JP2006156946A - 電磁波シールドフィルム - Google Patents

Abstract

【課題】優れた柔軟性、耐久性、電磁波シールド効果を有する電磁波シールドフィルムを提供すること。
【解決手段】電子機器内に実装された電子部品又は電気配線の表面を被覆して電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルム１。電磁波シールドフィルム１は、絶縁性材料からなる基材フィルム２と、基材フィルム２の一方又は両方の面に積層した金属層３とを有する。金属層３は、表層側に配されて金属層３の腐食を防止する防錆層３３と、防錆層３３よりも電気抵抗率の低い導電層３２とからなる。導電層３２は１００〜５００ｎｍの厚みを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子機器の内部に実装した電子部品や配線を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムに関する。

従来より、携帯電話機やデジタルカメラなどの電子機器の内部に実装したＬＳＩ（集積回路）等の電子部品や、電気配線を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムがある（特許文献１）。該電磁波シールドフィルムは、例えば、樹脂フィルムの表面に金属箔の融着やめっき等により金属層を形成してなる。そして、該金属層によって電磁波を吸収することにより、電磁波をシールドする。即ち、上記電磁波シールドフィルムは、上記電子部品や配線から発生する電磁波による他の部品への影響を防止したり、外部からの電磁波が上記電子部品に影響することを防止したりする。

しかしながら、電子機器における電子部品の高集積化、コンパクト化に伴い、電磁波シールドフィルムを配設すべき部分が小さく、狭くなり、その配設が困難となる場合がある。
また、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板）に電磁波シールドフィルムを貼り付ける場合には、該電磁波シールドフィルムに充分な柔軟性がないと、ＦＰＣの柔軟性が失われてしまい、電子機器への組付け性が低下するおそれがある。また、電磁波シールドフィルムがＦＰＣから剥がれてしまうおそれもある。

電磁波シールドフィルムの柔軟性を確保するためには、厚みを小さくすること、特に金属層を薄くすることが有効であるが、金属層を薄くすると、導電性の確保が困難となるおそれがある。また、表面からの錆び、腐食が、金属層の導電性を低下させやすいという問題もある。そのため、充分な電磁波シールド効果や耐久性を得ることが困難となるおそれがある。

また、金属層の表面に樹脂コーティングを行うことも考えられるが、金属層形成後、樹脂コーティング前までの間に、金属層に錆び、腐食が生じるおそれがある。また、金属層からグランド（接地）を取る場合には、金属層を一部露出させる必要があるが、樹脂コーティングの一部を除去することは困難となる

特開２００３−６０３８７号公報

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、優れた柔軟性、耐久性、電磁波シールド効果を有する電磁波シールドフィルムを提供しようとするものである。

本発明は、電子機器内に実装された電子部品又は電気配線の表面を被覆して電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムであって、
該電磁波シールドフィルムは、絶縁性材料からなる基材フィルムと、該基材フィルムの一方又は両方の面に積層した金属層とを有し、
該金属層は、表層側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、
該導電層は５０〜５００ｎｍの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルムにある（請求項１）。

次に、本発明の作用効果につき説明する。
本発明の電磁波シールドフィルムにおける金属層は、上記防錆層と上記導電層とを有する。そのため、金属層の最表面に配される防錆層を腐食しにくい金属により構成し、その下層に配される導電層を電気抵抗率の充分に小さい金属により構成することができる。

これにより、導電層によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層によって金属層の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルムの耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。
また、上記導電層の厚みが５０〜５００ｎｍであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。

以上のごとく、本発明によれば、優れた柔軟性、耐久性、電磁波シールド効果を有する電磁波シールドフィルムを提供することができる。

本発明（請求項１）において、上記電磁波シールドフィルムは、厚みが３０〜３００μｍであることが好ましい。これにより、充分な柔軟性を有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。上記厚みが３０μｍ未満の場合には、フィルム強度が不充分となるおそれがある。また、上記厚みが３００μｍを超える場合には、電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に得ることが困難となるおそれがある。
また、上記電磁波シールドフィルムは、複数の電子部品を一度に被うものであってもよいし、個々の電子部品を個別に被うものであってもよい。

また、上記導電層の厚みが５０ｎｍ未満の場合には、電磁波シールド効果を充分に得ることが困難となるおそれがある。導電層の厚みが５００ｎｍを超える場合には、電磁波シールドフィルムの柔軟性を充分に確保することが困難となるおそれがある。また、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。

また、上記金属層は、上記基材フィルムとの界面に配されて該基材フィルムとの密着を確保する密着層を有することが好ましい（請求項２）。
この場合には、金属層における基材フィルムとの界面に配される密着層を、基材フィルムとの密着力の高い金属により構成することにより、金属層と基材フィルムとの密着性を確保することができる。

