JP2005106487A - 力学センサおよび電動ブレーキ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】
加重を広範囲に高精度に計測する力学センサおよびこれを用いた電動ブレーキ装置を提供すること。
【解決手段】
低加重を計測する為の低弾性の第一検出支持体と高加重を計測する為の高弾性の第二検出支持体から構成し、前記低弾性の第一検出支持体と高弾性の第二検出支持体は一端にて基台に一体固定し、前記低弾性の第一検出支持体の他端は加重を受ける受圧体に一体固定し、高弾性の第二検出支持体の他端は前記受圧体との間に前記低弾性の第一検出支持体の加重計測範囲の変位量に相当する隙間を設けて支持体の弾性変形に対応した信号を検出するように構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、加重を計測する力学センサに関する。

近年、油圧駆動式ブレーキ装置がもつ多くの問題を解決するため、各種の電動式ブレーキ装置が提案されている。この様な電動ブレーキ装置においては、モータの回転を直線運動に変換して直動部材（ピストン）に伝達し、該ピストンを推進してブレーキパッドをディスクロータに押圧して制動力を発生する構成となっている。

このような電動ブレーキ装置においては、制動力を如何に制御するかが重要な課題となり、特にブレーキパッドをディスクロータに押圧するピストンに加わる反力（押圧力）を広範囲に高精度に計測する力学センサが求められる。

また、電動ブレーキ装置においては、ブレーキペダルの操作状況を検出するセンサが必要となる。一般的に、ブレーキペダル特性は、前半はペダル踏力に比べてベダルストロークの増加量が多く後半は逆にペダルストロークに比べてペダル踏力の増加量が多い特性となっているため、この特性に見合った低踏力から高踏力領域までの踏力を広範囲に高精度に計測する力学センサが求められる。

この様な、従来の力学センサとしては、特許文献１に記載の加重センサがある。この従来の加重センサを図１４に従って説明する。

図１４は、従来の加重センサの断面を示したもので、基板３２上に環状の電極３４ａ，３４ｂがレジスト３６により被覆されて配設され、該電極３４ａ，３４ｂの中央部に一対の接点３３ａ，３３ｂからなるスイッチパターンが設けられている。

更に、該電極３４ａ，３４ｂの上方に該電極３４ａ，３４ｂに対峙して可動接点３１が設けられ、該可動接点３１はラバートップ３０の下部に固着されると共に、その下面は平面に形成されている。又、該ラバートップ３０の下部周縁部には可撓脚３５が下方斜め方向に延設して設けられている。そして、前記ラバートップ３０の上部に加重がかかると、前記可撓脚３５が屈曲することにより前記可動接点３１が前記スイッチパターンの接点
３３ａ，３３ｂに接触して該接点３３ａ，３３ｂを導通させる。

更に、前記ラバートップ３０に加重がかかると、可動接点３１の下面が前記レジスト
３６を介して前記電極３４ａ,３４ｂに圧接され、該可動接点３１と該電極３４ａ,３４ｂ間の静電容量が変化する。そして、該静電容量の変化によって前記ラバートップ３０に加わる加重量を検知する。

しかし、この様に構成された従来の力学センサでは、可動接点３１が前記スイッチパターンの接点３３ａ，３３ｂに接触して該接点３３ａ，３３ｂを導通する時の導通信号が得られるのみであり、可動接点３１が前記スイッチパターンの接点３３ａ，３３ｂに接触するまでのラバートップ３０に加わる加重を検出することが不可能であり、低加重の計測が出来ない。

また、前記可動接点３１の下面がわずかに傾斜して前記電極３３ａ，３３ｂに接触する場合には、接触バラツキにより時間差が生じて反応が鈍くなる等の課題がある。

特開平２００２−３７３５４８号公報

上記の様に、従来の力学センサでは、低加重の計測が不可能であり、接触バラツキにより時間差が生じて反応が鈍くなる等の課題がある。

従って、本発明の目的は、従来技術の課題を解決した加重を広範囲に高精度に計測する力学センサおよびこれを用いた電動ブレーキ装置を提供することにある。

上記目的は、低加重を計測する為の低弾性の第一検出支持体と高加重を計測する為の高弾性の第二検出支持体からなり、前記低弾性の第一検出支持体と高弾性の第二検出支持体は一端にて基台に一体固定し、前記低弾性の第一検出支持体の他端は加重を受ける受圧体に一体固定し、高弾性の第二検出支持体の他端は前記受圧体との間に前記低弾性の第一検出支持体の加重計測範囲の変位量に相当する隙間を設けたことにより、低加重は前記第一検出支持体から、高加重は第二検出支持体の弾性変形に対応した検出信号から加重を検出することによって達成される。

