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JP2007501529A - 圧電性複合物およびその製造方法 - Google Patents

圧電性複合物およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

所望の体積比を有する圧電性複合物などの複合物を作成する方法について記載する。まず、一方のダイシングされたベーススラブの材料部分が、別のダイシングされたベーススラブのスロットに収容され得るように、ベーススラブの対をダイシングすることによって均一なピッチ間隔を有するスロットを形成する。ダイシングされたベーススラブを嵌合し連結することによって、第1の圧電性複合物が形成され、次いで、その第1の圧電性複合物は、均一なピッチ間隔を有しかつ第1のスロットと間隔をおかれたスロットを形成するためにダイシングされ得る。2つのダイシングされた圧電性複合物を嵌合し連結することによって、体積比が低減されかつピッチがより短い第2の圧電性複合物が形成される。

Description

本出願は、タイトルが「Methods of Manufacturing Piezoelectric Composites for Ultrasound Applications and Such Composites」の米国仮特許出願第60/470,235号(2003年5月14日出願)の優先権および利益を主張し、これは、本明細書において援用される。
本発明は、圧電性複合物(piezoelectric composite)に関し、より詳しくは、高周波数の超音波用途用の圧電性複合物と、そのような複合物を製造する方法に関する。
通常、高品質な医療用画像化には、優れた感度および広い周波数バンド幅の特性を有する超音波トランスデューサまたはトランスデューサのアレイが用いられる。モノリシックの圧電材料(例えば、チタンジルコン酸鉛(「PZT」))を用いる従来のトランスデューサは、通常、トランスデューサと、披験媒体(例えば、水、ヒトの組織など)との音響インピーダンスのミスマッチが大きい。この問題を解消するために、ポリマー基質(例えば、エポキシ)によって囲まれかつ分離されている個々の小さな圧電素子からなる圧電性複合物が提案されてきた。この提案された小さな圧電素子は、医療用画像化用の超音波トランスデューサの開発においてますます重要な役割を果たす。最も一般的に用いられてきた圧電性複合物の構造は、ポリマー材料のホスト基質に埋め込まれたPZTの小さなストリップまたはポストからなる。ストリップまたはポストの高さは、通常、動作周波数において約半波長である。
圧電性複合物を製造する従来のプロセス「ダイスアンドフィル(dice and fill)」方法は、圧電材料のモノリシックのスラブから開始する。ダイシングソーを用いて、スロットまたはカーフがスラブへと切断される。次いで、スロットに母材(例えばエポキシ)を充填する。圧電性のスラブを2つの直交する方向に切断することによって、ポストとホスト基質とからなる二次元の圧電性複合物が作成される。
体積比(全複合物に対するセラミックの体積の比であり、通常、従来の1−3および2−2複合物の場合にはピッチサイズに対するセラミック幅の比と等しい比)は、圧電性複合物の特性(例えば、結合係数、速度、音響インピーダンスなど)に影響を及ぼす。従って、体積比を変更することが、所望のトランスデューサの用途/デザインに対する特定の圧電性複合物の特注生産を可能にする。あいにく、従来の「ダイスアンドフィル」プロセスでは、スロット/カーフサイズは鋸歯の厚みによって決定される。ピッチサイズを固定する必要がある場合において、特別な体積比の複合物を作成することは困難である。通常、異なった厚みの刃を用いることによって体積比を変更するが、それでも、特に切断されるスロット/カーフの大きさが小さい場合において、体積比は選択され得る刃の厚みによって制限される。
一局面では、本発明は、任意の体積比の複合物/アレイを製造する実用的な方法と、特に、高周波数用途用の均一かつ小さなスケールの複合物/アレイを製造する実用的な方法とを提供する。
本発明の一局面によると、シフト切断法によって任意の体積比において圧電性複合物/アレイが形成される。圧電性のベーススラブの第1のピースおよび第2のピースが提供される。まず、各圧電性のベーススラブの上面を切断することによって、平行なスロットのアレイによって間隔を置かれた平行なオス型隆起部のアレイが形成される。各スロットの幅および深さはあらかじめ決定される。次いで、第1および第2のベーススラブを嵌合し相互に連結させる。各隆起部の幅は各スロットの幅よりも小さいために、ベーススラブが嵌合されたときにおいて、ポリマー材料によって充填され得る第1のギャップが形成される。ベーススラブのうちの1つにおける切断されていない部分を除去することによって、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブが形成される。
次いで、シフトダイシングステップにおいて、元の圧電性のベーススラブにおいてなされた切断と同一のピッチおよびスロットサイズを用いて、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの各々が切断される。このシフトダイシングステップにおける切断位置は、隆起部の幅の一割合に等しい距離だけ横方向にシフトされる。残りの第2の隆起部は、切断操作のシフト距離によって決定される特定の比の、圧電材料とポリマー充填材料とからなる。このような第1の嵌合された圧電性複合物のスラブが2つ形成され嵌合される。その嵌合は、それらを対面させるように配置し、一方の第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの第2の隆起部をもう一方の第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの第2のスロットに挿入することによってもたらされる。各第2の隆起部の幅が各第2のスロットの幅よりも小さいために、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブが嵌合されたときにおいて、ポリマー材料によって充填され得る第2のギャップが形成される。研磨(grinding)またはラッピング(lapping)することによって、嵌合されたスラブの片面または両面上の切断されていない部分が除去され得る。上述したプロセスを介して、任意の体積比の均一な複合物/アレイを作成することができる。
本明細書において開示する発明は、低周波数および高周波数用途の両用途用の任意の体積比を有するような圧電性複合物/アレイを実用的かつ簡易に生成する方法と提示する。
