JP2005336246A - 酸二無水物、配向膜、および液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】脂環を有する化合物において、脂環を構成する任意の2つの炭素原子が、無水コハク酸、無水グルタル酸、またはα,α-ジフルオロ無水グルタル酸のいずれか一種、2分子の炭素原子の一部となっていることを特徴とする酸二無水物。
【選択図】なし
Description
配向膜には、液晶表示素子に下記のような特性をもたらすことが要求される。
1)液晶分子に適切なプレチルト角を付与すること。しかもこのプレチルト角がラビング、洗浄等のセル製造工程における条件や液晶セルの周囲温度等環境変化に対して安定であること。
2)液晶分子の配向欠陥が発生しないこと。
3)液晶表示素子に適切な電圧保持率(Voltage Holding Ratio:VHR)を与えること。
4)液晶表示素子に、任意の画像を長時間表示させた後、別の画像に変えたときに、前の画像が残像として残る「焼き付き」と呼ばれる現象が起きにくいこと。
5)液晶表示素子に同時に用いられる他の材料からの影響を受けないこと。
(1)式(1)で表される酸二無水物。
式(1)において、Cycleと記載された構造は脂環構造であり、この脂環構造の任意の水素は有機基で置換されていてもよく、;Aはスピロ炭素を表し、;mは0または1である。X1〜X4は独立して水素またはフッ素である。
(2)脂環構造が、式(1−a)〜式(1−r)から選択される少なくとも1つの構造である前記第1項に記載の酸二無水物。
式(1−q)において、Zは炭素数1〜10のアルキル基であり、その中の任意のCH2はOもしくはCF2で置換されていても良いが、Oが連続して結合することはない。
(3)脂環構造が、式(1−a)、式(1−b)、式(1−e)、式(1−f)、式(1−g−1)、式(1−h)、および式(1−k)から選択される少なくとも1つの構造である前記第1項に記載の酸二無水物。
(4)脂環構造が、式(1−a)、式(1−b)、式(1−f)、および式(1−k)から選択される少なくとも1つの構造である前記第1項に記載の酸二無水物。
(5)前記第1項から第4項のいずれか1項に記載の酸二無水物とジアミンとの反応生成物であるポリアミック酸。
(6)前記第1項から第4項のいずれか1項に記載の酸二無水物が、下記No.1−1、No.1−2、No.1−3、およびNo.1−5から選択される少なくとも1つの酸二無水物である前記第5項に記載のポリアミック酸。
(7)前記第1項から第4項のいずれか1項に記載の酸二無水物が、下記No.1−4、およびNo.1−7〜No.1−16から選択される少なくとも1つの酸二無水物である前記第5項に記載のポリアミック酸。
No.1−15およびNo.1−16において、Zは炭素数1〜10のアルキル基であり、その中の任意のCH2はOもしくはCF2で置換されていても良いが、Oが連続して結合することはない。
(8)前記第1項から第4項のいずれか1項に記載の酸二無水物が、前記第7項に記載のNo.1−4およびNo.1−7から選択される少なくとも1つの酸二無水物である前記第5項に記載のポリアミック酸。
(9)前記第5項から第8項の何れか1項に記載のポリアミック酸を脱水閉環して得られるポリイミド。
(10)トリカルボン酸、トリカルボン酸誘導体、ジカルボン酸、およびジカルボン酸誘導体から選ばれた少なくとも1つと、前記第1項から第4項のいずれか1項に記載の酸二無水物と、ジアミンとの反応生成物であるポリアミドアミック酸。
(11)前記第1項から第4項のいずれか1項に記載の酸二無水物が、前記だ6項および第7項に記載のNo.1−1、No.1−2、No.1−4、およびNo.1−5から選択される酸二無水物である前記第10項に記載のポリアミドアミック酸。
(12)前記第1項から第4項のいずれか1項に記載の酸二無水物が、前記第6項および第7項に記載のNo.1−3、およびNo.1−8〜No.1−16から選択される酸二無水物である前記第10項に記載のポリアミドアミック酸。
(13)前記第1項から第4項のいずれか1項に記載の酸二無水物が、前記第7項に記載のNo.1−4およびNo.1−7から選択される酸二無水物である前記第10項に記載のポリアミドアミック酸。
(14)前記第10項から第13項の何れか1項に記載のポリアミドアミック酸を脱水閉環して得られるポリアミドイミド。
(15)前記第5項から第8項の何れか1項に記載のポリアミック酸、前記第9項に記載のポリイミド、前記第10項から第13項の何れか1項に記載のポリアミドアミック酸、および前記第14項に記載のポリアミドイミドから選ばれる少なくとも1つを含有するワニス。
