JP2008277673A

JP2008277673A - Ｃｖｄ装置

Info

Publication number: JP2008277673A
Application number: JP2007122101A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Ishida; 昌昭石田; Takashi Tosaka; 隆嗣東坂
Original assignee: Canon Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 2007-05-07
Filing date: 2007-05-07
Publication date: 2008-11-13

Abstract

【課題】真空排気した反応容器内に原料ガスを導入し、所定の温度に加熱された基板上に薄膜を堆積させるCVD装置において、前記反応容器の外側に配備されていて、前記反応容器内部から外部に向かう放射光を受光して温度計測する放射温度計と、前記反応容器の周壁に配備されていて前記放射光を前記放射温度計に導く覗き窓部とを備えているＣＶＤ装置において、覗き窓部の窓板に生じるデポ膜付着を低減させる。
【解決手段】覗き窓部が、反応容器の周壁を反応容器の内側から外側に向けて貫通する筒状の導入部と、該導入部の外側端部に配備される窓板とからなり、前記導入部を取り囲む冷却手段が配備されているＣＶＤ装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、真空排気した反応容器内に原料ガスを導入し、所定の温度に加熱された基板上に薄膜を堆積させるＣＶＤ装置に関する。特に、反応容器の外側に配備されている放射温度計により、反応容器内部から外部に向かう放射光を受光して、基板及び／又は当該基板を支持する手段などの温度を計測する機構を備えたＣＶＤ装置に関する。

ＣＶＤ装置では、真空排気した反応容器内において基板を所定の温度に加熱すると共に、反応ガスを反応容器内に供給し、基板表面に薄膜を形成している。

例えば、Ｓｉ_２Ｈ_６ガスのような反応ガス（成膜用のプロセスガス）が、真空排気された反応容器内に供給され、加熱された基板の表面に触れ、５００℃以上の温度の熱エネルギーにより熱分解等されて、基板の表面に薄膜が形成される。

このようなＣＶＤ処理においては、処理速度等の処理プロセスが温度によって変化するので、高精度な処理を行うためには、基板及び／又は当該基板を支持する手段（例えば、基板が載置されるサセプタ）の温度を正確に測定し、その温度を精度良く制御することが望ましい。

基板やサセプタ等の温度を測定する方法としては、従来から、サセプタに熱電対を設け、この熱電対に発生する起電力に基づいて温度を測定する方法が知られている。しかし、熱電対を使用して温度を測定する方法では、熱電対が雰囲気に対して不安定であるという問題や、接触不良や経年変化が生じ易く、測定結果の再現性に欠けるという問題があった。

このため、熱電対に替えて、反応容器外に設けた放射温度計を使用して、反応容器内を覗ける覗き窓から透過する基板あるいはサセプタからの光の放射量により、基板やサセプタの温度を測定する放射温度測定が試みられている（例えば、特許文献１参照）。
特開平６−１５１３３７号公報

図８、図９は前記の特許文献１などで提案されている従来技術の一例を説明するものである。

ＣＶＤ装置１００は、真空排気した反応容器１０１内に原料ガスを導入し、基板加熱機構１０４によって所定の温度に加熱された基板１０８上に薄膜を堆積させるものである。

反応容器１０１の外側に放射温度計１０７が配備されていて、反応容器１０１内部から外部に向かう放射光を受光して温度（例えば、基板１０８や基板１０８を支持しているサセプタの温度）を計測するようになっている。

反応容器１０１の周壁には、基板１０８からの放射光を放射温度計１０７に導く覗き窓部１０２が配備されている。

覗き窓部１０２には窓板１０３が取り付けられていて、これにより、反応容器１０１内部から外部に向かう放射光を放射温度計１０７に導きつつ、反応容器１０１の真空封止を行っている。

覗き窓部１０２は、窓板１０３がプロセスガスに直接触れることを防止すべく、図８、図９図示のように、反応容器１０１の外側に突き出た形態・構造で配備され、その外側の端部に窓板１０３が取付けられる構造となっているのが一般的である。

そこで、反応容器１０１の温度上昇を抑えるために冷却手段、例えば、冷却ジャケット１０５が反応容器１０１を覆うように配備されている場合であっても、覗き窓部１０２及び、その外側端部に配備されている窓板１０３は、図８、図９に例示するように、反応容器１０１を覆う冷却ジャケット１０５よりも更に外側に向けて突き出た構造になっているのが一般的であった。

