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JP2006241309A - 塗布液組成物、薄膜形成方法および有機薄膜 - Google Patents

塗布液組成物、薄膜形成方法および有機薄膜 Download PDF

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Abstract

【課題】 EL装置等の画素を構成するバンク開口部内等の微細空間内に、平坦度の高い薄膜を形成することを目的とする。
【解決手段】 ジフェニルエーテル誘導体を溶媒とすると、メニスカスの曲率が小さな塗布膜とすることができる。これにより平坦度の高い薄膜が形成可能となる。
【選択図】 図3

Description

本発明は、有機機能材料を含む塗布液組成物と、この塗布液組成物を用いた薄膜形成方法および有機薄膜、特に有機エレクトロルミネッセンス装置の製造に用いられる塗布液組成物に関するものである。
電界発光を利用したエレクトロルミネッセンス(Electro-Luminescence,以下、ELと略記する。)装置は、自己発光のため視認性が高く、低電圧駆動が可能である等の特徴を有することから表示装置としての利用が注目されている。有機EL装置は、薄膜化された有機EL材料を発光層とし、これを一対の電極で挟持してなるものである。発光層は有機EL材料を真空蒸着して形成される他、有機EL材料を含む塗布液から形成される。塗布液を用いる方法では、まず有機EL材料を溶媒に溶解して塗布液組成物とした後、これらをブレード法、キャスト法、インクジェット法等の各種塗布手段で塗布し、乾燥する。中でも有機薄膜の形成とパターニングとを同一工程で行える上に低コストであるという点から、インクジェット法が注目を集めている。
発光層においては、有機EL材料が等方的に分散されていることが求められる。これにより発光特性が変化するためである。そこで塗布液は均一に塗布される必要があり、その溶媒は塗布面において均一に蒸発することが求められる。加えてインクジェット法においては、塗布液を吐出させる際の粘度調整も必要であるので、塗布液組成物における溶媒の選定は重要である。塗布液組成物の溶媒として、従来からベンゼン誘導体、具体的にはトルエン、キシレン等のベンゼン誘導体が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)
ところがインクジェット法では、インクジェットノズルからの吐出後、直ちに溶媒が蒸発し始めるので、形成される有機薄膜の表面平滑度が低くなりがちであるという問題があった。これを解決する手段として、ベンゼン誘導体に比べて高沸点のビフェニル誘導体を溶媒として用いることが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。これによりインクジェットノズルからの吐出直後の溶媒の揮発を少なくして、有機薄膜の表面平滑度を向上できることが開示されている。
特開2001−288416号公報 特開2003−229256号公報
ところでEL装置等においては、各画素はポリイミド等からなる隔壁(バンク)で区画されており、各バンク表面はプラズマ処理等によって濡れ性の制御が行われている。一般に毛細管等の微細空間内に注入された液体の表面はその界面張力によって、壁に沿う部分が中央部に比べて上がるまたは下がり、いわゆるメニスカスと呼ばれる曲面を形成する。注入された液体が壁を濡らす場合には、メニスカスは水平面に対して凹であり、濡らさない場合には凸をなすことは周知である。塗布液組成物を有機EL素子の各画素内に吐出した場合、塗布液組成物とバンク表面との組み合わせにより、各画素内において凹型あるいは凸型等の種々のメニスカスが形成されることとなる。ところが発光層となる有機薄膜の膜厚は小さく設定されているので、その膜厚に比して曲率の大きなメニスカスが形成されてしまうと、一画素内においてバンク近傍部と中央部とで膜厚に差が生じてしまう。発光層の輝度はその膜厚に依存しているので、一画素内での輝度が部位によって異なり、均質な発光が得られないという問題があった。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであって、微細空間内に塗布した際に、その塗布厚の最大値と最小値との差が小さく、平坦度の高い薄膜を形成可能な塗布液組成物を提供することを目的としている。さらにはこの塗布液組成物を用いた薄膜形成方法と、これにより得られる有機薄膜、およびこの有機薄膜を備えたEL装置とを提供することを目的としている。
上記の目的を達成するために、本発明の塗布液組成物は、少なくともジフェニルエーテル誘導体を含む溶媒に、有機機能材料を溶解してなることを特徴とする。
溶媒としてのジフェニルエーテル誘導体は、有機機能材料に対して十分な溶解能を有するばかりでなく、塗布直後に急激には揮発しない程度の高沸点を有する。よって有機機能材料を等方的に分散させた有機薄膜を形成することができる。さらに、ジフェニルエーテル誘導体を溶媒として用いれば、塗布液組成物を微細空間内に塗布した際にも、その塗布厚に比してメニスカスの曲率が小さくなる。よって塗布厚の最大値と最小値との差が小さくなり、平坦度の高い塗布膜となる。
本発明の塗布液組成物にあっては、前記ジフェニルエーテル誘導体の置換基がメチル基またはフッ素であることが好ましく、さらには3−メチルジフェニルエーテル、3,5−ジメチルジフェニルエーテル、1,3´−ジメチルジフェニルエーテル、3,5,4´−トリメチルジフェニルエーテル、3,4´−ジフルオロジフェニルエーテルの群から選ばれる1種以上であることが好ましい。
上記ジフェニルエーテル誘導体を単独あるいは2種以上組み合わせて、さらには他の有機溶媒と併せて用いると、より一層、平坦度の高い塗布膜とすることができる。
