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JP2008147605A - Light-emitting device, method of manufacturing the same and mounting board - Google Patents

Light-emitting device, method of manufacturing the same and mounting board Download PDF

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JP2008147605A JP2007021607A JP2007021607A JP2008147605A JP 2008147605 A JP2008147605 A JP 2008147605A JP 2007021607 A JP2007021607 A JP 2007021607A JP 2007021607 A JP2007021607 A JP 2007021607A JP 2008147605 A JP2008147605 A JP 2008147605A
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Harison Toshiba Lighting Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device which allows enhancing luminance and thinning the device shape, a method of manufacturing the light-emitting device and a mounting board. <P>SOLUTION: A light-emitting device is provided, which is characterized by: a package having a substantially rectangular light radiation surface in which a recess is formed, a reverse surface opposite to the light radiation surface, a first side surface substantially orthogonal to both of the light radiation surface and the reverse surface and adjoining both of the light radiation surface and the reverse surface on long sides, and a second side surface opposite to the first side surface; and a light-emitting device provided in the interior of the recess; the first side surface having first and second electric power feeding electrode surfaces connected to the light-emitting device, and having a mount surface provided between the first and second electric power feeding electrode surfaces with a step provided between the first electric power feeding electrode surface and the mount surface and also with a step provided between the second electric power feeding electrode surface and the mount surface, the first and second electric power feeding electrode surfaces arranged recessively from the mount surface. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法並びに実装基板に関し、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）のバックライトなどに用いることができるサイドビュー型の発光装置及びその製造方法並びに実装基板に関する。   The present invention relates to a light emitting device, a manufacturing method thereof, and a mounting substrate, and more particularly, to a side view type light emitting device that can be used for a backlight of a liquid crystal display (LCD), a manufacturing method thereof, and a mounting substrate.

基板などの実装部材の上に実装して用いる発光装置のうちで、実装面に対して略平行な方向に光を放出する「サイドビュー型」の発光装置がある（例えば、特許文献１及び２）。サイドビュー型の発光装置は、照明や表示、信号伝送などの各種の用途に用いることができる。例えば、液晶ディスプレイのバックライトにサイドビュー型の発光装置を用いると、バックライトを構成する導光板に対してその側面から光を入射でき、小型で高効率のバックライトを実現できる。
特開２００４−２０７６８８号公報 特開２００６−２２９００７号公報 Among light-emitting devices that are used by being mounted on a mounting member such as a substrate, there are “side-view type” light-emitting devices that emit light in a direction substantially parallel to the mounting surface (for example, Patent Documents 1 and 2). ). Side-view light-emitting devices can be used for various purposes such as lighting, display, and signal transmission. For example, when a side-view type light emitting device is used for a backlight of a liquid crystal display, light can be incident on the light guide plate constituting the backlight from its side surface, and a small and highly efficient backlight can be realized.
JP 2004-207688 A JP 2006-229007 A

最近の市場の動向によりサイドビュー型の発光装置に対しても高輝度化が要求されている。しかし、高輝度化に伴い、搭載する半導体発光素子の温度も上昇し、半導体発光素子の発光効率の低下や、パッケージを構成する樹脂の反射率の低下などが生ずるという問題がある。
また、最近の市場の動向によれば、液晶ディスプレイも薄型化が要求されている。この要求を満たすためには、発光面の高さが例えば１ミリメートル以下の超薄型のサイドビュー型の発光装置が必要とされつつある。 Due to recent market trends, high brightness is also required for side view type light emitting devices. However, as the brightness increases, the temperature of the semiconductor light emitting element to be mounted also rises, and there is a problem that the light emission efficiency of the semiconductor light emitting element is reduced and the reflectance of the resin constituting the package is reduced.
According to recent market trends, liquid crystal displays are also required to be thin. In order to satisfy this requirement, an ultra-thin side-view type light emitting device having a light emitting surface height of, for example, 1 mm or less is being required.

本発明は、高輝度化と薄型化が可能な発光装置及びその製造方法並びに実装基板を提供する。   The present invention provides a light emitting device capable of achieving high brightness and thinning, a manufacturing method thereof, and a mounting substrate.

本発明の一態様によれば、凹部が形成された略長方形の光放射面と、前記光放射面に対向した裏面と、前記光放射面及び前記裏面に対して略直交し前記光放射面及び前記裏面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた発光素子と、を備え、前記第１の側面は、前記発光素子に接続された少なくとも２つ以上の給電電極面と、前記給電電極の間に設けられた実装マウント面と、を有し、前記第１の側面の一端に設けられた第１の給電電極面と、前記第１の給電電極面に隣接する前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、前記第１の側面の他端に設けられた第２の給電電極面と、前記第２の給電電極面に隣接する前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、前記第１及び第２の給電電極面は、これらに隣接する前記実装マウント面よりも後退してなることを特徴とする発光装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a substantially rectangular light emitting surface having a recess, a back surface facing the light emitting surface, the light emitting surface and the light emitting surface substantially orthogonal to the back surface, and A package having a first side surface connected to the back surface at a long side, a second side surface facing the first side surface, and a light emitting element provided in the recess, The side surface has at least two or more power supply electrode surfaces connected to the light emitting element, and a mounting mount surface provided between the power supply electrodes, and is provided at one end of the first side surface. A step is provided between the first power supply electrode surface and the mounting mount surface adjacent to the first power supply electrode surface, and a second power supply electrode provided at the other end of the first side surface. There is a step between the surface and the mounting mount surface adjacent to the second power supply electrode surface. Vignetting, the first and second feeding electrode surface, the light emitting device is provided which is characterized by comprising recessed from the mounting mounting surface adjacent thereto.

また、本発明の他の一態様によれば、凹部が形成された光放射面と、前記光放射面に対して略直交し第１の給電電極面と第２の給電電極面とを有する第１の側面と、を有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた発光素子と、を含む発光装置の製造方法であって、複数の前記凹部が形成された基体に形成された複数の貫通孔の内壁に導電層を形成することにより前記第１及び第２の給電電極面を形成することを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting surface having a recess, and a first feeding electrode surface and a second feeding electrode surface that are substantially orthogonal to the light emitting surface. A light emitting device manufacturing method comprising: a package having one side surface; and a light emitting element provided in the recess, wherein the plurality of through holes are formed in the base body on which the plurality of recesses are formed. There is provided a method of manufacturing a light emitting device, wherein the first and second feeding electrode surfaces are formed by forming a conductive layer on the inner wall of the light emitting device.

また、本発明の他の一態様によれば、複数の前記凹部と複数の貫通孔とが形成された基体の前記貫通孔の内壁に導電層を形成し、前記凹部の中に発光素子をマウントし、前記凹部の中に設けられたリード電極と前記発光素子とをボンディングワイヤで接続し、前記凹部に樹脂を充填し、前記貫通孔を結ぶ線に沿って前記基体を切断することを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, a conductive layer is formed on an inner wall of the through hole of a base body on which a plurality of the recesses and a plurality of through holes are formed, and a light emitting element is mounted in the recess. And connecting the lead electrode provided in the recess and the light emitting element with a bonding wire, filling the recess with resin, and cutting the base body along a line connecting the through holes. A method for manufacturing a light emitting device is provided.

また、本発明の他の一態様によれば、基板と、前記基板の上に設けられた第１及び第２のランド電極と、前記基板の上に設けられた上記の発光装置と、を備え、前記発光装置の前記第１の給電電極面は、前記第１のランド電極に接続され、前記発光装置の前記第２の給電電極面は、前記第２のランド電極に接続されたことを特徴とする実装基板が提供される。   According to another aspect of the present invention, the apparatus includes a substrate, first and second land electrodes provided on the substrate, and the light-emitting device described above provided on the substrate. The first power supply electrode surface of the light emitting device is connected to the first land electrode, and the second power supply electrode surface of the light emitting device is connected to the second land electrode. A mounting substrate is provided.

本発明により、高輝度化と薄型化が可能な発光装置及びその製造方法並びに実装基板が提供される。   According to the present invention, a light emitting device capable of achieving high luminance and thinning, a manufacturing method thereof, and a mounting substrate are provided.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる発光装置を表す模式斜視図である。すなわち、図１（ａ）は発光装置を光取り出し面の側から眺めた斜視であり、図１（ｂ）は発光装置を光取り出し面とは反対側から眺めた斜視図である。
また、図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、図２（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 1A is a perspective view of the light emitting device viewed from the light extraction surface side, and FIG. 1B is a perspective view of the light emitting device viewed from the side opposite to the light extraction surface.
2A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.

本実施形態の発光装置は、凹部１ａが設けられた略直方体状のパッケージ１と、凹部１ａの中に設けれた半導体発光素子３と、を有する。凹部１ａの底面には、ランド電極５ａ及びリード電極５ｂ、５ｃが設けられている。半導体発光素子３は、ランド電極５ａの上にマウントされている。また、半導体発光素子３に設けられた電極（図示せず）と、リード電極５ｂ、５ｃと、はボンディングワイヤ４によりそれぞれ接続されている。そして、凹部１ａは、エポキシやシリコーンなどの透光性の樹脂１６により封止されている。なお、図１は、樹脂１６を取り除いた状態を表す。   The light emitting device of this embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped package 1 provided with a recess 1a, and a semiconductor light emitting element 3 provided in the recess 1a. Land electrodes 5a and lead electrodes 5b and 5c are provided on the bottom surface of the recess 1a. The semiconductor light emitting element 3 is mounted on the land electrode 5a. In addition, an electrode (not shown) provided in the semiconductor light emitting element 3 and the lead electrodes 5 b and 5 c are connected to each other by a bonding wire 4. The recess 1a is sealed with a light-transmitting resin 16 such as epoxy or silicone. FIG. 1 shows a state where the resin 16 is removed.

また、略直方体状のパッケージ１の左右端部には、凹部１ａが設けられた主面（光放射面）と直交する側面に一対の実装マウント面電極（給電電極面）２ａ、２ａと、これら実装マウント面電極２ａ、２ａの間に設けられた実装マウント面１ｍと、が設けられている。実装マウント面電極２ａと対向する面には上面電極２ｄが設けられている。一方、凹部１ａが設けられた面には光放射面電極２ｂが設けられ、これと対向する面（裏面）には背面電極２ｃが設けられている。またさらに、凹部１ａが設けられた面とは反対側の面に放熱用金属９を設けてもよい。   Further, at the left and right ends of the substantially rectangular parallelepiped package 1, a pair of mounting mount surface electrodes (feeding electrode surfaces) 2a and 2a are provided on the side surfaces orthogonal to the main surface (light emitting surface) provided with the recesses 1a. And a mounting mount surface 1m provided between the mounting mount surface electrodes 2a and 2a. An upper surface electrode 2d is provided on the surface facing the mounting mount surface electrode 2a. On the other hand, a light emitting surface electrode 2b is provided on the surface provided with the recess 1a, and a back electrode 2c is provided on the surface (back surface) opposite to the light emitting surface electrode 2b. Furthermore, the heat dissipating metal 9 may be provided on the surface opposite to the surface on which the recess 1a is provided.