図８、図９、図１０に例示するように、反応容器１０１外に設けた放射温度計１０７、１０９を使用して、反応容器１０１内を覗ける窓板１０３から透過する光の放射量により基板１０８及び／又は基板１０８を支持する手段の温度を測定する場合、反応容器１０１内の基板加熱機構１０４からの熱によって窓板１０３が加熱される。

この加熱された窓板１０３の反応容器１０１内に面する表面に、真空容器１０１内に存在する成膜用のプロセスガスによるデポ膜が付着する。

このため、窓板１０３に曇りが生じるので、光の透過率が低下し、窓板１０３越しに取付けられた放射温度計１０７の温度指示値に変化が生じてしまう。

温度指示値が変化すると、基板１０８及び／又は基板１０８を支持する手段の温度が正しい値（曇る前の初期温度指示値）を示さなくなってしまう。

そこで、正確な温度計測の必要性から覗き窓のメンテナンスが必要になり、これがＣＶＤ装置のメンテナンスサイクルを決める要因となっていた。

窓板１０３の温度をＣＶＤ反応温度より低くすることによって窓板１０３の反応容器１０１内に面する表面へのデポ膜付着を抑制し、これによって、メンテナンスサイクルを長くすべく、覗き窓部１０２に水冷効果を与える方法が考えられる。例えば、図１０に示すように覗き窓部１０２の周囲に水冷パイプ１０６を巻き付けるものである。

しかし、この方法では、覗き窓部１０２と水冷パイプ１０６の構成が間接水冷構造にとどめるため、接触面が少なく、十分な水冷効果が得られず、窓板１０３の反応容器１０１内に面する表面へのデポ膜付着を効果的に防止することが困難であった。

そこで、本発明は、反応容器外に設けた放射温度計を使用して、反応容器内を覗ける覗き窓から透過する、反応容器内部から外部に向かう放射光の放射量により、基板及び／又は基板を支持する手段の温度を測定する機構を備えているCVD装置において、温度計測用の覗き窓の窓板に生じるデポ膜付着の低減を可能ならしめるＣＶＤ装置を提供することを目的にしている。

前記目的を達成するため、本発明は、真空排気した反応容器内に原料ガスを導入し、所定の温度に加熱された基板上に薄膜を堆積させるＣＶＤ装置において、前記反応容器の外側に配備されていて、前記反応容器内部から外部に向かう放射光を受光して温度計測する放射温度計と、前記反応容器の周壁に配備されていて前記放射光を前記放射温度計に導く覗き窓部とを備え、前記覗き窓部は、前記反応容器の周壁を前記反応容器の内側から外側に向けて貫通する筒状の導入部と、該導入部の外側端部に配備される窓板とからなり、前記導入部を取り囲む冷却手段が配備されているＣＶＤ装置を提案するものである。

覗き窓部を構成する、前記反応容器の周壁を前記反応容器の内側から外側に向けて貫通する筒状の導入部を取り囲む冷却手段が配備されているので、効果的に覗き窓部及び、覗き窓部を構成する窓板を冷却し、窓板の反応室内側に向かう表面に原料ガスによるデポ膜が付着することを効果的に防止できる。

すなわち、ＣＶＤ装置によるＣＶＤ反応において、反応容器内に供給されるプロセスガス、例えば、Ｓｉ_２Ｈ_６ガスは、ＣＶＤ反応温度である５００℃以上の温度の熱エネルギーにより熱分解され、基板上にＳｉ膜が形成される。そして、基板に吸着しないガス分子、ＳｉＨｘ、Ｓｉ_２Ｈｘ等は、反応容器内を浮遊し、反応容器内壁に付着あるいは、排気される。

そこで、窓板の反応室内側に向かう表面に付着するのは上記した基板に吸着しなかった浮遊分子と推測できる。

これら浮遊分子は覗き窓部内の雰囲気温度が所定の温度より低くなったときには自身のエネルギーが減衰され、窓板に付着することなく途中で吸着あるいは排気される。

本発明のＣＶＤ装置においては、覗き窓部を構成する、前記反応容器の周壁を前記反応容器の内側から外側に向けて貫通する筒状の導入部を取り囲む冷却手段が配備されていることにより、覗き窓部内の雰囲気温度が所定の温度より低くし、前述した浮遊分子が窓板の反応室内側に向かう表面に到達することを防止し、窓板の反応室内側に向かう表面に原料ガスによるデポ膜が付着することを防止したのである。

