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JP2007329388A - Optical sensor, electro-optical device, and electronic equipment - Google Patents

Optical sensor, electro-optical device, and electronic equipment Download PDF

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JP2007329388A JP2006160936A JP2006160936A JP2007329388A JP 2007329388 A JP2007329388 A JP 2007329388A JP 2006160936 A JP2006160936 A JP 2006160936A JP 2006160936 A JP2006160936 A JP 2006160936A JP 2007329388 A JP2007329388 A JP 2007329388A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical sensor which controls error generation when detecting a light amount of ambient light, and also to provide an electro-optical device and an electronic equipment. <P>SOLUTION: The optical sensor 60 is provided with: the electro-optical device 61 for converting received light into current; a first electrode 621; and a capacitance 62 with a second electrode 622 formed oppositely to the first electrode 621. The source of the electro-optical device 61 is connected with the fourth power supply 912 which outputs selectively either voltage VDD or voltage VSS, the drain of the electro-optical device 61 is connected with the second electrode 622 of the capacity 62, and the first electrode 621 of the capacitance 62 is connected with the third power supply 911 which outputs the voltage VDD. The optical sensor 60 changes the electro-optical device 61 into an on-state. After the voltage VDD is supplied from the fourth power supply 912, the electro-optical device 61 is changed into an off-state, and the voltage VSS is supplied from the fourth power supply 912. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、光センサ、電気光学装置、および電子機器に関する。   The present invention relates to an optical sensor, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

従来より、液晶表示装置等の電気光学装置が知られている。この電気光学装置は、例えば、液晶パネルと、この液晶パネルに光を照射するバックライトと、を備える。   Conventionally, electro-optical devices such as liquid crystal display devices are known. The electro-optical device includes, for example, a liquid crystal panel and a backlight that irradiates light to the liquid crystal panel.

このような電気光学装置では、太陽光や照明光といった環境光による電気光学装置の周囲の明るさにより、表示の視認性が変化する。すなわち、例えば、電気光学装置の周囲が明るくなるに従って、電気光学装置の表示領域の明るさと電気光学装置の周囲の明るさとの差分が小さくなるので、電気光学装置の表示の視認性が低下する。   In such an electro-optical device, the visibility of display changes depending on the ambient brightness of the electro-optical device due to ambient light such as sunlight or illumination light. That is, for example, as the surroundings of the electro-optical device become brighter, the difference between the brightness of the display area of the electro-optical device and the brightness of the surroundings of the electro-optical device becomes smaller, so the visibility of the display of the electro-optical device decreases.

そこで、光センサを用いて環境光の光量を検出し、この検出した環境光の光量に応じてバックライトから出射するバックライト光の光量を制御する電気光学装置がある(例えば、特許文献1参照)。   Therefore, there is an electro-optical device that detects the amount of ambient light using an optical sensor and controls the amount of backlight light emitted from the backlight in accordance with the detected amount of ambient light (see, for example, Patent Document 1). ).

このような電気光学装置が備える光センサは、例えば、以下のような構成である。
図10は、従来例に係る電気光学装置が備える光センサ160の回路図である。
光センサ160は、第1電源端子Mおよび第2電源端子Nと、光電変換素子161と、容量162と、スイッチング素子163と、を備える。光電変換素子161およびスイッチング素子163は、ともに薄膜トランジスタ(以降、TFT(Thin Film Transistor)と呼ぶ)で構成される。
The optical sensor provided in such an electro-optical device has the following configuration, for example.
FIG. 10 is a circuit diagram of an optical sensor 160 included in an electro-optical device according to a conventional example.
The optical sensor 160 includes a first power supply terminal M and a second power supply terminal N, a photoelectric conversion element 161, a capacitor 162, and a switching element 163. Both the photoelectric conversion element 161 and the switching element 163 are configured by thin film transistors (hereinafter referred to as TFT (Thin Film Transistor)).

第1電源端子Mには、高電位電源VDDが接続され、第2電源端子Nには、低電位電源VSSが接続されている。   A high potential power supply VDD is connected to the first power supply terminal M, and a low potential power supply VSS is connected to the second power supply terminal N.

光電変換素子161は、受光した光を電流に変換する。光電変換素子161のゲートには、光電変換素子161をオフ状態にする電圧を出力するオフ電位電源VLが接続され、光電変換素子161のソースには、第2電源端子Nが接続され、光電変換素子161のドレインには、端子Pが接続されている。   The photoelectric conversion element 161 converts the received light into a current. An off-potential power supply VL that outputs a voltage that turns off the photoelectric conversion element 161 is connected to the gate of the photoelectric conversion element 161, and a second power supply terminal N is connected to the source of the photoelectric conversion element 161, and photoelectric conversion is performed. A terminal P is connected to the drain of the element 161.

スイッチング素子163は、環境光を受光しないように遮光膜が形成されており、スイッチング制御信号SIGに応じて、オン、オフする。スイッチング素子163のゲートには、スイッチング制御信号SIGを出力する制御部192が接続され、スイッチング素子163のドレインには、第1電源端子Mおよび容量162の第1電極1621が接続され、スイッチング素子163のソースには、端子Pが接続されている。この端子Pからは、光検知信号Voutが出力される。   The switching element 163 is formed with a light shielding film so as not to receive ambient light, and is turned on and off according to the switching control signal SIG. A control unit 192 that outputs a switching control signal SIG is connected to the gate of the switching element 163, and the first power supply terminal M and the first electrode 1621 of the capacitor 162 are connected to the drain of the switching element 163. A terminal P is connected to the source. The light detection signal Vout is output from this terminal P.

容量162は、第1電極1621と、この第1電極1621に対向して設けられた第2電極1622と、を備える。容量162の第1電極1621には、第1電源端子Mおよびスイッチング素子163のドレインが接続され、容量162の第2電極1622には、端子Pが接続されている。   The capacitor 162 includes a first electrode 1621 and a second electrode 1622 provided to face the first electrode 1621. The first power source terminal M and the drain of the switching element 163 are connected to the first electrode 1621 of the capacitor 162, and the terminal P is connected to the second electrode 1622 of the capacitor 162.

図11は、光センサ160のタイミングチャートである。
ここで、図11において、実線は、環境光の光量が少ない場合を示し、2点鎖線は、環境光の光量が多い場合を示す。
FIG. 11 is a timing chart of the optical sensor 160.
Here, in FIG. 11, a solid line indicates a case where the amount of ambient light is small, and a two-dot chain line indicates a case where the amount of ambient light is large.

まず、環境光の光量が少ない場合について、以下に説明する。
時刻t41において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして、スイッチング素子163をオン状態とする。すると、光電変換素子161のドレインと、容量162の第2電極1622とは、オン状態のスイッチング素子163を介して高電位電源VDDと導通状態となっているので、電位VDDとなる。よって、光電変換素子161のドレインに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
First, the case where the amount of ambient light is small will be described below.
At time t41, the switching control signal SIG is set to the potential VH, and the switching element 163 is turned on. Then, since the drain of the photoelectric conversion element 161 and the second electrode 1622 of the capacitor 162 are in conduction with the high potential power supply VDD through the switching element 163 in the on state, the potential VDD is reached. Therefore, the light detection signal Vout output from the terminal P connected to the drain of the photoelectric conversion element 161 becomes the potential VDD.

時刻t42において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして、スイッチング素子163をオフ状態とする。すると、光電変換素子161のドレインと、容量162の第2電極1622とは、オフ状態のスイッチング素子163を介して高電位電源VDDと非導通状態となっているので、電位VDDを保持する。よって、光検知信号Voutは、電位VDDを保持する。   At time t42, the switching control signal SIG is set to the potential VL, and the switching element 163 is turned off. Then, the drain of the photoelectric conversion element 161 and the second electrode 1622 of the capacitor 162 are in a non-conduction state with the high potential power supply VDD through the switching element 163 in the off state, and thus hold the potential VDD. Therefore, the light detection signal Vout holds the potential VDD.

以上のように、時刻t42では、光電変換素子161のソースは、低電位電源VSSに接続された第2電源端子Nに接続されているので、電位VSSであり、光電変換素子161のドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子161のソースは、光電変換素子161のドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子161は、ゲートにオフ電位電源VLが接続されているのでオフ状態であるが、この光電変換素子161には、上述の光電変換素子161のソースおよびドレインの電位差と、受光した光量の少ない環境光と、に基づいて、ドレインからソースに向かって電流が流れる。このため、光電変換素子161のドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子161のソースの電位VSSまで徐々に低下する。よって、光検知信号Voutの電位は、徐々に低下して、時刻t44において基準電位Vrefと同電位となる。   As described above, at time t <b> 42, the source of the photoelectric conversion element 161 is connected to the second power supply terminal N connected to the low potential power supply VSS, and thus is the potential VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 161 is The potential is VDD. That is, the source of the photoelectric conversion element 161 has a lower potential than the drain of the photoelectric conversion element 161. Here, the photoelectric conversion element 161 is in an off state since the off-potential power supply VL is connected to the gate. However, the photoelectric conversion element 161 includes a potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 161 described above, and light reception. A current flows from the drain toward the source based on the ambient light having a small amount of light. Therefore, the drain potential of the photoelectric conversion element 161 gradually decreases from the potential VDD to the source potential VSS of the photoelectric conversion element 161. Therefore, the potential of the light detection signal Vout gradually decreases and becomes the same potential as the reference potential Vref at time t44.

時刻t45において、時刻t41と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして、スイッチング素子163をオン状態とする。すると、時刻t41と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。   At time t45, as with time t41, the switching control signal SIG is set to the potential VH, and the switching element 163 is turned on. Then, like the time t41, the light detection signal Vout becomes the potential VDD.

次に、環境光の光量が多い場合について、以下に説明する。
時刻t41において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして、スイッチング素子163をオン状態とする。すると、環境光の光量が少ない場合と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
Next, the case where the amount of ambient light is large will be described below.
At time t41, the switching control signal SIG is set to the potential VH, and the switching element 163 is turned on. Then, as in the case where the amount of ambient light is small, the light detection signal Vout becomes the potential VDD.

時刻t42において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして、スイッチング素子163をオフ状態とする。すると、環境光の光量が少ない場合と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDを保持する。   At time t42, the switching control signal SIG is set to the potential VL, and the switching element 163 is turned off. Then, as in the case where the amount of ambient light is small, the light detection signal Vout holds the potential VDD.

