JP2003124115A - 構造基板の製造方法、構造基板、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子 - Google Patents
構造基板の製造方法、構造基板、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子Info
- Publication number
- JP2003124115A JP2003124115A JP2001315705A JP2001315705A JP2003124115A JP 2003124115 A JP2003124115 A JP 2003124115A JP 2001315705 A JP2001315705 A JP 2001315705A JP 2001315705 A JP2001315705 A JP 2001315705A JP 2003124115 A JP2003124115 A JP 2003124115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- substrate
- manufacturing
- regions
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 770
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 760
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 321
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 131
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 349
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 148
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 145
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 334
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 59
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NTWRPUHOZUFEDH-UHFFFAOYSA-N C[Mg]C1C=CC=C1 Chemical compound C[Mg]C1C=CC=C1 NTWRPUHOZUFEDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 241000927721 Tritia Species 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004029 environmental poison Substances 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長
寿命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿
命の半導体素子を実現する。 【解決手段】 第１の平均転位密度を有する結晶からな
る第１の領域Ａ中に第１の平均転位密度より高い第２の
平均転位密度を有する複数の第２の領域Ｂが規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板１を
用いて半導体発光素子あるいは半導体素子を製造する際
に、第２の領域Ｂの上を通らないように半導体発光素子
の発光領域あるいは半導体素子の活性領域を形成する。
寿命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿
命の半導体素子を実現する。 【解決手段】 第１の平均転位密度を有する結晶からな
る第１の領域Ａ中に第１の平均転位密度より高い第２の
平均転位密度を有する複数の第２の領域Ｂが規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板１を
用いて半導体発光素子あるいは半導体素子を製造する際
に、第２の領域Ｂの上を通らないように半導体発光素子
の発光領域あるいは半導体素子の活性領域を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、構造基板の製造
方法、構造基板、半導体発光素子の製造方法、半導体発
光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製
造方法および素子に関し、例えば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオード
あるいは電子走行素子の製造に適用して好適なものであ
る。
方法、構造基板、半導体発光素子の製造方法、半導体発
光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製
造方法および素子に関し、例えば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオード
あるいは電子走行素子の製造に適用して好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、Ａｌ
ＧａＩｎＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やＡ
ｌＧａＩｎＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に比べてバン
ドギャップＥg が大きく、かつ直接遷移の半導体材料で
あるという特徴を有している。このため、これらの窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、紫外線から緑色に当
たる短波長の光の発光が可能な半導体レーザや、紫外線
から赤色まで、および白色という広い発光波長範囲をカ
バーできる発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光
素子を構成する材料として注目されており、高密度光デ
ィスクやフルカラーディスプレイ、さらには環境・医療
分野など、広く応用が考えられている。
ＧａＩｎＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やＡ
ｌＧａＩｎＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に比べてバン
ドギャップＥg が大きく、かつ直接遷移の半導体材料で
あるという特徴を有している。このため、これらの窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体は、紫外線から緑色に当
たる短波長の光の発光が可能な半導体レーザや、紫外線
から赤色まで、および白色という広い発光波長範囲をカ
バーできる発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光
素子を構成する材料として注目されており、高密度光デ
ィスクやフルカラーディスプレイ、さらには環境・医療
分野など、広く応用が考えられている。
【０００３】また、これらの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体は、例えばＧａＮの高電界における飽和速度が
大きいこと、例えば４００℃程度までの高温動作が可能
であること、および、例えばＭＩＳ（Metal-Insulator-
Semiconductor)構造における絶縁層の材料にＡｌＮを用
いることで半導体層および絶縁層の形成を結晶成長によ
り連続して行うことができるなどの特徴を有している。
このため、これらの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は、高温動作可能な高出力の高周波電子素子を構成する
材料としても期待されている。
物半導体は、例えばＧａＮの高電界における飽和速度が
大きいこと、例えば４００℃程度までの高温動作が可能
であること、および、例えばＭＩＳ（Metal-Insulator-
Semiconductor)構造における絶縁層の材料にＡｌＮを用
いることで半導体層および絶縁層の形成を結晶成長によ
り連続して行うことができるなどの特徴を有している。
このため、これらの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
は、高温動作可能な高出力の高周波電子素子を構成する
材料としても期待されている。
【０００４】このほか、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体の長所としては、以下のことが挙げられる。 （１）熱伝導性がＧａＡｓ系半導体などよりも高く、高
温・高出力動作の素子向きである。 （２）材料が化学的に安定であり、また硬度も高く、高
い信頼性を得やすい。 （３）環境への負荷が小さい化合物半導体材料である。
すなわち、ＡｌＧａＩｎＮ系半導体は、構成材料や原料
に環境への影響が大きい環境汚染物質や毒物を含まな
い。具体的には、ＡｌＧａＡｓ系半導体におけるヒ素
（Ａｓ）、ＺｎＣｄＳＳｅ系半導体におけるカドミウム
（Ｃｄ）などに相当する材料およびその原料（アルシン
（ＡｓＨ3 ））などを使用しない。
導体の長所としては、以下のことが挙げられる。 （１）熱伝導性がＧａＡｓ系半導体などよりも高く、高
温・高出力動作の素子向きである。 （２）材料が化学的に安定であり、また硬度も高く、高
い信頼性を得やすい。 （３）環境への負荷が小さい化合物半導体材料である。
すなわち、ＡｌＧａＩｎＮ系半導体は、構成材料や原料
に環境への影響が大きい環境汚染物質や毒物を含まな
い。具体的には、ＡｌＧａＡｓ系半導体におけるヒ素
（Ａｓ）、ＺｎＣｄＳＳｅ系半導体におけるカドミウム
（Ｃｄ）などに相当する材料およびその原料（アルシン
（ＡｓＨ3 ））などを使用しない。
【０００５】しかしながら、従来、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体を用いた素子においては、高い信頼性を
得るのに適当な基板材料がないという問題があった。窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板材料として、特
に高品質の結晶を得るために、以下の問題や状況があ
る。 （１）構成材料のＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮが格
子定数の異なる全歪み系である。そのため、窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体同士および基板との間に、クラ
ックなどを生じない範囲および良質の結晶膜が得られる
範囲に組成や厚さなどを抑えるなど、設計上の制限があ
る。 （２）ＧａＮに格子整合する高品質基板がまだ開発され
ていない。ＧａＡｓ系半導体やＧａＩｎＰ系半導体に格
子整合する高品質ＧａＡｓ基板や、ＧａＩｎＡｓ系半導
体に格子整合する高品質ＩｎＰ基板があるように、例え
ば高品質なＧａＮ基板は開発途上であり、格子定数差の
比較的小さいＳｉＣ基板は、高価であり、大口径化も困
難であり、結晶膜に引っ張り歪みが発生するためクラッ
クが発生しやすい、などの問題があり、またこれら以外
にはＧａＮに格子整合する基板がない。 （３）窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板材料の
必要条件に、約１０００℃の高い結晶成長温度およびＶ
族原料のアンモニア雰囲気で変質・腐食されないことが
ある。
族化合物半導体を用いた素子においては、高い信頼性を
得るのに適当な基板材料がないという問題があった。窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板材料として、特
に高品質の結晶を得るために、以下の問題や状況があ
る。 （１）構成材料のＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮが格
子定数の異なる全歪み系である。そのため、窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体同士および基板との間に、クラ
ックなどを生じない範囲および良質の結晶膜が得られる
範囲に組成や厚さなどを抑えるなど、設計上の制限があ
る。 （２）ＧａＮに格子整合する高品質基板がまだ開発され
ていない。ＧａＡｓ系半導体やＧａＩｎＰ系半導体に格
子整合する高品質ＧａＡｓ基板や、ＧａＩｎＡｓ系半導
体に格子整合する高品質ＩｎＰ基板があるように、例え
ば高品質なＧａＮ基板は開発途上であり、格子定数差の
比較的小さいＳｉＣ基板は、高価であり、大口径化も困
難であり、結晶膜に引っ張り歪みが発生するためクラッ
クが発生しやすい、などの問題があり、またこれら以外
にはＧａＮに格子整合する基板がない。 （３）窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の基板材料の
必要条件に、約１０００℃の高い結晶成長温度およびＶ
族原料のアンモニア雰囲気で変質・腐食されないことが
ある。
【０００６】以上のような理由により、窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体の基板としては総合的な判断でサフ
ァイア基板を使用する場合が多い。サファイア基板は、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長温度で安
定で、高品質の２または３インチ基板が安定に供給され
る利点があるが、その一方でＧａＮとの格子不整合が大
きい（約１３％）。このため、サファイア基板上に低温
成長によりＧａＮやＡｌＮからなるバッファ層を形成
し、その上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長
させている。これによれば、単結晶の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を成長させることが可能であるが、そ
の欠陥密度は格子不整合を反映して例えば１０8 〜１０
9 （ｃｍ-2）程度もあり、例えば半導体レーザにおいて
は長時間の信頼性を得ることは困難であった。
−Ｖ族化合物半導体の基板としては総合的な判断でサフ
ァイア基板を使用する場合が多い。サファイア基板は、
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長温度で安
定で、高品質の２または３インチ基板が安定に供給され
る利点があるが、その一方でＧａＮとの格子不整合が大
きい（約１３％）。このため、サファイア基板上に低温
成長によりＧａＮやＡｌＮからなるバッファ層を形成
し、その上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長
させている。これによれば、単結晶の窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を成長させることが可能であるが、そ
の欠陥密度は格子不整合を反映して例えば１０8 〜１０
9 （ｃｍ-2）程度もあり、例えば半導体レーザにおいて
は長時間の信頼性を得ることは困難であった。
【０００７】サファイア基板にはこのほかに、（１）劈
開性がないため、鏡面性が高いレーザ端面の安定な形成
が困難、（２）サファイアが絶縁性のため基板上面から
ｐ側電極およびｎ側電極の取り出しが必須、（３）結晶
成長膜が厚いと、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と
サファイアとの熱膨張係数の差により、室温での基板の
反りが大きく、素子形成プロセスに支障を来す、などの
問題がある。
開性がないため、鏡面性が高いレーザ端面の安定な形成
が困難、（２）サファイアが絶縁性のため基板上面から
ｐ側電極およびｎ側電極の取り出しが必須、（３）結晶
成長膜が厚いと、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体と
サファイアとの熱膨張係数の差により、室温での基板の
反りが大きく、素子形成プロセスに支障を来す、などの
問題がある。
【０００８】サファイア基板のように格子定数の異なる
基板上に成長させる半導体結晶の高品質化の目的では、
横方向選択成長（Epitaxial Lateral Overgrowth; ＥＬ
Ｏ）を用いる方法がある。ＥＬＯでは、周期的に高結晶
品質領域（横方向成長領域）と低結晶品質あるいは高欠
陥密度領域（種結晶上やその境界、会合部など）とが現
れるが、素子の活性領域（例えば、発光素子では発光領
域、電子走行素子では電子が走行する領域）のサイズが
大きくない場合、ＥＬＯの周期は、半導体レーザのスト
ライプやトランジスタのエミッタ領域／コレクタ領域
（またはソース領域／ドレイン領域）間隔より大きくと
ることができる。例えば、ＥＬＯの周期１０〜２０μｍ
に対し、素子の活性領域のサイズは数μｍ程度であるた
め、高品質領域内に活性領域を設計することが可能であ
る。
基板上に成長させる半導体結晶の高品質化の目的では、
横方向選択成長（Epitaxial Lateral Overgrowth; ＥＬ
Ｏ）を用いる方法がある。ＥＬＯでは、周期的に高結晶
品質領域（横方向成長領域）と低結晶品質あるいは高欠
陥密度領域（種結晶上やその境界、会合部など）とが現
れるが、素子の活性領域（例えば、発光素子では発光領
域、電子走行素子では電子が走行する領域）のサイズが
大きくない場合、ＥＬＯの周期は、半導体レーザのスト
ライプやトランジスタのエミッタ領域／コレクタ領域
（またはソース領域／ドレイン領域）間隔より大きくと
ることができる。例えば、ＥＬＯの周期１０〜２０μｍ
に対し、素子の活性領域のサイズは数μｍ程度であるた
め、高品質領域内に活性領域を設計することが可能であ
る。
【０００９】サファイア基板上にＥＬＯを利用して素子
を形成する場合には、上述の劈開性の悪さなどサファイ
ア自身の性質に起因する問題以外にも、例えば以下のよ
うな問題があった。 （１）ＥＬＯに必要な工程数が多いことにより歩留まり
が低下する。 （２）ＥＬＯに必要な分だけ結晶膜厚が増大することに
より、基板に熱応力による大きな反りが発生し、結晶成
長工程やウェハプロセスの制御性を低下させる。 （３）素子サイズの制限がある。ＬＥＤやフォトディテ
クタ（ＰＤ）および集積素子など、ＥＬＯ周期より大き
い、例えば数百μｍ角以上の活性領域を持つ素子では、
全素子領域を高結晶品質領域とすることができないた
め、ＥＬＯの効果を発揮できない。
を形成する場合には、上述の劈開性の悪さなどサファイ
ア自身の性質に起因する問題以外にも、例えば以下のよ
うな問題があった。 （１）ＥＬＯに必要な工程数が多いことにより歩留まり
が低下する。 （２）ＥＬＯに必要な分だけ結晶膜厚が増大することに
より、基板に熱応力による大きな反りが発生し、結晶成
長工程やウェハプロセスの制御性を低下させる。 （３）素子サイズの制限がある。ＬＥＤやフォトディテ
クタ（ＰＤ）および集積素子など、ＥＬＯ周期より大き
い、例えば数百μｍ角以上の活性領域を持つ素子では、
全素子領域を高結晶品質領域とすることができないた
め、ＥＬＯの効果を発揮できない。
【００１０】以上の諸問題は、高品質のＧａＮ基板が得
られれば解決することが可能であるが、これまでの試み
では、高品質で大口径のＧａＮ基板が得られなかった。
これは、ＧａＮはＨＶＰＥ（ハライド気相成長）によっ
ても、一般に高温（高圧）成長による良質な種結晶を得
にくい、などの理由で、単結晶成長を安定に行うことが
できず、高品質基板の製造が困難なことによる。
られれば解決することが可能であるが、これまでの試み
では、高品質で大口径のＧａＮ基板が得られなかった。
これは、ＧａＮはＨＶＰＥ（ハライド気相成長）によっ
ても、一般に高温（高圧）成長による良質な種結晶を得
にくい、などの理由で、単結晶成長を安定に行うことが
できず、高品質基板の製造が困難なことによる。
【００１１】特開２００１−１０２３０７号公報にはこ
の問題の改善を図ることを目的とした単結晶ＧａＮ基板
の製造方法が提案されている。これによれば、高欠陥密
度のＧａＮ種基板を形成後、一部に３次元的なファセッ
トを形成し、ファセットを閉じない条件で成長を続ける
ことで、このコア部に結晶転位を集中させて、結果とし
て広い領域が高品質な基板を製造している。
の問題の改善を図ることを目的とした単結晶ＧａＮ基板
の製造方法が提案されている。これによれば、高欠陥密
度のＧａＮ種基板を形成後、一部に３次元的なファセッ
トを形成し、ファセットを閉じない条件で成長を続ける
ことで、このコア部に結晶転位を集中させて、結果とし
て広い領域が高品質な基板を製造している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開２
００１−１０２３０７号公報に開示された技術は、特に
貫通転位を成長層のある領域に集中させることにより、
他の領域の貫通転位を減少させるものであるため、得ら
れた単結晶ＧａＮ基板には低欠陥密度の領域と高欠陥密
度の領域とが混在しており、しかも高欠陥密度の領域が
発生する位置は制御することができず、ランダムに発生
する。このため、この単結晶ＧａＮ基板上に窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて半導体素子、例
えば半導体レーザを製造する場合、高欠陥密度の領域が
発光領域に形成されてしまうのを避けることができず、
半導体レーザの発光特性や信頼性の低下を招いていた。
００１−１０２３０７号公報に開示された技術は、特に
貫通転位を成長層のある領域に集中させることにより、
他の領域の貫通転位を減少させるものであるため、得ら
れた単結晶ＧａＮ基板には低欠陥密度の領域と高欠陥密
度の領域とが混在しており、しかも高欠陥密度の領域が
発生する位置は制御することができず、ランダムに発生
する。このため、この単結晶ＧａＮ基板上に窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて半導体素子、例
えば半導体レーザを製造する場合、高欠陥密度の領域が
発光領域に形成されてしまうのを避けることができず、
半導体レーザの発光特性や信頼性の低下を招いていた。
【００１３】したがって、この発明が解決しようとする
課題は、発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿
命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿命
の半導体素子を容易に製造することができる構造基板の
製造方法および構造基板を提供することにある。
課題は、発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿
命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿命
の半導体素子を容易に製造することができる構造基板の
製造方法および構造基板を提供することにある。
【００１４】この発明が解決しようとする他の課題は、
発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導
体発光素子およびそのような半導体発光素子を容易に製
造することができる半導体発光素子の製造方法を提供す
ることにある。
発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導
体発光素子およびそのような半導体発光素子を容易に製
造することができる半導体発光素子の製造方法を提供す
ることにある。
【００１５】この発明が解決しようとする他の課題は、
特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子およびそ
のような半導体素子を容易に製造することができる半導
体素子の製造方法を提供することにある。
特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子およびそ
のような半導体素子を容易に製造することができる半導
体素子の製造方法を提供することにある。
【００１６】この発明が解決しようとする他の課題は、
特性が良好で信頼性も高く長寿命の各種の素子およびそ
のような素子を容易に製造することができる素子の製造
方法を提供することにある。
特性が良好で信頼性も高く長寿命の各種の素子およびそ
のような素子を容易に製造することができる素子の製造
方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意検討を行った。その概要について説
明すると、次のとおりである。
解決するために鋭意検討を行った。その概要について説
明すると、次のとおりである。
【００１８】本発明者は、特開２００１−１０２３０７
号公報に開示された技術の改良を重ねた結果、低欠陥密
度領域中に発生する高欠陥密度領域の位置を制御するこ
とに成功した。すなわち、高欠陥密度領域を結晶成長中
に自然に凝集させて形成するのではなく、人為的にＧａ
Ａｓ基板などの適当な基板上に種結晶等を例えば円形で
規則的、例えば周期的に形成し、その上に結晶成長を行
うことにより高欠陥密度領域の形成位置を制御すること
ができ、結晶品質の改善や良質の結晶領域を広げること
が可能となる。この場合、種結晶等の配置により、高欠
陥密度領域の配列パターンを自由自在に変えることがで
きる。
号公報に開示された技術の改良を重ねた結果、低欠陥密
度領域中に発生する高欠陥密度領域の位置を制御するこ
とに成功した。すなわち、高欠陥密度領域を結晶成長中
に自然に凝集させて形成するのではなく、人為的にＧａ
Ａｓ基板などの適当な基板上に種結晶等を例えば円形で
規則的、例えば周期的に形成し、その上に結晶成長を行
うことにより高欠陥密度領域の形成位置を制御すること
ができ、結晶品質の改善や良質の結晶領域を広げること
が可能となる。この場合、種結晶等の配置により、高欠
陥密度領域の配列パターンを自由自在に変えることがで
きる。
【００１９】ここで、種結晶等とは、例えば多結晶、非
晶質（アモルファス）または単結晶のＧａＮや、ＡｌＧ
ａＩｎＮなどのＧａＮ以外の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体や、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外の
材料で形成されるが、結晶欠陥集中位置を規定する核
（コア）となる構造であればどのような構造であっても
よい。
晶質（アモルファス）または単結晶のＧａＮや、ＡｌＧ
ａＩｎＮなどのＧａＮ以外の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体や、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外の
材料で形成されるが、結晶欠陥集中位置を規定する核
（コア）となる構造であればどのような構造であっても
よい。
【００２０】このような基板を用いて半導体レーザなど
の半導体発光素子、より一般的には半導体素子を製造す
る場合、基板に存在する高欠陥密度領域が素子に及ぼす
悪影響を排除する必要がある。すなわち、基板上に半導
体層を成長させると、この半導体層に下地基板の高欠陥
密度領域から欠陥が伝播するため、この欠陥に起因する
素子の特性の劣化や信頼性の低下などを防止する必要が
ある。そのための手法について種々検討を行った結果、
以下の手法が有効であることを見い出した。
の半導体発光素子、より一般的には半導体素子を製造す
る場合、基板に存在する高欠陥密度領域が素子に及ぼす
悪影響を排除する必要がある。すなわち、基板上に半導
体層を成長させると、この半導体層に下地基板の高欠陥
密度領域から欠陥が伝播するため、この欠陥に起因する
素子の特性の劣化や信頼性の低下などを防止する必要が
ある。そのための手法について種々検討を行った結果、
以下の手法が有効であることを見い出した。
【００２１】すなわち、上記の基板においては、高欠陥
密度領域は規則的に配列させることができることから、