前記本発明のＣＶＤ装置において、前記導入部の前記反応容器の内側端部から前記窓板の外側表面までの距離Ｌ_２と、前記導入部の直径Ｄとは、Ｌ_２／Ｄ＝１〜４０の関係にあるようにすることができる。

導入部の反応容器の内側端部から窓板の外側表面までの距離Ｌ_２と、導入部の直径ＤとがＬ_２／Ｄ＝１〜４０の関係にあるようにすることによって、ＣＶＤ装置に配備される覗き窓部、前記の導入部などの機械構造的な大きさ、放射温度計の計測スポットのスポット径と計測可能距離の関係を考慮した上で、温度測定に必要な放射光の量を得て、かつ導入部に侵入する浮遊ガスの量を可能な限り少なくすることができる。そして、導入部を取り囲む冷却手段が配備されていることによる冷却効果と相俟って、窓板へのデポ膜付着をより効果的に抑えることができる。

また、前記本発明のいずれのＣＶＤ装置においても、前記放射温度計を取り囲む冷却手段が更に配備されている形態にすることができる。

このようにすると、覗き窓部に与える冷却効果がより発揮でき、デポ膜の付着が一層効果的に抑えられる。

更に、以上説明した本発明のいずれのＣＶＤ装置においても、前記窓板は、前記導入部の外側端部に配備されている窓取付フランジを介して前記導入部の外側端部に配備されており、前記反応容器の周壁と当該窓取付フランジとの間がメタルガスケットでシールされている構造にすることができる。

本発明のＣＶＤ装置においては、覗き窓部を構成する導入部を取り囲む冷却手段が配備されており、反応容器の周壁と窓取付フランジとの間をメタルガスケットでシールすることにより、覗き窓部を構成する窓板と当該冷却手段との間の熱伝導率を高め、冷却効果を向上させて、窓板をＣＶＤ反応温度より低い温度にし、窓板の反応容器内に面する表面へのデポ膜付着を効果的に抑制できる。

本発明によれば、反応容器外に設けた放射温度計を使用して、反応容器内を覗ける覗き窓から透過する、反応容器内部から外部に向かう放射光の放射量により、基板及び／又は基板を支持する手段の温度を測定する機構を備えているCVD装置において、温度計測用の覗き窓の窓板に生じるデポ膜付着の低減を可能ならしめるＣＶＤ装置を提供できる。

これによって、覗き窓の窓板に生じるデポ膜付着により実施が必要になる覗き窓のメンテナンスサイクルを長くし、ひいては、ＣＶＤ装置のメンテナンスサイクルを長くして、ＣＶＤ装置の長期にわたる使用を可能にすることが出来る。

以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。

本発明のＣＶＤ装置１は、真空排気した反応容器２内に原料ガスを導入し、基板加熱機構６によって所定の温度に加熱された基板５上に薄膜を堆積させるものである。

図８〜図１０を用いて説明した従来のＣＶＤ装置と同じく、反応容器２の外側に放射温度計１２が配備されていて、反応容器２内部から外部に向かう放射光を受光して温度（例えば、基板５や基板５を支持しているサセプタ３の温度）を計測するようになっている。

反応容器２の周壁には、反応容器２内部から外部に向かう放射光を放射温度計１２に導く覗き窓部１０が配備されている。

覗き窓部１０には窓板１１が取り付けられていて、これにより、反応容器２内部から外部に向かう放射光を放射温度計１２に導きつつ、反応容器２の真空封止が行われている。

このＣＶＤ装置１による成膜処理等に使用するプロセスガス、例えば、Ｓｉ_２Ｈ_６ガスは、５００℃以上の温度による熱エネルギーにより分解し、基板５上にＳｉ膜が形成される。

Ｓｉ膜等の薄膜形成においては、サセプタ３及び基板５の温度、温度分布等の制御が必要であり、反応容器２の周壁に配備されている覗き窓部１０と、この覗き窓部１０の窓板１１を透過する放射光である赤外線のエネルギーにより温度計測する放射温度計１２が、図１図示の例では、それぞれ３箇所に設けられている。