以上のように、時刻t42では、環境光の光量が少ない場合と同様に、光電変換素子161のソースは、低電位電源VSSに接続された第2電源端子Nに接続されているので、電位VSSであり、光電変換素子161のドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子161のソースは、光電変換素子161のドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子161は、ゲートにオフ電位電源VLが接続されているのでオフ状態であるが、この光電変換素子161には、上述の光電変換素子161のソースおよびドレインの電位差と、受光した光量の多い環境光と、に基づいて、ドレインからソースに向かって、環境光の光量が少ない場合と比べて大きな電流が流れる。このため、光電変換素子161のドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子161のソースの電位VSSまで、環境光の光量が少ない場合と比べて急激に低下する。よって、光検知信号Voutの電位は、環境光の光量が少ない場合と比べて急激に低下して、時刻t43において基準電位Vrefと同電位となる。   As described above, at time t42, as in the case where the amount of ambient light is small, the source of the photoelectric conversion element 161 is connected to the second power supply terminal N connected to the low potential power supply VSS. The drain of the photoelectric conversion element 161 is at the potential VDD. That is, the source of the photoelectric conversion element 161 has a lower potential than the drain of the photoelectric conversion element 161. Here, the photoelectric conversion element 161 is in an off state since the off-potential power supply VL is connected to the gate. Based on the ambient light with a large amount of light, a larger current flows from the drain to the source than when the amount of ambient light is small. For this reason, the drain potential of the photoelectric conversion element 161 is drastically lowered from the potential VDD to the source potential VSS of the photoelectric conversion element 161 as compared with the case where the amount of ambient light is small. Therefore, the potential of the light detection signal Vout is rapidly decreased as compared with the case where the amount of ambient light is small, and becomes the same potential as the reference potential Vref at time t43.

時刻t45において、時刻t41と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして、スイッチング素子163をオン状態とする。すると、時刻t41と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。   At time t45, as with time t41, the switching control signal SIG is set to the potential VH, and the switching element 163 is turned on. Then, like the time t41, the light detection signal Vout becomes the potential VDD.

以上のように、光センサ160では、環境光の光量が少ないほど、光検知信号Voutの電位が基準電位Vrefと同電位となる時刻が遅くなり、環境光の光量が多いほど、光検知信号Voutの電位が基準電位Vrefと同電位となる時刻が早くなる。   As described above, in the optical sensor 160, as the amount of ambient light decreases, the time at which the potential of the light detection signal Vout becomes the same potential as the reference potential Vref is delayed. As the amount of ambient light increases, the light detection signal Vout increases. The time when the potential becomes equal to the reference potential Vref is earlier.

したがって、以上の光センサ160を備えた電気光学装置では、光検知信号Voutの電位が基準電位Vrefと同電位となる時刻を計測することで、環境光の光量を検出できる。
特開2006−29832号公報
Therefore, in the electro-optical device including the optical sensor 160 described above, the amount of ambient light can be detected by measuring the time when the potential of the light detection signal Vout becomes the same potential as the reference potential Vref.
JP 2006-29832 A

ところで、スイッチング素子163では、温度が上昇したり、遮光膜で遮断しきれない環境光の一部を受光すると、光電変換素子161と同様に、オフ状態であっても、ドレインからソースに向かって電流が流れる。すると、この電流により、光電変換素子161のドレインの電位が変動してしまい、光検知信号Voutの電位も変動してしまう。   By the way, in the switching element 163, when the temperature rises or a part of the environmental light that cannot be blocked by the light shielding film is received, even in the off state, like the photoelectric conversion element 161, from the drain toward the source. Current flows. Then, due to this current, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 161 changes, and the potential of the light detection signal Vout also changes.

すなわち、光センサ160では、スイッチング素子163により光検知信号Voutの電位が変動してしまい、環境光の光量を検出する際に誤差が生じる場合があった。   That is, in the optical sensor 160, the potential of the light detection signal Vout varies due to the switching element 163, and an error may occur when detecting the amount of ambient light.

本発明は、環境光の光量を検出する際に誤差が生じるのを抑制できる光センサ、電気光学装置、および電子機器を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an optical sensor, an electro-optical device, and an electronic apparatus that can suppress occurrence of an error when detecting the amount of ambient light.

本発明の光センサは、受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、所定の電圧を出力する第1電源および第2電源と、前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、前記第1電源には、前記容量の一端が接続され、前記容量の他端には、前記光電変換素子が接続され、前記光電変換素子の他端には、前記第2電源が接続され、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にした後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第1電源または前記第2電源のうち少なくともいずれかから出力する電圧を変動させることを特徴とする。   The optical sensor of the present invention is an optical sensor including a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor, and includes a first power source and a second power source that output a predetermined voltage, and the photoelectric sensor. And a control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the conversion element, wherein one end of the capacitor is connected to the first power source, and the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor The second power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element, and after the photoelectric conversion element is turned on by the control unit, the photoelectric conversion element is turned off by the control unit, The voltage output from at least one of the first power supply and the second power supply is varied.

この発明によれば、光電変換素子をオン状態にして、光電変換素子の一端および他端をそれぞれ所定の電位とした。そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第1電源または第2電源のうち少なくともいずれかから出力する電圧を変動させて、光電変換素子の一端および他端をそれぞれ異なる電位とした。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端または他端の電位は、互いに同電位となるまで変動する。よって、例えば、光電変換素子の一端または他端の変動する電位が、所定の電位となる時刻を計測したり、光電変換素子をオフ状態にしてから所定期間経過後における光電変換素子の一端または他端の変動する電位を計測することで、環境光の光量を検出できる。   According to this invention, the photoelectric conversion element is turned on, and one end and the other end of the photoelectric conversion element are set to predetermined potentials. Then, the photoelectric conversion element was turned off, and the voltage output from at least one of the first power supply and the second power supply was varied, so that one end and the other end of the photoelectric conversion element were set to different potentials. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the electric potential of one end or the other end of the photoelectric conversion element varies until the same electric potential is obtained. Therefore, for example, the time when the potential at which one or the other end of the photoelectric conversion element changes becomes a predetermined potential is measured, or one end or the other of the photoelectric conversion element after a predetermined period has elapsed since the photoelectric conversion element is turned off. The amount of ambient light can be detected by measuring the potential that fluctuates at the edges.

また、この発明によれば、光電変換素子に、受光した光を電気信号に変換させるとともに、上述した従来例に係るスイッチング素子としてオン、オフさせた。よって、スイッチング素子を備えない分だけ光センサを小型化できる。また、スイッチング素子を備えないことにより、オフ状態のスイッチング素子に電気信号が発生し、この電気信号により光電変換素子の一端または他端の電位が変動してしまう、ということが無くなるので、環境光の光量を検出する際に誤差が生じるのを抑制できる。   In addition, according to the present invention, the photoelectric conversion element converts received light into an electric signal, and the switching element according to the conventional example described above is turned on and off. Therefore, the optical sensor can be miniaturized by the amount that does not include the switching element. Further, since the switching element is not provided, an electric signal is generated in the switching element in the off state, and the electric signal does not change the potential at one end or the other end of the photoelectric conversion element. It is possible to suppress the occurrence of an error when detecting the amount of light.

本発明の光センサは、受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、第3の電圧を出力する第3電源と、前記第3の電圧または前記第3の電圧より電位の低い第4の電圧のいずれかを選択的に出力する第4電源と、前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、前記第3電源には、前記容量の一端が接続され、前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、前記光電変換素子の他端には、前記第4電源が接続され、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第4電源から前記第3の電圧を選択的に出力した後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第4電源から前記第4の電圧を選択的に出力することを特徴とする。   An optical sensor according to the present invention is an optical sensor including a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor, a third power source that outputs a third voltage, and the third voltage. Or a fourth power source that selectively outputs any one of a fourth voltage having a lower potential than the third voltage, and a control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element. One end of the capacitor is connected to the third power source, one end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor, and the fourth power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element. The control unit turns on the photoelectric conversion element, and after selectively outputting the third voltage from the fourth power source, the control unit turns off the photoelectric conversion element, The fourth voltage is selectively output from the fourth power source. Characterized in that it.

この発明によれば、光電変換素子をオン状態にするとともに、第4電源から第3の電圧を選択的に出力して、光電変換素子の一端および他端の電位を第3の電圧に基づく第3の電位とした。そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第4電源から第4の電圧を選択的に出力して、光電変換素子の他端の電位を第4の電圧に基づく第4の電位に低下させた。
以上により、光電変換素子の一端は、光電変換素子の他端と比べて、電位が高くなる。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端の電位は、光電変換素子の他端の電位まで、受光した光の光量に応じて変動する。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
According to the present invention, the photoelectric conversion element is turned on, the third voltage is selectively output from the fourth power source, and the potentials at one end and the other end of the photoelectric conversion element are based on the third voltage. The potential was 3. Then, the photoelectric conversion element is turned off, and the fourth voltage is selectively output from the fourth power source, so that the potential at the other end of the photoelectric conversion element is lowered to the fourth potential based on the fourth voltage. It was.
As described above, one end of the photoelectric conversion element has a higher potential than the other end of the photoelectric conversion element. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the potential at one end of the photoelectric conversion element varies in accordance with the amount of received light up to the potential at the other end of the photoelectric conversion element.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.

本発明の光センサは、受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、第5の電圧を出力する第5電源と、前記第5の電圧または前記第5の電圧より電位の高い第6の電圧のいずれかを選択的に出力する第6電源と、前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、前記第5電源には、前記容量の一端が接続され、前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、前記光電変換素子の他端には、前記第6電源が接続され、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第6電源から前記第5の電圧を選択的に出力した後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第6電源から前記第6の電圧を選択的に出力することを特徴とする。   The optical sensor of the present invention is an optical sensor that includes a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor, and includes a fifth power source that outputs a fifth voltage, and the fifth voltage. Or a sixth power source that selectively outputs any one of the sixth voltages having a higher potential than the fifth voltage, and a control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element. One end of the capacitor is connected to the fifth power source, one end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor, and the sixth power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element. The control unit turns on the photoelectric conversion element, and after selectively outputting the fifth voltage from the sixth power supply, the control unit turns off the photoelectric conversion element, The sixth voltage is selectively output from the sixth power source. Characterized in that it.

この発明によれば、光電変換素子をオン状態にするとともに、第6電源から第5の電圧を選択的に出力して、光電変換素子の一端および他端の電位を第5の電圧に基づく第5の電位とした。そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第6電源から第6の電圧を選択的に出力して、光電変換素子の他端の電位を第6の電圧に基づく第6の電位に上昇させた。
以上により、光電変換素子の一端は、光電変換素子の他端と比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端の電位は、光電変換素子の他端の電位まで、受光した光の光量に応じて変動する。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
According to the present invention, the photoelectric conversion element is turned on, the fifth voltage is selectively output from the sixth power source, and the potentials at one end and the other end of the photoelectric conversion element are based on the fifth voltage. The potential was 5. Then, the photoelectric conversion element is turned off, and the sixth voltage is selectively output from the sixth power source to raise the potential of the other end of the photoelectric conversion element to the sixth potential based on the sixth voltage. It was.
As described above, the potential of one end of the photoelectric conversion element is lower than that of the other end of the photoelectric conversion element. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the potential at one end of the photoelectric conversion element varies in accordance with the amount of received light up to the potential at the other end of the photoelectric conversion element.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.

本発明の光センサは、受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、第7の電圧を出力する第7電源と、前記第7の電圧または前記第7の電圧より電位の高い第8の電圧のいずれかを選択的に出力する第8電源と、前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、前記第8電源には、前記容量の一端が接続され、前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、前記光電変換素子の他端には、前記第7電源が接続され、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第8電源から前記第7の電圧を選択的に出力した後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第8電源から前記第8の電圧を選択的に出力することを特徴とする。   The optical sensor of the present invention is an optical sensor including a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor, a seventh power source that outputs a seventh voltage, and the seventh voltage. Or an eighth power source that selectively outputs any of the eighth voltages having a potential higher than the seventh voltage, and a control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element. One end of the capacitor is connected to the eighth power source, one end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor, and the seventh power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element. The control unit turns on the photoelectric conversion element, and after selectively outputting the seventh voltage from the eighth power source, the control unit turns off the photoelectric conversion element, The eighth voltage is selectively output from the eighth power source. Characterized in that it.

