JP2007329388A - Optical sensor, electro-optical device, and electronic equipment - Google Patents
Optical sensor, electro-optical device, and electronic equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007329388A JP2007329388A JP2006160936A JP2006160936A JP2007329388A JP 2007329388 A JP2007329388 A JP 2007329388A JP 2006160936 A JP2006160936 A JP 2006160936A JP 2006160936 A JP2006160936 A JP 2006160936A JP 2007329388 A JP2007329388 A JP 2007329388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- potential
- voltage
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 285
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 111
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 33
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Description
本発明は、光センサ、電気光学装置、および電子機器に関する。 The present invention relates to an optical sensor, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
従来より、液晶表示装置等の電気光学装置が知られている。この電気光学装置は、例えば、液晶パネルと、この液晶パネルに光を照射するバックライトと、を備える。 Conventionally, electro-optical devices such as liquid crystal display devices are known. The electro-optical device includes, for example, a liquid crystal panel and a backlight that irradiates light to the liquid crystal panel.
このような電気光学装置では、太陽光や照明光といった環境光による電気光学装置の周囲の明るさにより、表示の視認性が変化する。すなわち、例えば、電気光学装置の周囲が明るくなるに従って、電気光学装置の表示領域の明るさと電気光学装置の周囲の明るさとの差分が小さくなるので、電気光学装置の表示の視認性が低下する。 In such an electro-optical device, the visibility of display changes depending on the ambient brightness of the electro-optical device due to ambient light such as sunlight or illumination light. That is, for example, as the surroundings of the electro-optical device become brighter, the difference between the brightness of the display area of the electro-optical device and the brightness of the surroundings of the electro-optical device becomes smaller, so the visibility of the display of the electro-optical device decreases.
そこで、光センサを用いて環境光の光量を検出し、この検出した環境光の光量に応じてバックライトから出射するバックライト光の光量を制御する電気光学装置がある(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, there is an electro-optical device that detects the amount of ambient light using an optical sensor and controls the amount of backlight light emitted from the backlight in accordance with the detected amount of ambient light (see, for example, Patent Document 1). ).
このような電気光学装置が備える光センサは、例えば、以下のような構成である。
図10は、従来例に係る電気光学装置が備える光センサ160の回路図である。
光センサ160は、第1電源端子Mおよび第2電源端子Nと、光電変換素子161と、容量162と、スイッチング素子163と、を備える。光電変換素子161およびスイッチング素子163は、ともに薄膜トランジスタ(以降、TFT(Thin Film Transistor)と呼ぶ)で構成される。
The optical sensor provided in such an electro-optical device has the following configuration, for example.
FIG. 10 is a circuit diagram of an
The
第1電源端子Mには、高電位電源VDDが接続され、第2電源端子Nには、低電位電源VSSが接続されている。 A high potential power supply VDD is connected to the first power supply terminal M, and a low potential power supply VSS is connected to the second power supply terminal N.
光電変換素子161は、受光した光を電流に変換する。光電変換素子161のゲートには、光電変換素子161をオフ状態にする電圧を出力するオフ電位電源VLが接続され、光電変換素子161のソースには、第2電源端子Nが接続され、光電変換素子161のドレインには、端子Pが接続されている。
The
スイッチング素子163は、環境光を受光しないように遮光膜が形成されており、スイッチング制御信号SIGに応じて、オン、オフする。スイッチング素子163のゲートには、スイッチング制御信号SIGを出力する制御部192が接続され、スイッチング素子163のドレインには、第1電源端子Mおよび容量162の第1電極1621が接続され、スイッチング素子163のソースには、端子Pが接続されている。この端子Pからは、光検知信号Voutが出力される。
The switching
容量162は、第1電極1621と、この第1電極1621に対向して設けられた第2電極1622と、を備える。容量162の第1電極1621には、第1電源端子Mおよびスイッチング素子163のドレインが接続され、容量162の第2電極1622には、端子Pが接続されている。
The
図11は、光センサ160のタイミングチャートである。
ここで、図11において、実線は、環境光の光量が少ない場合を示し、2点鎖線は、環境光の光量が多い場合を示す。
FIG. 11 is a timing chart of the
Here, in FIG. 11, a solid line indicates a case where the amount of ambient light is small, and a two-dot chain line indicates a case where the amount of ambient light is large.
まず、環境光の光量が少ない場合について、以下に説明する。
時刻t41において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして、スイッチング素子163をオン状態とする。すると、光電変換素子161のドレインと、容量162の第2電極1622とは、オン状態のスイッチング素子163を介して高電位電源VDDと導通状態となっているので、電位VDDとなる。よって、光電変換素子161のドレインに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
First, the case where the amount of ambient light is small will be described below.
At time t41, the switching control signal SIG is set to the potential VH, and the
時刻t42において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして、スイッチング素子163をオフ状態とする。すると、光電変換素子161のドレインと、容量162の第2電極1622とは、オフ状態のスイッチング素子163を介して高電位電源VDDと非導通状態となっているので、電位VDDを保持する。よって、光検知信号Voutは、電位VDDを保持する。
At time t42, the switching control signal SIG is set to the potential VL, and the
以上のように、時刻t42では、光電変換素子161のソースは、低電位電源VSSに接続された第2電源端子Nに接続されているので、電位VSSであり、光電変換素子161のドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子161のソースは、光電変換素子161のドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子161は、ゲートにオフ電位電源VLが接続されているのでオフ状態であるが、この光電変換素子161には、上述の光電変換素子161のソースおよびドレインの電位差と、受光した光量の少ない環境光と、に基づいて、ドレインからソースに向かって電流が流れる。このため、光電変換素子161のドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子161のソースの電位VSSまで徐々に低下する。よって、光検知信号Voutの電位は、徐々に低下して、時刻t44において基準電位Vrefと同電位となる。
As described above, at time t <b> 42, the source of the
時刻t45において、時刻t41と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして、スイッチング素子163をオン状態とする。すると、時刻t41と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
At time t45, as with time t41, the switching control signal SIG is set to the potential VH, and the
次に、環境光の光量が多い場合について、以下に説明する。
時刻t41において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして、スイッチング素子163をオン状態とする。すると、環境光の光量が少ない場合と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
Next, the case where the amount of ambient light is large will be described below.
