JP2005011324A - データ処理装置を使用する場合のフレキシビリティの改善 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】データ処理装置は、データを処理する複数の論理素子と、論理素子の間でデータを転送し、各接続を論理素子で分離する1つ以上の部分経路を含む複数の接続と、1つ以上の接続内の部分経路の数を変更可能にするため、セットアップ情報に基づいて選択可能各記憶素子とそれに付随する迂回経路の選択を制御するコントローラとを含む。記憶素子は迂回経路が付随する選択可能記憶素子であり、コントローラはセットアップ情報に基づき、どの選択可能記憶素子を使用または迂回すべきかを決定し、セットアップ情報と、該情報を作る際検討した動作条件とそれに影響を与える他の態様とにより、生産後の装置の中で接続の構成変更が可能になる。
【選択図】図11
Description
1.マスタまたはスレーブ構成要素の設計が、入力経路または出力経路で組み合わせ論理を含んでいる場合。
2.マスタ・デバイスまたはスレーブ・デバイスが、バスの他の構成要素から遠い距離に物理的に配置されている場合。
3.マスタ・デバイスまたはスレーブ・デバイスが異なる電力領域で動作中であり、デバイスとシステムの残り部分との間に電圧レベル・シフターが必要な場合。
4.マスタ・デバイスまたはスレーブ・デバイスが、出力デバイスの能力が固定された「ハードウエア化された」構成要素として供給される場合。
5.マスタまたはスレーブ構成要素が、クロックツリーの異なる分岐に配置され、クロック配分のアンバランスが、その構成要素の出力された有効時間または入力されたセットアップ時間(the output valid or input setup time of that component)を効率的に増加している場合。
1.システムが所定のクロック速度で動作することが必要であるが、(たとえば、完全な供給電圧を必要とするいくつかの構成要素が、現在電力消費量が下げられているため)電圧を下げることが所望される場合、パイプラインの深さを動的に大きくすると、プロセッサは、低下した電圧と同じクロック速度で動作できるようになる。
2.システムが一定の電圧で動作しているが、(たとえば、システムの現在の性能の要求条件が低くされているため)クロック周波数を下げることが可能になると、各サイクルで利用できる時間が増えるので、パイプラインの深さを動的に小さくすることが可能になり、したがってCPIを少なくしてシステムのエネルギ消費を改善する。
10、12、14 レジスタ・スライス記憶素子
835、845、855、865、875、885、895、1000、1010、1020、1030、1040 選択可能レジスタ・スライス
20、1005、1015、1025、1035 論理素子
810 迂回経路
22 レジスタ
205、215、225、235、245、255、265 レジスタ・スライスの潜在的設置場所
16、260、720、820、850 マルチプレクサ
825 コントローラ
13、15 経路
35、70 アドレス経路
45、80 データ経路
17 制御経路
100 シリコンオンチップ設計
30、120、130、140、200、210、700、710、830、840 マスタ・デバイス
40、160、170、180、220、230、240、250、730、740、750、760、860、870、880、890 スレーブ・デバイス
125、135、145、165、175、185 マスタ、スレーブ間のバス
150 相互接続ブロック
15 バス相互接続ブロック
2000 コンピュータ
2020 CPU
2040 RAM
2060 ROM
2080 HDD
2100 ディスプレイドライバ
2120 ディスプレイ
2140 ユーザ用入出力ユニット
2160 キーボード
2180 マウス
2200 ネットワークインタフェース
2200 共通バス
Claims (19)
- データを処理する複数の論理素子と、
データを一時的に格納する複数の記憶素子と、
各接続が前記記憶素子によって分離された1つまたは複数の部分経路を含み、各部分経路がデータによって1クロックサイクルで横断可能であるように前記記憶素子が配置された複数の接続であって、該複数の接続を介して前記論理素子の間でデータが転送される複数の接続と、
迂回経路が付随する選択可能な記憶素子であるいくつかの前記記憶素子と、
1つまたは複数の前記接続の中の前記部分経路の数の変化を可能にして、前記選択可能な記憶素子を迂回することによって生じる修正された部分経路が、前記データによって1クロックサイクルで横断可能な場合に迂回経路が選択可能であるために、動作速度の表示から取り出されたセットアップ情報に基づいて、各選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路を制御するコントローラと、
を含むデータ処理装置。 - 請求項1に記載の装置において、前記コントローラは、前記装置が初期化されるとき、各選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路の選択を制御するように動作可能であり、前記選択は所定のセットアップ情報にしたがって実行される前記装置。
