JP2006332225A - 窒化物系発光ダイオード - Google Patents

Abstract

【課題】構成・構造の複雑化、設計自由度の低下といった問題の発生を回避することができ、しかも、全体としての輝度を向上させ得る構造を有する窒化物系発光ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物系発光ダイオードは、第１クラッド層１３、活性層１４及び第２クラッド層１５から成る発光部積層構造１２、第１クラッド層の延在領域２２，３２に形成された第１電極２６，３６、及び、第２電極１６を備え、発光部積層構造１２の積層方向に沿って外部に主に光を射出し、第１電極２６，３６には、積層方向と略直角の方向に活性層１４から外部に射出された光を、積層方向に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面２７，３７が設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、窒化物系発光ダイオードに関する。

例えばＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層から構成された多重量子井戸から成る活性層を有し、活性層がｎ型クラッド層及びｐ型クラッド層によって挟まれた構造を有する窒化物系発光ダイオード（ＬＥＤ）によって、緑色から紫外線領域に亙る発光が実現されている。

ところで、ＩｎＮとＧａＮとは非混和性が高いために、高Ｉｎ組成においては、ＩｎＧａＮ層の結晶品質が大きく劣化するという問題を有する。また、ＩｎＧａＮ層がＧａＮ層界面から圧縮歪を受ける結果、ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層から構成された量子井戸内において圧電電界（ピエゾ自発分極）が発生し、電子と正孔が空間的に分離されることによる再結合確率の低下に起因して、高Ｉｎ組成では発光効率が低下するという問題を有する。従って、これらの問題に起因して、ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層から構成された多重量子井戸から成る活性層にあっては、内部量子効率を向上させることが非常に困難である。

このような観点から、活性層からの発光を効率良く外部へ取り出せる構造を窒化物系発光ダイオードに付与することによって外部量子効率を向上させ、全体として輝度を向上させる技術が検討されている。しかしながら、このような構造は、一般的に、活性層やその側面に新たな構造を作り込むものが多く、その製造プロセスによっては、活性層体積の減少や発光効率の低下を伴う場合がある。

また、全体としての輝度を向上させる別の技術として、第１クラッド層、活性層及び第２クラッド層の積層方向に沿って外部に主に光を射出する窒化物系発光ダイオードにあって、この積層方向と略直角の方向に活性層から外部に射出された光を、この積層方向に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面を設ける技術が、例えば、特開２００３−５１６１０や特開２００３−３４７５８９から周知である。

特開２００３−５１６１０ 特開２００３−３４７５８９

しかしながら、これらの特許公開公報に開示された技術にあっては、反射面は、発光ダイオードのｎ型電極とは別個に形成されている。従って、発光ダイオードの構成・構造の複雑化、発光ダイオードの設計自由度の低下といった問題を有する。

従って、本発明の目的は、構成・構造の複雑化、設計自由度の低下といった問題の発生を回避することができ、しかも、全体としての輝度を向上させ得る構造を有する窒化物系発光ダイオードを提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る窒化物系発光ダイオードは、
（Ａ）発光部積層構造、
（Ｂ）発光部積層構造から離間した第１クラッド層の延在領域に形成された第１電極、及び、
（Ｃ）第２クラッド層上に形成された第２電極、
を備え、
発光部積層構造は、
（Ａ−１）基板上に形成され、第１導電型を有し、窒化物系化合物半導体から成る第１クラッド層、
（Ａ−２）第１クラッド層上に形成され、窒化物系化合物半導体から成る活性層、及び、
（Ａ−３）活性層上に形成され、第２導電型を有し、窒化物系化合物半導体から成る第２クラッド層、
から成り、
発光部積層構造の積層方向に沿って外部に主に光を射出する窒化物系発光ダイオードであって、
第１電極には、該積層方向と略直角の方向に活性層から外部に射出された光を、該積層方向に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面が設けられていることを特徴とする。

ここで、積層方向と「略直角の方向」は、限定するものではないが、［積層方向］±４５（度）であることが好ましい。また、積層方向に沿って外部に射出される光の方向と「略平行な方向」は、限定するものではないが、［積層方向］±４５（度）であることが好ましい。後述する本発明の第２の態様に係る窒化物系発光ダイオードにおいても同様である。

本発明の第１の態様に係る窒化物系発光ダイオードにあっては、第１電極がその上に形成された第１クラッド層の延在領域は、第１クラッド層延在部、活性層離間領域、及び、第２クラッド層離間領域が積層された反射部積層構造から成り、反射部積層構造には、第１電極に設けられた反射面と略平行な斜面が形成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本発明の第１Ａの態様に係る窒化物系発光ダイオードと呼ぶ。ここで、第１電極に設けられた反射面と「略平行な」斜面が反射部積層構造に形成されているとは、反射部積層構造に形成された斜面と、第１電極に設けられた反射面とが、加工のばらつきの範囲内で平行であることを意味し、加工に起因した若干の不平行は包含される。反射部積層構造に形成された斜面は、発光部積層構造と対面していてもよいし、対面していなくともよい。光が第２クラッド層から外部に射出される構成である場合には前者を採用し、光が第１クラッド層から外部に射出される構成である場合には後者を採用すればよい。前者にあっては、積層方向と略直角の方向に活性層から外部に射出された光（面内方向射出光と呼ぶ場合がある）は、直接、第１電極に設けられた反射面によって反射され、後者にあっては、面内方向射出光は、反射部積層構造を通過し、第１電極に設けられた反射面によって反射される。

あるいは又、本発明の第１の態様に係る窒化物系発光ダイオードにあっては、第１電極が形成された第１クラッド層の延在領域の表面は、第１クラッド層と活性層との界面と略平行である構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本発明の第１Ｂの態様に係る窒化物系発光ダイオードと呼ぶ。ここで、第１電極が形成された第１クラッド層の延在領域の表面が第１クラッド層と活性層との界面と「略平行である」とは、第１クラッド層の延在領域の表面と、第１クラッド層と活性層との界面とが、成膜等のばらつきの範囲内で平行であることを意味し、成膜等に起因した若干の不平行は包含される。この本発明の第１Ｂの態様に係る窒化物系発光ダイオードにあっては、面内方向射出光は、直接、第１電極に設けられた反射面によって反射される。

上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る窒化物系発光ダイオードは、
（Ａ）基板上に形成され、第１導電型を有する導電層、
（Ｂ）発光部積層構造、
（Ｃ）発光部積層構造から離間した導電層の延在領域に形成された第１電極、及び、
（Ｄ）第２クラッド層上に形成された第２電極、
を備え、
発光部積層構造は、
（Ｂ−１）導電層上に形成され、第１導電型を有し、窒化物系化合物半導体から成る第１クラッド層、
（Ｂ−２）第１クラッド層上に形成され、窒化物系化合物半導体から成る活性層、及び、
（Ｂ−３）活性層上に形成され、第２導電型を有し、窒化物系化合物半導体から成る第２クラッド層、
から成り、
発光部積層構造の積層方向に沿って外部に主に光を射出する窒化物系発光ダイオードであって、
第１電極には、該積層方向と略直角の方向に活性層から外部に射出された光を、該積層方向に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面が設けられていることを特徴とする。