At time t41, the switching control signal SIG is set to the potential VH, and the
時刻t42において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして、スイッチング素子163をオフ状態とする。すると、環境光の光量が少ない場合と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDを保持する。
At time t42, the switching control signal SIG is set to the potential VL, and the
以上のように、時刻t42では、環境光の光量が少ない場合と同様に、光電変換素子161のソースは、低電位電源VSSに接続された第2電源端子Nに接続されているので、電位VSSであり、光電変換素子161のドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子161のソースは、光電変換素子161のドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子161は、ゲートにオフ電位電源VLが接続されているのでオフ状態であるが、この光電変換素子161には、上述の光電変換素子161のソースおよびドレインの電位差と、受光した光量の多い環境光と、に基づいて、ドレインからソースに向かって、環境光の光量が少ない場合と比べて大きな電流が流れる。このため、光電変換素子161のドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子161のソースの電位VSSまで、環境光の光量が少ない場合と比べて急激に低下する。よって、光検知信号Voutの電位は、環境光の光量が少ない場合と比べて急激に低下して、時刻t43において基準電位Vrefと同電位となる。
As described above, at time t42, as in the case where the amount of ambient light is small, the source of the
時刻t45において、時刻t41と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして、スイッチング素子163をオン状態とする。すると、時刻t41と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
At time t45, as with time t41, the switching control signal SIG is set to the potential VH, and the
以上のように、光センサ160では、環境光の光量が少ないほど、光検知信号Voutの電位が基準電位Vrefと同電位となる時刻が遅くなり、環境光の光量が多いほど、光検知信号Voutの電位が基準電位Vrefと同電位となる時刻が早くなる。
As described above, in the
したがって、以上の光センサ160を備えた電気光学装置では、光検知信号Voutの電位が基準電位Vrefと同電位となる時刻を計測することで、環境光の光量を検出できる。
ところで、スイッチング素子163では、温度が上昇したり、遮光膜で遮断しきれない環境光の一部を受光すると、光電変換素子161と同様に、オフ状態であっても、ドレインからソースに向かって電流が流れる。すると、この電流により、光電変換素子161のドレインの電位が変動してしまい、光検知信号Voutの電位も変動してしまう。
By the way, in the
すなわち、光センサ160では、スイッチング素子163により光検知信号Voutの電位が変動してしまい、環境光の光量を検出する際に誤差が生じる場合があった。
That is, in the
本発明は、環境光の光量を検出する際に誤差が生じるのを抑制できる光センサ、電気光学装置、および電子機器を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an optical sensor, an electro-optical device, and an electronic apparatus that can suppress occurrence of an error when detecting the amount of ambient light.
本発明の光センサは、受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、所定の電圧を出力する第1電源および第2電源と、前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、前記第1電源には、前記容量の一端が接続され、前記容量の他端には、前記光電変換素子が接続され、前記光電変換素子の他端には、前記第2電源が接続され、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にした後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第1電源または前記第2電源のうち少なくともいずれかから出力する電圧を変動させることを特徴とする。 The optical sensor of the present invention is an optical sensor including a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor, and includes a first power source and a second power source that output a predetermined voltage, and the photoelectric sensor. And a control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the conversion element, wherein one end of the capacitor is connected to the first power source, and the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor The second power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element, and after the photoelectric conversion element is turned on by the control unit, the photoelectric conversion element is turned off by the control unit, The voltage output from at least one of the first power supply and the second power supply is varied.
この発明によれば、光電変換素子をオン状態にして、光電変換素子の一端および他端をそれぞれ所定の電位とした。そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第1電源または第2電源のうち少なくともいずれかから出力する電圧を変動させて、光電変換素子の一端および他端をそれぞれ異なる電位とした。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端または他端の電位は、互いに同電位となるまで変動する。よって、例えば、光電変換素子の一端または他端の変動する電位が、所定の電位となる時刻を計測したり、光電変換素子をオフ状態にしてから所定期間経過後における光電変換素子の一端または他端の変動する電位を計測することで、環境光の光量を検出できる。 According to this invention, the photoelectric conversion element is turned on, and one end and the other end of the photoelectric conversion element are set to predetermined potentials. Then, the photoelectric conversion element was turned off, and the voltage output from at least one of the first power supply and the second power supply was varied, so that one end and the other end of the photoelectric conversion element were set to different potentials. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the electric potential of one end or the other end of the photoelectric conversion element varies until the same electric potential is obtained. Therefore, for example, the time when the potential at which one or the other end of the photoelectric conversion element changes becomes a predetermined potential is measured, or one end or the other of the photoelectric conversion element after a predetermined period has elapsed since the photoelectric conversion element is turned off. The amount of ambient light can be detected by measuring the potential that fluctuates at the edges.
また、この発明によれば、光電変換素子に、受光した光を電気信号に変換させるとともに、上述した従来例に係るスイッチング素子としてオン、オフさせた。よって、スイッチング素子を備えない分だけ光センサを小型化できる。また、スイッチング素子を備えないことにより、オフ状態のスイッチング素子に電気信号が発生し、この電気信号により光電変換素子の一端または他端の電位が変動してしまう、ということが無くなるので、環境光の光量を検出する際に誤差が生じるのを抑制できる。 In addition, according to the present invention, the photoelectric conversion element converts received light into an electric signal, and the switching element according to the conventional example described above is turned on and off. Therefore, the optical sensor can be miniaturized by the amount that does not include the switching element. Further, since the switching element is not provided, an electric signal is generated in the switching element in the off state, and the electric signal does not change the potential at one end or the other end of the photoelectric conversion element. It is possible to suppress the occurrence of an error when detecting the amount of light.
本発明の光センサは、受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、第3の電圧を出力する第3電源と、前記第3の電圧または前記第3の電圧より電位の低い第4の電圧のいずれかを選択的に出力する第4電源と、前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、前記第3電源には、前記容量の一端が接続され、前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、前記光電変換素子の他端には、前記第4電源が接続され、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第4電源から前記第3の電圧を選択的に出力した後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第4電源から前記第4の電圧を選択的に出力することを特徴とする。 An optical sensor according to the present invention is an optical sensor including a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor, a third power source that outputs a third voltage, and the third voltage. Or a fourth power source that selectively outputs any one of a fourth voltage having a lower potential than the third voltage, and a control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element. One end of the capacitor is connected to the third power source, one end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor, and the fourth power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element. The control unit turns on the photoelectric conversion element, and after selectively outputting the third voltage from the fourth power source, the control unit turns off the photoelectric conversion element, The fourth voltage is selectively output from the fourth power source. Characterized in that it.
この発明によれば、光電変換素子をオン状態にするとともに、第4電源から第3の電圧を選択的に出力して、光電変換素子の一端および他端の電位を第3の電圧に基づく第3の電位とした。そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第4電源から第4の電圧を選択的に出力して、光電変換素子の他端の電位を第4の電圧に基づく第4の電位に低下させた。
以上により、光電変換素子の一端は、光電変換素子の他端と比べて、電位が高くなる。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端の電位は、光電変換素子の他端の電位まで、受光した光の光量に応じて変動する。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
According to the present invention, the photoelectric conversion element is turned on, the third voltage is selectively output from the fourth power source, and the potentials at one end and the other end of the photoelectric conversion element are based on the third voltage. The potential was 3. Then, the photoelectric conversion element is turned off, and the fourth voltage is selectively output from the fourth power source, so that the potential at the other end of the photoelectric conversion element is lowered to the fourth potential based on the fourth voltage. It was.
As described above, one end of the photoelectric conversion element has a higher potential than the other end of the photoelectric conversion element. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the potential at one end of the photoelectric conversion element varies in accordance with the amount of received light up to the potential at the other end of the photoelectric conversion element.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.
本発明の光センサは、受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、第5の電圧を出力する第5電源と、前記第5の電圧または前記第5の電圧より電位の高い第6の電圧のいずれかを選択的に出力する第6電源と、前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、前記第5電源には、前記容量の一端が接続され、前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、前記光電変換素子の他端には、前記第6電源が接続され、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第6電源から前記第5の電圧を選択的に出力した後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第6電源から前記第6の電圧を選択的に出力することを特徴とする。 The optical sensor of the present invention is an optical sensor that includes a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor, and includes a fifth power source that outputs a fifth voltage, and the fifth voltage. Or a sixth power source that selectively outputs any one of the sixth voltages having a higher potential than the fifth voltage, and a control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element. One end of the capacitor is connected to the fifth power source, one end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor, and the sixth power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element. The control unit turns on the photoelectric conversion element, and after selectively outputting the fifth voltage from the sixth power supply, the control unit turns off the photoelectric conversion element, The sixth voltage is selectively output from the sixth power source. Characterized in that it.