また、本発明の塗布液組成物は、前記有機機能材料が有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする。
有機EL素子の各画素を区画するバンクで囲まれた微細空間内に、本発明の塗布液組成物を塗布しても、メニスカスの曲率が小さいので、バンク近傍部と画素中央部との間でその膜厚に差が生じることがなく、一画素中での膜厚差が少ない。よって一画素中における平坦度の高い有機EL薄膜とすることができ、有機EL素子の発光層に好適である。
本発明の薄膜形成方法は、先に記載の本発明の塗布液組成物を塗布して有機薄膜を形成することを特徴とする。
本発明の塗布液組成物を用いることにより、有機機能材料が等方的に分散された有機薄膜を容易かつ確実に得ることができる。また、本発明の製造方法によれば、微細空間内に平坦度の高い有機薄膜を容易に形成可能となる。
さらに本発明の薄膜形成方法にあっては、本発明の塗布液組成物を液滴吐出法で塗布して有機薄膜を形成することが好ましい。
塗布工程に液滴吐出法、なかでもインクジェット法を用いることにより、薄膜形成と同時に薄膜のパターン形成をも行うことができる。本発明の製造方法によれば、平坦度が高く、発光特性に優れた有機薄膜を、低コストで簡便に微細パターンを持たせて形成することができ、有機EL素子の発光層の形成に好適である。
本発明の有機薄膜は、先に記載の本発明の薄膜形成方法によって形成されたことを特徴とし、この有機薄膜は有機EL薄膜であることを特徴とする。
本発明の有機薄膜および有機EL薄膜は、バンクで仕切られた画素部内に液滴塗布法によって形成されたものであっても、その平坦度が高く、均一な膜厚を有するものとなるので、均一な発光が得られ、有機EL装置の発光層として好適なものとなる。また、この発光層を備えたEL装置は発光特性の良好なものとなる。
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
[塗布液組成物]
本発明の塗布液組成物は、ジフェニルエーテル誘導体からなる溶媒中に有機機能材料、特に有機EL材料を溶解してなるものであって、有機EL素子の発光層をなす有機EL膜を形成するのに好適なものである。
有機機能材料とは、導電性や発光等の各種機能を発現させる有機材料であって、導電性材料、絶縁性材料、半導体材料、電子デバイスを構成する材料、発光材料等を例示することができる。本発明の塗布液組成物においては、特に限定されるものではないが、有機EL素子の発光層の形成に本発明を用いる際には、有機機能材料として有機EL材料を用いる。
有機EL材料は、電圧によって発光する有機材料であれば特に限定されるものではなく、たとえばポリジクチルフルオレンに代表されるポリフルオレン誘導体や、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子EL材料を挙げることができる。
また、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子有機EL材料であってもよく、これらの低分子EL材料を上記高分子EL材料にドープしたものであってもよい。
溶媒はジフェニルエーテル誘導体を含む有機溶媒からなる。ジフェニルエーテル誘導体としては、たとえば、3−メチルジフェニルエーテル、3,5−ジメチルジフェニルエーテル、1,3´−ジメチルジフェニルエーテル、3,5,4´−トリメチルジフェニルエーテル、3,4´−ジフルオロジフェニルエーテルである。これらのジフェニルエーテル誘導体は、いずれも単独でも、あるいは2種以上を混合して用いてもよい。さらにはシクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、トルエン、キシレン等のベンゼン誘導体や他の有機溶媒と併用してもよい。
溶媒の沸点は230〜320℃とすることが好ましい。この範囲とすれば塗布直後に、溶媒が塗布液から急激に揮発することがないので、表面が滑らかな薄膜とすることができるためである。
本実施形態の塗布液組成物は、溶媒にジフェニルエーテル誘導体を含むことにより、微細空間内に塗布した際に、その塗布厚に比較してメニスカスの曲率が小さくなることに着目したものである。これにより、微細空間内に小さな塗布厚で塗布を行った場合にも、そのいかなる部位においても塗布厚差が小さくなり、非常に平坦度の高いものとなる。よって、本実施形態の塗布液組成物を、EL装置の発光層をなす薄膜の製造に用いれば、バンクによって区画された微小空間である各画素において、バンク近傍部と画素中央部とでの膜厚に差が生じることがなく、平坦度の高い有機EL薄膜、すなわち平坦度の高い発光層を得ることができる。よって一画素中での発光面積を増加させることができると共に、均一な発光が得られ、発光特性に優れたEL装置とすることができる。
[薄膜形成方法]
本実施形態の薄膜形成方法は、先に記載した本実施形態の塗布液組成物を各種の塗布方法により塗布膜とした後、この塗布膜を乾燥して有機薄膜とするものである。
塗布液組成物の塗布方法としては、スピンコート法、キャスト法、ブレード法、ディッピング法等を利用することができるが、塗布液組成物を液滴としてノズルから吐出させる液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を利用することが望ましい。インクジェット法によれば、塗布と同一工程で、薄膜のパターニングを直接行うことができるので、製造工程の簡略化とともに低コスト化、省原料および廃液の減量化を行うことができるためである。またインクジェット法における液滴の吐出方式は、特に限定されるものではなく、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などを利用することができる。
