JP2004356710A

JP2004356710A - High-frequency oscillator

Info

Publication number: JP2004356710A
Application number: JP2003148987A
Authority: JP
Inventors: Masaomi Tsuru; 正臣津留; Kenichi Tajima; 賢一田島; Hiroshi Ikematsu; 寛池松; Sunao Takagi; 直高木; Norio Takeuchi; 紀雄竹内
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2003-05-27
Filing date: 2003-05-27
Publication date: 2004-12-16
Anticipated expiration: 2023-05-27
Also published as: JP4549637B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency oscillator capable of suppressing unwanted oscillation. <P>SOLUTION: The oscillator is provided with a resonance circuit 1 for deciding an oscillation frequency, an active circuit 2 consisting of a field-effect transistor (FET) 21 connected to the resonance circuit and a reflection circuit 22 connected to the FET 21 to reflect a part of oscillation power to the FET side, and an output terminal 3 connected to the reflection circuit 22 to take the oscillation power. The reflection circuit 22 is composed of two reflection stubs 23a, 23b. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波などの高周波発振器に関し、特に不要な発振周波数を抑制した高周波発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波発振器は、ゲートに誘電体共振器４が、またドレインにマイクロストリップライン５、６がそれぞれ接続されると共に、ソースが負荷抵抗器７を介して接地されてマイクロ波帯発振回路を構成するＦＥＴ１のソースに、マイクロストリップラインによるオープンスタブ１１を設け、このオープンスタブ１１の面積を変えることにより、ＦＥＴ１のゲート・ソース間容量を変えて発振回路の帰還量を調整する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平６−３１８８１９号公報（第１頁、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような従来の高周波発振器では、反射回路となる帰還調整用のオープンスタブ（反射スタブ）の線路長が所望周波数のλ／４より多少短い程度のため、所望周波数より高い周波数で共振点をもっている。このとき、反射スタブの共振周波数で大きな反射が生じ、反射利得をもつことになる。そのため、ループ利得をもち、不要発振を起こす可能性があるという問題点があった。
【０００５】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、不要発振を抑制することができる高周波発振器を得るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る高周波発振器は、発振周波数を決定するための共振回路と、前記共振回路に接続された能動素子及びこの能動素子に接続され発振電力の一部を前記能動素子側に反射させるための反射回路から構成された能動回路と、前記反射回路に接続され発振電力を取り出すための出力端子とを設け、前記反射回路は、複数の反射スタブから構成されている。
【０００７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
この発明の実施の形態１に係る高周波発振器について図面を参照しながら説明する。図１は、この発明の実施の形態１に係る高周波発振器の構成を示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【０００８】
図１において、本高周波発振器は、発振周波数を決定するための共振回路１と、能動回路２と、発振電力を取り出すための出力端子３とを備える。能動回路２は、電力を増幅するための電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（能動素子）２１と、反射回路２２とから構成されている。また、反射回路２２は、反射スタブ２３ａ、及び２３ｂから構成されている。
【０００９】
つぎに、この実施の形態１に係る高周波発振器の動作について図面を参照しながら説明する。図２は、この発明の実施の形態１に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【００１０】
本高周波発振器において、共振回路１と能動回路２とによる閉ループで、ループの利得が得られ、かつループの位相が同相で重ね合わされる周波数で、電力を増幅して発振動作を行う。
【００１１】
発振条件式は、次式となる。式（１）は、ループの利得が得られる条件式である。また、式（２）は、ループの位相が同相で重ね合わされる条件式である。
【００１２】
｜Γ_ａ｜・｜Γ_ｔ｜＞１（１）
【００１３】
∠Γ_ａ＋∠Γ_ｔ＝２ｎπ ｎ：整数（２）
【００１４】
ここで、Γ_ａは能動回路２の反射係数、Γ_ｔは共振回路１の反射係数である。条件式（１）を満足するように、ループの利得を得るためには、能動回路２の反射利得２０ｌｏｇ｜Γ_ａ｜が共振回路１の反射損失２０ｌｏｇ｜Γ_ｔ｜より大きくなければならない。
【００１５】
反射スタブ２３ａ、及び２３ｂで構成された反射回路２２は、電力の一部を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１へ反射させ、反射利得２０ｌｏｇ｜Γ_ａ｜及びループ利得を大きくしている。
【００１６】
反射回路２２に反射スタブ２３ａ、及び２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短くし、線路幅を広くすることで、図２（ａ）に示すように、所望周波数では従来の反射回路と同等の反射量Γ_ｒを得ることができ、かつ反射スタブ２３ａ、２３ｂの共振周波数を高周波数側に移すことができる。高周波数側では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１の利得が低下するため、図２（ｂ）に示すように、反射スタブ２３ａ、２３ｂの共振周波数で生じる不要な反射利得２０ｌｏｇ｜Γ_ａ｜を抑制することができる。これにより、所望周波数では従来と同等のループ利得が得られ、不要発振が抑制される。
