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JP2006323297A - Heating and cooling method for manufacturing photomask, and heating and cooling system to realize method - Google Patents

Heating and cooling method for manufacturing photomask, and heating and cooling system to realize method Download PDF

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JP2006323297A
JP2006323297A JP2005148488A JP2005148488A JP2006323297A JP 2006323297 A JP2006323297 A JP 2006323297A JP 2005148488 A JP2005148488 A JP 2005148488A JP 2005148488 A JP2005148488 A JP 2005148488A JP 2006323297 A JP2006323297 A JP 2006323297A
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve temperature uniformity on a mask substrate in heating and cooling in relation to a heating and cooling method for manufacturing a photomask and a heating and cooling system, in which the mask substrate is heated and cooled after predetermined treatment in the manufacture of the photomask. <P>SOLUTION: The method is constructed as follows: after a lapse of a predetermined time period since start of heating of the mask substrate with a heating unit, a periphery of the mask substrate is covered with a frame portion, and simultaneously a thermo-reflection member is positioned on the upper side of the mask substrate and baking is conducted (S5-S8); and after a lapse of a predetermined time period since start of cooling of the mask substrate, on which the frame portion etc. have been arranged and are still remaining after completion of the baking, with a cooling unit, the frame portion etc. are detached from the mask substrate, and the cooling is continued (S25-S28). <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、フォトマスク製造に際して所定処理後に加熱し、冷却するフォトマスク製造用加熱冷却方法および加熱冷却システムに関する。   The present invention relates to a heating / cooling method and a heating / cooling system for manufacturing a photomask that are heated and cooled after a predetermined process in manufacturing a photomask.

近年、半導体集積回路の形成に使用されるフォトマスクの高密度化、微細化が進み、フォトマスク製造におけるマスク基板処理工程においても高解像の描画、処理が必要とされる。フォトマスク製造においては、マスク基板に、例えば露光装置によりパターンを形成する際、その前処理としてレジスト処理し、レジスト塗布後に加熱(ベーキング)処理を行い、次処理のために冷却を行っている。フォトマスクは高品質化が恒常的に望まれ、その一環として加熱および冷却を行う場合には温度均一性が望まれる。   In recent years, photomasks used for forming semiconductor integrated circuits have been increased in density and miniaturization, and high-resolution drawing and processing are required also in the mask substrate processing step in photomask manufacturing. In photomask manufacturing, when a pattern is formed on a mask substrate by, for example, an exposure apparatus, a resist process is performed as a pretreatment, a heating (baking) process is performed after the resist is applied, and cooling is performed for the next process. High quality is constantly desired for photomasks, and temperature uniformity is desired when heating and cooling are performed as part of this.

従来、フォトマスクをフォトリソグラフィ技術でパター形成処理する工程の場合、マスク基板上に金属薄膜を形成し、この上にフォトレジストを塗布してプリベークした後に、露光装置でパターンを描画する。そして、レジスト現像、ポストベーク、金属薄膜の選択エッチング、レジスト剥離等を経て製造される。このような処理工程中で、ベーキング工程とクーリング工程を連続して行う場合には、各工程間で処理対象のマスク基板を移動させるのが一般的である。このような、システムが例えば下記の特許文献1に開示されている。   Conventionally, in the case of a process for patterning a photomask with a photolithography technique, a metal thin film is formed on a mask substrate, a photoresist is applied thereon and prebaked, and then a pattern is drawn by an exposure apparatus. Then, it is manufactured through resist development, post bake, selective etching of a metal thin film, resist stripping, and the like. When performing a baking process and a cooling process continuously in such a process, it is common to move the mask substrate to be processed between the processes. Such a system is disclosed, for example, in Patent Document 1 below.

特開2004−319626号公報JP 2004-319626 A 特開2004−303998号公報JP 2004-303998 A

上記特許文献1にはホットプレートによるオーバーベークを確実に防止するとともに、高いスループットを得ることを目的とした熱処理装置が開示されており、具体的には、熱処理部に露光後ベークプレート 、クールプレートおよびローカル搬送ロボットが設けられ、ローカル搬送ロボットの保持プレートが、基板の下面のほぼ全面に近接して保持し、露光後ベークプレートとクールプレートとの間で往復移動を可能として露光後ベークプレートで加熱された基板を保持プレートによって受け取られることで直ちにある程度冷却し、クールプレートに移動して凹部に嵌合することで基板の冷却と精密な温調が行われるというものである。   Patent Document 1 discloses a heat treatment apparatus for reliably preventing overbaking by a hot plate and obtaining high throughput. Specifically, a post-exposure bake plate or a cool plate is provided in the heat treatment portion. And a local transfer robot is provided, and the holding plate of the local transfer robot is held in close proximity to almost the entire bottom surface of the substrate so that it can reciprocate between the post-exposure bake plate and the cool plate. When the heated substrate is received by the holding plate, the substrate is immediately cooled to some extent, and the substrate is moved to the cool plate and fitted into the recess to cool the substrate and precisely control the temperature.

そこで、図8に従来のマスク基板の加熱または冷却の概略説明図を示すと共に、図9に図8の加熱処理および冷却処理によるマスク基板の温度状態の説明図を示す。図8(A)は、上記特許文献1の図6に示されているクールプレートを示したものであるが、ベークプレートにおいても適用されるものである。すなわち、熱処置装置101におけるプレート102には凹部103が形成され、当該凹部103内に基板(ここではマスク基板とする)104が裏面保護のためのプロキシミティギャップを有して載置される。   FIG. 8 is a schematic explanatory view of heating or cooling of the conventional mask substrate, and FIG. 9 is an explanatory view of the temperature state of the mask substrate by the heating processing and cooling processing of FIG. FIG. 8 (A) shows the cool plate shown in FIG. 6 of the above-mentioned Patent Document 1, but it can also be applied to a bake plate. That is, a recess 103 is formed in the plate 102 of the heat treatment apparatus 101, and a substrate (here, referred to as a mask substrate) 104 is placed in the recess 103 with a proximity gap for protecting the back surface.

上記プレート102がベークプレートの場合に基板104がベークされ、クールプレートの場合には、ベークプレートより搬送移動された基板104が冷却される。この場合の当該基板104の温度状態は、図8(B)に示すように、例えば中央部分で温度検出器TH1により、また周囲四隅部分で各温度検出器TH2〜TH5により検出される。   When the plate 102 is a bake plate, the substrate 104 is baked. When the plate 102 is a cool plate, the substrate 104 transported and moved from the bake plate is cooled. In this case, as shown in FIG. 8B, the temperature state of the substrate 104 is detected by, for example, the temperature detector TH1 at the center and the temperature detectors TH2 to TH5 at the four corners.

