JP2010014748A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】ユニット数を増やさずにスジ状の模様が発生するのを防止することの可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】ドレイン線ＤＳＬ１〜ＤＳＬ５が複数の画素行を一つのユニットとして、ユニット（Ｕ１〜５）ごとに一つずつ設けられている。ユニットＵ５に含まれる画素行の数が、ユニットＵ１〜Ｕ５のうちユニットＵ５以外の各ユニット（ユニットＵ１〜４）に含まれる画素行の数よりも多くなっている。ユニットＵ５には、ユニットＵ５の最初の画素行から最後の画素行に向かうにつれて輝度が変化（低下）しているのを視認できない程度（輝度差がおおむね１０％以下）の数だけ画素行が含まれている。ユニットＵ１〜４には、各ユニットにおいて、最初の画素行の輝度と最後の画素行の輝度との差がおおむね１％以下となるような数だけ画素行が含まれている。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光素子および画素回路を画素ごとに有する表示部と、画素回路を駆動する駆動部とを備えた表示装置および電子機器に関する。

近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ(electro luminescence)素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている。

有機ＥＬ素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、光源（バックライト）が必要ないので、光源を必要とする液晶表示装置と比べて画像の視認性が高く、消費電力が低く、かつ素子の応答速度が速い。

有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は、構造が単純であるものの、大型かつ高精細の表示装置の実現が難しいなどの問題がある。そのため、現在では、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、画素ごとに配した発光素子に流れる電流を、発光素子ごとに設けた駆動回路内に設けた能動素子（一般にはＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)）によって制御するものである。

ところで、一般的に、有機ＥＬ素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、時間の経過に従って劣化（経時劣化）する。有機ＥＬ素子を電流駆動する画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時変化すると、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子に直列に接続された駆動トランジスタとの分圧比が変化するので、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_ｇｓも変化する。その結果、駆動トランジスタに流れる電流値が変化するので、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化し、その電流値に応じて発光輝度も変化する。

また、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈや移動度μが経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによって閾値電圧Ｖ_ｔｈや移動度μが画素回路ごとに異なったりする場合がある。駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈや移動度μが画素回路ごとに異なる場合には、駆動トランジスタに流れる電流値が画素回路ごとにばらつくので、駆動トランジスタのゲートに同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度がばらつき、画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。

そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時変化したり、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の変動に対する補償機能および駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_ｔｈや移動度μの変動に対する補正機能を組み込んだ表示装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。

図１２は、特許文献１に記載の表示装置の概略構成を表したものである。図１２に記載の表示装置１００は、複数の画素１１１がマトリクス状に配置された表示部１１０と、各画素１１１を駆動する駆動部（水平駆動回路１２０、書き込み走査回路１３０および電源走査回路１４０）とを備えている。

各画素１１１は、赤色用の画素１１１Ｒ、緑色用の画素１１１Ｇおよび青色用の画素１１１Ｂからなる。各画素１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂは、図１３に示したように、有機ＥＬ素子１１２（有機ＥＬ素子１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂ）およびそれに接続された画素回路１１３により構成されている。画素回路１１３は、サンプリング用のトランジスタＴ_ＷＳ、保持容量Ｃ_ｓ、駆動用のトランジスタＴ_Ｄｒによって構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。書き込み走査回路１３０から引き出されたゲート線ＷＳＬが行方向に延在して形成されており、トランジスタＴ_ＷＳのゲートに接続されている。電源走査回路１４０から引き出されたドレイン線ＤＳＬも行方向に延在して形成されており、トランジスタＴ_Ｄｒのドレインに接続されている。また、水平駆動回路１２０から引き出された信号線ＤＴＬは列方向に延在して形成されており、トランジスタＴ_ＷＳのドレインに接続されている。トランジスタＴ_ＷＳのソースは駆動用のトランジスタＴ_Ｄｒのゲートと、保持容量Ｃ_ｓの一端に接続されており、トランジスタＴ_Ｄｒのソースと保持容量Ｃ_ｓの他端とが有機ＥＬ素子１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂ（以下、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等と略する。）のアノードに接続されている。有機ＥＬ素子１１２Ｒ等のカソードは、グラウンド線ＧＮＤに接続されている。

図１４は、図１２に記載の表示装置１００における各種波形の一例を表したものである。図１４には、ゲート線ＷＳＬに２種類の電圧（Ｖ_ｏｎ、Ｖ_ｏｆｆ（＜Ｖ_ｏｎ））が、ドレイン線ＤＳＬに２種類の電圧（Ｖ_ｃｃ、Ｖ_ｉｎｉ（＜Ｖ_ｃｃ））が、信号線ＤＴＬに２種類の電圧（Ｖ_ｓｉｇ、Ｖ_ｏｆｓ（＜Ｖ_ｓｉｇ））が印加されている様子が示されている。さらに、図１４には、ゲート線ＷＳＬ、ドレイン線ＤＳＬおよび信号線ＤＴＬへの電圧印加に応じて、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート電圧Ｖ_ｇおよびソース電圧Ｖ_ｓが時々刻々変化している様子が示されている。

（Ｖｔｈ補正準備期間）
まず、Ｖｔｈ補正の準備を行う。具体的には、電源走査回路１４０がドレイン線ＤＳＬの電圧をＶ_ｃｃからＶ_ｉｎｉに下げる（Ｔ_１）。すると、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｉｎｉとなり、有機ＥＬ素子１１２等が消光する。次に、水平駆動回路１２０が信号線ＤＴＬの電圧をＶ_ｓｉｇからＶ_ｏｆｓに切り替えたのち、ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｉｎｉとなっている間に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げる（Ｔ_２）。すると、ゲート電圧Ｖ_ｇがＶ_ｏｆｓに下がる。

（最初のＶｔｈ補正期間）
次に、Ｖ_ｔｈの補正を行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｏｆｓとなっている間に、電源走査回路１４０がドレイン線ＤＳＬの電圧をＶ_ｉｎｉからＶ_ｃｃに上げる（Ｔ_３）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ソース電圧Ｖ_ｓが上昇する。その後、水平駆動回路１２０が信号線ＤＴＬの電圧をＶ_ｏｆｓからＶ_ｓｉｇに切り替える前に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_４）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなり、Ｖ_ｔｈの補正が一旦停止する。

