JP2010112866A - 可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システム - Google Patents

Abstract

【課題】温度測定手段を設けず、撮影可能領域を狭めることなく、放射線検出素子の温度に対応したオフセット補正値やゲイン補正値で画像データを適切に補正可能な可搬型放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】可搬型放射線画像撮影装置１は、複数の放射線検出素子（ｘ，ｙ）と、放射線検出素子の温度Ｔとオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）またはゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を対応付ける第１、第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２を備え、放射線画像撮影の前または後に１回以上行われるダーク読取処理の結果から算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応する上記温度Ｔを第１特性テーブルＬＵＴ１に基づいて推定し、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）と、第２特性テーブルＬＵＴ２から割り出した推定した温度Ｔに対応するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）とを用いて実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を補正して最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成する。
【選択図】図７

Description

本発明は、可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムに関するものである。

病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線を用いて撮影された放射線画像が広く用いられている。こうした医療用の放射線画像は、従来からスクリーンフィルムを用いて撮影されていたが、放射線画像のデジタル化を図るために輝尽性蛍光体シートを用いたＣＲ（Computed Radiography）装置が開発され、最近では、照射された放射線を、二次元状に配置された放射線検出素子で検出して、デジタル画像データとして取得する放射線画像撮影装置が開発されている。

このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来はブッキー装置と一体的に形成されていた（例えば特許文献１参照）。しかし、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納して可搬とされた可搬型放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２参照）。また、このような可搬型の放射線画像撮影装置では、バッテリを内蔵し、信号やデータ等の送受信をアンテナ装置を介した電波のやりとりで行う放射線画像撮影装置が開発されている（例えば特許文献３等参照）。

また、放射線画像撮影装置では、放射線検出素子を常時駆動状態とすると素子の寿命が短くなることが知られており、放射線画像撮影を行わない場合には、放射線検出素子への電力の供給を停止して駆動が停止されるように構成されることが多い（例えば特許文献４等参照）。

特に、バッテリが内蔵された可搬型の放射線画像撮影装置では、上記のように放射線検出素子の寿命の長期化を図るとともに、さらにバッテリの消耗を避けること等を目的として、放射線検出素子等に対する電力の供給状態を、放射線検出素子等に電力を供給して放射線画像撮影を可能とする撮影可能モードと、放射線検出素子等への電力の供給を停止して必要な部材にのみ電力を供給するスリープモードとの間で切り替えることができるように構成されている場合も多い。スリープモードでは、放射線検出素子等に電力を供給しないため消費電力を抑制することができるが、放射線画像撮影を行うことはできない。

一方、いわゆる直接型および間接型の放射線画像撮影装置では、放射線画像撮影時に照射された放射線に起因して放射線検出素子内に電荷が蓄積され、それが読み出され、電気信号に変換されて画像データとして検出される。しかし、放射線検出素子内には、照射された放射線に起因する電荷だけでなくいわゆる暗電荷も蓄積される。

そして、放射線検出素子から読み出される電荷には暗電荷が含まれるため、放射線検出素子から読み出された電荷に基づく生の画像データ（以下、実写画像データＦという。）には、暗電荷に起因する信号値が含まれている。そのため、照射された放射線の線量のみに起因する真の画像データＦ_Ｏを得るためには、放射線検出素子ごとに、実写画像データＦから暗電荷に対応するオフセット分であるオフセット補正値Ｏを差し引いて補正することが必要となる。

すなわち、複数の放射線検出素子が二次元状に配列された放射線画像撮影装置の検出部における各放射線検出素子の位置座標を（ｘ，ｙ）と表し、この放射線検出素子（ｘ，ｙ）から取得される実写画像データをＦ（ｘ，ｙ）、この放射線検出素子（ｘ，ｙ）についてのオフセット補正値をＯ（ｘ，ｙ）、補正されて得られる画像データをＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）と表すと、最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）は、
Ｆ_Ｏ（ｘ，ｙ）＝（Ｆ（ｘ，ｙ）−Ｏ（ｘ，ｙ））×Ｇ（ｘ，ｙ） …（１）
の演算によって得ることができる。ここで、Ｇ（ｘ，ｙ）は放射線検出素子（ｘ，ｙ）についてのゲイン補正値である。

このように、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を補正して最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を得るために、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）やゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を取得することが必要となる。そのため、放射線画像撮影装置に対してキャリブレーションを定期的に行い、ゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）やオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）、或いはその両者を更新するのが一般的である。

放射線検出素子ごとのオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を得る手法としては、キャリブレーション時に、放射線画像撮影装置に対して放射線を照射しない状態で放射線検出素子に暗電荷を蓄積させ、蓄積された暗電荷を読み取る、いわゆるダーク読取処理が行われるのが一般的である。

その際、ダーク読取処理で放射線検出素子ごとに取得されるダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）は、種々の電気ノイズで信号値にゆらぎ（ばらつき）が生じるため、ダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）をそのままオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）とすることは必ずしも好ましくなく、ダーク読取処理を複数回行って各ダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）の平均値を算出し、その平均値をオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）として採用することがしばしば行われる（例えば特許文献５〜７等参照）。

ところで、放射線画像撮影装置の電源がオンされた直後や、上記のように放射線検出素子等に対する電力供給状態を撮影可能モードとスリープモードとの間で切り替え可能に構成された放射線画像撮影装置で、電力供給状態がスリープモードから撮影可能モードに切り替えられた際などには、放射線検出素子等への電力の供給が開始されて放射線検出素子等の温度が上昇していく。

そして、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を補正するためのオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）算出の基礎となるダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）は、放射線検出素子等の温度に依存して信号値が変化する。また、ゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）も放射線検出素子等の温度に依存してその値が変化することが知られている。

そこで、例えば特許文献８に記載の放射線画像撮影装置では、放射線検出素子が二次元状に配列された検出部等に温度センサ等の温度検出手段を取り付けておき、放射線画像撮影が行われた際の放射線検出素子等の温度を実際に測定し、測定された温度に対応するオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）やゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を算出して実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を補正して最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を得ることが提案されている。

また、例えば特許文献９に記載の放射線画像撮影装置では、複数の放射線検出素子が二次元状に配列された検出部のうち、放射線画像撮影の際に、放射線が照射された領域の放射線検出素子から実写画像データＦ（ｘ，ｙ）等を取得し、放射線が照射されなかった領域の放射線検出素子からダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）やオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）等を取得する手法が提案されている。
特開平９−７３１４４号公報 特開２００６−０５８１２４号公報 特開２００３−２１０４４４号公報 特開２０００−１３９８８９号公報 米国特許第５４５２３３８号明細書 米国特許第６２２２９０１号明細書 米国特許第７０４１９５５号明細書 特開平１０−２６０４８７号公報 米国特許第６７３７６５４号明細書

しかしながら、特許文献８に記載の放射線画像撮影装置のように、温度検出手段を設けると、特に可搬型の放射線画像撮影装置では温度検出手段を設ける分だけ装置のサイズが大型化してしまうという問題があった。また、温度センサ等を設けると、部品点数が増えて製造コストが増大するうえ、温度センサ等を稼働させるために装置に内蔵されたバッテリの電力がより多く消費されてしまうという問題もあった。さらに、特定の部分の温度で全領域の温度を見なし制御するので、補正精度に問題があり、これに対処するために、所定の領域ごとに温度検出手段を増加すると、ますます部品点数が増加するものとなっていた。

また、特許文献９に記載の放射線画像撮影装置のように、複数の放射線検出素子が二次元状に配列された検出部で、例えば、物理的に放射線の照射から放射線検出素子を遮蔽するための遮蔽部材を設け、遮蔽部材に遮蔽された放射線検出素子からはダーク読取値等のみを取得するように構成すると、その放射線検出素子を放射線画像撮影に用いることができなくなるため、放射線画像撮影の際に放射線の照射を受けることができ、実写画像データを出力し得る放射線検出素子の領域、すなわち撮影可能領域が狭くなってしまうという問題がある。

また、そのような遮蔽部材を設けずに、実際に放射線の照射を受けた放射線検出素子から実写画像データを取得し、放射線が照射されなかった放射線検出素子からダーク読取値を取得するように構成すると、放射線検出素子が放射線の照射を受けたか否かを判定する処理構成が必要となり、制御が煩雑になる。

特に、放射線画像撮影装置をブッキー装置等に装填せずに、例えばベッド等の上に載置した状態で、その放射線入射面上に被写体（すなわち患者の患部部分等）を載せたり接近させたりして放射線画像撮影を行うような場合、放射線画像撮影装置の検出部のどの位置に放射線検出素子が放射線の照射を受け、或いは放射線の照射を受けないかが予め特定できないため、上記の判定処理が必要となるといった問題があった。

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、温度測定手段を設けず、撮影可能領域を狭めることなく、放射線検出素子等の温度に対応したオフセット補正値やゲイン補正値を割り出して画像データを適切に補正可能な可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムを提供することを目的とする。

前記の問題を解決するために、本発明の可搬型放射線画像撮影装置は、
放射線の照射線量に応じて電荷を発生させる放射線検出素子が二次元状に配列された検出部と、
前記放射線検出素子から前記電荷を読み出して前記放射線検出素子ごとに前記電荷を実写画像データに変換するとともに、放射線を照射しない状態では前記各放射線検出素子に蓄積された暗電荷を前記放射線検出素子ごとに読み出してダーク読取値に変換可能な読み出し回路と、
前記ダーク読取値に基づいてオフセット補正値を算出するとともに、前記各放射線検出素子から読み出された電荷に基づく前記実写画像データを補正して最終的な画像データを生成する演算手段と、
前記放射線検出素子の温度と前記オフセット補正値とを対応付ける第１特性テーブルと、前記放射線検出素子の温度とゲイン補正値とを対応付ける第２特性テーブルとが保存された記憶手段と、
前記各部材に電力を供給するバッテリと、
放射線画像撮影の前または後に前記ダーク読取値を読み取るダーク読取処理を少なくとも１回行うように制御する制御手段と、
を備え、
前記演算手段は、算出した前記オフセット補正値に対応する前記放射線検出素子の温度を前記第１特性テーブルに基づいて推定し、推定した前記温度に対応する前記ゲイン補正値を前記第２特性テーブルに基づいて割り出し、前記各放射線検出素子ごとに、前記実写画像データを前記オフセット補正値および前記ゲイン補正値により補正して前記最終的な画像データを生成することを特徴とする。