塗布液の乾燥は、塗布工程と同時あるいは、終了後に行うことができる。これには、自然乾燥、ガスフロー乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥を利用することができ、これらを組み合わせて行ってもよい。
本実施形態の薄膜形成方法においては、先に記載の本実施形態の塗布液組成物を用いることにより、EL装置の各画素等を構成する微細空間内での薄膜形成であっても、メニスカスの曲率の小さな塗布膜をパターニングと同時に塗布することができるので、有機機能材料が等方的に分散され、かつ平坦度の高い有機薄膜を簡便な方法によって得ることができる。
特に、隔壁で囲われた領域に上記の溶媒および有機薄膜の前駆体を含む塗布液組成物を配して溶媒を除去することにより、薄膜を形成する手法に適用することが好ましい。
さらに、隔壁は少なくとも一部が撥液性を有していることが好ましい。
例えば図1に示すように、隔壁20は、基板21上に形成されたアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストからなり、例えば有機EL装置等に適用する場合であれば画素電極の形成位置に対応して開口部22が形成されている。そして、開口部22の内部に有機薄膜23が形成されている。
なお、隔壁20に仕切られた各領域において、有機材料で形成された隔壁20の側面20dおよび上面20fは、例えば4フッ化メタンのようにフッ素原子を含むガスを処理ガスとするプラズマ処理を施すことにより、隔壁20の表面がフッ化処理(撥液処理)され、親液性・撥液性の分布を形成することができる。インクジェット法等の液体材料を用いて有機薄膜23を形成する際に、液体材料を所定の領域に保持させることができ、所定の領域からはみ出さないようにすることができる。この方法では、プラズマによりフッ素ガスを含む処理ガスを乖離させているが、紫外線などを用いて乖離させてもよい。さらに、フッ素系ポリマーを含むアクリル樹脂、もしくはポリイミド樹脂等を用いて隔壁を撥液性とし、親液性・撥液性の分布を形成してもよい。
このように、少なくとも一部が撥液性を有する隔壁20に対して、本実施形態の塗布液組成物を塗布して有機薄膜23を形成することにより、隔壁20と塗布液組成物との親和性を向上できるため、撥液性の隔壁20により塗布液組成物がはじかれ、隔壁20で囲われた領域の周縁において有機薄膜23が薄くなるのを防止することができる。このようにして、メニスカスの曲率の小さな有機薄膜23を形成できる。特に溶媒を除去する際、塗布液組成物の有機薄膜の前駆体濃度が高くなるため、撥液性の隔壁20により塗布液組成物がはじかれ易くなる。その点、本実施形態の塗布液組成物を用いれば、隔壁20で囲われた領域の周縁において塗布液組成物を保持できるため、隔壁20で囲われた領域の周縁において有機薄膜23が薄くなるのを防止することができる。
また、図2に示すように、隔壁20は、酸化珪素などの無機絶縁材料からなる第1隔壁層20aと、第1隔壁層20a上に形成されたアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機絶縁材料からなる第2隔壁層20bとからなることが好ましい。この構成とすることにより、隔壁20で囲われた領域の周縁において隔壁20と塗布液組成物との親和性を向上させることができる。特に、無機絶縁材料は、酸化珪素のように塗布液組成物との親和性が高いものが好ましい。
さらに、第1隔壁層20aが隔壁20に囲われた領域側に第2隔壁層20bより張り出しており、2段構成となっていることが好ましい。また、第1隔壁層20aは有機薄膜23の膜厚と比して厚いことが好ましい。上記の2段構成や第1隔壁層20aが有機薄膜23の膜厚と比して厚い構成とすることにより、親液性を有する第1隔壁層20aと塗布液組成物との接触する面積を隔壁20で囲われた領域の周縁部にて広くすることができるため、塗布や乾燥の際、隔壁20に囲われた領域において塗布液組成物を確実に保持させることができる。
[EL装置]
本実施形態のEL装置は、先に記載の本実施形態の薄膜形成方法で得られた有機EL薄膜を発光層として備えたものである。以下、本実施形態のEL装置について図面を参照して説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
図3は本発明の一実施形態のEL装置の配線構造を示す平面模式図である。
図3に示すように、本実施形態のEL(エレクトロルミネッセンス)装置1には、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線されている。そして、走査線101と信号線102とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路104が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路105が接続されている。
各画素領域には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ112と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ112を介して信号線102から共有される画素信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ123と、この駆動用薄膜トランジスタ123を介して電源線103に電気的に接続したときに当該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極111と、この画素電極111と陰極12との間に挟み込まれる機能層110とが設けられている。画素電極111と陰極12と機能層110により発光部Aが構成され、表示装置1は、この発光部Aをマトリクス状に複数備えて構成されている。