この発明によれば、光電変換素子をオン状態にするとともに、第6電源から第5の電圧を選択的に出力して、光電変換素子の一端および他端の電位を第5の電圧に基づく第5の電位とした。そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第6電源から第6の電圧を選択的に出力して、光電変換素子の他端の電位を第6の電圧に基づく第6の電位に上昇させた。
以上により、光電変換素子の一端は、光電変換素子の他端と比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端の電位は、光電変換素子の他端の電位まで、受光した光の光量に応じて変動する。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
According to the present invention, the photoelectric conversion element is turned on, the fifth voltage is selectively output from the sixth power source, and the potentials at one end and the other end of the photoelectric conversion element are based on the fifth voltage. The potential was 5. Then, the photoelectric conversion element is turned off, and the sixth voltage is selectively output from the sixth power source to raise the potential of the other end of the photoelectric conversion element to the sixth potential based on the sixth voltage. It was.
As described above, the potential of one end of the photoelectric conversion element is lower than that of the other end of the photoelectric conversion element. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the potential at one end of the photoelectric conversion element varies in accordance with the amount of received light up to the potential at the other end of the photoelectric conversion element.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.
本発明の光センサは、受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、第7の電圧を出力する第7電源と、前記第7の電圧または前記第7の電圧より電位の高い第8の電圧のいずれかを選択的に出力する第8電源と、前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、前記第8電源には、前記容量の一端が接続され、前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、前記光電変換素子の他端には、前記第7電源が接続され、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第8電源から前記第7の電圧を選択的に出力した後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第8電源から前記第8の電圧を選択的に出力することを特徴とする。 The optical sensor of the present invention is an optical sensor including a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor, a seventh power source that outputs a seventh voltage, and the seventh voltage. Or an eighth power source that selectively outputs any of the eighth voltages having a potential higher than the seventh voltage, and a control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element. One end of the capacitor is connected to the eighth power source, one end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor, and the seventh power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element. The control unit turns on the photoelectric conversion element, and after selectively outputting the seventh voltage from the eighth power source, the control unit turns off the photoelectric conversion element, The eighth voltage is selectively output from the eighth power source. Characterized in that it.
この発明によれば、光電変換素子をオン状態にして、光電変換素子の一端および他端と、容量の他端と、の電位を第7の電圧に基づく第7の電位とするとともに、第8電源から第7の電圧を選択的に出力して、容量の一端の電位を第7の電圧に基づく第7の電位とした。すると、容量において、一端および他端の間の電位差は、“0”となる。
そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第8電源から第8の電圧を選択的に出力して、容量の一端の電位を第8の電位に上昇させた。ここで、容量において、容量の一端の電位が変動すると、容量の他端の電位も変動して、上述の容量の一端および他端の電位差“0”を保持しようとする。したがって、容量の他端の電位は、容量の一端の電位が上昇した分だけ上昇する。よって、光電変換素子の一端の電位は、容量の他端の電位が上昇した分だけ上昇する。
以上により、光電変換素子の一端は、光電変換素子の他端と比べて、電位が高くなる。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端の電位は、光電変換素子の他端の電位まで、受光した光の光量に応じて変動する。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
According to this invention, the photoelectric conversion element is turned on, the potentials at one end and the other end of the photoelectric conversion element and the other end of the capacitor are set to the seventh potential based on the seventh voltage, and the eighth A seventh voltage was selectively output from the power source, and the potential at one end of the capacitor was set to a seventh potential based on the seventh voltage. Then, in the capacitor, the potential difference between one end and the other end is “0”.
Then, the photoelectric conversion element was turned off, and the eighth voltage was selectively output from the eighth power source to raise the potential at one end of the capacitor to the eighth potential. Here, in the capacitor, when the potential at one end of the capacitor varies, the potential at the other end of the capacitor also varies, and the potential difference “0” between the one end and the other end of the capacitor is to be held. Therefore, the potential at the other end of the capacitor increases by the amount corresponding to the increase in the potential at one end of the capacitor. Therefore, the potential at one end of the photoelectric conversion element increases by the amount that the potential at the other end of the capacitor increases.
As described above, one end of the photoelectric conversion element has a higher potential than the other end of the photoelectric conversion element. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the potential at one end of the photoelectric conversion element varies in accordance with the amount of received light up to the potential at the other end of the photoelectric conversion element.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.
本発明の光センサでは、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第8電源から前記第8の電圧を選択的に出力した後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第8電源から前記第7の電圧を選択的に出力することが好ましい。 In the optical sensor according to the aspect of the invention, the photoelectric conversion element is turned on by the control unit and the photoelectric conversion element is turned off by the control unit after selectively outputting the eighth voltage from the eighth power source. Preferably, the seventh voltage is selectively output from the eighth power source.
この発明によれば、光電変換素子をオン状態にして、光電変換素子の一端および他端と、容量の他端と、の電位を第7の電圧に基づく第7の電位とするとともに、第8電源から第8の電圧を選択的に出力して、容量の一端の電位を第8の電圧に基づく第8の電位とした。すると、容量において、一端および他端の間には、電位差が生じる。
そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第8電源から第7の電圧を選択的に出力して、容量の一端の電位を第7の電位に低下させた。ここで、容量において、容量の一端の電位が変動すると、容量の他端の電位も変動して、上述の容量の一端および他端の電位差を保持しようとする。したがって、容量の他端の電位は、容量の一端の電位が低下した分だけ低下する。よって、光電変換素子の一端の電位は、容量の他端の電位が低下した分だけ低下する。
以上により、光電変換素子の一端は、光電変換素子の他端と比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端の電位は、光電変換素子の他端の電位まで、受光した光の光量に応じて変動する。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
According to this invention, the photoelectric conversion element is turned on, the potentials at one end and the other end of the photoelectric conversion element and the other end of the capacitor are set to the seventh potential based on the seventh voltage, and the eighth The eighth voltage was selectively output from the power source, and the potential at one end of the capacitor was set to the eighth potential based on the eighth voltage. Then, in the capacitor, a potential difference is generated between one end and the other end.
Then, the photoelectric conversion element was turned off, and the seventh voltage was selectively output from the eighth power source, so that the potential at one end of the capacitor was lowered to the seventh potential. Here, in the capacitor, when the potential at one end of the capacitor varies, the potential at the other end of the capacitor also varies, and the potential difference between the one end and the other end of the capacitor is to be held. Therefore, the potential at the other end of the capacitor is decreased by the amount corresponding to the decrease in the potential at one end of the capacitor. Therefore, the potential at one end of the photoelectric conversion element is lowered by the amount that the potential at the other end of the capacitor is lowered.
As described above, the potential of one end of the photoelectric conversion element is lower than that of the other end of the photoelectric conversion element. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the potential at one end of the photoelectric conversion element varies in accordance with the amount of received light up to the potential at the other end of the photoelectric conversion element.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.
本発明の電気光学装置は、上述の光センサを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、電気光学装置に光センサを設けたので、環境光の光量に応じて階調表示できる。また、光センサを小型化したので、電気光学装置を小型化できる。
An electro-optical device according to the present invention includes the above-described optical sensor.