（最初のＶｔｈ補正休止期間）
Ｖｔｈ補正が休止している期間中は、先のＶｔｈ補正を行った行（画素）とは異なる他の行（画素）において、信号線ＤＴＬの電圧のサンプリングが行われる。なお、Ｖｔｈ補正が不十分である場合、すなわち、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート−ソース間の電位差Ｖ_ｇｓがトランジスタＴ_Ｄｒの閾値電圧Ｖ_ｔｈよりも大きい場合には、Ｖｔｈ補正休止期間中にも、先のＶｔｈ補正を行った行（画素）において、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ソース電圧Ｖ_ｓが上昇し、保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによりゲート電圧Ｖ_ｇも上昇する。

（２回目のＶｔｈ補正期間）
Ｖｔｈ補正休止期間が終了した後、Ｖ_ｔｈの補正を再び行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｏｆｓとなっており、Ｖｔｈ補正が可能となっている時に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げ（Ｔ_５）、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートを信号線ＤＴＬに接続する。このとき、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｏｆｓ−Ｖ_ｔｈよりも低い場合（Ｖｔｈ補正がまだ完了していない場合）には、トランジスタＴ_Ｄｒがカットオフするまで（電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈになるまで）、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れる。その結果、保持容量Ｃ_ｓがＶ_ｔｈに充電され、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈとなる。その後、水平駆動回路１２０が信号線ＤＴＬの電圧をＶ_ｏｆｓからＶ_ｓｉｇに切り替える前に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_６）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなるので、電位差Ｖ_ｇｓを信号線ＤＴＬの電圧の大きさに拘わらずＶ_ｔｈのままで維持することができる。このように、電位差Ｖ_ｇｓをＶ_ｔｈに設定することにより、トランジスタＴ_Ｄｒの閾値電圧Ｖ_ｔｈが画素回路１２２ごとにばらついた場合であっても、有機ＥＬ素子１１２等の発光輝度がばらつくのをなくすることができる。

（２回目のＶｔｈ補正休止期間）
その後、Ｖｔｈ補正の休止期間中に、水平駆動回路１２０が信号線ＤＴＬの電圧をＶ_ｏｆｓからＶ_ｓｉｇに切り替える。

（書き込み・μ補正期間）
Ｖｔｈ補正休止期間が終了した後、書き込みとμ補正を行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｓｉｇとなっている間に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げ（Ｔ_７）、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートを信号線ＤＴＬに接続する。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートの電圧がＶ_ｓｉｇとなる。このとき、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等のアノードの電圧はこの段階ではまだ有機ＥＬ素子１１２Ｒ等の閾値電圧Ｖ_ｅｌよりも小さく、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等はカットオフしている。そのため、電流Ｉ_ｄｓは有機ＥＬ素子１１２Ｒ等の素子容量（図示せず）に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧Ｖ_ｓがΔＶだけ上昇し、やがて電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｓｉｇ＋Ｖ_ｔｈ−ΔＶとなる。このようにして、書き込みと同時にμ補正が行われる。ここで、トランジスタＴ_Ｄｒの移動度μが大きい程、ΔＶも大きくなるので、電位差Ｖ_ｇｓを発光前にΔＶだけ小さくすることにより、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。

（発光）
最後に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_８）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなり、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ソース電圧Ｖ_ｓが上昇する。その結果、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等が所望の輝度で発光する。

ところで、水平駆動回路１２０、書き込み走査回路１３０および電源走査回路１４０はいずれも基本的にシフトレジスタ（図示せず）で構成されており、画素１１１の各列または各行に対応して、１段ごとに信号出力部（図示せず）を備えている。そのため、画素１１１の列および行の数が増えると、それに従って信号線ＤＴＬ、ドレイン線ＤＳＬおよびゲート線ＷＳＬの本数が増え、シフトレジスタの出力段数もその分増加するので、表示部１１０の周辺の回路規模の大型化を招いていた。

そこで、シフトレジスタの出力段を共用し、表示部１１０の周辺の回路規模の大型化を低減する方策が従来から行われている。例えば特許文献２では、信号線ＤＴＬを複数の画素１１１で共用化する方式が提案されている。この様にすれば、信号線ＤＴＬを駆動する水平駆動回路１２０内のシフトレジスタの出力段を複数の画素列で共用化でき、その分回路規模の縮小化、回路面積の縮小化、回路コストの低減化が可能になる。

特開２００８−０８３２７２号公報 特開２００６‐２５１３２２

特許文献２には、水平駆動回路１２０内のシフトレジスタの出力段を複数の画素列で共用化することが記載されていたが、書き込み走査回路１３０や電源走査回路１４０においてもシフトレジスタの出力段の共用化を図ることは表示装置のコストパフォーマンスを高める上で重要である。特に、電源走査回路１４０については、電流供給能力の安定化のため、信号出力部のサイズを大きくとる必要があるので、電源走査回路１４０内のシフトレジスタの出力段を複数の画素行で共用化し、信号出力部の数を少なくすることにより、表示装置の低コスト化および小型化を効果的に実現することができる。

図１５は、電源走査回路１４０内の信号出力部が複数の画素行で共用化された表示装置２００の概略構成を表したものである。図１６に記載の表示装置２００では、電源走査回路１４０内の個々の信号出力部にドレイン線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２，……）が一つずつ接続されており、個々のドレイン線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２，……）に複数の画素行（図１５では３行）に属する画素１１１が接続されている。一方、水平駆動回路１２０内の個々の信号出力部に信号線ＤＴＬ（ＤＴＬ１，ＤＴＬ２，……）が一つずつ接続されており、個々の信号線（ＤＴＬ１，ＤＴＬ２，……）に各行の画素１１１が一つずつ接続されている。また、書き込み走査回路１３０内の個々の信号出力部にゲート線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２，……）が一つずつ接続されており、個々のゲート線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２，……）に各列の画素１１１が一つずつ接続されている。

図１６は、図１５に記載の表示装置２００における各種波形の一例を表したものである。図１６には、ドレイン線ＤＳＬに２種類の電圧（Ｖ_ｃｃ、Ｖ_ｓｓ（＜Ｖ_ｃｃ））が、ゲート線ＷＳＬ１〜ＷＳＬ６に２種類の電圧（Ｖ_ｏｎ、Ｖ_ｏｆｆ（＜Ｖ_ｏｎ））が印加されている様子が示されている。図１７からわかるように、表示装置２００では、複数の画素行（図１６では３行）を一つのユニットとして、ドレイン線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２，……）から各画素１１１にユニットごとに共通のタイミングでＶ_ｃｃとＶ_ｓｓが印加される。