本発明の第２の態様に係る窒化物系発光ダイオードにあっては、第１電極がその上に形成された導電層の延在領域は、導電層延在部と、該導電層延在部の上に形成された第１クラッド層離間領域、活性層離間領域、及び、第２クラッド層離間領域が積層された反射部積層構造とから成り、反射部積層構造には、第１電極に設けられた反射面と略平行な斜面が形成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本発明の第２Ａの態様に係る窒化物系発光ダイオードと呼ぶ。ここで、第１電極に設けられた反射面と「略平行な」斜面が反射部積層構造に形成されているとは、反射部積層構造に形成された斜面と、第１電極に設けられた反射面とが、加工のばらつきの範囲内で平行であることを意味し、加工に起因した若干の不平行は包含される。反射部積層構造に形成された斜面は、発光部積層構造と対面していてもよいし、対面していなくともよい。光が第２クラッド層から外部に射出される構成である場合には前者を採用し、光が第１クラッド層から外部に射出される構成である場合には後者を採用すればよい。前者にあっては、面内方向射出光は、直接、第１電極に設けられた反射面によって反射され、後者にあっては、面内方向射出光は、反射部積層構造を通過し、第１電極に設けられた反射面によって反射される。

あるいは又、本発明の第２の態様に係る窒化物系発光ダイオードにあっては、第１電極が形成された導電層の延在領域には、第１電極に設けられた反射面と略平行な斜面が形成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本発明の第２Ｂの態様に係る窒化物系発光ダイオードと呼ぶ。ここで、第１電極が形成された導電層の延在領域に第１電極に設けられた反射面と「略平行な」斜面が形成されているとは、第１電極が形成された導電層の延在領域に形成された斜面と、第１電極に設けられた反射面とが、加工のばらつきの範囲内で平行であることを意味し、加工に起因した若干の不平行は包含される。導電層の延在領域に形成された斜面は、発光部積層構造と対面していてもよいし、対面していなくともよい。光が第２クラッド層から外部に射出される構成である場合には前者を採用し、光が第１クラッド層から外部に射出される構成である場合には後者を採用すればよい。前者にあっては、面内方向射出光は、直接、第１電極に設けられた反射面によって反射され、後者にあっては、面内方向射出光は、導電層の延在領域を通過し、第１電極に設けられた反射面によって反射される。

あるいは又、本発明の第２の態様に係る窒化物系発光ダイオードにあっては、第１電極が形成された導電層の延在領域の表面は、第１クラッド層と活性層との界面と略平行である構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、本発明の第２Ｃの態様に係る窒化物系発光ダイオードと呼ぶ。ここで、第１電極が形成された導電層の延在領域の表面が第１クラッド層と活性層との界面と「略平行である」とは、第１電極が形成された導電層の延在領域の表面と、第１クラッド層と活性層との界面とが、成膜等のばらつきの範囲内で平行であることを意味し、成膜等に起因した若干の不平行は包含される。この本発明の第２Ｃの態様に係る窒化物系発光ダイオードにあっては、面内方向射出光は、直接、第１電極に設けられた反射面によって反射される。

尚、第１クラッド層離間領域とは、第１クラッド層と同一の組成を有し、第１クラッド層と同時に形成され、第１クラッド層とは離間した位置に形成される領域（層）を指す。また、活性層離間領域とは、活性層と同一の組成を有し、活性層と同時に形成され、活性層とは離間した位置に形成される領域（層）を指す。更には、第２クラッド層離間領域とは、第２クラッド層と同一の組成を有し、第２クラッド層と同時に形成され、第２クラッド層とは離間した位置に形成される領域（層）を指す。

以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る窒化物系発光ダイオード（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）にあっては、光は、前記積層方向に沿って、主に、第２クラッド層から外部に射出される構成とすることができるが、これに限定するものではなく、光は、前記積層方向に沿って、主に、第１クラッド層から外部に射出される構成とすることもできる。

本発明における窒化物系化合物半導体として、Ｖ族として窒素元素を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、例えば、ＧａＮ系材料（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＢＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＩｎＧａＮ混晶を含み、更には、これらの材料にタリウム（Ｔｌ）原子が含まれた材料を含む）、ＩｎＮ、ＡｌＮを挙げることができる。窒化物系化合物半導体から成る第１クラッド層、活性層、第２クラッド層（以下、これらの層を総称して、窒化物系化合物半導体層と呼ぶ場合がある）は、例えば、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法等によって堆積、形成することができる。本発明において、窒化物系化合物半導体から成る第１クラッド層、活性層、第２クラッド層から構成された発光部積層構造が発光ダイオード構造としての構造を有する限り、窒化物系化合物半導体の種類、組成に特に制約は無いし、窒化物系化合物半導体から成る第１クラッド層、活性層、第２クラッド層のそれぞれの構成・構造にも特に制約は無い。尚、活性層は、１層の窒化物系化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）あるいは多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有していてもよい。

本発明の第２の態様に係る窒化物系発光ダイオードにおいて、導電層（緩衝層としての機能を有していてもよい）は、窒化物系化合物半導体から成ることが好ましい。導電層を構成する窒化物系化合物半導体として、上述した各種の窒化物系化合物半導体を挙げることができる。導電層は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。

本発明においては、第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型とすることができるし、これとは逆に、第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型とすることもできる。ここで、ｐ型不純物としてＭｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａを挙げることができる。一方、ｎ型不純物としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｃを挙げることができる。

ＭＯＣＶＤ法にてＧａＮ系材料から成る窒化物系化合物半導体層を形成する場合、有機ガリウム源ガスとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガスやトリエチルガリウム（ＴＥＧ）ガスを挙げることができるし、窒素源ガスとして、アンモニアガスやヒドラジンガスを挙げることができる。また、ＧａＮ系材料の構成原子としてアルミニウム（Ａｌ）あるいはインジウム（Ｉｎ）が含まれる場合、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを用いればよいし、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガスを用いればよい。更には、ｎ型不純物としてＳｉを用いる場合、Ｓｉ源としてモノシランガス（ＳｉＨ₄ガス）を用いればよいし、ｐ型不純物としてＭｇを用いる場合、Ｍｇ源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスやメチルシクロペンタジエニルマグネシウムを用いればよい。尚、ＭＯＣＶＤにおける成膜条件を適切に制御することで、窒化物系化合物半導体層を、主に基板垂直方向に成長させることもできるし、主に基板面内方向に成長させることもできるし、主に基板垂直方向と基板面内方向とが合成された方向に成長させることもできる。

本発明において、基板として、ＧａＮ基板、サファイヤ基板、ＳｉＣ基板等を挙げることができる。

本発明において、第２導電型をｐ型とする場合、第２電極は、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有していることが好ましく、あるいは又、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料を用いることもできる。また、第１導電型をｎ型とする場合、第１電極は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、タングステン（Ｗ）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、錫（Ｓｎ）及びインジウム（Ｉｎ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましく、例えば、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを例示することができる。第１電極や第２電極は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法等のＰＶＤ法にて形成することができる。