そこで、上記基板104の加熱、冷却による各温度検出地点での温度差が図9に示される。ここで、上記加熱および冷却の処理、並びに上記温度検出は、室温約22℃、湿度約35パーセントの環境で行われ、使用された基板104は大きさ6インチ、厚さ約6mmのフォトマスク製造のためのマスク基板である。   Therefore, the temperature difference at each temperature detection point by heating and cooling the substrate 104 is shown in FIG. Here, the heating and cooling processes and the temperature detection are performed in an environment of room temperature of about 22 ° C. and humidity of about 35 percent, and the used substrate 104 is a photomask having a size of 6 inches and a thickness of about 6 mm. It is a mask substrate for.

図9において、一点鎖線は基板104の上記温度検出器TH1〜TH5の5つの温度分布を概略的に1つとして示したもので、各温度検出器TH1〜TH5の最大と最小の温度差を実線で示したものである。すなわち、ベークプレートの凹部103内に基板104が載置されて約35秒後に加熱が開始されると、加熱から約81秒後に最大温度差が4.65℃となり、加熱処理終了後に基板104がクールプレートの凹部103内に移動されて冷却が開始されると、冷却から約84秒後に最大温度差が7.64℃となった。   In FIG. 9, the alternate long and short dash line schematically shows the five temperature distributions of the temperature detectors TH1 to TH5 on the substrate 104 as one, and the maximum and minimum temperature differences of the temperature detectors TH1 to TH5 are indicated by solid lines. It is shown by. That is, when heating is started about 35 seconds after the substrate 104 is placed in the recess 103 of the bake plate, the maximum temperature difference becomes 4.65 ° C. after about 81 seconds from the heating. When it was moved into the recess 103 of the cool plate and cooling was started, the maximum temperature difference became 7.64 ° C. about 84 seconds after cooling.

ところで、上記基板104の加熱、冷却は基板各点の温度差が薄膜形成における品質に影響を及ぼすことから当該温度差は極力小さい方がよい。上記図9に示す上記最大温度差は加熱冷却の方法、および基板104のベークプレートからクールプレートへの移動に際しての水平移動により風(気流)を受けることとなって冷却初期時の温度分布の変化が大きくなる(一般には中心部分より周囲部分の方が温度低下されやすい)ことが想定される。   By the way, in the heating and cooling of the substrate 104, the temperature difference at each point on the substrate affects the quality in the formation of the thin film. The maximum temperature difference shown in FIG. 9 is affected by the heating / cooling method and the horizontal movement when the substrate 104 is moved from the bake plate to the cool plate, so that a change in temperature distribution at the initial stage of cooling is received. (In general, the temperature in the peripheral part is more likely to be lower than that in the central part).

一方、基板104の移動に際して水平移動による温度分布の変化の影響を少なくしたものとして、本願出願人により出願された上記特許文献2の特許公報がある。特許文献2の手法は、加熱処理と冷却処理を上下方向に配置することで当該基板を水平移動させないことにより移動による温度分布の変化を小ならしめたものであるが、基本的な加熱、冷却における温度の均一化の向上が望まれる。   On the other hand, there is a patent publication of the above-mentioned Patent Document 2 filed by the applicant of the present application as an example in which the influence of a change in temperature distribution due to horizontal movement is reduced when the substrate 104 is moved. The method of Patent Document 2 is to arrange the heating process and the cooling process in the vertical direction so as not to horizontally move the substrate, thereby minimizing the change in temperature distribution due to the movement. Improvement in temperature uniformity is desired.

そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、加熱冷却におけるマスク基板上の温度均一性の向上を図り、ひいては品質向上、歩留りの向上を図るフォトマスク製造用加熱冷却方法および加熱冷却システムを提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and provides a heating / cooling method and heating / cooling system for manufacturing a photomask for improving temperature uniformity on a mask substrate in heating / cooling, thereby improving quality and yield. The purpose is to provide.

上記課題を解決するために、請求項1の発明では、フォトマスク製造のためのマスク基板を所定処理後に、加熱ユニットの水平面上でベーキングを行い、当該ベーキング後に冷却ユニットの水平面上で冷却を行うフォトマスク製造用加熱冷却方法であって、前記マスク基板を前記加熱ユニット上に位置させる工程と、前記マスク基板に対して前記加熱ユニットにより所定温度でベーキングを開始させる工程と、前記加熱開始より所定時間後に、前記加熱ユニット上の前記マスク基板の周囲を覆う枠部を当該マスク基板の周囲に位置させる工程と、を含む構成とする。   In order to solve the above-mentioned problem, in the invention of claim 1, a mask substrate for manufacturing a photomask is baked on a horizontal surface of a heating unit after predetermined processing, and cooled on a horizontal surface of a cooling unit after the baking. A heating / cooling method for manufacturing a photomask, the step of positioning the mask substrate on the heating unit, the step of starting baking the mask substrate at a predetermined temperature by the heating unit, and the predetermined from the start of heating And a step of positioning a frame portion covering the periphery of the mask substrate on the heating unit around the mask substrate after the time.

請求項2の発明では、前記ベーキング終了後に、前記マスク基板を前記枠部と共に保持状態とし、この状態で前記冷却ユニット上に位置させる工程と、前記マスク基板に対して前記冷却ユニットにより冷却を開始させる工程と、前記冷却開始より所定時間後に、前記冷却ユニット上の前記枠部を当該冷却ユニットより離脱させて冷却を終了まで続行させる工程と、を含む構成とする。   According to a second aspect of the present invention, after the baking is finished, the mask substrate is held together with the frame, and the mask substrate is cooled on the mask substrate by the cooling unit. And a step of detaching the frame portion on the cooling unit from the cooling unit and continuing cooling until the end after a predetermined time from the start of cooling.

請求項3の発明では、前記枠部を前記マスク基板の周囲を覆う際に、当該マスク基板の上方に熱反射部材を位置させて熱反射させる構成である。   According to a third aspect of the present invention, when the frame portion covers the periphery of the mask substrate, a heat reflecting member is positioned above the mask substrate and thermally reflected.

