JP2009129997A

JP2009129997A - Surface treatment apparatus

Info

Publication number: JP2009129997A
Application number: JP2007300938A
Authority: JP
Inventors: Takashi Umeoka; 尚梅岡; Setsuo Nakajima; 節男中嶋
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2007-11-20
Filing date: 2007-11-20
Publication date: 2009-06-11

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface treatment apparatus capable of preventing or suppressing the leakage and diffusion of treatment gas to the outside of a system. SOLUTION: On a surface 33 facing a workpiece W at a nozzle section, a blowout port 31 for blowing out treatment gas and a suction port 34 are formed. An edge at a side opposite to the side of the blowout port 31 in the suction port 34 is retracted to an upper side (the opposite side in the direction of a facing surface) of the edge at the side of the blowout port 31, and a second surface section 33b outside the suction port 34 is retracted to an upper side (the opposite side in the direction of a facing surface) of a first surface part 33a between the suction port 34 and the blowout port 31. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、処理ガスを被処理物に噴き付けて表面処理するとともに噴き付け後のガスを吸い込んで排出する装置に関するものである。 The present invention relates to an apparatus for performing a surface treatment by spraying a processing gas on a workpiece and sucking and discharging the gas after the spraying.

例えば特許文献１の表面処理装置のノズル部には、被処理物との対向面に噴射口と吸引口が開口されている。噴射口から処理ガスが噴射されて被処理物に接触し、表面処理がなされる。処理済みのガスが吸引口から吸引されるようになっている。
特開平９−９２４９３号公報 For example, in the nozzle part of the surface treatment apparatus of Patent Document 1, an injection port and a suction port are opened on the surface facing the object to be processed. A processing gas is injected from the injection port and comes into contact with the object to be processed, so that surface treatment is performed. The treated gas is sucked from the suction port.
JP-A-9-92493

処理ガス中には腐食性や毒性を有する成分が含まれている場合が少なくない。そのため、処理ガスの拡散を許すと各部材の腐食を招いたり安全上の問題を生じたりする。特に、ローラコンベアや移動ステージ等を用いてインラインで連続処理する場合、処理室からの漏洩が起きやすく、駆動系、配管系、躯体等の腐食が問題になっている。処理室を密閉構造にし、枚葉式の処理をすれば、系外への漏洩を極力防止できるが、被処理物の出し入れに時間を要し生産速度が遅くなる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、処理室を密閉しなくても処理ガスの処理室外への拡散、漏洩を防止ないしは抑制でき、特にインラインによる連続処理に好適なノズル構造を提供することにある。 In many cases, the processing gas contains a corrosive or toxic component. For this reason, if the diffusion of the processing gas is allowed, each member is corroded and a safety problem is caused. In particular, when continuous processing is performed in-line using a roller conveyor, a moving stage, or the like, leakage from the processing chamber is likely to occur, and corrosion of the drive system, piping system, housing, etc. is a problem. Leakage outside the system can be prevented as much as possible by making the processing chamber hermetically sealed and performing single-wafer processing, but it takes time to put in and out the workpiece and slows down the production rate.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to prevent or suppress the diffusion and leakage of the processing gas to the outside of the processing chamber without sealing the processing chamber. The object is to provide a nozzle structure suitable for processing.

本発明は、上記事情鑑みて提案されたものであり、処理ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する装置であって、
被処理物の配置されるべき被処理位置と対面するノズル部を備え、このノズル部には前記被処理位置に向けて前記処理ガスを噴出する噴出口と、ガスを吸引する吸引口とが並んで形成され、前記吸引口における前記噴出口側とは反対側の縁が前記噴出口側の縁より前記対面方向の逆側に引っ込んでいることを特徴とする。
これによって、ノズル部の外側の雰囲気ガスを引き込み易くでき、この雰囲気ガスの引き込み流によって処理ガスが系外へ漏洩、拡散するのを防止又は抑制することができる。したがって、被処理物の連続処理ひいてはインライン化を容易化できる。 The present invention has been proposed in view of the above circumstances, and is an apparatus for spraying a processing gas onto an object to be processed to perform surface treatment,
A nozzle portion facing a processing position where a workpiece is to be disposed is provided, and a nozzle port for jetting the processing gas toward the processing position and a suction port for sucking the gas are arranged in the nozzle portion. The edge of the suction port opposite to the jet port side is recessed from the edge of the jet port side to the opposite side of the facing direction.
Accordingly, it is possible to easily draw the atmospheric gas outside the nozzle portion, and it is possible to prevent or suppress the processing gas from leaking and diffusing outside the system due to the drawing flow of the atmospheric gas. Therefore, it is possible to facilitate continuous processing of the object to be processed and thus in-line processing.

前記ノズル部の前記被処理位置と対面する面が、前記噴出口と前記吸引口との間の第１面部分と、前記吸引口を挟んで前記第１面部分とは反対側の第２面部分とを有していることが好ましい。
前記第２面部分が、前記第１面部分より前記対面方向の逆側に引っ込んでいてもよい。これによって、外部の雰囲気ガスの引き込みを容易化でき、処理ガスの漏洩、拡散を確実に防止又は抑制することができる。 The surface of the nozzle portion facing the processing position is a first surface portion between the jet port and the suction port, and a second surface opposite to the first surface portion across the suction port. It is preferable to have a portion.
The second surface portion may be recessed to the opposite side of the facing direction from the first surface portion. As a result, it is possible to facilitate the drawing of the external atmospheric gas, and it is possible to reliably prevent or suppress the leakage and diffusion of the processing gas.

前記第２面部分が、前記噴出口側とは反対側に向かうにしたがって前記被処理位置へ向けて突出されていることが好ましい。
これによって、前記第２面部分と被処理物との間にディフューザが形成されるようにでき、このディフューザ効果によって処理ガスの漏洩、拡散をより確実に防止又は抑制することができる。 It is preferable that the second surface portion protrudes toward the processing position as it goes to the side opposite to the ejection port side.
Accordingly, a diffuser can be formed between the second surface portion and the object to be processed, and leakage and diffusion of the processing gas can be prevented or suppressed more reliably by the diffuser effect.