【００１７】
すなわち、電界効果トランジスタ２１等の能動素子を用いた能動回路２と、上記能動素子と接続され、発振周波数を決定するための共振回路１と、発振電力を取り出すための出力端子３とを備え、さらに上記能動素子と出力端子３との間に接続され、発振電力の一部を能動素子側に反射させるための反射回路２２とで構成した高周波発振器において、反射回路２２を構成する反射スタブ２３を複数用いることで所望の発振周波数以外での能動回路２と共振回路１の接続点からみた能動回路２の反射利得を抑制するものである。
【００１８】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２に係る高周波発振器について図面を参照しながら説明する。図３は、この発明の実施の形態２に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【００１９】
図３において、本高周波発振器は、発振周波数を決定するための共振回路１と、能動回路２と、発振電力を取り出すための出力端子３とを備える。能動回路２は、電力を増幅するための電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１と、反射回路２２とから構成されている。また、反射回路２２は、反射スタブ２３ａ、及び２３ｂと、抵抗２４ａ、及び２４ｂとから構成されている。
【００２０】
上記の実施の形態１では、反射回路２２に反射スタブ２３ａ、２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短く、線路幅を広くすることで、所望周波数に対しては従来と同等の反射量を得ることができ、不要発振を抑制することができることを示した。この実施の形態２では、反射回路２２を構成する反射スタブ２３ａ、２３ｂに抵抗２４ａ、２４ｂをそれぞれ装荷することで、所望周波数に対しては従来と同等のループ利得を得ることができ、不要発振を抑制することができることについて示す。
【００２１】
つぎに、この実施の形態２に係る高周波発振器の動作について図面を参照しながら説明する。図４は、この発明の実施の形態２に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【００２２】
本高周波発振器において、共振回路１と能動回路２とによる閉ループで、ループの利得が得られ、かつループの位相が同相で重ね合わされる周波数で、電力を増幅して発振動作を行う。発振条件式は、上記実施の形態１と同様である。
【００２３】
反射スタブ２３ａ、２３ｂと抵抗２４ａ、２４ｂで構成された反射回路２２は、電力の一部を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１へ反射させ、反射利得及びループ利得を大きくしている。反射回路２２に反射スタブ２３ａ、２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短くし、線路幅を広くすることで、図４（ａ）に示すように、所望周波数では従来の反射回路と同等の反射量を得ることができ、かつ反射スタブ２３ａ、２３ｂの共振周波数を高周波数側に移すことができる。高周波数側では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１の利得が低下するため、図４（ｂ）に示すように、反射スタブ２３ａ、２３ｂの共振周波数で生じる不要な反射利得を抑制することができる。
【００２４】
さらに、反射スタブ２３ａ、２３ｂに抵抗２４ａ、２４ｂを装荷することで、反射スタブの共振周波数での損失を大きくできるため、反射スタブの共振周波数で生じる不要な反射利得を抑制することができる。これにより、所望周波数では従来と同等のループ利得が得られ、不要発振が抑制される。
【００２５】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３に係る高周波発振器について図面を参照しながら説明する。図５は、この発明の実施の形態３に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【００２６】
図５において、本高周波発振器は、発振周波数を決定するための共振回路１と、能動回路２と、発振電力を取り出すための出力端子３とを備える。能動回路２は、電力を増幅するための電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１と、反射回路２２とから構成されている。また、反射回路２２は、反射スタブ２３ａ、及び２３ｂと、可変容量素子２５ａ、及び２５ｂとから構成されている。
【００２７】
上記の実施の形態１では、反射回路２２に反射スタブ２３ａ、２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短く、線路幅を広くすることで、所望周波数に対しては従来と同等の反射量を得ることができ、不要発振を抑制することができることを示した。この実施の形態３では、反射回路２２を構成する反射スタブ２３ａ、２３ｂに可変容量素子２５ａ、２５ｂをそれぞれ装荷することで、所望周波数が可変の場合、所望周波数に対しては従来と同等のループ利得を得ることができ、不要発振を抑制することができることについて示す。
【００２８】
つぎに、この実施の形態３に係る高周波発振器の動作について図面を参照しながら説明する。図６は、この発明の実施の形態３に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【００２９】
本高周波発振器において、共振回路１と能動回路２とによる閉ループで、ループの利得が得られ、かつループの位相が同相で重ね合わされる周波数で、電力を増幅して発振動作を行う。発振条件式は、上記実施の形態１と同様である。
【００３０】
反射スタブ２３ａ、及び２３ｂと、可変容量素子２５ａ、及び２５ｂで構成された反射回路２２は、電力の一部を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１へ反射させ、反射利得及びループ利得を大きくしている。発振周波数を概略決定する共振回路１を制御することで、発振周波数を可変する。反射回路２２に反射スタブ２３ａ、２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短くし、線路幅を広くすることで、図６（ａ）に示すように、所望周波数では従来の反射回路と同等の反射量を得ることができ、かつ反射スタブの共振周波数を高周波数側に移すことができる。高周波数側では、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２１の利得が低下するため、図６（ｂ）に示すように、反射スタブの共振周波数で生じる不要な反射利得を抑制することができる。
【００３１】
さらに、反射回路２２の反射スタブ２３ａ、２３ｂに可変容量素子２５ａ、２５ｂを装荷し、所望周波数にあわせて可変容量素子２５ａ、２５ｂを変化させることで反射スタブの共振周波数を高周波数側に変化させ、反射スタブの共振周波数で生じる不要な反射利得を抑制することができる。これにより、所望周波数では従来と同等のループ利得が得られ、不要発振が抑制される。
【００３２】
【発明の効果】
