JP2007114342A - Substrate for electronic device, method for manufacturing substrate for electronic device, liquid crystal panel, and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、液晶パネルおよび電子機器に関するものである。 The present invention relates to an electronic device substrate, a method for manufacturing an electronic device substrate, a liquid crystal panel, and an electronic apparatus.
近年、各種の液晶表示素子(液晶パネル)が液晶テレビ(直視型表示装置)、液晶プロジェクタ(投射型表示装置)等で実用化されている。
これらの液晶表示素子に用いられる垂直配向膜としては、例えば液晶テレビにはポリイミド等の有機配向膜が用いられている。また、液晶プロジェクタには、SiO2等の斜方蒸着膜(無機配向膜)が多用されている。
In recent years, various liquid crystal display elements (liquid crystal panels) have been put into practical use in liquid crystal televisions (direct-view display devices), liquid crystal projectors (projection display devices), and the like.
As a vertical alignment film used in these liquid crystal display elements, for example, an organic alignment film such as polyimide is used in a liquid crystal television. In addition, oblique deposition films (inorganic alignment films) such as SiO 2 are frequently used in liquid crystal projectors.
このうちポリイミドの有機配向膜は、ポリイミド膜を形成した後、その表面をラビング処理することによって得られる。しかしながら、ラビング処理による配向処理では、比較的不均一になり易いという問題がある。
また、斜方蒸着膜は、多数の細孔を有することから、この細孔を介して液晶層へ水分等が侵入して、液晶層が変質・劣化し易いという問題がある。また、基板が大型化した場合、各部において均一かつ均質な斜方蒸着膜を形成するのが困難であるという問題もある。
Among these, the polyimide organic alignment film can be obtained by rubbing the surface after forming the polyimide film. However, there is a problem that the alignment process by the rubbing process tends to be relatively non-uniform.
Further, since the obliquely deposited film has a large number of pores, there is a problem that moisture or the like enters the liquid crystal layer through the pores, and the liquid crystal layer is easily deteriorated or deteriorated. Further, when the substrate is increased in size, there is a problem that it is difficult to form a uniform and homogeneous oblique vapor deposition film in each part.
また、この他の配向膜として、延伸させたポリマーフィルムを用いることが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
この配向膜は、フィルム化された高分子強誘電性液晶を延伸することにより、その分子鎖を一方向に配向させたものである。
しかしながら、この配向膜は、有機材料により構成されていることから、耐光性が低く、液晶分子の配向状態を規制する機能が経時的に劣化するという問題がある。
In addition, it has been proposed to use a stretched polymer film as the other alignment film (see, for example, Patent Document 1).
This alignment film is obtained by stretching a polymer ferroelectric liquid crystal formed into a film to align its molecular chain in one direction.
However, since the alignment film is made of an organic material, there is a problem that the light resistance is low and the function of regulating the alignment state of the liquid crystal molecules deteriorates with time.
本発明の目的は、耐久性(耐光性)に優れるとともに、例えば、液晶分子の配向状態を規制する機能に優れる無機配向膜を備える電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造する電子デバイス用基板の製造方法、信頼性の高い液晶パネルおよび電子機器を提供することにある。 An object of the present invention is excellent in durability (light resistance) and, for example, for an electronic device substrate provided with an inorganic alignment film having an excellent function of regulating the alignment state of liquid crystal molecules, and for an electronic device for producing such an electronic device substrate It is an object to provide a substrate manufacturing method, a highly reliable liquid crystal panel, and an electronic device.
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電子デバイス用基板は、基板と、該基板の一方の面側に設けられた無機配向膜とを有する電子デバイス用基板であって、
前記無機配向膜は、前記基板の一方の面にほぼ平行、かつ、長軸がほぼ一定方向に向くように配設された複数の角柱状の無機粒子で構成されていることを特徴とする。
これにより、耐久性(耐光性)に優れるとともに、例えば、液晶分子の配向(垂直配向または水平配向)状態を規制する機能に優れる無機配向膜を備える電子デバイス用基板が得られる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The electronic device substrate of the present invention is an electronic device substrate having a substrate and an inorganic alignment film provided on one surface side of the substrate,
The inorganic alignment film is characterized by being composed of a plurality of prismatic inorganic particles arranged so as to be substantially parallel to one surface of the substrate and to have a major axis in a substantially constant direction.
Thereby, while being excellent in durability (light resistance), the board | substrate for electronic devices provided with the inorganic alignment film which is excellent in the function which regulates the orientation (vertical orientation or horizontal orientation) state of a liquid crystal molecule, for example is obtained.
本発明の電子デバイス用基板では、前記無機粒子のアスペクト比は、0.03〜0.5であることが好ましい。
このような寸法の無機粒子を用いることにより、無機粒子の角部の辺によって生ずる分子異方性を増加させることができるという理由から、例えば、液晶分子の配向状態の規制(制御)を確実に行い得る無機配向膜が得られる。
In the electronic device substrate of the present invention, the aspect ratio of the inorganic particles is preferably 0.03 to 0.5.
By using the inorganic particles having such dimensions, the molecular anisotropy caused by the corners of the inorganic particles can be increased. For example, the regulation (control) of the alignment state of the liquid crystal molecules is ensured. An inorganic alignment film that can be obtained is obtained.
本発明の電子デバイス用基板では、前記基板の一方の面側に配設する前記無機粒子の個数は、2×109〜2×1013個/cm2であることが好ましい。
無機配向膜の基板と反対の面側に、十分な数の無機粒子の角部が現れるようになる。このため、このような無機配向膜には、例えば、液晶分子がより確実に配向(垂直配向)するようになる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記無機粒子は、SiO2またはAl2O3を主材料として構成されていることが好ましい。
SiO2やAl2O3は、誘電率が特に低く、かつ、高い耐久性(光安定性)を有することから好ましい。
In the electronic device substrate of the present invention, the number of the inorganic particles disposed on one surface side of the substrate is preferably 2 × 10 9 to 2 × 10 13 particles / cm 2 .
A sufficient number of corners of the inorganic particles appear on the surface of the inorganic alignment film opposite to the substrate. For this reason, for example, liquid crystal molecules are more reliably aligned (vertical alignment) in such an inorganic alignment film.
In the electronic device substrate of the present invention, it is preferable that the inorganic particles are composed mainly of SiO 2 or Al 2 O 3 .
SiO 2 and Al 2 O 3 are preferable because they have a particularly low dielectric constant and high durability (light stability).
本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、前記の電子デバイス用基板を製造する方法であって、
前記樹脂材料と、前記無機粒子とを含むシートを用意する第1の工程と、
該シートを延伸して、その延伸方向に前記無機粒子を配向させる第2の工程と、
前記基板の一方の面側に、前記シートを貼着する第3の工程と、
前記樹脂材料を除去して、前記無機粒子を前記基板側に転写するとともに、前記無機粒子を前記基板側に固定することにより、前記無機配向膜を得る第4の工程とを有することを特徴とする。
これにより、耐久性(耐光性)に優れるとともに、例えば、液晶分子の配向(特に垂直配向)状態を規制する機能に優れる無機配向膜を備える電子デバイス用基板を製造することができる。
The electronic device substrate manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing the electronic device substrate,
A first step of preparing a sheet containing the resin material and the inorganic particles;
A second step of stretching the sheet and orienting the inorganic particles in the stretching direction;
A third step of attaching the sheet to one surface side of the substrate;
And a fourth step of obtaining the inorganic alignment film by removing the resin material, transferring the inorganic particles to the substrate side, and fixing the inorganic particles to the substrate side. To do.
Thereby, while being excellent in durability (light resistance), the board | substrate for electronic devices provided with the inorganic alignment film which is excellent in the function which controls the orientation (especially vertical alignment) state of a liquid crystal molecule, for example can be manufactured.
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記無機粒子は、斜方蒸着法により成膜された無機物膜を粉砕して得られたものであることが好ましい。
かかる方法によれば、容易、確実かつ収率よく、無機粒子を作製することができる。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第4の工程において、前記無機粒子を前記基板側に固定剤により固定する固定処理を行うことが好ましい。
これにより、無機粒子を基板に確実に固定して、無機配向膜の基板からの剥離を防止することができる。
In the method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention, the inorganic particles are preferably obtained by pulverizing an inorganic film formed by oblique deposition.
According to such a method, inorganic particles can be produced easily, reliably and with a good yield.
In the method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention, in the fourth step, it is preferable to perform a fixing process in which the inorganic particles are fixed to the substrate side with a fixing agent.
As a result, the inorganic particles can be securely fixed to the substrate and the inorganic alignment film can be prevented from being peeled off from the substrate.
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記固定剤は、前記無機粒子同士を連結する機能を有するものであることが好ましい。
これにより、無機粒子同士を確実に連結して、無機配向膜の機械的強度の向上を図ることができる。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記固定剤は、カップリング剤を主成分とするものであることが好ましい。
カップリング剤は、無機粒子の基板上への固定と、無機粒子同士の連結との双方の機能を同一分子で担うことができることから好ましい。
In the method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention, it is preferable that the fixing agent has a function of connecting the inorganic particles.
Thereby, inorganic particles can be connected reliably and the mechanical strength of an inorganic alignment film can be improved.
In the method for manufacturing an electronic device substrate according to the present invention, it is preferable that the fixing agent contains a coupling agent as a main component.
The coupling agent is preferable because the same molecule can perform both functions of fixing the inorganic particles on the substrate and connecting the inorganic particles.
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第4の工程において、前記固定処理は、加熱より行われることが好ましい。
これにより、例えば、固定処理および樹脂材料の除去を一括して行うことができるようになる。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記シートは、前記固定剤を含んでおり、
前記第4の工程において、前記固定処理および前記樹脂材料の除去は、加熱により一括して行われることが好ましい。
これにより、無機配向膜を形成する工程数の削減が可能となる。
本発明の電子デバイス用基板の製造方法では、前記第4の工程において、前記樹脂材料の除去は、分解、溶解または剥離により行われることが好ましい。
これらの方法によれば、容易かつ確実に樹脂材料を除去することができる。
In the electronic device substrate manufacturing method of the present invention, in the fourth step, the fixing process is preferably performed by heating.
Thereby, for example, the fixing process and the removal of the resin material can be performed collectively.
In the method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention, the sheet contains the fixing agent,
In the fourth step, it is preferable that the fixing process and the removal of the resin material are collectively performed by heating.
As a result, the number of steps for forming the inorganic alignment film can be reduced.
In the method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention, in the fourth step, the resin material is preferably removed by decomposition, dissolution, or peeling.
According to these methods, the resin material can be removed easily and reliably.
本発明の液晶パネルは、本発明の電子デバイス用基板と、
前記無機配向膜の前記基板と反対側に設けられた液晶層とを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い液晶パネルが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の液晶パネルを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
The liquid crystal panel of the present invention includes an electronic device substrate of the present invention,
And a liquid crystal layer provided on the opposite side of the inorganic alignment film from the substrate.