係る構成によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ112がオンになると、そのときの信号線102の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ123のチャネルを介して、電源線103から画素電極111に電流が流れ、さらに機能層110を介して陰極12に電流が流れる。機能層110は、これを流れる電流量に応じて発光する。
図4は本発明のEL装置1の平面模式図であり、図5は、その表示領域2aの断面構造を示す拡大図である。
図5に示すように、本実施形態の表示装置1は、基板2上に回路素子部14と表示素子部10が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部(図示略)によって封止された構造を有する。表示素子部10は、発光層110bを含む発光素子部11と、発光素子部11上に形成された陰極(第2の電極)12とからなる。この陰極12及び封止部は透光性を有しており、本実施形態のEL装置1は、発光層から発した表示光が封止部側から出射される、いわゆるトップエミッション型の表示装置として構成されている。
基板2には、透明基板、半透明基板、不透明基板のいずれを用いることもできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。
また、基板2は、図4に示すように、中央に位置する表示領域2aと、基板2の周縁に位置して表示領域2aを囲む非表示領域2bとに区画されている。
表示領域2aは、マトリックス状に配置された発光部Aによって形成される領域であり、表示領域2aの外側に非表示領域2bが形成されている。そして、非表示領域2bには、表示領域2aに隣接するダミー表示領域が形成されている。
回路素子部14には、図4および図5に示すように、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ123等が備えられており、表示領域2aに配置された各発光部Aを駆動するようになっている。
陰極12は、その一端が発光素子部11上から基板2上に形成された陰極用配線120に接続しており、この配線の一端部がフレキシブル基板5上の配線5aに接続されている。また、配線5aは、フレキシブル基板5上に備えられた駆動IC6(駆動回路)に接続されている。
また、回路素子部14の非表示領域2bには、前述の電源線103(103R、103G、103B)が配線されている。
表示領域2aの図2中両側には、前述の走査側駆動回路105、105が配置されている。この走査側駆動回路105、105はダミー領域の下側の回路素子部14内に設けられている。さらに回路素子部14内には、走査側駆動回路105、105に接続される駆動回路用制御信号配線105aと駆動回路用電源配線105bとが設けられている。さらに表示領域2aの図2中上側には検査回路106が配置されている。
より詳細には、この表示装置1は、基板2上に、TFTなどの回路等が形成された回路素子部14と、画素電極(第1の電極)111と、発光層110bを含む機能層110が形成された発光素子部11と、陰極12とが順次積層されて構成されている。
回路素子部14には、基板2上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141には、ソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みにより形成されている。また、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。
また、回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆うゲート絶縁膜142が形成されている。そして、このゲート絶縁膜142上には、半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に、Al、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線101)が形成されている。そして、半導体膜141、ゲート絶縁膜142、ゲート電極143により薄膜トランジスタ123が構成されている。
また、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されており、この第1、第2層間絶縁膜144a、144bには、絶縁膜144a、144bを貫通して半導体膜141のソース、ドレイン領域141a、141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145、146が形成されている。コンタクトホール145は画素電極に接続されており、このコンタクトホール145を介して画素電極111と半導体のソース領域141aが電気的に接続されている。また、コンタクトホール146は電源線103に接続されており、このコンタクトホール146を介して、電源線103から画素信号が供給されるようになっている。
以上により駆動用の回路が構成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量cap及びスイッチング用の薄膜トランジスタ142も形成されているが、図5ではこれらの図示を省略している。
画素電極111は、第2層間絶縁膜144b上に平面視略矩形にパターニングされて形成されており、表示領域2a内にマトリクス状に複数配置されている。
この画素電極111には、例えばアルミニウム(Al)膜や銀(Ag)膜等の高反射率の金属膜が用いられており、基板2側に発した光を上方の封止部側に効率的に出射させるようになっている。