第１電極や第２電極上に、外部の電極あるいは回路と電気的に接続するために、パッド電極を設けてもよい。パッド電極は、Ｔｉ（チタン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む、単層構成又は多層構成を有することが望ましい。あるいは又、パッド電極を、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層構成、Ｔｉ／Ａｕの多層構成に例示される多層構成とすることもできる。

本発明にあっては、第１電極に、積層方向と略直角の方向（基板面内方向）に活性層から外部に射出された光（面内方向射出光）を、積層方向（基板垂直方向）に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面が設けられているので、窒化物系発光ダイオードの構成・構造の複雑化、設計自由度の低下といった問題の発生を確実に回避することができる。しかも、従来、光吸収等によって損失していた活性層から基板面内方向へ射出された光を基板垂直方向に取り出すことができるので、全体としての輝度の向上を達成することができる。更には、活性層に特段の加工を施すことが無いので、活性層の体積減少、活性層への特段の加工に起因した活性層のダメージ発生を回避することができる。また、発光ダイオードの外部に反射面を形成する従来の技術と比較して、活性層から反射面までの行（光）路長を短くすることが可能となるため、光吸収を低減させることができる。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。

実施例１は、本発明の第１の態様に係る窒化物系発光ダイオード、より具体的には、本発明の第１Ａの態様に係る窒化物系発光ダイオード（より具体的には、ＧａＮ系発光ダイオード）に関する。実施例１の窒化物系発光ダイオード１Ａの模式的な一部端面図を、図１の（Ａ）に示す。尚、実施例１、後述する実施例２〜実施例７あるいはそれらの変形例において、第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型とし、窒化物系化合物半導体をＧａＮ系化合物半導体から構成している。

実施例１の窒化物系発光ダイオード１Ａは、
（Ａ）発光部積層構造１２、
（Ｂ）発光部積層構造１２から離間した第１クラッド層の延在領域２２に形成された第１電極２６、及び、
（Ｃ）第２クラッド層１５上に形成された第２電極１６、
を備えている。

ここで、発光部積層構造１２は、
（Ａ−１）基板１０上に形成され、第１導電型（具体的にはｎ型）を有し、窒化物系化合物半導体（具体的には、Ｓｉをｎ型不純物として含むＡｌＧａＩｎＮ）から成る第１クラッド層１３、
（Ａ−２）第１クラッド層１３上に形成され、窒化物系化合物半導体（具体的には、ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層から構成された多重量子井戸）から成る活性層１４、及び、
（Ａ−３）活性層１４上に形成され、第２導電型（具体的にはｐ型）を有し、窒化物系化合物半導体（具体的には、Ｍｇをｐ型不純物として含むＡｌＧａＮ）から成る第２クラッド層１５、
から成る。

そして、第１クラッド層１３、活性層１４及び第２クラッド層１５から成る発光部積層構造１２の積層方向（図面における上下方向であり、基板垂直方向）に沿って外部に主に光を射出する。尚、以下の説明において、単に「積層方向」と呼ぶ場合、この「積層方向」は、発光部積層構造の積層方向を意味する。実施例１にあっては、より具体的には、第２クラッド層１５から、積層方向に沿って外部に主に光が射出される。

実施例１において、第１電極２６には、積層方向と略直角の方向（基板面内方向）に活性層１４から外部に射出された光（面内方向射出光）を、積層方向（基板垂直方向）に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面２７が設けられている。より具体的には、第１電極２６がその上に形成された第１クラッド層の延在領域２２は、第１クラッド層延在部２３、活性層離間領域２４、及び、第２クラッド層離間領域２５が積層された反射部積層構造２０から成り、この反射部積層構造２０には、第１電極２６に設けられた反射面２７と略平行な斜面２０ｉが形成されている。反射部積層構造２０に形成された斜面２０ｉ、及び、第１電極２６に設けられた反射面２７は、発光部積層構造１２と対面している。ここで、反射部積層構造２０を仮想垂直面で切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形である。そして、第１電極２６は、より具体的には、反射部積層構造２０の上に形成された薄膜から成る。ここで、発光部積層構造１２の平面形状は矩形であり、第１電極２６は、発光部積層構造１２の２つの長辺に沿って平行に形成されており、あるいは又、発光部積層構造１２を取り囲むように形成されている。尚、反射部積層構造２０を仮想垂直面で切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形に限定されず、例えば、台形を例示することができるし、更には、反射部積層構造２０は、発光部積層構造１２と対向（対面）する斜面を有していればよく、例えば、発光部積層構造１２と対向（対面）する斜面と頂面（発光部積層構造１２から離れる方向に斜面から延びる頂面）との組合せを例示することもできる。

以下、実施例１の発光ダイオード１Ａの製造方法を、基板等の模式的な一部端面図である図６の（Ａ）、（Ｂ）、及び、図７の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。ここで、実施例１、後述する実施例２〜実施例７あるいはそれらの変形例におけるＧａＮ系化合物半導体層の結晶成長方法として、基本的にはＭＯＣＶＤ法を採用する。尚、Ｇａ源としてＴＭＧ（トリメチルガリウム）あるいはＴＥＧ（トリエチルガリウム）を用い、Ｉｎ源としてＴＭＩ（トリメチルインジウム）を用い、Ａｌ源としてＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を用い、Ｎ源としてアンモニアガスを用い、ｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）を添加し、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加し、Ｓｉ源としてモノシランガス（ＳｉＨ₄ガス）を用い、Ｍｇ源としてシクロペンタジエニルマグネシウムガスを用いればよい。そして、ＭＯＣＶＤにおける成膜条件を適切に制御することで、窒化物系化合物半導体層を、主に基板垂直方向に成長させることもできるし、主に基板面内方向に成長させることもできるし、主に基板垂直方向と基板面内方向とが合成された方向に成長させることもできる。

［工程−１００］
先ず、サファイヤ基板、ＳｉＣ基板あるいはＧａＮ基板等から成る基板１０を反応炉内に搬入し、反応炉内で１１００゜Ｃ程度の高温にてサーマル・クリーニングを行った後、基板１０を５００゜Ｃ程度に降温し、基板１０の表面に厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度のＧａＮから成る低温緩衝層（図示せず）を成長させる。尚、実施例１にあっては、この低温緩衝層の形成は必須ではない。その後、基板１０を再び１０００゜Ｃ以上に昇温し、次いで、ＡｌＧａＩｎＮから成る第１クラッド層１３を厚さ数μｍ、成長させる。このとき、ｎ型の導電型が得られるように、ＳｉＨ₄を供給し、少なくとも１×１０¹⁸ｃｍ^-3程度のキャリア濃度を有するようにドーピングする。続いて、基板１０を７００〜８００゜Ｃに降温し、ウェル層の厚さ２．５ｎｍ程度、バリア層の厚さ１０〜５０ｎｍ程度のＧａＮ／ＩｎＧａＮから成る単一量子井戸層若しくは多重量子井戸層から構成された活性層１４を成長させる。その後、基板１０を８５０〜９５０゜Ｃ程度に昇温し、ｐ型の導電型が得られるようＭｇ原料を供給して、ＡｌＧａＮから成る、厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍの第２クラッド層１５を成長させる（図６の（Ａ）参照）。尚、第２クラッド層１５のキャリア濃度を、１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上とすることが好ましい。また、Ｍｇを同程度ドーピングしながら１００ｎｍ程度の厚さのＡｌＧａＩｎＮを成長させてもよい。場合によっては、この層の上に、更に、コンタクト層として数ｎｍ程度のＩｎＧａＮ層を成長させてもよい。以上の結晶成長が終了した後、第２クラッド層１５がｐ型の導電性を発現するように、５００゜Ｃ程度以上でアニールを行う。