Thereby, a highly reliable liquid crystal panel is obtained.
An electronic apparatus according to the present invention includes the liquid crystal panel according to the present invention.
Thereby, a highly reliable electronic device can be obtained.
以下、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、液晶パネルおよび電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は、本発明の液晶パネルの実施形態を模式的に示す縦断面図、図2は、図1に示す液晶パネルが備える無機配向膜を拡大して模式的に示す斜視図である。なお、図1では、シール材、配線等の記載は省略した。また、以下の説明では、図1および図2中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
Hereinafter, the substrate for electronic devices, the method for manufacturing the substrate for electronic devices, the liquid crystal panel, and the electronic apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing an embodiment of the liquid crystal panel of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view schematically showing an enlarged inorganic alignment film provided in the liquid crystal panel shown in FIG. In FIG. 1, the description of the sealing material, the wiring, etc. is omitted. In the following description, the upper side in FIGS. 1 and 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
図1に示す液晶パネル(TFT液晶パネル)1は、TFT基板(液晶駆動基板)17と、TFT基板17の内表面(下面)に接合された無機配向膜3と、液晶パネル用対向基板12と、液晶パネル用対向基板12の内表面(上面)に接合された無機配向膜4と、無機配向膜3と無機配向膜4との空隙に封入された液晶分子を含有する液晶層2と、TFT基板(液晶駆動基板)17の外表面(上面)側に接合された偏光膜7と、液晶パネル用対向基板12の外表面(下面)側に接合された偏光膜8とを有している。
A liquid crystal panel (TFT liquid crystal panel) 1 shown in FIG. 1 includes a TFT substrate (liquid crystal driving substrate) 17, an inorganic alignment film 3 bonded to the inner surface (lower surface) of the
液晶パネル用対向基板12は、マイクロレンズ基板11と、かかるマイクロレンズ基板11の表層114上に設けられ、開口131が形成されたブラックマトリックス13と、表層114上にブラックマトリックス13を覆うように設けられた透明導電膜(共通電極)14とを有している。
マイクロレンズ基板11は、凹曲面を有する複数(多数)の凹部(マイクロレンズ用凹部)112が設けられたマイクロレンズ用凹部付き基板111と、かかるマイクロレンズ用凹部付き基板111の凹部112が設けられた面に樹脂層(接着剤層)115を介して接合された表層114とを有している。
The
The microlens substrate 11 includes a
また、樹脂層115では、凹部112内に充填された樹脂によりマイクロレンズ113が形成されている。
マイクロレンズ用凹部付き基板111は、平板状の母材(透明基板)より製造され、その表面には、複数(多数)の凹部112が形成されている。
凹部112は、例えば、マスクを用いた、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等により形成することができる。
In the
The substrate with concave portions for
The
このマイクロレンズ用凹部付き基板111は、例えば、ガラス等で構成されている。
前記母材の熱膨張係数は、ガラス基板171の熱膨張係数とほぼ等しいもの(例えば両者の熱膨張係数の比が1/10〜10程度)であることが好ましい。これにより、得られる液晶パネル1では、温度が変化したときに二者の熱膨張係数が違うことにより生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。
The substrate with
The thermal expansion coefficient of the base material is preferably approximately the same as the thermal expansion coefficient of the glass substrate 171 (for example, the ratio of the thermal expansion coefficients of the two is about 1/10 to 10). As a result, in the liquid crystal panel 1 obtained, warpage, deflection, peeling, and the like caused by the difference in thermal expansion coefficient between the two when the temperature changes are prevented.
かかる観点からは、マイクロレンズ用凹部付き基板111と、ガラス基板171とは、同種類の材質で構成されていることが好ましい。これにより、温度変化時の熱膨張係数の相違によるそり、たわみ、剥離等が効果的に防止される。
特に、後述するTFT基板17には、製造時の環境により特性が変化しにくい石英ガラスが好ましく用いられる。このため、これに対応させて、マイクロレンズ用凹部付き基板111を石英ガラスで構成することが好ましい。これにより、そり、たわみ等の生じにくい、安定性に優れた液晶パネル1を得ることができる。
From this point of view, it is preferable that the
In particular, for the
マイクロレンズ用凹部付き基板111の上面には、凹部112を覆う樹脂層(接着剤層)115が設けられている。
凹部112内には、樹脂層115の構成材料が充填されることにより、マイクロレンズ113が形成されている。
樹脂層115は、例えば、マイクロレンズ用凹部付き基板111の構成材料の屈折率よりも高い屈折率の樹脂(接着剤)で構成することができ、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系のような紫外線硬化樹脂等で好適に構成することができる。
A resin layer (adhesive layer) 115 that covers the
The
The
樹脂層115の上面には、平板状の表層114が設けられている。
表層(ガラス層)114は、例えばガラスで構成することができる。この場合、表層114の熱膨張係数は、マイクロレンズ用凹部付き基板111の熱膨張係数とほぼ等しいもの(例えば両者の熱膨張係数の比が1/10〜10程度)とすることが好ましい。これにより、マイクロレンズ用凹部付き基板111と表層114の熱膨張係数の相違により生じるそり、たわみ、剥離等が防止される。このような効果は、マイクロレンズ用凹部付き基板111と表層114とを同種類の材料で構成すると、より効果的に得られる。
A
The surface layer (glass layer) 114 can be made of glass, for example. In this case, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the
表層114の平均厚さは、必要な光学特性を得る観点からは、通常、5〜1000μm程度とされ、より好ましくは10〜150μm程度とされる。
なお、表層(バリア層)114は、例えばセラミックスで構成することもできる。なお、セラミックスとしては、例えば、AlN、SiN、TiN、BN等の窒化物系セラミックス、Al2O3、TiO2等の酸化物系セラミックス、WC、TiC、ZrC、TaC等の炭化物系セラミックスなどが挙げられる。
The average thickness of the
In addition, the surface layer (barrier layer) 114 can also be comprised, for example with ceramics. Examples of ceramics include nitride ceramics such as AlN, SiN, TiN, and BN, oxide ceramics such as Al 2 O 3 and TiO 2 , and carbide ceramics such as WC, TiC, ZrC, and TaC. Can be mentioned.
表層114をセラミックスで構成する場合、表層114の平均厚さは、特に限定されないが、20nm〜20μm程度とすることが好ましく、40nm〜1μm程度とすることがより好ましい。
なお、このような表層114は、必要に応じて省略することができる。
ブラックマトリックス13は、遮光機能を有し、例えば、Cr、Al、Al合金、Ni、Zn、Ti等の金属、カーボンやチタン等を分散した樹脂等で構成されている。
When the
Such a
The
透明導電膜14は、導電性を有し、例えば、インジウムティンオキサイド(ITO)、インジウムオキサイド(IO)、酸化スズ(SnO2)等で構成されている。
TFT基板17は、液晶層2が含有する液晶分子を駆動(配向制御)する基板であり、ガラス基板171と、かかるガラス基板171上に設けられ、マトリックス状(行列状)に配設された複数(多数)の画素電極172と、各画素電極172に対応する複数(多数)の薄膜トランジスタ(TFT)173とを有している。
The transparent
The
ガラス基板171は、前述したような理由から、石英ガラスで構成されていることが好ましい。
画素電極172は、透明導電膜(共通電極)14との間で充放電を行うことにより、液晶層2の液晶分子を駆動する。この画素電極172は、例えば、前述した透明導電膜14と同様の材料で構成されている。
The
The
薄膜トランジスタ173は、近傍の対応する画素電極172に接続されている。また、薄膜トランジスタ173は、図示しない制御回路に接続され、画素電極172へ供給する電流を制御する。これにより、画素電極172の充放電が制御される。
TFT基板17の外表面(図1中上面)側には、偏光膜(偏光板、偏光フィルム)7が配置されている。同様に、液晶パネル用対向基板12の外表面(図1中下面)側には、偏光膜(偏光板、偏光フィルム)8が配置されている。
The
A polarizing film (polarizing plate, polarizing film) 7 is disposed on the outer surface (upper surface in FIG. 1) side of the
偏光膜7、8の構成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)等が挙げられる。また、偏光膜としては、前記材料にヨウ素をドープしたもの等を用いてもよい。
偏光膜としては、例えば、上記材料で構成された膜を一軸方向に延伸したものを用いることができる。
このような偏光膜7、8を配置することにより、通電量の調節による光の透過率の制御をより確実に行うことができる。
Examples of the constituent material of the
As a polarizing film, what extended | stretched the film comprised with the said material to the uniaxial direction can be used, for example.
By disposing the
偏光膜7、8の偏光軸の方向は、通常、無機配向膜3、4の配向方向(本実施形態では、電圧印加時)に応じて決定される。
また、TFT基板17には、画素電極172の内表面に接合して無機配向膜3が設けられ、液晶パネル用対向基板12には、透明導電膜14の内表面に接合して無機配向膜4が設けられている。
The direction of the polarization axis of the
Further, the
本実施形態では、TFT基板17と無機配向膜3とにより、また、液晶パネル用対向基板12と無機配向膜4とにより、それぞれ、本発明の電子デバイス用基板が構成される。
そして、これらの無機配向膜3と無機配向膜4との間に液晶層2が介挿され(設けられ)ている。液晶層2は、液晶分子(液晶材料)を含有しており、画素電極172の充放電に対応して、かかる液晶分子の配向が変化する。
In the present embodiment, the
The
液晶分子としては、例えば、フェニルシクロヘキサン誘導体、ビフェニル誘導体、ビフェニルシクロヘキサン誘導体、ターフェニル誘導体、フェニルエーテル誘導体、フェニルエステル誘導体、ビシクロヘキサン誘導体、アゾメチン誘導体、アゾキシ誘導体、ピリミジン誘導体、ジオキサン誘導体、キュバン誘導体、さらに、これらの誘導体に、フルオロ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基などのフッ素系置換基を導入したもの等が挙げられる。
なお、垂直配向に適する液晶分子としては、例えば、下記化1〜化3で表される化合物等が挙げられる。
Examples of liquid crystal molecules include phenylcyclohexane derivatives, biphenyl derivatives, biphenylcyclohexane derivatives, terphenyl derivatives, phenyl ether derivatives, phenyl ester derivatives, bicyclohexane derivatives, azomethine derivatives, azoxy derivatives, pyrimidine derivatives, dioxane derivatives, cubane derivatives, These derivatives include those obtained by introducing a fluorine-based substituent such as a fluoro group, a trifluoromethyl group, a trifluoromethoxy group, and a difluoromethoxy group.
In addition, as a liquid crystal molecule suitable for vertical alignment, the compound etc. which are represented by following Chemical formula 1-Chemical formula 3 etc. are mentioned, for example.