本発明の好適な実施形態のこれらの特徴および別の特徴は、添付の図面を参照する以下の詳細な説明から、さらに明らかになるであろう。
以下の例示的な実施形態において、本発明をより具体的に説明する。当業者には本発明の種々の修正および変更は明らかであろうから、その実施形態は、例示のみを目的としたものである。本明細書において用いられるように、「1つの」または「その」は、用いられる文脈に応じて、1つ以上を意味し得る。図面を参照しながら、好適な実施形態を以下に説明する。図中において、類似した参照文字は、幾つかの図にわたる類似の部分を示す。
圧電性複合物を製造する本方法は、技師に、所定かつ所望の体積比(複合物の全体積に対する圧電性複合物の体積の比)を有する圧電性複合物を容易に選択し製造することを可能にする。本発明では、所定の幅の従来型の切断部品を用いたシフト切断を用いる。
本発明の一局面では、シフト切断およびマルチ嵌合(multi interdigitating)プロセスによって、カーフの幅が数ミクロンでありピッチサイズが30ミクロン以下である、圧電性複合物と、関連した音響デバイスとを製造する実用的かつ容易な方法を提供する。また、本方法によって、確実かつ硬くかつ比較的厚い切断部品を用いることによって、極めて短いピッチを製造することを可能にする。例えば、80μmの切断と1/4シフトの嵌合とを用いて20μmのピッチの複合物を作成することが可能である。本発明によって、任意かつ所定の体積比および短いピッチの二次元複合物、複合トランスデューサ、トランスデューサアレイなどの製造が可能になる。
図1A〜図1Dを参照すると、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20を製造する方法が示されている。一例では、製造プロセスは、従来の圧電性のベーススラブ10の対から開始する。所望の用途に依存して、適切な電気特性および音響特性を有する任意の所望の材料から、ベーススラブが形成される。例えば、ベーススラブは、圧電材料、電歪材料などから形成され得る。各ベーススラブはもう一方のものと相補的であり、図示されているように、ダイシングまたは切断されることによって、幅Kおよび深さDの第1のカーフまたは第1のスロットが形成される。各ベーススラブ10は、実質的に平坦な上面11と長手軸とを有する。図示されているように、深さDおよび幅Kであり、長手方向に延びる第1の複数のスロット12がベーススラブの平坦な上面に規定されるように、各ベーススラブ10の上面において、第1の切断操作が行われる。さらに、幅Wを有し、長手方向に伸びる第1の複数の隆起部14は、第1の複数のスロットのそれぞれの第1のスロット12の間の各ベーススラブの上面に規定される。各隆起部14は、隣接する隆起部と、第1のスロットの幅Kだけ間隔を置かれている。この例において、各第1の隆起部14の幅Wは、隣接する第1の隆起部14間の距離Kよりも小さい。各ベーススラブのピッチPは、各第1の隆起部14の幅に、隣接する第1の隆起部間の幅Kを足したものである。
図1Bおよび図1Cは、従来のベーススラブ10のダイシングされた対の嵌合を示す。第1のベーススラブ10’の第1の複数の隆起部14が第2のベーススラブ10”の第1の複数のスロット12内に配置されるように、ダイシングされたベーススラブ10の各々の上面11が互いに、上にある嵌合レジストレーション(registration)に配置される。各第1の隆起部14の幅Wが、隣接している第1の隆起部14間の幅Kよりも小さいので、幅Kを有する第1のギャップ16が、接続された第1および第2のベーススラブのそれぞれの第1の隆起部の各々の間に形成される、ということは理解されるであろう。従って、この例において、第1のベーススラブの第1の隆起部の各々は、第2のベーススラブの隣接する第1の隆起部と、第1のギャップの幅Kだけ間隔を置かれている。
第1のギャップ16(および、本明細書において参照される別のギャップ)は、充填材料で充填され得る。充填材料は、複合のトランスデューサの製造において慣習であり、標準的な慣例であるように、例えばポリマー材料(例えば、エポキシ、ポリマーマイクロスフィア、結晶ボンドなど)を含み得るか、または少なくとも一部分は充填されていない状態に保たれ得る。一例では、ダイシングされたスラブは、ドライアッセンブル(dry assemble)され得、次いで、ギャップ充填材料が導入され得る。別の例では、ダイシングされたスラブのうちの少なくとも1つは、プレウェット(prewet)され、かつ/またはそれらのスロットは、上記ギャップ充填材料を充填される。ここで、2つのダイシングされたスラブを接触させ第1のスラブの隆起部が第2のスラブの隆起部と嵌合されるので、ギャップ充填材料の全ての過剰量は、強制的に置換され得る。さらに別の例では、ダイシングされたスラブのうちの少なくとも1つはプレウェットされ、毛管力および/または過剰なギャップ充填材料を制御した態様で引き出すことによって引き起こされる周囲の力を介して、ダイシングされたスラブが嵌合され集められる。従来の方法を用いることによってギャップ充填材料の一部または全部が除去されるので、ギャップが完全には充填されないかもしれないこと、またはギャップが一時的にのみ充填されることは、理解されるであろう。
次に、概念上の線17上に延びるベーススラブ10の一部が研磨され、ラッピングされ、または除去されることによって、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20が形成される。これによって、第1および第2のベーススラブ10の第1の隆起部14の一部分と、それらの間の第1のギャップ16の一部分とが露出される。必要に応じて、概念上の線17上の圧電材料を除去した後において、ギャップ充填材料の除去が最も簡単かつ便利に達成される。第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20が、第1および第2のベーススラブの各々のピッチPよりも小さいピッチPを有するということは、理解されるであろう。この例では、ピッチPは、幅W(ここでは、第1の隆起部14の幅W)に、第1のギャップ16の幅Kを足したものである。従って、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の体積比は、切断されていない圧電性のベーススラブの体積比よりも小さい。