- 請求項1に記載の装置であって、各動作条件が該動作条件に付随して対応するセットアップ情報を有する、複数の異なる動作条件を有する前記装置において、前記コントローラは、前記動作条件が現在の条件から新しい条件に変化するたびに、新しい条件に適用可能な対応する所定のセットアップ情報にしたがって、各選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路の前記選択を制御するように動作可能である前記装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記コントローラは、前記装置が初期化されるとき、各選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路の選択を制御するように動作可能であり、前記選択は、テスト手続きを実行することによって取得されたセットアップ情報にしたがって実行され、テスト手続きの実行中に、前記選択可能な記憶素子の1つまたは複数の選択構成に対するいくつかの前記接続を介してテストデータが転送される前記装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記装置は、前記動作条件が現在の条件から新しい条件に変化するたびに、複数の異なる動作条件を有し、前記コントローラは、前記テスト手続きを実行することによって取得されたセットアップ情報にしたがって、各選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路の前記選択を制御するように動作可能であり、テスト手続きの実行中に、前記選択可能な記憶素子の1つまたは複数の選択構成に対するいくつかの前記接続を介してテストデータが転送され、前記テスト手続きは前記新しい条件に依存する前記装置。
- 請求項5に記載の装置において、前記テスト手続きは、前記装置の前記動作環境の結果として発生することがある何らかのタイミング変動の余裕をみておくように選ばれる前記装置。
- 請求項3に記載の装置において、前記各種動作条件は、各種クロック周波数または各種供給電圧を採用する前記装置。
- 請求項1に記載の装置において、各選択可能な記憶素子は、該素子に関連するマルチプレクサを有し、前記マルチプレクサは、前記選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路のいずれかの選択を制御する前記コントローラによって制御される前記装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記複数の接続、前記複数の記憶素子および前記コントローラは、前記論理素子の間でデータを経路指定するように動作可能な相互接続ブロックの中に用意される前記装置。
- 請求項1に記載の装置であって、パイプライン型データ処理装置である前記装置において、前記コントローラは、前記パイプライン型データ処理装置のパイプライン・ステージの数を変更するため、セットアップ情報に基づいて各選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路の前記選択を制御することができる前記装置。
- 請求項1に記載の装置において、前記選択可能な記憶素子は、関連する部分経路を介して受信された信号のグループを格納するように動作可能なレジスタ・スライスである前記装置。
- データを処理する複数の論理素子と、データを一時的に格納する複数の記憶素子と、各接続が前記記憶素子によって分離される1つまたは複数の部分経路とを含み、各部分経路が前記データによって1クロックサイクルで横断可能であるように前記記憶素子が配置された複数の接続であって、該複数の接続を介して前記論理素子の間でデータが転送される複数の接続とを含むデータ処理装置を構成する方法であって、
(a)いくつかの前記記憶素子を、迂回経路が付随する選択可能な記憶素子であるように配置するステップと、
(b)1つまたは複数の前記接続の中の前記部分経路の数の変化を可能にして、前記選択可能な記憶素子を迂回することによって生じる修正された部分経路が、前記データによって1クロックサイクルで横断可能な場合に迂回経路が選択可能であるために、動作速度の表示から取り出されたセットアップ情報に基づいて、各選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路を制御するステップと、
を含む方法。 - 請求項12に記載の方法において、前記ステップ(b)は、前記装置が初期化されるとき実行され、前記選択は所定のセットアップ情報にしたがって実行される前記方法。
- 請求項12に記載の方法において、前記装置は、各動作条件が、該動作条件に関連して対応する所定のセットアップ情報を有する複数の異なる動作条件を有し、前記ステップ(b)は、前記動作条件が現在の条件から新しい条件に変わることになるたびに実行され、各選択可能な記憶素子または該素子に付随する迂回経路の前記選択は、前記新しい条件に適用可能な対応する所定のセットアップ情報にしたがって実行される前記方法。
- 請求項12に記載の方法において、前記ステップ(b)は、前記装置が初期化されるときに実行され、
前記ステップ(b)で使用される前記セットアップ情報を取得するために、テスト手続き中に前記選択可能な記憶素子の1つまたは複数の選択構成に対するいくつかの前記接続を介してテストデータが転送される前記テスト手続きを実行することを含む前記方法。 - 請求項12に記載の方法において、前記装置は複数の異なる動作条件を有し、前記ステップ(b)は、前記動作条件が現在の条件から新しい条件に変わることになるたびに実行される方法であって、
前記ステップ(b)で使用される前記セットアップ情報を取得するために、前記選択可能な記憶素子の1つまたは複数の選択構成に対するいくつかの前記接続を介してテストデータが転送される前記テスト手続きを実行し、前記テスト手続きは、前記新しい条件に依存するステップと、
を含む前記前記方法。 - 請求項16に記載の方法において、前記テスト手続きは、前記装置の前記動作環境の結果として発生することがある何らかのタイミング変動の余裕をみておくように選ばれる前記方法。
- 請求項14に記載の方法において、前記各種動作条件は、各種クロック周波数または各種供給電圧を採用する前記方法。
- 請求項12に記載の方法において、前記選択可能な記憶素子は、関連する部分経路を介して受信された信号のグループを格納するように動作可能なレジスタ・スライスである前記方法。
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