JP2003202511A - 光走査装置及び光源装置及び画像形成装置 - Google Patents
光走査装置及び光源装置及び画像形成装置Info
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Abstract
光走査装置及び画像形成装置を提供することにある。 【解決手段】 光偏向手段の1つの偏向面に対し複数の
光ビームを入射させ、偏向面で偏向入射した光ビーム
を、結像光学系を介して被走査面上の異なった領域に導
光し、被走査面上を同時に光走査する光走査装置におい
て、複数の光ビームは、光ビームのピッチを固定調整し
た2組のビーム群AおよびBに分けて設けられ、被走査
面上に導光される2組のビーム群AおよびBの副走査方
向の相対位置を切り替える切り替え手段を備える。
Description
(記録媒体)上に画像を形成する機能を備えた、例え
ば、複写機、プリンタ、あるいは、ファクシミリ装置な
どの画像形成装置に関し、特に、これらの装置に備えら
れる光走査装置及び光源装置に関するものである。
プリンタ等の画像形成装置では、高生産性の要求から印
字の高速化、また高画質の要求から記録密度の細密化の
方向に進んでいる。
数が増加するなどしてレーザー駆動回路の応答が追従し
なくなる等の問題が発生していた。
てもミラー自身の面数増加の限界や、ポリゴンミラーを
回すモーターの回転数にも限界があった。
ビームで被走査面である感光体表面を一括走査する方法
が提案されている。
の1つの偏向面に対し複数の光ビームを入射させ、該偏
向面で偏向反射した複数の光ビームを結像光学系を介し
て被走査面上の異なった領域に導光し、該被走査面上を
同時に光走査して画像情報の記録を行っている。
てきているレーザー複写機や、レーザービームプリンタ
等に用いられる光走査装置においては、その使用される
コンピュータ等の環境状態やソフトウエア等により単位
長さ当たりのドット(画素)数で示される解像度(記録
密度)、すなわち光ビームで言うところの主走査方向、
副走査方向のピッチを変える必要がある。
ームを放射する光源装置を使用している場合にはポリゴ
ンミラーの回転数と被走査面である感光体表面の周速度
の相対関係を変更するとともに光ビームの主走査方向の
発光間隔、すなわち画像クロック周波数を変えることに
より対応が可能である。
括走査する方法では、上記の解像度を変更する手段のみ
では光偏向器の1つの偏向面に入射した複数の光ビーム
間の副走査方向のピッチを変えられないという問題点が
ある。
置においては、複数の光ビームが一定のピッチを形成し
ている光源装置全体を光軸周りに回動させることで副走
査方向のピッチの変更、あるいはピッチの変更とともに
感光体表面の周速度を変えることで解像度の変更を行っ
ていた。
ームを合成する手段として、2つの発光素子を用いる光
源装置においては、1つの合成部を有し、合成手段とし
て偏光プリズムを用いるものが提案されている。
装置では2つ以上の合成部を備える必要があり、少なく
とも2つの発光素子からの光ビームが2つ以上の合成部
を通過することになることから偏光方向の違いを利用す
る偏光プリズムが使用できなくなる。そこで偏光方向に
関わらず一定の比率で反射、透過を行うハーフミラーを
備えた合成プリズムが使用されている。
ような従来技術の場合には、下記のような問題が生じて
いた。
させる場合、敏感度が非常に高く調整が困難であった。
て光ビームの本数が増すことで3つ以上の発光素子を使
用する必要性が生じ、合成部が増加することによって光
源装置が大型化し、安定性のある調整も困難となる。
素子を用いて2つ以上の合成部を有する光源装置におい
てはハーフミラーを備えた合成プリズムが用いられてい
るが、合成部が増加するほどハーフミラーによる効率低
下が発生し、より大きな光量の発光素子(半導体レーザ
ー)が必要となる。
ためになされたもので、その目的とするところは、解像
度の切り替えを容易に行うことが可能な光走査装置及び
画像形成装置を提供することにある。さらには、合成に
よるレーザーパワーの損失を最小限に抑えることが可能