According to the present invention, since the optical sensor is provided in the electro-optical device, gradation display can be performed according to the amount of ambient light. In addition, since the optical sensor is downsized, the electro-optical device can be downsized.
本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
An electronic apparatus according to an aspect of the invention includes the above-described electro-optical device.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態および変形例の説明にあたって、同一構成要件については同一符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置のブロック図である。
電気光学装置1は、液晶パネルAAと、この液晶パネルAAを駆動する制御回路90と、液晶パネルAAに光を照射するバックライト31と、を備える。この電気光学装置1は、バックライト31からの光を利用して、透過型の表示を行う。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of embodiments and modifications, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted or simplified.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention.
The electro-
液晶パネルAAは、複数の画素50を有する表示領域Aと、この表示領域Aの周辺に設けられて画素50を駆動する走査線駆動回路11およびデータ線駆動回路21と、光センサ60と、を備える。
The liquid crystal panel AA includes a display area A having a plurality of
バックライト31は、液晶パネルAAの裏面に設けられ、例えば、冷陰極蛍光管(CCFL)やLED(発光ダイオード)、あるいはエレクトロルミネッセンス(EL)で構成されて、液晶パネルAAの画素50に光を供給する。
The
制御回路90は、液晶パネルAAに電源を供給する電源回路91と、走査線駆動回路11、データ線駆動回路21、および光センサ60を制御するパネル制御信号を出力するパネル制御回路92と、バックライト31を制御するバックライト制御信号を出力するバックライト制御回路93と、を備える。
The
電源回路91は、走査線駆動回路11、データ線駆動回路21、および光センサ60などを駆動するのに必要な駆動電源を液晶パネルAAに供給する。この電源回路91は、第3の電圧としての電圧VDDを出力する第3電源911(図2参照)と、電圧VDDまたは電圧VDDより電位の低い第4の電圧としての電圧VSSのいずれかを選択的に出力する第4電源912(図2参照)と、を備える。
The
パネル制御回路92は、走査線駆動回路11に対して、複数の走査線Yを順次選択走査させる制御信号を供給し、データ線駆動回路21に対して、走査線駆動回路11の動作に同期して、上位装置(図示省略)から供給される表示画像データに基づいた画像信号を供給する。このパネル制御回路92は、後述する光電変換素子61(図2参照)のオン、オフを制御する制御信号SIGを出力する制御部(図示省略)を備える。
The
バックライト制御回路93は、光センサ60から出力される光検知信号Voutに基づいて、バックライト31の光量を制御するバックライト制御信号をバックライト31に供給する。
The
以下、液晶パネルAAの構成について詳述する。
液晶パネルAAは、320行の走査線Y1〜Y320と、これら走査線Y1〜Y320に交差するように設けられた240列のデータ線X1〜X240と、を備え、各走査線Yおよび各データ線Xの交差部分には、画素50が設けられている。また、走査線Yに略平行に、共通線30が設けられている。
Hereinafter, the configuration of the liquid crystal panel AA will be described in detail.
The liquid crystal panel AA includes 320 rows of scanning lines Y1 to Y320, and 240 columns of data lines X1 to X240 provided so as to intersect the scanning lines Y1 to Y320, and each scanning line Y and each data line.
画素50は、TFT51、画素電極55、この画素電極55に対向する共通電極56、および、一端が画素電極55に接続され他端が共通線30に接続された蓄積容量53で構成される。画素電極55および共通電極56は、電気光学材料としての誘電体である液晶(図示せず)を挟持し、画素容量を構成する。
The
TFT51のゲートには、走査線Yが接続され、TFT51のソースには、データ線Xが接続され、TFT51のドレインには、画素電極55および蓄積容量53が接続されている。したがって、このTFT51は、走査線Yから選択電圧が印加されるとオン状態となり、データ線Xと画素電極55および蓄積容量53とを導通状態とする。
The scanning line Y is connected to the gate of the
走査線駆動回路11は、TFT51をオン状態にする選択電圧を複数の走査線Yに順次供給する。例えば、ある走査線Yに選択電圧を供給すると、この走査線Yに接続されたTFT51が全てオン状態となり、この走査線Yに係る画素50が全て選択される。
The scanning line driving circuit 11 sequentially supplies a selection voltage for turning on the
データ線駆動回路21は、画像信号を各データ線Xに供給し、オン状態のTFT51を介して、この画像信号に基づく画像電圧を画素電極55に書き込む。
ここで、データ線駆動回路21は、共通電極56の電圧を基準として、1フレーム期間ごとに、データ線Xに供給する画像信号の極性を反転させる。具体的には、例えば、ある1フレーム期間では、データ線Xに正極性の画像信号を供給し、次の1フレーム期間では、データ線Xに負極性の画像信号を供給する。
The data line driving
Here, the data
以上の電気光学装置1は、以下のように動作する。
すなわち、走査線駆動回路11から320行の走査線Y1〜Y320に選択電圧を順次供給することで、各走査線Yに係る全てのTFT51を順次オン状態にして、各走査線Yに係る全ての画素50を順次選択する。そして、これら画素50の選択に同期して、データ線駆動回路21からデータ線Xに画像信号を供給する。すると、走査線駆動回路11で選択した全ての画素50に、データ線駆動回路21からデータ線Xおよびオン状態のTFT51を介して画像信号が供給されて、この画像信号に基づく画像電圧が画素電極55に書き込まれる。これにより、画素電極55と共通電極56との間に電位差が生じて、画像電圧が液晶に印加される。
The above electro-
That is, by sequentially supplying a selection voltage from the scanning line driving circuit 11 to the scanning lines Y1 to Y320 in 320 rows, all the TFTs 51 related to the scanning lines Y are sequentially turned on, and all the scanning lines Y are related to each other.