この発明によれば、光電変換素子をオン状態にして、光電変換素子の一端および他端と、容量の他端と、の電位を第7の電圧に基づく第7の電位とするとともに、第8電源から第7の電圧を選択的に出力して、容量の一端の電位を第7の電圧に基づく第7の電位とした。すると、容量において、一端および他端の間の電位差は、“0”となる。
そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第8電源から第8の電圧を選択的に出力して、容量の一端の電位を第8の電位に上昇させた。ここで、容量において、容量の一端の電位が変動すると、容量の他端の電位も変動して、上述の容量の一端および他端の電位差“0”を保持しようとする。したがって、容量の他端の電位は、容量の一端の電位が上昇した分だけ上昇する。よって、光電変換素子の一端の電位は、容量の他端の電位が上昇した分だけ上昇する。
以上により、光電変換素子の一端は、光電変換素子の他端と比べて、電位が高くなる。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端の電位は、光電変換素子の他端の電位まで、受光した光の光量に応じて変動する。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
According to this invention, the photoelectric conversion element is turned on, the potentials at one end and the other end of the photoelectric conversion element and the other end of the capacitor are set to the seventh potential based on the seventh voltage, and the eighth A seventh voltage was selectively output from the power source, and the potential at one end of the capacitor was set to a seventh potential based on the seventh voltage. Then, in the capacitor, the potential difference between one end and the other end is “0”.
Then, the photoelectric conversion element was turned off, and the eighth voltage was selectively output from the eighth power source to raise the potential at one end of the capacitor to the eighth potential. Here, in the capacitor, when the potential at one end of the capacitor varies, the potential at the other end of the capacitor also varies, and the potential difference “0” between the one end and the other end of the capacitor is to be held. Therefore, the potential at the other end of the capacitor increases by the amount corresponding to the increase in the potential at one end of the capacitor. Therefore, the potential at one end of the photoelectric conversion element increases by the amount that the potential at the other end of the capacitor increases.
As described above, one end of the photoelectric conversion element has a higher potential than the other end of the photoelectric conversion element. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the potential at one end of the photoelectric conversion element varies in accordance with the amount of received light up to the potential at the other end of the photoelectric conversion element.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.

本発明の光センサでは、前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第8電源から前記第8の電圧を選択的に出力した後に、前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第8電源から前記第7の電圧を選択的に出力することが好ましい。   In the optical sensor according to the aspect of the invention, the photoelectric conversion element is turned on by the control unit and the photoelectric conversion element is turned off by the control unit after selectively outputting the eighth voltage from the eighth power source. Preferably, the seventh voltage is selectively output from the eighth power source.

この発明によれば、光電変換素子をオン状態にして、光電変換素子の一端および他端と、容量の他端と、の電位を第7の電圧に基づく第7の電位とするとともに、第8電源から第8の電圧を選択的に出力して、容量の一端の電位を第8の電圧に基づく第8の電位とした。すると、容量において、一端および他端の間には、電位差が生じる。
そして、光電変換素子をオフ状態にするとともに、第8電源から第7の電圧を選択的に出力して、容量の一端の電位を第7の電位に低下させた。ここで、容量において、容量の一端の電位が変動すると、容量の他端の電位も変動して、上述の容量の一端および他端の電位差を保持しようとする。したがって、容量の他端の電位は、容量の一端の電位が低下した分だけ低下する。よって、光電変換素子の一端の電位は、容量の他端の電位が低下した分だけ低下する。
以上により、光電変換素子の一端は、光電変換素子の他端と比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子はオフ状態であるが、この光電変換素子には、上述の光電変換素子の一端および他端の電位差と、受光した光と、に基づいて、受光した光の光量に応じた電気信号が発生する。このため、光電変換素子の一端の電位は、光電変換素子の他端の電位まで、受光した光の光量に応じて変動する。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
According to this invention, the photoelectric conversion element is turned on, the potentials at one end and the other end of the photoelectric conversion element and the other end of the capacitor are set to the seventh potential based on the seventh voltage, and the eighth The eighth voltage was selectively output from the power source, and the potential at one end of the capacitor was set to the eighth potential based on the eighth voltage. Then, in the capacitor, a potential difference is generated between one end and the other end.
Then, the photoelectric conversion element was turned off, and the seventh voltage was selectively output from the eighth power source, so that the potential at one end of the capacitor was lowered to the seventh potential. Here, in the capacitor, when the potential at one end of the capacitor varies, the potential at the other end of the capacitor also varies, and the potential difference between the one end and the other end of the capacitor is to be held. Therefore, the potential at the other end of the capacitor is decreased by the amount corresponding to the decrease in the potential at one end of the capacitor. Therefore, the potential at one end of the photoelectric conversion element is lowered by the amount that the potential at the other end of the capacitor is lowered.
As described above, the potential of one end of the photoelectric conversion element is lower than that of the other end of the photoelectric conversion element. Here, although the photoelectric conversion element is in an off state, the photoelectric conversion element is in accordance with the amount of light received based on the potential difference between the one end and the other end of the photoelectric conversion element described above and the received light. An electrical signal is generated. For this reason, the potential at one end of the photoelectric conversion element varies in accordance with the amount of received light up to the potential at the other end of the photoelectric conversion element.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.

本発明の電気光学装置は、上述の光センサを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、電気光学装置に光センサを設けたので、環境光の光量に応じて階調表示できる。また、光センサを小型化したので、電気光学装置を小型化できる。
An electro-optical device according to the present invention includes the above-described optical sensor.
According to the present invention, since the optical sensor is provided in the electro-optical device, gradation display can be performed according to the amount of ambient light. In addition, since the optical sensor is downsized, the electro-optical device can be downsized.

本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、上述した効果と同様の効果がある。
An electronic apparatus according to an aspect of the invention includes the above-described electro-optical device.
According to the present invention, there are effects similar to those described above.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態および変形例の説明にあたって、同一構成要件については同一符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置のブロック図である。
電気光学装置1は、液晶パネルAAと、この液晶パネルAAを駆動する制御回路90と、液晶パネルAAに光を照射するバックライト31と、を備える。この電気光学装置1は、バックライト31からの光を利用して、透過型の表示を行う。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of embodiments and modifications, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted or simplified.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention.
The electro-optical device 1 includes a liquid crystal panel AA, a control circuit 90 that drives the liquid crystal panel AA, and a backlight 31 that irradiates light to the liquid crystal panel AA. The electro-optical device 1 uses the light from the backlight 31 to perform transmissive display.

液晶パネルAAは、複数の画素50を有する表示領域Aと、この表示領域Aの周辺に設けられて画素50を駆動する走査線駆動回路11およびデータ線駆動回路21と、光センサ60と、を備える。   The liquid crystal panel AA includes a display area A having a plurality of pixels 50, a scanning line driving circuit 11 and a data line driving circuit 21 that are provided around the display area A and drive the pixels 50, and an optical sensor 60. Prepare.

バックライト31は、液晶パネルAAの裏面に設けられ、例えば、冷陰極蛍光管(CCFL)やLED(発光ダイオード)、あるいはエレクトロルミネッセンス(EL)で構成されて、液晶パネルAAの画素50に光を供給する。   The backlight 31 is provided on the back surface of the liquid crystal panel AA, and is composed of, for example, a cold cathode fluorescent tube (CCFL), an LED (light emitting diode), or electroluminescence (EL), and transmits light to the pixels 50 of the liquid crystal panel AA. Supply.

制御回路90は、液晶パネルAAに電源を供給する電源回路91と、走査線駆動回路11、データ線駆動回路21、および光センサ60を制御するパネル制御信号を出力するパネル制御回路92と、バックライト31を制御するバックライト制御信号を出力するバックライト制御回路93と、を備える。   The control circuit 90 includes a power supply circuit 91 that supplies power to the liquid crystal panel AA, a panel control circuit 92 that outputs a panel control signal for controlling the scanning line driving circuit 11, the data line driving circuit 21, and the optical sensor 60, and a back surface. And a backlight control circuit 93 that outputs a backlight control signal for controlling the light 31.

電源回路91は、走査線駆動回路11、データ線駆動回路21、および光センサ60などを駆動するのに必要な駆動電源を液晶パネルAAに供給する。この電源回路91は、第3の電圧としての電圧VDDを出力する第3電源911(図2参照)と、電圧VDDまたは電圧VDDより電位の低い第4の電圧としての電圧VSSのいずれかを選択的に出力する第4電源912(図2参照)と、を備える。   The power supply circuit 91 supplies driving power necessary for driving the scanning line driving circuit 11, the data line driving circuit 21, the optical sensor 60, and the like to the liquid crystal panel AA. The power supply circuit 91 selects either the third power supply 911 (see FIG. 2) that outputs the voltage VDD as the third voltage and the voltage VSS as the fourth voltage that is lower than the voltage VDD or the voltage VDD. And a fourth power source 912 (see FIG. 2) for outputting the power.

パネル制御回路92は、走査線駆動回路11に対して、複数の走査線Yを順次選択走査させる制御信号を供給し、データ線駆動回路21に対して、走査線駆動回路11の動作に同期して、上位装置(図示省略)から供給される表示画像データに基づいた画像信号を供給する。このパネル制御回路92は、後述する光電変換素子61(図2参照)のオン、オフを制御する制御信号SIGを出力する制御部(図示省略)を備える。   The panel control circuit 92 supplies a control signal for sequentially selecting and scanning the plurality of scanning lines Y to the scanning line driving circuit 11, and synchronizes the operation of the scanning line driving circuit 11 to the data line driving circuit 21. Thus, an image signal based on display image data supplied from a host device (not shown) is supplied. The panel control circuit 92 includes a control unit (not shown) that outputs a control signal SIG for controlling on / off of a photoelectric conversion element 61 (see FIG. 2) described later.

バックライト制御回路93は、光センサ60から出力される光検知信号Voutに基づいて、バックライト31の光量を制御するバックライト制御信号をバックライト31に供給する。   The backlight control circuit 93 supplies a backlight control signal for controlling the light amount of the backlight 31 to the backlight 31 based on the light detection signal Vout output from the optical sensor 60.

以下、液晶パネルAAの構成について詳述する。
液晶パネルAAは、320行の走査線Y1〜Y320と、これら走査線Y1〜Y320に交差するように設けられた240列のデータ線X1〜X240と、を備え、各走査線Yおよび各データ線Xの交差部分には、画素50が設けられている。また、走査線Yに略平行に、共通線30が設けられている。
Hereinafter, the configuration of the liquid crystal panel AA will be described in detail.
The liquid crystal panel AA includes 320 rows of scanning lines Y1 to Y320, and 240 columns of data lines X1 to X240 provided so as to intersect the scanning lines Y1 to Y320, and each scanning line Y and each data line. Pixels 50 are provided at the intersections of X. A common line 30 is provided substantially parallel to the scanning line Y.