な光走査装置及び画像形成装置を提供することにある。
に本発明にあっては、光偏向手段の1つの偏向面に対し
複数の光ビームを入射させ、該偏向面で偏向反射した光
ビームを、結像光学系を介して被走査面上の異なった領
域に導光し、被走査面上を同時に光走査する光走査装置
において、前記複数の光ビームは、光ビームのピッチを
固定調整した2組のビーム群に分けて設けられ、被走査
面上に導光される前記2組のビーム群の副走査方向の相
対位置を切り替える切り替え手段を備えることを特徴と
する。
の光ビームであり、該光ビームの数をn本とした場合に
それぞれ、(n+1)/2,(n−1)/2本の光ビー
ムのピッチを固定調整した2組のビーム群A,Bに分け
られ、前記切り替え手段は、前記2組のビーム群の光ビ
ームを副走査方向に対して、A1 ,B1 ,A2 ,・・
・,B(n-1)/2 ,A(n+1)/2 の順序で一括走査する第1
の走査位置と、A1 ,A2 ,・・・,A(n+1)/2 ,
B1 ,B2 ,・・・,B(n-1)/2 ,あるいはB1 ,
B2 ,・・・,B(n-1)/2 ,A1 ,A2 ,・・・,A
(n+1)/2 の順序で一括走査する第2の走査位置とに切り
替えるとともに、前記第1の走査位置における被走査面
上の隣接する光ビームの副走査方向のピッチは、前記第
2の走査位置における被走査面上の隣接する光ビームの
副走査方向のピッチの1/2となることも好適である。
の光ビームであり、該光ビームの数をn本とした場合に
それぞれ、n/2本の光ビームのピッチを固定調整した
2組のビーム群A,Bに分けられ、前記切り替え手段
は、前記2組のビーム群の光ビームを副走査方向に対し
て、A1 ,B1 ,A2 ,・・・,An/2 ,Bn/2 あるい
はB1 ,A1 ,B2 ・・,Bn/2 ,An/2 の順序で一括
走査する第1の走査位置と、A1 ,A2 ,・・・,A
n/2 ,B1 ,B2 ,・・・,Bn/2 あるいはB1 ,
B2 ,・・・Bn/2 ,A1 ,A2 ,・・・,An/2の順
序で一括走査する第2の走査位置とに切り替えるととも
に、前記第1の走査位置における被走査面上の隣接する
光ビームの副走査方向のピッチは、前記第2の走査位置
における被走査面上の隣接する光ビームの副走査方向の
ピッチの1/2となることも好適である。
置に切り替えた際に、前記光偏向手段の偏向面の切り替
え速度を1/2に変更する制御手段を備えることも好適
である。
の光ビームを合成する合成手段が複数設けられ、前記複
数の合成手段のうち少なくとも1つは偏光プリズムを有
し、前記複数の光ビームの全てが多くとも1度のみ偏光
プリズムを通ることも好適である。
の光ビームが前記複数の合成手段全てに対して透過光と
なることも好適である。
段のうち光ビームが最後に通過する合成手段を回動させ
る手段であることも好適である。
を3つ以上備え、前記3つ以上の発光素子のうち少なく
とも2つから放射される光ビームを合成する合成手段を
複数備えた光源装置において、前記複数の合成手段のう
ち少なくとも1つは偏光プリズムを用い、前記3つ以上
の発光素子から放射されるすべての光ビームが多くとも
1度のみ偏光プリズムを通ることを特徴とする。
ビームのうち少なくとも1つの光ビームが前記複数の合
成手段全てに対して透過光となることも好適である。
置を備え、前記光源装置により光偏向手段の1つの偏向
面に対し光ビームを入射させ、該偏向面で偏向反射した
光ビームを、結像光学系を介して被走査面上の異なった
領域に導光し、被走査面上を同時に光走査することを特
徴とする。
査装置を備え、該光走査装置から出射された光束を、像
担持体面上に導光して該像担持体を走査し、該像担持体
上に形成された静電潜像を現像して得られたトナー画像
を転写材に転写することを特徴とする。
の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。
の被走査面上を同時に光走査する際、該光ビームの走査
方向(以下、主走査方向)と直交する方向(以下、副走
査方向)のピッチ(走査間隔)を2段階に変更し得るピ
ッチ間調整手段を有し、複数の解像度(記録密度)で画