図１７は、表示装置２００の一の画素１１１に印加される電圧波形の一例を表したものである。具体的には、ドレイン線ＤＳＬに２種類の電圧（Ｖ_ｃｃ、Ｖ_ｓｓ）が、信号線ＤＴＬに３種類の電圧（Ｖ_ｓｉｇ、Ｖ_ｅｒｓ（＜Ｖ_ｅｌ）、Ｖ_ｏｆｓ（＜Ｖ_ｅｒｓ））が、ゲート線ＷＳＬに２種類の電圧（Ｖ_ｏｎ、Ｖ_ｏｆｆ）が印加されている様子が示されている。さらに、図１７には、ドレイン線ＤＳＬ、信号線ＤＴＬおよびゲート線ＷＳＬへの電圧印加に応じて、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート電圧Ｖ_ｇおよびソース電圧Ｖ_ｓが時々刻々変化している様子が示されている。なお、上記したＶ_ｅｌは、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等の閾値電圧である。

図１７に記載の波形は、図１５に記載の波形とは若干異なっているので、以下に、図１７に記載の波形について詳しく説明する。

（消光期間）
まず、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等の消光を行う。具体的には、ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃとなっており、かつ信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｅｒｓとなっている時に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げ（Ｔ_１）、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートを信号線ＤＴＬに接続する。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート電圧Ｖ_ｇが下がり始め、保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによりトランジスタＴ_Ｄｒのソース電圧Ｖ_ｓも下がり始める。その後、ゲート電圧Ｖ_ｇがＶ_ｅｒｓとなり、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｅｌ＋Ｖ_ｃａ（Ｖ_ｃａは有機ＥＬ素子１１２Ｒ等のカソード電圧）となり、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等が消光したときに書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げ、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートをフローティングにする（Ｔ_２）。

（Ｖｔｈ補正準備期間）
次に、Ｖｔｈ補正の準備を行う。具体的には、ゲート線ＷＳＬの電圧がＶ_ｏｆｆとなっている時に、電源走査回路１４０がドレイン線ＤＳＬの電圧をＶ_ｃｃからＶ_ｓｓに下げる（Ｔ_３）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン線ＤＳＬ側がソースとなってトランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ゲート電圧Ｖ_ｇがＶ_ｓｓ＋Ｖ_ｔｈとなったところで、電流Ｉ_ｄｓが止まる。このとき、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｅｌ＋Ｖ_ｃａ−（Ｖ_ｅｒｓ−（Ｖ_ｓｓ＋Ｖ_ｔｈ）となっており、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈよりも小さくなっている。

続いて、電源走査回路１４０がドレイン線ＤＳＬの電圧をＶ_ｓｓからＶ_ｃｃに上げる（Ｔ_４）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ゲート電圧Ｖ_ｇおよびソース電圧Ｖ_ｓが、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート−ドレイン間の寄生容量と、保持容量Ｃ_ｓとの容量結合によって上昇する。このとき、電位差Ｖ_ｇｓは依然としてＶ_ｔｈよりも小さくなっている。

（最初のＶｔｈ補正期間）
次に、Ｖ_ｔｈの補正を行う。具体的には、ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃとなっており、かつ信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｏｆｓとなっている時に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げる（Ｔ_５）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ゲート電圧Ｖ_ｇおよびソース電圧Ｖ_ｓが、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート−ドレイン間の寄生容量と、保持容量Ｃ_ｓとの容量結合によって上昇する。ここで、保持容量Ｃ_ｓが有機ＥＬ素子１１２Ｒ等の素子容量よりも極めて小さく、ソース電圧Ｖ_ｓの上昇量がゲート電圧Ｖ_ｇの上昇量よりも十分に小さいので、電位差Ｖ_ｇｓが大きくなる。そして、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈよりも大きくなった段階で、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_６）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなり、Ｖ_ｔｈの補正が一旦停止する。

（最初のＶｔｈ補正休止期間）
Ｖｔｈ補正が休止している期間中は、先のＶｔｈ補正を行った行（画素）とは異なる他の行（画素）において、信号線ＤＴＬの電圧のサンプリングが行われる。なお、このとき、先のＶｔｈ補正を行った行（画素）において、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｏｆｓ−Ｖ_ｔｈよりも低いので、Ｖｔｈ補正休止期間中にも、先のＶｔｈ補正を行った行（画素）において、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ソース電圧Ｖ_ｓが上昇し、保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによりゲート電圧Ｖ_ｇも上昇する。

（２回目のＶｔｈ補正期間）
Ｖｔｈ補正休止期間が終了した後、Ｖ_ｔｈの補正を再び行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｏｆｓとなっており、Ｖｔｈ補正が可能となっている時に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げ（Ｔ_５）、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートを信号線ＤＴＬに接続する。このとき、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｏｆｓ−Ｖ_ｔｈよりも低い場合（Ｖｔｈ補正がまだ完了していない場合）には、トランジスタＴ_Ｄｒがカットオフするまで（電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈになるまで）、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れる。その後、水平駆動回路１２０が信号線ＤＴＬの電圧をＶ_ｏｆｓからＶ_ｓｉｇに切り替える前に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_６）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなるので、電位差Ｖ_ｇｓを信号線ＤＴＬの電圧の大きさに拘わらず一定に維持することができる。

なお、このＶｔｈ補正期間において、保持容量Ｃ_ｓがＶ_ｔｈに充電され、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈとなった場合には、Ｖｔｈ補正を終了するが、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈにまで到達しなかった場合には、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈに到達するまで、Ｖｔｈ補正と、Ｖｔｈ補正休止とを繰り返し実行する。

（書き込み・μ補正期間）
Ｖｔｈ補正休止期間が終了した後、書き込みとμ補正を行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｓｉｇとなっている間に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げ（Ｔ_７）、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートを信号線ＤＴＬに接続する。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートの電圧がＶ_ｓｉｇとなる。このとき、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等のアノードの電圧はこの段階ではまだ有機ＥＬ素子１１２Ｒ等の閾値電圧Ｖ_ｅｌよりも小さく、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等はカットオフしている。そのため、電流Ｉ_ｄｓは有機ＥＬ素子１１２Ｒ等の素子容量に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧Ｖ_ｓがΔＶだけ上昇し、やがて電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｓｉｇ＋Ｖ_ｔｈ−ΔＶとなる。このようにして、書き込みと同時にμ補正が行われる。

（発光）
最後に、書き込み走査回路１３０がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_８）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなり、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ソース電圧Ｖ_ｓが上昇する。その結果、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等が所望の輝度で発光する。