画素50は、TFT51、画素電極55、この画素電極55に対向する共通電極56、および、一端が画素電極55に接続され他端が共通線30に接続された蓄積容量53で構成される。画素電極55および共通電極56は、電気光学材料としての誘電体である液晶(図示せず)を挟持し、画素容量を構成する。   The pixel 50 includes a TFT 51, a pixel electrode 55, a common electrode 56 facing the pixel electrode 55, and a storage capacitor 53 having one end connected to the pixel electrode 55 and the other end connected to the common line 30. The pixel electrode 55 and the common electrode 56 sandwich a liquid crystal (not shown) that is a dielectric as an electro-optic material, and constitute a pixel capacitor.

TFT51のゲートには、走査線Yが接続され、TFT51のソースには、データ線Xが接続され、TFT51のドレインには、画素電極55および蓄積容量53が接続されている。したがって、このTFT51は、走査線Yから選択電圧が印加されるとオン状態となり、データ線Xと画素電極55および蓄積容量53とを導通状態とする。   The scanning line Y is connected to the gate of the TFT 51, the data line X is connected to the source of the TFT 51, and the pixel electrode 55 and the storage capacitor 53 are connected to the drain of the TFT 51. Therefore, the TFT 51 is turned on when a selection voltage is applied from the scanning line Y, and the data line X, the pixel electrode 55, and the storage capacitor 53 are brought into conduction.

走査線駆動回路11は、TFT51をオン状態にする選択電圧を複数の走査線Yに順次供給する。例えば、ある走査線Yに選択電圧を供給すると、この走査線Yに接続されたTFT51が全てオン状態となり、この走査線Yに係る画素50が全て選択される。   The scanning line driving circuit 11 sequentially supplies a selection voltage for turning on the TFT 51 to the plurality of scanning lines Y. For example, when a selection voltage is supplied to a certain scanning line Y, all the TFTs 51 connected to the scanning line Y are turned on, and all the pixels 50 related to the scanning line Y are selected.

データ線駆動回路21は、画像信号を各データ線Xに供給し、オン状態のTFT51を介して、この画像信号に基づく画像電圧を画素電極55に書き込む。
ここで、データ線駆動回路21は、共通電極56の電圧を基準として、1フレーム期間ごとに、データ線Xに供給する画像信号の極性を反転させる。具体的には、例えば、ある1フレーム期間では、データ線Xに正極性の画像信号を供給し、次の1フレーム期間では、データ線Xに負極性の画像信号を供給する。
The data line driving circuit 21 supplies an image signal to each data line X, and writes an image voltage based on the image signal to the pixel electrode 55 via the TFT 51 in the on state.
Here, the data line driving circuit 21 inverts the polarity of the image signal supplied to the data line X every frame period with the voltage of the common electrode 56 as a reference. Specifically, for example, a positive image signal is supplied to the data line X in one frame period, and a negative image signal is supplied to the data line X in the next one frame period.

以上の電気光学装置1は、以下のように動作する。
すなわち、走査線駆動回路11から320行の走査線Y1〜Y320に選択電圧を順次供給することで、各走査線Yに係る全てのTFT51を順次オン状態にして、各走査線Yに係る全ての画素50を順次選択する。そして、これら画素50の選択に同期して、データ線駆動回路21からデータ線Xに画像信号を供給する。すると、走査線駆動回路11で選択した全ての画素50に、データ線駆動回路21からデータ線Xおよびオン状態のTFT51を介して画像信号が供給されて、この画像信号に基づく画像電圧が画素電極55に書き込まれる。これにより、画素電極55と共通電極56との間に電位差が生じて、画像電圧が液晶に印加される。
The above electro-optical device 1 operates as follows.
That is, by sequentially supplying a selection voltage from the scanning line driving circuit 11 to the scanning lines Y1 to Y320 in 320 rows, all the TFTs 51 related to the scanning lines Y are sequentially turned on, and all the scanning lines Y are related to each other. Pixels 50 are selected sequentially. In synchronization with the selection of the pixels 50, an image signal is supplied from the data line driving circuit 21 to the data line X. Then, an image signal is supplied to all the pixels 50 selected by the scanning line driving circuit 11 from the data line driving circuit 21 via the data line X and the on-state TFT 51, and an image voltage based on this image signal is applied to the pixel electrode. 55 is written. As a result, a potential difference is generated between the pixel electrode 55 and the common electrode 56, and an image voltage is applied to the liquid crystal.

液晶に画像電圧が印加されると、液晶の配向が変化し、液晶を透過するバックライト31からの光が変化して、階調表示が行われる。   When an image voltage is applied to the liquid crystal, the alignment of the liquid crystal changes, and the light from the backlight 31 that transmits the liquid crystal changes, so that gradation display is performed.

図2は、光センサ60の回路図である。
光センサ60は、光電変換素子61と、容量62と、を備える。光電変換素子61は、TFTで構成される。
FIG. 2 is a circuit diagram of the optical sensor 60.
The optical sensor 60 includes a photoelectric conversion element 61 and a capacitor 62. The photoelectric conversion element 61 is composed of a TFT.

光電変換素子61は、受光した光を電流に変換する。光電変換素子61のゲートには、パネル制御回路92が接続され、光電変換素子61のソースには、第4電源912が接続され、光電変換素子61のドレインには、端子Pが接続されている。   The photoelectric conversion element 61 converts the received light into a current. A panel control circuit 92 is connected to the gate of the photoelectric conversion element 61, a fourth power source 912 is connected to the source of the photoelectric conversion element 61, and a terminal P is connected to the drain of the photoelectric conversion element 61. .

容量62は、第1電極621と、この第1電極621に対向して設けられた第2電極622と、を備える。容量62の第1電極621には、第3電源911が接続され、容量62の第2電極622には、端子Pが接続されている。   The capacitor 62 includes a first electrode 621 and a second electrode 622 provided to face the first electrode 621. A third power source 911 is connected to the first electrode 621 of the capacitor 62, and a terminal P is connected to the second electrode 622 of the capacitor 62.

図3は、光センサ60のタイミングチャートである。
ここで、図3において、V4は、第4電源912から出力される電圧とする。
FIG. 3 is a timing chart of the optical sensor 60.
Here, in FIG. 3, V4 is a voltage output from the fourth power supply 912.

まず、時刻t1において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61をオン状態とするとともに、第4電源912から電圧V4として電圧VDDを選択的に出力する。   First, at time t1, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the photoelectric conversion element 61 is turned on, and the voltage VDD is selectively output as the voltage V4 from the fourth power supply 912.

すると、容量62の第1電極621は、第3電源911に接続されているので、電位VDDであり、容量62の第2電極622は、オン状態の光電変換素子61を介して第4電源912と導通状態となっているので、電位VDDとなる。
また、光電変換素子61のソースは、第4電源912に接続されているので、電位VDDとなり、光電変換素子61のドレインは、オン状態の光電変換素子61を介して第4電源912と導通状態となっているので、電位VDDとなる。よって、光電変換素子61のドレインに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
Then, since the first electrode 621 of the capacitor 62 is connected to the third power source 911, the potential is VDD, and the second electrode 622 of the capacitor 62 is connected to the fourth power source 912 via the photoelectric conversion element 61 in the on state. And is in a conductive state, and thus becomes the potential VDD.
In addition, since the source of the photoelectric conversion element 61 is connected to the fourth power supply 912, the potential becomes VDD, and the drain of the photoelectric conversion element 61 is in conduction with the fourth power supply 912 through the photoelectric conversion element 61 in the on state. Therefore, the potential is VDD. Therefore, the light detection signal Vout output from the terminal P connected to the drain of the photoelectric conversion element 61 becomes the potential VDD.

次に、時刻t2において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして光電変換素子61をオフ状態とするとともに、第4電源912から電圧V4として電圧VSSを選択的に出力する。   Next, at time t2, the switching control signal SIG is set to the potential VL, the photoelectric conversion element 61 is turned off, and the voltage VSS is selectively output as the voltage V4 from the fourth power supply 912.

すると、容量62の第1電極621は、第3電源911に接続されているので、電位VDDを保持し、容量62の第2電極622は、オフ状態の光電変換素子61を介して第4電源912と非導通状態となっているので、電位VDDを保持する。
また、光電変換素子61のソースは、第4電源912に接続されているので、電位VSSに低下し、光電変換素子61のドレインは、オフ状態の光電変換素子61を介して第4電源912と非導通状態となっているので、容量62の第2電極622と同電位である電位VDDを保持する。よって、光検知信号Voutは、電位VDDを保持する。
Then, since the first electrode 621 of the capacitor 62 is connected to the third power supply 911, the potential VDD is held, and the second electrode 622 of the capacitor 62 is connected to the fourth power supply via the photoelectric conversion element 61 in the off state. Since it is in a non-conductive state with 912, the potential VDD is held.
In addition, since the source of the photoelectric conversion element 61 is connected to the fourth power supply 912, the potential is lowered to the potential VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 61 is connected to the fourth power supply 912 via the photoelectric conversion element 61 in the off state. Since it is in a non-conduction state, the potential VDD which is the same potential as the second electrode 622 of the capacitor 62 is held. Therefore, the light detection signal Vout holds the potential VDD.

以上のように、時刻t2では、光電変換素子61のソースは、電位VSSであり、光電変換素子61のドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子61のソースは、光電変換素子61のドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子61はオフ状態であるが、この光電変換素子61には、上述の光電変換素子61のソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61のドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子61のソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて低下する。よって、光検知信号Voutの電位は、受光した環境光の光量に応じて低下して、時刻t3において基準電位Vrefと同電位となる。   As described above, at time t2, the source of the photoelectric conversion element 61 is the potential VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 61 is the potential VDD. That is, the potential of the source of the photoelectric conversion element 61 is lower than that of the drain of the photoelectric conversion element 61. Here, although the photoelectric conversion element 61 is in an OFF state, the photoelectric conversion element 61 receives received ambient light based on the above-described potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 61 and the received ambient light. A current corresponding to the amount of light flows from the drain toward the source. For this reason, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61 decreases from the potential VDD to the potential VSS of the source of the photoelectric conversion element 61 according to the amount of received ambient light. Therefore, the potential of the light detection signal Vout decreases according to the amount of received ambient light, and becomes the same potential as the reference potential Vref at time t3.

次に、時刻t4において、時刻t1と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61をオン状態とするとともに、第4電源912から電圧V4として電圧VDDを選択的に出力する。   Next, at time t4, similarly to time t1, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the photoelectric conversion element 61 is turned on, and the voltage VDD is selectively output from the fourth power supply 912 as the voltage V4.

すると、時刻t1と同様に、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。   Then, like the time t1, the light detection signal Vout becomes the potential VDD.

