JP2010021554A - 有機メソメリー化合物の使用、有機半導体物質、及び、電子素子 - Google Patents

Abstract

【課題】有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるために、有機ドーパントとして有機メソメリー化合物を使用する。
【解決手段】ドーパントが供給される有機半導体を、製造プロセス時により簡単に取り扱うことができるように、また、ドープされた有機半導体を有する電子素子を、再生可能に製造できるように、メソメリー化合物として、同じ蒸着条件下ではテトラフルオロテトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）よりも揮発性の低いキノン、または、キノン誘導体、または、１，２，３−ジオクサボリン、または１，３，２−ジオクサボリン誘導体を使用することを提案する。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるための、有機ドーパントとしての有機メソメリー化合物（organischen mesomeren Verbindung）の使用と、ドープされた半導体マトリックス物質と、ドープされた半導体マトリックス物質を含む電子素子（elektronisches Bauelement）とに関するものである。

数十年前からすでに、シリコン半導体のドーピングは、標準的技術である。この技術では、物質中に電荷担体を生成することにより、まずかなり低い伝導性を上昇させ、使用するドーパントの種類に応じて、半導体のフェルミ準位を変更する。

同じく、数年前から、有機半導体の導電性は、そのドーピングにより、強い影響を受けることも知られている。このような有機半導体マトリックス物質は、電子供与性（Elektronendonator-Eigenschaften）の良好な化合物、または、電子受容性（Elektronenakzeptor-Eigenschaften）の良好な化合物から構成されている。電子供与物質のドーピングのために、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）または２，３，５，６−テトラフルオロテトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）などの強い電子受容体（Elektronen-Akzeptor）が知られている（例えば、非特許文献１、２参照）。これらは、電子供与型ベース物質（ホール輸送物質）における電子移動プロセスによって、いわゆるホールを生成する。ホールの数および移動度によって、ベース物質の伝導性が、かなり大きく変化する。ホール輸送特性を有するマトリックス物質としては、例えばＮ，Ｎ’−過アリール化ベンジジンＴＰＤまたはＮ，Ｎ’，Ｎ’’−過アリール化スターバースト化合物（物質ＴＤＡＴＡなど）、あるいは、特定の金属フタロシアニン（特に、亜鉛フタロシアニンＺｎＰｃなど）が知られている。

M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73（22）, 3202-3204(1998) J. Blochwitz, M. Pheiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73（6）, 729-731（1998）

しかし、これまでに試験された化合物を、工業的に使用するには、ドーピングされた半導体有機層、または、このようなドーピング層を有する対応する電子素子を製造する際に、不利点がある。なぜなら、巨大技術的な製造設備（grosstechnischen Produktionsanlagen）またはこのような工業的規模（Technikumsmassstab）では、製造プロセスを必ずしも正確に制御できないからである。その結果、所望の製品品質を得るためにプロセス内での制御および調整がより複雑になるか、あるいは、望ましくない製品誤差が生じてしまう。既知の有機電子供与体を使用する場合、電子素子構造（例えば、発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）または太陽電池自体）について、さらに問題が生じる。上記の製造問題は、ドーパントを取り扱う際に、望ましくない不均一性が電子素子に生じるか、あるいは、望ましくない電子素子の劣化現象につながる可能性があるからである。しかし、同時に、使用するドーパントは、適切な電子親和性、および、その他の用途に応じた適切な特性を有している必要がある。なぜなら、例えばドーパントが、任意の条件下で、有機半導体層の伝導性、または、他の電気特性も決定するからである。

従って、本発明の目的は、有機半導体をドーピングするための有機ドーパントを提供することであり、この有機ドーパントは、製造プロセス時により簡単に取り扱えるものであり、有機半導体物質をより再現可能なように製造できる電子部品につながるものである。

本発明では、上記目的は、有機メソメリー化合物を、有機ドーパントとして使用することにより達成される。有機メソメリー化合物は、キノンまたはキノン誘導体、特に、置換、非置換、または、縮環（anelliertes）キノンまたはキノン誘導体、または、１，３，２−ジオクサボリン（Dioxaborin）または１，３，２−ジオクサボリン誘導体、特に、非置換、置換、または、縮環１，３，２−ジオクサボリンまたは１，３，２−ジオクサボリン誘導体である。また、有機メソメリー化合物の揮発性は、同じ気化条件下で、テトラフルオロテトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）よりも低い。なお、本発明においてキノン誘導体は、特にキノイド化合物（chinoide Systeme）と解される。このキノイド化合物では、１つ、２つまたはそれ以上のキノイド酸素原子が、メソメリー効果を有しおよび／または誘起的電子吸引性の（induktiv elektronenziehenden）２重結合で結合する置換基（doppelbindungsgebundenen Substituenten）、特に、以下に記載のような置換基によって置換されている。なお、誘起的電子吸引性の残基とは、炭素に対して、特に、不飽和な１つの炭化水素に対して、−Ｉ−効果を有している残基と解される。より高い気化温度、または、同じ条件下でのより低い揮発性によって、製造プロセスを、より良好に制御でき、かつ、より簡単に再現可能なように実施できるようになる。なお、キノンまたはその誘導体、または、１，３，２−ジオクサボリンまたはその誘導体を、ドーパントとして提供することにより、これらの低い拡散係数のために、各素子では経時変化しない部品構造（zeitlich gleichbleibende Bauteilen）が保証される。ドーパントの電子親和性が有利なものである場合、有機半導体マトリックスの導電性を十分なものにできる。さらに、このドーパントは、接触部からドープされる層への電荷担体注入を改善できる。さらに、ドープされた有機半導体物質、および、その結果として生じる電子素子の長期安定性は、本発明で使用する化合物によって改善される。このことは、例えば時間が経つとともに見られるドーパント濃度の低下に関連している。さらに、このことは、ドープされた層の安定性に関連している。ドープされた層は、電子光学部品のドープされていない層に隣接している。その結果、電子光学部品の電子光学的特性（所定の波長での光出力（Lichtausbeute）や太陽電池の効率など）の長期的安定性が増す。

好ましい他の発展形態は、従属請求項に記載する。

本発明にかかる有機ドーパントとしての有機メソメリー（mesomere）化合物の使用は、以上のように、上記メソメリー化合物が、キノン、または、キノン誘導体、または、１，３，２−ジオクサボリン、または、１，３，２−ジオクサボリン誘導体であり、上記メソメリー化合物の揮発性が、同一の気化条件下で、テトラフルオロテトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）よりも低いという構成を備えているので、製造プロセスを、より良好に制御でき、かつ、より簡単に再現可能なように実施できるようになる。また、キノンまたはその誘導体の低い拡散係数のために、各素子では経時変化しない部品構造（zeitlich gleichbleibende Bauteilen）が保証される。

実施例３における層厚と電流との関係を示すグラフである。 実施例４における層厚と電流との関係を示すグラフである。 実施例５における層厚と電流との関係を示すグラフである。 実施例６における層厚と電流との関係を示すグラフである。 実施例７における層厚と電流との関係を示すグラフである。 実施例８における層厚と電流との関係を示すグラフである。

本発明の実施形態について説明すると以下のとおりである。
本実施形態では、揮発性は、同じ条件下（例えば、２×１０^−４Ｐａの圧力、および、所定の気化温度、例えば１５０℃）で測定した気化速度（Verdampfungsrate）として、または、他は同じ条件下で、時間単位（ｎｍ／秒）毎の層厚成長として測定した基板の蒸着速度（Bedampfungsrate）として決定してもよい。本発明の化合物の揮発性は、好ましくは、Ｆ４ＴＣＮＱの０．９５または０．９倍以下、特に好ましくは０．８倍以下、さらに好ましくは０．５倍以下、特に好ましくは０．１倍以下または０．０５倍以下または０．０１倍以下またはそれ未満である。

本発明の化合物の基板への蒸着速度は、例えば、ＯＬＥＤを製造する際に一般的に使用されているような水晶厚モニター（Quartz-dickenmonitors）によって測定してもよい。特に、マトリックス物質とドーパントとの蒸着速度の比率は、２つの別々の水晶厚モニターを使用してこれらを別々に測定することによって決定してもよい。これは、ドーピング比率を設定するためである。

Ｆ４ＴＣＮＱの揮発性に対する相対的な揮発性は、それぞれ、純粋な化合物（reinen Verbindung）の揮発性、または、任意のマトリックス物質（例えばＺｎＰｃ）からの揮発性に関するものである。

本発明で使用する化合物は、ほぼ、または、事実上、分解せずに気化する性質を有していることが好ましい。しかし、場合によっては、本発明で使用する化合物を遊離させるような目的を持つ前駆体も、ドーパント源（Dotandenquelle）として用いることができる（例えば、例えば揮発性または不揮発性の無機または有機酸の酸添加塩（Saeureadditionssalze）、または上記化合物の電荷移動錯体（Charge-Transfer-Komplex））。ただし、酸または電子供与体は、不揮発性または弱揮発性であるか、あるいは、電荷移動錯体自体が、ドーパントとして作用することが好ましい。

ドーパントは、以下のように選択されていることが好ましい。すなわち、任意のマトリックス物質（例えば、亜鉛フタロシアニンまたは他の以下に記載のマトリックス物質）について、同じ条件下（特にドーピング濃度（モル比率 ドーパント：マトリックス、層厚、電流の強さ）のような条件）において、Ｆ４ＴＣＮＱと全く同じ、または、好ましくは、Ｆ４ＴＣＮＱよりも高い伝導度となるように、ドーパントが選択されていることが好ましい。例えば、伝導度（Ｓ／ｃｍ）は、ドーパントとしてＦ４ＴＣＮＱを使用する場合の電導性の１．１倍、１．２倍と同じ／よりも大きい、または、１．５倍または２倍と同じ／よりも大きい。

本発明で使用されるドーパントは、以下のように選択されていることが好ましい。すなわち、このドーパントがドープされた半導体有機マトリックス物質の伝導度（Ｓ／ｃｍ）は、温度が１００℃から室温（２０℃）に変化した後も、１００℃のときの値の２０％以上、好ましくは３０％以上、特に好ましくは５０％以上または６０％であるように選択されている。

上記の好ましいホール輸送物質ＨＴのためのドーパントとして、本発明では、様々なキノン誘導体のほかに１，３，２−ジオクサボリンを使用できる。

〔キノイド構造〕
本発明に基づいて使用されるキノイド化合物では、（キノイド化合物は、オルトまたはパラキノン組織でもよく、多核キノイド構造の場合、混合オルト−パラキノイド構造が生じることもある）キノイド化合物の１，２，３または４つまたは全てのキノイド＝Ｏ−基が、以下に置換基Ｓ１〜Ｓ１１,Ｓ１３〜Ｓ２１のために規定されているような群から選択されていてもよい。また、場合によっては、Ｓ１を含まないこともあるが、この場合には、置換基は、後述のように規定されている。

本発明に基づいて使用されるキノイド化合物では、キノイド＝Ｏ−基を置換する、１、２、３、４つまたはそれ以上または全ての置換基は、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１４、Ｓ１５、およびＳ１６（場合によっては、Ｓ１を含まない）からなる群より選択されていてもよい。または、Ｓ１、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、およびＳ１６（場合によってはＳ１を含まない）からなる群より選択されていてもよい。または、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１５、およびＳ１６（場合によってはＳ１を含まない）からなる群より選択されていてもよい。

本発明に基づいて使用されるキノイド化合物では、キノイド＝Ｏ−基を置換する１、２、３、４つまたはそれ以上または全ての置換基は、Ｓ１、Ｓ５、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１１、Ｓ１４、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ１８、Ｓ１９、Ｓ２０、およびＳ２１（場合によってはＳ１を含まない）からなる群、または、Ｓ１、Ｓ５、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１１、Ｓ１４、Ｓ１６、およびＳ１８（場合によってはＳ１を含まない）からなる群から選択されていてもよい。

特に、キノイド基＝Ｏを置換する１、２、３、４つまたはそれ以上または全ての置換基は、＝Ｃ（ＣＮ）_２、＝Ｎ（ＣＮ）、＝Ｎ（ＮＯ_２）、＝Ｃ（ＣＮ）（Ｃ（Ｏ）Ｒ）、または＝Ｎ（Ｃ（Ｏ）Ｒ）でもよい。好ましくは、キノイド構造の１、２、３、４つまたは複数または全てのキノイド置換基は、メソメリー結合した−ＮＯ_２および／または−Ｃ（Ｏ）Ｒ基を含んでいてもよい。