前記ノズル部の前記吸引口より前記噴出口側とは反対側には前記被処理位置に向けて不活性ガスを噴出する不活性噴出口が設けられているのが好ましい。これによって、不活性ガスからなるガスカーテンを形成でき、このガスカーテンによって処理ガスが外部に漏洩するのをより確実に防止することができる。
前記不活性噴出口の先端部分が、前記吸引口へ向かうように前記対面方向に対し斜めになっていることが好ましい。これによって、不活性ガスの噴出時のエジェクタ効果で外部の雰囲気ガスを確実に引き込むことができ、処理ガスの漏洩、拡散を一層確実に防止又は抑制することができる。
前記不活性噴出口の先端部分が、前記ノズル部の前記被処理位置と対面する面における前記第２面部分より前記吸引口側とは反対側に開口されていることが好ましい。これによって、前記ノズル部の前記被処理位置と対面する面における前記不活性噴出口と前記第２面部分との間の面部分（スロート面）と被処理物との間にスロートが形成されるようにでき、このスロートを通過するガスの静圧を低下させることができ、外部の雰囲気ガスの引き込みを一層容易化して処理ガスの漏洩、拡散を一層確実に防止又は抑制することができる。 It is preferable that an inert jet port for jetting an inert gas toward the processing position is provided on the side of the nozzle portion opposite to the jet port side from the suction port. As a result, a gas curtain made of an inert gas can be formed, and the gas curtain can more reliably prevent the processing gas from leaking to the outside.
It is preferable that a tip portion of the inert jet port is inclined with respect to the facing direction so as to go to the suction port. Thus, the external atmospheric gas can be reliably drawn in by the ejector effect when the inert gas is ejected, and the leakage and diffusion of the processing gas can be prevented or suppressed more reliably.
It is preferable that a tip portion of the inert jet port is opened on a side opposite to the suction port side from the second surface portion in a surface facing the processing position of the nozzle portion. Thereby, a throat is formed between the surface portion (throat surface) between the inert jet port and the second surface portion on the surface facing the processing position of the nozzle portion and the processing object. It is possible to reduce the static pressure of the gas passing through the throat, further facilitating the drawing of the external atmospheric gas, and more reliably preventing or suppressing the leakage and diffusion of the processing gas.

前記被処理位置を挟んで前記ノズル部と対向するようにして他の吸引部を設けることが好ましい。これにより、被処理位置の裏側へ流れた処理ガスを前記吸引部にて吸引し排出することができる。
移動手段によって、前記被処理物を、前記ノズル部と前記吸引部との間に通すように移動させることが好ましい。これにより、被処理物を連続処理することができる。 It is preferable that another suction part is provided so as to face the nozzle part across the processing position. Thereby, the processing gas which has flowed to the back side of the processing position can be sucked and discharged by the suction portion.
It is preferable that the object to be processed is moved by the moving means so as to pass between the nozzle part and the suction part. Thereby, a to-be-processed object can be processed continuously.

内部に前記被処理位置が配されるとともに前記ノズル部の少なくとも被処理位置側の部分が臨む処理ハウジングを、更に備えることが好ましい。これによって、処理ガスを処理ハウジング内にある程度閉じ込めておくことができ、処理ガスの拡散を抑制することができる。
前記移動手段が、前記処理ハウジングの外部に配置された駆動部と、前記駆動部の動力を前記被処理物に直接又は間接的に伝達する伝達部とを含むことが好ましい。これによって、駆動部の腐食を防止することができる。 It is preferable to further include a processing housing in which the processing position is arranged and at least a portion on the processing position side of the nozzle portion faces. Thereby, the processing gas can be confined to some extent in the processing housing, and the diffusion of the processing gas can be suppressed.
It is preferable that the moving means includes a drive unit disposed outside the processing housing and a transmission unit that directly or indirectly transmits power of the drive unit to the object to be processed. Thereby, corrosion of the drive part can be prevented.

前記処理ハウジングを囲む外周ハウジングと、前記外周ハウジングと処理ハウジングとの間を吸引排気する排気部とを、更に備えることが好ましい。
これによって、処理ガスが処理ハウジングから漏れたとしても外周ハウジング内にとどめて外部に漏洩しないようにでき、更には排気部にて吸引して排出することができる。 It is preferable to further include an outer peripheral housing that surrounds the processing housing, and an exhaust section that sucks and exhausts between the outer peripheral housing and the processing housing.
As a result, even if the processing gas leaks from the processing housing, it can remain in the outer peripheral housing so as not to leak to the outside, and can be sucked and discharged by the exhaust section.

本発明によれば、処理ガスが系外へ漏洩、拡散するのを防止又は抑制することができる。 According to the present invention, the processing gas can be prevented or suppressed from leaking and diffusing out of the system.

以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１は、液晶パネル製造ラインにおけるアイランドエッチング工程に用いられる表面処理装置１を示したものである。被処理物Ｗは、液晶パネル用の無アルカリガラス基板である。図２に示すように、ガラス基板Ｗは、四角形状をなしている。ガラス基板Ｗの長手方向（図１及び図２の左右方向）の寸法は、例えば１３００ｍｍであり、短手方向（図２において上下方向）の寸法は、例えば１１００ｍｍである。ガラス基板Ｗの表面（上面）には、アモルファスシリコンの層（図示省略）がＣＶＤによって形成されている。このアモルファスシリコン層を表面処置装置にてエッチングする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a surface treatment apparatus 1 used in an island etching process in a liquid crystal panel production line. The workpiece W is a non-alkali glass substrate for a liquid crystal panel. As shown in FIG. 2, the glass substrate W has a quadrangular shape. The dimension of the glass substrate W in the longitudinal direction (left-right direction in FIGS. 1 and 2) is, for example, 1300 mm, and the dimension in the lateral direction (vertical direction in FIG. 2) is, for example, 1100 mm. On the surface (upper surface) of the glass substrate W, an amorphous silicon layer (not shown) is formed by CVD. This amorphous silicon layer is etched by a surface treatment apparatus.

図１に示すように、表面処理装置１は、二重ハウジング１０と、移動手段２０とを備えている。二重ハウジング１０は、内部に処理室１１ａを画成する処理ハウジング１１と、この処理ハウジング１１を囲む外周ハウジング１２とを含んでいる。 As shown in FIG. 1, the surface treatment apparatus 1 includes a double housing 10 and moving means 20. The double housing 10 includes a processing housing 11 that defines a processing chamber 11 a therein, and an outer peripheral housing 12 that surrounds the processing housing 11.

処理ハウジング１１の左右の壁には、それぞれ開口１１ｂが設けられている。この開口１１ｂを通してガラス基板Ｗを搬入出できるようになっている。
ガラス基板Ｗが開口１１ｂを通過するときの開口１１ｂの上縁からガラス基板Ｗの上面までの距離は、例えば５ｍｍ程度になるように設定されている。また、処理ハウジング１１の天井部の下面からガラス基板Ｗの上面までの距離は、例えば２０ｍｍ程度になっている。
処理ハウジング１１の左側の壁と後記ノズルヘッド３０の左端面との間の距離、及び処理ハウジング１１の右側の壁と後記ノズルヘッド３０の右端面との間の距離は、それぞれ例えば３００ｍｍになっている。 Openings 11 b are provided in the left and right walls of the processing housing 11, respectively. The glass substrate W can be carried in and out through the opening 11b.
The distance from the upper edge of the opening 11b to the upper surface of the glass substrate W when the glass substrate W passes through the opening 11b is set to, for example, about 5 mm. Moreover, the distance from the lower surface of the ceiling part of the process housing 11 to the upper surface of the glass substrate W is about 20 mm, for example.
The distance between the left wall of the processing housing 11 and the left end surface of the nozzle head 30 described later, and the distance between the right wall of the processing housing 11 and the right end surface of the nozzle head 30 described below are each 300 mm, for example. Yes.