窓板１１に対向して反応容器２の外部に配備されている放射温度計１２は、窓板１１を介して基板５から放射される所定の波長の赤外線エネルギーを測定することで、基板５及び／又はサセプタ３の温度を計測するものである。

図示の例では、基板５に面する反応容器２の周壁は水冷等の冷却手段である冷却ジャケット８に覆われている。

これはプロセスガスに接触する反応容器２の内壁をＣＶＤ反応温度よりも低く抑えることで、基板５以外の部分に不要な膜形成を発生させないようにしたものである。

図２に示すように覗き窓部１０は、反応容器２の周壁を反応容器２の内側から外側に向けて貫通する筒状の導入部１５と、導入部１５の外側端部に配備される窓板１１とから構成されている。

図示の例では、導入部１５の外側端部に窓取付フランジ１６が配備され、この窓取付フランジ１６に窓板１１が取付けられている。

窓板１１には、石英等のような透明材質を使用することができる。これは、ガラスが、赤外線に対して約２．５μｍより短い短波長を透過し、２．５μｍより長い長波長は吸収する性質を持っているため、窓板１１をガラス製にすると温度計測に使用する波長に制限を受けるからである。

なお、上記した短波長での使用のみである場合は窓板１１をガラス製にすることもできる。

反応容器２の周壁と窓取付フランジ１６との間は、図７（ａ）に示すように、メタルガスケット２０でシールすることができる。

図７（ａ）図示の実施形態では、反応容器２の周壁と窓取付フランジ１６との間をメタルガスケット２０でシールし、取付フランジ１６とメタルガスケット２０との間に封止用金属２１を配備し、こうして導入部１５の外側端部に配備される窓取付フランジ１６に窓板１１を取付けている。メタルガスケット２０及び封止用金属２１を用いて、反応容器２を効果的に密封している。

反応容器内部から外部に向かう放射光を放射温度計に導く覗き窓部を反応容器２の周壁に配備し、当該覗き窓部に窓板１１を取り付ける場合、従来は、図７（ｂ）に例示すように、Ｏリング２２を介して窓板１１を窓取付フランジ１６に取付ける構造・形態が採用されていた。

本発明のＣＶＤ装置１においては、導入部１５を取り囲む冷却手段が配備されており、図７（ａ）図示のように、反応容器２の周壁と窓取付フランジ１６との間をメタルガスケット２０でシールすることにより、窓板１１と当該冷却手段との間の熱伝導率を高め、冷却効果を向上させて、窓板１１をＣＶＤ反応温度より低い温度にし、窓板１１の反応容器２内に面する表面へのデポ膜付着を効果的に抑制することができる。

本発明のＣＶＤ装置１においては、導入部１５を取り囲む冷却手段が配備されているが、図に例示した実施形態では、前述した冷却ジャケット８が、覗き窓部１０全体の周囲を覆うように配備され、これによって導入部１５が冷却手段で取り囲まれている。

従来のＣＶＤ装置では加熱機構６により基板５が加熱され、プロセスガスが供給されてＣＶＤ反応が進行しているときに、覗き窓部１０の内部雰囲気の温度は２００℃程度に加熱されていた。

しかし、本発明のＣＶＤ装置においては、冷却ジャケット８が覗き窓部１０全体を覆っていることから冷却効果が向上し、覗き窓部１０内（すなわち、導入部１５内）を約６０℃程度の雰囲気温度にすることができる。これによって、窓板１１へのデポ膜付着を効果的に抑制できるようにしたのである。

ＣＶＤ反応が進行しているとき、図８〜図１０に例示した従来のＣＶＤ装置では、覗き窓部１０内の雰囲気温度は２００℃程度で、これは基板５に形成される薄膜が反応生成される温度（約５００℃以上）よりもかなり低い温度である。

従来のこのような状態であっても、前述したように、デポ膜が窓板に付着していた。そこで、窓板に付着するデポ膜は、基板５に吸着しない反応容器２内を浮遊するガス分子、ＳｉＨｘやＳｉ_２Ｈｘの付着による現象と考えることができる。