図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、パッケージ１は、基板２０と、その上に設けられた枠体２１と、を有する。基板２０及び枠体２１は、それぞれアルミナ系やムライト系などのセラミックやガラスセラミック、ガラスエポキシ、紙フェノール、その他の熱硬化性樹脂、ＵＶ（紫外線）硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などにより形成することができる。基板２０は略板状であり、枠体２１には孔２１ａが形成されている。これら基板２０と枠体２１とが積層されて、凹部１ａが形成される。凹部１ａの側面は、光反射面とすることができる。すなわち、枠体２１を構成するセラミックや樹脂の無垢の材料表面を用いて、半導体発光素子３から放出された光を反射させることができる。この場合には、光は乱反射されるので、均一な拡散反射面を形成することができる。
一方、集光効果を得るためには、凹部１ａの側面に金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいは誘電体多層膜を用いたブラッグ（Bragg）鏡などからなる正反射面を形成すればよい。 As illustrated in FIGS. 2A and 2B, the package 1 includes a substrate 20 and a frame body 21 provided on the substrate 20. The substrate 20 and the frame body 21 are made of ceramics such as alumina and mullite, glass ceramics, glass epoxy, paper phenol, other thermosetting resins, UV (ultraviolet) curable resins, thermoplastic resins, and the like. Can do. The substrate 20 is substantially plate-shaped, and a hole 21 a is formed in the frame body 21. The substrate 20 and the frame body 21 are laminated to form the recess 1a. The side surface of the recess 1a can be a light reflecting surface. That is, the light emitted from the semiconductor light emitting element 3 can be reflected by using a solid material surface of ceramic or resin constituting the frame body 21. In this case, since the light is irregularly reflected, a uniform diffuse reflection surface can be formed.
On the other hand, in order to obtain a light condensing effect, a regular reflection surface made of a Bragg mirror using gold (Au), silver (Ag), or a dielectric multilayer film may be formed on the side surface of the recess 1a.

ランド電極５ａ及びリード電極５ｂ、５ｃは、互いに絶縁されつつ、基板２０と枠体２１との間に設けられている。そして、リード電極５ｂ、５ｃは、パッケージ１の左右端部まで延在し、パッケージ１の外面に設けられた実装マウント面電極２ａ、２ａと接続されている。つまり、パッケージ１の左右の実装マウント面電極２ａ、２ａは、リード電極５ｂ、５ｃとボンディングワイヤ４、４を介して、半導体発光素子３の２つの電極と接続されている。   The land electrode 5a and the lead electrodes 5b and 5c are provided between the substrate 20 and the frame body 21 while being insulated from each other. The lead electrodes 5 b and 5 c extend to the left and right ends of the package 1 and are connected to mounting mount surface electrodes 2 a and 2 a provided on the outer surface of the package 1. That is, the left and right mounting mount surface electrodes 2 a and 2 a of the package 1 are connected to the two electrodes of the semiconductor light emitting element 3 through the lead electrodes 5 b and 5 c and the bonding wires 4 and 4.

以上説明した本実施形態の発光装置においては、まず、パッケージ１を構成する材料として、セラミックや前述した樹脂材料を用いることにより、放熱に優れ、安定的に高出力動作させることができる発光装置を実現できる。すなわち、このような発光装置のパッケージの材料としては、従来、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などのインジェクションモールドに適した熱可塑性樹脂が広く用いられている。しかし、このような熱可塑性樹脂を用いた場合、半導体発光素子３を高出力動作させると、その発熱と高強度の光照射により樹脂表面の反射率が低下するという問題が生ずる。これに対して、本実施形態によれば、パッケージ１を構成する材料として、セラミックや前述した熱硬化性樹脂材料などを用いることにより、半導体発光素子３を高出力動作させても、発熱による反射率の低下を抑制できる。特に、セラミックを用いた場合には放熱性が良好であり、凹部１ａの側面の反射率の低下も抑制して長期的に安定動作が可能な発光装置を実現できる。   In the light emitting device of the present embodiment described above, first, by using ceramic or the above-described resin material as a material constituting the package 1, a light emitting device that is excellent in heat dissipation and can be stably operated at high output. realizable. That is, a thermoplastic resin suitable for an injection mold such as polyphthalamide (PPA) has been widely used as a material for such a light emitting device package. However, when such a thermoplastic resin is used, when the semiconductor light emitting element 3 is operated at a high output, there arises a problem that the reflectance of the resin surface is lowered due to the heat generation and the high intensity light irradiation. On the other hand, according to the present embodiment, by using ceramic or the above-described thermosetting resin material as a material constituting the package 1, even if the semiconductor light emitting element 3 is operated at a high output, the reflection due to heat generation is achieved. Reduction in rate can be suppressed. In particular, when ceramic is used, it is possible to realize a light emitting device that has good heat dissipation and can suppress long-term stable operation by suppressing a decrease in reflectance on the side surface of the recess 1a.

またさらに、本実施形態によれば、実装マウント面電極２ａを設けることにより、実装基板などの実装部材に対して確実且つ容易にマウントできるサイドビュー型の発光装置を実現できる。
図３は、本実施形態の発光装置をサイドビュー型として用いる場合の実装状態を例示する模式図である。なお、図３以降の図面については、既出の図面に表された要素と同様のものには同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
本実施形態の発光装置をサイドビュー型として用いる場合には、実装基板などの実装部材１００の上に、実装マウント面電極２ａを下方に向けて半田１２０によりマウントすることができる。本実施形態によれば、このようにマウントした状態において、パッケージ１の高さＨを１ミリメートル以下にすることも可能である。例えば、液晶ディスプレイのバックライトとして用いる場合、このようにマウントされた発光装置の正面（凹部１ａが設けられている面に対向する）に導光板が隣接して併設され、発光装置から放出された光は導光板の側面に高い効率で入射される。こうすれば、導光板と発光装置の厚みをいずれも１ミリメートル以下とした超薄型で高輝度のバックライトを実現できる。 Furthermore, according to the present embodiment, by providing the mounting mount surface electrode 2a, it is possible to realize a side view type light emitting device that can be reliably and easily mounted on a mounting member such as a mounting substrate.
FIG. 3 is a schematic view illustrating the mounting state when the light-emitting device of this embodiment is used as a side view type. 3 and the subsequent drawings, the same elements as those shown in the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
When the light-emitting device of this embodiment is used as a side view type, the mounting mount surface electrode 2a can be mounted on the mounting member 100 such as a mounting substrate with the solder 120 facing downward. According to the present embodiment, the height H of the package 1 can be 1 mm or less in the mounted state. For example, when used as a backlight of a liquid crystal display, a light guide plate is provided adjacent to the front surface of the light-emitting device mounted in this manner (opposite the surface where the recess 1a is provided) and emitted from the light-emitting device. Light is incident on the side surface of the light guide plate with high efficiency. By doing so, it is possible to realize an ultra-thin and high-brightness backlight in which the thickness of the light guide plate and the light emitting device are both 1 mm or less.

また、このように実装部材１００の上に発光装置をマウントした状態で、凹部１ａとは反対側に設けられた放熱用金属９に図示しないヒートシンクなどを接続することにより、半導体発光素子３から放出された熱を、そのすぐ裏側に設けられた広い放熱用金属９を介して外部に効率よく放出させることができる。   Further, in the state where the light emitting device is mounted on the mounting member 100 in this manner, a heat sink (not shown) is connected to the heat radiating metal 9 provided on the side opposite to the concave portion 1a, thereby emitting from the semiconductor light emitting element 3. The generated heat can be efficiently released to the outside through the wide heat radiating metal 9 provided on the back side.

なお、フルカラー液晶表示装置のバックライトとして用いる場合、ＲＧＢ（赤緑青）の３色の発光が得られることが望ましい。このためには、ＲとＧとＢのそれぞれの半導体発光素子を搭載した複数の発光装置を導光板の側面に配置すればよい。また、樹脂１６に蛍光体を混合し、半導体発光素子３から放出された光の全部あるいは一部を波長変換してＲＧＢのいずれかの発光を得てもよい。   Note that, when used as a backlight of a full-color liquid crystal display device, it is desirable to obtain light emission of three colors of RGB (red green blue). For this purpose, a plurality of light emitting devices on which R, G, and B semiconductor light emitting elements are mounted may be disposed on the side surface of the light guide plate. Alternatively, a phosphor may be mixed in the resin 16 and the wavelength of all or a part of the light emitted from the semiconductor light emitting element 3 may be converted to obtain any of RGB light emission.

また、例えば液晶ディスプレイのバックライトに用いる場合などは、均一な配光分布が得られることが望ましい。このためには、まず凹部１ａの側面を前述したように枠体２１の無垢の材料からからなる拡散反射面とするとよい。また、図３に例示したようにサイドビュー型にマウントした状態において、図示しない導光板の側面から効率よく光を入射させるために、例えば長辺方向（Ｘ方向）の光の配光角を１１０度以上に広げ、短辺方向（Ｚ方向）の配光角を１００度以下に狭めるためには、凹部１ａの側面の傾斜角θａを５０度以下とし、傾斜角θｂを８０度以上（９０度以下）とするとよい。   For example, when used for a backlight of a liquid crystal display, it is desirable to obtain a uniform light distribution. For this purpose, first, the side surface of the recess 1a is preferably a diffuse reflection surface made of a solid material of the frame body 21 as described above. Further, in the state mounted in the side view type as illustrated in FIG. 3, for example, the light distribution angle of light in the long side direction (X direction) is set to 110 in order to make light incident efficiently from the side surface of the light guide plate (not shown). In order to increase the angle of light distribution in the short side direction (Z direction) to 100 degrees or less, the inclination angle θa of the side surface of the recess 1a is set to 50 degrees or less, and the inclination angle θb is set to 80 degrees or more (90 degrees). The following is recommended.

一方、本実施形態によれば、実装マウント面電極２ａの他に背面電極２ｃを設けることにより、いわゆる「トップビュー型」としても用いることができる。すなわち、図３に例示したような実装部材１００に対して、背面電極２ｃを介して半田などによりマウントすれば、実装マウント面に対して略上方に光を放出するトップビュー型の発光装置として用いることができる。この場合も、放熱特性に優れ、高出力で安定的に動作させることが可能である。   On the other hand, according to the present embodiment, by providing the back electrode 2c in addition to the mounting mount surface electrode 2a, it can be used as a so-called “top view type”. That is, when the mounting member 100 illustrated in FIG. 3 is mounted with solder or the like via the back electrode 2c, the mounting member 100 is used as a top-view type light emitting device that emits light substantially upward with respect to the mounting mounting surface. be able to. Also in this case, it is excellent in heat dissipation characteristics and can be stably operated with high output.

