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JP2005333037A - Package for electronic parts, and piezo-electric oscillating device using the same - Google Patents

Package for electronic parts, and piezo-electric oscillating device using the same Download PDF

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JP2005333037A
JP2005333037A JP2004151189A JP2004151189A JP2005333037A JP 2005333037 A JP2005333037 A JP 2005333037A JP 2004151189 A JP2004151189 A JP 2004151189A JP 2004151189 A JP2004151189 A JP 2004151189A JP 2005333037 A JP2005333037 A JP 2005333037A
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a package for electronic parts and a piezo-electric oscillating device which can improve manufacture yield in hermetic seal and reliability after sealing simultaneously. <P>SOLUTION: A surface mounted crystal resonator is constituted by a ceramic package 1 having a recess in which upper section opens, a tuning fork crystal vibration plate 2 of a piezo-electric vibration plate housed in the package, and a lid 3 joined to an opening of the package. In the ceramic package, a portion 1a is formed in which a first metal film layer 11a is not formed, and the lid 3 is mounted on the first metal film layer, then the hermetic seal is performed by an electronic beam. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は電子機器等に用いられる電子部品用のパッケージに関し、特に気密封止性能を向上させたパッケージ構成および当該パッケージを用いた圧電振動デバイスに関するものである。   The present invention relates to a package for an electronic component used in an electronic device or the like, and more particularly to a package configuration with improved hermetic sealing performance and a piezoelectric vibration device using the package.

気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電振動デバイスがあげられる。これら各製品はいずれも水晶振動板の表面に金属薄膜電極を形成し、この金属薄膜電極を外気から保護するため、気密封止されている。   Examples of electronic components that require hermetic sealing include piezoelectric vibration devices such as crystal resonators, crystal filters, and crystal oscillators. Each of these products is hermetically sealed in order to form a metal thin film electrode on the surface of the crystal diaphragm and protect the metal thin film electrode from the outside air.

これら圧電振動デバイスは部品の表面実装化の要求から、セラミックパッケージ内に気密的に収納する構成が増加しており、このようなセラミックパッケージを用いる場合、パッケージ本体とフタとの接合は多種多様の接合方法が検討されている。特開2004−104766号には、堤部で囲まれた電子素子収納部を有し、平面視矩形状のパッケージを用い、フタ(リッド)により金属ろうあるいはガラス材を接合材として気密接合する旨が開示されている。パッケージの堤部上部には金属膜層(メタライズ層)を有するとともに、平面視4つの角部には凹状のキャスタレーションが形成されている。   Due to the demand for surface mounting of components, these piezoelectric vibration devices are increasingly being stored in a ceramic package in an airtight manner. When such a ceramic package is used, the bonding between the package body and the lid is diverse. Joining methods are being studied. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-104766 has an electronic element housing portion surrounded by a bank portion, uses a rectangular package in plan view, and uses a lid (lid) to airtightly bond a metal brazing or glass material as a bonding material Is disclosed. A metal film layer (metallized layer) is provided on the top of the bank portion of the package, and concave castellations are formed at four corners in plan view.

当該キャスタレーションはパッケージにおける内外配線に必要であったり、あるいは製造面においてパッケージをウェハからの切り離す際に必要となる。すなわち、セラミックパッケージの製造は、一般的には、多数個のパッケージがマトリクス状に形成されたウェハで一体的に焼成成形される。その後必要なメッキ処理等が行われて個々のパッケージに切り離されるが、キャスタレーションはこの切り離し作業を容易にする。 The castellation is necessary for internal and external wiring in the package, or is necessary when the package is separated from the wafer in terms of manufacturing. That is, in the manufacture of a ceramic package, generally, it is integrally fired and formed on a wafer in which a large number of packages are formed in a matrix. After that, the necessary plating process or the like is performed and separated into individual packages, but the castellation facilitates this separation work.

ところでウェハから各パッケージへの切り離しは、予め形成されたブレイク溝に沿って小割分割されるが、このブレイク溝形成部分において、微視的に盛り上がる変形部が形成されることがあった。あるいはダイシングにより切り離す場合は、ダイシング時の応力によって、切断部が微視的に変形することがあった。図10はパッケージ9の切断状態を示す模式的断面図であるが、パッケージ9、9間の切断部Cにおいては、金属膜層91やセラミック層90において変形部が生じることがある。これはセラミック層のグリーンシートに金属膜層(メタライズ層)のペーストをパターン印刷し、その後ブレイク溝をマトリクス状に形成する際に生じるもので、このブレイク溝形成の際、溝開口部分近傍が微視的に盛り上がる変形部が形成されることがある。この状態で焼成されることにより、変形部がそのまま残った状態となる。また、ウェハからセラミックパッケージをダイシング等により切断する場合においても、切断時に生じる応力により金属膜層が塑性変形し、変形部を形成することがあった。これは後のリッドによる気密封止時に悪影響を与えることがあった。 By the way, the separation from the wafer into each package is subdivided along a break groove formed in advance, and a deformed portion that rises microscopically may be formed in this break groove forming portion. Or when cutting off by dicing, the cut portion may be microscopically deformed due to stress during dicing. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a cut state of the package 9, but a deformed portion may occur in the metal film layer 91 or the ceramic layer 90 in the cut portion C between the packages 9 and 9. This occurs when a paste of a metal film layer (metallized layer) is pattern printed on a green sheet of ceramic layer, and then the break grooves are formed in a matrix shape. A deformable portion that rises visually may be formed. By firing in this state, the deformed portion remains as it is. Further, even when the ceramic package is cut from the wafer by dicing or the like, the metal film layer may be plastically deformed by the stress generated during cutting to form a deformed portion. This may have an adverse effect upon subsequent hermetic sealing with the lid.

特に最近のように電子部品が極めて小さくなると、気密封止に用いる接合面は高精度の平坦性が求められる。平坦性が十分でない場合は、変形部91aの影響でリッドが部分的に浮くことにより、リッドとパッケージの接触部分の密接性が微視的に見て低下し、例えば電子ビームを用いた接合を行う際においては、十分な接合性を得ることができず、気密不良となることがあった。このような場合、圧電振動デバイスにおいては、周波数等の特性が変化し、電子部品としての信頼性が低下することがあった。
特開2004−104766号
In particular, when electronic components are extremely small as in recent years, a highly accurate flatness is required for the bonding surface used for hermetic sealing. If the flatness is not sufficient, the lid partly floats under the influence of the deforming portion 91a, so that the close contact between the lid and the package is reduced microscopically. For example, bonding using an electron beam is performed. At the time of carrying out, sufficient bondability could not be obtained, resulting in poor airtightness. In such a case, in the piezoelectric vibration device, characteristics such as frequency change, and reliability as an electronic component may be lowered.
JP 2004-104766 A

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、気密封止における製造歩留まりを向上させるとともに、封止後の信頼性を向上させることのできる電子部品用パッケージ及び圧電振動デバイスを提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to improve the manufacturing yield in hermetic sealing, and to improve the reliability after sealing, and an electronic component package that can improve reliability after sealing An object of the present invention is to provide a piezoelectric vibration device.