請求項4の発明では、マスク基板を所定処理後にベーキングを行い、当該ベーキング後に冷却を行うフォトマスク製造用の加熱冷却システムであって、待機位置より加熱冷却の処理位置に水平移動自在であり、搬送される前記マスク基板を水平面上に位置させたときにベーキングを行う加熱ユニットと、待機位置より加熱冷却の処理位置に水平移動自在であり、前記マスク基板を水平面上に位置させたときに冷却を行う冷却ユニットと、前記マスク基板に対してその周囲を覆う枠部を備えると共に、当該マスク基板を当該枠部で覆った状態で保持する可動保持手段を備えて、前記加熱冷却の処理位置上で上下動自在に配置されるものであり、ベーキング時に下降して前記加熱ユニット上の上記マスク基板の周囲に上記枠部を位置させ、冷却時に上昇して前記冷却ユニット上の上記マスク基板より当該枠部を離脱させると共に、当該処理位置上で上記加熱ユニットと冷却ユニットが交換される際には当該マスク基板を上記可動保持手段で保持して上昇させる補助ユニットと、を有する構成である。   The invention according to claim 4 is a heating / cooling system for manufacturing a photomask that performs baking after a predetermined process on the mask substrate and cools the mask substrate after the baking, and is horizontally movable from a standby position to a heating / cooling processing position, A heating unit that performs baking when the mask substrate to be conveyed is positioned on a horizontal plane, and a horizontal movement from a standby position to a heating / cooling processing position, and cooling when the mask substrate is positioned on a horizontal plane. And a movable holding means for holding the mask substrate in a state of covering the periphery of the mask substrate with the frame portion. It is arranged so that it can move up and down freely, and it is lowered during baking and the frame portion is positioned around the mask substrate on the heating unit. The frame unit is lifted and detached from the mask substrate on the cooling unit, and when the heating unit and the cooling unit are exchanged on the processing position, the mask substrate is held by the movable holding means. And an auxiliary unit to be raised.

請求項5の発明では、前記補助ニットは、前記枠部を前記マスク基板の周囲を覆う際に、当該マスク基板の上方で熱反射させるための熱反射部材を備える構成である。   According to a fifth aspect of the present invention, the auxiliary knit includes a heat reflecting member that heat-reflects above the mask substrate when the frame portion covers the periphery of the mask substrate.

請求項1〜3の発明によれば、マスク基板の加熱ユニットによる加熱開始より所定時間後に枠部で当該マスク基板の周囲を覆うと共に適宜熱反射部材を当該マスク基板の上方に位置させてベーキングを行い、ベーキング終了後における枠部等が位置されたままのマスク基板の冷却ユニットによる冷却開始より所定時間後に当該枠部等をマスク基板より離脱させて冷却を続行させる構成とすることにより、加熱冷却におけるマスク基板上の温度均一性を向上させることができ、ひいては品質向上、歩留りを向上させることができるものである。   According to the first to third aspects of the present invention, the frame substrate covers the periphery of the mask substrate after a predetermined time from the start of heating by the mask substrate heating unit, and the heat reflecting member is appropriately positioned above the mask substrate for baking. Heating and cooling by adopting a configuration in which cooling is continued by separating the frame portion from the mask substrate after a predetermined time from the start of cooling by the cooling unit of the mask substrate with the frame portion and the like being positioned after baking is completed. Temperature uniformity on the mask substrate can be improved, and as a result, quality and yield can be improved.

請求項4および5の発明によれば、加熱ユニットによるベーキング時に補助ユニットを下降させることで適宜熱反射部材と共にマスク基板の周囲に上記枠部を位置させ、冷却ユニットによる冷却時に補助ユニットを上昇させることでマスク基板より当該枠部等を離脱させるもので、当該処理位置上で上記加熱ユニットと冷却ユニットが交換される際には補助ユニットの可動保持手段がマスク基板を保持して上昇させる構成とすることにより、上記加熱冷却方法を実現することができると共に、処理対象のマスク基板を加熱から冷却に移行するときに水平移動させることがないことから、加熱冷却におけるマスク基板上の温度均一性を向上させることができ、ひいては品質向上、歩留りを向上させることができるものである。   According to invention of Claim 4 and 5, the said auxiliary | assistant unit is lowered | hung at the time of baking by a heating unit, the said frame part is located in the circumference | surroundings of a mask board | substrate suitably with a heat | fever reflection member, and an auxiliary | assistant unit is raised at the time of cooling by a cooling unit. The frame portion or the like is detached from the mask substrate, and when the heating unit and the cooling unit are exchanged on the processing position, the movable holding means of the auxiliary unit holds and lifts the mask substrate. As a result, the above heating / cooling method can be realized and the mask substrate to be processed is not moved horizontally when shifting from heating to cooling. It can be improved, and as a result, quality and yield can be improved.

以下、本発明の最良の実施形態を図により説明する。本実施形態では、加熱冷却システムとして概念的に必要構成要素のみを示すが、これらの制御、駆動は、従前の手法で実現することができることから、図示および説明を省略する。   Hereinafter, the best embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, only necessary components are conceptually shown as a heating / cooling system, but since these controls and driving can be realized by a conventional method, illustration and description are omitted.

図1に、本発明に係る加熱冷却システムの概念構成図を示す。図1(A)は加熱冷却システムの概念図、図1(B)は補助ユニットの概念構成図である。図1(A)において、加熱冷却システム11は、処理台12には加熱冷却の処理位置13が設定され、当該処理位置13に対して加熱ユニット14の待機位置、冷却ユニット15の待機位置が設定される。そして、加熱ユニット14が待機位置より処理位置13に対して水平移動自在であり、冷却ユニット15が待機位置より処理位置13に対して水平移動自在である。   In FIG. 1, the conceptual block diagram of the heating-cooling system which concerns on this invention is shown. FIG. 1A is a conceptual diagram of a heating / cooling system, and FIG. 1B is a conceptual configuration diagram of an auxiliary unit. In FIG. 1A, in the heating / cooling system 11, a heating / cooling processing position 13 is set on the processing table 12, and a standby position of the heating unit 14 and a standby position of the cooling unit 15 are set with respect to the processing position 13. Is done. The heating unit 14 can move horizontally with respect to the processing position 13 from the standby position, and the cooling unit 15 can move horizontally with respect to the processing position 13 from the standby position.

上記加熱ユニット14は、加熱対象のフォトマスク製造のためのマスク基板を載置させる面が水平面で形成され、当該水平面上にはマスク基板を上下動させるリフトピン(図2参照)のための4つの孔21が形成され、当該各孔21の適宜近傍には当該マスク基板を載置させたときにプロキシミティギャップを確保する例え4つのスペーサ22が形成される。また、加熱ユニット14の上記水平面部分には従前より使用される、例えば上記特開2004−303998号公報の図3記載のようなヒータが配置されると共に、内部に上記リフトピンおよび当該リフトピンを上下動させるための図示しない駆動手段が備えられる。   The heating unit 14 has a horizontal plane on which a mask substrate for manufacturing a photomask to be heated is placed, and four lift pins (see FIG. 2) for moving the mask substrate up and down on the horizontal plane. Holes 21 are formed, and for example, four spacers 22 that secure proximity gaps when the mask substrate is placed are formed in the appropriate vicinity of each hole 21. Further, a heater that has been used in the past, for example, as shown in FIG. 3 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-303998, is disposed in the horizontal plane portion of the heating unit 14, and the lift pin and the lift pin are moved up and down inside. A driving means (not shown) is provided.