無機配向膜(垂直配向膜または水平配向膜)3、4は、液晶層2が含有する液晶分子の(電圧無印加時における)配向状態を規制する機能を有している。
なお、これらの無機配向膜3、4の構成については、後に詳述する。
このような液晶パネル1では、通常、1個のマイクロレンズ113と、かかるマイクロレンズ113の光軸Qに対応したブラックマトリックス13の1個の開口131と、1個の画素電極172と、かかる画素電極172に接続された1個の薄膜トランジスタ173とが、1画素に対応している。
The inorganic alignment films (vertical alignment films or horizontal alignment films) 3 and 4 have a function of regulating the alignment state (when no voltage is applied) of the liquid crystal molecules contained in the
The configuration of the inorganic alignment films 3 and 4 will be described in detail later.
In such a liquid crystal panel 1, normally, one
液晶パネル用対向基板12側から入射した入射光Lは、マイクロレンズ用凹部付き基板111を通り、マイクロレンズ113を通過する際に集光されつつ、樹脂層115、表層114、ブラックマトリックス13の開口131、透明導電膜14、液晶層2、画素電極172、ガラス基板171を透過する。
このとき、マイクロレンズ基板11の入射側に偏光膜8が設けられているため、入射光Lが液晶層2を透過する際に、入射光Lは直線偏光となっている。
Incident light L incident from the liquid crystal
At this time, since the
その際、この入射光Lの偏光方向は、液晶層2の液晶分子の配向状態に対応して制御される。したがって、液晶パネル1を透過した入射光Lを偏光膜7に透過させることにより、出射光の輝度を制御することができる。
このように、液晶パネル1は、マイクロレンズ113を有しており、しかも、マイクロレンズ113を通過した入射光Lは、集光されてブラックマトリックス13の開口131を通過する。
At this time, the polarization direction of the incident light L is controlled in accordance with the alignment state of the liquid crystal molecules in the
As described above, the liquid crystal panel 1 includes the
一方、ブラックマトリックス13の開口131が形成されていない部分では、入射光Lは遮光される。したがって、液晶パネル1では、画素以外の部分から不要光が漏洩することが防止され、かつ、画素部分での入射光Lの減衰が抑制される。このため、液晶パネル1は、画素部で高い光の透過率を有する。
さて、無機配向膜3、4は、それぞれ、図2に示すように、TFT基板17または液晶パネル用対向基板12の内表面(無機配向膜3、4が設けられる面)にほぼ平行、かつ、長軸がほぼ一定方向に向くように配設された(一軸配向した)複数の角柱状の無機粒子5で構成されている。
On the other hand, the incident light L is shielded in a portion where the
Now, as shown in FIG. 2, the inorganic alignment films 3 and 4 are substantially parallel to the inner surface (surface on which the inorganic alignment films 3 and 4 are provided) of the
無機配向膜3、4は、同一であるため、無機配向膜3を代表にして説明する。
ここで、無機粒子5が一軸配向しているとは、図2に示すように、大多数の無機粒子5の長軸が、ほぼ等しい方向を向いていること(無機粒子5の長軸の平均的な方向が制御されていること)を言い、複数の無機粒子5の中には、長軸の方向が大多数のものと異なる方向を向いた無機粒子5が含まれていてもよい。
Since the inorganic alignment films 3 and 4 are the same, the inorganic alignment film 3 will be described as a representative.
Here, the
このように、無機粒子5が規則的に配列していることにより、無機配向膜3は、高い構造規則性を有している。
このような構成により、液晶層2が含有する液晶分子は、その種類に応じて、垂直配向または水平配向し易くなる。したがって、このような構成の無機配向膜3は、VA(Vertical Alignment)型やIPS(In Plane Switching)型の液晶パネルの構築に有用である。
Thus, the inorganic alignment film 3 has a high structural regularity because the
With such a configuration, the liquid crystal molecules contained in the
また、無機配向膜3が高い構造規則性を有することから、液晶分子の配向方向もより正確に一定方向(垂直方向または水平方向)に揃うようになる。その結果、液晶パネル1の性能(特性)の向上を図ることができる。
特に、液晶分子は、尖った部分(角部)が存在すると、当該部分において配向し易くなるが、本発明においては、無機粒子5の角部が無機配向膜3の上面側に現れるため、液晶分子の配向性がより向上する。
In addition, since the inorganic alignment film 3 has high structural regularity, the alignment direction of the liquid crystal molecules is more accurately aligned in a certain direction (vertical direction or horizontal direction). As a result, the performance (characteristics) of the liquid crystal panel 1 can be improved.
In particular, when a sharp portion (corner portion) exists in the liquid crystal molecule, the liquid crystal molecules are easily aligned at the portion. However, in the present invention, the corner portion of the
無機粒子5は、好ましくは無機酸化物を主材料として構成される。一般に、無機材料は、有機材料に比べて、優れた化学的安定性(光安定性)を有している。このため、無機粒子5の集合物で構成された無機配向膜3は、有機材料で構成された配向膜に比べ、特に優れた耐光性を有するものとなる。
また、無機粒子5を構成する無機酸化物は、その誘電率が比較的低いものが好ましい。これにより、液晶パネル1において焼き付き等をより効果的に防止することができる。
The
In addition, the inorganic oxide constituting the
このような無機酸化物としては、例えば、SiO2、SiOのようなシリコン酸化物、Al2O3、MgO、ZnO、TiO、TiO2、In2O3,Sb2O3,Ta2O5、Y2O3、CeO2、WO3、CrO3、GaO3、HfO2、Ti3O5、NiO、ZnO、Nb2O5、ZrO2、Ta2O5等の金属酸化物が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、SiO2またはAl2O3を主成分とするものが好ましい。SiO2やAl2O3は、誘電率が特に低く、かつ、高い光安定性を有する。 Examples of such an inorganic oxide include silicon oxide such as SiO 2 and SiO, Al 2 O 3 , MgO, ZnO , TiO 2 , TiO 2 , In 2 O 3 , Sb 2 O 3 , and Ta 2 O 5. , Y 2 O 3 , CeO 2 , WO 3 , CrO 3 , GaO 3 , HfO 2 , Ti 3 O 5 , NiO, ZnO, Nb 2 O 5 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 and the like. Of these, one or a combination of two or more can be used, and those containing SiO 2 or Al 2 O 3 as the main component are particularly preferred. SiO 2 and Al 2 O 3 have a particularly low dielectric constant and high light stability.
なお、無機粒子5は、無機酸化物の他、例えば、SiNのような無機窒化物、MgF2のような無機フッ化物等を主材料として、また、無機酸化物、無機窒化物および無機フッ化物のうちの任意の2種以上を組み合わせた材料を主材料として構成することができる。
無機粒子5のアスペクト比は、特に限定されないが、0.03〜0.5程度であるのが好ましく、0.05〜0.4程度であるのがより好ましい。このような寸法の無機粒子5を用いることにより、無機粒子の角部の辺によって生ずる分子異方性を増加させることができるという理由から、液晶分子の配向状態の規制(制御)を確実に行い得る無機配向膜3が得られる。
In addition to the inorganic oxide, the
The aspect ratio of the
ここで、無機粒子5のアスペクト比とは、無機粒子5の横断面における最大長さ(図示のような長方形状の場合、対角線の長さ:図2中S)を、無機粒子5の長軸方向の長さ(図2中L)で除した値のことを言う。
無機粒子5の長軸方向の平均長さLm(Lの平均値)の具体的な値は、80〜300nm程度であるのが好ましく、100〜200nm程度であるのがより好ましい。
Here, the aspect ratio of the
The specific value of the average length Lm (average value of L) in the major axis direction of the
また、TFT基板17の上面に配設する無機粒子5の個数、すなわち、TFT基板17の上面の単位面積あたりに存在する無機粒子5の個数は、2×109〜2×1013個/cm2程度であるのが好ましく、5×109〜1×1013個/cm2程度であるのがより好ましい。これにより、無機配向膜3の上面側に、十分な数の無機粒子5の角部が現れるようになる。このため、このような無機配向膜3には、液晶分子がより確実に配向(垂直配向または水平配向)するようになる。なお、配設する無機粒子5の個数を前記上限値を超えて多くしても、それ以上、液晶分子の配向状態を規制する効果の増大が認められない。
The number of
無機配向膜3の平均厚さは、特に限定されないが、15〜150nm程度であるのが好ましく、20〜50nm程度であるのがより好ましい。無機配向膜3の厚さが薄過ぎると、TFT基板17の上面に配設する無機粒子5の個数等によっては、液晶分子が直接、画素電極172に接触し、ショートするのを十分に防止することができないおそれがあり、一方、無機配向膜3の厚さが厚過ぎると、液晶パネル1の駆動電圧が高くなり、消費電力が大きくなる傾向を示す。
The average thickness of the inorganic alignment film 3 is not particularly limited, but is preferably about 15 to 150 nm, and more preferably about 20 to 50 nm. If the thickness of the inorganic alignment film 3 is too thin, the liquid crystal molecules can be prevented from coming into direct contact with the
また、無機配向膜3(無機粒子5)が無機酸化物を主材料として構成される場合、無機配向膜3には、表面に存在する活性な水酸基を低減させる水酸基低減処理を施すようにしてもよい。これにより、無機配向膜3に、各種不純物の付着や、液晶分子との反応が経時的に生じて、アンカリング力が低下し、配向異常が生じ易くなるのを防止することができる。 In addition, when the inorganic alignment film 3 (inorganic particles 5) is composed of an inorganic oxide as a main material, the inorganic alignment film 3 may be subjected to a hydroxyl group reduction treatment for reducing active hydroxyl groups present on the surface. Good. As a result, it is possible to prevent various impurities from adhering to the inorganic alignment film 3 and reacting with liquid crystal molecules over time, thereby reducing the anchoring force and easily causing an alignment abnormality.
なお、前記不純物としては、例えば、液晶層2を封止するシール材中の不純物および未反応成分、液晶層中の不純物および水分、製造過程で付着した汚れ等が挙げられる。
かかる水酸基低減処理には、例えば、無機配向膜3に対して、アルコール類やカップリング剤を化学結合させる処理が挙げられる。
このような液晶パネル(液晶セル)1は、例えば、次のようにして製造することができる。
Examples of the impurities include impurities and unreacted components in the sealing material that seals the
Examples of the hydroxyl group reducing process include a process of chemically bonding an alcohol or a coupling agent to the inorganic alignment film 3.
Such a liquid crystal panel (liquid crystal cell) 1 can be manufactured as follows, for example.
[1] まず、公知の方法により製造されたTFT基板17と液晶パネル用対向基板12とを用意する。
[2] 次に、TFT基板17上に画素電極172およびTFT173を覆うように無機配向膜3を、一方、液晶パネル用対向基板12の透明導電膜14上に無機配向膜4をそれぞれ形成する。
無機配向膜3、4の形成方法(形成工程)は、同様であるので、以下、無機配向膜3を形成する場合を代表に説明する。
[1] First, a
[2] Next, the inorganic alignment film 3 is formed on the
Since the formation method (formation process) of the inorganic alignment films 3 and 4 is the same, the case where the inorganic alignment film 3 is formed will be described below as a representative.