上記の目的を達成するために、本発明は、セラミックパッケージ製造時の生じる変形による悪影響を無くすことのできるパッケージ構成を目指すものであり、次の構成により実現をすることができる。   In order to achieve the above object, the present invention aims at a package configuration that can eliminate the adverse effects caused by the deformation that occurs during the manufacture of a ceramic package, and can be realized by the following configuration.

すなわち請求項1に示すように、電子部品素子収納部の周囲に堤部を有し、当該堤部上部に第1の金属膜層を有するパッケージと、前記第1の金属膜層と接合される第2の金属膜層を有し、前記パッケージを気密封止するリッドと、を具備する電子部品用パッケージであって、前記堤部上に形成される第1の金属膜層は、堤部の外周端部より内側に形成されていることを特徴としている。   That is, as shown in claim 1, a package having a bank portion around the electronic component element housing portion and having a first metal film layer on the bank portion is joined to the first metal film layer. A package for an electronic component having a second metal film layer and a lid for hermetically sealing the package, wherein the first metal film layer formed on the bank is It is characterized by being formed inside the outer peripheral end.

前述のとおり、セラミックパッケージは一般的にウェハによるバッチ処理で製造を行い、最終段階で当該ウェハから各パッケージへの切断を行う。この金属膜層の切断部分において、金属膜層の外周端部が上方に変形する変形部が生じることがあるが、本発明においては当該金属膜層を堤部端部にまで形成せずに、端部から所定寸法内側へ寄せた、引き下がり部を有する。当該引き下がり部においては、金属膜材料を形成せずに、パッケージのセラミック素地を露出させている構成となる。   As described above, the ceramic package is generally manufactured by batch processing using a wafer, and the wafer is cut into individual packages at the final stage. In the cut portion of the metal film layer, there may be a deformed portion in which the outer peripheral end portion of the metal film layer is deformed upward, but in the present invention, without forming the metal film layer up to the end portion of the bank, It has a pull-down portion that is closer to the predetermined dimension from the end portion. In the lowering portion, the ceramic base material of the package is exposed without forming the metal film material.

このような構成によりブレイク溝形成時に変形部を作り出すことがなく、また個々のパッケージへの切り離し時に、金属膜層に対し無用な応力を直接加えることがないので、変形の生じることもなく、パッケージの堤部上部において平坦性に優れた金属膜層(第1の金属膜層)を得ることができる。このような平坦で変形部が形成されない第1の金属膜層により、第1の金属膜層や引き下がり部を含むセラミックパッケージ上面全面にリッドを搭載しても、セラミックパッケージの第1の金属膜層とリッドの第2の金属膜層とを密接させることができ、接合時の製造歩留まりを向上させることができる。   With such a configuration, a deformation portion is not created when a break groove is formed, and unnecessary stress is not directly applied to the metal film layer when separating into individual packages. A metal film layer (first metal film layer) excellent in flatness can be obtained at the upper part of the bank. Even if a lid is mounted on the entire upper surface of the ceramic package including the first metal film layer and the pull-down portion, the first metal film layer of the ceramic package can be provided by the first metal film layer that is flat and has no deformed portion. And the second metal film layer of the lid can be brought into close contact with each other, and the manufacturing yield at the time of bonding can be improved.

ところで、第1の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成されている構成、すなわち引き下がり部を有する構成は、堤部の全周に設けることが好ましいが、シールパス幅すなわちパッケージとリッドの接合に寄与する領域を確保するために、一部分に設けても良い。例えばキャスタレーション形成部分と長辺部分や、キャスタレーション形成部分と短辺部分に引き下がり部を設けても良い。また矩形状のパッケージの4つの外周の角部分に引き下がり部を設けても良いし、当該角部にキャスタレーションを設けている場合は、当該キャスタレーション形成部分に引き下がり部を設けてもよい。さらにキャスタレーションはパッケージの辺の部分に設けることもあるが、このような場合は当該キャスタレーション形成部分に引き下がり部を設けても良い。   By the way, the configuration in which the first metal film layer is formed inside the outer peripheral end of the bank portion, that is, the configuration having the pull-down portion is preferably provided on the entire circumference of the bank portion, but the seal path width, that is, the package and the lid In order to secure a region that contributes to the bonding, a portion may be provided. For example, a pull-down portion may be provided in the castellation forming portion and the long side portion, or in the castellation forming portion and the short side portion. In addition, pull-down portions may be provided at the corner portions of the four outer circumferences of the rectangular package, and when castellations are provided at the corner portions, pull-down portions may be provided at the castellation forming portions. Further, the castellation may be provided on the side portion of the package. In such a case, a pull-down portion may be provided in the castellation forming portion.

請求項2は、引き下がり部の場所を特定した構成を示しており、請求項1記載の電子部品用パッケージにおいて、前記パッケージは平面視矩形形状で、外周の角部または/および辺部には凹形のキャスタレーションが形成された構成であり、当該キャスタレーション形成の堤部において前記第1の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成されていることを特徴としている。キャスタレーションが角部のみに形成されている場合、あるいは辺部のみに形成している場合、あるいは両者に形成されている場合のいずれかにおいても適用することができる。   The electronic component package according to claim 1, wherein the package has a rectangular shape in a plan view and has concave portions at corners and / or sides of the outer periphery. A castellation having a shape is formed, and the first metal film layer is formed on the inner side of the outer peripheral end portion of the bank portion in the bank portion where the castellation is formed. The present invention can be applied to either the case where the castellations are formed only at the corners, the case where the castellations are formed only at the sides, or the case where they are formed at both sides.

ブレイク溝を形成するにあたり、あるいはウェハからパッケージ個々へ切断するにあたり、変形部の生じやすいのは、比較的狭い領域で複雑な形状を有しているキャスタレーション形成部分や角部であることが検証により明らかになっている。これは切断等の処理時に応力が集中することによるものと考えられるが、請求項2に示すように、キャスタレーション形成部分に金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成された構成、すなわち引き下がり部を有する構成とすることにより、金属膜層に変形部が生じることなく、その平坦性を確保することができる。このような平坦で変形部が形成されない第1の金属膜層により、第1の金属膜層や引き下がり部を含むセラミックパッケージ上面全面にリッドを搭載しても、セラミックパッケージの第1の金属膜層とリッドの第2の金属膜層とを密接させることができ、接合時の製造歩留まりを向上させることができる。   When forming break grooves or cutting from wafer to individual package, it is verified that deformed parts are likely to occur in castellation forming parts and corners having a complicated shape in a relatively narrow area. It has become clear. This is considered to be due to stress concentration during processing such as cutting, but as shown in claim 2, the structure in which the metal film layer is formed inside the outer peripheral end of the bank portion in the castellation forming portion, That is, by adopting a structure having a pull-down portion, the flatness can be ensured without causing a deformed portion in the metal film layer. Even if a lid is mounted on the entire upper surface of the ceramic package including the first metal film layer and the pull-down portion, the first metal film layer of the ceramic package can be provided by the first metal film layer that is flat and has no deformed portion. And the second metal film layer of the lid can be brought into close contact with each other, and the manufacturing yield at the time of bonding can be improved.