この配列に応じて素子の活性領域（例えば、発光素子に
あっては発光領域）の位置の設計を行うことができる。
そして、この設計により、素子の活性領域が高欠陥密度
領域の上を通らないようにすることができる。このよう
にすれば、基板の高欠陥密度領域が素子に悪影響を及ぼ
さないようにすることができるため、欠陥に起因する素
子の特性の劣化や信頼性の低下などを防止することがで
きる。
密度領域は規則的に配列させることができることから、
この配列に応じて素子の活性領域（例えば、発光素子に
あっては発光領域）の位置の設計を行うことができる。
そして、この設計により、素子の活性領域が高欠陥密度
領域の上を通らないようにすることができる。このよう
にすれば、基板の高欠陥密度領域が素子に悪影響を及ぼ
さないようにすることができるため、欠陥に起因する素
子の特性の劣化や信頼性の低下などを防止することがで
きる。
【００２２】上記の手法は、素子に使用する半導体と同
質で低欠陥密度の基板を得ることが困難である場合、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外の半導体を用いた
半導体素子の製造にも有効である。より一般的には、素
子に使用する材料と同質で低欠陥密度の基板を得ること
が困難である場合、そのような素子の製造に有効であ
る。この発明は、本発明者による以上の検討に基づいて
さらに検討を行った結果、案出されたものである。
質で低欠陥密度の基板を得ることが困難である場合、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外の半導体を用いた
半導体素子の製造にも有効である。より一般的には、素
子に使用する材料と同質で低欠陥密度の基板を得ること
が困難である場合、そのような素子の製造に有効であ
る。この発明は、本発明者による以上の検討に基づいて
さらに検討を行った結果、案出されたものである。
【００２３】すなわち、上記課題を解決するために、こ
の発明の第１の発明は、第１の平均転位密度を有する結
晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的
に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板
を用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造
方法であって、第２の領域の上を通らないように構造基
板の構造を形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。
の発明の第１の発明は、第１の平均転位密度を有する結
晶からなる第１の領域中に第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的
に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板
を用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造
方法であって、第２の領域の上を通らないように構造基
板の構造を形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。
【００２４】ここで、構造基板には、バルクの窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に直接構造を形成したも
のと、バルクの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板
上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させ、
この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層に構造を形成
したものとの両者を含む。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に直接構造を形成したも
のと、バルクの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板
上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させ、
この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層に構造を形成
したものとの両者を含む。
【００２５】構造基板の構造は、第２の領域の上を通ら
ないようにその位置および方位を決める。複数の第２の
領域は、典型的には周期的に配列され、具体的には、例
えば、六方格子状、長方形格子状、正方格子状に設けら
れる。これらの二種類以上の配列パターンが混在してい
てもよい。さらには、第２の領域が周期的な配列で設け
られた部分と、第２の領域が規則的ではあるが、周期的
ではない配列で設けられた部分とが混在していてもよ
い。
ないようにその位置および方位を決める。複数の第２の
領域は、典型的には周期的に配列され、具体的には、例
えば、六方格子状、長方形格子状、正方格子状に設けら
れる。これらの二種類以上の配列パターンが混在してい
てもよい。さらには、第２の領域が周期的な配列で設け
られた部分と、第２の領域が規則的ではあるが、周期的
ではない配列で設けられた部分とが混在していてもよ
い。
【００２６】典型的には、構造基板の構造および複数の
第２の領域はそれぞれ周期的に配列される。構造基板の
構造の周期をｗ1 、複数の第２の領域の周期をｗ2 とし
たとき、ｗ1 、ｗ2 の大小関係に応じて、ｗ2 ＝ｎ×ｗ
1 （ただし、ｎは自然数）あるいはｗ1 ＝ｎ×ｗ2 （た
だし、ｎは自然数）とすることにより、構造基板の面内
全体で構造が第２の領域の上を通らないようにすること
ができる。
第２の領域はそれぞれ周期的に配列される。構造基板の
構造の周期をｗ1 、複数の第２の領域の周期をｗ2 とし
たとき、ｗ1 、ｗ2 の大小関係に応じて、ｗ2 ＝ｎ×ｗ
1 （ただし、ｎは自然数）あるいはｗ1 ＝ｎ×ｗ2 （た
だし、ｎは自然数）とすることにより、構造基板の面内
全体で構造が第２の領域の上を通らないようにすること
ができる。
【００２７】構造基板の構造は、この構造基板に半導体
素子が作り込まれる場合には、その半導体素子の活性領
域である。半導体素子には、発光ダイオードや半導体レ
ーザのような発光素子のほか、受光素子、さらには高電
子移動度トランジスタなどの電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）やヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）
のような電子走行素子が含まれる（以下同様）。ここ
で、活性領域とは、半導体発光素子においては発光領
域、半導体受光素子においては受光領域、電子走行素子
においては電子が走行する領域を意味する（以下同
様）。構造基板の構造はこのほか、例えば、横方向選択
成長に用いられるマスクパターンが基板上に形成されて
いる場合に、このマスクパターンで覆われていない部分
である。
素子が作り込まれる場合には、その半導体素子の活性領
域である。半導体素子には、発光ダイオードや半導体レ
ーザのような発光素子のほか、受光素子、さらには高電
子移動度トランジスタなどの電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）やヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）
のような電子走行素子が含まれる（以下同様）。ここ
で、活性領域とは、半導体発光素子においては発光領
域、半導体受光素子においては受光領域、電子走行素子
においては電子が走行する領域を意味する（以下同
様）。構造基板の構造はこのほか、例えば、横方向選択
成長に用いられるマスクパターンが基板上に形成されて
いる場合に、このマスクパターンで覆われていない部分
である。
【００２８】互いに隣接する二つの第２の領域の間隔あ
るいは第２の領域の配列周期は、素子の大きさなどに応
じて選ばれるが、一般的には２０μｍ以上あるいは５０
μｍ以上あるいは１００μｍ以上である。この第２の領
域の間隔あるいは第２の領域の配列周期の上限は必ずし
も明確なものは存在しないが、一般的には１０００μｍ
程度である。この第２の領域は、典型的には、窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を貫通している。また、
この第２の領域は、種結晶の形状にもよるが、典型的に
は不定多角柱状の形状を有する。第１の領域と第２の領
域との間には、第１の平均転位密度より高く、かつ第２
の平均転位密度より低い第３の平均転位密度を有する第
３の領域が遷移領域として存在することも多く、この場
合、最も好適には、これらの第２の領域および第３の領
域の上を通らないように構造基板の構造を形成する。
るいは第２の領域の配列周期は、素子の大きさなどに応
じて選ばれるが、一般的には２０μｍ以上あるいは５０
μｍ以上あるいは１００μｍ以上である。この第２の領
域の間隔あるいは第２の領域の配列周期の上限は必ずし
も明確なものは存在しないが、一般的には１０００μｍ
程度である。この第２の領域は、典型的には、窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を貫通している。また、
この第２の領域は、種結晶の形状にもよるが、典型的に
は不定多角柱状の形状を有する。第１の領域と第２の領
域との間には、第１の平均転位密度より高く、かつ第２
の平均転位密度より低い第３の平均転位密度を有する第
３の領域が遷移領域として存在することも多く、この場
合、最も好適には、これらの第２の領域および第３の領
域の上を通らないように構造基板の構造を形成する。
【００２９】第２の領域の直径は、典型的には１０μｍ
以上１００μｍ以下、より典型的には２０μｍ以上５０
μｍ以下である。また、第３の領域が存在する場合、そ
の直径は典型的には第２の領域の直径より２０μｍ以上
２００μｍ以下より大きく、より典型的には４０μｍ以
上１６０μｍ以下大きく、最も典型的には６０μｍ以上
１４０μｍ以下大きい。
以上１００μｍ以下、より典型的には２０μｍ以上５０
μｍ以下である。また、第３の領域が存在する場合、そ
の直径は典型的には第２の領域の直径より２０μｍ以上
２００μｍ以下より大きく、より典型的には４０μｍ以
上１６０μｍ以下大きく、最も典型的には６０μｍ以上
１４０μｍ以下大きい。
【００３０】第２の領域の平均転位密度は一般的には第
１の領域の転位密度の５倍以上である。典型的には、第
１の領域の平均転位密度は２×１０6 ｃｍ-2以下、第２
の領域の平均転位密度は１×１０8 ｃｍ-2以上である。
第３の領域が存在する場合、その平均転位密度は、典型
的には１×１０8 ｃｍ-2より小さく、２×１０6 ｃｍ -2
より大きい。
１の領域の転位密度の５倍以上である。典型的には、第
１の領域の平均転位密度は２×１０6 ｃｍ-2以下、第２
の領域の平均転位密度は１×１０8 ｃｍ-2以上である。
第３の領域が存在する場合、その平均転位密度は、典型
的には１×１０8 ｃｍ-2より小さく、２×１０6 ｃｍ -2
より大きい。
【００３１】構造基板の構造、例えば半導体素子の活性
領域は、平均転位密度が高い第２の領域による悪影響を
防止するために、第２の領域から好適には１μｍ以上、
より好適には１０μｍ以上、さらに好適には１００μｍ
以上離す。第３の領域が存在する場合、最も好適には、
構造基板の構造、例えば半導体素子の活性領域が第２の
領域および第３の領域の上を通らないようにする。より
具体的には、例えば半導体レーザの場合、ストライプ状
電極を介して駆動電流が流される領域は第２の領域から
好適には１μｍ以上、より好適には１０μｍ以上、さら
に好適には１００μｍ以上離す。第３の領域が存在する
場合、最も好適には、ストライプ状電極を介して駆動電
流が流される領域が第２の領域および第３の領域の上を
通らないようにする。ストライプ状電極、すなわちレー
ザストライプの数は一つまたは複数設けてよく、その幅
も必要に応じて選ぶことができる。
領域は、平均転位密度が高い第２の領域による悪影響を
防止するために、第２の領域から好適には１μｍ以上、
より好適には１０μｍ以上、さらに好適には１００μｍ
以上離す。第３の領域が存在する場合、最も好適には、
構造基板の構造、例えば半導体素子の活性領域が第２の
領域および第３の領域の上を通らないようにする。より
具体的には、例えば半導体レーザの場合、ストライプ状
電極を介して駆動電流が流される領域は第２の領域から
好適には１μｍ以上、より好適には１０μｍ以上、さら
に好適には１００μｍ以上離す。第３の領域が存在する
場合、最も好適には、ストライプ状電極を介して駆動電
流が流される領域が第２の領域および第３の領域の上を
通らないようにする。ストライプ状電極、すなわちレー
ザストライプの数は一つまたは複数設けてよく、その幅
も必要に応じて選ぶことができる。
【００３２】必要に応じて、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板に第２の領域の間隔および／または配列が
周囲の部分と異なる部分を複数箇所設けてもよい。この
場合には、これらの部分をアライメントマークとして用
いてマスク合わせを行うことができる。
物半導体基板に第２の領域の間隔および／または配列が
周囲の部分と異なる部分を複数箇所設けてもよい。この
場合には、これらの部分をアライメントマークとして用
いてマスク合わせを行うことができる。
【００３３】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板あ
るいは窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、最も一
般的にはＡｌX Ｂy Ｇａ1-x-y-z Ｉｎz Ａｓu Ｎ1-u-v
Ｐv（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、
０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１、０≦ｕ
＋ｖ＜１）からなり、より具体的にはＡｌX Ｂy Ｇａ
1-x-y-z Ｉｎz Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、
０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１）からなり、典型的に
はＡｌX Ｇａ1-x-z Ｉｎz Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１、０
≦ｚ≦１）からなる。窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体基板は、最も典型的にはＧａＮからなる。この発明の
第１の発明に関連して述べた以上のことは、その性質に
反しない限り、以下の発明についても成立するものであ
る。
るいは窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層は、最も一
般的にはＡｌX Ｂy Ｇａ1-x-y-z Ｉｎz Ａｓu Ｎ1-u-v
Ｐv（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、
０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１、０≦ｕ
＋ｖ＜１）からなり、より具体的にはＡｌX Ｂy Ｇａ
1-x-y-z Ｉｎz Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、
０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１）からなり、典型的に
はＡｌX Ｇａ1-x-z Ｉｎz Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１、０
≦ｚ≦１）からなる。窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体基板は、最も典型的にはＧａＮからなる。この発明の
第１の発明に関連して述べた以上のことは、その性質に
反しない限り、以下の発明についても成立するものであ
る。
【００３４】この発明の第２の発明は、第１の平均転位
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転
位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２の領域
の上を通らないように構造基板の構造が形成されている
ことを特徴とするものである。
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転
位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２の領域
の上を通らないように構造基板の構造が形成されている
ことを特徴とするものである。
【００３５】この発明の第３の発明は、第１の平均欠陥
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠
陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いて構造基板を製造するようにした
構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通らな
いように構造基板の構造を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠
陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いて構造基板を製造するようにした
構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通らな
いように構造基板の構造を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
【００３６】この発明の第４の発明は、第１の平均欠陥
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠
陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２の領域
の上を通らないように構造基板の構造が形成されている
ことを特徴とするものである。
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠
陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２の領域
の上を通らないように構造基板の構造が形成されている
ことを特徴とするものである。
【００３７】この発明の第３および第４の発明におい
て、「平均欠陥密度」とは、素子の特性や信頼性などに
悪影響を及ぼす格子欠陥全体の平均密度を意味し、欠陥
には転位や積層欠陥や点欠陥などあらゆるものが含まれ
る（以下同様）。
て、「平均欠陥密度」とは、素子の特性や信頼性などに
悪影響を及ぼす格子欠陥全体の平均密度を意味し、欠陥
には転位や積層欠陥や点欠陥などあらゆるものが含まれ
る（以下同様）。
【００３８】この発明の第５の発明は、結晶からなる第
１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いて構造基板を製造するようにし
た構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通ら
ないように構造基板の構造を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いて構造基板を製造するようにし
た構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通ら
ないように構造基板の構造を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
【００３９】この発明の第６の発明は、結晶からなる第
１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２の領
域の上を通らないように構造基板の構造が形成されてい
ることを特徴とするものである。
１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２の領
域の上を通らないように構造基板の構造が形成されてい
ることを特徴とするものである。
【００４０】この発明の第５および第６の発明におい
て、典型的には、結晶からなる第１の領域は単結晶であ
り、この第１の領域より結晶性が悪い第２の領域は単結
晶、多結晶もしくは非晶質またはこれらの二以上が混在
したものである（以下同様）。これは、第２の領域の平
均転位密度あるいは平均欠陥密度が第１の領域の平均転
位密度あるいは平均欠陥密度より高い場合と対応するも
のである。
て、典型的には、結晶からなる第１の領域は単結晶であ
り、この第１の領域より結晶性が悪い第２の領域は単結
晶、多結晶もしくは非晶質またはこれらの二以上が混在
したものである（以下同様）。これは、第２の領域の平
均転位密度あるいは平均欠陥密度が第１の領域の平均転
位密度あるいは平均欠陥密度より高い場合と対応するも
のである。
【００４１】この発明の第７の発明は、第１の平均転位
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転
位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造するよう
にした半導体発光素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように半導体発光素子の発光領域を形成
するようにしたことを特徴とするものである。
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転
位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造するよう
にした半導体発光素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように半導体発光素子の発光領域を形成
するようにしたことを特徴とするものである。
【００４２】この発明の第８の発明は、第１の平均転位
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転
位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いた半導体発光素子であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
が形成されていることを特徴とするものである。
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均転
位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いた半導体発光素子であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
が形成されていることを特徴とするものである。
【００４３】この発明の第９の発明は、第１の平均欠陥
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠
陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造するよう
にした半導体発光素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように半導体発光素子の発光領域を形成
するようにしたことを特徴とするものである。
密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均欠
陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第２
の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造するよう
にした半導体発光素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように半導体発光素子の発光領域を形成
するようにしたことを特徴とするものである。
【００４４】この発明の第１０の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領
域が形成されていることを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領
域が形成されていることを特徴とするものである。
【００４５】この発明の第１１の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造する
ようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２の
領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域を
形成するようにしたことを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造する
ようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２の
領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域を
形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００４６】この発明の第１２の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であって、
第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光
領域が形成されていることを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であって、
第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光
領域が形成されていることを特徴とするものである。
【００４７】この発明の第１３の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するように
した半導体素子の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように半導体素子の活性領域を形成するように
したことを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するように
した半導体素子の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように半導体素子の活性領域を形成するように
したことを特徴とするものである。
【００４８】この発明の第１４の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第２の
領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が形成
されていることを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第２の
領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が形成
されていることを特徴とするものである。
【００４９】この発明の第１５の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するように
した半導体素子の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように半導体素子の活性領域を形成するように
したことを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するように
