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JP2007081009A - 駆動回路およびデータ線ドライバ - Google Patents

駆動回路およびデータ線ドライバ Download PDF

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Abstract

【課題】PDP等を駆動するドライバICの出力回路において、隣接端子間に形成される寄生NPNバイポーラトランジスタが自己ノイズやパネルからのノイズによって動作し、誤動作や破壊の原因になっていた。
【解決手段】端子間の分離領域115に0V以上の電位に固定されるN型拡散層116を設け、トランジスタのドレインをN型ウェル上の高濃度N型拡散層と同電位の高濃度P型拡散層113で形成する。これにより寄生バイポーラトランジスタのコレクタ電流を削減することができるので、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することができる
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の出力バッファを有する駆動回路およびその駆動回路を備えるデータ線ドライバに係わるもので、特にプラズマディスプレイパネル等の高電圧駆動信号で画像を表示するディスプレイパネルを駆動するのに用いる駆動回路およびデータ線ドライバに関する。
近年、薄型で高精細な表示装置として注目されているプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称す)は、マトリクス状に配置されたデータ電極と走査維持電極で構成される複数の放電セルを有する表示装置で、放電セルはデータ電極配線とこれに直交する走査電極配線および維持電極配線によって放電が制御されており、その放電発光および非発光によって所望の表示画像を得るように構成されている。
このようなPDPを駆動するために、デジタルのRGBカラー画像信号を、PDPを駆動可能な高電圧に変換するレベルシフタなどを含む半導体回路装置が用いられる。
以上のような従来の半導体回路装置について以下に図を用いて説明する。
図5は一般的なプラズマディスプレイパネルの概略構成図、図6は従来のPDPを駆動するデータ線ドライバのブロック図、図7は従来の駆動回路の回路構成図、図8は従来の駆動回路の駆動波形図、図9は従来のPDPを駆動する駆動回路の断面構造概略図であり、図10は従来の駆動回路におけるNPN寄生バイポーラトランジスタの電流特性図である。
図5に示すように、表示パネル(PDP)900は、複数の走査電極ライン901に接続される複数の走査線ドライバ902と、複数の表示データ電極ライン903に接続される複数の表示データ線ドライバ904によって駆動されている。カラー表示を行うPDPは、各表示データ電極ラインが、それぞれR(RED:赤)、G(GREEN:緑)、B(BLUE:青)の異なる色の蛍光体を用いた3色の電極を有し、それぞれの表示データ電極ラインを個別に駆動させることにより、カラー表示を行うことができる。
図6に示すように、データ入力端子から入力される画像データは、シフトレジスタ905にシリアルに供給される。シフトレジスタ905により受信されたシリアルデータは、シフトレジスタ905によりパラレルデータに変換された後に、ラッチ回路906で保持される。ラッチ回路906に保持されたパラレルデータは、レベルシフト回路907で電圧変換をされた後に、駆動回路908を介して駆動出力端子O1〜Onから接地電位(GND)または電源電位(VCC)の電位として選択的に出力され表示データ電極903に印加される。
図7は駆動回路908の回路構成の一部を示しており、駆動回路908は、プッシュプル回路が隣接して複数個配置される多出力ドライバとして構成されている。ここで、出力端子Onと出力端子On+1は隣接する駆動出力端子であり、出力端子Onと出力端子On+1に対して、駆動電源端子103および接地端子130が共通に配置されている。このように複数の駆動出力端子が隣接して配置された構成においては図8に示すように、ある出力端子に隣接する駆動出力端子の出力変化に伴う自己ノイズやパネルからの外来ノイズが重畳される。
ここで、図9に示すように、出力バッファを構成するトランジスタの高濃度N型拡散層106及び隣接する高濃度N型拡散層112は接地電位(GND)に固定されたP型ウェル108上に形成されている。これによって任意出力端子OUTn104とその隣接出力端子OUTn+1105の間には、出力端子OUTn104に繋がる高濃度N型拡散層106−N型ウェル111−P型ウェル108−出力端子OUTn+1105に繋がるN型拡散層112の経路でNPN寄生バイポーラトランジスタ102が形成される。
出力端子OUTn104が“電源電位(VCC)”出力状態で、出力端子OUTn+1105が“接地電位(GND)”出力状態の時に自己ノイズまたは外来ノイズによって、“接地電位(GND)“出力状態のOUTn+1105に繋がるN型拡散層112にP型ウェル108との間のビルトイン電圧以上の電位差が発生すると隣接間に形成されるNPN寄生バイポーラトランジスタ102が動作し始める。