また請求項3はパッケージの変形に対して、リッドの工夫によりその悪影響を除去した構成である。すなわち、電子部品素子収納部の周囲に堤部を有し、当該堤部上部に第1の金属膜層を有する平面視矩形形状のパッケージと、前記第1の金属膜層と接合される第2の金属膜層を有し、前記パッケージを気密接合する平面視矩形形状のリッドとを具備する電子部品用パッケージであって、前記リッドの角部は面取り部を有していることを特徴としている。   Further, the third aspect of the present invention has a configuration in which the adverse effects of the deformation of the package are eliminated by the device of the lid. That is, a package having a rectangular shape in the plan view having a bank portion around the electronic component element housing section and having a first metal film layer on the bank portion, and a second bonded to the first metal film layer. And a lid for a rectangular shape in plan view that hermetically joins the package, wherein a corner portion of the lid has a chamfered portion. .

前述のとおり、変形部の生じやすいのは、比較的狭い領域で複雑な形状を有しているキャスタレーション形成部分や角部である。従って、平面視矩形状のパッケージの角部やキャスタレーションが形成されている角部に対応する位置に、リッドの角部が当接しないような面取り部を有する構成により、パッケージの第1の金属膜層の平坦部分のみがリッドと密接することになるので、気密封止を確実に行うことができる。   As described above, the deformed portion is likely to occur in a castellation forming portion or a corner portion having a complicated shape in a relatively narrow region. Accordingly, the first metal of the package has a configuration in which a chamfered portion is provided so that the corner portion of the lid does not abut at a position corresponding to the corner portion of the rectangular package in plan view or the corner portion where the castellation is formed. Since only the flat portion of the film layer is in intimate contact with the lid, hermetic sealing can be reliably performed.

さらに請求項4に示すように、請求項1または請求項2記載の電子部品用パッケージについて、角部に面取り部を有している平面視矩形形状のリッドにより、前記パッケージを気密接合してもよい。パッケージの角部に意図しない変形部が形成されたとしても、面取り部により変形部を回避することができ、気密封止時の接合信頼性を向上させることができる。   Further, according to a fourth aspect of the present invention, there is provided the electronic component package according to the first or second aspect, wherein the package is hermetically joined by a lid having a rectangular shape in plan view having a chamfered portion at a corner portion. Good. Even if an unintended deformed portion is formed at the corner portion of the package, the deformed portion can be avoided by the chamfered portion, and the bonding reliability during hermetic sealing can be improved.

請求項5は、リッドとパッケージの接合手段を特定したものであり、請求項1乃至4のいずれかに記載の電子部品用パッケージにおいて、前記リッドとパッケージの気密接合がエネルギービーム接合あるいはシーム接合であることを特徴としている。   According to a fifth aspect of the present invention, the means for joining the lid and the package is specified, and in the electronic component package according to any one of the first to fourth aspects, the hermetic joint between the lid and the package is an energy beam joint or a seam joint. It is characterized by being.

周知のとおり、エネルギービームは、電子ビームであるとかレーザービームによる接合を例示することができるが、近年電子部品用パッケージの気密封止にも用いられている。またシーム接合は、抵抗溶接による接合の一種であるが、これも電子部品用パッケージの気密封止によく用いられている。いずれの接合手段も接合時において、リッドとパッケージの密着性が求められるもので、請求項1乃至4の電子部品用パッケージを用いることにより、変形部を形成しないあるいは変形部を避けた接合を行うことができるので、気密封止の信頼性を向上させることができる。特にエネルギービームによる接合は、ビーム照射時にパッケージの金属膜層(第1の金属膜層)とリッドの金属膜層(第2の金属膜層)がより密着していることが求められ、前述の電子部品用パッケージ構成は接合性向上に有効に機能する。   As is well known, the energy beam can be exemplified by an electron beam or a laser beam, but in recent years it has also been used for hermetic sealing of packages for electronic components. Seam joining is a kind of joining by resistance welding, and this is also often used for hermetic sealing of electronic component packages. Any of the joining means requires adhesion between the lid and the package at the time of joining. By using the electronic component package according to any one of claims 1 to 4, joining without avoiding deformation or avoiding deformation is performed. Therefore, the reliability of hermetic sealing can be improved. In particular, the bonding by the energy beam requires that the metal film layer (first metal film layer) of the package and the metal film layer (second metal film layer) of the lid are in close contact with each other at the time of beam irradiation. The package structure for electronic components functions effectively to improve the bondability.

請求項6は、請求項1乃至5のいずれかに記載の電子部品用パッケージを用い、前記電子部品素子収納部に、少なくとも励振電極形成された圧電振動素子を収納したことを特徴とする圧電振動デバイスである。例えば水晶振動子等は不活性ガスあるいは真空雰囲気中に格納することが求められ、かつその特性を安定化させるために高精度な気密性も求められている。上述のような構成によれば、気密封止時の製造歩留まり等の製造性を向上させるとともに、その後の気密封止信頼性を向上させることができるので、極めて安定した特性の圧電振動デバイスを得ることができる。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the electronic component package according to any one of the first to fifth aspects, wherein at least a piezoelectric vibration element having an excitation electrode is accommodated in the electronic component element accommodating portion. It is a device. For example, a crystal resonator or the like is required to be stored in an inert gas or a vacuum atmosphere, and highly accurate airtightness is also required in order to stabilize its characteristics. According to the above-described configuration, it is possible to improve the manufacturability such as the manufacturing yield at the time of hermetic sealing and to improve the reliability of the subsequent hermetic sealing, thereby obtaining a piezoelectric vibration device having extremely stable characteristics. be able to.

本発明によれば、セラミックパッケージ製造時の生じる変形による悪影響を無くすことができ、気密封止における製造歩留まり等の製造性を向上させるとともに、封止後の信頼性を向上させることのできる電子部品用パッケージ及び圧電振動デバイスを得ることができる。   According to the present invention, an electronic component that can eliminate the adverse effects caused by deformation that occurs during the manufacture of a ceramic package, can improve the manufacturing yield in airtight sealing, and can improve the reliability after sealing. Package and piezoelectric vibration device can be obtained.