<第1の形成方法>
まず、無機配向膜の第1の形成方法について説明する。
図3および図4は、それぞれ、無機配向膜の第1の形成方法を説明するための図(模式図)である。なお、以下の説明では、図3および図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
この無機配向膜の第1の形成方法は、[2A−1]シート作製工程と、[2A−2]シート延伸工程と、[2A−3]シート貼着工程と、[2A−4]樹脂材料除去工程とを有している。以下、これらの各工程について、順次説明する。
<First forming method>
First, the 1st formation method of an inorganic alignment film is demonstrated.
3 and 4 are diagrams (schematic diagrams) for explaining a first method for forming an inorganic alignment film. In the following description, the upper side in FIGS. 3 and 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
The first forming method of the inorganic alignment film includes: [2A-1] sheet preparation step, [2A-2] sheet stretching step, [2A-3] sheet sticking step, and [2A-4] resin material. And a removal step. Hereinafter, each of these steps will be described sequentially.
[2A−1] シート作製工程(第1の工程)
樹脂材料、無機粒子5および固定剤を含むシート191を作製する。
まず、樹脂材料、無機粒子5および固定剤を、溶剤に分散・溶解させた液体を用意する。
樹脂材料としては、次工程[2A−2]において、シート191を延伸したときに高い配向性が得られるものが好適に使用される。このような樹脂材料としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン等の芳香族高分子や、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系高分子、塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、アクリル樹脂等のビニル系高分子、セルロースまたはその誘導体(例えば、再生セルロース(セロハン)、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース等)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
[2A-1] Sheet manufacturing process (first process)
A
First, a liquid in which a resin material,
As the resin material, those that can obtain high orientation when the
前記液体中の樹脂材料の含有量は、特に限定されないが、0.01〜50wt%程度であるのが好ましく、0.01〜20wt%程度であるのがより好ましい。樹脂材料の含有量が少な過ぎると、その種類等によっては、形成される薄膜190の厚さが薄過ぎ、次工程[2A−2]における延伸処理において、引っ張る力の大きさ等によっては、シート191が破損してしまうおそれがあり、一方、樹脂材料の含有量が多過ぎると、液体の粘度が必要以上に高くなり、シート作製用基板18上への液体の供給が困難となったり、形成される薄膜190(シート191)の厚さが不均一となり易い。
Although content of the resin material in the said liquid is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.01-50 wt%, and it is more preferable that it is about 0.01-20 wt%. If the content of the resin material is too small, depending on the type and the like, the formed
無機粒子5は、角柱状をなす粒子である。かかる粒子は、いかなる方法で作製したものであってもよいが、斜方蒸着法により成膜された無機物膜を粉砕することにより好適に得ることができる。かかる方法によれば、容易、確実かつ収率よく、無機粒子5を作製することができる。また、前述したようなアスペクト比の無機粒子5を得るのが容易である。
斜方蒸着法により無機物膜を形成して、無機粒子5を作製する場合、具体的には、次のようにして行われる。
The
When the
斜方蒸着法では、図5に示すように、チャンバ(図示せず)内に、無機材料(原料)800を収納した蒸着源810と、無機粒子作製用基板170とを設置し、これらの間にスリット821が形成されたスリット板820を配置する。
なお、無機粒子作製用基板170は、駆動装置830に固定され、後述する蒸着角度(図5中、角度θ2)を維持した状態で、平行移動可能になっている。また、無機粒子作製用基板170は、図示しない加熱手段により加熱可能となっている。
In the oblique vapor deposition method, as shown in FIG. 5, a
The inorganic
この状態で、蒸着源810に設けられた加熱手段(図示せず)により無機材料800を加熱して蒸発(気化)させる。そして、無機材料800の蒸発粒子を、スリット板820のスリット821を介して無機粒子作製用基板170の上面(無機物膜を形成する面)に到達させる。
なお、このとき、無機粒子作製用基板170を、前述の加熱手段により所定の温度に加熱するとともに、駆動装置830により所定の速度で平行移動させる。
In this state, the
At this time, the inorganic
これにより、無機粒子作製用基板170上に、斜め方向に成長した角柱状の粒子(カラム構造)が多数集合した構造を呈する無機物膜が得られる。
ここで、蒸発源から気化した無機材料(蒸発粒子)800が、無機粒子作製用基板170の上面に到達する蒸着角度(図5中、角度θ2)を適宜設定することにより、角柱状の粒子のTFT基板17の上面に対する角度を調整することができる。
As a result, an inorganic film having a structure in which a large number of prismatic particles (column structure) grown in an oblique direction are gathered on the inorganic
Here, by appropriately setting the vapor deposition angle (angle θ 2 in FIG. 5) at which the inorganic material (evaporated particles) 800 evaporated from the evaporation source reaches the upper surface of the inorganic
チャンバ(蒸着装置)内の真空度は、1×10−5〜1×10−2Pa程度であるのが好ましく、5×10−5〜5×10−3Pa程度であるのがより好ましい。
また、蒸着時の基板温度は、20〜150℃程度であるのが好ましく、50〜120℃程度であるのがより好ましい。
また、蒸着レートは、2.5〜25Å/秒程度であるのが好ましく、4〜20Å/秒程度であるのがより好ましい。
The degree of vacuum in the chamber (evaporation apparatus) is preferably about 1 × 10 −5 to 1 × 10 −2 Pa, and more preferably about 5 × 10 −5 to 5 × 10 −3 Pa.
Moreover, it is preferable that the substrate temperature at the time of vapor deposition is about 20-150 degreeC, and it is more preferable that it is about 50-120 degreeC.
The deposition rate is preferably about 2.5 to 25 liters / second, more preferably about 4 to 20 liters / second.
また、蒸着角度θ2は、45〜85°程度であるのが好ましく、50〜75°程度であるのがより好ましい。
また、蒸着源810と無機粒子作製用基板170との方位角度(図5中、角度θ1)や、無機粒子作製用基板170と蒸着源810との離間距離(図5中L)、スリット板820の厚さ(図5中T)やスリット821の幅(図5中W)等を適宜設定することにより、得られる無機粒子5のサイズの調整を行うことができる。
In addition, the vapor deposition angle θ 2 is preferably about 45 to 85 °, and more preferably about 50 to 75 °.
Further, the azimuth angle between the
このようにして得られた無機物膜を基板から剥離し破砕することにより無機粒子5が得られる。
剥離・粉砕方法としては、例えば、まず鋭利な刃により機械的に剥離したり、超音波振動により剥離した無機粒子の凝集固体を、ボールミル、アトライター、サンドミル、ビーズミルなどの粉砕用メディアを添加して粉砕する湿式微粉砕方法等が挙げられる。
The
As the peeling / pulverizing method, for example, first, mechanically peeling with a sharp blade, or agglomerated solid of inorganic particles peeled off by ultrasonic vibration is added to a grinding medium such as a ball mill, attritor, sand mill, or bead mill. And wet pulverization method.
また、前記液体に混合する無機粒子5の量は、樹脂材料の種類等によって異なり、特に限定されない。具体的には、前記液体に混合する無機粒子5の量は、最終的に、TFT基板17の上面の単位面積あたりに存在する無機粒子5の個数が前述した範囲となるように適宜設定するようにすればよい。
固定剤は、後工程[2A−4]において、無機粒子5をTFT基板17に固定する機能を有するものである。また、この固定剤は、無機粒子5同士を連結(架橋)する機能を有するものが好ましい。これにより、無機配向膜3の機械的強度を向上させることができ、また、TFT基板12からの剥離も確実に防止することができる。
Further, the amount of the
The fixing agent has a function of fixing the
また、この固定剤には、後工程[2A−4]で行う樹脂材料を除去する際に、除去されないか除去され難いものが好適に選択される。
このような固定剤としては、例えば、Ti、Li、Si、Na、K、Mg、Ca、St、Ba、Al、In、Ge、Bi、Fe、Cu、Y、Zr、Ta等を金属元素として有するカップリング剤を主成分とするものが好ましく、特に、シラン系、チタネート系の各種カップリング剤を主成分とするものが好適に用いられる。カップリング剤は、無機粒子5のTFT基板6上への固定と、無機粒子5同士の連結との双方の機能を同一分子で担うことができることから好ましい。
Further, as this fixing agent, a material that is not removed or is not easily removed when the resin material to be removed in the subsequent step [2A-4] is removed is suitably selected.
Examples of such a fixing agent include Ti, Li, Si, Na, K, Mg, Ca, St, Ba, Al, In, Ge, Bi, Fe, Cu, Y, Zr, and Ta as metal elements. What has a coupling agent which has as a main component is preferable, and especially what has a silane type and titanate type coupling agent as a main component is used suitably. The coupling agent is preferable because the same molecule can perform both functions of fixing the
このうち、シラン系カップリング剤としては、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等のビニル基を有するもの、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のエポキシ基を有するもの、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン等のメタクリロキシ基を有するもの、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリロキシ基を有するもの、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチルブチリデン)プロピルアミン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(ビニルベンジル)−2−アミノエチル−3−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、特殊アミノシラン等のアミノ基を有するもの、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のウレイド基を有するもの、3−クロロプロピルトリメトキシシラン等のクロロプロピル基を有するもの、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基を有するもの、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド等のスルフィド基を有するもの、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等のイソシアネート基を有するもの等が挙げられる。 Among these, silane coupling agents include those having a vinyl group such as vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycol. Those having an epoxy group such as sidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, Those having a methacryloxy group such as 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane and 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, those having an acryloxy group such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2 (amino Ethyl) 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- Of triethoxysilyl-N- (1,3-dimethylbutylidene) propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (vinylbenzyl) -2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane Those having an amino group such as hydrochloride, special aminosilane, those having a ureido group such as 3-ureidopropyltriethoxysilane, those having a chloropropyl group such as 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxy Silane, 3-mercaptopro Those having a mercapto group such as Le trimethoxysilane, those having a sulfide group such as bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, such as those having an isocyanate group such as 3-isocyanate propyl triethoxysilane and the like.
その他、固定剤には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールのような多価アルコール類を用いることもできる。
前記液体中の固定剤の含有量は、特に限定されないが、無機粒子1gに対して、0.001〜0.2g程度であるのが好ましく、0.01〜0.1g程度であるのがより好ましい。固定剤の含有量を前記範囲とすることにより、シート191を作製する過程において無機粒子5同士が連結してしまのを防止しつつ、無機粒子5のTFT基板17への固定や、無機粒子5同士の連結を確実に行うことができる。
In addition, polyhydric alcohols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol can also be used as the fixing agent.
The content of the fixing agent in the liquid is not particularly limited, but is preferably about 0.001 to 0.2 g, more preferably about 0.01 to 0.1 g, with respect to 1 g of the inorganic particles. preferable. By setting the content of the fixing agent in the above range, the
液体の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、エチルアルコール、メチルアルコール等のアルコール、ジメチルホルムアミド、ヘキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、ピリジン、トリエチルアミン、水、アセトン等が挙げられる。
次いで、この液体を、シート作製用基板18上に供給した後、乾燥することにより、図3(c)に示すような薄膜190を形成する。
Examples of the solvent or dispersion medium used for preparing the liquid include alcohols such as isopropyl alcohol, ethyl alcohol, and methyl alcohol, dimethylformamide, hexane, tetrahydrofuran, toluene, pyridine, triethylamine, water, and acetone.