像情報の記録を行うようにしたものである。なお、この
実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形
状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構
成や各種条件により適宜変更されるべきものであり、こ
の発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のもの
ではない。
の形態に係る光走査装置および該光走査装置に搭載され
る光源装置は、例えばレーザー複写機、レーザービーム
プリンタ等の画像形成装置に搭載される。
は、得られた画像情報に基づいたレーザーを光走査装置
52によって発射させ、プロセスカートリッジ53に内
蔵された像担持体としての感光体6上にレーザーを照射
する。
について説明する。
カートリッジ53によって、この潜像がトナーにより現
像化される。
が、給送ローラ、および、分離パッドによって一枚づつ
分離されながら給送され、各搬送ローラによって、さら
に下流側に搬送され、この搬送されたシート上に、上述
の感光体6上に形成されたトナーによる現像が転写手段
54によって転写される。
たシートは、さらに下流側に搬送され、定着手段55に
よってトナー像が定着されて、その後、排出ローラによ
って機外に排出される。
走査装置52の概略斜視図であり、光ビームを像担持体
に導光するための反射鏡を取り除いて示したものであ
る。
部を有する光源手段としての半導体レーザを合成し、少
なくとも3本以上の光ビームを同時に放射する光源装置
である。
方向のみに所定の屈折力を有している。
動用モータ13よりなる駆動手段により図中矢印w1方
向に一定速度で回転している。光偏向器4は不図示の制
御系により所定の回転数に制御されている。
り、光偏向器4からの複数の光ビームを集光し、被走査
面である感光体6面上のそれぞれ異なる露光位置に結像
させている。
印w2方向へ一定速度で回動している。
出手段であり、光ビームの走査開始側Lfの位置に設け
ており、反射ミラー71と水平同期信号および光ビーム
ピッチ検出回路72とを有している。
上の走査開始位置のタイミングを調整する水平同期信号
(BD信号)および感光体6面上に光偏向器4の1つの
偏向面で偏向反射、一括走査されるL1からLnのn本
の光ビームの副走査方向のピッチ間隔信号を得るため
に、光偏向器4で偏向反射された光ビームの一部を反射
ミラー71を介して光ビームピッチ検出回路72で受光
している。
ムピッチ検出回路72からのBD信号を用い、該BD信
号に同期して光源装置1から放射される複数の光ビーム
の発光タイミングを制御している。さらに、該検出回路
72からのピッチ間隔信号を用い、光ビームのピッチ間
隔調整も行っている。
源装置1の概略斜視図であり、それぞれに1つの発光部
をもつ4つの発光素子を備えた形態である。
を有する発光素子としての半導体レーザであり、各発光
素子より放射される光ビームはそれぞれA1,A2,B
1,B2である。
り、発光素子101乃至104より放射された光ビーム
を略平行光束にしており、対応する発光素子の光軸に一
致させて配設されている。
平行光束に変換された光ビームA2,B1の偏光方向を
90度旋回させるものである。
ズムの一種である偏光プリズムであり、面131aは偏
光方向を90度旋回された光ビームA2をすべて透過
し、また偏光方向を旋回されていない光ビームA1をす
べて反射することでそれぞれの効率を落とすことなく合
成された光ビームAとしてハーフミラー合成プリズム1
33に向けて放射される。同様に面132aで光ビーム
B1は全透過、光ビームB2は全反射され、合成光ビー
ムBとして放射される。
る光ビームA1,A2が副走査方向に所定のピッチで調
整、放射されたものであり、同様に合成光ビームBは偏
光方向の異なる光ビームB1,B2が副走査方向に所定
のピッチで調整、放射されたものである。
ム133(以下、ハーフミラーと呼ぶ)は面133aに
より光ビームA,Bそれぞれの半分を透過し、半分を反
射することで、約半分の効率でさらに合成された光ビー