以下、本発明による好ましい実施の形態について図面に基づいて説明する。
本発明による第1の実施の形態を表面実装型の水晶振動子を例にとり図1、図2とともに説明する。図1は本実施の形態を示す分解斜視図、図2は図1を組み立てた場合の平面図である。表面実装型水晶振動子は、上部が開口した凹部を有するセラミックパッケージ1と、当該パッケージの中に収納される圧電振動板である音叉型水晶振動板2と、パッケージの開口部に接合されるリッド3とからなる。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 by taking a surface-mounted crystal resonator as an example. FIG. 1 is an exploded perspective view showing this embodiment, and FIG. 2 is a plan view when FIG. 1 is assembled. The surface-mount type crystal resonator includes a ceramic package 1 having a recess with an upper opening, a tuning fork type crystal vibration plate 2 that is a piezoelectric vibration plate housed in the package, and a lid bonded to the opening of the package. It consists of three.

セラミックパッケージ1はアルミナ等のセラミックと導電材料を適宜積層した構成であり、断面でみて凹形で、電子素子収納部10を有する構成である。電子素子収納部周囲の堤部11の上面は平坦であり、当該堤部上に周状の第1の金属膜層11aが形成されている。当該第1の金属膜層11aの上面も平坦になるよう形成されており、タングステン、ニッケル、金の順で金属膜層を構成している。タングステンはメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、またニッケル、金の各層はメッキ技術により形成される。   The ceramic package 1 has a configuration in which a ceramic such as alumina and a conductive material are appropriately laminated, has a concave shape in cross section, and has an electronic element storage portion 10. The upper surface of the bank portion 11 around the electronic element housing portion is flat, and a circumferential first metal film layer 11a is formed on the bank portion. The upper surface of the first metal film layer 11a is also formed to be flat, and the metal film layers are configured in the order of tungsten, nickel, and gold. Tungsten is integrally formed during ceramic firing by metallization technology, and nickel and gold layers are formed by plating technology.

セラミックパッケージ外周の4角には上下方向に伸長するキャスタレーションC1,C2,C3,C4が形成されている。当該キャスタレーションは円弧状の切り欠きが上下方向に形成された構成であり、前述のとおりウェハからの小割切断時に必要となる。   Castellations C1, C2, C3, C4 extending in the vertical direction are formed at the four corners of the outer periphery of the ceramic package. The castellation has a configuration in which arc-shaped cutouts are formed in the vertical direction, and is necessary when the wafer is cut into pieces as described above.

キャスタレーションC1,C2,C3,C4上面の堤部上においては、第1の金属膜層11aが形成されない引き下がり部1aがそれぞれ形成されている。引き下がり部1aはキャスタレーションによってできる角部を含んで形成され、ウェハからの切り離し時に変形部が形成されにくい構成となっている。すなわち、キャスタレーション部分においては金属膜層が形成されないため、複数のセラミックパッケージが形成されたウェハにマトリクス状のブレイク溝を形成する際に、キャスタレーション部分近傍の金属膜層に変形部を形成することがなくなる。またウェハからの切り離し時の応力が当該金属膜層に伝わることがなく、金属膜層に塑性変形による変形部が形成されにくくなる。このため、第1の金属膜層全体として微視的に見ても上方に突出する部分を有さないので、良好な平坦性を確保することができる。   On the bank portion on the upper surface of the castellations C1, C2, C3, and C4, the pull-down portions 1a where the first metal film layer 11a is not formed are formed. The pull-down portion 1a is formed to include a corner portion formed by castellation, and has a configuration in which a deformed portion is difficult to be formed at the time of separation from the wafer. That is, since the metal film layer is not formed in the castellation portion, when the matrix-like break groove is formed in the wafer on which the plurality of ceramic packages are formed, the deformed portion is formed in the metal film layer near the castellation portion. Nothing will happen. Further, the stress at the time of separation from the wafer is not transmitted to the metal film layer, and it becomes difficult to form a deformed portion due to plastic deformation in the metal film layer. For this reason, since the first metal film layer as a whole does not have a portion protruding upward even when viewed microscopically, good flatness can be ensured.

前述の引き下がり部の寸法は、0.03mm〜0.1mmが好ましく、より好ましくは0.04mm〜0.07mmである。0.03mmより小さいと残りの金属膜層に対しブレイク溝形成時の変形層が形成されてしまい、金属膜層の平坦度が悪化する可能性が高くなる。またメタライズパターンが印刷形成時の誤差により形成されなくなる可能性もある。また引き下がり寸法が0.1mm以上になると気密封止に寄与するシールパス領域が小さくなり、気密封止性能を低下させることがある。なお、セラミックパッケージの積層形成誤差を考慮すると、0.04mm〜0.07mmの引き下がり部の寸法が好ましい。当該引き下がり部の寸法はセラミックパッケージサイズが変化しても、電子部品用のサイズのパッケージに対してはほぼ適用することができる。   The dimension of the above-mentioned pull-down part is preferably 0.03 mm to 0.1 mm, more preferably 0.04 mm to 0.07 mm. If it is smaller than 0.03 mm, a deformation layer at the time of forming a break groove is formed on the remaining metal film layer, and the flatness of the metal film layer is likely to deteriorate. Moreover, there is a possibility that the metallized pattern is not formed due to an error during printing. On the other hand, when the pull-down dimension is 0.1 mm or more, the seal path region contributing to the hermetic sealing becomes small, and the hermetic sealing performance may be lowered. In consideration of the stacking error of the ceramic package, the size of the lowered portion of 0.04 mm to 0.07 mm is preferable. Even if the ceramic package size changes, the size of the pull-down portion can be almost applied to a package having a size for an electronic component.

なお、第1の金属膜層11aはセラミックパッケージ形成されたビアホール(図示せず)あるいは前記キャスタレーション部分に形成された導電膜(図示せず)により、セラミックパッケージ下面(裏面)に形成された外部接続電極(図示せず)に電気的に接続され、最終的にアース接続される。   The first metal film layer 11a is externally formed on the lower surface (back surface) of the ceramic package by a via hole (not shown) formed in the ceramic package or a conductive film (not shown) formed in the castellation portion. It is electrically connected to a connection electrode (not shown) and finally connected to ground.

セラミックパッケージ1の内部底面には電極パッド12、13が形成されており、これら電極パッドは連結電極(図示せず)を介して、パッケージ外部の底面に形成された外部接続電極14,15(図示せず)にそれぞれ入出力端子として引き出されている。   Electrode pads 12 and 13 are formed on the inner bottom surface of the ceramic package 1, and these electrode pads are connected to external connection electrodes 14 and 15 (see FIG. 5) formed on the bottom surface outside the package via connecting electrodes (not shown). (Not shown) are respectively drawn out as input / output terminals.