また、本発明の放射線画像撮影システムは、
放射線の照射線量に応じて電荷を発生させる放射線検出素子が二次元状に配列された検出部と、
前記放射線検出素子から前記電荷を読み出して前記放射線検出素子ごとに前記電荷を実写画像データに変換するとともに、放射線を照射しない状態では前記各放射線検出素子に蓄積された暗電荷を前記放射線検出素子ごとに読み出してダーク読取値に変換可能な読み出し回路と、
前記各部材に電力を供給するバッテリと、
放射線画像撮影の前または後に前記ダーク読取値を読み取るダーク読取処理を少なくとも１回行うように制御する制御手段と、
前記実写画像データおよび前記ダーク読取値を送信可能な通信手段と、
を備える可搬型放射線画像撮影装置と、
前記実写画像データおよび前記ダーク読取値を受信可能な通信手段と、
前記放射線検出素子の温度とオフセット補正値とを対応付ける第１特性テーブルと、前記放射線検出素子の温度とゲイン補正値とを対応付ける第２特性テーブルとが、前記可搬型放射線画像撮影装置ごとに保存された記憶手段と、
が接続されたコンソールと、
を備え、
前記コンソールは、前記ダーク読取値に基づいて前記オフセット補正値を算出し、算出した前記オフセット補正値に対応する前記放射線検出素子の温度を前記第１特性テーブルに基づいて推定し、推定した前記温度に対応する前記ゲイン補正値を前記第２特性テーブルに基づいて割り出し、前記可搬型放射線画像撮影装置の前記各放射線検出素子ごとに、前記実写画像データを前記オフセット補正値および前記ゲイン補正値により補正して前記最終的な画像データを生成することを特徴とする。

また、本発明の放射線画像撮影システムは、
放射線の照射線量に応じて電荷を発生させる放射線検出素子が二次元状に配列された検出部と、
前記放射線検出素子から前記電荷を読み出して前記放射線検出素子ごとに前記電荷を実写画像データに変換するとともに、放射線を照射しない状態では前記各放射線検出素子に蓄積された暗電荷を前記放射線検出素子ごとに読み出してダーク読取値に変換可能な読み出し回路と、
前記各部材に電力を供給するバッテリと、
放射線画像撮影の前または後に前記ダーク読取値を読み取るダーク読取処理を少なくとも１回行うように制御するとともに、前記ダーク読取値に基づいてオフセット補正値を算出する制御手段と、
前記実写画像データおよび前記オフセット補正値を送信可能な通信手段と、
を備える可搬型放射線画像撮影装置と、
前記実写画像データおよび前記オフセット補正値を受信可能な通信手段と、
前記放射線検出素子の温度と前記オフセット補正値とを対応付ける第１特性テーブルと、前記放射線検出素子の温度とゲイン補正値とを対応付ける第２特性テーブルとが、前記可搬型放射線画像撮影装置ごとに保存された記憶手段と、
が接続されたコンソールと、
を備え、
前記コンソールは、受信した前記オフセット補正値に対応する前記放射線検出素子の温度を前記第１特性テーブルに基づいて推定し、推定した前記温度に対応する前記ゲイン補正値を前記第２特性テーブルに基づいて割り出し、前記可搬型放射線画像撮影装置の前記各放射線検出素子ごとに、前記実写画像データを前記オフセット補正値および前記ゲイン補正値により補正して前記最終的な画像データを生成することを特徴とする。

本発明のような方式の放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムによれば、放射線画像撮影装置に各放射線検出素子の温度を測定する温度測定手段を設けなくても、第１特性テーブルを用いてオフセット補正値から温度を推定し、第２特性テーブルを用いてその温度に対応するゲイン補正値を的確に割り出すことが可能となる。

そのため、放射線画像撮影時の各放射線検出素子の温度に的確に対応したオフセット補正値およびゲイン補正値を得ることが可能となり、それらに基づいて実写画像データを適切に補正してより高精細な画像データを生成することが可能となるとともに、温度測定手段を設ける必要がないため、可搬型の放射線画像撮影装置のサイズが大型化したり、部品点数が増えて製造コストが増大したり、温度測定手段を稼働させるために装置に内蔵されたバッテリの電力がより多く消費されるということも回避することが可能となる。

また、放射線画像撮影装置の検出部に二次元状に配列された全ての放射線検出素子を用いて被写体の放射線画像を撮影することが可能となるため、前述した従来技術のように撮影可能領域が狭くなるという問題を生じない。また、各放射線検出素子がそれぞれ放射線の照射を受けたか否かの判定を行う必要もないため、制御構成の複雑化したり煩雑化することを回避することが可能となる。

以下、本発明に係る可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の図示例のものに限定されるものではない。

なお、以下、可搬型放射線画像撮影装置を単に放射線画像撮影装置と表す。また、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。

［放射線画像撮影装置］
まず、本実施形態に係る放射線画像撮影装置について説明する。図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレータ３や基板４等が収納されたカセッテ型の可搬型放射線画像撮影装置として構成されている。

ハウジング２は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面Ｒ（以下、放射線入射面Ｒという。）が放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、ハウジング２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわば弁当箱型である場合が示されているが、ハウジング２を一体的に形成する、例えば特開２００２−３１１５２６号公報に記載されたＸ線画像撮影装置のような、いわばモノコック型とすることも可能である。

ハウジング２の内部の基板４の下方側には、図２に示すように、基台３１が配置されており、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。また、本実施形態では、基台３１やＰＣＢ基板３３の下面側には、放射線画像撮影装置１の放射線入射面Ｒ側から入射し、シンチレータ３や基板４、基台３１等を透過した放射線を検出して、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されたことを検出する放射線センサ３５が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒ側には、それらを保護するためのガラス基板３６が配設されている。

シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光線を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。シンチレータ３は、基板４の後述する検出部Ｐに貼り合わされるようになっている。

基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各小領域ｒには、それぞれ本実施形態では光電変換素子である放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。このように、放射線検出素子７は、基板４上に二次元状に配列されており、複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。

本実施形態では、放射線検出素子７として、放射線入射面Ｒから入射した放射線がシンチレータ３で変換されて出力される電磁波の光量（シンチレータ３に入射した放射線の照射線量に応じて増加する。）に応じて電荷を発生させるフォトダイオードが用いられているが、この他にも、例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子７は、図３や図４の拡大図に示すように、スイッチ素子である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。

そして、ＴＦＴ８は、オン状態とされることにより、すなわちゲート電極８ｇに信号読み出し用の電圧が印加されてＴＦＴ８のゲートが開かれることにより、放射線検出素子７に蓄積された電荷を信号線６に放出させるようになっている。ここで、本実施形態における放射線検出素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。

基板４の面４ａ上に、ＡｌやＣｒ等からなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。

ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。

また、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上に前記ゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒ等が積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に前記第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒ、Ｍｏ等からなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。

第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。

ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された電磁波がｉ層７６等に到達するように構成されている。以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。なお、本実施形態では、上記のように、放射線検出素子７としてｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５が積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合を説明したが、放射線検出素子７は、このようなｐｉｎ型の放射線検出素子に限定されない。

また、放射線検出素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して放射線検出素子７に逆バイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７８やバイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。

図３や図４に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子７に１本のバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で１本の結線１０に結束されている。バイアス線９や結線１０は、電気抵抗が小さい金属線で形成されている。

本実施形態では、各走査線５や各信号線６、バイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、ＩＣ１２ａ等のチップが組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１２が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。

また、ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１の基板４部分が形成されている。

一方、図１に示すように、ハウジング２の一方側の短辺側側面部には、放射線画像撮影装置１の電源スイッチ３７や各種の操作状況等を表示するインジケータ３８等が設けられている。また、この側面部には、図示しない内蔵バッテリの交換用の蓋部材３９が設けられており、蓋部材３９には、放射線画像撮影装置１が外部装置とデータや信号等の送受信を無線方式で行うためのアンテナ装置４０が埋め込まれて設けられている。

なお、アンテナ装置４０を設ける箇所は、本実施形態のようにハウジング２の１つの短辺側側面部に限定されず、他の位置に設けることも可能である。また、アンテナ装置４０の個数は必ずしも１つに限定されず、必要な数だけ適宜設けられる。

ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。図７は本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の等価回路図である。

前述したように、基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７８がそれぞれバイアス線９および結線１０に接続されており、結線１０は逆バイアス電源１４に接続されている。逆バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７に印加する逆バイアス電圧を供給するようになっている。また、逆バイアス電源１４は制御手段２２に接続されており、制御手段２２は、逆バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加する逆バイアス電圧を制御するようになっている。

各放射線検出素子７の第１電極７４はＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７中ではＧと表記されている。）は走査駆動回路１５から延びる各走査線５にそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７中ではＤと表記されている。）は各信号線６にそれぞれ接続されている。

走査線５を介して走査駆動回路１５からＴＦＴ８のゲート電極８ｇに信号読み出し用の電圧が印加されるとＴＦＴ８のゲートがオン状態とされて、放射線検出素子７に蓄積された電荷がＴＦＴ８のソース電極８ｓを介してドレイン電極８ｄから信号線６に読み出されるようになっている。

各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。なお、読み出しＩＣ１６には所定個数の読み出し回路１７が設けられており、読み出しＩＣ１６が複数設けられることにより、信号線６の本数分の読み出し回路１７が設けられるようになっている。

読み出し回路１７は、増幅回路１８と、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１９と、Ａ／Ｄ変換器２０とで構成されており、１本の信号線６ごとに１回路ずつ設けられているが、本実施形態では、Ａ／Ｄ変換器２０は、複数の回路で共通とされており、各相関二重サンプリング回路１９から出力された各電気信号がアナログマルチプレクサ２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値に変換されるようになっている。

そして、読み出し回路１７では、放射線検出素子７から信号線６を通じて電荷が読み出され、放射線検出素子７ごとに電荷が電荷電圧変換されて増幅される等して電気信号に変換されるようになっている。なお、相関二重サンプリング回路１９は、図７中ではＣＤＳと表記されている。

制御手段２２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等を備えたマイクロコンピュータや専用の制御回路で構成されており、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、制御手段２２には、ＲＡＭ（Random Access Memory）等で構成される記憶手段２３が接続されている。

前述したように、制御手段２２は、逆バイアス電源１４を制御して各放射線検出素子７に印加する逆バイアス電圧を制御したり、走査駆動回路１５から信号読み出し用の電圧を印加する走査線５を切り替えたり、或いは、各読み出し回路１７内の増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９等を制御して、各放射線検出素子７からの電気信号の読み出しを行うようになっている。

また、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４０が接続されており、さらに、各放射線検出素子７等の各部材に電力を供給するためのバッテリ４１が接続されている。このように、バッテリ４１は、放射線画像撮影装置１のハウジング２内に内蔵されており、バッテリ４１には、外部装置からバッテリ４１に電力を供給してバッテリ２１を充電する際の接続端子４２が取り付けられている。また、制御手段２２には、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されたことを検出する前述した放射線センサ３５が接続されている。