ところで、図１５に示したように、表示装置２００では、電源走査回路１４０内のシフトレジスタの出力段が複数の画素行で共用化されているので、図１６、図１７に示したように、同一ユニット内において、ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｓｓからＶ_ｃｃに上がった時（Ｔ_４）からＶｔｈ補正を開始する時（Ｔ_５）までの時間（待ち時間）がラインによって異なっている。例えば、同一ユニット内に３０ライン含まれている場合に、１ライン目の待ち時間と３０ライン目の待ち時間との差が２９Ｈとなる。この待ち時間の間、図１８に示したように、トランジスタＴ_Ｄｒリーク電流Ｉ_Ｄｒと、有機ＥＬ素子１２Ｒ等のリーク電流Ｉ_ＥＬとが生じているので、トランジスタＴ_Ｄｒのソース電圧Ｖ_ｓは、待ち時間が長ければ長いほど、上昇してしまう。その結果、一のユニット内において、最後のラインの画素１１のＶ_ｇｓは最初のラインの画素１１のＶ_ｇｓよりも小さくなるので、一のユニットに含まれるライン数が多すぎると、最後のラインの輝度は最初のラインの輝度よりも暗くなってしまい、隣接するユニット間にスジ状の模様が発生してしまう。

上記したようなスジ状の模様が発生する場合には、一のユニットに含まれるライン数を減らすことが考えられる。しかし、そのようにした場合には、ユニット数が増え、共用化による効果が減殺されてしまう。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ユニット数を増やさずにスジ状の模様が発生するのを防止することの可能な表示装置および電子機器に関する。

本発明の表示装置は、発光素子および画素回路を含んで構成された複数の画素が行方向および列方向に２次元配置された表示部と、映像信号に基づいて画素回路を駆動する駆動部とを備えたものである。画素回路には、第１トランジスタと、第２トランジスタと、保持容量とが設けられている。駆動部には、制御部と、第１配線と、第２配線と、第３配線と、参照電圧に設定される第４配線とが設けられている。第２配線は、複数の画素行を一つのユニットとして、ユニットごとに一つずつ設けられいる。第１トランジスタのゲートが第１配線に接続されている。第１トランジスタのドレインまたはソースが第３配線に接続されている。第１トランジスタのドレインおよびソースのうち第３配線に未接続の方が第２トランジスタのゲートおよび保持容量の一端に接続されている。ユニット内の各画素に含まれる第２トランジスタのドレインまたはソースが共通の第２配線に接続されている。第２トランジスタのドレインおよびソースのうち第２配線に未接続の方が保持容量の他端および発光素子のアノードに接続されている。発光素子のカソードが第４配線に接続されている。複数のユニットのうち第２配線の最終ユニットに含まれる画素行の数が、複数のユニットのうち最終ユニット以外の各ユニットに含まれる画素行の数よりも多くなっている。

本発明の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。

本発明の表示装置および電子機器では、複数のユニットのうち第２配線の最終ユニットに含まれる画素行の数が、複数のユニットのうち最終ユニット以外の各ユニットに含まれる画素行の数よりも多くなっている。ここで、上記最終ユニットは表示画面の端部に対応しているので、最終ユニットに含まれる画素行が多く、最終ユニットにおける最後の画素行の輝度が最初の画素行の輝度よりも暗くなっていたとしても、その暗い画素行が他のユニットの明るい画素行（最初の画素行）に隣接することはない。そのため、最終ユニットの最初の画素行から最後の画素行に向かうにつれて輝度が変化（低下）しているのを視認できない程度にまで、最終ユニットに含まれる画素行の数を増やすことができる。一方、複数のユニットのうち最終ユニット以外のユニットでは、各ユニットにおける最後の画素行が他のユニットの最初の画素行に接する。しかし、最終ユニットに多くの画素行を含ませることができるので、複数のユニットのうち最終ユニット以外の各ユニットに含まれる画素行の数を、最終行を含む各ユニットの画素行の数を等しくした場合と比べて少なくすることができる。これにより、複数のユニットのうち最終ユニット以外のユニットでは、最初の画素行の輝度と、最後の画素行の輝度との輝度差を、各ユニットの画素行の数を等しくした場合と比べて小さくすることができる。

本発明の表示装置および電子機器によれば、複数のユニットのうち第２配線の最終ユニットに含まれる画素行の数を、複数のユニットのうち最終ユニット以外の各ユニットに含まれる画素行の数よりも多くしたので、最終ユニットの最初の画素行から最後の画素行に向かうにつれて輝度が変化（低下）しているのを視認できない程度にまで、最終ユニットに含まれる画素行の数を増やしつつ、複数のユニットのうち最終ユニット以外のユニットにおいて、最初の画素行の輝度と、最後の画素行の輝度との輝度差を、各ユニットの画素行の数を等しくした場合と比べて小さくすることができる。これにより、ユニット数を増やさずにスジ状の模様が発生するのを防止することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置１の全体構成の一例を表したものである。この表示装置１は、例えば、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板（図示せず）上に、表示部１０と、表示部１０の周辺に形成された周辺回路部２０（駆動部）とを備えている。

表示部１０は、複数の画素１１を表示部１０の全面に渡って行方向および列方向に２次元配置したものであり、外部から入力された映像信号２０ａに基づく画像をアクティブマトリクス駆動により表示するものである。各画素１１は、赤色用の画素１１Ｒと、緑色用の画素１１Ｇと、青色用の画素１１Ｂとを含んでいる。

図２は、画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの内部構成の一例を表したものである。画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ内には、図２に示したように、有機ＥＬ素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ（発光素子）と、画素回路１３とが設けられている。

有機ＥＬ素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ（以下、有機ＥＬ素子１２Ｒ等と称する。）は、例えば、図示しないが、陽極（アノード）、有機層および陰極（カソード）が順に積層された構成を有している。有機層は、例えば、陽極の側から順に、正孔注入効率を高める正孔注入層と、発光層への正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、発光層への電子輸送効率を高める電子輸送層とを積層してなる積層構造を有している。

画素回路１３は、サンプリング用のトランジスタＴ_ＷＳ（第１トランジスタ）、保持容量Ｃ_ｓ、駆動用のトランジスタＴ_Ｄｒ（第２トランジスタ）によって構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。トランジスタＴ_ＷＳ，Ｔ_Ｄｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により形成されている。

周辺回路部２０は、タイミング制御回路２１（制御部）と、水平駆動回路２２（第３駆動部）と、書き込み走査回路２３（第１駆動部）と、電源走査回路２４（第２駆動部）とを有している。タイミング制御回路２１は、表示信号生成回路２１Ａと、表示信号保持制御回路２１Ｂとを含んでいる。また、周辺回路部２０には、ゲート線ＷＳＬ（第１配線）と、ドレイン線ＤＳＬ（第２配線）と、信号線ＤＴＬ（第３配線）と、グラウンド線ＧＮＤ（第４配線）とが設けられている。なお、グラウンド線ＧＮＤは、グラウンドに接続され、グラウンド電圧（参照電圧）に設定される。