前記電極パッド12,13間には圧電振動板である音叉型水晶振動板2が搭載されている。音叉型水晶振動板2は周知のとおり、1対の振動椀部とこれら振動椀部を連結する基部とからなる。図示していないが、一方の振動椀部の表裏面と他方の振動椀部の両側面に形成された励振電極を共通接続することにより一方の電極組とし、一方の振動椀部の両側面と他方の振動椀部の表裏面に形成された励振電極を共通接続することにより他方の電極組とし、それぞれの電極組に交流電圧を引加することにより音叉屈曲振動を励起する。これら各電極組は基部に形成された引出電極に引き出され、前記セラミックパッケージの電極パッド12,13と、図示しない導電性接合材により導電接合されている。 A tuning fork type crystal diaphragm 2 which is a piezoelectric diaphragm is mounted between the electrode pads 12 and 13. As is well known, the tuning fork type quartz diaphragm 2 is composed of a pair of vibrating rods and a base for connecting these vibrating rods. Although not shown in the drawing, one electrode set is formed by commonly connecting the excitation electrodes formed on the front and back surfaces of one vibrating rod portion and both side surfaces of the other vibrating rod portion, and on both side surfaces of one vibrating rod portion, The excitation electrodes formed on the front and back surfaces of the other vibrating bar are connected in common to form the other electrode set, and the tuning fork bending vibration is excited by applying an AC voltage to each electrode set. Each of these electrode sets is drawn out to a lead electrode formed on the base, and is conductively bonded to the electrode pads 12 and 13 of the ceramic package by a conductive bonding material (not shown).

セラミックパッケージを気密封止するリッド3は平面視矩形状の平板構成である。当該リッド3は、コバールからなるコア材31に第2の金属膜層32として金属ろう材が形成された構成であり、より詳しくは、例えば上面からニッケル層、コバールコア材、銅層、銀ろう層の順の多層構成であり、第2の金属膜層である銀ろう層がセラミックーパッケージの第1の金属膜層と接合される構成となる。なお、リッドの平面視外形はセラミックパッケージの当該外形と同じである。   The lid 3 for hermetically sealing the ceramic package has a flat plate configuration having a rectangular shape in plan view. The lid 3 has a configuration in which a metal brazing material is formed as a second metal film layer 32 on a core material 31 made of Kovar. More specifically, for example, a nickel layer, a kovar core material, a copper layer, and a silver brazing layer are formed from the upper surface. The silver brazing layer as the second metal film layer is joined to the first metal film layer of the ceramic package. The external view of the lid in plan view is the same as that of the ceramic package.

セラミックパッケージ1の電子素子収納部10に音叉型水晶振動板2を格納し、電極パッド12,13と音叉型水晶振動板2の引出電極とを半田や導電性樹脂接着剤(導電フィラーを添加した樹脂接着剤)により導電接合する。その後、真空雰囲気中にて気密封止を行う。本実施の形態においては、電子ビームを熱源として前記リッドに形成された銀ろうを溶融硬化させ、気密封止を行う。具体的には、図2(a),(b)に示すようにセラミックパッケージの第1の金属膜層上にリッド3を搭載し、この状態を図示しない治具にて固定する。なお、図2(a)はリッドをセラミックパッケージに搭載した際の平面図であり、リッド3の下方に位置するパッケージ構成は点線で示している。また図2(b)はリッドに対して電子ビーム照射領域を示したもので、セラミックパッケージの構成については図示していない。そして真空雰囲気中において、リッドの外周近傍に沿ってエネルギービームとして電子ビームを照射する。照射領域Mは加熱され、下方にある銀ろう層が溶融後、硬化し、第1の金属膜層と第2の金属膜層が接合される。   The tuning fork type quartz diaphragm 2 is housed in the electronic element housing portion 10 of the ceramic package 1, and the electrode pads 12 and 13 and the extraction electrode of the tuning fork type quartz diaphragm 2 are soldered or a conductive resin adhesive (conductive filler added). Conductive bonding with a resin adhesive). Thereafter, hermetic sealing is performed in a vacuum atmosphere. In the present embodiment, the silver solder formed on the lid is melt-cured using an electron beam as a heat source, and hermetic sealing is performed. Specifically, as shown in FIGS. 2A and 2B, the lid 3 is mounted on the first metal film layer of the ceramic package, and this state is fixed by a jig (not shown). FIG. 2A is a plan view when the lid is mounted on the ceramic package, and the package configuration located below the lid 3 is indicated by a dotted line. FIG. 2B shows an electron beam irradiation region for the lid, and the configuration of the ceramic package is not shown. In a vacuum atmosphere, an electron beam is irradiated as an energy beam along the vicinity of the outer periphery of the lid. The irradiated region M is heated, and the lower silver brazing layer is melted and then cured, and the first metal film layer and the second metal film layer are joined.

電子ビームによる気密封止は、セラミックパッケージの堤部11に形成された第1の金属膜層11aの平坦性とリッドに形成された第2の金属膜層32との平坦性が良好であることが求められるが、本発明によれば、両者の平坦性が良好であるので信頼性の高い気密封止を行うことができる。この平坦性の確保はパッケージ角部の引き下がり部の上方にリッドを配置させることを可能にし、前述のとおり、リッドとパッケージの平面視外形を等しくすることができる。このような構成によりシールパス領域(気密封止に適用する領域)を拡大させることができ、このようなエネルギービーム封止の気密封止性を向上させるには有効である。   In the hermetic sealing by the electron beam, the flatness of the first metal film layer 11a formed on the bank 11 of the ceramic package and the flatness of the second metal film layer 32 formed on the lid are good. However, according to the present invention, since the flatness of both is good, a highly reliable hermetic sealing can be performed. Ensuring the flatness makes it possible to dispose the lid above the pulling-down portion of the corner of the package, and as described above, the lid and the package can have the same planar view outline. With such a configuration, the seal path region (region applied to hermetic sealing) can be expanded, and this is effective in improving the hermetic sealing performance of such energy beam sealing.

また気密封止はシーム溶接による接合を用いてもよい。シーム接合の場合はセラミックパッケージ平面視外形に対してリッドのサイズは小さなものを選ぶことにより、シーム接合をより効率的に行うことができる。このように接合方法に応じてセラミックパッケージとリッドのサイズを決定すればよい。   The hermetic sealing may be performed by seam welding. In the case of seam bonding, seam bonding can be performed more efficiently by selecting a lid having a smaller size than the ceramic package plan view outline. Thus, the size of the ceramic package and the lid may be determined according to the joining method.

本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えばセラミックパッケージに形成された第1の金属膜層の構成として、図3、図4、図5に示す構成をあげることができる。図3は、セラミックパッケージの平面図を示しており、セラミックパッケージ外周に形成された堤部の上面には第1の金属膜層17が形成されている。当該第1の金属膜層17においては、キャスタレーションの形成により新たに形成された角部において金属膜層が形成されない構成となっている。すなわち引き下がり部1bが、新たな各角部分について形成されている。従来技術の問題点にあげた変形部は当該角部に顕著に現れる傾向がある。本案はこのような現象に対するものであり、他の部分において金属膜層を残すことにより、接合領域を確保することができ、接合方法によっては有効に機能する場合がある。   The present invention is not limited to the above embodiment, and examples of the configuration of the first metal film layer formed in the ceramic package include the configurations shown in FIGS. 3, 4, and 5. FIG. 3 is a plan view of the ceramic package, and a first metal film layer 17 is formed on the upper surface of the bank portion formed on the outer periphery of the ceramic package. The first metal film layer 17 is configured such that the metal film layer is not formed at the corners newly formed by the castellation. That is, the pull-down portion 1b is formed for each new corner portion. The deformed portion mentioned as the problem of the prior art tends to appear remarkably at the corner portion. The present plan is for such a phenomenon, and by leaving the metal film layer in other portions, a bonding region can be secured, and depending on the bonding method, it may function effectively.