本発明では、以下のキノイド基本骨格を有する化合物を使用できる。

ただし、化合物３，３ｂ、３ｃでは、ｍは、０，１，２，３，４〜６またはそれ以上であってもよい。

また、化合物２５〜２７では、基Ｍの置換基Ｚが、他の置換基Ｘ，Ｙ，Ｖ，Ｗとは同じであっても異なっていてもよい。

ただし、化合物２５では、２つの基Ｍ、または、＝Ｃ＝Ｚに等しいＭにおいては、２つの基Ｚが、同じであっても、異なっていてもよい。

また、化合物３２では、１つまたは２つの基Ｍが＝Ｃ＝Ｚではないことが好ましい。

記載の化合物は、それぞれ、全ての立体異性体（Stereoisomere）、特に、シン異性体およびアンチ異性体（syn- und anti-Isomere）を含んでいてもよい。ただし、シン異性体およびアンチ異性体がそれぞれ立体的に可能なものであることを条件とする。

置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙ，Ｚは、この場合、好ましくは、メソメリー効果を有する、および／または、炭素または炭化水素、特に飽和炭化水素に関し誘起的吸引性を有し、２重結合で結合された置換基であることが好ましい。

特に、化合物１〜３３では、置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙおよび／またはＺが、それぞれ同じであっても、あるいは、異なっていてもよく、一般式一般式Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ１８、Ｓ１９、Ｓ２０、およびＳ２１

からなる群より選択されていてもよい。ただし、Ｒは、有機残基または水素であることが好ましい。Ｒ１７は、特に−ＣＦ_３でもよい。あるいは、Ｒ１７は、過フッ素化アルキル（Perfluoralkyl）（特にＣ１〜Ｃ６を含む）でもよい。同じく、置換基がＳ１７である場合、置換基Ｓ１７のＸおよびＹは、Ｓ１７および／またはＳ１８〜Ｓ２１ではないことが好ましい。

置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘおよび／またはＺは、化合物１〜３３では、特に、それぞれ、同じであっても、あるいは、異なっていてもよく、一般式Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１４、Ｓ１５、およびＳ１６

からなる群より選択されていてもよい。ただし、Ｒは、有機残基または水素であることが好ましい。この場合、基Ｓ８のＲ１７は、特に−ＣＦ_３である。あるいは、基Ｓ８のＲ１７は、一般的に、過フッ素化アルキル（特にＣ１〜Ｃ６を含む）である。特に、置換基の１，２，３，４つまたは全てが、この群から選択されていてもよい。特に、ＸおよびＹは、同じであっても、異なっていてもよい。また、Ｘ、Ｙ、または、ＸおよびＹが、この群から選択されていてもよい。特に、あるいは／さらに（alternativ oder zusaetzlich）、ＶおよびＷが、同じであっても、異なっていてもよい。また、Ｖ、Ｗ、または、ＶおよびＷが、この群から選択されていてもよい。

置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙおよび／またはＺは、化合物１〜３３では、それぞれ同じであっても、異なっていてもよく、一般式Ｓ１、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、およびＳ１６

からなる群より選択されていてもよい。ただし、Ｒは、有機残基または水素であることが好ましい。この場合、基Ｓ８のＲ１７は、特に−ＣＦ_３でもよい。あるいは、基Ｓ８のＲ１７は、一般的に、過フッ素化アルキル（特にＣ１〜Ｃ６を含む）でもよい。特に、置換基の１，２，３，４つまたは全てが、この群から選択されていてもよい。特に、ＸおよびＹは、同じであっても、異なっていてもよい。また、Ｘ、Ｙ、または、ＸおよびＹが、この群から選択されていてもよい。特に、あるいは／さらに、ＶおよびＷは、同じまたは異なっていてもよい。また、Ｖ、Ｗ、または、ＶおよびＷが、この群から選択されていてもよい。

化合物１〜３３では、置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙおよび／またはＺが、それぞれ同じであっても、異なっていてもよく、一般式Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１５、およびＳ１６

からなる群より選択されていてもよい。ただし、Ｒは、有機残基または水素であることが好ましい。この場合、基Ｓ８のＲ１７は、特に−ＣＦ_３でもよい。あるいは、基Ｓ８のＲ１７は、一般的に、過フッ素化アルキル（特にＣ１〜Ｃ６を含む）でもよい。特に、置換基の１，２，３，４つまたは全てが、この群から選択されていてもよい。特に、ＸおよびＹは、同じであっても、異なっていてもよい。また、Ｘ、Ｙ、または、ＸおよびＹが、この群から選択されていてもよい。特に、あるいは／さらに、ＶおよびＷは、同じであっても、異なっていてもよい。また、Ｖ、Ｗ、または、ＶおよびＷが、この群から選択されていてもよい。

化合物１〜３３では、置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，Ｙおよび／またはＺが、それぞれ同じであっても、異なっていてもよく、Ｓ１、Ｓ５、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１１、Ｓ１４、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ１８、Ｓ１９、Ｓ２０、およびＳ２１（場合によってはＳ１を含んでいない）からなる群、または、Ｓ１、Ｓ５、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１１、Ｓ１４、Ｓ１６、およびＳ１８（場合によっては、Ｓ１を含んでいない）からなる群から選択されていてもよい。特に、置換基の１、２、３、４または全てが、この基から選択されていてもよい。特に、ＸおよびＹは、同じであっても、異なっていてもよい。また、Ｘ、Ｙ、または、ＸおよびＹが、この群から選択されていてもよい。特に、あるいは／さらに、ＶおよびＷは、同じであっても、異なっていてもよい。また、Ｖ、Ｗ、または、ＶおよびＷが、この群から選択されていてもよい。

化合物１〜３３では、置換基間の以下のような関係が該当することがある。以下のような置換基関係（Substituentenbeziehungen）は、特に、置換基Ｓ１〜Ｓ２１の基に該当することがある。以下のような置換基関係は、置換基Ｓ１〜Ｓ１１、Ｓ１４〜Ｓ１６の基に該当することがある。以下のような置換基関係は、置換基Ｓ１，Ｓ５〜Ｓ１４，Ｓ１６の基に該当することがある。以下のような置換基関係は、基Ｓ３，Ｓ４，Ｓ６〜Ｓ１０，Ｓ１５、Ｓ１６に該当することがある。

Ｘおよび／またはＹは、＝Ｏまたは＝Ｃ（ＣＮ）_２でなくてもよい。あるいは、Ｘおよび／またはＹは、同時に＝Ｏまたは＝Ｃ（ＣＮ）_２でなくてもよい。このことは、特に、単核キノイドドーパントに該当する。なお、この単核キノイドドーパントの置換基は、芳香族環を１つ形成するか、又は全く形成しないことが好ましい。特に、このことは、化合物１〜２０に該当することがある。あるいは／さらに、Ｖおよび／またはＷは、＝Ｏまたは＝Ｃ（ＣＮ）２でなくてもよい。あるいは、Ｖおよび／またはＷは、同時に＝Ｏまたは＝Ｃ（ＣＮ）２でなくてもよい。

本発明で使用する化合物は、それぞれ、＝Ｘと＝Ｘとは同じであり、および／または、＝Ｕと＝Ｔとは同じであり、および／または、＝Ｖと＝Ｗとは同じであることが好ましい。

置換基ＡＡとＢＢとは、それぞれ、同じであることが好ましくいが、これらは、相互に異なっていてもよい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換基の１つまたは２つ、または、上記基の全ての置換基が、＝Ｏとは異なっていてもよい。

＝Ｘおよび＝Ｙは、＝Ｏと異なっていてもよい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換基の少なくとも１つまたは２つ、または、上記基の全ての置換基は、＝Ｓとは異なっていることが好ましい。

＝Ｚおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基は、＝Ｓとは異なっていることが好ましい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換基の１つまたは２つ、または、上記基の全ての置換基は、＝Ｃ（ＣＮ）_２とは異なっていてもよい。

＝Ｘおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基は、＝Ｃ（ＣＮ）_２とは異なっていてもよい。

＝Ｘおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基は、＝Ｎ（ＣＮ）に等しいことが好ましい。あるいは／さらに、置換基＝Ｖおよび＝Ｗの１つまたは両方が、＝Ｎ（ＣＮ）に等しく、および／または、置換基＝Ｕおよび＝Ｔの１つまたは両方が、＝Ｎ（ＣＮ）であることが好ましい。

＝Ｘおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基、および／または、基＝Ｖおよび＝Ｗの１つまたは２つの置換基は、＝Ｎ（ＮＯ_２）に等しいことが好ましい。

＝Ｘおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基、および／または、＝Ｖおよび＝Ｗの１つまたは２つの置換基は、＝ＮＲに等しいことが好ましい。この場合、Ｒは、−ＣＦ_３でもよい。あるいは、Ｒは、一般的に、過フッ素化アルキル（特に、Ｃ１〜Ｃ６を含む）でもよい。

＝Ｘおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基、および／または、＝Ｖおよび＝Ｗの１つまたは２つの置換基は、＝Ｎ（Ｃ（Ｏ）Ｒ^１８）に等しいことが好ましい。

＝Ｘおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基、および／または、基＝Ｖおよび＝Ｗの１つまたは２つの置換基は、＝Ｃ（ＮＯ_２）_２に等しいことが好ましい。

＝Ｘおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基、および／または、＝Ｖおよび＝Ｗの１つまたは２つの置換基は、＝Ｃ（Ｃ（Ｏ）Ｒ^１３）（Ｃ（Ｏ）Ｒ^１４）に等しいことが好ましい。

＝Ｘおよび＝Ｙの少なくとも１つまたは２つの置換基、および／または、＝Ｖおよび＝Ｗの１つまたは２つの置換基は、＝Ｃ（ＣＦ_３）_２に等しいか、あるいは、一般的に、＝Ｃ（過フッ素化アルキル）_２（特に、Ｃ１〜６を含む）であることが好ましい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換体の少なくとも１つまたは２つまたはそれ以上または全てが、＝Ｎ（ＣＮ）に等しいことが好ましい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換体の少なくとも１つまたは２つまたはそれ以上または全てが、＝Ｃ（ＮＯ_２）_２に等しいか、あるいは、キノイド構造と共役した（konjugierte）ＮＯ_２基を含んでいることが好ましい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換体の少なくとも１つまたは２つまたはそれ以上または全てが、＝Ｎ（ＮＯ_２）に等しいことが好ましい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換体の少なくとも１つまたは２つまたはそれ以上または全てが、＝ＮＲに等しいことが好ましい。この場合、Ｒは、特に−ＣＦ_３でもよい。あるいは、Ｒは、特にＣ１〜６を含む過フッ素化アルキルでもよい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換体の少なくとも１つまたは２つまたはそれ以上または全てが、＝Ｎ（Ｃ（Ｏ）Ｒ^１８）に等しいことが好ましい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換体の少なくとも１つまたは２つまたはそれ以上または全てが、＝Ｃ（Ｃ（Ｏ）Ｒ^１３）（Ｃ（Ｏ）Ｒ^１４）に等しいか、あるいは、キノイド構造と共役したＣ（Ｏ）Ｒ−基を含んでいることが好ましい。

＝Ｘ，＝Ｙ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｔ，＝Ｗ，＝Ｚの置換体の少なくとも１つまたは２つまたはそれ以上または全てが、＝Ｃ（ＣＦ_３）_２に等しいか、あるいは、一般的に、＝Ｃ（過フッ素化アルキル）_２（特に、Ｃ１〜６を含む）であることが好ましい。

特に、化合物１〜３１では、それぞれ、Ｘ＝Ｙであってもよい。また、全ての置換基Ｘ，Ｙ，Ｕ，Ｖ，Ｔ，Ｗ，Ｚは、同じでもよいが、これに制限されるものではない。従って、キノイド化合物の場合、一般的に、全てのキノイド置換基は、同じでもよい。

場合によっては、Ｘ、Ｙ、または、ＸおよびＹは、Ｏに等しくない（特に、化合物１、または、化合物２０、または、キノイド環（chinoiden Ring）を１つだけ含む化合物の場合）。場合によっては、Ｘ、Ｙ，または、ＸおよびＹは、Ｓに等しくない（特に、化合物１または化合物２０の場合）。場合によっては、Ｘ、Ｙ、または、ＸおよびＹは、＝Ｃ（ＣＮ）_２に等しくない（特に、化合物１または化合物２０の場合）。このことは、特に、６員キノイド環を有する化合物、特に、６個のＣ原子を有する環に該当する。

化合物が、少なくとも１つまたは２つまたはそれ以上のキノイド＝Ｏ基および／または＝Ｓ基を備えている場合、特に、このことが、化合物1〜３３のＴ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，ＹまたはＺに該当する場合、特に、Ｘ、Ｙ、または、ＸおよびＹが、ＯまたはＳに等しい場合、キノイド環は、特にキノイド環が１つしかないとすると、少なくとも１つまたは少なくとも２つのアリール残基によって、縮環または置換されていることが好ましい。なお、アリール残基の１つ、複数または全ては、ヘテロ原子を備えていてもよい。

置換基ＡＡおよび／またはＢＢは、二重結合し、メソメリー効果を有しおよび／または誘起的電子吸引性の置換基であり、一般式Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８、Ｔ９、Ｔ１０、Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｔ１５、およびＴ１６