［工程−１１０］
その後、反応炉から基板１０を搬出し、第２クラッド層１５上にハードマスク層１００を形成し、併せて、第１電極２６を形成すべき第２クラッド層１５の部分の上に、レジスト材料層１０１を形成し、次いで、１００゜Ｃ程度で加熱処理することで、レジスト材料層１０１を一種のプリズム状とする（図６の（Ｂ）参照）。そして、このハードマスク層１００及びレジスト材料層１０１をエッチング用マスクとして、ＲＩＥ法に基づき、第２クラッド層１５、活性層１４をエッチバックし、更に、第１クラッド層１３をエッチバックする（図７の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。その後、ハードマスク層１００を除去する。こうして、第１クラッド層の延在領域２２に相当する反射部積層構造２０（第１クラッド層延在部２３、活性層離間領域２４、及び、第２クラッド層離間領域２５が積層された反射部積層構造２０）に、斜面２０ｉを形成することができる。

［工程−１２０］
次いで、全面にレジスト層を形成し、第２電極を形成すべき第２クラッド層１５の部分の上のレジスト層の部分をフォトリソグラフィ技術に基づき除去し、次に、導電材料層を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、レジスト層を除去するといった、所謂リフトオフ法にて、第２クラッド層１５上に第２電極１６を形成することができる。その後、再び、全面にレジスト層を形成し、第１電極２６を形成すべき第１クラッド層の延在領域２２の部分の上のレジスト層の部分をフォトリソグラフィ技術に基づき除去し、次いで、導電材料層を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、レジスト層を除去するといった、所謂リフトオフ法にて、第１クラッド層の延在領域２２（反射部積層構造２０）の上に第１電極２６を形成することができる。尚、第１電極２６と第２電極１６の形成順序は、逆にしてもよい。

実施例２は、実施例１の変形であり、より具体的には、本発明の第１Ｂの態様に係る窒化物系発光ダイオード（より具体的には、ＧａＮ系発光ダイオード）に関する。実施例２の窒化物系発光ダイオード１Ｂの模式的な一部端面図を、図１の（Ｂ）に示す。実施例２の窒化物系発光ダイオード１Ｂが実施例１の窒化物系発光ダイオード１Ａと相違する点は、第１電極３６が形成された第１クラッド層の延在領域３２の表面３２Ａは、第１クラッド層１３と活性層１４との界面と略平行である点にある。云い換えれば、実施例１と異なり、第１電極３６は、薄膜ではなく、バルク状であり、仮想垂直面で第１電極３６を切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形であり、第１電極３６は、発光部積層構造１２と対向（対面）する反射面（斜面）３７を有している。ここで、発光部積層構造１２の平面形状は、実施例１と同様に矩形であり、第１電極３６は、発光部積層構造１２の２つの長辺に沿って平行に形成されており、あるいは又、発光部積層構造１２を取り囲むように形成されている。尚、仮想垂直面で第１電極３６を切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形に限定されず、例えば、台形を例示することができるし、更には、第１電極３６は、発光部積層構造１２と対向（対面）する斜面を有していればよく、例えば、発光部積層構造１２と対向（対面）する斜面と頂面（発光部積層構造１２から離れる方向に斜面から延びる頂面）との組合せを例示することもできる。

以下、実施例２の発光ダイオード１Ｂの製造方法を、基板等の模式的な一部端面図である図８の（Ａ）、（Ｂ）、及び、図９の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。

［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、第１クラッド層１３、活性層１４及び第２クラッド層１５の積層された構造を形成する。

［工程−２１０］
その後、第２クラッド層１５上にハードマスク層１００を形成し（図８の（Ａ）参照）、このハードマスク層１００をエッチング用マスクとして、ＲＩＥ法に基づき、第２クラッド層１５、活性層１４、第１クラッド層１３をエッチングする。こうして、図８の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。

［工程−２２０］
次に、第１電極３６を形成するための導電材料層１１０を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、第１電極３６を形成すべき導電材料層１１０の部分の上に、レジスト材料層１０１を形成し、次いで、１００゜Ｃ程度で加熱処理することで、レジスト材料層１０１を一種のプリズム状とする（図９の（Ａ）参照）。その後、導電材料層１１０をエッチバックした後（図９の（Ｂ）参照）、ハードマスク層１００を除去する。こうして、仮想垂直面で切断したときの断面形状が略直角二等辺三角形であり、発光部積層構造１２と対向（対面）する反射面（斜面）３７を有する第１電極３６を得ることができる。

［工程−２３０］
その後、全面にレジスト層を形成し、第２電極１６を形成すべき第２クラッド層１５の部分の上のレジスト層の部分をフォトリソグラフィ技術に基づき除去し、次いで、導電材料層を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、レジスト層を除去するといった、所謂リフトオフ法にて、第２クラッド層１５上に第２電極１６を形成することができる。

実施例３は、本発明の第２の態様に係る窒化物系発光ダイオード、より具体的には、本発明の第２Ａの態様に係る窒化物系発光ダイオード（より具体的には、ＧａＮ系発光ダイオード）に関する。実施例３の窒化物系発光ダイオード２Ａの模式的な一部端面図を、図２の（Ａ）に示す。

実施例３の窒化物系発光ダイオード２Ａは、
（Ａ）基板４０上に形成され、第１導電型（具体的にはｎ型）を有する導電層４１、
（Ｂ）発光部積層構造４２、
（Ｃ）発光部積層構造４２から離間した導電層の延在領域５２に形成された第１電極５６、及び、
（Ｄ）第２クラッド層４５上に形成された第２電極４６、
を備えている。

ここで、発光部積層構造４２は、
（Ｂ−１）導電層４１上に形成され、第１導電型（具体的にはｎ型）を有し、窒化物系化合物半導体（具体的には、Ｓｉをｎ型不純物として含むＡｌＧａＩｎＮ）から成る第１クラッド層４３、
（Ｂ−２）第１クラッド層４３上に形成され、窒化物系化合物半導体（具体的には、ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層から構成された多重量子井戸）から成る活性層４４、及び、
（Ｂ−３）活性層４４上に形成され、第２導電型（具体的にはｐ型）を有し、窒化物系化合物半導体（具体的には、Ｍｇをｐ型不純物として含むＡｌＧａＮ）から成る第２クラッド層４５、
から成る。

そして、第１クラッド層４３、活性層４４及び第２クラッド層４５から成る発光部積層構造４２の積層方向（図面における上下方向であり、基板垂直方向）に沿って外部に主に光を射出する。実施例３にあっては、より具体的には、第２クラッド層４５から、積層方向（基板垂直方向）に沿って外部に主に光が射出される。