この発明に係る高周波発振器は、以上説明したとおり、反射回路２２に反射スタブ２３ａ、及び２３ｂを複数用いて、反射スタブの線路長を短くし、線路幅を広くすることで、所望周波数では従来と同等のループ利得が得られ、不要発振を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態２に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【図４】この発明の実施の形態２に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【図５】この発明の実施の形態３に係る高周波発振器の構成を示す図である。
【図６】この発明の実施の形態３に係る高周波発振器の動作を示す図である。
【符号の説明】
１共振回路、２能動回路、３出力端子、２１電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、２２反射回路、２３ａ、２３ｂ反射スタブ、２４ａ、２４ｂ抵抗、２５ａ、２５ｂ可変容量素子。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency oscillator such as a microwave, and more particularly to a high-frequency oscillator in which an unnecessary oscillation frequency is suppressed.
[0002]
[Prior art]
In the conventional high-frequency oscillator, a dielectric resonator 4 is connected to a gate, microstrip lines 5 and 6 are connected to a drain, and a source is grounded via a load resistor 7 to form a microwave band oscillation circuit. An open stub 11 of a microstrip line is provided at the source of the FET 1 to be changed, and by changing the area of the open stub 11, the gate-source capacitance of the FET 1 is changed to adjust the feedback amount of the oscillation circuit (for example, see Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-6-318819 (page 1, FIG. 1)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described conventional high-frequency oscillator, the line length of the feedback adjustment open stub (reflection stub) serving as a reflection circuit is slightly shorter than λ / 4 of the desired frequency. I have. At this time, large reflection occurs at the resonance frequency of the reflection stub, and the reflection stub has a reflection gain. Therefore, there is a problem that a loop gain is generated and unnecessary oscillation may occur.
[0005]
The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to provide a high-frequency oscillator capable of suppressing unnecessary oscillation.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
A high-frequency oscillator according to the present invention includes a resonance circuit for determining an oscillation frequency, an active element connected to the resonance circuit, and a part of the oscillation power connected to the active element for reflecting part of the oscillation power toward the active element. An active circuit composed of a reflection circuit and an output terminal connected to the reflection circuit for extracting oscillation power are provided, and the reflection circuit is composed of a plurality of reflection stubs.
[0007]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiment 1 FIG.
A high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
[0008]
1, the high-frequency oscillator includes a resonance circuit 1 for determining an oscillation frequency, an active circuit 2, and an output terminal 3 for extracting oscillation power. The active circuit 2 includes a field effect transistor (FET) (active element) 21 for amplifying electric power and a reflection circuit 22. The reflection circuit 22 includes reflection stubs 23a and 23b.
[0009]
Next, the operation of the high-frequency oscillator according to the first embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a diagram showing an operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention.