からなる群より選択されていることが好ましい。ただし、場合によっては、他の適切な２結合（zweibindige）で、かつ、特に二重結合の置換基を使用できる。Ｒ２８は、特に、−ＣＦ_３でもよい。あるいは、Ｒ２８は、他の過フッ素化アルキル基（好ましくはＣ１〜６を含む）でもよい。

本発明の化合物は、１つのキノイド環と、縮環しおよび／またはそれぞれ１つの残基Ｒを形成する１，２，３つまたはそれ以上の芳香族環とを有するキノイド構造でもよい。芳香族環は、１つまたは複数のヘテロ原子をそれぞれ備え、置換されていても、置換されていなくてもよい。キノイド構造は、オルトキノイド構造またはパラキノイド構造でもよい。キノイド構造は、特に、化合物１〜３３からなる群から選択されていてもよいが、これに限られるものではない。芳香族環の１，２，３つまたはそれ以上または全てが、基Ｍ１−Ｃ（Ｒ）＝Ｃ（Ｒ）−Ｍ２−または−Ｍ１−Ｃ（＝Ｚ）−Ｍ２−（ただし、Ｍ１，Ｍ２は、同じおよび／または同じではなく、基Ｏ−、−Ｓ−、および−ＮＲ−からなる群より選択されていてもよい）によるものであってもよい。

さらに、本発明は、２つの環を含むキノイド構造を有する化合物をさらに含んでいる。２つの環は、それぞれ、５または６個の環原子を含む。環原子は、１，２，３，４，５，６またはそれ以上の芳香族環と縮環していてもよく、および／または、残基Ｒを形成しながら置換されていてもよい。芳香族環は、置換されていても、置換されていなくてもよい。

これらの環は、６個の原子を含んでいることが好ましい。この６個の原子は、６個の炭素原子でもよい。１つ以上の環、または、各化合物全体において、１，２，３，４つまたはそれ以上のＣ原子が、Ｏ，Ｓ，Ｎなどのヘテロ原子によって置換されていてもよい。様々なキノイド構造は、Ｃ−Ｃ結合またはヘテロ原子−Ｃ結合でもよい１つ以上の２重結合または３重結合によって縮環されていても、メソメリー結合していても、または、他の方法で結合していてもよい。上記化合物は、特に、化合物１〜３３の基から選択されていてもよいが、これに限定されるものではない。芳香族環の１，２，３またはそれ以上または全てが、基Ｍ１−Ｃ（Ｒ）＝Ｃ（Ｒ）−Ｍ２−または−Ｍ１−Ｃ（＝Ｚ）−Ｍ２−（ただし、Ｍ１，Ｍ２は、同じおよび／または同じではなく、−Ｏ−、−Ｓ−、および−ＮＲ−からなる群より選択されていてもよい）によるものであってもよい。

さらに、本発明は、それぞれ相互に独立して５つまたは６つの原子を含む３または４つのキノイド環を有する化合物に関するものであり、これら原子は、１，２，３，４，５，６，７，８，９または１０個の縮環された、または、残基Ｒを形成する6個の原子を有する芳香族環を含んでいてもよい。芳香族環は、置換されていても、置換されていなくてもよい。１つの環、または、複数の環または化合物全体の炭素原子のうち、１，２，３または４つの原子は、Ｏ、ＮまたはＰなどのヘテロ原子でもよい。化合物は、特に、化合物１〜３３からなる群より選択されていてもよいが、これに限定されるものではない。芳香族環の１，２，３またはそれ以上または全てが、基−Ｍ１−Ｃ（Ｒ）＝Ｃ（Ｒ）−Ｍ２−または−Ｍ１−Ｃ（＝Ｚ）−Ｍ２−（ただし、Ｍ１，Ｍ２は、同じおよび／または同じではなく、−Ｏ−、−Ｓ−、および−ＮＲ−からなる群より選択されていてもよい）によるものであってもよい。

これには関係なく、本発明で使用される化合物は、１，２，３，４，５，６，７，８，９または１０個のアリール残基を含んでいてもよい。アリール残基のうち、好ましくは少なくとも１つ、複数、または、特に好ましくは、全てが、１つまたは複数のキノイド構造と縮環し、および／または、相互に縮環し、および／または、残基Ｒを形成する。芳香族環は、置換されていても、置換されていなくてもよい。アリール残基とは、ここでは、ヘテロアリール残基をも含むものとと解される。アリール残基は、キノイド環のメソメリー結合によりそれぞれ２つのキノイド環を相互結合することが好ましい。キノイド構造は、特に、化合物１〜３３からなる群より選択されていてもよいが、これに限定されるものではない。芳香族環の１，２，３つまたはそれ以上または全てが、基−Ｍ１−Ｃ（Ｒ）＝Ｃ（Ｒ）−Ｍ２−または−Ｍ１−Ｃ（＝Ｚ）−Ｍ２−（ただし、Ｍ１，Ｍ２は、同じおよび／または同じではなく、−Ｏ−、−Ｓ−、および−ＮＲ−からなる群より選択されていてもよい）によるものであってもよい。従って、例えば、化合物４，化合物２２または化合物２３では、それぞれ、２または３つまたはそれ以上の（ヘテロ）アリール環が、キノイド環の間に、これらを架橋しながら配置されていてもよい。

上記キノイド構造の芳香族環および／または基−Ｍ１−Ｃ（Ｒ）＝Ｃ（Ｒ）−Ｍ２−または−Ｍ１−Ｃ（＝Ｚ）−Ｍ２−は、過ハロゲン化、特に、過フッ素化されているか、あるいは、過シアノ置換されている（percyanosubstituiert）ことが好ましい。他の非芳香族および／または非キノイド環は含まれていないことが好ましい。

これとは関係なく、本発明で使用される化合物は、２，３，４，５または６またはそれ以上のキノイド環組織を含んでいてもよい。キノイド環の１つ、または、複数、または、全てが、５または６員（5- oder 6-gliedrig）であることが好ましい。環構成炭素原子は、ヘテロ原子によって置き換えられていてもよい。キノイド環の少なくとも２つ、それ以上、または、全ては、相互にメソメリー結合しながらより大きなキノイド構造に縮環していてもよい。または、１つ以上の架橋によって相互にメソメリー結合していてもよい。または、より大きなメソメリー組織を形成せずに結合されていてもよい。化合物は、特に、化合物１〜３３からなる群より選択されていてもよいが、これに限定されるものではない。キノイド構造は、特に、化合物1〜３３からなる群より選択されていてもよいが、これに限定されるものではない。芳香族環の１，２，３つ、またはそれ以上、または全ては、基−Ｍ１−Ｃ（Ｒ）＝Ｃ（Ｒ）−Ｍ２−または−Ｍ１−Ｃ（＝Ｚ）−Ｍ２−（ただし、Ｍ１，Ｍ２は、同じおよび／または同じではなく、−Ｏ−、−Ｓ−、および−ＮＲ−からなる群より選択されていてもよい）によるものであってもよい。

化合物１４、１５の置換基Ａ、Ｂ、Ｋ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈは、異なっていてもよいし、同じでもよく、以下の構造であると考えられる。イミン−窒素 ＝Ｎ−、ホスフィン（Phosphin）＝Ｐ−、または、置換されたメチレン炭素＝Ｃ−Ｒ^１−８。

本発明の全ての化合物では、１つ、複数、または全てのＮ原子が、Ｐ原子によってそれぞれ置き換えられていてもよい。

本発明では、特に、以下の置換パターン（Substitutionsmustern）を有する以下の化合物を使用できる。

化合物１，２，３（ｍ＝０），３（ｍ＝１），３（ｍ＝３），３（ｍ＝４），３ｂ（ｍ＝１），３ｂ（ｍ＝２），３ｂ（ｍ＝３），３ｂ（ｍ＝４），３ｃ（ｍ＝１），３ｃ（ｍ＝２），３ｃ（ｍ＝３），３ｃ（ｍ＝４），６，７，１０，１１，１１ａ，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１（Ｍについては、＝Ｃ＝Ｚに等しくない），２６（Ｍについては、＝Ｃ＝Ｚに等しくない），２７（Ｍについては、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＮＲ−または＝Ｃ＝Ｚに等しい。ただしＺ＝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９，Ｓ２０またはＳ２１），２８（ただし、Ｕ＝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９，Ｓ２０またはＳ２１），３０（ただし、Ｍは、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＮＲ−または＝Ｃ＝Ｔに等しい。ただし、Ｔ＝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９，Ｓ２０またはＳ２１），３２，３３は、特に、それぞれ、以下の具体的な置換パターンを備えている。化合物のそれぞれ１つ１つに、以下の表１〜表２１に示すように、第１行目の置換基Ｘと、その下に記載されている後続の行の置換基Ｙとが割り当てられている。

ただし、ＸおよびＹは以下に示す表１の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表２の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表３の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表４の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表５の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表６の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表７の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表８の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表９の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１０の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１１の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１２の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１３の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１４の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１５の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１６の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１７の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１８の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表１９の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表２０の通りである。

あるいは、ＸおよびＹは以下に示す表２１の通りである。

化合物４、５、５ｂ、５ｃ、８、９、１２、２１（ただし、２つの残基Ｍは、ＶおよびＷに等しい）、２２、２３、２４、２４ａ、２４ｂ、２５および２６（Ｍについては、＝Ｃ＝Ｚに等しくない）、２７（Ｍについては、＝Ｃ＝Ｚに等しくない）、２９、３１は、特に、それぞれ、以下の表２２〜表４２に示す具体的な置換パターンを備えており、化合物のそれぞれ１つ１つが、以下のように、第１行目の置換基Ｘと、それぞれ行の始まりに示すように、後続の行の下位の置換基Ｖとに割り当てられている。
ただし、Ｘ＝ＹおよびＶ＝Ｗであり、ＸおよびＶは以下に示す表２２の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表２３の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表２４の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表２５の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表２６の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表２７の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表２８の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表２９の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３０の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３１の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３２の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３３の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３４の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３５の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３６の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３７の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３８の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表３９の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表４０の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表４１の通りである。

あるいは、ＸおよびＶは以下に示す表４２の通りである。

具体的な置換パターンを有するＸ＝ＶおよびＹ＝Ｗが置換基に該当し、上記の表（Tabellen）において化合物ＶがＹによって置換され、化合物のそれぞれ１つ１つが第１行目の置換基Ｘと、その下にある後続の行の置換基Ｙとに割り当てられている場合、本発明は、さらに、このような上記化合物４，５，５ｂ，５ｃ，８，９，１２，２１（ただし、２つの残基Ｍは、ＶおよびＷに等しい），２２，２３，２４，２４ａ，２４ｂ，２５および２６（Ｍについては、＝Ｃ＝Ｚに等しくない），２７（Ｍについては、＝Ｃ＝Ｚに等しくない），２９,３１を含んでいる。

具体的な置換パターンを有するＸ＝ＷおよびＹ＝Ｖが置換基に該当し、および、化合物のそれぞれ１つ１つが、第１行目の置換基Ｘと、その下にある後続の行の置換基Ｙとに割り当てられている場合、本発明は、さらに、このような上記化合物４，５，５ｂ，５ｃ，８，９，１２，２１（ただし、２つの残基Ｍは、ＶおよびＷに等しい），２２，２３，２４，２４ａ，２４ｂ，２５および２６（Ｍについては、＝Ｃ＝Ｚに等しくない），２７（Ｍについては、＝Ｃ＝Ｚに等しくない），２９,３１を含んでいる。

この場合、化合物２１，２５，２６では、２つの残基が、同じであっても、互いに無関係なものでもよい：−Ｓ−，−Ｏ−，−ＮＲ−または＝Ｃ＝Ｚ、ただし、Ｚ＝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９，Ｓ２０またはＳ２１。

残基Ｒ^１〜Ｒ^３２は、同じでも、異なっていてもよく、水素、ハロゲン（特に、−Ｆ，−Ｃｌ），シアノ，ニトロ，ニトロソ(Nitroso)，スルファミド（Sulfamid）(非置換、または、置換、特にＣ１〜Ｃ６モノまたはジアルキル置換したもの)，カルボキシ，Ｃ１〜Ｃ７カルバルコキシ（Carbalkoxy）,Ｃ１〜Ｃ７スルホ，スルホハロゲン（特に、−Ｆまたは−Ｃｌ），ハロゲンカルボニル（特に、Ｆまたは−Ｃｌ），カルバモイル（非置換、または、置換、特にＣ１〜Ｃ６ Ｎ モノ置換された、または、同じようにまたは相互に無関係にＮ−Ｃ１〜Ｃ６ ２基置換されたもの），ホルミル、アミジンホルミル，Ｃ１〜Ｃ６アルキルスルファニル，Ｃ１〜Ｃ６アルキルスルフォニル，Ｃ１〜Ｃ２５炭化水素，好ましくはＣ１〜Ｃ１４炭化水素またはＣ１〜Ｃ１０またはＣ１〜６炭化水素からなる群より選択されていてもよい。この場合、上記基の炭素原子の１つ、複数または全てが、１つ以上の上記残基によって置換されていてもよい。このとき、炭化水素は、飽和、不飽和、または、芳香族炭化水素であってもよい。炭化水素基は、それぞれ、特に、過ハロゲン化、過塩素化（perchloriert）、または、過フッ素化（特に、トリフルオロメチル）されていてもよい。炭化水素基は、直鎖状（linear）または枝分かれ状（verzweigt）または環状（例えばシクロヘキシルまたはシクロフェニル）でもよい。１つまたは複数の炭素原子は、それぞれ、ヘテロ原子、特に、Ｎ，Ｏ，Ｓ，−（Ｏ）Ｓ（Ｏ）−またはＰ（Ｒ）によって置換されていてもよい。（ヘテロ）炭化水素残基は、相互結合していてもよいし、あるいは、キノイドまたは、他の環（例えば、（ヘテロ）アリール環）と環状に結合（cyclisch verknuepft）していてもよい。