上述のバックライト制御回路93は、光検知信号Voutの電位がVDDからVrefに低下するまでの時間、すなわち時刻t2からt3までの時間を計測する。そして、時刻t2からt3までの時間が所定の時間よりも短ければ、環境光の光量が多いと判定し、バックライト31の光量を所定の光量よりも多くする。一方、時刻t2からt3までの時間が所定の時間よりも長ければ、環境光の光量が少ないと判定し、バックライト31の光量を所定の光量よりも少なくする。   The backlight control circuit 93 described above measures the time until the potential of the light detection signal Vout decreases from VDD to Vref, that is, the time from time t2 to time t3. If the time from time t2 to t3 is shorter than the predetermined time, it is determined that the amount of ambient light is large, and the amount of light of the backlight 31 is made larger than the predetermined amount. On the other hand, if the time from time t2 to t3 is longer than the predetermined time, it is determined that the light amount of the ambient light is small, and the light amount of the backlight 31 is made smaller than the predetermined light amount.

本実施形態によれば、以下のような効果がある。
(1)まず、光電変換素子61をオン状態にするとともに、第4電源912から電圧VDDを選択的に出力して、光電変換素子61のソースおよびドレインの電位を同電位のVDDとした。次に、光電変換素子61をオフ状態にするとともに、第4電源912から電圧VSSを選択的に出力して、光電変換素子61のソースの電位をVSSに低下させた。
以上により、光電変換素子61のソースは、光電変換素子61のドレインと比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子61はオフ状態であるが、この光電変換素子61には、上述の光電変換素子61のソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61のドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子61のソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて低下する。
そこで、バックライト制御回路93により、光電変換素子61のドレインの電位がVDDからVrefに低下するまでの時間を計測したので、この計測した時間により、環境光の光量を検出できる。
According to this embodiment, there are the following effects.
(1) First, the photoelectric conversion element 61 was turned on, and the voltage VDD was selectively output from the fourth power source 912, so that the source and drain potentials of the photoelectric conversion element 61 were set to the same potential VDD. Next, the photoelectric conversion element 61 was turned off, and the voltage VSS was selectively output from the fourth power supply 912 to reduce the source potential of the photoelectric conversion element 61 to VSS.
As described above, the source of the photoelectric conversion element 61 has a lower potential than the drain of the photoelectric conversion element 61. Here, although the photoelectric conversion element 61 is in an OFF state, the photoelectric conversion element 61 receives received ambient light based on the above-described potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 61 and the received ambient light. A current corresponding to the amount of light flows from the drain toward the source. For this reason, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61 decreases from the potential VDD to the potential VSS of the source of the photoelectric conversion element 61 according to the amount of received ambient light.
Therefore, the backlight control circuit 93 measures the time until the drain potential of the photoelectric conversion element 61 decreases from VDD to Vref, and the amount of ambient light can be detected based on the measured time.

(2)TFTは、光電変換素子61の1つなので、他のTFTで発生した電気信号により光電変換素子61のドレインの電位が変動する、ということが無くなり、環境光の光量を検知する際に誤差が生じるのを抑制できる。   (2) Since the TFT is one of the photoelectric conversion elements 61, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61 does not fluctuate due to an electric signal generated by another TFT, and the amount of ambient light is detected. It is possible to suppress the occurrence of errors.

(3)光電変換素子61に、受光した環境光を電流に変換させるとともに、オン、オフさせた。よって、受光した環境光を電流に変換するTFTと、オン、オフするTFTと、の2つのTFTを設けた場合と比べて、TFTが1つ少ないので、光センサ60を小型化できる。   (3) The photoelectric conversion element 61 converts the received ambient light into a current and turns it on and off. Therefore, since the number of TFTs is one less than when two TFTs, a TFT that converts received ambient light into current and a TFT that turns on and off, are provided, the photosensor 60 can be downsized.

(4)電気光学装置1に設けた光センサ60を小型化したので、電気光学装置1を小型化できる。   (4) Since the optical sensor 60 provided in the electro-optical device 1 is downsized, the electro-optical device 1 can be downsized.

(5)電気光学装置1に光センサ60を設け、バックライト制御回路93により、環境光の光量に応じて、バックライト31の光量を制御したので、電気光学装置1における表示の視認性を向上できる。   (5) Since the light sensor 60 is provided in the electro-optical device 1 and the light amount of the backlight 31 is controlled by the backlight control circuit 93 according to the light amount of the ambient light, the visibility of the display in the electro-optical device 1 is improved. it can.

<第2実施形態>
図4は、本発明の第2実施形態に係る光センサ60Aの回路図である。
光センサ60Aは、光電変換素子61Aと、容量62Aと、を備える。光電変換素子61Aは、TFTで構成される。
Second Embodiment
FIG. 4 is a circuit diagram of an optical sensor 60A according to the second embodiment of the present invention.
The optical sensor 60A includes a photoelectric conversion element 61A and a capacitor 62A. The photoelectric conversion element 61A is composed of a TFT.

ここで、電源回路91は、図2の第3電源911および第4電源912に代えて、第5電源913および第6電源914を備える。第5電源913は、第5の電圧としての電圧VSSを出力し、第6電源914は、電圧VSSまたは電圧VSSより電位の高い第6の電圧としての電圧VDDのいずれかを選択的に出力する。   Here, the power supply circuit 91 includes a fifth power supply 913 and a sixth power supply 914 instead of the third power supply 911 and the fourth power supply 912 in FIG. The fifth power supply 913 outputs the voltage VSS as the fifth voltage, and the sixth power supply 914 selectively outputs either the voltage VSS or the voltage VDD as the sixth voltage having a higher potential than the voltage VSS. .

光電変換素子61Aは、受光した光を電流に変換する。光電変換素子61Aのゲートには、パネル制御回路92が接続され、光電変換素子61Aのソースには、端子Pが接続され、光電変換素子61Aのドレインには、第6電源914が接続されている。   The photoelectric conversion element 61A converts the received light into a current. A panel control circuit 92 is connected to the gate of the photoelectric conversion element 61A, a terminal P is connected to the source of the photoelectric conversion element 61A, and a sixth power source 914 is connected to the drain of the photoelectric conversion element 61A. .

容量62Aは、第1電極621Aと、この第1電極621Aに対向して設けられた第2電極622Aと、を備える。容量62Aの第1電極621Aには、第5電源913が接続され、容量62Aの第2電極622Aには、端子Pが接続されている。   The capacitor 62A includes a first electrode 621A and a second electrode 622A provided to face the first electrode 621A. A fifth power source 913 is connected to the first electrode 621A of the capacitor 62A, and a terminal P is connected to the second electrode 622A of the capacitor 62A.

図5は、光センサ60Aのタイミングチャートである。
ここで、図5において、V6は、第6電源914から出力される電圧とする。
FIG. 5 is a timing chart of the optical sensor 60A.
Here, in FIG. 5, V6 is a voltage output from the sixth power source 914.

まず、時刻t11において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Aをオン状態とするとともに、第6電源914から電圧V6として電圧VSSを選択的に出力する。   First, at time t11, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the photoelectric conversion element 61A is turned on, and the voltage VSS is selectively output from the sixth power source 914 as the voltage V6.

すると、容量62Aの第1電極621Aは、第5電源913に接続されているので、電位VSSであり、容量62Aの第2電極622Aは、オン状態の光電変換素子61Aを介して第6電源914と導通状態となっているので、電位VSSとなる。
また、光電変換素子61Aのソースは、オン状態の光電変換素子61Aを介して第6電源914と導通状態となっているので、電位VSSとなり、光電変換素子61Aのドレインは、第6電源914に接続されているので、電位VSSとなる。よって、光電変換素子61Aのソースに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VSSとなる。
Then, since the first electrode 621A of the capacitor 62A is connected to the fifth power source 913, it is at the potential VSS, and the second electrode 622A of the capacitor 62A is connected to the sixth power source 914 via the photoelectric conversion element 61A in the on state. And is in a conductive state, and thus becomes the potential VSS.
Further, since the source of the photoelectric conversion element 61A is in conduction with the sixth power source 914 through the photoelectric conversion element 61A in the on state, the potential becomes VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 61A is connected to the sixth power source 914. Since it is connected, it becomes the potential VSS. Therefore, the light detection signal Vout output from the terminal P connected to the source of the photoelectric conversion element 61A becomes the potential VSS.

次に、時刻t12において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして光電変換素子61Aをオフ状態とするとともに、第6電源914から電圧V6として電圧VDDを選択的に出力する。   Next, at time t12, the switching control signal SIG is set to the potential VL, the photoelectric conversion element 61A is turned off, and the voltage VDD is selectively output as the voltage V6 from the sixth power source 914.

すると、容量62Aの第1電極621Aは、第5電源913に接続されているので、電位VSSを保持し、容量62Aの第2電極622Aは、オフ状態の光電変換素子61Aを介して第6電源914と非導通状態となっているので、電位VSSを保持する。
また、光電変換素子61Aのソースは、オフ状態の光電変換素子61Aを介して第6電源914と非導通状態となっているので、容量62Aの第2電極622Aと同電位である電位VSSを保持し、光電変換素子61Aのドレインは、第6電源914に接続されているので、VDDに上昇する。よって、光検知信号Voutは、電位VSSを保持する。
Then, since the first electrode 621A of the capacitor 62A is connected to the fifth power supply 913, the potential VSS is maintained, and the second electrode 622A of the capacitor 62A is connected to the sixth power supply via the photoelectric conversion element 61A in the off state. Since it is in a non-conductive state with 914, the potential VSS is held.
Further, since the source of the photoelectric conversion element 61A is in a non-conduction state with the sixth power source 914 via the photoelectric conversion element 61A in the off state, the potential VSS which is the same potential as the second electrode 622A of the capacitor 62A is held. The drain of the photoelectric conversion element 61A is connected to the sixth power source 914, and thus rises to VDD. Therefore, the light detection signal Vout holds the potential VSS.

以上のように、時刻t12では、光電変換素子61Aのソースは、電位VSSであり、光電変換素子61Aのドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子61Aのソースは、光電変換素子61Aのドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子61Aはオフ状態であるが、この光電変換素子61Aには、上述の光電変換素子61Aのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61Aのソースの電位は、電位VSSから光電変換素子61Aのドレインの電位VDDまで、受光した環境光の光量に応じて上昇する。よって、光検知信号Voutの電位は、受光した環境光の光量に応じて上昇して、時刻t13において基準電位Vrefと同電位となる。   As described above, at the time t12, the source of the photoelectric conversion element 61A is the potential VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 61A is the potential VDD. That is, the potential of the source of the photoelectric conversion element 61A is lower than that of the drain of the photoelectric conversion element 61A. Here, although the photoelectric conversion element 61A is in an off state, the photoelectric conversion element 61A receives the ambient light received based on the potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 61A and the received ambient light. A current corresponding to the amount of light flows from the drain toward the source. For this reason, the potential of the source of the photoelectric conversion element 61A rises from the potential VSS to the potential VDD of the drain of the photoelectric conversion element 61A according to the amount of received ambient light. Therefore, the potential of the light detection signal Vout increases according to the amount of received ambient light, and becomes the same potential as the reference potential Vref at time t13.

次に、時刻t14において、時刻t11と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Aをオン状態とするとともに、第6電源914から電圧V6として電圧VSSを選択的に出力する。   Next, at time t14, similarly to time t11, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the photoelectric conversion element 61A is turned on, and the voltage VSS is selectively output from the sixth power supply 914 as the voltage V6.