実施例３において、第１電極５６には、積層方向と略直角の方向（基板面内方向）に活性層４４から外部に射出された光（面内方向射出光）を、積層方向に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面５７が設けられている。具体的には、第１電極５６が形成された導電層の延在領域５２は、導電層延在部５１と、この導電層延在部５１の上に形成された第１クラッド層離間領域５３、活性層離間領域５４、及び、第２クラッド層離間領域５５が積層された反射部積層構造５０とから成り、反射部積層構造５０には、第１電極５６に設けられた反射面５７と略平行な斜面５０ｉが形成されている。反射部積層構造５０に形成された斜面５０ｉ、及び、第１電極５６に設けられた反射面５７は、発光部積層構造４２と対面している。より具体的には、仮想垂直面で反射部積層構造５０を切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形であり、反射部積層構造５０には、第１電極５６に設けられた反射面５７と略平行な斜面５０ｉが形成されている。そして、第１電極５６は、より具体的には、反射部積層構造５０の上に形成された薄膜から成る。ここで、発光部積層構造４２の平面形状は矩形であり、第１電極５６は、発光部積層構造４２の２つの長辺に沿って平行に形成されており、あるいは又、発光部積層構造４２を取り囲むように形成されている。尚、仮想垂直面で反射部積層構造５０を切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形に限定されず、例えば、台形を例示することができるし、更には、反射部積層構造５０は、発光部積層構造４２と対向（対面）する斜面を有していればよく、例えば、発光部積層構造４２と対向（対面）する斜面と頂面（発光部積層構造４２から離れる方向に斜面から延びる頂面）との組合せを例示することもできる。

以下、実施例３の発光ダイオード２Ａの製造方法を、基板等の模式的な一部端面図である図１０の（Ａ）、（Ｂ）、及び、図１１の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。

［工程−３００］
先ず、サファイヤ基板、ＳｉＣ基板あるいはＧａＮ基板等から成る基板４０を反応炉内に搬入し、反応炉内で１１００゜Ｃ程度の高温にてサーマル・クリーニングを行った後、基板４０を５００゜Ｃ程度に降温し、基板４０の表面に厚さ３０ｎｍ程度のｎ型不純物がドーピングされたＧａＮから成る導電層４１（緩衝層としても機能する）を成長させる。その後、実施例１の［工程−１００］と同様にして、ＡｌＧａＩｎＮから成る第１クラッド層４３、ＧａＮ／ＩｎＧａＮから成る単一量子井戸層若しくは多重量子井戸層から構成された活性層４４、ＡｌＧａＮから成る第２クラッド層４５を、順次、成長させる（図１０の（Ａ）参照）。以上の結晶成長が終了した後、第２クラッド層４５がｐ型の導電性を発現するように、６００゜Ｃ程度でアニールを行う。

［工程−３１０］
その後、反応炉から基板４０を搬出し、第２クラッド層４５上にハードマスク層１００を形成し、併せて、第１電極５６を形成すべき第２クラッド層４５の部分の上に、レジスト材料層１０１を形成し、次いで、１００゜Ｃ程度で加熱処理することで、レジスト材料層１０１を一種のプリズム状とする（図１０の（Ｂ）参照）。そして、このハードマスク層１００及びレジスト材料層１０１をエッチング用マスクとして、ＲＩＥ法に基づき、第２クラッド層４５、活性層４４をエッチバックし、更に、第１クラッド層４３をエッチバックする（図１１の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。その後、ハードマスク層１００を除去する。こうして、導電層延在部５１と、この導電層延在部５１の上に形成された第１クラッド層離間領域５３、活性層離間領域５４、及び、第２クラッド層離間領域５５が積層された反射部積層構造５０とから成る導電層の延在領域５２を得ることができる。

［工程−３２０］
次いで、全面にレジスト層を形成し、第２電極を形成すべき第２クラッド層４５の部分の上のレジスト層の部分をフォトリソグラフィ技術に基づき除去し、次に、導電材料層を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、レジスト層を除去するといった、所謂リフトオフ法にて、第２クラッド層４５上に第２電極４６を形成することができる。その後、再び、全面にレジスト層を形成し、第１電極５６を形成すべき反射部積層構造５０の上のレジスト層の部分をフォトリソグラフィ技術に基づき除去し、次いで、導電材料層を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、レジスト層を除去するといった、所謂リフトオフ法にて、反射部積層構造５０の上に第１電極５６を形成することができる。尚、第１電極５６と第２電極４６の形成順序は、逆にしてもよい。

実施例４は、実施例３の変形であり、より具体的には、本発明の第２Ｂの態様に係る窒化物系発光ダイオード（より具体的には、ＧａＮ系発光ダイオード）に関する。実施例４の窒化物系発光ダイオード２Ｂの模式的な一部端面図を、図２の（Ｂ）に示す。実施例４の窒化物系発光ダイオード２Ｂが実施例３の窒化物系発光ダイオード２Ａと相違する点は、第１電極６６が形成された導電層の延在領域６２には、第１電極６６に設けられた反射面６７と略平行な斜面６０ｉが形成されている点にある。第１電極６６に設けられた反射面６７、及び、導電層の延在領域６２に形成された斜面６０ｉは、発光部積層構造４２と対面している。云い換えれば、仮想垂直面で第１電極６６の下に位置する導電層の延在領域６２を切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形であり、第１電極６６の下に位置する導電層の延在領域６２は、発光部積層構造４２と対向（対面）する斜面６０ｉを有している。ここで、発光部積層構造４２の平面形状は、実施例３と同様に矩形であり、第１電極６６は、発光部積層構造４２の２つの長辺に沿って平行に形成されており、あるいは又、発光部積層構造４２を取り囲むように形成されている。尚、仮想垂直面で第１電極６６の下に位置する導電層の延在領域６２を切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形に限定されず、例えば、台形を例示することができるし、更には、第１電極６６の下に位置する導電層の延在領域６２は、発光部積層構造４２と対向（対面）する斜面を有していればよく、例えば、斜面と頂面（発光部積層構造４２から離れる方向に斜面から延びる頂面）との組合せを例示することもできる。

以下、実施例４の発光ダイオード２Ｂの製造方法を、基板等の模式的な一部端面図である図１２の（Ａ）、（Ｂ）、及び、図１３の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。

［工程−４００］
先ず、実施例３の［工程−３００］と同様にして、基板４０の表面に、ｎ型不純物がドーピングされたＧａＮから成る導電層４１を成長させる。

［工程−４１０］
その後、基板４０を反応炉から搬出し、第１電極６６を形成すべき導電層４１の部分の上に、レジスト材料層１０１を形成し、次いで、１００゜Ｃ程度で加熱処理することで、レジスト材料層１０１を一種のプリズム状とする（図１２の（Ａ）参照）。次に、レジスト材料層１０１をエッチング用マスクとして、ＲＩＥ法に基づき、導電層４１をエッチバックする。こうして、図１２の（Ｂ）に示すように、第１電極６６の下に位置するであろう導電層の延在領域６２に、第１電極６６に設けられるであろう反射面６７と略平行な斜面６０ｉを形成することができる。