また、上記密着層は５〜５０ｎｍの厚みを有することが好ましい（請求項３）。
この場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記密着層の厚みが５ｎｍ未満の場合には、金属層と基材フィルムとの密着性を充分に確保することが困難となり、場合によっては、金属層が基材フィルムから剥がれるおそれがある。一方、密着層の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。

また、上記密着層及び上記防錆層は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなることが好ましい（請求項４）。
この場合には、耐腐食性に優れた金属層を容易に得ることができる。
また、上記密着層及び上記防錆層にオーステナイト系ステンレス鋼を使用した場合、耐食性、耐熱性、耐候性に優れた金属層を得ることができる。また非磁性材料であるためＰＣ等のハードディスク付近の電磁波対策としても使用することができる。

また、上記密着層にフェライト系、マルテンサイト系ステンレス鋼あるいはＮｉ系合金、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、或いはＮｉとＣｒとの合金を使用した場合、耐食性、耐熱性、耐候性に優れた密着層とすることができる。また磁性材料であるため、電磁波シールド効果を向上させる効果も期待できる。
この他、密着層及び防錆層の材質は、電磁波シールドフィルムの使用用途によって選択することが重要である。
なお、密着層と防錆層とは、同種材料であっても異種材料であってもよい。

また、上記防錆層は１０〜５０ｎｍの厚みを有することが好ましい（請求項５）。
この場合には、金属層の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
上記防錆層の厚みが１０ｎｍ未満の場合には、金属層の防錆効果を確保することが困難となるおそれがある。防錆層の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。

また、上記金属層は、スパッタリングによって形成した膜からなることが好ましい（請求項６）。
この場合には、基材フィルムに対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な金属層を容易に形成することができる。
なお、本発明の電磁波シールドフィルムにおける金属層は、特にスパッタリング層に限らず、例えば、蒸着法を用いたり、金属箔を基材フィルム上に融着する方法を用いたりすることもできる。

また、上記導電層は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であることが好ましい（請求項７）。
この場合には、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルムを得ることができる。また、金属層の厚みが小さくても、充分な導電性を確保することができるため、電磁波シールドフィルムの厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。
上記導電層の電気抵抗率が５０μΩｃｍを超える場合には、充分な電磁波シールド効果を得ることが困難となるおそれがある。

電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下を満足する導電層の材料としては、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、若しくはその合金、例えば、ＡｇとＣｕとの合金、ＣｕとＮｉとの合金がある。

この中でも特に、上記導電層は、Ｃｕからなることが好ましい（請求項８）。
この場合には、電気抵抗率が充分に小さい導電層を安価に得ることができる。そのため、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルムを得ることができる。

また、上記電磁波シールドフィルムは、上記金属層の表面に樹脂からなる保護フィルムを配設してなることが好ましい（請求項９）。
この場合には、上記金属層が電子回路に接触することを防ぎ、短絡を防止することができる。また、金属層の防錆効果を向上させることができる。
上記保護フィルムは、例えば、ＰＥＴフィルム、ポリイミドフィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム等の樹脂フィルムにより構成することができる。また、その膜厚は、例えば１５〜７５μｍであることが好ましい。
さらには、アクリル系材料などによる樹脂コーティングを用い金属層の保護を行なっても良い。

また、上記金属層は、上記基材フィルムの一方の面に積層してなり、上記保護フィルムは、該保護フィルムの端縁を上記基材フィルムの端縁よりも外側に有していることが好ましい（請求項１０）。
この場合には、電磁波シールドフィルムを使用したとき、上記基材フィルムの一方の面に形成した金属層の端面をも保護フィルムで被うことができる。これにより、金属層の端面が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
上記保護フィルムの端縁は、上記基材フィルムの端縁よりも０．５〜２ｍｍ外側に配されていることが好ましい。

また、上記保護フィルムは、上記金属層を部分的に露出させる開口部を設けてなることが好ましい（請求項１１）。
この場合には、容易に上記金属層をグランドに接続（接地）し、金属層に流れる電流を効率よく逃がすことができる。

また、上記基材フィルムは、０．０５〜５ｍｍの厚みを有するゴム又は布地からなることが好ましい（請求項１２）。
この場合には、基材フィルムの屈曲性を確保することができるため、屈曲性に優れた電磁波シールドフィルムを得ることができる。
上記厚みが０．０５ｍｍ未満の場合には、基材フィルムの絶縁性を確保することが困難となるおそれがある。一方、上記厚みが５ｍｍを超えると、電磁波シールドフィルムの充分な屈曲性を得ることが困難となるおそれがある。