外周ハウジング１２の左右の壁には、それぞれ開口１２ａが設けられている。開口１２ａは、処理ハウジング１１の開口１１ｂと同じ高さに位置されている。この開口１２ａを通してガラス基板Ｗを搬入出できるようになっている。外周ハウジング１２の一側部には、排気ダクト１３（排気部）が設けられている。排気ダクト１３によって、外周ハウジング１２と処理ハウジング１１との間を吸引排気できるようになっている。外周ハウジング１２の天井部には、ファンフィルタユニット１４が設けられている。 Openings 12 a are respectively provided in the left and right walls of the outer peripheral housing 12. The opening 12 a is located at the same height as the opening 11 b of the processing housing 11. The glass substrate W can be carried in and out through the opening 12a. An exhaust duct 13 (exhaust part) is provided on one side of the outer peripheral housing 12. The exhaust duct 13 can suck and exhaust between the outer peripheral housing 12 and the processing housing 11. A fan filter unit 14 is provided on the ceiling of the outer peripheral housing 12.

図１及び図２に示すように、移動手段２０は、浮上エアステージで構成されている。浮上エアステージ２０は、外周ハウジング１２の左右外側と、外周ハウジング１２の内部とにそれぞれ配置されている。外周ハウジング１２の例えば左側の浮上エアステージ２０は、被処理物Ｗの搬入用であり、外周ハウジング１２の右側の浮上エアステージ２０は、被処理物Ｗの搬出用である。これら浮上エアステージ２０は、二重ハウジング１０の開口１２ａ，１１ｂに合わせた高さに位置されている。外周ハウジング１２の内部の浮上エアステージ２０は、処理ハウジング１１の左右両側の開口１１ｂを通して、処理ハウジング１１を左右に貫通している。 As shown in FIG.1 and FIG.2, the moving means 20 is comprised by the floating air stage. The floating air stage 20 is disposed on each of the left and right outer sides of the outer peripheral housing 12 and the inner side of the outer peripheral housing 12. For example, the floating air stage 20 on the left side of the outer housing 12 is for carrying in the workpiece W, and the floating air stage 20 on the right side of the outer housing 12 is for carrying out the workpiece W. These floating air stages 20 are positioned at heights that match the openings 12 a and 11 b of the double housing 10. The floating air stage 20 inside the outer peripheral housing 12 passes through the processing housing 11 to the left and right through the openings 11 b on both the left and right sides of the processing housing 11.

図２に示すように、浮上エアステージ２０には、複数（例えば５つ）のエア噴出部２１が設けられている。これらエア噴出部２１は、左右に直線状に延びるとともに、互いに前後に間隔を置いて並べられている。
エア噴出部２１の幅は、例えば１２０ｍｍであり、エア噴出部２１の前後方向のピッチは、例えば２９５ｍｍである。 As shown in FIG. 2, the floating air stage 20 is provided with a plurality (for example, five) of air ejection portions 21. These air ejection portions 21 extend in a straight line from side to side and are arranged at intervals in the front and rear directions.
The width of the air ejection part 21 is 120 mm, for example, and the pitch in the front-rear direction of the air ejection part 21 is 295 mm, for example.

図１に示すように、浮上エアステージ２０の底部には、浮上エア供給ポート２２が設けられている。外周ハウジング１２の外部のエア供給源２が、浮上エア供給路２ａを介して浮上エア供給ポート２２に接続されている。
エア供給源２は、加圧されたクリーンドライエア（ＣＤＡ）を浮上エア供給路２ａに圧送する。このクリーンドライエアが、浮上エア供給ポート２２から浮上エアステージ２０内のエア通路（図示せず）に導入され、エア噴出部２１の上面の多数の小孔２１ａ（図２）から上方へ噴出されるようになっている。この噴出エアによってガラス基板Ｗが浮上される。エア噴出部２１は、エアが上方へ噴出するようになっていればよく、多数の小孔２１ａに代えて、エア噴出部２１を多孔質部材（例えばポーラスアルミナ、ポーラスカーボン、ポーラスアルミ等）で構成してもよい。 As shown in FIG. 1, a floating air supply port 22 is provided at the bottom of the floating air stage 20. An air supply source 2 outside the outer peripheral housing 12 is connected to a floating air supply port 22 via a floating air supply path 2a.
The air supply source 2 pumps pressurized clean dry air (CDA) to the floating air supply path 2a. This clean dry air is introduced from the floating air supply port 22 into an air passage (not shown) in the floating air stage 20 and is ejected upward from a number of small holes 21a (FIG. 2) on the upper surface of the air ejection portion 21. It is like that. The glass substrate W is levitated by the blown air. The air ejection part 21 only needs to be able to eject air upward. Instead of the large number of small holes 21a, the air ejection part 21 is made of a porous member (for example, porous alumina, porous carbon, porous aluminum, etc.). It may be configured.

隣り合うエア噴出部２１の列間には、エア噴出部２１の上面より低い位置にテフロン（登録商標）製のネット（図示省略）が張られるとともに、推進コロ２３がエア噴出部２１の上面より僅かに突出するように配置されている。推進コロ２３は、ガラス基板Ｗの長手方向寸法より少し短いピッチ（例えば１０００ｍｍピッチ）で左右に並べられている。この推進コロ２３の回転によって、ガラス基板Ｗを一方向（例えば左から右）へ搬送することができる。
処理ハウジング１１内におけるガラス基板Ｗの搬送される仮想水平面Ｐ１が、「被処理位置」を構成している。 Between the rows of adjacent air ejection portions 21, a net (not shown) made of Teflon (registered trademark) is stretched at a position lower than the upper surface of the air ejection portion 21, and the propulsion roller 23 is disposed from the upper surface of the air ejection portion 21. It arrange | positions so that it may protrude slightly. The propulsion rollers 23 are arranged on the left and right at a pitch (for example, 1000 mm pitch) slightly shorter than the longitudinal dimension of the glass substrate W. By the rotation of the propulsion roller 23, the glass substrate W can be transported in one direction (for example, from left to right).
A virtual horizontal plane P 1 on which the glass substrate W is transported in the processing housing 11 constitutes a “processing position”.

処理ハウジング１１の底部には、吸引ダクト１５（吸引部）が、開口を上方へ向けて配置され、その開口縁が浮上エアステージ２０に当接されている。吸引ダクト１５は、図示しない吸引排気部に連なり、浮上エアステージ２０のエア噴出部２１間のネットを介して浮上エアステージ２０より上方のガスを吸引し、排気するようになっている。 At the bottom of the processing housing 11, a suction duct 15 (suction part) is arranged with the opening facing upward, and the opening edge is in contact with the floating air stage 20. The suction duct 15 is connected to a suction exhaust unit (not shown), and sucks and exhausts gas above the floating air stage 20 via a net between the air ejection portions 21 of the floating air stage 20.

