buffer layer and the second buffer layer is less than 0.01 mm, sufficient buffering properties cannot be obtained, and if the thickness exceeds 2.0 mm, the amount of deformation becomes too large to cause a harmful effect. The thickness of the layer and the second buffer layer is preferably in the range of 0.01 to 2.0 mm.

また、第1緩衝層および第2緩衝層として、厚みが0.01〜2.0mmで粘着性を有するものを用いることにより、緩衝層とインプリントモールドや被成型体とを貼り合わせたりして容易に取り扱うことが可能になり、生産性を向上させることが可能になる。
粘着性を有する緩衝層としては、例えば、アクリル系、合成ゴム系、シリコン系の粘着性を有する材料からなるフィルムなどが例示される。
Moreover, as a 1st buffer layer and a 2nd buffer layer, by using what has a thickness of 0.01-2.0 mm and has adhesiveness, a buffer layer, an imprint mold, and a to-be-molded body are bonded together. It becomes possible to handle easily and it becomes possible to improve productivity.
Examples of the buffer layer having adhesiveness include a film made of an acrylic, synthetic rubber, or silicon adhesive material.

本発明の実施例1のインプリント方法を実施するのに用いた被成型体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the to-be-molded body used in enforcing the imprint method of Example 1 of this invention. 本発明の実施例1のインプリント方法を実施するの用いたインプリントモールドの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the imprint mold used for implementing the imprint method of Example 1 of this invention. 図1の被成型体にインプリントモールドをプレスしている状態を概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally the state which is pressing the imprint mold to the to-be-molded body of FIG. 被成型体にインプリントモールドをプレスする際の詳しい構成を示す図である。It is a figure which shows the detailed structure at the time of pressing the imprint mold to a to-be-molded body. 図4のプレス工程が終了した後の露光工程を示す図である。It is a figure which shows the exposure process after the press process of FIG. 4 is complete | finished. 図5の露光工程の終了後にインプリントモールドを除去した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which removed the imprint mold after completion | finish of the exposure process of FIG. 未硬化膜(残膜)を現像により除去して得た樹脂パターンを示す図である。It is a figure which shows the resin pattern obtained by removing an uncured film (residual film) by development. 本発明の他の実施例(実施例2)のインプリント方法を実施するのに用いた被成型体の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the to-be-molded body used in order to implement the imprint method of the other Example (Example 2) of this invention. 図8の被成型体にインプリントモールドをプレスしている状態を示す図である。It is a figure which shows the state which is pressing the imprint mold to the to-be-molded body of FIG. 実施例2における、インプリント後の1層目の配線用導電ペーストへの露光工程を示す図である。In Example 2, it is a figure which shows the exposure process to the electrically conductive paste for wiring of the 1st layer after the imprint. 図10の露光工程の終了後にインプリントモールドを除去した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which removed the imprint mold after completion | finish of the exposure process of FIG. 未硬化膜(残膜)を現像により除去して得た配線パターンを示す図である。It is a figure which shows the wiring pattern obtained by removing an uncured film (residual film) by development. 2層目の絶縁パターンを形成する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of forming the insulating pattern of the 2nd layer. 2層目の絶縁パターンにビアホール用貫通孔を形成した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which formed the through-hole for via holes in the insulating pattern of the 2nd layer. 最上位の(3層目)の絶縁パターンへの露光工程を示す図である。It is a figure which shows the exposure process to the uppermost (3rd layer) insulation pattern. 図15の露光工程の終了後にダイシングして個々のチップに分割した状態を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing a state in which dicing is performed and divided into individual chips after completion of the exposure process of FIG. 15. 本発明の実施例1にかかる方法により製造された積層電子部品(積層型コイル部品)の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the multilayer electronic component (multilayer coil component) manufactured by the method concerning Example 1 of this invention. 従来の熱インプリントプロセスに用いる装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the apparatus used for the conventional thermal imprint process.

以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。   Embodiments of the present invention will be described below to describe the features of the present invention in more detail.

(1)図1に示すように、基板1上に樹脂ペースト(感光性Agペースト)2を10μmの厚さにスクリーン印刷により塗布して、被成型体10とする。
この実施例では、樹脂ペースト2として、アクリル系感光性樹脂とAg粉末を含有する樹脂ペースト(感光性Agペースト)を用いたが、樹脂ペースト2はこれに限られるものではなく、熱可塑性の他の樹脂ペーストや、Tgが室温以下の樹脂などを使用することも可能である。
なお、具体的には、例えば、アクリル系樹脂やノボラック系樹脂、アクリル系感光性樹脂以外の感光性樹脂、またはこれらの感光性樹脂とAgなどの金属粉末を含有する感光性金属ペーストなどを使用することが可能である。
塗布方法としては、例えば、スクリーン印刷、スピンコートなどの方法を用いることができる。
(1) As shown in FIG. 1, a resin paste (photosensitive Ag paste) 2 is applied to a thickness of 10 μm on a substrate 1 by screen printing to obtain a molded body 10.
In this embodiment, a resin paste (photosensitive Ag paste) containing an acrylic photosensitive resin and Ag powder is used as the resin paste 2, but the resin paste 2 is not limited to this, and other thermoplastics may be used. It is also possible to use a resin paste or a resin having a Tg of room temperature or lower.
Specifically, for example, acrylic resins, novolak resins, photosensitive resins other than acrylic photosensitive resins, or photosensitive metal pastes containing these photosensitive resins and metal powders such as Ag are used. Is possible.
As a coating method, for example, methods such as screen printing and spin coating can be used.