また図4もセラミックパッケージ1の平面図を示しており、セラミックパッケージ外周に形成された堤部の上面には第1の金属膜層18が形成されている。当該第1の金属膜層18においては、全周に渡って堤部の外周端部より内側に形成された、引き下がり部1cを有する構成である。本実施の形態においては、全周において引き下がり部を有しているので、セラミックパッケージをウェハから切り離す際に生じる変形部の影響をなくすことができ、第1の金属膜層の平坦性を確保できるので気密封止の信頼性を向上させることができる。   FIG. 4 also shows a plan view of the ceramic package 1. A first metal film layer 18 is formed on the upper surface of the bank portion formed on the outer periphery of the ceramic package. The first metal film layer 18 is configured to have a pull-down portion 1c formed inside the outer peripheral end of the bank portion over the entire circumference. In the present embodiment, since there is a pull-down portion on the entire circumference, it is possible to eliminate the influence of the deformation portion that occurs when the ceramic package is separated from the wafer, and to ensure the flatness of the first metal film layer. Therefore, the reliability of hermetic sealing can be improved.

図5に示すセラミックパッケージの平面図はキャスタレーション部分と長辺部分のみ引き下がり部を有する構成である。変形部が形成される箇所は、平面視矩形状のセラミックパッケージの場合、短辺においては比較的変形部が形成されにくいことが検証実験で確かめられている。従って本件例示は当該短辺においては引き下がり部を形成しない構成とすることにより、接合領域を確保し、全体的な接合強度を良好にすることを目指した構成である。   The plan view of the ceramic package shown in FIG. 5 has a structure in which only a castellation portion and a long side portion have a pull-down portion. In the case of a ceramic package having a rectangular shape in plan view, it has been confirmed by a verification experiment that the deformation portion is relatively difficult to be formed on the short side. Therefore, the present example is a configuration aiming to secure a bonding region and improve the overall bonding strength by adopting a configuration in which a pull-down portion is not formed on the short side.

本発明による第2の実施の形態について、図6の分解斜視図、図7の平面図とともに説明する。本実施の形態はリッド側の工夫により気密封止性能を向上させるものである。表面実装型水晶振動子は、上部が開口した凹部を有するセラミックパッケージ4と、当該パッケージの中に収納される圧電振動板である矩形水晶振動板5と、パッケージの開口部に接合されるリッド6とからなる。   A second embodiment of the present invention will be described with an exploded perspective view of FIG. 6 and a plan view of FIG. In the present embodiment, the hermetic sealing performance is improved by a device on the lid side. The surface-mount type crystal resonator includes a ceramic package 4 having a recess with an upper opening, a rectangular crystal vibration plate 5 that is a piezoelectric vibration plate housed in the package, and a lid 6 that is bonded to the opening of the package. It consists of.

セラミックパッケージ4はアルミナ等のセラミックと導電材料を積層した構成であり、断面でみて凹形で、電子素子収納部40を有する構成である。電子素子収納部周囲の堤部41の上面は平坦であり、当該堤部上の全面に周状の第1の金属膜層41aが形成されている。当該第1の金属膜層41aの上面も平坦になるよう形成されており、タングステン、ニッケル、金の層構成を有している。タングステンはメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、またニッケル、金の各層はメッキ技術により形成される。   The ceramic package 4 has a configuration in which a ceramic such as alumina and a conductive material are laminated, and has a concave shape when viewed in cross section, and has an electronic element housing portion 40. The upper surface of the bank portion 41 around the electronic element housing portion is flat, and a circumferential first metal film layer 41a is formed on the entire surface of the bank portion. The upper surface of the first metal film layer 41a is also formed to be flat and has a layer structure of tungsten, nickel, and gold. Tungsten is integrally formed during ceramic firing by metallization technology, and nickel and gold layers are formed by plating technology.

セラミックパッケージ外周の4角には上下方向に伸長するキャスタレーションC1,C2,C3,C4が形成されている。当該キャスタレーションは円弧状の切り欠きが上下方向に形成された構成であり、前述のとおりウェハからの小割切断時に必要となる。   Castellations C1, C2, C3, C4 extending in the vertical direction are formed at the four corners of the outer periphery of the ceramic package. The castellation has a configuration in which arc-shaped cutouts are formed in the vertical direction, and is necessary when the wafer is cut into pieces as described above.

なお、第1の金属膜層41aはセラミックパッケージに形成されたビアホール(図示せず)あるいは前記キャスタレーション部分に形成された導電膜により、セラミックパッケージ下面(裏面)に形成された外部接続電極46(図示せず)に電気的に接続され、最終的にアース接続される。   The first metal film layer 41a is formed of an external connection electrode 46 (formed on the lower surface (back surface) of the ceramic package by a via hole (not shown) formed in the ceramic package or a conductive film formed in the castellation portion. (Not shown) and is finally connected to ground.

セラミックパッケージ4の内部底面には電極パッド42、43が形成されており、これら電極パッドは連結電極(図示せず)を介して、パッケージ外部の底面に形成された外部接続電極44,45(図示せず)にそれぞれ入出力端子として引き出されている。   Electrode pads 42 and 43 are formed on the inner bottom surface of the ceramic package 4, and these electrode pads are connected to external connection electrodes 44 and 45 (see FIG. 5) formed on the bottom surface outside the package via connection electrodes (not shown). (Not shown) are respectively drawn out as input / output terminals.

前記電極パッド42,43間には圧電振動板であるATカット水晶振動板5が搭載されている。ATカット水晶振動板5には、図示していないがその表裏に一対の励振電極が形成された構成であり、当該励振電極から引出電極が外周端部に引き出されている。当該引出電極は、前記セラミックパッケージの電極パッド42,43と、図示しない導電性接合材により導電接合されている。これによりATカット水晶振動板の長辺方向一端を片持ち保持される構成となっている。 Between the electrode pads 42 and 43, an AT-cut crystal diaphragm 5 which is a piezoelectric diaphragm is mounted. Although not shown in the figure, the AT-cut quartz crystal diaphragm 5 has a configuration in which a pair of excitation electrodes are formed on the front and back surfaces, and an extraction electrode is drawn from the excitation electrode to the outer peripheral end. The extraction electrode is conductively bonded to the electrode pads 42 and 43 of the ceramic package by a conductive bonding material (not shown). As a result, one end of the AT-cut quartz crystal plate in the long side direction is cantilevered.