液晶に画像電圧が印加されると、液晶の配向が変化し、液晶を透過するバックライト31からの光が変化して、階調表示が行われる。
When an image voltage is applied to the liquid crystal, the alignment of the liquid crystal changes, and the light from the
図2は、光センサ60の回路図である。
光センサ60は、光電変換素子61と、容量62と、を備える。光電変換素子61は、TFTで構成される。
FIG. 2 is a circuit diagram of the
The
光電変換素子61は、受光した光を電流に変換する。光電変換素子61のゲートには、パネル制御回路92が接続され、光電変換素子61のソースには、第4電源912が接続され、光電変換素子61のドレインには、端子Pが接続されている。
The
容量62は、第1電極621と、この第1電極621に対向して設けられた第2電極622と、を備える。容量62の第1電極621には、第3電源911が接続され、容量62の第2電極622には、端子Pが接続されている。
The
図3は、光センサ60のタイミングチャートである。
ここで、図3において、V4は、第4電源912から出力される電圧とする。
FIG. 3 is a timing chart of the
Here, in FIG. 3, V4 is a voltage output from the
まず、時刻t1において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61をオン状態とするとともに、第4電源912から電圧V4として電圧VDDを選択的に出力する。
First, at time t1, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the
すると、容量62の第1電極621は、第3電源911に接続されているので、電位VDDであり、容量62の第2電極622は、オン状態の光電変換素子61を介して第4電源912と導通状態となっているので、電位VDDとなる。
また、光電変換素子61のソースは、第4電源912に接続されているので、電位VDDとなり、光電変換素子61のドレインは、オン状態の光電変換素子61を介して第4電源912と導通状態となっているので、電位VDDとなる。よって、光電変換素子61のドレインに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
Then, since the
In addition, since the source of the
次に、時刻t2において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして光電変換素子61をオフ状態とするとともに、第4電源912から電圧V4として電圧VSSを選択的に出力する。
Next, at time t2, the switching control signal SIG is set to the potential VL, the
すると、容量62の第1電極621は、第3電源911に接続されているので、電位VDDを保持し、容量62の第2電極622は、オフ状態の光電変換素子61を介して第4電源912と非導通状態となっているので、電位VDDを保持する。
また、光電変換素子61のソースは、第4電源912に接続されているので、電位VSSに低下し、光電変換素子61のドレインは、オフ状態の光電変換素子61を介して第4電源912と非導通状態となっているので、容量62の第2電極622と同電位である電位VDDを保持する。よって、光検知信号Voutは、電位VDDを保持する。
Then, since the
In addition, since the source of the
以上のように、時刻t2では、光電変換素子61のソースは、電位VSSであり、光電変換素子61のドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子61のソースは、光電変換素子61のドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子61はオフ状態であるが、この光電変換素子61には、上述の光電変換素子61のソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61のドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子61のソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて低下する。よって、光検知信号Voutの電位は、受光した環境光の光量に応じて低下して、時刻t3において基準電位Vrefと同電位となる。
As described above, at time t2, the source of the
次に、時刻t4において、時刻t1と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61をオン状態とするとともに、第4電源912から電圧V4として電圧VDDを選択的に出力する。
Next, at time t4, similarly to time t1, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the
すると、時刻t1と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。 Then, like the time t1, the light detection signal Vout becomes the potential VDD.
上述のバックライト制御回路93は、光検知信号Voutの電位がVDDからVrefに低下するまでの時間、すなわち時刻t2からt3までの時間を計測する。そして、時刻t2からt3までの時間が所定の時間よりも短ければ、環境光の光量が多いと判定し、バックライト31の光量を所定の光量よりも多くする。一方、時刻t2からt3までの時間が所定の時間よりも長ければ、環境光の光量が少ないと判定し、バックライト31の光量を所定の光量よりも少なくする。
The
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
(1)まず、光電変換素子61をオン状態にするとともに、第4電源912から電圧VDDを選択的に出力して、光電変換素子61のソースおよびドレインの電位を同電位のVDDとした。次に、光電変換素子61をオフ状態にするとともに、第4電源912から電圧VSSを選択的に出力して、光電変換素子61のソースの電位をVSSに低下させた。
以上により、光電変換素子61のソースは、光電変換素子61のドレインと比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子61はオフ状態であるが、この光電変換素子61には、上述の光電変換素子61のソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61のドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子61のソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて低下する。
そこで、バックライト制御回路93により、光電変換素子61のドレインの電位がVDDからVrefに低下するまでの時間を計測したので、この計測した時間により、環境光の光量を検出できる。
According to this embodiment, there are the following effects.
(1) First, the
As described above, the source of the
Therefore, the
(2)TFTは、光電変換素子61の1つなので、他のTFTで発生した電気信号により光電変換素子61のドレインの電位が変動する、ということが無くなり、環境光の光量を検知する際に誤差が生じるのを抑制できる。
(2) Since the TFT is one of the
(3)光電変換素子61に、受光した環境光を電流に変換させるとともに、オン、オフさせた。よって、受光した環境光を電流に変換するTFTと、オン、オフするTFTと、の2つのTFTを設けた場合と比べて、TFTが1つ少ないので、光センサ60を小型化できる。
(3) The
(4)電気光学装置1に設けた光センサ60を小型化したので、電気光学装置1を小型化できる。
(4) Since the
(5)電気光学装置1に光センサ60を設け、バックライト制御回路93により、環境光の光量に応じて、バックライト31の光量を制御したので、電気光学装置1における表示の視認性を向上できる。
(5) Since the
<第2実施形態>
図4は、本発明の第2実施形態に係る光センサ60Aの回路図である。
光センサ60Aは、光電変換素子61Aと、容量62Aと、を備える。光電変換素子61Aは、TFTで構成される。
Second Embodiment
FIG. 4 is a circuit diagram of an
The
ここで、電源回路91は、図2の第3電源911および第4電源912に代えて、第5電源913および第6電源914を備える。第5電源913は、第5の電圧としての電圧VSSを出力し、第6電源914は、電圧VSSまたは電圧VSSより電位の高い第6の電圧としての電圧VDDのいずれかを選択的に出力する。
Here, the
光電変換素子61Aは、受光した光を電流に変換する。光電変換素子61Aのゲートには、パネル制御回路92が接続され、光電変換素子61Aのソースには、端子Pが接続され、光電変換素子61Aのドレインには、第6電源914が接続されている。
The
容量62Aは、第1電極621Aと、この第1電極621Aに対向して設けられた第2電極622Aと、を備える。容量62Aの第1電極621Aには、第5電源913が接続され、容量62Aの第2電極622Aには、端子Pが接続されている。
The
図5は、光センサ60Aのタイミングチャートである。
ここで、図5において、V6は、第6電源914から出力される電圧とする。
FIG. 5 is a timing chart of the
Here, in FIG. 5, V6 is a voltage output from the
まず、時刻t11において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Aをオン状態とするとともに、第6電源914から電圧V6として電圧VSSを選択的に出力する。
First, at time t11, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the
すると、容量62Aの第1電極621Aは、第5電源913に接続されているので、電位VSSであり、容量62Aの第2電極622Aは、オン状態の光電変換素子61Aを介して第6電源914と導通状態となっているので、電位VSSとなる。
また、光電変換素子61Aのソースは、オン状態の光電変換素子61Aを介して第6電源914と導通状態となっているので、電位VSSとなり、光電変換素子61Aのドレインは、第6電源914に接続されているので、電位VSSとなる。よって、光電変換素子61Aのソースに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VSSとなる。
Then, since the
Further, since the source of the
次に、時刻t12において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして光電変換素子61Aをオフ状態とするとともに、第6電源914から電圧V6として電圧VDDを選択的に出力する。
Next, at time t12, the switching control signal SIG is set to the potential VL, the
すると、容量62Aの第1電極621Aは、第5電源913に接続されているので、電位VSSを保持し、容量62Aの第2電極622Aは、オフ状態の光電変換素子61Aを介して第6電源914と非導通状態となっているので、電位VSSを保持する。
また、光電変換素子61Aのソースは、オフ状態の光電変換素子61Aを介して第6電源914と非導通状態となっているので、容量62Aの第2電極622Aと同電位である電位VSSを保持し、光電変換素子61Aのドレインは、第6電源914に接続されているので、VDDに上昇する。よって、光検知信号Voutは、電位VSSを保持する。
Then, since the
Further, since the source of the
以上のように、時刻t12では、光電変換素子61Aのソースは、電位VSSであり、光電変換素子61Aのドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子61Aのソースは、光電変換素子61Aのドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子61Aはオフ状態であるが、この光電変換素子61Aには、上述の光電変換素子61Aのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61Aのソースの電位は、電位VSSから光電変換素子61Aのドレインの電位VDDまで、受光した環境光の光量に応じて上昇する。よって、光検知信号Voutの電位は、受光した環境光の光量に応じて上昇して、時刻t13において基準電位Vrefと同電位となる。
As described above, at the time t12, the source of the
次に、時刻t14において、時刻t11と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Aをオン状態とするとともに、第6電源914から電圧V6として電圧VSSを選択的に出力する。
Next, at time t14, similarly to time t11, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the
すると、時刻t11と同様に、光検知信号Voutは、電位VSSとなる。 Then, as at time t11, the light detection signal Vout becomes the potential VSS.