またさらに、本実施形態によれば、パッケージ１の実装マウント面と実装マウント面電極２ａとの間に段差Ｓを設けることができる。すなわち、図１に表したように、実装マウント面電極２ａは、パッケージ１の実装マウント面よりも段差Ｓの高さだけ後退している。このような段差Ｓを設けることにより、図３に表したようにサイドビュー型としてマウントした時に、パッケージ１を実装部材１００に密着させることができる。すなわち、段差Ｓが設けられた実装マウント電極２ａの下にはハンダ１２０が介在しているが、パッケージ１のそれ以外の実装面においてはハンダ１２０は介在せず、実装部材１００に密着させた状態でマウントすることができる。つまり、パッケージ１がハンダ１２０で浮き上がることなく、実装部材１００に密着させてマウントできる。その結果として、実装部材１００にマウントした時のパッケージ１の高さを常に設計通りのレベルに維持し、光の取り出し効率や結合効率を高いレベルに維持することができる。
またさらに、本実施形態によれば、段差Ｓを設けることにより、ハンダが実装マウント面電極２ａの下で流動し、発光装置のマウント位置を所定位置まで自動的に補正できる。 Furthermore, according to the present embodiment, a step S can be provided between the mounting mount surface of the package 1 and the mounting mount surface electrode 2a. That is, as shown in FIG. 1, the mounting mount surface electrode 2 a is set back by the height of the step S from the mounting mount surface of the package 1. By providing such a step S, the package 1 can be brought into close contact with the mounting member 100 when mounted as a side view type as shown in FIG. That is, the solder 120 is interposed under the mounting mount electrode 2 a provided with the step S, but the solder 120 is not interposed on the other mounting surface of the package 1 and is in close contact with the mounting member 100. Can be mounted with. That is, the package 1 can be mounted in close contact with the mounting member 100 without being lifted by the solder 120. As a result, the height of the package 1 when mounted on the mounting member 100 can always be maintained at the designed level, and the light extraction efficiency and coupling efficiency can be maintained at a high level.
Furthermore, according to the present embodiment, by providing the step S, the solder flows under the mounting mount surface electrode 2a, and the mounting position of the light emitting device can be automatically corrected to a predetermined position.

図４は、発光装置のマウント位置の補正効果を説明するための模式図である。
すなわち、このような発光装置をマウントする基板などの実装部材１００には、実装マウント面電極２ａに対応したランド電極１１０が設けられている。多くの場合、ランド電極１１０には、クリームハンダなどのハンダ材が印刷あるいは塗布されている。そして、発光装置を実装部材１００の上に配置した状態で加熱することにより、ランド電極１１０の上のハンダを溶融（リフロー）させ、実装マウント面電極２ａとランド電極１１０とをハンダで接続する。 FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the effect of correcting the mounting position of the light emitting device.
That is, a land electrode 110 corresponding to the mounting mount surface electrode 2a is provided on a mounting member 100 such as a substrate on which such a light emitting device is mounted. In many cases, the land electrode 110 is printed or coated with a solder material such as cream solder. Then, by heating in a state where the light emitting device is disposed on the mounting member 100, the solder on the land electrode 110 is melted (reflowed), and the mounting mount surface electrode 2a and the land electrode 110 are connected by solder.

この時、段差Ｓが設けられていると、矢印Ａで表したように、溶融したハンダ１２０がランド電極１１０と実装マウント面電極２ａとの間を移動することができる。溶融したハンダ１２０は、発光装置の実装マウント面電極のみならず光放射面電極２ｂや背面電極２ｃの一部にまで這い上がり、表面張力Ｃとバランスした状態となる。図４（ｂ）に表したように、発光装置がランド電極１１０の中央からずれた位置にあると、光放射面電極２ｂの側のハンダ１２０と背面電極２ｃの側のハンダ１２０の量が異なる。そして、光放射面電極２ｂと背面電極２ｃのハンダの這い上がり量も異なる。このように、発光装置の前後（左右）のハンダ１２０の量が異なると、重量のバランスがとれないために、前後のハンダ１２０の量が均等になるまで、ランド電極１１０と実装マウント面電極２ａとの隙間をハンダ１２０が移動する。その結果として、図４（ｃ）に表したように、発光装置は、矢印Ｂで表したように左右に適宜移動し、ランド電極１１０の中心に自動的に移動する。発光装置のマウント位置がずれてしまうと、光学的に設計した光の結合などが得られないが、本実施形態によれば、発光装置をランド電極１１０のパターンの中心に自動的にマウントすることが可能であり、実装した後の光学的な特性を安定して再現させることができる。   At this time, when the step S is provided, as indicated by an arrow A, the molten solder 120 can move between the land electrode 110 and the mounting mount surface electrode 2a. The melted solder 120 crawls not only to the mounting surface electrode of the light emitting device but also to a part of the light emitting surface electrode 2b and the back surface electrode 2c, and is in a state balanced with the surface tension C. As shown in FIG. 4B, when the light emitting device is located at a position shifted from the center of the land electrode 110, the amount of the solder 120 on the light emitting surface electrode 2b side and the amount of the solder 120 on the back electrode 2c side are different. . And the amount of solder creeping of the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c is also different. In this way, if the amount of the solder 120 before and after (left and right) of the light emitting device is different, the weight cannot be balanced. Therefore, the land electrode 110 and the mounting mount surface electrode 2a until the amounts of the front and rear solder 120 become equal. Solder 120 moves through the gap. As a result, as shown in FIG. 4C, the light emitting device appropriately moves to the left and right as indicated by the arrow B and automatically moves to the center of the land electrode 110. If the mounting position of the light emitting device is shifted, optically designed light coupling or the like cannot be obtained. However, according to this embodiment, the light emitting device is automatically mounted at the center of the pattern of the land electrode 110. The optical characteristics after mounting can be stably reproduced.

なお、段差Ｓの高さ、すなわちランド電極１１０と実装マウント面電極２ａとの間隔は、およそ０．３ミリメートルを上限とすることが望ましい。段差Ｓがこれよりも高いと、ランド電極１１０に形成したハンダ１２０が実装マウント面電極２ａに届かない場合があるからである。また、図４に関して前述した補正効果を確実に得るためには、実装マウント面電極２ａに隣接して光放射面電極２ｂと背面電極２ｃとを少なくとも一部に形成することが望ましい。これら光放射面電極２ｂと背面電極２ｃにハンダ１２０が這い上がることにより、前後の重量のバランスがくずれてハンダの移動が生じやすくなるからである。   Note that the height of the step S, that is, the distance between the land electrode 110 and the mounting mount surface electrode 2a, is desirably about 0.3 mm. This is because if the step S is higher than this, the solder 120 formed on the land electrode 110 may not reach the mounting mount surface electrode 2a. In order to reliably obtain the correction effect described above with reference to FIG. 4, it is desirable to form the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c at least partially adjacent to the mounting mount surface electrode 2a. This is because when the solder 120 crawls up on the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c, the balance of the front and rear weights is lost and the solder tends to move.

ここで、図４（ｂ）及び（ｃ）に関して前述したようなマウント位置の自動的な補正効果を確実に得るためには、光放射面電極２ｂと背面電極２ｃとが両方とも設けられていることが望ましい。仮に背面電極２ｃのみが設けられたとすると、背面電極２ｃの側においては、図４に表したようなハンダ１２０の這い上がりが生ずるが、その反対側の側面（光放射面電極２ｂが設けられるべき面）においてはハンダ１２０の這い上がりは生じにくい。その結果として、背面側と光放射面側とでハンダ１２０の這い上がり量が異なってしまう。そうすると、図４（ｂ）及び（ｃ）に関して前述したようなハンダ１２０の重量のバランスによるマウント位置の自動的な補正効果が得られにくくなる。これは例えば、光放射面電極２ｂが設けられず、背面電極２ｃのみが部分的に設けられているような場合でも同様である。従って、例えば、背面電極２ｃを設ける場合には、これに対向した光放射面電極２ｂも設けて、これら側面におけるハンダ１２０の這い上がり量を均等にすることが望ましい。こうすると、マウント位置の自動的な補正効果を確実に得ることができる。   Here, in order to reliably obtain the automatic correction effect of the mount position as described above with reference to FIGS. 4B and 4C, both the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c are provided. It is desirable. If only the back electrode 2c is provided, the solder 120 creeps up as shown in FIG. 4 on the back electrode 2c side, but the opposite side surface (the light emitting surface electrode 2b should be provided). Surface), it is difficult for the solder 120 to creep up. As a result, the amount of scooping up of the solder 120 differs between the back side and the light emitting surface side. If it does so, it will become difficult to obtain the automatic correction effect of the mount position by the balance of the weight of solder 120 as mentioned above about Drawing 4 (b) and (c). This is the same even when, for example, the light emitting surface electrode 2b is not provided and only the back electrode 2c is partially provided. Therefore, for example, when the back electrode 2c is provided, it is desirable to provide the light emitting surface electrode 2b opposed to the back electrode 2c so that the amount of the solder 120 rising on these side surfaces is equalized. In this way, an automatic correction effect of the mount position can be reliably obtained.

また、図１に表した具体例においては、パッケージ１の凹部１ａの両端は、矢印Ｘの方向（図１参照）にみて、実装マウント電極２ａよりも内側になるように形成されている。つまり、凹部１ａと光放射面電極２ｂとが干渉しないように形成されている。このようにすれば、光放射面電極２ｂを確実に形成でき、背面電極２ｃと組み合わせることにより、上述したマウント位置の自動的な補正効果を確実に得ることができる。   In the specific example shown in FIG. 1, both ends of the recess 1 a of the package 1 are formed so as to be inside the mounting mount electrode 2 a when viewed in the direction of arrow X (see FIG. 1). That is, the recess 1a and the light emitting surface electrode 2b are formed so as not to interfere with each other. In this way, the light emitting surface electrode 2b can be reliably formed, and the automatic correction effect of the mount position described above can be reliably obtained by combining with the back electrode 2c.

特に、前述したように、「トップビュー型」としても用いることができるようにするためには、実装マウント電極２ａとともに、背面電極２ｃも設ける必要がある。このような場合、背面電極２ｃに対向する光放射面電極２ｂを設けないと、ハンダの這い上がりのバランスがとれず、マウント位置の自動的な補正効果が得られにくい。これに対して、図１に表した具体例の場合、矢印Ｘの方向にみて凹部１ａの両端が実装マウント電極２ａよりも内側になるように形成し、背面電極２ｃに対向して上面電極２ｄを設けることにより、これら電極２ｃ、２ｂにハンダを均等に這い上がらせて、マウント位置の自動的な補正の効果を確実に得ることができる。つまり、凹部１ａの両端が実装マウント電極２ａよりも内側になるように凹部１ａを形成することにより、「トップビュー型」としても使え、しかも図４に関して前述したマウント位置の自動的な補正の効果も得られる発光装置を提供できる。   In particular, as described above, in order to be able to be used as a “top view type”, it is necessary to provide the back electrode 2c together with the mounting mount electrode 2a. In such a case, if the light emitting surface electrode 2b opposite to the back electrode 2c is not provided, the balance of the solder rise cannot be balanced, and it is difficult to obtain the automatic correction effect of the mount position. On the other hand, in the case of the specific example shown in FIG. 1, the recess 1a is formed such that both ends of the recess 1a are inside the mounting mount electrode 2a when viewed in the direction of the arrow X, and the upper surface electrode 2d is opposed to the back electrode 2c. By providing the above, it is possible to uniformly raise the solder on these electrodes 2c and 2b, and to obtain the effect of automatically correcting the mount position. That is, by forming the recess 1a so that both ends of the recess 1a are inside the mounting mount electrode 2a, it can be used as a “top view type”, and the effect of the automatic correction of the mount position described above with reference to FIG. Can be obtained.