特に、残基Ｒ^１〜Ｒ^３２は、アセチルカルボニル、トリフルオロアセチル（Trifluoracetyl-）カルボニル、ベンゾイルカルボニル，ペンタフルオロベンゾイル（Pentafluorbenzoyl-）カルボニル，ナフトイル（Naphthoyl-）カルボニルまたはアルコキシカルボニル等の基のうちの１つでもよい。この場合、アルキル残基は、１〜６個または１０個以下、特に４個以下のＣ原子を有し、これらＣ原子が、枝分かれして、または、枝分かれせずに相互結合しているアルキル基であってもよい。また、残基Ｒ^１〜Ｒ^３２は、特にトリアルキルホスホリルであってもよい。このトリアルキルホスホリルでは、アルキル残基は、同じく、枝分かれせずに、枝分かれして、または、環状に相互結合している５または６または８個以下の一連の炭素原子を含んでいてもよい。また、残基Ｒ^１〜Ｒ^３２は、特にトリアリールホスホリルであってもよい。ここでアリール残基は、６〜１４個のＣ原子を有することが好ましく、特に１０個以下のＣ原子を有することが好ましい。

さらに、残基Ｒ^１〜Ｒ^３２は、同じであっても、それぞれ異なっていてもよい。また、残基Ｒ^１〜Ｒ^３２は、アリールまたはヘテロアリール（例えば、フェニル、ナフチル,アントラニル（Anthranyl）、ピリジル,キノオキサリル（Chinoxalyl）、ピラゾリル（Pyrazolyl）、オキサゾリル（Oxazolyl）、１，３，２−ジオクサボリニルまたは１，３，４オキシジアゾリル（Oxdiazolyl）など）であってもよい。これらは、水素または１〜８個以下の飽和炭化水素原子を有する低アルキル(niederes Alkyl)のどちらかによって置換されていてもよい。上記炭素原子は、枝分かれせずに、または、枝別れして、または、環状に相互に結合されていてもよい。また、上記アリールまたはヘテロアリールは、ハロゲンによって置換されていることが好ましい。この場合、とりわけ、フッ素、塩素，トリクロロメチル，１〜６個の炭素原子を有する過フッ素化アルキル、特に、トリフルオロメチルが好ましい。また、上記アリールまたはヘテロアリールは、シアノ、ニトロ、ニトロソ，スルホ，カルボキシ，カルバルコキシ（Carbalkoxy），ハロゲンカルボニル，カルバモイル,ホルミル，アミジンホルミル，アルキルスルファニルおよびアルキルスルフォニルによって置換されていることも好ましい。ただし、この場合、アルキル残基は、同じく、枝分かれせずに、または、枝分かれして、または、環状に相互結合している５または６または８個以下の一連の炭素原子を含んでいてもよい。また、上記アリールまたはヘテロアリールは、アルキル残基を有するトリアルキルホスホリルによって置換されていてもよい。なお、このアルキル残基は、同じく、枝分かれせずに、または、枝分かれして相互結合している５または６または８個以下の一連の炭素原子を含んでいてもよい。特に、アリール残基またはヘテロアリール残基は、過ハロゲン化、特に、過フッ素化されていてもよい。

化合物３，３ｂ，３ｃまたは化学式（Formeln）ＩＶ，ＶまたはＶＩにおける残基Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６は、異なるｎまたはｍに対して、同じであっても、異なっていてもよい。

残基Ｒ^１〜Ｒ^３２は、本発明で使用する化合物のキノイド構造または芳香族構造と結合し、隣接して配置され、キノイド骨格構造または芳香族骨格構造の２，３または４つの原子によって分離されていてもよい。このような残基Ｒ^１〜Ｒ^３２は、炭素環式、特に、芳香族の環、または、ヘテロ環式、特に、ヘテロ炭素環式の環（heterocarbocyclischen Ringes）を形成しながら相互に結合していてもよい。このことは、特に、化合物１〜３３に該当するが、本発明で使用される他のキノン、または、キノン誘導体にも該当する。このことは、例えばそれぞれ対になって、化合物１，３，３ｂ，７，８，９，１０，１１，１２，２３，２４，２５，２７，２８の残基Ｒ１，Ｒ２および／またはＲ３，Ｒ４、化合物２の残基Ｒ１，Ｒ２；Ｒ２，Ｒ３；Ｒ４，Ｒ５および／またはＲ５，Ｒ６、化合物３の残基Ｒ１，Ｒ２；Ｒ３，Ｒ４；Ｒ５，Ｒ６；Ｒ７，Ｒ８、化合物２８，２９などの残基Ｒ５，Ｒ６；Ｒ７，Ｒ８のいずれか、または、全てに該当する。架橋原子グループ（ueberbrueckende Atomgruppe）は、特に１つの基を形成する。この基は、
−Ｌ^１−Ｃ（Ｒ^１）＝Ｃ（Ｒ^２）−Ｌ^２−ただし、Ｌ＝Ｏ，Ｓ，ＮＲまたはＣＲ^１４Ｒ^１５
または、−Ｃ（Ｘ）Ｃ（Ｙ）−Ｃ（Ｒ^１）＝Ｃ（Ｒ^２）−
または、−Ｃ（＝Ｘ）Ｃ（Ｒ^３）＝Ｃ（Ｒ^４）−Ｃ（＝Ｙ）−
または、−Ｃ（＝Ｘ）−Ｌ−Ｃ（＝Ｙ）−ただし、Ｌ＝Ｏ，Ｓ，ＮＲ，ＣＲ^１４Ｒ^１５から選択されている。ただし、ＸおよびＹは、上記のように定義されており、以下の基から選択されていることが好ましい。

ただし、様々な基の残基Ｒ１３は、異なっていてもよい。記載の架橋原子グループは、特に、Ｘおよび／またはＹが、＝Ｏ、＝Ｓまたは＝Ｃ（ＣＮ）_２である場合に存在することが好ましい。また、Ｌは、−Ｏ−または−Ｓ−または−ＮＲ−でもよい。

また、Ｒ^１〜Ｒ^３２の各２つの隣り合う残基は、カルボキシ基−（ＣＯ）−またはカルボイミド基−（ＣＮＲ）−を介して、相互結合していてもよい。この場合、このＲには、Ｒ^１〜Ｒ^３０のためのものと同じ置換パターンが該当する。また、隣接する２つの残基Ｒが、炭素原子またはヘテロ原子を介して相互結合し、新しい炭素環式またはヘテロ環式構造要素が各環式基本骨格に縮合（ankondensiert）していてもよい。例えば、化合物の型１では、残基Ｒ^１およびＲ^２、並びに、Ｒ^３およびＲ^４が、縮合したベンゾ残基またはナフト残基（Naphthorest），凝結したチオフェン残基，フラン残基，１，３，４−オキシジアゾール（Oxdiazol-）残基，ピリジン残基，ピラジン残基，トリアジン残基，テトラジン残基，ピラン残基，チオピラン残基，ジチイン（Dithiin-）残基,ホスホリン（Phosphorin-）残基，無水フタル酸，フタル酸イミド（Phthalsaeureimid）またはジチアゾール残基を形成する。この場合、これら残基はまた、排他的に、または部分的に、他の電子吸引性の基（Gruppierungen）（好ましくは、フッ素または塩素等のハロゲン、トリフルオロメチル、シアン，ニトロ，ニトロソ，スルホ，カルボキシ，カルバルコキシ，ハロゲンカルボニル，カルバモイル，ホルミル，アミジンホルミルなど）によって置換されていてもよい。同じことが、化合物２の残基Ｒ^１およびＲ^２またはＲ^２およびＲ^３、あるいは、残基Ｒ^４およびＲ^５またはＲ^５およびＲ^６、並びに、化合物３の残基Ｒ^１およびＲ^２，Ｒ^３およびＲ^４，Ｒ^５およびＲ^６またはＲ^７およびＲ^８、並びに、化合物４または５の残基Ｒ^２およびＲ^３またはＲ^５およびＲ^６、および、相互に十分に近接している他の化合物の対応する組（Paare）の残基Ｒに該当する。

架橋された化合物８のトランスジケト形（Trans-Diketoform）は、例えば、構造２８または構造２９となる。化学式２６では、カルボン酸無水物の酸素（Carbonsaeurenhydrid-Sauerstoff）を、置換された窒素基＝Ｎ−Ｒ１によって置換することもできる。その結果、カルボン酸イミド構造（Carbonsaeureimidstruktur）が形成される。

キノイド構造を、置換および／または縮環している芳香族残基は、過ハロゲン化されていてもよい。特に、過フッ素化、過塩素化、または、過フッ素塩素化（perfluorochloriert）されていてもよい。場合によっては、いくつかの、例えば半分以下またはそれより多いハロゲン原子が、水素によって置換されていてもよい。同じことが、あるいは／さらに、キノイド構造の残基Ｒに該当することもある。ハロゲン原子の代わりに、芳香族環および／またはキノイド構造に、ＣＮ基が結合していてもよい。

２つのキノイド構造Ｃｈ１，ＣＨ２は、化合物Ｃｈ１−ＺＢ−Ｃｈ２をそれぞれ形成しながら、残基ＺＢを介して、相互に結合していてもよい。この場合、キノイド残基Ｃｈ１，Ｃｈ２は、相互に結合した状態でメソメリー構造を（mesomer miteinander verknuepft）有していてもよい。あるいは、独立して、メソメリー構造を（mesomer voneinander unabhaengig）有していてもよい。キノイド残基Ｃｈ１，Ｃｈ２は、同じでもよく、あるいは、異なっていてもよく、化合物１〜４および５〜３３の基から選択されていてもよい。この場合、場合によっては、例えばＣｈ１−ＺＢ１−Ｃｈ２−ＺＢ２−Ｃｈ３などの構造を形成しながら、他のキノイド構造も相互結合していてもよい。この場合Ｃｈ１，Ｃｈ２，Ｃｈ３は同じでもよいし、異なっていてもよく、それぞれ化合物１〜４および化合物５〜３３でもよいが、これに制限されていない。ＺＢ１およびＺＢ２は、同じでもよく、あるいは、異なっていてもよい。

架橋−ＺＢ−は、１個、２〜４個、６個以下または１０個以下またはこれより多い架橋原子団（Brueckenatome）であってもよい。架橋原子団は、炭素原子からなっていてもよいし、あるいは、少なくとも一部がヘテロ原子であってもよい。

２つのキノイド化合物（化学式５，５ｂまたは５ｃなどの）が、残基ＺＢを介して相互結合している場合、この架橋−ＺＢ−は、アルケニレン，ハロゲンアルケニレン，アセチレン，アルキレン，ハロゲンアルキレン，特に、過フッ素化アルキレンを含んでいてもよい。なお、上記炭素原子は、１〜８個の飽和炭素原子を有することが好ましく、枝分かれして、または、枝分かれせずに相互結合していてもよい。あるいは、上記架橋は、アリーレン，ヘタリレン（Hetarylen）を含んでいてもよい。これらは、水素、または、１〜６個または８個以下の飽和炭素原子を有する低級アルキル残基のどちらかによって置換されていてもよい。上記炭素原子は、枝分かれして、または、枝分かれせずに、または、環状に相互結合していてもよい。また、ハロゲンによる置換、この場合、とりわけ、フッ素、または、塩素、トリクロロメチル、１〜６個の炭素原子を有する過フッ素化アルキル、特に、トリフルオロメチルが好ましいが、シアノ、ニトロ、ニトロソ，スルホ，カルボキシ，カルバルコキシ、ハロゲンカルボニル，カルバモイル，ホルミル，アミジンホルミル，アルキルスルファニルおよびアルキルスルフォニルによる置換も好ましい。ただし、この場合も同じく、アルキル残基は、枝分かれせずに、または、枝分かれして、または、環状に相互結合している８個以下の一連の炭素原子を含んでいてもよい。また、トリアルキルホスホリルは、アルキル残基によって置換されていてもよい。なお、このアルキル残基は、同じく枝分かれせずに、または、枝分かれして相互結合している８個以下の一連の炭素原子を含んでいてもよい。アルケニレン基およびアルキレン基は、１つ以上のＣ−Ｃ多重結合を含んでいてもよい。基ＺＢの架橋原子団は、不飽和炭素原子またはヘテロ原子のみを含んでいてもよい。この場合、この基は、置換されていなくても、置換されていてもよい。基ＺＢの架橋原子団は、飽和または芳香族の炭素原子またはヘテロ原子のみを含んでいてもよい。この場合、この基は、置換されていなくても、置換されていてもよい。従って、２つのキノイド構造は、メソメリー相互結合していてもよい。