ムABとして、1/4波長板123により円偏光状態に
そろえられた後、図2におけるシリンドリカルレンズ3
に向けて放射される。1/4波長板123は図の位置で
なく、合成光ビームA,Bが通過する偏光プリズム13
1とハーフミラー133の間、および偏光プリズム13
2とハーフミラー133の間に各1つずつ備えてもかま
わない。
光ビームA1,A2,B1,B2が副走査方向に所定の
ピッチで調整、放射されたものである。
A2が1度だけ偏光プリズム131を通過するようにし
てあり、光ビームB1,B2が1度だけ偏光プリズム1
32を通過するようにしてある。
合成プリズム(偏光プリズム131とハーフミラー13
3)において透過光となり光源装置1の絶対的な光軸と
することができる。
整方法について図1,図4を用いて述べる。図4は、被
走査面における副走査方向の光ビームのピッチ(走査間
隔)を説明するための図である。
を21.15(μm)(解像度で1200dpi)、第
2の走査位置における被走査面のピッチを42.3(μ
m)(解像度で600dpi)としたとき、偏光プリズ
ム132を不図示の角度調整手段によりプリズム長手方
向軸を中心にw3の方向に回転させ、図4に示すように
被走査面における副走査方向の光ビームB1,B2のピ
ッチ(走査間隔)を42.3(μm)に調整する。
1の光軸を中心としたw4の方向に回転させることでB
1,B2のピッチを同様に調整することが可能となる。
光軸と直交する水平軸を中心としたw5の方向に回転、
または光軸と直交する垂直軸方向w6に移動することで
もB1,B2のピッチを調整することが可能となる。
は発光素子101,102の回転、移動によって図4に
示すように被走査面における副走査方向の光ビームA
1,A2のピッチを42.3(μm)に調整する。
131,132と同じように、切り替え手段としての不
図示の角度調整手段により回転させることで図4(a)
に示すようにA1,A2およびB1,B2のピッチを4
2.3(μm)に保ったまま光ビームA1,B1のピッ
チ(A2,B2のピッチも同様)を21.15(μm)
に調整することで副走査方向に隣接するすべての光ビー
ムのピッチを21.15(μm)とすることができる。
ここで、角度調整手段は切り替え手段を構成している。
B1の副走査方向の順序を変えても同様に隣接する光ビ
ームのピッチを21.15(μm)にすることができ、
第1の走査位置を実現することができる。
1,B2は図1におけるA1,A2およびB1,B2と
一意的に対応する必要はなく、A1とA2、B1とB2
は入れ替わっても何ら問題はない。
切り替え方法について図4,図5を用いて説明する。図
5は、被走査面における副走査方向の光ビームのピッチ
を説明するための図である。
Bのピッチを可変可能なことは前述したとおりである。
ここで、隣接する光ビームのピッチを21.15(μ
m)に調整した第1の走査位置の状態からさらにハーフ
ミラー133を所定角度回転させることにより第2の走
査位置への切り替えが可能となる。
査矢印方向に被走査面が移動する場合、被走査面移動方
向に対して遅れる方向(図を正視した場合の下側)に光
ビームB1,B2を63.45(μm)移動させること
で図5(a)に示すように光ビームA1,A2および光
ビームB1,B2のピッチ(42.3μm)を保ったま
まA2,B1のピッチを42.3(μm)に変更するこ
とが可能となる。
面移動方向に対して進む方向(図を正視した場合の上
側)に光ビームB1,B2を105.75(μm)移動
させることで図5(b)に示すように光ビームA1,A
2および光ビームB1,B2のピッチ(42.3μm)
を保ったままB2,A1のピッチを42.3(μm)に
変更することが可能となる。
ームB1,B2を被走査面移動方向に対して遅れる方向
(図を正視した場合の下側)に105.75(μm)、
進む方向(図を正視した場合の上側)に63.45(μ
m)移動させることで図5(a)あるいは図5(b)に
示すように光ビームのピッチを変更することが可能とな
る。
像度を切り替える手段について図2および図4、図5を
用いて説明する。
の走査位置に設定されている時、光偏向器4は回転駆動