次に、本実施形態の発光装置の製造方法について説明する。
図５は、本実施形態の発光装置の製造方法を表すフローチャートである。
また、図６は、本実施形態の発光装置の製造途中の段階を表す斜視図である。
また、図７（ａ）は図６のＡ−Ａ線断面図であり、図７（ｂ）は図６のＢ−Ｂ線断面図であり、図７（ｃ）は図６に表した状態の上面図である。
本実施形態の発光装置は、セラミックグリーンシートを積層させて形成することができる。すなわち、基板２０を形成するためのグリーンシートと、枠体２１を構成するグリーンシートとを用いる。なお、基板２０と枠体２１のそれぞれが複数のグリーンシートからなるものとしてもよい。 Next, a method for manufacturing the light emitting device of this embodiment will be described.
FIG. 5 is a flowchart showing a method for manufacturing the light emitting device of this embodiment.
FIG. 6 is a perspective view illustrating a stage in the middle of manufacturing the light emitting device of the present embodiment.
7A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 6, FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 6, and FIG. 7C is a state shown in FIG. FIG.
The light emitting device of this embodiment can be formed by laminating ceramic green sheets. That is, a green sheet for forming the substrate 20 and a green sheet constituting the frame body 21 are used. Each of the substrate 20 and the frame body 21 may be composed of a plurality of green sheets.

メタライズペーストを用いてスクリーン印刷などにより、基板２０を形成するためのグリーンシートの表面に、ランド電極５ａ、リード電極５ｂ、５ｃのパターニングを形成する（ステップＳ１０２）。また、同様に、基板２０を形成するグリーンシートの裏面には、背面電極２ｃ、放熱用金属９などのパターンを形成する。一方、枠体２１を形成するためのグリーンシートにも、メタライズペーストを用いてスクリーン印刷などにより、光放射面電極２ｂのパターンを形成する（ステップＳ１０４）。   Patterning of the land electrode 5a and the lead electrodes 5b and 5c is formed on the surface of the green sheet for forming the substrate 20 by screen printing using a metallized paste (step S102). Similarly, a pattern of the back electrode 2c, the heat radiating metal 9 and the like is formed on the back surface of the green sheet forming the substrate 20. On the other hand, the pattern of the light emitting surface electrode 2b is also formed on the green sheet for forming the frame body 21 by screen printing using a metallized paste (step S104).

しかる後に、基板２０を形成するグリーンシートと、枠体２１を形成するグリーンシートの裏面とを重ねてから貫通孔６を形成し（ステップＳ１０６）、その中にメタライズペーストを埋め込む（ステップＳ１０８）。あるいは、基板２０と枠体２１とを重ねる前に、それぞれのグリーンシートに貫通孔６を形成してメタライズペーストを埋め込んでからこれらグリーンシートを重ねてもよい。その後、重ねたセラミックグリーンシートを高温で焼成してセラミックの焼結体を形成し（ステップＳ１１０）、さらに、メタライズペーストにより形成された金属面にニッケル、金、パラジウム、銀、白金などをメッキしてパッケージ１を形成する（ステップＳ１１２）。   Thereafter, the green sheet forming the substrate 20 and the back surface of the green sheet forming the frame 21 are overlapped to form the through hole 6 (step S106), and the metallized paste is embedded therein (step S108). Alternatively, before the substrate 20 and the frame body 21 are stacked, the green sheets may be stacked after the through holes 6 are formed in the respective green sheets and the metallized paste is embedded. Thereafter, the stacked ceramic green sheets are fired at a high temperature to form a ceramic sintered body (step S110). Further, nickel, gold, palladium, silver, platinum, etc. are plated on the metal surface formed by the metallized paste. Then, the package 1 is formed (step S112).

この状態において、枠体２１の表面に形成された光放射面電極２ｂから、実装マウント面電極２ａ及び上面電極２ｄを介して基板２０の裏面側の背面電極２ｃに至る導通が形成される。また、基板２０と枠体２１との間に形成されたリード電極５ｂ、５ｃは、実装マウント面電極２ａに接続される。   In this state, conduction is formed from the light emitting surface electrode 2b formed on the surface of the frame body 21 to the back electrode 2c on the back surface side of the substrate 20 via the mounting mount surface electrode 2a and the top surface electrode 2d. Further, the lead electrodes 5b and 5c formed between the substrate 20 and the frame body 21 are connected to the mounting mount surface electrode 2a.

その後、金スズ共晶ハンダや銀ペーストあるいは透明樹脂や反射材が混入された樹脂などのダイアタッチ材を用いて、半導体発光素子３をランド電極５ａにマウントする（ステップＳ１１４）。そして、半導体発光素子３に設けられた電極とリード電極５ｂ、５ｃとの間をボンディングワイヤ４により接続する（ステップＳ１１６）。しかる後に、凹部１ａにエポキシ系あるいはシリコーン系の樹脂などをポッティングにより充填し、所定の温度でキュアすることにより樹脂１６が形成される（ステップＳ１１８）。しかる後に、ダイシングライン５０、５２に沿ってこの基体をダイシングにより切断して発光装置を切り出す（ステップＳ１２０）。   Thereafter, the semiconductor light-emitting element 3 is mounted on the land electrode 5a using a gold-tin eutectic solder, silver paste, or a die attach material such as a resin mixed with a transparent resin or a reflective material (step S114). And the electrode provided in the semiconductor light emitting element 3 and the lead electrodes 5b and 5c are connected by the bonding wire 4 (step S116). Thereafter, the recess 16a is filled with an epoxy or silicone resin by potting and cured at a predetermined temperature to form the resin 16 (step S118). Thereafter, the substrate is cut by dicing along the dicing lines 50 and 52 to cut out the light emitting device (step S120).

図８は、パッケージが連続して形成された基体からそれぞれの発光装置を切り出す工程を表す模式図である。
隣接するパッケージの間をダイシングブレード２００で切断することより、それぞれの発光装置を分離できる。この時、メタライス後の貫通孔６の幅６Ｗがダイシングブレード２００の厚みよりも大きければ、実装マウント面電極２ａにダイシングブレードが接触することを防止でき、実装マウント面電極２ａを保護できる。 FIG. 8 is a schematic diagram showing a process of cutting out each light emitting device from a base on which packages are continuously formed.
Each light emitting device can be separated by cutting between adjacent packages with a dicing blade 200. At this time, if the width 6W of the through-hole 6 after metallization is larger than the thickness of the dicing blade 200, the dicing blade can be prevented from contacting the mounting mount surface electrode 2a, and the mounting mount surface electrode 2a can be protected.

以上説明したように、本実施形態によれば、メタライズパターンを形成したグリーンシートを積層し、貫通孔を形成してその内部をメタライズすることにより、サイドビュー型として用いる実装マウント面電極２ａを確実且つ容易に形成することができる。   As described above, according to the present embodiment, the mounting mount surface electrode 2a used as the side view type can be reliably obtained by laminating the green sheets on which the metallized pattern is formed, forming the through holes, and metallizing the inside thereof. And it can form easily.

また、本実施形態においては、ダイシングブレード２００の厚みやダイシングする位置を調整することによって、図１及び図４に関して前述した段差Ｓの高さを調節することができる。例えば、ダイシングブレード２００により貫通孔６の中心を切断した場合には、貫通孔６の幅６Ｗとダイシングブレード２００の厚み２００ｔと段差Ｓとの間には、以下の関係が成り立つ。

Ｓ＝（６Ｗ−２００ｔ）／２

つまり、貫通孔６の幅６Ｗとダイシングブレード２００の厚み２００ｔとを適宜設定することにより、段差Ｓの高さを確実且つ容易に調節できる。

以下、本実施形態の発光装置に設けることができる他の特徴点について説明する。 図１〜図８においては、半導体発光素子３から２本のボンディングワイヤ４により接続する発光装置を表したが、本発明はこれには限定されない。
図９は、本実施形態の発光装置の変型例を表す模式斜視図である。
本変型例においては、基板２０と枠体２１との間に設けられたランド電極５ａがパッケージ１の一端まで延在している。そして、半導体発光素子３の上面からは、対向したリード電極５ｂにボンディングワイヤ４により接続されている。すなわち、この半導体発光素子３の電極の一方は、半導体発光素子３の実装マウント面側に設けられ、ランド電極５ａから実装マウント面電極２ａに接続されている。 In the present embodiment, the height of the step S described above with reference to FIGS. 1 and 4 can be adjusted by adjusting the thickness of the dicing blade 200 and the dicing position. For example, when the center of the through hole 6 is cut by the dicing blade 200, the following relationship is established between the width 6W of the through hole 6, the thickness 200t of the dicing blade 200, and the step S.

S = (6W−200t) / 2

That is, the height of the step S can be reliably and easily adjusted by appropriately setting the width 6W of the through hole 6 and the thickness 200t of the dicing blade 200.

Hereinafter, other characteristic points that can be provided in the light emitting device of the present embodiment will be described. 1 to 8 show the light emitting device connected from the semiconductor light emitting element 3 by the two bonding wires 4, the present invention is not limited to this.
FIG. 9 is a schematic perspective view illustrating a modification of the light emitting device according to the present embodiment.
In this modified example, a land electrode 5 a provided between the substrate 20 and the frame body 21 extends to one end of the package 1. And from the upper surface of the semiconductor light emitting element 3, it is connected to the opposing lead electrode 5b by the bonding wire 4. That is, one of the electrodes of the semiconductor light emitting element 3 is provided on the mounting mount surface side of the semiconductor light emitting element 3, and is connected from the land electrode 5a to the mounting mount surface electrode 2a.

図１０は、本実施形態の発光装置の変型例を表す模式斜視図である。すなわち、図１０（ａ）は、本変型例の発光装置を凹部１ａの側から眺めた斜視図であり、図１０（ｂ）は凹部１ａとは反対側から眺めた斜視図である。   FIG. 10 is a schematic perspective view showing a modification of the light emitting device of this embodiment. That is, FIG. 10A is a perspective view of the light emitting device of this modification as viewed from the side of the recess 1a, and FIG. 10B is a perspective view of the light emitting device as viewed from the side opposite to the recess 1a.