した半導体素子の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように半導体素子の活性領域を形成するように
したことを特徴とするものである。
【００５０】この発明の第１６の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第２の
領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が形成
されていることを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第２の
領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が形成
されていることを特徴とするものである。
【００５１】この発明の第１７の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するよう
にした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の上
を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するよう
にした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の上
を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。
【００５２】この発明の第１８の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第２
の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が形
成されていることを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第２
の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が形
成されていることを特徴とするものである。
【００５３】この発明の第１９の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて構
造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であっ
て、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造を
形成するようにしたことを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて構
造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であっ
て、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造を
形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００５４】この発明の第２０の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた構
造基板であって、第２の領域の上を通らないように構造
基板の構造が形成されていることを特徴とするものであ
る。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた構
造基板であって、第２の領域の上を通らないように構造
基板の構造が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００５５】この発明の第２１の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて構
造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であっ
て、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造を
形成するようにしたことを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて構
造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であっ
て、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造を
形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００５６】この発明の第２２の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた構
造基板であって、第２の領域の上を通らないように構造
基板の構造が形成されていることを特徴とするものであ
る。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた構
造基板であって、第２の領域の上を通らないように構造
基板の構造が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００５７】この発明の第２３の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて
構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であ
って、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて
構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であ
って、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００５８】この発明の第２４の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた
構造基板であって、第２の領域の上を通らないように構
造基板の構造が形成されていることを特徴とするもので
ある。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた
構造基板であって、第２の領域の上を通らないように構
造基板の構造が形成されていることを特徴とするもので
ある。
【００５９】この発明の第２５の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて半
導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製
造方法であって、第２の領域の上を通らないように半導
体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを特徴
とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて半
導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製
造方法であって、第２の領域の上を通らないように半導
体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを特徴
とするものである。
【００６０】この発明の第２６の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた半
導体発光素子であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体発光素子の発光領域が形成されていることを特
徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた半
導体発光素子であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体発光素子の発光領域が形成されていることを特
徴とするものである。
【００６１】この発明の第２７の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に記第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて
半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の
製造方法であって、第２の領域の上を通らないように半
導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に記第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて
半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の
製造方法であって、第２の領域の上を通らないように半
導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
【００６２】この発明の第２８の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた半
導体発光素子であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体発光素子の発光領域が形成されていることを特
徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた半
導体発光素子であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体発光素子の発光領域が形成されていることを特
徴とするものである。
【００６３】この発明の第２９の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて
半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の
製造方法であって、第２の領域の上を通らないように半
導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて
半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の
製造方法であって、第２の領域の上を通らないように半
導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
【００６４】この発明の第３０の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた
半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らないよ
うに半導体発光素子の発光領域が形成されていることを
特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた
半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らないよ
うに半導体発光素子の発光領域が形成されていることを
特徴とするものである。
【００６５】この発明の第３１の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて半
導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて半
導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。
【００６６】この発明の第３２の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた半
導体素子であって、第２の領域の上を通らないように半
導体素子の活性領域が形成されていることを特徴とする
ものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた半
導体素子であって、第２の領域の上を通らないように半
導体素子の活性領域が形成されていることを特徴とする
ものである。
【００６７】この発明の第３３の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて半
導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて半
導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。
【００６８】この発明の第３４の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた半
導体素子であって、第２の領域の上を通らないように半
導体素子の活性領域が形成されていることを特徴とする
ものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた半
導体素子であって、第２の領域の上を通らないように半
導体素子の活性領域が形成されていることを特徴とする
ものである。
【００６９】この発明の第３５の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて
半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法
であって、第２の領域の上を通らないように半導体素子
の活性領域を形成するようにしたことを特徴とするもの
である。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いて
半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方法
であって、第２の領域の上を通らないように半導体素子
の活性領域を形成するようにしたことを特徴とするもの
である。
【００７０】この発明の第３６の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた
半導体素子であって、第２の領域の上を通らないように
半導体素子の活性領域が形成されていることを特徴とす
るものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している半導体基板を用いた
半導体素子であって、第２の領域の上を通らないように
半導体素子の活性領域が形成されていることを特徴とす
るものである。
【００７１】この発明の第１９〜第３６の発明におい
て、半導体基板あるいは半導体層の材料は、窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体のほか、ウルツ鉱型（wurtzit)
構造、より一般的には、六方晶系の結晶構造を有する他
の半導体、例えばＺｎＯ、α−ＺｎＳ、α−ＣｄＳ、α
−ＣｄＳｅなどであってもよく、さらには他の結晶構造
を有する各種の半導体であってもよい。
て、半導体基板あるいは半導体層の材料は、窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体のほか、ウルツ鉱型（wurtzit)
構造、より一般的には、六方晶系の結晶構造を有する他
の半導体、例えばＺｎＯ、α−ＺｎＳ、α−ＣｄＳ、α
−ＣｄＳｅなどであってもよく、さらには他の結晶構造
を有する各種の半導体であってもよい。
【００７２】この発明の第３７の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いて構造基板
を製造するようにした構造基板の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように構造基板の構造を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いて構造基板
を製造するようにした構造基板の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように構造基板の構造を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
【００７３】この発明の第３８の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いた構造基板
であって、第２の領域の上を通らないように構造基板の
構造が形成されていることを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いた構造基板
であって、第２の領域の上を通らないように構造基板の
構造が形成されていることを特徴とするものである。
【００７４】この発明の第３９の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いて構造基板
を製造するようにした構造基板の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように構造基板の構造を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いて構造基板
を製造するようにした構造基板の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように構造基板の構造を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
【００７５】この発明の第４０の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いた構造基板
であって、第２の領域の上を通らないように構造基板の
構造が形成されていることを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いた構造基板
であって、第２の領域の上を通らないように構造基板の
構造が形成されていることを特徴とするものである。
【００７６】この発明の第４１の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している基板を用いて構造基
板を製造するようにした構造基板の製造方法であって、
第２の領域の上を通らないように構造基板の構造を形成
するようにしたことを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している基板を用いて構造基
板を製造するようにした構造基板の製造方法であって、
第２の領域の上を通らないように構造基板の構造を形成
するようにしたことを特徴とするものである。
【００７７】この発明の第４２の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している基板を用いた構造基
板であって、第２の領域の上を通らないように構造基板
の構造が形成されていることを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している基板を用いた構造基
板であって、第２の領域の上を通らないように構造基板
の構造が形成されていることを特徴とするものである。
【００７８】この発明の第４３の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いて素子を製
造するようにした素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように素子の活性領域を形成するように
したことを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いて素子を製
造するようにした素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように素子の活性領域を形成するように
したことを特徴とするものである。
【００７９】この発明の第４４の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いた素子であ
って、第２の領域の上を通らないように素子の活性領域
が形成されていることを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いた素子であ
って、第２の領域の上を通らないように素子の活性領域
が形成されていることを特徴とするものである。
【００８０】この発明の第４５の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いて素子を製
造するようにした素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように素子の発光領域を形成するように
したことを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いて素子を製
造するようにした素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように素子の発光領域を形成するように
したことを特徴とするものである。
【００８１】この発明の第４６の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いた素子であ
って、第２の領域の上を通らないように素子の活性領域
が形成されていることを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が規則的に配列している基板を用いた素子であ
って、第２の領域の上を通らないように素子の活性領域
が形成されていることを特徴とするものである。
【００８２】この発明の第４７の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している基板を用いて素子を
製造するようにした素子の製造方法であって、第２の領
域の上を通らないように素子の活性領域を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している基板を用いて素子を
製造するようにした素子の製造方法であって、第２の領
域の上を通らないように素子の活性領域を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。
【００８３】この発明の第４８の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している基板を用いた素子で
あって、第２の領域の上を通らないように素子の活性領
域が形成されていることを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が規則的に配列している基板を用いた素子で
あって、第２の領域の上を通らないように素子の活性領
域が形成されていることを特徴とするものである。
【００８４】この発明の第４３〜第４８の発明におい
て、素子は、半導体素子（発光素子、受光素子、電子走
行素子など）のほか、圧電素子、焦電素子、光学素子
（非線形光学結晶を用いる第２次高調波発生素子な
ど）、誘電体素子（強誘電体素子を含む）、超伝導素子
などである。この場合、基板あるいは層の材料は、半導
体素子では上記のような各種の半導体を用いることがで
き、圧電素子、焦電素子、光学素子、誘電体素子、超伝
導素子などでは例えば酸化物などの各種の材料を用いる
ことができる。酸化物材料については、例えばJournal
of the Society of Japan Vol.103,No.11(1995)pp.1099
-1111 やMaterials Science and Engineering B41(199
6)166-173に開示されたものなど、多くのものがある。
て、素子は、半導体素子（発光素子、受光素子、電子走
行素子など）のほか、圧電素子、焦電素子、光学素子
（非線形光学結晶を用いる第２次高調波発生素子な
ど）、誘電体素子（強誘電体素子を含む）、超伝導素子
などである。この場合、基板あるいは層の材料は、半導
体素子では上記のような各種の半導体を用いることがで
き、圧電素子、焦電素子、光学素子、誘電体素子、超伝
導素子などでは例えば酸化物などの各種の材料を用いる
ことができる。酸化物材料については、例えばJournal
of the Society of Japan Vol.103,No.11(1995)pp.1099
-1111 やMaterials Science and Engineering B41(199
6)166-173に開示されたものなど、多くのものがある。
【００８５】この発明の第４９の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造するよう
にした構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように構造基板の構造を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造するよう
にした構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように構造基板の構造を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【００８６】この発明の第５０の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２
の領域の上を通らないように構造基板の構造が形成され
ていることを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２
の領域の上を通らないように構造基板の構造が形成され
ていることを特徴とするものである。
【００８７】この発明の第５１の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造するよう
にした構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように構造基板の構造を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造するよう
にした構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように構造基板の構造を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【００８８】この発明の第５２の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２
の領域の上を通らないように構造基板の構造が形成され
ていることを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であって、第２
の領域の上を通らないように構造基板の構造が形成され
ていることを特徴とするものである。
【００８９】この発明の第５３の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造する
ようにした構造基板の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように構造基板の構造を形成するようにし
たことを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造する
ようにした構造基板の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように構造基板の構造を形成するようにし
たことを特徴とするものである。
【００９０】この発明の第５４の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であって、
第２の領域の上を通らないように構造基板の構造が形成
されていることを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であって、
第２の領域の上を通らないように構造基板の構造が形成
されていることを特徴とするものである。
【００９１】この発明の第５５の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００９２】この発明の第５６の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た構造基板であって、第２の領域の上を通らないように