(2)それから、インプリントモールド3(図2)を、図3に示すように、下面側の凹凸パターン形成面4が、被成型体10と対向するよう(この実施例では被成型体10を構成する樹脂ペースト2と対向するよう)に重ね合わせ、100℃に加熱しながら5MPaの圧力で被成型体10に押し付ける(プレスする)。
なお、インプリントモールド3としては、図2に示すように、例えば1.5mm厚の石英をRIEで加工し、凹部5aと凸部5bからなる所望の凹凸パターン17(例えば段差50μm以上)を有し、凸部5bの先端にNi膜などの遮光性を有する膜(遮光膜)16が形成された構造のものを用いた。
(2) Then, as shown in FIG. 3, the imprint mold 3 (FIG. 2) is arranged such that the concave-convex pattern forming surface 4 faces the molding body 10 (in this embodiment, the molding body 10 is And is pressed (pressed) against the molded body 10 at a pressure of 5 MPa while being heated to 100 ° C.
As shown in FIG. 2, as the imprint mold 3, for example, a 1.5 mm thick quartz is processed by RIE, and a desired concavo-convex pattern 17 (for example, a step of 50 μm or more) including the concave portions 5a and the convex portions 5b is provided. In addition, a structure in which a light-shielding film (light-shielding film) 16 such as a Ni film is formed at the tip of the convex portion 5b was used.

このとき、具体的には、図4に示すように、被成型体10が載置される第1ステージ11と被成型体10との間に、第1ステージ11側に配設される第1支持層12と、被成型体10側に配設される、第1支持層12よりも軟らかい材料からなる第1緩衝層13の2つの層を備えた2層構造の第1支持・緩衝層15を配設する。
また、図4に示すように、凹凸パターン形成面4が、被成型体10と対向するように配設されるインプリントモールド3と、被成型体10およびインプリントモールド3を介して第1ステージ11と対向する第2ステージ21との間に、第2ステージ21側に配設される第2支持層22と、インプリントモールド3側に配設される、第2支持層22よりも軟らかい材料からなる第2緩衝層23の2つの層を備えた2層構造の第2支持・緩衝層25を配設する。
At this time, specifically, as shown in FIG. 4, the first stage 11 disposed on the first stage 11 side between the first stage 11 on which the molding target 10 is placed and the molding target 10. A first support / buffer layer 15 having a two-layer structure including two layers, a support layer 12 and a first buffer layer 13 made of a material softer than the first support layer 12 and disposed on the molding target 10 side. Is disposed.
Further, as shown in FIG. 4, the imprint mold 3 in which the concave / convex pattern forming surface 4 is disposed so as to face the molding target 10, and the first stage via the molding target 10 and the imprint mold 3. 11 and the second stage 21 facing the second support layer 22 disposed on the second stage 21 side, and a material softer than the second support layer 22 disposed on the imprint mold 3 side. A second support / buffer layer 25 having a two-layer structure including two layers of the second buffer layer 23 is provided.

そして、この状態で、インプリントモールド3の被成型体10へのプレスを行う。これにより、インプリントモールド3の凹凸パターン17が、被成型体10に転写される。   In this state, the imprint mold 3 is pressed to the molding target 10. Thereby, the concavo-convex pattern 17 of the imprint mold 3 is transferred to the molding target 10.

プレス時の加熱温度は上述のように100℃としたが、樹脂ペースト2に含まれる樹脂のガラス転移温度(Tg)以上であればよい。Tgが室温以下であれば、室温でプレスしてもよい。   Although the heating temperature at the time of pressing was set to 100 ° C. as described above, it may be higher than the glass transition temperature (Tg) of the resin contained in the resin paste 2. If Tg is below room temperature, you may press at room temperature.

また、プレス時の圧力は、被成型体(詳しくは、基板1上に塗布された樹脂ペースト2)に所望の凹凸パターンを形成(転写)することが可能で、かつ被成型体(樹脂ペースト2に含まれる樹脂)が熱硬化しない圧力範囲であればよい。   The pressing pressure can form (transfer) a desired uneven pattern on the molding object (specifically, the resin paste 2 applied on the substrate 1), and the molding object (resin paste 2). It is sufficient that the resin contained in the resin is in a pressure range in which the resin is not thermally cured.

また、第1および第2緩衝層13,23には、ヤング率0.1GPa未満の(軟らかい)材料を使用する。例えば、アクリル系、合成ゴム系、シリコン系の粘着材や、シリコーンゴム、フッ素ゴム等のエラストマーを用いる。厚みは0.01mm〜2.0mmであることが望ましい。   The first and second buffer layers 13 and 23 are made of a material having a Young's modulus of less than 0.1 GPa (soft). For example, an acrylic, synthetic rubber, or silicon adhesive, or an elastomer such as silicone rubber or fluororubber is used. The thickness is desirably 0.01 mm to 2.0 mm.