ドレイン線ＤＳＬは、図１、図３に示したように、複数の画素行を一つのユニットＵとして、ユニットＵごとに一つずつ設けられている。なお、図３には、ユニットＵが５つ設けられている場合が例示されているが、ユニット数はそれに限られるものではない。また、図３では、５つのユニットＵに対して、電源走査回路２４の走査方向に向かうにつれて、１つずつ増えるサフィックスを付与している。従って、ユニットＵ１は走査方向の初回ユニットに相当し、ユニットＵ５は走査方向の最終ユニットに相当する。

ここで、ユニットＵ１〜Ｕ５のうちユニットＵ５だけ、ユニットに含まれる画素行の数が異なっており、ユニットＵ５に含まれる画素行の数が、ユニットＵ１〜Ｕ５のうちユニットＵ５以外の各ユニット（ユニットＵ１〜４）に含まれる画素行の数よりも多くなっている。ユニットＵ５には、ユニットＵ５の最初の画素行から最後の画素行に向かうにつれて輝度が変化（低下）しているのを視認できない程度（輝度差がおおむね１０％以下）の数だけ画素行が含まれている。一方、ユニットＵ１〜４には、各ユニットにおいて、最初の画素行の輝度と最後の画素行の輝度との差がおおむね１％以下となるような数だけ画素行が含まれている。

表示信号生成回路２１Ａは、外部から入力された映像信号２０ａに基づいて、例えば１画面ごと（１フィールドの表示ごと）に表示部１０に表示するための表示信号２１ａを生成するものである。

表示信号保持制御回路２１Ｂは、表示信号生成回路２１Ａから出力された表示信号２１ａを１画面ごと（１フィールドの表示ごと）に、例えばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などから構成されたフィールドメモリに格納して保持するものである。この表示信号保持制御回路２１Ｂはまた、各画素１１を駆動する水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３および電源走査回路２４が連動して動作するように制御する役割も果たしている。具体的には、表示信号保持制御回路２１Ｂは、書き込み走査回路２３に対しては制御信号２１ｂを、電源走査回路２４に対しては制御信号２１ｃを、水平駆動回路２２に対しては制御信号２１ｄをそれぞれ出力するようになっている。

水平駆動回路２２は、例えばシフトレジスタ（図示せず）によって構成されており、画素１１の各列に対応して、１段ごとに信号出力部（図示せず）を備えている。この水平駆動回路２２は、表示信号保持制御回路２１Ｂから出力された制御信号２１ｄに応じて、３種類の電圧（Ｖ_ｅｒｓ（第６電圧）、Ｖ_ｏｆｓ（第５電圧）、Ｖ_ｓｉｇ（第６電圧）を出力可能となっている。具体的には、水平駆動回路２２は、表示部１０の各画素１１に接続された信号線ＤＴＬを介して、書き込み走査回路２３により選択された画素１１へ３種類の電圧（Ｖ_ｅｒｓ、Ｖ_ｏｆｓ、Ｖ_ｓｉｇ）を供給するようになっている。

ここで、電圧Ｖ_ｅｒｓ，Ｖ_ｏｆｓは、有機ＥＬ素子１２Ｒ等の閾値電圧Ｖ_ｅｌよりも低い電圧値となっており、かつ電圧Ｖ_ｏｆｓは電圧Ｖ_ｅｒｓよりも低い電圧値となっている。また、電圧Ｖ_ｓｉｇは、映像信号２０ａに対応する電圧値であって、かつ電圧Ｖ_ｅｒｓよりも高い電圧値となっている。

書き込み走査回路２３は、例えばシフトレジスタ（図示せず）によって構成されており、画素１１の各行に対応して、１段ごとに信号出力部（図示せず）を備えている。この書き込み走査回路２３は、表示信号保持制御回路２１Ｂから出力された制御信号２１ｂに応じて、２種類の電圧（Ｖ_ｏｎ（第２電圧）、Ｖ_ｏｆｆ（第１電圧））を出力可能となっている。具体的には、書き込み走査回路２３は、表示部１０の各画素１１に接続されたゲート線ＷＳＬを介して、駆動対象の画素１１へ２種類の電圧（Ｖ_ｏｎ、Ｖ_ｏｆｆ）を供給し、サンプリング用のトランジスタＴ_ＷＳを制御するようになっている。

ここで、電圧Ｖ_ｏｎは、トランジスタＴ_ＷＳのオン電圧以上の値となっている。Ｖ_ｏｎは、後述の消光時やＶｔｈ補正時に、書き込み走査回路２３から出力される電圧値である。Ｖ_ｏｆｆは、トランジスタＴ_ＷＳのオン電圧よりも低い値となっており、かつ、Ｖ_ｏｎよりも低い値となっている。Ｖ_ｏｆｆは、後述の「消光期間」、「Ｖｔｈ補正準備期間」、「Ｖｔｈ補正休止期間」および「発光期間」に書き込み走査回路２３から出力される電圧値である。

電源走査回路２４は、例えばシフトレジスタ（図示せず）によって構成されており、各ユニット（Ｕ１〜Ｕ５）に対応して、各ユニット（Ｕ１〜Ｕ５）に含まれる行数と等しい数の段ごとに信号出力部（図示せず）を備えている。つまり、本実施の形態では、電源走査回路２４内のシフトレジスタの出力段がユニット（Ｕ１〜Ｕ５）ごとに共用化されており、ユニットスキャン方式が採られている。そのため、各画素列に対応して１段ごとに信号出力部を設けた場合と比べて、電源走査回路２４内の信号出力部の数が少ない。

この電源走査回路２４は、表示信号保持制御回路２１Ｂから出力された制御信号２１ｃに応じて、２種類の電圧（Ｖ_ｓｓ（第３電圧）、Ｖ_ｃｃ（第４電圧））を出力可能となっている。具体的には、電源走査回路２４は、表示部１０の各画素１１に接続されたドレイン線ＤＳＬを介して、駆動対象の画素１１へ２種類の電圧（Ｖ_ｉｎｉ、Ｖ_ｓｓ）を供給し、有機ＥＬ素子１２Ｒ等の発光および消光を制御するようになっている。

ここで、Ｖ_ｓｓは、有機ＥＬ素子１２Ｒ等の閾値電圧Ｖ_ｅｌと、有機ＥＬ素子１２Ｒ等のカソードの電圧Ｖ_ｃａとを足し合わせた電圧（Ｖ_ｅｌ＋Ｖ_ｃａ）よりも低い電圧値である。また、Ｖ_ｃｃは、電圧（Ｖ_ｅｌ＋Ｖ_ｃａ）以上の電圧値である。