Next, the liquid is supplied onto the
液体の供給には、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。
形成するシート191(乾燥後の薄膜190)の平均厚さは、1〜1000μm程度であるのが好ましく、1〜500μm程度であるのがより好ましい。シート191の厚さが薄過ぎると、次工程[2A−2]における延伸処理において、樹脂材料の種類やその含有量、引っ張る力の強さ等によっては、シート191が破損してしまうおそれがあり、一方、シート191の厚さが厚過ぎると、目的とする厚さの延伸シート192を得るのに長時間を要するおそれがある。
そして、この薄膜190を、シート作製用基板18から剥離する。これにより、図3(b)に示すような樹脂材料、無機粒子5および固定剤を含むシート191が得られる。
Examples of liquid supply include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, screen printing, flexographic printing. Various coating methods such as a printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method can be used.
The average thickness of the
And this
[2A−2] シート延伸工程(第2の工程)
次に、シート191を一軸方向に延伸することにより、図3(c)に示すような延伸シート192を得る。
シート191を延伸すると、シート191に含まれる樹脂材料の分子鎖が延伸方向に配向し、これに沿って無機粒子5が整列する。すなわち、シート191の延伸方向に無機粒子5が配向する。
延伸方法としては、例えば、引張延伸法、ロール圧延法、固相押出法、ゲル圧延法、ゾーン圧延法等が挙げられる。
[2A-2] Sheet stretching step (second step)
Next, the stretched
When the
Examples of the stretching method include a tensile stretching method, a roll rolling method, a solid phase extrusion method, a gel rolling method, and a zone rolling method.
[2A−3] シート貼着工程(第3の工程)
次に、図4(d)に示すように、TFT基板17の上面に延伸シート192を固定する。
これは、TFT基板17上に、延伸シート192を画素電極172およびTFT173を覆うように載置した後、必要に応じて、延伸シート192をTFT基板17に向かって押圧することにより行うことができる。
[2A-3] Sheet sticking step (third step)
Next, as illustrated in FIG. 4D, the stretched
This can be performed by placing the stretched
[2A−4] 樹脂材料除去工程(第4の工程)
次に、延伸シート192から樹脂材料を除去して、無機粒子5をTFT基板17上に転写するとともに、無機粒子5をTFT基板17上に固定する。これにより、無機配向膜3を得る。
まず、本実施形態では、無機粒子5をTFT基板17上に固定する固定処理を行う。この固定処理は、加熱により好適に行われる。
[2A-4] Resin material removal step (fourth step)
Next, the resin material is removed from the stretched
First, in this embodiment, a fixing process for fixing the
例えば、固定剤としてシラン系カップリング剤を用いた場合には、加熱により、シラン系カップリング剤の反応性基と、TFT基板17の表面の官能基および無機粒子5の表面の官能基が反応し、シロキサン結合が形成される。その結果、無機粒子5の少なくとも一部がTFT基板17上に結合する。
この熱処理の温度は、90〜200℃程度であるのが好ましく、110〜180℃程度であるのがより好ましい。
For example, when a silane coupling agent is used as the fixing agent, the reactive group of the silane coupling agent reacts with the functional group on the surface of the
The temperature of this heat treatment is preferably about 90 to 200 ° C, more preferably about 110 to 180 ° C.
なお、固定処理は、加熱の他、例えば、光硬化、シラン系カップリング剤に対して水蒸気暴露等により行うことができる。
次に、延伸シート192に含まれる樹脂材料を除去することにより、図4(e)に示すように、無機粒子5をTFT基板17上に転写する。これにより、TFT基板17上には、TFT基板17の上面に対してほぼ平行をなし、かつ、長軸がほぼ一定方向に向いて配設された複数の無機粒子5で構成された無機配向膜3が得られる。
In addition to the heating, the fixing treatment can be performed by, for example, photocuring or exposure of the silane coupling agent to water vapor.
Next, by removing the resin material contained in the stretched
樹脂材料を除去する方法としては、(1)熱分解、(2)光分解、(3)溶解、(4)剥離が挙げられる。これらの方法によれば、容易かつ確実に樹脂材料を除去することができる。
このうち、(1)熱分解では、延伸シート192が固定されたTFT基板17を、樹脂材料の熱分解温度以上の温度で加熱する。これにより、延伸シート192に含まれる樹脂材料が熱分解して除去される。その結果、TFT基板17上には、無機粒子5が残存して、無機配向膜3が得られる。
Examples of the method for removing the resin material include (1) thermal decomposition, (2) photolysis, (3) dissolution, and (4) peeling. According to these methods, the resin material can be removed easily and reliably.
Among these, in (1) thermal decomposition, the
また、このとき、固定剤の作用により、さらに多くの無機粒子5がTFT基板17上に固定されるとともに、無機粒子5同士も連結され、無機配向膜3のTFT基板17との密着性および無機配向膜3の機械的強度が向上する。
熱処理の温度の下限値は、樹脂材料の熱分解温度以上とされ、一方、上限値は、TFT基板17上に形成されたTFT173や画素電極172に悪影響を及ぼさない範囲(例えば250℃以下)とするのが好ましい。
また、本工程[2A−4]において熱分解(加熱)を用いる場合には、この樹脂材料の除去と、前記固定処理と一括して行うことができ、無機配向膜3を形成する工程数の削減が可能となる。
At this time, more
The lower limit of the heat treatment temperature is set to be equal to or higher than the thermal decomposition temperature of the resin material, while the upper limit is a range that does not adversely affect the
In the case of using thermal decomposition (heating) in this step [2A-4], the removal of the resin material and the fixing treatment can be performed together, and the number of steps for forming the inorganic alignment film 3 can be increased. Reduction is possible.
(2)光分解では、延伸シート192に対して光を照射する。これにより、延伸シート192に含まれる樹脂材料が分解する。そして、必要に応じて、分解物を除去する除去処理を行う。その結果、TFT基板17上には、無機粒子5が残存して、無機配向膜3が得られる。
ここで、照射する光の波長は、150〜350nm程度であるのが好ましく、150〜300nm程度であるのがより好ましい。
また、照射する光の強度は、0.01〜10mW/cm2程度であるのが好ましく、0.1〜10mW/cm2程度であるのがより好ましい。
また、分解物の除去処理としては、例えば、オゾン照射、プラズマ処理、UV処理、加熱処理等が挙げられる。
(2) In the photolysis, the stretched
Here, the wavelength of the light to be irradiated is preferably about 150 to 350 nm, and more preferably about 150 to 300 nm.
The intensity of the irradiated light is preferably in the range of about 0.01~10mW / cm 2, more preferably about 0.1 to 10 MW / cm 2.
Examples of the decomposition product removal treatment include ozone irradiation, plasma treatment, UV treatment, and heat treatment.
(3)溶解では、延伸シート192に溶剤を接触させる。これにより、延伸シート192に含まれる樹脂材料が溶解して除去される。その結果、TFT基板17上には、無機粒子5が残存して、無機配向膜3が得られる。
溶剤としては、樹脂材料を溶解可能であり、かつ、無機粒子5に対して影響を及ぼさないものが選択され、特に限定されないが、例えば、キシレン、スチレン、トルエン、1,1,1−トリクロルメタン、ノルマルヘキサン、N,N-ジメチルホルムアミド、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレンクロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、1,4−ジオキサン、1,2−ジクロロエタン、1,2-ジクロロエチレン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、クレゾール、メチルイソブチルケトン、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、ミネラルスピリット、ヘビーアロマティック、シクロヘキサン、n−へブタン、ラバゾール、リグロイン、ジクロルメタン、1,2−ジクロルベンゼン、メタノール、変性エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソブチルアルコール、n−ブチルアルコール、変性酢酸メチル、酢酸イソブチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル−3−エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシン−4−メチル−2−ペンタノン、3,5,5−トリメチル−2−シクロヘキセン−1−オン、2,6−ジメチル−4−へブタノン、4−メチルアミノラクタム、N,N−ジメチルホルムアミド、ビニルベンゼン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、3−メチル−3−メトキシブタノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、t−ブチルセロソルブ、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、テトラメチレンオキシド、テトラヒドロフラン、ベンゼン等単独または任意の2種以上を混合して用いることができる。
また、延伸シート192に溶剤を接触させる方法としては、例えば、溶剤中に、延伸シート192が固定されたTFT基板17を浸漬する方法(浸漬法)、延伸シート192に溶剤を塗布する方法(塗布法)、延伸シート192に溶剤をシャワー状に供給する方法(噴霧法)等が挙げられる。
(3) In dissolution, a solvent is brought into contact with the stretched
As the solvent, those capable of dissolving the resin material and not affecting the
As a method of bringing the solvent into contact with the stretched
(4)剥離では、樹脂材料のシート状物(樹脂材料で構成されたシート191の基部)をTFT基板17から剥離、除去する。これにより、延伸シート192に含まれる樹脂材料が一塊として除去される。その結果、TFT基板17上には、無機粒子5が残存して、無機配向膜3が得られる。
以上のような方法によれば、樹脂材料、無機粒子5および固定剤を含むシート191を延伸し、この延伸シート192をTFT基板17に固定した後、樹脂材料を除去することにより無機配向膜3を形成するので、均一かつ均質な無機配向膜3を効率良く形成することができる。
(4) In the peeling, the sheet material of the resin material (the base portion of the
According to the above method, the inorganic alignment film 3 is removed by stretching the
特に、かかる方法によれば、TFT基板17が大型化した場合でも、同様に、均一かつ均質な無機配向膜3を確実に形成することができる。すなわち、本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、大型の基板上に無機配向膜を形成する場合への適用に適する。
また、形成される無機配向膜3は、無機粒子5により構成されているので、優れた耐光性が得られ、液晶分子の配向状態を規制(制御)する機能を長期間に亘り維持することができる。
なお、本実施形態では、シート191中に固定剤を含む場合について説明したが、シート191は、固定剤を含まないものであってもよい。この場合、無機粒子5をTFT基板17上に転写した後、固定剤をTFT基板17上に供給して固定処理を施すことにより、無機粒子5をTFT基板17上に固定して無機配向膜3を得ることができる。
In particular, according to this method, even when the
Further, since the formed inorganic alignment film 3 is composed of the
In the present embodiment, the case where a fixing agent is included in the
<第2の形成方法>
次に、無機配向膜の第2の形成方法について説明するが、前記第1の形成方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図6は、無機配向膜の第2の形成方法を説明するための図(模式図)である。なお、以下の説明では、図6中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
第2の形成方法は、シート作製工程が異なり、それ以外は、前記第1の形成方法と同様である。
<Second forming method>
Next, the second forming method of the inorganic alignment film will be described. The description will focus on differences from the first forming method, and the description of the same matters will be omitted.