広範囲に加重を高精度に検出する力学センサおよびこのセンサを用いた電動ブレーキ装置を実現することが出来る。

以下、本発明による力学センサについて、図示の実施の形態により詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態における力学センサの動作原理を説明するための側面図であり、（ａ）は力学センサへ加わる加重６（Ｆ）がゼロの場合、（ｂ）は加重（Ｆ）が低加重Ｆ＝Ｆ１の場合、（ｃ）は加重（Ｆ）が高加重Ｆ＝Ｆ２の場合を示したものである。

図において、２が低加重を計測する為の低弾性の第一検出支持体、３が高加重を計測する為の高弾性の第二検出支持体、５が第一検出支持体２と第二検出支持体３の一端を一体固定するための基台、４が加重を受ける受圧体、Ｌ１が第二検出支持体３と受圧体４との間に設けられた第一検出支持体２の加重計測範囲の変位量に相当する隙間である。

ここで、低弾性の第一検出支持体２の他端は加重を受ける受圧体４に接続面４ａにて一体固定されており、基台５および受圧体４は加重により変形しない剛体からなる。低弾性の第一検出支持体２および高弾性の第二検出支持体３は、弾性率の異なる材料から構成されており、低弾性の第一検出支持体２が低加重により変位しやすくなっている。

この様に構成された本発明の力学センサでは、受圧体４に低加重Ｆが加わると、まず低弾性の第一検出支持体２が圧縮加重を受けて変形し始める。低加重の最大値Ｆ＝Ｆ１に至ると、図１（ｂ）に示す様に、低弾性の第一検出支持体２が隙間Ｌ１分だけ変位して受圧体４の下面４ｂと高弾性の第二検出支持体３とが接触する。

更に、受圧体４に高加重Ｆが加わると、今度は高弾性の第二検出支持体３が圧縮加重を主に受けて変形する。高加重Ｆがその最大値Ｆ＝Ｆ２に到達すると、図１（ｃ）に示す様に、高弾性の第二検出支持体３がＬ２だけ変形し、その結果、低弾性の第一検出支持体２が（Ｌ１＋Ｌ２）だけ変形する。

図２に、上記の低弾性の第一検出支持体２と高弾性の第二検出支持体３の変位量（Ｌ）と加重（Ｆ）の関係を示した。図にて、特性７が低弾性の第一検出支持体２に対応し、特性８が高弾性の第二検出支持体３に対応している。図に示した様に、低弾性の第一検出支持体２は加重がゼロからＦ１において変位量がゼロからＬ１に直線（比例）的に変化し、加重が高加重のＦ１からＦ２の領域になると第二検出支持体３の高弾性が支配的になる為に変位しにくくなり直線の傾きが小さくなる。高弾性の第二検出支持体３は、加重がゼロからＦ１において変位量がゼロで、高加重のＦ１からＦ２の領域にてＬ２だけ直線的に変位する。

この低弾性の第一検出支持体２および高弾性の第二検出支持体３の変位量Ｌを検出することにより、加重Ｆの値が図２の関係から求められる。低弾性の第一検出支持体２の変位量Ｌ＝０〜（Ｌ１＋Ｌ２）から低加重および高加重の全加重領域Ｆ＝０〜Ｆ２を求めても良いし、一方、低加重Ｆ＝０〜Ｆ１の範囲は低弾性の第一検出支持体２の変位量Ｌ＝０〜Ｌ１から、また高加重Ｆ＝Ｆ１〜Ｆ２の範囲は高弾性の第二検出支持体３の変位量Ｌ＝０〜Ｌ２から求めることも可能である。

