JP2006241309A - 塗布液組成物、薄膜形成方法および有機薄膜 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 78
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 28
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- UDONPJKEOAWFGI-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-phenoxybenzene Chemical compound CC1=CC=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 UDONPJKEOAWFGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 67
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 69
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 13
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 9
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1 GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- -1 specifically Chemical class 0.000 description 3
- HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrobenzofuran Chemical compound C1=CC=C2OCCC2=C1 HBEDSQVIWPRPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000285 Polydioctylfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N trimethylbenzene Natural products CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 ジフェニルエーテル誘導体を溶媒とすると、メニスカスの曲率が小さな塗布膜とすることができる。これにより平坦度の高い薄膜が形成可能となる。
【選択図】 図3
Description
溶媒としてのジフェニルエーテル誘導体は、有機機能材料に対して十分な溶解能を有するばかりでなく、塗布直後に急激には揮発しない程度の高沸点を有する。よって有機機能材料を等方的に分散させた有機薄膜を形成することができる。さらに、ジフェニルエーテル誘導体を溶媒として用いれば、塗布液組成物を微細空間内に塗布した際にも、その塗布厚に比してメニスカスの曲率が小さくなる。よって塗布厚の最大値と最小値との差が小さくなり、平坦度の高い塗布膜となる。
上記ジフェニルエーテル誘導体を単独あるいは2種以上組み合わせて、さらには他の有機溶媒と併せて用いると、より一層、平坦度の高い塗布膜とすることができる。
有機EL素子の各画素を区画するバンクで囲まれた微細空間内に、本発明の塗布液組成物を塗布しても、メニスカスの曲率が小さいので、バンク近傍部と画素中央部との間でその膜厚に差が生じることがなく、一画素中での膜厚差が少ない。よって一画素中における平坦度の高い有機EL薄膜とすることができ、有機EL素子の発光層に好適である。
本発明の塗布液組成物を用いることにより、有機機能材料が等方的に分散された有機薄膜を容易かつ確実に得ることができる。また、本発明の製造方法によれば、微細空間内に平坦度の高い有機薄膜を容易に形成可能となる。
塗布工程に液滴吐出法、なかでもインクジェット法を用いることにより、薄膜形成と同時に薄膜のパターン形成をも行うことができる。本発明の製造方法によれば、平坦度が高く、発光特性に優れた有機薄膜を、低コストで簡便に微細パターンを持たせて形成することができ、有機EL素子の発光層の形成に好適である。
本発明の有機薄膜および有機EL薄膜は、バンクで仕切られた画素部内に液滴塗布法によって形成されたものであっても、その平坦度が高く、均一な膜厚を有するものとなるので、均一な発光が得られ、有機EL装置の発光層として好適なものとなる。また、この発光層を備えたEL装置は発光特性の良好なものとなる。
[塗布液組成物]
本発明の塗布液組成物は、ジフェニルエーテル誘導体からなる溶媒中に有機機能材料、特に有機EL材料を溶解してなるものであって、有機EL素子の発光層をなす有機EL膜を形成するのに好適なものである。
また、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子有機EL材料であってもよく、これらの低分子EL材料を上記高分子EL材料にドープしたものであってもよい。
溶媒の沸点は230〜320℃とすることが好ましい。この範囲とすれば塗布直後に、溶媒が塗布液から急激に揮発することがないので、表面が滑らかな薄膜とすることができるためである。
本実施形態の薄膜形成方法は、先に記載した本実施形態の塗布液組成物を各種の塗布方法により塗布膜とした後、この塗布膜を乾燥して有機薄膜とするものである。
塗布液組成物の塗布方法としては、スピンコート法、キャスト法、ブレード法、ディッピング法等を利用することができるが、塗布液組成物を液滴としてノズルから吐出させる液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を利用することが望ましい。インクジェット法によれば、塗布と同一工程で、薄膜のパターニングを直接行うことができるので、製造工程の簡略化とともに低コスト化、省原料および廃液の減量化を行うことができるためである。またインクジェット法における液滴の吐出方式は、特に限定されるものではなく、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などを利用することができる。
さらに、隔壁は少なくとも一部が撥液性を有していることが好ましい。