FIG. 6 is a diagram (schematic diagram) for explaining a second method for forming an inorganic alignment film. In the following description, the upper side in FIG. 6 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
The second forming method is the same as the first forming method except for the sheet manufacturing process.
[2B−1] シート作製工程
樹脂材料、無機粒子5および固定剤を含むシート191を作製する。
まず、樹脂材料を溶剤に分散・溶解させた液体を用意し、シート作製用基板18上に供給し、乾燥することにより、図6(a)に示すような薄膜193を形成する。
樹脂材料および溶剤には、それぞれ、前記第1の形成方法で挙げたものと同様のものを用いることができる。
[2B-1] Sheet production
First, a liquid in which a resin material is dispersed and dissolved in a solvent is prepared, supplied onto the
As the resin material and the solvent, the same materials as those mentioned in the first forming method can be used.
また、この液体中の樹脂材料の含有量、液体の供給方法および乾燥温度等も、前記第1の形成方法と同様とすることができる。
次に、図6(b)に示すように、無機粒子5を薄膜193上にほぼ均一に撒いた後、固定剤またはその溶液(希釈液)を薄膜193上に供給して乾燥する。
無機粒子5および固定剤には、それぞれ、前記第1の形成方法で挙げたものと同様のものを用いることができ、用いる量も、前記第1の形成方法と同様とすることができる。
次に、無機粒子5および固定剤が供給された薄膜193を、シート作製用基板18から剥離する。これにより、図6(c)に示すような樹脂材料、無機粒子5および固定剤を含むシート191が得られる。
The content of the resin material in the liquid, the liquid supply method, the drying temperature, and the like can be the same as those in the first forming method.
Next, as shown in FIG. 6B, after the
As the
Next, the
[2B−2] シート延伸工程(第2の工程)
本工程では、前記工程[2A−2]と同様の工程を行う。
[2B−3] シート貼着工程(第3の工程)
本工程では、前記工程[2A−3]と同様の工程を行う。
[2B−4] 樹脂材料除去工程(第4の工程)
本工程では、前記工程[2A−4]と同様の工程を行う。
[2B-2] Sheet stretching step (second step)
In this step, the same step as the above step [2A-2] is performed.
[2B-3] Sheet sticking step (third step)
In this step, the same step as the above step [2A-3] is performed.
[2B-4] Resin material removing step (fourth step)
In this step, the same step as the above step [2A-4] is performed.
[3] 次に、無機配向膜3、4を対向させ、TFT基板17と液晶パネル用対向基板12とをシール材(図示せず)を介して接合し、これにより形成された空隙部の封入孔(図示せず)から液晶(液晶組成物)を空隙部内に注入した後、かかる封入孔を塞ぐ。
[4] 次に、TFT基板17および液晶パネル用対向基板12の外表面に、それぞれ、偏光膜7、8を接合する。
[3] Next, the inorganic alignment films 3 and 4 are opposed to each other, and the
[4] Next, polarizing
以上の工程を経て、図1に示す液晶パネル1が得られる。
なお、上記液晶パネル1では、液晶駆動基板としてTFT基板を用いたが、液晶駆動基板にTFT基板以外の他の液晶駆動基板、例えば、TFD基板、STN基板などを用いてもよい。
次に、本発明の電子機器の一例として、上記液晶パネル1を用いた電子機器(液晶プロジェクタ)について説明する。
Through the above steps, the liquid crystal panel 1 shown in FIG. 1 is obtained.
In the liquid crystal panel 1, a TFT substrate is used as the liquid crystal drive substrate. However, a liquid crystal drive substrate other than the TFT substrate, such as a TFD substrate or an STN substrate, may be used as the liquid crystal drive substrate.
Next, an electronic apparatus (liquid crystal projector) using the liquid crystal panel 1 will be described as an example of the electronic apparatus of the present invention.
図7は、本発明の電子機器(投射型表示装置)の光学系を模式的に示す図である。
同図に示すように、投射型表示装置300は、光源301と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイックミラー等を備えた色分離光学系(導光光学系)と、赤色に対応した(赤色用の)液晶ライトバルブ(液晶光シャッターアレイ)24と、緑色に対応した(緑色用の)液晶ライトバルブ(液晶光シャッターアレイ)25と、青色に対応した(青色用の)液晶ライトバルブ(液晶光シャッターアレイ)26と、赤色光のみを反射するダイクロイックミラー面211および青色光のみを反射するダイクロイックミラー面212が形成されたダイクロイックプリズム(色合成光学系)21と、投射レンズ(投射光学系)22とを有している。
FIG. 7 is a diagram schematically showing an optical system of the electronic apparatus (projection display device) of the present invention.
As shown in the figure, the
また、照明光学系は、インテグレータレンズ302および303を有している。色分離光学系は、ミラー304、306、309、青色光および緑色光を反射する(赤色光のみを透過する)ダイクロイックミラー305、緑色光のみを反射するダイクロイックミラー307、青色光のみを反射するダイクロイックミラー(または青色光を反射するミラー)308、集光レンズ310、311、312、313および314とを有している。
The illumination optical system includes
液晶ライトバルブ25は、前述した液晶パネル1を備えている。液晶ライトバルブ24および26も、液晶ライトバルブ25と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ24、25および26が備えている液晶パネル1は、図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
なお、投射型表示装置300では、ダイクロイックプリズム21と投射レンズ22とで、光学ブロック20が構成されている。また、この光学ブロック20と、ダイクロイックプリズム21に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ24、25および26とで、表示ユニット23が構成されている。
The liquid crystal
In the
以下、投射型表示装置300の作用を説明する。
光源301から出射された白色光(白色光束)は、インテグレータレンズ302および303を透過する。この白色光の光強度(輝度分布)は、インテグレータレンズ302および303により均一にされる。光源301から出射される白色光は、その光強度が比較的大きいものであるのが好ましい。これにより、スクリーン320上に形成される画像をより鮮明なものとすることができる。また、投射型表示装置300では、耐光性に優れた液晶パネル1を用いているため、光源301から出射される光の強度が大きい場合であっても、優れた長期安定性が得られる。
Hereinafter, the operation of the
White light (white light beam) emitted from the
インテグレータレンズ302および303を透過した白色光は、ミラー304で図7中左側に反射し、その反射光のうちの青色光(B)および緑色光(G)は、それぞれダイクロイックミラー305で図7中下側に反射し、赤色光(R)は、ダイクロイックミラー305を透過する。
ダイクロイックミラー305を透過した赤色光は、ミラー306で図7中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ310により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ24に入射する。
The white light transmitted through the
The red light transmitted through the
ダイクロイックミラー305で反射した青色光および緑色光のうちの緑色光は、ダイクロイックミラー307で図7中左側に反射し、青色光は、ダイクロイックミラー307を透過する。
ダイクロイックミラー307で反射した緑色光は、集光レンズ311により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ25に入射する。
Green light out of blue light and green light reflected by the
The green light reflected by the
また、ダイクロイックミラー307を透過した青色光は、ダイクロイックミラー(またはミラー)308で図7中左側に反射し、その反射光は、ミラー309で図7中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ312、313および314により整形され、青色用の液晶ライトバルブ26に入射する。
このように、光源301から出射された白色光は、色分離光学系により、赤色、緑色および青色の三原色に色分離され、それぞれ、対応する液晶ライトバルブに導かれ、入射する。
Further, the blue light transmitted through the
As described above, the white light emitted from the
この際、液晶ライトバルブ24が有する液晶パネル1の各画素(薄膜トランジスタ173とこれに接続された画素電極172)は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路(駆動手段)により、スイッチング制御(オン/オフ)、すなわち変調される。
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ25および26に入射し、それぞれの液晶パネル1で変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ25が有する液晶パネル1の各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ26が有する液晶パネル1の各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
At this time, each pixel (the
Similarly, green light and blue light enter the liquid
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ24、25および26で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
前記液晶ライトバルブ24により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ24からの赤色光は、面213からダイクロイックプリズム21に入射し、ダイクロイックミラー面211で図7中左側に反射し、ダイクロイックミラー面212を透過して、出射面216から出射する。
As a result, red light, green light, and blue light are modulated by the liquid
The red image formed by the liquid crystal
また、前記液晶ライトバルブ25により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ25からの緑色光は、面214からダイクロイックプリズム21に入射し、ダイクロイックミラー面211および212をそれぞれ透過して、出射面216から出射する。
また、前記液晶ライトバルブ26により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ26からの青色光は、面215からダイクロイックプリズム21に入射し、ダイクロイックミラー面212で図7中左側に反射し、ダイクロイックミラー面211を透過して、出射面216から出射する。
Further, the green image formed by the liquid crystal
Further, the blue image formed by the liquid crystal
このように、前記液晶ライトバルブ24、25および26からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ24、25および26により形成された各画像は、ダイクロイックプリズム21により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ22により、所定の位置に設置されているスクリーン320上に投影(拡大投射)される。
Thus, the light of each color from the liquid
本実施形態の投射型表示装置300は、3個の液晶パネルを有するものであり、これらの全てに液晶パネル1を適用したものについて説明したが、これらのうちの少なくとも1つが、液晶パネル1であればよい。この場合、少なくとも、青色用の液晶ライトバルブに液晶パネル1を適用するのが好ましい。
なお、本発明の電子機器は、図7の投射型表示装置の他にも、例えば、パーソナルコンピュータ(モバイル型パーソナルコンピュータ)、携帯電話機(PHSを含む)、ディジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、タッチパネルを備えた機器(例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータなどが挙げられる。そして、これらの各種電子機器が表示部、モニタ部に備える液晶パネルに、本発明を適用可能なことは言うまでもない。
The
In addition to the projection display device of FIG. 7, the electronic apparatus of the present invention includes, for example, a personal computer (mobile personal computer), a mobile phone (including PHS), a digital still camera, a television, a video camera, a view Finder type, monitor direct-view type video tape recorder, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, TV monitor for crime prevention, electronic Devices equipped with binoculars, POS terminals, touch panels (for example, cash dispensers of financial institutions, automatic ticket vending machines), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasonic diagnostic devices, endoscopes) Display device), fish finder, various measuring instruments, instruments (eg, vehicle) Aircraft, gauges of a ship), such as flight simulators, and the like. Needless to say, the present invention can be applied to a liquid crystal panel included in the display unit and the monitor unit of these various electronic devices.
以上、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、液晶パネルおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、任意の1または2以上の工程を追加することもできる。
As mentioned above, although the board | substrate for electronic devices of this invention, the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices, a liquid crystal panel, and an electronic device were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to this.
For example, in the method for manufacturing an electronic device substrate of the present invention, one or more arbitrary steps can be added.