変位量Ｌの検出手段としては、種々の手段が適用できる。図示していないが、受圧体４の一基準面にレーザ等を照射してその反射情報から位置（変位量Ｌ）を検出してもよいし、受圧体４の一基準面を電極としこれに対向する基準電極を付設して両電極間の静電容量から変位量Ｌを検出してもよい。また、第一および第二検出支持体２，３に歪ゲージ等を付設して、歪から変位量Ｌを検出することも可能である。更に、第一および第二検出支持体２，３を、導電性を持ちながらゴムのように伸び縮みをする超弾性カーボン材料（微細なカーボンマイクロコイルの集合体）とし、材料組成を調整して低弾性の第一検出支持体２と高弾性の第二検出支持体３として、その抵抗値の変化から変位量Ｌを検出することも可能である。その他、複合セラミック系材料等を用いたり、種々の機械変位（応力）量を電気的変化量に変換できる様な材料であれば、いずれの材料でも適用可能である。

図３には、本発明の第二の実施形態における力学センサの側面図を示した。第一の実施形態では、低弾性の第一検出支持体２および高弾性の第二検出支持体３は、弾性率の異なる材料から構成されていたが、第二の実施形態では、低弾性バネ２ａおよび高弾性バネ
３ａにより実現している。この様に構成しても、第一の実施形態と同様の効果が実現できる。

また、図４には、本発明の第三の実施形態における力学センサの側面図を示した。第三の実施形態では、第一検出支持体２ｂと第二検出支持体３ｂは同一の材料で構成されているが、その断面積を変えることによって、低弾性の第一検出支持体２ｂおよび高弾性の第二検出支持体３ｂを実現している。低弾性の第一検出支持体２ｂの断面積を高弾性の第二検出支持体３ｂの断面積より小さく構成することにより、第一の実施形態と同様の効果が実現できる。この実施形態では、第一検出支持体２ｂと第二検出支持体３ｂを弾性率の異なる材料を用いる必要がなくなることから、コスト面での効果が特に得られる。

図５には、本発明の第四の実施形態における力学センサの側面図を示した。第四の実施形態では、低弾性の第一検出支持体２ｃおよび高弾性の第二検出支持体３ｃを中央部が薄肉化した板状部材とし、上記板状部材２ｃ，３ｃの中央部表面に薄膜歪ゲージ９ａ，９ｂをそれぞれ形成している。低弾性の第一検出支持体２ｃの薄肉化した中央部の板厚を、高弾性の第二検出支持体３ｃの薄肉化した中央部の板厚より薄くして弾性を変える構成である。この様に構成することでも、第一の実施形態と同様の効果が実現できる。以下、第四の実施形態における力学センサの詳細について説明する。

低弾性の第一検出支持体２ｃの拡大した側面図を図６に、平面図を図８に、また、高弾性の第二検出支持体３ｃの拡大した側面図を図７に、平面図を図９にそれぞれ示した。

板状部材２ｃ，３ｃは、例えば鋼板を略長方形に打ち抜くことにより形成される。板状部材２ｃ，３ｃの表面にはシリコン酸化物等の絶縁膜の被着による絶縁領域が形成される。板状部材２ｃ，３ｃは望ましくはステンレス鋼板で作られ、より望ましくはマルテンサイト系の析出硬化形ステンレス鋼を用いることで低温側での温度特性が向上する。

また、板状部材２ｃ，３ｃは中央部にて薄肉化されるが、加重が加わることによる圧縮力により座屈を生じないような形状に形成される。

薄膜歪ゲージ９ａ，９ｂは多結晶シリコン半導体であって、板状部材２ｃ，３ｃの中央部の薄肉化された表面に設けられる。この表面は、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁領域が形成され、その上に薄膜歪ゲージ９ａ，９ｂが形成される。

薄膜歪ゲージ９ａ，９ｂは、図８，図９に示すように、半導体薄膜からなる四本の抵抗体１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄをそれぞれブリッジ接続し、これら抵抗体１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，
１４ｄそれぞれの接続箇所のうち一方の対角線上の二つの接続箇所間に電圧を印加することで他方の対角線上の二つの接続箇所間に発生する電位差が、２ｃ，３ｃに作用する圧縮力又は引張力の大きさに応じて変化するように構成される。