用モータ13により図中矢印w1方向に一定速度Vで回
転している。該光偏向器4は不図示の制御系により制御
されている。
図5(a)(b)に示す第2の走査位置に切り替えられ
ると、検出回路72によって感光体6上に走査される光
ビームのピッチが切り替わったことが検知される。
光ビームのピッチが経時的に変化しない構成を取り得る
ことができれば、例えば光ビームA1とB1のピッチが
光ビームA1とA2のピッチの1/2となっている時に
第1の走査位置と判別することができ、例えば光ビーム
A2とB1のピッチが光ビームA1とA2のピッチに等
しくなっているときに第2の走査位置と判別することが
できる。
ピッチが経時的に変化する場合には、走査位置の切り替
え検知とは別に、ビーム群の中の光ビームのピッチも正
確に検知し、調整する必要があるため、光偏向器4から
反射ミラー71を介して検出回路72の光ビーム検知面
に至る光学的な距離を光偏向器4から感光体6の表面ま
での距離と一致するよう調整して配置する。
的に配置する際には、光偏向器4から光ビーム検知面、
感光体6表面までの距離を同じく配置することが困難と
なる場合があるので、このときは光偏向器4から感光体
6表面、光偏向器4から光ビーム検知面の比をあらかじ
め決めておき、光走査装置を画像形成装置等の本体に配
設したときに同等の比率になるよう検出回路を調整して
配置する。
に合成プリズムの回転角度切り替え検知機構を備えるこ
とで検出してもかまわないし、また検出回路72および
該検知機構を併用してもかまわない。
知すると、検知信号が不図示の偏向器制御系(制御手
段)に送られ、回転駆動用モータ13の回転数を変更す
ることで光偏向器4の速度をV/2に変更する。
ク発生回路に送られ、画像クロック周波数を1/4にす
ることで主走査方向、副走査方向の解像度が1/2に変
更される。
を送ることで、光ビームB1で走査する画像データと光
ビームA1で走査する画像データとを入れ替える。
切り替え手段によるハーフミラー133の回転のみで、
光ビームの副走査方向のピッチを第1の走査位置と第2
の走査位置との2段階に容易に切り替えることが可能と
なる。
する場合、第2の走査位置に切り替えた際には光偏向器
の偏向面切り替え速度を1/2にすることで連続的に光
ビームの副走査方向のピッチを2倍にすることができ、
2段階の解像度で光ビームの照射が可能となる。
置においては、合成手段である合成プリズムの少なくと
も1つを偏光プリズムとすることでレーザーパワーの損
失を最小限に抑えることができる。
1つの光ビームをすべて透過光にすることによって光源
装置としての絶対的な光軸とすることができ、光走査装
置に搭載する場合の位置合わせ、あるいはピッチ間調整
を容易に行うことが可能となる。
の実施の形態に係る光源装置について図6を用いて説明
する。ここで符号の記載なきものに関しては図1と同じ
ものであるので説明は省略する。また同一の名称を用い
ているものに関しても図1と同じ働きをするものとして
説明を省略する 図6は本実施の形態に係る光源装置の概略斜視図であり
第1の実施の形態で説明した光源装置1の別の実施形態
を示すものであり、それぞれに1つの発光部をもつ4つ
の発光素子を備えた形態である。
ミラーであり、面151aは光ビームA1,A2それぞ
れの半分を透過し、半分を反射することで、約半分の効
率で合成された光ビームAとして偏光プリズム153に
向けて放射される。同様に面152aで光ビームB1,
B2がそれぞれ半透過、半反射され、約半分の効率で合
成された光ビームBとして偏光プリズム153に向けて
放射される。
に変換された光ビームAの偏光方向を90度旋回させ
る。
あり、面153aにより偏光方向を90度旋回された光
ビームAをすべて透過し、また偏光方向を旋回されてい
ない光ビームBをすべて反射することでそれぞれの効率
を落とすことなく合成された光ビームABとして1/4
波長板123により円偏光状態にそろえられた後、図2
におけるシリンドリカルレンズ3に向けて放射される。
2,B1,B2が1度だけ偏光プリズム153を通過す
るようにしてある。
