JP2004277736A - 導電性重合体及びその製造方法並びにそれを用いた有機太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 チオフェン環が連結してなる高分子であって、フラーレン骨格にシアノ基もしくはメチル基を連結したシアノ化フラーレン基もしくはメチル化フラーレン基を側鎖に連結してなる導電性重合体とした。チオフェン環は重合度が2から5のオリゴマーであっても良い。チオフェン環オリゴマーの1付加体で良い。
このような導電性重合体と電子供与体層とのヘテロ接合させたものを、透明電極と対向電極で挟んで有機太陽電池とする。
【選択図】 なし
Description
従来より、太陽光発電装置として光変換素子を使用した太陽電池が知られている。現在実用化されている太陽電池の例では、シリコンの単結晶体、多結晶体、アモルファス状物質を用いた光電変換素子が用いられている。
しかし、これら従来の光電変換素子においては高純度シリコンを原料としており、その製造工程が複雑でコストが非常に高くなり、また素子の大面積化はその製造法から困難である等の難点が存在する。
例えば、MEH−PPV( ポリ[2−メトキシ、5−( 2’−エチル−ヘキシロキシ)−パラ−フェニレンビニレン] )や、ポリ(3−オクチルチオフェン)とC60の質量比1:1混合物に対する光誘起ESR測定の結果、g値がほぼ2と2よりも小さい2本のESRシグナルが観測されている。g値が2以下のシグナルはC60一価アニオンのシグナルであることが確認されており、このことから光照射下で導電性重合体からC60への電子移動が起きていることが示唆されている(例えば、非特許文献1参照。)。
また、n型半導体としては、ナトリウム等のドナーをドープしたポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体及びリン等をドープしたシリコン等を挙げることができる。
これらの太陽電池では、いずれも有機電子供与体とフラーレンを溶媒中に混合溶解させたものを、スピンコートした薄膜を使用している。
フラーレンを混合した導電性重合体等の有機電子供与体を電極に用いた場合、電子供与体層で形成されるバンド曲がりによる光誘起電子−ホール対の解離確率の増加に加えて、励起状態でフラーレンに電荷移動が起こることにより更にキャリア消失を抑制する、すなわちキャリア生成が増加するとされている。
L.Smilowitz ら著 「Physical Review B47」,13385 (1993) N.S.Sariciftciら著 「Appl.Phys.Lett.」, Vol.62, No.6, p.585-p.587, 8 Feb.1993 S.E.Shaheenら著 「Appl.Phys.Lett.」, Vol.78, No.6, p.841-p.843, 5 Feb.2001
本発明の目的は、導電性や電荷分離能を向上させ、機械的強度や耐光性に富んだ導電性重合体を得ることを目的とする。また、このように特性の優れた導電性重合体を使用して電子物性に優れた有機太陽電池を得ることを目的とする。
他の一つは、チオフェン環が連結してなる高分子重合体であって、メチル化フラーレン基を側鎖に連結してなる導電性重合体とした。
本発明の導電性重合体においては、主鎖にはドナー性が高いπ共役性のチオフェン環を使用し、側鎖には高電子受容性が高いシアノ化フラーレン基もしくはメチル化フラーレン基を使用している。従って、分子内の所定の位置にシアノ化フラーレン基もしくはメチル化フラーレン基が共有結合しており、その高い電子受容性のために主鎖のチオフェン環の電子はシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンの方へいつも引っ張られていることとなる。従って主鎖のチオフェン環はドナー性がさらに強くなり、その結果、高い導電性を有する高分子単量体となるとともに、光による電荷分離が起き易くなる。
また、本発明の導電性重合体は、チオフェンオリゴマーの1付加体であってもあるいはチオフェンオリゴマーの2付加体であっても良い。
これらの分子構造を有する導電性重合体はいずれも高い導電性を有し、光による電荷分離が起き易い性質を具備した導電性重合体となる。
このような構造の重合体とすることにより、高い導電性を有し、光による電荷分離が起き易い性質を具備した導電性重合体とすることができる。
この方法によれば、高い導電性を有し電荷分離が起き易い導電性重合体を任意の厚さ、任意の面積で容易に得ることができる。
本発明の有機太陽電池では、透明電極とその対向電極との間に、導電性重合体からなる電子供与体層と前記本発明の導電性重合体からなる活性層を積層した構造とすることができる。
また、本発明の有機太陽電池では、透明基板上に透明電極を介して導電性重合体からなる電子供与体層と、前記本発明の導電性重合体からなる活性層を接合した構造とすることもできる。
これら本発明の有機太陽電池は、活性層として導電性が高く電荷分離が起き易く、しかも機械的強度や耐光性に優れた導電性重合体を使用しているので、変換効率が高く、寿命の長い有機太陽電池を得ることができる。
また、本発明の導電性共重合高分子においては、3次元的に架橋するので機械的強度や耐光性に優れた導電性重合体となるものがある。
これらの本発明の導電性重合体を使用して有機太陽電池とすれば、機械的強度や耐光性に優れ、しかも光変換効率の高い有機太陽電池を提供することが可能となる。
本発明の第1の実施形態として、主鎖が重合度(繰返し数)3のチオフェンオリゴマーの側鎖に、シアノ化フラーレン基が3重結合してなる単量体の重合体からなる導電性重合体をあげる。この導電性重合体の基となる単量体の構造式を化1に示す。