なお、画素電極111は、例えばAl膜の層厚が100nmから500nmの範囲となるように形成され、Al膜の上にITO(インジウム錫酸化膜)を層厚が50nmから200nmの範囲となるように積層して形成してもよい。
発光素子部11は、複数の画素電極111上の各々に積層された機能層110と、各画素電極111及び機能層110の間に備えられて各機能層110を仕切る隔壁112とを主体として構成されている。機能層110上には陰極12が配置されており、これら画素電極111、機能層110及び陰極12によって発光部Aが構成されている。
なお、隔壁112と第2層間絶縁膜144bとの間に、隣り合う画素電極111を絶縁するとともに、これを保護するために、絶縁保護膜を配置してもよい。絶縁保護膜としては、例えばCVD法やスパッタリング法によりシリコン酸化膜を1μmの厚さに形成することができる。
隔壁112は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストからなり、画素電極111の形成位置に対応して開口部112dが形成されている。
なお、隔壁112に仕切られた各領域において、画素電極111の電極面111aは酸素原子を含む処理ガスによるプラズマ処理によって親液処理されており、親液性を示す。一方、有機材料で形成された隔壁112の側面112d及び上面112fは、例えば4フッ化メタンのようにフッ素原子を含む処理ガスによるプラズマ処理を施すことにより、表面がフッ化処理(撥液処理)され、撥液性を示す。このように、酸素原子を含む処理ガスによるプラズマ処理とフッ素原子を含む処理ガスによるプラズマ処理とをこの順に施すことにより、画素電極111の電極面111aは親液化され、隔壁112の側面112d及び上面112fは撥液化され、親液性・撥液性の分布を形成することができる。インクジェット法等の液体材料を用いて正孔注入/輸送層110aおよび発光層110bを形成する際に、液体材料を所定の電極面111aに保持させることができ、所定の電極面111aからはみ出さないようにすることができる。
また、本実施形態では、プラズマにより酸素原子、あるいはフッ素原子を含むガスを乖離させたが、紫外線などを用いて乖離させてもよい。また、酸素原子を含む処理ガスとフッ素原子を含む処理ガスとを混合したガスを用いて表面処理を行うことにより、有機材料からなる隔壁112の側面112d及び上面112fが選択的に撥液化され、親液性・撥液性の分布を形成することができる。さらに、フッ素系ポリマーを含むアクリル樹脂もしくはポリイミド樹脂等を用いて、隔壁112を撥液性とし、親液性・撥液性の分布を形成してもよい。なお、蒸着法により正孔注入/輸送層110aおよび発光層110bを形成する場合には、隔壁112の形成を省略してもよい。隔壁112は、インクジェット法により正孔注入/輸送層110aおよび発光層110bを形成する場合に必要なものであり、蒸着法でこれらの層を形成する場合には必要とならない。
機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された発光層110bと、この発光層110b上に隣接して形成された電子注入層110cとから構成されている。
正孔注入/輸送層110aは例えば5nmから50nmの層厚に形成され、正孔を発光層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。この正孔注入/輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルフォン酸(PSS)等の混合物を用いることができる。
電子注入層110cは例えば5nmから20nmの層厚に形成され、電子を発光層110bに注入する機能を有するとともに、電子を電子注入層110c内部において輸送する機能を有する。層厚が5nmよりも小さくなると電子注入効率を向上させる効果がなくなり、層厚が20nmよりも厚くなると内部抵抗が高くなり発光電圧が高くなってしまう。この電子注入層110cとしては、例えばバソクプロイン(BCP)とセシウムの共蒸着膜やMgとAgの共蒸着、LiF/Ca/Alなどを好適に用いることができる。
このような正孔注入/輸送層110a、電子注入層110cを、それぞれ画素電極111と発光層110bの間、及び、陰極12と発光層110bとの間に設けることにより、発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。なお、正孔注入/輸送材料は、各色の発光層110b毎に異ならせてもよく、また、特定の色の発光層110bに対して正孔注入/輸送層110aを設けない構成とすることも可能である。
発光層110bは、赤色(R)に発光する赤色発光層110b1、緑色(G)に発光する緑色発光層110b2、及び青色(B)に発光する青色発光層110b3、の3種類を有し、各発光層110b1から110b3がストライプ配置されている。この発光層110bの材料としては、赤色発光層110b1としてシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光層110b2およびとして青色発光層110b3ポリフェニレンビニレンなどを用いることができる。なお、上述した有機化合物以外の有機化合物を発光層110bの材料として用いることができる。
陰極12は発光素子部11の全面に形成されている。そして、画素電極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。
以上、説明したように、本実施形態のEL装置は、先に記載の本実施形態の塗布液組成物から形成された有機EL薄膜をその発光層110bとして利用することにより、発光層110bの中央部の膜厚と隔壁開口部112dの近傍部とでの膜厚に大きな差が生じなく、平坦度の高い発光層となるので、一画素中での発光面積を増大させ、良好な発光特性を有するEL装置とすることができる。