また、冷却ユニット15は、マスク基板を載置させる面が水平面で形成され、当該水平面上にはマスク基板を上下動させるリフトピン(図3、図4参照)のための4つの孔23が形成され、当該各孔23の適宜近傍には当該マスク基板を載置させたときにプロキシミティギャップを確保する例え4つのスペーサ24が形成される。また、冷却ユニット15の上記水平面部分には従前より使用される、例えば上記特開2004−303998号公報の図4記載のような冷却材を循環させる冷却機構が配置されると共に、内部に上記リフトピンおよび当該リフトピンを上下動させるための図示しない駆動手段が備えられる。   The cooling unit 15 has a horizontal surface on which the mask substrate is placed, and four holes 23 for lift pins (see FIGS. 3 and 4) for moving the mask substrate up and down are formed on the horizontal surface. For example, four spacers 24 that secure a proximity gap when the mask substrate is placed are formed in the appropriate vicinity of the holes 23. Further, a cooling mechanism for circulating a coolant as previously described, for example, as shown in FIG. 4 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-303998 is disposed in the horizontal plane portion of the cooling unit 15, and the lift pins are disposed inside the cooling unit 15. In addition, driving means (not shown) for moving the lift pin up and down is provided.

一方、処理位置13の上方には補助ユニット16が上下動自在(制御手段および駆動手段は図示しない)に配置される。この補助ユニット16は、一方面開放内部空間の筐体31内に枠部32および熱反射部材である反射板33を備える。枠部32は、例えば金属部材で形成され、加熱ユニット14または冷却ユニット15の水平面上に載置されたマスク基板に対してその周囲を覆うためのものである。また、反射板33は、例えば金属部材で形成され、枠部32がマスク基板の周囲を覆う際に、当該マスク基板の上方で熱反射させるためのものである。   On the other hand, an auxiliary unit 16 is disposed above the processing position 13 so as to be movable up and down (control means and drive means are not shown). The auxiliary unit 16 includes a frame portion 32 and a reflecting plate 33 that is a heat reflecting member in a housing 31 having an open space on one side. The frame portion 32 is formed of, for example, a metal member, and covers the periphery of the mask substrate placed on the horizontal surface of the heating unit 14 or the cooling unit 15. The reflection plate 33 is formed of, for example, a metal member, and is used for heat reflection above the mask substrate when the frame portion 32 covers the periphery of the mask substrate.

また、補助ユニット16における筐体31の外側の、例えば対向側面に取付部34A,34Bが取り付けられ、当該取付部34A,34Bに可動保持手段である保持ピン35A〜35Dが回動自在に設けられる。この保持ピン35A〜35Dは、後述するが、特に加熱ユニット14上に載置されたマスク基板の裏面側に回動し、当該裏面の各点で保持するもので、この状態で当該補助ユニット16を上昇させることにより、枠部32で周囲が覆われ、上方に反射板33を位置させたままでマスク基板を上昇させるものであり、一方で、特に冷却ユニット15のリフトピン上にマスク基板を位置させたときに当該保持ピン35A〜35Dを回動させて保持解除させるものである。   Further, mounting portions 34A and 34B are attached to, for example, opposite side surfaces of the auxiliary unit 16 outside the housing 31, and holding pins 35A to 35D as movable holding means are rotatably provided on the mounting portions 34A and 34B. . As will be described later, the holding pins 35 </ b> A to 35 </ b> D rotate to the back side of the mask substrate placed on the heating unit 14 and hold it at each point on the back side, and in this state, the auxiliary unit 16. , The periphery is covered with the frame portion 32, and the mask substrate is raised while the reflector 33 is positioned above. On the other hand, the mask substrate is particularly positioned on the lift pins of the cooling unit 15. The holding pins 35A to 35D are rotated to release the holding.

ここで、図2に、図1の加熱冷却システムにおける加熱ユニットによる加熱処理の説明図を示し、図3に図1の加熱冷却システムにおける加熱処理から冷却処理の説明図を示すと共に、図4に図1の加熱冷却システムにおける冷却ユニットによる冷却処理の説明図を示す。なお、図2〜図4は、各構成要素の動作を説明するためのものであって、本発明に係る加熱冷却方法をそのまま示したものではない。   Here, FIG. 2 shows an explanatory diagram of the heating process by the heating unit in the heating and cooling system of FIG. 1, FIG. 3 shows an explanatory diagram of the heating process from the heating process in the heating and cooling system of FIG. 1, and FIG. The explanatory view of the cooling processing by the cooling unit in the heating cooling system of Drawing 1 is shown. 2 to 4 are for explaining the operation of each component, and do not directly show the heating and cooling method according to the present invention.

図2(A)は、加熱ユニット14が処理位置13に水平移動した場合を示したもので、当該処理位置13に加熱ユニット14が位置したときに孔21内に上下動自在に設けられたリフトピン25が上昇し(駆動手段は図示しない)、図2(B)に示すように、当該上昇したそれぞれのリフトピン25の上方に所定の搬送手段(例えばマスク基板の側面を挾持して搬送する搬送ロボット)でマスク基板41が搬送され、それぞれのリフトピン25上に載置される。   FIG. 2A shows a case where the heating unit 14 is moved horizontally to the processing position 13. When the heating unit 14 is positioned at the processing position 13, lift pins provided in the holes 21 so as to be movable up and down. As shown in FIG. 2B, a transport robot that transports a predetermined transport means (for example, holding the side surface of the mask substrate) above each lift pin 25 that has been lifted. ), The mask substrate 41 is transported and placed on each lift pin 25.

マスク基板41を載置したそれぞれのリフトピン25は、図2(C)に示すように、下降することで、当該マスク基板41が下降して当該加熱ユニット14の水平面上に形成されているそれぞれのスペーサ22上に載置されてプロキシミティギャップが確保される。そして、図2(D)に示すように、スペーサ22上に載置されたマスク基板41が上述のようなヒータ26により常温以上に加熱される。また、上記スペーサ22上に載置されたマスク基板41に対して上述の補助ユニット16が下降する。この場合、筐体31の両側面に設けられている保持ピン35A〜35Dは、当該筐体31に対して外側の状態に位置されている。   As shown in FIG. 2C, the lift pins 25 on which the mask substrate 41 is placed are lowered so that the mask substrate 41 is lowered and formed on the horizontal plane of the heating unit 14. The proximity gap is secured by being placed on the spacer 22. Then, as shown in FIG. 2D, the mask substrate 41 placed on the spacer 22 is heated to room temperature or higher by the heater 26 as described above. The auxiliary unit 16 is lowered with respect to the mask substrate 41 placed on the spacer 22. In this case, the holding pins 35 </ b> A to 35 </ b> D provided on both side surfaces of the casing 31 are positioned on the outer side with respect to the casing 31.