本発明により、小さいカーフサイジングを有する圧電性複合物を提供するためにマルチ嵌合を提供する。図2Aおよび図2Bを参照すると、第1の圧電性複合物のスラブ20の対が提供される。第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の各々は実質的に平坦な上面21と長手軸とを有する。第1の嵌合された圧電性複合物のスラブはもう一方のものと相補的であり、図示されているように、シフトダイシングステップにおいてダイシングまたは切断されることによって、幅Kおよび深さDの第2のカーフまたは第2のスロットが形成される。この局面において、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の各々の上面上において、第2の切断操作が実行される。第2の切断操作は、もとの切断のピッチPの一割合である距離Sの間隔を置き、この例では、その距離はピッチPの1/4である。シフトダイシングステップにおける切断位置は、第1の隆起部の幅の一割合に等しい距離だけ横にシフトされる。第2の切断のシフト距離Sに対してピッチPの別の割合が検討されるということは、理解されるであろう。
第2の切断の後において、深さDおよび幅Kであり、長手方向に延びる第2の複数のスロット22が、第1の嵌合された圧電性化合物のスラブ20の上面21に規定される。さらに、幅Wを有し、第2の複数のスロット22のそれぞれの第2のスロット22によって間隔がおかれ、長手方向に延びる第2の複数の隆起部24は、第1の嵌合された圧電性化合物のスラブ20の各々の上面に規定される。ここで、第2の切断の第1の切断からのシフトの距離Sは、第2の隆起部の幅よりも小さい。従って、長手方向に延びる第2の複数の隆起部24のうちの少なくとも1つが、ギャップ充填材料によって充填され得る第1のギャップ16を含む、ということは理解されるであろう。
切断部品は一定の幅を有するので、各第2の隆起部24は、隣接する第2の隆起部と、第2のスロット22の幅Kだけ間隔を置かれている。この例において、各第2の隆起部24の幅Wは、隣接する第2の隆起部12の幅Kよりも小さい。ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物の各々のピッチPは、各第2の隆起部24の幅に、隣接する第2の隆起部間の幅Kを足したものである。
図2Cおよび図2Dは、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブのダイシングされた対の嵌合を示す。上述したように、一方のダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの第2の複数の隆起部24が、もう一方のダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの第2の複数のスロットと嵌合されるように、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの各々の上面21が、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置される。ダイシングされ嵌合された第1の嵌合された圧電性複合物のスラブのそれぞれの第2の隆起部の各々の間に、幅Kを有する第2のギャップ26が形成される。各第2の隆起部の幅が、隣接している第2の隆起部間の幅Kよりも小さい。一例において、第2のギャップの幅Kは、第1のギャップの幅Kに実質的に等しい。上述したように第2のギャップがポリマー材料で充填され得る、ということは理解されるであろう。
図2Eを参照すると、概念上の線27上に延びる、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの一部が、研磨され、ラッピングされ、または除去されることによって、第2の嵌合された圧電性複合物のスラブ30が形成される。さらなるプロセスにおいて、概念上の線29の下に延びる、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの一部が、研磨され、ラッピングされ、または除去されることによって、第2の嵌合された圧電性複合物のスラブ30の代替形態が形成される。第2の嵌合された圧電性複合物のスラブ30が、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20のピッチPよりも小さいピッチPを有する、ということは理解されるであろう。従って、たとえ切断操作において同一の切断部品が用いられ得るとしても、第2の嵌合された圧電性複合物のスラブ30の体積比は、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の体積比よりも小さい。ここで、ピッチPは、第2の隆起部の幅Wよりも大きく、その幅はギャップ幅Kよりも大きい。
上述したように、複合物のスラブのシフトダイシングの繰り返しによって、変化する所定の体積比の圧電性複合物が製造され得る。それぞれのダイシングされた複合物のスラブにおける切断操作がシフトされることによって、所望の体積比の嵌合された複合物のスラブが所望どおり製造され得る、ということは理解されるであろう。一例において、図3A〜図4Jに示されるように、より短いピッチの圧電性複合物のスラブを製造するために、シフトダイシングおよび嵌合のステップが繰り返し行われ得る。
図3Aおよび図3Bを参照すると、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の対が提供される。第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの各々はもう一方のものと相補的であり、図示されているように、シフトダイシングステップにおいてダイシングまたは切断されることによって、幅Kおよび深さDの第2のカーフまたは第2のスロットが形成される。第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の各々は、実質的に平坦な上面21を有する。この局面において、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の各々の上面上において、距離S(もとの切断のピッチPの一割合)の間隔をおいて第2の切断操作が実行される。この例では、第2の切断操作は、ピッチPの1/8だけシフトされる。このシフトダイシングステップにおける切断位置は、第1の隆起部の幅の一割合に等しい距離だけ横にシフトされる。
第2の切断操作の後において、深さDおよび幅Kであり、長手方向に延びる第2の複数のスロット22が、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の上面21に規定される。さらに、幅Wを有し、かつ、第2の複数のスロット22のそれぞれの第2のスロット22によって間隔がおかれた、長手方向に延びる第2の複数の隆起部24は、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の各々の上面に規定される。第2の切断操作の第1の切断操作からのシフトの距離Sは、第2の隆起部の幅よりも小さい。従って、図3Bに示されるように、少なくとも1つの第2の隆起部24が、ギャップ充填材料によって充填され得る第1のギャップ16を含む、ということは理解されるであろう。