それぞれの四本の抵抗体１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、等しい長さ及び幅で細長く形成され、正方形を呈するように端部同士がつながれている。また、それぞれ四つの抵抗体１２ａ，１２ｂ，１２ｃ,１２ｄと１４ａ,１４ｂ，１４ｃ，１４ｄのうち二つの抵抗体１２ｃ，１２ｄと１４ｃ，１４ｄが板状部材２ｃ，３ｃの長手方向に間隔を置いて対向すると共に、他の二つの抵抗体１２ａ，１２ｂと14ａ，１４ｂが幅方向に間隔を置いて対向するように配置されている。

また、板状部材２ｃ，３ｃには薄膜歪ゲージ９ａ，９ｂと同一半導体薄膜からなる周囲温度を計測する為の温度センサ（抵抗体）１１ａ，１１ｂが形成され、各抵抗体の接続部には信号を取り出す為の電極１３が金（Ａｕ）等の薄膜で形成される。

次に、図１０の回路図により動作を説明する。

図にて、抵抗体１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄはそれぞれブリッジ回路を構成し、基準電圧Ｖｃが印加されている。温度センサ（抵抗体）１１ａは、固定抵抗１５に直列接続され同じく基準電圧Ｖｃが印加される。各ブリッジ回路の接続端子の電位および温度センサ（抵抗体）１１ａと固定抵抗１５の接続端子の電位は、１６に示された制御回路に入力される。制御回路１６は、入力回路，演算処理を行うＣＰＵ，メモリおよび出力回路が内蔵されている。

この様に構成された第四の実施形態における力学センサでは、低加重が印加されると低弾性の第一検出支持体２ｃが図６に示す様に変形する。この時、薄膜歪ゲージ９ａには応力が作用し、図８に示す様に、板状部材２ｃの長手方向に形成された抵抗体１２ａ，12ｂには抵抗パターンの幅方向に、一方、板状部材２ｃの幅方向に形成された抵抗体１２ｃ，１２ｄには抵抗パターンの長手方向にそれぞれ応力が加わる。抵抗体１２ａ，１２ｂと抵抗体１２ｃ，１２ｄには抵抗パターンに対して異なる方向に応力が作用することから、各抵抗体１２ａ，１２ｂと１２ｃ，１２ｄの抵抗値はそれぞれ逆に増減する。

各抵抗体１２ａ，１２ｂと１２ｃ，１２ｄの抵抗値はそれぞれ逆に増減すると、図１０の抵抗体１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄで構成されたブリッジ回路の２つの接続端子間の電位に差が発生する。発生した電位差は、制御回路１６に入力されて所定の演算処理をした後に出力信号Ｖとして出力される。この時の出力信号Ｖは、図１１に示された１７の特性となる。

更に、高加重が印加されると、高弾性の第二検出支持体３ｃが図７に示す様に変形する。この時、薄膜歪ゲージ９ｂには上記の低加重の場合と同様に応力が作用して、結果として、各抵抗体１４ａ，１４ｂと１４ｃ，１４ｄの抵抗値はそれぞれ逆に増減する。同様に、図１０の抵抗体１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄで構成されたブリッジ回路の２つの接続端子間に発生した電位差は、制御回路１６に入力されて所定の演算処理をした後に出力信号Ｖとして出力される。この時の出力信号Ｖは、図１１に示された１８の特性となる。

制御回路１６からの出力信号Ｖとしては、図１１に示す様に、低加重出力１７と高加重出力１８をそれぞれ別の２系統で出力する。一方、図１２に示す様に、高加重出力１８に制御回路１６内にて所定の演算処理をすることにより、低加重出力と高加重出力を連続させて１９の様に１系統出力とすることも可能である。

図１０に示した温度センサ（抵抗体）１１ａは、固定抵抗１５に直列接続されており、周囲温度を検出する。一般に、半導体薄膜からなる薄膜歪ゲージは温度特性が大きく周囲温度影響を大きく受けるので、周囲温度を検出することにより薄膜歪ゲージの出力を補正する。

周囲温度が変わると、温度センサ（抵抗体）１１ａの抵抗値が変化するが固定抵抗１５は抵抗温度係数がほぼゼロなので、温度センサ（抵抗体）１１ａと固定抵抗１５の接続端子の電位が変わる。この電位を制御回路１６に入力し、予めメモリに記憶しておいた周囲温度と電位との関係を参照して演算処理することにより周囲温度が求められる。