上記補助ユニット16が下降して枠部32が当該加熱ユニット14の水平面上におかれた状態のときに、図3(A)に示すように、マスク基板41の周囲を覆う状態となる。また、処理位置13で加熱ユニット14と冷却ユニット15とを交換する場合、図3(B)に示すように、加熱ユニット14のそれぞれのリフトピン25が上昇すると共に、同期した補助ユニット16も上昇し、上昇後に補助ユニット16の保持ピン35A〜35Dが内側に回動し、当該それぞれのリフトピン25が下降し始めたときにマスク基板41の裏面を各点で載置保持する状態となる。   When the auxiliary unit 16 is lowered and the frame portion 32 is placed on the horizontal plane of the heating unit 14, the mask substrate 41 is covered as shown in FIG. When the heating unit 14 and the cooling unit 15 are exchanged at the processing position 13, as shown in FIG. 3B, the lift pins 25 of the heating unit 14 are raised and the synchronized auxiliary unit 16 is also raised. After the ascent, the holding pins 35A to 35D of the auxiliary unit 16 rotate inward, and when the respective lift pins 25 begin to descend, the back surface of the mask substrate 41 is placed and held at each point.

そして、図3(C)に示すように、マスク基板41が上方で補助ユニット16により保持されている状態でそれぞれのリフトピン25が下降して処理位置13より図1(A)に示す待機位置に水平移動し、続いて図3(D)に示すように、冷却ユニット15が処理位置13に水平移動し、当該処理位置13に位置したときにそれぞれのリフトピン27が上昇する(駆動手段は図示しない)。それぞれのリフトピン27が上昇したときに補助ユニット16が下降する。   Then, as shown in FIG. 3C, the lift pins 25 are lowered while the mask substrate 41 is held by the auxiliary unit 16 at the upper position, and the processing position 13 is shifted to the standby position shown in FIG. Next, as shown in FIG. 3D, the cooling unit 15 moves horizontally to the processing position 13, and when the cooling unit 15 is positioned at the processing position 13, the respective lift pins 27 rise (the drive means is not shown). ). When each lift pin 27 is raised, the auxiliary unit 16 is lowered.

上記補助ユニット16が下降してマスク基板41がそれぞれのリフトピン27に当接したときに、図4(A)に示すように、当該補助ユニット16のそれぞれの保持ピン35A〜35Dを筐体31の外側に回動させてマスク基板41の当該保持ピン35A〜35Dによる保持を解除させ、当該それぞれのリフトピン27および補助ユニット16が同期して下降する。そして、それぞれのリフトピン27の下降によりマスク基板41が冷却ユニット15のそれぞれのスペーサ24上に載置され、枠部32が当該冷却ユニット15の水平面上に載置されるまで当該補助ユニット16が下降する。   When the auxiliary unit 16 is lowered and the mask substrate 41 comes into contact with the lift pins 27, the holding pins 35 </ b> A to 35 </ b> D of the auxiliary unit 16 are attached to the housing 31 as shown in FIG. The mask substrate 41 is held outwardly by the holding pins 35A to 35D, and the lift pins 27 and the auxiliary unit 16 are lowered synchronously. Then, when the lift pins 27 are lowered, the mask substrate 41 is placed on each spacer 24 of the cooling unit 15, and the auxiliary unit 16 is lowered until the frame portion 32 is placed on the horizontal plane of the cooling unit 15. To do.

図4(B)に示すように、当該枠部32が当該冷却ユニット15の水平面上におかれた状態のときに枠部32がマスク基板41の周囲を覆う状態となり、また、反射板33がマスク基板41の上方に位置された状態となって冷却機構28により例えば冷却材の循環開始により冷却が行われる。そして、図4(C)に示すように、補助ユニット16が上昇し、冷却処理が終了すると、図4(D)に示すように、それぞれのリフトピン27が上昇して所定位置に達したときに、マスク基板41が搬送手段(上述のような搬送ロボット)により排出され、その後、それぞれのリフトピン27が下降して図1(A)に示すような待機位置まで水平移動するものである。   As shown in FIG. 4B, when the frame portion 32 is placed on the horizontal plane of the cooling unit 15, the frame portion 32 covers the periphery of the mask substrate 41, and the reflecting plate 33 is Cooling is performed by, for example, the start of circulation of the coolant by the cooling mechanism 28 in a state of being positioned above the mask substrate 41. As shown in FIG. 4 (C), when the auxiliary unit 16 is raised and the cooling process is finished, as shown in FIG. 4 (D), when each lift pin 27 is raised and reaches a predetermined position. The mask substrate 41 is discharged by the transfer means (the transfer robot as described above), and then the respective lift pins 27 are lowered and horizontally moved to the standby position as shown in FIG.

そこで、図5に図1の加熱冷却システムにおける加熱処理および冷却処理のフローチャートを示すと共に、図6に図5の加熱ユニットおよび冷却ユニットの移動に関するフローチャートを示す。図5(A)は加熱処理のフローチャート、図5(B)は冷却処理のフローチャート、図6(A)は加熱ユニットの移動に関するフローチャート、図6(B)は冷却ユニットの移動に関するフローチャートである。なお、具体的な処理の条件等は、図7で説明する。   FIG. 5 shows a flowchart of the heating process and the cooling process in the heating / cooling system of FIG. 1, and FIG. 6 shows a flowchart regarding the movement of the heating unit and the cooling unit of FIG. 5A is a flowchart of the heating process, FIG. 5B is a flowchart of the cooling process, FIG. 6A is a flowchart regarding the movement of the heating unit, and FIG. 6B is a flowchart regarding the movement of the cooling unit. Specific processing conditions and the like will be described with reference to FIG.

図5(A)において、まず、図1(A)に示すような加熱ユニット14が待機位置より処理位置13に水平移動し(ステップ(S1))、移動が完了するとそれぞれのリフトピン25が上昇される(S2、図2(A)参照)。それぞれのリフトピン25が上昇されると、上述のような搬送手段(例えば搬送ロボット)により当該それぞれのリフトピン25上にマスク基板41が載置され(S3、図2(B)参照)、載置が完了するとそれぞれのリフトピン25が下降することにより当該マスク基板41が当該加熱ユニット14の水平面上のそれぞれのスペーサ22上にプロキシミティギャップを確保されて載置される(S4、図2(C)、(D)参照)。   5A, first, the heating unit 14 as shown in FIG. 1A moves horizontally from the standby position to the processing position 13 (step (S1)), and when the movement is completed, the respective lift pins 25 are raised. (S2, see FIG. 2A). When each lift pin 25 is raised, the mask substrate 41 is placed on each lift pin 25 by the above-described transport means (for example, a transport robot) (see S3, FIG. 2B), and the placement is performed. When completed, the respective lift pins 25 are lowered so that the mask substrate 41 is placed on the respective spacers 22 on the horizontal plane of the heating unit 14 with a proximity gap secured (S4, FIG. 2 (C), (See (D)).

続いて、加熱ユニット14内の上述のようなヒータ26を駆動して加熱が開始される(S5)。加熱開始より所定時間t1経過すると(S6)、補助ユニット16が下降して反射板33をマスク基板41の上方に位置させると共に、枠部32を当該マスク基板41の周囲に位置させて覆う状態とさせる(S7、図2(D)および図3(A)参照)。このとき、補助ユニット16のそれぞれの保持ピン35A〜35Dは、筐体31の外側に位置される。そして、この状態で加熱終了までベーキングが行われる(S8)。   Subsequently, the above-described heater 26 in the heating unit 14 is driven to start heating (S5). When the predetermined time t1 has elapsed from the start of heating (S6), the auxiliary unit 16 is lowered to position the reflecting plate 33 above the mask substrate 41, and the frame 32 is positioned around the mask substrate 41 to cover it. (S7, see FIG. 2D and FIG. 3A). At this time, the holding pins 35 </ b> A to 35 </ b> D of the auxiliary unit 16 are positioned outside the housing 31. In this state, baking is performed until the heating is completed (S8).

ベーキングの終了後、図6(A)において、当該加熱ユニット14のそれぞれのリフトピン25を上昇させると共に、これに同期させて補助ユニット16を上昇させる(S11、図3(B)参照)。それぞれの上昇が完了すると、当該補助ユニット16のそれぞれの保持ピン35A〜35Dを筐体31の内側に回動させて当該保持ピン35A〜35Dによりマスク基板41を裏面の各点で保持させた後に、上記それぞれのリフトピン25が下降される(S12、図3(B)、(C)参照)。そして、加熱ユニット14が図1(A)に示すような待機位置に移動する(S13、図3(C)参照)。   After the baking is finished, in FIG. 6A, the lift pins 25 of the heating unit 14 are raised, and the auxiliary unit 16 is raised in synchronism with this (see S11, FIG. 3B). When each ascending is completed, the holding pins 35A to 35D of the auxiliary unit 16 are rotated to the inside of the casing 31 and the mask substrate 41 is held at each point on the back surface by the holding pins 35A to 35D. The lift pins 25 are lowered (see S12, FIGS. 3B and 3C). Then, the heating unit 14 moves to a standby position as shown in FIG. 1A (S13, see FIG. 3C).

続いて、図5(B)において、上記加熱ユニット14が待機位置に戻ると、冷却ユニット15が処理位置13に水平移動され(S21)、当該冷却ユニット15が処理位置13に位置されると、それぞれのリフトピン27が上昇される(S22、図3(D)参照)。当該それぞれのリフトピン27が上昇すると、マスク基板41を保持した補助ユニット16が下降し、当該マスク基板41の裏面にそれぞれのリフトピン27が当接したときに当該補助ユニット16のそれぞれの保持ピン35A〜35Dを筐体31の外側に回動させて保持を解除させる(S23、図4(A)参照)。   Subsequently, in FIG. 5B, when the heating unit 14 returns to the standby position, the cooling unit 15 is moved horizontally to the processing position 13 (S21), and when the cooling unit 15 is positioned at the processing position 13, Each lift pin 27 is raised (see S22, FIG. 3D). When each lift pin 27 is raised, the auxiliary unit 16 holding the mask substrate 41 is lowered, and when each lift pin 27 is in contact with the back surface of the mask substrate 41, each holding pin 35A to 35A of the auxiliary unit 16 is retained. 35D is rotated to the outside of the housing 31 to release the holding (S23, see FIG. 4A).

そして、補助ユニット16および冷却ユニット15の各リフトピン27が同期して下降されることで、マスク基板41を当該冷却ユニット15のそれぞれのスペーサ24上にプロキシミティギャップが確保されて載置されると共に、当該補助ユニット16の枠部32が当該冷却ユニット15の水平面上に載置される(S24、図4(B)参照)。   Then, the lift pins 27 of the auxiliary unit 16 and the cooling unit 15 are lowered in synchronization, so that the mask substrate 41 is placed on the spacers 24 of the cooling unit 15 with a proximity gap secured. The frame portion 32 of the auxiliary unit 16 is placed on the horizontal plane of the cooling unit 15 (S24, see FIG. 4B).

続いて、冷却ユニット15内の上述のような冷却機構28を駆動(例えば冷却材を循環)させて冷却が開始される(S25)。冷却開始より所定時間t2経過すると(S26)、補助ユニット16を上昇させることでマスク基板41の上方の反射板33および周囲の枠部32を当該マスク基板41より離脱させる(S27、図4(C)参照)。そして、この状態で冷却終了まで続行される(S28)。   Subsequently, the cooling mechanism 28 in the cooling unit 15 as described above is driven (for example, the coolant is circulated), and cooling is started (S25). When a predetermined time t2 has elapsed from the start of cooling (S26), the auxiliary unit 16 is lifted to separate the reflecting plate 33 and the surrounding frame portion 32 above the mask substrate 41 from the mask substrate 41 (S27, FIG. 4C )reference). In this state, the process is continued until the cooling is completed (S28).

上記冷却処理の終了後、図6(B)において、冷却ユニット15のそれぞれのリフトピン27を上昇させることで冷却処理が終了したマスク基板41を上昇させ(S31)、上昇後に上記のように搬送ロボットによりマスク基板41を当該冷却ユニット15より排出させる(S32、図4(D)参照)。そして、それぞれのリフトピン27を下降させ、図1(A)に示すように当該冷却ユニット15を待機位置に水平移動させるものである(S33)。   After completion of the cooling process, in FIG. 6B, the lift pins 27 of the cooling unit 15 are raised to raise the mask substrate 41 after the cooling process is finished (S31). Thus, the mask substrate 41 is discharged from the cooling unit 15 (see S32, FIG. 4D). Then, each lift pin 27 is lowered, and the cooling unit 15 is horizontally moved to the standby position as shown in FIG. 1A (S33).

そこで、図7に、図1の加熱冷却システムにおける加熱処理および冷却処理によるマスク基板の温度状態の説明図を示す。ここでは、図8(B)と同様に中央部分で温度検出器TH1により、また周囲四隅部分で各温度検出器TH2〜TH5により温度検出が行われるものとし、試験条件として室温約22.5℃、湿度約35パーセントの環境で行われ、使用されたマスク基板41は6インチ大、厚さ約6mmのものである。   FIG. 7 shows an explanatory diagram of the temperature state of the mask substrate by the heating process and the cooling process in the heating and cooling system of FIG. Here, as in FIG. 8B, temperature detection is performed by the temperature detector TH1 at the center portion and by the temperature detectors TH2 to TH5 at the peripheral four corner portions, and the room temperature is about 22.5 ° C. as a test condition. The mask substrate 41 is used in an environment with a humidity of about 35 percent and is 6 inches large and about 6 mm thick.