また、第1および第2支持層12,22にはヤング率0.1GPa以上の(硬い)材料を使用する。例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエステル、ポリイミド製のフィルムを用いる。厚みは0.01〜2.0mmであることが望ましい。   The first and second support layers 12 and 22 are made of a (hard) material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more. For example, a film made of polyethylene terephthalate, polyester, or polyimide is used. The thickness is desirably 0.01 to 2.0 mm.

第1および第2の支持・緩衝層緩衝材15,25を構成する第1支持層12と第1緩衝層13の間、第2支持層22と第2緩衝層23の間は、それぞれ密着して形成されている。   The first support layer 12 and the first buffer layer 13 constituting the first and second support / buffer layer buffer materials 15 and 25, and the second support layer 22 and the second buffer layer 23 are in close contact with each other. Is formed.

第1および第2緩衝層13,23として粘着剤を用いる場合、緩衝層自身の粘着性を利用して第1および第2支持層12,22に密着させたりすることができる。   In the case where an adhesive is used as the first and second buffer layers 13 and 23, the first and second support layers 12 and 22 can be brought into close contact with each other by utilizing the adhesiveness of the buffer layer itself.

また、第1および第2の支持・緩衝層15,25として市販の熱剥離シート(日東電工製:リバアルファ)などの粘着フィルムを用いることができる。   Further, as the first and second support / buffer layers 15, 25, an adhesive film such as a commercially available thermal release sheet (manufactured by Nitto Denko: Riva Alpha) can be used.

(3)それから、インプリントモールド3と被成型体10を冷却し、露光量500mJ/cm2で被成型体10(樹脂ペースト2)を露光、硬化させる(図5)。
露光量は樹脂ペースト(感光性Agペースト)2に用いられている光硬化性材料の感度によって決まる。通常10mJ/cm2〜2000mJ/cm2が適当である。
樹脂として感光性のものを用いていない場合など、必要がない場合には、露光工程は省略してもよい。
なお、露光は、場合によっては上記の冷却が完了する前に行ってもよい。
(3) Then, the imprint mold 3 and the molded body 10 are cooled, and the molded body 10 (resin paste 2) is exposed and cured with an exposure amount of 500 mJ / cm 2 (FIG. 5).
The exposure amount is determined by the sensitivity of the photocurable material used for the resin paste (photosensitive Ag paste) 2. It is appropriate usually 10mJ / cm 2 ~2000mJ / cm 2 .
The exposure step may be omitted if it is not necessary, such as when no photosensitive resin is used.
In some cases, the exposure may be performed before the above cooling is completed.

(4)インプリントモールド3を被成型体10上から離型する。これにより、図5,6に示すように、基板1上には、樹脂ペースト(感光性Agペースト)2が、インプリントモールド3の凹部5aの形状に対応する形状に成型加工されて光硬化した領域(樹脂パターン)2aと、光インプリント用モールド3の凸部5bで押圧されることにより薄くなった未硬化の領域(未硬化膜)2bが残る。   (4) The imprint mold 3 is released from the molding target 10. As a result, as shown in FIGS. 5 and 6, the resin paste (photosensitive Ag paste) 2 is molded on the substrate 1 into a shape corresponding to the shape of the recess 5 a of the imprint mold 3 and photocured. The region (resin pattern) 2a and the uncured region (uncured film) 2b that has been thinned by being pressed by the convex portion 5b of the optical imprint mold 3 remain.

(5)それから、未硬化膜(残膜)2b(図6)をウェットエッチング(現像)により除去し、樹脂パターン2aを得る(図7)。なお、ここでは、現像液として、4%のトリエタノールアミン水溶液を用いたが、現像液はこれに限られるものではない。
なお、未硬化膜(残膜)2b(図6)は場合によってはドライエッチングで除去することも可能である。
(5) Then, the uncured film (residual film) 2b (FIG. 6) is removed by wet etching (development) to obtain a resin pattern 2a (FIG. 7). Here, although a 4% triethanolamine aqueous solution is used as the developer, the developer is not limited to this.
The uncured film (residual film) 2b (FIG. 6) can be removed by dry etching in some cases.

上述のように、支持・緩衝層を、軟らかい緩衝層と、緩衝層よりも硬い支持層の二層構造とすることにより、緩衝層に伸びや皺が生じることを抑制して、インプリントモールドの一部に負荷がかかることによるインプリントモールドの破損を防止することが可能になる。   As described above, the support / buffer layer has a two-layer structure of a soft buffer layer and a support layer that is harder than the buffer layer, thereby preventing the buffer layer from being stretched or wrinkled. It is possible to prevent the imprint mold from being damaged due to a part of the load being applied.

また、上述のような二層構造の支持・緩衝層を用いることにより、ゴミの噛み込みによる微小な凹凸などによる圧力を分散し、圧力分布が生じることによるパターン欠陥の発生や、インプリントモールドの破損などを防止することが可能になる。   In addition, by using the support / buffer layer having the two-layer structure as described above, the pressure due to minute unevenness caused by the bite of dust is dispersed, and the occurrence of pattern defects due to the pressure distribution, the imprint mold It becomes possible to prevent damage and the like.

また、硬い材料からなる支持層により、緩衝層の変形が抑えられることから、支持・緩衝層全体としての取り扱いが容易になる。   Further, since the deformation of the buffer layer is suppressed by the support layer made of a hard material, the support / buffer layer as a whole can be easily handled.