構造基板の構造が形成されていることを特徴とするもの
である。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た構造基板であって、第２の領域の上を通らないように
構造基板の構造が形成されていることを特徴とするもの
である。
【００９３】この発明の第５７の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００９４】この発明の第５８の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た構造基板であって、第２の領域の上を通らないように
構造基板の構造が形成されていることを特徴とするもの
である。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た構造基板であって、第２の領域の上を通らないように
構造基板の構造が形成されていることを特徴とするもの
である。
【００９５】この発明の第５９の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法
であって、第２の領域の上を通らないように構造基板の
構造を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法
であって、第２の領域の上を通らないように構造基板の
構造を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００９６】この発明の第６０の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた構造基板であって、第２の領域の上を通らないよう
に構造基板の構造が形成されていることを特徴とするも
のである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた構造基板であって、第２の領域の上を通らないよう
に構造基板の構造が形成されていることを特徴とするも
のである。
【００９７】この発明の第６１の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００９８】この発明の第６２の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００９９】この発明の第６３の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１００】この発明の第６４の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０１０１】この発明の第６５の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製
造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光
領域を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を製
造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光
領域を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【０１０２】この発明の第６６の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であ
って、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子
の発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子であ
って、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子
の発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０１０３】この発明の第６７の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
【０１０４】この発明の第６８の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体発光素子の発光領域が形成されていること
を特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体発光素子の発光領域が形成されていること
を特徴とするものである。
【０１０５】この発明の第６９の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
【０１０６】この発明の第７０の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体発光素子の発光領域が形成されていること
を特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体発光素子の発光領域が形成されていること
を特徴とするものである。
【０１０７】この発明の第７１の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素
子の製造方法であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたこと
を特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素
子の製造方法であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたこと
を特徴とするものである。
【０１０８】この発明の第７２の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らな
いように半導体発光素子の発光領域が形成されているこ
とを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らな
いように半導体発光素子の発光領域が形成されているこ
とを特徴とするものである。
【０１０９】この発明の第７３の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
【０１１０】この発明の第７４の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が
形成されていることを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が
形成されていることを特徴とするものである。
【０１１１】この発明の第７５の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
【０１１２】この発明の第７６の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が
形成されていることを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が
形成されていることを特徴とするものである。
【０１１３】この発明の第７７の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域を形
成するようにしたことを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域を形
成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１１４】この発明の第７８の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体素子の活性
領域が形成されていることを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体素子の活性
領域が形成されていることを特徴とするものである。
【０１１５】この発明の第７９の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方
法であって、第２の領域の上を通らないように半導体素
子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とするも
のである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方
法であって、第２の領域の上を通らないように半導体素
子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とするも
のである。
【０１１６】この発明の第８０の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た半導体素子であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体素子の活性領域が形成されていることを特徴と
するものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た半導体素子であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体素子の活性領域が形成されていることを特徴と
するものである。
【０１１７】この発明の第８１の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方
法であって、第２の領域の上を通らないように半導体素
子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とするも
のである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
て半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造方
法であって、第２の領域の上を通らないように半導体素
子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とするも
のである。
【０１１８】この発明の第８２の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た半導体素子であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体素子の活性領域が形成されていることを特徴と
するものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い
た半導体素子であって、第２の領域の上を通らないよう
に半導体素子の活性領域が形成されていることを特徴と
するものである。
【０１１９】この発明の第８３の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造
方法であって、第２の領域の上を通らないように半導体
素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とする
ものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造
方法であって、第２の領域の上を通らないように半導体
素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とする
ものである。
【０１２０】この発明の第８４の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた半導体素子であって、第２の領域の上を通らないよ
うに半導体素子の活性領域が形成されていることを特徴
とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた半導体素子であって、第２の領域の上を通らないよ
うに半導体素子の活性領域が形成されていることを特徴
とするものである。
【０１２１】この発明の第８５の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１２２】この発明の第８６の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
た構造基板であって、第２の領域の上を通らないように
構造基板の構造が形成されていることを特徴とするもの
である。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
た構造基板であって、第２の領域の上を通らないように
構造基板の構造が形成されていることを特徴とするもの
である。
【０１２３】この発明の第８７の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、第２の領域の上を通らないように構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１２４】この発明の第８８の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
た構造基板であって、第２の領域の上を通らないように
構造基板の構造が形成されていることを特徴とするもの
である。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
た構造基板であって、第２の領域の上を通らないように
構造基板の構造が形成されていることを特徴とするもの
である。
【０１２５】この発明の第８９の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方
法であって、第２の領域の上を通らないように構造基板
の構造を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方
法であって、第２の領域の上を通らないように構造基板
の構造を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【０１２６】この発明の第９０の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた構造基板であって、第２の領域の上を通らないよ
うに構造基板の構造が形成されていることを特徴とする
ものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた構造基板であって、第２の領域の上を通らないよ
うに構造基板の構造が形成されていることを特徴とする
ものである。
【０１２７】この発明の第９１の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している半導体基板を用いて構造基板を製造するように
した構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通
らないように構造基板の構造を形成するようにしたこと
を特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している半導体基板を用いて構造基板を製造するように
した構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通
らないように構造基板の構造を形成するようにしたこと
を特徴とするものである。
【０１２８】この発明の第９２の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している半導体基板を用いた構造基板であって、第２の
領域の上を通らないように構造基板の構造が形成されて
いることを特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している半導体基板を用いた構造基板であって、第２の
領域の上を通らないように構造基板の構造が形成されて
いることを特徴とするものである。
【０１２９】この発明の第９３の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している半導体基板を用いて構造基板を製造するように
した構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通
らないように構造基板の構造を形成するようにしたこと
を特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している半導体基板を用いて構造基板を製造するように
した構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通
らないように構造基板の構造を形成するようにしたこと
を特徴とするものである。
【０１３０】この発明の第９４の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している半導体基板を用いた構造基板であって、第２の
領域の上を通らないように構造基板の構造が形成されて
いることを特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状に
延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配列
している半導体基板を用いた構造基板であって、第２の
領域の上を通らないように構造基板の構造が形成されて
いることを特徴とするものである。
【０１３１】この発明の第９５の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて構造基板を製造するよう
にした構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように構造基板の構造を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて構造基板を製造するよう
にした構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を
通らないように構造基板の構造を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【０１３２】この発明の第９６の発明は、結晶からなる
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた構造基板であって、第２
の領域の上を通らないように構造基板の構造が形成され
ていることを特徴とするものである。
第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた構造基板であって、第２
の領域の上を通らないように構造基板の構造が形成され
ていることを特徴とするものである。
【０１３３】この発明の第９７の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
て半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
て半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
【０１３４】この発明の第９８の発明は、第１の平均転
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
た半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体発光素子の発光領域が形成されていること
を特徴とするものである。
位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
た半導体発光素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体発光素子の発光領域が形成されていること
を特徴とするものである。
【０１３５】この発明の第９９の発明は、第１の平均欠
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
て半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平均
欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の第
２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列し、
第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より小さ
い第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を用い
て半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
【０１３６】この発明の第１００の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体発光素子であって、第２の領域の上を通ら
ないように半導体発光素子の発光領域が形成されている
ことを特徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体発光素子であって、第２の領域の上を通ら
ないように半導体発光素子の発光領域が形成されている
ことを特徴とするものである。
【０１３７】この発明の第１０１の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて半導体発光素子を製造するようにした半導体発光
素子の製造方法であって、第２の領域の上を通らないよ
うに半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて半導体発光素子を製造するようにした半導体発光
素子の製造方法であって、第２の領域の上を通らないよ
うに半導体発光素子の発光領域を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【０１３８】この発明の第１０２の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体発光素子であって、第２の領域の上を通ら
ないように半導体発光素子の発光領域が形成されている
ことを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体発光素子であって、第２の領域の上を通ら
ないように半導体発光素子の発光領域が形成されている
ことを特徴とするものである。
【０１３９】この発明の第１０３の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１４０】この発明の第１０４の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０１４１】この発明の第１０５の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、第２
の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領域
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１４２】この発明の第１０６の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０１４３】この発明の第１０７の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造
するようにした半導体発光素子の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領
域を形成するようにしたことを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造
するようにした半導体発光素子の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように半導体発光素子の発光領
域を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１４４】この発明の第１０８の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、第２の領域の上を通らないように半導体発光素子の
発光領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０１４５】この発明の第１０９の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製
造方法であって、第２の領域の上を通らないように半導
体素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製
造方法であって、第２の領域の上を通らないように半導
体素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
【０１４６】この発明の第１１０の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体素子の活性領域が形成されていることを特
徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体素子の活性領域が形成されていることを特
徴とするものである。
【０１４７】この発明の第１１１の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製
造方法であって、第２の領域の上を通らないように半導
体素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製
造方法であって、第２の領域の上を通らないように半導
体素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
【０１４８】この発明の第１１２の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体素子の活性領域が形成されていることを特
徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体素子の活性領域が形成されていることを特
徴とするものである。
【０１４９】この発明の第１１３の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製
造方法であって、第２の領域の上を通らないように半導
体素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製
造方法であって、第２の領域の上を通らないように半導
体素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
【０１５０】この発明の第１１４の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体素子の活性領域が形成されていることを特
徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している半導体基板を
用いた半導体素子であって、第２の領域の上を通らない
ように半導体素子の活性領域が形成されていることを特
徴とするものである。
【０１５１】この発明の第１１５の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
【０１５２】この発明の第１１６の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が
形成されていることを特徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が
形成されていることを特徴とするものである。
【０１５３】この発明の第１１７の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域の
上を通らないように半導体素子の活性領域を形成するよ
うにしたことを特徴とするものである。
【０１５４】この発明の第１１８の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が