本実施形態では、制御手段２２は、操作者が電源スイッチ３７（図１参照）を操作する等して手動で、或いは、アンテナ装置４０を介して例えば後述する放射線画像撮影システム５０のコンソールＣ等の外部装置から送信された切り替え信号を受信した場合にはその切り替え信号に応じて、放射線検出素子７等に対する電力供給状態を、放射線検出素子７等に電力を供給して放射線画像撮影を可能とする撮影可能モードと、制御手段２２やアンテナ装置４０等の必要な部材にのみ電力を供給し、放射線検出素子７への電力の供給を停止して放射線画像撮影ができないスリープモードとの間で切り替えるようになっている。

また、制御手段２２は、上記のように電力供給状態を撮影可能モードに切り替えた後、放射線センサ３５が予め設定された所定時間内に放射線の照射を検出しない場合には、電力供給状態を撮影可能モードからスリープモードに切り替えて、電力が無駄に消費されることを防止するようになっている。

ここで、放射線画像撮影時に、各放射線検出素子７から実写画像データを取得する際の制御手段２２による制御について説明する。

なお、本実施形態では、図８に示すように、各放射線検出素子７には、その検出部Ｐ上の行方向の位置ｘと列方向の位置ｙとを成分とする位置座標（ｘ，ｙ）が番号としてそれぞれ割り当てられており、以下、個々の放射線検出素子７を表す場合には放射線検出素子（ｘ，ｙ）と表す。また、放射線検出素子（ｘ，ｙ）から取得された実写画像データや後述するダーク読取値等を、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）やダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）（またはダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ））等と放射線検出素子（ｘ，ｙ）の番号（ｘ，ｙ）を付して表す。

放射線画像撮影に先立って、制御手段２２は、まず、走査駆動回路１５（図７参照）から全ての走査線５に対して信号読み出し用の電圧を印加し、走査線５に接続された全てのＴＦＴ８をオン状態としてゲートを開く。また、読み出し回路１７にも所定の信号を送信する。このようにして、放射線検出素子（ｘ，ｙ）やＴＦＴ８、読み出し回路１７の増幅回路１８等に蓄積された余分な電荷を下流側に放出させて、放射線検出素子（ｘ，ｙ）や読み出し回路１７等のリセット処理を行う。続いて、制御手段２２は、走査駆動回路１５からの全走査線５に対する信号読み出し用の電圧の印加を停止して、各ＴＦＴ８をオフ状態としてゲートを閉じる。

そして、放射線画像撮影が行われ、放射線画像撮影装置１に放射線入射面Ｒ側から放射線が照射されると、放射線画像撮影装置１では、被写体を透過した放射線がシンチレータ３に入射し、シンチレータ３で放射線が電磁波に変換されて、電磁波がその下方の放射線検出素子（ｘ，ｙ）に入射する。

そして、入射した電磁波が放射線検出素子（ｘ，ｙ）のｉ層７６（図５参照）に到達すると、ｉ層７６内で電子正孔対が発生し、逆バイアス電圧の印加により放射線検出素子（ｘ，ｙ）内に形成された所定の電位勾配に従って、発生した電子と正孔のうちの一方の電荷（本実施形態では正孔）がバイアス線９側に流出し、他方の電荷（本実施形態では電子）が放射線検出素子（ｘ，ｙ）内に蓄積される。

放射線画像撮影が終了すると、制御手段２２は、走査駆動回路１５から所定の１ライン目の走査線５に信号読み出し用の電圧を印加して、その走査線５に接続されているＴＦＴ８をオン状態として、ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子（ｘ，ｙ）から蓄積された電荷を信号線６に放出させる。放射線検出素子（ｘ，ｙ）から読み出された電荷は、読み出し回路１７で電荷電圧変換されて増幅される等して電気信号（この場合は実写画像データＦ（ｘ，ｙ））に変換され、アナログマルチプレクサ２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値に変換されて制御手段２２に送信される。

制御手段２２は、Ａ／Ｄ変換器２０から実写画像データＦ（ｘ，ｙ）が順次送信されてくると、それらを放射線検出素子（ｘ，ｙ）と対応付けながら順次記憶手段２３に記憶させていく。

そして、制御手段２２は、１ライン目の走査線５について処理を終了すると、走査駆動回路１５から信号読み出し用の電圧を印加する走査線５を順次切り替えながら（すなわち走査しながら）、上記の処理を繰り返して、全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）から電荷を読み出し、増幅する等して実写画像データＦ（ｘ，ｙ）に変換して放射線検出素子（ｘ，ｙ）と対応付けながら順次記憶手段２３に記憶させる。このようにして、制御手段２２は、放射線画像撮影時における各放射線検出素子（ｘ，ｙ）からの実写画像データＦ（ｘ，ｙ）の読み出し制御を行うようになっている。

一方、制御手段２２は、本実施形態では、放射線センサ３５により放射線画像撮影装置１に放射線が照射されたことが検出され、放射線画像撮影が終了したと判断すると、上記のように各放射線検出素子（ｘ，ｙ）から実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を読み出した後、複数回のダーク読取処理を行うようになっている。

なお、本実施形態では、このように、放射線画像撮影の後にダーク読取処理を行う場合について説明するが、放射線画像撮影の前にダーク読取処理を行うように構成することも可能である。その場合には、操作者が手動で、或いは外部装置からダーク読取処理を行うように信号を送信して行わせるように構成される。

また、本実施形態では、ダーク読取処理を複数回行い、それにより得られた複数のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）の平均値をオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）として算出する場合について説明するが、バッテリの消耗を避けるために、ダーク読取処理を１回だけ（或いは２回程度）行うように構成することも可能である。ダーク読取処理を１回程度行ってオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する手法については、後で説明する。

以下、ダーク読取処理について説明する。ダーク読取処理では、上記の放射線画像撮影時の実写画像データＦ（ｘ，ｙ）の取得処理の場合と同様に、制御手段２２は、まず、放射線検出素子（ｘ，ｙ）やＴＦＴ８、読み出し回路１７の増幅回路１８等に蓄積された余分な電荷を放出させて、それらのリセット処理を行う。

続いて、制御手段２２は、走査駆動回路１５からの全走査線５に対する信号読み出し用の電圧の印加を停止して、各ＴＦＴ８をオフ状態としてゲートを閉じた後、放射線画像撮影の場合とは異なり、放射線画像撮影装置１に放射線を照射させない状態に保つ（すなわち放置する）。そして、所定時間（通常は、放射線画像撮影における放射線照射時の放射線検出素子７への電荷蓄積時間と同じ時間）が経過した後、制御手段２２は、放射線画像撮影時の実写画像データＦ（ｘ，ｙ）の取得処理の場合と同様にして各放射線検出素子（ｘ，ｙ）に蓄積された暗電荷を読み出してダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）を取得する。

すなわち、所定時間が経過すると、制御手段２２は、走査駆動回路１５から所定の１ライン目の走査線５に信号読み出し用の電圧を印加して、その走査線５に接続されているＴＦＴ８をオン状態として、ＴＦＴ８を介して各放射線検出素子（ｘ，ｙ）から蓄積された暗電荷を信号線６に放出させる。

放射線検出素子（ｘ，ｙ）から読み出された暗電荷は、読み出し回路１７で電荷電圧変換されて増幅される等して電気信号（この場合はダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ））に変換され、アナログマルチプレクサ２１を介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値に変換されて制御手段２２に送信される。

制御手段２２は、Ａ／Ｄ変換器２０からダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）が順次送信されてくると、それらを放射線検出素子（ｘ，ｙ）と対応付けながら順次記憶手段２３に記憶させていく。そして、１ライン目の走査線５について処理を終了すると、走査駆動回路１５から信号読み出し用の電圧を印加する走査線５を順次切り替えながら（すなわち走査しながら）、上記の処理を繰り返して、全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）から暗電荷を読み出し、増幅する等してダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）に変換して放射線検出素子（ｘ，ｙ）と対応付けながら順次記憶手段２３に記憶させる。

このようにして、制御手段２２は、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）からのダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）の読み出し制御を行うようになっている。

一方、制御手段２２は、上記のようにして取得した複数回分のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）に基づいてそれらの平均値を算出する等してオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出するとともに、算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を割り出し、これらのオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）とゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）により前述した（１）式に基づいて、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）から読み出された電荷に基づく実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を補正して、最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成する演算手段としても機能するようになっている。

以下、演算手段としての制御手段２２において、算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の割り出し、およびそれらに基づく実写画像データＦ（ｘ，ｙ）の補正、最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）の生成について説明するが、それらの説明の前に、算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の割り出しに用いられる第１特性テーブルと第２特性テーブルについて説明する。

第１特性テーブルＬＵＴ１は、図９に例示するような放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度とオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）とを対応付けるＬＵＴ（Lookup Table）であり、第２特性テーブルＬＵＴ２は、図１０に例示するような放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度とゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）に対する修正係数とを対応付けるＬＵＴである。

また、これらの第１特性テーブルＬＵＴ１および第２特性テーブルＬＵＴ２は、放射線画像撮影装置１の工場出荷時等に予め作成され、記憶手段２３に記憶されている。

なお、本実施形態では、図９に示す第１特性テーブルＬＵＴ１における縦軸のオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）は算出した値がそのまま用いられるようになっているが、図１０に示すように、第２特性テーブルＬＵＴ２における縦軸には、ゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）そのものの値ではなく、例えば２５℃における値を１とした場合の相対値が割り振られている。

そして、本実施形態では、第１特性テーブルＬＵＴ１は、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに１つずつ予め作成される。また、本実施形態では、第２特性テーブルＬＵＴ２については、全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）について共通のテーブルが１つだけ予め作成される。それとともに、第２特性テーブルＬＵＴ２に基づいて割り出された温度Ｔに対するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数を乗算して、最終的なゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を算出するための各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに定数が割り当てられたゲイン補正値マップが、ゲインキャリブレーション時等に作成されるようになっている。なお、このゲイン補正値マップは、ゲインキャリブレーションを行うごとに、随時更新される。

また、放射線画像撮影装置１に設けられる放射線検出素子（ｘ，ｙ）は多数にのぼるため、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに第１特性テーブルＬＵＴ１を作成する代わりに、例えば、温度に対するオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）やゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の変化特性が同じ或いは似通った放射線検出素子（ｘ，ｙ）同士をそれぞれグループにまとめ、各グループごとに第１特性テーブルＬＵＴ１を作成してもよい。