これにより、P型ウェル108からOUTn+1105(本端子に繋がるN型拡散層を以下エミッタ)に向かってエミッタ電流Ieが流れ、接地端子130からP型ウェル108に向かってベース電流Ibが流れるために、出力端子OUTn104(本端子に繋がるN型拡散層を以下コレクタ)からP型ウェル108(以下ベース)に向かってコレクタ電流Icが流れ始める。この時、高電位にバイアスされるコレクタ部に流れるコレクタ電流Icが許容電流値を超えると、コレクタが熱破壊して誤動作の原因になるという問題があった。
図10に示すとおり、NPN寄生バイポーラトランジスタの電流特性は、物理的な構成や拡散濃度、コレクタ−エミッタ間電圧によって決まり、駆動電源電圧(VCC)が高い程、またコレクタ電流が大きいほど、コレクタのジャンクション部に高電界が印加されるため熱破壊に至りやすい。一方、コレクタ電圧はパネル駆動電圧により決まるため、駆動電源電圧を下げずにコレクタ電流を小さくすることが誤動作や破壊に対する耐性を向上する手段となる。
この問題に対して他の駆動回路として、互いに隣接するトランジスタ間の距離を十分に確保する構成や、トランジスタ間をシリコン酸化膜で絶縁したSOI(Sillicon
Oxide Insulated)プロセスを用いる構成として対策していた。
特開2001−53228号公報
しかしながら上記従来の駆動回路では、隣接するトランジスタ間の距離を確保するためにチップサイズが増加したり、寄生トランジスタを形成しない構成とするために特殊なプロセスを必要とするなどコストアップの要因となる問題点があった。
本発明の駆動回路は、上記従来の問題点を解決するもので、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の請求項1記載の駆動回路は、共通のP型ウェル上に形成される複数のトランジスタより成る駆動回路であって、前記トランジスタの分離領域に形成される高濃度N型拡散層と、前記高濃度N型拡散層に前記P型ウェルの電位以上の固定電位を供給する固定電位供給端子とを有し、前記トランジスタのドレインがN型ウェル上の高濃度N型拡散層と同電位の高濃度P型拡散層で形成され、隣接するトランジスタ間に形成される寄生NPNバイポーラトランジスタのコレクタ電流を抑制することに
より、前記トランジスタの破壊に対する耐性を向上することを特徴とする
請求項2記載の駆動回路は、共通のP型ウェル上に形成される複数のトランジスタより成る駆動回路であって、前記トランジスタの分離領域にN型ウェル上に形成される高濃度N型拡散層を有し、前記高濃度N型拡散層に前記P型ウェルの電位以上の固定電位を供給する固定電位供給端子を有し、隣接するトランジスタ間に形成される寄生NPNバイポーラトランジスタのコレクタ電流を抑制することを特徴とすることにより、前記トランジスタの破壊に対する耐性を向上することを特徴とする。
請求項3記載のデータ線ドライバは、請求項1または請求項2のいずれかに記載の前記駆動回路を有することを特徴とする。
以上により、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。
隣接するトランジスタの分離領域に高濃度N型拡散層を設け、また前記トランジスタのドレイン領域にドレインと同電位の高濃度P型拡散層を設けることにより、寄生NPNトランジスタのコレクタ電流を削減することができるので、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。
さらに、隣接するトランジスタの分離領域の高濃度N型拡散層の下にN型ウェルを設けることにより、寄生NPNトランジスタのコレクタ電流を削減することができるので、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら、隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる
以下、本発明の実施の形態における半導体回路装置について、図面を参照しながら具体的に説明する。
(実施の形態1)
本発明の実施の形態1における駆動回路を図1、図2を用いて説明する。
図1は実施の形態1におけるPDPを駆動する駆動回路の断面構造概略図であり、図2は実施の形態1におけるPDPを駆動する駆動回路の等価回路図である。
まず、実施の形態1における駆動回路の構成について説明する。
図1において、106は出力端子OUTnに繋がる高濃度N型拡散層、107は高濃度P型拡散層、112は出力端子OUTn+1に繋がる高濃度N型拡散層、113はトランジスタのドレイン領域に形成される前記高濃度N型拡散層112と同電位の高濃度P型拡散層、116はトランジスタ間の分離領域115に設けられたコレクタ電流低減用の高濃度N型拡散層、111は高耐圧ドレインを形成するN型ウェル、108はP型ウェル、109はP型基板、104は任意のトランジスタの出力端子OUTn、105はその隣接するトランジスタの出力端子OUTn+1、130は接地端子、143はLOCOS、201はゲート形成領域である。ここで、高濃度N型拡散層116は分離領域115の高濃度P型拡散層107中に形成され、接地端子130によりグランド電位に固定される。
次に、この半導体回路装置の動作を説明する。
自己ノイズまたは外来ノイズにより隣接端子間に形成されるNPN寄生バイポーラトランジスタが動作し、異常電流が流れて誤動作や破壊の原因になることは背景技術で述べた通りである。