架橋−ＺＢ−は、１つ以上の基、特に以下の基を、−（ＺＢ）ｎ−の形状で含んでいてもよい。例えば、ｎは、１、２、３または４またはそれ以上であり、これらは、同じまたは相互に異なっていてもよい。

ＺＢは、

からなる群より選択されていてもよく、および／または

からなる群より選択されていてもよく、および／または

からなる群（ただし、上記架橋は、例えば、−ＮＲ−，−（Ｃ＝Ｘ）−，−ＣＲ１＝ＣＲ２−などの置換された架橋も含んでいる）から選択されていてもよく、および／または
カルボキシ−（ＣＯ）−，カルボイミド−（ＣＮＲ）−，チオフェニレン，フラニレン，１，３，４−オキシジアゾリレン（Oxdiazolylen-），トリアジン，テトラジニレン（Tetrazinylen-），ピラニレン，チオピラニレン，ジチイニレン、ホスホリニレン，フタル酸無水物、フタル酸イミドおよびジチアゾール残基からなる群より選択されていてもよい。

芳香族環、上記のカルボ架橋、または、ヘテロ架橋は、それぞれ、置換されていても、置換されていなくてもよい。Ｘは、１または２置換された炭素原子、一置換された窒素原子、＝Ｏまたは＝Ｓでもよく、上記群またはその下位区分下部基（Untergruppen）から選択されていることが好ましい。

残基Ｒ１または残基Ｒ２は、化合物骨格構造１〜３３の残基Ｒ１または残基Ｒ２とは異なっていてもよい。

さらに、２つのキノイド構造は、何らかの方法で直接相互結合することがある。

〔キノイド構造の製造方法〕
全ての以下に記載のキノン化合物の合成は、ここに、全範囲における（vollumfaenglich）関連付けにより本発明に含まれており、本発明により包括されている。

大抵の場合、酸化される遊離体（zu oxidierendem Edukt）において対応する置換基パターンが生成される。１，４−キノンは、最適には、相当するハイドロキノン（Ｗ.Ｔ.Sumerford, D.N. Dalton, J.Am.Chem.Soc. 1944,66,1330; J. Miller, C. Vasquez, 1991米国特許公報第506836号；K.Koch, J. Vitz, J.Prakt.Chim. 2000, 342／8 825-7）、または、フッ化および／または塩化芳香族化合物（A. Roedig at al. Chem. B. 1974, 107, 558-65; O. I. Osina, V.D. Steingarz, Zh. Org. Chim. 1974, 10, 329:V.D. Steingarz at al Zh. Org. Chim. 1970, 6／4, 833）を酸化することによって生じる。

１，３−インダンジオン化合物（Indandionverbindungen）は、Ｖ. Khodorkovsky at alによって合成された（Ｖ. Khodorkovsky at al Tetrahedron Lett. 1999, 40, 4851-4）。

Ｎ，Ｎ’−ジシアン−１，４−キノンジイミンは、Ｎ，Ｎ’−ビストリメチルシリルカルボジイミドを１，４−キノン化合物に作用させること（A. Aumueller, S. Huenig, Liebigs Ann. Chem., 1986, 142-64）、または、相当するＮ，Ｎ’−ジシアン−１，４−ジアミン化合物を酸化すること（G.D. Adreetti, S. Bradamante, P.C. Pizzarri, G.A. Pagani, Mol.Cryst. Liq. Cryst. 1985, 120, 309-14）によって獲得できる。この場合、Ｎ，Ｎ’−ジシアン−１，４−ジアミン化合物は、フェニレン−１，４−ジアミンを、シアンハロゲン化物（Cyanhalogeniden）によってシアン化すること、または、相当するチオ尿素誘導体を脱硫することによって獲得できる。

一重のテトラシアノキノンジメタンは、１，４−シクロヘキサンジオンを介して、水滴分離器（Wasserabscheider）を用いて酢酸アンモニウム緩衝体（Ammoniumacetatpuffer）とベンゼン中で縮合させ、続いて、臭素を用いて酸化することにより獲得できる（D.S. Acker, W.R.Hertler, J.Am. Chem.Soc.1962, 84, 3370）。さらに、同じくHertler氏と共同研究者とは、これら化合物は、１，４−キシレンおよびその類似物（Analoge）を介し、側鎖ブロム化（Seitenkettenbromierung）、シアン化物による置換、炭酸ジエチルエステルによる縮合、炭素酸メチルエステル配列のシアン化物基への変化、および、続く酸化によって合成できることを証明できた。（J. Org, Chem. 1963, 28, 2719）。

受容体置換されたテトラシアノキノンジメタンは、ｔ−ブチル−マロン酸ジニトリルのナトリウム塩（Natriumsalz）、および、受容体置換された１，４−ジハロゲン芳香族化合物から得ることができる（R. C. Wheland, E.L. Martin, J. Org. Chem. 1975,40,3101）。

さらに、マロジニトリルアニオン（Malodinitril-Anion）とＰｄ−触媒反応させ、続いて酸化した１，４−ジハロゲン芳香族化合物から、テトラシアノキノンジメタンが得られる（S.Takahashi at.al., Tetrahedron Letters, 1985, 26, 1553）。

キノイド１，４−ポリフェニレンE. A. Shalom, J. Y. Becker, I, Agranat, Nouveau Journal de Chimie 1979, 3, 643-5。

ヘテロ縮環キノンは、多段階合成方法（mehrstufige Syntheseweg）により得られた（B. Skibo at al, J. Med. 1991, 34, 2954-61 ; H. Bock, P. Dickmann, H. F. Herrmann, Z. Naturforsch. 1991, 46b, 326-8, J. Druey, P. Schmidt, Helv. Chim. Acta 1950, 140, 1080-7）。

架橋されたキノイド化合物は、M. Matsuoka, H. Oka, T. Kitao, Chemistry Letters, 1990,2061-4; J. Dieckmann, W. R. Hertler, R. E. Benson, J.A.C.S. 1963, 28, 2719-24; K. Takahashi, S. Tarutani, J.C.S. Chem. Comm. 1994, 519-20; N.N. Woroschzov, W. A. Barchasch, Doklady Akad. SSSR 1966, 166／3, 598に記載されている。

縮環されたＴＣＮＱ化合物は、M. Matsuoka, H. Oka, T. Kitao, Chemistry Letters 1990, 2061-4; B.S. Ong, B. Koeshkerian, ,J. Org. Chem. 1984, 495002-3に記載されている。

ピラジノＴＣＮＱ化合物（Pyrazino-ＴＣＮＱ-Verbindungen）は、５，８−ジイオドキノクサリンを、マロジニトリルの塩化ナトリウムとパラジウム触媒反応させることにより得られる（Ｔ. Miyashi at al, J. Org. Chem. 1992, 57, 6749-55）。

ピラジノＴＣＮＱ化合物、および、他のヘテロ縮環誘導体は、様々な方法で製造される（Y. Yamashita at al Chemistry Letters, 1986, 715-8, F. Wudl at al, J. Org. Chem. 1977, 421666-7）。

縮環ＤＣＮＱＩ化合物は、Huenig氏によると、相当するキノンから、合成される（J. Tsunetsugu at al, Chemistry Letters, 2002, 1004-5）。

ヘテロ縮環ＤＣＮＱＩ化合物は、Huenig氏によると、相当するキノンから合成される（Ｔ. Suzuki at al, J. Org. Chem. 2001, 66, 216-24; N. Martin at al, J. Org. Chem. 1996, 61, 3041-54; K. Kobayashi at al, Chemistry Letters, 1991, 1033-6; K. Kobayashi, K. Takahashi, J. Org. Chem. 2000, 65, 2577-9）。

ヘテロ環式キノイド誘導体は、N.F. Haley, J. C. S. Chem. Comm. 1979, 1031, F. Weydand, K. Henkel Chem. B. 1943, 76, 818; H. J. Knackmuss Angew. Chem. 1973, 85, 16; K. Fickentscher, Chem. B. 1969, 102, 2378-83, D. E. Burton at al J. Chem. Soc. (C)1968, 1268-73に基づいて製造される。

異なる残基Ｘ，Ｙを有するキノイド構造は、様々な研究グループ（Arbeitskreisen）により合成された（Ｔ. Itoh, N. Tanaka, S. Iwatsuki, Macromolecules 1995, 28, 421-4; J. A. Hyatt, J. Org. Chem. 1983, 48 129-31; M.R. Bryce et al, J. Org. Chem. 1992, 57, 1690-6 ;A. Schoenberg, E. Singer, Chem. Ber. 1970, 103, 3871-4; S, Iwatsuki, T. Itoh, H. Itoh Chemistry Letters, 1988, 1187-90; T. Itoh, K. Fujikawa, M. Kubo, J. Org. Chem. 1996, 61, 8329-31; S. Iwatsuki, T. Itoh, T. Sato, T. Higuchi, Macromolecules, 1987, 20, 2651-4; T. Itoh et al Macromolecule2000, 33, 269-77; B. S. Ong, B. Koeshkerian,, J. Org. Chem. 1984, 495002-3; H. Junek, H.Hamboeck, B. Hornischer, Mh. Chem. 1967, 98, 315-23; P.W. Pastors et al Doklady Akad. SSSR 1972, 204, 874-5; A. R. Katritzky et al Heterocyclic Chem. 1989, 26, 1541-5; N. N. Vorozhtsov, V. A. Barkash, S. A. Anichkina, Doklady Akad. SSSR 1966, 166,598）。

テトラアセチルキノンメタン化合物またはその還元型（reduzierte Formen）は、１，４ベンゾキノンおよびアセチルアセトンから得られる（J. Jenik, Chemicky prumysl 1985 35/60 1547, R. J. Wikholm. J. Org. Chem. 1985, 50, 382-4; E. Bernatek, S. Ramstad Acta Chem. Scand. 1953, 7, 1351-6）。

ジトリフルオロアセトアミドは、トリフルオロ酢酸を用いて芳香族１，４−ジアミンから製造される（R. Adams, J. M. Stewart J. A. C. S> 1952,20, 3660-4）。Ｐｂ（ＩＶ）−アセテートを用いる酸化によってジアミンが得られる。

他のジアミンまたはアミド構造は、B.C. McKusick at al J. A. C. S> 1958, 80, 2806-15によって形成された。

〔実施例１〕
＜Ｎ，Ｎ’−ジシアン−２，５−ジクロロ−１，４−ベンゾキノンジイミン＞
３単位のＮ，Ｎ’−ジシアン−２，５−ジクロロベンゼン−１，４ジアミンを、
撹拌しながら２０℃で、２００単位の氷酢酸に懸濁させる。１３単位の鉛−（ＩＶ）−テトラアセテートを加える。原材料全体が酸化するまで撹拌する。黄／茶色い沈殿物を濾過し、ベンゼンから再結晶させる（umkristallisieren）。
収量：６４％ Ｆｐ．：２２５℃
〔実施例２〕
＜Ｎ，Ｎ’−ジシアン−２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−ベンゾキノンジイミン＞
１．５単位の２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−ベンゾキノンを、７０単位の塩化メチレン中、７．６単位のチタン四塩化物に添加する。生成した黄色い錯体を、１５単位のメチレン塩化物中の７．５単位のビス−（トリメチルシリル）−カルボジイミドと、室温で撹拌しながら反応させ、４時間後氷に注ぐ。水層を、塩化メチレン で２回抽出する。有機層を合わせて（vereinigten organischen Phasen）、マグネシウム塩化物によって乾燥し、濾過し、真空中で濃縮し、石油エーテルから沈殿させ、改めて濾過する。得られた固体（Feststoff）は、トルエン／メチルシクロヘキサンの混合物から再結晶される。
収量：４８％，Ｆｐ．：２０５℃
〔１，３，２−ジオクサボリン〕
本発明では、さらに、１，３，２−ジオクサボリン化合物を、半導体有機物質のドーピングに使用できる。