なお、より高精細な画像を得るために、第２特性テーブルＬＵＴ２についても、全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）について共通とはせず、ゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の変化特性が同じ或いは似通った放射線検出素子（ｘ，ｙ）同士をそれぞれグループにまとめ、各グループごとに第２特性テーブルＬＵＴ２を作成しても良い。

また、放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の上記の変化特性が全体的に均質である場合には、全放射線検出素子（ｘ，ｙ）について共通の第１、第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２を１つずつ作成してもよい。

第１特性テーブルＬＵＴ１や第２特性テーブルＬＵＴ２の作成の際には、例えば放射線画像撮影装置１の基板４における検出部Ｐ（図２や図３等参照）の裏側、すなわち放射線入射面Ｒとは反対側に、図示しない複数の温度センサの端子を粘着テープ等で貼り付けて、放射線検出素子（ｘ，ｙ）等の温度Ｔを測定する。なお、非接触方式のサーモグラフィー等を使用してもよい。

そして、第１特性テーブルＬＵＴ１の作成においては、前述した放射線画像撮影の前または後に少なくとも１回行われるダーク読取処理と全く同じ要領でダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）を取得してオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する。

すなわち、本実施形態の場合には、放射線画像撮影の後に複数回の行われるダーク読取処理と同じ要領で、複数回（所定回）ダーク読取処理を行い、取得した複数回分（所定回数分）のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）の平均値を算出して、その平均値をオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）として算出する。そして、テーブル上で、ダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）を取得した際の放射線検出素子（ｘ，ｙ）等の温度Ｔに、算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を対応付ける。

この作業を、放射線検出素子（ｘ，ｙ）等の温度Ｔを変化させながら行い、ダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）を取得した際の放射線検出素子（ｘ，ｙ）等の温度Ｔにオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を対応付けていくことで、第１特性テーブルＬＵＴ１を作成する。

また、第２特性テーブルＬＵＴ２の作成においては、被写体が存在しない状態で放射線画像撮影装置１に一定の放射線量の放射線を所定の時間照射し、例えば特定の１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）から出力された信号値ｆ（或いは特定の複数の放射線検出素子（ｘ，ｙ）から出力された信号値の平均値ｆ）をグラフ上にプロットし、温度Ｔを変えながらこのプロット動作を繰り返す。

そして、例えば２５℃における信号値ｆ^＊を基準値とした場合、各温度Ｔごとにｆ^＊／ｆ、すなわち各温度Ｔにおける信号値ｆに乗算して信号値をｆ^＊に変換するためのゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数を算出して各温度Ｔに対応付けていくことで、本実施形態では、ゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数と温度Ｔとを対応付ける第２特性テーブルＬＵＴ２を作成する。

このようにして、本実施形態では、放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔとゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数とを対応付ける１つの第２特性テーブルＬＵＴ２が算出される。

また、本実施形態の放射線画像撮影装置１では、放射線検出素子（ｘ，ｙ）に対する電力供給状態をスリープモードから撮影可能モードに切り替えると放射線検出素子（ｘ，ｙ）等の温度Ｔが上昇していく。そのため、第１、第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２の作成においては、室温から温度上昇がサチレートした状態での温度までの温度Ｔについては、電力供給状態のモード切り替えにより実現することができる。

また、室温以下の温度Ｔや、温度上昇がサチレートした状態での温度以上の温度Ｔについては、例えば内部温度が可変のチャンバ内に放射線画像撮影装置１を入れた状態で上記の操作を行うことにより実現することが可能である。

さらに、基板４の裏側等に貼り付けた温度センサは、第１、第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２等の作成が終了した時点で放射線画像撮影装置１から取り外される。

以下、制御手段２２におけるオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）の算出、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）からのゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数割り出し、および最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）の生成について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。

放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、前述したように、放射線センサ３５からの検出信号に基づいて、放射線画像撮影装置１に放射線の照射が開始され、照射が終了したと判断すると、上記のように各放射線検出素子（ｘ，ｙ）から実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を読み出して記憶手段２３に記憶させる。

そして、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）の読み出しの際、蓄積された電荷が各放射線検出素子（ｘ，ｙ）から信号線６に全て放出されずに放射線検出素子（ｘ，ｙ）内に残存している場合があるため、本実施形態では、制御手段２２は、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）のリセット処理（いわゆる空読み出し）を短時間に繰り返して行う。

そして、所定回数の複数回のダーク読取処理を行い、所定回数分のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）を記憶手段２３に記憶させ、それらの平均値を各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに算出して、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとのオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）として記憶手段２３に記憶させる。

制御手段２２は、続いて、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに、記憶手段２３に保存されている第１特性テーブルＬＵＴ１を参照して、算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応する放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔを推定する。この温度Ｔは、放射線画像撮影が行われた時点の放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔに相当する。

なお、放射線画像撮影が行われた時点と、その後ダーク読取処理が行われた時点では時間差があり、放射線画像撮影が行われた時点における放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔと、ダーク読取処理が行われた時点における放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔとが異なる温度になる可能性がある。そこで、それらの温度Ｔの差が、許容される誤差範囲内に収まるように、放射線画像撮影の終了後、長い時間が経過しないうちに所定回数のダーク読取処理が行われることが好ましい。

また、後述するようにダーク読取処理を１回だけ行うように構成すれば、ダーク読取処理の間に温度Ｔが変化してしまうことを防止することが可能となる。

制御手段２２は、第１特性テーブルＬＵＴ１を参照して、算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応する放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔを推定すると、続いて、記憶手段２３に保存されている第２特性テーブルＬＵＴ２と各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに定数が割り当てられたゲイン補正値マップとを参照して、その温度Ｔに対応するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数を割り出し、それと各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の定数とを乗算して各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の最終的なゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を算出する。

そして、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）の実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を記憶手段２３から読み出し、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）およびゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を上記（１）式に代入して、最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を算出して生成する。

制御手段２２は、この演算処理を全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）について行い、それぞれ最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する。このようにして、制御手段２２は、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）に対してオフセット補正およびゲイン補正を行って、当該放射線画像撮影による放射線画像を生成する。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔとオフセット補正値Ｏ（ｘ、ｙ）とを対応付ける第１特性テーブルＬＵＴ１と、放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔとゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）修正係数とを対応付ける第２特性テーブルＬＵＴ２とを予め作成しておく。

そして、放射線画像撮影の前または後にダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）を読み取るダーク読取処理を少なくとも１回行い、得られたダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）に基づいてオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出し、第１特性テーブルＬＵＴ１を参照して算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応する放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔを推定する。そして、推定した温度Ｔに対応するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）修正係数を第２特性テーブルＬＵＴ２を参照して割り出し、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）をオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）およびゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）（修正係数と定数とを乗算した値）により補正して最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成する。

そのため、放射線画像撮影装置１に各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔを測定する温度測定手段を設けなくても、算出したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）から温度Ｔを推定してその温度Ｔに対応するゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を的確に割り出すことが可能となる。

また、それにより、放射線画像撮影時の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔに的確に対応したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）およびゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を得ることが可能となり、それらに基づいて実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を適切に補正して、より高精細な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成することが可能となる。

そして、温度測定手段を設ける必要がないため、可搬型の放射線画像撮影装置１のサイズが大型化したり、部品点数が増えて製造コストが増大するという問題も回避することが可能となる。

また、放射線画像撮影装置１の検出部Ｐに二次元状に配列された全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）を用いて被写体の放射線画像を撮影することが可能となるため、前述した従来技術のように撮影可能領域が狭くなるという問題を生じない。また、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）がそれぞれ放射線の照射を受けたか否かの判定を行う必要もないため、制御構成の複雑化したり煩雑化することを回避することが可能となる。

なお、上記のように、取得した複数回分のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）の平均値としてオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する場合、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとの複数回分のダーク読取値Ｄ_１（ｘ，ｙ）〜Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）を全て記憶手段２３に記憶させると、記憶手段２３の記憶容量の使用効率が低下してしまう可能性がある。

そのような場合には、例えば、１回目のダーク読取処理で取得したダーク読取値Ｄ_１（ｘ，ｙ）を一旦記憶手段２３に記憶させ、２回目のダーク読取処理でダーク読取値Ｄ_２（ｘ，ｙ）を取得すると、１回目のダーク読取値Ｄ_１（ｘ，ｙ）を読み出して２回目のダーク読取値Ｄ_２（ｘ，ｙ）を加算して、その合計値Ｄ_１（ｘ，ｙ）＋Ｄ_２（ｘ，ｙ）を記憶手段２３に記憶させるように制御し、その後は、Ｋ回目のダーク読取処理でダーク読取値Ｄ_Ｋ（ｘ，ｙ）を取得すると、Ｋ−１回目までのダーク読取値の合計値Ｄ_１（ｘ，ｙ）＋…＋Ｄ_Ｋ−１（ｘ，ｙ）を読み出してそれにＫ回目のダーク読取値Ｄ_Ｋ（ｘ，ｙ）を加算して、その合計値Ｄ_１（ｘ，ｙ）＋…＋Ｄ_Ｋ（ｘ，ｙ）を記憶手段２３に記憶させるように制御する。

そして、所定回数のダーク読取処理が終了して所定回数分のダーク読取値の合計値が記憶手段２３に記憶された時点で、その合計値を所定回数で除算して平均値を算出し、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）とするように構成すれば、記憶手段２３の記憶容量の使用効率の低下を防止しながら、的確に複数回分のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）の平均値としてオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出することが可能となる。

また、上記のように、本実施形態では放射線画像撮影の後（または前）に複数回のダーク読取処理を行い、それにより得られた複数回分のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）の平均値としてオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する場合について説明した。

これは、図１１に示すように、同じ温度環境下にある場合でも、放射線検出素子（ｘ，ｙ）から得られるダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）は種々の電気ノイズで信号値にゆらぎ（ばらつき）が生じるため、それらの平均値Ｄ_ｋave（ｘ，ｙ）を算出することで、各信号値のゆらぎを緩和し、若しくは相殺して、より真のオフセット補正値Ｏ^＊（ｘ，ｙ）に近いオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を得ることを意図したものである。なお、図中、σ_Ｄｋ（ｘ，ｙ）はダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）の分布の標準偏差を表す。

しかし、各ダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）のゆらぎを緩和し、若しくは相殺する手法としては、必ずしもダーク読取処理を複数回行う必要はない。以下、放射線画像撮影の前または後にダーク読取処理を１回（或いは２回程度）行って、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する手法について簡単に説明する。

この手法では、まず、放射線画像撮影装置１の検出部Ｐにおける１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）について、図１２に示すように、例えば当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）を中心とする５×５画素の領域ｒａ内の複数の放射線検出素子（ｘ−２，ｙ−２）〜（ｘ＋２，ｙ＋２）を予め対応付けておく。