NPN寄生バイポーラトランジスタ102が動作した時に流れる電流経路は、出力端子OUTn104−高濃度N型拡散層106−N型ウェル111−P型ウェル108−N型ウェル111−高濃度N型拡散層112−出力端子OUTn+1105の順である。一方、分離領域115にコレクタ電流低減用高濃度N型拡散層116を有することにより、NPN寄生バイポーラトランジスタ102のコレクタ電流の経路が高濃度N型拡散層106−P型ウェル108の経路の他に高濃度N型拡散層116−P型ウェル108の経路も形成される。さらにトランジスタのドレイン領域に形成された高濃度P型拡散層113により、PNP寄生バイポーラトランジスタ101が形成され、図2の等価回路図に示すサイリスタ構造を形成し、分離領域115の高濃度N型拡散層116をコレクタとするNPN寄生バイポーラトランジスタの動作を加速することで、出力端子OUTn104−高濃度N型拡散層106−N型ウェル111−P型ウェル108間に流れるコレクタ電流が低減されるので、隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することができる。
以上のように本実施の形態1によれば、駆動回路を構成するトランジスタ間の分離領域115にコレクタ電流低減用高濃度N型拡散層116を設け、NPN寄生バイポーラトランジスタのコレクタ電流の経路を形成し、さらにトランジスタのドレイン領域に形成された高濃度P型拡散層113により、PNP寄生バイポーラトランジスタ101が形成され、分離領域115の高濃度N型拡散層116をコレクタとするNPN寄生バイポーラトランジスタ102の動作を加速することにより、高濃度N型拡散層106−N型ウェル111−P型ウェル108間を流れるコレクタ電流を低く留められ、誤動作または破壊に至る耐性を向上でき、通常のCMOSプロセスを用いて、隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することができる。
次に、図3、図4を用いて詳細に本発明の実施例を説明する。
図3は実施の形態1の開発事例を説明する断面構造図、図4は実施の形態1の開発事例における破壊耐性の評価結果を説明する図である。
図3において、141はN型オフセット拡散層、142はP型オフセット拡散層、143はLOCOS、144は出力取出し用アルミ電極である。
今、P型ウェル108の濃度が5×1015Atoms/cm−3、低電位用N型ウェル111の濃度が5.8×1016Atoms/cm−3、高濃度N型拡散層106、116の濃度が5.0×1020Atoms/cm−3、高濃度P型拡散層107の濃度が5.0×1020Atoms/cm−3、N型オフセット拡散層141の濃度が3.0×1016Atoms/cm−3、P型オフセット拡散層142の濃度が5.0×1016Atoms/cm−3で構成され、対向するドレイン間の領域である分離領域115を67μmの距離で設計されたデバイスについて説明する。
出力端子OUTn104に80V電位を隣接出力端子OUTn+1105に0V電位を供給し、出力端子OUTn+1105に負電位のノイズパルスを入力し、そのノイズレベルを大きくすると、やがて寄生バイポーラタランジスタ102の許容電流を超えて高濃度N型拡散層106近傍が熱破壊に至る。
図4は、分離領域内に本発明の高濃度N型拡散層116、ドレイン領域に高濃度P型拡散層113を挿入した場合の前記破壊に至る耐性の結果を比較したものある。NPN寄生バイポーラトランジスタが動作した時に高濃度N型拡散層116、高濃度P型拡散層113が無い場合に比べてそれらを挿入した場合、耐性向上の効果が認められる。
この時、従来の分離領域115を広くして耐圧の向上を図る構造に比べて、分離領域115を小さくすることができるために、チップサイズが大きくなることをおさえながらトランジスタのノイズ耐性を向上することができる。
(実施の形態2)
本発明の実施の形態2における駆動回路を図5、図6を用いて説明する。図5は実施の形態2におけるPDPを駆動する駆動回路の断面構造概略図である。図6は実施の形態2におけるPDPを駆動する駆動回路の等価回路図である。
次に、この半導体回路装置の動作を説明する。自己ノイズまたは外来ノイズにより隣接端子間に形成されるNPN寄生バイポーラトランジスタが動作し、異常電流が流れて誤動作や破壊の原因になることは背景技術で述べた通りである。
コレクタ電流低減用高濃度N型拡散層116をN型ウェル114上に形成することにより、高濃度N型拡散層116をコレクタとするNPN寄生バイポーラトランジスタ117のコレクタ面積が大きくなり、出力端子OUTn104−高濃度N型拡散層106−N型ウェル111−P型ウェル108間に流れるコレクタ電流が低減される。
以上のように本実施の形態2によれば、駆動回路を構成するトランジスタ間の分離領域115にN型ウェル上に形成される高濃度N型拡散層を設けることにより、隣接するトランジスタ間に形成される寄生NPNバイポーラトランジスタ102の高濃度N型拡散層106−N型ウェル111−P型ウェル108間を流れるコレクタ電流を低く留められ、誤動作または破壊に至る耐性を向上でき、通常のCMOSプロセスを用いて、隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することができる。
本発明にかかる半導体回路装置は、通常のCMOSプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することができ、複数の出力バッファを有する駆動回路およびその駆動回路を備えるデータ線ドライバに係わるもので、特にプラズマディスプレイパネル等の高電圧駆動信号で画像を表示するディスプレイパネルを駆動するのに用いる駆動回路およびデータ線ドライバ等として有用である。
