JP2009240151A - 駆動信号供給制御用半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】負荷が待機状態のときに、負荷駆動装置に駆動電源を供給する電源供給回路などを低消費電力で駆動制御するのに好適な駆動信号供給制御用半導体装置を提供する。
【解決手段】モータ駆動装置１を、制御回路１０と、駆動信号供給制御回路２０と、電源供給回路３０と、トランジスタ駆動回路４０と、電流検出回路６０とを含んだ構成とし、駆動信号供給制御回路２０において、設定された供給モードに応じて電源供給回路３０を構成するＤＣ／ＤＣコンバータ３１及びＬＤＯ３２と、電流検出回路６０とに供給する駆動信号（バイアス電圧信号、昇圧クロック信号）の供給制御をそれぞれに対して独立に行う。バイアス電圧の供給制御は、バイアス電圧選択回路３４〜３６においてバイアス電圧を生成するバイアス電流信号を制御することで行ない、昇圧クロック信号については、モードに応じた供給のオン・オフ及び低周波数での供給を制御することで行う。
【選択図】図１

Description

本発明の幾つかの態様は、モータ等の負荷を駆動するブリッジ回路を含んだ駆動装置の駆動時に使用する定電圧電源供給回路の消費電力量を低減するのに好適な駆動信号供給制御用半導体装置に関する。

従来、モータなどの負荷を駆動する回路として、高電位側（ハイサイド側）のトランジスタと、低電位側（ローサイド側）のトランジスタとから構成されるハーフ・ブリッジ回路、フル・ブリッジ回路などがある。このようなブリッジ回路は、ハイサイド側のトランジスタと、ローサイド側のトランジスタとがそれぞれ独立にオン又はオフに駆動制御され、負荷を通電又は非通電の状態にする。

また、比較的高い電力を必要とし且つ高速なスイッチング動作を要求される負荷に対しては、ブリッジ回路を構成するトランジスタとして大電力用に設計されたＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）が用いられる。大電力用のＭＯ
ＳＦＥＴとしては、例えば、ＤＭＯＳ（Double-Diffused MOSFET）などがある。
例えば、ブリッジ回路を構成するハイサイド側及びローサイド側のトランジスタが共にＮチャンネル型のＤＭＯＳＦＥＴの場合に、ハイサイド側のトランジスタを駆動する駆動電源をプリドライバに供給する電源供給回路として、例えば、チャージポンプ式のＤＣ／ＤＣコンバータが用いられる。一方、ローサイド側のトランジスタを駆動する駆動電源をプリドライバに供給する電源供給回路として、例えば、ＬＤＯ（低ドロップアウト）レギュレータなどのリニア・レギュレータが用いられる。特に、オペアンプを用いて入出力間に接続された出力用トランジスタのオン抵抗を制御して出力電圧を一定電圧に保つ構成のリニア・レギュレータは、出力用トランジスタをパルス駆動させずに連続駆動させるため動作時、駆動回路部の消費電流増に伴い出力用トランジスタでの電力損失が大きくなる。また、一般に、電源供給回路は、負荷が待機状態にあっても、クロック信号やバイアス電流を流すためのバイアス電圧を供給し続ける必要がある。

一方、モータを駆動制御する駆動装置の消費電力量を低減する技術として、例えば、特許文献１に記載のモータ用制御装置がある。
かかるモータ用制御装置は、Ｈブリッジ回路を含んで構成されるモータドライバと、該モータドライバを駆動するプリドライバと、定電圧回路と、該プリドライバへの電源供給を制御する電源供給制御回路とを含んで構成され、モータが停止するなどの制御不要時（待機状態時）において、電源供給制御回路によって、プリドライバへの電源供給を停止する。これにより、モータの待機状態時に、プリドライバの動作を停止して、モータドライバの動作を停止することができるので、待機状態時に消費される電流量を低減することができる。
特開２００１−８６７９０号公報

しかしながら、上記特許文献１の従来技術においては、モータの待機状態時に、ハイサイド側、ローサイド側の関係なく双方のトランジスタを駆動するプリドライバへの電源供給を全て停止する構成となっている。そのため、モータを停止状態から動作状態へと移行させるときに、全てのプリドライバに対して電源供給を停止した状態から再び電源を供給して通常動作状態へと復帰させるといった処理を行う必要がある。この復帰処理にかかる時間は、再起動時の負荷を駆動できるまでの応答時間を遅延させる要因となる。

また、プリドライバの負荷を駆動する動作が停止しても、電源供給側の回路は動作し続けるので、そこで消費される電力量は低減されない。
そこで、本発明の幾つかの態様は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、電源供給回路などを用途や状態に応じて適切な電力で駆動制御するのに好適な半導体装置を提供することを目的としている。

〔形態１〕 上記目的を達成するために、形態１の駆動信号供給制御用半導体装置は、駆動対象である負荷に電気的に接続されるハイサイド側の第１のトランジスタとローサイド側の第２のトランジスタとを含み、前記第１及び第２のトランジスタをオン又はオフにすることで前記負荷が通電又は非通電となる構成のブリッジ回路と、前記第１のトランジスタを駆動する第１の駆動回路と、前記第２のトランジスタを駆動する第２の駆動回路と、前記第１の駆動回路に駆動電源を供給する第１の電源供給回路と、前記第２の駆動回路に駆動電源を供給する第２の電源供給回路とを備えた負荷駆動装置における、前記第１及び第２の電源供給回路への駆動信号の供給を制御する駆動信号供給制御用半導体装置であって、前記負荷の待機状態に対応した前記負荷駆動装置の低消費電力駆動に係る前記駆動信号の供給内容を設定する供給内容設定手段と、前記供給内容設定手段で設定された供給内容に基づき、前記第１及び第２の電源供給回路への駆動信号の供給内容を、前記負荷駆動装置がその通常駆動時よりも低い消費電力で駆動される内容にそれぞれ独立に制御する駆動信号供給制御手段と、を備える。

このような構成であれば、負荷の待機状態に応じて、供給内容設定手段によって所定の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、該設定された供給内容に基づき、通常駆動時と比較して負荷駆動装置が低消費電力で駆動される供給内容で駆動信号を第１及び第２の電源供給回路にそれぞれ独立に供給する。
例えば、第１の電源供給回路はそのまま通常駆動させて、第２の電源供給回路に供給するバイアス電流信号（駆動信号）を通常駆動時よりも低減するなどの駆動制御を行うことで、従来と比較して負荷駆動装置の低消費電力駆動状態から通常駆動状態への復帰時間を短くしつつ、各回路の低消費電力化も行うといった駆動制御をすることができる。

駆動信号の供給内容の設定は、負荷の駆動状態に基づき適切な内容を設定するのが望ましく、例えば、負荷の待機時間が短い場合は、上記したように復帰時間がなるべく短くなるような供給内容を設定し、負荷の待機時間が長い場合は、例えば、第１及び第２の電源供給回路を両方とも低消費電力駆動される供給内容にするなど、負荷駆動装置ができる限り低消費電力で駆動される供給内容を設定する。

更に、負荷駆動装置が低消費電力駆動されるように第１及び第２の電源供給回路に供給する駆動信号の供給制御を行うと、結果的に電源供給回路を低消費電力駆動させることになるので、該電源供給回路から電源を供給される各回路についても低消費電力駆動をさせることができる。
従って、負荷駆動装置を効率的に低消費電力駆動させることができるという効果が得られる。

ここで、供給内容設定手段は、例えば、レジスタ設定や端子設定などによって供給内容を設定する。例えば、駆動信号の供給を停止する設定値、アイドリング状態で駆動する設定値などをレジスタに書き込む。この書き込みタイミングは、マイコンによって、負荷の駆動状態を判断して設定したり、負荷の駆動プログラムを解析して設定したりする。端子設定の場合は、ユーザの設定指示に応じて各供給内容に応じた端子設定（ジャンパ線接続
など）を行なう。以下、形態８の駆動信号供給制御用半導体装置において同じである。

また、通常駆動時とは、負荷の待機状態時において負荷駆動装置が低消費電力駆動されていない状態時のことで、負荷駆動装置を構成する各回路に制御信号（入力信号）を供給することで、即座に第１及び第２のトランジスタを通常駆動し、負荷を駆動することができる状態時のことである。以下、形態８の駆動信号供給制御用半導体装置において同じである。

また、上記低消費電力で駆動される供給内容は、駆動信号の供給停止に加え、例えば、駆動信号がクロック信号であれば、通常駆動時の周波数よりも低周波数のクロック信号を供給したり、例えば、駆動信号がバイアス電圧信号であれば、バイアス電流の供給を停止したり、バイアス電流の供給量を低減したりする供給内容となる。後者は、バイアス電流の供給を完全に停止するのではなく、バイアス電流を通常駆動時よりも低消費電力の状態となるように供給し続ける。これにより、第１及び第２の電源供給回路は、バイアス電流の供給を完全に停止した状態と比較して通常駆動時の状態にすぐに復帰することができる状態（アイドリング状態）で維持される。
また、バイアス電流の供給量を低減する方法には、供給するバイアス電流のレベルを低減する方法、供給先の回路に供給端子が複数あるときは、その供給数を低減する方法などがある。

〔形態２〕 更に、形態２の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態１に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記第１の電源供給回路はＤＣ／ＤＣコンバータを含んで構成される回路であり、前記第２の電源供給回路はリニア・レギュレータを含んで構成される回路であり、前記供給内容設定手段で設定される供給内容は、第１の供給内容と第２の供給内容とを含み、前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記ＤＣ／ＤＣコンバータの有するスイッチング素子に供給する前記駆動信号の１つであるスイッチング信号の前記スイッチング素子への供給を停止すると共に、前記第１及び第２の電源供給回路への前記駆動信号の１つであるバイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が前記通常駆動時よりも低減するように制御を行い、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記通常駆動時よりも低いスイッチング周波数の前記スイッチング信号を前記スイッチング素子に供給すると共に、前記第２の電源供給回路への前記バイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が前記通常駆動時よりも低減するように制御を行うようになっている。

このような構成であれば、供給内容設定手段によって、第１の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、第１及び第２の電源供給回路へのバイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が通常駆動時よりも低減するように制御する。また、供給内容設定手段によって、第２の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、第１の電源供給回路のＤＣ／ＤＣコンバータを構成するスイッチング素子に、通常駆動時よりもスイッチング周波数が低周波数となるスイッチング信号を供給すると共に、第２の電源供給回路（リニア・レギュレータ）へのバイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が通常駆動時よりも低減するように制御する。

つまり、負荷の待機状態時に、第１の供給内容が設定されたときは、第１及び第２の電源供給回路へのバイアス電流の供給量を通常駆動時よりも低減することができると共に、第１の電源供給回路へのスイッチング信号の供給を停止できるので、第１及び第２の電源供給回路を比較的低消費電力で駆動することができる。
更に、第２の供給内容が設定されたときは、第１の電源供給回路へのバイアス電流の供給量は通常駆動時のままとし、スイッチング素子に供給するスイッチング周波数を通常駆
動時よりも低周波数にすることができるので、第１の供給内容のときよりは消費電力量は上がるが、スイッチング周波数を通常駆動時の周波数に戻すだけで第１の電源供給回路を通常駆動状態に復帰させることができるので復帰時間については比較的速くすることができる。つまり、負荷駆動装置を負荷をすぐに駆動できるアイドリング状態に制御することができる。

従って、例えば、負荷が短時間で待機状態と駆動状態とを繰り返すような駆動プログラムが組まれている場合に第２の供給内容を設定し、負荷の待機状態が比較的長い場合に第１の供給内容を設定することで、負荷駆動装置を効率的に低消費電力駆動させることができる。
ここで、バイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が通常駆動時よりも低減するように制御するとは、例えば、第１の電源供給回路に供給されるバイアス電圧を生成する回路に供給するバイアス電流量を調整したり、バイアス電流の供給を停止したりするなどの制御方法が該当し、最終的に第１の電源供給回路に供給されるバイアス電流量が低減されればどのような制御内容でもよい。以下、形態４の駆動信号供給制御用半導体装置において同じである。