すると、時刻t11と同様に、光検知信号Voutは、電位VSSとなる。   Then, as at time t11, the light detection signal Vout becomes the potential VSS.

本実施形態によれば、以下のような効果がある。
(6)まず、光電変換素子61Aをオン状態にするとともに、第6電源914から電圧VSSを選択的に出力して、光電変換素子61Aのソースおよびドレインの電位を同電位のVSSとした。次に、光電変換素子61Aをオフ状態にするとともに、第6電源914から電圧VDDを選択的に出力して、光電変換素子61Aのドレインの電位をVDDに上昇させた。
以上により、光電変換素子61Aのソースは、光電変換素子61Aのドレインと比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子61Aはオフ状態であるが、この光電変換素子61Aには、上述の光電変換素子61Aのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61Aのソースの電位は、電位VSSから光電変換素子61Aのドレインの電位VDDまで、受光した環境光の光量に応じて上昇する。
そこで、バックライト制御回路93により、光電変換素子61Aのソースの電位がVSSからVrefに上昇するまでの時間を計測したので、この計測した時間により、環境光の光量を検出できる。
According to this embodiment, there are the following effects.
(6) First, the photoelectric conversion element 61A was turned on, and the voltage VSS was selectively output from the sixth power source 914, so that the potential of the source and drain of the photoelectric conversion element 61A was set to VSS of the same potential. Next, the photoelectric conversion element 61A was turned off, and the voltage VDD was selectively output from the sixth power source 914 to increase the drain potential of the photoelectric conversion element 61A to VDD.
As described above, the potential of the source of the photoelectric conversion element 61A is lower than that of the drain of the photoelectric conversion element 61A. Here, although the photoelectric conversion element 61A is in an off state, the photoelectric conversion element 61A receives the ambient light received based on the potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 61A and the received ambient light. A current corresponding to the amount of light flows from the drain toward the source. For this reason, the potential of the source of the photoelectric conversion element 61A rises from the potential VSS to the potential VDD of the drain of the photoelectric conversion element 61A according to the amount of received ambient light.
Therefore, since the backlight control circuit 93 measures the time until the potential of the source of the photoelectric conversion element 61A rises from VSS to Vref, the amount of ambient light can be detected based on the measured time.

<第3実施形態>
図6は、本発明の第3実施形態に係る光センサ60Bの回路図である。
光センサ60Bは、光電変換素子61Bと、容量62Bと、を備える。光電変換素子61Bは、TFTで構成される。
<Third Embodiment>
FIG. 6 is a circuit diagram of an optical sensor 60B according to the third embodiment of the present invention.
The optical sensor 60B includes a photoelectric conversion element 61B and a capacitor 62B. The photoelectric conversion element 61B is configured by a TFT.

ここで、電源回路91は、図2の第3電源911および第4電源912に代えて、第7電源915および第8電源916を備える。第7電源915は、第7の電圧としての電圧VSSを出力し、第8電源916は、電圧VSSまたは電圧VSSより電位の高い第8の電圧としての電圧VDDのいずれかを選択的に出力する。   Here, the power supply circuit 91 includes a seventh power supply 915 and an eighth power supply 916 instead of the third power supply 911 and the fourth power supply 912 in FIG. The seventh power supply 915 outputs the voltage VSS as the seventh voltage, and the eighth power supply 916 selectively outputs either the voltage VSS or the voltage VDD as the eighth voltage having a higher potential than the voltage VSS. .

光電変換素子61Bは、受光した光を電流に変換する。光電変換素子61Bのゲートには、パネル制御回路92が接続され、光電変換素子61Bのソースには、第7電源915が接続され、光電変換素子61Bのドレインには、端子Pが接続されている。   The photoelectric conversion element 61B converts the received light into a current. A panel control circuit 92 is connected to the gate of the photoelectric conversion element 61B, a seventh power source 915 is connected to the source of the photoelectric conversion element 61B, and a terminal P is connected to the drain of the photoelectric conversion element 61B. .

容量62Bは、第1電極621Bと、この第1電極621Bに対向して設けられた第2電極622Bと、を備える。容量62Bの第1電極621Bには、第8電源916が接続され、容量62Bの第2電極622Bには、端子Pが接続されている。   The capacitor 62B includes a first electrode 621B and a second electrode 622B provided to face the first electrode 621B. An eighth power source 916 is connected to the first electrode 621B of the capacitor 62B, and a terminal P is connected to the second electrode 622B of the capacitor 62B.

図7は、光センサ60Bのタイミングチャートである。
ここで、図7において、V8は、第8電源916から出力される電圧とする。
FIG. 7 is a timing chart of the optical sensor 60B.
Here, in FIG. 7, V8 is a voltage output from the eighth power supply 916.

まず、時刻t21において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Bをオン状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VSSを選択的に出力する。   First, at time t21, the switching control signal SIG is set to the potential VH to turn on the photoelectric conversion element 61B, and the voltage VSS is selectively output from the eighth power source 916 as the voltage V8.

すると、容量62Bの第1電極621Bは、第8電源916に接続されているので、電位VSSとなり、容量62Bの第2電極622Bは、オン状態の光電変換素子61Bを介して第7電源915と導通状態となっているので、電位VSSとなる。よって、容量62Bにおいて、第1電極621Bおよび第2電極622Bの間の電位差は、“0”となる。
また、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSであり、光電変換素子61Bのドレインは、オン状態の光電変換素子61Bを介して第7電源915と導通状態となっているので、電位VSSとなる。よって、光電変換素子61Bのドレインに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VSSとなる。
Then, since the first electrode 621B of the capacitor 62B is connected to the eighth power source 916, it becomes the potential VSS, and the second electrode 622B of the capacitor 62B is connected to the seventh power source 915 via the photoelectric conversion element 61B in the on state. Since it is in a conductive state, it becomes the potential VSS. Therefore, in the capacitor 62B, the potential difference between the first electrode 621B and the second electrode 622B is “0”.
In addition, since the source of the photoelectric conversion element 61B is connected to the seventh power source 915, it is at the potential VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 61B is electrically connected to the seventh power source 915 via the on-state photoelectric conversion element 61B. Since it is in a state, it becomes the potential VSS. Therefore, the light detection signal Vout output from the terminal P connected to the drain of the photoelectric conversion element 61B becomes the potential VSS.

次に、時刻t22において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして光電変換素子61Bをオフ状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VDDを選択的に出力する。   Next, at time t22, the switching control signal SIG is set to the potential VL to turn off the photoelectric conversion element 61B, and the eighth power supply 916 selectively outputs the voltage VDD as the voltage V8.

すると、容量62Bの第1電極621Bは、第8電源916に接続されているので、電位VDDに上昇する。ここで、容量62Bにおいて、第1電極621Bの電位が変動すると、第2電極622Bの電位も変動して、第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差“0”を保持しようとする。このため、容量62Bの第2電極622Bの電位は、VDDに上昇する。したがって、光電変換素子61Bのドレインは、容量62Bの第2電極622Bに接続されているので、電位がVDDに上昇する。よって、光検知信号Voutは、電位VDDとなる。
また、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSを保持する。
Then, since the first electrode 621B of the capacitor 62B is connected to the eighth power source 916, it rises to the potential VDD. Here, in the capacitor 62B, when the potential of the first electrode 621B varies, the potential of the second electrode 622B also varies to try to maintain the potential difference “0” between the first electrode 621B and the second electrode 622B. For this reason, the potential of the second electrode 622B of the capacitor 62B rises to VDD. Accordingly, since the drain of the photoelectric conversion element 61B is connected to the second electrode 622B of the capacitor 62B, the potential rises to VDD. Therefore, the light detection signal Vout becomes the potential VDD.
Further, since the source of the photoelectric conversion element 61B is connected to the seventh power source 915, the potential VSS is held.

以上のように、時刻t22では、光電変換素子61Bのソースは、電位VSSであり、光電変換素子61Bのドレインは、電位VDDである。すなわち、光電変換素子61Bのソースは、光電変換素子61Bのドレインと比べて、電位が低い。ここで、光電変換素子61Bはオフ状態であるが、この光電変換素子61Bには、上述の光電変換素子61Bのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61Bのドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子61Bのソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて低下する。よって、光検知信号Voutの電位は、受光した環境光の光量に応じて低下して、時刻t23において基準電位Vrefと同電位となる。   As described above, at the time t22, the source of the photoelectric conversion element 61B is the potential VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 61B is the potential VDD. That is, the potential of the source of the photoelectric conversion element 61B is lower than that of the drain of the photoelectric conversion element 61B. Here, although the photoelectric conversion element 61B is in an off state, the photoelectric conversion element 61B has received ambient light based on the potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 61B and the received ambient light. A current corresponding to the amount of light flows from the drain toward the source. For this reason, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61B decreases from the potential VDD to the potential VSS of the source of the photoelectric conversion element 61B according to the amount of received ambient light. Therefore, the potential of the light detection signal Vout decreases according to the amount of received ambient light, and becomes the same potential as the reference potential Vref at time t23.

次に、時刻t24において、時刻t21と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Bをオン状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VSSを選択的に出力する。   Next, at time t24, similarly to time t21, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the photoelectric conversion element 61B is turned on, and the voltage VSS is selectively output from the eighth power source 916 as the voltage V8.

すると、時刻t21と同様に、光検知信号Voutは、電位VSSとなる。   Then, as at time t21, the light detection signal Vout becomes the potential VSS.

本実施形態によれば、以下のような効果がある。
(7)まず、光電変換素子61Bをオン状態にするとともに、第8電源916から電圧VSSを選択的に出力して、容量62Bの第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差を“0”とした。次に、光電変換素子61Bをオフ状態にするとともに、第8電源916から電圧VDDを選択的に出力して、容量62Bの第1電極621Bの電位をVDDに上昇させた。ここで、容量62Bにおいて、容量62Bの第1電極621Bの電位が変動すると、容量62Bの第2電極622Bの電位も変動して、容量62Bの第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差“0”を保持しようとする。したがって、容量62Bの第2電極622Bの電位は、容量62Bの第1電極621Bの電位が上昇した分、すなわち電位差(VDD−VSS)だけ上昇して、電位VDDとなる。よって、光電変換素子61Bのドレインの電位は、容量62Bの第2電極622Bの電位が上昇した分、すなわち電位差(VDD−VSS)だけ上昇して、電位VDDとなる。一方、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSである。
以上により、光電変換素子61Bのソースは、光電変換素子61Bのドレインと比べて、電位が低くなる。ここで、光電変換素子61Bはオフ状態であるが、この光電変換素子61Bには、上述の光電変換素子61Bのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がドレインからソースに向かって流れる。このため、光電変換素子61Bのドレインの電位は、電位VDDから光電変換素子61Bのソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて低下する。
そこで、バックライト制御回路93により、光電変換素子61Bのドレインの電位がVDDからVrefに低下するまでの時間を計測したので、この計測した時間により、環境光の光量を検出できる。
According to this embodiment, there are the following effects.
(7) First, the photoelectric conversion element 61B is turned on, and the voltage VSS is selectively output from the eighth power source 916, so that the potential difference between the first electrode 621B and the second electrode 622B of the capacitor 62B is “0”. did. Next, the photoelectric conversion element 61B was turned off, and the voltage VDD was selectively output from the eighth power source 916 to raise the potential of the first electrode 621B of the capacitor 62B to VDD. Here, in the capacitor 62B, when the potential of the first electrode 621B of the capacitor 62B varies, the potential of the second electrode 622B of the capacitor 62B also varies, and the potential difference “0” between the first electrode 621B and the second electrode 622B of the capacitor 62B. Try to hold. Therefore, the potential of the second electrode 622B of the capacitor 62B is increased by the potential of the first electrode 621B of the capacitor 62B, that is, the potential difference (VDD−VSS), and becomes the potential VDD. Therefore, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61B increases to the potential VDD by increasing the potential of the second electrode 622B of the capacitor 62B, that is, by the potential difference (VDD−VSS). On the other hand, since the source of the photoelectric conversion element 61B is connected to the seventh power source 915, it is at the potential VSS.
As described above, the potential of the source of the photoelectric conversion element 61B is lower than that of the drain of the photoelectric conversion element 61B. Here, although the photoelectric conversion element 61B is in an off state, the photoelectric conversion element 61B has received ambient light based on the potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 61B and the received ambient light. A current corresponding to the amount of light flows from the drain toward the source. For this reason, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61B decreases from the potential VDD to the potential VSS of the source of the photoelectric conversion element 61B according to the amount of received ambient light.
Therefore, the backlight control circuit 93 measures the time until the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61B decreases from VDD to Vref, and the amount of ambient light can be detected based on the measured time.