これら浮遊ガス分子は、覗き窓部１０内の温度が高い場合、例えば、前述した２００℃程度のときは、覗き窓部１０の導入部１５に侵入してもエネルギーの減少が少なく、そのまま窓板１１に達することができ、窓板１１に付着すると考えられる。

しかし、覗き窓部１０内（すなわち、導入部１５内）の雰囲気温度が、例えば、６０℃程度の低温度に冷却されているときは、浮遊分子のエネルギーを減衰させるため、デポ膜は導入部１５に付着するか、あるいは排気されることとなる。

そのため、本発明のＣＶＤ装置においては、窓板１１へのデポ膜付着を抑えることができる。

図８に示す従来のＣＶＤ装置では覗き窓部内の雰囲気温度が約２００℃であり、使用前の窓板１０３の透過率が０．９２（初期条件）であったのが装置使用後のメンテナンス処理後でも０．８７に低下した。

本発明のＣＶＤ装置によれば、覗き窓部１０内（すなわち、導入部１５内）の雰囲気温度を、例えば、６０℃程度の低温度に冷却することができ、装置使用後の透過率は０．９２のまま低下しなかった。このように本発明のＣＶＤ装置では透過率が変化していないことから、窓部１１へのデポ膜付着が抑えられていることがわかる。

次に、図３、図４、図５を参照して、覗き窓部１０を構成する、反応容器２の周壁を反応容器２の内側から外側に向けて貫通する筒状の導入部１５の大きさ（径、長さ（深さ））について説明する。

なお、図３、図４、図５において、図１、図２を用いて説明した前記の実施形態で説明したものと同一の部材、構造には、図１、図２と同一符号を付け、その説明を省略する。

図５に示す導入部１５の反応容器２の内側端部から窓板１１の外側表面までの距離Ｌ_２と、導入部１５の直径Ｄとの関係は、放射温度計１２の計測スポット３０のスポット径と計測可能距離の関係、ＣＶＤ装置に配備される覗き窓部１０、導入部１５の機械構造的な大きさ、そして、放射温度計１２による温度測定に必要な放射光の量を確保し、かつ導入部１５に侵入する浮遊ガスの量を可能な限り少なくすることによって窓板１１へのデポ膜付着をより効果的に抑える、という観点から定めることができる。

窓板１１へのデポ膜付着をより効果的に抑えるという上では、導入部１５の直径Ｄをより小さくして、導入部１５に侵入する浮遊ガスの量を可能な限り少なくすることが望ましい。しかし、その一方で、導入部１５の直径Ｄを過剰に小さくすると、放射温度計１２による温度測定に必要な放射光の量を確保することが困難になる。

発明者等の検討によれば、前記の観点から、導入部１５の反応容器２の内側端部から窓板１１の外側表面までの距離Ｌ_２と、導入部１５の直径Ｄとの関係は、Ｌ_２／Ｄ＝１〜４０であることが望ましかった。

すなわち、Ｌ_２／Ｄ＝１〜４０の範囲であればＣＶＤ装置に配備される覗き窓部１０、導入部１５の機械構造的な大きさ、放射温度計１２の計測スポット３０のスポット径と計測可能距離の関係を考慮した上で、温度測定に必要な放射光の量を得て、かつ導入部１５に侵入する浮遊ガスの量を可能な限り少なくすることができる。

そして、導入部１５を取り囲む冷却手段が配備されている、すなわち、冷却ジャケット８が覗き窓部１０全体の周囲を覆うように配備されていることによる冷却効果と相俟って、窓板１１へのデポ膜付着を効果的に抑えることができる。

図５は本発明のＣＶＤ装置において覗き窓部１０を構成する筒状の導入部１５の大きさ（径、長さ（深さ））を説明する断面概念図であるが、放射温度計１２の計測限界距離Ｌ_１は、一般的に、５００ｍｍである。

また、導入部１５の反応容器２の内側端部と薄膜が堆積される基板５の表面との間の距離Ｌ_３は、基板５を搬送するためのクリアランスとして、一般的に、１００ｍｍ程度が要求される。

更に、導入部１５の直径Ｄの最小値は、放射温度計１２のスポット径（一般的にφ１０程度）に依存することから、導入部１５の直径Ｄはφ１０以上となるのが一般的である。

そこで、ＣＶＤ装置に配備される覗き窓部１０、導入部１５の機械構造的な大きさ、放射温度計１２の計測スポット３０のスポット径と計測可能距離の関係を考慮すると、Ｌ_２／Ｄ＝１〜４０の範囲となる。