なお、隔壁20に仕切られた各領域において、有機材料で形成された隔壁20の側面20dおよび上面20fは、例えば4フッ化メタンのようにフッ素原子を含むガスを処理ガスとするプラズマ処理を施すことにより、隔壁20の表面がフッ化処理(撥液処理)され、親液性・撥液性の分布を形成することができる。インクジェット法等の液体材料を用いて有機薄膜23を形成する際に、液体材料を所定の領域に保持させることができ、所定の領域からはみ出さないようにすることができる。この方法では、プラズマによりフッ素ガスを含む処理ガスを乖離させているが、紫外線などを用いて乖離させてもよい。さらに、フッ素系ポリマーを含むアクリル樹脂、もしくはポリイミド樹脂等を用いて隔壁を撥液性とし、親液性・撥液性の分布を形成してもよい。
本実施形態のEL装置は、先に記載の本実施形態の薄膜形成方法で得られた有機EL薄膜を発光層として備えたものである。以下、本実施形態のEL装置について図面を参照して説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
図3に示すように、本実施形態のEL(エレクトロルミネッセンス)装置1には、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線されている。そして、走査線101と信号線102とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路104が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路105が接続されている。
図5に示すように、本実施形態の表示装置1は、基板2上に回路素子部14と表示素子部10が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部(図示略)によって封止された構造を有する。表示素子部10は、発光層110bを含む発光素子部11と、発光素子部11上に形成された陰極(第2の電極)12とからなる。この陰極12及び封止部は透光性を有しており、本実施形態のEL装置1は、発光層から発した表示光が封止部側から出射される、いわゆるトップエミッション型の表示装置として構成されている。
また、基板2は、図4に示すように、中央に位置する表示領域2aと、基板2の周縁に位置して表示領域2aを囲む非表示領域2bとに区画されている。
表示領域2aは、マトリックス状に配置された発光部Aによって形成される領域であり、表示領域2aの外側に非表示領域2bが形成されている。そして、非表示領域2bには、表示領域2aに隣接するダミー表示領域が形成されている。
陰極12は、その一端が発光素子部11上から基板2上に形成された陰極用配線120に接続しており、この配線の一端部がフレキシブル基板5上の配線5aに接続されている。また、配線5aは、フレキシブル基板5上に備えられた駆動IC6(駆動回路)に接続されている。
表示領域2aの図2中両側には、前述の走査側駆動回路105、105が配置されている。この走査側駆動回路105、105はダミー領域の下側の回路素子部14内に設けられている。さらに回路素子部14内には、走査側駆動回路105、105に接続される駆動回路用制御信号配線105aと駆動回路用電源配線105bとが設けられている。さらに表示領域2aの図2中上側には検査回路106が配置されている。
回路素子部14には、基板2上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141には、ソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みにより形成されている。また、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。
また、回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆うゲート絶縁膜142が形成されている。そして、このゲート絶縁膜142上には、半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に、Al、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線101)が形成されている。そして、半導体膜141、ゲート絶縁膜142、ゲート電極143により薄膜トランジスタ123が構成されている。
以上により駆動用の回路が構成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量cap及びスイッチング用の薄膜トランジスタ142も形成されているが、図5ではこれらの図示を省略している。
この画素電極111には、例えばアルミニウム(Al)膜や銀(Ag)膜等の高反射率の金属膜が用いられており、基板2側に発した光を上方の封止部側に効率的に出射させるようになっている。
なお、画素電極111は、例えばAl膜の層厚が100nmから500nmの範囲となるように形成され、Al膜の上にITO(インジウム錫酸化膜)を層厚が50nmから200nmの範囲となるように積層して形成してもよい。
なお、隔壁112と第2層間絶縁膜144bとの間に、隣り合う画素電極111を絶縁するとともに、これを保護するために、絶縁保護膜を配置してもよい。絶縁保護膜としては、例えばCVD法やスパッタリング法によりシリコン酸化膜を1μmの厚さに形成することができる。
なお、隔壁112に仕切られた各領域において、画素電極111の電極面111aは酸素原子を含む処理ガスによるプラズマ処理によって親液処理されており、親液性を示す。一方、有機材料で形成された隔壁112の側面112d及び上面112fは、例えば4フッ化メタンのようにフッ素原子を含む処理ガスによるプラズマ処理を施すことにより、表面がフッ化処理(撥液処理)され、撥液性を示す。このように、酸素原子を含む処理ガスによるプラズマ処理とフッ素原子を含む処理ガスによるプラズマ処理とをこの順に施すことにより、画素電極111の電極面111aは親液化され、隔壁112の側面112d及び上面112fは撥液化され、親液性・撥液性の分布を形成することができる。インクジェット法等の液体材料を用いて正孔注入/輸送層110aおよび発光層110bを形成する際に、液体材料を所定の電極面111aに保持させることができ、所定の電極面111aからはみ出さないようにすることができる。
