JP2006278764A - 積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 所定枚数のグリーンシート10aを積み重ねて予備積層体Unを得る。次に、予備積層体Unを乾燥させ、乾燥後の予備積層体Unを積み重ねて最終積層体Ufを得る。そして、最終積層体Ufを切断してグリーンチップを形成し、グリーンチップを焼成する。乾燥させる前の予備積層体Unの重量に対する乾燥後の予備積層体Unの重量の減少率が0.2〜1.0%、さらに好ましくは0.2〜0.6%である。
【選択図】 図9
Description
所定枚数のグリーンシートを積み重ねて予備積層体を得る工程と、
前記予備積層体を乾燥させる工程と、
乾燥後の予備積層体を積み重ねて最終積層体を得る工程と、
前記最終積層体を切断してグリーンチップを形成する工程と、
前記グリーンチップを焼成する工程とを有する。
図2(A)〜図2(C)はグリーンシートと電極層との積層工程の一例を示す要部断面図、
図3(A)〜図3(C)は図2(C)の続きの工程を示す要部断面図、
図4(A)〜図4(C)は図3(C)の続きの工程を示す要部断面図、
図5(A)〜図5(C)は図4(C)の続きの工程を示す要部断面図、
図6(A)〜図6(C)は図5(C)の続きの工程を示す要部断面図、
図7は図6(C)の続きの工程を示す要部断面図、
図8(A)および図8(A)および図8(B)は図7の続きの工程を示す概略図、
図9は積層ズレを示す概略図である。
まず、本発明に係る電子部品の一実施形態として、積層セラミックコンデンサの全体構成について説明する。
次に、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ2の製造方法の一例を説明する。
内部電極層の導電体材料にNiやNi合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
保持温度:150〜200℃、
保持時間:2〜6時間、
雰囲気 :Air。
保持温度:200〜600℃、
保持時間:0.5〜20時間、
雰囲気 :加湿したN2 とH2 との混合ガス。
保持温度:1100〜1300℃、
保持時間:0.5〜8時間、
冷却速度:50〜500℃/時間、
雰囲気ガス:加湿したN2 とH2 との混合ガス等。
グリーンシート用ペーストの作製
セラミック粉体の出発原料としてBaTiO3 粉体(BT−02/堺化学工業(株))を用いた。このBaTiO3 粉体100質量部に対して、(Ba0.6Ca0.4)SiO3 :1.48質量部、Y2 O3 :1.01質量部、MgCO3 :0.72質量%、Cr2 O3 :0.13質量%、およびV2 O5 :0.045質量%になるようにセラミック粉体副成分添加物を用意した。
上記のようにして得られたペーストをワイヤーバーコーターによって、図3(A)に示す支持フィルムとしてのPETフィルム上に1.2μmの厚みで塗布し、乾燥することでグリーンシート10aを作製した。塗布速度は50m/min、乾燥条件は、乾燥炉内の温度が60℃〜70℃、乾燥時間が2分であった。
前記のグリーンシート用ペーストにおけるBaTiO3 をBT−01にした以外は、グリーンシート用ペーストと同様にしてペーストを作製し、そのペーストを、エタノール:プロパノール:キシレン(42.5:42.5:15)の混合溶剤によって5倍に希釈したものを、剥離用ペーストとした。
接着層用ペーストとしては、有機ビヒクルを用いた。具体的には、ポリビニルブチラール樹脂を100質量部に対して、可塑剤としてフタル酸ビス(2ヘチルヘキシル)DOP:50質量部、MEK:900重量部の混合溶液を、MEKで更に10倍に希釈し、接着層用ペーストとした。
平均粒径が0.2μmのNi粒子100質量部に対して、
BaTiO3 粉末(BT−01/堺化学工業(株)):20重量部、
有機ビヒクル:58質量部(ポリビニルブチラール樹脂8質量部をターピネオール92質量部に溶解したもの)、
可塑剤としてフタル酸ビス(2ヘチルヘキシル)DOP:50質量部、
ターピネオール:5質量部、
分散剤 :1重量部、
アセトン :45重量部、
を添加して、3本ロールにより混練し、スラリー化して内部電極用ペーストとした。
セラミック粉末および副成分添加物として、グリーンシート用ペースト用に用いたものと同じものを、同じ配合比となるように用意した。
まず、上記の誘電体グリーンシート用ペーストを用いて、PETフィルム(第2支持シート)上に、ワイヤーバーコーターを用いて、厚み1.2μmのグリーンシートを形成した。次に、それとは別のPETフィルム(第1支持シート)上に、剥離層を形成するために、上記の剥離層用ペーストを、ワイヤーバーコーターにより塗布乾燥させて0.2μmの剥離層を形成した。
昇温速度:50℃/時間、
保持温度:160℃、
保持時間:4時間、
雰囲気ガス:Air、
で行った。
昇温速度:15℃/時間、
保持温度:600℃、
保持時間:2時間、
雰囲気ガス:加湿したN2 とH2 の混合ガス、
で行った。
昇温速度:200℃/時間、
保持温度:1200℃、
保持時間:2時間、
冷却速度:200℃/時間、
雰囲気ガス:加湿したN2 とH2 の混合ガス、
酸素分圧:10−7Pa、
で行った。
昇温速度:200℃/時間、
保持温度:1050℃、
保持時間:2時間、
冷却速度:200℃/時間、
雰囲気ガス:加湿したN2 ガス、
酸素分圧:10−1Pa、
で行った。なお、雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを用い、水温0〜75℃にて行った。