本発明で使用される１，３，２−ジオクサボリン化合物は、一般式Ｌ

で表される。ただし、Ａは、２価残基である。この２価残基は、１つ以上の炭素原子を備えていてもよい。上記炭素原子は、一部または全てが、ヘテロ原子によって置換されていてもよい。ただし、ｍ＝０または０より大きい整数（例えば、１、２、３、４、５、６またはそれ以上、例えば、１０以下または２０以下）である。また、Ｘは、１座配位子であるか、あるいは、２つの配位子Ｘが共に１つの２座配位子を形成していることもある。架橋Ａ_ｍは、この場合、６個以下、１０個以下、または、２０個以下の架橋原子を備えていてもよい。なお、架橋原子は、２つの１，３，２−ジオクサボリン環を相互結合するものである。架橋原子は、特に、炭素原子、および／または、ヘテロ原子でもよい。

本発明で使用される１，３，２−ジオクサボリン化合物は、一般式ＬＩ

で表される。ただし、Ｑは、３価残基であり、Ｘは、１座配位子であるか、あるいは、２つの配位子Ｘが共に１つの２座配位子を形成していることもある。

さらに、本発明で使用される１，３，２−ジオクサボリン化合物は、一般式ＬＩＩ

で表される。この化学式は、化学式Ｌの副産物（Unterfall）（ただしｍ＝０）である。しかし、２つの１，３，２−ジオクサボリンは、メソメリー相互結合している。

特に、ここで、ドーパントとして提案される１，３，２−ジオクサボリンは、一般式３０〜３３を有していてもよい。

ただし、化学式では、それぞれ、様々なＸおよび／またはＲ１〜Ｒ３が、相互に同じものであっても、あるいは、異なるものでもよい。

記載の符号は、以下のことを意味している：
残基Ｘは、好ましくは陰性の（elektronegativen）固着原子（Haftatom）（例えば、フッ素、アルコキシ、アシロキシ、アリロキシ（Aryloxy）またはアロイロキシ（Aroyloxy））を有する１座配位子、または固着原子が好ましくは酸素であり、この固着原子は、架橋を介して、異なる原子配列、および、様々な数の架橋原子と相互結合しており、架橋によって、好ましくは５または６員環が生成されており、架橋の少なくとも１つの原子または全ての原子が、炭素原子であることが好ましい２数配位子である。

それぞれ相互に無関係なものであってもよい残基Ｒ^１〜Ｒ^６は、水素、炭化水素基、特に、アルキル基またはシクロアルキル基、ヘテロアリール基も含めた置換または非置換アリール基Ａｒのいずれかである。上記炭化水素基は、場合によっては１つ以上のヘテロ原子を備えていてもよい。上記アルキル基またはシクロアルキル基は、有利には一部または全てがフッ素または炭素によって置換、特に、過ハロゲン化、特に好ましくは過フッ素化されていてもよい。また、１〜６または８または１０の炭素原子（有利には最大１０個の炭素原子）を含むことが好ましい。これら炭素原子は、枝分かれして、または、枝分かれせずに相互結合している。上記アリール基Ａｒは、同じく、有利にはハロゲン、特にフッ素または塩素によって置換されていてもよく、特に、過ハロゲン化、特に、過フッ素化されていてもよいが、共通して、１，３，２−ドクサボリン骨格に隣接した配置（Stellung）の場合、これらを結合する炭素原子と共に、芳香族、ヘテロ芳香族、または、非芳香族の分子微細部（Molekuelfragment）（例えば、ベンゾ微細部、ナフト微細部、アントラセノ微細部、チエノ微細部、フラノ微細部、ベンゾチオフェノ微細部、ベンゾフラノ微細部、インドロ微細部、カルバゾロ微細部、キノリノ微細部、テトラヒドロナフト微細部またはテトラヒドロキノリノ微細部）を形成できる。この場合、これら微細部は、依然として、非常に様々な方法（例えば、フッ素または塩素などのハロゲン、および、アルキオキシ、アリルオキシ、ジアルキルアミノまたはジアリルアミノ配列などの他のヘテロ原子含有配列）によって置換されていてもよい。

配列Ａは、１，３，２−ジオクサボリン−残基の間の結合、または、好ましくは１０個以下の原子を有する架橋である。この場合、架橋は、炭素原子またはヘテロ原子（例えばＯ，Ｎ，ＳまたはＰ）を含んでいてもよく、炭素原子は、一部または全てが、ヘテロ原子によって置換されていてもよい。場合によっては、架橋は、複数の架橋原子または不飽和架橋原子のみを備えていてもよい。架橋は、Ｑと同じく、例えば、架橋の全ての架橋原子が不飽和であることによって、仲介された分子微細部の１，３，２−ジオクサボリン−残基の間の変化を示していることが好ましい。

配列Ｑは、例えば、窒素原子または燐原子、トリアルキレン基またはトリアリレン基、および、トリヘテロアリレンアミノ基または燐基のいずれかである３価残基を意味している。Ｑの前の架橋は、１，３，２−ジオクサボリン残基の間の共役部（Konjugation）を仲介する分子微細部であることが好ましい。

化学式Ｌ，ＬＩまたはＬＩＩの化合物、特に化学式の型３０〜３３の化合物中の残基Ｘが、２数配位子である場合、これは、有機ジカルボン酸（特にオキサル酸またはマロン酸、ベルンシュタイン酸（Bernsteinsaeure）およびグルタル酸など）の残基であることが好ましい。この場合、これらジカルボン酸は、最初に述べた（erstgenannten）そのアルキレン配列の化合物以外、依然として、アルキル配列またはアリール配列によって、芳香族ジカルボン酸（フタル酸およびその好ましくはハロゲンによって置換された環状の誘導体など）、有機ヒドロキシ酸（サリシル酸およびその環状置換された誘導体など）、１−ヒドロキシ−ナフタリン−２−炭素酸、２−ヒドロキシ−ナフタリン−１−炭素酸、マンデル酸（Mandelsaeure）、ワイン酸（Weinsaeure）、ベンジル酸およびそのフェニル残基において置換された誘導体の残基、カテコール（Brenzkatechin）およびその環において置換またはベンゾ残基によって縮合された誘導体、および、３，４−ジオキシチオフェンから派生する１，２−ジオキサレン（Dioxyaren）残基またはジオキシヘタレン（Dioxyhetaren）残基、環式オキソジカルボン酸（方形酸（Quadratsaeure）、クロコン酸（Krokonsaeure）など）の残基に置換されていてもよい。

配列ＡおよびＱの目的は、配列ＡおよびＱを結合する個々の１，３，２−ジオクサボリン−残基の間に共役部を生成することである。この配列ＡおよびＱは、多種多様な構造でもよく、２価または３価原子配列（酸素、硫黄または窒素または複数の相互共役結合した２価または３価のアリール配列、ヘテロアリール配列、ポリエニル配列（Polyenyl-Gruppierung（en）またはポリメチニル配列（Polymethinyl-Gruppierung（en）など）であることが好ましい。この場合、各配列は、さらに他の置換基を備えていてもよい。さらに他の置換基としては、特に、１〜１０個の炭素原子を含むアルキル基を挙げることができる。これら炭素原子は、フッ素または塩素によってさらに置換されていてもよく、特に、過ハロゲン化または過フッ素化されていてもよい。また、上記配列は置換されていないアリール配列またはヘテロアリール配列、または、フッ素または塩素および電子誘引置換基によって補正されていることが好ましいアリール配列またはヘテロアリール配列でもよい。ただし、フッ素または塩素および電子誘引置換基によって補正されていることが好ましいアリール配列またはヘテロアリール配列では、ヘテロ原子が、酸素、硫黄または窒素であることが好ましく、１つ１つでも相互に組み合わせとしても生じる可能性があるが、シクロアルキレン配列またはそのヘテロ環式類似物（heterocyclischen Analoga）のように適切な架橋配列となるように形成されていてもよい。

ＡまたはＱが、アリール配列を表している場合、Ａの場合のアリール配列は、配列３４〜３６のうちの１つ以上であり、Ｑの場合は、配列３７〜３９のうちの１つ、または、場合によっては複数でもあることが好ましい。この場合、上記配列は、一般的な置換基によって置換されていてもよく、一般的な置換基は、陰性の固着原子を備えていることが好ましい。また、型３６の微細部では、残基Ｒ^５，Ｒ^６が、同じであっても、あるいは、異なっていてもよく、水素、アルキルまたはフッ素および塩素、しかし、好ましくは、共通して、１〜１０個のＣ原子を有するｎアルキル基、イソアルキル基またはシクロアルキル基によって置換された１つの炭素原子でもよい。この場合、化合物３５または化合物３９では、ｎが、１〜４のうちの１つの偶数であることが好ましい。Ｗは、３価基（trivalente Gruppe）または３価原子（特にＮまたはＰまたは基４２など）でもよいが、これに制限されない。

ＡまたはＱが、ヘタリール基（Hetarylgruppe）を表している場合、Ａの場合のヘタリール基は、一般的な化学式４０または４１の配列であることが好ましい。この場合、場合によっては、基Ａでは、化学式４０，４１に基づく導入（Einleiten）も共に生じる可能性がある。また、Ｑの場合は、一般的な化学式４２の配列であることが好ましい。これら配列では、残基Ｒ^７およびＲ^８は、アルキル−、アリル−またはヘテロアリル−、および、ハロゲンまたはアルコキシ，アリロキシ，ジアルキルアミノまたはジアリルアミノなどの任意の置換基である。配列Ｚ^１〜Ｚ^６は、好ましくは酸素、窒素、非置換窒素または置換窒素、または、燐などの２価ヘテロ原子である。ｎは、好ましくは１〜４のうちの１つの偶数、または、６、特に１，２または３でもよい。

本発明の型３０〜３３の化合物には、オキシビフェニレン単位またはチオフェニレン単位およびアミノトリフェニレン単位などの場合のように、相互結合としても上記の架橋配列を見出せるものも含まれる。しかしこの場合、各１，３，２−ジオクサボリン組織（Dioxaborinsystem）との結合は、ヘテロ原子に対する各任意の配置によって、しかし、好ましくは、１，４−結合によって可能である。本発明の化合物には、上記の架橋配列ＡおよびＱに加えて、さらに、１，３，２−ジオクサボリン組織に固着している残基の１つも各架橋配列に取り入れるものも含まれる。その結果、一般的な化学式４３〜４６の化合物が生じる。これらの化合物では、配列ＸおよびＲ^１〜Ｒ^３が、上記のような価（Bedeutung）、Ｒ^４は、残基Ｒ^１〜Ｒ^３の１つに対応する価を有している。

符号Ｋは、２つの側面を持つ１，３，２−ジオクサボリン含有分子構造を結合、好ましくは共役相互結合（konjugativ miteinander verknuepft）する配列を表している。このことは、例えば、２つの側面を有する配列の直接融合、または、アリール微細部またはヘタリール微細部を組み込むこと（Einbau）により可能である。

以下の化合物は、本発明で使用できる１，３，２−ジオクサボリンの例を示す：

化合物３１ｆ〜３１ｉは、化学式型Ｌの化合物（ただしｍ＝０）を示している。化合物３０ｇ，３１ａ〜３１ｅ，３１ｊは、化学式型Ｌの化合物（ただしｍ＝１）を示している。ただし、化合物３１ｂの場合、Ａは−Ｃ（＝ＣＲ１Ｒ２）−に等しく、ｍは１に等しい。また、化合物３１ｄ，３１ｊの場合、Ａは−ＣＲ１＝ＣＲ２−に等しく、ｍは１に等しい。

化合物３２ａ，３２ｂは、一般式ＬＩの化合物を示している。

化合物３１ｋ〜３１ｎ，３１ｏ，３１ｐは、一般式ＬＩＩの化合物を示している。

〔１，３，２−ジオクサボリンの製造方法〕
＜１，４−ビス−（２，２−ジフルオロ−４−メチル−１，３，２−ジオクサボリニル）−ベンゾール＞

無水酢酸（５０ｍＬ）中の１，４−ジアセチルベンゾール（０．０１モル）の溶液に、室温で、撹拌しながら、フッ化ホウ素エーテル化合物（１０ｍＬ）を滴下する。１日置いて、沈殿した固体を濾過し、エーテルによって洗浄する。融点２９３〜２９８℃。

＜５，７−ビスメトキシ−２，２−ジフルオロ−４−メチル−８−（２，２−ジフルオロ−４−メチル−１，３，２−ジオキサボリニル）−ベンゾ［ｄ］１，３，２−ジオクサボリン＞

無水酢酸（０．９モル）中の１，３，５−トリメトキシ−ベンゾール（０．１モル）の溶液に、室温で、撹拌しながら、フッ化ホウ素／酢酸（０．３モル）を滴下する。１日置いて、沈殿した固体を濾過し、エーテルによって洗浄し、トルエン／ニトロメタンから再結晶させる。融点２１７〜２１９℃。

＜２，２，７，７−テトラフルオロ（Tetrafuor）−２，７−ジヒドロ−１，３，６，８−ドクサ−２，７−ジボラ−ピレン（pyren）＞

１ｇの５，８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノンと、１．５ｍｌのＢＦ_３−エーテル化合物とを、乾燥したトルエン中で２時間、湯浴（Wasserbad）を用いて、撹拌しながら加熱する。室温にまで冷却した後、赤茶色の結晶沈殿物（kristalliner Niederschlag）が析出する。この沈殿物は、乾燥した氷酢酸から再結晶させることができる。融点１６３〜１６５℃。