<第4実施形態>
図8は、本発明の第4実施形態に係る光センサ60Bのタイミングチャートである。
図8のタイミングチャートでは、図6の光センサ60Bについて、図7のタイミングチャートとは異なる動作を示す。
<Fourth embodiment>
FIG. 8 is a timing chart of the optical sensor 60B according to the fourth embodiment of the present invention.
In the timing chart of FIG. 8, the operation of the optical sensor 60B of FIG. 6 is different from that of the timing chart of FIG.

まず、時刻t31において、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Bをオン状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VDDを選択的に出力する。   First, at time t31, the switching control signal SIG is set to the potential VH to turn on the photoelectric conversion element 61B, and the eighth power supply 916 selectively outputs the voltage VDD as the voltage V8.

すると、容量62Bの第1電極621Bは、第8電源916に接続されているので、電位VDDとなり、容量62Bの第2電極622Bは、オン状態の光電変換素子61Bを介して第7電源915と導通状態となっているので、電位VSSとなる。よって、容量62Bにおいて、第1電極621Bおよび第2電極622Bの間には、電位差(VDD−VSS)が生じる。
また、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSであり、光電変換素子61Bのドレインは、オン状態の光電変換素子61Bを介して第7電源915と導通状態となっているので、電位VSSとなる。よって、光電変換素子61Bのドレインに接続されている端子Pから出力される光検知信号Voutは、電位VSSとなる。
Then, since the first electrode 621B of the capacitor 62B is connected to the eighth power source 916, the potential becomes VDD, and the second electrode 622B of the capacitor 62B is connected to the seventh power source 915 via the on-state photoelectric conversion element 61B. Since it is in a conductive state, it becomes the potential VSS. Therefore, in the capacitor 62B, a potential difference (VDD−VSS) is generated between the first electrode 621B and the second electrode 622B.
In addition, since the source of the photoelectric conversion element 61B is connected to the seventh power source 915, it is at the potential VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 61B is electrically connected to the seventh power source 915 via the on-state photoelectric conversion element 61B. Since it is in a state, it becomes the potential VSS. Therefore, the light detection signal Vout output from the terminal P connected to the drain of the photoelectric conversion element 61B becomes the potential VSS.

次に、時刻t32において、スイッチング制御信号SIGを電位VLにして光電変換素子61Bをオフ状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VSSを選択的に出力する。   Next, at time t32, the switching control signal SIG is set to the potential VL, the photoelectric conversion element 61B is turned off, and the voltage VSS is selectively output as the voltage V8 from the eighth power source 916.

すると、容量62Bの第1電極621Bは、第8電源916に接続されているので、電位VSSに低下する。ここで、容量62Bにおいて、第1電極621Bの電位が変動すると、第2電極622Bの電位も変動して、第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差(VDD−VSS)を保持しようとする。このため、容量62Bの第2電極622Bの電位は、(2VSS−VDD)に低下する。したがって、光電変換素子61Bのドレインは、容量62Bの第2電極622Bに接続されているので、電位が(2VSS−VDD)に低下する。よって、光検知信号Voutは、電位(2VSS−VDD)となる。
また、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSを保持する。
Then, since the first electrode 621B of the capacitor 62B is connected to the eighth power source 916, it drops to the potential VSS. Here, in the capacitor 62B, when the potential of the first electrode 621B varies, the potential of the second electrode 622B also varies, and an attempt is made to hold the potential difference (VDD−VSS) between the first electrode 621B and the second electrode 622B. For this reason, the potential of the second electrode 622B of the capacitor 62B decreases to (2VSS−VDD). Therefore, since the drain of the photoelectric conversion element 61B is connected to the second electrode 622B of the capacitor 62B, the potential decreases to (2VSS−VDD). Therefore, the light detection signal Vout becomes a potential (2VSS−VDD).
Further, since the source of the photoelectric conversion element 61B is connected to the seventh power source 915, the potential VSS is held.

以上のように、時刻t32では、光電変換素子61Bのソースは、電位VSSであり、光電変換素子61Bのドレインは、電位(2VSS−VDD)である。すなわち、光電変換素子61Bのソースは、光電変換素子61Bのドレインと比べて、電位が高い。ここで、光電変換素子61Bはオフ状態であるが、この光電変換素子61Bには、上述の光電変換素子61Bのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がソースからドレインに向かって流れる。このため、光電変換素子61Bのドレインの電位は、電位(2VSS−VDD)から光電変換素子61Bのソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて上昇する。よって、光検知信号Voutの電位は、受光した環境光の光量に応じて上昇して、時刻t33において基準電位Vrefと同電位となる。   As described above, at the time t32, the source of the photoelectric conversion element 61B is the potential VSS, and the drain of the photoelectric conversion element 61B is the potential (2VSS−VDD). That is, the source of the photoelectric conversion element 61B has a higher potential than the drain of the photoelectric conversion element 61B. Here, although the photoelectric conversion element 61B is in an off state, the photoelectric conversion element 61B has received ambient light based on the potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 61B and the received ambient light. A current corresponding to the amount of light flows from the source toward the drain. Therefore, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61B rises from the potential (2VSS−VDD) to the potential VSS of the source of the photoelectric conversion element 61B according to the amount of received ambient light. Therefore, the potential of the light detection signal Vout increases according to the amount of received ambient light, and becomes the same potential as the reference potential Vref at time t33.

次に、時刻t34において、時刻t31と同様に、スイッチング制御信号SIGを電位VHにして光電変換素子61Bをオン状態とするとともに、第8電源916から電圧V8として電圧VDDを選択的に出力する。   Next, at time t34, similarly to time t31, the switching control signal SIG is set to the potential VH, the photoelectric conversion element 61B is turned on, and the voltage VDD is selectively output from the eighth power supply 916 as the voltage V8.

すると、時刻t31と同様に、光検知信号Voutの電位は、VSSとなる。   Then, as at time t31, the potential of the light detection signal Vout becomes VSS.

本実施形態によれば、以下のような効果がある。
(8)まず、光電変換素子61Bをオン状態にするとともに、第8電源916から電圧VDDを選択的に出力して、容量62Bの第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差を(VDD−VSS)とした。次に、光電変換素子61Bをオフ状態にするとともに、第8電源916から電圧VSSを選択的に出力して、容量62Bの第1電極621Bの電位をVSSに低下させた。ここで、容量62Bにおいて、容量62Bの第1電極621Bの電位が変動すると、容量62Bの第2電極622Bの電位も変動して、容量62Bの第1電極621Bおよび第2電極622Bの電位差(VDD−VSS)を保持しようとする。したがって、容量62Bの第2電極622Bの電位は、容量62Bの第1電極621Bの電位が低下した分、すなわち電位差(VDD−VSS)だけ低下して、電位(2VSS−VDD)となる。よって、光電変換素子61Bのドレインの電位は、容量62Bの第2電極622Bの電位が低下した分、すなわち電位差(VDD−VSS)だけ低下して、電位(2VSS−VDD)となる。一方、光電変換素子61Bのソースは、第7電源915に接続されているので、電位VSSである。
以上により、光電変換素子61Bのソースは、光電変換素子61Bのドレインと比べて、電位が高くなる。ここで、光電変換素子61Bはオフ状態であるが、この光電変換素子61Bには、上述の光電変換素子61Bのソースおよびドレインの電位差と、受光した環境光と、に基づいて、受光した環境光の光量に応じた電流がソースからドレインに向かって流れる。このため、光電変換素子61Bのドレインの電位は、電位(2VSS−VDD)から光電変換素子61Bのソースの電位VSSまで、受光した環境光の光量に応じて上昇する。
そこで、バックライト制御回路93により、光電変換素子61Bのドレインの電位が(2VSS−VDD)からVrefに低下するまでの時間を計測したので、この計測した時間により、環境光の光量を検出できる。
According to this embodiment, there are the following effects.
(8) First, the photoelectric conversion element 61B is turned on, and the voltage VDD is selectively output from the eighth power source 916, so that the potential difference between the first electrode 621B and the second electrode 622B of the capacitor 62B is (VDD−VSS). ). Next, the photoelectric conversion element 61B was turned off, and the voltage VSS was selectively output from the eighth power source 916, so that the potential of the first electrode 621B of the capacitor 62B was lowered to VSS. Here, in the capacitor 62B, when the potential of the first electrode 621B of the capacitor 62B varies, the potential of the second electrode 622B of the capacitor 62B also varies, and the potential difference (VDD) between the first electrode 621B and the second electrode 622B of the capacitor 62B. -VSS). Therefore, the potential of the second electrode 622B of the capacitor 62B is decreased by the potential of the first electrode 621B of the capacitor 62B, that is, the potential difference (VDD−VSS), and becomes the potential (2VSS−VDD). Therefore, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61B is decreased by the potential of the second electrode 622B of the capacitor 62B, that is, the potential difference (VDD−VSS), and becomes the potential (2VSS−VDD). On the other hand, since the source of the photoelectric conversion element 61B is connected to the seventh power source 915, it is at the potential VSS.
As described above, the source of the photoelectric conversion element 61B has a higher potential than the drain of the photoelectric conversion element 61B. Here, although the photoelectric conversion element 61B is in an off state, the photoelectric conversion element 61B has received ambient light based on the potential difference between the source and drain of the photoelectric conversion element 61B and the received ambient light. A current corresponding to the amount of light flows from the source toward the drain. Therefore, the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61B rises from the potential (2VSS−VDD) to the potential VSS of the source of the photoelectric conversion element 61B according to the amount of received ambient light.
Therefore, the backlight control circuit 93 measures the time until the potential of the drain of the photoelectric conversion element 61B decreases from (2VSS−VDD) to Vref. Therefore, the amount of ambient light can be detected based on the measured time.