切断部品は一定の幅を有するので、各第2の隆起部24は、隣接する第2の隆起部と、第2のスロット22の幅Kだけ間隔を置かれている。この例において、各第2の隆起部24の幅Wは、隣接する第2の隆起部12間の幅Kよりも小さい。ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブ20の各々のピッチPは、各第2の隆起部24の幅に、隣接する第2の隆起部間の幅Kを足したものである。
図3Cおよび図3Dは、第1の嵌合された圧電性複合物のスラブのダイシングされた対の嵌合を示す。上述したように、一方のダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの第2の複数の隆起部24が、もう一方のダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの第2の複数のスロットと嵌合されるように、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの上面21が、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置される。各第2の隆起部の幅が、隣接する第2の隆起部間の幅Kよりも小さいので、ダイシングされ嵌合された第1の嵌合された圧電性複合物のスラブのそれぞれの第2の隆起部の各々の間に、幅Kを有する第2のギャップ26が形成される。一例では、第2のギャップの幅Kは、第1のギャップの幅Kに実質的に等しい。上述したように第2のギャップがポリマー材料で充填され得る、ということは理解されるであろう。
図3Eを参照すると、概念上の線27の上に延びる、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの一部が、研磨され、ラッピングされ、または除去されることによって、中間の嵌合された圧電性複合物のスラブ30が形成される。次のステップにおいて、図3Fおよび図3Gを参照すると、中間の嵌合された複合物のスラブ30の対が提供される。中間の嵌合された圧電性複合物のスラブの各々がもう一方のスラブと相補的であり、実質的に平坦な上面31を有し、その上面は、シフトダイシングステップにおいてダイシングまたは切断されることによって、幅Kおよび深さDの第3のカーフまたは第3のスロットが形成される。この局面において、中間の嵌合された圧電性複合物のスラブ30の各々の上面上において、ピッチPの一割合である距離Sだけ第2の切断操作と間隔がおかれた第3の切断操作が実行される。この例では、第3の切断操作は、ピッチPの1/8だけ第2の切断操作からシフトされる。このシフトダイシングステップにおける切断位置は、第2の隆起部の幅の一割合に等しい距離だけ横にシフトされる。
第3の切断操作の後において、深さDおよび幅Kであり、長手方向に延びる第3の複数のスロット32が、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブ30の上面31に規定される。さらに、幅Wを有し、第3の複数のスロット32のそれぞれの第3のスロット32によって間隔があけられた長手方向に延びる第3の複数の隆起部34は、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブ30の各々の上面に規定される。第3の切断の第2の切断からのシフトの距離Sは、第3の隆起部の幅よりも小さい。従って、長手方向に延びる第3の隆起部34のうちの少なくとも1つが、ギャップ充填材料によって充填され得る第1のギャップ16および第2のギャップ26を含む、ということは理解されるであろう。
切断部品は一定の幅を有するので、各第3の隆起部34は、隣接する第3の隆起部と、第3のスロット32の幅Kだけ間隔を置かれている。この例において、各第3の隆起部34の幅Wは、隣接する第3の隆起部34間の幅Kよりも小さい。ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブのピッチPは、各第3の隆起部34の幅Wに、隣接する第3の隆起部間の幅Kを足したものである。
図3Hおよび図3Iは、中間の嵌合された複合物のスラブ30のダイシングされた対の嵌合を示す。上述したように、一方のダイシングされた中間の嵌合された圧電性複合物のスラブ30’の第3の複数の隆起部34が、もう一方のダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブ30”の第3の複数のスロットと嵌合されるように、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの各々の上面31が、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置される。各第3の隆起部の幅が、隣接している第3の隆起部間の幅Kよりも小さいので、ダイシングされ嵌合された中間の複合物のスラブ30のそれぞれの第3の隆起部の各々の間に、幅Kを有する第3のギャップ36が形成される。一例において、第3のギャップの幅Kと第2のギャップの幅Kとは、第1のギャップの幅Kに実質的に等しい。上述したように第3のギャップがポリマー材料で充填され得る、ということは理解されるであろう。
図3Jを参照すると、概念上の線37の上に延びる、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの一部が、研磨され、ラッピングされ、または除去されることによって、第3の嵌合された圧電性複合物のスラブ40が形成される。さらなるプロセスにおいて、概念上の線39の下に延びる、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの一部が、研磨され、ラッピングされ、または除去されることによって、第3の嵌合された圧電性複合物のスラブ40の代替形態が形成される。第3の嵌合された圧電性複合物のスラブ40が、第2の嵌合された圧電性複合物のスラブの各々のピッチPよりも小さいピッチPを有する、ということは理解されるであろう。従って、第3の嵌合された圧電性複合物のスラブ40の体積比は、第2または第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの体積比よりも小さい。
図4A〜図4Jは、別の循環型マルチ嵌合を示す。ここで、第2の切断操作は、ピッチPの約1/6である距離Sだけシフトされ、先に概略を説明したように、中間の嵌合された複合物のスラブが形成される。第3の切断操作は、中間の嵌合された複合物のスラブ30の上面上においてなされる。第3の切断は、ピッチPの約1/6である距離Sだけシフトされる。次いで、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブが嵌合され、切断されていない圧電性材料の部分が除去されることによって、第3の嵌合された圧電性複合物のスラブ40が形成される。