＜２，２，７，７−テトラフルオロ−２，７−ジヒドロ−１，３，６，８−ドクサ−２，７−ジボラ−ベンゾ［ｅ］ピレン＞

１０ｇのキニザリン（Chinizarin）と、１０ｍｌのＢＦ_３−エーテル化合物とを、乾燥したトルエン中で２時間、湯浴を用いて、撹拌しながら加熱する。室温にまで冷却した後、赤茶色の結晶沈殿物が析出する。この沈殿物は、乾燥した氷酢酸から再結晶させることができる。融点２４９〜２５１℃。

＜２，２，８，８−テトラフルオロ−２，８−ジヒドロ−１，３，７，９−テトラオクサ−２，８−ジボラ−ペリレン＞

１０ｇの１，５−ジヒドロキシ−９．１０−アントラキノンと、１０ｍｌのＢＦ_３−エーテル化合物とを、乾燥したトルエン中で２時間、湯浴を用いて、撹拌しながら加熱する。室温にまで冷却した後、赤色の結晶沈殿物が析出する。この沈殿物は、乾燥した氷酢酸から再結晶させることができる。融点＞３５０℃。

＜トリ−［４−（２，２−ジフルオロ−４−メチル−１，３，２−ジオクサボリニル）−フェニル］−アミン＞

無水酢酸（０．９モル）中のトリフェニルアミン（０．１モル）の溶液に、室温で、撹拌しながら、フッ化ホウ素／酢酸（０．３モル）を滴下する。１日置いて、沈殿した固体を濾過し、エーテルによって洗浄し、氷酢酸／ニトロメタンから再結晶させる（umkristallisiert）。融点３０５〜３０７℃。

＜１，３，５−トリ−（２，２−ジフルオロ−４−メチル−１，３，２−ジオクサボリニル）−ベンゾール＞

無水酢酸（０．６モル）とフッ化ホウ素／氷酢酸（０．２モル）とを含む混合物に、撹拌しながら４５℃で、１，３，５−トリアセテルベンゾール（０．０５モル）をゆっくりと滴下する。その結果生じる混合物を、さらに８時間撹拌し、次に、冷却する。ジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加えた後、沈殿物を濾過し、氷酢酸によって洗浄し、ニトロメタンから再結晶させる、融点＞３６０℃。

＜７，９−ジメチル−１，４，６，１０−テトラオクサ−５−ボラ−スピロ［４．５］デカ−７，９−ジエン−２，３−ジオン＞

アセチルアセトン（０．１モル）、オキザルル酸（０．１モル）およびホウ酸（０．１モル）を、トルエン（２００ｍＬ）中で、溶液が透明になり、水が分離しなくなるまで加熱する。冷却後、沈殿した生成物を濾過し、シクロヘキサンによって洗浄する。融点１８７〜１８９℃。

＜８−アセチル−７，９−ジメチル−１，４，６，１０−テトラオクサ−５−ボラ−スピロ［４．５］デカ−７，９−ジエン−２，３−ジオン＞

トリアセチルメタン（０．１モル）とフッ化ホウ素−エーテル化合物（０．１５モル）とを、エーテル（２００ｍＬ）中で２０時間、室温で撹拌する。続いて、沈殿物を濾過し、シクロヘキサンによって洗浄する。融点＞２５０℃。

＜２，３−ベンゾ−７，９−ビス−（４−クロロフェニル）−１，４，６，１０−テトラオクサ−５−ボラ−スピロ［４．５］デカ−７，９−ジエン＞

カテコール（０．１モル）、ビス−（４−クロロベンゾイル）−メタン（０．１モル）およびホウ酸（０．１モル）を、トルエン（２５０ｍＬ）中で、溶液が透明になり、水が分離しなくなるまで加熱する。冷却後、沈殿物を濾過し、シクロヘキサンによって洗浄する。融点３１２〜３１５℃。

〔マトリックス物質〕
本発明では、通常はＯＬＥＤまたは有機太陽電池に使用されるホール輸送物質ＨＴなどの有機半導体物質に適切なドーパントに付いて説明する。半導体物質は、本質的にホール誘導性であることが好ましい。本発明のキノン型およびジオクサボリン型のドーパントのために、以下のことが該当することがある。

マトリックス物質は、一部（１０または２５重量％を上回る部分）が、または、大部分（５０重量％または７５重量％を上回る部分）が、メタルフタロシアニン錯体含んでいても、あるいは、完全にメタルフタロシアニン錯体から構成されてもよい。この場合、オリゴマーは、好ましくは２〜５００またはこれより多い、好ましくは２〜１００または２〜５０または２〜１０のモノマー単位を含んでいる。場合によっては、オリゴマーは、＞４、＞６または＞１０またはそれ以上のモノマー単位を含んでいてもよい。特に、上記の範囲の場合も、つまり、例えば４または６〜１０個のモノマー単位、６または１０〜１００個のモノマー単位または１０〜５００個のモノマー単位が含まれていてもよい。モノマーおよびオリゴマーは、置換されていても、置換されていなくてもよい。この場合、ブロックポリマーまたは混合ポリマーも、上記のオリゴマー、トリアリルアミン単位との化合物、または、スピロ−ビフルオレン（Bifluoren）化合物から取り出すことができる。上記のマトリックス物質は、相互に結合して存在していることもあり、場合によっては、他のマトリックス物質と結合していることもある。マトリックス物質は、アルキル残基またはアルコキシ残基などの、電子を移動させる（elektronenschiebende）置換基を含んでいてもよい。アルキル残基またはアルコキシ残基は、低いイオン化エネルギーを有しているか、あるいは、マトリックス物質のイオン化エネルギーを低減する。

マトリックス物質として使用される金属フタロシアニン錯体またはポルフィリン錯体は、主要基金属原子（Hauptgruppenmetallatom）または従属基金属原子（Nebengruppenmetallatom）を含んでいてもよい。金属原子Ｍｅは、例えば、オクソ錯体（Ｍｅ＝Ｏ）、ジオクソ錯体（Ｏ＝Ｍｅ＝Ｏ）、イミン錯体、ジイミン錯体、ヒドロクソ錯体、ジヒドロクソ錯体、アミノ錯体またはジアミノ錯体（だたし、これらに制限しない）の形態で、それぞれ４、５または６重に配位されていてもよい。フタロシアニン錯体またはポルフィリン錯体は、一部が水素と化合していてもよい。しかし、この場合、メソメリー環組織を破壊しないことが好ましい。フタロシアニン錯体は、中央原子（Zentralatom）として（例えば、マグネシウム、亜鉛、鉄、ニッケル、コバルト、マグネシウム、銅、または、バナジル（＝VO）を含んでいてもよい。ポルフィリン錯体の場合、同じまたは他の金属原子またはオクソメタル原子が存在していることがある。

特に、このようなドープ可能なホール輸送物質ＨＴは、Ｎ，Ｎ’−過アリール化されたベンジジン、または、型ＴＰＤ（アリール基の１つ、複数、または、全てのが、芳香族ヘテロ原子を含んでいてもよい）などの他のジアミンなどのアリール化ベンジジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−過アリール化されたスターバースト化合物や、化合物ＴＤＡＴＡ（この場合、アリール基の１つ、複数または全ては、芳香族ヘテロ原子を含んでいてもよい）などの適切なアリール化されたスターバースト化合物でもよい。アリール残基は、特に、上記の化合物のそれぞれのために、フェニル、ナフチル、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ペリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピラゾール、イミダゾール、オクサゾール、フラン、ピロル、インドールなどを含んでいてもよい。各化合物のフェニル基は、チオフェン基によって一部または全体が置き換えられていてもよい。

使用するマトリックス物質は、全体が、１つの金属フタロシアニン錯体、トリアリルアミン単位を有するポルフィリン錯体、または、スピロ−ビフルオレン−化合物から構成されていることが好ましい。

他の適切な有機マトリックス物質、特に、半導体特性とホール伝導度とを有する物質も使用できる
〔ドーピング〕
ドーピングを、特に、以下のように行える。ドーパントに対するマトリックス分子、または、場合によってはオリゴマーマトリックス物質のモル比率は、マトリックスモノマー対ドーパント１：１０００００、好ましくは１：１〜１：１００００、特に好ましくは１：５〜１：１０００、例えば、１：１０〜１：１００、例えば、約１：５０〜１：１００または１：２５〜１：５０でもある。

〔ドーパントの気化〕
各マトリックス物質（ここでは、好ましくはホール伝導度マトリックス物質ＨＴとして示す）を、以下の方法の１つ、または、組み合わせて使用することにより、本発明で使用されるドーパントによってドーピングできる。
ａ）ＨＴ用の源（Quelle）とドーパント用の源とを用いて真空中で混合気化する
ｂ）ＨＴとドーパントとを連続的に蓄積（Deponieren）し、続いて、ドーパントを熱処理によって入力拡散させる
ｃ）ドーパントの溶液によってＨＴ層をドーピングし、続いて、溶媒を熱処理により気化する
ｄ）ドーパントの表面に形成された層を通してＨＴ層の表面をドーピングする
ドーパントを前駆体化合物から気化することによりドーピングを行う。この前駆体化合物は、過熱および／または照射の際に、ドーパントを放出（freisetzen）する。照射は、電磁線、特に、可視光、ＵＶ光または、ＩＲ光（例えば、それぞれ、レーザー光、または、他の照射方法）によって行える。照射時に、基本的に気化に必要な熱が提供される。気化する化合物または前駆体または化合物錯体（充電−転送−錯体など）の特定の帯域に、目的を絞って照射してもよい。これは、例えば、励起状態に変化させることによって、錯体の分裂による化合物の気化を簡単にするためである。以下に記載の気化条件は、照射しない気化条件を対象としており、比較のために、同じ気化条件を使用できる。

前駆体化合物として、例えば、以下のものを使用できる：
ａ）混合化合物、または、化学量論的な化合物、または、混合結晶の化合物。なお、上記化合物は、ドーパントと、不活性揮発性物質（例えば、ポリマー、モルジーブ（Molsieb）、酸化アルミニウム、シリカゲル、オリゴマーまたは気化温度の高い他の有機または無機物質）とを含むものである。この場合、ドーパントは、大抵の場合、分子間力（van-der-Waals Kraefte）および／または水素架橋結合によって、この物質と結合している。
ｂ）混合化合物、または、化学量論的な化合物、または、混合結晶の化合物。なお、上記化合物は、ドーパントと、ある程度電子供与型であり不揮発性の化合物Ｖとを含むものである。この場合、かなり多くの電子を含む（elektronenreichen）ポリ芳香族化合物、または、ヘテロ芳香族化合物、または、気化温度の高い他の有機または無機物質を有する電荷移動錯体中でのように、ドーパントと化合物Ｖとの間にほぼ完全な電荷輸送が生じる。
ｃ）混合化合物、または、化学量論的な化合物、または、混合結晶の化合物。なお、上記化合物は、ドーパントと、ドーパントと共に気化され、ドープされる物質ＨＴと同じまたはより高いイオン化エネルギーを有する物質とを含むものである。従って、有機マトリックス物質中の物質は、ホール用の固着場所を形成しない。この場合、物質は、本発明では、マトリックス物質（例えば、金属フタロシアニンまたはベンジジン誘導体）と同じ物でもよい。他の適切な揮発性の共同物質（Co-Substanzen）（ハイドロキノン、１，４−フェニレンジアミンまたは１−アミノ−４−ヒドロキシベンゼン（Hydroxybenze）またはそのほかの化合物は、キンヒドロンまたは他の電荷移動錯体を形成する。

〔電子素子〕
本発明の有機化合物は、特に層または導電経路の形状に構成することができ、この有機化合物を、ドープされた有機半導体物質を生成するために使用することにより、多数の電子素子または電子素子を含む装置を製造できる。特に、本発明のドーパントを、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池、特に１０^３〜１０^７、好ましくは１０^４〜１０^７または１０^５〜１０^７の高い整流値比率（Gleichrichtungsverhaeltnis）を有する有機ダイオード、または、有機電界効果トランジスタを製造するために使用できる。本発明のドーパントによって、ドープされた層の伝導度を改善し、および／または接触部からドープされた層への電荷担体注入を改善できる。特に、ＯＬＥＤの場合、素子は、ピン構造または逆転構造でもよいが、これに制限されない。しかし、本発明のドーパントの使用は、上記の有利な実施例に制限されていない。