<変形例>
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上述の第1実施形態では、電気光学装置1は、透過型の表示を行うこととしたが、これに限らず、バックライト31からの光を利用する透過型表示と、自然光や室内光といった周囲の反射光を利用する反射型表示と、を兼ね備えた半透過反射型の表示を行ってもよい。
<Modification>
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within a scope in which the object of the present invention can be achieved are included in the present invention.
For example, in the first embodiment described above, the electro-optical device 1 performs transmissive display. However, the present invention is not limited to this, and transmissive display that uses light from the backlight 31, natural light, and room light. A transflective display having both a reflective display using ambient reflected light and the like may be performed.

また、上述の各実施形態では、320行の走査線Yと、240列のデータ線Xと、を備えるものとしたが、これに限らず、例えば、480行の走査線Yと、640列のデータ線Xと、を備えてもよい。   In each of the above embodiments, 320 rows of scanning lines Y and 240 columns of data lines X are provided. However, the present invention is not limited to this. For example, 480 rows of scanning lines Y and 640 columns of rows are provided. And a data line X.

また、上述の各実施形態では、環境光の光量を検出するために、端子Pから出力される光検知信号Voutの電位が基準電位Vrefより低くなる時刻を計測したが、これに限らない。例えば、スイッチング制御信号SIGの電位をVLにして光電変換素子61をオフ状態にしてから所定期間経過後に、端子Pから出力される光検知信号Voutの電位を計測してもよい。   In each of the above-described embodiments, in order to detect the amount of ambient light, the time at which the potential of the light detection signal Vout output from the terminal P is lower than the reference potential Vref is measured, but the present invention is not limited to this. For example, the potential of the photodetection signal Vout output from the terminal P may be measured after a predetermined period has elapsed since the photoelectric conversion element 61 is turned off by setting the potential of the switching control signal SIG to VL.

また、上述の各実施形態では、環境光の光量に応じて、バックライト31の光量を制御したが、これに限らず、例えば画像信号を調整してもよい。   In each of the above-described embodiments, the light amount of the backlight 31 is controlled according to the light amount of the ambient light. However, the present invention is not limited to this, and for example, an image signal may be adjusted.

また、上述の各実施形態では、データ線Xに供給する画像信号の極性を、1フレーム期間ごとに反転させたが、これに限らず、例えば1水平走査期間ごとに反転させてもよい。   In each of the above-described embodiments, the polarity of the image signal supplied to the data line X is inverted every frame period. However, the present invention is not limited to this. For example, the polarity may be inverted every horizontal scanning period.

<応用例>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置1を適用した電子機器について説明する。
図9は、電気光学装置1を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに電気光学装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールされる。
<Application example>
Next, an electronic apparatus to which the electro-optical device 1 according to the above-described embodiment is applied will be described.
FIG. 9 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone to which the electro-optical device 1 is applied. The cellular phone 3000 includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and the electro-optical device 1. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the electro-optical device 1 is scrolled.

なお、電気光学装置1が適用される電子機器としては、図9に示すもののほか、パーソナルコンピュータ、情報携帯端末、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置が適用可能である。これらに適用することで、外光によりバックライト輝度が最適化されて、見る環境によらず最適な視認性を得て、また、不要な明るさになるのを防止できるので、低消費電力化も図れる。
なお、本光センサをバックライトの調光の用途に限定する趣旨ではなく、例えば、外光によって、表示階調のいわゆるガンマ設定を可変にする用途に用いてもよい。
The electronic apparatus to which the electro-optical device 1 is applied is not limited to the one shown in FIG. 9, but a personal computer, a portable information terminal, a digital still camera, a liquid crystal television, a viewfinder type, a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation system Examples of the apparatus include a device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a video phone, a POS terminal, and a touch panel. The electro-optical device described above can be applied as a display unit of these various electronic devices. By applying to these, the backlight brightness is optimized by the external light, the optimal visibility is obtained regardless of the viewing environment, and unnecessary brightness can be prevented, thus reducing power consumption Can also be planned.
Note that the present light sensor is not intended to be limited to the use of backlight dimming, but may be used, for example, to make so-called gamma setting of display gradation variable by external light.

本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention. FIG. 前記電気光学装置が備える光センサの回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of an optical sensor provided in the electro-optical device. 前記電気光学装置が備える光センサのタイミングチャートである。3 is a timing chart of an optical sensor included in the electro-optical device. 本発明の第2実施形態に係る電気光学装置が備える光センサの回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of an optical sensor included in an electro-optical device according to a second embodiment of the invention. 前記電気光学装置が備える光センサのタイミングチャートである。3 is a timing chart of an optical sensor included in the electro-optical device. 本発明の第3実施形態に係る電気光学装置が備える光センサの回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of an optical sensor provided in an electro-optical device according to a third embodiment of the invention. 前記電気光学装置が備える光センサのタイミングチャートである。3 is a timing chart of an optical sensor included in the electro-optical device. 本発明の第4実施形態に係る電気光学装置が備える光センサのタイミングチャートである。10 is a timing chart of an optical sensor included in an electro-optical device according to a fourth embodiment of the invention. 上述した電気光学装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone to which the electro-optical device mentioned above is applied. 従来例に係る電気光学装置が備える光センサの回路図である。It is a circuit diagram of the optical sensor with which the electro-optical apparatus which concerns on a prior art example is provided. 前記電気光学装置が備える光センサのタイミングチャートである。3 is a timing chart of an optical sensor included in the electro-optical device.

符号の説明Explanation of symbols

1…電気光学装置、11…走査線駆動回路、21…データ線駆動回路、31…バックライト、50…画素、60…光センサ、61、61A、61B…光電変換素子、62、62A、62B…容量、621、621A、621B…第1電極、622、622A、622B…第2電極、90…制御回路、91…電源回路、911…第3電源、912…第4電源、913…第5電源、914…第6電源、915…第7電源、916…第8電源、92…パネル制御回路(制御部)、93…バックライト制御回路、3000…携帯電話機(電子機器)。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optical apparatus, 11 ... Scanning line drive circuit, 21 ... Data line drive circuit, 31 ... Backlight, 50 ... Pixel, 60 ... Photosensor, 61, 61A, 61B ... Photoelectric conversion element, 62, 62A, 62B ... Capacitance, 621, 621A, 621B ... first electrode, 622,622A, 622B ... second electrode, 90 ... control circuit, 91 ... power supply circuit, 911 ... third power supply, 912 ... fourth power supply, 913 ... fifth power supply, 914: Sixth power source, 915: Seventh power source, 916: Eighth power source, 92: Panel control circuit (control unit), 93: Backlight control circuit, 3000: Mobile phone (electronic device).

Claims (7)

受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、
所定の電圧を出力する第1電源および第2電源と、
前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第1電源には、前記容量の一端が接続され、
前記容量の他端には、前記光電変換素子が接続され、
前記光電変換素子の他端には、前記第2電源が接続され、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にした後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第1電源または前記第2電源のうち少なくともいずれかから出力する電圧を変動させることを特徴とする光センサ。
An optical sensor comprising a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor,
A first power source and a second power source for outputting a predetermined voltage;
A control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element,
One end of the capacitor is connected to the first power source,
The photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor,
The second power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit,
An optical sensor, wherein the photoelectric conversion element is turned off by the control unit, and a voltage output from at least one of the first power supply and the second power supply is changed.
受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、
第3の電圧を出力する第3電源と、
前記第3の電圧または前記第3の電圧より電位の低い第4の電圧のいずれかを選択的に出力する第4電源と、
前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第3電源には、前記容量の一端が接続され、
前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、
前記光電変換素子の他端には、前記第4電源が接続され、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第4電源から前記第3の電圧を選択的に出力した後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第4電源から前記第4の電圧を選択的に出力することを特徴とする光センサ。
An optical sensor comprising a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor,
A third power source for outputting a third voltage;
A fourth power source that selectively outputs either the third voltage or a fourth voltage having a lower potential than the third voltage;
A control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element,
One end of the capacitor is connected to the third power source,
One end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor,
The fourth power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit and selectively outputting the third voltage from the fourth power supply,
The photoelectric sensor is turned off by the control unit, and the fourth voltage is selectively output from the fourth power source.
受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、
第5の電圧を出力する第5電源と、
前記第5の電圧または前記第5の電圧より電位の高い第6の電圧のいずれかを選択的に出力する第6電源と、
前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第5電源には、前記容量の一端が接続され、
前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、
前記光電変換素子の他端には、前記第6電源が接続され、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第6電源から前記第5の電圧を選択的に出力した後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第6電源から前記第6の電圧を選択的に出力することを特徴とする光センサ。
An optical sensor comprising a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor,
A fifth power source for outputting a fifth voltage;
A sixth power source that selectively outputs either the fifth voltage or a sixth voltage having a higher potential than the fifth voltage;
A control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element,
One end of the capacitor is connected to the fifth power source,
One end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor,
The sixth power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit and selectively outputting the fifth voltage from the sixth power supply,
The photoelectric sensor is turned off by the control unit, and the sixth voltage is selectively output from the sixth power source.
受光した光を電気信号に変換する光電変換素子と、容量と、を備えた光センサであって、
第7の電圧を出力する第7電源と、
前記第7の電圧または前記第7の電圧より電位の高い第8の電圧のいずれかを選択的に出力する第8電源と、
前記光電変換素子のオン、オフを制御する制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記第8電源には、前記容量の一端が接続され、
前記容量の他端には、前記光電変換素子の一端が接続され、
前記光電変換素子の他端には、前記第7電源が接続され、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第8電源から前記第7の電圧を選択的に出力した後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第8電源から前記第8の電圧を選択的に出力することを特徴とする光センサ。
An optical sensor comprising a photoelectric conversion element that converts received light into an electrical signal, and a capacitor,
A seventh power source for outputting a seventh voltage;
An eighth power source that selectively outputs either the seventh voltage or an eighth voltage having a higher potential than the seventh voltage;
A control unit that outputs a control signal for controlling on / off of the photoelectric conversion element,
One end of the capacitor is connected to the eighth power source,
One end of the photoelectric conversion element is connected to the other end of the capacitor,
The seventh power source is connected to the other end of the photoelectric conversion element,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit and selectively outputting the seventh voltage from the eighth power source,
The photoelectric sensor is turned off by the controller, and the eighth voltage is selectively output from the eighth power source.
請求項4に記載の光センサにおいて、
前記制御部により前記光電変換素子をオン状態にするとともに、前記第8電源から前記第8の電圧を選択的に出力した後に、
前記制御部により前記光電変換素子をオフ状態にするとともに、前記第8電源から前記第7の電圧を選択的に出力することを特徴とする光センサ。
The optical sensor according to claim 4,
After turning on the photoelectric conversion element by the control unit and selectively outputting the eighth voltage from the eighth power source,
The photoelectric sensor is turned off by the control unit, and the seventh voltage is selectively output from the eighth power source.
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光センサを備えたことを特徴とする電気光学装置。   An electro-optical device comprising the optical sensor according to claim 1. 請求項6に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 6.
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