［工程−４２０］
次に、基板４０を再び反応炉内に搬入し、実施例１の［工程−１００］と同様にして、ＡｌＧａＩｎＮから成る第１クラッド層４３、ＧａＮ／ＩｎＧａＮから成る単一量子井戸層若しくは多重量子井戸層から構成された活性層４４、ＡｌＧａＮから成る第２クラッド層４５を、順次、成長させる。以上の結晶成長が終了した後、第２クラッド層４５がｐ型の導電性を発現するように、６００゜Ｃ程度でアニールを行う。

［工程−４３０］
その後、反応炉から基板４０を搬出し、第２クラッド層４５上にハードマスク層１００を形成し（図１３の（Ａ）参照）、このハードマスク層１００をエッチング用マスクとして、ＲＩＥ法に基づき、第２クラッド層４５、活性層４４をエッチングし、更に、第１クラッド層４３をエッチングした後（図１３の（Ｂ）参照）、ハードマスク層１００を除去する。

［工程−４４０］
次いで、全面にレジスト層を形成し、第２電極を形成すべき第２クラッド層４５の部分の上のレジスト層の部分をフォトリソグラフィ技術に基づき除去し、次に、導電材料層を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、レジスト層を除去するといった、所謂リフトオフ法にて、第２クラッド層４５上に第２電極４６を形成することができる。その後、再び、全面にレジスト層を形成し、第１電極６６を形成すべき導電層の延在領域６２の部分の上のレジスト層の部分をフォトリソグラフィ技術に基づき除去し、次いで、導電材料層を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、レジスト層を除去するといった、所謂リフトオフ法にて、導電層の延在領域６２の上に第１電極６６を形成することができる。尚、第１電極６６と第２電極４６の形成順序は、逆にしてもよい。

実施例５は、実施例４の変形であり、第１電極６６が形成された導電層の延在領域６２の形成方法が、実施例４と異なり、所謂マスク層を用いた選択ＥＬＯＧ法（Epitaxial Lateral OverGrowth 法）に基づく。

以下、実施例５の発光ダイオード２Ｂの製造方法を、基板等の模式的な一部端面図である図１４の（Ａ）、（Ｂ）、及び、図１５の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。

［工程−５００］
先ず、実施例３の［工程−３００］と同様にして、基板４０の表面に、ｎ型不純物がドーピングされたＧａＮから成る第１の導電層４１Ａを成長させる（図１４の（Ａ）参照）。

［工程−５１０］
次いで、反応炉から基板４０を搬出し、第１の導電層４１Ａの＜１１−２０＞方向あるいは＜１−１００＞方向に延びる帯状の開口部１０３を有し、ＳｉＯ₂あるいはＳｉＮから成るマスク層１０２を、例えば、スパッタリング法とリソグラフィ技術に基づき、第１の導電層４１Ａ上に形成する（図１４の（Ｂ）参照）。尚、第１の導電層４１Ａの法線（図１４の（Ｂ）の矢印を参照）は＜０００１＞方向あるいは＜０００−１＞方向と一致している。また、帯状の開口部１０３は図面の紙面垂直方向に延びている。

［工程−５２０］
次いで、基板４０を反応炉内に再び搬入し、ｎ型不純物がドーピングされたＧａＮから成る第２の導電層４１Ｂを全面に成長させる。第２の導電層４１Ｂは、マスク層１０２上には成長しない。しかも、開口部１０３内にあっては、法線方向に沿った第１の導電層４１Ａの結晶軸方向に基づき、第２の導電層４１Ｂはプリズム状あるいは台形状に成長する（図１４の（Ｃ）参照）。

［工程−５３０］
その後、反応炉から基板４０を搬出し、マスク層１０２を除去した後、基板４０を反応炉内に再び搬入し、実施例１の［工程−１００］と同様にして、第１クラッド層４３、活性層４４、及び、第２クラッド層４５を成長させる。

［工程−５４０］
次に、反応炉から基板４０を搬出し、第２クラッド層４５上にハードマスク層１００を形成し（図１５の（Ａ）参照）、このハードマスク層１００をエッチング用マスクとして、ＲＩＥ法に基づき、第２クラッド層４５、活性層４４をエッチバックし、更に、第１クラッド層４３をエッチバックした後（図１５の（Ｂ）参照）、ハードマスク層１００を除去する。こうして、第１電極６６が形成されるであろう導電層の延在領域６２を構成する第２の導電層４１Ｂに、斜面６０ｉを形成することができる。

［工程−５５０］
その後、実施例４の［工程−４４０］と同様にして、第１電極６６及び第２電極４６を形成する。

実施例６も、実施例４の変形であり、第１電極６６が形成された導電層の延在領域６２の形成方法が、実施例４と異なり、所謂下地リセス（recess）法に基づく。

以下、実施例６の発光ダイオード２Ｂの製造方法を、基板等の模式的な一部端面図である図１６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図１７の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。

［工程−６００］
先ず、先ず、サファイヤ基板、ＳｉＣ基板あるいはＧａＮ基板等から成り、段差部４０Ａを有する基板４０（図１６の（Ａ）参照）を反応炉内に搬入し、基板４０の表面に、ｎ型不純物がドーピングされたＧａＮから成る導電層４１Ｃの第１段階の結晶成長を実行し、ファセットを成長させる（図１６の（Ｂ）参照）。段差部４０Ａは、図面の紙面垂直方向（より具体的には、＜１１−２０＞方向）に延びている。次いで、ｎ型不純物がドーピングされたＧａＮから成る導電層４１Ｃの第２段階の結晶成長を実行し、導電層４１Ｃを横方向にも成長させることで、図１６の（Ｃ）に示す構造を得ることができる。このような段差部４０Ａを有する基板４０において２段階の結晶成長を実行することで、導電層４１Ｃに斜面６０ｉを形成することができる。尚、導電層４１Ｃの法線（図１６の（Ｂ）の矢印を参照）は、＜０００１＞方向あるいは＜０００−１＞方向と一致している。

［工程−６１０］
次いで、実施例１の［工程−１００］と同様にして、第１クラッド層４３、活性層４４、及び、第２クラッド層４５を形成する。

［工程−６２０］
次に、反応炉から基板４０を搬出し、第２クラッド層４５上にハードマスク層１００を形成し（図１７の（Ａ）参照）、このハードマスク層１００をエッチング用マスクとして、ＲＩＥ法に基づき、第２クラッド層４５、活性層４４をエッチバックし、更に、第１クラッド層４３をエッチバックした後、ハードマスク層１００を除去する。こうして、図１７の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。