(16)前記第15項に記載のワニスを用いて得られる配向膜。
(17)前記第16項に記載の配向膜を用いた液晶表示素子。
第一に、本発明の酸二無水物について説明する。本発明の酸二無水物の製造方法は特に限定されるものではないが、例えば下記のような方法を挙げることができる。
なお、本発明において脂環構造とは、脂環骨格を有する構造のことであり、脂環骨格を有するものであれば、その構造中に芳香族環を有するものであってもよい。
なお、No.1−15およびNo.1−16において、Zは炭素数1〜10のアルキル基であり、その中の任意のCH2はOもしくはCF2で置換されていても良いが、Oが連続して結合することはない。
本発明のポリアミック酸の溶液は、溶媒中、本発明の酸二無水物とジアミンとを反応させることによって得られる。なお、ポリアミック酸は、このポリアミック酸の溶液から、再沈殿や蒸留により溶媒を除去することにより得ることができる。このとき、本発明の酸二無水物は、単独であっても複数であってもよい。さらに、本発明の効果を損なわない範囲であれば、本発明の酸二無水物の他に、他の酸二無水物を使用してもよい。
ジカルボン酸誘導体とは、例えば、フタル酸二塩化物、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸二塩化物などのジカルボン酸塩化物もしくはフタル酸エステル、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸エステルなどのエステルであり、トリカルボン酸誘導体とは、例えば、トリメリット酸塩化物無水物などのトリカルボン酸塩化物無水物、もしくはトリメリット酸三塩化物である。
式(13)において、R4およびR5は炭素数1〜3のアルキルまたはフェニルであり、R4とR5は同じ基であっても異なる基であってもよい。また、R6はメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンである。mは1〜6の整数を表し、nは1〜10の整数を表す。
1)本発明のワニスを刷毛塗り法、浸漬法、スピンナー法、スプレー法、印刷法等により基板上に塗布する。
2)50〜150℃、好ましくは80〜120℃で溶媒を蒸発させる。
3)150〜400℃、好ましくは180〜280℃で加熱し成膜する。
4)膜表面を布などでラビング処理する。
さらに、ワニスの塗布前に基板表面上をシランカップリング剤で処理しその上に成膜すれば、膜と基板との接着性が改善される。
以下に実施例で用いた液晶表示素子の評価法を記載する。
プレチルト角
クリスタルローテーション法により測定した(温度;25℃)。
2.焼き付き(残留DC電圧)
液晶セルの焼き付きの起こりやすさは、「三宅他、信学技報、EID91−111,p19」に記載の方法により、液晶セルに50mV、1kHzの交流に周波数0.0036Hzの三角波を重畳させて残留DC電圧を測定することにより評価した。残留DC電圧が高いほど焼き付きやすい液晶セルであることを示す。
3.電圧保持率
電圧保持率の測定は、「水嶋他、第14回液晶討論会予稿集 p78」に記載の方法で行った。測定は、ゲート幅69μs、周波数60Hz、波高±4.5Vの矩形波を液晶セルに印加して行った。
実施例1で得た中間体である1,4−シクロヘキシリデンビスシアノ酢酸エチル(10g、33mmol)のTHF(80ml)溶液中に、ブロモ酢酸エチル(13g、78mmol)と、亜鉛粉末(5.1g、78mmol)から常法に従って調製した亜鉛試薬とを室温で滴下した。室温で1時間攪拌後、この反応液に塩化アンモニウム水溶液(50ml)を加えた。酢酸エチルを用いて抽出操作を行った後、上記と同様に分液、乾燥、ろ過、溶媒留去などの後処理を行い、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル/トルエン:酢酸エチル=5:1)で精製することによって、(1,4−エトキシカルボニルメチルシクロヘキシ−1,4−ジイル)ビスシアノ酢酸エチルを得た。収量は1.9g、収率は12%であった。
攪拌機、窒素導入口、温度計、及び原料導入口を供えた100mlの4つ口フラスコに、4,4’−ジアミノジフェニルメタン(以下DDM)0.8922mg(4.500mmol)を入れ、NMP10gに溶解した。ここに実施例1で得られた(1,4−ジカルボキシシクロヘキシ−1,4−ジイル)ビス酢酸二無水物0.5675g(2.2500mmol)およびピロメリット酸無水物0.4908g(2.2500mmol)を加え、6時間攪拌した。その後この溶液をNMP30gで希釈することにより、ポリアミック酸を約5重量%の割合で含有する褐色溶液が得られた。この溶液の重量平均分子量は4.3万であり、25℃での粘度は25mPa・sであった。以下この溶液をワニスAとする。