更に、得られた周囲温度から、予めメモリに記憶しておいた周囲温度と薄膜歪ゲージの出力との関係を参照して演算処理することにより、薄膜歪ゲージの出力を温度補正し、周囲温度に影響されない高精度の出力信号が得られる。

また、上記により得られた周囲温度を薄膜歪ゲージの信号とともに出力することも可能である。

次に、上記の様に得られた力学センサを電動ブレーキ装置に適用した実施例を、図１３を用いて説明する。

図において、電動ブレーキ装置は、車輪（図示省略）とともに回転するブレーキロータ（以下ロータという）２７と、車体（図示省略）側に支持するブレーキパッド（以下パッドという）２８と、パッド２８をロータ２７に押圧し、ロータ２７から離隔させる電動手段２４とを有する。パッド２８はロータ２７を両側から押圧し、この時の押圧力を本発明の力学センサからなる押圧センサ１ａにより検出する。電動手段２４は、電動キャリパ
２５内部に装着固定され、モータの回転軸設けるボールネジ２６により回転方向をピストンの直進方向に変換する。

電動ブレーキ装置の非作動時に、一対のパッド２８はロータ２７との間に所定のクリアランス２９をもたせて位置させる。

電動ブレーキ装置の稼働時に、電動手段２４のモータを作動させ、回転運動を直線運動に変換するボールネジ２６を回転（正回転）させ、ロータ２７の内面に対しパッド２８を押圧し、制動力を発生させる。制動解除は、ボールネジ２６を逆回転させ、逆の移動でパッド２８をロータ２７から離隔させる。

電動ブレーキ装置は、ブレーキペダル２０に連結するブレーキ指令値発生手段２１を有し、ブレーキ指令値発生手段２１は運転者のブレーキペダル２０の操作量として踏力を検出する踏力センサ１ｂとして本発明の力学センサを用いる。

踏力センサ１ｂは、ブレーキ操作量に応じたブレーキ指令値を定め、この指令値を信号としてブレーキ制御手段２２に伝送する。ブレーキ制御手段２２は、ブレーキ指令値と電動手段２４の作動状態が所定の関係となるように電源部２３を制御し、電源部２３からの出力電力を電動手段２４に供給しモータを回転駆動する。

ブレーキ制御手段２２は、パッド２８が押圧され、ロータ２７に対し接触し始める時の押圧センサ１ａの微小な低加重出力から接触状態を検出するとともに、ブレーキ操作により踏力センサ１ｂ出力が高制動力のブレーキ指令値となった場合には、ブレーキ指令値と押圧センサ１ａの検出値（高加重）とが一致するように電源部２３の出力を制御して制動力を制御する。

運転者がブレーキペダル２０の踏込みを実施していない車両の非制動時には、押圧センサ１ａの出力からパッド２８とロータ２７とが接触状態を検出し、パッド２８とロータ
２７との間に所定のクリアランス２９を確保する為に、所定量離隔させる向きに電動手段２４を駆動する。

この様に構成した電動ブレーキ装置では、ブレーキ操作を検出するための踏力センサ
１ｂに本発明の力学センサを用いたことにより、前半はペダル踏力に比べてベダルストロークの増加量が多く後半は逆にペダルストロークに比べてペダル踏力の増加量が多いブレーキペダル特性に合致し、この特性に見合った低踏力から高踏力領域までの踏力を広範囲に高精度に計測することが可能となる。

また、パッド２８とロータ２７間の押圧力を検出する押圧センサ１ａに本発明の力学センサを用いたことにより、パッド２８とロータ２７間の接触状態の検出とともに、ブレーキ操作による高制動力時の高押圧力の検出も出来ることから、高精度のブレーキ制動の制御が可能となる。特に、長期間の使用によりパッド２８が磨耗した場合でも、パッド２８とロータ２７間の接触状態の検出が出来ることから、パッド２８とロータ２７との間に正確なクリアランス２９を確保することが出来る。