処理ハウジング１１の天井部には、ノズルヘッド３０（ノズル部）が設置されている。ノズルヘッド３０は、噴出ヘッド部３０Ａと、この噴出ヘッド部３０Ａの左右の側部にそれぞれ設けられた吸引ヘッド部３０Ｂ，３０Ｂとを有している。ヘッド部３０Ａ，３０Ｂは、互いに別体の部材で構成されていてもよく、一体の部材で構成されていてもよい。これらヘッド部３０Ａ，３０Ｂの下側部分（被処理位置Ｐ１側の部分）が、処理ハウジング１１の天井部より下に突出し、処理室１１ａ内に臨んでいる。このノズルヘッド３０の下方に浮上エアステージ２０が配置され、ノズルヘッド３０の下方をガラス基板Ｗが搬送されるようになっている。ノズルヘッド３０と、その下方を通過するガラス基板Ｗとの間の距離（ワークディスタンス）は、例えば２ｍｍ程度になるよう設定されている。 A nozzle head 30 (nozzle part) is installed on the ceiling of the processing housing 11. The nozzle head 30 has an ejection head portion 30A and suction head portions 30B and 30B provided on the left and right sides of the ejection head portion 30A. The head portions 30A and 30B may be configured as separate members, or may be configured as an integral member. Lower portions (portions on the processing position P1 side) of the head portions 30A and 30B protrude below the ceiling portion of the processing housing 11 and face the processing chamber 11a. A floating air stage 20 is disposed below the nozzle head 30, and the glass substrate W is conveyed below the nozzle head 30. The distance (work distance) between the nozzle head 30 and the glass substrate W passing therebelow is set to be about 2 mm, for example.

ノズルヘッド３０は、処理ハウジング１１内の浮上エアステージ２０を挟んで吸引ダクト１５と対向している。平面投影視でノズルヘッド３０の少なくとも噴出ヘッド部３０Ａが、吸引ダクト１５の開口内に収まるようになっている。 The nozzle head 30 faces the suction duct 15 with the floating air stage 20 in the processing housing 11 interposed therebetween. At least the ejection head portion 30 A of the nozzle head 30 is accommodated in the opening of the suction duct 15 in plan view.

噴出ヘッド部３０Ａには、複数（例えば６つ、図２では３つのみ図示）の噴出口３１が形成されている。噴出口３１は、前後に延びるスリット状をなし、互いに左右に間隔を置いて並べられている。噴出口３１の左右方向の幅寸法は、例えば０．５ｍｍである。図３に示すように、各噴出口３１の下端部は、ノズルヘッド３０の底面３３（被処理物Ｗと対面する面）に達して開口されている。 A plurality (for example, six, only three are shown in FIG. 2) of the ejection heads 31 are formed in the ejection head portion 30A. The spout 31 is formed in a slit shape extending in the front-rear direction, and is arranged with a space left and right. The width dimension of the jet port 31 in the left-right direction is, for example, 0.5 mm. As shown in FIG. 3, the lower end portion of each ejection port 31 reaches the bottom surface 33 (surface facing the workpiece W) of the nozzle head 30 and is opened.

図１に示すように、外周ハウジング１２の外部に処理ガス供給源３が配置されている。この処理ガス供給源３から処理ガス供給路３ａが延び、各噴出口３１に連なっている。処理ガス供給源３は、処理目的に応じた反応成分を含む処理ガスを生成し、処理ガス供給路３ａを介してノズルヘッド３０へ送出するようになっている。図示は省略するが、ノズルヘッド３０の上側部には、処理ガス供給路３ａからの処理ガスをノズルヘッド３０の長手方向（図１の紙面直交方向）に均一化する整流部が設けられており、処理ガスが噴出口３１の長手方向に均一に導入されるようになっている。 As shown in FIG. 1, a processing gas supply source 3 is disposed outside the outer peripheral housing 12. A processing gas supply path 3 a extends from the processing gas supply source 3 and is connected to each ejection port 31. The processing gas supply source 3 generates a processing gas containing a reaction component according to the processing purpose and sends it to the nozzle head 30 via the processing gas supply path 3a. Although not shown in the figure, a rectifying unit that equalizes the processing gas from the processing gas supply path 3a in the longitudinal direction of the nozzle head 30 (the direction orthogonal to the plane of FIG. 1) is provided on the upper side of the nozzle head 30. The processing gas is introduced uniformly in the longitudinal direction of the ejection port 31.

処理ガスとして、例えば、アモルファスシリコンのエッチングにおいては、オゾン等の酸素系反応成分とフッ酸蒸気等のフッ素系反応成分を含むガスが用いられる。オゾンは、酸素（Ｏ_２）を用いてオゾナイザーにて生成できる。フッ酸蒸気は、ＣＦ_４等のフッ素含有物に水（Ｈ_２Ｏ）を添加し、プラズマ生成装置にてプラズマ化することにより生成することができる。上記オゾナイザーに代えて、プラズマ生成装置にて酸素原料からオゾンや酸素ラジカル等の酸素系反応成分を生成することにしてもよい。１つのプラズマ生成装置にてフッ酸蒸気と酸素系反応成分とを生成することにしてもよい。プラズマ生成装置は、少なくとも一対の電極を有し、これら電極間でプラズマを生成し、原料ガスをプラズマ化して反応成分を生成する。プラズマは大気圧近傍下で生成するのが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａが好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａがより好ましい。 As the processing gas, for example, in etching of amorphous silicon, a gas containing an oxygen-based reaction component such as ozone and a fluorine-based reaction component such as hydrofluoric acid vapor is used. Ozone can be generated by an ozonizer using oxygen (O ₂ ). The hydrofluoric acid vapor can be generated by adding water (H ₂ O) to a fluorine-containing material such as CF ₄ and turning it into plasma with a plasma generator. Instead of the ozonizer, oxygen-based reaction components such as ozone and oxygen radicals may be generated from an oxygen source by a plasma generation apparatus. You may decide to produce | generate a hydrofluoric acid vapor | steam and an oxygen-type reaction component with one plasma production | generation apparatus. The plasma generation apparatus has at least a pair of electrodes, generates plasma between these electrodes, and converts the raw material gas into plasma to generate reaction components. The plasma is preferably generated near atmospheric pressure. Here, the near atmospheric pressure refers to the range of ^{^{1.013 × 10 4 ~50.663 × 10 4}} Pa, considering the convenience of easier and device configuration of the pressure adjustment, 1.333 × 10 ⁴ ~ 10.664 × 10 ⁴ Pa is preferable, and 9.331 × 10 ^{4 to} 10.9797 × 10 ⁴ Pa is more preferable.

図２に示すように、左右の吸引ヘッド部３０Ｂには、吸引口３４が形成されている。吸引口３４は、前後に延びるスリット状をなしている。吸引口３４の左右方向の幅寸法は、噴出口３１より大きく、例えば２ｍｍである。 As shown in FIG. 2, suction ports 34 are formed in the left and right suction head portions 30B. The suction port 34 has a slit shape extending in the front-rear direction. The width dimension of the suction port 34 in the left-right direction is larger than that of the ejection port 31 and is 2 mm, for example.

図１に示すように、吸引口３４は、吸引路４ａに連なっている。この吸引路４ａが、外周ハウジング１２の外部に引き出され、吸引排気手段４に接続されている。吸引排気手段４は、流量制御弁や吸引ポンプや無毒化設備等を含む。
なお、吸引路４ａに連なる吸引排気部と、吸引ダクト１５に連なる吸引排気部と、排気ダクト１３に連なる吸引排気部とを、互いに共用することにしてもよい。 As shown in FIG. 1, the suction port 34 continues to the suction path 4a. This suction path 4 a is drawn out of the outer peripheral housing 12 and connected to the suction exhaust means 4. The suction exhaust means 4 includes a flow control valve, a suction pump, a detoxification facility, and the like.
Note that the suction exhaust part connected to the suction path 4a, the suction exhaust part connected to the suction duct 15, and the suction exhaust part connected to the exhaust duct 13 may be shared.