〔形態３〕 更に、形態３の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態２に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記駆動信号供給制御手段は、前記第１の電源供給回路の通常駆動時に供給する第１のスイッチング信号を生成して出力する第１のスイッチング信号生成部と、前記第１のスイッチング信号のスイッチング周波数よりも低周波数の第２のスイッチング信号を生成して出力する第２のスイッチング信号生成部と、前記第１の電源供給回路の通常駆動時に、前記第１のスイッチング素子に前記第１のスイッチング信号を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記スイッチング素子への前記第１及び第２のスイッチング信号の供給を停止し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記第２のスイッチング信号を前記スイッチング素子に供給するスイッチング信号供給制御部とを含む。

このような構成であれば、通常駆動時においては、スイッチング信号供給制御部によって、第１のスイッチング信号生成部から出力される第１のスイッチング信号がスイッチング素子に供給される。また、供給内容設定手段によって第１の供給内容が設定されると、スイッチング信号供給制御部によって、第１及び第２のスイッチング信号の双方のスイッチング素子への供給が停止される。また、供給内容設定手段によって、第２の供給内容が設定されると、スイッチング信号供給制御部によって第２のスイッチング信号生成部から出力される第２のスイッチング信号がスイッチング素子に供給される。
これによって、上記形態２の駆動信号供給制御用半導体装置と同等の作用及び効果を得ることができる。

〔形態４〕 更に、形態４の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態１に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記第１の電源供給回路はＤＣ／ＤＣコンバータを含んで構成される回路であり、前記第２の電源供給回路はリニア・レギュレータを含んで構成される回路であり、前記供給内容設定手段で設定される供給内容は、第１の供給内容と第２の供給内容とを含み、前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記ＤＣ／ＤＣコンバータの有するスイッチング素子に供給する前記駆動信号の１つであるスイッチング信号の前記スイッチング素子への供給を停止すると共に、前記第１及び第２の電源供給回路への前記駆動信号の１つであるバイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が前記通常駆動時よりも低減するように制御を行い、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記スイッチング素子への前記スイッチング信号の供給を停止すると共に、前記第２の電源供給回路への前記バイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が
前記通常駆動時よりも低減するように制御を行うようになっている。

このような構成であれば、供給内容設定手段によって第１の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、第１及び第２の電源供給回路へのバイアス電圧信号の供給内容を制御することでバイアス電流の供給量を通常駆動時よりも低減する。また、供給内容設定手段によって第２の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、第１の電源供給回路のＤＣ／ＤＣコンバータを構成するスイッチング素子へのスイッチング信号の供給を停止すると共に、第２の電源供給回路へのバイアス電圧信号の供給内容を制御することでバイアス電流の供給量を通常駆動時よりも低減する。

つまり、負荷の待機状態時に、第１の供給内容が設定されたときは、第１及び第２の電源供給回路へのバイアス電流の供給量を通常駆動時よりも低減することができると共に、第１の電源供給回路へのスイッチング信号の供給を停止できるので、第１及び第２の電源供給回路を比較的低消費電力で駆動することができる。更に、第２の供給内容が設定されたときは、第１の電源供給回路へのバイアス電流の供給量は通常駆動時のままとし、スイッチング信号のスイッチング素子への供給を停止することができるので、第１の供給内容のときよりは消費電力量は上がるが、スイッチング信号を供給するだけで第１の電源供給回路を通常駆動状態に復帰させることができるので復帰時間については比較的速くすることができる。つまり、負荷駆動装置を負荷をすぐに駆動できるアイドリング状態に制御することができる。

従って、例えば、短時間で負荷が繰り返し待機状態と駆動状態とを繰り返すような駆動プログラムが組まれている場合に第２の供給内容を設定し、負荷の待機状態が比較的長い場合に第１の供給内容を設定することで、負荷駆動装置を効率的に低消費電力駆動させることができる。

〔形態５〕 更に、形態５の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態２乃至４のいずれか１に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記駆動信号供給制御手段は、第１のバイアス電流信号を第１の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第１の電圧変換部と、第２のバイアス電流信号を第２の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第２の電圧変換部とを含む第１のバイアス電圧出力回路と、該第１のバイアス電圧出力回路と同じ構成の第２のバイアス電圧出力回路と、前記第１のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第１の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第１のバイアス電圧選択回路と、前記第２のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第２の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第２のバイアス電圧選択回路と、前記通常駆動時に、前記第１及び第２のバイアス電圧出力回路の前記第１及び第２の電圧変換部に、前記第１のバイアス電流信号を供給するように且つ前記第２のバイアス電流信号を供給しないようにし、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記第１及び第２のバイアス電圧出力回路の前記第１及び第２の電圧変換部に、前記第１のバイアス電流信号を供給しないように且つ前記第２のバイアス電流信号を供給するようにし、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記第１のバイアス電圧出力回路の前記第１及び第２の電圧変換部に、前記第１のバイアス電流信号を供給するように且つ前記第２のバイアス電流信号を供給しないようにすると共に、前記第２のバイアス電圧出力回路の前記第１及び第２の電圧変換部に、前記第１のバイアス電流信号を供給しないように且つ前記第２のバイアス電流信号を供給するようにするバイアス電流供給制御部とを含む。

このような構成であれば、バイアス電流供給制御部は、通常駆動時に、第１のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に第１のバイアス電流信号を供給し、且つ第２のバイア
ス電圧出力回路の第２の電圧変換部に第２のバイアス電流信号を供給しないようにすることができる。
更に、バイアス電流供給制御部は、供給内容設定手段で設定された供給内容が第１の供給内容のときに、第１のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に、第１のバイアス電流信号を供給しないようにし、且つ第２のバイアス電圧出力回路の第２の電圧変換部に、第２のバイアス電流信号を供給することができる。

更に、バイアス電流供給制御部は、供給内容設定手段で設定された供給内容が第２の供給内容のときに、第１のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に、第１のバイアス電流信号を供給し、且つ第２の電圧変換部に、第２のバイアス電流信号を供給しないようにすると共に、第２のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に、第１のバイアス電流信号を供給しないようにし、且つ第２の電圧変換部に、第２のバイアス電流信号を供給することができる。
これによって、上記形態２乃至４のいずれか１の駆動信号供給制御用半導体装置と同等の作用及び効果を得ることができる。

〔形態６〕 更に、形態６の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態２乃至４のいずれか１に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記駆動信号供給制御手段は、第１のバイアス電流信号を第１の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第１の電圧変換部と、第２のバイアス電流信号を第２の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第２の電圧変換部と、第１の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流をオン状態で前記第１の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第３のトランジスタと、第２の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号よりも電流レベルの小さい第２のバイアス電流信号を、オン状態で前記第２の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第４のトランジスタと、を含んで構成される第１のバイアス電圧出力回路と、該第１のバイアス電圧出力回路と同じ構成の第２のバイアス電圧出力回路と、前記第１のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第１の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第１のバイアス電圧選択回路と、前記第２のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第２の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第２のバイアス電圧選択回路と、前記通常駆動時に、前記第１及び第２のバイアス電圧出力回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオン状態にし且つ前記第４のトランジスタをオフ状態にする前記第１及び第２の入力を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記第１及び第２のバイアス電圧出力回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオフ状態にし且つ前記第４のトランジスタをオン状態にする前記第１及び第２の入力を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記第１のバイアス電圧出力回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオン状態にし且つ前記第４のトランジスタをオフ状態にする前記第１及び第２の入力を供給すると共に、前記第２のバイアス電圧出力回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオフ状態にし且つ前記第４のトランジスタをオン状態にする前記第１及び第２の入力を供給するバイアス電流供給制御部とを含む。

このような構成であれば、バイアス電流供給制御部は、通常駆動時に、第１のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオン状態にし且つ第４のトランジスタをオフ状態にする第１及び第２の入力を供給し、更に第２のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオン状態にし且つ第４のトランジスタをオフ状態にする第１及び第２の入力を供給することができる。これによって、第１のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に第１
のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第１のバイアス電圧を第１の電源供給回路に供給することができる。更に、第２のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に第１のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第１のバイアス電圧を第２の電源供給回路に供給することができる。

更に、バイアス電流供給制御部は、供給内容設定手段で設定された供給内容が第１の供給内容のときに、第１のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオフ状態にし且つ第４のトランジスタをオン状態にする第１及び第２の入力を供給し、更に第２のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオフ状態にし且つ第４のトランジスタをオン状態にする第１及び第２の入力を供給することができる。これによって、第１のバイアス電圧出力回路の第２の電圧変換部に第１のバイアス電流信号よりも小さい電流レベルの第２のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第２のバイアス電圧を第１の電源供給回路に供給することができる。更に、第２のバイアス電圧出力回路の第２の電圧変換部に第２のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第２のバイアス電圧を第２の電源供給回路に供給することができる。

更に、バイアス電流供給制御部は、供給内容設定手段で設定された供給内容が第２の供給内容のときに、第１のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオン状態にし且つ第４のトランジスタをオフ状態にする第１及び第２の入力を供給すると共に、第２のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオフ状態にし且つ第４のトランジスタをオン状態にする第１及び第２の入力を供給することができる。これによって、第１のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に第１のバイアス電流信号を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第１のバイアス電圧を第１の電源供給回路に供給することができる。更に、第２のバイアス電圧出力回路の第２の電圧変換部に第１のバイアス電流信号よりも小さい電流レベルの第２のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第２のバイアス電圧を第２の電源供給回路に供給することができる。
これによって、上記形態２乃至４のいずれか１の駆動信号供給制御用半導体装置と同等の作用及び効果を得ることができる。

〔形態７〕 更に、形態７の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態１乃至６のいずれか１に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記負荷駆動装置は、前記負荷に流れる電流量を検出する電流検出回路を更に含んで構成されており、
前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段で設定された供給内容に基づき、前記電流検出回路への駆動信号の供給内容を、前記電流検出回路の動作を停止する内容、又は前記通常駆動時よりも低い消費電力で駆動される内容に制御する。

このような構成であれば、負荷の待機状態に応じて、供給内容設定手段によって所定の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段によって、該設定された供給内容に基づき、電流検出回路への駆動信号の供給内容が、前記電流検出回路の動作を停止する内容、又は電流検出回路の通常駆動時のものと比較して低消費電力で駆動される内容に制御される。

例えば、負荷が待機状態のときに、通常駆動時よりも低消費電力駆動とする供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、電流検出回路への例えばバイアス電圧の供給内容を制御することで、該電流検出回路へのバイアス電流の供給量を通常駆動時よりも低減
する制御を行なう。
これによって、負荷の待機状態時において、第１及び第２の電源供給回路への駆動信号の供給制御に加えて、電流検出回路への駆動信号の供給制御を行うことができるので、負荷駆動装置の消費電力量を、より低減することができるという効果が得られる。

〔形態８〕 更に、形態８の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態２乃至６のいずれか１に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記負荷駆動装置は、前記負荷に流れる電流量を検出する電流検出回路を更に含んで構成されており、
前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段において、前記第１の供給内容が設定されたとき、及び前記第２の供給内容が設定されたときに、前記電流検出回路に、前記駆動信号の１つであるバイアス電圧信号を、バイアス電流信号が流れない電位で供給するようになっている。

このような構成であれば、供給内容設定手段によって、第１の供給内容又は第２の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、電流検出回路に、駆動信号の１つであるバイアス電圧信号を、バイアス電流信号が流れない電位で供給する。
これによって、例えば、負荷が待機状態のときに、電流検出回路における消費電流量を低減することができるので、負荷駆動装置の消費電力量を、より低減することができるという効果が得られる。