実施の形態1におけるPDPを駆動する駆動回路の断面構造の概略構成を示す図 実施の形態1における駆動回路の出力端子OUTn+1−接地端子間の等価回路を示す図 実施の形態1における詳細断面を示す図 実施の形態1における破壊耐性の評価結果を示す図 実施の形態2におけるPDPを駆動する駆動回路の断面構造の概略を示す図 実施の形態2における駆動回路の出力端子OUTn+1−接地端子間の等価回路を示す図 一般的なプラズマディスプレイパネルの概略構成を示す図 従来のPDPを駆動するデータ線ドライバのブロック図 従来の駆動回路の回路構成を示す図 従来の駆動回路の駆動波形を示す図 従来のPDPを駆動する駆動回路の断面構造の概略構成を示す図 NPN寄生バイポーラトランジスタの電流特性を示す図
符号の説明
101 PNP寄生バイポーラトランジスタ
102 NPN寄生バイポーラトランジスタ
103 駆動電源端子
104 出力端子(OUTn)
105 出力端子(OUTn+1)
106 出力端子OUTnに繋がる高濃度N型拡散層
107 隣接トランジスタ間の分離領域に形成された高濃度P型拡散層
108 P型ウェル
109 P型基板
111 トランジスタのドレイン領域の下に形成されたN型ウェル
112 出力端子OUTn+1に繋がる高濃度N型拡散層
113 トランジスタのドレイン領域に形成された高濃度P型拡散層
114 隣接トランジスタ間の分離領域の下に形成されたN型ウェル
115 隣接トランジスタ間の分離領域
116 隣接トランジスタ間の分離領域に形成された高濃度N型拡散層
117 NPN寄生バイポーラトランジスタ
118 P型高濃度拡散層とP型ウェル間で形成されるベース抵抗
119 N型高濃度拡散層とN型ウェル間で形成されるエミッタ抵抗
120 P型高濃度拡散層とP型ウェル間で形成されるベース抵抗
121 N型高濃度拡散層とN型ウェル間で形成されるエミッタ抵抗
122 エミッタ電流
123 ベース電流
124 コレクタ電流
130 接地端子
141 N型オフセット拡散層
142 P型オフセット拡散層
143 LOCOS
144 出力取出し用アルミ電極
201 トランジスタのゲート
900 PDP
901 走査電極ライン
902 走査線ドライバ
903 表示データ電極ライン
904 表示データ線ドライバ
905 シフトレジスタ
906 ラッチ回路
907 レベルシフト回路
908 駆動回路

Claims (3)

  1. 共通のP型ウェル上に形成される複数のトランジスタより成る駆動回路であって、
    前記トランジスタの分離領域に形成される高濃度N型拡散層と前記高濃度N型拡散層に前記P型ウェルの電位以上の固定電位を供給する固定電位供給端子とを有し、
    前記トランジスタのドレインがN型ウェル上の高濃度N型拡散層と同電位の高濃度P型拡散層で形成され、隣接するトランジスタ間に形成される寄生NPNバイポーラトランジスタのコレクタ電流を抑制することを特徴とする駆動回路。
  2. 共通のP型ウェル上に形成される複数のトランジスタより成る駆動回路であって、
    前記トランジスタの分離領域にN型ウェル上に形成される高濃度N型拡散層を有し、
    前記高濃度N型拡散層に前記P型ウェルの電位以上の固定電位を供給する固定電位供給端子を有し、隣接するトランジスタ間に形成される寄生NPNバイポーラトランジスタのコレクタ電流を抑制することを特徴とする駆動回路。
  3. 前記駆動回路を有することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のデータ線ドライバ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017073188A1 (ja) * 2015-10-28 2017-05-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用半導体装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5099282B1 (ja) * 2011-03-15 2012-12-19 富士電機株式会社 高耐圧集積回路装置
US20150236090A1 (en) * 2014-02-14 2015-08-20 Nxp B.V. Transistor with reducted parasitic
CN110880502B (zh) * 2018-09-05 2022-10-14 无锡华润上华科技有限公司 半导体结构及电机驱动装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61283158A (ja) * 1985-06-10 1986-12-13 Nec Corp 相補型mosトランジスタ回路
JP2000208712A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置の静電保護装置
JP2001053228A (ja) * 1999-08-16 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