吸引口３４は、ノズルヘッド３０の底面３３に達して開口されている。
図３に最も良く示されているように、ノズルヘッド３０の底面３３における吸引口３４より内側の部分は、平坦面３３ａ（第１面部分）になっている。この平坦面３３ａに噴出口３１が開口される一方、ちょうど吸引口３４を境に段差が形成され、吸引口３４より左右外側の面３３ｂ（第２面部分）が、上側へ引っ込んでいる。したがって、吸引口３４の外側縁３４ｂ（噴出口３１側とは反対側の縁）が内側縁３４ａ（噴出口３１側の縁）より上側（被処理物Ｗとの対面方向の逆側）に引っ込んでいる。
第１面部分３３ａと第２面部分３３ｂとの間の段差の高さｈは、例えばｈ＝５〜３０ｍｍ程度が好ましい。 The suction port 34 reaches the bottom surface 33 of the nozzle head 30 and is opened.
As best shown in FIG. 3, a portion of the bottom surface 33 of the nozzle head 30 inside the suction port 34 is a flat surface 33a (first surface portion). While the jet port 31 is opened on the flat surface 33a, a step is formed just at the suction port 34, and a surface 33b (second surface portion) on the left and right outside of the suction port 34 is retracted upward. Therefore, the outer edge 34b of the suction port 34 (the edge opposite to the ejection port 31) is retracted above the inner edge 34a (the edge on the ejection port 31 side) (the opposite side in the direction facing the workpiece W). It is out.
The height h of the step between the first surface portion 33a and the second surface portion 33b is preferably about h = 5 to 30 mm, for example.

上記構成の表面処理装置１によりガラス基板Ｗを表面処理する方法を説明する。
処理すべきガラス基板Ｗを浮上エアステージ２０にて浮上させるとともに一方向（例えば左から右）へ搬送する。ガラス基板Ｗは、外周ハウジング１２の左壁の開口１２ａを通過して外周ハウジング１２内に入り、更に、処理ハウジング１１の左壁の開口１１ｂを通過して処理ハウジング１１内に入る。そして、ノズルヘッド３０の下方へ導入される。ノズルヘッド３０の底面３３とガラス基板Ｗとの間には処理空間１ａが画成される。 A method for surface-treating the glass substrate W by the surface treatment apparatus 1 having the above configuration will be described.
The glass substrate W to be processed is levitated on the levitating air stage 20 and conveyed in one direction (for example, from left to right). The glass substrate W passes through the opening 12 a on the left wall of the outer housing 12 and enters the outer housing 12, and further passes through the opening 11 b on the left wall of the processing housing 11 and enters the processing housing 11. Then, it is introduced below the nozzle head 30. A processing space 1 a is defined between the bottom surface 33 of the nozzle head 30 and the glass substrate W.

併行して、処理ガス供給源３の処理ガスを、処理ガス供給路３ａを介してノズルヘッド３０に導入し、図示しない整流部で前後方向に均一化したうえで噴出口３１から下方へ噴出する。この処理ガスが、処理空間１ａ内を左右外側へ流れながらガラス基板Ｗの表面のアモルファスシリコン層に接触する。これにより、処理ガス中のオゾン及びフッ酸蒸気（反応成分）とアモルファスシリコンとの反応が起き、アモルファスシリコン層がエッチング（表面処理）される。 At the same time, the processing gas of the processing gas supply source 3 is introduced into the nozzle head 30 through the processing gas supply path 3a, is made uniform in the front-rear direction by a rectifying unit (not shown), and is jetted downward from the jet port 31. . This processing gas contacts the amorphous silicon layer on the surface of the glass substrate W while flowing in the processing space 1a to the left and right outside. Thereby, the reaction between ozone and hydrofluoric acid vapor (reaction component) in the processing gas and amorphous silicon occurs, and the amorphous silicon layer is etched (surface treatment).

処理ガスの噴出と併行して、吸引排気手段４を駆動する。この吸引排気手段４の吸引流量は、処理ガスの噴出流量より十分に大きくする。これにより、図３に示すように、処理空間１ａから吸引口３４の直下に達した処理済みの処理ガスＦ１が、吸引口３４から吸い込まれ、吸引路４ａを経て排出される。
さらに、ノズルヘッド３０の外側の雰囲気ガスＦ２が、吸引口３４へ吸い込まれる。ここで、ノズルヘッド３０の底面３３は、吸引口３４より外側の第２面部分３３ｂが吸引口３４より内側の第１面部分３３ａより上側へ引っ込み、吸引口３４の外側縁３４ｂが内側縁より上に引っ込んでいるため、第２面部分３３ｂとガラス基板Ｗとの間の空間に入り込む雰囲気ガスＦ２の流量を大きくでき、この雰囲気ガスの流れＦ２に処理済みガスＦ１を取り込むことができる。これによって、処理済みガスＦ１を雰囲気ガスＦ２と一緒に吸引口３４に確実に吸引して排出することができる。さらには、ガラス基板Ｗの表面上に付着・滞留したガスを、剥離させて雰囲気ガスと一緒に吸引し排出することができる。
このようにして、処理ガスや付着ガスが、開口１２ａから処理ハウジング１１の外へ漏れるのを防止ないしは抑制することができる。たとえ開口１２ａから漏れたとしても、外周ハウジング１２と処理ハウジング１１との間に止め、そこから排気ダクト１３によって排気することができる。 In parallel with the ejection of the processing gas, the suction / exhaust means 4 is driven. The suction flow rate of the suction / exhaust means 4 is made sufficiently larger than the flow rate of the processing gas. Thereby, as shown in FIG. 3, the processed processing gas F1 that has reached the processing space 1a directly below the suction port 34 is sucked from the suction port 34 and discharged through the suction path 4a.
Further, the atmospheric gas F 2 outside the nozzle head 30 is sucked into the suction port 34. Here, in the bottom surface 33 of the nozzle head 30, the second surface portion 33 b outside the suction port 34 is retracted upward from the first surface portion 33 a inside the suction port 34, and the outer edge 34 b of the suction port 34 is from the inner edge. Since it is retracted upward, the flow rate of the atmospheric gas F2 entering the space between the second surface portion 33b and the glass substrate W can be increased, and the treated gas F1 can be taken into the atmospheric gas flow F2. Thus, the treated gas F1 can be reliably sucked into the suction port 34 together with the atmospheric gas F2 and discharged. Furthermore, the gas adhering and staying on the surface of the glass substrate W can be peeled off and sucked and discharged together with the atmospheric gas.
In this way, it is possible to prevent or suppress the processing gas and the attached gas from leaking out of the processing housing 11 from the opening 12a. Even if it leaks from the opening 12 a, it can be stopped between the outer peripheral housing 12 and the processing housing 11 and can be exhausted by the exhaust duct 13 therefrom.