次に、図１、図２を参照して、各構成要素の接続関係について説明する。水平駆動回路２２内の個々の信号出力部に、列方向に延在して形成された信号線ＤＴＬ（ＤＴＬ１，ＤＴＬ２，……）が一つずつ接続されており、個々の信号線（ＤＴＬ１，ＤＴＬ２，……）に、各行の画素１１に含まれるトランジスタＴ_ＷＳのドレインが一つずつ接続されている。また、書き込み走査回路２３内の個々の信号出力部に、行方向に延在して形成されたゲート線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２，……）が一つずつ接続されており、個々のゲート線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２，……）に、各列の画素１１に含まれるトランジスタＴ_ＷＳのゲートが一つずつ接続されている。また、電源走査回路２４内の個々の信号出力部に、行方向に延在して形成されたドレイン線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２，……）が一つずつ接続されており、個々のドレイン線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２，……）に、ユニット（Ｕ１〜Ｕ５）内の各画素１１に含まれるトランジスタＴ_Ｄｒのドレインが接続されている。さらに、各画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂにおいて、トランジスタＴ_ＷＳのソースは駆動用のトランジスタＴ_Ｄｒのゲートと、保持容量Ｃ_ｓの一端に接続されており、トランジスタＴ_Ｄｒのソースと保持容量Ｃ_ｓの他端とが有機ＥＬ素子１２Ｒ等のアノードに接続されている。また、有機ＥＬ素子１２Ｒ等のカソードは、グラウンド線ＧＮＤに接続されている。

次に、本実施の形態の表示装置１の動作（消光から発光までの動作）について説明する。本実施の形態では、有機ＥＬ素子１２Ｒ等のＩ−Ｖ特性が経時変化したり、トランジスタＴ_Ｄｒの閾値電圧Ｖ_ｔｈや移動度μが経時変化したりしても、それらの影響を受けることなく、有機ＥＬ素子１２Ｒ等の発光輝度を一定に保つようにするために、有機ＥＬ素子１２Ｒ等のＩ−Ｖ特性の変動に対する補償動作およびトランジスタＴ_Ｄｒの閾値電圧Ｖ_ｔｈや移動度μの変動に対する補正動作を組み込んでいる。

図４は、表示装置１における各種波形の一例を表したものである。図４には、ドレイン線ＤＳＬに２種類の電圧（Ｖ_ｃｃ、Ｖ_ｓｓ（＜Ｖ_ｃｃ））が、ゲート線ＷＳＬ１〜ＷＳＬ６に２種類の電圧（Ｖ_ｏｎ、Ｖ_ｏｆｆ（＜Ｖ_ｏｎ））が印加されている様子が示されている。図１、図４からわかるように、表示装置１では、ドレイン線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２，……）から各画素１１にユニット（Ｕ１〜Ｕ５）ごとに共通のタイミングでＶ_ｃｃとＶ_ｓｓが印加される。

図５は、表示装置１の一の画素１１に印加される電圧波形の一例を表したものである。具体的には、ドレイン線ＤＳＬに２種類の電圧（Ｖ_ｃｃ、Ｖ_ｓｓ）が、信号線ＤＴＬに３種類の電圧（Ｖ_ｓｉｇ、Ｖ_ｅｒｓ（＜Ｖ_ｅｌ）、Ｖ_ｏｆｓ（＜Ｖ_ｅｒｓ））が、ゲート線ＷＳＬに２種類の電圧（Ｖ_ｏｎ、Ｖ_ｏｆｆ）が印加されている様子が示されている。さらに、図４には、ドレイン線ＤＳＬ、信号線ＤＴＬおよびゲート線ＷＳＬへの電圧印加に応じて、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート電圧Ｖ_ｇおよびソース電圧Ｖ_ｓが時々刻々変化している様子が示されている。なお、上記したＶ_ｅｌは、有機ＥＬ素子１２Ｒ等の閾値電圧である。

（消光期間）
まず、有機ＥＬ素子１２Ｒ等の消光を行う。具体的には、ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃとなっており、かつ信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｅｒｓとなっている時に、書き込み走査回路２３がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げ（Ｔ_１）、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートを信号線ＤＴＬに接続する。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート電圧Ｖ_ｇが下がり始め、保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによりトランジスタＴ_Ｄｒのソース電圧Ｖ_ｓも下がり始める。その後、ゲート電圧Ｖ_ｇがＶ_ｅｒｓとなり、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｅｌ＋Ｖ_ｃａ（Ｖ_ｃａは有機ＥＬ素子１２Ｒ等のカソード電圧）となり、有機ＥＬ素子１２Ｒ等が消光したときに書き込み走査回路２３がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げ、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートをフローティングにする（Ｔ_２）。

（Ｖｔｈ補正準備期間）
次に、Ｖｔｈ補正の準備を行う。具体的には、ゲート線ＷＳＬの電圧がＶ_ｏｆｆとなっている時に、電源走査回路２４がドレイン線ＤＳＬの電圧をＶ_ｃｃからＶ_ｓｓに下げる（Ｔ_３）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン線ＤＳＬ側がソースとなってトランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ゲート電圧Ｖ_ｇがＶ_ｓｓ＋Ｖ_ｔｈとなったところで、電流Ｉ_ｄｓが止まる。このとき、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｅｌ＋Ｖ_ｃａ−（Ｖ_ｅｒｓ−（Ｖ_ｓｓ＋Ｖ_ｔｈ）となっており、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈよりも小さくなっている。

続いて、電源走査回路２４がドレイン線ＤＳＬの電圧をＶ_ｓｓからＶ_ｃｃに上げる（Ｔ_４）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ゲート電圧Ｖ_ｇおよびソース電圧Ｖ_ｓが、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート−ドレイン間の寄生容量と、保持容量Ｃ_ｓとの容量結合によって上昇する。このとき、電位差Ｖ_ｇｓは依然としてＶ_ｔｈよりも小さくなっている。

（最初のＶｔｈ補正期間）
次に、Ｖ_ｔｈの補正を行う。具体的には、ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃとなっており、かつ信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｏｆｓとなっている時に、書き込み走査回路２３がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げる（Ｔ_５）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ゲート電圧Ｖ_ｇおよびソース電圧Ｖ_ｓが、トランジスタＴ_Ｄｒのゲート−ドレイン間の寄生容量と、保持容量Ｃ_ｓとの容量結合によって上昇する。ここで、保持容量Ｃ_ｓが有機ＥＬ素子１２Ｒ等の素子容量よりも極めて小さく、ソース電圧Ｖ_ｓの上昇量がゲート電圧Ｖ_ｇの上昇量よりも十分に小さいので、電位差Ｖ_ｇｓが大きくなる。そして、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈよりも大きくなった段階で、書き込み走査回路２３がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_６）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなり、Ｖ_ｔｈの補正が一旦停止する。