なお、ＣＶＤ装置に配備される覗き窓部１０、導入部１５の機械構造的な大きさ、放射温度計１２の計測スポット３０のスポット径と計測可能距離の関係を考慮すると、実用的な大きさとしては、前記のＬ_２／Ｄ＝１〜４０の関係を満たした上で、Ｌ_２＝１０ｍｍ〜１８０ｍｍ、Ｄ＝φ１０〜φ４１ｍｍとなる。

次に、図６を参照して他の実施形態を説明する。

図６において、図１、図２を用いて説明した前記の実施形態で説明したものと同一の部材、構造には、図１、図２と同一符号を付け、その説明を省略する。

図６図示の本発明のＣＶＤ装置は、図１〜図４図示の本発明のＣＶＤ装置において、放射温度計１２を取り囲む冷却手段が更に配備されているものである。

図６図示の実施形態では、覗き窓部１０の周囲を覆うように配備されている冷却手段である冷却ジャケット８の外側（図６中、上側）に、さらに放射温度計１２の周囲を覆うように冷却部２０が別途配備されている。

そして、放射温度計１２の背部（図６中、上側）には送風ファン２１が設けられ、放射温度計１２及び窓板１１に向けて送風されている。

このように、放射温度計１２を取り囲む冷却手段２０が更に配備され、その冷気を送風ファン２１により窓板１１に送るので、窓板１１の冷却がより一層効果的に行われ、窓板１１へのデポ膜付着をより抑えることができる。

なお、図６図示の実施形態では、図３、図４図示の実施形態に、冷却部２０及び送風ファン２１を設けているが、図１、図２図示の実施形態に冷却部２０及び送風ファン２１を追加して設けることもできる。

本発明のＣＶＤ装置の一例を説明する断面概念図。図１図示の本発明のＣＶＤ装置の覗き窓部の断面概念図。本発明のＣＶＤ装置により温度計測を行いつつＣＶＤ反応を進行させている状態を説明する断面概念図。図３図示の本発明のＣＶＤ装置の覗き窓部の断面概念図。本発明のＣＶＤ装置において覗き窓部を構成する筒状の導入部の大きさ（径、長さ（深さ））を説明する断面概念図。本発明のＣＶＤ装置の他の例における覗き窓部の断面概念図。（ａ）本発明のＣＶＤ装置における覗き窓部の窓板取付構造を説明する概念断面図、（ｂ）従来のＣＶＤ装置における覗き窓部の窓板取付構造を説明する概念断面図。従来のＣＶＤ装置の断面概念図。図８図示の従来のＣＶＤ装置の覗き窓部の断面概念図。図８図示の従来のＣＶＤ装置の覗き窓部の他の断面概念図。

符号の説明

１ＣＶＤ装置
２反応容器
３レセプタ
５基板
６加熱機構
８冷却ジャケット
１０覗き窓部
１１窓板
１２放射温度計
１５導入部
１６窓取付フランジ

Claims

真空排気した反応容器内に原料ガスを導入し、所定の温度に加熱された基板上に薄膜を堆積させるＣＶＤ装置において、
前記反応容器の外側に配備されていて、前記反応容器内部から外部に向かう放射光を受光して温度計測する放射温度計と、
前記反応容器の周壁に配備されていて前記放射光を前記放射温度計に導く覗き窓部とを備え、
前記覗き窓部は、前記反応容器の周壁を前記反応容器の内側から外側に向けて貫通する筒状の導入部と、該導入部の外側端部に配備される窓板とからなり、
前記導入部を取り囲む冷却手段が配備されている
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
前記導入部の前記反応容器の内側端部から前記窓板の外側表面までの距離Ｌ_２と、前記導入部の直径Ｄとが、Ｌ_２／Ｄ＝１〜４０の関係にあることを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
前記放射温度計を取り囲む冷却手段が更に配備されていることを特徴とする請求項１又は２記載のＣＶＤ装置。
前記窓板は、前記導入部の外側端部に配備されている窓取付フランジを介して前記導入部の外側端部に配備されており、前記反応容器の周壁と当該窓取付フランジとの間がメタルガスケットでシールされていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のＣＶＤ装置。