なお、図１３（Ａ）〜（Ｃ）に例示するように、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）が領域ｒａの中心にとれない場合には、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）の近傍に領域ｒａを設定する。また、当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）に対応付ける他の複数の放射線検出素子は、図１２や図１３（Ａ）〜（Ｃ）に示したような当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）を中心とする、或いはそれを含む正方形の領域ｒａ内に存在する放射線検出素子である必要はなく、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）から離れた位置に存在する放射線検出素子であってもよい。

また、当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）に対応付ける他の複数の放射線検出素子は、１つの領域ｒａ内に存在している必要はなく、検出部Ｐに散在するように設定することも可能である。しかし、いずれの場合においても、１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）には、各処理において常に同じ複数の放射線検出素子が対応付けられることが必要である。

ここで、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の工場出荷時やキャリブレーション時に、予め設定された温度Ｔの恒温環境下でダーク読取処理を複数回（以下Ｍ回とする。）行っておき、当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）自体のＭ個のダーク読取値Ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）の平均値δ（ｘ，ｙ）（以下、時間的平均値δ（ｘ，ｙ）という。）を算出しておく。

その際、算出されるＭ個のダーク読取値Ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）の分布は、例えば図１４のグラフのような分布となり、その分布の平均値が時間的平均値δ（ｘ，ｙ）となる。なお、図中、σ_Ｄ（ｘ，ｙ）はダーク読取値Ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）の分布の標準偏差を表す。

また、制御手段２２は、上記のＭ回のダーク読取処理において、各ダーク読取処理ごとに、図１２に示したような当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）とそれに対応付けられた他の複数の放射線検出素子（ｘ−２，ｙ−２）〜（ｘ＋２，ｙ＋２）についてそれらのダーク読取値Ｄ_ｍ（ｘ−２，ｙ−２）〜Ｄ_ｍ（ｘ＋２，ｙ＋２）の平均値、すなわち、この場合は、

を当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）の空間的平均値Ｗ_ｍ（ｘ，ｙ）として算出しておく。なお、この場合、式（２）においてＮ＝２５である。

そして、その空間的平均値Ｗ_ｍ（ｘ，ｙ）のＭ回分の時間的平均値ω（ｘ，ｙ）を算出しておく。その際、算出されるＭ個の空間的平均値Ｗ_ｍ（ｘ，ｙ）の分布は、例えば図１４のグラフのような分布となり、その分布の平均値が時間的平均値ω（ｘ，ｙ）となる。なお、図中、σ_Ｗ（ｘ，ｙ）は空間的平均値Ｗ_ｍ（ｘ，ｙ）の分布の標準偏差を表す。

そして、当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）自体のＭ個のダーク読取値Ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）の平均値δ（ｘ，ｙ）と、空間的平均値Ｗ_ｍ（ｘ，ｙ）のＭ回分の時間的平均値ω（ｘ，ｙ）との差分ε（ｘ，ｙ）、すなわち、
ε（ｘ，ｙ）＝δ（ｘ，ｙ）−ω（ｘ，ｙ） …（３）
を算出して、差分ε（ｘ，ｙ）を放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに記憶手段２３に保存しておく。

なお、この差分ε（ｘ，ｙ）の算出は全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）について行われる。また、差分ε（ｘ，ｙ）はキャリブレーションを行うごとに算出されて更新される。

制御手段２２は、上記のようにして予め準備処理を行う。そして、本番の放射線画像撮影の際には、その放射線画像撮影の前または後に１回（または２回程度）ダーク読取処理を行う。

そして、そのダーク読取処理で１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）とそれに対応付けられた他の複数の放射線検出素子（ｘ−２，ｙ−２）〜（ｘ＋２，ｙ＋２）から取得されたダーク読取値Ｄ（ｘ−２，ｙ−２）〜Ｄ（ｘ＋２，ｙ＋２）について上記（２）式と同様の計算を行って、当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）の空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）を算出する。

この場合、ダーク読取処理を放射線画像撮影の直前または直後に行えば、ダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）が読み出される際の放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔは、放射線画像撮影時の温度と同一と見なすことができる。しかし、放射線画像撮影時の放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔは、キャリブレーション時等に差分ε（ｘ，ｙ）を算出した際の温度Ｔ´とは必ずしも同じでなく、寧ろ異なる温度である場合が多い。

しかし、当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）やそれに対応付けられた他の複数の放射線検出素子（ｘ−２，ｙ−２）〜（ｘ＋２，ｙ＋２）は互いに同じように温度変動すると考えられるため、仮に、放射線画像撮影時における当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）自体のダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）の分布や、ダーク読取値Ｄ（ｘ−２，ｙ−２）〜Ｄ（ｘ＋２，ｙ＋２）の空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）の分布を考えた場合、それらの分布は、図１５に示すように、図１４に示したキャリブレーション時のダーク読取値Ｄ_ｍ（ｘ，ｙ）の分布や空間的平均値Ｗ_ｍ（ｘ，ｙ）の分布を、それぞれグラフ上でその温度差に対応するように左右に平行移動させたような分布になると考えられる。

従って、放射線画像撮影時における当該１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）自体のダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）の分布の平均値μ_Ｄ（ｘ，ｙ）や、ダーク読取値Ｄ（ｘ−２，ｙ−２）〜Ｄ（ｘ＋２，ｙ＋２）の空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）の分布の平均値μ_Ｗ（ｘ，ｙ）を考えた場合、それらの平均値の差は上記差分ε（ｘ，ｙ）に等しくなる。すなわち、
ε（ｘ，ｙ）＝μ_Ｄ（ｘ，ｙ）−μ_Ｗ（ｘ，ｙ） …（４）
が成り立つ。

一方、複数の各放射線検出素子（ｘ−２，ｙ−２）〜（ｘ＋２，ｙ＋２）から取得されるダーク読取値Ｄ（ｘ−２，ｙ−２）〜Ｄ（ｘ＋２，ｙ＋２）は、１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）からのダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）の場合と同様にそれぞれにゆらぎ（ばらつき）が生じ、それらの平均値である空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）にもゆらぎが生じる。

しかし、空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）は各ダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）が加算され平均化されたものであるから、ダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）のゆらぎが相殺し合って緩和されるため、図１４や図１５に示すように、１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）から取得されるダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）のゆらぎの分布に比べて、空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）の分布は標準偏差が小さい分布になる。

そこで、放射線画像撮影時に得られたダーク読取値Ｄ（ｘ−２，ｙ−２）〜Ｄ（ｘ＋２，ｙ＋２）の空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）は、その分布の平均値μ_Ｗ（ｘ，ｙ）にほぼ等しくなるため、
Ｗ（ｘ，ｙ）＝μ_Ｗ（ｘ，ｙ） …（５）
とする。

また、図１５におけるダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）の分布の平均値μ_Ｄ（ｘ，ｙ）は、図１１の分布と比較して分かるように、複数回行われたダーク読取処理で得られた複数のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）の平均値Ｄ_ｋave（ｘ，ｙ）としてのオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に等しい。すなわち、
μ_Ｄ（ｘ，ｙ）＝Ｏ（ｘ，ｙ） …（６）
が成り立つ。

そして、上記（５）、（６）式を上記（４）式に代入すると、
ε（ｘ，ｙ）＝Ｏ（ｘ，ｙ）−Ｗ（ｘ，ｙ） …（７）
となる。

従って、今回の放射線画像撮影における１つの放射線検出素子（ｘ，ｙ）のオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）は、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）とそれに対応付けられた他の複数の放射線検出素子（ｘ−２，ｙ−２）〜（ｘ＋２，ｙ＋２）から得られた各ダーク読取値Ｄ（ｘ−２，ｙ−２）〜Ｄ（ｘ＋２，ｙ＋２）から算出される空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）と、記憶手段２３に保存されている差分ε（ｘ，ｙ）とを用いて、
Ｏ（ｘ，ｙ）＝ε（ｘ，ｙ）＋Ｗ（ｘ，ｙ） …（８）
に従って算出されることが分かる。

そこで、制御手段２２は、上記のように、放射線画像撮影の前または後に１回（または２回程度）のダーク読取処理を行い、取得されたダーク読取値Ｄ（ｘ−２，ｙ−２）〜Ｄ（ｘ＋２，ｙ＋２）に基づいて当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）の空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）を算出すると、記憶手段２３から差分ε（ｘ，ｙ）を読み出して、上記（８）式に従って当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）のオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する。また、このオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）の算出を、全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）について行う。

このようにして、放射線画像撮影の前または後にダーク読取処理を１回（或いは２回程度）だけ行って、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出することができる。なお、このオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）の算出は、放射線画像撮影時だけでなく、工場出荷時等に行われる前述した第１特性テーブルＬＵＴ１の作成の際にも同様にして行われる。

［放射線画像撮影システム］
上記の実施形態の放射線画像撮影装置１では、放射線画像撮影装置１の制御手段２２が演算手段として、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出したり、第１および第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２（およびゲイン補正値マップ）を参照してオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）から温度Ｔを推定してゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）修正係数を割り出して、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を補正して最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成する場合について説明した。

しかし、放射線画像撮影装置１から実写画像データＦ（ｘ，ｙ）やダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）等をコンソール等の外部装置に送信して、コンソール等で実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を補正して最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成するように構成することも可能である。そこで、以下、コンソールで最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成するように構成された放射線画像撮影システムの実施形態について説明する。

本実施形態に係る放射線画像撮影システム５０は、病院や医院内で行われる放射線画像撮影を想定したシステムであり、図１６に示すように、複数の撮影室Ｒと、複数のコンソールＣと、データ管理サーバＳ等で構成されている。

なお、図１６では、撮影室がＲ１〜Ｒ４まで４室設けられ、コンソールがＣ１〜Ｃ３まで３機設けられる場合が示されているが、これに限定されない。また、本発明は、撮影室ＲとコンソールＣとが予め１対１に対応付けられているシステムや、複数の撮影室Ｒに１つのコンソールＣが共有に設けられているようなシステムにも適用される。

本実施形態では、図１７に示すように、各撮影室Ｒには、前述した放射線画像撮影装置１（可搬型放射線画像撮影装置１）を装填可能なブッキー装置５１や、放射線を発生させる図示しないＸ線管球を備える放射線発生装置５２、放射線画像撮影装置１と無線通信可能な無線アンテナ５３を備えた基地局５４と、基地局５４を介して放射線画像撮影装置１とコンソールＣとが無線通信する際にこれらの通信を中継する無線アクセスポイント５５等が設けられている。

本実施形態では、ブッキー装置５２として、立位撮影用のブッキー装置５１Ａと臥位撮影用のブッキー装置５１Ｂが設けられている場合が想定されている。各ブッキー装置５１には、放射線画像撮影装置１を所定の位置に保持するためのカセッテ保持部５１ａが設けられており、カセッテ保持部５１ａに放射線画像撮影装置１が装填できるようになっている。