この導電性重合体では、分子内の所定の位置にシアノ化フラーレンが共有結合しており、その高い電子受容性のために主鎖のチオフェン環の電子はシアノ化フラーレンの方へいつも引っ張られていることとなる。従って主鎖のチオフェン環はドナー性がさらに強くなり、その結果、高い導電性を有する高分子となるとともに、光による電荷分離が起き易くなる。
本発明の第2の実施形態として、主鎖が重合度(繰返し数)3のチオフェンオリゴマーの側鎖に、メチル化フラーレン基が3重結合してなる単量体の重合体からなる導電性重合体をあげる。この導電性重合体の基となる単量体の構造式を化2に示す。
先ず、化3に示すチオフェン誘導体をパラジウム触媒存在下で2,3,5-トリブロモチオフェンとカップリングさせることにより、化4に示すブロモターチオフェン誘導体を合成する。
ここでトシルシアニドに替えて求電子剤としてヨウ化メチルを作用させると、化10に示すターチオフェン−C60連結化合物が得られる。
このようなC60連結化合物の構造は、 1H及び 13C NMR(核磁気共鳴)、UV−vis(紫外−可視吸収スペクトル)、MS(質量分析)等の各種スペクトルを解析することにより決定することができる。
本発明の有機太陽電池は、本発明により得られたチオフェン環とシアノ化フラーレン基もしくはメチル化フラーレン基からなる導電性重合体を活性層として使用し、電子供与体層とヘテロ接合させたものを基本とする。本発明の有機太陽電池8の断面構造の一例を図1に示す。
透明基板1は石英やガラス等の透明体でできたものが利用できる。透明基板1の上にITO(Indium Tin Oxide: インジウム酸化物にスズをドープしたもの)など光透過性の透明電極2と、電子供与体層3となるポリチオフェンなどの導電性膜と、この導電性膜とヘテロ接合を形成する本発明の導電性重合体からなる活性層4と、LiF層5とAl電極6などからなる対向電極とが、この順に積層されていることが望ましい。
透明電極2は有機太陽電池全体を支持する透明基板1と共に、光を電子供与体層3まで透過させるためのものであり、透明でかつ発生した電流を外部に取り出すための導電体をなすものである。透明電極2としては、前記ITOの他に金属酸化物の薄膜又は金、銀、白金、ニッケルなどの金属の薄膜からなっていてもよい。透明電極の形成工程では、それを基板上に形成するのが一般的であり、前述したITOなどの電極材料を基板上に蒸着やスパッタリング等の手法を用いて製膜する。
電子供与体層3及び活性層4の厚さはいずれも1〜50nm、好ましくは5〜20nmあればよい。
この対向電極は、LiF/Alの他に、たとえばITOなどの酸化物やマグネシウム、インジウムなどの金属、またはこれらの2種以上の金属からなる合金で構成され、蒸着やスパッタリング、電子銃、電解メッキなどの手法を用いて前記活性層4上に薄膜として形成することができる。
なお、シアノ基に替えてメチル基を付加したものであっても良い。
この導電性重合体においては、主鎖が2本あるので3次元的に架橋できる利点があり、機械的強度の向上や光照射に耐えうるほどの耐候性の向上等の効果を発揮するものとなる。
この導電性重合体においても、主鎖が2本あるので3次元的に架橋できる利点があり、機械的強度の向上や光照射に耐えうるほどの耐候性の向上等の効果を発揮するものとなる。
例えば、化1に示す主鎖が重合度(繰返し数)3のチオフェンオリゴマーで、その側鎖にシアノ化フラーレン基が3重結合してなる単量体と、化13に示す主鎖が重合度(繰返し数)3のチオフェンオリゴマー2個で、その側鎖にシアン基2個を有するシアノ化フラーレン基1個が3重結合してなる単量体を共重合させて得た導電性共重合体を挙げることができる。
特に、1付加体の単量体を主原料とし、これに2付加体の単量体を加えて共重合させた導電性共重合体は、主鎖が3次元的に架橋するため機械的強度が一段と向上する利点を有する。
次に、本発明の導電性重合体を有機トランジスタの活性層に利用した例を示す。
図2は有機トランジスタ10−1の構造を示す断面図の一例である。ITO( Indium Thin Oxide ) 等の電極12を形成したガラス基板11上にシリコン酸化膜やアルミニウム酸化膜等の絶縁膜13を熱酸化法やCVD又はスパッタ法を用いて形成する。次いで金や白金等のソース電極14とドレイン電極15を形成し、次いで本発明の導電性重合体である、例えばシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンを含むチオフェン環重合体16を、スピンコート及び電解重合法を利用して形成する。
また、逆にシリコンやガラスの基板上に先のシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンを含むチオフェン環重合体を形成し、金や白金のソース電極とドレイン電極を形成し、次いでシリコン酸化膜やシリコン窒化膜又は酸化アルミニウム等のゲート絶縁膜を形成し、次いでゲート電極を形成して有機トランジスタとすることもできる。
これらの有機トランジスタは、その高い導電性から大きな電子移動度を得ることができ、トランジスタとしての動作スピードを向上させることができる。
図3に示す有機トランジスタ10−2は本発明の導電性重合体を活性層に使用した有機トランジスタの他の構造例を示す断面図であって、本発明のシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンを含むチオフェン環重合体16とチオフェン重合体17とのヘテロ接合構造としたものである。
さらに、図5に示す有機トランジスタ10−4は本発明の導電性重合体を活性層に使用した有機トランジスタの別の構造例を示す断面図であって、図4において絶縁膜13上に直接本発明のシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンを含むチオフェン環重合体16を載置したのに替えて、絶縁膜13上に本発明のシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンを含むチオフェン環重合体16とチオフェン重合体17とのヘテロ接合構造を載置した構造としたものである。