ワニスA(50g)に、無水酢酸1.0g(9.8mmol)およびピリジン0.8g(10mmol)を加え、100℃で1時間反応させた。冷却後、反応液を純水50mlに加え、生じた沈殿をろ別した。沈殿を純水(25ml)およびメタノール(25ml)で洗浄し、これを真空乾燥することにより可溶性ポリイミドを得た。この可溶性ポリイミドの重量平均分子量は2.8万であった。
攪拌機、窒素導入口、温度計、及び原料導入口を供えた100mlの4つ口フラスコに、実施例1で得られた(1,4−ジカルボキシシクロヘキシ−1,4−ジイル)ビス酢酸二無水物1.0593g(4.200mmol)、テレフタル酸クロリド(以下「TPC」と言うことがある。)0.2030g(1.000mmol)、およびプロピレンオキシド60mg(1.0mmol)を入れ、NMP10gに溶解した。ここにDDM0.6146g(3.100mmol)および4−n−ブチル−1,1−ビス(4−(4−アミノフェニルメチル)フェニル)シクロヘキサン(以下「BuBDMA」と言うことがある。)1.0055g(2.000mmol)のNMP(10g)溶液を加え、室温で6時間攪拌した。その後この溶液をNMP10gで希釈した後、水(200ml)に注ぎ、再沈殿を行った。生じた沈殿をろ過し、得られたポリマーをNMP(10ml)に加え、さらに無水酢酸1.0g(9.8mmol)およびピリジン0.8g(10mmol)を加え100℃で2時間攪拌した。冷却後、水(200ml)に注ぎ、再沈殿を行った。生じた沈殿をろ過し、この沈殿をメタノール(100ml)で煮沸洗浄し、ポリアミドイミドを得た。このポリアミドイミドの重量平均分子量は1.5万であった。
酸二無水物およびジアミンを表7に示したものに代えた以外は、実施例4および5に記載の方法の準じてワニスB〜Mをそれぞれ調製した。これらの重量平均分子量および粘度を表8に示す。
*4 PnDMA:4’−(4−ペンチルシクロヘキシル)−3,5−ジフェニルメタン(No.2−43)
スクリューバイアルに実施例4で得られたワニスAを18.2ml、および実施例7で得られたワニスBを0.18ml量り取り、室温で1時間攪拌した。その後BC12mlを加え、溶液重量に対して約3重量%ポリマーを含有するポリマー溶液を得た。片面にITO電極を設けた透明ガラス基板上に、このポリマー溶液を滴下し、スピンナー法により塗布した(2500rpm、15秒)。塗布後80℃で5分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、オーブン中で250℃、30分間加熱処理を行い、膜厚約60nmのポリイミド樹脂薄膜を得た(膜厚はエリプソメーターにより測定)。該ポリイミド樹脂薄膜が形成されたガラス基板をラビング処理し、ラビング方向が逆平行になるようにこれらの2枚を貼り合わせ、セル厚20μmの液晶セルを組み立てた。この液晶セルに下記液晶組成物を注入し、110℃で30分間アイソトロピック処理を行い、室温まで冷却し液晶表示素子を得た。この液晶表示素子の残留DC電圧は25℃で0.19Vであり、20、60、および90℃における電圧保持率はそれぞれ98.1、96.9、94.4%であった。またこの表示素子を用いてプレチルト角を測定した結果、5.8度であった。このセルを偏光顕微鏡観察した結果、配向欠陥は全く観察されなかった。このセルを110℃で20時間静置し、室温まで冷却した後、これらの値を再測定した。その結果残留DC電圧は25℃で0.25Vであり、20、60、および90℃における電圧保持率は98.3、96.4、93.7%、プレチルト角は5.8度であった。このセルを偏光顕微鏡観察した結果、配向欠陥は全く観察されなかった。なお、110℃、20時間静置する前の残留DC電圧および電圧保持率を「初期値」と云い、静置後の残留DC電圧および電圧保持率を「高温後値」と云う。
ワニスBの代わりにワニスCを用いた以外は、実施例17の方法に準じて液晶表示素子を製作し、残留DC電圧、電圧保持率およびプレチルト角を測定(以下「特性測定」ということがある。)した。
初期値:残留DC電圧:0.08V
電圧保持率 :97.3(20)、96.1(60)、94.7(90℃)%
プレチルト角:6.6度
配向欠陥なし
高温後値:残留DC電圧:0.09V