処理済みのガラス基板Ｗは、処理ハウジング１１の右壁の開口１１ｂを通過し、更に外周ハウジング１２の右壁の開口１２ａを通過し、搬出される。
ガラス基板Ｗは、複数枚、間隔を置いて一列に並べられ、浮上エアステージ２０によって連続的に処理室１１ａに導入される。ノズルヘッド３０の下方にガラス基板Ｗが位置していないときは、未処理の処理ガスＦ１が浮上エアステージ２０のネットを通過して下方へ流れる。この処理ガスは、吸引ダクト１５に吸い込まれ、排出される。 The processed glass substrate W passes through the opening 11 b on the right wall of the processing housing 11 and further passes through the opening 12 a on the right wall of the outer peripheral housing 12 and is carried out.
A plurality of glass substrates W are arranged in a line at intervals, and are continuously introduced into the processing chamber 11 a by the floating air stage 20. When the glass substrate W is not positioned below the nozzle head 30, the unprocessed processing gas F 1 flows downward through the net of the floating air stage 20. This processing gas is sucked into the suction duct 15 and discharged.

以上のように、表面処理装置１によれば開口１２ａ，１１ｂを常時開放させていたとしても、処理ガスが外界へ漏洩するのを確実に防止することができ、複数のガラス基板Ｗを常時開放された開口１２ａ，１１ｂを介して連続的に搬送しながら連続的に処理することができ、インライン化が可能になる。 As described above, according to the surface treatment apparatus 1, even if the openings 12a and 11b are always opened, it is possible to reliably prevent the processing gas from leaking to the outside world, and the plurality of glass substrates W are always opened. It is possible to perform continuous processing while continuously transporting through the openings 12a and 11b, thus enabling in-line processing.

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の実施形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
図４は、本発明の第２実施形態を示したものである。この実施形態では、上記第１実施形態と同様にノズルヘッド３０の左右（同図では左側のみ図示）の吸引口３４の外側縁３４ｂが内側縁より上側へ引っ込む一方、この吸引口３４の外側縁３４ｂから左右外側へ延びる底面３３ｃ（第２面部分）が、吸引口３４から離れるにしたがって下へ突出する斜面になっている（噴出口３１側とは反対側に向かうにしたがって被処理位置Ｐ１へ向けて突出されている）。第２面部分３３ｃは、ガラス基板Ｗと協働してディフューザ部を構成することになる。第２面部分３３ｃの最も下に位置する外側縁３３ｄは、吸引口３４より内側の第１面部分３３ａと同じ高さになっているが、第１面部分３３ａより下に位置していてもよく、第１面部分３３ａより上に位置していてもよい。
斜面をなす第２面部分３３ｃの傾斜角度θは、例えばθ＝３〜３０°程度が好ましい。 Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, the same reference numerals are given to the drawings and the description thereof is omitted for the same configurations as those of the above-described embodiments.
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, as in the first embodiment, the outer edges 34b of the left and right suction ports 34 of the nozzle head 30 (shown only on the left side in the figure) are retracted upward from the inner edges, while the outer edges of the suction ports 34 are A bottom surface 33c (second surface portion) extending outward from left and right from 34b is a slope that protrudes downward as it moves away from the suction port 34 (to the processing position P1 as it goes away from the jet port 31 side). Projecting towards). The second surface portion 33c forms a diffuser portion in cooperation with the glass substrate W. The outer edge 33d located at the bottom of the second surface portion 33c is at the same height as the first surface portion 33a inside the suction port 34, but may be located below the first surface portion 33a. It may be located above the first surface portion 33a.
The inclination angle θ of the second surface portion 33c forming the inclined surface is preferably about θ = 3 to 30 °, for example.

第２実施形態によれば、第２面部分３３ｃの外側縁とガラス基板Ｗとの間の隙間が狭くなっているため、処理空間１ａからの処理済みの処理ガスＦ１が外部へ漏れにくくすることができる。加えて、第２面部分３３ｃとガラス基板Ｗとの間のディフューザ効果により、ノズルヘッド３０の外側の雰囲気ガスＦ２が、第２面部分３３ｃとガラス基板Ｗとの間の空間に入り込んだ後、膨張する。これにより、処理空間１ａからの処理済みガスＦ１が、雰囲気ガスの流れＦ２に確実に取り込まれて混合され、雰囲気ガスＦ２と一緒に吸引口３４に確実に吸い込まれる。よって、処理ガス済みガスＦ１が外部に漏洩するのを確実に防止することができる。 According to the second embodiment, since the gap between the outer edge of the second surface portion 33c and the glass substrate W is narrow, the processed processing gas F1 from the processing space 1a is less likely to leak to the outside. Can do. In addition, after the atmospheric gas F2 outside the nozzle head 30 enters the space between the second surface portion 33c and the glass substrate W due to the diffuser effect between the second surface portion 33c and the glass substrate W, Inflate. Thus, the processed gas F1 from the processing space 1a is reliably taken in and mixed in the atmospheric gas flow F2, and is reliably sucked into the suction port 34 together with the atmospheric gas F2. Therefore, it is possible to reliably prevent the processing gas-completed gas F1 from leaking to the outside.

図５は、本発明の第３実施形態を示したものである。この実施形態のノズルヘッド３０には、左右（同図では左側のみ図示）の吸引口３４のさらに外側に不活性噴出口３５が設けられている。不活性噴出口３５は、まっすぐ下方へ延び、ノズルヘッド３０の底面３３に達して開口されている。不活性噴出口３５の上流端は、不活性供給路５ａを介して不活性ガス供給源５に連なっている。不活性ガスは、被処理物Ｗとの反応性を有しないものであればよく、例えば、窒素、空気、アルゴン、ヘリウム等を用いる。 FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention. The nozzle head 30 of this embodiment is provided with an inactive jet 35 on the outer side of the left and right suction ports 34 (only the left side is shown in the figure). The inert nozzle 35 extends straight downward and reaches the bottom surface 33 of the nozzle head 30 and is opened. The upstream end of the inert jet 35 is connected to the inert gas supply source 5 through the inert supply path 5a. The inert gas only needs to have no reactivity with the workpiece W, and for example, nitrogen, air, argon, helium, or the like is used.

第３実施形態によれば、吸引口３４の外側に不活性ガスのカーテンＦ３を形成することができ、処理済みガスＦ１の外部への漏洩を一層確実に防止することができる。また、不活性ガスは、表面処理装置１の各構成部材等に接触しても腐食等の反応を起こすことがなく、外界に漏洩しても何ら支障がない。不活性ガスＦ３は、処理済みガスＦ１とともに吸引口３４に吸引されて排出される。さらに、ガラス基板Ｗの表面に付着、滞留しているガスを剥離させて不活性ガスと一緒に吸引口３４から吸引して排出することができ、上記付着ガスがガラス基板Ｗと共に外部に搬出されるのを防止することができる。 According to the third embodiment, the inert gas curtain F3 can be formed outside the suction port 34, and leakage of the treated gas F1 to the outside can be more reliably prevented. Further, the inert gas does not cause a reaction such as corrosion even if it contacts each component of the surface treatment apparatus 1, and there is no problem even if it leaks to the outside. The inert gas F3 is sucked into the suction port 34 together with the processed gas F1 and discharged. Furthermore, the gas adhering to and staying on the surface of the glass substrate W can be peeled off and sucked and discharged together with the inert gas from the suction port 34, and the adhered gas is carried out together with the glass substrate W. Can be prevented.