図6は本発明の導電性重合体をホール注入層に利用した有機EL素子の一例を示す断面図である。ITOなどの透明電極22を形成したガラス基板21の上に、ホール注入層26として本発明のシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンを含むチオフェン環重合体を電解重合法等により形成し、次いで電子輸送層27としてアルミキノリノール錯体(Alq)を積層した後、仕事関数の低いMgAg合金層24やLiF層を形成し、接続用のAl等の金属からなる対向電極25を形成して有機EL素子20−1としたものである。
図8は、陰極導電層として本発明のシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンを含むチオフェン環重合体を利用した有機固体電解コンデンサの構造例を示す断面図である。
陽極としてはタンタル(Ta)の多孔質焼結体31を使用し、Taの多孔質焼結体31を酸化処理して表面に誘電体層となるタンタル酸化膜(Ta2O5)32を形成する。Taの多孔質焼結体31中に陽極リードを埋設し、陰極導電層33として本発明のシアノ化フラーレンもしくはメチル化フラーレンを含むチオフェン環重合体を充填した後、カーボン層34及び銀ペーストを使用したAg電極35を形成し、陰極リードを取り付けて有機固体電解コンデンサ30とする。
なお、陽極金属としてタンタル(Ta)の代わりにニオブ(Nb)を用いても良い。
先ず、化3に示すチオフェン誘導体をパラジウム触媒存在下で2,3,5-トリブロモチオフェンとカップリングさせることにより、ブロモターチオフェン誘導体を合成した。
次に、得られたアセチレン誘導体にテトラブチルアンモニウムフルオライドを作用させることによって脱トリメチルシリル化を行い、エチニルタ−チオフェンを合成した。
さらに、オルトジクロロベンゼン中にC60を溶解させた溶液中に、前記エチニルタ−チオフェンから発生させたリチウムアセチリドを求核付加させて、フラーレンアニオンを形成した後、求電子剤としてトシルシアニドを作用させることにより、ターチオフェン−C60連結化合物を合成した。
このようにして得られたC60連結化合物につき、 1H−NMR、MS、IR及びUV−visを測定した。 1H−NMRのスペクトル図を図9に、MSのスペクトル図を図10に、IRのスペクトル図を図11に、さらにUV−visの吸収スペクトル図を図12に示す。
図9と図13においてピークの同定は類似化合物との比較、化学シフト、ピークの相対的な高さを参考にして同定した。
図9において、3.98,4.10(δ/ppm)のピークは、エチレンジオキシ基のCH2 によるピークである。6.05,6.06(δ/ppm)のピークは、エチレンジオキシチオフェンのα−位のプロトンによるピークである。また、7.49(δ/ppm)のピークは、真ん中のチオフェンのβ−位のプロトンによるピークである。
図10においては、1133(m/z)にC79H11NO4S3のピークが認められる。
図11において、2219(cm−1)のピークは、シアノ基による吸収である。
図12において、10倍に拡大した曲線を見ると697(nm)の位置にピークが認められる。
これらの結果から、得られたC60連結化合物は重合度が3のチオフェンオリゴマーの側鎖に1個のシアノ基を付加したシアノ化フラーレンが3重結合した構造の単量体であると同定することができた。
さらに、このようにして得られたターチオフェン−C60連結化合物単量体を電解重合して導電性重合体を得た。
実施例1において求電子剤としてトシルシアニドを作用させる替わりに、ヨウ化メチルを作用させてターチオフェン−C60連結化合物の単量体を合成した。
このようにして得られたC60連結化合物の単量体につき、 1H−NMR、13C−NMR、MS、IR、UV−vis及びサイクリックボルタンメトリーを測定した。サイクリックボルタンメトリーは、オルトジクロロベンゼン中でサイクリックボルタンメトリーにより酸化還元電位(CV)を測定した。
この化合物の 1H−NMRのスペクトル図を図13に、13C−NMRのスペクトル図を図14に、MSのスペクトル図を図15に、IRのスペクトル図を図16に、UV−visの吸収スペクトル図を図17に、さらにサイクリックボルタンメトリーのチャートを図18に示す。
図14においてもピークの同定は類似化合物との比較、化学シフト、ピークの相対的な高さを参考にして同定した。
図13において、3.34(δ/ppm)のピークはメチル基のピークである。3.92,4.03(δ/ppm)のピークはエチレンジオキシ基のCH2 によるピークである。また、6.03,6.13(δ/ppm)のピークは、エチレンジオキシチオフェンのα−位のプロトンによるピークである。また、7.35(δ/ppm)のピークは、真ん中のチオフェンのβ−位のプロトンによるピークである。
図14において、炭素の三重結合を示す93.22と82.83(δ/ppm)のピークが認められる。
図15においては、1122(m/z)にC79H14O4S3のピークが認められる。
図16において、2328(cm−1)のピークは、アセチレン結合による吸収である。
図17において、10倍に拡大した曲線を見ると704(nm)の位置にピークが認められる。
図18において、−1.14,−1.53,−2.08V に可逆的な還元波と、+0.49Vに非可逆的な酸化波を示している。
これらの結果から、得られたC60連結化合物は重合度が3のチオフェンオリゴマーの側鎖に1個のアミノ基を付加したメチル化フラーレンが3重結合した構造の単量体であると同定することができた。