電圧保持率 :97.1(20)、96.2(60)、94.2(90℃)%
プレチルト角:6.6度
配向欠陥なし
ワニスBの代わりにワニスDまたはEを用いた以外は、実施例17の方法に準じて液晶表示素子を製作し特性測定を行った。結果を表9に示す。
片面にITO電極を設けた透明ガラス基板上に、ワニスGを滴下し、スピンナー法により塗布した(2500rpm、15秒)。塗布後80℃で5分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、オーブン中で250℃、30分間加熱処理を行い、膜厚約60nmのポリイミド樹脂薄膜を得た。該ポリイミド樹脂薄膜が形成されたガラス基板をラビング処理し、ラビング方向が逆平行になるようにこれらの2枚を貼り合わせ、セル厚20μmの液晶セルを組み立てた。この液晶セルに実施例17で使用した液晶組成物を注入し、110℃で30分間アイソトロピック処理を行い、室温まで冷却し液晶表示素子を得た。この液晶表示素子の残留DC電圧は25℃で0.24Vであり、20、60、および90℃における電圧保持率はそれぞれ98.4、97.1、96.1%であった。またこの表示素子を用いてプレチルト角を測定した結果、6.0度であった。このセルを110℃で20時間静置し、室温まで冷却した後、これらの値を再測定した。その結果残留DC電圧は0.26V(25℃)であり、20、60、および90℃における電圧保持率は98.2、97.1、96.0%、プレチルト角は6.0度であった。
ワニスGの代わりにワニスH〜Jの何れかを用いた以外は、実施例21の方法に準じて液晶表示素子を製作し特性測定を行った。結果を表10に示す。
ワニスGの代わりにワニスLまたはMを用いた以外は、実施例21の方法に準じて液晶表示素子を製作し特性測定を行った。結果を表11に示す。
Claims (17)
- 脂環構造が、式(1−a)、式(1−b)、式(1−e)、式(1−f)、式(1−g−1)、式(1−h)、および式(1−k)から選択される少なくとも1つの構造である請求項1に記載の酸二無水物。
- 脂環構造が、式(1−a)、式(1−b)、式(1−f)、および式(1−k)から選択される少なくとも1つの構造である請求項1に記載の酸二無水物。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の酸二無水物とジアミンとの反応生成物であるポリアミック酸。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の酸二無水物が、請求項7に記載のNo.1−4およびNo.1−7から選択される少なくとも1つの酸二無水物である請求項5に記載のポリアミック酸。
- 請求項5から8の何れか1項に記載のポリアミック酸を脱水閉環して得られるポリイミド。
- トリカルボン酸、トリカルボン酸誘導体、ジカルボン酸、およびジカルボン酸誘導体から選ばれた少なくとも1つと、請求項1から4のいずれか1項に記載の酸二無水物と、ジアミンとの反応生成物であるポリアミドアミック酸。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の酸二無水物が、請求項6および7に記載のNo.1−1、No.1−2、No.1−4、およびNo.1−5から選択される酸二無水物である請求項10に記載のポリアミドアミック酸。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の酸二無水物が、請求項6および7に記載のNo.1−3、およびNo.1−8〜No.1−16から選択される酸二無水物である請求項10に記載のポリアミドアミック酸。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の酸二無水物が、請求項7に記載のNo.1−4およびNo.1−7から選択される酸二無水物である請求項10に記載のポリアミドアミック酸。
- 請求項10から13の何れか1項に記載のポリアミドアミック酸を脱水閉環して得られるポリアミドイミド。
- 請求項5から8の何れか1項に記載のポリアミック酸、請求項9に記載のポリイミド、請求項10から13の何れか1項に記載のポリアミドアミック酸、および請求項14に記載のポリアミドイミドから選ばれる少なくとも1つを含有するワニス。
- 請求項15に記載のワニスを用いて得られる配向膜。
- 請求項16に記載の配向膜を用いた液晶表示素子。
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