US20030038298A1 (en) * 2000-09-28 2003-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Embedded SCR protection device for output and input pad

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5961169A (ja) 1982-09-30 1984-04-07 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4646124A (en) * 1984-07-30 1987-02-24 Sprague Electric Company Level shifting BIMOS integrated circuit
US5012317A (en) 1986-04-11 1991-04-30 Texas Instruments Incorporated Electrostatic discharge protection circuit
US4937647A (en) 1986-11-06 1990-06-26 Texas Instruments Incorporated SCR-DMOS circuit for driving electroluminescent displays
EP0905900B1 (en) 1994-04-22 2002-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Driving circuit for light emitting diode
JP3513609B2 (ja) * 1996-04-19 2004-03-31 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2002203956A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2003017603A (ja) * 2001-06-28 2003-01-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US7133012B2 (en) 2002-01-17 2006-11-07 Nec Corporation Semiconductor device provided with matrix type current load driving circuits, and driving method thereof
TW583622B (en) * 2002-02-14 2004-04-11 Rohm Co Ltd Organic EL drive circuit and organic EL display device using the same
JP4775684B2 (ja) * 2003-09-29 2011-09-21 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体集積回路装置
JP2007095827A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61283158A (ja) * 1985-06-10 1986-12-13 Nec Corp 相補型mosトランジスタ回路
JP2000208712A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置の静電保護装置
JP2001053228A (ja) * 1999-08-16 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
US20030038298A1 (en) * 2000-09-28 2003-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Embedded SCR protection device for output and input pad

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017073188A1 (ja) * 2015-10-28 2017-05-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用半導体装置
JP2017084121A (ja) * 2015-10-28 2017-05-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 車載用半導体装置
CN108138686A (zh) * 2015-10-28 2018-06-08 日立汽车系统株式会社 车载用半导体装置
US10882471B2 (en) 2015-10-28 2021-01-05 Hitachi Automotive Systems, Ltd. In-vehicle semiconductor device
CN108138686B (zh) * 2015-10-28 2021-03-12 日立汽车系统株式会社 车载用半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
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