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
(6)まず、光電変換素子61Aをオン状態にするとともに、第6電源914から電圧VSSを選択的に出力して、光電変換素子61Aのソースおよびドレインの電位を同電位のVSSとした。次に、光電変換素子61Aをオフ状態にするとともに、第6電源914から電圧VDDを選択的に出力して、光電変換素子61Aのドレインの電位をVDDに上昇させた。
以上により、光電変換素子61Aのソースは、光電変換素子61Aのドレインと比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子61Aはオフ状態であるが、この光電変換素子61Aには、上述の光電変換素子61Aのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61Aのソースの電位は、電位VSSから光電変換素子61Aのドレインの電位VDDまで、受光した環境光の光量に応じて上昇する。
そこで、バックライト制御回路93により、光電変換素子61Aのソースの電位がVSSからVrefに上昇するまでの時間を計測したので、この計測した時間により、環境光の光量を検出できる。
According to this embodiment, there are the following effects.
(6) First, the
As described above, the potential of the source of the
Therefore, since the
<第3実施形態>
図6は、本発明の第3実施形態に係る光センサ60Bの回路図である。
光センサ60Bは、光電変換素子61Bと、容量62Bと、を備える。光電変換素子61Bは、TFTで構成される。
<Third Embodiment>
FIG. 6 is a circuit diagram of an
The
ここで、電源回路91は、図2の第3電源911および第4電源912に代えて、第7電源915および第8電源916を備える。第7電源915は、第7の電圧としての電圧VSSを出力し、第8電源916は、電圧VSSまたは電圧VSSより電位の高い第8の電圧としての電圧VDDのいずれかを選択的に出力する。
Here, the
光電変換素子61Bは、受光した光を電流に変換する。光電変換素子61Bのゲートには、パネル制御回路92が接続され、光電変換素子61Bのソースには、第7電源915が接続され、光電変換素子61Bのドレインには、端子Pが接続されている。
The
容量62Bは、第1電極621Bと、この第1電極621Bに対向して設けられた第2電極622Bと、を備える。容量62Bの第1電極621Bには、第8電源916が接続され、容量62Bの第2電極622Bには、端子Pが接続されている。
The
図7は、光センサ60Bのタイミングチャートである。
ここで、図7において、V8は、第8電源916から出力される電圧とする。
FIG. 7 is a timing chart of the
Here, in FIG. 7, V8 is a voltage output from the
まず、時刻t21において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Bをオン状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VSSを選択的に出力する。
First, at time t21, the switching control signal SIG is set to the potential VH to turn on the
すると、容量62Bの第1電極621Bは、第8電源916に接続されているので、電位VSSとなり、容量62Bの第2電極622Bは、オン状態の光電変換素子61Bを介して第7電源915と導通状態となっているので、電位VSSとなる。よって、容量62Bにおいて、第1電極621Bおよび第2電極622Bの間の電位差は、“0”となる。
また、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSであり、光電変換素子61Bのドレインは、オン状態の光電変換素子61Bを介して第7電源915と導通状態となっているので、電位VSSとなる。よって、光電変換素子61Bのドレインに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VSSとなる。
Then, since the first electrode 621B of the
In addition, since the source of the
次に、時刻t22において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして光電変換素子61Bをオフ状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VDDを選択的に出力する。
Next, at time t22, the switching control signal SIG is set to the potential VL to turn off the
すると、容量62Bの第1電極621Bは、第8電源916に接続されているので、電位VDDに上昇する。ここで、容量62Bにおいて、第1電極621Bの電位が変動すると、第2電極622Bの電位も変動して、第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差“0”を保持しようとする。このため、容量62Bの第2電極622Bの電位は、VDDに上昇する。したがって、光電変換素子61Bのドレインは、容量62Bの第2電極622Bに接続されているので、電位がVDDに上昇する。よって、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
また、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSを保持する。
Then, since the first electrode 621B of the
Further, since the source of the
以上のように、時刻t22では、光電変換素子61Bのソースは、電位VSSであり、光電変換素子61Bのドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子61Bのソースは、光電変換素子61Bのドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子61Bはオフ状態であるが、この光電変換素子61Bには、上述の光電変換素子61Bのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61Bのドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子61Bのソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて低下する。よって、光検知信号Voutの電位は、受光した環境光の光量に応じて低下して、時刻t23において基準電位Vrefと同電位となる。
As described above, at the time t22, the source of the
次に、時刻t24において、時刻t21と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Bをオン状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VSSを選択的に出力する。
Next, at time t24, similarly to time t21, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the
すると、時刻t21と同様に、光検知信号Voutは、電位VSSとなる。 Then, as at time t21, the light detection signal Vout becomes the potential VSS.
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
(7)まず、光電変換素子61Bをオン状態にするとともに、第8電源916から電圧VSSを選択的に出力して、容量62Bの第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差を“0”とした。次に、光電変換素子61Bをオフ状態にするとともに、第8電源916から電圧VDDを選択的に出力して、容量62Bの第1電極621Bの電位をVDDに上昇させた。ここで、容量62Bにおいて、容量62Bの第1電極621Bの電位が変動すると、容量62Bの第2電極622Bの電位も変動して、容量62Bの第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差“0”を保持しようとする。したがって、容量62Bの第2電極622Bの電位は、容量62Bの第1電極621Bの電位が上昇した分、すなわち電位差(VDD−VSS)だけ上昇して、電位VDDとなる。よって、光電変換素子61Bのドレインの電位は、容量62Bの第2電極622Bの電位が上昇した分、すなわち電位差(VDD−VSS)だけ上昇して、電位VDDとなる。一方、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSである。
以上により、光電変換素子61Bのソースは、光電変換素子61Bのドレインと比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子61Bはオフ状態であるが、この光電変換素子61Bには、上述の光電変換素子61Bのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61Bのドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子61Bのソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて低下する。
そこで、バックライト制御回路93により、光電変換素子61Bのドレインの電位がVDDからVrefに低下するまでの時間を計測したので、この計測した時間により、環境光の光量を検出できる。
According to this embodiment, there are the following effects.