（最初のＶｔｈ補正休止期間）
Ｖｔｈ補正が休止している期間中は、例えば、先のＶｔｈ補正を行った行（画素）とは異なる他の行（画素）において、信号線ＤＴＬの電圧のサンプリングが行われる。なお、このとき、先のＶｔｈ補正を行った行（画素）において、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｏｆｓ−Ｖ_ｔｈよりも低いので、Ｖｔｈ補正休止期間中にも、先のＶｔｈ補正を行った行（画素）において、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ソース電圧Ｖ_ｓが上昇し、保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによりゲート電圧Ｖ_ｇも上昇する。

（２回目のＶｔｈ補正期間）
Ｖｔｈ補正休止期間が終了した後、Ｖ_ｔｈの補正を再び行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｏｆｓとなっており、Ｖｔｈ補正が可能となっている時に、書き込み走査回路２３がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げ（Ｔ_５）、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートを信号線ＤＴＬに接続する。このとき、ソース電圧Ｖ_ｓがＶ_ｏｆｓ−Ｖ_ｔｈよりも低い場合（Ｖｔｈ補正がまだ完了していない場合）には、トランジスタＴ_Ｄｒがカットオフするまで（電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈになるまで）、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れる。その後、水平駆動回路２２が信号線ＤＴＬの電圧をＶ_ｏｆｓからＶ_ｓｉｇに切り替える前に、書き込み走査回路２３がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_６）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなるので、電位差Ｖ_ｇｓを信号線ＤＴＬの電圧の大きさに拘わらず一定に維持することができる。

なお、このＶｔｈ補正期間において、保持容量Ｃ_ｓがＶ_ｔｈに充電され、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈとなった場合には、Ｖｔｈ補正を終了するが、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈにまで到達しなかった場合には、電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｔｈに到達するまで、Ｖｔｈ補正と、Ｖｔｈ補正休止とを繰り返し実行する。

（書き込み・μ補正期間）
Ｖｔｈ補正休止期間が終了した後、書き込みとμ補正を行う。具体的には、信号線ＤＴＬの電圧がＶ_ｓｉｇとなっている間に、書き込み走査回路２３がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｆｆからＶ_ｏｎに上げ（Ｔ_７）、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートを信号線ＤＴＬに接続する。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートの電圧がＶ_ｓｉｇとなる。このとき、有機ＥＬ素子１２Ｒ等のアノードの電圧はこの段階ではまだ有機ＥＬ素子１２Ｒ等の閾値電圧Ｖ_ｅｌよりも小さく、有機ＥＬ素子１２Ｒ等はカットオフしている。そのため、電流Ｉ_ｄｓは有機ＥＬ素子１２Ｒ等の素子容量に流れ、素子容量が充電されるので、ソース電圧Ｖ_ｓがΔＶだけ上昇し、やがて電位差Ｖ_ｇｓがＶ_ｓｉｇ＋Ｖ_ｔｈ−ΔＶとなる。このようにして、書き込みと同時にμ補正が行われる。

（発光）
最後に、書き込み走査回路２３がゲート線ＷＳＬの電圧をＶ_ｏｎからＶ_ｏｆｆに下げる（Ｔ_８）。すると、トランジスタＴ_Ｄｒのゲートがフローティングとなり、トランジスタＴ_Ｄｒのドレイン−ソース間に電流Ｉ_ｄｓが流れ、ソース電圧Ｖ_ｓが上昇する。その結果、有機ＥＬ素子１２Ｒ等が所望の輝度で発光する。

本実施の形態の表示装置１では、上記のようにして、各画素１１において画素回路１３がオンオフ制御され、各画素１１の有機ＥＬ素子１２Ｒ等に駆動電流が注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、陽極と陰極との間で多重反射し、陰極等を透過して外部に取り出される。その結果、表示部１０において画像が表示される。

ところで、本実施の形態では、ユニットＵ１〜Ｕ５のうち電源走査回路２４の走査方向の最終ユニット（Ｕ５）に含まれる画素行の数が、ユニットＵ１〜Ｕ５のうち最終ユニット（Ｕ５）以外の各ユニット（Ｕ１〜４）に含まれる画素行の数よりも多くなっている。ここで、最終ユニット（Ｕ５）は表示画面の端部に対応しているので、最終ユニット（Ｕ５）に含まれる画素行が多く、最終ユニット（Ｕ５）における最後の画素行の輝度が最初の画素行の輝度よりも暗くなっていたとしても、その暗い画素行が他のユニット（Ｕ１〜４）の明るい画素行（最初の画素行）に隣接することはない。そのため、最終ユニット（Ｕ５）の最初の画素行から最後の画素行に向かうにつれて輝度が変化（低下）しているのを視認できない程度にまで、最終ユニットに含まれる画素行の数を増やしたとしても、それによってスジ状の模様が発生することはない。

一方、ユニットＵ１〜Ｕ５のうち最終ユニット（Ｕ５）以外のユニット（Ｕ１〜４）では、各ユニット（Ｕ１〜４）における最後の画素行が他のユニット（Ｕ２〜５）の最初の画素行に接する。しかし、上述したように最終ユニット（Ｕ５）に多くの画素行を含ませることができるので、ユニットＵ１〜Ｕ５のうち最終ユニット（Ｕ５）以外の各ユニット（Ｕ１〜４）に含まれる画素行の数を、最終行を含む各ユニットの画素行の数を等しくした場合と比べて少なくすることができる。これにより、ユニットＵ１〜Ｕ５のうち最終ユニット（Ｕ５）以外のユニット（Ｕ１〜４）では、最初の画素行の輝度と、最後の画素行の輝度との輝度差を、各ユニット（Ｕ１〜５）の画素行の数を等しくした場合と比べて小さくすることができる。

従って、最終ユニット（Ｕ５）の最初の画素行から最後の画素行に向かうにつれて輝度が変化（低下）しているのを視認できない程度にまで、最終ユニット（Ｕ５）に含まれる画素行の数を増やしつつ、ユニットＵ１〜Ｕ５のうち最終ユニット（Ｕ５）以外のユニット（Ｕ１〜４）において、最初の画素行の輝度と、最後の画素行の輝度との輝度差を、各ユニット（Ｕ１〜５）の画素行の数を等しくした場合と比べて小さくすることができる。これにより、ユニット数を増やさずにスジ状の模様が発生するのを防止することができる。