［工程−６３０］
その後、実施例４の［工程−４４０］と同様にして、第１電極６６及び第２電極４６を形成する。

実施例７も、実施例３の変形であり、より具体的には、本発明の第２Ｃの態様に係る窒化物系発光ダイオード（より具体的には、ＧａＮ系発光ダイオード）に関する。実施例７の窒化物系発光ダイオード２Ｃの模式的な一部端面図を、図３に示す。実施例７の窒化物系発光ダイオード２Ｃが実施例３の窒化物系発光ダイオード２Ａと相違する点は、第１電極７６が形成された導電層の延在領域７２の表面７２Ａは、第１クラッド層４３と活性層４４との界面と略平行である点にある。云い換えれば、実施例３と異なり、第１電極７６は、薄膜ではなく、バルク状であり、仮想垂直面で第１電極７６を切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形であり、第１電極７６は、発光部積層構造４２と対向（対面）する反射面（斜面）７７を有している。ここで、発光部積層構造４２の平面形状は、実施例３と同様に矩形であり、第１電極７６は、発光部積層構造４２の２つの長辺に沿って平行に形成されており、あるいは又、発光部積層構造４２を取り囲むように形成されている。尚、仮想垂直面で第１電極７６を切断したときの断面形状は、略直角二等辺三角形に限定されず、例えば、台形を例示することができるし、更には、第１電極７６は、発光部積層構造４２と対向（対面）する斜面を有していればよく、例えば、斜面と頂面（発光部積層構造４２から離れる方向に斜面から延びる頂面）との組合せを例示することもできる。

以下、実施例７の発光ダイオード２Ｃの製造方法を、基板等の模式的な一部端面図である図１８の（Ａ）、（Ｂ）、及び、図１９の（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。

［工程−７００］
先ず、実施例３の［工程−３００］と同様にして、導電層４１、第１クラッド層４３、活性層４４及び第２クラッド層４５の積層された構造を形成する。

［工程−７１０］
その後、第２クラッド層４５上にハードマスク層１００を形成し（図１８の（Ａ）参照）、このハードマスク層１００をエッチング用マスクとして、ＲＩＥ法に基づき、第２クラッド層４５、活性層４４、第１クラッド層４３をエッチングする。こうして、図１８の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。

［工程−７２０］
次に、第１電極７６を形成するための導電材料層１１０を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、第１電極７６を形成すべき導電材料層１１０の部分の上に、レジスト材料層１０１を形成し、次いで、１００゜Ｃ程度で加熱処理することで、レジスト材料層１０１を一種のプリズム状とする（図１９の（Ａ）参照）。その後、導電材料層１１０をエッチバックした後（図１９の（Ｂ）参照）、ハードマスク層１００を除去する。こうして、仮想垂直面で切断したときの断面形状が略直角二等辺三角形であり、発光部積層構造４２と対向（対面）する反射面（斜面）７７を有する第１電極７６を得ることができる。

［工程−７３０］
その後、全面にレジスト層を形成し、第２電極を形成すべき第２クラッド層４５の部分の上のレジスト層の部分をフォトリソグラフィ技術に基づき除去し、次いで、導電材料層を真空蒸着法やスパッタリング法にて全面に成膜した後、レジスト層を除去するといった、所謂リフトオフ法にて、第２クラッド層４５上に第２電極４６を形成することができる。

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において使用した材料、成膜条件、窒化物系発光ダイオードの構成・構造は例示であり、適宜、変更することができる。

実施例１にあっては、第１クラッド層の延在領域２２を、第１クラッド層延在部２３、活性層離間領域２４、及び、第２クラッド層離間領域２５が積層された反射部積層構造２０から構成したが、代替的に、第１クラッド層の延在領域２２を、実質的に、第１クラッド層のみから構成してもよい。このような構成は、例えば、第１クラッド層を２層構成とし、第１クラッド層の下層を形成した後、第１クラッド層の下層に、エッチバック法や選択ＥＬＯＧ法（実施例５参照）、下地リセス法（実施例６参照）に基づき斜面を形成することで第１クラッド層の延在領域を設けた後、全面に、第１クラッド層の上層、活性層、第２クラッド層を形成し、次いで、第２クラッド層、活性層、第１クラッド層の上層をエッチバックすることによって得ることができる。あるいは又、このような構成は、例えば、第１クラッド層を２層構成とし、第１クラッド層の下層を形成した後、選択ＥＬＯＧ法（実施例５参照）や下地リセス法（実施例６参照）に基づき、斜面を有する第１クラッド層の上層を形成することで第１クラッド層の延在領域を設け、同時に、発光部積層構造を構成する第１クラッド層を設けた後、活性層、第２クラッド層を形成し、次いで、第２クラッド層、活性層をエッチバックすることによって得ることができる。

あるいは又、実施例１にあっては、［工程−１１０］に引き続き、全面にレジスト層を形成し、活性層離間領域２４及び第２クラッド層離間領域２５の上方のレジスト層に開口部を形成し、係るレジスト層をエッチング用マスクとして活性層離間領域２４及び第２クラッド層離間領域２５を除去することで、第１クラッド層の延在領域２２を、実質的に、第１クラッド層のみから構成することもできる。

一方、実施例３にあっても、導電層の延在領域５２を、第１クラッド層離間領域５３、活性層離間領域５４、及び、第２クラッド層離間領域５５が積層された反射部積層構造５０から構成したが、代替的に、導電層の延在領域５２を、実質的に、第１クラッド層のみから構成してもよい。このような構成は、例えば、第１クラッド層を２層構成とし、第１クラッド層の下層を形成した後、第１クラッド層の下層に、エッチバック法や選択ＥＬＯＧ法（実施例５参照）、下地リセス法（実施例６参照）に基づき斜面を形成することで導電層の延在領域を設けた後、全面に、第１クラッド層の上層、活性層、第２クラッド層を形成し、次いで、第２クラッド層、活性層、第１クラッド層の上層をエッチバックすることによって得ることができる。あるいは又、このような構成は、例えば、導電層４１を形成した後、選択ＥＬＯＧ法（実施例５参照）や下地リセス法（実施例６参照）に基づき斜面を有する第１クラッド層を形成することで導電層の延在領域５２を設け、同時に、発光部積層構造４２を構成する第１クラッド層４３を設けた後、活性層、第２クラッド層を形成し、次いで、第２クラッド層、活性層をエッチバックすることによって得ることができる。

あるいは又、実施例３にあっては、［工程−３１０］に引き続き、全面にレジスト層を形成し、活性層離間領域５４及び第２クラッド層離間領域５５の上方のレジスト層に開口部を形成し、係るレジスト層をエッチング用マスクとして活性層離間領域５４及び第２クラッド層離間領域５５を除去することで、導電層の延在領域５２を、実質的に、第１クラッド層のみから構成することもできる。

実施例１にあっては、反射部積層構造２０に形成された斜面２０ｉ、及び、第１電極２６に設けられた反射面２７が、発光部積層構造１２と対面している構成としたが、代替的に、反射部積層構造２０に形成された斜面２０ｉ’、及び、第１電極２６’に設けられた反射面２７’が、発光部積層構造１２と対面していない構造とすることもできる。このような構造を、図４に模式的な一部端面図で示す。このような構造にあっては、光は第１クラッド層１３から外部に射出され、面内方向射出光は、反射部積層構造２０を通過し、第１電極２６’に設けられた反射面２７’によって反射される。尚、発光部積層構造１２に対面した反射部積層構造２０に形成された斜面２０ｉによって面内方向射出光が反射されないように、発光部積層構造１２と斜面２０ｉとの間に位置する空間を透明な材料（図示せず）で充填しておくことが好ましい。