(7) First, the
As described above, the potential of the source of the
Therefore, the
<第4実施形態>
図8は、本発明の第4実施形態に係る光センサ60Bのタイミングチャートである。
図8のタイミングチャートでは、図6の光センサ60Bについて、図7のタイミングチャートとは異なる動作を示す。
<Fourth embodiment>
FIG. 8 is a timing chart of the
In the timing chart of FIG. 8, the operation of the
まず、時刻t31において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Bをオン状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VDDを選択的に出力する。
First, at time t31, the switching control signal SIG is set to the potential VH to turn on the
すると、容量62Bの第1電極621Bは、第8電源916に接続されているので、電位VDDとなり、容量62Bの第2電極622Bは、オン状態の光電変換素子61Bを介して第7電源915と導通状態となっているので、電位VSSとなる。よって、容量62Bにおいて、第1電極621Bおよび第2電極622Bの間には、電位差(VDD−VSS)が生じる。
また、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSであり、光電変換素子61Bのドレインは、オン状態の光電変換素子61Bを介して第7電源915と導通状態となっているので、電位VSSとなる。よって、光電変換素子61Bのドレインに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VSSとなる。
Then, since the first electrode 621B of the
In addition, since the source of the
次に、時刻t32において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして光電変換素子61Bをオフ状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VSSを選択的に出力する。
Next, at time t32, the switching control signal SIG is set to the potential VL, the
すると、容量62Bの第1電極621Bは、第8電源916に接続されているので、電位VSSに低下する。ここで、容量62Bにおいて、第1電極621Bの電位が変動すると、第2電極622Bの電位も変動して、第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差(VDD−VSS)を保持しようとする。このため、容量62Bの第2電極622Bの電位は、(2VSS−VDD)に低下する。したがって、光電変換素子61Bのドレインは、容量62Bの第2電極622Bに接続されているので、電位が(2VSS−VDD)に低下する。よって、光検知信号Voutは、電位(2VSS−VDD)となる。
また、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSを保持する。
Then, since the first electrode 621B of the
Further, since the source of the
以上のように、時刻t32では、光電変換素子61Bのソースは、電位VSSであり、光電変換素子61Bのドレインは、電位(2VSS−VDD)である。すなわち、光電変換素子61Bのソースは、光電変換素子61Bのドレインと比べて、電位が高い。ここで、光電変換素子61Bはオフ状態であるが、この光電変換素子61Bには、上述の光電変換素子61Bのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がソースからドレインに向かって流れる。このため、光電変換素子61Bのドレインの電位は、電位(2VSS−VDD)から光電変換素子61Bのソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて上昇する。よって、光検知信号Voutの電位は、受光した環境光の光量に応じて上昇して、時刻t33において基準電位Vrefと同電位となる。
As described above, at the time t32, the source of the
次に、時刻t34において、時刻t31と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Bをオン状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VDDを選択的に出力する。
Next, at time t34, similarly to time t31, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the
すると、時刻t31と同様に、光検知信号Voutの電位は、VSSとなる。 Then, as at time t31, the potential of the light detection signal Vout becomes VSS.
本実施形態によれば、以下のような効果がある。
(8)まず、光電変換素子61Bをオン状態にするとともに、第8電源916から電圧VDDを選択的に出力して、容量62Bの第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差を(VDD−VSS)とした。次に、光電変換素子61Bをオフ状態にするとともに、第8電源916から電圧VSSを選択的に出力して、容量62Bの第1電極621Bの電位をVSSに低下させた。ここで、容量62Bにおいて、容量62Bの第1電極621Bの電位が変動すると、容量62Bの第2電極622Bの電位も変動して、容量62Bの第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差(VDD−VSS)を保持しようとする。したがって、容量62Bの第2電極622Bの電位は、容量62Bの第1電極621Bの電位が低下した分、すなわち電位差(VDD−VSS)だけ低下して、電位(2VSS−VDD)となる。よって、光電変換素子61Bのドレインの電位は、容量62Bの第2電極622Bの電位が低下した分、すなわち電位差(VDD−VSS)だけ低下して、電位(2VSS−VDD)となる。一方、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSである。
以上により、光電変換素子61Bのソースは、光電変換素子61Bのドレインと比べて、電位が高くなる。ここで、光電変換素子61Bはオフ状態であるが、この光電変換素子61Bには、上述の光電変換素子61Bのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がソースからドレインに向かって流れる。このため、光電変換素子61Bのドレインの電位は、電位(2VSS−VDD)から光電変換素子61Bのソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて上昇する。
そこで、バックライト制御回路93により、光電変換素子61Bのドレインの電位が(2VSS−VDD)からVrefに低下するまでの時間を計測したので、この計測した時間により、環境光の光量を検出できる。
According to this embodiment, there are the following effects.
(8) First, the
As described above, the source of the
Therefore, the
<変形例>
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上述の第1実施形態では、電気光学装置1は、透過型の表示を行うこととしたが、これに限らず、バックライト31からの光を利用する透過型表示と、自然光や室内光といった周囲の反射光を利用する反射型表示と、を兼ね備えた半透過反射型の表示を行ってもよい。
<Modification>
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within a scope in which the object of the present invention can be achieved are included in the present invention.
For example, in the first embodiment described above, the electro-
また、上述の各実施形態では、320行の走査線Yと、240列のデータ線Xと、を備えるものとしたが、これに限らず、例えば、480行の走査線Yと、640列のデータ線Xと、を備えてもよい。 In each of the above embodiments, 320 rows of scanning lines Y and 240 columns of data lines X are provided. However, the present invention is not limited to this. For example, 480 rows of scanning lines Y and 640 columns of rows are provided. And a data line X.
また、上述の各実施形態では、環境光の光量を検出するために、端子Pから出力される光検知信号Voutの電位が基準電位Vrefより低くなる時刻を計測したが、これに限らない。例えば、スイッチング制御信号SIGの電位をVLにして光電変換素子61をオフ状態にしてから所定期間経過後に、端子Pから出力される光検知信号Voutの電位を計測してもよい。
In each of the above-described embodiments, in order to detect the amount of ambient light, the time at which the potential of the light detection signal Vout output from the terminal P is lower than the reference potential Vref is measured, but the present invention is not limited to this. For example, the potential of the photodetection signal Vout output from the terminal P may be measured after a predetermined period has elapsed since the
また、上述の各実施形態では、環境光の光量に応じて、バックライト31の光量を制御したが、これに限らず、例えば画像信号を調整してもよい。
In each of the above-described embodiments, the light amount of the
また、上述の各実施形態では、データ線Xに供給する画像信号の極性を、1フレーム期間ごとに反転させたが、これに限らず、例えば1水平走査期間ごとに反転させてもよい。 In each of the above-described embodiments, the polarity of the image signal supplied to the data line X is inverted every frame period. However, the present invention is not limited to this. For example, the polarity may be inverted every horizontal scanning period.
<応用例>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置1を適用した電子機器について説明する。
図9は、電気光学装置1を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに電気光学装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールされる。
<Application example>
Next, an electronic apparatus to which the electro-
FIG. 9 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone to which the electro-
なお、電気光学装置1が適用される電子機器としては、図9に示すもののほか、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置が適用可能である。これらに適用することで、外光によりバックライト輝度が最適化されて、見る環境によらず最適な視認性を得て、また、不要な明るさになるのを防止できるので、低消費電力化も図れる。
なお、本光センサをバックライトの調光の用途に限定する趣旨ではなく、例えば、外光によって、表示階調のいわゆるガンマ設定を可変にする用途に用いてもよい。
The electronic apparatus to which the electro-
Note that the present light sensor is not intended to be limited to the use of backlight dimming, but may be used, for example, to make so-called gamma setting of display gradation variable by external light.