形成されていることを特徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体素子であって、第
２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域が
形成されていることを特徴とするものである。
【０１５５】この発明の第１１９の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している半導体基板を用いて半導体素子を製造する
ようにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように半導体素子の活性領域を形成する
ようにしたことを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している半導体基板を用いて半導体素子を製造する
ようにした半導体素子の製造方法であって、第２の領域
の上を通らないように半導体素子の活性領域を形成する
ようにしたことを特徴とするものである。
【０１５６】この発明の第１２０の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している半導体基板を用いた半導体素子であって、
第２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域
が形成されていることを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している半導体基板を用いた半導体素子であって、
第２の領域の上を通らないように半導体素子の活性領域
が形成されていることを特徴とするものである。
【０１５７】この発明の第１２１の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であ
って、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であ
って、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１５８】この発明の第１２２の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
構造基板であって、第２の領域の上を通らないように構
造基板の構造が形成されていることを特徴とするもので
ある。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
構造基板であって、第２の領域の上を通らないように構
造基板の構造が形成されていることを特徴とするもので
ある。
【０１５９】この発明の第１２３の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であ
って、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であ
って、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１６０】この発明の第１２４の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
構造基板であって、第２の領域の上を通らないように構
造基板の構造が形成されていることを特徴とするもので
ある。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
構造基板であって、第２の領域の上を通らないように構
造基板の構造が形成されていることを特徴とするもので
ある。
【０１６１】この発明の第１２５の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であ
って、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法であ
って、第２の領域の上を通らないように構造基板の構造
を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【０１６２】この発明の第１２６の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
構造基板であって、第２の領域の上を通らないように構
造基板の構造が形成されていることを特徴とするもので
ある。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
構造基板であって、第２の領域の上を通らないように構
造基板の構造が形成されていることを特徴とするもので
ある。
【０１６３】この発明の第１２７の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いて構造基板を製造するようにした
構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通らな
いように構造基板の構造を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いて構造基板を製造するようにした
構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通らな
いように構造基板の構造を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
【０１６４】この発明の第１２８の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いた構造基板であって、第２の領域
の上を通らないように構造基板の構造が形成されている
ことを特徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いた構造基板であって、第２の領域
の上を通らないように構造基板の構造が形成されている
ことを特徴とするものである。
【０１６５】この発明の第１２９の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いて構造基板を製造するようにした
構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通らな
いように構造基板の構造を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いて構造基板を製造するようにした
構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通らな
いように構造基板の構造を形成するようにしたことを特
徴とするものである。
【０１６６】この発明の第１３０の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いた構造基板であって、第２の領域
の上を通らないように構造基板の構造が形成されている
ことを特徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いた構造基板であって、第２の領域
の上を通らないように構造基板の構造が形成されている
ことを特徴とするものである。
【０１６７】この発明の第１３１の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している基板を用いて構造基板を製造するようにし
た構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通ら
ないように構造基板の構造を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している基板を用いて構造基板を製造するようにし
た構造基板の製造方法であって、第２の領域の上を通ら
ないように構造基板の構造を形成するようにしたことを
特徴とするものである。
【０１６８】この発明の第１３２の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している基板を用いた構造基板であって、第２の領
域の上を通らないように構造基板の構造が形成されてい
ることを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している基板を用いた構造基板であって、第２の領
域の上を通らないように構造基板の構造が形成されてい
ることを特徴とするものである。
【０１６９】この発明の第１３３の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
素子を製造するようにした素子の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように素子の活性領域を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
素子を製造するようにした素子の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように素子の活性領域を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
【０１７０】この発明の第１３４の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
素子であって、第２の領域の上を通らないように素子の
活性領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
素子であって、第２の領域の上を通らないように素子の
活性領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０１７１】この発明の第１３５の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
素子を製造するようにした素子の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように素子の活性領域を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
素子を製造するようにした素子の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように素子の活性領域を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
【０１７２】この発明の第１３６の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
半導体素子であって、第２の領域の上を通らないように
素子の活性領域が形成されていることを特徴とするもの
である。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する複数の
第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
半導体素子であって、第２の領域の上を通らないように
素子の活性領域が形成されていることを特徴とするもの
である。
【０１７３】この発明の第１３７の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
素子を製造するようにした素子の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように素子の活性領域を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いて
素子を製造するようにした素子の製造方法であって、第
２の領域の上を通らないように素子の活性領域を形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
【０１７４】この発明の第１３８の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
素子であって、第２の領域の上を通らないように素子の
活性領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い複数
の第２の領域が第１の方向に第１の間隔で規則的に配列
し、第１の方向と直交する第２の方向に第１の間隔より
小さい第２の間隔で規則的に配列している基板を用いた
素子であって、第２の領域の上を通らないように素子の
活性領域が形成されていることを特徴とするものであ
る。
【０１７５】この発明の第１３９の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いて素子を製造するようにした素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とする
ものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いて素子を製造するようにした素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とする
ものである。
【０１７６】この発明の第１４０の発明は、第１の平均
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いた素子であって、第２の領域の上
を通らないように素子の活性領域が形成されていること
を特徴とするものである。
転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いた素子であって、第２の領域の上
を通らないように素子の活性領域が形成されていること
を特徴とするものである。
【０１７７】この発明の第１４１の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いて素子を製造するようにした素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とする
ものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いて素子を製造するようにした素子
の製造方法であって、第２の領域の上を通らないように
素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とする
ものである。
【０１７８】この発明の第１４２の発明は、第１の平均
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いた素子であって、第２の領域の上
を通らないように素子の活性領域が形成されていること
を特徴とするものである。
欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域中に第１の平
均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する直線状
に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に配
列している基板を用いた素子であって、第２の領域の上
を通らないように素子の活性領域が形成されていること
を特徴とするものである。
【０１７９】この発明の第１４３の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している基板を用いて素子を製造するようにした素
子の製造方法であって、第２の領域の上を通らないよう
に素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している基板を用いて素子を製造するようにした素
子の製造方法であって、第２の領域の上を通らないよう
に素子の活性領域を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
【０１８０】この発明の第１４４の発明は、結晶からな
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している基板を用いた素子であって、第２の領域の
上を通らないように素子の活性領域が形成されているこ
とを特徴とするものである。
る第１の領域中にこの第１の領域より結晶性が悪い直線
状に延在する複数の第２の領域が互いに平行に規則的に
配列している基板を用いた素子であって、第２の領域の
上を通らないように素子の活性領域が形成されているこ
とを特徴とするものである。
【０１８１】この発明の第４９〜第１４４の発明におい
て、第１の方向の第２の領域の間隔（第１の間隔）ある
いは直線状に延在する第２の領域の間隔は、この発明の
第１の発明に関連して述べた第２の領域の間隔あるいは
第２の領域の配列間隔と同様である。また、第１の方向
の第２の領域の間隔（第１の間隔）あるいは直線状に延
在する第２の領域の間隔は、典型的には５０μｍ以上で
あることを除いて、この発明の第１の発明に関連して述
べた第２の領域の間隔あるいは第２の領域の配列間隔と
同様である。この発明の第４９〜第５４、第６１〜第６
６、第７３〜第７８、第８５〜第９０、第９７〜第１０
２、第１０９〜第１１４、第１２１〜第１２６、第１３
３〜第１３８の発明において、第２の方向の第２の領域
の間隔は、基本的には第１の間隔より小さい範囲で自由
に選ぶことができものであり、第２の領域の大きさにも
よるが、一般的には１０μｍ以上１０００μｍ以下、典
型的には２０μｍ以上２００μｍ以下である。さらに、
最終的に基板のスクライビングによりチップとなる領域
（以下「素子領域」という。）には、典型的には、第２
の方向の第２の領域の列あるいは直線状に延在する第２
の領域は実質的に７本以上含まれない。ここで、第２の
方向の第２の領域の列あるいは直線状に延在する第２の
領域の数の上限を７本としたのは、第２の方向の第２の
領域の列あるいは直線状に延在する第２の領域の間隔に
よっては、素子のチップサイズとの関係で素子領域に７
本程度含まれることもあり得ることを考慮したものであ
る。この第２の方向の第２の領域の列あるいは直線状に
延在する第２の領域の数は、一般にチップサイズが小さ
い半導体発光素子では、典型的には３本以下である。
て、第１の方向の第２の領域の間隔（第１の間隔）ある
いは直線状に延在する第２の領域の間隔は、この発明の
第１の発明に関連して述べた第２の領域の間隔あるいは
第２の領域の配列間隔と同様である。また、第１の方向
の第２の領域の間隔（第１の間隔）あるいは直線状に延
在する第２の領域の間隔は、典型的には５０μｍ以上で
あることを除いて、この発明の第１の発明に関連して述
べた第２の領域の間隔あるいは第２の領域の配列間隔と
同様である。この発明の第４９〜第５４、第６１〜第６
６、第７３〜第７８、第８５〜第９０、第９７〜第１０
２、第１０９〜第１１４、第１２１〜第１２６、第１３
３〜第１３８の発明において、第２の方向の第２の領域
の間隔は、基本的には第１の間隔より小さい範囲で自由
に選ぶことができものであり、第２の領域の大きさにも
よるが、一般的には１０μｍ以上１０００μｍ以下、典
型的には２０μｍ以上２００μｍ以下である。さらに、
最終的に基板のスクライビングによりチップとなる領域
（以下「素子領域」という。）には、典型的には、第２
の方向の第２の領域の列あるいは直線状に延在する第２
の領域は実質的に７本以上含まれない。ここで、第２の
方向の第２の領域の列あるいは直線状に延在する第２の
領域の数の上限を７本としたのは、第２の方向の第２の
領域の列あるいは直線状に延在する第２の領域の間隔に
よっては、素子のチップサイズとの関係で素子領域に７
本程度含まれることもあり得ることを考慮したものであ
る。この第２の方向の第２の領域の列あるいは直線状に
延在する第２の領域の数は、一般にチップサイズが小さ
い半導体発光素子では、典型的には３本以下である。
【０１８２】この発明の第４９〜第１４４の発明におい
ては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、こ
の発明の第１〜第４８の発明に関連して述べたことが成
立する。
ては、上記以外のことは、その性質に反しない限り、こ
の発明の第１〜第４８の発明に関連して述べたことが成
立する。
【０１８３】上述のように構成されたこの発明において
は、第１の領域より平均転位密度が高い、あるいは平均
欠陥密度が高い、あるいは結晶性が悪い第２の領域の上
を通らないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基
板、あるいは半導体基板、あるいは基板上に構造、例え
ば半導体素子では活性領域、半導体発光素子では発光領
域を形成するようにしているので、これらの活性領域あ
るいは発光領域に第２の領域による悪影響が及ぶのを防
止することができる。
は、第１の領域より平均転位密度が高い、あるいは平均
欠陥密度が高い、あるいは結晶性が悪い第２の領域の上
を通らないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基
板、あるいは半導体基板、あるいは基板上に構造、例え
ば半導体素子では活性領域、半導体発光素子では発光領
域を形成するようにしているので、これらの活性領域あ
るいは発光領域に第２の領域による悪影響が及ぶのを防
止することができる。
【０１８４】また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
基板、あるいは半導体基板あるいは基板に第２の領域の
間隔および／または配列が周囲の部分と異なる部分を複
数箇所設け、これらの部分をアライメントマークとして
用いてマスク合わせを行うことにより、マスク合わせを
高精度で行うことができる。
基板、あるいは半導体基板あるいは基板に第２の領域の
間隔および／または配列が周囲の部分と異なる部分を複
数箇所設け、これらの部分をアライメントマークとして
用いてマスク合わせを行うことにより、マスク合わせを
高精度で行うことができる。
【０１８５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１および図２はこの
発明の第１の実施形態において用いるＧａＮ基板１を示
し、図１Ａは斜視図、図１Ｂは領域Ｂの最近接方向の断
面図、図２は平面図である。このＧａＮ基板１はｎ型で
（０００１）面（Ｃ面）方位である。ただし、ＧａＮ基
板１はＲ面、Ａ面またはＭ面方位のものであってもよ
い。このＧａＮ基板１においては、平均転位密度が低い
結晶からなる領域Ａの中に平均転位密度が高い結晶から
なる領域Ｂが六方格子状に周期的に配列している。ある
いは、領域Ｂは、最密充填の正三角形の頂点位置に配列
していると言い換えることもできる。ここで、領域Ｂは
不定多角柱状の形状を有するのが一般的であるが、図１
Ａにおいては、簡略化して円柱形状としてある（以下同
様）。この場合、最近接の領域Ｂ同士を結ぶ直線は、Ｇ
ａＮの〈１１−２０〉方向およびそれと等価な方向と一
致し、これと直交する方向はＧａＮの〈１−１００〉方
向およびそれと等価な方向と一致している。ただし、最
近接の領域Ｂ同士を結ぶ直線を、ＧａＮの〈１−１０
０〉方向およびそれと等価な方向と一致し、これと直交
する方向はＧａＮの〈１１−２０〉方向およびそれと等
価な方向と一致するようにしてもよい。領域ＢはＧａＮ
基板１を貫通している。このＧａＮ基板１の厚さは例え
ば２００〜６００μｍである。なお、図２の破線は領域
Ｂの相対的な位置関係を示すためのものにすぎず、実在
する（物理的な意味のある）線ではない（以下同様）。
て図面を参照しながら説明する。図１および図２はこの
発明の第１の実施形態において用いるＧａＮ基板１を示
し、図１Ａは斜視図、図１Ｂは領域Ｂの最近接方向の断
面図、図２は平面図である。このＧａＮ基板１はｎ型で
（０００１）面（Ｃ面）方位である。ただし、ＧａＮ基
板１はＲ面、Ａ面またはＭ面方位のものであってもよ
い。このＧａＮ基板１においては、平均転位密度が低い
結晶からなる領域Ａの中に平均転位密度が高い結晶から
なる領域Ｂが六方格子状に周期的に配列している。ある
いは、領域Ｂは、最密充填の正三角形の頂点位置に配列
していると言い換えることもできる。ここで、領域Ｂは
不定多角柱状の形状を有するのが一般的であるが、図１
Ａにおいては、簡略化して円柱形状としてある（以下同
様）。この場合、最近接の領域Ｂ同士を結ぶ直線は、Ｇ
ａＮの〈１１−２０〉方向およびそれと等価な方向と一
致し、これと直交する方向はＧａＮの〈１−１００〉方
向およびそれと等価な方向と一致している。ただし、最
近接の領域Ｂ同士を結ぶ直線を、ＧａＮの〈１−１０
０〉方向およびそれと等価な方向と一致し、これと直交
する方向はＧａＮの〈１１−２０〉方向およびそれと等
価な方向と一致するようにしてもよい。領域ＢはＧａＮ
基板１を貫通している。このＧａＮ基板１の厚さは例え
ば２００〜６００μｍである。なお、図２の破線は領域
Ｂの相対的な位置関係を示すためのものにすぎず、実在
する（物理的な意味のある）線ではない（以下同様）。
【０１８６】領域Ｂの配列周期（最近接の領域Ｂの中心
同士の間隔）は例えば４００μｍ、その直径は例えば２
０μｍである。また、領域Ａの平均転位密度は例えば２
×１０6 ｃｍ-2、領域Ｂの平均転位密度は例えば１×１
０8 ｃｍ-2である。領域Ｂの中心から半径方向の転位密
度の分布の一例を図３に示す。このＧａＮ基板１は、結
晶成長技術を用いて例えば次のようにして製造すること
ができる。このＧａＮ基板１の製造に用いる基本的な結
晶成長メカニズムは、ファセット面からなる斜面を有し
て成長させ、そのファセット面斜面を維持して成長させ
ることで転位を伝播させ、所定の位置に集合させるもの
である。このファセット面により成長した領域は、転位
の移動により、低密度の欠陥領域となる。そのファセッ
ト面斜面下部には、明確な境界を持った高密度の欠陥領
域を有して成長が行われ、転位は、高密度の欠陥領域の
境界あるいはその内部に集合し、ここで消滅あるいは蓄
積する。この高密度の欠陥領域の形状によって、ファセ
ット面の形状も異なる。欠陥領域がドット状の場合は、
そのドットを底として、ファセット面が取り巻き、ファ
セット面からなるピットを形成する。また、欠陥領域が
ストライプ状の場合は、ストライプを谷底として、その
両側にファセット面斜面を有し、横に倒した三角形のプ
リズム状のファセット面となる。その後、成長層の表面
に研削、研磨を施すことにより、表面を平坦化し、基板
として使用することができる形態とすることができる。
また、上記の高密度の欠陥領域は、いくつかの状態があ
り得る。例えば、多結晶からなる場合がある。また、単
結晶であるが、周りの低密度欠陥領域に対して微傾斜し
ている場合もある。また、周りの低密度欠陥領域に対し
て、Ｃ軸が反転している場合もある。こうして、この高
密度欠陥領域は、明確な境界を有しており、周りと区別
される。この高密度欠陥領域を有して成長させることに
より、その周りのファセット面を埋め込むことなく、フ
ァセット面を維持して成長を進行することができる。こ
の高密度欠陥領域は、下地基板上にＧａＮを結晶成長さ
せる際に、高密度欠陥領域を形成する場所に、種をあら
かじめ形成しておくことにより、発生させることができ
る。その種としては、非晶質あるいは多結晶の層を形成
する。その上から、ＧａＮを成長させることで、ちょう
どその種の領域に、高密度欠陥領域を形成することがで
きる。このＧａＮ基板１の具体的な製造方法は次のとお
りである。まず、下地基板を用意する。この下地基板と
しては種々の基板を用いることができ、一般的なサファ
イア基板でもよいが、後工程で除去することを考慮する
と、除去しやすいＧａＡｓ基板などを用いることが好ま
しい。そして、この下地基板上に、例えばＳｉＯ2 膜か
らなる種を形成する。この種の形状は、例えばドット状
またはストライプ状とすることができる。この種は規則
正しく、多数個形成することができる。より具体的に
は、この場合、種は、図２に示す領域Ｂの配置に対応し
た配置で形成する。その後、例えばハイドライド気相エ
ピタキシー（ＨＶＰＥ）により、ＧａＮを厚膜成長させ
る。成長後、ＧａＮの厚膜層の表面には、種のパターン
形状に応じたファセット面が形成される。この第１の実
施形態のように種がドット状のパターンの場合は、ファ
セット面からなるピットが規則正しく形成される。一
方、種がストライプ状のパターンの場合は、プリズム状
のファセット面が形成される。その後、下地基板を除去
し、さらにＧａＮの厚膜層を研削加工、研磨加工し、表
面を平坦化する。これによって、ＧａＮ基板１を製造す
ることができる。ここで、ＧａＮ基板１の厚さは、自由
に設定することができる。このようにして製造されたＧ
ａＮ基板１は、Ｃ面が主面であり、その中に、所定のサ