特に、隔壁112で囲われた領域に上記の溶媒および有機薄膜の前駆体を含む塗布液組成物を配して溶媒を除去することにより、薄膜を形成する手法に適用することが好ましい。
さらに、隔壁112は少なくとも一部が撥液性を有していることが好ましい。少なくとも一部が撥液性を有する隔壁112に対して、本実施形態の塗布液組成物を塗布して有機EL薄膜を形成することにより、液体材料を所定の電極面111aに保持させることができ、所定の電極面111aからはみ出さないようにすることができる。さらに、隔壁112と塗布液組成物との親和性を向上できるため、撥液性の隔壁112により塗布液組成物がはじかれ、隔壁112で囲われた領域の周縁において有機EL薄膜が薄くなるのを防止することができる。このようにして、メニスカスの曲率の小さな有機EL薄膜を形成できる。特に溶媒を除去する際、塗布液組成物の有機EL薄膜の前駆体濃度が高くなるため、撥液性の隔壁112により塗布液組成物がはじかれ易くなる。その点、本実施形態の塗布液組成物を用いれば、隔壁112で囲われた領域の周縁において塗布液組成物を保持できるため、隔壁112で囲われた領域の周縁において有機EL薄膜が薄くなるのを防止することができる。
また、隔壁112は、酸化珪素などの無機絶縁材料からなる第1隔壁層と、第1隔壁層上に形成されたアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機絶縁材料からなる第2隔壁層とからなることが好ましい。この構成とすることにより、隔壁112で囲われた領域の周縁において隔壁112と塗布液組成物との親和性を向上させることができる。特に、無機絶縁材料は、酸化珪素のように塗布液組成物との親和性が高いものが好ましい。
さらに、第1隔壁層が隔壁に囲われた領域側に第2隔壁層より張り出しており、2段構成となっていることが好ましい。また、第1隔壁層は有機EL薄膜の膜厚と比して厚いことが好ましい。上記の2段構成や第1隔壁層が有機EL薄膜の膜厚と比して厚い構成とすることにより、第1隔壁層と塗布液組成物との接触する面積を隔壁で囲われた領域の周縁部にて広くすることができるため、塗布や乾燥の際、隔壁に囲われた領域において塗布液組成物を確実に保持させることができる。
特に、第1の電極(例えば画素電極111)と、第2の電極(例えば陰極12)と、これらの電極間に挟持された有機導電膜とからなる電流駆動型素子に適用したのであれば、有機導電膜の一部の膜厚が薄くなるのを防止できるため、有機導電膜の一部に駆動電流が集中し有機導電膜が劣化するのを防止することができる。
本実施態様のEL装置は、たとえば(1)回路素子部形成工程、(2)隔壁形成工程、(3)プラズマ処理工程、(4)正孔注入/輸送層形成工程、(5)発光層形成工程、(6)電子注入層形成工程、(7)陰極形成工程、(8)封止工程等を経て製造される。この製造工程は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されても、除かれてもよい。これらの各工程は、EL装置の製造工程として既に公知の各手法を利用することができる。
本実施態様のEL装置は、発光層形成工程において、先に記載の本発明の薄膜形成方法、特に、本発明の塗布液組成物をインクジェット法によって塗布する方法を採用し、これにより得られた有機EL薄膜を発光層として備えたものである。
(実施例1)
透明電極としてITOをパターン形成したガラス基板上に、隔壁サイズ50×200μmでG、G,Bの3原色に対して各画素数480×640でパターニングを行って画素を構成する隔壁を形成した。
3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン11wt%をポリスチレンスルフォン酸1.5wt%に分散させた後、これをイソプロピルアルコール10wt%、N−メチルピロリドン27.5wt%、1,3−ジメチルイミダゾリジノン50wt%からなる混合液に溶解して正孔注入層用組成物とした。これを上記隔壁の開口部中に、ピエゾ方式のプリンタヘッド(商品名:Machヘッド、セイコーエプソン社製)で描画塗布した後、乾燥させて正孔注入/輸送層を形成した。
発光材料としてポリジオクチルフルオレン1wt%を、表1に示した組成の溶媒、すなわち3−メチルジフェニルエーテル50wt%とシクロヘキシルベンゼン50wt%との混合溶媒中に溶解して発光層形成用の塗布液組成物とした。この塗布液組成物を正孔注入/輸送層上に、上述と同様のプリンタヘッドを用いて塗布した後、常温で10分間かけて常圧〜10−2Paまで減圧することにより塗布膜を乾燥させて発光層とした。
Figure 2006241309
このようにして形成された発光層の膜厚を接触式膜厚検査機を用いて測定した。各隔壁開口部内での最大膜厚と最小膜厚との差の値を表2に示した。ついで、この発光層上に、陰極としてLiFを2nm、Caを20nm、Alを200nm蒸着で形成した後、エポキシ樹脂で封止してEL素子とした。
Figure 2006241309
(実施例2〜実施例6)
表1に示した各組成で溶媒を調整し、これに表1に記載の発光材料を溶解して各実施例における発光層形成用の塗布液組成物とした。この各塗布液組成物を用いて発光層を形成した以外は、実施例1と全く同様にしてEL素子を形成した。また、実施例2〜比較例6で形成した各発光層の最大膜厚と最小膜厚とを測定し、その差の値を表2に示した。
(比較例)
発光層形成用の塗布液組成物の溶媒としてジフェニルエーテル誘導体を用いずに、1,2,4−トリメチルベンゼン50wt%とシクロヘキシルベンゼン50wt%とからなる混合溶媒を用いた以外は、上記実施例1と全く同様にしてEL素子を形成した。また、発光層の最大膜厚と最小膜厚とを測定し、その差の値を表2に示した。