また、上記基材フィルムとしてゴムを用いる場合には、磁性材料粉を混ぜたゴムシートを用いることにより、電磁波シールド効果をより向上させることができる。
また、上記基材フィルムとして布地を用いる場合には、特にフレキシブル性を向上させることができ、様々な太さのケーブル（電気配線）や、種々の凹凸面、屈曲面を有する電子部品に容易に対応させことができる。

また、上記基材フィルムは、１５〜５０μｍの厚みを有する樹脂からなるものであってもよい（請求項１３）。
この場合には、柔軟性に優れた電磁波シールドフィルムを得ることができる。
上記厚みが１５μｍ未満の場合には、基材フィルムの絶縁性を確保することが困難となるおそれがある。一方、上記厚みが５０μｍを超えると、電磁波シールドフィルムの充分な柔軟性を得ることが困難となるおそれがある。
また、上記基材フィルムは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ポリイミドフィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ポリエチレンフィルムなどの樹脂フィルムとすることができる。この中でも、耐熱性、耐久性、柔軟性、コスト等の観点から、ＰＥＴフィルムが好ましい。

（実施例１）
本発明の実施例にかかる電磁波シールドフィルムにつき、図１〜図６を用いて説明する。
本例の電磁波シールドフィルム１は、図５、図６に示すごとく、電子機器内のプリント基板５０上に実装された電子部品５の表面を被覆して電磁波を遮蔽する。

図１に示すごとく、電磁波シールドフィルム１は、樹脂からなる基材フィルム２と、該基材フィルム２の一方の面に積層した金属層３とを有する。
該金属層３は、基材フィルム２との界面に配されて該基材フィルム２との密着を確保する密着層３１と、該密着層３１と反対側の面に配されて上記金属層３の腐食を防止する防錆層３３と、密着層３１と防錆層３３との間に配されるとともに密着層３１及び防錆層３３よりも電気抵抗率の低い導電層３２とからなる。

上記密着層３１は５〜５０ｎｍの厚みを有し、上記防錆層３３は１０〜５０ｎｍの厚みを有し、上記導電層３２は５０〜５００ｎｍの厚みを有する。
また、上記金属層３は、スパッタリングによって形成した膜からなる。
上記導電層３２は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であり、具体的には、Ｃｕ（銅）によって構成する。
上記密着層３１及び上記防錆層３３は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなる。

また、図２に示すごとく、基材フィルム２における金属層３配設面と反対側の面には、アクリル系樹脂等からなる粘着材層１１を予め設けておくことが好ましい。この場合、使用前において粘着材層１１を保護するための離型フィルム１２を粘着材層１１の表面に貼着しておく。

また、図３に示すごとく、上記電磁波シールドフィルム１は、金属層３の表面にＰＥＴフィルム等の樹脂からなる保護フィルム４を配設していることが好ましい。該保護フィルム４は、その一方の面に粘着材層１３を設けてなり、該粘着材層１３を介して金属層３の表面に貼着されている。
なお、保護フィルム４の厚みは、例えば１５〜７５μｍとすることができる。これは、下記の実施例３に示すごとく、金属層３の表面を部分的に露出させる加工を行う場合などにその加工を容易にすると共に、電磁波シールドフィルムの柔軟性を確保するためである。

上記電磁波シールドフィルム１は、全体の厚みが５０〜３００μｍである。
また、上記基材フィルム２は、ＰＥＴフィルムからなる。
また、上記電磁波シールドフィルム１は、図５に示すごとく、個々の電子部品５を個別に被うものであってもよいし、図６に示すごとく、複数の電子部品５を一度に被うものであってもよい。

以下に、本例の電磁波シールドフィルム１の製造方法の一例につき、説明する。
まず、幅５００ｍｍ、厚さ２０μｍからなるＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）からなる基材フィルム２を２００ｍの長さ分、送り出しロールに巻いて樹脂フィルム成膜用のスパッタ装置内に設置する。

その後、成膜する金属層３と基材フィルム２との密着性、及び金属層３の電気的特性の向上を目的とし、ターボ分子ポンプを用い、スパッタ装置を５×１０^-4Ｐａの高真空に真空引きし、スパッタ装置内の残留ガス、水分量を減らす。
このように高真空にスパッタ装置を真空引きした状態で、基材フィルム２を送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、スパッタ成膜を行なう。

まず金属層３における第１層である密着層２１を成膜するに当っては、フィルム送りスピードを１．２ｍ／分として基材フィルム２を搬送しつつ金属ターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴン（Ａｒ）ガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。上記金属ターゲット材料は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金からなる。