〔形態９〕 一方、上記目的を達成するために、形態９の駆動信号供給制御用半導体装置は、駆動対象である負荷に電気的に接続されるハイサイド側の第１のトランジスタとローサイド側の第２のトランジスタとを含み、前記第１及び第２のトランジスタをオン又はオフにすることで前記負荷が通電又は非通電となる構成のブリッジ回路と、前記第１のトランジスタを駆動する第１の駆動回路と、前記第２のトランジスタを駆動する第２の駆動回路と、前記第１の駆動回路に駆動電源を供給する第１の電源供給回路と、前記第２の駆動回路に駆動電源を供給する第２の電源供給回路と、少なくとも、前記第１の電源供給回路にバイアス電圧を供給する第１のバイアス電圧供給回路と、前記第２の電源供給回路にバイアス電圧を供給する第２のバイアス電圧供給回路とを備えた負荷駆動装置における、前記第１及び第２のバイアス電圧供給回路への駆動信号の供給を制御する駆動信号供給制御用半導体装置であって、前記負荷の待機状態に対応した前記負荷駆動装置の低消費電力駆動に係る前記駆動信号の供給内容を設定する供給内容設定手段と、前記供給内容設定手段で設定された供給内容に基づき、前記第１及び第２のバイアス電圧供給回路への前記駆動信号の供給内容を、前記負荷駆動装置がその通常駆動時よりも低い消費電力で駆動される内容にそれぞれ独立に制御する駆動信号供給制御手段と、を備える。

このような構成であれば、負荷の待機状態に応じて、供給内容設定手段によって所定の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、該設定された供給内容に基づき、通常駆動時と比較して負荷駆動装置が低消費電力で駆動される供給内容となる駆動信号を第１及び第２のバイアス電流供給回路に対してそれぞれ独立に生成して供給する。
例えば、第１の電源供給回路にはそのまま通常のバイアス電流を供給させ、第２の電源供給回路に供給するバイアス電流を通常駆動時よりも低減させる駆動信号を生成して、これを第１及び第２のバイアス電流供給回路に供給する供給制御を行うことで、従来と比較して負荷駆動装置の低消費電力駆動状態から通常駆動状態への復帰時間を短くしつつ、各回路の低消費電力化も行うといった駆動制御をすることができる。

駆動信号の供給内容の設定は、負荷の駆動状態に基づき適切な内容を設定するのが望ましく、例えば、負荷の待機時間が短い場合は、上記したように復帰時間がなるべく短くなるような供給内容を設定し、負荷の待機時間が長い場合は、負荷駆動装置ができる限り低消費電力で駆動される供給内容を設定する。
更に、負荷駆動装置が低消費電力駆動されるように第１及び第２のバイアス電流供給回路に供給する駆動信号の供給制御を行うと、結果的に第１及び第２の電源供給回路を低消費電力駆動させることになり、該電源供給回路から電源を供給される各回路についても低消費電力駆動をさせることができる。
従って、負荷駆動装置を効率的に低消費電力駆動させることができるという効果が得られる。

〔形態１０〕 更に、形態１０の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態９に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記第１のバイアス電圧供給回路は、第１のバイアス電流信号を第１の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第１の電圧変換部と、第２のバイアス電流信号を第２の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第２の電圧変換部と、第１の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号をオン状態で前記第１の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第３のトランジスタと、第２の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号よりも電流レベルの小さい第２のバイアス電流信号を、オン状態で前記第２の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第４のトランジスタと、前記第１及び第２の入力に基づき前記第１のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第１の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第１のバイアス電圧選択部とを含んで構成された回路であり、前記第２のバイアス電圧供給回路は、第１のバイアス電流信号を第１の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第１の電圧変換部と、第２のバイアス電流信号を第２の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第２の電圧変換部と、第１の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号をオン状態で前記第１の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第３のトランジスタと、第２の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号よりも電流レベルの小さい第２のバイアス電流信号を、オン状態で前記第２の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第４のトランジスタと、前記第１及び第２の入力に基づき前記第２のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第２の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第２のバイアス電圧選択部とを含んで構成された回路であり、前記供給内容設定手段で設定される供給内容は、第１の供給内容と第２の供給内容とを含み、前記駆動信号供給制御手段は、前記通常駆動時に、前記第１及び第２のバイアス電圧供給回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオン状態にし且つ前記第４のトランジスタをオフ状態にする前記第１及び第２の入力を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記第１及び第２のバイアス電圧供給回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオフ状態にし且つ前記第４のトランジスタをオン状態にする前記第１及び第２の入力を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記第１のバイアス電圧供給回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオン状態にし且つ前記第４のトランジスタをオフ状態にする前記第１及び第２の入力を供給すると共に、前記第２のバイアス電圧供給回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオフ状態にし且つ前記第４のトランジスタをオン状態にする前記第１及び第２の入力を供給するようになっている。

このような構成であれば、駆動信号供給制御手段は、通常駆動時に、第１のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオン状態にし且つ第４のトランジスタをオフ状態にする第１及び第２の入力を供給し、更に第２のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオン状態にし且つ第４のトランジスタをオフ状態にする第１及び第２の入力を供給することができる。これによって、第１のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に第１のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、
第１のバイアス電圧を第１の電源供給回路に供給することができる。更に、第２のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に第１のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第１のバイアス電圧を第２の電源供給回路に供給することができる。

更に、駆動信号供給制御手段は、供給内容設定手段で設定された供給内容が第１の供給内容のときに、第１のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオフ状態にし且つ第４のトランジスタをオン状態にする第１及び第２の入力を供給し、更に第２のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオフ状態にし且つ第４のトランジスタをオン状態にする第１及び第２の入力を供給することができる。これによって、第１のバイアス電圧出力回路の第２の電圧変換部に第１のバイアス電流信号よりも小さい電流レベルの第２のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第２のバイアス電圧を第１の電源供給回路に供給することができる。更に、第２のバイアス電圧出力回路の第２の電圧変換部に第２のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第２のバイアス電圧を第２の電源供給回路に供給することができる。

更に、駆動信号供給制御手段は、供給内容設定手段で設定された供給内容が第２の供給内容のときに、第１のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオン状態にし且つ第４のトランジスタをオフ状態にする第１及び第２の入力を供給すると共に、第２のバイアス電圧出力回路の第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、第３のトランジスタをオフ状態にし且つ第４のトランジスタをオン状態にする第１及び第２の入力を供給することができる。これによって、第１のバイアス電圧出力回路の第１の電圧変換部に第１のバイアス電流信号を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第１のバイアス電圧を第１の電源供給回路に供給することができる。更に、第２のバイアス電圧出力回路の第２の電圧変換部に第１のバイアス電流信号よりも小さい電流レベルの第２のバイアス電流を供給することができるので、第１及び第２の入力を適宜制御することで、第２のバイアス電圧を第２の電源供給回路に供給することができる。
これによって、上記形態９の駆動信号供給制御用半導体装置と同等の作用及び効果を得ることができる。

〔形態１１〕 更に、形態１１の駆動信号供給制御用半導体装置は、形態９に記載の駆動信号供給制御用半導体装置において、前記負荷駆動装置は、前記負荷に流れる電流量を検出する電流検出回路と、該電流検出回路にバイアス電圧を供給する第３のバイアス電圧供給回路とを更に含んで構成されており、前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段において、前記第１の供給内容が設定されたとき、及び前記第２の供給内容が設定されたときに、前記第３のバイアス電圧供給回路への前記駆動信号の供給を停止する制御を行うようになっている。

このような構成であれば、供給内容設定手段によって、第１の供給内容又は第２の供給内容が設定されると、駆動信号供給制御手段は、第３のバイアス電流供給回路への駆動信号（例えば、バイアス電流信号など）の供給を停止する。
これによって、例えば、負荷が待機状態のときに、電流検出回路における消費電流量を低減することができるので、負荷駆動装置の消費電力量を、より低減することができるという効果が得られる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。図１〜図９は、本発明に係る駆動
信号供給制御用半導体装置の実施の形態を示す図である。
本実施の形態において、本発明に係る駆動信号供給制御用半導体装置を、モータの駆動を制御するＨブリッジ回路を含んで構成されるモータ駆動装置に適用した。
まず、本発明に係るモータ駆動装置１の構成を図１に基づき説明する。図１は、本発明に係るモータ駆動装置１の構成を示すブロック図である。

モータ駆動装置１は、図１に示すように、制御回路１０と、駆動信号供給制御回路２０と、電源供給回路３０と、トランジスタ駆動回路４０と、Ｈブリッジ回路５０と、電流検出回路６０とを含んで構成される。
制御回路１０は、シリアルインターフェース回路を含んで構成され、外部のマイクロコンピュータ１００（以下、マイコン１００と言う）と接続されており、マイコン１００からの指令に応じて、モータ２を駆動制御するための各種制御信号（set、ctrlなど）を生
成して各回路に出力したり、電源供給回路３０への駆動信号の供給内容（供給モード）を内部のレジスタに設定して、該設定した内容を示す設定信号setを駆動信号供給制御回路
２０に出力したりする。

本実施の形態においては、供給モードとして、モータ２の通常駆動に対応する通常モード、モータ２の低消費電力駆動に対応するスリープモード、モータ２のアイドリング駆動に対応するアイドルモード１及びアイドルモード２の４つの供給モードを設定することができる。
従って、設定信号setは、スリープモードに対応するxsleepビット、アイドルモード１
に対応するIDLE1ビット、アイドルモード２に対応するIDLE2ビット、各モードに対応するバイアス電流のコントロールビットであるcctrl1〜6ビットからなる９ビットのビット列
に対応した信号となる。なお、ビットの値が「０」のときローレベル（以下、Ｌレベルという）の信号が対応し、「１」のときハイレベル（以下、Ｈレベルという）の信号が対応する。

駆動信号供給制御回路２０は、設定信号setの内容に基づき、レジスタに設定された各
供給モードに対応する供給内容の駆動信号を、電源供給回路３０を構成する各種電源供給回路と、電流検出回路６０とにそれぞれ供給する。
電源供給回路３０は、駆動信号供給制御回路２０からの駆動信号に基づき、自己を構成する各種電源供給回路を駆動して、トランジスタ駆動回路４０に各種駆動電源を供給する。

トランジスタ駆動回路４０は、制御回路１０からの制御信号に基づき、Ｈブリッジ回路５０を構成するハイサイド側のトランジスタとローサイド側のトランジスタとをそれぞれ独立に駆動する。
Ｈブリッジ回路５０は、ハイサイド側のＤＭＯＳＦＥＴＱ１、Ｑ３と、ローサイド側のＤＭＯＳＦＥＴＱ２、Ｑ４とをＨブリッジ型に接続した構成を有する。そして、ハイサイド側のトランジスタＱ１、Ｑ３とローサイド側のトランジスタＱ２、Ｑ４とが、トランジスタ駆動回路４０によってそれぞれ独立に駆動制御されることによって、その制御内容に応じて、駆動対象である直流モータ２を、正回転駆動、逆回転駆動、ブレーキ駆動などする。

電流検出回路６０は、駆動信号供給制御回路２０からの駆動信号に基づき検出動作して、モータ２に流れる電流のレベルを検出して、該検出結果に基づく電流検出信号signal#aを制御回路１０などに出力する。

次に、図２に基づき、駆動信号供給制御回路２０及び電源供給回路３０の内部構成を説明する。
ここで、図２は、駆動信号供給制御回路２０及び電源供給回路３０の内部構成を示すブロック図である。
駆動信号供給制御回路２０は、図２に示すように、第１の駆動信号供給制御回路２１と、第２の駆動信号供給制御回路２２とを含んで構成される。
更に、電源供給回路３０は、図２に示すように、トランジスタ駆動回路４０のハイサイド側のトランジスタを駆動する回路に駆動電源を供給するコンデンサ・チャージ・ポンプ式のＤＣ／ＤＣコンバータ３１と、トランジスタ駆動回路４０のローサイド側のトランジスタを駆動する回路に駆動電源を供給するリニア・レギュレータから構成されるＬＤＯ（低ドロップアウトレギュレータ）３２と、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１、ＬＤＯ３２及び電流検出回路６０にバイアス電圧信号（outBIAS1，2，3）を供給するバイアス電圧供給部３３とを含んで構成される。

第１の駆動信号供給制御回路２１は、設定された供給モードに基づき、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１を構成するスイッチング素子に供給する駆動信号の１つである昇圧クロック信号（スイッチング信号）の供給制御を行う。
本実施の形態においては、図３に示すように、設定された供給モードが、スリープモード及びアイドルモード２のときは、スイッチング素子への昇圧クロック信号の供給を停止する。また、設定された供給モードが、アイドルモード１のときは、昇圧クロック信号の周波数をモータ２の通常駆動時よりも低周波数にした低周波昇圧クロック信号をスイッチング素子に供給する。