また、緩衝層として粘着性があるものを用いた場合、支持・緩衝層と被成型体あるいはインプリントモールドとを貼り合わせたりして、インプリント工程を効率よく実施することが可能になる。   Further, when an adhesive layer is used as the buffer layer, the imprint process can be efficiently carried out by bonding the support / buffer layer and the object to be molded or the imprint mold.

この実施例2では、本発明のインプリント方法を適用して形成した、複数層構造の配線(コイル導体)を層間接続することにより形成されたコイルを内部に備えた積層インダクタを製造する場合を例にとって説明する。   In Example 2, a case where a multilayer inductor having a coil formed therein by connecting layers of wiring (coil conductors) having a multi-layer structure formed by applying the imprint method of the present invention is manufactured. Let's take an example.

(1)図8に示すように、基板31にキャリアフィルム32を貼り付け、キャリアフィルム32上に1層目の絶縁ペースト33aを印刷にて塗布する。この絶縁ペースト33aを硬化し、最下層の(1層目の)絶縁層43aを形成する。   (1) As shown in FIG. 8, a carrier film 32 is attached to the substrate 31, and a first insulating paste 33 a is applied on the carrier film 32 by printing. The insulating paste 33a is cured to form the lowermost (first) insulating layer 43a.

基板31としては、表面粗さRa=0.1〜1μm、厚さ3mm、100mm□の石英基板などを用いることができる。   As the substrate 31, a quartz substrate having a surface roughness Ra = 0.1 to 1 μm, a thickness of 3 mm, and 100 mm □ can be used.

キャリアフィルム32としては、発泡剥離シート(日東電工製:リバアルファ)などを用いることができる。   As the carrier film 32, a foam release sheet (manufactured by Nitto Denko: Riva Alpha) or the like can be used.

絶縁ペースト33aとしては、例えば感光性ガラスペーストを使用し、UV照射して硬化させる。露光量は絶縁ペーストが十分に硬化する露光量を用いる。例えば、一般的な感光性アクリル系樹脂を用いた感光性ガラスペーストの場合、2000mJ/cm2程度の受光量とする。 As the insulating paste 33a, for example, a photosensitive glass paste is used and cured by UV irradiation. As the exposure amount, an exposure amount at which the insulating paste is sufficiently cured is used. For example, in the case of a photosensitive glass paste using a general photosensitive acrylic resin, the received light amount is about 2000 mJ / cm 2 .

(2)さらに、絶縁層43aの上に、配線用導電ペースト34を10μmの厚さに印刷する。これにより、基板31,キャリアフィルム32、絶縁層43a、樹脂ペースト(感光性Agペースト)34を備えた被成型体40が形成される。
配線用導電ペースト34は、感光性のペースト、例えば感光性Agペーストを使用する。
塗布方法としては、例えば、スピンコートなどを用いることができる。この場合、外周部の配線用導電ペーストは、例えば、基板外周部へリンス液を滴下する(エッジリンスする)ことにより除去する。
(2) Furthermore, the wiring conductive paste 34 is printed on the insulating layer 43a to a thickness of 10 μm. Thereby, the to-be-molded body 40 provided with the board | substrate 31, the carrier film 32, the insulating layer 43a, and the resin paste (photosensitive Ag paste) 34 is formed.
As the conductive paste 34 for wiring, a photosensitive paste, for example, a photosensitive Ag paste is used.
As a coating method, for example, spin coating or the like can be used. In this case, the conductive paste for wiring on the outer peripheral portion is removed by, for example, dropping a rinse solution onto the outer peripheral portion of the substrate (edge rinsing).

(3)図9に示すように、インプリントモールド3を、その下面側の凹凸パターン形成面4が、基板31,キャリアフィルム32、絶縁層43a、樹脂ペースト(感光性Agペースト)34を備えた被成型体40と対向するように重ね合わせ、100℃に加熱しながら5MPaの圧力で被成型体40に押し付ける(プレスする)。
なお、インプリントモールド3としては、実施例1で用いたものと同じ構成のものを用いた(図2参照)。
(3) As shown in FIG. 9, the concavo-convex pattern forming surface 4 on the lower surface side of the imprint mold 3 includes a substrate 31, a carrier film 32, an insulating layer 43a, and a resin paste (photosensitive Ag paste) 34. They are superposed so as to face the molding target 40 and pressed (pressed) against the molding target 40 at a pressure of 5 MPa while being heated to 100 ° C.
In addition, as the imprint mold 3, the thing of the same structure as what was used in Example 1 was used (refer FIG. 2).

このとき、具体的には、図9に示すように、被成型体40が載置される第1ステージ11と被成型体40との間に、第1ステージ側11に配設される第1支持層12と、被成型体40側に配設される、第1支持層12よりも軟らかい材料からなる第1緩衝層13の2つの層を備えた2層構造の第1支持・緩衝層15を配設する。   At this time, specifically, as shown in FIG. 9, the first stage 11 disposed on the first stage side 11 is between the first stage 11 on which the molding target 40 is placed and the molding target 40. The first support / buffer layer 15 having a two-layer structure including the support layer 12 and the first buffer layer 13 made of a material softer than the first support layer 12 and disposed on the molding target 40 side. Is disposed.