セラミックパッケージ4を気密封止するリッド6は平面視矩形状の平板構成である。当該リッド6は、コバールからなるコア材61に第2の金属膜層62として金属ろう材が形成された構成であり、例えば、ニッケル層、コバールコア材、銀ろう層の多層構成であり第2の金属膜層である銀ろう層がセラミックパッケージの第1の金属膜層と接合される構成となる。当該リッド6の4つの角部はそれぞれ面取り部6aが形成されている。本実施の形態においては、面取り部6aは曲率を有する凹形の面取り構成であり、その大きさは図7に示すように、セラミックパッケージのキャスタレーションのサイズよりも大きなサイズに設定されている。より具体的にはリッドの外形サイズ自体はセラミックパッケージの平面視サイズとほぼ同様であるが、キャスタレーションの曲率部の曲率半径より、リッドの面取り部6aの曲率半径が大きく設定されている。   The lid 6 for hermetically sealing the ceramic package 4 has a flat plate configuration that is rectangular in plan view. The lid 6 has a configuration in which a metal brazing material is formed as a second metal film layer 62 on a core material 61 made of Kovar. For example, the lid 6 has a multilayer configuration of a nickel layer, a Kovar core material, and a silver brazing layer. The silver brazing layer as the metal film layer is joined to the first metal film layer of the ceramic package. A chamfer 6a is formed at each of the four corners of the lid 6. In the present embodiment, the chamfered portion 6a has a concave chamfered configuration having a curvature, and the size thereof is set larger than the size of the castellation of the ceramic package, as shown in FIG. More specifically, the outer size of the lid itself is substantially the same as the plan view size of the ceramic package, but the curvature radius of the chamfered portion 6a of the lid is set larger than the curvature radius of the curvature portion of the castellation.

セラミックパッケージ4の電子素子収納部40にATカット水晶振動板5を格納し、電極パッド42,43とATカット水晶振動板5の引出電極とを導電性樹脂接着剤(導電フィラーを添加した樹脂接着剤)により導電接合する。その後、真空雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中にて気密封止を行う。気密封止方法は、前述の電子ビーム等のエネルギービームであっても良いし、シーム溶接を用いた接合であっても良い。またリッドに形成された銀ろうに代えて、より融点の低いろう材を用い加熱炉等により加熱を行う雰囲気加熱方法であってもよい。   The AT-cut quartz diaphragm 5 is stored in the electronic element housing part 40 of the ceramic package 4, and the electrode pads 42 and 43 and the extraction electrode of the AT-cut quartz diaphragm 5 are bonded with a conductive resin adhesive (resin bonding with a conductive filler added). Conductive bonding with the agent). Thereafter, hermetic sealing is performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere. The hermetic sealing method may be an energy beam such as the aforementioned electron beam, or may be a joint using seam welding. Further, instead of the silver brazing formed on the lid, an atmospheric heating method in which a brazing material having a lower melting point is used and heating is performed by a heating furnace or the like may be used.

本実施の形態においては、セラミックパッケージは従前と同じように、堤部の外周端部まで金属膜層を形成した構成である。よって、ウェハからパッケージへの分離の際にキャスタレーション形成部分の金属膜層上に変形部が形成されることがあるが、この場合でも前述のリッドの面取り部6aが当該変形部を回避する。これによりリッドが部分的に浮き上がることを防ぎ、セラミックパッケージに形成された第1の金属膜層41aと、リッドに形成された第2の金属膜層62が密接し、気密封止における信頼性が向上する。   In the present embodiment, the ceramic package has a structure in which a metal film layer is formed up to the outer peripheral end portion of the bank portion as in the conventional case. Therefore, a deformed portion may be formed on the metal film layer in the castellation forming portion at the time of separation from the wafer into the package. Even in this case, the chamfered portion 6a of the lid avoids the deformed portion. As a result, the lid is prevented from partially floating, the first metal film layer 41a formed in the ceramic package and the second metal film layer 62 formed in the lid are in close contact, and reliability in hermetic sealing is improved. improves.

このような面取りを行ったリッドを第1の実施の形態に用いたセラミックパッケージ構成すなわち引き下がり部を有する構成に適用してもよい。図8は気密封止された電子部品用パッケージの平面図であるが、ここで用いるセラミックパッケージ1は第1の実施の形態に用いた構成と同様であり、各キャスタレーション形成部分の堤部上部に引き下がり部を形成している。またリッド62は第2の実施の形態に用いた構成と同様であり、各角部に面取り部62aを有している。リッドの外形サイズは、図8に示すように金属膜層の外形より小さな構成となっているが、一部キャスタレーション部分においては、引き下がり部にまではみ出した構成となっている。図8においても点線表示部がリッドの下方に位置する構成部分を示している。なお、リッドは金属膜層の外形と同様のサイズであってもよい。   The chamfered lid may be applied to the ceramic package configuration used in the first embodiment, that is, a configuration having a pull-down portion. FIG. 8 is a plan view of the hermetically sealed electronic component package. The ceramic package 1 used here is the same as the configuration used in the first embodiment, and the upper part of the bank portion of each castellation forming portion. A pull-down portion is formed. The lid 62 has the same configuration as that used in the second embodiment, and has chamfered portions 62a at each corner. As shown in FIG. 8, the outer size of the lid is smaller than the outer shape of the metal film layer. However, in the part of the castellation part, the lid protrudes to the lowered part. Also in FIG. 8, the dotted line display part shows the component located below the lid. The lid may be the same size as the outer shape of the metal film layer.

図9は他の例を示す平面図である。図9(a)はセラミックパッケージの平面図、図9(b)はリッドの平面図、図9(c)はセラミックパッケージをリッドで閉蓋した状態の平面図である。図9(a)に示すように、平面視矩形状のセラミックパッケージ7において、4つの角部にキャスタレーションC1,C2,C3,C4を設けるとともに、各長辺にそれぞれにキャスタレーションC5,C6が形成されている場合を示している。このうち角部のキャスタレーションについては、キャスタレーションC4についてのみ引き下がり部7aが形成され、キャスタレーションC5,C6についても引き下がり部7b、7bが形成されている。引き下がり部7aは平坦性確保のためと、セラミックパッケージの方向性の明示にも寄与する。   FIG. 9 is a plan view showing another example. 9A is a plan view of the ceramic package, FIG. 9B is a plan view of the lid, and FIG. 9C is a plan view of a state in which the ceramic package is closed with the lid. As shown in FIG. 9A, in a ceramic package 7 having a rectangular shape in plan view, castellations C1, C2, C3, and C4 are provided at four corners, and castellations C5 and C6 are provided on the long sides, respectively. The case where it is formed is shown. Among the castellations at the corners, the pull-down portions 7a are formed only for the castellations C4, and the pull-down portions 7b and 7b are also formed for the castellations C5 and C6. The pull-down portion 7a contributes to ensuring flatness and clearly indicating the directionality of the ceramic package.