図６は、本発明の第４実施形態を示したものである。この実施形態では、不活性噴出口３５の下側部（先端部分）が、最下端の開口へ向かうにしたがって吸引口３４へ近づくように斜めになり、エジェクタ路３５ａを構成している。ノズルヘッド３０底面におけるエジェクタ路３５ａの先端開口と第２面部分３３ｃ（ディフューザ部）との間は、水平なスロート面３３ｅになっている。スロート面３３ｅは、ガラス基板Ｗと協働してスロート部を構成することになる。 FIG. 6 shows a fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, the lower side portion (front end portion) of the inert jet port 35 is inclined so as to approach the suction port 34 toward the lowermost opening, thereby forming the ejector path 35a. A horizontal throat surface 33e is formed between the tip opening of the ejector passage 35a on the bottom surface of the nozzle head 30 and the second surface portion 33c (diffuser portion). The throat surface 33e forms a throat portion in cooperation with the glass substrate W.

第４実施形態によれば、不活性ガスＦ３がエジェクタ路３５ａから吸引口３４の側へ向けて噴出されるとともに、この不活性ガスの噴出流Ｆ３のエジェクタ効果によって、外部の雰囲気ガスＦ２をノズルヘッド３０とガラス基板Ｗとの間に確実に引き込むことができる。この雰囲気ガスの引き込み流Ｆ２によって、処理済みガスＦ１が外部に漏れるのを確実に防止することができる。また、不活性ガスの噴出流量は小さくて済み、ランニングコストの削減を図ることができる。 According to the fourth embodiment, the inert gas F3 is ejected from the ejector passage 35a toward the suction port 34, and the external atmospheric gas F2 is ejected from the nozzle by the ejector effect of the inert gas ejection flow F3. It can be reliably pulled between the head 30 and the glass substrate W. The atmospheric gas draw-in flow F2 can reliably prevent the treated gas F1 from leaking to the outside. Further, the flow rate of the inert gas may be small, and the running cost can be reduced.

不活性ガスＦ３と雰囲気ガスＦ２は、互いに混合されながらスロート部へ流入し、流速が増大して静圧が低下し、その後、ディフューザ部へ流入して減速される。これによって、雰囲気ガスＦ２の引き込み流量を確実に増大させることができ、処理済みガスＦ１の漏洩を一層確実に防止することができる。 The inert gas F3 and the atmospheric gas F2 flow into the throat portion while being mixed with each other, increase the flow velocity and decrease the static pressure, and then flow into the diffuser portion and decelerate. As a result, the flow rate of the atmospheric gas F2 can be reliably increased, and the leakage of the treated gas F1 can be prevented more reliably.

図７は、本発明の第５実施形態を示したものである。この実施形態では、ガラス基板Ｗの移動手段としてローラコンベア４０が用いられている。ローラコンベア４０は、モータ等の駆動部４１と、この駆動部４１とコンベア本体４２とを接続する伝達部４３とを有している。伝達部４３は、プーリ、エンドレスベルト、チェーン、ギア列等で構成されている。コンベア本体４２は、左右に並べられたローラ軸（詳細図示省略）と、各ローラ軸に設けられたローラ４４とを有している。駆動部４１の動力が伝達部４３によってローラ軸に伝達され、ローラ４４が回転されることにより、ガラス基板Ｗが移動（駆動部４１の動力が被処理物Ｗに間接的に伝達）されるようになっている。 FIG. 7 shows a fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, a roller conveyor 40 is used as the moving means of the glass substrate W. The roller conveyor 40 includes a driving unit 41 such as a motor, and a transmission unit 43 that connects the driving unit 41 and the conveyor main body 42. The transmission unit 43 includes a pulley, an endless belt, a chain, a gear train, and the like. The conveyor main body 42 has roller shafts (not shown in detail) arranged on the left and right, and rollers 44 provided on each roller shaft. The power of the drive unit 41 is transmitted to the roller shaft by the transmission unit 43, and the glass substrate W is moved (the power of the drive unit 41 is indirectly transmitted to the workpiece W) by rotating the roller 44. It has become.

処理室１１ａ内のコンベア本体４２のための駆動部４１は、処理室１１ａの外部に配置されている。これによって、処理ガス又は反応による副生成物が腐食性成分を含んでいたとしても、その腐食性成分が駆動部４１に接触するのを防止できる。したがって、駆動部４１の腐食を防止でき、長寿命化を図ることができる。
駆動部４１は、外周ハウジング１２と処理ハウジング１１の間に配置してもよく、外周ハウジング１２の外部に配置してもよい。 The drive unit 41 for the conveyor main body 42 in the processing chamber 11a is disposed outside the processing chamber 11a. Thereby, even if the processing gas or the by-product resulting from the reaction contains a corrosive component, the corrosive component can be prevented from coming into contact with the drive unit 41. Therefore, corrosion of the drive unit 41 can be prevented and the life can be extended.
The drive unit 41 may be disposed between the outer peripheral housing 12 and the processing housing 11 or may be disposed outside the outer peripheral housing 12.

本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、当業者に自明の範囲で種々の改変をなすことができる。
例えば、上記実施形態に記載した寸法等の数値はあくまでも例示であって、これに何ら限定されるものではなく、適宜変更することができる。
被処理物Ｗは、ガラス基板に限られず、シリコンウェハでもよく、樹脂フィルムでもよく、表面処理されるものであれば特に限定がない。
表面処理の内容は、アモルファスシリコン層のエッチングに限られず、酸化膜や窒化膜等の他の成分のエッチングでもよく、エッチングに限られず、成膜、表面改質、洗浄等、種々の表面処理に適用可能である。成膜としては例えばアモルファスシリコン層のＣＶＤが挙げられる。表面改質としては、例えばゴム管の継部分等の接着性を向上させる処理や、濡れ性を向上させる処理等が挙げられる。
処理ガスは、被処理物Ｗの組成や表面処理の内容に応じて適宜選択される。上記実施形態のオゾンやフッ酸蒸気をはじめ、ＨＦ、ＣＯＦ_２、Ｆ_２、ＣＯ、ＮＯ等の腐食性、毒性を有する成分を用いてもよい。本発明によれば、処理ガス成分が腐食性、毒性を有している場合であっても、外部への漏洩を確実に防止することができ、信頼性を確保することができる。
移動手段には特に限定がない。浮上式ステージに代えて被処理物Ｗを接触させて載置するプレートステージを用いてもよく、移動手段が、このプレートステージを移動させるようになっていてもよい。被処理物Ｗがウェハ等の場合、この被処理物Ｗを吸着ハンドで吸着し、この吸着ハンドをマニピュレータ（移動手段）で移動させるようにしてもよい。被処理物Ｗが、長い樹脂フィルムである場合、移動手段として樹脂フィルムを繰り出すロールと巻き取るロールを用いてもよい。
被処理物Ｗを位置固定する一方、移動手段にてノズル部３０を移動させることにしてもよく、被処理物Ｗとノズル部を共に移動させることにしてもよい。移動手段を省略し、ノズル部と被処理物Ｗとを相対移動させずに処理することにしてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope obvious to those skilled in the art.
For example, the numerical values such as dimensions described in the above embodiment are merely examples, and are not limited to these, and can be changed as appropriate.
The workpiece W is not limited to a glass substrate, and may be a silicon wafer or a resin film, and is not particularly limited as long as it is surface-treated.
The content of the surface treatment is not limited to the etching of the amorphous silicon layer, but may be the etching of other components such as an oxide film and a nitride film, and is not limited to the etching, but for various surface treatments such as film formation, surface modification, and cleaning. Applicable. Examples of film formation include CVD of an amorphous silicon layer. Examples of the surface modification include a treatment for improving the adhesiveness of a joint portion of a rubber tube, a treatment for improving wettability, and the like.
The processing gas is appropriately selected according to the composition of the workpiece W and the content of the surface treatment. In addition to ozone and hydrofluoric acid vapor in the above embodiment, corrosive and toxic components such as HF, COF ₂ , F ₂ , CO, and NO may be used. According to the present invention, even when the processing gas component is corrosive and toxic, leakage to the outside can be surely prevented, and reliability can be ensured.
There is no particular limitation on the moving means. A plate stage on which the workpiece W is placed in contact may be used instead of the floating stage, and the moving means may move the plate stage. When the workpiece W is a wafer or the like, the workpiece W may be sucked with a suction hand, and the suction hand may be moved with a manipulator (moving means). When the workpiece W is a long resin film, a roll for feeding out the resin film and a roll for winding may be used as the moving means.
While the workpiece W is fixed in position, the nozzle unit 30 may be moved by the moving means, or the workpiece W and the nozzle unit may be moved together. The moving unit may be omitted, and the nozzle unit and the workpiece W may be processed without moving relative to each other.