また、本実施形態では、放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する放射線発生装置５２が撮影室Ｒごとに１機ずつ設けられており、立位撮影用および臥位撮影用のブッキー装置５１Ａ、５１Ｂに対して１つの放射線発生装置５２が共用されるようになっている。なお、各ブッキー装置５１Ａ、５１Ｂに、別々の放射線発生装置を対応付けて設けるように構成することも可能である。

前室Ｒａには、放射線発生装置５２からの放射線の照射開始を指示するためのスイッチ手段５６等を備えた放射線の照射を制御する操作卓５７が設けられている。操作卓５７は、ＣＰＵを備えるコンピュータや専用のプロセッサ（processor）を備えるコンピュータで構成されている。また、操作卓５７は、スイッチ手段５６や放射線発生装置５２と接続されるとともに、ネットワークＮ（図１６参照）を介してコンソールＣにも接続されている。

また、本実施形態では、放射線画像撮影装置１には、前述した構成のほか、図示しないＲＦＩＤ（Radio Frequency IDentification）タグと呼ばれるタグが用いられており、タグには、タグの各部を制御する制御回路や放射線画像撮影装置１の固有情報を記憶する記憶部がコンパクトに内蔵されている。

そして、前室Ｒａの出入口付近には、ＲＦＩＤの技術を用いて放射線画像撮影装置１と情報をやりとりするタグリーダ５８（図１７参照）が設置されている。タグリーダ５８は、内蔵する図示しないアンテナを介して電波等に所定の指示情報を乗せて発信し、前室Ｒａや撮影室Ｒに入室し或いは退室する放射線画像撮影装置１を検出するようになっている。そして、タグリーダ５８は、検出した放射線画像撮影装置１のＲＦＩＤタグに記憶された固有情報を読み取り、読み取った固有情報を操作卓５７に送信するようになっている。

操作卓５７は、タグリーダ５８から放射線画像撮影装置１の固有情報を受信すると、図示しない記憶手段に登録されている放射線画像撮影装置１のリストを参照して、リスト中に当該放射線画像撮影装置１の情報が登録されていなければ持ち込まれたものとして登録し、リスト中に当該放射線画像撮影装置１の情報が登録されていれば持ち出されたものとして当該放射線画像撮影装置１の情報をリストから抹消して、撮影室Ｒ内等に持ち込まれ或いは持ち出される放射線画像撮影装置１を把握して管理するようになっている。

また、操作卓５７は、コンソールＣから放射線画像撮影装置１のリストの送信要求を受信すると、そのコンソールＣに対してリストを送信するようになっている。なお、タグリーダ５８で検出した放射線画像撮影装置１の固有情報や撮影室ＲのＩＤ等をネットワークＮを介してデータ管理サーバＳに送信し、データ管理サーバＳで撮影室Ｒ１〜Ｒ４にどの放射線画像撮影装置１が存在するかを管理するように構成することも可能である。

図１６に示すように、ネットワークＮには、各撮影室Ｒの操作卓５７のほか、データ管理サーバＳや複数のコンソールＣが接続されており、さらに、各撮影室Ｒの無線アクセスポイント５５を介して放射線画像撮影装置１から送信され、或いは放射線画像撮影装置１に送信されるデータや信号を送受信するための無線通信手段Ｉが接続されている。

データ管理サーバＳは、図示しないＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭ、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータで構成されており、ＲＯＭに格納される所定のプログラムを読み出してＲＡＭの作業領域に展開してプログラムに従って各種処理を実行してデータを管理するとともに、放射線画像撮影システム５０全体の制御も行うようになっている。

また、各コンソールＣもコンピュータで構成されており、コンソールＣで複数の撮影室Ｒ１〜Ｒ４の中から１つの撮影室Ｒを指定することで、当該コンソールＣと指定された撮影室Ｒとが１対１に対応するようになっている。そして、コンソールＣから指定した撮影室Ｒの操作卓５７に対して当該撮影室Ｒで行われる予定の放射線画像撮影に関する情報が送信されるようになっている。

前述したように、コンソールＣは、指定した撮影室Ｒの操作卓５７に放射線画像撮影装置１のリストの送信要求を送信して、その撮影室Ｒ内に存在する放射線画像撮影装置１のリストを入手できるようになっている。

また、本実施形態では、コンソールＣは、撮影室Ｒ内に存在する放射線画像撮影装置１を指定して、無線通信手段Ｉや無線アクセスポイント５５等を介して当該放射線画像撮影装置１に覚醒信号を送信することで、アンテナ装置４０を介して当該放射線画像撮影装置１に覚醒信号を受信させて、当該放射線画像撮影装置１の放射線検出素子７の電力供給状態をスリープモードから撮影可能モードに切り替えることができるようになっている。

また、前述したように、本実施形態では、放射線画像撮影装置１は、電力供給状態を撮影可能モードに切り替えた後、所定時間内に放射線が照射されない場合には、自動的に電力供給状態を撮影可能モードからスリープモードに切り替えるようになっている。

しかし、放射線画像撮影装置１がこのように構成されていない場合でも、コンソールＣが、放射線画像撮影装置１に対して覚醒信号を送信した後、予め設定された所定時間内に放射線が照射されない場合には、当該放射線画像撮影装置１に信号を送信して、その電力供給状態を撮影可能モードから前記スリープモードに切り替えることができるように構成することが可能である。このように構成すれば、放射線画像撮影装置１で電力が無駄に消費されることを防止することができる。

コンソールＣには、それぞれＨＤＤ（Hard Disk Drive）等からなる記憶手段Ｍが接続されており、記憶手段Ｍには、前述した放射線画像撮影装置１の記憶手段２３に記憶されているものと同様の、放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔとオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）とを対応付ける第１特性テーブルＬＵＴ１と、放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔとゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）とを対応付ける第２特性テーブルＬＵＴ２とが保存されている。

なお、上記の放射線画像撮影装置１の実施形態の場合と同様に、本実施形態に係る放射線画像撮影システム５０の記憶手段Ｍには、第２特性テーブルＬＵＴ２については、放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔとゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数とを対応付ける第２特性テーブルＬＵＴ２と、放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに定数が割り当てられたゲイン補正値マップとが保存されている。

この第１特性テーブルＬＵＴ１と第２特性テーブルＬＵＴ２は、それぞれ各放射線画像撮影装置１ごとに保存されていてもよいが、特に第２特性テーブルＬＵＴ２に関しては、放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔとゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数とを対応付ける第２特性テーブルＬＵＴ２を用いる場合には、各放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）でゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数の温度依存性がほぼ等しいため、全ての放射線画像撮影装置１の全放射線検出素子（ｘ，ｙ）について共通の１つの第２特性テーブルＬＵＴ２を用いることができる。その場合、共通の１つの第２特性テーブルＬＵＴ２と、各放射線画像撮影装置１のゲイン補正値マップが記憶手段Ｍに保存される。

また、各コンソールＣ１〜Ｃ３の記憶手段Ｍ１〜Ｍ３にそれぞれ全ての放射線画像撮影装置１に関する第１特性テーブルＬＵＴ１と第２特性テーブルＬＵＴ２が保存されている必要はなく、いずれかの記憶手段Ｍに保存されていればよい。

その場合、コンソールＣは、指定した放射線画像撮影装置１に関する第１特性テーブルＬＵＴ１と第２特性テーブルＬＵＴ２が自らに接続された記憶手段Ｍに保存されていない場合には、他のコンソールＣに接続された記憶手段Ｍから当該放射線画像撮影装置１に関する第１および第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２の情報を入手するようになっている。第２特性テーブルＬＵＴ２が全放射線検出素子（ｘ，ｙ）共通とされている場合には、併せて当該放射線画像撮影装置１のゲイン補正マップも入手する。このように構成すれば、各コンソールＣの記憶手段Ｍの記憶容量を効率よく活用することが可能となる。

なお、各撮影室Ｒに設けられた放射線発生装置５２が互いに異なるメーカー製である等して、同じ放射線画像撮影装置１の同じ放射線検出素子（ｘ，ｙ）であっても放射線発生装置５２ごとに設定されるべき定数（ゲイン補正値マップ）が異なる場合がある。そのような場合には、放射線画像撮影装置１に関する第１および第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２等を、さらに放射線発生装置５２ごとに作成して、予め各コンソールＣのいずれかの記憶手段Ｍに保存しておくことも可能である。

その際、第２特性テーブルＬＵＴ２が全放射線画像撮影装置１の全放射線検出素子（ｘ，ｙ）について共通とされている場合には、第２特性テーブルＬＵＴ２と各放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに定数が割り当てられたゲイン補正値マップのほかに、さらに放射線発生装置５２ごとの定数マップを作成し、全てまたはいずれかのコンソールＣの記憶手段Ｍに保存しておくことが好ましい。

この場合、ゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数割り出し処理においては、放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔから第２特性テーブルＬＵＴ２に基づいてゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数を割り出し、それに各放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとの定数（ゲイン補正値マップから求められる）を乗算し、さらに、用いられた放射線発生装置５２に割り当てられた定数が乗算されて、最終的なゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）が算出される。

また、各放射線画像撮影装置１に関する第１および第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２等の情報を、各コンソールＣの記憶手段Ｍに保存しておく代わりに、データ管理サーバＳ等の図示しない記憶手段に保存しておくように構成することも可能である。

さらに、本実施形態では、放射線画像撮影装置１に関する第１および第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２等の情報を各コンソールＣのいずれかの記憶手段Ｍに保存しておけばよいため、各放射線画像撮影装置１の記憶手段２３に第１および第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２等の情報が保存されている必要はない。

次に、上記のように構成された放射線画像撮影システム５０における処理について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影システム５０の作用について説明する。

放射線技師等の操作者は、コンソールＣ１〜Ｃ３のいずれかのコンソールＣを操作して、複数の撮影室Ｒ１〜Ｒ４の中から１つの撮影室Ｒを指定する。すると、コンソールＣから、指定した撮影室Ｒの操作卓５７に放射線画像撮影装置１のリストの送信要求が送信され、操作卓５７からその撮影室Ｒ内に存在する放射線画像撮影装置１のリストがコンソールＣに送信される。

撮影室Ｒ内に存在する放射線画像撮影装置１の情報は、例えば、コンソールＣの図示しない表示画面上にアイコン等の形で表示される。操作者は、使用する放射線画像撮影装置１の情報が表示されていれば、画面上でそれを選択して指定する。その際、指定すると同時に、コンソールＣから当該放射線画像撮影装置１に自動的に覚醒信号を送信するように構成してもよく、操作者が改めて当該放射線画像撮影装置１に覚醒信号を送信するように操作することにより覚醒信号を送信するように構成してもよい。