シフトダイシングと嵌合との連続的なサイクルを行うことによって、カーフの大きさが連続的に小さくなる、嵌合された圧電性複合物のスラブが提供され得る、ということは理解されるであろう。従って、本発明は、所望の体積比を有する圧電性複合物のスラブを製造する方法を提供する。従って、高周波数用途用の極めて短いピッチの圧電性複合物を作成する方法が提供された、ということが認識されるであろう。この方法では、シフト切断とマルチ嵌合とを用いる。
本発明の範囲または精神を逸脱することなく、本発明において様々な改変および変更がなされ得るということは、当業者には明らかであろう。本明細書の検討と、本明細書に開示された発明を実行することとから、本発明の別の実施形態は、当業者には明らかであろう。本明細書および実施例は例示のみとして見なされることが意図されたものであり、本発明の真の範囲および精神は、添付の特許請求の範囲によって示される。
本発明の一実施形態に従ってダイシングされた1つのベース圧電性のスラブの縦断面図である。 上にあるレジストレーションに配置されたベース圧電性スラブの対の縦断面図である。 本発明の一実施形態に従って嵌合された図1Bのベース圧電性スラブの対の縦断面図である。 圧電性のベーススラブの一部が除去された第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図である。 除去されるスラブの部分を示している、図1Dにおける1つの第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図であり、その除去される部分は、本発明の一実施形態に従って所定の距離だけシフトされている。 本発明の一実施形態に従ってダイシングされた図2Aの1つの第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図である。 上にあるレジストレーションに配置された、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対の縦断面図である。 本発明の一実施形態に従って嵌合された、図2Cのダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対の縦断面図である。 第2の嵌合された圧電性複合物のスラブの上面および下面において研磨プロセスを行った後における、第2の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図である。 除去されるスラブの部分を示している、図1Dの1つの第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図であり、その除去される部分は、本発明の一実施形態に従って所定の距離だけシフトされている。 本発明の一実施形態に従ってダイシングされた図3Aの1つの第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図である。 上にあるレジストレーションに配置された、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対の縦断面図である。 本発明の一実施形態に従って嵌合された、図3Cのダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対の縦断面図である。 中間の嵌合された複合物のスラブの上面を研磨した後における、中間の嵌合された複合物のスラブの縦断面図である。 除去されるスラブの部分を示している、図3Eの1つの中間の嵌合された複合物のスラブの縦断面図であり、その除去される部分は、本発明の一実施形態に従って所定の距離だけシフトされている。 本発明の一実施形態に従ってダイシングされた図3Fの1つの中間の嵌合された複合物のスラブの縦断面図である。 上にあるレジストレーションに配置された、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの対の縦断面図である。 本発明の一実施形態に従って嵌合された、図3Hのダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの対の縦断面図である。 第3の嵌合された圧電性複合物のスラブの上面および下面を研磨した後における、第3の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図である。 除去されるスラブの部分を示している、図1Dの1つの第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図であり、その除去される部分は、本発明の一実施形態に従って所定の距離だけシフトされている。 本発明の一実施形態に従ってダイシングされた図4Aの1つの第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図である。 上にあるレジストレーションに配置された、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対の縦断面図である。 本発明の一実施形態に従って嵌合された、図4Cのダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対の縦断面図である。 中間の嵌合された複合物のスラブの上面を研磨した後における、中間の嵌合された複合物のスラブの縦断面図である。 除去されるスラブの部分を示している、図4Eの1つの中間の嵌合された複合物のスラブの縦断面図であり、その除去される部分は、本発明の一実施形態に従って所定の距離だけシフトされている。 本発明の一実施形態に従ってダイシングされた図4Fの1つの中間の嵌合された複合物のスラブの縦断面図である。 上にあるレジストレーションに配置された、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの対の縦断面図である。 本発明の一実施形態に従って嵌合された、図4Hのダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの対の縦断面図である。 第3の嵌合された圧電性複合物のスラブの上面および下面を研磨した後における、第3の嵌合された圧電性複合物のスラブの縦断面図である。

Claims (36)

  1. 圧電性複合物を作成する方法であって、
    ベーススラブの対を提供することであって、各ベーススラブは実質的に平坦な上面を有する、ことと、