合成プリズム151,153において透過光となり本光
源装置の絶対的な光軸とすることができる。
び第2の走査位置の切り替えについては第1の実施の形
態と同様であり、図1と同じ位置に配置された合成プリ
ズムの同様の動作でなし得ることができる。
の実施の形態に係る光源装置について図7を用いて説明
する。ここで記号の記載なきものに関しては図1と同じ
ものであるので説明は省略する。また同一の名称を用い
ているものに関しても図1と同じ働きをするものとして
説明を省略する。
斜視図であり第1の実施の形態で説明した光源装置1の
別の実施形態を示すものであり、それぞれに1つの発光
部をもつ3つの発光素子801乃至803を備えた形態
である。また、811乃至813はコリメータレンズで
ある。
あり、1/2波長板821で偏光方向を90度旋回され
た光ビームA2をすべて透過し、偏光方向を旋回されて
いない光ビームA1をすべて反射することで合成された
光ビームAとしてハーフミラー832に向けて放射され
る。
あり、光ビームA,B1のそれぞれの半分を透過し、半
分を反射することで、約半分の効率でさらに合成された
光ビームABとして、1/4波長板822により円偏光
状態にそろえられた後、図2におけるシリンドリカルレ
ンズ3に向けて放射される。
A2が1度だけ偏光プリズム831を通過するようにし
てある。
合成プリズム831,832において透過光となり本光
源装置の絶対的な光軸とすることができる。
光プリズムとした上で1/2波長板821を図7の破線
位置に配置することでも同様の効果が得られる。
度だけ偏光プリズム832を通過することになる。
り替え方法について図7および図8を用いて述べる。図
8は被走査面における副走査方向の光ビームのピッチを
説明するための図である。
を21.15(μm)(解像度で1200dpi)、第
2の走査位置における被走査面のピッチを42.3(μ
m)(解像度で600dpi)としたとき、図8に示す
ように被走査面における光ビームA1、A2のピッチ
(走査間隔)を42.3(μm)に調整する。
2を不図示の角度調整手段により回転させることで図8
(a)に示すようにA1,A2のピッチを42.3(μ
m)に保ったまま光ビームA1,B1のピッチを21.
15(μm)に調整することで副走査方向に隣接するす
べての光ビームのピッチを21.15(μm)とし、第
1の走査位置を実現することができる。
査矢印方向に被走査面が移動する場合、被走査面移動方
向に対して遅れる方向(図を正視した場合の下側)ある
いは進む方向(図を正視した場合の上側)に63.45
(μm)移動させることで図8(b)に示すようにすべ
ての隣接する光ビームのピッチを42.3(μm)とす
ることができ、第2の走査位置を実現することが可能と
なる。
の実施の形態に係る光源装置について図9を用いて説明
する。ここで記号の記載なきものに関しては図1と同じ
ものであるので説明は省略する。また同一の名称を用い
ているものに関しても図1と同じ働きをするものとして
説明を省略する。
斜視図であり第1の実施の形態で説明した光源装置1の
別の実施形態を示すものであり、それぞれに1つの発光
部をもつ5つの発光素子901乃至905を備えた形態
である。また、911乃至915はコリメータレンズで
ある。
あり、光ビームA1,A2のそれぞれの半分を透過し、
半分を反射することで、約半分の効率で合成された光ビ
ームA′としてハーフミラー932に向けて放射され
る。
32は光ビームA′,A3を合成し、光ビームAとして
偏光プリズム934に向けて放射される。また、合成手
段としてのハーフミラー933は光ビームB1,B2を
合成し、光ビームBとして偏光プリズム934に向けて
放射される。
/2波長板921で偏光方向を90度旋回された光ビー
ムAをすべて透過し、偏光方向を旋回されていない光ビ
ームBをすべて反射することで合成された光ビームAB
として、1/4波長板922により円偏光状態にそろえ
られた後、図2におけるシリンドリカルレンズ3に向け
て放射される。
り替え方法について図9および図10を用いて述べる。
図10は被走査面における副走査方向の光ビームのピッ