また、使用する放射線画像撮影装置１の情報がコンソールＣの表示画面上に表示されない場合には、操作者は当該放射線画像撮影装置１が撮影室Ｒ内に存在しないと判断し、当該放射線画像撮影装置１を撮影室Ｒ内に持参して搬入する。その際、当該放射線画像撮影装置１にコンソールＣから覚醒信号を送信して覚醒させてもよいが、当該放射線画像撮影装置１を撮影室Ｒに持参する間に操作者が電源スイッチ３７（図１参照）を操作する等して手動で容易に当該放射線画像撮影装置１を覚醒させることができる。

放射線画像撮影装置１は、覚醒信号を受信したり、電源スイッチ３７が操作されることにより、放射線検出素子７の電力供給状態を、スリープモードから撮影可能モードに切り替える。

また、操作者は、放射線画像撮影装置１をブッキー装置５２のカセッテ保持部５１ａ（図１７参照）に装填する等して、放射線画像撮影の準備を行う。放射線画像撮影装置１で放射線画像撮影の前に少なくとも１回のダーク読取処理を行う場合には、例えば、この段階でダーク読取が行われる。

操作者は、ブッキー装置５２に放射線画像撮影装置１を装填して、患者を立位撮影用のブッキー装置５１Ａの所定の位置に立たせたり、臥位撮影用のブッキー装置５１Ｂの上面上に寝かせる等して撮影位置を定めた後、前室Ｒａに移動して操作卓５７のスイッチ手段５６を操作する。

その際、通常、スイッチ手段５６の図示しないボタンをそのストローク方向に半分程度押し込んで、いわゆる半押しの状態にすると、その情報が操作卓５７に送信され、操作卓５７から放射線発生装置５２に起動信号が送信される。放射線発生装置５２は、起動信号を受信すると、Ｘ線管球の図示しない陽極の回転を開始する等して起動する。そして、スイッチ手段５６のボタンがそのストローク方向にさらに押し込まれて、いわゆる全押しされると、その情報が操作卓５７に送信され、操作卓５７から放射線発生装置５２に照射信号が送信される。放射線発生装置５２は、照射信号を受信すると、Ｘ線管球から放射線を照射する。

操作者が、スイッチ手段５６のボタンを半押しした後、全押しするまでの間には、通常、１秒程度の時間間隔があるため、その１秒程度の時間間隔の間に、放射線画像撮影装置１で放射線画像撮影の前に少なくとも１回のダーク読取処理を行うように構成することも可能である。

放射線画像撮影装置１の制御手段２２（図７参照）は、前述したように、放射線センサ３５からの検出信号に基づいて、放射線画像撮影装置１に放射線の照射が開始され、照射が終了したと判断すると、上記のように各放射線検出素子（ｘ，ｙ）から実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を読み出して記憶手段２３に記憶させる。

そして、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）のリセット処理（いわゆる空読み出し）を繰り返し行って、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）の読み出し後も各放射線検出素子（ｘ，ｙ）内に残存する余分な電荷を各放射線検出素子（ｘ，ｙ）内から除去した後、本実施形態では、少なくとも１回の所定回数のダーク読取処理を行い、所定回数分のダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）を記憶手段２３に記憶させる。なお、放射線画像撮影の前に少なくとも１回の所定回数のダーク読取処理を行う場合には、この放射線画像撮影の後のダーク読取処理は行われない。

ここで、上記の放射線画像撮影装置１の実施形態では、放射線画像撮影装置１の内部でダーク読取値Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ）に基づくオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）の算出やゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の割り出し、最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）の生成が行われたが、本実施形態に係る放射線画像撮影システム５０では、これらの処理をコンソールＣで行うようになっている。

その際、上記の変形例のように、放射線画像撮影の前または後に１回だけダーク読取処理を行う場合には、放射線画像撮影装置１から放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとの実写画像データＦ（ｘ，ｙ）とダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）を送信し、コンソールＣで各ダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）に基づいて空間的平均値Ｗ（ｘ，ｙ）を算出し、上記（８）式に従ってオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出するように構成することが可能である。

しかし、放射線画像撮影の前または後に複数回のダーク読取処理を行うように構成した場合に、放射線画像撮影装置１から、放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとの実写画像データＦ（ｘ，ｙ）と、複数回分のダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）を送信すると、データの送信時間が長くなるとともに、データ送信のために放射線画像撮影装置１のバッテリ４１の電力消費量が大きくなる。

そのため、そのような場合には、放射線画像撮影装置１で複数回分のダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）に基づいてオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出し、放射線画像撮影装置１から、放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとの実写画像データＦ（ｘ，ｙ）とオフセット値Ｏ（ｘ，ｙ）を送信するように構成することも可能である。

なお、その場合、複数回分のダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）に基づいてオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する際にも、放射線画像撮影装置１のバッテリ４１の電力が消費されるため、バッテリ４１の電力消費量や、データ送信のために許容される時間等の観点から、上記のいずれの構成とするかは、適宜決められる。

上記のようにして、放射線画像撮影が終了すると、放射線画像撮影装置１から、そのアンテナ装置４０を介して、放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとの実写画像データＦ（ｘ，ｙ）とダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）のデータ、或いは実写画像データＦ（ｘ，ｙ）とオフセット値Ｏ（ｘ，ｙ）のデータが送信され、送信されたデータは、撮影室Ｒの基地局５４や無線アクセスポイント５５で中継され、無線通信手段Ｉに受信される。なお、基地局５４や無線アクセスポイント５５は、中継するデータに撮影室Ｒの撮影室ＩＤを付加して中継する。

無線通信手段Ｉに受信されたデータは、一旦データ管理サーバＳに送られ、データ管理サーバＳで撮影室ＩＤが確認されて、当該撮影室Ｒを指定したコンソールＣにデータが送信される。コンソールＣは、データを受信すると、そのデータを自らの記憶手段Ｍに格納する。なお、撮影室とコンソールが１：１に構成されている場合は、データ管理サーバＳを介することなく、直接コンソールに送信されることとしてもよい。

そして、コンソールＣは、送信されてきたデータが放射線画像撮影装置１の放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとの実写画像データＦ（ｘ，ｙ）と複数回分のダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）のデータであれば、複数回分のダーク読取値Ｄ（ｘ，ｙ）の平均値を算出してオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する。

コンソールＣは、続いて、当該放射線画像撮影装置１に関する第１特性テーブルＬＵＴ１や第２特性テーブルＬＵＴ２等、或いは、当該放射線画像撮影装置１に関する第１特性テーブルＬＵＴ１や第２特性テーブルＬＵＴ２等が撮影室Ｒの放射線発生装置５２ごとに作成されている場合には当該撮影室Ｒの放射線発生装置５２および当該放射線画像撮影装置１に関する第１特性テーブルＬＵＴ１や第２特性テーブルＬＵＴ２等が、自らの記憶手段Ｍに保存されているか否かを確認する。そして、保存されていなければ、他のコンソールＣの記憶手段Ｍから当該第１および第２特性テーブルＬＵＴ１、ＬＵＴ２等の情報を入手する。

そして、コンソールＣは、放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに、第１特性テーブルＬＵＴ１を参照してオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）に対応する放射線検出素子（ｘ，ｙ）の放射線画像撮影が行われた時点での温度Ｔを推定する。コンソールＣは、続いて、第２特性テーブルＬＵＴ２を参照して（本実施形態では第２特性テーブルＬＵＴ２とゲイン補正値マップとを参照して）、その温度Ｔに対応する最終的なゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を割り出す。

そして、当該放射線検出素子（ｘ，ｙ）の実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を記憶手段Ｍから読み出し、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）およびゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を上記（１）式に代入して、最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を算出して生成する。

コンソールＣは、この演算処理を当該放射線画像撮影装置１の全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）について行い、それぞれ最終的な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を算出する。このようにして、コンソールＣは、実写画像データＦ（ｘ，ｙ）に対してオフセット補正およびゲイン補正を行って、当該放射線画像撮影装置１を用いて行われた当該放射線画像撮影による放射線画像を生成する。

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影システム５０によれば、上記の放射線画像撮影装置１で全ての処理を行う場合と同様に、放射線画像撮影装置１に各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔを測定する温度測定手段を設けなくても、コンソールＣで、オフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）から温度Ｔを推定してその温度Ｔに対応する最終的なゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を的確に割り出すことが可能となる。

また、それにより、放射線画像撮影時の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔに的確に対応したオフセット補正値Ｏ（ｘ，ｙ）およびゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）を得ることが可能となり、それらに基づいて実写画像データＦ（ｘ，ｙ）を適切に補正して、より高精細な画像データＦ_Ｏ（ｘ，ｙ）を生成することが可能となる。

そして、温度測定手段を設ける必要がないため、可搬型の放射線画像撮影装置１のサイズが大型化したり、部品点数が増えて製造コストが増大したり、温度測定手段を稼働させるために装置に内蔵されたバッテリ４１の電力がより多く消費されるということも回避することが可能となる。

また、放射線画像撮影装置１の検出部Ｐに二次元状に配列された全ての放射線検出素子（ｘ，ｙ）を用いて被写体の放射線画像を撮影することが可能となるため、前述した従来技術のように放射線画像撮影装置１における撮影可能領域が狭くなるという問題を生じない。また、各放射線検出素子（ｘ，ｙ）がそれぞれ放射線の照射を受けたか否かの判定を行う必要もないため、システムの制御構成が複雑化したり煩雑化することを回避することが可能となる。

なお、上記の放射線画像撮影装置１や放射線画像撮影システム５０の実施形態において、第２特性テーブルＬＵＴ２とともに用いられる各放射線画像撮影装置１の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）ごとに定数が割り当てられたゲイン補正値マップや放射線発生装置５２ごとの定数マップは、放射線画像撮影装置１が工場から出荷された後、放射線画像撮影システム５０内で用いられるようになった場合に行われるゲインキャリブレーション時に較正され、更新される。

ゲインキャリブレーション時には、所定の放射線発生装置５２との組み合わせで各定数マップが作成されるが、この時の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）からの実写画像データＦ（ｘ，ｙ）自体は、放射線発生装置５２の特性影響を含んだ値である。このゲインキャリブレーション実行時の各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の温度Ｔと実際の撮影時の温度Ｔとに差分が生じた場合、この温度差に基づく特性変化分の補正（修正）を施す必要がある。この温度変動に基づく各放射線検出素子（ｘ，ｙ）の特性変化（ゲイン値Ｇ（ｘ，ｙ）の変動）は、放射線発生装置５２には依存せず、放射線検出素子（ｘ，ｙ）自体に起因するものである。