    各ベーススラブの該上面をダイシングすることにより、そこで長手方向に延びる第1の複数のスロットと、長手方向に延びる第1の複数の隆起部とを規定することによって、ダイシングされたベーススラブの対を形成することであって、各第1のスロットは深さDと幅Kを有し、各第1の隆起部は幅Wを有し、該第1の隆起部の該幅Wは該第1のスロットの該幅Kよりも小さく、隣接する第1のスロットおよび第1の隆起部の各々は該幅Wに該幅Kを足したものに等しいピッチPを有する、ことと、
    一方のダイシングされたベーススラブの該第1の複数の隆起部が、もう一方のダイシングされたベーススラブの該第1の複数のスロットに配置されるように、ダイシングされたベーススラブの該対を、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置させることと、
    複数の第1のギャップが規定されるように、ダイシングされたベーススラブの該対を接続することであって、ダイシングされたベーススラブの該接続された対の該それぞれの第1の隆起部の各々の間において、各第1のギャップが形成される、ことと、
    一つのダイシングされたベーススラブの一部分を除去することによって第1の嵌合された圧電性複合物のスラブを形成することであって、実質的に平坦な上面を有する該第1の嵌合された圧電性複合物のスラブが、ダイシングされたベーススラブの該接続された対の該第1の隆起部の一部と、該複数の第1のギャップの一部とから形成される、ことと、
    該第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対を提供することと、
    各第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該上面をダイシングすることにより、該第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該上面において長手方向に延びる第2の複数のスロットと、長手方向に延びる第2の複数の隆起部とを規定することによって、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対を形成することであって、各第2のスロットは深さDおよび幅Kを有し、各第2の隆起部は幅Wを有し、該第2の隆起部の該幅Wは該第2のスロットの該幅Kよりも小さく、該第2のスロットは第1の隆起部の端部からシフト距離Sだけ離れており、該シフト距離Sは該ピッチPの一割合である、ことと、
    一方のダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該第2の複数の隆起部が、もう一方のダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該第2の複数のスロットに配置されるように、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該対を、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置させることと、
    複数の第2のギャップが規定されるように、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該対を接続することであって、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該接続された対の該それぞれの第2の隆起部の各々の間において、各第2のギャップが形成される、ことと、
    一つのダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの一部分を除去することによって第2の嵌合された圧電性複合物のスラブを形成することであって、該第2の嵌合された圧電性複合物のスラブが、該第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの体積比よりも小さい体積比を有する、ことと
    を包含する、方法。
  2. 前記第1のギャップが前記第2のギャップとほぼ同一の大きさである、請求項1に記載の方法。
  3. 前記ダイシングするステップが、機械研磨鋸引きと、レーザー切断と、超音波切断と、放電加工と、ウェットエッチングと、ドライエッチングとを任意に組み合わせたものを用いて実行される、請求項1に記載の方法。
  4. 嵌合する前において、硬化可能なポリマー材料を用いて少なくとも1つの前記ダイシングされたベーススラブをプレウェットするステップをさらに包含し、該ポリマー材料は、次の嵌合のときにおいて、ダイシングされたベーススラブの前記対を接着する、請求項1に記載の方法。
  5. 前記ポリマー材料が実質的に前記第1のギャップを充填する、請求項4に記載の方法。
  6. 嵌合する前において、硬化可能なポリマー材料を用いて、少なくとも1つの前記第1の嵌合された圧電性複合物のスラブをプレウェットするステップをさらに包含し、該ポリマー材料は、次の嵌合のときにおいて、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの前記対を接着する、請求項4に記載の方法。
  7. 前記ポリマー材料が実質的に前記第2のギャップを充填する、請求項6に記載の方法。
  8. P>K>Wとなるように、前記ダイシングされたベーススラブの各々と前記ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの各々とをダイシングする、請求項1に記載の方法。
  9. 前記シフト距離Sが、実質的に1/4 Pに等しい、請求項8に記載の方法。
  10. 圧電性複合物を作成する方法であって、
    ベーススラブの対を提供することであって、各ベーススラブは実質的に平坦な上面を有する、ことと、
    各ベーススラブの該上面をダイシングすることにより、そこで長手方向に延びる第1の複数のスロットと、長手方向に延びる第1の複数の隆起部とを規定することによって、ダイシングされたベーススラブの対を形成することであって、各第1のスロットは深さDと幅Kを有し、各第1の隆起部は幅Wを有し、該第1の隆起部の該幅Wは該第1のスロットの該幅Kよりも小さく、隣接する第1のスロットおよび第1の隆起部の各々は該幅Wに該幅Kを足したものに等しいピッチPを有する、ことと、
    一方のダイシングされたベーススラブの該第1の複数の隆起部が、もう一方のダイシングされたベーススラブの該第1の複数のスロットに配置されるように、ダイシングされたベーススラブの該対を、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置させることと、