本発明は、例えば液晶パネルなどの半導体装置の製造工程に利用可能である。 The present invention can be used in a manufacturing process of a semiconductor device such as a liquid crystal panel.

本発明の第１実施形態を示し、表面処理装置の全体構成の正面図である。1 is a front view of an overall configuration of a surface treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention. 上記表面処理装置の平面図である。It is a top view of the said surface treatment apparatus. 上記表面処理装置のノズルヘッドの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle head of the said surface treatment apparatus. 本発明の第２実施形態を示すノズルヘッドの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle head which shows 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態を示すノズルヘッドの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle head which shows 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態を示すノズルヘッドの断面図である。It is sectional drawing of the nozzle head which shows 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態を示す正面図である。It is a front view which shows 5th Embodiment of this invention.

Explanation of symbols

１表面処理装置
１ａ処理空間
２エア供給源
２ａ浮上エア供給路
３処理ガス供給源
３ａ処理ガス供給路
４吸引排気手段
４ａ吸引路
５不活性ガス供給源
５ａ不活性供給路
１０二重ハウジング
１１処理ハウジング
１１ａ処理室
１１ｂ開口
１２外周ハウジング
１２ａ開口
１３排気ダクト（排気部）
１４ファンフィルタユニット
１５吸引ダクト（吸引部）
２０浮上エアステージ（移動手段）
２１エア噴出部
２１ａ小孔
２２浮上エア供給ポート
２３推進コロ
３０ノズルヘッド（ノズル部）
３０Ａ噴出ヘッド部
３０Ｂ吸引ヘッド部
３１噴出口
３３ノズルヘッド底面（被処理物と対面する面）
３４吸引口
３３ａ第１面部分
３３ｂ第２面部分
３３ｃ第２面部分（ディフューザ部）
３３ｄ外側縁
３３ｅスロート面
３４ａ吸引口の噴出口側の縁
３４ｂ吸引口の噴出口側とは反対側の縁
３５不活性噴出口
３５ａエジェクタ路
４０ローラコンベア（移動手段）
４１駆動部
４２コンベア本体
４３伝達部
Ｆ１処理ガス流
Ｆ２雰囲気ガス流
Ｆ３不活性ガス流
Ｐ１被処理位置
Ｗガラス基板（被処理物） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Surface treatment apparatus 1a Processing space 2 Air supply source 2a Floating air supply path 3 Processing gas supply source 3a Processing gas supply path 4 Suction exhaust means 4a Suction path 5 Inert gas supply source 5a Inactive supply path 10 Double housing 11 Processing Housing 11a Processing chamber 11b Opening 12 Outer peripheral housing 12a Opening 13 Exhaust duct (exhaust part)
14 Fan filter unit 15 Suction duct (suction part)
20 Floating air stage (moving means)
21 Air ejection part 21a Small hole 22 Floating air supply port 23 Propulsion roller 30 Nozzle head (nozzle part)
30A Ejection head portion 30B Suction head portion 31 Ejection port 33 Nozzle head bottom surface (surface facing the object to be processed)
34 Suction port 33a First surface portion 33b Second surface portion 33c Second surface portion (diffuser portion)
33d Outer edge 33e Throat surface 34a Edge 34b of suction port side 34b Edge 35 of suction port opposite to jet port side Inactive jet port 35a Ejector path 40 Roller conveyor (moving means)
41 Drive unit 42 Conveyor body 43 Transmission unit F1 Processing gas flow F2 Atmospheric gas flow F3 Inert gas flow P1 Processing position W Glass substrate (processing object)

Claims

An apparatus for performing surface treatment by spraying a processing gas on an object to be processed,
A nozzle portion facing a processing position where a workpiece is to be disposed is provided, and a nozzle port for jetting the processing gas toward the processing position and a suction port for sucking the gas are arranged in the nozzle portion. The surface treatment apparatus is characterized in that an edge of the suction port opposite to the ejection port side is recessed from the edge of the ejection port side to the opposite side in the facing direction.

The surface of the nozzle portion facing the processing position is a first surface portion between the jet port and the suction port, and a second surface opposite to the first surface portion across the suction port. The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the second surface portion is retracted to the opposite side of the facing direction from the first surface portion.

The surface of the nozzle portion that faces the processing position has a second surface portion that is continuous with the opposite edge of the suction port, and the second surface portion is directed to the opposite side to the ejection port side. The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the surface treatment apparatus protrudes toward the position to be treated.

An inert jet port for jetting an inert gas is provided on the side opposite to the jet port side from the suction port of the nozzle portion, and a tip portion of the inert jet port is directed to the suction port. 4. The device according to claim 3, wherein the first surface portion is inclined to the opposite side of the suction port side with respect to the second surface portion of the surface facing the processing position. Surface treatment equipment.

A suction part that is arranged to face the nozzle part across the processing position and sucks a gas;
Moving means for moving the object to be passed between the nozzle part and the suction part;
The surface treatment apparatus according to claim 1, comprising:

A processing housing in which the processing position is disposed and at least a portion of the nozzle portion facing the processing position;
The said moving means contains the drive part arrange | positioned outside the said process housing, and the transmission part which transmits the motive power of the said drive part to the said to-be-processed object directly or indirectly. The surface treatment apparatus according to any one of 5.

The surface treatment apparatus according to claim 6, further comprising an outer peripheral housing that surrounds the processing housing, and an exhaust unit that sucks and exhausts between the outer peripheral housing and the processing housing.