従って、上記のように、ゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数として第２特性テーブルＬＵＴ２を保存しておくことで、ゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）の修正係数に、任意の放射線発生装置５２との組み合わせでキャリブレーション時に較正された定数マップに基づく定数（特性変化度合）を乗算することで、温度特性変動を相殺した最終的なゲイン補正値Ｇ（ｘ，ｙ）が得られる。

なお、本発明が上記の実施形態や変形例に限定されず、適宜変更可能であることはいうまでもない。

本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す斜視図である。 図１におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。 本実施形態に係る基板の構成を示す平面図である。 図３の基板上の小領域に形成された撮像素子と薄膜トランジスタ等の構成を示す拡大図である。 図４におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 ＣＯＦやＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。 本実施形態に係る放射線画像撮影装置の等価回路図を表す図である。 光電変換素子に割り当てられた番号を説明する図である。 本実施形態における第１特性テーブルの一例を示す図である。 本実施形態における第２特性テーブルの一例を示す図である。 同じ温度環境下でも得られるダーク読取値にゆらぎが生じることを説明するグラフである。 放射線検出素子に対応付ける複数の放射線検出素子のとり方の一例を示す図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は１つの放射線検出素子が正方領域の中心ではない位置に位置するように設定された領域の例を示す図である。 キャリブレーション時等の複数回のダーク読取ごとに出力されるダーク読取値の分布および空間的平均値の分布の例を示すグラフである。 放射線画像撮影の前または後に行われる１回のダーク読取で放射線検出素子から出力されるダーク読取値や空間的平均値の仮想的な分布の例を示すグラフである。 本実施形態に係る放射線画像撮影システムの全体構成を示す図である。 本実施形態に係る放射線画像撮影システムにおける各撮影室の構成を示す図である。

符号の説明

１ 放射線画像撮影装置（可搬型放射線画像撮影装置）
７、（ｘ，ｙ） 放射線検出素子
１７ 読み出し回路
２２ 制御手段（制御手段、演算手段）
２３ 記憶手段
４０ アンテナ装置（通信手段）
４１ バッテリ
５０ 放射線画像撮影システム
５２ 放射線発生装置
Ｃ コンソール
Ｄ（ｘ，ｙ）、Ｄ_ｋ（ｘ，ｙ） ダーク読取値
Ｆ（ｘ、ｙ） 実写画像データ
Ｆ_Ｏ（ｘ，ｙ） 最終的な画像データ
Ｇ（ｘ，ｙ） ゲイン補正値
Ｉ 無線通信手段（通信手段）
ＬＵＴ１ 第１特性テーブル
ＬＵＴ２ 第２特性テーブル
Ｍ 記憶手段
Ｎ ネットワーク
Ｏ（ｘ，ｙ） オフセット補正値
Ｐ 検出部
Ｔ 放射線検出素子の温度

Claims (9)

1. 放射線の照射線量に応じて電荷を発生させる放射線検出素子が二次元状に配列された検出部と、
   前記放射線検出素子から前記電荷を読み出して前記放射線検出素子ごとに前記電荷を実写画像データに変換するとともに、放射線を照射しない状態では前記各放射線検出素子に蓄積された暗電荷を前記放射線検出素子ごとに読み出してダーク読取値に変換可能な読み出し回路と、
   前記ダーク読取値に基づいてオフセット補正値を算出するとともに、前記各放射線検出素子から読み出された電荷に基づく前記実写画像データを補正して最終的な画像データを生成する演算手段と、
   前記放射線検出素子の温度と前記オフセット補正値とを対応付ける第１特性テーブルと、前記放射線検出素子の温度とゲイン補正値とを対応付ける第２特性テーブルとが保存された記憶手段と、
   前記各部材に電力を供給するバッテリと、
   放射線画像撮影の前または後に前記ダーク読取値を読み取るダーク読取処理を少なくとも１回行うように制御する制御手段と、
   を備え、
   前記演算手段は、算出した前記オフセット補正値に対応する前記放射線検出素子の温度を前記第１特性テーブルに基づいて推定し、推定した前記温度に対応する前記ゲイン補正値を前記第２特性テーブルに基づいて割り出し、前記各放射線検出素子ごとに、前記実写画像データを前記オフセット補正値および前記ゲイン補正値により補正して前記最終的な画像データを生成することを特徴とする可搬型放射線画像撮影装置。
2. 前記制御手段は、前記放射線検出素子に対する電力供給状態を、前記放射線検出素子に電力を供給して放射線画像撮影を可能とする撮影可能モードと、必要な部材にのみ電力を供給して前記放射線検出素子への電力の供給を停止して放射線画像撮影ができないスリープモードとの間で切り替えることを特徴とする請求項１に記載の可搬型放射線画像撮影装置。
3. 前記制御手段は、前記放射線検出素子に対する電力供給状態を前記撮影可能モードに切り替えた後、予め設定された所定時間内に放射線が照射されない場合には、前記電力供給状態を前記撮影可能モードから前記スリープモードに切り替えることを特徴とする請求項２に記載の可搬型放射線画像撮影装置。
4. 放射線の照射線量に応じて電荷を発生させる放射線検出素子が二次元状に配列された検出部と、
   前記放射線検出素子から前記電荷を読み出して前記放射線検出素子ごとに前記電荷を実写画像データに変換するとともに、放射線を照射しない状態では前記各放射線検出素子に蓄積された暗電荷を前記放射線検出素子ごとに読み出してダーク読取値に変換可能な読み出し回路と、
   前記各部材に電力を供給するバッテリと、
   放射線画像撮影の前または後に前記ダーク読取値を読み取るダーク読取処理を少なくとも１回行うように制御する制御手段と、
   前記実写画像データおよび前記ダーク読取値を送信可能な通信手段と、
   を備える可搬型放射線画像撮影装置と、
   前記実写画像データおよび前記ダーク読取値を受信可能な通信手段と、
   前記放射線検出素子の温度とオフセット補正値とを対応付ける第１特性テーブルと、前記放射線検出素子の温度とゲイン補正値とを対応付ける第２特性テーブルとが、前記可搬型放射線画像撮影装置ごとに保存された記憶手段と、
   が接続されたコンソールと、
   を備え、
   前記コンソールは、前記ダーク読取値に基づいて前記オフセット補正値を算出し、算出した前記オフセット補正値に対応する前記放射線検出素子の温度を前記第１特性テーブルに基づいて推定し、推定した前記温度に対応する前記ゲイン補正値を前記第２特性テーブルに基づいて割り出し、前記可搬型放射線画像撮影装置の前記各放射線検出素子ごとに、前記実写画像データを前記オフセット補正値および前記ゲイン補正値により補正して前記最終的な画像データを生成することを特徴とする放射線画像撮影システム。
5. 放射線の照射線量に応じて電荷を発生させる放射線検出素子が二次元状に配列された検出部と、
   前記放射線検出素子から前記電荷を読み出して前記放射線検出素子ごとに前記電荷を実写画像データに変換するとともに、放射線を照射しない状態では前記各放射線検出素子に蓄積された暗電荷を前記放射線検出素子ごとに読み出してダーク読取値に変換可能な読み出し回路と、
   前記各部材に電力を供給するバッテリと、
   放射線画像撮影の前または後に前記ダーク読取値を読み取るダーク読取処理を少なくとも１回行うように制御するとともに、前記ダーク読取値に基づいてオフセット補正値を算出する制御手段と、
   前記実写画像データおよび前記オフセット補正値を送信可能な通信手段と、
   を備える可搬型放射線画像撮影装置と、
   前記実写画像データおよび前記オフセット補正値を受信可能な通信手段と、
   前記放射線検出素子の温度と前記オフセット補正値とを対応付ける第１特性テーブルと、前記放射線検出素子の温度とゲイン補正値とを対応付ける第２特性テーブルとが、前記可搬型放射線画像撮影装置ごとに保存された記憶手段と、
   が接続されたコンソールと、
   を備え、
   前記コンソールは、受信した前記オフセット補正値に対応する前記放射線検出素子の温度を前記第１特性テーブルに基づいて推定し、推定した前記温度に対応する前記ゲイン補正値を前記第２特性テーブルに基づいて割り出し、前記可搬型放射線画像撮影装置の前記各放射線検出素子ごとに、前記実写画像データを前記オフセット補正値および前記ゲイン補正値により補正して前記最終的な画像データを生成することを特徴とする放射線画像撮影システム。
6. 前記可搬型放射線画像撮影装置は、前記放射線検出素子に対する電力供給状態を、前記放射線検出素子に電力を供給して放射線画像撮影を可能とする撮影可能モードと、必要な部材にのみ電力を供給して前記放射線検出素子への電力の供給を停止して放射線画像撮影ができないスリープモードとの間で切り替えることができるように構成されており、
   前記コンソールは、前記可搬型放射線画像撮影装置に覚醒信号を送信することで、当該可搬型放射線画像撮影装置の前記電力供給状態を前記スリープモードから前記撮影可能モードに切り替え可能に構成されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の放射線画像撮影システム。
7. 前記コンソールは、前記可搬型放射線画像撮影装置に対して前記覚醒信号を送信した後、予め設定された所定時間内に放射線が照射されない場合には、当該可搬型放射線画像撮影装置の前記電力供給状態を前記撮影可能モードから前記スリープモードに切り替えることを特徴とする請求項６に記載の放射線画像撮影システム。
8. さらに、前記可搬型放射線画像撮影装置に対して放射線を照射し得る放射線発生装置を複数備え、
   前記記憶手段には、前記可搬型放射線画像撮影装置ごとの前記第１特性テーブルおよび前記第２特性テーブルが、前記放射線発生装置ごとに保存されており、
   前記コンソールは、放射線画像撮影に用いられた前記可搬型放射線画像撮影装置および前記放射線発生装置の情報を受信し、当該可搬型放射線画像撮影装置の当該放射線発生装置に対応する前記第１特性テーブルおよび前記第２特性テーブルを用いて、前記オフセット補正値から前記ゲイン補正値を割り出すことを特徴とする請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の放射線画像撮影システム。
9. 複数の前記コンソールおよび前記記憶手段がネットワークを介して接続されており、
   前記コンソールは、前記可搬型放射線画像撮影装置に関する前記第１特性テーブルおよび前記第２特性テーブルが自らに接続された前記記憶手段に保存されていない場合には、前記ネットワークを介して他の前記記憶手段から当該可搬型放射線画像撮影装置に関する前記第１特性テーブルおよび前記第２特性テーブルの情報を入手することを特徴とする請求項４から請求項８のいずれか一項に記載の放射線画像撮影システム。

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