本変型例においては、パッケージ１の両端において、実装マウント面電極２ａと上面電極２ｄのみが設けられ、光放射面電極２ｂと背面電極２ｃは設けられていない。すなわち、図６及び図７に関して前述した工程において、基板２０のグリーンシートの裏面と枠体２１のグリーンシートの上面においてメタライズパターンを形成しない。このようにすれば、メタライズのプロセスを省略できるので、工程を短縮して低コストで発光装置を提供できる。   In this modification, only the mounting mount surface electrode 2a and the upper surface electrode 2d are provided at both ends of the package 1, and the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c are not provided. That is, in the process described above with reference to FIGS. 6 and 7, the metallized pattern is not formed on the back surface of the green sheet of the substrate 20 and the top surface of the green sheet of the frame body 21. In this way, since the metallization process can be omitted, the light emitting device can be provided at a low cost by shortening the process.

また、このように光放射面電極２ｂと背面電極２ｃを設けない場合でも、図４に関して前述したものと同様に、発光装置のマウント位置の自動的な補正の効果が得られる。
図１１は、本変型例におけるマウント位置の補正効果を説明するための模式図である。 本変型例においては、光放射面電極２ｂと背面電極２ｃが設けられていないので、図１１（ａ）に表したように実装電極２ａをマウント面として発光装置をマウントした時に、ハンダ１２０は、セラミックなどからなるパッケージ１の側面には這い上がらない。このような場合には、図１１（ｂ）及び（ｃ）に表したように、溶融したハンダ１２０は、パッケージ１の両側において、ランド電極１１０の上に表面張力Ｃで盛り上がった状態となる。この状態で、図１１（ｂ）に表したようにパッケージ１の左右のハンダ１２０の量が異なると、矢印Ａで表したように、ハンダ１２０はその自重により左右が均等の量となるようにパッケージ１の下を流れる。その結果として、図１１（ｃ）に矢印Ｂで表したように、パッケージ１は左右に適宜移動し、ランド電極１１０の中心に自動的にアライメントされる。
図１２は、本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。すなわち、図１２（ａ）は、本変型例の発光装置を凹部１ａの側から眺めた斜視図であり、図１２（ｂ）は凹部１ａとは反対側から眺めた斜視図である。 Even when the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c are not provided as described above, the effect of automatically correcting the mounting position of the light emitting device can be obtained as described above with reference to FIG.
FIG. 11 is a schematic diagram for explaining the effect of correcting the mount position in this modification. In this modification, the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c are not provided. Therefore, when the light emitting device is mounted using the mounting electrode 2a as the mounting surface as shown in FIG. The side surface of the package 1 made of ceramic or the like does not crawl up. In such a case, as shown in FIGS. 11B and 11C, the melted solder 120 is raised on the land electrode 110 with the surface tension C on both sides of the package 1. In this state, as shown in FIG. 11B, when the amount of the left and right solder 120 of the package 1 is different, as shown by the arrow A, the solder 120 is equal in the right and left due to its own weight. It flows under the package 1. As a result, as indicated by an arrow B in FIG. 11C, the package 1 is appropriately moved to the left and right, and is automatically aligned with the center of the land electrode 110.
FIG. 12 is a schematic perspective view showing another modification of the light emitting device of the present embodiment. That is, FIG. 12A is a perspective view of the light emitting device of this modification as viewed from the side of the recess 1a, and FIG. 12B is a perspective view of the light emitting device as viewed from the side opposite to the recess 1a.

本変型例においては、パッケージ１の両端において、実装マウント面電極２ａ及び上面電極２ｄに隣接して、光放射面電極２ｂと背面電極２ｃとがそれぞれ部分的に設けられている。このように光放射面電極２ｂと背面電極２ｃを設けることにより、図４に関して前述したように、ハンダ１２０の這い上がりを生じさせ、発光装置のマウント位置を自動的に補正する効果が得られる。   In this modification, a light emitting surface electrode 2b and a back electrode 2c are partially provided at both ends of the package 1 adjacent to the mounting mount surface electrode 2a and the top surface electrode 2d, respectively. By providing the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c in this manner, the effect of automatically correcting the mount position of the light emitting device can be obtained, as described above with reference to FIG.

なお、このためには、光放射面電極２ｂの幅Ｗ１と、背面電極２ｃのＷ２と、は、いずれもハンダ１２０の這い上がり量よりも大きくすることが望ましい。すなわち、図４に表したように、実装マウント面電極２ａをマウント面として発光装置をマウントする場合には、光放射面電極２ｂと背面電極２ｃにそれぞれハンダ１２０が這い上がる。これらハンダ１２０の這い上がり量を均等にするために、幅Ｗ１と幅Ｗ２はいずれもハンダの這い上がり量よりも大きくすることが望ましい。なお、幅Ｗ１と幅Ｗ２はハンダ１２０の這い上がり量よりも大きければよく、必ずしも同一である必要はない。
また、このように光放射面電極２ｂと背面電極２ｃを設けることにより、マウント工程において、溶融したハンダ１２０によって発光装置が前方または後方に引かれて倒れないようにすることができる。すなわち、プリント基板のクリーム半田がスクリーン印刷された電極に、表面実装型のチップ（例えば、チップ抵抗やチップコンデンサなど）をマウントした後にリフロー半田付けする場合、チップの電極の左右においてリフローした半田の量が極端に違っていたり、マウントの位置ずれにより電極が半田と接触していなかったり、またはリフロー炉の温度分布が均一でないと、先に半田が溶けた側を基点として反対側が持ち上がる「マンハッタン現象」が知られている。サイドビュー型の発光装置においても、これと類似した現象が起こることがあり、発光装置の電極の左右の半田の量が大きく異なると、先に溶けた半田のほうに引き寄せられて発光装置が倒れることがある。 For this purpose, it is desirable that the width W1 of the light emitting surface electrode 2b and the W2 of the back electrode 2c are both larger than the amount of the solder 120 that rises. That is, as shown in FIG. 4, when the light emitting device is mounted using the mounting mount surface electrode 2a as the mount surface, the solder 120 crawls up to the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c, respectively. In order to make the amount of creeping up of the solder 120 uniform, it is desirable that both the width W1 and the width W2 are larger than the amount of solder creeping up. Note that the width W1 and the width W2 only need to be larger than the amount of the solder 120 climbed up, and are not necessarily the same.
Further, by providing the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c in this way, it is possible to prevent the light emitting device from being pulled forward or backward by the molten solder 120 and falling down in the mounting process. That is, when reflow soldering is performed after mounting a surface-mount type chip (for example, a chip resistor or a chip capacitor) on a screen printed electrode with cream solder on the printed circuit board, the reflowed solder on the left and right of the chip electrode If the amount is extremely different, the electrode is not in contact with the solder due to the displacement of the mount, or if the temperature distribution in the reflow furnace is not uniform, the opposite side will be lifted starting from the side where the solder has melted first. "It has been known. In a side-view type light emitting device, a similar phenomenon may occur, and if the amount of solder on the left and right of the electrode of the light emitting device is greatly different, the light emitting device will be pulled down by being drawn toward the previously melted solder. Sometimes.

これに対して、本実施形態によれば、光放射面電極２ｂと背面電極２ｃとを設けることにより、溶けた半田をこれら電極に這い上がらせ、さらに図４に関して前述したように、ランド電極と実装マウント面電極２ａとの間を移動させることにより、両側の半田のバランスを均等にしてチップの倒れを防止できる。   On the other hand, according to the present embodiment, by providing the light emitting surface electrode 2b and the back electrode 2c, the melted solder is crazed to these electrodes, and as described above with reference to FIG. By moving between the mounting mount surface electrodes 2a, it is possible to equalize the balance of the solder on both sides and prevent the chip from falling over.

また、本変型例においても、パッケージ１の凹部１ａの両端が矢印Ｘの方向にみて実装マウント電極２ａよりも内側となるように形成することにより、光放射面電極２ｂとの干渉を防ぐことができる。その結果として、背面電極２ｃと光放射面電極２ｂとを形成し、ハンダの這い上がりをバランスさせることによりマウント位置を自動的に補正できる。仮に、凹部１ａの両端をパッケージ１の両端近くまで延在させると、凹部１ａと実装マウント電極２ａとの間に光放射面電極２ｂを形成しなければならない。しかし、パッケージ１を小型化した場合には、このスペースは非常に小さくなり、光放射面電極２ｂを形成することができなくなる。これに対して、凹部１ａを実装マウント電極２ａよりも内側とすることにより、光放射面電極２ｂを確実に形成し、マウント位置の自動的な補正の効果を確実に得ることができる。   Also in this modified example, by forming both ends of the concave portion 1a of the package 1 inward of the mounting mount electrode 2a when viewed in the direction of the arrow X, interference with the light emitting surface electrode 2b can be prevented. it can. As a result, the back electrode 2c and the light emitting surface electrode 2b are formed, and the mount position can be automatically corrected by balancing the rising of the solder. If both ends of the recess 1a are extended to near both ends of the package 1, the light emitting surface electrode 2b must be formed between the recess 1a and the mounting mount electrode 2a. However, when the package 1 is downsized, this space becomes very small and the light emitting surface electrode 2b cannot be formed. On the other hand, by setting the concave portion 1a to the inside of the mounting mount electrode 2a, the light emitting surface electrode 2b can be reliably formed, and the effect of automatically correcting the mount position can be obtained with certainty.

図１３は、本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。すなわち、図１３（ａ）は、本変型例の発光装置を凹部１ａの側から眺めた斜視図であり、図１３（ｂ）は凹部１ａとは反対側から眺めた斜視図である。   FIG. 13 is a schematic perspective view illustrating another modification of the light emitting device of the present embodiment. That is, FIG. 13A is a perspective view of the light emitting device of this modification as viewed from the side of the recess 1a, and FIG. 13B is a perspective view of the light emitting device as viewed from the side opposite to the recess 1a.

本変型例においては、実装マウント面電極２ａを形成するための貫通孔６が複数設けられている。すなわち、実装マウント面電極２ａは、これら複数の貫通孔６の間に形成される突出部１ｐにより分割されている。このように複数の貫通孔６を設けてその側面をメタライズすれば、広い面積の実装マウント面電極２ａも容易に形成することができる。また、隣接する貫通孔６同士の間の突出部１ｐは、パッケージ１の実装マウント面１ｍと同一の平面上にある。すなわち、これら突出部１ｐは、実装部材の実装マウント面に接触し、支持脚として作用する。その結果として、発光装置を安定してサイドビューの状態に立設させることができる。   In this modified example, a plurality of through holes 6 for forming the mounting mount surface electrode 2a are provided. That is, the mounting mount surface electrode 2 a is divided by the protruding portion 1 p formed between the plurality of through holes 6. If a plurality of through-holes 6 are provided in this way and the side surfaces thereof are metallized, a mounting surface electrode 2a having a large area can be easily formed. Further, the protruding portion 1 p between the adjacent through holes 6 is on the same plane as the mounting mount surface 1 m of the package 1. That is, these protrusions 1p contact the mounting mount surface of the mounting member and act as support legs. As a result, the light emitting device can be stably erected in the side view state.