また、図9に示すように、凹凸パターン形成面4が、被成型体40と対向するように配設されるインプリントモールド3と、被成型体40およびインプリントモールド3を介して第1ステージ11と対向する第2ステージ21との間に、第2ステージ21側に配設される第2支持層22と、インプリントモールド3側に配設される、第2支持層22よりも軟らかい材料からなる第2緩衝層23の2つの層を備えた2層構造の第2支持・緩衝層25を配設する。   Further, as shown in FIG. 9, the imprint mold 3 is disposed so that the concave / convex pattern forming surface 4 faces the molding target 40, and the first stage via the molding target 40 and the imprint mold 3. 11 and the second stage 21 facing the second support layer 22 disposed on the second stage 21 side, and a material softer than the second support layer 22 disposed on the imprint mold 3 side. A second support / buffer layer 25 having a two-layer structure including two layers of the second buffer layer 23 is provided.

そして、この状態で、インプリントモールド3の被成型体40へのプレスを行う。これにより、インプリントモールド3の凹凸パターン17が、被成型体40(配線用導電ペースト34)に転写される。   Then, in this state, the imprint mold 3 is pressed onto the molding target 40. Thereby, the uneven | corrugated pattern 17 of the imprint mold 3 is transcribe | transferred to the to-be-molded body 40 (conductive paste 34 for wiring).

加熱温度は加工材料(配線用導電ペースト34に含まれる熱可塑性の材料(樹脂))のガラス転移温度(Tg)以上であればよい。   The heating temperature should just be more than the glass transition temperature (Tg) of process material (Thermoplastic material (resin) contained in the electrically conductive paste 34 for wiring).

また、プレス時の圧力は、被成型体(詳しくは、配線用導電ペーストに含まれる樹脂)に所望の凹凸を形成することが可能で、かつ被成型体(配線用導電ペーストに含まれる樹脂)が熱硬化しない圧力範囲であればよい。   Further, the pressure during pressing can form desired irregularities on the object to be molded (specifically, resin contained in the conductive paste for wiring), and the object to be molded (resin included in the conductive paste for wiring). Any pressure range that does not cause thermosetting is acceptable.

また、第1および第2緩衝層13,23には、上記実施例1で用いたものと同様に、ヤング率0.1GPa未満の(軟らかい)材料を使用する。例えば、アクリル系、合成ゴム系、シリコン系の粘着材や、シリコーンゴム、フッ素ゴム等のエラストマーを用いる。厚みは0.01mm〜2.0mmが望ましい。   For the first and second buffer layers 13 and 23, a material having a Young's modulus of less than 0.1 GPa (soft) is used as in the first embodiment. For example, an acrylic, synthetic rubber, or silicon adhesive, or an elastomer such as silicone rubber or fluororubber is used. The thickness is desirably 0.01 mm to 2.0 mm.

また、第1および第2支持層12,22には、上記実施例1で用いたものと同様に、ヤング率0.1GPa以上の(硬い)材料を使用する。例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリエステル、ポリイミド製のフィルムを用いる。厚みは0.01〜2.0mmが望ましい。
また、上記実施例1の場合と同様に、第1および第2の支持・緩衝層緩衝材15,25を構成する第1支持層12と第1緩衝層13の間、第2支持層22と第2緩衝層23の間は、それぞれ密着して形成されている。
Further, the first and second support layers 12 and 22 are made of a (hard) material having a Young's modulus of 0.1 GPa or more, similar to that used in the first embodiment. For example, a film made of polyethylene terephthalate, polyester, or polyimide is used. The thickness is desirably 0.01 to 2.0 mm.
Similarly to the case of Example 1, the first support layer 12 and the first buffer layer 13 constituting the first and second support / buffer layer cushioning materials 15 and 25, the second support layer 22 and The second buffer layers 23 are formed in close contact with each other.

(4)それから、インプリントモールド3と被成型体40を冷却し、露光量500mJ/cm2で被成型体40(感光性Agペースト34)を露光、硬化させる(図10)。
露光量は感光性Agペースト34に用いられている光硬化性材料の感度によって決まる。通常10mJ/cm2〜2000mJ/cm2が適当である。
樹脂として感光性のものを用いていない場合など、必要がない場合には、露光工程は省略してもよい。
なお、露光は、場合によっては上記の冷却が完了する前に行ってもよい。
(4) Then, the imprint mold 3 and the molded body 40 are cooled, and the molded body 40 (photosensitive Ag paste 34) is exposed and cured with an exposure amount of 500 mJ / cm 2 (FIG. 10).
The exposure amount is determined by the sensitivity of the photocurable material used for the photosensitive Ag paste 34. It is appropriate usually 10mJ / cm 2 ~2000mJ / cm 2 .
The exposure step may be omitted if it is not necessary, such as when no photosensitive resin is used.
In some cases, the exposure may be performed before the above cooling is completed.

(5)インプリントモールド3を被成型体40上から離型する。これにより、図11,12に示すように、基板31上には、インプリントモールド3の凹部5a(図2)の形状に対応する形状に成型加工され、光硬化した領域(配線パターン)34aと、インプリントモールド3の凸部5bで押圧されることにより薄くなった未硬化の領域(未硬化膜)34bが残る。   (5) The imprint mold 3 is released from the molding target 40. As a result, as shown in FIGS. 11 and 12, a region (wiring pattern) 34a formed on the substrate 31 is molded into a shape corresponding to the shape of the recess 5a (FIG. 2) of the imprint mold 3 and is photocured. The uncured region (uncured film) 34b that has been thinned by being pressed by the convex portion 5b of the imprint mold 3 remains.