乾燥前の予備積層体の重量に対する乾燥後の予備積層体の重量の減少率を0%として、すなわち、予備積層体Unを乾燥させることなく積層して最終積層体を形成した以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
乾燥前の予備積層体の重量に対する乾燥後の予備積層体の重量の減少率を、それぞれ0.6%、0.9%、1.2%、1.5%とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.05MPaとし、搬送板50による加熱温度を40°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.05MPaとし、搬送板50による加熱温度を60°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.05MPaとし、搬送板50による加熱温度を40°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.15MPaとし、搬送板50による加熱温度を40°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.15MPaとし、搬送板50による加熱温度を60°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.15MPaとし、搬送板50による加熱温度を80°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.5MPaとし、搬送板50による加熱温度を40°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.5MPaとし、搬送板50による加熱温度を60°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
予備積層体Unの仮置き時の圧力を0.5MPaとし、搬送板50による加熱温度を80°Cとし、加圧時間を1秒、5秒および30秒と変化させ、仮プレス時の加圧時間を30秒とした以外は、実施例1と同様にして、最終積層体Ufを形成し、積層ズレ、スタック性、デラミネーションおよび総合評価について、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
表1に示すように、乾燥後の予備積層体の重量の減少率が0.2〜1.0%、さらに好ましくは0.2〜0.6%である場合に、積層ズレが少なくなり、スタック性が向上し、デラミネーションが少なくなることが確認された。
4… コンデンサ素体
6,8… 端子電極
10… 誘電体層
10a… グリーンシート
12… 内部電極層
12a… 電極層
20… キャリアシート(第1支持シート)
22… 剥離層
24… 余白パターン層
26… キャリアシート(第3支持シート)
28… 接着層
30… キャリアシート(第2支持シート)
40… 下金型
50… 搬送板
Un… 予備積層体
Uf… 最終積層体
Claims (10)
- 所定枚数のグリーンシートを積み重ねて予備積層体を得る工程と、
前記予備積層体を乾燥させる工程と、
乾燥後の予備積層体を積み重ねて最終積層体を得る工程と、
前記最終積層体を切断してグリーンチップを形成する工程と、
前記グリーンチップを焼成する工程とを有する
積層セラミック電子部品の製造方法。 - 乾燥させる前の前記予備積層体の重量に対する乾燥後の予備積層体の重量の減少率が0.2〜1.0%である請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 乾燥後の予備積層体を積み重ねる際に、既に積み重ねてある予備積層体に対して、0.1MPa以上の圧力で押しつけることを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 乾燥後の予備積層体を積み重ねる際に、既に積み重ねてある予備積層体に対して、50〜85°Cの温度条件下で押しつけることを特徴とする請求項3に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 10〜100枚数のグリーンシートを積み重ねて前記予備積層体を形成する請求項1〜4のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 10〜100個の予備積層体を積み重ねて最終積層体を形成する請求項1〜5のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記グリーンシートの表面には所定パターンの電極層が形成してある請求項1〜6のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 乾燥後の予備積層体を、搬送板により搬送し、この搬送板を用いて、当該予備積層体を、既に積み重ねてある予備積層体に対して、0.1MPa以上の圧力で押しつけることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記最終積層体を、仮プレス装置により5MPa以上の圧力で仮プレスする請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記搬送板を用いて、当該予備積層体を、既に積み重ねてある予備積層体に対して、5MPa以上の圧力で押しつけることを特徴とする請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
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