チを説明するための図である。
を21.15(μm)(解像度で1200dpi)、第
2の走査位置における被走査面のピッチを42.3(μ
m)(解像度で600dpi)としたとき、図10に示
すように被走査面における光ビームA1,A2,A3の
ピッチ(走査間隔)をそれぞれ42.3(μm)に調整
する。
間隔)を42.3(μm)に調整する。
まわないし、またA1,A2,A3の順序はこれに限る
ものではない。
調整手段により回転させることで図10(a)に示すよ
うにA1,A2,A3およびB1,B2のピッチを4
2.3(μm)に保ったまま光ビームA1,B1のピッ
チを21.15(μm)に調整することで副走査方向に
隣接するすべての光ビームのピッチを21.15(μ
m)とし、第1の走査位置を実現することができる。
査矢印方向に被走査面が移動する場合、被走査面移動方
向に対して遅れる方向(図を正視した場合の下側)ある
いは進む方向(図を正視した場合の上側)に105.7
5(μm)移動させることで図10(b)に示すように
すべての隣接する光ビームのピッチを42.3(μm)
とすることができ、第2の走査位置を実現することが可
能となる。
の実施の形態において1つの発光部をもつ複数の発光素
子とハーフミラー合成部で構成された光源部を複数の発
光部をもつ発光素子に代用しても同様の効果を得ること
ができる。
ついての一例を図11を用いて説明する。
1,902から光ビームA1,A2を合成する合成手段
としてのハーフミラー931までを示したものである。
また図11(b)はこれを2つの発光部をもつ1つの発
光素子901′に代用したものである。911′はコリ
メータレンズであり、発光素子901′より放射された
光ビームA1,A2を略平行光束にしており、該光ビー
ムの光軸に一致させて配設されている。
のピッチは一定に製作されているため、調整は発光素子
の光軸周りの回転によって行うことができる。
光ビームのピッチを固定調整した2組のビーム群に分け
て設け、被走査面上に導光される該2組のビーム群の副
走査方向の相対位置を切り替える切り替え手段を備えた
ので、容易に2段階の光ビームピッチの切り替えが可能
となる。
光プリズムにするとともにすべての光ビームが多くとも
1度だけ偏光プリズムを通るようにすることで、レーザ
ーの効率低下を最小限にとどめる(パワーの損失を半分
にする)ことができる。
て透過光にすることによって、光源装置の絶対的な光軸
とすることができ、光ビームの副走査方向のピッチの調
整および解像度切り替えを容易に行うことができる。
である。
図である。
チを説明するための図である。
チを説明するための図である。
である。
である。
チを説明するための図である。
である。
ッチを説明するための図である。
2から光ビームA1,A2を合成するハーフミラー93
1までを示したものであり、(b)はこれを2つの発光
部をもつ1つの発光素子901′に代用したものであ
る。
01′ 発光素子(半導体レーザ) 111〜114,811〜813,911〜915,9
11′ コリメータレンズ 121,122,161,821,921 1/2波長
板 123,822,922 1/4波長板 131,132,153,831,934 偏光プリズ
ム 131a,132a,133a,151a,152a
面 133,151,152,832,931,932,9
33 ハーフミラー A,A1〜A3,B,B1,B2,AB 光ビーム
Claims (11)
- 【請求項1】光偏向手段の1つの偏向面に対し複数の光
ビームを入射させ、該偏向面で偏向反射した光ビーム
を、結像光学系を介して被走査面上の異なった領域に導
光し、被走査面上を同時に光走査する光走査装置におい
て、 前記複数の光ビームは、光ビームのピッチを固定調整し
た2組のビーム群に分けて設けられ、 被走査面上に導光される前記2組のビーム群の副走査方
向の相対位置を切り替える切り替え手段を備えることを
特徴とする光走査装置。 - 【請求項2】前記複数の光ビームは、3つ以上の奇数本
の光ビームであり、該光ビームの数をn本とした場合に
それぞれ、(n+1)/2,(n−1)/2本の光ビー