(6)それから、未硬化膜(残膜)34bをウェットエッチング(現像)により除去し、1層目の配線パターン34aを得る(図12)。なお、ここでは、現像液として、例えば4%のトリエタノールアミン水溶液を用いる。
なお、残膜は場合によってはドライエッチングで除去することも可能である。
(6) Then, the uncured film (residual film) 34b is removed by wet etching (development) to obtain a first-layer wiring pattern 34a (FIG. 12). Here, for example, a 4% triethanolamine aqueous solution is used as the developer.
Note that the remaining film may be removed by dry etching in some cases.

(7)次に、配線パターン34aを、90℃、10Pa、60分の条件で減圧処理した後、ホットプレートで200℃に加熱する。
減圧処理の条件はこれに限定されない。圧力が100Pa以下であれば、より短時間に効果を得ることができる。
(7) Next, the wiring pattern 34a is subjected to a decompression process at 90 ° C. and 10 Pa for 60 minutes, and then heated to 200 ° C. with a hot plate.
The conditions for the decompression process are not limited to this. If the pressure is 100 Pa or less, the effect can be obtained in a shorter time.

(8)それから、図13に示すように、配線パターン34a上に、2層目の絶縁ペースト33bを、スクリーン版38a、スキージ38bを用いるスクリーン印刷法により10μmの厚さに塗布する。
なお、2層目の絶縁ペースト33bの塗布方法はスクリーン印刷法に限られるものではなく、他の方法を用いることも可能である。
また、絶縁ペースト33bは、例えば1層目の絶縁ペースト33aと同じ感光性ガラスペーストを使用することができる。1層目の絶縁ペーストとは異なるものを用いることも可能である。
(8) Then, as shown in FIG. 13, a second layer of insulating paste 33b is applied on the wiring pattern 34a by a screen printing method using a screen plate 38a and a squeegee 38b to a thickness of 10 μm.
Note that the method of applying the second-layer insulating paste 33b is not limited to the screen printing method, and other methods can be used.
For example, the same photosensitive glass paste as the first-layer insulating paste 33a can be used as the insulating paste 33b. It is also possible to use a different one from the first-layer insulating paste.

(9)それから、必要に応じて、図14に示すように、2層目の絶縁ペースト33bに、ビアホール用貫通孔36を形成する。
感光性ガラスペーストの場合、フォトリソグラフィーでビアホールパターンを形成することができる。加工条件としては、露光量100mJ/cm2、現像30秒(現像液:2%Na2CO3水溶液)などが例示される。
上記ビアホール用貫通孔36の形成の際に同時に、またはビアホール用貫通孔36を形成した後に、絶縁ペースト33bを硬化させて2層目の絶縁層43bを形成する。
(9) Then, if necessary, a via hole through hole 36 is formed in the second insulating paste 33b as shown in FIG.
In the case of a photosensitive glass paste, a via hole pattern can be formed by photolithography. Examples of processing conditions include an exposure amount of 100 mJ / cm 2 , development for 30 seconds (developer: 2% Na 2 CO 3 aqueous solution), and the like.
Simultaneously with the formation of the via hole through hole 36 or after the formation of the via hole through hole 36, the insulating paste 33b is cured to form the second insulating layer 43b.

(10)それから、上記(2)〜(9)の工程を繰り返して、所定の層数の配線パターン34aを形成した後、最上層の配線パターン34a上に3層目の絶縁ペースト33cを印刷し、UV照射して硬化させることにより最上層(3層目)の絶縁層43cを形成する(図15)。   (10) Then, the steps (2) to (9) are repeated to form a predetermined number of wiring patterns 34a, and then the third-layer insulating paste 33c is printed on the uppermost wiring pattern 34a. The uppermost (third) insulating layer 43c is formed by UV irradiation and curing (FIG. 15).

なお、図15では、便宜上、配線パターンは2層構造で、ビアホール導体37により、層間接続された状態を示しているが、配線パターンは3層以上の多層構造とすることが可能であり、この実施例のような積層インダクタの場合も通常は3層以上の多層構造となる。   In FIG. 15, for the sake of convenience, the wiring pattern has a two-layer structure and the interlayer connection is shown by the via-hole conductor 37. However, the wiring pattern can have a multilayer structure of three or more layers. In the case of the multilayer inductor as in the embodiment, it usually has a multilayer structure of three or more layers.

また、最上層の絶縁層を形成するための絶縁ペースト33cとしても、例えば1,2層目の絶縁ペースト33a,33bと同じ感光性ガラスペーストを使用する。ただし、1層目,2層目の絶縁ペーストとは異なるものを用いることも可能である。   Also, as the insulating paste 33c for forming the uppermost insulating layer, for example, the same photosensitive glass paste as the first and second insulating pastes 33a and 33b is used. However, it is possible to use a different one from the first and second insulating pastes.