ここで、図３は、各供給モードと供給制御内容との関係の一例を示す図である。
第２の駆動信号供給制御回路２２は、設定された供給モードに基づき、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１、ＬＤＯ３２及び電流検出回路６０にバイアス電流を供給するためのバイアス電圧信号を供給する、バイアス電圧供給部３３に供給する駆動信号の供給制御を行う。
具体的に、図３に示すように、設定された供給モードが、スリープモードのときは、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１及びＬＤＯ３２へのバイアス電圧信号の供給を停止すると共に、電流検出回路６０へのバイアス電圧信号の供給を停止してバイアス電流信号が流れないようにする電流制御を行う。また、設定された供給モードが、アイドルモード１及びアイドルモード２のときは、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１へのバイアス電圧信号はモータ２の通常駆動時と同じバイアス電圧信号とし、ＬＤＯ３２へのバイアス電圧信号はモータ２の通常駆動時よりもバイアス電流の供給量が低減されるように供給し、電流検出回路６０へのバイアス電圧信号の供給を停止してバイアス電流が流れないようにする電流制御を行う。

ＤＣ／ＤＣコンバータ３１は、公知のコンデンサ・チャージ・ポンプ方式（スイッチト・キャパシタ方式ともいう）のＤＣ／ＤＣコンバータであり、モータ２の駆動電圧ＶBBを入力として、ＶBBを、これにＨブリッジ回路５０のハイサイド側のトランジスタＱ１、Ｑ３の駆動電位ＶGH分を加算したＶBB＋ＶGHに昇圧して出力する。
ＬＤＯ３２は、公知のリニア・レギュレータの１種であり、出力用トランジスタ、オペアンプ、基準電圧源、分圧抵抗などを含んで構成され、入力電圧端子と出力電圧端子との間に出力用トランジスタを接続し、オペアンプで出力電圧と基準電圧とを比較し、オペアンプの出力で出力用トランジスタのオン抵抗を制御して出力電圧を一定に保つように構成されている。このとき出力用トランジスタは、パルス駆動ではなく連続駆動される。

バイアス電圧供給部３３は、第２の駆動信号供給制御回路２２から供給される駆動信号に基づき、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１、ＬＤＯ３２及び電流検出回路６０に、設定された供給モードに応じたバイアス電圧信号の供給をそれぞれ独立に行う。

次に、図４に基づき、第１の駆動信号供給制御回路２１の内部構成を説明する。
ここで、図４（ａ）は、第１の駆動信号供給制御回路２１の内部構成を示すブロック図
であり、（ｂ）は、昇圧クロック信号の出力先の回路の一部を示す図である。
第１の駆動信号供給制御回路２１は、図４（ａ）に示すように、第１分周回路２１ａと、第２分周回路２１ｂと、セレクタ２１ｃと、第１ＡＮＤ回路２１ｅと、第２のＡＮＤ回路２１ｆと、昇圧クロック生成回路２１ｇとを含んで構成される。

第１の分周回路２１ａは、不図示のオシレータから供給される基本ＣＬＫ信号を分周して、モータ２の通常駆動に対応するスイッチング周波数の第１のクロック信号を生成して、セレクタ２１ｃの入力端子Ａに入力する。
第２の分周回路２１ｂは、第１のクロック信号（通常ＣＬＫ）を分周して、該第１のクロック信号のスイッチング周波数よりも低周波数の第２のクロック信号（低速ＣＬＫ）を生成して、セレクタ２１ｃの入力端子Ｂに入力する。

セレクタ２１ｃは、セレクト信号入力端子Ｓに入力される設定信号setのIDLE1ビットに対応する信号（以下、IDLE1信号という）に基づき、この信号がＬレベルの信号のときに
、第１のクロック信号をセレクトして第１のＡＮＤ回路２１ｄの第１入力端子に入力する。一方、IDLE1信号がＨレベルのときに、第２のクロック信号をセレクトして第１のＡＮ
Ｄ回路の第１入力端子に入力する。

ＮＯＴ回路２１ｄは、設定信号setのIDLE2ビットに対応する信号（以下、IDLE2信号と
いう）をレベル反転して、第１のＡＮＤ回路２１ｅの第２入力端子に入力する。つまり、IDLE2信号がＨレベルならＬレベルに、ＬレベルならＨレベルに変換して出力する。
第１のＡＮＤ回路２１ｅは、第１入力端子の入力信号と第２入力端子の入力信号との論理積の結果に対応するレベルの信号を第２のＡＮＤ回路２１ｆの第１入力端子に入力する。具体的に、IDLE2信号がＨレベルならば、第１のＡＮＤ回路２１ｅの出力は必ずＬレベ
ルとなり、IDLE2信号がＬレベルならば、セレクタ２１ｃでセレクトされたクロック信号
のレベルがそのまま出力される。

第１のＡＮＤ回路２１ｆは、第１入力端子に入力された第１のＡＮＤ回路２１ｅからの論理積の結果に対応するレベルの信号と、第２の入力端子に入力された、設定信号setのxsleepビットに対応する信号（以下、xsleep信号という）との論理積の結果に対応するレ
ベルの信号を昇圧クロック生成回路２１ｇに入力する。具体的に、xsleep信号がＨレベルならば、第１のＡＮＤ回路２１ｅから入力された信号がそのまま昇圧クロック生成回路２１ｇに入力される。一方、xsleep信号がＬレベルならば、第１のＡＮＤ回路２１ｆの出力は必ずＬレベルとなる。

昇圧クロック生成回路２１ｇは、入力信号と同位相で電圧レベル変換した信号をＰチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ用の昇圧クロック信号ＣＬＫＰとし、更に入力信号を反転した信号を生成してこれをＮチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ用の昇圧クロック信号ＣＬＫＮとして、これら昇圧クロック信号ＣＬＫＰ及びＣＬＫＮを出力する。

具体的に、図４（ｂ）に示すように、ＤＣ／ＤＣコンバータは、スイッチング素子として、Ｐチャンネル型のＭＯＳＦＥＴであるＰＴｒ３３と、Ｎチャンネル型のＭＯＳＦＥＴであるＮＴｒ３４とを有している。従って、昇圧クロック生成回路２１ｇは、昇圧クロック信号ＣＬＫＰをＰＴｒ３３のゲート端子に供給し、昇圧クロック信号ＣＬＫＮをＮＴｒ３４のゲート端子に供給する。これによりＰＴｒ３３及びＮＴｒ３４のオン・オフを制御して、電源電圧ＶGHに並列接続したコンデンサＣ３５をチャージしてコンデンサＣ３５の両端の電位をＶGHにし、その後、電源電圧ＶBBとコンデンサＣ３５とを直列接続することでＶBB＋ＶGHへと昇圧する。なお、図示はしないが、ＤＣ／ＤＣコンバータの出力をコンパレータで電圧監視してクロック信号によるスイッチング動作させたり、停止させたりして安定化されたＶBB＋ＶGHの電圧になるように制御している。

次に、図５及び図６に基づき、第２の駆動信号供給制御回路２２の内部構成を説明する。
ここで、図５は、第２の駆動信号供給制御回路２２及びバイアス電圧供給部３３の内部構成を示すブロック図である。また、図６は、第１のバイアス電圧出力回路２２ａの内部構成を示すブロック図である。

第２の駆動信号供給制御回路２２は、図５に示すように、第１のバイアス電圧出力回路２２ａと、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂと、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃとを含んで構成される。
更に、バイアス電圧供給部３３は、図５に示すように、バイアス電圧信号outBIAS1をＤＣ／ＤＣコンバータ３１に供給する第１のバイアス電圧選択回路３４と、バイアス電圧信号outBIAS2をＬＤＯ３２に供給する第２のバイアス電圧選択回路３５と、バイアス電圧信号outBIAS3を電流検出回路６０に供給する第３のバイアス電圧選択回路３６とを含んで構成される。

第１のバイアス電圧出力回路２２ａは、制御回路１０からの設定信号setにおけるcctrl1〜2ビットに対応する信号（以下、cctrl1〜2信号という）と、不図示の基準電圧生成回
路からの基準電圧ＶREFとに基づき、第１のバイアス電圧選択回路３４に対して、バイア
ス電圧信号BIAS1又はBIAS2の供給を行ったり、該BIAS1及びBIAS2の供給を停止したりする。

第２のバイアス電圧出力回路２２ｂは、制御回路１０からの設定信号setにおけるcctrl3〜4ビットに対応する信号（以下、cctrl3〜4信号という）と、不図示の基準電圧生成回
路からの基準電圧ＶREFとに基づき、第２のバイアス電圧選択回路３５に対して、バイア
ス電圧信号BIAS1又はBIAS2の供給を行ったり、該BIAS1及びBIAS2の供給を停止したりする。

第３のバイアス電圧出力回路２２ｃは、制御回路１０からの設定信号setにおけるcctrl5〜6ビットに対応する信号（以下、cctrl5〜6信号という）と、不図示の基準電圧生成回
路からの基準電圧ＶREFとに基づき、第３のバイアス電圧選択回路３６に対して、バイア
ス電圧信号BIAS1又はBIAS2の供給を行ったり、該BIAS1及びBIAS2の供給を停止したりする。

第１のバイアス電圧選択回路３４は、制御回路１０からのcctrl1信号及びcctrl2信号に基づき、第１のバイアス電圧出力回路２２ａから入力されるバイアス電圧信号BIAS1又はBIAS2のいずれか一方を選択して、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１に供給する。
第２のバイアス電圧選択回路３５は、制御回路１０からのcctrl3信号及びcctrl4信号に基づき、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂから入力されるバイアス電圧信号BIAS1又はBIAS2のいずれか一方を選択して、ＬＤＯ３２に供給する。

第３のバイアス電圧選択回路３６は、制御回路１０からのcctrl5信号及びcctrl6信号に基づき、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃから入力されるバイアス電圧信号BIAS1又はBIAS2のいずれか一方を選択して電流検出回路６０に供給するか、いずれの供給も行わないようにする。

次に、図６に基づき、第１のバイアス電圧出力回路２２ａの回路構成を説明する。
ここで、図６は、第１のバイアス電圧出力回路２２ａの回路構成を示す図である。
第１のバイアス電圧出力回路２２ａは、図６に示すように、Ｐチャンネル型の電界効果トランジスタ（以下、ＰＴｒという）２３ｅ、２３ｆ、２３ｋと、Ｎチャンネル型の電界
効果トランジスタ（以下、ＮＴｒという）２３ｃ、２３ｉ、２３ｊ、２３ｍ、２３ｎとを含んで構成される。

ＮＴｒ２３ｃは、ソース端子が接地電位（０Ｖ）となるグラウンドノードに電気的に接続され、ドレイン端子がＰＴｒ２３ｅのドレイン端子と電気的に接続されている。そして、ＮＴｒ２３ｃのゲート端子には、不図示の基準電圧供給回路からの基準電圧ＶREFが印
加されるようになっている。

ＰＴｒ２３ｅ、２３ｆ、２３ｋは、各ゲート端子同士が電気的に接続されており、この接続部には、ＮＴｒ２３ｅのドレイン端子が電気的に接続され、カレントミラー回路を形成している。ＰＴｒ２３ｅ、２３ｆ、２３ｋの各ソース端子は、電源電圧ＶDDが供給される電源ノードに電気的に接続され、ＰＴｒ２３ｅのドレイン端子はＮＴｒ２３ｃのドレイン端子と、ＰＴｒ２３ｆのドレイン端子はＮＴｒ２３ｉのドレイン端子と、ＰＴｒ２３ｋのドレイン端子はＮＴｒ２３ｊのドレイン端子とそれぞれ電気的に接続されている。そして、ＮＴｒ２３ｃが、ＶREFの印加によりオンすると、ＰＴｒ２３ｆ、２３ｋを介して、
ＮＴｒ２３ｉ、２３ｊにそれぞれ、バイアス電流信号IBIAS1、IBIAS2が流れる。
ここで、ＰＴｒ２３ｅに対するＰＴｒ２３ｆ及びＰＴｒ２３ｋのトランジスタサイズ比（電流供給能力比）によって、バイアス電流信号IBIAS1、IBIAS2の電流量が規定される。