イズのドット状（あるいはストライプ状）の高密度欠陥
領域、すなわち領域Ｂが規則正しく形成された基板とな
っている。領域Ｂ以外の単結晶領域、すなわち領域Ａ
は、領域Ｂに比べて低転位密度となっている。
同士の間隔）は例えば４００μｍ、その直径は例えば２
０μｍである。また、領域Ａの平均転位密度は例えば２
×１０6 ｃｍ-2、領域Ｂの平均転位密度は例えば１×１
０8 ｃｍ-2である。領域Ｂの中心から半径方向の転位密
度の分布の一例を図３に示す。このＧａＮ基板１は、結
晶成長技術を用いて例えば次のようにして製造すること
ができる。このＧａＮ基板１の製造に用いる基本的な結
晶成長メカニズムは、ファセット面からなる斜面を有し
て成長させ、そのファセット面斜面を維持して成長させ
ることで転位を伝播させ、所定の位置に集合させるもの
である。このファセット面により成長した領域は、転位
の移動により、低密度の欠陥領域となる。そのファセッ
ト面斜面下部には、明確な境界を持った高密度の欠陥領
域を有して成長が行われ、転位は、高密度の欠陥領域の
境界あるいはその内部に集合し、ここで消滅あるいは蓄
積する。この高密度の欠陥領域の形状によって、ファセ
ット面の形状も異なる。欠陥領域がドット状の場合は、
そのドットを底として、ファセット面が取り巻き、ファ
セット面からなるピットを形成する。また、欠陥領域が
ストライプ状の場合は、ストライプを谷底として、その
両側にファセット面斜面を有し、横に倒した三角形のプ
リズム状のファセット面となる。その後、成長層の表面
に研削、研磨を施すことにより、表面を平坦化し、基板
として使用することができる形態とすることができる。
また、上記の高密度の欠陥領域は、いくつかの状態があ
り得る。例えば、多結晶からなる場合がある。また、単
結晶であるが、周りの低密度欠陥領域に対して微傾斜し
ている場合もある。また、周りの低密度欠陥領域に対し
て、Ｃ軸が反転している場合もある。こうして、この高
密度欠陥領域は、明確な境界を有しており、周りと区別
される。この高密度欠陥領域を有して成長させることに
より、その周りのファセット面を埋め込むことなく、フ
ァセット面を維持して成長を進行することができる。こ
の高密度欠陥領域は、下地基板上にＧａＮを結晶成長さ
せる際に、高密度欠陥領域を形成する場所に、種をあら
かじめ形成しておくことにより、発生させることができ
る。その種としては、非晶質あるいは多結晶の層を形成
する。その上から、ＧａＮを成長させることで、ちょう
どその種の領域に、高密度欠陥領域を形成することがで
きる。このＧａＮ基板１の具体的な製造方法は次のとお
りである。まず、下地基板を用意する。この下地基板と
しては種々の基板を用いることができ、一般的なサファ
イア基板でもよいが、後工程で除去することを考慮する
と、除去しやすいＧａＡｓ基板などを用いることが好ま
しい。そして、この下地基板上に、例えばＳｉＯ2 膜か
らなる種を形成する。この種の形状は、例えばドット状
またはストライプ状とすることができる。この種は規則
正しく、多数個形成することができる。より具体的に
は、この場合、種は、図２に示す領域Ｂの配置に対応し
た配置で形成する。その後、例えばハイドライド気相エ
ピタキシー（ＨＶＰＥ）により、ＧａＮを厚膜成長させ
る。成長後、ＧａＮの厚膜層の表面には、種のパターン
形状に応じたファセット面が形成される。この第１の実
施形態のように種がドット状のパターンの場合は、ファ
セット面からなるピットが規則正しく形成される。一
方、種がストライプ状のパターンの場合は、プリズム状
のファセット面が形成される。その後、下地基板を除去
し、さらにＧａＮの厚膜層を研削加工、研磨加工し、表
面を平坦化する。これによって、ＧａＮ基板１を製造す
ることができる。ここで、ＧａＮ基板１の厚さは、自由
に設定することができる。このようにして製造されたＧ
ａＮ基板１は、Ｃ面が主面であり、その中に、所定のサ
イズのドット状（あるいはストライプ状）の高密度欠陥
領域、すなわち領域Ｂが規則正しく形成された基板とな
っている。領域Ｂ以外の単結晶領域、すなわち領域Ａ
は、領域Ｂに比べて低転位密度となっている。
【０１８７】図４に示すように、最近接の領域Ｂ同士の
間隔を２ａ、領域Ｂの直径をＡ0 とする。図５はこのＧ
ａＮ基板１を用いた構造基板の一例を示し、ＧａＮ基板
１の主面に〈１−１００〉方向に延在する幅ｗのリッジ
Ｒが間隔ｂで形成されたものである。この構造は、Ｇａ
Ｎ基板１の主面を選択的にエッチングすることにより形
成することができる。ここで、このリッジＲは、バルク
基板としてのＧａＮ基板１そのものに形成されたもので
あっても、ＧａＮ基板１上に成長させたＧａＮ系半導体
層に形成されたものであってもよい。前者の場合には、
例えばリッジＲ上を素子領域として用いることができ
る。すなわち、リッジＲ上に素子構造、例えばレーザ構
造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させてレーザ素子
を形成する。後者の場合には、例えば、ＧａＮ基板１上
にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させ、
その最上層にレーザストライプ部となるリッジＲを形成
する。これについては、後に具体例で詳述する。なお、
図５に示す例ではリッジＲの断面形状は長方形である
が、これに限定されるものではなく、他の形状（例え
ば、三角形）であってもよい。
間隔を２ａ、領域Ｂの直径をＡ0 とする。図５はこのＧ
ａＮ基板１を用いた構造基板の一例を示し、ＧａＮ基板
１の主面に〈１−１００〉方向に延在する幅ｗのリッジ
Ｒが間隔ｂで形成されたものである。この構造は、Ｇａ
Ｎ基板１の主面を選択的にエッチングすることにより形
成することができる。ここで、このリッジＲは、バルク
基板としてのＧａＮ基板１そのものに形成されたもので
あっても、ＧａＮ基板１上に成長させたＧａＮ系半導体
層に形成されたものであってもよい。前者の場合には、
例えばリッジＲ上を素子領域として用いることができ
る。すなわち、リッジＲ上に素子構造、例えばレーザ構
造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させてレーザ素子
を形成する。後者の場合には、例えば、ＧａＮ基板１上
にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させ、
その最上層にレーザストライプ部となるリッジＲを形成
する。これについては、後に具体例で詳述する。なお、
図５に示す例ではリッジＲの断面形状は長方形である
が、これに限定されるものではなく、他の形状（例え
ば、三角形）であってもよい。
【０１８８】まず、リッジＲの延在方向と領域Ｂの特定
の配列方向とをいずれも〈１−１００〉方向とし、この
方向にリッジＲを周期的に形成することで、領域Ｂとリ
ッジＲとの相対位置を基板面内で一様に設定することが
できる。
の配列方向とをいずれも〈１−１００〉方向とし、この
方向にリッジＲを周期的に形成することで、領域Ｂとリ
ッジＲとの相対位置を基板面内で一様に設定することが
できる。
【０１８９】さらにここで、ｂ≧ａの場合、ｂ＝ｎａ
（ただし、ｎは自然数）であれば、〈１１−２０〉方向
にも周期性が得られるので、領域ＢとリッジＲとが基板
面内どこでも同じ位置関係に設定することができる。例
えば、リッジＲの上部に素子を形成する場合、領域Ｂを
避けた領域Ａの位置にリッジＲを形成することで、信頼
性の高い素子を形成することができる。また、リッジＲ
の底部に素子を形成する場合には、この素子の活性領域
を結晶品質の高い領域Ａに位置させることができる。
（ただし、ｎは自然数）であれば、〈１１−２０〉方向
にも周期性が得られるので、領域ＢとリッジＲとが基板
面内どこでも同じ位置関係に設定することができる。例
えば、リッジＲの上部に素子を形成する場合、領域Ｂを
避けた領域Ａの位置にリッジＲを形成することで、信頼
性の高い素子を形成することができる。また、リッジＲ
の底部に素子を形成する場合には、この素子の活性領域
を結晶品質の高い領域Ａに位置させることができる。
【０１９０】次に、ｂ≦ａの場合、ａ＝ｎｂ（ただし、
ｎは自然数）であれば、やはり〈１１−２０〉方向にも
周期性が得られる。単純な理論では、領域Ｂの直径Ａ0
が、リッジＲの幅ｗに対し、Ａ0 ＜ａ−ｗであるなら
ば、基板全面にわたり、リッジＲを領域Ｂの直上を通過
しないで形成することができる。
ｎは自然数）であれば、やはり〈１１−２０〉方向にも
周期性が得られる。単純な理論では、領域Ｂの直径Ａ0
が、リッジＲの幅ｗに対し、Ａ0 ＜ａ−ｗであるなら
ば、基板全面にわたり、リッジＲを領域Ｂの直上を通過
しないで形成することができる。
【０１９１】または、仮に基板全面にわたり領域Ａにリ
ッジＲを形成することができない場合でも、上記の関係
（ａ＝ｎｂ）、特にｎが２や３と小さい場合には、任意
の配置あるいはａとｂとの関係に比較して良好な素子を
周期的に多く形成することができる。
ッジＲを形成することができない場合でも、上記の関係
（ａ＝ｎｂ）、特にｎが２や３と小さい場合には、任意
の配置あるいはａとｂとの関係に比較して良好な素子を
周期的に多く形成することができる。
【０１９２】以上のＧａＮ基板１においては、領域Ａの
中に領域Ｂが周期的に配列している場合について説明し
たが、図６に示すように、領域Ａと領域Ｂとの間にそれ
らの中間的な平均転位密度（例えば、１×１０7 ｃｍ-2
程度）を有する領域Ｃが存在することも多い。この場合
には、上記と同様にリッジＲが領域Ｂの上を通らないよ
うにするが、領域Ｂおよび領域Ｃの上を通らないように
リッジＲを形成するのが、良好な素子を形成する上で最
も望ましい。領域Ｃが大きく、基板全面にわたり領域Ａ
上にリッジＲを形成することができない場合でも、上記
の関係（ａ＝ｎｂ）、特にｎが２や３と小さい場合に
は、任意の配置あるいはａとｂとの関係に比較して良好
な素子を周期的に多く形成することができる。
中に領域Ｂが周期的に配列している場合について説明し
たが、図６に示すように、領域Ａと領域Ｂとの間にそれ
らの中間的な平均転位密度（例えば、１×１０7 ｃｍ-2
程度）を有する領域Ｃが存在することも多い。この場合
には、上記と同様にリッジＲが領域Ｂの上を通らないよ
うにするが、領域Ｂおよび領域Ｃの上を通らないように
リッジＲを形成するのが、良好な素子を形成する上で最
も望ましい。領域Ｃが大きく、基板全面にわたり領域Ａ
上にリッジＲを形成することができない場合でも、上記
の関係（ａ＝ｎｂ）、特にｎが２や３と小さい場合に
は、任意の配置あるいはａとｂとの関係に比較して良好
な素子を周期的に多く形成することができる。
【０１９３】この第１の実施形態をＧａＮ系半導体レー
ザに適用した具体例を挙げると、次のとおりである。こ
こでは、リッジ構造およびＳＣＨ（Separate Confineme
nt Heterostructure）構造を有するＧａＮ系半導体レー
ザについて説明する。
ザに適用した具体例を挙げると、次のとおりである。こ
こでは、リッジ構造およびＳＣＨ（Separate Confineme
nt Heterostructure）構造を有するＧａＮ系半導体レー
ザについて説明する。
【０１９４】すなわち、図７に示すように、まず、Ｇａ
Ｎ基板１の表面をサーマルクリーニングなどにより清浄
化した後、その上にＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮバ
ッファ層５、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｎ型ＧａＮ
光導波層７、アンドープのＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y
Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層８、アンドープＩｎ
ＧａＮ劣化防止層９、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０、
ｐ型ＧａＮ光導波層１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１
２およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３を順次エピタキシ
ャル成長させる。
Ｎ基板１の表面をサーマルクリーニングなどにより清浄
化した後、その上にＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮバ
ッファ層５、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｎ型ＧａＮ
光導波層７、アンドープのＧａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y
Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層８、アンドープＩｎ
ＧａＮ劣化防止層９、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０、
ｐ型ＧａＮ光導波層１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１
２およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３を順次エピタキシ
ャル成長させる。
【０１９５】ここで、ｎ型ＧａＮバッファ層５は厚さが
例えば０．０５μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳ
ｉがドープされている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６は
厚さが例えば１．０μｍであり、ｎ型不純物として例え
ばＳｉがドープされ、Ａｌ組成は例えば０．０８であ
る。ｎ型ＧａＮ光導波層７は厚さが例えば０．１μｍで
あり、ｎ型不純物として例えばＳｉがドープされてい
る。アンドープＩｎx Ｇａ 1-x Ｎ／Ｉｎy Ｇａ1-y Ｎ多
重量子井戸構造の活性層８は、例えば、井戸層としての
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層の厚さが３．５ｎｍでｘ＝０．１
４、障壁層としてのＩｎy Ｇａ1-y Ｎ層の厚さが７ｎｍ
でｙ＝０．０２、井戸数が３である。
例えば０．０５μｍであり、ｎ型不純物として例えばＳ
ｉがドープされている。ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６は
厚さが例えば１．０μｍであり、ｎ型不純物として例え
ばＳｉがドープされ、Ａｌ組成は例えば０．０８であ
る。ｎ型ＧａＮ光導波層７は厚さが例えば０．１μｍで
あり、ｎ型不純物として例えばＳｉがドープされてい
る。アンドープＩｎx Ｇａ 1-x Ｎ／Ｉｎy Ｇａ1-y Ｎ多
重量子井戸構造の活性層８は、例えば、井戸層としての
Ｉｎx Ｇａ1-x Ｎ層の厚さが３．５ｎｍでｘ＝０．１
４、障壁層としてのＩｎy Ｇａ1-y Ｎ層の厚さが７ｎｍ
でｙ＝０．０２、井戸数が３である。
【０１９６】アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９は、活
性層８に接している面から、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層
９に接している面に向かってＩｎ組成が徐々に単調減少
するグレーディッド構造を有し、活性層８に接している
面におけるＩｎ組成は活性層８の障壁層としてのＩｎy
Ｇａ1-y Ｎ層のＩｎ組成ｙと一致しており、ｐ型ＡｌＧ
ａＮキャップ層１０に接している面におけるＩｎ組成は
０となっている。このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層
９の厚さは例えば２０ｎｍである。
性層８に接している面から、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層
９に接している面に向かってＩｎ組成が徐々に単調減少
するグレーディッド構造を有し、活性層８に接している
面におけるＩｎ組成は活性層８の障壁層としてのＩｎy
Ｇａ1-y Ｎ層のＩｎ組成ｙと一致しており、ｐ型ＡｌＧ
ａＮキャップ層１０に接している面におけるＩｎ組成は
０となっている。このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層
９の厚さは例えば２０ｎｍである。
【０１９７】ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０は厚さが例
えば１０ｎｍであり、ｐ型不純物として例えばマグネシ
ウム（Ｍｇ）がドープされている。このｐ型ＡｌＧａＮ
キャップ層１０のＡｌ組成は例えば０．２である。この
ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０は、ｐ型ＧａＮ光導波層
１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２およびｐ型ＧａＮ
コンタクト層１３の成長時に活性層８からＩｎが脱離し
て劣化するのを防止するとともに、活性層８からのキャ
リア（電子）のオーバーフローを防止するためのもので
ある。ｐ型ＧａＮ光導波層１１は厚さが例えば０．１μ
ｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされて
いる。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２は厚さが例えば
０．５μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇがドー
プされ、Ａｌ組成は例えば０．０８である。ｐ型ＧａＮ
コンタクト層１３は厚さが例えば０．１μｍであり、ｐ
型不純物として例えばＭｇがドープされている。
えば１０ｎｍであり、ｐ型不純物として例えばマグネシ
ウム（Ｍｇ）がドープされている。このｐ型ＡｌＧａＮ
キャップ層１０のＡｌ組成は例えば０．２である。この
ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０は、ｐ型ＧａＮ光導波層
１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２およびｐ型ＧａＮ
コンタクト層１３の成長時に活性層８からＩｎが脱離し
て劣化するのを防止するとともに、活性層８からのキャ
リア（電子）のオーバーフローを防止するためのもので
ある。ｐ型ＧａＮ光導波層１１は厚さが例えば０．１μ
ｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇがドープされて
いる。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２は厚さが例えば
０．５μｍであり、ｐ型不純物として例えばＭｇがドー
プされ、Ａｌ組成は例えば０．０８である。ｐ型ＧａＮ
コンタクト層１３は厚さが例えば０．１μｍであり、ｐ
型不純物として例えばＭｇがドープされている。
【０１９８】また、Ｉｎを含まない層であるｎ型ＧａＮ
バッファ層５、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｎ型Ｇａ
Ｎ光導波層７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０、ｐ型Ｇ
ａＮ光導波層１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層１３の成長温度は例えば１０
００℃程度とし、Ｉｎを含む層であるＧａ1-x ＩｎxＮ
／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層８の成長
温度は例えば７００〜８００℃、例えば７３０℃とす
る。アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９の成長温度は、
成長開始時点は活性層８の成長温度と同じく例えば７３
０℃に設定し、その後例えば直線的に上昇させ、成長終
了時点でｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０の成長温度と同
じく例えば８３５℃になるようにする。
バッファ層５、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｎ型Ｇａ
Ｎ光導波層７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０、ｐ型Ｇ
ａＮ光導波層１１、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層１３の成長温度は例えば１０
００℃程度とし、Ｉｎを含む層であるＧａ1-x ＩｎxＮ
／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ多重量子井戸構造の活性層８の成長
温度は例えば７００〜８００℃、例えば７３０℃とす
る。アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９の成長温度は、
成長開始時点は活性層８の成長温度と同じく例えば７３
０℃に設定し、その後例えば直線的に上昇させ、成長終
了時点でｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０の成長温度と同
じく例えば８３５℃になるようにする。
【０１９９】これらのＧａＮ系半導体層の成長原料は、
例えば、Ｇａの原料としてはトリメチルガリウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ、ＴＭＧ）、Ａｌの原料としてはトリメチ
ルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ、ＴＭＡ）、Ｉｎの
原料としてはトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉ
ｎ、ＴＭＩ）を、Ｎの原料としてはＮＨ3 を用いる。ま
た、キャリアガスとしては、例えば、Ｈ2 を用いる。ド
ーパントについては、ｎ型ドーパントとしては例えばモ
ノシラン（ＳｉＨ4 ）を、ｐ型ドーパントとしては例え
ばビス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシウム
（（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ） 2 Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペ
ンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）を用
いる。
例えば、Ｇａの原料としてはトリメチルガリウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ、ＴＭＧ）、Ａｌの原料としてはトリメチ
ルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ、ＴＭＡ）、Ｉｎの
原料としてはトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉ
ｎ、ＴＭＩ）を、Ｎの原料としてはＮＨ3 を用いる。ま
た、キャリアガスとしては、例えば、Ｈ2 を用いる。ド
ーパントについては、ｎ型ドーパントとしては例えばモ
ノシラン（ＳｉＨ4 ）を、ｐ型ドーパントとしては例え
ばビス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシウム
（（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ） 2 Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペ
ンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）を用
いる。
【０２００】次に、上述のようにしてＧａＮ系半導体層
を成長させたＧａＮ基板１をＭＯＣＶＤ装置から取り出
す。そして、ｐ型ＧａＮコンタクト層１３の全面に例え
ばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより
例えば厚さが０．１μｍのＳｉＯ2 膜（図示せず）を形
成した後、このＳｉＯ2 膜上にリソグラフィーによりリ
ッジ部の形状に対応した所定形状のレジストパターン
（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスク
として、例えばフッ酸系のエッチング液を用いたウエッ
トエッチング、または、ＣＦ4 やＣＨＦ3 などのフッ素
を含むエッチングガスを用いたＲＩＥ法によりＳｉＯ2
膜をエッチングし、リッジ部に対応する形状とする。
を成長させたＧａＮ基板１をＭＯＣＶＤ装置から取り出
す。そして、ｐ型ＧａＮコンタクト層１３の全面に例え
ばＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより
例えば厚さが０．１μｍのＳｉＯ2 膜（図示せず）を形
成した後、このＳｉＯ2 膜上にリソグラフィーによりリ
ッジ部の形状に対応した所定形状のレジストパターン
（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスク
として、例えばフッ酸系のエッチング液を用いたウエッ
トエッチング、または、ＣＦ4 やＣＨＦ3 などのフッ素
を含むエッチングガスを用いたＲＩＥ法によりＳｉＯ2
膜をエッチングし、リッジ部に対応する形状とする。
【０２０１】次に、このＳｉＯ2 膜をマスクとしてＲＩ
Ｅ法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２の厚さ方向の
所定の深さまでエッチングを行うことにより、図８に示
すように、〈１−１００〉方向に延在するリッジ１４を
形成する。このリッジ１４の幅は例えば３μｍである。
このＲＩＥのエッチングガスとしては例えば塩素系ガス
を用いる。
Ｅ法によりｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２の厚さ方向の
所定の深さまでエッチングを行うことにより、図８に示
すように、〈１−１００〉方向に延在するリッジ１４を
形成する。このリッジ１４の幅は例えば３μｍである。
このＲＩＥのエッチングガスとしては例えば塩素系ガス
を用いる。
【０２０２】次に、エッチングマスクとして用いたＳｉ
Ｏ2 膜をエッチング除去した後、基板全面に例えばＣＶ
Ｄ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより例えば
厚さが０．３μｍのＳｉＯ2 膜のような絶縁膜１５を成
膜する。この絶縁膜１５は電気絶縁および表面保護のた
めのものである。
Ｏ2 膜をエッチング除去した後、基板全面に例えばＣＶ
Ｄ法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより例えば
厚さが０．３μｍのＳｉＯ2 膜のような絶縁膜１５を成
膜する。この絶縁膜１５は電気絶縁および表面保護のた
めのものである。
【０２０３】次に、リソグラフィーによりｐ側電極形成
領域を除いた領域の絶縁膜１５の表面を覆うレジストパ
ターン（図示せず）を形成する。次に、このレジストパ
ターンをマスクとして絶縁膜１５をエッチングすること
により、開口１５ａを形成する。
領域を除いた領域の絶縁膜１５の表面を覆うレジストパ
ターン（図示せず）を形成する。次に、このレジストパ
ターンをマスクとして絶縁膜１５をエッチングすること
により、開口１５ａを形成する。
【０２０４】次に、レジストパターンを残したままの状
態で、基板全面に例えば真空蒸着法により例えばＰｄ
膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパ
ターンをその上に形成されたＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ
膜とともに除去する（リフトオフ）。これによって、絶
縁膜１５の開口１５ａを通じてｐ型ＧａＮコンタクト層