(11)それから、ダイシングして個々のチップに分割し、キャリアフィルムを剥離するとともに基板を除去する。   (11) Then, the wafer is diced and divided into individual chips, the carrier film is peeled off, and the substrate is removed.

(12)個々のチップ39(図16)を焼成することによりチップ素子を得る。そして、必要に応じてチップ素子をバレル研磨した後、外部電極の形成を行う。   (12) A chip element is obtained by firing individual chips 39 (FIG. 16). Then, after the chip element is barrel-polished as necessary, external electrodes are formed.

これにより、図17に模式的に示すように、配線パターン(34a(図15))が焼成されてなる配線(コイル導体)134が、絶縁層143に配設されたビアホール導体(図示せず)を介して接続されてなるコイル120を内部に備えるとともに、コイル120の両端部と導通するように配設された一対の外部電極140a,140bを備えた積層型コイル部品100が得られる。外部電極としては、例えば、Ni層を下層として、その上に、Cuめっき、Snめっきなどが施された構造を有する外部電極を形成する。   Thereby, as schematically shown in FIG. 17, a wiring (coil conductor) 134 obtained by firing the wiring pattern (34 a (FIG. 15)) is a via-hole conductor (not shown) disposed in the insulating layer 143. Thus, the laminated coil component 100 including a pair of external electrodes 140a and 140b arranged to be electrically connected to both ends of the coil 120 is obtained. As the external electrode, for example, an external electrode having a structure in which a Ni layer is used as a lower layer and Cu plating, Sn plating, or the like is applied thereon is formed.

この実施例2においても、上述のように、第1および第2支持・緩衝層として、軟らかい緩衝層と、緩衝層よりも硬い支持層の二層構造のものを用いているので、インプリントモールドを感光性Agペーストに押し付けて配線パターンを形成する工程を繰り返して行って積層インダクタを製造する場合にも、インプリント工程における緩衝層の伸びや皺の発生を抑制、防止することができる。その結果、インプリントモールドの一部に負荷がかかることによるインプリントモールドの破損を効率よく防止することができる。また、ゴミの噛み込みによる微小な凹凸などによる圧力を分散して、インプリントモールドの破損や圧力分布によるパターン欠陥などの発生を防止することが可能になる。
また、その他の点においても、上記実施例1の場合と同様の効果を得ることができる。
Also in the second embodiment, as described above, since the first and second support / buffer layers have a two-layer structure of a soft buffer layer and a support layer harder than the buffer layer, an imprint mold is used. Even when a multilayer inductor is manufactured by repeatedly performing a process of forming a wiring pattern by pressing to a photosensitive Ag paste, it is possible to suppress and prevent the elongation of the buffer layer and the generation of wrinkles in the imprint process. As a result, it is possible to efficiently prevent the imprint mold from being damaged by applying a load to a part of the imprint mold. In addition, it is possible to prevent the occurrence of pattern defects due to the damage of the imprint mold or the pressure distribution by dispersing the pressure due to minute unevenness due to the biting of dust.
In other respects, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

なお、上記実施例1,2では、積層インダクタを製造する場合を例にとって説明したが、本発明は、例えば、LCフィルタなどの他の積層電子部品を製造する場合にも適用することが可能である。   In the first and second embodiments, the case where the multilayer inductor is manufactured has been described as an example. However, the present invention can also be applied to the case where other multilayer electronic components such as an LC filter are manufactured. is there.

また、上記実施例では、感光性Agペーストを光インプリント工法でパターニングして配線パターンを形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、熱硬化性のペースト膜を熱インプリント法によりパターニングするような場合にも適用することが可能である。   In the above-described embodiment, the case where the photosensitive Ag paste is patterned by the photoimprinting method to form the wiring pattern has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the thermosetting paste film is used. It is also possible to apply to the case of patterning by thermal imprinting.

また、上記実施例2では、絶縁層へのビアホール用貫通孔の形成にフォトリソグラフィー法を用いたが、ビアホール用貫通孔の形状に加工したモールドを用いて光インプリント工法により形成することも可能である。   In Example 2, the photolithography method was used to form the through hole for the via hole in the insulating layer. However, it can also be formed by the optical imprint method using the mold processed into the shape of the through hole for the via hole. It is.

本発明は、さらにその他の点においても、上記実施例に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。   The present invention is not limited to the above embodiments in other points, and various applications and modifications can be made within the scope of the invention.