正孔注入/輸送層110aは例えば5nmから50nmの層厚に形成され、正孔を発光層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。この正孔注入/輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルフォン酸(PSS)等の混合物を用いることができる。
陰極12は発光素子部11の全面に形成されている。そして、画素電極111と対になって機能層110に電流を流す役割を果たす。
さらに、隔壁112は少なくとも一部が撥液性を有していることが好ましい。少なくとも一部が撥液性を有する隔壁112に対して、本実施形態の塗布液組成物を塗布して有機EL薄膜を形成することにより、液体材料を所定の電極面111aに保持させることができ、所定の電極面111aからはみ出さないようにすることができる。さらに、隔壁112と塗布液組成物との親和性を向上できるため、撥液性の隔壁112により塗布液組成物がはじかれ、隔壁112で囲われた領域の周縁において有機EL薄膜が薄くなるのを防止することができる。このようにして、メニスカスの曲率の小さな有機EL薄膜を形成できる。特に溶媒を除去する際、塗布液組成物の有機EL薄膜の前駆体濃度が高くなるため、撥液性の隔壁112により塗布液組成物がはじかれ易くなる。その点、本実施形態の塗布液組成物を用いれば、隔壁112で囲われた領域の周縁において塗布液組成物を保持できるため、隔壁112で囲われた領域の周縁において有機EL薄膜が薄くなるのを防止することができる。
本実施態様のEL装置は、発光層形成工程において、先に記載の本発明の薄膜形成方法、特に、本発明の塗布液組成物をインクジェット法によって塗布する方法を採用し、これにより得られた有機EL薄膜を発光層として備えたものである。
透明電極としてITOをパターン形成したガラス基板上に、隔壁サイズ50×200μmでG、G,Bの3原色に対して各画素数480×640でパターニングを行って画素を構成する隔壁を形成した。
3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン11wt%をポリスチレンスルフォン酸1.5wt%に分散させた後、これをイソプロピルアルコール10wt%、N−メチルピロリドン27.5wt%、1,3−ジメチルイミダゾリジノン50wt%からなる混合液に溶解して正孔注入層用組成物とした。これを上記隔壁の開口部中に、ピエゾ方式のプリンタヘッド(商品名:Machヘッド、セイコーエプソン社製)で描画塗布した後、乾燥させて正孔注入/輸送層を形成した。
表1に示した各組成で溶媒を調整し、これに表1に記載の発光材料を溶解して各実施例における発光層形成用の塗布液組成物とした。この各塗布液組成物を用いて発光層を形成した以外は、実施例1と全く同様にしてEL素子を形成した。また、実施例2〜比較例6で形成した各発光層の最大膜厚と最小膜厚とを測定し、その差の値を表2に示した。
発光層形成用の塗布液組成物の溶媒としてジフェニルエーテル誘導体を用いずに、1,2,4−トリメチルベンゼン50wt%とシクロヘキシルベンゼン50wt%とからなる混合溶媒を用いた以外は、上記実施例1と全く同様にしてEL素子を形成した。また、発光層の最大膜厚と最小膜厚とを測定し、その差の値を表2に示した。
Claims (8)
- 少なくともジフェニルエーテル誘導体を含む溶媒に、有機機能材料を溶解してなることを特徴とする塗布液組成物。
- 前記ジフェニルエーテル誘導体の置換基がメチル基またはフッ素であることを特徴とする請求項1記載の塗布液組成物。
- 前記ジフェニルエーテル誘導体が、3−メチルジフェニルエーテル、3,5−ジメチルジフェニルエーテル、1,3´−ジメチルジフェニルエーテル、3,5,4´−トリメチルジフェニルエーテル、3,4´−ジフルオロジフェニルエーテルの群から選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項2記載の塗布液組成物。
- 前記有機機能材料が有機エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の塗布液組成物。
- 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の塗布液組成物を塗布して有機薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。
- 前記塗布液組成物の塗布を液滴吐出法で行うことを特徴とする請求項5記載の薄膜形成方法。
- 請求項5または請求項6記載の薄膜形成方法によって形成されたことを特徴とする有機薄膜。
- 前記有機薄膜が有機エレクトロルミネッセンス薄膜であることを特徴とする有機薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005059028A JP4788161B2 (ja) | 2005-03-03 | 2005-03-03 | 塗布液組成物、薄膜形成方法および有機薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005059028A JP4788161B2 (ja) | 2005-03-03 | 2005-03-03 | 塗布液組成物、薄膜形成方法および有機薄膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006241309A true JP2006241309A (ja) | 2006-09-14 |
JP4788161B2 JP4788161B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=37048031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005059028A Active JP4788161B2 (ja) | 2005-03-03 | 2005-03-03 | 塗布液組成物、薄膜形成方法および有機薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4788161B2 (ja) |
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JP4788161B2 (ja) | 2011-10-05 |
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