[0010]
In the present high-frequency oscillator, the gain of the loop is obtained in a closed loop including the resonance circuit 1 and the active circuit 2, and the oscillation is performed by amplifying the power at a frequency at which the loops are superposed in phase.
[0011]
The oscillation condition expression is as follows. Expression (1) is a conditional expression for obtaining a loop gain. Expression (2) is a conditional expression in which loop phases are superimposed in phase.
[0012]
| Γ _a | · | Γ _t |> 1 (1)
[0013]
_{_{∠Γ a + ∠Γ t = 2nπ n}} : integer (2)
[0014]
Here, gamma _a reflection coefficient of the active circuit 2, the gamma _t is the reflection coefficient of the resonant circuit 1. So as to satisfy the conditional expression (1), in order to obtain the gain of the loop, the reflection gain of the active circuit 2 20log | Γ _a | reflection loss of the resonance circuit 1 20log | Γ _t | should be larger.
[0015]
Reflection stub 23a, and the reflection circuit 22 constructed in 23b causes the reflected part of the power to the field effect transistor (FET) 21, reflection gain 20 log | is large and the loop gain | gamma _a.
[0016]
By using a plurality of reflection stubs 23a and 23b for the reflection circuit 22 and shortening the line length of the reflection stub and widening the line width, as shown in FIG. The same amount of reflection 反射_r can be obtained, and the resonance frequency of the reflection stubs 23a and 23b can be shifted to the higher frequency side. In the high-frequency side, the gain of the field-effect transistor (FET) 21 is lowered, as shown in FIG. 2 (b), the reflection stubs 23a, 23b unwanted reflection gain 20log occurring at the resonant frequency of | gamma _a | suppression can do. As a result, at the desired frequency, a loop gain equivalent to that of the related art is obtained, and unnecessary oscillation is suppressed.
[0017]
That is, an active circuit 2 using an active element such as a field effect transistor 21, a resonance circuit 1 connected to the active element and determining an oscillation frequency, and an output terminal 3 for extracting oscillation power are provided. Further, in a high-frequency oscillator connected between the active element and the output terminal 3 and configured to include a reflection circuit 22 for reflecting a part of the oscillation power to the active element, a reflection stub 23 forming the reflection circuit 22 is connected. The use of a plurality of components suppresses the reflection gain of the active circuit 2 at a point other than the desired oscillation frequency from the connection point of the active circuit 2 and the resonance circuit 1.
[0018]
Embodiment 2 FIG.
Embodiment 2 A high-frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention.
[0019]
In FIG. 3, the high-frequency oscillator includes a resonance circuit 1 for determining an oscillation frequency, an active circuit 2, and an output terminal 3 for extracting oscillation power. The active circuit 2 includes a field effect transistor (FET) 21 for amplifying electric power and a reflection circuit 22. The reflection circuit 22 includes reflection stubs 23a and 23b and resistors 24a and 24b.
[0020]
In the first embodiment, by using a plurality of reflection stubs 23a and 23b in the reflection circuit 22 and shortening the line length and widening the line width of the reflection stub, the reflection amount is equal to that of the related art for a desired frequency. And that unnecessary oscillation can be suppressed. In the second embodiment, by mounting the resistors 24a and 24b on the reflection stubs 23a and 23b constituting the reflection circuit 22, respectively, it is possible to obtain a loop gain equivalent to the conventional one for a desired frequency, and to obtain unnecessary oscillation. It is shown that can be suppressed.
[0021]
Next, the operation of the high-frequency oscillator according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a diagram showing an operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention.
[0022]
In the present high-frequency oscillator, the gain of the loop is obtained in a closed loop including the resonance circuit 1 and the active circuit 2, and the oscillation is performed by amplifying the power at a frequency at which the loops are superposed in phase. The oscillation conditional expression is the same as in the first embodiment.
[0023]
The reflection circuit 22 composed of the reflection stubs 23a and 23b and the resistors 24a and 24b reflects a part of the power to the field effect transistor (FET) 21 to increase the reflection gain and the loop gain. By using a plurality of reflection stubs 23a and 23b in the reflection circuit 22 and shortening the line length of the reflection stub and widening the line width, the desired frequency is equivalent to that of the conventional reflection circuit as shown in FIG. And the resonance frequency of the reflection stubs 23a and 23b can be shifted to a higher frequency side. On the high frequency side, since the gain of the field effect transistor (FET) 21 decreases, unnecessary reflection gain generated at the resonance frequency of the reflection stubs 23a and 23b can be suppressed as shown in FIG.