そして、パルス波形を印加できるパルス型のＤＣ（直流）電源を用い、基材フィルム２とターゲット材料との間に１．５ｋＷの電力パワーで２００Ｖの高電圧を印加する。
これにより、基材フィルム２上に、上記密着層及び上記防錆層は、オーステナイト系ステンレス鋼、又はフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜を２５ｎｍの厚さで成膜して密着層３１を形成しつつ、巻き取りロールにフィルムを巻き取る。

次いで、密着層３１の上に、電磁波シールドの重要な役割を果たす低抵抗金属層としての導電層３２の成膜を行なう。
即ち、まず、上記のごとく密着層３１を成膜してロール状に巻き取られたフィルムを、フィルム送りスピードを０．３ｍ／分にて送り出し、Ｃｕターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料との間に６．０ｋＷの電力パワーで３５０Ｖの高電圧を印加する。
これにより、密着層３１の上に、Ｃｕからなる導電層３２を２００ｎｍの厚さで成膜する。

次いで、Ｃｕからなる導電層３２の上に、防錆効果を発揮する防錆層３３の成膜を行う。
即ち、密着層３１および導電層３２を成膜したフィルムを、フィルム送りスピード１．２ｍ／分にて搬送しつつ、ＳＵＳターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料間に１．５ｋＷの電力パワーで、２００Ｖの高電圧を印加する。
これにより、Ｃｕからなる導電層３２の上に、上記密着層及び上記防錆層は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなる防錆層３３を２５ｎｍの厚さで成膜する。

このようにして、図１に示すごとく、基材フィルム２上に三層の金属層３（密着層３１、導電層３２、防錆層３３）を設けてなる電磁波シールドフィルム１を、金属膜付きロールフィルムの状態で作製する。

次に、図２に示すごとく、この金属膜付きロールフィルム（図１の電磁波シールドフィルム１）の樹脂フィルム２のにおける金属層３と反対側の面に、厚さ２０μｍからなるアクリル系の粘着材層１１を形成する。これにより、ＬＳＩなどの電子部品に容易に貼り合わせることが可能なフィルムとする。また、使用前において粘着材層１１を保護するための離型フィルム１２を、粘着材層１１の表面に貼着する。

さらに、粘着材層１１を設けた金属膜付きロールフィルム（図２の電磁波シールドフィルム１）における金属層３の表面に、厚さ２０μｍのＰＥＴからなる保護フィルム４を粘着材層１３を介して貼り合わせる（図３）。これにより、短絡防止及び金属層３の防錆効果を上げることができるフィルムとする。

また、ＬＳＩ等の電子部品の形状に合わせて型抜きを行なうことで、図４に示すような、小型の電磁波シールドフィルム１を作製する。なお、このとき、離型フィルム１２を残した状態で打ち抜きを行う。
なお、図１〜図６は、便宜上、フィルムの厚さ、フィルムの幅など、縦横の尺度については考慮せずに描いてある。後述する図７〜１３についても同様である。

また、本実施例においては、密着層３１に厚さ５〜５０ｎｍのステンレス鋼からなる層を用いたが、密着性を上げる他の方法としては、例えば、導電層３２の成膜前にアルゴンガスを導入した真空度１ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）チャンバー雰囲気で、周波数２０ｋＨｚ、印加電圧２００Ｖを加えることで、プラズマ処理による樹脂フィルム（基材フィルム２）のクリーニングを行い、密着性を上げることもできる。
ただし、高い信頼性を得るため、本実施例では密着層３１を具備することとした。またこの密着層３１には、ＳｉＯ₂やＴｉＯ₂などの酸化膜からなる層を用いても構わないが、酸化膜の成膜レートは低いため、価格の点から金属を用いることとした。

次に、本例の作用効果につき説明する。
電磁波シールドフィルム１における金属層３は、図１〜図３に示すごとく、密着層３１と防錆層３２と導電層３３との３層を有する。そのため、基材フィルム２との界面に配される密着層３１を基材フィルム２との密着力の高い金属により構成し、最表面に配される防錆層３３を腐食しにくい金属により構成し、両者の間に配される導電層３２を電気抵抗率の充分に小さい金属により構成することができる。

これにより、密着層３１によって金属層３と基材フィルム２との密着性を確保し、導電層３２によって電磁波シールド効果を確保し、防錆層３３によって金属層３の腐食を防止することができる。そのため、電磁波シールドフィルム１の耐久性を確保しつつ電磁波シールド効果を向上させることができる。