図9(b)に示すように気密封止に用いるリッド8は平面視矩形状であり、前記キャスタレーションC4に対応する部分以外の角部はそれぞれ直線上の面取り部8aが形成されている。また角部82は面取り処理が施されていないが、引き下がり部7aに対応して配置されるので、気密封止性に悪影響を与えない。なお、キャスタレーションC5,C6についても引き下がり部7b、7bが形成されていることにより、金属膜層の平坦性を保つことができ、良好な気密封止に寄与する。 As shown in FIG. 9B, the lid 8 used for hermetic sealing has a rectangular shape in plan view, and a corner portion other than the portion corresponding to the castellation C4 is formed with a straight chamfered portion 8a. In addition, the corner portion 82 is not chamfered, but is disposed corresponding to the pull-down portion 7a, and thus does not adversely affect the hermetic sealing performance. The castellations C5 and C6 are also provided with the lowered portions 7b and 7b, so that the flatness of the metal film layer can be maintained and contributes to good hermetic sealing.

以上の各実施の形態において、リッドの面取りは一部のみに対して行ってもよい。またセラミックパッケージに引き下がり部を有する構成を形成する場合は、実施の形態に示した各構成と組み合わせてもよいし、また実施例に限定されない構成との組み合わせも可能である。   In each of the above embodiments, the chamfering of the lid may be performed on only a part. Moreover, when forming the structure which has a pull-down part in a ceramic package, you may combine with each structure shown in Embodiment, and the combination with the structure which is not limited to an Example is also possible.

なお、上記各実施形態の例示においては、音叉型水晶振動板やATカット水晶振動板を用いた表面実装型の水晶振動子を例示したが、水晶フィルタや、水晶振動板と他の電子素子をパッケージに格納した構成であってもよい。また圧電振動板も圧電セラミック振動板等、他の圧電材料を用いてもよく、他の電子部品素子に適用してもよく、上記実施形態の例示に限定されるものではない。   In the examples of the above embodiments, a surface mount type crystal resonator using a tuning fork type crystal diaphragm or an AT-cut crystal diaphragm is illustrated, but a crystal filter, a crystal diaphragm and other electronic elements are used. A configuration stored in a package may be used. In addition, the piezoelectric diaphragm may be made of other piezoelectric materials such as a piezoelectric ceramic diaphragm, and may be applied to other electronic component elements, and is not limited to the example of the above embodiment.

水晶振動子をはじめとする電子部品の量産に適用できる。   It can be applied to mass production of electronic parts including crystal units.

第1の実施形態による水晶発振器の開蓋状態の分解斜視図。The disassembled perspective view of the open state of the crystal oscillator by 1st Embodiment. 第1の実施形態による閉蓋した状態の平面図。The top view of the state which closed the lid by 1st Embodiment. 他の実施の形態を示す平面図。The top view which shows other embodiment. 他の実施の形態を示す平面図。The top view which shows other embodiment. 他の実施の形態を示す平面図。The top view which shows other embodiment. 第2の実施形態による水晶発振器の開蓋状態の分解斜視図。The disassembled perspective view of the open state of the crystal oscillator according to the second embodiment. 第2の実施形態による閉蓋した状態の平面図。The top view of the state closed by 2nd Embodiment. 他の実施の形態を示す図The figure which shows other embodiment. 他の実施の形態を示す図The figure which shows other embodiment. 従来例を説明する図A diagram for explaining a conventional example

符号の説明Explanation of symbols

1、4 セラミックパッケージ
1a 引き下がり部
11、41 堤部
12、42 電極パッド
13、43 電極パッド
2 音叉型水晶振動板
3、6 リッド
5 ATカット水晶振動板
1, 4 Ceramic package 1a Pull-down part 11, 41 Bank part
12, 42 Electrode pad
13, 43 Electrode pad
2 Tuning fork type crystal diaphragm 3, 6 Lid 5 AT cut crystal diaphragm

Claims (6)

電子部品素子収納部の周囲に堤部を有し、当該堤部上部に第1の金属膜層を有するパッケージと、前記第1の金属膜層と接合される第2の金属膜層を有し、前記パッケージを気密封止するリッドと、を具備する電子部品用パッケージであって、
前記堤部上に形成される第1の金属膜層は、堤部の外周端部より内側に形成されていることを特徴とする電子部品用パッケージ。
A package having a bank portion around the electronic component element housing section, a first metal film layer on the bank portion, and a second metal film layer bonded to the first metal film layer A lid for hermetically sealing the package, and an electronic component package comprising:
The electronic component package, wherein the first metal film layer formed on the bank portion is formed on an inner side than an outer peripheral end portion of the bank portion.
前記パッケージは平面視矩形形状で、外周の角部または/および辺部には凹形のキャスタレーションが形成された構成であり、当該キャスタレーション形成部分の堤部において前記第1の金属膜層が堤部の外周端部より内側に形成されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品用パッケージ。 The package has a rectangular shape in plan view, and has a configuration in which concave castellations are formed at corners and / or sides of the outer periphery, and the first metal film layer is formed on the bank portion of the castellation forming portion. The electronic component package according to claim 1, wherein the electronic component package is formed inside an outer peripheral end of the bank portion. 電子部品素子収納部の周囲に堤部を有し、当該堤部上部に第1の金属膜層を有する平面視矩形形状のパッケージと、前記第1の金属膜層と接合される第2の金属膜層を有し、前記パッケージを気密接合する平面視矩形形状のリッドとを具備する電子部品用パッケージであって、
前記リッドの角部は面取り部を有していることを特徴とする電子部品用パッケージ。
A package having a rectangular shape in plan view having a bank portion around the electronic component element housing section and having a first metal film layer on the bank portion, and a second metal joined to the first metal film layer A package for an electronic component having a film layer and a lid having a rectangular shape in plan view for hermetically bonding the package;
A package for an electronic component, wherein a corner portion of the lid has a chamfered portion.
角部に面取り部を有している平面視矩形形状のリッドにより、前記パッケージを気密接合したことを特徴とする請求項1または請求項2記載の電子部品用パッケージ。 3. The electronic component package according to claim 1, wherein the package is hermetically joined by a rectangular lid having a chamfered portion at a corner portion. 前記リッドとパッケージの気密接合がエネルギービーム接合あるいはシーム接合であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電子部品用パッケージ。 5. The electronic component package according to claim 1, wherein the lid and the package are hermetically bonded by energy beam bonding or seam bonding. 請求項1乃至5のいずれかに記載の電子部品用パッケージを用い、前記電子部品素子収納部に、少なくとも励振電極形成された圧電振動素子を収納したことを特徴とする圧電振動デバイス。
6. A piezoelectric vibration device using the electronic component package according to claim 1, wherein a piezoelectric vibration element having at least an excitation electrode is housed in the electronic component element housing portion.
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