また、本発明の電子デバイス用基板、液晶パネルおよび電子機器では、各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、本発明の電子デバイス用基板は、前記実施形態で説明した構成の液晶パネルへの適用に限定されず、例えば、同一基板上に、液晶層に電圧を印加する一対の電極を設けた構成の液晶パネルに適用することができる。
さらに、本発明の電子デバイス用基板は、液晶パネルへの適用に限定されず、例えば、有機トランジスタ等に適用することもできる。この場合、かかる電子デバイス用基板を用いることにより、有機半導体層の配向方向を規制して、キャリア移動度の向上を図ることができる。
In addition, in the electronic device substrate, the liquid crystal panel, and the electronic apparatus according to the present invention, the configuration of each part can be replaced with any configuration that exhibits the same function, and any configuration can be added. it can.
The electronic device substrate of the present invention is not limited to application to the liquid crystal panel having the configuration described in the above embodiment. For example, a configuration in which a pair of electrodes for applying a voltage to the liquid crystal layer is provided on the same substrate. It can be applied to LCD panels.
Furthermore, the electronic device substrate of the present invention is not limited to application to a liquid crystal panel, and may be applied to, for example, an organic transistor. In this case, by using such an electronic device substrate, the orientation direction of the organic semiconductor layer can be regulated to improve carrier mobility.
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
1.無機粒子の作製
まず、直径8インチのシリコン基板(無機粒子作製用基板)を用意し、真空蒸着装置のチャンバ内に基板面が蒸着源に対して、角度θ1が50°となるようにセットした。また、スリット板の厚さは1.5cm、スリットの幅は2.0cmとし、蒸着角度θ2は60°、蒸着距離は1.5m、シリコン基板の稼動速度(移動速度)は2.5cm/分とした。
Next, specific examples of the present invention will be described.
1. Preparation of inorganic particles First, set to prepare a silicon substrate having a diameter of 8 inches (substrate for producing inorganic particles), the substrate surface in a chamber of a vacuum deposition apparatus with respect to the deposition source, the angle theta 1 is 50 ° did. Also, the thickness of the slit plate is 1.5 cm, the width of the slit is 2.0 cm, the deposition angle θ 2 is 60 °, the deposition distance is 1.5 m, and the operating speed (moving speed) of the silicon substrate is 2.5 cm / Minutes.
次に、チャンバ内を減圧(1×10−4Pa)し、シリコン基板の温度110℃、蒸着レート10Å/秒で、SiO2を斜方蒸着して、SiO2斜方蒸着膜を形成した。
なお、得られたSiO2斜方蒸着膜は、その細孔のシリコン基板の上面に対する角度が約70°であり、平均厚さが40nmであった。
そして、シリコン基板上から、SiO2斜方蒸着膜を剥離、粉砕することにより、角柱状(直方体状)のSiO2粒子を得た。
なお、角柱状のSiO2粒子のサイズは、長さ110nm×縦20nm×横15nmであり、アスペクト比は、約0.23であった。
Next, the inside of the chamber was depressurized (1 × 10 −4 Pa), and SiO 2 was obliquely vapor-deposited at a silicon substrate temperature of 110 ° C. and a vapor deposition rate of 10 Å / second to form a SiO 2 oblique vapor-deposited film.
In addition, the obtained SiO 2 oblique deposition film had an angle of about 70 ° with respect to the upper surface of the silicon substrate and an average thickness of 40 nm.
Then, the SiO 2 oblique deposition film was peeled off from the silicon substrate and pulverized to obtain prismatic (rectangular) SiO 2 particles.
The size of the prismatic SiO 2 particles was 110 nm long × 20 nm long × 15 nm wide, and the aspect ratio was about 0.23.
2.液晶パネルの作製
(実施例1)
<1> まず、CH3(CH2)5Si(OCH3)3で表されるシラン系カップリング剤(信越化学工業社製、「KBM3060」)0.05gと、ポリエチレン1gとを、イソプロピルアルコール200gに溶解し、この溶液にSiO2粒子1gを混合して液体を調製した。
2. Production of liquid crystal panel (Example 1)
<1> First, 0.05 g of a silane coupling agent (“KBM3060” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) represented by CH 3 (CH 2 ) 5 Si (OCH 3 ) 3 and 1 g of polyethylene are mixed with isopropyl alcohol. Dissolved in 200 g, 1 g of SiO 2 particles was mixed with this solution to prepare a liquid.
次に、この液体を、シート作製用基板上にキャスト法により塗布し、150℃×2時間乾燥することにより薄膜を形成した。そして、この薄膜をシート作製用基板から剥離することによりシートを得た。なお、得られたシートの平均厚さは、200μmであった。
次に、このシートを一軸延伸装置に装着し、延伸した。これにより、平均厚さ0.5μmの延伸シートを得た。
Next, this liquid was applied onto a sheet-forming substrate by a casting method, and dried at 150 ° C. for 2 hours to form a thin film. And the sheet | seat was obtained by peeling this thin film from the board | substrate for sheet | seat preparation. In addition, the average thickness of the obtained sheet | seat was 200 micrometers.
Next, this sheet was mounted on a uniaxial stretching apparatus and stretched. Thereby, a stretched sheet having an average thickness of 0.5 μm was obtained.
<2> 次に、図1に示すTFT基板および液晶パネル用対向基板を用意し、各基板にそれぞれ延伸シートを貼着した。
<3> 次に、各延伸シートを貼着した基板を、それぞれ、200℃×3時間で加熱した。これにより、ポリエチレンを熱分解して除去し、SiO2粒子同士を連結するとともに、SiO2粒子を基板に固定し、無機配向膜を得た。
なお、得られた無機配向膜の平均厚さは、30nmであった。また、基板上の無機粒子の個数は、5×109個/cm2であった。
<2> Next, a TFT substrate and a counter substrate for a liquid crystal panel shown in FIG. 1 were prepared, and stretched sheets were attached to the respective substrates.
<3> Next, each substrate to which each stretched sheet was attached was heated at 200 ° C. for 3 hours. Thereby, polyethylene was thermally decomposed and removed, and the SiO 2 particles were connected to each other, and the SiO 2 particles were fixed to the substrate to obtain an inorganic alignment film.
In addition, the average thickness of the obtained inorganic alignment film was 30 nm. The number of inorganic particles on the substrate was 5 × 10 9 particles / cm 2 .
<4> 次に、各無機配向膜が形成された基板を、それぞれ、無機配向膜を上にしてテフロン製容器(「テフロン」は登録商標)の底に配置し、この容器内に、超純水を無機配向膜が浸るまで注入した。そして、この容器を、真空チャンバ内に搬入し、真空チャンバ内を減圧(1Torr)することにより、無機粒子同士の隙間の気体を超純水で置換した。その後、この状態で、超音波洗浄を10分間行った。続いて、真空チャンバ内を大気圧に復帰させ、超純水をドレインから排出した。再度、真空チャンバ内を減圧しながら、200℃×90分間加熱した後、放冷した。これにより、無機配向膜付き基板を洗浄した。 <4> Next, the substrate on which each inorganic alignment film is formed is placed on the bottom of a Teflon container ("Teflon" is a registered trademark) with the inorganic alignment film facing upward, Water was injected until the inorganic alignment film was immersed. And this container was carried in in the vacuum chamber, and the inside of the vacuum chamber was pressure-reduced (1 Torr), and the gas of the clearance gap between inorganic particles was substituted with the ultrapure water. Thereafter, in this state, ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes. Subsequently, the inside of the vacuum chamber was returned to atmospheric pressure, and ultrapure water was discharged from the drain. Again, the inside of the vacuum chamber was heated at 200 ° C. for 90 minutes while reducing the pressure, and then allowed to cool. Thereby, the substrate with an inorganic alignment film was washed.
<5> 次に、一方の無機配向膜付き基板の無機配向膜の外周部に沿って、液晶注入口に対応する部分を除いて、熱硬化型接着剤(日本化薬社製、「ML3804P」)を印刷した。なお、この熱硬化型接着剤は、直径約3μmのシリカ球を混合したエポキシ樹脂を主材料とするものである。そして、無機配向膜付き基板を、80℃で10分間加熱することによって、熱硬化型接着剤中の溶媒を除去した。 <5> Next, a thermosetting adhesive (“ML3804P” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) is formed along the outer peripheral portion of the inorganic alignment film of the substrate with one inorganic alignment film, except for a portion corresponding to the liquid crystal injection port. ) Was printed. This thermosetting adhesive is mainly composed of an epoxy resin mixed with silica spheres having a diameter of about 3 μm. And the solvent in a thermosetting adhesive was removed by heating the board | substrate with an inorganic alignment film at 80 degreeC for 10 minute (s).
<6> 次に、この熱硬化型接着剤が印刷された無機配向膜付き基板と、他方の無機配向膜付き基板とを、無機配向膜側を内側にし、かつ、無機配向膜の配向方向が180°となるように配置した。そして、この2枚の基板を、クリップで圧着しながら140℃×1時間加熱することにより貼り合わせた。
<7> 次に、無機配向膜同士の間の空間に、液晶注入口からフッ素系の負の誘電異方性液晶(メルク社製、「MLC−6610」)を真空注入法により注入した。その後、液晶注入口に、アクリル系のUV接着剤(ヘンケルジャパン社製、「LPD−204」)を供給し、波長365nmのUVを3000mJ/cm2で照射することにより、液晶注入口を封止した。
<6> Next, the substrate with an inorganic alignment film on which the thermosetting adhesive is printed and the substrate with the other inorganic alignment film are set to the inner side of the inorganic alignment film, and the alignment direction of the inorganic alignment film is It arrange | positioned so that it might become 180 degrees. Then, the two substrates were bonded together by heating at 140 ° C. for 1 hour while being pressure-bonded with a clip.
<7> Next, fluorine-based negative dielectric anisotropic liquid crystal (MLC, “MLC-6610”) was injected into the space between the inorganic alignment films from the liquid crystal injection port by a vacuum injection method. Thereafter, an acrylic UV adhesive (“LPD-204” manufactured by Henkel Japan Co., Ltd.) is supplied to the liquid crystal injection port, and the liquid crystal injection port is sealed by irradiating with a wavelength of 365 nm at 3000 mJ / cm 2. did.
<8> 一軸方向に延伸したポリビニルアルコール膜(偏光膜)を、それぞれ、2つの基板の外表面に接合した。
以上の工程を経て、垂直配向タイプの液晶パネルを製造した。
<8> Polyvinyl alcohol films (polarizing films) stretched in a uniaxial direction were bonded to the outer surfaces of the two substrates, respectively.
Through the above steps, a vertical alignment type liquid crystal panel was manufactured.
(実施例2)
前記工程<1>において、次のようにしてシートを作製した以外は、前記実施例1と同様にして液晶パネルを製造した。
まず、ポリエチレン1gをイソプロピルアルコール200gに溶解して液体を調製した。
(Example 2)
A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that in the step <1>, a sheet was produced as follows.
First, 1 g of polyethylene was dissolved in 200 g of isopropyl alcohol to prepare a liquid.