実施例1〜実施例6で形成された各発光層中における最大膜厚と最小膜厚との差は、いずれも比較例に比べて小さな値を示しており、平坦度の高い発光層が形成され、その発光面積が大きいことが確認できた。
本発明の一実施形態の薄膜形成構造の一例を示す図である。 本発明の一実施形態の薄膜形成構造の一例を示す図である。 本発明の一実施形態のEL装置の配線構造を示す図である。 同、表示装置の平面図である。 同、表示装置の要部を示す断面図である。
符号の説明
1…エレクトロルミネッセンス装置、110b…発光層。

Claims (8)

  1. 少なくともジフェニルエーテル誘導体を含む溶媒に、有機機能材料を溶解してなることを特徴とする塗布液組成物。
  2. 前記ジフェニルエーテル誘導体の置換基がメチル基またはフッ素であることを特徴とする請求項1記載の塗布液組成物。
  3. 前記ジフェニルエーテル誘導体が、3−メチルジフェニルエーテル、3,5−ジメチルジフェニルエーテル、1,3´−ジメチルジフェニルエーテル、3,5,4´−トリメチルジフェニルエーテル、3,4´−ジフルオロジフェニルエーテルの群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項2記載の塗布液組成物。
  4. 前記有機機能材料が有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の塗布液組成物。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の塗布液組成物を塗布して有機薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
  6. 前記塗布液組成物の塗布を液滴吐出法で行うことを特徴とする請求項5記載の薄膜形成方法。
  7. 請求項5または請求項6記載の薄膜形成方法によって形成されたことを特徴とする有機薄膜。
  8. 前記有機薄膜が有機エレクトロルミネッセンス薄膜であることを特徴とする有機薄膜。

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008105471A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機el材料含有溶液、有機el薄膜形成方法および有機el素子
JP2009110945A (ja) * 2007-10-11 2009-05-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法
WO2010079331A1 (en) * 2009-01-12 2010-07-15 Cambridge Display Technology Limited Interlayer formulation for flat films
DE112009000486T5 (de) 2008-03-03 2011-03-24 Cambridge Display Technology Ltd., Cambourne Lösungsmittel für eine Druckzusammensetzung
CN102318100A (zh) * 2009-02-11 2012-01-11 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
CN102460759A (zh) * 2009-06-17 2012-05-16 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
JP2013077518A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子形成用塗布液および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6225413B2 (ja) 2012-11-16 2017-11-08 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、インク容器、吐出装置、機能層の形成方法、有機el素子の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324401A (ja) * 2001-02-20 2002-11-08 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US20030127977A1 (en) * 2001-12-31 2003-07-10 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
JP2004031124A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 素子の製造方法
WO2004028216A1 (ja) * 2002-09-17 2004-04-01 International Business Machines Corporation 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置および有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2004134213A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Toppan Printing Co Ltd 高分子el素子用塗布液および高分子el素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002324401A (ja) * 2001-02-20 2002-11-08 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US20030127977A1 (en) * 2001-12-31 2003-07-10 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