また、上記密着層３１の厚みが５〜５０ｎｍであるため、金属層３と基材フィルム２との密着性を充分に確保することができると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、上記導電層３２の厚みが５０〜５００ｎｍであるため、電磁波シールド効果及び電磁波シールドフィルム１の柔軟性を充分に確保することができる。また、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。
また、上記防錆層３３の厚みが１０〜５０ｎｍであるため、金属層３の防錆効果を確保すると共に、フィルムの反り等の変形を防ぐことができる。

また、金属層３は、スパッタリングによって形成した膜であるため、基材フィルム２に対する密着力が高く、薄くて膜厚が均一で、かつ緻密な膜とすることができる。
また、導電層３２の電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であるため、電磁波シールド効果を充分に有する電磁波シールドフィルム１を得ることができる。また、電気抵抗率を低くすることにより、金属層３の厚みが小さくても充分な導電性を確保することができる。その結果、電磁波シールドフィルム１の厚みを小さくして柔軟性を確保することが容易となる。

そして、導電層３２をＣｕによって構成することにより、電気抵抗率が充分に小さい導電層３２を安価に得ることができ、電磁波シールド効果に優れた安価な電磁波シールドフィルム１を得ることができる。
また、密着層３１及び防錆層３３は、上記密着層及び上記防錆層は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなるため、基材フィルム２との密着性を充分に確保すると共に、耐腐食性に優れた金属層３を容易に得ることができる。

また、密着層３１及び防錆層３３にオーステナイト系ステンレス鋼を使用した場合、耐食性、耐熱性、耐候性に優れた金属層３を得ることができる。また非磁性材料であるためＰＣ等のハードディスク付近の電磁波対策としても使用することができる。
また、密着層３１にフェライト系、マルテンサイト系ステンレス鋼あるいはＮｉ系合金、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、或いはＮｉとＣｒとの合金を使用した場合、耐食性、耐熱性、耐候性に優れた密着層３１とすることができる。また磁性材料であるため、電磁波シールド効果を向上させる効果も期待できる。
この他、密着層３１及び防錆層３３の材質は、電磁波シールドフィルム１の使用用途によって選択することが重要である。

また、電磁波シールドフィルム１は、金属層３の表面に保護フィルム４を配設してなるため、金属層３が電子回路に接触することを防ぎ、短絡を防止することができる。また、金属層３の防錆効果を向上させることができる。

また、小さくて柔軟性のある電磁波シールドフィルム１とすることができるため、狭い場所における電磁波の遮蔽を目的とする使用を可能とする。例えば、携帯電話などコンパクトな電子機器の内部に配設された電子部品を容易に被覆することができる。

以上のごとく、本例によれば、優れた柔軟性、耐久性、電磁波シールド効果を有する電磁波シールドフィルムを提供することができる。

（実施例２）
本例は、図７、図８に示すごとく、保護フィルム４０の端縁４１を基材フィルム２の端縁２１よりも外側に有する電磁波シールドフィルム１０の例である。
即ち、実施例１において示した型抜き後の小片状の電磁波シールドフィルム１（図３、図４）の一方の面に、これよりも外形の大きな保護フィルム４０を更に貼り合わせることにより、図７に示す電磁波シールドフィルム１０が得られる。保護フィルム４０としては、例えばＰＥＴからなる樹脂フィルムを用いることができる。

そして、この保護フィルム４０の一方の面には粘着材層１５が形成されており、下側の保護フィルム４との間に介在される。また、保護フィルム４０のうち基材フィルム２の外形よりも外側にはみ出た部分に形成された粘着材層１５は、露出した状態にある。
保護フィルム４０の端縁４１は、基材フィルム２の端縁２１よりも０．５〜２ｍｍ外側に配されている。また、保護フィルム４０の厚みは、例えば１５〜７５μｍとすることができる。

また、実施例１において示した保護フィルム４（図３）を設けていない電磁波シールドフィルム１（図２）の状態で、小片状に型抜きしたものに、上記と同様の外形の大きな保護フィルム４０を貼り合わせることもできる。これにより、図８に示す電磁波シールドフィルム１０が得られる。その他は、実施例１と同様である。

本例の場合には、図９、図１０に示すごとく、電磁波シールドフィルム１０を使用したとき、基材フィルム２の一方の面に形成した金属層３の端面３４をも保護フィルム４０で被うことができる。これにより、金属層３の端面３４が露出することを防ぎ、電子回路の短絡を防ぐことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。

なお、図７に示す、保護フィルム４、４０が二重に積層された電磁波シールドフィルム１０と、保護フィルム４０が一重に配された電磁波シールドフィルム１０との何れであっても、上記の効果を得ることはできる。しかし、金属層３を成膜した後、数々の工程を経て保護フィルム４０を配設するに至るまでの間の経時変化による腐食を考慮した場合や、耐候性が高く要求される場合等には、図７に示す、保護フィルム４、４０が二重に積層された電磁波シールドフィルム１０の方が有利である。