次に、この液体を、シート作製用基板上にキャスト法により塗布し、150℃×2時間乾燥することにより薄膜を形成した。
次に、この薄膜上にSiO2粒子1gを均一に撒布した後、さらに、CH3(CH2)5Si(OCH3)3で表されるシランカップリング剤(信越化学工業社製、「KBM3063」)0.05gをイソプロピルアルコール200gに溶解した溶液を均一に塗布した。
そして、この薄膜をシート作製用基板から剥離することによりシートを得た。なお、得られたシートの平均厚さは、200μmであった。
また、得られた無機配向膜の平均厚さは、30nmであった。また、基板上の無機粒子の個数は、1×1010個/cm2であった。
Next, this liquid was applied onto a sheet-forming substrate by a casting method, and dried at 150 ° C. for 2 hours to form a thin film.
Next, 1 g of SiO 2 particles was uniformly distributed on this thin film, and then a silane coupling agent represented by CH 3 (CH 2 ) 5 Si (OCH 3 ) 3 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM3063”). “) A solution of 0.05 g in 200 g of isopropyl alcohol was uniformly applied.
And the sheet | seat was obtained by peeling this thin film from the board | substrate for sheet | seat preparation. In addition, the average thickness of the obtained sheet | seat was 200 micrometers.
Moreover, the average thickness of the obtained inorganic alignment film was 30 nm. The number of inorganic particles on the substrate was 1 × 10 10 particles / cm 2 .
(実施例3)
前記工程<3>において、150℃×2時間で加熱を行った後、ポリエチレンを剥離することにより除去した以外は、前記実施例2と同様にして液晶パネルを製造した。
また、得られた無機配向膜の平均厚さは、30nmであった。また、基板上の無機粒子の個数は、5×109個/cm2であった。
(Example 3)
A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 2 except that in step <3>, heating was performed at 150 ° C. for 2 hours, and then the polyethylene was removed by peeling.
Moreover, the average thickness of the obtained inorganic alignment film was 30 nm. The number of inorganic particles on the substrate was 5 × 10 9 particles / cm 2 .
(実施例4)
前記工程<3>において、150℃×2時間で加熱を行った後、UV/O3洗浄装置(サムコ社製 商品名UV−1)で1時間洗浄することによりポリエチレンを除去した以外は、実施例1と同様にして液晶パネルを製造した。
また、得られた無機配向膜の平均厚さは、30nmであった。また、基板上の無機粒子の個数は、5×109個/cm2であった。
Example 4
In the step <3>, after heating at 150 ° C. for 2 hours and then removing polyethylene by washing for 1 hour with a UV / O 3 cleaning device (trade name UV-1 manufactured by Samco) A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1.
Moreover, the average thickness of the obtained inorganic alignment film was 30 nm. The number of inorganic particles on the substrate was 5 × 10 9 particles / cm 2 .
(実施例5)
前記工程<3>において、150℃×2時間で加熱を行った後、キシレンで溶解することによりポリエチレンを除去した以外は、前記実施例1と同様にして液晶パネルを製造した。
また、得られた無機配向膜の平均厚さは、30nmであった。また、基板上の無機粒子の個数は、5×109個/cm2であった。
(Example 5)
A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that in step <3>, the polyethylene was removed by dissolving in xylene after heating at 150 ° C. for 2 hours.
Moreover, the average thickness of the obtained inorganic alignment film was 30 nm. The number of inorganic particles on the substrate was 5 × 10 9 particles / cm 2 .
(比較例1)
前記工程<1>〜<3>に代えて、2つの基板に、それぞれ斜方蒸着法によりSiO2を被着して、無機配向膜を形成した以外は、前記実施例1と同様にして液晶パネルを製造した。
なお、SiO2斜方蒸着膜の平均厚さは、30nmであった。
(Comparative Example 1)
Instead of the steps <1> to <3>, a liquid crystal is formed in the same manner as in Example 1 except that SiO 2 is deposited on each of the two substrates by oblique deposition to form an inorganic alignment film. Panels were manufactured.
Note that the average thickness of the SiO 2 oblique deposition film was 30 nm.
(比較例2)
前記工程<1>〜<3>に代えて、2つの基板に、それぞれポリイミド樹脂シートを延伸した延伸シートを固定して、有機配向膜を形成した以外は、前記実施例1と同様にして液晶パネルを製造した。
なお、有機配向膜の平均厚さは、30nmであった。
(Comparative Example 2)
Instead of the above steps <1> to <3>, a liquid crystal was prepared in the same manner as in Example 1 except that an organic alignment film was formed by fixing stretched sheets obtained by stretching polyimide resin sheets to two substrates. Panels were manufactured.
The average thickness of the organic alignment film was 30 nm.
3.評価
3−1.プレチルト角の測定
各実施例および各比較例で製造した液晶パネルについて、それぞれプレチルト角を測定した。
このプレチルト角の測定は、各液晶パネルに対して、入射角度を変化させながら光を入射し、その反射光の角度変化を観測するクリスタルローテーション法により行った。
その結果、各実施例で製造された液晶パネルでは、いずれもプレチルト角が約3°であった。これに対して、各比較例で製造された液晶パネルのプレチルト角は、それぞれ約1°であった。
3. Evaluation 3-1. Measurement of Pretilt Angle The pretilt angle was measured for each of the liquid crystal panels produced in each Example and each Comparative Example.
The pretilt angle was measured by a crystal rotation method in which light was incident on each liquid crystal panel while changing the incident angle, and the angle change of the reflected light was observed.
As a result, the liquid crystal panels manufactured in each example had a pretilt angle of about 3 °. On the other hand, the pretilt angle of the liquid crystal panel manufactured in each comparative example was about 1 °.
3−2.耐光性試験
各実施例および各比較例で製造した液晶パネルについて、それぞれ耐光性試験を行った。
この耐光性試験は、各液晶パネルを、それぞれ、図7に示す投射型表示装置の青色用の液晶ライトバルブとしてセットして、液晶セルの表面温度を55℃に保ちつつ、光源を連続点灯し、表示異常が発生するまでの時間を測定した。
3-2. Light Resistance Test A light resistance test was performed on each of the liquid crystal panels manufactured in each Example and each Comparative Example.
In this light resistance test, each liquid crystal panel was set as a blue liquid crystal light valve of the projection display device shown in FIG. 7, and the light source was continuously lit while maintaining the surface temperature of the liquid crystal cell at 55 ° C. The time until display abnormality occurred was measured.
なお、光源には、130WUHPランプ(フィリップス社製)を用いた。
この結果を、下記表1に示す。
また、表1には、比較例2で製造された液晶パネルにおいて表示異常が発生するまでの時間を「1」とし、実施例1〜5および比較例1で製造された液晶パネルにおいて表示異常が発生するまでの時間を、それぞれ、相対値で示した。
A 130 WUHP lamp (manufactured by Philips) was used as the light source.
The results are shown in Table 1 below.
Table 1 shows that the time until a display abnormality occurs in the liquid crystal panel manufactured in Comparative Example 2 is “1”, and the display abnormality occurs in the liquid crystal panels manufactured in Examples 1 to 5 and Comparative Example 1. The time until the occurrence was shown as a relative value.
表1に示すように、各実施例で製造された液晶パネルは、いずれも、比較例2で製造された液晶パネルに対して、表示異常が発生するまでの時間が長くなることが明らかとなった。
また、SiO2に代えて、Al2O3で無機配向膜を形成した以外は、前記と同様にして液晶パネルを製造し、前記と同様にして評価を行ったところ、前記と同様の結果が得られた。
As shown in Table 1, it is clear that the liquid crystal panel manufactured in each example has a longer time until display abnormality occurs than the liquid crystal panel manufactured in Comparative Example 2. It was.
Further, a liquid crystal panel was produced in the same manner as described above except that an inorganic alignment film was formed of Al 2 O 3 instead of SiO 2 , and evaluation was performed in the same manner as above. Obtained.
1……液晶パネル 2……液晶層 3、4……無機配向膜 5……無機粒子 7、8……偏光膜 11……マイクロレンズ基板 111……マイクロレンズ用凹部付き基板 112……凹部 113……マイクロレンズ 114……表層 115……樹脂層 12……液晶パネル用対向基板 13……ブラックマトリックス 131……開口 14……透明導電膜 17……TFT基板 171……ガラス基板 172……画素電極 173……薄膜トランジスタ 170……無機粒子作製用基板 18……シート作製用基板 190……薄膜 191……シート 192……配向薄膜シート 193……薄膜 800……無機材料(原料) 810……蒸着源 820……スリット板 821……スリット 830……駆動装置 300……投射型表示装置 301……光源 302、303……インテグレータレンズ 304、306、309……ミラー 305、307、308……ダイクロイックミラー 310〜314……集光レンズ 320……スクリーン 20……光学ブロック 21……ダイクロイックプリズム 211、212……ダイクロイックミラー面 213〜215……面 216……出射面 22……投射レンズ 23……表示ユニット 24〜26……液晶ライトバルブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (14)
前記無機配向膜は、前記基板の一方の面にほぼ平行、かつ、長軸がほぼ一定方向に向くように配設された複数の角柱状の無機粒子で構成されていることを特徴とする電子デバイス用基板。 A substrate for an electronic device having a substrate and an inorganic alignment film provided on one surface side of the substrate,
The inorganic alignment film is composed of a plurality of prismatic inorganic particles arranged so as to be substantially parallel to one surface of the substrate and having a major axis oriented in a substantially constant direction. Device substrate.
前記樹脂材料と、前記無機粒子とを含むシートを用意する第1の工程と、
該シートを延伸して、その延伸方向に前記無機粒子を配向させる第2の工程と、
前記基板の一方の面側に、前記シートを貼着する第3の工程と、
前記樹脂材料を除去して、前記無機粒子を前記基板側に転写するとともに、前記無機粒子を前記基板側に固定することにより、前記無機配向膜を得る第4の工程とを有することを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。 A method for producing an electronic device substrate according to any one of claims 1 to 4,
A first step of preparing a sheet containing the resin material and the inorganic particles;
A second step of stretching the sheet and orienting the inorganic particles in the stretching direction;
A third step of attaching the sheet to one surface side of the substrate;
And a fourth step of obtaining the inorganic alignment film by removing the resin material, transferring the inorganic particles to the substrate side, and fixing the inorganic particles to the substrate side. A method of manufacturing an electronic device substrate.
前記第4の工程において、前記固定処理および前記樹脂材料の除去は、加熱により一括して行われる請求項10に記載の電子デバイス用基板の製造方法。 The sheet includes the fixing agent,
The method for manufacturing an electronic device substrate according to claim 10, wherein, in the fourth step, the fixing process and the removal of the resin material are collectively performed by heating.
前記無機配向膜の前記基板と反対側に設けられた液晶層とを備えることを特徴とする液晶パネル。 An electronic device substrate according to any one of claims 1 to 4,
A liquid crystal panel comprising: a liquid crystal layer provided on a side opposite to the substrate of the inorganic alignment film.
An electronic apparatus comprising the liquid crystal panel according to claim 13.
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