（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置１は、例えば、図６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板２の一辺に、表示部１０を封止する部材（図示せず）から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、タイミング制御回路２１、水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３および電源走査回路２４の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図７は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

（適用例２）
図８は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

（適用例３）
図９は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

（適用例４）
図１０は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

（適用例５）
図１１は、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。

以上、実施の形態および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。

例えば、上記実施の形態等では、表示装置１がアクティブマトリクス型である場合について説明したが、アクティブマトリクス駆動のための画素回路１３の構成は上記実施の形態等で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを画素回路１３に追加してもよい。その場合、画素回路１３の変更に応じて、上述した水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３、電源走査回路２４のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

また、上記実施の形態等では、水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３および電源走査回路２４の駆動を信号保持制御回路２１Ｂが制御していたが、他の回路がこれらの駆動を制御するようにしてもよい。また、水平駆動回路２２、書き込み走査回路２３および電源走査回路２４の制御は、ハードウェア（回路）で行われていてもよいし、ソフトウェア（プログラム）で行われていてもよい。

本発明の一実施の形態に係る表示装置の一例を表す構成図である。 図１の画素の内部構成の一例を表す構成図である。 図１の表示装置のユニットスキャンについて説明するための概念図である。 図１の表示装置の動作の一例について説明するための波形図である。 一の画素における動作の一例について説明するための波形図である。 上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。 従来の表示装置の一例を表す構成図である。 図１２の画素の内部構成の一例を表す構成図である。 図１２の表示装置の動作の一例について説明するための波形図である。 従来の表示装置の他の例を表す構成図である。 図１５の表示装置の動作の一例について説明するための波形図である。 一の画素における動作の一例について説明するための波形図である。 Ｖｔｈ補正準備期間におけるリーク電流について説明するための回路図である。

符号の説明

１…表示装置、１０…表示部、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ…画素、１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…有機ＥＬ素子、１３…画素回路、２０…周辺回路部、２１…タイミング制御回路、２１Ａ…表示信号生成回路、２１Ｂ…表示信号保持制御回路、２２…水平駆動回路、２３…書き込み走査回路、２４…電源走査回路、Ｃ_ｓ…保持容量、ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２，……）…ドレイン線、ＤＴＬ（ＤＴＬ１，ＤＴＬ２，……）…信号線、Ｉ_ｄｓ…電流、Ｔ_Ｄｒ，Ｔ_ＷＳ…トランジスタ、Ｕ１〜Ｕ５…ユニット、Ｖ_ｇ…ゲート電圧、Ｖ_ｇｓ…電位差、Ｖ_ｓ…ソース電圧、Ｖ_ｔｈ…閾値電圧、ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２，……）…ゲート線。

Claims (3)

1. 発光素子および画素回路を含んで構成された複数の画素が行方向および列方向に２次元配置された表示部と、
   映像信号に基づいて前記画素回路を駆動する駆動部と
   を備え、
   前記画素回路は、第１トランジスタと、第２トランジスタと、保持容量とを有し、
   前記駆動部は、制御部と、第１配線と、第２配線と、第３配線と、参照電圧に設定される第４配線とを有し、
   前記第２配線は、複数の画素行を一つのユニットとして、前記ユニットごとに一つずつ設けられ、
   前記第１トランジスタのゲートが前記第１配線に接続され、
   前記第１トランジスタのドレインまたはソースが前記第３配線に接続され、
   前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３配線に未接続の方が前記第２トランジスタのゲートおよび前記保持容量の一端に接続され、
   前記ユニット内の各画素に含まれる第２トランジスタのドレインまたはソースが共通の第２配線に接続され、
   前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２配線に未接続の方が前記保持容量の他端および前記発光素子のアノードに接続され、
   前記発光素子のカソードが前記第４配線に接続され、
   前記複数のユニットのうち前記第２配線の最終ユニットに含まれる画素行の数が、前記複数のユニットのうち前記最終ユニット以外の各ユニットに含まれる画素行の数よりも多くなっている表示装置。
2. 前記駆動部は、さらに、第１駆動部と、第２駆動部と、第３駆動部とを有し、
   前記第１トランジスタのゲートが前記第１配線を介して前記第１駆動部に接続され、
   前記第１トランジスタのドレインまたはソースが前記第３配線を介して前記第３駆動部に接続され、
   前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３駆動部に未接続の方が前記第２トランジスタのゲートおよび前記保持容量の一端に接続され、
   前記ユニット内の各画素に含まれる第２トランジスタのドレインまたはソースが前記第２配線を介して前記第２駆動部に接続され、
   前記第１駆動部は、前記第１トランジスタのオン電圧よりも低い第１電圧と、前記第１トランジスタのオン電圧以上の第２電圧とを前記第１配線に出力可能となっており、
   前記第２駆動部は、前記発光素子の閾値電圧と前記参照電圧との和よりも低い第３電圧と、前記発光素子の閾値電圧と前記参照電圧との和以上の第４電圧とを前記第２配線に出力可能となっており、
   前記第３駆動部は、前記発光素子の閾値電圧よりも低い第５電圧と、前記映像信号に応じた大きさの第６電圧とを前記第３配線に出力可能となっている請求項１に記載の表示装置。
3. 表示装置を備え、
   前記表示装置は、
   発光素子および画素回路を含んで構成された複数の画素が行方向および列方向に２次元配置された表示部と、
   映像信号に基づいて前記画素回路を駆動する駆動部と
   を備え、
   前記画素回路は、第１トランジスタと、第２トランジスタと、保持容量とを有し、
   前記駆動部は、制御部と、第１配線と、第２配線と、第３配線と、参照電圧に設定される第４配線とを有し、
   前記第２配線は、複数の画素行を一つのユニットとして、前記ユニットごとに一つずつ設けられ、
   前記第１トランジスタのゲートが前記第１配線に接続され、
   前記第１トランジスタのドレインまたはソースが前記第３配線に接続され、
   前記第１トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第３配線に未接続の方が前記第２トランジスタのゲートおよび前記保持容量の一端に接続され、
   前記ユニット内の各画素に含まれる第２トランジスタのドレインまたはソースが共通の第２配線に接続され、
   前記第２トランジスタのドレインおよびソースのうち前記第２配線に未接続の方が前記保持容量の他端および前記発光素子のアノードに接続され、
   前記発光素子のカソードが前記第４配線に接続され、
   前記複数のユニットのうち前記第２配線の最終ユニットに含まれる画素行の数が、前記複数のユニットのうち前記最終ユニット以外の各ユニットに含まれる画素行の数よりも多くなっている電子機器。

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