[0024]
Further, by mounting the resistors 24a and 24b on the reflection stubs 23a and 23b, the loss at the resonance frequency of the reflection stub can be increased, so that unnecessary reflection gain generated at the resonance frequency of the reflection stub can be suppressed. As a result, at the desired frequency, a loop gain equivalent to that of the related art is obtained, and unnecessary oscillation is suppressed.
[0025]
Embodiment 3 FIG.
Embodiment 3 A high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention.
[0026]
In FIG. 5, the high-frequency oscillator includes a resonance circuit 1 for determining an oscillation frequency, an active circuit 2, and an output terminal 3 for extracting oscillation power. The active circuit 2 includes a field effect transistor (FET) 21 for amplifying electric power and a reflection circuit 22. The reflection circuit 22 includes reflection stubs 23a and 23b and variable capacitance elements 25a and 25b.
[0027]
In the first embodiment, by using a plurality of reflection stubs 23a and 23b in the reflection circuit 22 and shortening the line length and widening the line width of the reflection stub, the reflection amount is equal to that of the related art for a desired frequency. And that unnecessary oscillation can be suppressed. In the third embodiment, the variable capacitance elements 25a and 25b are loaded on the reflection stubs 23a and 23b constituting the reflection circuit 22, respectively, so that when the desired frequency is variable, a loop equivalent to the conventional loop is provided for the desired frequency. It will be described that gain can be obtained and unnecessary oscillation can be suppressed.
[0028]
Next, the operation of the high-frequency oscillator according to the third embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 6 is a diagram showing an operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention.
[0029]
In the present high-frequency oscillator, the gain of the loop is obtained in a closed loop including the resonance circuit 1 and the active circuit 2, and the oscillation is performed by amplifying the power at a frequency at which the loops are superposed in phase. The oscillation conditional expression is the same as in the first embodiment.
[0030]
The reflection circuit 22 including the reflection stubs 23a and 23b and the variable capacitance elements 25a and 25b reflects a part of the power to the field effect transistor (FET) 21 to increase the reflection gain and the loop gain. . The oscillation frequency is varied by controlling the resonance circuit 1 that roughly determines the oscillation frequency. By using a plurality of reflection stubs 23a and 23b for the reflection circuit 22 and shortening the line length of the reflection stub and widening the line width, the desired frequency is equivalent to that of the conventional reflection circuit as shown in FIG. And the resonance frequency of the reflection stub can be shifted to the higher frequency side. On the high frequency side, the gain of the field effect transistor (FET) 21 decreases, so that unnecessary reflection gain generated at the resonance frequency of the reflection stub can be suppressed as shown in FIG.
[0031]
Further, the variable capacitance elements 25a, 25b are loaded on the reflection stubs 23a, 23b of the reflection circuit 22, and the variable capacitance elements 25a, 25b are changed according to a desired frequency, thereby changing the resonance frequency of the reflection stub to a higher frequency side. In addition, unnecessary reflection gain generated at the resonance frequency of the reflection stub can be suppressed. As a result, at the desired frequency, a loop gain equivalent to that of the related art is obtained, and unnecessary oscillation is suppressed.
[0032]
【The invention's effect】
As described above, the high-frequency oscillator according to the present invention uses a plurality of reflection stubs 23a and 23b in the reflection circuit 22, shortens the line length of the reflection stub, and widens the line width, thereby achieving a conventional frequency at a desired frequency. It is possible to obtain an equivalent loop gain and suppress unnecessary oscillation.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing an operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing an operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing an operation of the high-frequency oscillator according to Embodiment 3 of the present invention.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 resonance circuit, 2 active circuit, 3 output terminal, 21 field effect transistor (FET), 22 reflection circuit, 23a, 23b reflection stub, 24a, 24b resistor, 25a, 25b variable capacitance element.

Claims

A resonance circuit for determining an oscillation frequency;
An active circuit connected to the resonance circuit and an active circuit including a reflection circuit connected to the active element and reflecting a part of the oscillation power to the active element side,
An output terminal connected to the reflection circuit for taking out oscillation power,
The high-frequency oscillator according to claim 1, wherein the reflection circuit includes a plurality of reflection stubs.

2. The high-frequency oscillator according to claim 1, wherein a resistance is loaded on each of the plurality of reflection stubs to increase a loss at a resonance frequency of the reflection stub.

The high-frequency oscillator according to claim 1, wherein a variable capacitance element is loaded on each of the plurality of reflection stubs so that a resonance frequency of the reflection stub can be varied.