1…電気光学装置、11…走査線駆動回路、21…データ線駆動回路、31…バックライト、50…画素、60…光センサ、61、61A、61B…光電変換素子、62、62A、62B…容量、621、621A、621B…第1電極、622、622A、622B…第2電極、90…制御回路、91…電源回路、911…第3電源、912…第4電源、913…第5電源、914…第6電源、915…第7電源、916…第8電源、92…パネル制御回路(制御部)、93…バックライト制御回路、3000…携帯電話機(電子機器)。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
所定の電圧を出力する第1電源および第2電源と、
前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第1電源には、前記容量の一端が接続され、
前記容量の他端には、前記光電変換素子が接続され、
前記光電変換素子の他端には、前記第2電源が接続され、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にした後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第1電源または前記第2電源のうち少なくともいずれかから出力する電圧を変動させることを特徴とする光センサ。 An optical sensor comprising a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor,
A first power source and a second power source for outputting a predetermined voltage;
A control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element,
One end of the capacitor is connected to the first power source,
The photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor,
The second power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit,
An optical sensor, wherein the photoelectric conversion element is turned off by the control unit, and a voltage output from at least one of the first power supply and the second power supply is changed.
第3の電圧を出力する第3電源と、
前記第3の電圧または前記第3の電圧より電位の低い第4の電圧のいずれかを選択的に出力する第4電源と、
前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第3電源には、前記容量の一端が接続され、
前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、
前記光電変換素子の他端には、前記第4電源が接続され、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第4電源から前記第3の電圧を選択的に出力した後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第4電源から前記第4の電圧を選択的に出力することを特徴とする光センサ。 An optical sensor comprising a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor,
A third power source for outputting a third voltage;
A fourth power source that selectively outputs either the third voltage or a fourth voltage having a lower potential than the third voltage;
A control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element,
One end of the capacitor is connected to the third power source,
One end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor,
The fourth power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit and selectively outputting the third voltage from the fourth power supply,
The photoelectric sensor is turned off by the control unit, and the fourth voltage is selectively output from the fourth power source.
第5の電圧を出力する第5電源と、
前記第5の電圧または前記第5の電圧より電位の高い第6の電圧のいずれかを選択的に出力する第6電源と、
前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第5電源には、前記容量の一端が接続され、
前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、
前記光電変換素子の他端には、前記第6電源が接続され、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第6電源から前記第5の電圧を選択的に出力した後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第6電源から前記第6の電圧を選択的に出力することを特徴とする光センサ。 An optical sensor comprising a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor,
A fifth power source for outputting a fifth voltage;
A sixth power source that selectively outputs either the fifth voltage or a sixth voltage having a higher potential than the fifth voltage;
A control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element,
One end of the capacitor is connected to the fifth power source,
One end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor,
The sixth power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit and selectively outputting the fifth voltage from the sixth power supply,
The photoelectric sensor is turned off by the control unit, and the sixth voltage is selectively output from the sixth power source.
第7の電圧を出力する第7電源と、
前記第7の電圧または前記第7の電圧より電位の高い第8の電圧のいずれかを選択的に出力する第8電源と、
前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第8電源には、前記容量の一端が接続され、
前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、
前記光電変換素子の他端には、前記第7電源が接続され、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第8電源から前記第7の電圧を選択的に出力した後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第8電源から前記第8の電圧を選択的に出力することを特徴とする光センサ。 An optical sensor comprising a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor,
A seventh power source for outputting a seventh voltage;
An eighth power source that selectively outputs either the seventh voltage or an eighth voltage having a higher potential than the seventh voltage;
A control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element,
One end of the capacitor is connected to the eighth power source,
One end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor,
The seventh power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit and selectively outputting the seventh voltage from the eighth power source,
The photoelectric sensor is turned off by the controller, and the eighth voltage is selectively output from the eighth power source.
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第8電源から前記第8の電圧を選択的に出力した後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第8電源から前記第7の電圧を選択的に出力することを特徴とする光センサ。 The optical sensor according to claim 4,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit and selectively outputting the eighth voltage from the eighth power source,
The photoelectric sensor is turned off by the control unit, and the seventh voltage is selectively output from the eighth power source.
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 6.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006160936A JP4649551B2 (en) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | Optical sensor, electro-optical device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006160936A JP4649551B2 (en) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | Optical sensor, electro-optical device, and electronic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007329388A true JP2007329388A (en) | 2007-12-20 |
JP4649551B2 JP4649551B2 (en) | 2011-03-09 |
Family
ID=38929646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006160936A Active JP4649551B2 (en) | 2006-06-09 | 2006-06-09 | Optical sensor, electro-optical device, and electronic apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4649551B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010181778A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Toppoly Optoelectronics Corp | Display device and electronic device with the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005203783A (en) * | 2004-01-12 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Photosensor and display utilizing the same |
JP2005340265A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | Optical sensor, reading method thereof, matrix type optical sensor circuit, and electronic equipment |
JP2006029832A (en) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Luminous energy detecting circuit |
JP2007283029A (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Hitachi Housetec Co Ltd | Mist sprayer |
-
2006
- 2006-06-09 JP JP2006160936A patent/JP4649551B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005203783A (en) * | 2004-01-12 | 2005-07-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Photosensor and display utilizing the same |
JP2005340265A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | Optical sensor, reading method thereof, matrix type optical sensor circuit, and electronic equipment |
JP2006029832A (en) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Luminous energy detecting circuit |
JP2007283029A (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Hitachi Housetec Co Ltd | Mist sprayer |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010181778A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Toppoly Optoelectronics Corp | Display device and electronic device with the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4649551B2 (en) | 2011-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9704436B2 (en) | Pixel circuit, driving method thereof, array substrate, and display device | |
EP3163562B1 (en) | Pixel circuit, display panel and display device | |
US9972245B2 (en) | Pixel circuit, driving method for the pixel circuit, display panel, and display device | |
KR20150042371A (en) | Display drive circuit, display device and portable terminal comprising thereof | |
JP2009229961A (en) | Liquid crystal display control device and electronic device | |
US11605360B2 (en) | Circuit and method for preventing screen flickering, drive circuit for display panel, and display apparatus | |
JP2007323046A (en) | Electro-optical device, driving circuit, driving method and electronic equipment | |
US9530377B2 (en) | Discharging control method, related driving method and driving device | |
TW200903424A (en) | Display, method for driving display, electronic apparatus | |
JP2007205902A (en) | Light detecting circuit, electro-optical device, and electronic equipment | |
US20190197948A1 (en) | Pixel circuit, driving method thereof, display device | |
US20220139311A1 (en) | Display device and driving method of the same | |
US11620947B1 (en) | Display panel and display apparatus | |
JP2008026907A (en) | Liquid crystal display device and driving method thereof | |
JP4168979B2 (en) | OPTICAL SENSOR CIRCUIT, OPTICAL SENSOR CIRCUIT OUTPUT SIGNAL PROCESSING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE | |
KR20230068493A (en) | Pixel and display device including the same | |
JP2008170842A (en) | Electrooptical device, driving circuit, and electronic equipment | |
US10902790B2 (en) | Semiconductor device, display panel, display device, input/output device, and data processing device | |
JP2008064828A (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
JP4649551B2 (en) | Optical sensor, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP2008218854A (en) | Light quantity detecting circuit, electrooptical device, and electronic equipment | |
JP2008180836A (en) | Display device having partial display function | |
US8299989B2 (en) | Electronic system including pixel units with shifted operating voltages | |
JP2011221127A (en) | Display device and driving method thereof | |
JP2007248956A (en) | Electro-optical device and electronic equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100517 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100517 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100702 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100702 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100706 |
|
AA92 | Notification that decision to refuse application was cancelled |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971092 Effective date: 20100817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100907 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100920 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4649551 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |