JP2006307298A - 窒化物膜及びその成膜方法 - Google Patents
窒化物膜及びその成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006307298A JP2006307298A JP2005133413A JP2005133413A JP2006307298A JP 2006307298 A JP2006307298 A JP 2006307298A JP 2005133413 A JP2005133413 A JP 2005133413A JP 2005133413 A JP2005133413 A JP 2005133413A JP 2006307298 A JP2006307298 A JP 2006307298A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- film
- powder
- nitride film
- thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 248
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 54
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 abstract description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 239
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の窒化物膜の成膜方法では、溶射原料である金属元素又は非金属元素の粉末とその元素の窒化物の粉末とから実質的に構成される混合物が溶射することによって窒化物膜を得るので、元素粉末の窒化反応に伴う結晶成長による凝集が、窒化物粉末の存在によって抑制され、その結果として、緻密な厚膜を容易に得ることができる。また、窒化物粉末を予め混合しておくことにより、窒化物含有量を増大できると共に、相対的に未反応の元素粉末の割合を低減できるために、結果的に、窒化物含有率の高い厚膜を得ることができる。
【選択図】 図1
Description
[窒化物膜]
本発明の窒化物膜は、溶射法(特にプラズマ溶射法)により得られる膜であり、窒化物含有率の高い窒化物膜を得るために一般的に用いられているPVD法やCVD法などでは得ることができなかった厚い膜厚を有するものである。
本発明の窒化物膜の成膜方法は、熱プラズマを利用する溶射法を用いて基材上に窒化物膜を形成する方法である。ここで、図1及び図2を参照しつつ本発明の成膜方法について説明する。
図1に示した装置100を用いて、基材101としての石英基材上に、窒化物膜116として窒化アルミニウム溶射膜を成膜した。
溶射原料であるアルミニウム/窒化アルミニウム混合粉末におけるアルミニウムと窒化アルミニウムとの混合比を2:8(重量比)とした以外は、実施例1と同様の条件で窒化アルミニウム膜116を作製した。
104 熱プラズマ
116 溶射膜(窒化物膜)
Claims (7)
- 金属元素又は非金属元素の粉末とその元素の窒化物の粉末とから実質的に構成される混合物を溶射原料として用いる溶射法により成膜され、その膜厚が1μm以上、かつ、3mm以下であると共に、前記窒化物の含有率が25mol%以上、かつ、100mol%以下である窒化物膜。
- 金属又は非金属元素の窒化物を含む窒化物膜を溶射法によって基材上に形成する成膜方法において、
窒素を含む熱プラズマを発生させ、その窒素を含む熱プラズマ中に、金属元素又は非金属元素の粉末とその元素の窒化物の粉末とから実質的に構成される混合物を溶射原料として供給することによって該混合物を溶射し、該基材上に前記窒化物膜を形成する成膜方法。 - 前記溶射は、熱プラズマを、前記基材上に形成された窒化物膜の表面と接触させつつ行うことを特徴とする請求項2記載の成膜方法。
- 前記熱プラズマと前記窒化物膜の表面との接触部分の温度は、前記窒化物の分解温度以下又は分解温度未満であることを特徴とする請求項3記載の成膜方法。
- 前記熱プラズマと前記窒化物膜の表面との接触部分の温度は、前記金属元素又は非金属元素の融点以上又は融点を超えることを特徴とする請求項3又は4記載の成膜方法。
- 前記基材上に形成された窒化物膜を前記熱プラズマにさらに接触させることを特徴とする請求項2から5のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記金属元素又は非金属元素の粉末及びその元素の窒化物の粉末の粒径は、0.1μm以上、かつ、200μm以下であることを特徴とする請求項2から6のいずれかに記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005133413A JP2006307298A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 窒化物膜及びその成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005133413A JP2006307298A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 窒化物膜及びその成膜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006307298A true JP2006307298A (ja) | 2006-11-09 |
Family
ID=37474511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005133413A Pending JP2006307298A (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | 窒化物膜及びその成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006307298A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009084606A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Tosoh Corporation | 窒化アルミニウム溶射部材及びその製造方法 |
WO2010027073A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2012077339A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Tohoku Univ | コールドスプレー法による金属材料の補修方法及びコールドスプレー用粉末材料の製造方法、並びに、コールドスプレー皮膜 |
JP2013057429A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Jfe Steel Corp | 溶射補修部位の観察装置および観察方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004083929A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Tosoh Corp | 窒化アルミニウム溶射膜及びその製造方法 |
JP2004183072A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Tosoh Corp | 窒化珪素溶射膜及びそれを被覆した部材並びにそれら製造方法 |
JP2005046866A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-04-28 JP JP2005133413A patent/JP2006307298A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004083929A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Tosoh Corp | 窒化アルミニウム溶射膜及びその製造方法 |
JP2004183072A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Tosoh Corp | 窒化珪素溶射膜及びそれを被覆した部材並びにそれら製造方法 |
JP2005046866A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | シリコン鋳造用鋳型およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009084606A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Tosoh Corporation | 窒化アルミニウム溶射部材及びその製造方法 |
WO2010027073A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JPWO2010027073A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
KR101284474B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2013-07-15 | 도시바 마테리알 가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치용 부품 및 반도체 제조 장치 |
JP5566891B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-08-06 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2012077339A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Tohoku Univ | コールドスプレー法による金属材料の補修方法及びコールドスプレー用粉末材料の製造方法、並びに、コールドスプレー皮膜 |
JP2013057429A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Jfe Steel Corp | 溶射補修部位の観察装置および観察方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Dearnley et al. | Engineering the surface with boron based materials | |
CN101743338B (zh) | 真空处理设备和真空处理方法 | |
CN101076614A (zh) | 基底上的保护涂层及其制备方法 | |
JP4122387B2 (ja) | 複合硬質皮膜、その製造方法及び成膜装置 | |
JP3225576B2 (ja) | 自己修復性硬質固体潤滑膜で被覆した摺動機械部品 | |
JP3915628B2 (ja) | 窒化アルミニウム溶射膜及びその製造方法 | |
JP2006307298A (ja) | 窒化物膜及びその成膜方法 | |
Dasgupta et al. | Plasma assisted metal-organic chemical vapor deposition of hard chromium nitride thin film coatings using chromium (III) acetylacetonate as the precursor | |
JP5669107B2 (ja) | 立方晶窒化ホウ素コーティング法およびそれにより得られる材料 | |
Nastasi et al. | The use of plasma immersion ion processing in the synthesis of protective coatings for Al die casting | |
JP4032178B2 (ja) | 窒化珪素溶射膜の製造方法 | |
Januś | DLC layers created using CVD techniques and their application | |
Kitiwan et al. | Consolidation of diamond composites using silicon carbide-coated diamond powder | |
Xie et al. | Comparative study of titanium carbide films deposited by plasma-enhanced and conventional magnetron sputtering at various methane flow rates | |
Li et al. | Synthesis of anticorrosion SiC and SiNx films from alkoxide solution using liquid injection PECVD | |
Manory | Some principles for understanding surface modification of metals by glow discharge processes | |
TWI856809B (zh) | 製備氮化硼薄膜的方法與氮化硼薄膜 | |
EP1179610A1 (en) | A process and an apparatus for nitriding an aluminium-containing substrate | |
JPH11302846A (ja) | 硬質炭素被膜部材の製造方法 | |
JP2008144273A (ja) | 硬質炭素被膜部材の製造方法 | |
JPH07150337A (ja) | 窒化膜の製造方法 | |
RU2254397C2 (ru) | Способ получения алмазоподобной пленки | |
TW202503132A (zh) | 製備氮化硼薄膜的方法與氮化硼薄膜 | |
JP2000119839A (ja) | 鉄鋼部材表面の硼化処理法 | |
JP2006152338A (ja) | ダイヤモンド被覆電極及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090128 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20100421 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101026 |