本実施の形態では、ＰＴｒ２３ｆを、ＰＴｒ２３ｋよりも電流供給能力の大きいトランジスタサイズで構成して、バイアス電流信号IBIAS1、IBIAS2を、「IBIAS1＞IBIAS2」の関係となるようにしている。具体的に、バイアス電流信号IBIAS1が、モータ駆動装置１の通常駆動時に必要な電流量を満たすように、且つバイアス電流信号IBIAS2が、低消費電力駆動時に流す電流量となるようにＰＴｒ２３ｆ及びＰＴｒ２３ｋのトランジスタサイズ（電流供給能力）が決定されている。

ＮＴｒ２３ｍは、ドレイン端子がＮＴｒ２３ｉのソース端子と電気的に接続され、ソース端子がグラウンドノードに電気的に接続されており、ゲート端子には、制御回路１０からのcctrl1信号（電圧信号）が入力されるようになっている。そして、cctrl1信号によって、オン・オフが制御され、cctrl1信号がＨレベルのときはオンとなって、IBIAS1が流れるのでＮＴｒ２３ｉのソース端子と電気的に接続された出力端子１から、IBIAS1の電流量に応じたレベルのバイアス電圧信号BIAS1を出力するようにする。一方、cctrl1信号がＬ
レベルのときはＮＴｒ２３ｍはオフとなって、IBIAS1が流れなくなる。

ＮＴｒ２３ｎは、ドレイン端子がＮＴｒ２３ｊのソース端子と電気的に接続され、ソース端子がグラウンドノードに電気的に接続されており、ゲート端子には、制御回路１０からのcctrl2信号（電圧信号）が入力されるようになっている。そして、cctrl2信号によって、オン・オフが制御され、cctrl2信号がＨレベルのときはオンとなって、IBIAS2が流れるのでＮＴｒ２３ｊのソース端子と電気的に接続された出力端子２から、IBIAS2の電流量に応じたレベルのバイアス電圧信号BIAS2を出力するようにする。一方、cctrl1信号がＬ
レベルのときはＮＴｒ２３ｎはオフとなって、IBIAS2が流れなくなる。

なお、出力端子１、２は、後段の第１のバイアス電圧選択回路３４の有する２つのトランスミッションゲートにそれぞれ電気的に接続されている。
また、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂ及び第３のバイアス電圧出力回路２２ｃは、バイアス電圧信号の出力先が、第２のバイアス電圧選択回路３５及び第３のバイアス電圧選択回路３６となるだけで、第１のバイアス電圧出力回路２２ａと回路構成は同等となる。但し、最終的な出力先はそれぞれ異なるので、出力先の性能に応じて使用されるトランジスタの特性などは異なる場合がある。

次に、図７に基づき、第１のバイアス電圧選択回路３４の回路構成を説明する。
ここで、図７（ａ）は、第１のバイアス電圧選択回路３４の回路構成を示す図であり、（ｂ）は、第３のバイアス電圧選択回路３６の回路構成を示す図である。
第１のバイアス電圧選択回路３４は、図７（ａ）に示すように、第１のトランスミッションゲート２３ｐと、第２のトランスミッションゲート２３ｒとを含んで構成される。

第１のトランスミッションゲート２３ｐの入力端子には、第１のバイアス電圧出力回路２２ａからのバイアス電圧信号BIAS1が入力され、制御信号入力端子には制御回路１０か
らのcctrl1信号が入力される。そして、第１のトランスミッションゲート２３ｐは、cctrl1信号がＬレベルのときはオフとなってBIAS1をブロックし、cctrl1信号がＨレベルのと
きはオンとなってBIAS1を出力端子から出力する。

第２のトランスミッションゲート２３ｒの入力端子には、第１のバイアス電圧出力回路２２ａからのバイアス電圧信号BIAS2が入力され、制御信号入力端子には制御回路１０か
らのcctrl2信号が入力される。そして、第２のトランスミッションゲート２３ｒは、cctrl2信号がＬレベルのときはオフとなってBIAS2をブロックし、cctrl2信号がＨレベルのと
きはオンとなってBIAS2を出力端子から出力する。

第１のトランスミッションゲート２３ｐの出力端子と、第２のトランスミッションゲート２３ｒの出力端子とは電気的に接続されており、該接続部に電気的に接続された出力端子３から、バイアス電圧信号BIAS1又はBIAS2が、outBIAS1としてＤＣ／ＤＣコンバータ３１へと出力される。
なお、第２のバイアス電圧選択回路３５は、第１のバイアス電圧選択回路３４と同等の回路構成を有しており、制御回路１０からのcctrl3信号、cctrl4信号に基づき、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂからのバイアス電圧信号BIAS1及びBIAS2のいずれか一方を選択して、これをoutBIAS2としてＬＤＯ３２に出力する。

次に、第３のバイアス電圧選択回路３６は、図７（ｂ）に示すように、第１のトランスミッションゲート２３ｐと、第２のトランスミッションゲート２３ｒと、ＮＯＴ回路２３ｓと、ＮＴｒ２３ｄとを含んで構成される。
具体的に、上記第１のバイアス電圧選択回路３４に、ＮＯＴ回路２３ｓと、ＮＴｒ２３ｄとが追加された構成を有している。

第１のトランスミッションゲート２３ｐの入力端子には、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃからのバイアス電圧信号BIAS1が入力され、制御信号入力端子には制御回路１０か
らのcctrl5信号が入力される。そして、cctrl5信号がＬレベルのときはBIAS1をブロック
し、cctrl5信号がＨレベルのときはBIAS1を出力端子から出力する。
第２のトランスミッションゲート２３ｒの入力端子には、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃからのバイアス電圧信号BIAS2が入力され、制御信号入力端子には制御回路１０か
らのcctrl6信号が入力される。そして、cctrl6信号がＬレベルのときはBIAS2をブロック
し、cctrl6信号がＨレベルのときはBIAS2を出力端子から出力する。

ＮＴｒ２３ｄは、ドレイン端子が、第１のトランスミッションゲート２３ｐの出力端子と第２のトランスミッションゲート２３ｒの出力端子とが電気的に接続された出力端子３に電気的に接続され、ソース端子が、グランドノードに電気的に接続され、ゲート端子が、ＮＯＴ回路２３ｓの出力端子に電気的に接続されている。
ＮＯＴ回路２３ｓの入力端子には、制御回路１０からのcctrl5信号が入力され、cctrl5信号は該ＮＯＴ回路２３ｓで反転されてＮＴｒ２３ｄのゲート端子に入力される。

従って、Ｌレベルのcctrl5信号がＮＯＴ回路２３ｓに入力されると、Ｈレベルに反転さ
れてＮＴｒ２３ｄのゲート端子に入力されるので、これによりＮＴｒ２３ｄがオンとなり、cctrl6信号の内容に関係なくoutBIAS3がＬレベル（接地電位）となる。一方、Ｈレベルのcctrl5信号がＮＯＴ回路２３ｓに入力されると、ＮＴｒ２３ｄがオフとなり、このときcctrl6信号はＬレベルとなるように制御されるので、バイアス電圧信号BIAS1がoutBIAS3
として電流検出回路６０に出力される。

次に、図８に基づき、トランジスタ駆動回路４０の構成を説明する。
ここで、図８は、トランジスタ駆動回路４０の構成を示すブロック図である。
トランジスタ駆動回路４０は、図８に示すように、制御回路１０からの制御信号ctrl1
に基づき、Ｈブリッジ回路５０のＱ１のオン・オフ動作を制御する第１ＨＳＴ（ハイ・サイド・トランジスタ）駆動回路４０ａと、制御回路１０からの制御信号ctrl2に基づき、
Ｑ３のオン・オフ動作を制御する第２ＨＳＴ駆動回路４０ｂとを含んで構成される。

更に、トランジスタ駆動回路４０は、制御回路１０からの制御信号ctrl3に基づき、Ｈ
ブリッジ回路５０のＱ２のオン・オフ動作を制御する第１ＬＳＴ（ロー・サイド・トランジスタ）駆動回路４０ｃと、制御回路１０からの制御信号ctrl4に基づき、Ｑ４のオン・
オフ動作を制御する第２ＬＳＴ駆動回路４０ｄとを含んで構成される。
ここで、制御回路１０からの制御信号ctrl1〜ctrl4は、モータ２の駆動内容に応じてＱ１〜Ｑ４のオン・オフを制御する信号（例えば、ＰＷＭ信号）であり、Ｑ１〜Ｑ４は、トランジスタ駆動回路４０において、各ＤＭＯＳＦＥＴに対応する制御信号がＬレベルでオンに、Ｈレベルでオフに駆動制御される。

なお、トランジスタ駆動回路４０は、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１と、ＬＤＯ３２とから供給される駆動電源によって駆動される。従って、これらの電源が低消費電力駆動されると、トランジスタ駆動回路４０も低消費電力駆動される。

次に、図９に基づき、Ｈブリッジ回路５０及び電流検出回路６０の詳細な構成を説明する。
ここで、図９は、Ｈブリッジ回路５０及び電流検出回路６０の詳細な構成を示す図である。
Ｈブリッジ回路５０は、図９に示すように、スイッチング素子としての役割を果たす４つのＮチャンネル型のＤＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ４を、Ｑ１、Ｑ３をハイサイド側に、Ｑ２、Ｑ４をローサイド側に配してＨブリッジ型に接続して構成される。

具体的に、Ｑ１のソース端子とＱ２のドレイン端子とを電気的に接続し、Ｑ３のソース端子とＱ４のドレイン端子とを電気的に接続し、Ｑ１及びＱ２の接続部から出力を取り出す出力端子ＯＵＴＡと、Ｑ３及びＱ４の接続部から出力を取り出す出力端子ＯＵＴＢとをそれぞれ形成して構成される。そして、このＯＵＴＡ及びＯＵＴＢには、直流モータ２が接続されている。また、Ｄ１〜Ｄ４は、Ｑ１〜Ｑ４の内部に寄生的に作られたボディダイオードである。

このＨブリッジ回路５０のハイサイド側（Ｑ１、Ｑ３のドレイン端子）には、モータの駆動電圧源から駆動電圧ＶBBが供給されるようになっている。一方、ローサイド側（Ｑ２、Ｑ４のソース端子側）は、電流検出用の抵抗Ｒｓを介してグラウンドに接続されている。
Ｈブリッジ回路５０のＱ１〜Ｑ４のゲート端子には、トランジスタ駆動回路４０からの駆動線がそれぞれ電気的に接続されており、該駆動線を介して供給される駆動電位及び駆動電流に基づきＱ１〜Ｑ４がそれぞれ独立に駆動制御される。

次に、電流検出回路６０は、図９に示すように、Ｉ／Ｖ変換回路６０ａと、比較器６０
ｂと、基準電圧生成回路６０ｃとを含んで構成される。
Ｉ／Ｖ変換回路６０ａは、その入力端子がＨブリッジ回路５０の電流検出抵抗Ｒｓの両端に電気的に接続されており、その出力端子が比較器６０ｂの入力端子に電気的に接続されている。そして、Ｈブリッジ回路５０のＲｓを流れる電流が入力されると、その電流を電圧に変換して比較器６０ｂに入力する。

比較器６０ｂは、その出力端子が、制御回路１０の入力端子に電気的に接続されている。そして、Ｉ／Ｖ変換回路６０ａから入力された電圧Ｖsと、基準電圧生成回路６０ｃか
ら入力された基準電圧Ｖrefとを比較して、Ｖsの電圧レベルがＶrefのレベル以上であれ
ばＨレベルの比較信号signal#aを出力し、Ｖsの電圧レベルがＶrefのレベル未満であればＬレベルの比較信号signal#aを出力する。

ここで、Ｒｓを流れる電流Ｉｓは、例えば、図９に示すように、Ｈブリッジ回路５０のＱ３がオン状態のときで、且つＱ２がオフ状態からオン状態へと移行し、Ｑ２のドレイン−ソース間を電流が流れる状態となったときに、モータ２のコイルＭＬを通過して流れる電流である（図中の点線矢印）。