（実施例３）
本例は、図１１〜図１３に示すごとく、保護フィルム４に、金属層３を部分的に露出させる開口部４２を設けてなる電磁波シールドフィルム１００の例である。
この実施例は、図１１、図１２に示すごとく、実施例１に示した電磁波シールドフィルム１（図３）に適用することもできるし、図１３に示すごとく、実施例２に示した電磁波シールドフィルム１０（図７、図８）に適用することもできる。
その他は、実施例１と同様である。

本例の場合には、容易に上記金属層３をグランドに接続（接地）し、金属層３に流れる電流を効率よく逃がすことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。

（実施例４）
本例は、図１４〜図２０に示すごとく、基材フィルム１１の両面に金属層３を積層してなる電磁波シールドフィルム１ａの例である。
図１４に示すごとく、電磁波シールドフィルム１は、樹脂からなる基材フィルム２と、該基材フィルム２の両面にそれぞれ積層した２つの金属層３とを有する。
各金属層３は、それぞれ、密着層３１と導電層３２と防錆層３３とからなる。
その他の構成は、実施例１と同様である。

以下に、本例の電磁波シールドフィルム１ａの製造方法の一例につき、説明する。
まず、幅５００ｍｍ〜５４０ｍｍ、厚さ１５μｍ〜５０μｍからなる上記基材フィルム２を５０ｍ〜５００ｍの長さ分、送り出しロールに巻いて樹脂フィルム成膜用のスパッタ装置内に設置する。その際、巻いたロールの内側に成膜するように設置する。
その後、成膜する金属層３と基材フィルム２との密着性、及び金属層３の電気的特性の向上を目的とし、ターボ分子ポンプを用い、スパッタ装置を１×１０^-4〜５×１０^-4Ｐａの高真空に真空引きし、スパッタ装置内の残留ガス、水分量を減らす。
このように高真空にスパッタ装置を真空引きした状態で、基材フィルム２を送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、まず、一方の面にスパッタ成膜を行なう。

まず金属層３における第１層である密着層３１を成膜するに当っては、フィルム送りスピードを０．４ｍ／分〜２．４ｍ／分として基材フィルム２を搬送しつつ、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金からなる金属ターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴン（Ａｒ）ガスを１００ｃｃ／分〜２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス波形を印加できるパルス型のＤＣ（直流）電源を用い、基材フィルム２とターゲット材料との間に０．５ｋＷ〜６．０ｋＷの電力パワーで２００Ｖ〜４００Ｖの高電圧を印加する。

これにより、基材フィルム２上に非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼もしくは、磁性金属であるフェライト系、マルテンサイト系ステンレス鋼あるいはＮｉ系合金の金属膜を５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さで成膜して密着層３１を形成しつつ、巻き取りロールにフィルムを巻き取る。

上記密着層３１にオーステナイト系ステンレス鋼を使用した場合、腐食、耐熱性、耐候性に優れた金属層３を得ることができる。また非磁性料であるためＰＣ等のハードディスク付近の電磁波対策としても使用することができる。また、上記密着層３１に、フェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金を使用した場合、腐食、耐熱性、耐候性に優れた密着層３１を得ることができる。また磁性材料であるため、電磁波シールド効果を向上させる効果も期待できる。この他、密着層３１の材料は、電磁波シールドフィルム１ａの使用用途によって選択することが重要である。

また、上記密着層３１の厚みが５ｎｍ未満の場合、金属層３と基材フィルム２との密着性を充分に確保することが困難となり、場合によっては、金属層３が基材フィルム２から剥がれるおそれがある。一方、密着層３の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。

次いで、上記密着層３１の上に、電磁波シールドの重要な役割を果たす低抵抗金属層である導電層３２として、例えばＣｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、若しくはその合金、例えば、ＡｇとＣｕの合金、ＣｕとＮｉとの合金の成膜を行なう。この中でも特に上記導電層３２は安価なＣｕからなることが好ましい。

上記のごとく密着層３１を成膜してロール状に巻き取られたフィルムを、フィルム送りスピードを０．１５ｍ／分〜０．５ｍ／分にて送り出し、Ｃｕターゲット材料を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを１００ｃｃ／分〜２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料との間に３ｋＷ〜１０ｋＷの電力パワーで２５０Ｖ〜４５０Ｖの高電圧を印加する。
これにより、密着層３１の上に、Ｃｕからなる導電層３２を５０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さで成膜する。また、上記導電層３２は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であることから電磁波シールド特性上好ましい。