図１４は、本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。すなわち、図１４（ａ）は、本変型例の発光装置を凹部１ａの側から眺めた斜視図であり、図１４（ｂ）は凹部１ａとは反対側から眺めた斜視図である。   FIG. 14 is a schematic perspective view illustrating another modification of the light emitting device of the present embodiment. That is, FIG. 14A is a perspective view of the light emitting device of this modification as viewed from the side of the recess 1a, and FIG. 14B is a perspective view of the light emitting device as viewed from the side opposite to the recess 1a.

本変型例においては、貫通孔６がパッケージ１の左右両端まで延在せず、実装マウント面１ｍの両端に突出部１ｐが設けられている。図１３に関して前述した突出部１ｐと同様に、これらの突出部１ｐは、パッケージ１の実装マウント面１ｍと同一の平面上にある。すなわち、これら突出部１ｐは、実装部材の実装マウント面に接触し、支持脚として作用する。その結果として、発光装置を安定してサイドビューの状態に立設させることができる。つまり、図３に例示したようなサイドビューの状態にマウントした時に、突出部１ｐによりパッケージ１の両端で発光装置を支持するので、パッケージ１の長手方向に沿った傾きを防止できる。   In this modified example, the through holes 6 do not extend to the left and right ends of the package 1, and protrusions 1 p are provided at both ends of the mounting mount surface 1 m. Similar to the protrusions 1 p described above with reference to FIG. 13, these protrusions 1 p are on the same plane as the mounting mount surface 1 m of the package 1. That is, these protrusions 1p contact the mounting mount surface of the mounting member and act as support legs. As a result, the light emitting device can be stably erected in the side view state. That is, when mounted in the side view state illustrated in FIG. 3, the light emitting device is supported at both ends of the package 1 by the protrusions 1 p, so that the inclination along the longitudinal direction of the package 1 can be prevented.

図１５は、本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。すなわち、図１５（ａ）は、本変型例の発光装置を凹部１ａの側から眺めた斜視図であり、図１５（ｂ）は凹部１ａとは反対側から眺めた斜視図である。   FIG. 15 is a schematic perspective view illustrating another modification of the light emitting device of the present embodiment. That is, FIG. 15A is a perspective view of the light emitting device of this modification as viewed from the side of the recess 1a, and FIG. 15B is a perspective view of the light emitting device as viewed from the side opposite to the recess 1a.

本変型例においては、パッケージ１の実装マウント面１ｍに実装マウント面電極１３が設けられている。実装マウント面電極１３は、例えばランド電極５ａに接続されている。この発光装置は、例えば、３電極型の半導体発光素子を搭載することができる。または、複数の半導体発光素子をランド電極５ａにマウントし、実装マウント面電極１３をこれら半導体発光素子の共通電極として用い、左右の実装マウント面電極２ａ、２ａをそれぞれの半導体発光素子の駆動電極として用いることができる。または、半導体発光素子と保護用ダイオードとを搭載して用いることもできる。   In this modification, a mounting mount surface electrode 13 is provided on the mounting mount surface 1 m of the package 1. The mounting mount surface electrode 13 is connected to the land electrode 5a, for example. This light-emitting device can be mounted with, for example, a three-electrode semiconductor light-emitting element. Alternatively, a plurality of semiconductor light emitting elements are mounted on the land electrode 5a, the mounting mount surface electrode 13 is used as a common electrode for these semiconductor light emitting elements, and the left and right mounting mount surface electrodes 2a, 2a are used as drive electrodes for the respective semiconductor light emitting elements. Can be used. Alternatively, a semiconductor light emitting element and a protective diode can be mounted and used.

図１６は、本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。すなわち、図１６（ａ）は、本変型例の発光装置を凹部１ａの側から眺めた斜視図であり、図１６（ｂ）は凹部１ａとは反対側から眺めた斜視図である。   FIG. 16 is a schematic perspective view illustrating another modification of the light emitting device of the present embodiment. That is, FIG. 16A is a perspective view of the light emitting device of this modification as viewed from the side of the recess 1a, and FIG. 16B is a perspective view of the light emitting device as viewed from the side opposite to the recess 1a.

本変型例においても、パッケージ１の実装マウント面１ｍに実装マウント面電極１３が設けられている。またさらに、実装マウント面電極１３に接続されてパッケージ１の前面に延在した光放射面電極１４と、パッケージ１の背面に延在した背面電極１５と、が設けられている。   Also in this modified example, the mounting mount surface electrode 13 is provided on the mounting mount surface 1 m of the package 1. Furthermore, a light emitting surface electrode 14 connected to the mounting mount surface electrode 13 and extending to the front surface of the package 1 and a back electrode 15 extending to the back surface of the package 1 are provided.

このように光放射面電極１４と背面電極１５とを設けることにより、発光装置を実装部材にマウントする工程において、溶融したハンダ１２０によって発光装置が前方または後方に引かれて倒れないようにすることができる。またさらに、本変位例における背面電極１５は、放熱用金属としても用いることができる。すなわち、半導体発光素子３の裏側に設けた背面電極１５から効率的に放熱をさせることが可能となる。   By providing the light emitting surface electrode 14 and the back electrode 15 in this manner, in the process of mounting the light emitting device on the mounting member, the light emitting device is prevented from being pulled forward or backward by the molten solder 120 and falling down. Can do. Furthermore, the back electrode 15 in this displacement example can also be used as a metal for heat dissipation. That is, it is possible to efficiently dissipate heat from the back electrode 15 provided on the back side of the semiconductor light emitting element 3.

図１７は、本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式平面図である。すなわち、同図は、図７（ｃ）に例示した製造途中の段階の枠体２１の上面のダイシングライン５０と５２の交差部分を拡大した模式図である。
本実施形態においては、貫通孔６は、単一である必要はなく、また、これら貫通孔の形状や間隔は任意に選択することが可能である。例えば、図１７（ａ）に表したように単一の偏平な貫通孔６でもよく、または図１７（ｂ）に表したようにやや偏平な貫通孔６を離間して設けてもよい。さらに、図１７（ｃ）に表したように複数の円形の貫通孔６を互いに離間して設けてもよく、図１７（ｄ）に表したように、複数の略四角形の貫通孔６を互いに離間して設けてもよい。いずれの場合も、ダイシングライン５０、５２に沿って切断することにより、本実施形態の発光装置を形成することができる。 FIG. 17 is a schematic plan view illustrating another modification of the light emitting device of the present embodiment. That is, this figure is an enlarged schematic view of the intersection of the dicing lines 50 and 52 on the upper surface of the frame body 21 at the stage of manufacture illustrated in FIG. 7C.
In this embodiment, the through-hole 6 does not need to be single, and the shape and interval of these through-holes can be arbitrarily selected. For example, a single flat through-hole 6 may be provided as shown in FIG. 17A, or a slightly flat through-hole 6 may be provided apart as shown in FIG. Furthermore, as shown in FIG. 17C, a plurality of circular through holes 6 may be provided apart from each other, and as shown in FIG. They may be provided separately. In either case, the light emitting device of this embodiment can be formed by cutting along the dicing lines 50 and 52.

図１８は、本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式平面図である。
本変型例においては、実装マウント電極（第１の給電電極面、第２の給電電極面）２ａの形状と上面電極（第３の給電電極面、第４の給電電極面）２ｄの形状とが異なる。すなわち、実装マウント電極２ａは曲面状に窪んでいるのに対して、上面電極２ｄは多角平面状に窪んでいる。このように電極２ａ、２ｄの形状を変えると、電極の極性の判別が容易となる。例えば、発光装置の凹部１ａを手前にし、多角平面状の凹部を上にしたときに、右側がアノードで左側がカソードの如く、極性を容易に判別することができる。ここで、電極の極性を識別するためには、左右の実装マウント電極２ａと左右の上面電極２ｄのうちの少なくともいずれか１つの電極の形状が他の電極の形状と異なるものとすればよい。すなわち、これら４つの電極のうちのいずれか１つの形状が他の電極の形状と異なるようにすればよい。
なお、本実施形態の発光装置は、上面電極２ｄをマウント面側にしてマウントすることも可能であるが、上面電極２ｄが設けられた凹部を多角平面状にしても、マウントに支障は生じない。 FIG. 18 is a schematic plan view illustrating another modification of the light emitting device of the present embodiment.
In this modification, the shape of the mounting mount electrode (first power supply electrode surface, second power supply electrode surface) 2a and the shape of the upper surface electrode (third power supply electrode surface, fourth power supply electrode surface) 2d are Different. That is, the mounting mount electrode 2a is recessed in a curved shape, whereas the upper surface electrode 2d is recessed in a polygonal plane. When the shapes of the electrodes 2a and 2d are changed in this way, the polarity of the electrodes can be easily determined. For example, when the concave portion 1a of the light emitting device is facing forward and the concave portion having a polygonal plane is facing upward, the polarity can be easily determined such that the right side is the anode and the left side is the cathode. Here, in order to identify the polarities of the electrodes, the shape of at least one of the left and right mounting mount electrodes 2a and the left and right upper surface electrodes 2d may be different from the shapes of the other electrodes. That is, any one of these four electrodes may be different from the shape of the other electrodes.
The light emitting device of this embodiment can be mounted with the upper surface electrode 2d facing the mount surface. However, even if the concave portion provided with the upper surface electrode 2d has a polygonal flat surface, mounting does not hinder. .

図１９は、図１８に表した変型例の発光装置の製造工程の一部を表す模式平面図である。   FIG. 19 is a schematic plan view showing a part of the manufacturing process of the light emitting device of the modification shown in FIG.

すなわち、図６〜図８、図１７に関して前述したものと同様に、複数のパッケージ１が作り込まれた基体をダイシングライン５０、５２に沿って切断することにより、本変型例の発光装置が得られる。そしてこの時に、ダイシングライン５０すなわち貫通孔６を結ぶ線に対して、貫通孔６の開口形状を非対称とすることにより、実装マウント電極２ａと上面電極２ｄの形状を変えることができる。図１９において、それぞれの貫通孔６の上半分は、実装マウント電極２ａとなり、貫通孔６の下半分は上面電極２ｄとなる。   That is, in the same manner as described above with reference to FIGS. 6 to 8 and 17, the substrate in which the plurality of packages 1 are formed is cut along the dicing lines 50 and 52 to obtain the light emitting device of this modification. It is done. At this time, the shape of the mounting mount electrode 2a and the upper surface electrode 2d can be changed by making the opening shape of the through hole 6 asymmetric with respect to the dicing line 50, that is, the line connecting the through holes 6. In FIG. 19, the upper half of each through hole 6 becomes the mounting mount electrode 2a, and the lower half of the through hole 6 becomes the upper surface electrode 2d.