次に、本実施の形態のモータ駆動装置１の実際の動作を説明する。
ここでは、制御回路１０の内部レジスタにおいて、ｘsleepビットが「１」で、IDLE1ビット及びIDLE2ビットが「０」のときに通常モードが設定され、xsleepビットが「０」に
設定されているときに他のビットの状態に関係なく、供給モードとしてスリープモードが設定され、ｘsleepビットが「１」で、IDLE1ビットが「１」、IDLE2ビットが「０」のと
きは、アイドルモード１が設定され、ｘsleepビットが「１」で、IDLE1ビットが「０」、IDLE2ビットが「１」のときは、アイドルモード２が設定される。

更に、通常モードが設定されたときは、cctrl1ビット，cctrl3ビット，cctrl5ビットは「１」が、cctrl2ビット，cctrl4ビット，cctrl6ビットは「０」が設定される。
また、スリープモードが設定されたときは、cctrl2ビット，cctrl4ビットは「１」が、cctrl1ビット，cctrl3ビット，cctrl5ビット及びcctrl6ビットは「０」が設定される。
また、アイドルモード１及び２が設定されたときは、cctrl2ビット，cctrl3ビットには「１」が、cctrl1ビット，cctrl4，cctrl5及びcctrl6ビットは「０」が設定される。

モータ駆動装置１の主電源がオンされ、モータ２の駆動が開始されると、制御回路１０は、内部レジスタに通常モードを設定する。つまり、供給モードの設定値が、xsleep、IDLE1、IDLE2、cctrl1ビット〜cctrl6の各ビットがこの順で上位ビットから下位ビットに向かって並んだ構成であるとすると通常モードのときは設定値「100101010」がレジスタに
設定される。

制御回路１０は、内部レジスタに設定された通常モードの設定値を読み出し、この内容を示す設定信号setを駆動信号供給制御回路２０に出力する。
駆動信号供給制御回路２０は、設定信号setの内容「100101010」に基づき、電源供給回路３０及び電流検出回路６０の駆動信号の供給制御を開始する。
通常モードの場合は、第１の駆動信号供給制御回路２１に、Ｈレベルのxsleep信号と、ＬレベルのIDLE1、IDLE2信号が入力される。

これにより、セレクタ２１ｃは、セレクト信号入力端子ＳにＬレベルのIDLE1信号が入
力されるので、第１のクロック信号（通常ＣＬＫ）を第１のＡＮＤ回路２１ｅの第１入力端子に出力する。第１のＡＮＤ回路２１ｅは、第２入力端子にＮＯＴ回路２１ｄで反転されてＨレベルとなったIDLE2信号が入力されるので、第１入力端子に入力された第１のク
ロック信号をそのまま第２のＡＮＤ回路２１ｆの第１入力端子に出力する。第２のＡＮＤ
回路２１ｆは、第２入力端子にＨレベルのxsleep信号が入力されるので、第１入力端子に入力された第１のクロック信号をそのまま昇圧クロック生成回路２１ｇに出力する。これにより、昇圧クロック生成回路２１ｇは、入力された第１のクロック信号から昇圧クロック信号ＣＬＫＰ及びＣＬＫＮを生成して、該生成した昇圧クロック信号を、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１のＰＴｒ３３及びＮＴｒ３４に供給する。

一方、第２の駆動信号供給制御回路２２の、第１のバイアス電圧出力回路２２ａにはＨレベルのcctrl1信号とＬレベルのcctrl2信号とが入力され、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂにはＨレベルのcctrl3信号とＬレベルのcctrl4信号とが入力され、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃにはＨレベルのcctrl5信号とＬレベルのcctrl6信号とが入力される。
従って、第１のバイアス電圧出力回路２２ａでは、Ｈレベルのcctrl1信号がＮＴｒ２３ｍのゲート端子に入力されＮＴｒ２３ｍがオンとなるので、IBIAS1が流れ、出力端子１からは、IBIAS1の電流量に応じたバイアス電圧信号BIAS1が、第１のバイアス電圧選択回路
３４の第１のトランスミッションゲート２３ｐの入力端子に供給される。

一方、Ｌレベルのcctrl2信号がＮＴｒ２３ｎのゲート端子に入力されＮＴｒ２３ｎがオフとなるので、IBIAS2が流れなくなる。
更に、第１のバイアス電圧選択回路３４では、第１のトランスミッションゲート２３ｐの制御信号入力端子にＨレベルのcctrl1信号が供給され、第２のトランスミッションゲート２３ｒの制御信号入力端子にＬレベルのcctrl2信号が供給されるので、第１のトランスミッションゲート２３ｐからの出力であるバイアス電圧信号BIAS1がoutBIAS1として出力
端子３から出力され、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１に供給される。

以上より、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１には、第１のクロック信号が供給され、IBIAS1から生成されたバイアス電圧信号outBIAS1が供給される。
更に、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂ及び第２のバイアス電圧選択回路３５は、上記第１のバイアス電圧出力回路２２ａ及び第１のバイアス電圧選択回路３４と同様の動作を行ない、ＬＤＯ３２に、IBIAS1から生成されたバイアス電圧信号outBIAS2を供給する。

また、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃは、上記第１のバイアス電圧出力回路２２ａと同様の動作を行い、バイアス電流信号IBIAS1を電圧変換して生成したバイアス電圧信号BIAS1を、第３のバイアス電圧選択回路３６の第１のトランスミッションゲート２３ｐの
入力端子に供給する。
第３のバイアス電圧選択回路３６では、第１のトランスミッションゲート２３ｐの制御信号入力端子にＨレベルのcctrl5信号が供給され、第２のトランスミッションゲート２３ｒの制御信号入力端子にＬレベルのcctrl6信号が供給され、ＮＯＴ回路２３ｓの入力端子にＨレベルのcctrl5信号が供給される。

これにより、第１のトランスミッションゲート２３ｐがオンに、第２のトランスミッションゲート２３ｒがオフに、ＮＴｒ２３ｄがオフになるので、第１のトランスミッションゲート２３ｐからの出力であるバイアス電圧信号BIAS1がoutBIAS3として出力端子３から
出力され、電流検出回路６０に供給される。
従って、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１が通常駆動して、電源電圧ＶBB＋ＶGHの電源を第１及び第２ＨＳＴ駆動回路４０ａ及び４０ｂに供給し、ＬＤＯ３２が通常駆動して電源電圧ＶGLの電源を第１及び第２ＬＳＴ駆動回路４０ｃ及び４０ｄに供給する。

これによって、第１及び第２ＨＳＴ駆動回路４０ａ及び４０ｂと第１及び第２ＬＳＴ駆動回路４０ｃ及び４０ｄも通常駆動し、制御回路１０からの制御信号ctrl1〜4で指定された制御内容で、Ｑ１〜Ｑ４を駆動し、モータ２を駆動する。
更に、電流検出回路６０にも、IBIAS1から生成されたバイアス電圧信号がoutBIAS3が供
給されるので、電流検出回路６０も通常駆動する。

次に、モータ２が駆動状態から待機状態に移行すると、制御回路１０は、スリープモード、アイドルモード１及びアイドルモード２のうちいずれかのモードを内部レジスタに設定する。この設定は、負荷の駆動プログラムを解析するなどして、予め設定アルゴリズムをプログラミングしておく。なお、制御回路１０による自動設定ではなく、入力装置を用いたユーザによる手動設定としてもよい。

まず、スリープモードが設定された場合の動作を説明する。
スリープモードのときは、制御回路１０によって設定値「0**010100」がレジスタに設
定される。なお、*のビットは０、１のどちらでも良い。
制御回路１０は、内部レジスタに設定されたスリープモードの設定値を読み出し、この内容を示す設定信号setを駆動信号供給制御回路２０に出力する。

駆動信号供給制御回路２０は、設定信号setの内容「0**010100」に基づき、電源供給回路３０及び電流検出回路６０の駆動信号の供給制御を開始する。
スリープモードの場合は、第１の駆動信号供給制御回路２１に、Ｌレベルのxsleep信号が入力される。
これにより、第２のＡＮＤ回路２１ｆは、第２入力端子にＬレベルのxsleep信号が入力されるので、Ｌレベルの信号を昇圧クロック生成回路２１ｇに出力する。これにより、昇圧クロック生成回路２１ｇは、Ｈレベルの信号（定電位の信号）を、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１のＰＴｒ３３に供給し、Ｌレベルの信号（定電位の信号）をＮＴｒ３４に供給する。

一方、第２の駆動信号供給制御回路２２の、第１のバイアス電圧出力回路２２ａにはＬレベルのcctrl1信号とＨレベルのcctrl2信号が入力され、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂにはＬレベルのcctrl3信号とＨレベルのcctrl4信号が入力され、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃにはＬレベルのcctrl5，cctrl6信号が入力される。
従って、第１のバイアス電圧出力回路２２ａでは、Ｌレベルのcctrl1信号がＮＴｒ２３ｍのゲート端子に入力されＮＴｒ２３ｍがオフとなるので、IBIAS1が流れなくなる。

一方、Ｈレベルのcctrl2信号がＮＴｒ２３ｎのゲート端子に入力されＮＴｒ２３ｎがオンとなるので、IBIAS2が流れ、出力端子２からは、IBIAS2の電流量に応じたバイアス電圧信号BIAS2が、第１のバイアス電圧選択回路３４の第２のトランスミッションゲート２３
ｒの入力端子に供給される。
更に、第１のバイアス電圧選択回路３４では、第１のトランスミッションゲート２３ｐの制御信号入力端子にＬレベルのcctrl1信号が供給され、第２のトランスミッションゲート２３ｒの制御信号入力端子にＨレベルのcctrl2信号が供給されるので、第２のトランスミッションゲート２３ｒからの出力であるバイアス電圧信号BIAS2がoutBIAS1として出力
端子３から出力され、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１に供給される。

これにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１には、クロック信号が供給されず、IBIAS1よりも電流量の少ないIBIAS2から生成されたバイアス電圧信号outBIAS1が供給される。
更に、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂ及び第２のバイアス電圧選択回路３５は、上記第１のバイアス電圧出力回路２２ａ及び第１のバイアス電圧選択回路３４と同様の動作を行ない、ＬＤＯ３２に、バイアス電流信号IBIAS2から生成されたバイアス電圧信号outBIAS2を供給する。

これにより、ＬＤＯ３２には、バイアス電流信号IBIAS1よりも電流量の少ないIBIAS2から生成されたバイアス電圧信号outBIAS2が供給される。
また、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃでは、Ｌレベルのcctrl5信号がＮＴｒ２３ｍのゲート端子に入力され、Ｌレベルのcctrl6信号がＮＴｒ２３ｎのゲート端子に入力されるので、ＮＴｒ２３ｍ、２３ｎが共にオフとなるので、IBIAS1及びIBIAS2が流れなくなる。 第３のバイアス電圧選択回路３６では、第１のトランスミッションゲート２３ｐの制御信号入力端子にＬレベルのcctrl5信号が供給され、第２のトランスミッションゲート２３ｒの制御信号入力端子にＬレベルのcctrl6信号が供給され、ＮＯＴ回路２３ｓの入力端子にＬレベルのcctrl5信号が供給される。

これにより、第１のトランスミッションゲート２３ｐがオフに、第２のトランスミッションゲート２３ｒがオフに、ＮＴｒ２３ｄがオンになるので、接地電位のバイアス電圧信号がoutBIAS3として出力端子３から出力され、電流検出回路６０に供給される。
従って、バイアス電流信号IBIAS1、IBIAS2の双方とも流れないので、実質的にoutBIAS3が電流検出回路６０に供給されなくなる。

以上より、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１は昇圧動作を停止し、電源電圧ＶBB＋ＶGHの電源が第１及び第２ＨＳＴ駆動回路４０ａ及び４０ｂに供給されなくなる。更に、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１及びＬＤＯ３２を、バイアス電流信号IBIAS2から生成されたバイアス電圧信号outBIAS1及びoutBIAS2によって低消費電力駆動することができる。
更に、電流検出回路６０には、バイアス電圧信号outBIAS3が供給されないので、電流検出回路６０は停止状態となる。

次に、アイドルモード１が設定された場合の動作を説明する。
アイドルモード１のときは、制御回路１０によって設定値「110100100」がレジスタに
設定される。
制御回路１０は、内部レジスタに設定されたアイドルモード１の設定値を読み出し、この内容を示す設定信号setを駆動信号供給制御回路２０に出力する。