次いで、導電層３２の上に、防錆効果を発揮する防錆層３３の成膜を行う。
即ち、密着層３１および導電層３２を成膜したフィルムを、フィルム送りスピード０．４ｍ／分〜２．４ｍ／分にて搬送しつつ、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼もしくは、磁性金属であるフェライト系、マルテンサイト系ステンレス鋼あるいはＮｉ系合金を設置した成膜室内のカソード電極に対して、アルゴンガスを１００ｃｃ／分〜２００ｃｃ／分の量で導入する。そして、パルス型のＤＣ（直流）電源を用い、フィルムとターゲット材料間に０．５ｋＷ〜６．０ｋＷの電力パワーで、２００Ｖ〜４００Ｖの高電圧を印加する。

これにより、導電層３２の上に、防錆層３３を１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さで成膜する。
また、上記防錆層３３の厚みが１０ｎｍ未満の場合には、金属層３の防錆効果を確保することが困難となるおそれがある。防錆層３３の厚みが５０ｎｍを超える場合には、フィルムの反り等の変形が生じるおそれがあると共に、生産性が低下するおそれがある。

上記のごとく金属層３を成膜した基材フィルム２の反対側の面に対しても、同様の金属層３を同様の方法で成膜する。これにより、図１４に示すごとく、基材フィルム２の両面に金属層３を形成した電磁波シールドフィルム１ａを得る。

また、図１５に示すごとく、上記電磁波シールドフィルム１ａにおける金属層３の表面に、厚さ１５μｍ〜５０μｍのＰＥＴからなる保護フィルム４を粘着材層１３を介して貼り合わせることもできる。これにより、短絡防止及び金属層３の防錆効果を上げることができるフィルムとする。
上記保護フィルム４が１５μｍ未満の場合、扱いが非常に困難であるため量産効率が悪い。また、保護フィルム４が５０μｍを超える場合は、電磁波シールドフィルム１ａの全体の厚みを３００μｍ以下に抑えることが困難になるおそれがある。

また、ＬＳＩ等の電子部品５の形状に合わせて型抜きを行なうことで、図１７に示すような、小型の電磁波シールドフィルム１ａを作製する。
また、図１６に示すごとく、一方の保護フィルム４の表面に粘着材層１１及び離型フィルム１２を形成することもできる。
これにより、図１８に示すごとく、電磁波シールドフィルム１ａをＬＳＩなどの電子部品５に容易に貼り合わせることができる。また、粘着材層１１は厚さ１０μｍ〜５０μｍからなるアクリル系の粘着材を使用することができる。
上記粘着材層１１を１０μｍ未満とすることは作成上困難である。また、粘着材層１１が５０μｍを超える場合は、電磁波シールドフィルム１ａの全体の厚みを３００μｍ以下に抑えることが困難になるおそれがある。

なお、本例の電磁波シールドフィルム１ａには、保護フィルム４を配設することなく、図２０に示すごとく、一方の金属層３の表面に直接粘着材層１１及び離型フィルム１２を形成することもできる。
また、上記電磁波シールドフィルム１ａは、図１８に示すごとく、個々の電子部品５を個別に被うものであってもよいし、図１９に示すごとく、複数の電子部品５を一度に被うものであってもよい。

本例のように、基材フィルム２の両面に金属層３を配することにより、片面に金属層３を配するよりも電磁波シールドを効果的に行うことができる。
即ち、基材フィルム２の一方の面にのみ金属層３を形成する場合において、電磁波シールド効果を向上させるためには、金属層３の厚みを大きくする必要がある。しかし、金属層３の膜厚を大きくするには、スパッタの際のフィルム送り速度を遅くして成膜するなどの手法をとる必要があり、成膜時における熱の影響を受けるおそれがある。この熱の影響により、基材フィルム２と金属膜３との間の熱膨張の差に起因する歪みやクラックが発生しやすくなる。
そこで、本例のように、基材フィルム２の両面に金属層３を形成することにより、各金属層３の厚みを大きくすることなく電磁波シールド効果を向上させることができるため、上記のような不具合を防ぐことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。

また、図２１に示すごとく、基材フィルム２の一方の面に金属層３を形成した電磁波シールドフィルム１（図１参照）を２枚作成し、粘着材層１１０を介して、金属層３同士を貼り合わせることにより上記実施例４と同様の効果を有する電磁波シールドフィルム１ａを得ることができる。この場合、基材フィルム２が保護フィルムの役割を果たす。
そして、この場合、図２２に示すごとく、保護フィルムとしての基材フィルム２の表面に粘着材層１１及び離型フィルム１２を配設することにより、電子部品への貼着作業を容易に行うことができる。