    複数の第1のギャップが規定されるように、ダイシングされたベーススラブの該対を接続することであって、ダイシングされたベーススラブの該接続された対の該それぞれの第1の隆起部の各々の間において、各第1のギャップが形成される、ことと、
    一つのダイシングされたベーススラブの一部分を除去することによって第1の嵌合された圧電性複合物のスラブを形成することであって、実質的に平坦な上面を有する該第1の嵌合された圧電性複合物のスラブが、ダイシングされたベーススラブの該接続された対の該第1の隆起部の一部と、該複数の第1のギャップの一部とから形成される、ことと、
    該第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対を提供することと、
    各第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該上面をダイシングすることにより、該第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該上面において長手方向に延びる第2の複数のスロットと、長手方向に延びる第2の複数の隆起部とを規定することによって、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの対を形成することであって、各第2のスロットは深さDおよび幅Kを有し、各第2の隆起部は幅Wを有し、該第2の隆起部の該幅Wは該第2のスロットの該幅Kよりも小さく、該第2のスロットは第1の隆起部の端部からシフト距離Sだけ離れており、該シフト距離Sは該ピッチPの一割合である、ことと、
    一方のダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該第2の複数の隆起部が、もう一方のダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該第2の複数のスロットに配置されるように、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該対を、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置させることと、
    複数の第2のギャップが規定されるように、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該対を接続することであって、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該接続された対の該それぞれの第2の隆起部の各々の間において、各第2のギャップが形成される、ことと、
    一つのダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの一部分を除去することによって中間の嵌合された複合物のスラブを形成することであって、該中間の嵌合された複合物のスラブは上面を有する、ことと
    を包含する、方法。
  11. 前記中間の嵌合された複合物のスラブの対を提供することと、
    各中間の嵌合された複合物のスラブの前記上面をダイシングすることにより、該中間の嵌合された複合物のスラブの該上面において長手方向に延びる第3の複数のスロットと、長手方向に延びる第3の複数の隆起部とを規定することによって、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの対を形成することであって、各第3のスロットは深さDおよび幅Kを有し、各第3の隆起部は幅Wを有し、該第3の隆起部の該幅Wは該第3のスロットの該幅Kよりも小さく、該第3のスロットが前記第2のスロットと間隔をおくように、該第3のスロットが第2の隆起部の一部分からシフト距離Sだけ離れており、該シフト距離Sは前記ピッチPの一割合である、ことと、
    一方のダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの該第3の複数の隆起部が、もう一方のダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの該第3の複数のスロットに配置されるように、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの該対を、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置させることと、
    複数の第3のギャップが規定されるように、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの該対を接続することであって、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの該接続された対の該それぞれの第2の隆起部の各々の間において、各第3のギャップが形成される、ことと、
    一つのダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの一部分を除去することによって第3の嵌合された圧電性複合物のスラブを形成することであって、該第3の嵌合された圧電性複合物のスラブが、該第1および第2の嵌合された圧電性複合物のスラブの体積比よりも小さい体積比を有する、ことと
    をさらに包含する、請求項10に記載の方法。
  12. 前記第1のギャップと、前記第2のギャップと、前記第3のギャップとが、ほぼ同一の大きさである、請求項11に記載の方法。
  13. 前記ダイシングするステップが、機械研磨鋸引きと、レーザー切断と、超音波切断と、放電加工と、ウェットエッチングと、ドライエッチングとを任意に組み合わせたものを用いて実行される、請求項11に記載の方法。
  14. 嵌合する前において、硬化可能なポリマー材料を用いて少なくとも1つの前記ダイシングされたベーススラブをプレウェットするステップをさらに包含し、該ポリマー材料は、次の嵌合のときにおいて、ダイシングされたベーススラブの前記対を接着する、請求項10に記載の方法。
  15. 前記ポリマー材料が実質的に前記第1のギャップを充填する、請求項14に記載の方法。
  16. 嵌合する前において、硬化可能なポリマー材料を用いて、少なくとも1つの前記ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブをプレウェットするステップをさらに包含し、該ポリマー材料は、次の嵌合のときにおいて、ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの前記対を接着する、請求項14に記載の方法。
  17. 前記ポリマー材料が実質的に前記第2のギャップを充填する、請求項16に記載の方法。