図7において、一点鎖線はマスク基板41の上記温度検出器TH1〜TH5の5つの温度分布を概略的に1つとして示したもので、各温度検出器TH1〜TH5の最大と最小の温度差を実線で示したものである。すなわち、加熱ユニット14でのベーキングとして当該加熱ユニット14にマスク基板41が載置されて約30秒後に加熱開始され(加熱温度は、例えばヒータ表面で約200℃)、加熱開始から約75秒(t1)後に補助ユニット16を下降させて当該マスク基板41に対して枠部32で周囲を覆い、反射板33を上方に位置させると、約85秒後に最大温度差が2.92℃となった。   In FIG. 7, the alternate long and short dash line schematically shows the five temperature distributions of the temperature detectors TH1 to TH5 of the mask substrate 41 as one, and shows the maximum and minimum temperature difference between the temperature detectors TH1 to TH5. This is indicated by a solid line. That is, heating is started about 30 seconds after the mask substrate 41 is placed on the heating unit 14 as baking in the heating unit 14 (heating temperature is about 200 ° C. on the heater surface, for example), and about 75 seconds (from the start of heating) t1) After that, when the auxiliary unit 16 is lowered to cover the periphery of the mask substrate 41 with the frame 32 and the reflecting plate 33 is positioned upward, the maximum temperature difference becomes 2.92 ° C. after about 85 seconds. .

加熱処理終了後にマスク基板41が補助ユニット16で保持された状態で上昇され、このときに加熱ユニット14と冷却ユニット15とが交換される(約50秒)。冷却ユニット15が処理位置13に移動したときにマスク基板41を保持した補助ユニット16を下降させて冷却ユニット15の水平面上にマスク基板41および枠部32が載置されたときに冷却材の循環により冷却が開始され、冷却開始より約55秒(t2)後に最大温度差が2.91℃となった。そして、冷却開始より約110秒後に補助ユニット16を上昇させることで枠部32および反射板33を上昇させて冷却を続行させることで室温状態近くまで冷却が行われたものである。   After completion of the heat treatment, the mask substrate 41 is raised while being held by the auxiliary unit 16, and at this time, the heating unit 14 and the cooling unit 15 are exchanged (about 50 seconds). When the cooling unit 15 moves to the processing position 13, the auxiliary unit 16 that holds the mask substrate 41 is lowered, and when the mask substrate 41 and the frame portion 32 are placed on the horizontal plane of the cooling unit 15, the coolant is circulated. The cooling started, and the maximum temperature difference became 2.91 ° C. after about 55 seconds (t2) from the start of cooling. Then, about 110 seconds after the start of cooling, the auxiliary unit 16 is raised to raise the frame portion 32 and the reflecting plate 33, and the cooling is continued to cool to near the room temperature.

このように、加熱冷却におけるマスク基板41上の温度均一性を従前より向上させることができ、ひいては品質向上、歩留りを向上させることができるものである。一般に、厚みのあるマスク基板は加熱冷却に対して、中央部分で蓄熱および放熱がし難く、周辺に従うごとに蓄熱および放熱の時間が短くなる傾向にある。すなわち、加熱開始からマスク基板41が枠部32により周囲を覆われるまでは周囲よりの放熱を促して蓄熱の傾向を中央部分の蓄熱傾向に近づけ、当該中央部分の蓄熱が進んでから枠部32で周囲を覆うことで放熱を規制させていることから、加熱時の当該中央部分と周囲部分との温度差を従前より極めて小とさせることができるものである。この場合、反射板33がマスク基板41に対して加熱効率を向上させる役割をなす。   In this way, the temperature uniformity on the mask substrate 41 in heating and cooling can be improved from the past, and as a result, quality and yield can be improved. In general, a thick mask substrate is difficult to store and dissipate heat at the central portion with respect to heating and cooling, and tends to shorten the time for storing and dissipating heat as it follows the periphery. That is, from the start of heating until the mask substrate 41 is covered by the frame portion 32, the heat dissipation is promoted from the surroundings to bring the tendency of heat storage closer to the heat storage tendency of the central portion, and after the heat storage of the central portion proceeds, the frame portion 32 Since the heat radiation is regulated by covering the periphery with the above, the temperature difference between the central portion and the peripheral portion at the time of heating can be made extremely smaller than before. In this case, the reflecting plate 33 serves to improve the heating efficiency with respect to the mask substrate 41.

一方、冷却開始からマスク基板41の周囲より枠部32が離脱されるまでは周囲よりの放熱を規制して排熱傾向が中央部分の排熱傾向に近づけられることから、冷却時の当該中央部分と周囲部分との温度差を従前より極めて小とさせることができるもので、当該中央部分の排熱が進んでから枠部32を離脱させることで全体の排熱を促すものである。   On the other hand, from the start of cooling until the frame portion 32 is detached from the periphery of the mask substrate 41, heat dissipation from the periphery is restricted and the exhaust heat tendency approaches the exhaust heat tendency of the central portion. The temperature difference between the center portion and the surrounding portion can be made much smaller than before, and the exhaust heat of the central portion advances, and then the frame portion 32 is detached to promote the overall exhaust heat.

ところで、加熱ユニット14と冷却ユニット15との交換時には、加熱されたマスク基板41は、補助ユニット16の保持ピン35A〜35Dにより保持されていることから、いわゆる保温状態であり、しかも当該補助ユニット16の移動方向が水平方向ではないことから、当該マスク基板41が風(気流)により周辺部分において放熱が促されることがなく、冷却に移行するまでの温度不均一の発生を最低限に止めることができるものである。   By the way, when the heating unit 14 and the cooling unit 15 are exchanged, the heated mask substrate 41 is held by the holding pins 35A to 35D of the auxiliary unit 16, and is in a so-called heat retaining state. Since the movement direction of the mask substrate 41 is not a horizontal direction, the mask substrate 41 is not urged to dissipate heat in the peripheral portion by wind (airflow), and the occurrence of temperature non-uniformity until the transition to cooling can be minimized. It can be done.

本発明のフォトマスク製造用加熱冷却方法および加熱冷却システムは、フォトマスク製造におけるマスクブランク製造工程、パターン形成工程等のベーキング後にクーリングを行う工程に適する。   The heating / cooling method and heating / cooling system for manufacturing a photomask according to the present invention are suitable for a process of performing cooling after baking such as a mask blank manufacturing process and a pattern forming process in photomask manufacturing.