１３にコンタクトしたｐ側電極１６が形成される。ここ
で、このｐ側電極１６を構成するＰｄ膜、Ｐｔ膜および
Ａｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０ｎｍ、１００ｎｍお
よび３００ｎｍとする。次に、ｐ側電極１６をオーミッ
ク接触させるためのアロイ処理を行う。
態で、基板全面に例えば真空蒸着法により例えばＰｄ
膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成した後、レジストパ
ターンをその上に形成されたＰｄ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ
膜とともに除去する（リフトオフ）。これによって、絶
縁膜１５の開口１５ａを通じてｐ型ＧａＮコンタクト層
１３にコンタクトしたｐ側電極１６が形成される。ここ
で、このｐ側電極１６を構成するＰｄ膜、Ｐｔ膜および
Ａｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０ｎｍ、１００ｎｍお
よび３００ｎｍとする。次に、ｐ側電極１６をオーミッ
ク接触させるためのアロイ処理を行う。
【０２０５】次に、ＧａＮ基板１の裏面に例えば真空蒸
着法により例えばＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形
成し、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｎ側電極１７を形成す
る。ここで、このｎ側電極１７を構成するＴｉ膜、Ｐｔ
膜およびＡｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０ｎｍ、５０
ｎｍおよび１００ｎｍとする。次に、ｎ側電極１７をオ
ーミック接触させるためのアロイ処理を行う。
着法により例えばＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形
成し、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｎ側電極１７を形成す
る。ここで、このｎ側電極１７を構成するＴｉ膜、Ｐｔ
膜およびＡｕ膜の厚さは例えばそれぞれ１０ｎｍ、５０
ｎｍおよび１００ｎｍとする。次に、ｎ側電極１７をオ
ーミック接触させるためのアロイ処理を行う。
【０２０６】次に、図９に示すように、素子領域２（太
い実線で囲まれた一区画）の輪郭線に沿って、上述のよ
うにしてレーザ構造が形成されたＧａＮ基板１のスクラ
イビングを劈開により行ってレーザバー４に加工して両
共振器端面を形成する。次に、これらの共振器端面に端
面コーティングを施した後、再びこのレーザバー４のス
クライビングを劈開などにより行ってチップ化する。
い実線で囲まれた一区画）の輪郭線に沿って、上述のよ
うにしてレーザ構造が形成されたＧａＮ基板１のスクラ
イビングを劈開により行ってレーザバー４に加工して両
共振器端面を形成する。次に、これらの共振器端面に端
面コーティングを施した後、再びこのレーザバー４のス
クライビングを劈開などにより行ってチップ化する。
【０２０７】図９においては、グレーの長方形が一つの
ＧａＮ系半導体レーザを表し、その中央付近に描かれた
直線がリッジ１４、すなわちレーザストライプ３であ
り、これが発光領域の位置に相当する。さらに、それら
が連なった破線で描かれた長方形がレーザバー４を表し
ていて、このレーザバー４の長辺が共振器端面に相当す
る。
ＧａＮ系半導体レーザを表し、その中央付近に描かれた
直線がリッジ１４、すなわちレーザストライプ３であ
り、これが発光領域の位置に相当する。さらに、それら
が連なった破線で描かれた長方形がレーザバー４を表し
ていて、このレーザバー４の長辺が共振器端面に相当す
る。
【０２０８】図９に示す例においては、ＧａＮ系半導体
レーザのサイズが例えば６００μｍ×３４６μｍであ
り、横方向（長辺方向）は領域Ｂを結ぶ直線に沿って、
縦方向（短辺方向）は領域Ｂを通らない直線に沿って、
それぞれ基板のスクライビンを行うことによってそのサ
イズのＧａＮ系半導体レーザに分離する。
レーザのサイズが例えば６００μｍ×３４６μｍであ
り、横方向（長辺方向）は領域Ｂを結ぶ直線に沿って、
縦方向（短辺方向）は領域Ｂを通らない直線に沿って、
それぞれ基板のスクライビンを行うことによってそのサ
イズのＧａＮ系半導体レーザに分離する。
【０２０９】この場合、領域Ｂは各ＧａＮ系半導体レー
ザの長辺の端面部分にのみ存在することになるので、レ
ーザストライプ３が短辺の中点同士を結ぶ直線の近傍に
位置するように素子の設計を行うことにより、領域Ｂの
影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。共振
器のミラーについては、図９中の縦方向の直線に沿っ
て、劈開などにより基板のスクライビングを行うことに
より端面に形成されるが、その直線が領域Ｂを通らない
ので、領域Ｂにおける転位の影響を受けることはない。
したがって、発光特性が良く、信頼性が高いＧａＮ系半
導体レーザを得ることができる。以上により、図１０に
示すように、目的とするリッジ構造およびＳＣＨ構造を
有するＧａＮ系半導体レーザが製造される。
ザの長辺の端面部分にのみ存在することになるので、レ
ーザストライプ３が短辺の中点同士を結ぶ直線の近傍に
位置するように素子の設計を行うことにより、領域Ｂの
影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。共振
器のミラーについては、図９中の縦方向の直線に沿っ
て、劈開などにより基板のスクライビングを行うことに
より端面に形成されるが、その直線が領域Ｂを通らない
ので、領域Ｂにおける転位の影響を受けることはない。
したがって、発光特性が良く、信頼性が高いＧａＮ系半
導体レーザを得ることができる。以上により、図１０に
示すように、目的とするリッジ構造およびＳＣＨ構造を
有するＧａＮ系半導体レーザが製造される。
【０２１０】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、平均転位密度が低い領域Ａの中に平均転位密度が高
い領域Ｂが六方格子状に周期的に配列しているＧａＮ基
板１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長
させ、領域Ｂの上を通らない位置におけるｐ型ＧａＮコ
ンタクト層１３およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２に
リッジ１４を形成しているので、ＧａＮ系半導体レーザ
の発光領域に領域Ｂによる悪影響が及ばないようにする
ことができる。このため、発光特性が良好で、信頼性が
高く長寿命のＧａＮ系半導体レーザを実現することがで
きる。
ば、平均転位密度が低い領域Ａの中に平均転位密度が高
い領域Ｂが六方格子状に周期的に配列しているＧａＮ基
板１上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長
させ、領域Ｂの上を通らない位置におけるｐ型ＧａＮコ
ンタクト層１３およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２に
リッジ１４を形成しているので、ＧａＮ系半導体レーザ
の発光領域に領域Ｂによる悪影響が及ばないようにする
ことができる。このため、発光特性が良好で、信頼性が
高く長寿命のＧａＮ系半導体レーザを実現することがで
きる。
【０２１１】加えて、この第１の実施形態によれば、活
性層８に接してアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９が設
けられ、このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９に接し
てｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０が設けられているの
で、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９により、ｐ型Ａ
ｌＧａＮキャップ層１０により活性層８に発生する応力
を大幅に緩和することができるとともに、ｐ型層のｐ型
ドーパントとして用いられるＭｇが活性層７に拡散する
のを有効に抑制することができる。
性層８に接してアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９が設
けられ、このアンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９に接し
てｐ型ＡｌＧａＮキャップ層１０が設けられているの
で、アンドープＩｎＧａＮ劣化防止層９により、ｐ型Ａ
ｌＧａＮキャップ層１０により活性層８に発生する応力
を大幅に緩和することができるとともに、ｐ型層のｐ型
ドーパントとして用いられるＭｇが活性層７に拡散する
のを有効に抑制することができる。
【０２１２】次に、この発明の第２の実施形態について
説明する。第１の実施形態においては、それ自身に凹凸
が形成された構造基板について説明したが、構造基板
は、絶縁膜などからなるパターンにより基板表面が部分
的に覆われたようなものであってもよい。そこで、この
第２の実施形態においては、そのような例としてＥＬＯ
における成長マスク、すなわちＥＬＯパターンがＧａＮ
基板１上に形成されている構造基板について説明する。
説明する。第１の実施形態においては、それ自身に凹凸
が形成された構造基板について説明したが、構造基板
は、絶縁膜などからなるパターンにより基板表面が部分
的に覆われたようなものであってもよい。そこで、この
第２の実施形態においては、そのような例としてＥＬＯ
における成長マスク、すなわちＥＬＯパターンがＧａＮ
基板１上に形成されている構造基板について説明する。
【０２１３】図１１にこの構造基板の三つの例を示す。
図１１Ａに示す例では、ＧａＮ基板１の主面上に、領域
Ｂを覆うように、例えばＳｉＯ2 膜などの絶縁膜１８か
らなるＥＬＯパターンが〈１−１００〉方向に延在する
ストライプ形状に形成されている。そして、この絶縁膜
１８をマスクとしてＧａＮ基板１の上部が所定深さまで
エッチングされている。この場合、第１の実施形態と同
様に、領域Ｂの配列方向とＥＬＯパターンの延在方向と
を一致させ、かつａ＝ｎｂが成立するようにする。図１
１Ｂに示す例では、ＧａＮ基板１の上部が〈１−１０
０〉方向に延在するストライプ形状に形成されており、
このストライプ部を除いた部分におけるＧａＮ基板１上
に、領域Ｂを覆うように、例えばＳｉＯ2 膜などの絶縁
膜１８が形成されている。この場合、第１の実施形態と
同様に、領域Ｂの配列方向とＥＬＯパターンの延在方向
とを一致させ、かつａ＝ｎｂが成立するようにする。図
１１Ｃに示す例では、ＧａＮ基板１の主面上に、〈１−
１００〉方向に延在するストライプ形状の開口を有する
ＳｉＯ2 膜などの絶縁膜１８が、領域Ｂを覆うように形
成されている。この場合、第１の実施形態と同様に、領
域Ｂの配列方向とＥＬＯパターンの延在方向とを一致さ
せ、かつａ＝ｎｂが成立するようにする。
図１１Ａに示す例では、ＧａＮ基板１の主面上に、領域
Ｂを覆うように、例えばＳｉＯ2 膜などの絶縁膜１８か
らなるＥＬＯパターンが〈１−１００〉方向に延在する
ストライプ形状に形成されている。そして、この絶縁膜
１８をマスクとしてＧａＮ基板１の上部が所定深さまで
エッチングされている。この場合、第１の実施形態と同
様に、領域Ｂの配列方向とＥＬＯパターンの延在方向と
を一致させ、かつａ＝ｎｂが成立するようにする。図１
１Ｂに示す例では、ＧａＮ基板１の上部が〈１−１０
０〉方向に延在するストライプ形状に形成されており、
このストライプ部を除いた部分におけるＧａＮ基板１上
に、領域Ｂを覆うように、例えばＳｉＯ2 膜などの絶縁
膜１８が形成されている。この場合、第１の実施形態と
同様に、領域Ｂの配列方向とＥＬＯパターンの延在方向
とを一致させ、かつａ＝ｎｂが成立するようにする。図
１１Ｃに示す例では、ＧａＮ基板１の主面上に、〈１−
１００〉方向に延在するストライプ形状の開口を有する
ＳｉＯ2 膜などの絶縁膜１８が、領域Ｂを覆うように形
成されている。この場合、第１の実施形態と同様に、領
域Ｂの配列方向とＥＬＯパターンの延在方向とを一致さ
せ、かつａ＝ｎｂが成立するようにする。
【０２１４】これらの図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１
Ｃに示す例では、領域Ｂの直径Ａ0とＥＬＯパターンの
幅Ａ1 との関係がＡ1 ≧Ａ0 ならば、基板全面にわたり
絶縁膜１８の下に領域Ｂを配置することが可能になる。
そして、この構造基板上にＥＬＯによりＧａＮ系半導体
層を横方向成長させた場合には、ＥＬＯの原理どおりこ
の絶縁膜１８で覆われた部分では、領域Ｂの結晶欠陥が
成長層に伝播しないため、基板全面に良質のＧａＮ系半
導体層を成長させることができる。
Ｃに示す例では、領域Ｂの直径Ａ0とＥＬＯパターンの
幅Ａ1 との関係がＡ1 ≧Ａ0 ならば、基板全面にわたり
絶縁膜１８の下に領域Ｂを配置することが可能になる。
そして、この構造基板上にＥＬＯによりＧａＮ系半導体
層を横方向成長させた場合には、ＥＬＯの原理どおりこ
の絶縁膜１８で覆われた部分では、領域Ｂの結晶欠陥が
成長層に伝播しないため、基板全面に良質のＧａＮ系半
導体層を成長させることができる。
【０２１５】なお、Ａ1 ≦Ａ0 の場合には、絶縁膜１８
により領域Ｂの全面を覆うことはできないが、この場合
でも、ＧａＮ基板１上の任意の位置に絶縁膜１８を形成
する場合に比較すると、成長層の結晶品質を向上させる
ことができることは言うまでもない。
により領域Ｂの全面を覆うことはできないが、この場合
でも、ＧａＮ基板１上の任意の位置に絶縁膜１８を形成
する場合に比較すると、成長層の結晶品質を向上させる
ことができることは言うまでもない。
【０２１６】また、ＥＬＯパターンの周期は一般的にｂ
≒数〜２０μｍ、領域Ｂの周期は一般的に２ａ≒１００
〜１０００μｍであり、これらの大小関係から、ｂ＝ｎ
ａの場合は示していないが、仮にこれらに相当するＥＬ
Ｏパターンがあれば、当然これらも含まれる。
≒数〜２０μｍ、領域Ｂの周期は一般的に２ａ≒１００
〜１０００μｍであり、これらの大小関係から、ｂ＝ｎ
ａの場合は示していないが、仮にこれらに相当するＥＬ
Ｏパターンがあれば、当然これらも含まれる。
【０２１７】この構造基板を用いて第１の実施形態と同
様なＧａＮ系半導体レーザを製造する場合には、例え
ば、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すいずれか
の構造基板上にまず、ＥＬＯによりｎ型ＧａＮ層を十分
な厚さに成長させた後、このｎ型ＧａＮ層上にレーザ構
造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させる。上記以外
のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略
する。この第２の実施形態によっても、第１の実施形態
と同様な利点を得ることができる。
様なＧａＮ系半導体レーザを製造する場合には、例え
ば、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すいずれか
の構造基板上にまず、ＥＬＯによりｎ型ＧａＮ層を十分
な厚さに成長させた後、このｎ型ＧａＮ層上にレーザ構
造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させる。上記以外
のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省略
する。この第２の実施形態によっても、第１の実施形態
と同様な利点を得ることができる。
【０２１８】次に、この発明の第３の実施形態について
説明する。第１および第２の実施形態においては、Ｇａ
Ｎ基板１の領域Ｂは基板全面にわたり、最密充填の正三
角形頂点位置に配列している。
説明する。第１および第２の実施形態においては、Ｇａ
Ｎ基板１の領域Ｂは基板全面にわたり、最密充填の正三
角形頂点位置に配列している。
【０２１９】ところで、構造基板の製造時や素子形成時
には、領域Ｂの配置に方位を合わせてパターニングを行
う必要がある。このパターニングのプロセスには、レジ
ストの露光工程が含まれるが、この露光時にはマスク合
わせのためにアライメントマークが必要である。そこ
で、この第３の実施形態においては、このアライメント
マークの形成およびアライメントの方法について説明す
る。
には、領域Ｂの配置に方位を合わせてパターニングを行
う必要がある。このパターニングのプロセスには、レジ
ストの露光工程が含まれるが、この露光時にはマスク合
わせのためにアライメントマークが必要である。そこ
で、この第３の実施形態においては、このアライメント
マークの形成およびアライメントの方法について説明す
る。
【０２２０】すなわち、ＧａＮ基板１は透明であるた
め、領域Ｂはその起源となる種結晶とバルク成長層との
境界が光学顕微鏡観察などでＧａＮ基板１を通して目視
可能であることにより、領域Ｂの配置を外部から検出す
ることができる。したがって、この領域Ｂを用いれば、
アライメントを行うことが可能である。
め、領域Ｂはその起源となる種結晶とバルク成長層との
境界が光学顕微鏡観察などでＧａＮ基板１を通して目視
可能であることにより、領域Ｂの配置を外部から検出す
ることができる。したがって、この領域Ｂを用いれば、
アライメントを行うことが可能である。
【０２２１】ところが、領域Ｂが基板全面にわたって周
期的に形成されていると、どの二つの領域Ｂをもってそ
れらを結ぶ直線が求める方位であるかを間違えやすく、
例えば一列ずらしてしまうこともありうる。そこで、こ
の第３の実施形態においては、図１２に示すように、領
域ＢをＧａＮ基板１の全面にわたって周期的に配列する
のではなく、例えば、特定の列だけある長さにわたり領
域Ｂの間隔を半分（領域Ｂの密度としては２倍）にし、
この部分を方位を示すアライメントマーク１９とする。
図１２においては、図２に示す例に比べて付加された領
域Ｂに矢印を付した。
期的に形成されていると、どの二つの領域Ｂをもってそ
れらを結ぶ直線が求める方位であるかを間違えやすく、
例えば一列ずらしてしまうこともありうる。そこで、こ
の第３の実施形態においては、図１２に示すように、領
域ＢをＧａＮ基板１の全面にわたって周期的に配列する
のではなく、例えば、特定の列だけある長さにわたり領
域Ｂの間隔を半分（領域Ｂの密度としては２倍）にし、
この部分を方位を示すアライメントマーク１９とする。
図１２においては、図２に示す例に比べて付加された領
域Ｂに矢印を付した。
【０２２２】なお、ＧａＮ基板１を種結晶からの成長に
より得る上では、領域Ｂの間隔が広すぎると成長層同士
が良好に合体しないなどの問題が起こりうるが、図１２
に示すように特定の列の領域Ｂの間隔を狭くする場合に
は一般に問題は生じない。
より得る上では、領域Ｂの間隔が広すぎると成長層同士
が良好に合体しないなどの問題が起こりうるが、図１２
に示すように特定の列の領域Ｂの間隔を狭くする場合に
は一般に問題は生じない。
【０２２３】図１２に示すようなアライメントマーク１
９を図１３に示すように、ＧａＮ基板１上に複数箇所、
例えば５箇所に形成する。構造基板の製造時や素子形成
時のパターニングプロセスにおけるレジストの露光工程
では、これらのアライメントマーク１９を用いてマスク
合わせを精度良く行うことができる。
９を図１３に示すように、ＧａＮ基板１上に複数箇所、
例えば５箇所に形成する。構造基板の製造時や素子形成
時のパターニングプロセスにおけるレジストの露光工程
では、これらのアライメントマーク１９を用いてマスク
合わせを精度良く行うことができる。
【０２２４】なお、上記のアライメントマーク１９は、
方位合わせのみならず、基板内の座標の規定などにも用
いることができることは言うまでもない。
方位合わせのみならず、基板内の座標の規定などにも用
いることができることは言うまでもない。
【０２２５】上記以外のことは第１の実施形態と同様で
あるので、説明を省略する。この第３の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様な利点に加えて、構造基板製
造時およびその後の素子形成時に行う露光工程において
マスク合わせを高精度で行うことができ、ＧａＮ系半導
体レーザの製造歩留まりの向上を図ることができるとい
う利点も得ることができる。
あるので、説明を省略する。この第３の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様な利点に加えて、構造基板製
造時およびその後の素子形成時に行う露光工程において
マスク合わせを高精度で行うことができ、ＧａＮ系半導
体レーザの製造歩留まりの向上を図ることができるとい
う利点も得ることができる。
【０２２６】次に、この発明の第４の実施形態について
説明する。図１４はこの第４の実施形態において用いる
ＧａＮ基板を示す平面図である。図１４に示すように、
この第４の実施形態においては、領域Ｂがレーザストラ
イプ３に含まれないように素子領域２が画定される。こ
こで、レーザストライプ３は領域Ｂから５０μｍ以上離
れている。この場合、素子領域２には２個の領域Ｂが含
まれることになる。上記以外のことは第１の実施形態と
同様であるので、説明を省略する。この第４の実施形態
によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることがで
きる。
説明する。図１４はこの第４の実施形態において用いる
ＧａＮ基板を示す平面図である。図１４に示すように、
この第４の実施形態においては、領域Ｂがレーザストラ
イプ３に含まれないように素子領域２が画定される。こ
こで、レーザストライプ３は領域Ｂから５０μｍ以上離
れている。この場合、素子領域２には２個の領域Ｂが含
まれることになる。上記以外のことは第１の実施形態と
同様であるので、説明を省略する。この第４の実施形態
によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることがで
きる。
【０２２７】次に、この発明の第５の実施形態について
説明する。図１５はこの第５の実施形態において用いる
ＧａＮ基板を示す平面図である。このＧａＮ基板１はｎ
型でＣ面方位である。ただし、ＧａＮ基板１はＲ面、Ａ
面またはＭ面方位のものであってもよい。このＧａＮ基
板１においては、平均転位密度が低い結晶からなる領域
Ａの中に平均転位密度が高い結晶からなる領域ＢがＧａ
Ｎの〈１１−２０〉方向に例えば４００μｍ間隔で周期
的に配列し、〈１１−２０〉方向と直交する〈１−１０
０〉方向に例えば２０〜１００μｍ間隔で周期的に配列
している。ただし、〈１１−２０〉方向と〈１−１０
０〉方向とを入れ替えてもよい。
説明する。図１５はこの第５の実施形態において用いる
ＧａＮ基板を示す平面図である。このＧａＮ基板１はｎ
型でＣ面方位である。ただし、ＧａＮ基板１はＲ面、Ａ
面またはＭ面方位のものであってもよい。このＧａＮ基
板１においては、平均転位密度が低い結晶からなる領域
Ａの中に平均転位密度が高い結晶からなる領域ＢがＧａ
Ｎの〈１１−２０〉方向に例えば４００μｍ間隔で周期
的に配列し、〈１１−２０〉方向と直交する〈１−１０
０〉方向に例えば２０〜１００μｍ間隔で周期的に配列
している。ただし、〈１１−２０〉方向と〈１−１０
０〉方向とを入れ替えてもよい。
【０２２８】この第５の実施形態においては、図１６に
示すように、レーザストライプ３に平行な一対の端面が
〈１−１００〉方向の領域Ｂの列を通り、かつ、レーザ
ストライプ３がこの領域Ｂの列の間の領域の中央付近に
位置するように素子領域２が画定される。この場合、素
子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。上記以
外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省
略する。この第５の実施形態によれば、第１の実施形態
と同様な利点を得ることができる。
示すように、レーザストライプ３に平行な一対の端面が
〈１−１００〉方向の領域Ｂの列を通り、かつ、レーザ
ストライプ３がこの領域Ｂの列の間の領域の中央付近に
位置するように素子領域２が画定される。この場合、素
子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。上記以
外のことは第１の実施形態と同様であるので、説明を省
略する。この第５の実施形態によれば、第１の実施形態
と同様な利点を得ることができる。
【０２２９】次に、この発明の第６の実施形態について
説明する。図１７に示すように、この第６の実施形態に
おいては、第５の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用い
るが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−
１００〉方向の領域Ｂの列を通り、他方の端面がこの領
域Ｂの列から離れた位置を通る点で、第２３の実施形態
と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質
的に含まれない。上記以外のことは第１８および第１の
実施形態と同様であるので、説明を省略する。この第６
の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得
ることができる。
説明する。図１７に示すように、この第６の実施形態に
おいては、第５の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用い
るが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−
１００〉方向の領域Ｂの列を通り、他方の端面がこの領
域Ｂの列から離れた位置を通る点で、第２３の実施形態
と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質
的に含まれない。上記以外のことは第１８および第１の
実施形態と同様であるので、説明を省略する。この第６
の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得
ることができる。
【０２３０】次に、この発明の第７の実施形態について
説明する。図１８に示すように、この第７の実施形態に
おいては、第５の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用い
るが、レーザストライプ３に平行な一対の端面がいずれ
も〈１−１００〉方向の領域Ｂの列の間に位置し、か
つ、レーザストライプ３がこの領域Ｂの列の間の領域の
中央付近に位置するように素子領域２が画定される点
で、第５の実施形態と異なる。この場合、素子領域２に
は領域Ｂの列は実質的に含まれない。上記以外のことは
第５および第１の実施形態と同様であるので、説明を省
略する。この第７の実施形態によれば、第１の実施形態
と同様な利点を得ることができる。
説明する。図１８に示すように、この第７の実施形態に
おいては、第５の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用い
るが、レーザストライプ３に平行な一対の端面がいずれ
も〈１−１００〉方向の領域Ｂの列の間に位置し、か
つ、レーザストライプ３がこの領域Ｂの列の間の領域の
中央付近に位置するように素子領域２が画定される点
で、第５の実施形態と異なる。この場合、素子領域２に
は領域Ｂの列は実質的に含まれない。上記以外のことは
第５および第１の実施形態と同様であるので、説明を省
略する。この第７の実施形態によれば、第１の実施形態
と同様な利点を得ることができる。
【０２３１】次に、この発明の第８の実施形態について
説明する。図１９に示すように、この第８の実施形態に
おいては、第５の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用い
るが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−
１００〉方向の領域Ｂの列を通り、他方の端面がこの領
域Ｂの列に直ぐ隣接する領域Ｂの列とその次の領域Ｂの
列との間に位置し、かつ、レーザストライプ３が領域Ｂ
の列から５０μｍ以上離れた位置を通る点で、第５の実