  18. 嵌合する前において、硬化可能なポリマー材料を用いて、少なくとも1つの前記ダイシングされた中間の嵌合された圧電性複合物のスラブをプレウェットするステップをさらに包含し、該ポリマー材料は、次の嵌合のときにおいて、ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの前記対を接着する、請求項11に記載の方法。
  19. 前記ポリマー材料が実質的に前記第3のギャップを充填する、請求項18に記載の方法。
  20. P>K>Wとなるように、前記ダイシングされた第1の嵌合された圧電性複合物のスラブの各々と前記ダイシングされた中間の嵌合された複合物のスラブの各々とをダイシングする、請求項11に記載の方法。
  21. 前記シフト距離Sが、実質的に1/8 Pに等しい、請求項11に記載の方法。
  22. 前記シフト距離Sが、実質的に1/8 Pに等しい、請求項21に記載の方法。
  23. 前記シフト距離Sが、実質的に1/6 Pに等しい、請求項11に記載の方法。
  24. 前記シフト距離Sが、実質的に1/6 Pに等しい、請求項23に記載の方法。
  25. 複合物を作成する方法であって、
    ベーススラブの対を提供することであって、各ベーススラブは実質的に平坦な上面を有する、ことと、
    各ベーススラブの該上面をダイシングすることにより、そこで長手方向に延びる第1の複数のスロットと、長手方向に延びる第1の複数の隆起部とを規定することによって、ダイシングされたベーススラブの対を形成することであって、各第1のスロットは深さDと幅Kを有し、各第1の隆起部は幅Wを有し、該第1の隆起部の該幅Wは該第1のスロットの該幅Kよりも小さく、隣接する第1のスロットおよび第1の隆起部の各々は該幅Wに該幅Kを足したものに等しいピッチPを有する、ことと、
    一方のダイシングされたベーススラブの該第1の複数の隆起部が、もう一方のダイシングされたベーススラブの該第1の複数のスロットに配置されるように、ダイシングされたベーススラブの該対を、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置させることと、
    複数の第1のギャップが規定されるように、ダイシングされたベーススラブの該対を接続することであって、ダイシングされたベーススラブの該接続された対の該それぞれの第1の隆起部の各々の間において、各第1のギャップが形成される、ことと、
    一つのダイシングされたベーススラブの一部分を除去することによって第1の嵌合された複合物のスラブを形成することであって、実質的に平坦な上面を有する該第1の嵌合された複合物のスラブが、ダイシングされたベーススラブの該接続された対の該第1の隆起部の一部と、該複数の第1のギャップの一部とから形成される、ことと、
    該第1の嵌合された複合物のスラブの対を提供することと、
    各第1の嵌合された複合物のスラブの該上面をダイシングすることにより、該第1の嵌合された複合物のスラブの該上面において長手方向に延びる第2の複数のスロットと、長手方向に延びる第2の複数の隆起部とを規定することによって、ダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの対を形成することであって、各第2のスロットは深さDおよび幅Kを有し、各第2の隆起部は幅Wを有し、該第2の隆起部の該幅Wは該第2のスロットの該幅Kよりも小さく、該第2のスロットは第1の隆起部の端部からシフト距離Sだけ離れており、該シフト距離Sは該ピッチPの一割合である、ことと、
    一方のダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの該第2の複数の隆起部が、もう一方のダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの該第2の複数のスロットに配置されるように、ダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの該対を、互いに、上にある嵌合レジストレーションに配置させることと、
    複数の第2のギャップが規定されるように、ダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの該対を接続することであって、ダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの該接続された対の該それぞれの第2の隆起部の各々の間において、各第2のギャップが形成される、ことと、
    一つのダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの一部分を除去することによって第2の嵌合された複合物のスラブを形成することであって、該第2の嵌合された複合物のスラブが、該第1の嵌合された複合物のスラブの体積比よりも小さい体積比を有する、ことと
    を包含する、方法。
  26. 前記第1のギャップが前記第2のギャップとほぼ同一の大きさである、請求項25に記載の方法。
  27. 前記ダイシングするステップが、機械研磨鋸引きと、レーザー切断と、超音波切断と、放電加工と、ウェットエッチングと、ドライエッチングとを任意に組み合わせたものを用いて実行される、請求項25に記載の方法。
  28. 嵌合する前において、硬化可能なポリマー材料を用いて少なくとも1つの前記ダイシングされたベーススラブをプレウェットするステップをさらに包含し、該ポリマー材料は、次の嵌合のときにおいて、ダイシングされたベーススラブの前記対を接着する、請求項25に記載の方法。
  29. 前記ポリマー材料が実質的に前記第1のギャップを充填する、請求項28に記載の方法。
  30. 嵌合する前において、硬化可能なポリマー材料を用いて、少なくとも1つの前記第1の嵌合された複合物のスラブをプレウェットするステップをさらに包含し、該ポリマー材料は、次の嵌合のときにおいて、ダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの前記対を接着する、請求項28に記載の方法。
  31. 前記ポリマー材料が実質的に前記第2のギャップを充填する、請求項30に記載の方法。
  32. P>K>Wとなるように、前記ダイシングされたベーススラブの各々と前記ダイシングされた第1の嵌合された複合物のスラブの各々とをダイシングする、請求項25に記載の方法。
  33. 前記シフト距離Sが、実質的に1/4 Pに等しい、請求項32に記載の方法。
  34. 請求項25に記載の方法に従って生成された圧電性複合物。
  35. 請求項1に記載の方法に従って生成されたトランスデューサ。
  36. 請求項10に記載の方法に従って生成されたトランスデューサ。
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