〔実施例〕
本発明を、実施例を参考にしながら詳しく説明する。

さて、本発明で使用される化合物、特に、キノンまたは１，３，２−ジオクサボリンの上記に記載の物質類（Stoffklasse）を含む上記に例を挙げた化合物は、様々なホール誘導体（Lochleiter）のためのドーパントとして、以下のように使用される。ホール誘導体は、特定の超小型電子的または光電子的な素子（例えば、ＯＬＥＤ）を製造するために使用されるものである。この場合、ドーパントを、マトリックスのホール輸送物質と同時に連続的に高真空（約２×１０^−４Ｐａ）中で、高温気化できる。マトリックス物質の一般的な基板蒸着速度（Substratbedampfungsrate）は、０．２ｎｍ／秒（密度約１．５ｇ／ｃｍ^３）である。密度を同じとすると、それぞれ所望のドーピング比率に応じて、ドーパントの蒸着速度を０．００１〜０．５ｎｍ／秒の間で変化させることができる。以下に、気化温度を、基板蒸着装置と関連して記載する。この場合、Ｆ４ＴＣＮＱの気化温度は、本発明で使用されるドーパントと同じ条件下では、８０℃である。これは、同じ予め規定されている時間単位（例えば、５秒）で、同じ層厚（例えば、１ｎｍ）で基板上に析出するためである。

以下の例では、ドープされたＨＴ物質を含む長さ１ｍｍ、幅０．５ｍｍの電流経路を介して、１Ｖのときの電流測定を行う。この条件下では、事実上、ＺｎＰｃが電流を伝導していない。

〔実施例３〕
＜Ｎ，Ｎ’−ジシアン−２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−キノンジイミン（Ｆ４ＤＣＮＱＩ）によるＺｎＰｃのドーピング＞
気化温度Ｔ（ｅｖａｐ．）は、８５℃である。２つの成分（Komponent）、すなわち、マトリックスとドーパントとを、５０：１の比率で、真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、２．４×１０^−２Ｓ／ｃｍである。このときの層厚と電流の関係を図１および以下の表４３に示す。

〔実施例４〕
＜Ｎ，Ｎ’−ジシアン−２，５−ジクロロ−１，４−キノンジイミン（Ｃ１２ＤＣＮＱＩ）によるＺｎＰｃのドーピング＞
気化温度Ｔ（ｅｖａｐ．）は、１１４℃である。蒸着した層における２つの化合物の比率は、５０（マトリックス）：１である層の伝導度は、１．０×１０^−２Ｓ／ｃｍである。このときの層厚と電流の関係を図２および以下の表４４に示す。

〔実施例５〕
＜Ｎ，Ｎ’−ジシアン−２，５−ジクロロ−３，６−ジフルオロ−１，４−キノンジイミン（Ｃ１２Ｆ２ＤＣＮＱＩ）によるＺｎＰｃのドーピング＞
気化温度Ｔ（ｅｖａｐ．）は、１１８℃である。層を、１：２５（ドーパント：マトリックス）の比率で、真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、４．９×１０^−４Ｓ／ｃｍである。このときの層厚と電流の関係を図３および以下の表４５に示す。

〔実施例６〕
＜Ｎ，Ｎ’−ジシアン−２，３，５，６，７，８−ヘクサフルオロ−１，４−ナフトキノンジイミン（Ｆ６ＤＣＮＮＱＩ）によるＺｎＰｃのドーピング＞
気化温度Ｔ（ｅｖａｐ．）は、１２２℃である。ドーパントとマトリックスとを、１：２５の比率で、担体上に真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、２×１０^−３Ｓ／ｃｍに達する。このときの層厚と電流の関係を図４および以下の表４６に示す。

〔実施例７〕
＜１，４，５，８−テトラヒドロ−１，４，５，８−テトラチア−２，３，６，７−テトラチアノアントラキノン（ＣＮ４ＴＴＡＱ）によるＺｎＰｃのドーピング＞
気化温度Ｔ（ｅｖａｐ．）は、１７０℃である。層を、比率１：２５（ドーパント：マトリックス）で真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、４．５×１０^−４Ｓ／ｃｍである。このときの層厚と電流の関係を図５および以下の表４７に示す。

〔実施例８〕
＜２，２，７，７、−テトラフルオロ−２，７−ジヒドロ−１，３，６，８−ドクサ−２，７−ジボラ−ペンタクロロ−ベンゾ［ｅ］ピレンによるＺｎＰｃのドーピング＞
気化温度Ｔ（ｅｖａｐ．）は、１４０℃である。層を、比率１：２５（ドーパント：マトリックス）で真空中で蒸着する。この場合、伝導度は、２．８×１０^−５Ｓ／ｃｍである。このときの層厚と電流の関係を図６および以下の表４８に示す。

本発明にかかる有機ドーパントとしての有機メソメリー（mesomere)化合物の使用により、多数の電子素子または電子素子を含む装置を製造できる。特に、本発明のドーパントを、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池、特に１０^３〜１０^７、好ましくは１０^４〜１０^７または１０^５〜１０^７の高い整流値比率（Gleichrichtungsverhaeltnis）を有する有機ダイオード、または、有機電界効果トランジスタを製造するために使用できる。

Claims (17)

1. 有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるための、有機ドーパントとしての有機メソメリー（mesomere）化合物の使用であって、
   上記有機メソメリー化合物は、メソメリーキノイド化合物、または、メソメリー１，３，２−ジオクサボリン化合物であり、
   （ａ）上記メソメリーキノイド化合物は、一般式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、ＶＩＩ、ＶＩＩＩ、ＩＸ、Ｘ、ＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶ、ＸＶＩ、ＸＶＩＩ、ＸＶＩＩＩ、ＸＩＸ、ＸＸ、ＸＸＩ、ＸＩＩ、ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶ、ＸＶＩ、ＸＶＩＩ、ＸＶＩＩＩ、ＸＩＸ、ＸＸ、ＸＸＩ、ＸＸＩＩ、ＸＸＩＩＩ、ＸＸＩＶ、ＸＸＶ、ＸＸＶＩ、ＸＸＶＩＩ、ＸＸＶＩＩＩ、ＸＸＩＸ、ＸＸＸ、ＸＸＸＩ、ＸＸＸＩＩ、ＸＸＸＩＩＩ、ＸＸＸＩＶ、ＸＸＸＶ、ＸＸＸＶＩ、ＸＸＸＶＩＩ、ＸＸＸＶＩＩＩ、ＸＸＸＩＸ、ＸＸＸＸ、または、ＸＸＸＸＩ
   

   

   

   （ただし、一般式ＩＶ中、ｍ＝１、２、３または４であり、一般式ＶまたはＶＩ中、ｍ＝０、１、２、３または４である）
   で表され、
   キノイド環または芳香族環は、置換されているか、置換されていないか（Ｒ＝Ｈ）、または、少なくとも１つの芳香族環と縮環しており、
   ＝Ｔ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｗ，＝Ｘ，＝Ｙまたは＝Ｚは、２重結合で結合する原子、または、メソメリー効果（mesomer）および／または誘起的吸引性を有する残基を持つ原子団（Atomgruppen）であり、
   Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、ＨおよびＫは、同じであるか、または異なり、
   ＝Ｎ−，＝Ｐ−または＝ＣＲ−から選択され、
   Ｒは、水素原子、または、残基であり、
   ＺＢは、直接結合しているか、２結合原子、または、２結合多原子架橋であり、
   （ｂ）上記メソメリー１，３，２−ジオクサボリン化合物は、一般式Ｌ
   

   

   で表され、
   Ａは、２価残基であり、該２価残基は、１つ以上の炭素原子を含み、
   該炭素原子は、一部または全てがヘテロ原子により置換され、
   ｍは０または０以上の整数であり、
   Ｘは、１座配位子であり、２つの配位子Ｘは、２座配位子を形成することができ、
   または、
   上記メソメリー１，３，２−ジオクサボリン化合物は、一般式ＬＩ
   

   

   で表され、
   Ｑは、３価残基であり、Ｘは、１座配位子であり、２つの配位子Ｘは、２座配位子を形成することができ、
   または、
   上記メソメリー１，３，２−ジオクサボリン化合物は、一般式ＬＩＩ
   

   

   で表され、Ｘは、１座配位子であり、２つの配位子Ｘは、２座配位子を形成することができ、Ｒ４、Ｒ５は、１，３，２−ジオクサボリン環を含む有機残基であり、
   上記有機メソメリー化合物の揮発性が、同一の気化条件下で、テトラフルオロテトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）よりも低いことを特徴とする、使用。
2. 上記符号が、
   −Ｍ−は、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＮＲ−または−Ｃ（＝Ｚ）−であり、
   ＝Ｔ，＝Ｕ，＝Ｖ，＝Ｗ，＝Ｘ，＝Ｙまたは＝Ｚは、同じであるか、または、異なっており、一般式Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ１８、Ｓ１９、Ｓ２０、およびＳ２１
   

   

   からなる群より選択されており、
   置換基ＡＡは、一般式Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８、Ｔ９、Ｔ１０、Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｔ１５、およびＴ１６
   

   

   からなる群より選択されており、ＡＡは、上記化合物の他の残基Ｒと多員環を形成することができ、
   一般式ＶＩＩＩ、ＩＸ、またはＸにおけるＺＢは、直接結合しているか、または、１原子基、若しくは飽和または不飽和の多原子基であることを特徴とする、請求項１に記載の化合物の使用。
3. 置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，ＹおよびＺは、同じであるか、あるいは、異なっており、一般式Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１４、Ｓ１５、およびＳ１６
   

   

   からなる群より選択されており、
   Ｒは、有機残基、または、水素であることを特徴とする、請求項２に記載の化合物の使用。
4. 上記置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，ＹおよびＺは、同じであるか、または、異なっており、一般式Ｓ１、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、およびＳ１６
   

   

   からなる群より選択されており、
   Ｒは、有機残基、または、水素であることを特徴とする、請求項２に記載の化合物の使用。
5. 上記置換基Ｔ，Ｕ，Ｖ，Ｗ，Ｘ，ＹおよびＺは、同じであるか、あるいは、異なっており、一般式Ｓ３、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１５、およびＳ１６
   

   

   からなる群より選択されており、
   Ｒは、有機残基、または、水素であり、基Ｓ８のＲ１３は、有機残基、水素または−ＣＦ_３であることを特徴とする、請求項２に記載の化合物の使用。
6. 上記化合物は、キノン、または、少なくとも２つの縮環していないキノイド構造を含むキノン誘導体であって、上記キノイド構造は、直接、または、架橋−ＺＢ−を介して、１〜１０個の架橋原子団と相互に結合しており、上記架橋原子団は、炭素原子、ヘテロ原子、または、炭素原子およびヘテロ原子であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物の使用。
7. 上記化合物は、それぞれ５または６個の炭素原子を有する２、３、４、５または６のキノイド環構造を含み、上記炭素原子は、少なくとも一部が、ヘテロ原子により置換されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物の使用。
8. 少なくとも２つ、それ以上、または、全ての上記キノイド環構造が、メソメリー（mesomere）結合しながらより大きなキノイド構造に縮環しているか、あるいは、不飽和架橋によって相互にメソメリー結合していることを特徴とする、請求項７に記載の化合物の使用。
9. Ａは、一般式
   

   

   、−（Ｃ（Ｒ１）＝Ｃ（Ｒ２）−）ｎ（ただし、ｎは１，２，３，４，５または６に等しい）、および−ＮＲ１−からなる群より選択されており、
   Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３は、２価原子（団）または３価原子（団）であり、残基Ｒ１，Ｒ２の１つまたは両方は、隣接する１，３，２−ジオクサボリン環の１つまたは両方と１つの環を形成することを特徴とする、請求項１に記載の化合物の使用。
10. Ｑは、一般式
    

    

    、窒素、Ｎ（アリール）_３（アリールは、ヘテロアリールを含む）、燐およびＰ（アリール）_３（アリールはヘテロアリールを含む）からなる群より選択され、
    Ｚ４、Ｚ５およびＺ６は、３価原子（団）であり、Ｗは、３価原子または３価原子団であり、ｎは０、１、２、３または４に等しいことを特徴とする、請求項１に記載の化合物の使用。
11. 上記化合物は、１、２、３、４、５または６のアリール残基を含み、それぞれのアリール残基は、相互に、上記化合物の１つ以上のキノイド構造と縮環していることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の化合物の使用。
12. 上記マトリックス物質は、ホール伝導性であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化合物の使用。
13. 上記マトリックス物質は、部分的に、または、全部が、金属フタロシアニン錯体、ポルフィリン錯体、および／または、スピロ−ビフルオレン化合物からなることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の化合物の使用。
14. 有機半導体マトリックス物質と有機ドーパントとを含む有機半導体物質であって、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の化合物の使用によって得られることを特徴とする、有機半導体物質。
15. 有機ドーパント有機半導体マトリックス物質のモルドーピング比率が、１：１〜１：１０，０００であることを特徴とする、請求項１４に記載の有機半導体物質。
16. 請求項１４または１５に記載の有機半導体物質を含む電子素子。
17. 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池、有機ダイオード、または有機電界効果トランジスタである請求項１６に記載の電子素子。

Images