駆動信号供給制御回路２０は、設定信号setの内容「110100100」に基づき、電源供給回路３０及び電流検出回路６０の駆動信号の供給制御を開始する。
アイドルモード１の場合は、第１の駆動信号供給制御回路２１に、Ｈレベルのxsleep信号と、ＨレベルのIDLE1信号と、ＬレベルのIDLE2信号とが入力される。
これにより、セレクタ２１ｃは、セレクト信号入力端子ＳにＨレベルのIDLE1信号が入
力されるので、第２のクロック信号（低速ＣＬＫ）を第１のＡＮＤ回路２１ｅの第１入力端子に出力する。第１のＡＮＤ回路２１ｅは、第２入力端子にＮＯＴ回路２１ｄで反転されてＨレベルとなったIDLE2信号が入力されるので、第１入力端子に入力された第２のク
ロック信号をそのまま第２のＡＮＤ回路２１ｆの第１入力端子に出力する。第２のＡＮＤ回路２１ｆは、第２入力端子にＨレベルのxsleep信号が入力されるので、第１入力端子に入力された第２のクロック信号をそのまま昇圧クロック生成回路２１ｇに出力する。これにより、昇圧クロック生成回路２１ｇは、入力された第２のクロック信号から昇圧クロック信号ＣＬＫＰ及びＣＬＫＮを生成して、該生成した昇圧クロック信号を、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１のＰＴｒ３３及びＮＴｒ３４に供給する。

一方、第２の駆動信号供給制御回路２２の、第１のバイアス電圧出力回路２２ａにはＨレベルのcctrl1信号とＬレベルのcctrl2信号とが入力され、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂにはＬレベルのcctrl3信号とＨレベルのcctrl4信号とが入力され、第３のバイアス電圧出力回路２２ｃにはＬレベルのcctrl5，cctrl6信号が入力される。
従って、第１のバイアス電圧出力回路２２ａの動作は、上記通常モードと同様となり、第２のバイアス電圧出力回路２２ａ及び第３のバイアス電圧出力回路２２ｃの動作は、上記スリープモードと同様となる。

これにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１には、通常駆動時よりも低周波数の昇圧クロック信号が供給され、通常駆動時と同様のバイアス電圧信号outBIAS1が供給される。従って、低周波数の昇圧クロック信号から通常周波数の昇圧クロック信号に戻すことで、通常駆動状態に復帰させることができる。
更に、ＬＤＯ３２には、バイアス電圧信号outBIAS2が低消費電力駆動で供給され、電流検出回路６０には、バイアス電圧信号outBIAS3が供給されない。

従って、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１は通常駆動時よりも低速のスイッチング速度で昇圧動作を行なう。更に、ＬＤＯ３２に供給されるバイアス電流の供給量が通常駆動時よりも低減し、一方、電流検出回路６０は停止状態となる。

次に、アイドルモード２が設定された場合の動作を説明する。
アイドルモード２のときは、制御回路１０によって設定値「101100100」がレジスタに
設定される。
制御回路１０は、内部レジスタに設定されたアイドルモード２の設定値を読み出し、この内容を示す設定信号setを駆動信号供給制御回路２０に出力する。
駆動信号供給制御回路２０は、設定信号setの内容「101111000」に基づき、電源供給回路３０及び電流検出回路６０の駆動信号の供給制御を開始する。
アイドルモード２の場合は、第１の駆動信号供給制御回路２１に、Ｈレベルのxsleep信号と、ＬレベルのIDLE1信号と、ＨレベルのIDLE2信号とが入力される。

これにより、セレクタ２１ｃは、セレクト信号入力端子ＳにＬレベルのIDLE1信号が入
力されるので、第１のクロック信号を第１のＡＮＤ回路２１ｅの第１入力端子に出力する。第１のＡＮＤ回路２１ｅは、第２入力端子にＮＯＴ回路２１ｄで反転されてＬレベルとなったIDLE2信号が入力されるので、Ｌレベルの信号を第２のＡＮＤ回路２１ｆの第１入
力端子に出力する。第２のＡＮＤ回路２１ｆは、第２入力端子にＨレベルのxsleep信号が入力されるので、第１入力端子に入力されたＬレベルの信号をそのまま昇圧クロック生成回路２１ｇに出力する。これにより、上記スリープモードのときと同様に、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１のＰＴｒ３３及びＮＴｒ３４に昇圧クロックが供給されない。

なお、第２の駆動信号供給制御回路２２の動作は、上記アイドルモード１と同様となる。
これにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１は昇圧動作を停止し、電源電圧ＶBB＋ＶGHの電源が第１及び第２ＨＳＴ駆動回路４０ａ及び４０ｂに供給されなくなる。但し、バイアス電圧信号outBIAS1は、通常駆動時と同様に供給される。従って、通常周波数の昇圧クロック信号を供給することで、通常駆動状態に戻すことができる。

更に、ＬＤＯ３２にはバイアス電圧信号outBIAS2が低消費電力駆動で供給され、電流検出回路６０にはバイアス電圧信号outBIAS3が供給されず停止状態となる。
以上、本実施の形態の駆動信号供給制御回路２０は、制御回路１０の内部レジスタに設定された供給モードの設定値に基づき、モータ２を駆動するＨブリッジ回路５０のハイサイド側のトランジスタＱ１、Ｑ３、ローサイド側のトランジスタＱ２、Ｑ４を駆動するトランジスタ駆動回路４０に駆動電源を供給する電源供給回路３０及び電流検出回路６０を駆動する駆動信号の供給内容を制御することができる。特に、モータ２の待機状態時においては、スリープモード、アイドルモード１、アイドルモード２の３つの供給モードを設定でき、これらのモードに対応する供給内容で、電源供給回路３０のＤＣ／ＤＣコンバータ３１及びＬＤＯ３２に供給する駆動信号をそれぞれ独立に制御することができる。

更に、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１にバイアス電圧を供給する回路に対して、バイアス電圧信号を生成するためのバイアス電流信号の供給制御（低減供給）を独立に行うことがで
き、更に、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１のスイッチング素子に供給する昇圧クロック信号の供給制御（低周波数又は供給停止）を独立に行うことができる。
更に、ＬＤＯ３２にバイアス電圧を供給する回路に対して、バイアス電圧信号を生成するためのバイアス電流信号の供給制御（低減供給）を独立に行うことができ、電流検出回路６０にバイアス電圧を供給する回路に対して、バイアス電圧信号を生成するためのバイアス電流信号の供給制御（低減供給又は供給停止）を独立に行うことができる。

従って、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１、ＬＤＯ３２、電流検出回路６０に対する駆動信号の供給をそれぞれ独立に制御することができるので、負荷の駆動状態に応じて、適切な低消費電力制御を行うことができる。
上記実施の形態において、制御回路１０の内部レジスタへの供給内容（供給モード）の設定処理は、形態１乃至７のいずれか１に記載の供給内容設定手段に対応し、制御回路１０及び駆動信号供給制御回路２０による駆動信号の供給制御処理は、形態１乃至７のいずれか１に記載の駆動信号供給制御手段に対応し、第１のバイアス電圧選択回路３４及びＤＣ／ＤＣコンバータ３１は、形態１、２、３、４及び５のいずれか１に記載の第１の電源供給回路に対応し、第２のバイアス電圧選択回路３５及びＬＤＯ３２は、形態１、２、４及び５のいずれか１に記載の第２の電源供給回路に対応し、第１及び第２のＨＳＴ駆動回路４０ａ及び４０ｂは、形態１に記載の第１の駆動回路に対応し、第１及び第２のＬＳＴ駆動回路４０ｃ及び４０ｄは、形態１に記載の第２の駆動回路に対応し、第１〜第２のバイアス電圧出力回路２２ａ〜２２ｂにおけるＮＴｒ２３ｍ及び２３ｎは、形態６に記載の第３及び第４のトランジスタに対応する。

なお、上記実施の形態においては、第１〜第３のバイアス電圧選択回路３４〜３６に供給するバイアス電圧信号及びcctrl信号の供給内容の制御に加え、ＤＣ／ＤＣコンバータ
３１のスイッチング素子に供給するスイッチング信号の供給内容の制御も行う構成としたが、これに限らず、第１〜第３のバイアス電圧選択回路３４〜３６に供給するバイアス電圧信号及びcctrl信号の供給内容の制御のみを行う構成としてもよい。この場合は、第１
の駆動信号供給制御回路２１が不要となり、第２の駆動信号供給制御回路２２のみが駆動信号供給制御手段を構成する。

この場合に、制御回路１０の内部レジスタへの供給内容（供給モード）の設定処理は、形態９乃至１１のいずれか１に記載の供給内容設定手段に対応し、制御回路１０及び第２の駆動信号供給制御回路２２による駆動信号の供給制御処理は、形態９乃至１１のいずれか１に記載の駆動信号供給制御手段に対応し、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１は、形態９又は１０に記載の第１の電源供給回路に対応し、ＬＤＯ３２は、形態９又は１０に記載の第２の電源供給回路に対応し、第１及び第２のＨＳＴ駆動回路４０ａ及び４０ｂは、形態９に記載の第１の駆動回路に対応し、第１及び第２のＬＳＴ駆動回路４０ｃ及び４０ｄは、形態９に記載の第２の駆動回路に対応し、第１〜第３のバイアス電圧出力回路２２ａ〜２２ｃにおけるＮＴｒ２３ｍ及び２３ｎは、形態１０に記載の第３及び第４のトランジスタに対応し、第１のバイアス電圧出力回路２２ａ及び第１のバイアス電圧選択回路３４は、形態１０に記載の第１のバイアス電圧供給回路に対応し、第２のバイアス電圧出力回路２２ｂ及び第２のバイアス電圧選択回路３５は、形態１０に記載の第２のバイアス電圧供給回路に対応し、第３のバイアス電圧選択回路３６は、形態１０に記載の第３のバイアス電流供給回路に対応する。

また、上記実施の形態においては、バイアス電圧信号BIAS1及びBIAS2を生成するためのバイアス電流信号IBIAS1及びIBIAS2を制御して、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１、ＬＤＯ３２及び電流検出回路６０に対して供給する駆動信号（outBIAS）の供給制御を行う構成とし
たが、これに限らず、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１、ＬＤＯ３２及び電流検出回路６０などの制御対象に供給されるバイアス電流量を制御できる構成であれば、他の構成であっても
よい。

また、上記実施の形態においては、ＤＣ／ＤＣコンバータ３１、ＬＤＯ３２及び電流検出回路６０に対して供給する駆動信号の供給制御を行う構成としたが、これに限らず、他にもバイアス電圧信号等の駆動信号を供給する回路があれば、その回路も制御対象に含めた構成としてもよい。
また、上記実施の形態においては、Ｑ１〜Ｑ４を全てＮチャンネル型のＤＭＯＳＦＥＴとしたが、これに限らず、ハイサイド側のＱ１、Ｑ３をＰチャンネル型で構成したり、ＤＭＯＳＦＥＴに限らず、他の出力用トランジスタや、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar
Transistor）などで構成したりしてもよい。

また、上記実施の形態においては、本発明を直流モータを駆動するＨブリッジ回路に適用したが、これに限らず、電磁弁などの負荷を駆動するブリッジ回路に本発明を適用してもよい。特に、電磁弁は、開弁側又は閉弁側への一方向の通電を行えばよいため、ブリッジ回路をハーフ・ブリッジ構成とすることができる。

本発明に係るモータ駆動装置１の構成を示すブロック図である。 駆動信号供給制御回路２０及び電源供給回路３０の内部構成を示すブロック図である。 各供給モードと供給制御内容との関係の一例を示す図である。 （ａ）は、第１の駆動信号供給制御回路２１の内部構成を示すブロック図であり、（ｂ）は、昇圧クロック信号の出力先の回路の一部を示す図である。 第２の駆動信号供給制御回路２２の内部構成を示すブロック図である。 第１のバイアス電圧出力回路２２ａの内部構成を示すブロック図である。 第１のバイアス電圧選択回路３４の回路構成を示す図である。 トランジスタ駆動回路４０の構成を示すブロック図である。 Ｈブリッジ回路５０及び電流検出回路６０の詳細な構成を示す図である。