JP2004031124A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 素子の製造方法
WO2004028216A1 (ja) * 2002-09-17 2004-04-01 International Business Machines Corporation 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置および有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2004134213A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Toppan Printing Co Ltd 高分子el素子用塗布液および高分子el素子

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008105471A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機el材料含有溶液、有機el薄膜形成方法および有機el素子
JP2009110945A (ja) * 2007-10-11 2009-05-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法
US8847482B2 (en) 2007-10-11 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
US8404159B2 (en) 2008-03-03 2013-03-26 Cambridge Display Technology Limited Solvent for a printing composition
DE112009000486T5 (de) 2008-03-03 2011-03-24 Cambridge Display Technology Ltd., Cambourne Lösungsmittel für eine Druckzusammensetzung
WO2010079331A1 (en) * 2009-01-12 2010-07-15 Cambridge Display Technology Limited Interlayer formulation for flat films
CN102318100A (zh) * 2009-02-11 2012-01-11 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
JP2012517673A (ja) * 2009-02-11 2012-08-02 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機層のインクジェット印刷またはその他の用途向けの液体組成物
JP2014160664A (ja) * 2009-02-11 2014-09-04 Universal Display Corp 有機層のインクジェット印刷またはその他の用途向けの液体組成物
CN102318100B (zh) * 2009-02-11 2015-09-23 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
KR101751873B1 (ko) * 2009-02-11 2017-06-29 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기층 잉크 젯 프린팅에 사용되거나 또는 기타 용도로 사용되는 액체 조성물
JP2012531012A (ja) * 2009-06-17 2012-12-06 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機層のインクジェット印刷または他の用途向けの液体組成物
CN102460759A (zh) * 2009-06-17 2012-05-16 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
KR101618395B1 (ko) 2009-06-17 2016-05-04 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 층들의 잉크젯 인쇄 또는 다른 용도를 위한 액체 조성물
CN107104185A (zh) * 2009-06-17 2017-08-29 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
CN107104185B (zh) * 2009-06-17 2019-08-30 通用显示公司 用于有机层的喷墨印刷或其他用途的液体组合物
JP2013077518A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子形成用塗布液および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

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