図２０は、本実施形態の発光装置のさらに他の変型例を表す模式平面図である。
本変型例においては、２つの実装マウント電極（第１の給電電極面、第２の給電電極面）２ａと２つの上面電極（第３の給電電極面、第４の給電電極面）２ｄのうちで、２つの電極の形状がそれぞれ他のいずれとも異なる。すなわち、実装マウント電極２ａの形状と、上面電極２ｄの形状と、が異なることに加えて、上面電極２ｄの形状が左右で異なる。具体的には、図２０に向かって左側の上面電極２ｄは、略Ｖ字状に切り込まれた形状を有するのに対して、向かって右側の上面電極２ｄは、略台形状に切り込まれた形状を有する。このように、左右の上面電極２ｄの形状を変えることにより、極性の判別がさらに容易となる。例えば、Ｖ字状に切り込まれた側がアノードで、台形状に切り込まれた側がカソードの如くである。 FIG. 20 is a schematic plan view illustrating still another modification of the light emitting device according to the present embodiment.
In this modified example, out of two mounting mount electrodes (first power supply electrode surface, second power supply electrode surface) 2a and two upper surface electrodes (third power supply electrode surface, fourth power supply electrode surface) 2d Thus, the shapes of the two electrodes are different from each other. That is, in addition to the shape of the mounting mount electrode 2a being different from the shape of the upper surface electrode 2d, the shape of the upper surface electrode 2d is different on the left and right. Specifically, the upper electrode 2d on the left side in FIG. 20 has a shape cut into a substantially V shape, whereas the upper electrode 2d on the right side has a shape cut into a substantially trapezoidal shape. Have a different shape. In this manner, the polarity can be easily determined by changing the shapes of the left and right upper surface electrodes 2d. For example, the side cut in a V shape is an anode, and the side cut in a trapezoidal shape is a cathode.

図２１は、図２０に表した変型例の発光装置の製造工程の一部を表す模式平面図である。   FIG. 21 is a schematic plan view showing a part of the manufacturing process of the light emitting device of the modified example shown in FIG.

本変型例においても、ダイシングライン５０すなわち貫通孔６Ａ、６Ｂを結ぶ線に対して、貫通孔６Ａ、６Ｂの開口形状を非対称とし、さらに、貫通孔６Ａと貫通孔６Ｂの開口形状を変えることにより、実装マウント電極２ａと上面電極２ｄの形状をそれぞれ形成することができる。すなわち、図２１において、貫通孔６Ａの下半分はＶ字状に切り込まれた上面電極２ｄに対応し、貫通孔６Ｂの下半分は台形状に切り込まれた上面電極２ｄに対応する。本変型例によれば、このように簡単な方法で、極性の判別が極めて容易な発光装置を提供できる。   Also in this modified example, the opening shapes of the through holes 6A and 6B are made asymmetric with respect to the dicing line 50, that is, the line connecting the through holes 6A and 6B, and the opening shapes of the through holes 6A and 6B are changed. The shapes of the mounting mount electrode 2a and the upper surface electrode 2d can be formed respectively. That is, in FIG. 21, the lower half of the through hole 6A corresponds to the upper surface electrode 2d cut in a V shape, and the lower half of the through hole 6B corresponds to the upper surface electrode 2d cut in a trapezoidal shape. According to this modified example, it is possible to provide a light emitting device in which polarity determination is extremely easy by such a simple method.

また、電極の極性の判別を容易にする方法としては、これらの他にも、例えば、左右の実装マウント電極２ａまたは上面電極２ｄの幅（図１における矢印Ｘの方向にみた長さ）を変えてもよく、または、図１３に関して前述したような突出部１ｐの数や位置を、左右の実装マウント電極２ａで変えてもよい。あるいは、図１４に関して前述したような突出部１ｐを左右で非対称に形成してもよい。   In addition to these methods, for example, the width of the left and right mounting mount electrodes 2a or the upper surface electrode 2d (the length as viewed in the direction of the arrow X in FIG. 1) is changed as a method for facilitating the discrimination of the polarity of the electrodes. Alternatively, the number and position of the protrusions 1p as described above with reference to FIG. 13 may be changed between the left and right mounting mount electrodes 2a. Or you may form the protrusion part 1p as mentioned above regarding FIG. 14 asymmetrically right and left.

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。例えば、本発明の発光装置を構成する基板、枠体、凹部、半導体発光素子、ランド電極、リード電極、実装マウント面電極、上面電極、光放射面電極、背面電極、放熱用金属、ワイヤ、樹脂などについては、当業者が適宜設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, a substrate, a frame, a recess, a semiconductor light emitting element, a land electrode, a lead electrode, a mounting mount surface electrode, an upper surface electrode, a light emitting surface electrode, a back electrode, a heat radiating metal, a wire, and a resin constituting the light emitting device of the present invention As long as it has the gist of the present invention, it is included in the scope of the present invention even if those skilled in the art have appropriately changed the design.

また、各具体例及び各変型例を技術的に可能な範囲で組み合わせたものについても、本発明の範囲に包含される。   Moreover, what combined each specific example and each modification in the technically possible range is also included in the scope of the present invention.

さらにまた、本実施形態の発光装置は、プリント基板を用いて形成することもできる。すなわち、紙フェノールやガラスエポキシなどからなり、銅などの電極層が表裏に形成されたプリント基板の原板に、まず、金型やＮＣ（数値制御）ドリル加工などにより貫通孔６を形成する。そして、この貫通孔６の内壁をメッキなどでメタライズすることにより、プリント基板の表裏に形成された電極層と接続された実装マウント面電極２ａを形成する。次に、プリント基板の表裏に設けられている電極層をパターニングして、電極パターンを形成する。そして、この電極パターンの上に半導体発光素子をマウントし、電極をワイヤボンディングする。半導体発光素子とワイヤは、樹脂などにより適宜封止またはコーティングする。しかる後に、貫通孔６に沿ってプリント基板を縦横に切断すれば、サイドビュー型の発光装置ができあがる。この場合、半導体発光素子はプリント基板の表面に実装され、その周囲はたとえば封止樹脂により適宜封止されている。   Furthermore, the light-emitting device of this embodiment can also be formed using a printed circuit board. That is, the through-hole 6 is first formed by a mold or NC (numerical control) drilling or the like on an original plate of a printed circuit board made of paper phenol or glass epoxy and having an electrode layer such as copper formed on the front and back sides. The inner wall of the through hole 6 is metallized by plating or the like, thereby forming the mounting mount surface electrode 2a connected to the electrode layer formed on the front and back of the printed board. Next, the electrode layer provided on the front and back of the printed board is patterned to form an electrode pattern. Then, a semiconductor light emitting element is mounted on the electrode pattern, and the electrode is wire bonded. The semiconductor light emitting element and the wire are appropriately sealed or coated with a resin or the like. After that, if the printed circuit board is cut vertically and horizontally along the through hole 6, a side-view type light emitting device is completed. In this case, the semiconductor light emitting element is mounted on the surface of the printed board, and the periphery thereof is appropriately sealed with, for example, a sealing resin.

本発明の実施の形態にかかる発光装置を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the light-emitting device concerning embodiment of this invention. （ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。(A) is the sectional view on the AA line of Fig.1 (a), (b) is the sectional view on the BB line. 本実施形態の発光装置をサイドビュー型として用いる場合の実装状態を例示する模式図である。It is a schematic diagram which illustrates the mounting state in the case of using the light-emitting device of this embodiment as a side view type. 発光装置のマウント位置の補正効果を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the correction effect of the mount position of a light-emitting device. 本実施形態の発光装置の製造方法を表すフローチャートである。It is a flowchart showing the manufacturing method of the light-emitting device of this embodiment. 本実施形態の発光装置の製造途中の段階を表す斜視図である。It is a perspective view showing the stage in the middle of manufacture of the light-emitting device of this embodiment. （ａ）は図６のＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図６のＢ−Ｂ線断面図である。(A) is the sectional view on the AA line of FIG. 6, (b) is the sectional view on the BB line of FIG. パッケージが連続して形成された基板からそれぞれの発光装置を切り出す工程を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the process of cutting out each light-emitting device from the board | substrate with which the package was formed continuously. 本実施形態の発光装置の変型例を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the modification of the light-emitting device of this embodiment. 本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the other modification of the light-emitting device of this embodiment. 図１０に表した変型例におけるマウント位置の自動的な補正の効果を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the effect of the automatic correction | amendment of the mount position in the modification shown to FIG. 本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the other modification of the light-emitting device of this embodiment. 本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the other modification of the light-emitting device of this embodiment. 本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the other modification of the light-emitting device of this embodiment. 本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the other modification of the light-emitting device of this embodiment. 本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the other modification of the light-emitting device of this embodiment. 本実施形態の発光装置の他の変型例を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the other modification of the light-emitting device of this embodiment. 本実施形態の他の変型例を表す模式平面図である。It is a schematic plan view showing the other modification of this embodiment. 図１８に表した変型例の発光装置の製造工程の一部を表す模式平面図である。FIG. 19 is a schematic plan view illustrating a part of the manufacturing process of the light emitting device of the modification example illustrated in FIG. 18. 本実施形態の発光装置のさらに他の変型例を表す模式平面図である。It is a schematic plan view showing the further another modification of the light-emitting device of this embodiment. 図２０に表した変型例の発光装置の製造工程の一部を表す模式平面図である。FIG. 21 is a schematic plan view illustrating a part of the manufacturing process of the light emitting device of the modification example illustrated in FIG. 20.