本発明に係る加熱冷却システムの概念構成図である。It is a conceptual lineblock diagram of the heating cooling system concerning the present invention. 図1の加熱冷却システムにおける加熱ユニットによる加熱処理の説明図である。It is explanatory drawing of the heat processing by the heating unit in the heating-cooling system of FIG. 図1の加熱冷却システムにおける加熱処理から冷却処理の説明図である。It is explanatory drawing of the cooling process from the heat processing in the heating cooling system of FIG. 図1の加熱冷却システムにおける冷却ユニットによる冷却処理の説明図である。It is explanatory drawing of the cooling process by the cooling unit in the heating-cooling system of FIG. 図1の加熱冷却システムにおける加熱処理および冷却処理のフローチャートである。It is a flowchart of the heat processing and cooling processing in the heating-cooling system of FIG. 図5の加熱ユニットおよび冷却ユニットの移動に関するフローチャートである。It is a flowchart regarding the movement of the heating unit and cooling unit of FIG. 図1の加熱冷却システムにおける加熱処理および冷却処理によるマスク基板の温度状態の説明図である。It is explanatory drawing of the temperature state of the mask substrate by the heat processing and cooling processing in the heating-cooling system of FIG. 従来のマスク基板の加熱または冷却の概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing of the heating or cooling of the conventional mask substrate. 図8の加熱処理および冷却処理によるマスク基板の温度状態の説明図である。It is explanatory drawing of the temperature state of the mask board | substrate by the heat processing and cooling process of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

11 加熱冷却システム
13 処理位置
14 加熱ユニット
15 冷却ユニット
16 補助ユニット
25,27 リフトピン
26 ヒータ
28 冷却機構
32 枠部
33 反射板
35 保持ピン
41 マスク基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Heating / cooling system 13 Processing position 14 Heating unit 15 Cooling unit 16 Auxiliary unit 25, 27 Lift pin 26 Heater 28 Cooling mechanism 32 Frame part 33 Reflecting plate 35 Holding pin 41 Mask substrate

Claims (5)

フォトマスク製造のためのマスク基板を所定処理後に、加熱ユニットの水平面上でベーキングを行い、当該ベーキング後に冷却ユニットの水平面上で冷却を行うフォトマスク製造用加熱冷却方法であって、
前記マスク基板を前記加熱ユニット上に位置させる工程と、
前記マスク基板に対して前記加熱ユニットにより所定温度でベーキングを開始させる工程と、
前記加熱開始より所定時間後に、前記加熱ユニット上の前記マスク基板の周囲を覆う枠部を当該マスク基板の周囲に位置させる工程と、
を含むことを特徴とするフォトマスク製造用加熱冷却方法。
A photomask manufacturing heating and cooling method for performing baking on a horizontal plane of a heating unit after predetermined processing of a mask substrate for manufacturing a photomask, and performing cooling on a horizontal plane of a cooling unit after the baking,
Positioning the mask substrate on the heating unit;
Starting baking the mask substrate at a predetermined temperature by the heating unit;
A step of positioning a frame portion covering the periphery of the mask substrate on the heating unit around the mask substrate after a predetermined time from the start of heating;
A heating and cooling method for manufacturing a photomask, comprising:
請求項1記載のフォトマスク製造用加熱冷却方法であって、
前記ベーキング終了後に、前記マスク基板を前記枠部と共に保持状態とし、この状態で前記冷却ユニット上に位置させる工程と、
前記マスク基板に対して前記冷却ユニットにより冷却を開始させる工程と、
前記冷却開始より所定時間後に、前記冷却ユニット上の前記枠部を当該冷却ユニットより離脱させて冷却を終了まで続行させる工程と、
を含むことを特徴とするフォトマスク製造用加熱冷却方法。
It is the heating-cooling method for photomask manufacture of Claim 1,
After the baking, the mask substrate is held together with the frame portion, and in this state is positioned on the cooling unit;
Starting cooling the mask substrate by the cooling unit;
A step of detaching the frame part on the cooling unit from the cooling unit after a predetermined time from the start of cooling and continuing cooling until the end;
A heating and cooling method for manufacturing a photomask, comprising:
請求項1または2記載のフォトマスク製造用加熱冷却方法であって、前記枠部を前記マスク基板の周囲を覆う際に、当該マスク基板の上方に熱反射部材を位置させて熱反射させることを特徴とするフォトマスク製造用加熱冷却方法。   3. The method of heating and cooling a photomask according to claim 1, wherein when the frame portion covers the periphery of the mask substrate, a heat reflecting member is positioned above the mask substrate and thermally reflected. A heating / cooling method for producing a photomask, which is characterized. マスク基板を所定処理後にベーキングを行い、当該ベーキング後に冷却を行うフォトマスク製造用の加熱冷却システムであって、
待機位置より加熱冷却の処理位置に水平移動自在であり、搬送される前記マスク基板を水平面上に位置させたときにベーキングを行う加熱ユニットと、
待機位置より加熱冷却の処理位置に水平移動自在であり、前記マスク基板を水平面上に位置させたときに冷却を行う冷却ユニットと、
前記マスク基板に対してその周囲を覆う枠部を備えると共に、当該マスク基板を当該枠部で覆った状態で保持する可動保持手段を備えて、前記加熱冷却の処理位置上で上下動自在に配置されるものであり、ベーキング時に下降して前記加熱ユニット上の上記マスク基板の周囲に上記枠部を位置させ、冷却時に上昇して前記冷却ユニット上の上記マスク基板より当該枠部を離脱させると共に、当該処理位置上で上記加熱ユニットと冷却ユニットが交換される際には当該マスク基板を上記可動保持手段で保持して上昇させる補助ユニットと、
を有することを特徴とするフォトマスク製造用の加熱冷却システム。
A heating / cooling system for manufacturing a photomask that performs baking after a predetermined treatment of a mask substrate, and performs cooling after the baking,
A heating unit that is horizontally movable from a standby position to a heating and cooling processing position, and performs baking when the transferred mask substrate is positioned on a horizontal plane; and
A cooling unit that is horizontally movable from a standby position to a heating and cooling processing position, and that cools when the mask substrate is positioned on a horizontal plane;
A frame portion covering the periphery of the mask substrate and a movable holding means for holding the mask substrate in a state of being covered by the frame portion are provided, and can be moved up and down on the heating / cooling processing position. The frame is lowered at the time of baking to position the frame portion around the mask substrate on the heating unit, and is raised at the time of cooling to separate the frame portion from the mask substrate on the cooling unit. An auxiliary unit that holds and lifts the mask substrate with the movable holding means when the heating unit and the cooling unit are exchanged on the processing position;
A heating / cooling system for manufacturing a photomask, comprising:
請求項4記載のフォトマスク製造用の加熱冷却システムであって、前記補助ニットは、前記枠部を前記マスク基板の周囲を覆う際に、当該マスク基板の上方で熱反射させるための熱反射部材を備えることを特徴とするフォトマスク製造用の加熱冷却システム。   5. The heating / cooling system for manufacturing a photomask according to claim 4, wherein the auxiliary unit is configured to heat-reflect the heat above the mask substrate when the frame portion covers the periphery of the mask substrate. A heating / cooling system for manufacturing a photomask, comprising:
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