また、実施例３にあっては、反射部積層構造５０に形成された斜面５０ｉ、及び、第１電極５６に設けられた反射面５７が発光部積層構造４２と対面している構成としたが、代替的に、反射部積層構造５０に形成された斜面５０ｉ’、及び、第１電極５６’に設けられた反射面５７’が発光部積層構造４２と対面していない構造とすることもできる。このような構造を、図５の（Ａ）に模式的な一部端面図で示す。このような構造にあっては、光は第１クラッド層４３から外部に射出され、面内方向射出光は、反射部積層構造５０を通過し、第１電極５６’に設けられた反射面５７’によって反射される。尚、発光部積層構造４２に対面した反射部積層構造５０に形成された斜面５０ｉによって面内方向射出光が反射されないように、発光部積層構造４２と斜面５０ｉとの間に位置する空間を透明な材料（図示せず）で充填しておくことが好ましい。

更には、実施例４にあっては、導電層の延在領域６２に形成された斜面６０ｉ、及び、第１電極６６に設けられた反射面６７が、発光部積層構造４２と対面している構成としたが、代替的に、導電層の延在領域６２に形成された斜面６０ｉ’、及び、第１電極６６’に設けられた反射面６７’が発光部積層構造４２と対面していない構造とすることもできる。このような構造を、図５の（Ｂ）に模式的な一部端面図で示す。このような構造にあっては、光は第１クラッド層４３から外部に射出され、面内方向射出光は、導電層の延在領域６２を通過し、第１電極６６’に設けられた反射面６７’によって反射される。尚、発光部積層構造４２に対面した導電層の延在領域６２に形成された斜面６０ｉによって面内方向射出光が反射されないように、発光部積層構造４２と斜面６０ｉとの間に位置する空間を透明な材料（図示せず）で充填しておくことが好ましい。

図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１及び実施例２の窒化物系発光ダイオードの模式的な一部端面図である。 図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３及び実施例４の窒化物系発光ダイオードの模式的な一部端面図である。 図３は、実施例７の窒化物系発光ダイオードの模式的な一部端面図である。 図４は、実施例１の窒化物系発光ダイオードの変形例の模式的な一部端面図である。 図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３及び実施例４の窒化物系発光ダイオードの変形例の模式的な一部端面図である。 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図８は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例２の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、図８に引き続き、実施例２の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例３の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１０の（Ｂ）に引き続き、実施例３の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例４の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１２の（Ｂ）に引き続き、実施例４の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例５の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１４の（Ｂ）に引き続き、実施例５の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、実施例６の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１６の（Ｃ）に引き続き、実施例６の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例７の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。 図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１８の（Ｂ）に引き続き、実施例７の窒化物系発光ダイオードの製造方法を説明するための基板等の模式的な一部端面図である。

符号の説明

１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ・・・窒化物系発光ダイオード、１０，４０・・・基板、４０Ａ・・・段差部、１２，４２・・・発光部積層構造、１３，４３・・・第１クラッド層、１４，４４・・・活性層、１５，４５・・・第２クラッド層、１６，４６・・・第２電極、２０，５０・・・反射部積層構造、２０ｉ，２０ｉ’・・・反射部積層構造に設けられた斜面、２２，３２・・・第１クラッド層の延在領域、２３・・・第１クラッド層延在部、５３・・・第１クラッド層離間領域、２４，５４・・・活性層離間領域、２５，５５・・・第２クラッド層離間領域、２６，２６’３６，５６，５６’，６６，６６’，７６・・・第１電極、２７，２７’３７，５７，５７’，６７，６７’，７７・・・第１電極に設けられた反射面、４１，４１Ｃ・・・導電層、４１Ａ・・・第１の導電層、４１Ｂ・・・第２の導電層、５１・・・導電層延在部、５２，６２，７２・・・導電層の延在領域、５０ｉ，５０ｉ’，６０ｉ，６０ｉ・・・導電層の延在領域に設けられた斜面、６２・・・導電層の延在領域、１００・・・ハードマスク層、１０１・・・レジスト材料層、１０２・・・マスク層、１０３・・・開口部、１０４・・・溝部、１１０・・・導電材料層

Claims (9)

1. （Ａ）発光部積層構造、
   （Ｂ）発光部積層構造から離間した第１クラッド層の延在領域に形成された第１電極、及び、
   （Ｃ）第２クラッド層上に形成された第２電極、
   を備え、
   発光部積層構造は、
   （Ａ−１）基板上に形成され、第１導電型を有し、窒化物系化合物半導体から成る第１クラッド層、
   （Ａ−２）第１クラッド層上に形成され、窒化物系化合物半導体から成る活性層、及び、
   （Ａ−３）活性層上に形成され、第２導電型を有し、窒化物系化合物半導体から成る第２クラッド層、
   から成り、
   発光部積層構造の積層方向に沿って外部に主に光を射出する窒化物系発光ダイオードであって、
   第１電極には、該積層方向と略直角の方向に活性層から外部に射出された光を、該積層方向に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面が設けられていることを特徴とする窒化物系発光ダイオード。
2. 第１電極がその上に形成された第１クラッド層の延在領域は、第１クラッド層延在部、活性層離間領域、及び、第２クラッド層離間領域が積層された反射部積層構造から成り、
   反射部積層構造には、第１電極に設けられた反射面と略平行な斜面が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光ダイオード。
3. 第１電極が形成された第１クラッド層の延在領域の表面は、第１クラッド層と活性層との界面と略平行であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光ダイオード。
4. 光は、前記積層方向に沿って、主に、第２クラッド層から外部に射出されることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光ダイオード。
5. （Ａ）基板上に形成され、第１導電型を有する導電層、
   （Ｂ）発光部積層構造、
   （Ｃ）発光部積層構造から離間した導電層の延在領域に形成された第１電極、及び、
   （Ｄ）第２クラッド層上に形成された第２電極、
   を備え、
   発光部積層構造は、
   （Ｂ−１）導電層上に形成され、第１導電型を有し、窒化物系化合物半導体から成る第１クラッド層、
   （Ｂ−２）第１クラッド層上に形成され、窒化物系化合物半導体から成る活性層、及び、
   （Ｂ−３）活性層上に形成され、第２導電型を有し、窒化物系化合物半導体から成る第２クラッド層、
   から成り、
   発光部積層構造の積層方向に沿って外部に主に光を射出する窒化物系発光ダイオードであって、
   第１電極には、該積層方向と略直角の方向に活性層から外部に射出された光を、該積層方向に沿って外部に射出される光の方向と略平行な方向に反射させるための反射面が設けられていることを特徴とする窒化物系発光ダイオード。
6. 第１電極がその上に形成された導電層の延在領域は、導電層延在部と、該導電層延在部の上に形成された第１クラッド層離間領域、活性層離間領域、及び、第２クラッド層離間領域が積層された反射部積層構造とから成り、
   反射部積層構造には、第１電極に設けられた反射面と略平行な斜面が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系発光ダイオード。
7. 第１電極が形成された導電層の延在領域には、第１電極に設けられた反射面と略平行な斜面が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系発光ダイオード。
8. 第１電極が形成された導電層の延在領域の表面は、第１クラッド層と活性層との界面と略平行であることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系発光ダイオード。
9. 光は、前記積層方向に沿って、主に、第２クラッド層から外部に射出されることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系発光ダイオード。
   

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