実施例1で得られた本発明の導電性重合体を使用した有機太陽電池を作成した。
先ず、ITOからなる透明電極2を形成したガラス製の透明基板1上に電子供与体層3としてPEDOT( ポリ(3,4- エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルフォネート))をスピンコートした。次いで、化1に示す単量体をアセトニトリルに溶解し、該溶液中に上記PEDOT膜を形成した基板と白金対向電極及び飽和カロメル参考電極を浸漬した。各電極及び基板をポテンシオスタットに接続し、1Vの電位を10秒間印加することにより透明基板のITO透明電極表面のPEDOT膜上で電解重合を起こさせて、シアノ化フラーレン基を含むチオフェン環重合体からなる導電性重合体の薄膜を形成して活性層4とし、その上にLiF層5とAl電極6からなる対向電極を形成して、図1に示す断面構造を有する素子を形成した。
透明電極側から光を照射すると、Al電極と透明電極との間に電流が高効率で流れ、有機太陽電池が構成されていることが判った。
実施例1で得られたフラーレン60が結合したターチオフェン−C60連結化合物を使用して図21に示す構造の有機太陽電池を作成した。
先ず、実施例1で得られたターチオフェン−C60連結化合物を、テトラブチルアンモニウムパークロレートが0.1Mの濃度で溶解しているオルトジクロロベンゼンに、濃度が0.1mMとなるように溶解させた。次いで当該溶液を電気化学セルに注ぎ、ガラス基板41上にITO膜41を成膜して得たITO電極を作用電極とし、白金線を対向電極とし、銀/塩化銀電極を参照電極として、電位1Vで1時間、ターチオフェン誘導体を電解重合して、ITO膜上に重合体の薄膜43を得た。このITO膜41と重合体の薄膜43とからなる電極をITO電極と呼ぶ。
当該ITO電極にO(オー)リング47を介して表面に白金45をスパッタしたガラス基板(以降、単に白金電極と呼ぶ)を載せ、ITO電極と白金電極との間に濃度1MのKCl溶液46を満たし、図21に示す構造の有機太陽電池を形成した。ITO電極と白金電極を電流計(ケイスレー製;リモートソースメーター 6430)48に接続し、光源(ホヤショット製;HLS100UM)によりITO電極を通して光を照射したところ、100nAの電流が観測された。光の照射をやめると電流は流れなくなった。この電流測定結果を図22に示す。
Claims (9)
- チオフェン環が連結してなる高分子重合体であって、シアノ化フラーレン基を側鎖に連結してなることを特徴とする導電性重合体。
- チオフェン環が連結してなる高分子重合体であって、メチル化フラーレン基を側鎖に連結してなることを特徴とする導電性重合体。
- 前記チオフェン環がチオフェンオリゴマーであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の導電性重合体。
- 前記チオフェンオリゴマーの重合度が3であることを特徴とする請求項3に記載の導電性重合体。
- 前記導電性重合体がチオフェンオリゴマーの1付加体であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の導電性重合体。
- チオフェン誘導体を2,3,5-トリブロモチオフェンとカップリングさせてブロモターチオフェン誘導体を合成する工程と、該ブロモターチオフェン誘導体にトリメチルシリルアセチレンをカップリングさせてアセチレン誘導体を合成する工程と、該アセチレン誘導体をテトラブチルアンモニウムフロライドによりリチオ化する工程と、該リチオ化した誘導体をフラーレンを加えたオルトシクロベンゼン中に溶解させてフラーレンアニオンを形成する工程と、該フラーレンアニオンにトシルシアノもしくはメチル基を反応させることにより、ターチオフェン‐フラーレン連結化合物からなる単量体を形成する工程と、該単量体を重合反応させて重合高分子を得る工程とを有することを特徴とする導電性重合体の製造方法。
- 導電性重合体からなる電子供与体層と請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の導電性重合体からなる活性層が接合されてなることを特徴とする有機太陽電池。
- 透明電極とその対向電極との間に導電性重合体からなる電子供与体層と請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の導電性重合体からなる活性層とが積層されてなることを特徴とする有機太陽電池。
- 透明基板上に透明電極を介して導電性重合体からなる電子供与体層と請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の導電性重合体からなる活性層が接合されてなることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の有機太陽電池。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237165A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sharp Corp | 有機太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2008515195A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 光電池におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3−置換チオフェン) |
JP2008532301A (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | へリアテック ゲーエムベーハー | 有機光活性装置 |