本発明による力学センサの一実施形態における原理動作を説明する側面図である。 本発明による力学センサの特性を示した図である。 本発明による力学センサの第二の実施形態の側面図である。 本発明による力学センサの第三の実施形態の側面図である。 本発明による力学センサの第四の実施形態の側面図である。 本発明による力学センサの第一検出支持体の側面図である。 本発明による力学センサの第二検出支持体の側面図である。 本発明による力学センサの第一検出支持体の平面図である。 本発明による力学センサの第二検出支持体の平面図である。 本発明による力学センサの回路図である。 本発明による力学センサの特性を示した図である。 本発明による力学センサの特性を示した図である。 本発明による力学センサを用いた電動ブレーキ装置の説明図。 従来例の力学センサの断面図である。

符号の説明

１…本発明の力学センサ、２…低弾性の第一検出支持体、３…高弾性の第二検出支持体、４…受圧体、５…基台、６…加重、９ａ，９ｂ…薄膜歪ゲージ。

Claims (8)

1. 低加重を計測する為の低弾性の第一検出支持体と高加重を計測する為の高弾性の第二検出支持体からなり、前記低弾性の第一検出支持体と高弾性の第二検出支持体は一端にて基台に一体固定されており、前記低弾性の第一検出支持体の他端は加重を受ける受圧体に一体固定され、高弾性の第二検出支持体の他端は前記受圧体との間に前記低弾性の第一検出支持体の加重計測範囲の変位量に相当する隙間を設け、前記第一および第二検出支持体の弾性変形に対応した検出信号から加重を検出することを特徴とする力学センサ。
2. 請求項１記載の力学センサにおいて、前記第一および第二検出支持体は中央部付近に薄膜歪ゲージ素子が形成された板状部材からなり、第一検出支持体の板状部材中央部の断面積が第二検出支持体中央部の板状部材の断面積よりも小さく構成され、前記薄膜歪ゲージ素子による前記第一および第二検出支持体の弾性変形に対応した検出信号から加重を検出することを特徴とする力学センサ。
3. 請求項１または２に記載の力学センサにおいて、前記第一および第二検出支持体は中央部付近に薄膜歪ゲージ素子が形成された板状部材からなり、第一検出支持体板状部材の中央部の板厚が第二検出支持体中央部の板状部材の板厚よりも薄く構成され、前記薄膜歪ゲージ素子による前記第一および第二検出支持体の弾性変形に対応した検出信号から加重を検出することを特徴とする力学センサ。
4. 請求項１から３のいずれか記載の力学センサにおいて、上記薄膜歪ゲージ素子は、上記板状部材の表面に形成された絶縁領域上で導電性材料からなる四本の抵抗体をブリッジ接続し、これら抵抗体どうしの接続箇所のうち一方の対角線上の二つの接続箇所間に電圧を印加することで他方の対角線上の二つの接続箇所間に発生する電位差が上記板状部材に作用する圧縮力又は引張力に応じて変化するように構成されており、上記四つの抵抗体のうち二つの抵抗体が上記板状部材の長手方向に間隔を置いて対向すると共に、他の二つの抵抗体が幅方向に間隔を置いて対向するように上記絶縁領域上に配置されていることを特徴とする力学センサ。
5. 請求項４に記載の力学センサにおいて、上記導電性材料は、半導体薄膜により抵抗体として形成されたことを特徴とする力学センサ。
6. 請求項１から５のいずれか記載の力学センサにおいて、上記薄膜歪ゲージ素子と同一の半導体薄膜により、上記板状部材の表面の一部に周囲温度を計測する為の温度センサを形成するとともに、前記温度センサの出力により上記薄膜歪ゲージ素子の出力信号の温度特性を補正する為の補正回路を内蔵するように構成したことを特徴とする力学センサ。
7. 請求項１から６のいずれか記載の力学センサを用いて、ブレーキパッドをディスクロータに押圧するピストンに加わる反力（押圧力）を計測して制動力を制御することを特徴とする電動ブレーキ装置。
8. 請求項１から６のいずれか記載の力学センサを用いて、ブレーキペダルの踏力およびブレーキパッドをディスクロータに押圧するピストンに加わる反力（押圧力）を計測するとともに、計測したブレーキペダルの踏力に基づいてブレーキ制動力を制御することを特徴とする電動ブレーキ装置。

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