なお、上記実施例１〜４においては、基材フィルムとして樹脂フィルムを用いる例を示したが、基材フィルムは、ゴムや布地によって構成することもできる。この場合には、屈曲性に優れた電磁波シールドフィルムを得ることができる。
また、本発明の電磁波シールドフィルムは、例えば、電気配線に巻き付けて用いることもできる。

また、上記基材フィルムとしてゴムを用いる場合には、磁性材料粉を混ぜたゴムシートを用いることもできる。これにより、電磁波シールド効果をより向上させることができる。
或いは、磁性材料粉を混ぜたゴムシートに対して、実施例１に示す電磁波シールドフィルムを張り合わせて電磁波シールドシートを得ることもできる。
また、上記基材フィルムとして布地を用いる場合には、特にフレキシブル性を向上させることができ、様々な太さのケーブル（電気配線）や、種々の凹凸面、屈曲面を有する電子部品に容易に対応させことができる。

実施例１における、保護フィルム及び粘着材層を設けていない電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例１における、粘着材層を設けた電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例１における、保護フィルム及び粘着材層を設けた電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例１における、小片状にした電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例１における、個々の電子部品を個別に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。 実施例１における、複数の電子部品を一度に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。 実施例２における、保護フィルムを二重に設けた電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例２における、保護フィルムを一重とした電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例２における、個々の電子部品を個別に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。 実施例２における、複数の電子部品を一度に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。 実施例３における、電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例３における、電磁波シールドフィルムの平面図。 実施例３における、他の電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例４における、電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例４における、保護フィルムを設けた電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例４における、保護フィルムを設けると共に粘着材層及び離型フィルムを設けた電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例４における、小片状にした電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例４における、個々の電子部品を個別に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。 実施例４における、複数の電子部品を一度に被う電磁波シールドフィルムの使用態様を示す断面説明図。 実施例４における、金属層の表面に直接粘着材層及び離型フィルムを設けた電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例４における、他の電磁波シールドフィルムの断面図。 実施例４における、粘着材層及び離型フィルムを設けた他の電磁波シールドフィルムの断面図。

符号の説明

１、１０、１００ 電磁波シールドフィルム
２ 基材フィルム
３ 金属層
３１ 密着層
３２ 導電層
３３ 防錆層
４、４０ 保護フィルム
５ 電子部品

Claims (13)

1. 電子機器内に実装された電子部品又は電気配線の表面を被覆して電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムであって、
   該電磁波シールドフィルムは、絶縁性材料からなる基材フィルムと、該基材フィルムの一方又は両方の面に積層した金属層とを有し、
   該金属層は、表層側に配されて上記金属層の腐食を防止する防錆層と、該防錆層よりも電気抵抗率の低い導電層とからなり、
   該導電層は５０〜５００ｎｍの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。
2. 請求項１において、上記金属層は、上記基材フィルムとの界面に配されて該基材フィルムとの密着を確保する密着層を有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。
3. 請求項２において、上記密着層は５〜５０ｎｍの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。
4. 請求項２又は３において、上記密着層及び上記防錆層は、非磁性金属であるオーステナイト系ステンレス鋼、又は磁性金属であるフェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼、あるいはＮｉ系合金の金属膜からなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
5. 請求項１〜４のいずれか一項において、上記防錆層は１０〜５０ｎｍの厚みを有することを特徴とする電磁波シールドフィルム。
6. 請求項１〜５のいずれか一項において、上記金属層は、スパッタリングによって形成した膜からなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
7. 請求項１〜６のいずれか一項において、上記導電層は、電気抵抗率が５０μΩｃｍ以下であることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
8. 請求項７において、上記導電層は、Ｃｕからなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
9. 請求項１〜８のいずれか一項において、上記電磁波シールドフィルムは、上記金属層の表面に樹脂からなる保護フィルムを配設してなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
10. 請求項９において、上記金属層は、上記基材フィルムの一方の面に積層してなり、上記保護フィルムは、該保護フィルムの端縁を上記基材フィルムの端縁よりも外側に有していることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
11. 請求項９又は１０において、上記保護フィルムは、上記金属層を部分的に露出させる開口部を設けてなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
12. 請求項１〜１１のいずれか一項において、上記基材フィルムは、０．０５〜５ｍｍの厚みを有するゴム又は布地からなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
13. 請求項１〜１１のいずれか一項において、上記基材フィルムは、１５〜５０μｍの厚みを有する樹脂からなることを特徴とする電磁波シールドフィルム。

Images