KR100874208B1 (ko) | 2007-06-19 | 2008-12-15 | 한국화학연구원 | 플러렌 유도체, 그의 제조방법 및 그를 구비한 유기분자형태양전지 |
JP2009206470A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-09-10 | Japan Science & Technology Agency | 光電変換素子およびその素子を用いた太陽電池 |
JP2010278155A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Fujifilm Corp | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子、及び撮像素子 |
JP2011009347A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ |
JP2011504168A (ja) * | 2007-09-21 | 2011-02-03 | ソレンネ ベーヴェー | フラーレン多付加体組成物 |
EP2341107A2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-07-06 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Novel organic dye and method for preparing same |
WO2012086672A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 住友化学株式会社 | 炭素クラスター構造を有する高分子化合物及びそれを用いた有機デバイス |
JP2013139543A (ja) * | 2011-12-30 | 2013-07-18 | Eternal Chemical Co Ltd | 電解質材料調製物、電解質材料調製物より形成された電解質材料ポリマー及びその使用 |
JP2014057003A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Daicel Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
EP2666762A4 (en) * | 2011-01-18 | 2016-11-16 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | FULLER DERIVATIVE AND PHOTOELECTRIC CONVERTER THEREFORE |
CN115536958A (zh) * | 2022-11-28 | 2022-12-30 | 广东腐蚀科学与技术创新研究院 | 一种耐蚀性的导电高分子复合材料及其制备方法和应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222281A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Mitsubishi Chem Corp | フラーレン類を含有する光化学電池、光電変換素子並びに光化学電池用電極の製造方法 |
JPH0974216A (ja) * | 1995-09-07 | 1997-03-18 | Nippon Shokubai Co Ltd | 有機太陽電池 |
JPH09188726A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-22 | Rikagaku Kenkyusho | フラーレン含有高分子材料及びその製造方法 |
JPH09246580A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
JP2004231958A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Clemson Univ | エレクトロルミネセンス素子用のナノ構造ドープ混合物 |
-
2004
- 2004-02-27 JP JP2004055245A patent/JP4270381B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222281A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Mitsubishi Chem Corp | フラーレン類を含有する光化学電池、光電変換素子並びに光化学電池用電極の製造方法 |
JPH0974216A (ja) * | 1995-09-07 | 1997-03-18 | Nippon Shokubai Co Ltd | 有機太陽電池 |
JPH09188726A (ja) * | 1996-01-08 | 1997-07-22 | Rikagaku Kenkyusho | フラーレン含有高分子材料及びその製造方法 |
JPH09246580A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
JP2004231958A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Clemson Univ | エレクトロルミネセンス素子用のナノ構造ドープ混合物 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008515195A (ja) * | 2004-09-24 | 2008-05-08 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 光電池におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3−置換チオフェン) |