符号の説明Explanation of symbols

１ａ 凹部、１ｐ 突出部、２ａ 実装マウント面電極、 ２ｂ 光放射面電極、 ２ｃ 背面電極、 ２ｄ 上面電極、 ３ 半導体発光素子、 ４ ボンディングワイヤ、 ５ａ ランド電極、 ５ｂ リード電極、 ６ 貫通孔、 ９ 放熱用金属、 １３ 実装マウント面電極、 １４ 光放射面電極、 １５ 背面電極、 １６ 樹脂、 ２０ 基板、 ２１ 枠体、 ５０、５２ ダイシングライン、１００ 実装部材、１１０ ランド電極、１２０ ハンダ、２００ ダイシングブレード   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a Concave part, 1p protrusion part, 2a Mounting surface electrode, 2b Light emission surface electrode, 2c Back surface electrode, 2d Upper surface electrode, 3 Semiconductor light emitting element, 4 Bonding wire, 5a Land electrode, 5b Lead electrode, 6 Through-hole, 9 Heat dissipation Metal for mounting, 13 Mounting surface electrode, 14 Light emitting surface electrode, 15 Back electrode, 16 Resin, 20 Substrate, 21 Frame, 50, 52 Dicing line, 100 Mounting member, 110 Land electrode, 120 Solder, 200 Dicing blade

Claims (9)

凹部が形成された略長方形の光放射面と、前記光放射面に対向した裏面と、前記光放射面及び前記裏面に対して略直交し前記光放射面及び前記裏面と長辺でつながる第１の側面と、前記第１の側面に対向した第２の側面と、を有するパッケージと、
前記凹部の中に設けられた発光素子と、
を備え、
前記第１の側面は、前記発光素子に接続された少なくとも２つ以上の給電電極面と、前記給電電極どうしの間に設けられた実装マウント面と、を有し、
前記第１の側面の一端に設けられた第１の給電電極面と、前記第１の給電電極面に隣接する前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、
前記第１の側面の他端に設けられた第２の給電電極面と、前記第２の給電電極面に隣接する前記実装マウント面と、の間には段差が設けられ、
前記第１及び第２の給電電極面は、これらに隣接する前記実装マウント面よりも後退してなることを特徴とする発光装置。 A substantially rectangular light emitting surface having a recess, a back surface facing the light emitting surface, a first surface that is substantially orthogonal to the light emitting surface and the back surface, and is connected to the light emitting surface and the back surface through a long side. And a package having a second side surface facing the first side surface,
A light emitting device provided in the recess;
With
The first side surface has at least two or more power supply electrode surfaces connected to the light emitting element, and a mounting mount surface provided between the power supply electrodes,
A step is provided between the first power supply electrode surface provided at one end of the first side surface and the mounting mount surface adjacent to the first power supply electrode surface,
A step is provided between the second power supply electrode surface provided at the other end of the first side surface and the mounting mount surface adjacent to the second power supply electrode surface,
The light emitting device according to claim 1, wherein the first and second power supply electrode surfaces recede from the mounting mount surface adjacent thereto. 前記第１の側面は、前記第１及び第２の給電電極面よりも外側の両端と、前記第１及び第２の給電電極面を分割する位置と、の少なくともいずれかに設けられ、前記実装マウント面と略同一な平面まで突出した突出部をさらに有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。   The first side surface is provided at at least one of both ends outside the first and second power supply electrode surfaces and a position at which the first and second power supply electrode surfaces are divided. The light emitting device according to claim 1, further comprising a projecting portion that projects to a plane substantially the same as the mounting surface. 前記光放射面に、前記第１の給電電極面に接続された第１の光放射面電極と、前記第２の給電電極面に接続された第２の光放射面電極と、が設けられ、
前記裏面に、前記第１の給電電極面に接続された第１の背面電極と、前記第２の給電電極面に接続された第２の背面電極と、が設けられたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。 The light emitting surface is provided with a first light emitting surface electrode connected to the first power feeding electrode surface and a second light emitting surface electrode connected to the second power feeding electrode surface,
The first back electrode connected to the first power supply electrode surface and the second back electrode connected to the second power supply electrode surface are provided on the back surface. Item 2. The light emitting device according to Item 1. 前記凹部は、前記長辺に対して平行な方向にみて、前記第１及び第２の給電電極面よりも内側に設けられたことを特徴とする請求項３記載の発光装置。   4. The light emitting device according to claim 3, wherein the recess is provided on an inner side than the first and second power supply electrode surfaces when viewed in a direction parallel to the long side. 前記第２の側面は、その一端に設けられ前記第１の給電電極面と接続された第３の給電電極面と、その他端に設けられ、前記第２の給電電極面と接続された第４の給電電極面と、を有し、
前記第１乃至第４の給電電極面のうちで、少なくともいずれか１つの形状は、他と異なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。 The second side surface is provided at one end thereof with a third power supply electrode surface connected to the first power supply electrode surface, and provided at the other end with a fourth side connected to the second power supply electrode surface. A power supply electrode surface,
5. The light-emitting device according to claim 1, wherein at least one of the first to fourth power supply electrode surfaces is different from the others. 凹部が形成された光放射面と、前記光放射面に対して略直交し第１の給電電極面と第２の給電電極面とを有する第１の側面と、を有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた発光素子と、を含む発光装置の製造方法であって、
複数の前記凹部が形成された基体に形成された複数の貫通孔の内壁に導電層を形成することにより前記第１及び第２の給電電極面を形成することを特徴とする発光装置の製造方法。 A package having a light emitting surface in which a recess is formed, and a first side surface having a first power supply electrode surface and a second power supply electrode surface substantially orthogonal to the light emission surface; A light-emitting device including a light-emitting element provided therein,
A method of manufacturing a light emitting device, wherein the first and second feeding electrode surfaces are formed by forming a conductive layer on inner walls of a plurality of through holes formed in a base having a plurality of recesses. . 複数の前記凹部と複数の貫通孔とが形成された基体の前記貫通孔の内壁に導電層を形成し、
前記凹部の中に発光素子をマウントし、
前記凹部の中に設けられたリード電極と前記発光素子とをボンディングワイヤで接続し、
前記凹部に樹脂を充填し、
前記貫通孔を結ぶ線に沿って前記基体を切断することを特徴とする発光装置の製造方法。 Forming a conductive layer on the inner wall of the through-hole of the substrate on which the plurality of recesses and the plurality of through-holes are formed;
A light emitting element is mounted in the recess,
The lead electrode provided in the recess and the light emitting element are connected by a bonding wire,
Filling the recess with resin;
A method for manufacturing a light emitting device, comprising cutting the base body along a line connecting the through holes. 前記切断する位置及び切断に用いるブレードの厚みの少なくともいずれかを調整することにより、前記切断されて露出する切断面と前記貫通孔の内壁に形成される前記導電層との間に形成される段差の高さを調節することを特徴とする請求項６記載の発光装置の製造方法。   A step formed between the cut surface exposed by cutting and the conductive layer formed on the inner wall of the through hole by adjusting at least one of the cutting position and the thickness of the blade used for cutting. The method of manufacturing a light emitting device according to claim 6, wherein the height of the light emitting device is adjusted. 基板と、
前記基板の上に設けられた第１及び第２のランド電極と、
前記基板の上に設けられた請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置と、
を備え、
前記発光装置の前記第１の給電電極面は、前記第１のランド電極に接続され、
前記発光装置の前記第２の給電電極面は、前記第２のランド電極に接続されたことを特徴とする実装基板。 A substrate,
First and second land electrodes provided on the substrate;
The light emitting device according to any one of claims 1 to 5 provided on the substrate;
With
The first power supply electrode surface of the light emitting device is connected to the first land electrode,
The mounting substrate, wherein the second power supply electrode surface of the light emitting device is connected to the second land electrode.
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199253A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2010258275A (en) * 2009-04-27 2010-11-11 Panasonic Electric Works Co Ltd Solid-state light-emitting device, solid-state light-emitting element unit and lighting apparatus
JP2011096634A (en) * 2009-10-27 2011-05-12 Samsung Led Co Ltd Backlight unit
JP2012227314A (en) * 2011-04-19 2012-11-15 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
JP2013074055A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2013110210A (en) * 2011-11-18 2013-06-06 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor optical device
JP2013165258A (en) * 2012-01-10 2013-08-22 Rohm Co Ltd Led module
JP2015149448A (en) * 2014-02-07 2015-08-20 ローム株式会社 Light emitting module, light emitting device and method of manufacturing light emitting module
JP2015149447A (en) * 2014-02-07 2015-08-20 ローム株式会社 Light emitting module, light emitting device, and manufacturing method of light emitting module
KR20150129770A (en) * 2013-03-05 2015-11-20 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Optoelectronic component and electronic device having an optoelectronic component
US9299904B2 (en) 2014-05-21 2016-03-29 Nichia Corporation Light emitting device
JP2016072533A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
CN111192944A (en) * 2018-11-15 2020-05-22 日亚化学工业株式会社 Method for manufacturing light emitting device
JP2020088381A (en) * 2018-11-15 2020-06-04 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of light-emitting device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011216506A (en) 2010-03-31 2011-10-27 Hitachi Consumer Electronics Co Ltd Led package and led package mounting structure
CN102315354B (en) * 2010-06-29 2013-11-06 展晶科技(深圳)有限公司 Packaging structure of light emitting diode
CN104428912A (en) * 2012-06-26 2015-03-18 株式会社村田制作所 Mounting board and light-emitting device
JP6661890B2 (en) 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
TWI629431B (en) 2017-02-17 2018-07-11 隆達電子股份有限公司 Fram, light-emitting device applying the same, and method for manufacturing light-emitting device applying the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529659A (en) * 1991-07-23 1993-02-05 Sharp Corp Side liminous type led lamp and manufacture thereof
JPH05114751A (en) * 1991-10-23 1993-05-07 Sharp Corp Optical semiconductor device
JP2004281994A (en) * 2003-01-24 2004-10-07 Kyocera Corp Package for storing light emitting element and light emitting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529659A (en) * 1991-07-23 1993-02-05 Sharp Corp Side liminous type led lamp and manufacture thereof
JPH05114751A (en) * 1991-10-23 1993-05-07 Sharp Corp Optical semiconductor device
JP2004281994A (en) * 2003-01-24 2004-10-07 Kyocera Corp Package for storing light emitting element and light emitting device

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199253A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2010258275A (en) * 2009-04-27 2010-11-11 Panasonic Electric Works Co Ltd Solid-state light-emitting device, solid-state light-emitting element unit and lighting apparatus
JP2011096634A (en) * 2009-10-27 2011-05-12 Samsung Led Co Ltd Backlight unit
JP2012227314A (en) * 2011-04-19 2012-11-15 Nichia Chem Ind Ltd Light emitting device
JP2013074055A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2013110210A (en) * 2011-11-18 2013-06-06 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor optical device
US9502618B2 (en) 2012-01-10 2016-11-22 Rohm Co., Ltd. LED module
JP2013165258A (en) * 2012-01-10 2013-08-22 Rohm Co Ltd Led module
KR102125734B1 (en) 2013-03-05 2020-06-23 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Optoelectronic component and electronic device having an optoelectronic component
KR20150129770A (en) * 2013-03-05 2015-11-20 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Optoelectronic component and electronic device having an optoelectronic component
US9673365B2 (en) 2013-03-05 2017-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and electronic device having an optoelectronic component
JP2016511546A (en) * 2013-03-05 2016-04-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ Electronic device having optoelectronic component and optoelectronic component
JP2015149447A (en) * 2014-02-07 2015-08-20 ローム株式会社 Light emitting module, light emitting device, and manufacturing method of light emitting module
JP2015149448A (en) * 2014-02-07 2015-08-20 ローム株式会社 Light emitting module, light emitting device and method of manufacturing light emitting module
US9299904B2 (en) 2014-05-21 2016-03-29 Nichia Corporation Light emitting device
JP2016072533A (en) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
CN111192944A (en) * 2018-11-15 2020-05-22 日亚化学工业株式会社 Method for manufacturing light emitting device
JP2020088381A (en) * 2018-11-15 2020-06-04 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of light-emitting device

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