ムのピッチを固定調整した2組のビーム群A,Bに分け
られ、 前記切り替え手段は、 前記2組のビーム群の光ビームを副走査方向に対して、
A1 ,B1 ,A2 ,・・・,B(n-1)/2 ,A(n+1)/2 の
順序で一括走査する第1の走査位置と、A1 ,A2 ,・
・・,A(n+1)/2 ,B1 ,B2 ,・・・,B(n-1)/2 ,
あるいはB1 ,B2 ,・・・,B(n-1)/2 ,A1 ,
A2 ,・・・,A(n+1)/2 の順序で一括走査する第2の
走査位置とに切り替えるとともに、 前記第1の走査位置における被走査面上の隣接する光ビ
ームの副走査方向のピッチは、前記第2の走査位置にお
ける被走査面上の隣接する光ビームの副走査方向のピッ
チの1/2となることを特徴とする請求項1に記載の光
走査装置。 - 【請求項3】前記複数の光ビームは、4つ以上の偶数本
の光ビームであり、該光ビームの数をn本とした場合に
それぞれ、n/2本の光ビームのピッチを固定調整した
2組のビーム群A,Bに分けられ、 前記切り替え手段は、 前記2組のビーム群の光ビームを副走査方向に対して、
A1 ,B1 ,A2 ,・・・,An/2 ,Bn/2 あるいはB
1 ,A1 ,B2 ・・,Bn/2 ,An/2 の順序で一括走査
する第1の走査位置と、A1 ,A2 ,・・・,An/2 ,
B1 ,B2 ,・・・,Bn/2 あるいはB1 ,B2 ,・・
・Bn/2 ,A1 ,A2 ,・・・,An/2の順序で一括走
査する第2の走査位置とに切り替えるとともに、 前記第1の走査位置における被走査面上の隣接する光ビ
ームの副走査方向のピッチは、前記第2の走査位置にお
ける被走査面上の隣接する光ビームの副走査方向のピッ
チの1/2となることを特徴とする請求項1に記載の光
走査装置。 - 【請求項4】前記第1の走査位置から前記第2の走査位
置に切り替えた際に、前記光偏向手段の偏向面の切り替
え速度を1/2に変更する制御手段を備えることを特徴
とする請求項1,2または3に記載の光走査装置。 - 【請求項5】前記複数の光ビームのうち少なくとも2つ
の光ビームを合成する合成手段が複数設けられ、 前記複数の合成手段のうち少なくとも1つは偏光プリズ
ムを有し、前記複数の光ビームの全てが多くとも1度の
み偏光プリズムを通ることを特徴とする請求項1乃至4
のいずれか1項に記載の光走査装置。 - 【請求項6】前記複数の光ビームのうち少なくとも1つ
の光ビームが前記複数の合成手段全て対して透過光とな
ることを特徴とする請求項5に記載の光走査装置。 - 【請求項7】前記切り替え手段とは、前記複数の合成手
段のうち光ビームが最後に通過する合成手段を回動させ
る手段であることを特徴とする請求項5または6に記載
の光走査装置。 - 【請求項8】少なくとも1つの発光部を有する発光素子
を3つ以上備え、 前記3つ以上の発光素子のうち少なくとも2つから放射
される光ビームを合成する合成手段を複数備えた光源装
置において、 前記複数の合成手段のうち少なくとも1つは偏光プリズ
ムを用い、前記3つ以上の発光素子から放射されるすべ
ての光ビームが多くとも1度のみ偏光プリズムを通るこ
とを特徴とする光源装置。 - 【請求項9】前記3つ以上の発光素子から放射される光
ビームのうち少なくとも1つの光ビームが前記複数の合
成手段全てに対して透過光となることを特徴とする請求
項8に記載の光源装置。 - 【請求項10】請求項8または9に記載の光源装置を備
え、 前記光源装置により光偏向手段の1つの偏向面に対し光
ビームを入射させ、該偏向面で偏向反射した光ビーム
を、結像光学系を介して被走査面上の異なった領域に導
光し、被走査面上を同時に光走査することを特徴とする
光走査装置。 - 【請求項11】請求項1乃至7のいずれか1項又は請求
項10に記載の光走査装置を備え、該光走査装置から出
射された光束を、像担持体面上に導光して該像担持体を
走査し、該像担持体上に形成された静電潜像を現像して
得られたトナー画像を転写材に転写することを特徴とす
る画像形成装置。
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