1 基板
2 樹脂ペースト(感光性Agペースト)
2a 感光性Agペーストの光硬化した領域(樹脂パターン)
2b 感光性Agペーストの未硬化の領域
3 インプリントモールド
4 凹凸パターン形成面
10 被成型体
5a インプリントモールドの凹部
5b インプリントモールドの凸部
11 第1ステージ
12 第1支持層
13 第1緩衝層
15 第1支持・緩衝層
16 膜(遮光膜)
17 凹凸パターン
21 第2ステージ
22 第2支持層
23 第2緩衝層
25 第2支持・緩衝層
31 基板
32 キャリアフィルム
33a 1層目の絶縁ペースト
33b 2層目の絶縁ペースト
33c 3層目の絶縁ペースト
34 配線用導電ペースト(感光性Agペースト)
34a 感光性Agペーストの光硬化した領域(配線パターン)
34b 感光性Agペーストの未硬化の領域
36 ビアホール用貫通孔
37 ビアホール導体
38a スクリーン版
38b スキージ
39 チップ
40 被成型体
43a 絶縁ペーストが硬化した最下層の絶縁層
43b 2層目の絶縁層
43c 最上層(3層目)の絶縁層
100 積層型コイル部品
120 コイル
134 コイル導体
143 絶縁層
140a,140b 外部電極
1 Substrate 2 Resin paste (photosensitive Ag paste)
2a Photocured region of photosensitive Ag paste (resin pattern)
2b Uncured region of photosensitive Ag paste 3 Imprint mold 4 Concavity and convexity pattern forming surface 10 Molded object 5a Concave portion of imprint mold 5b Convex portion of imprint mold 11 First stage 12 First support layer 13 First buffer layer 15 First support / buffer layer 16 Film (light-shielding film)
17 Concavity and convexity pattern 21 Second stage 22 Second support layer 23 Second buffer layer 25 Second support / buffer layer 31 Substrate 32 Carrier film 33a First insulating paste 33b Second insulating paste 33c Third insulating paste 34 Conductive paste for wiring (photosensitive Ag paste)
34a Photocured region (wiring pattern) of photosensitive Ag paste
34b Uncured region of photosensitive Ag paste 36 Via-hole through-hole 37 Via-hole conductor 38a Screen plate 38b Squeegee 39 Chip 40 Molded body 43a Lowermost insulating layer cured insulating paste 43b Second insulating layer 43c Uppermost layer (Third layer) insulating layer 100 laminated coil component 120 coil 134 coil conductor 143 insulating layer 140a, 140b external electrode

Claims (4)

表面に凹凸パターンが形成されたインプリントモールドを、所定のパターンを形成すべき被成型体にプレスして、前記インプリントモールドの前記凹凸パターンを前記被成型体に転写することにより、前記被成型体にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記被成型体が載置される第1ステージと前記被成型体との間に、前記第1ステージ側に配設される第1支持層と、前記被成型体側に配設される、前記第1支持層よりも軟らかい材料からなる第1緩衝層の2つの層を備えた2層構造の第1支持・緩衝層を配設するとともに、
前記凹凸パターン形成面が、前記被成型体と対向するように配設される前記インプリントモールドと、前記被成型体および前記インプリントモールドを介して前記第1ステージと対向する第2ステージとの間に、前記第2ステージ側に配設される第2支持層と、前記インプリントモールド側に配設される、前記第2支持層よりも軟らかい材料からなる第2緩衝層の2つの層を備えた2層構造の第2支持・緩衝層を配設し、
前記第1および/または第2ステージを、両者が接近する方向に動作させて、 前記インプリントモールドを前記被成型体に押し付け、前記被成型体に前記インプリントモールドの前記凹凸パターンに対応するパターンを形成すること
を特徴とするインプリント方法。
The imprint mold having a concavo-convex pattern formed on the surface thereof is pressed onto a molding target on which a predetermined pattern is to be formed, and the concavo-convex pattern of the imprint mold is transferred to the molding target, thereby the molding target. An imprint method for forming a pattern on a body,
A first support layer disposed on the first stage side and a first support layer disposed on the molded body side between the first stage on which the molded body is placed and the molded body; A first support / buffer layer having a two-layer structure including two layers of a first buffer layer made of a material softer than one support layer;
The imprint mold disposed so that the concavo-convex pattern forming surface faces the molding target, and the second stage facing the first stage via the molding target and the imprint mold Between the two layers, a second support layer disposed on the second stage side and a second buffer layer disposed on the imprint mold side and made of a softer material than the second support layer. A second support / buffer layer having a two-layer structure is provided;
The first and / or second stage is moved in a direction in which both approach each other, the imprint mold is pressed against the molding object, and the pattern corresponding to the uneven pattern of the imprint mold is pressed against the molding object Forming an imprinting method.
前記第1支持層および第2支持層が、厚み0.01〜2.0mmの樹脂フィルムであることを特徴とする請求項1記載のインプリント方法。   The imprint method according to claim 1, wherein the first support layer and the second support layer are resin films having a thickness of 0.01 to 2.0 mm. 前記第1緩衝層および第2緩衝層が、厚み0.01〜2.0mmのエラストマーからなるものであることを特徴とする請求項1または2記載のインプリント方法。   The imprinting method according to claim 1 or 2, wherein the first buffer layer and the second buffer layer are made of an elastomer having a thickness of 0.01 to 2.0 mm. 前記第1緩衝層および第2緩衝層が、厚み0.01〜2.0mmで、粘着性を有するものであることを特徴とする請求項1または2に記載のインプリント方法。   The imprint method according to claim 1, wherein the first buffer layer and the second buffer layer have a thickness of 0.01 to 2.0 mm and have adhesiveness.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2013069448A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-16 独立行政法人科学技術振興機構 Method for producing die-pressed structural body, thin-film transistor, thin-film capacitor, actuator, piezoelectric inkjet head, and optical device
JP2019064861A (en) * 2017-09-29 2019-04-25 学校法人東京理科大学 Method for producing molding, and molding

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013069448A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-16 独立行政法人科学技術振興機構 Method for producing die-pressed structural body, thin-film transistor, thin-film capacitor, actuator, piezoelectric inkjet head, and optical device
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