符号の説明

１００…マイクロコンピュータ、１…モータ駆動装置、２…直流モータ、１０…制御回路、２０…駆動信号供給制御用半導体装置、２１…第１の駆動信号供給制御回路、２２…第２の駆動信号供給制御回路、２２ａ〜２２ｃ…第１〜第３のバイアス電圧出力回路、３０…電源供給装置、３３…バイアス電流供給部、３４〜３６…第１〜第３のバイアス電圧選択回路、４０…トランジスタ駆動装置、５０…Ｈブリッジ回路、６０…電流検出回路、Ｑ１〜Ｑ４…Ｎチャンネル型のＤＭＯＳＦＥＴ、４０ａ，４０ｂ…第１、第２ＨＳＴ駆動回路、４０ｃ，４０ｄ…第１、第２ＬＳＴ駆動回路

Claims (11)

1. 駆動対象である負荷に電気的に接続されるハイサイド側の第１のトランジスタとローサイド側の第２のトランジスタとを含み、前記第１及び第２のトランジスタをオン又はオフにすることで前記負荷が通電又は非通電となる構成のブリッジ回路と、前記第１のトランジスタを駆動する第１の駆動回路と、前記第２のトランジスタを駆動する第２の駆動回路と、前記第１の駆動回路に駆動電源を供給する第１の電源供給回路と、前記第２の駆動回路に駆動電源を供給する第２の電源供給回路とを備えた負荷駆動装置における、前記第１及び第２の電源供給回路への駆動信号の供給を制御する駆動信号供給制御用半導体装置であって、
   前記負荷の待機状態に対応した前記負荷駆動装置の低消費電力駆動に係る前記駆動信号の供給内容を設定する供給内容設定手段と、
   前記供給内容設定手段で設定された供給内容に基づき、前記第１及び第２の電源供給回路への駆動信号の供給内容を、前記負荷駆動装置がその通常駆動時よりも低い消費電力で駆動される内容にそれぞれ独立に制御する駆動信号供給制御手段と、を備えることを特徴とする駆動信号供給制御用半導体装置。
2. 前記第１の電源供給回路はＤＣ／ＤＣコンバータを含んで構成される回路であり、
   前記第２の電源供給回路はリニア・レギュレータを含んで構成される回路であり、
   前記供給内容設定手段で設定される供給内容は、第１の供給内容と第２の供給内容とを含み、
   前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記ＤＣ／ＤＣコンバータの有するスイッチング素子に供給する前記駆動信号の１つであるスイッチング信号の前記スイッチング素子への供給を停止すると共に、前記第１及び第２の電源供給回路への前記駆動信号の１つであるバイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が前記通常駆動時よりも低減するように制御を行い、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記通常駆動時よりも低いスイッチング周波数の前記スイッチング信号を前記スイッチング素子に供給すると共に、前記第２の電源供給回路への前記バイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が前記通常駆動時よりも低減するように制御を行うようになっていることを特徴とする請求項１に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。
3. 前記駆動信号供給制御手段は、前記第１の電源供給回路の通常駆動時に供給する第１のスイッチング信号を生成して出力する第１のスイッチング信号生成部と、前記第１のスイッチング信号のスイッチング周波数よりも低周波数の第２のスイッチング信号を生成して出力する第２のスイッチング信号生成部と、前記第１の電源供給回路の通常駆動時に、前記第１のスイッチング素子に前記第１のスイッチング信号を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記スイッチング素子への前記第１及び第２のスイッチング信号の供給を停止し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記第２のスイッチング信号を前記スイッチング素子に供給するスイッチング信号供給制御部とを含むことを特徴とする請求項２に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。
4. 前記第１の電源供給回路はＤＣ／ＤＣコンバータを含んで構成される回路であり、
   前記第２の電源供給回路はリニア・レギュレータを含んで構成される回路であり、
   前記供給内容設定手段で設定される供給内容は、第１の供給内容と第２の供給内容とを含み、
   前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記ＤＣ／ＤＣコンバータの有するスイッチング素子に供給する前記駆動信号の１つであるスイッチング信号の前記スイッチング素子への供給を停止すると
   共に、前記第１及び第２の電源供給回路への前記駆動信号の１つであるバイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が前記通常駆動時よりも低減するように制御を行い、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記スイッチング素子への前記スイッチング信号の供給を停止すると共に、前記第２の電源供給回路への前記バイアス電圧信号の供給内容をバイアス電流の供給量が前記通常駆動時よりも低減するように制御を行うようになっていることを特徴とする請求項１に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。
5. 前記駆動信号供給制御手段は、第１のバイアス電流信号を第１の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第１の電圧変換部と、第２のバイアス電流信号を第２の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第２の電圧変換部とを含む第１のバイアス電圧出力回路と、該第１のバイアス電圧出力回路と同じ構成の第２のバイアス電圧出力回路と、前記第１のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第１の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第１のバイアス電圧選択回路と、前記第２のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第２の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第２のバイアス電圧選択回路と、前記通常駆動時に、前記第１及び第２のバイアス電圧出力回路の前記第１及び第２の電圧変換部に、前記第１のバイアス電流信号を供給するように且つ前記第２のバイアス電流信号を供給しないようにし、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記第１及び第２のバイアス電圧出力回路の前記第１及び第２の電圧変換部に、前記第１のバイアス電流信号を供給しないように且つ前記第２のバイアス電流信号を供給するようにし、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記第１のバイアス電圧出力回路の前記第１及び第２の電圧変換部に、前記第１のバイアス電流信号を供給するように且つ前記第２のバイアス電流信号を供給しないようにすると共に、前記第２のバイアス電圧出力回路の前記第１及び第２の電圧変換部に、前記第１のバイアス電流信号を供給しないように且つ前記第２のバイアス電流信号を供給するようにするバイアス電流供給制御部とを含むことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。
6. 前記駆動信号供給制御手段は、第１のバイアス電流信号を第１の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第１の電圧変換部と、第２のバイアス電流信号を第２の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第２の電圧変換部と、第１の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流をオン状態で前記第１の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第３のトランジスタと、第２の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号よりも電流レベルの小さい第２のバイアス電流信号を、オン状態で前記第２の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第４のトランジスタと、を含んで構成される第１のバイアス電圧出力回路と、該第１のバイアス電圧出力回路と同じ構成の第２のバイアス電圧出力回路と、前記第１及び第２の入力に基づき前記第１のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第１の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第１のバイアス電圧選択回路と、前記第１及び第２の入力に基づき前記第２のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第２の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第２のバイアス電圧選択回路と、前記通常駆動時に、前記第１及び第２のバイアス電圧出力回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオン状態にし且つ前記第４のトランジスタをオフ状態にする前記第１及び第２の入力を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記第１及び第２のバイアス電圧出力回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオフ状態にし且つ前記第４のトランジスタをオン状態にする前記第１及び第２の入力を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記第１のバイアス電圧出力回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端
   子に、前記第３のトランジスタをオン状態にし且つ前記第４のトランジスタをオフ状態にする前記第１及び第２の入力を供給すると共に、前記第２のバイアス電圧出力回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオフ状態にし且つ前記第４のトランジスタをオン状態にする前記第１及び第２の入力を供給するバイアス電流供給制御部とを含むことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。
7. 前記負荷駆動装置は、前記負荷に流れる電流量を検出する電流検出回路を更に含んで構成されており、
   前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段で設定された供給内容に基づき、前記電流検出回路への駆動信号の供給内容を、前記電流検出回路の動作を停止する内容、又は前記通常駆動時よりも低い消費電力で駆動される内容に制御することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。
8. 前記負荷駆動装置は、前記負荷に流れる電流量を検出する電流検出回路を更に含んで構成されており、
   前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段において、前記第１の供給内容が設定されたとき、及び前記第２の供給内容が設定されたときに、前記電流検出回路に、前記駆動信号の１つであるバイアス電圧信号を、バイアス電流信号が流れない電位で供給するようになっていることを特徴とする請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。
9. 駆動対象である負荷に電気的に接続されるハイサイド側の第１のトランジスタとローサイド側の第２のトランジスタとを含み、前記第１及び第２のトランジスタをオン又はオフにすることで前記負荷が通電又は非通電となる構成のブリッジ回路と、前記第１のトランジスタを駆動する第１の駆動回路と、前記第２のトランジスタを駆動する第２の駆動回路と、前記第１の駆動回路に駆動電源を供給する第１の電源供給回路と、前記第２の駆動回路に駆動電源を供給する第２の電源供給回路と、少なくとも、前記第１の電源供給回路にバイアス電圧を供給する第１のバイアス電圧供給回路と、前記第２の電源供給回路にバイアス電圧を供給する第２のバイアス電圧供給回路とを備えた負荷駆動装置における、前記第１及び第２のバイアス電圧供給回路への駆動信号の供給を制御する駆動信号供給制御用半導体装置であって、
   前記負荷の待機状態に対応した前記負荷駆動装置の低消費電力駆動に係る前記駆動信号の供給内容を設定する供給内容設定手段と、
   前記供給内容設定手段で設定された供給内容に基づき、前記第１及び第２のバイアス電圧供給回路への前記駆動信号の供給内容を、前記負荷駆動装置がその通常駆動時よりも低い消費電力で駆動される内容にそれぞれ独立に制御する駆動信号供給制御手段と、を備えることを特徴とする駆動信号供給制御用半導体装置。
10. 前記第１のバイアス電圧供給回路は、第１のバイアス電流信号を第１の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第１の電圧変換部と、第２のバイアス電流信号を第２の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第２の電圧変換部と、第１の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号をオン状態で前記第１の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第３のトランジスタと、第２の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号よりも電流レベルの小さい第２のバイアス電流信号を、オン状態で前記第２の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第４のトランジスタと、前記第１及び第２の入力に基づき前記第１のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第１の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第１のバイアス電圧選択部とを含んで構成された回路であり、
    前記第２のバイアス電圧供給回路は、第１のバイアス電流信号を第１の前記バイアス電
    圧信号に変換して出力する第１の電圧変換部と、第２のバイアス電流信号を第２の前記バイアス電圧信号に変換して出力する第２の電圧変換部と、第１の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号をオン状態で前記第１の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第３のトランジスタと、第２の入力でオン・オフし、前記第１のバイアス電流信号よりも電流レベルの小さい第２のバイアス電流信号を、オン状態で前記第２の電圧変換部に供給し且つオフ状態でその供給を停止する第４のトランジスタと、前記第１及び第２の入力に基づき前記第２のバイアス電圧出力回路から出力される前記第１及び第２のバイアス電圧信号のうち前記第２の電源供給回路に供給するバイアス電圧信号を選択する第２のバイアス電圧選択部とを含んで構成された回路であり、
    前記供給内容設定手段で設定される供給内容は、第１の供給内容と第２の供給内容とを含み、
    前記駆動信号供給制御手段は、前記通常駆動時に、前記第１及び第２のバイアス電圧供給回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオン状態にし且つ前記第４のトランジスタをオフ状態にする前記第１及び第２の入力を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第１の供給内容のときに、前記第１及び第２のバイアス電圧供給回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオフ状態にし且つ前記第４のトランジスタをオン状態にする前記第１及び第２の入力を供給し、前記供給内容設定手段で設定された供給内容が前記第２の供給内容のときに、前記第１のバイアス電圧供給回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオン状態にし且つ前記第４のトランジスタをオフ状態にする前記第１及び第２の入力を供給すると共に、前記第２のバイアス電圧供給回路の前記第３及び第４のトランジスタの駆動端子に、前記第３のトランジスタをオフ状態にし且つ前記第４のトランジスタをオン状態にする前記第１及び第２の入力を供給するようになっていることを特徴とする請求項９に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。
11. 前記負荷駆動装置は、前記負荷に流れる電流量を検出する電流検出回路と、該電流検出回路にバイアス電圧を供給する第３のバイアス電圧供給回路とを更に含んで構成されており、
    前記駆動信号供給制御手段は、前記供給内容設定手段において、前記第１の供給内容が設定されたとき、及び前記第２の供給内容が設定されたときに、前記第３のバイアス電圧供給回路への前記駆動信号の供給を停止する制御を行うようになっていることを特徴とする請求項１０に記載の駆動信号供給制御用半導体装置。

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