JP2006237165A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sharp Corp | 有機太陽電池モジュール及びその製造方法 |
US8426727B2 (en) | 2005-03-04 | 2013-04-23 | Heliatek Gmbh | Organic photoactive device |
JP2008532301A (ja) * | 2005-03-04 | 2008-08-14 | へリアテック ゲーエムベーハー | 有機光活性装置 |
KR100874208B1 (ko) | 2007-06-19 | 2008-12-15 | 한국화학연구원 | 플러렌 유도체, 그의 제조방법 및 그를 구비한 유기분자형태양전지 |
JP2009206470A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-09-10 | Japan Science & Technology Agency | 光電変換素子およびその素子を用いた太陽電池 |
US8952247B2 (en) | 2007-07-09 | 2015-02-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | Photoelectric converter and solar cell using the same |
JP2011504168A (ja) * | 2007-09-21 | 2011-02-03 | ソレンネ ベーヴェー | フラーレン多付加体組成物 |
EP2341107A2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-07-06 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Novel organic dye and method for preparing same |
JP2011526643A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-13 | 東進セミケム株式会社 | 新規な有機染料化合物及びその製造方法 |
EP2341107A4 (en) * | 2008-06-30 | 2012-01-25 | Dongjin Semichem Co Ltd | NEW ORGANIC DYE AND ITS MANUFACTURE |
JP2010278155A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Fujifilm Corp | 光電変換素子の製造方法、光電変換素子、及び撮像素子 |
JP2011009347A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ |
JP2013047315A (ja) * | 2010-12-21 | 2013-03-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 炭素クラスター構造を有する高分子化合物及びそれを用いた有機デバイス |
WO2012086672A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 住友化学株式会社 | 炭素クラスター構造を有する高分子化合物及びそれを用いた有機デバイス |
CN103270076A (zh) * | 2010-12-21 | 2013-08-28 | 住友化学株式会社 | 具有碳团簇结构的高分子化合物及使用其的有机装置 |
US9269905B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-02-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polymer compound having carbon cluster structure and organic device using same |
EP2666762A4 (en) * | 2011-01-18 | 2016-11-16 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | FULLER DERIVATIVE AND PHOTOELECTRIC CONVERTER THEREFORE |
JP2013139543A (ja) * | 2011-12-30 | 2013-07-18 | Eternal Chemical Co Ltd | 電解質材料調製物、電解質材料調製物より形成された電解質材料ポリマー及びその使用 |
JP2014057003A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Daicel Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
CN115536958A (zh) * | 2022-11-28 | 2022-12-30 | 广东腐蚀科学与技术创新研究院 | 一种耐蚀性的导电高分子复合材料及其制备方法和应用 |
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Publication number | Publication date |
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