施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列
は１本含まれる。上記以外のことは第５および第１の実
施形態と同様であるので、説明を省略する。この第８の
実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得る
ことができる。
説明する。図１９に示すように、この第８の実施形態に
おいては、第５の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用い
るが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−
１００〉方向の領域Ｂの列を通り、他方の端面がこの領
域Ｂの列に直ぐ隣接する領域Ｂの列とその次の領域Ｂの
列との間に位置し、かつ、レーザストライプ３が領域Ｂ
の列から５０μｍ以上離れた位置を通る点で、第５の実
施形態と異なる。この場合、素子領域２には領域Ｂの列
は１本含まれる。上記以外のことは第５および第１の実
施形態と同様であるので、説明を省略する。この第８の
実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得る
ことができる。
【０２３２】次に、この発明の第９の実施形態について
説明する。図２０に示すように、この第９の実施形態に
おいては、第５の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用い
るが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−
１００〉方向の領域Ｂの列から離れた位置を通り、他方
の端面がこの領域Ｂの列に直ぐ隣接する領域Ｂの列とそ
の次の領域Ｂの列との間に位置し、かつ、レーザストラ
イプ３が領域Ｂの列から５０μｍ以上離れた位置を通る
点で、第５の実施形態と異なる。この場合、素子領域２
には領域Ｂの列は１本含まれる。上記以外のことは第５
および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略す
る。この第９の実施形態によれば、第１の実施形態と同
様な利点を得ることができる。
説明する。図２０に示すように、この第９の実施形態に
おいては、第５の実施形態と同様なＧａＮ基板１を用い
るが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が〈１−
１００〉方向の領域Ｂの列から離れた位置を通り、他方
の端面がこの領域Ｂの列に直ぐ隣接する領域Ｂの列とそ
の次の領域Ｂの列との間に位置し、かつ、レーザストラ
イプ３が領域Ｂの列から５０μｍ以上離れた位置を通る
点で、第５の実施形態と異なる。この場合、素子領域２
には領域Ｂの列は１本含まれる。上記以外のことは第５
および第１の実施形態と同様であるので、説明を省略す
る。この第９の実施形態によれば、第１の実施形態と同
様な利点を得ることができる。
【０２３３】次に、この発明の第１０の実施形態につい
て説明する。図２１はこの第１０の実施形態において用
いるＧａＮ基板１を示す平面図である。このＧａＮ基板
１は、領域ＢがＧａＮの〈１１−２０〉方向に例えば２
００μｍ間隔で周期的に配列していることを除いて、第
５の実施形態において用いたＧａＮ基板１と同様であ
る。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は２本含まれ
る。
て説明する。図２１はこの第１０の実施形態において用
いるＧａＮ基板１を示す平面図である。このＧａＮ基板
１は、領域ＢがＧａＮの〈１１−２０〉方向に例えば２
００μｍ間隔で周期的に配列していることを除いて、第
５の実施形態において用いたＧａＮ基板１と同様であ
る。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は２本含まれ
る。
【０２３４】図２１に示すように、この第１０の実施形
態においては、レーザストライプ３が隣接する領域Ｂの
列の間の領域の中央付近に位置し、かつ、レーザストラ
イプ３に平行な一対の端面がこれらの領域Ｂの列とそれ
らの直ぐ外側の領域Ｂの列との間の領域の中央付近に位
置する。上記以外のことは第５および第１の実施形態と
同様であるので、説明を省略する。この第１０の実施形
態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることが
できる。
態においては、レーザストライプ３が隣接する領域Ｂの
列の間の領域の中央付近に位置し、かつ、レーザストラ
イプ３に平行な一対の端面がこれらの領域Ｂの列とそれ
らの直ぐ外側の領域Ｂの列との間の領域の中央付近に位
置する。上記以外のことは第５および第１の実施形態と
同様であるので、説明を省略する。この第１０の実施形
態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることが
できる。
【０２３５】次に、この発明の第１１の実施形態につい
て説明する。図２２はこの第１１の実施形態において用
いるＧａＮ基板を示す平面図である。このＧａＮ基板１
はｎ型でＣ面方位である。ただし、ＧａＮ基板１はＲ
面、Ａ面またはＭ面方位のものであってもよい。このＧ
ａＮ基板１においては、平均転位密度が低い結晶からな
る領域Ａの中に、平均転位密度が高い結晶からなり、Ｇ
ａＮの〈１−１００〉方向に線状に延在する領域Ｂが
〈１−１００〉方向と直交する〈１１−２０〉方向に例
えば４００μｍ間隔で周期的に配列している。ただし、
〈１−１００〉方向と〈１１−２０〉方向とを入れ替え
てもよい。
て説明する。図２２はこの第１１の実施形態において用
いるＧａＮ基板を示す平面図である。このＧａＮ基板１
はｎ型でＣ面方位である。ただし、ＧａＮ基板１はＲ
面、Ａ面またはＭ面方位のものであってもよい。このＧ
ａＮ基板１においては、平均転位密度が低い結晶からな
る領域Ａの中に、平均転位密度が高い結晶からなり、Ｇ
ａＮの〈１−１００〉方向に線状に延在する領域Ｂが
〈１−１００〉方向と直交する〈１１−２０〉方向に例
えば４００μｍ間隔で周期的に配列している。ただし、
〈１−１００〉方向と〈１１−２０〉方向とを入れ替え
てもよい。
【０２３６】この第１１の実施形態においては、図２３
に示すように、レーザストライプ３に平行な一対の端面
が領域Ｂを通り、かつ、レーザストライプ３がこの領域
Ｂの間の領域の中央付近に位置するように素子領域２が
画定される。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実
質的に含まれない。上記以外のことは第１の実施形態と
同様であるので、説明を省略する。この第１１の実施形
態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることが
できる。
に示すように、レーザストライプ３に平行な一対の端面
が領域Ｂを通り、かつ、レーザストライプ３がこの領域
Ｂの間の領域の中央付近に位置するように素子領域２が
画定される。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実
質的に含まれない。上記以外のことは第１の実施形態と
同様であるので、説明を省略する。この第１１の実施形
態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることが
できる。
【０２３７】次に、この発明の第１２の実施形態につい
て説明する。図２４に示すように、この第１２の実施形
態においては、第１１の実施形態と同様なＧａＮ基板１
を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が
領域Ｂを通り、他方の端面がこの領域Ｂの列から離れた
位置を通る点で、第１１の実施形態と異なる。この場
合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。
上記以外のことは第１１および第１の実施形態と同様で
あるので、説明を省略する。この第１２の実施形態によ
れば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができ
る。
て説明する。図２４に示すように、この第１２の実施形
態においては、第１１の実施形態と同様なＧａＮ基板１
を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が
領域Ｂを通り、他方の端面がこの領域Ｂの列から離れた
位置を通る点で、第１１の実施形態と異なる。この場
合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含まれない。
上記以外のことは第１１および第１の実施形態と同様で
あるので、説明を省略する。この第１２の実施形態によ
れば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができ
る。
【０２３８】次に、この発明の第１３の実施形態につい
て説明する。図２５に示すように、この第１３の実施形
態においては、第１１の実施形態と同様なＧａＮ基板１
を用いるが、レーザストライプ３に平行な一対の端面が
いずれも領域Ｂの間に位置し、かつ、レーザストライプ
３がこの領域Ｂの間の領域の中央付近に位置するように
素子領域２が画定される点で、第１１の実施形態と異な
る。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含
まれない。上記以外のことは第１１および第１の実施形
態と同様であるので、説明を省略する。この第１３の実
施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得るこ
とができる。
て説明する。図２５に示すように、この第１３の実施形
態においては、第１１の実施形態と同様なＧａＮ基板１
を用いるが、レーザストライプ３に平行な一対の端面が
いずれも領域Ｂの間に位置し、かつ、レーザストライプ
３がこの領域Ｂの間の領域の中央付近に位置するように
素子領域２が画定される点で、第１１の実施形態と異な
る。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は実質的に含
まれない。上記以外のことは第１１および第１の実施形
態と同様であるので、説明を省略する。この第１３の実
施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得るこ
とができる。
【０２３９】次に、この発明の第１４の実施形態につい
て説明する。図２６に示すように、この第１４の実施形
態においては、第１１の実施形態と同様なＧａＮ基板１
を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が
領域Ｂを通り、他方の端面がこの領域Ｂの列に直ぐ隣接
する領域Ｂとその次の領域Ｂとの間に位置し、かつ、レ
ーザストライプ３が領域Ｂから５０μｍ以上離れた位置
を通る点で、第１１の実施形態と異なる。この場合、素
子領域２には領域Ｂは１本含まれる。上記以外のことは
第１１および第１の実施形態と同様であるので、説明を
省略する。この第１４の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様な利点を得ることができる。
て説明する。図２６に示すように、この第１４の実施形
態においては、第１１の実施形態と同様なＧａＮ基板１
を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が
領域Ｂを通り、他方の端面がこの領域Ｂの列に直ぐ隣接
する領域Ｂとその次の領域Ｂとの間に位置し、かつ、レ
ーザストライプ３が領域Ｂから５０μｍ以上離れた位置
を通る点で、第１１の実施形態と異なる。この場合、素
子領域２には領域Ｂは１本含まれる。上記以外のことは
第１１および第１の実施形態と同様であるので、説明を
省略する。この第１４の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様な利点を得ることができる。
【０２４０】次に、この発明の第１５の実施形態につい
て説明する。図２７に示すように、この第１５の実施形
態においては、第１１の実施形態と同様なＧａＮ基板１
を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が
領域Ｂから離れた位置を通り、他方の端面がこの領域Ｂ
に直ぐ隣接する領域Ｂとその次の領域Ｂとの間に位置
し、かつ、レーザストライプ３が領域Ｂから５０μｍ以
上離れた位置を通る点で、第１１の実施形態と異なる。
この場合、素子領域２には領域Ｂの列は１本含まれる。
上記以外のことは第１１および第１の実施形態と同様で
あるので、説明を省略する。この第１５の実施形態によ
れば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができ
る。
て説明する。図２７に示すように、この第１５の実施形
態においては、第１１の実施形態と同様なＧａＮ基板１
を用いるが、レーザストライプ３に平行な一つの端面が
領域Ｂから離れた位置を通り、他方の端面がこの領域Ｂ
に直ぐ隣接する領域Ｂとその次の領域Ｂとの間に位置
し、かつ、レーザストライプ３が領域Ｂから５０μｍ以
上離れた位置を通る点で、第１１の実施形態と異なる。
この場合、素子領域２には領域Ｂの列は１本含まれる。
上記以外のことは第１１および第１の実施形態と同様で
あるので、説明を省略する。この第１５の実施形態によ
れば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができ
る。
【０２４１】次に、この発明の第１６の実施形態につい
て説明する。図２８はこの第１６の実施形態において用
いるＧａＮ基板１を示す平面図である。このＧａＮ基板
１は、領域ＢがＧａＮの〈１１−２０〉方向に例えば２
００μｍ間隔で周期的に配列していることを除いて、第
１１の実施形態において用いたＧａＮ基板１と同様であ
る。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は２本含まれ
る。
て説明する。図２８はこの第１６の実施形態において用
いるＧａＮ基板１を示す平面図である。このＧａＮ基板
１は、領域ＢがＧａＮの〈１１−２０〉方向に例えば２
００μｍ間隔で周期的に配列していることを除いて、第
１１の実施形態において用いたＧａＮ基板１と同様であ
る。この場合、素子領域２には領域Ｂの列は２本含まれ
る。
【０２４２】図２８に示すように、この第１６の実施形
態においては、レーザストライプ３が隣接する領域Ｂの
間の領域の中央付近に位置し、かつ、レーザストライプ
３に平行な一対の端面がこれらの領域Ｂとそれらの直ぐ
外側の領域Ｂとの間の領域の中央付近に位置する。上記
以外のことは第１１および第１の実施形態と同様である
ので、説明を省略する。この第１６の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。
態においては、レーザストライプ３が隣接する領域Ｂの
間の領域の中央付近に位置し、かつ、レーザストライプ
３に平行な一対の端面がこれらの領域Ｂとそれらの直ぐ
外側の領域Ｂとの間の領域の中央付近に位置する。上記
以外のことは第１１および第１の実施形態と同様である
ので、説明を省略する。この第１６の実施形態によれ
ば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【０２４３】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【０２４４】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値、構造、基板、結晶方位、原料、プロセスなどはあく
までも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数
値、構＋、基板、結晶方位、原料、プロセスなどを用い
てもよい。
値、構造、基板、結晶方位、原料、プロセスなどはあく
までも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数
値、構＋、基板、結晶方位、原料、プロセスなどを用い
てもよい。
【０２４５】具体的には、例えば、上述の実施形態にお
いては、この発明をＳＣＨ構造のＧａＮ系半導体レーザ
の製造に適用した場合について説明したが、この発明
は、例えば、ＤＨ（Double Heterostructure）構造のＧ
ａＮ系半導体レーザの製造に適用してもよいことはもち
ろん、ＧａＮ系発光ダイオードの製造に適用してもよ
く、さらにはＧａＮ系ＦＥＴやＧａＮ系ヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などの窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を用いた電子走行素子に適用してもよ
い。
いては、この発明をＳＣＨ構造のＧａＮ系半導体レーザ
の製造に適用した場合について説明したが、この発明
は、例えば、ＤＨ（Double Heterostructure）構造のＧ
ａＮ系半導体レーザの製造に適用してもよいことはもち
ろん、ＧａＮ系発光ダイオードの製造に適用してもよ
く、さらにはＧａＮ系ＦＥＴやＧａＮ系ヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などの窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を用いた電子走行素子に適用してもよ
い。
【０２４６】さらに、上述の実施形態においては、ＭＯ
ＣＶＤ法により成長を行う際のキャリアガスとしてＨ2
ガスを用いているが、必要に応じて、他のキャリアガ
ス、例えばＨ2 とＮ2 あるいはＨｅ、Ａｒガスなどとの
混合ガスを用いてもよい。また、上述の実施形態におい
ては、劈開により共振器端面を形成しているが、共振器
端面は例えばＲＩＥのようなドライエッチングにより形
成してもよい。
ＣＶＤ法により成長を行う際のキャリアガスとしてＨ2
ガスを用いているが、必要に応じて、他のキャリアガ
ス、例えばＨ2 とＮ2 あるいはＨｅ、Ａｒガスなどとの
混合ガスを用いてもよい。また、上述の実施形態におい
ては、劈開により共振器端面を形成しているが、共振器
端面は例えばＲＩＥのようなドライエッチングにより形
成してもよい。
【０２４７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、第１の領域より転位密度が高い、あるいは平均欠陥
密度が高い、あるいは結晶性が悪い第２の領域の上を通
らないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板、
あるいは半導体基板、あるいは基板上に構造、例えば半
導体素子では活性領域、半導体発光素子では発光領域を
形成するようにしているので、これらの活性領域あるい
は発光領域に第２の領域による悪影響が及ぶのを防止す
ることができる。このため、発光特性などの特性が良好
で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子あるいは特性が
良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子あるいは特性が
良好で信頼性も高く長寿命の各種の素子を実現すること
ができる。
ば、第１の領域より転位密度が高い、あるいは平均欠陥
密度が高い、あるいは結晶性が悪い第２の領域の上を通
らないように窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板、
あるいは半導体基板、あるいは基板上に構造、例えば半
導体素子では活性領域、半導体発光素子では発光領域を
形成するようにしているので、これらの活性領域あるい
は発光領域に第２の領域による悪影響が及ぶのを防止す
ることができる。このため、発光特性などの特性が良好
で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子あるいは特性が
良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子あるいは特性が
良好で信頼性も高く長寿命の各種の素子を実現すること
ができる。
【図１】この発明の第１の実施形態において用いるＧａ
Ｎ基板を示す斜視図および断面図である。
Ｎ基板を示す斜視図および断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態において用いるＧａ
Ｎ基板を示す平面図である。
Ｎ基板を示す平面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態において用いるＧａ
Ｎ基板の領域Ｂの近傍における転位密度の分布の一例を
示す略線図である。
Ｎ基板の領域Ｂの近傍における転位密度の分布の一例を
示す略線図である。
【図４】この発明の第１の実施形態において用いるＧａ
Ｎ基板を示す略線図である。
Ｎ基板を示す略線図である。
【図５】この発明の第１の実施形態において用いる構造
基板を示す断面図である。
基板を示す断面図である。
【図６】この発明の第１の実施形態において用いるＧａ
Ｎ基板の他の例を示す平面図である。
Ｎ基板の他の例を示す平面図である。
【図７】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導
体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
【図１０】この発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】この発明の第２の実施形態において用いる構
造基板を示す断面図である。
造基板を示す断面図である。
【図１２】この発明の第３の実施形態において用いるＧ
ａＮ基板を示す平面図である。
ａＮ基板を示す平面図である。
【図１３】この発明の第３の実施形態において用いるＧ
ａＮ基板を示す平面図である。
ａＮ基板を示す平面図である。
【図１４】この発明の第４の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
【図１５】この発明の第４の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
【図１６】この発明の第５の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
【図１７】この発明の第６の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
【図１８】この発明の第７の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
【図１９】この発明の第８の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
【図２０】この発明の第９の実施形態によるＧａＮ系半
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
導体レーザの製造方法を説明するための平面図である。
【図２１】この発明の第１０の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
【図２２】この発明の第１１の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
【図２３】この発明の第１１の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
【図２４】この発明の第１２の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
【図２５】この発明の第１３の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
【図２６】この発明の第１４の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
【図２７】この発明の第１５の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
【図２８】この発明の第１６の実施形態によるＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
半導体レーザの製造方法を説明するための平面図であ
る。
１・・・ＧａＮ基板、２・・・素子領域、３・・・レー
ザストライプ、５・・・ｎ型ＧａＮバッファ層、６・・
・ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、７・・・ｎ型ＧａＮ光導
波層、８・・・活性層、９・・・アンドープＩｎＧａＮ
劣化防止層、１０・・・ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層、１
１・・・ｐ型ＧａＮ光導波層、１２・・・ｐ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層、１３・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層、１
４・・・リッジ、１５、１８・・・絶縁膜、１６・・・
ｎ側電極、１７・・・ｐ側電極、１９・・・アライメン
トマーク
ザストライプ、５・・・ｎ型ＧａＮバッファ層、６・・
・ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、７・・・ｎ型ＧａＮ光導
波層、８・・・活性層、９・・・アンドープＩｎＧａＮ
劣化防止層、１０・・・ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層、１
１・・・ｐ型ＧａＮ光導波層、１２・・・ｐ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層、１３・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層、１
４・・・リッジ、１５、１８・・・絶縁膜、１６・・・
ｎ側電極、１７・・・ｐ側電極、１９・・・アライメン
トマーク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 元木 健作
兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友
電気工業株式会社伊丹製作所内
Ｆターム(参考） 5F041 AA40 CA23 CA34 CA40 CA65
5F052 DA04 EA15 GA01 GC01 JA07
KA05
5F073 AA11 AA13 AA45 AA74 CA07
DA05 DA35
Claims (184)
- 【請求項１】 第１の平均転位密度を有する結晶からな
る第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第２
の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法
であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項２】 上記第２の領域の上を通らないように上
記構造基板の構造の位置および方位を決めるようにした
ことを特徴とする請求項１記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項３】 上記複数の第２の領域は周期的に配列し
ていることを特徴とする請求項１記載の構造基板の製造
方法。 - 【請求項４】 上記構造基板の構造および上記複数の第
２の領域はそれぞれ周期的に配列していることを特徴と
する請求項１記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項５】 上記構造基板の構造の周期をｗ1 、上記
複数の第２の領域の周期をｗ2 としたとき、ｗ2 ＝ｎ×
ｗ1 （ただし、ｎは自然数）であることを特徴とする請
求項４記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項６】 上記構造基板の構造の周期をｗ1 、上記
複数の第２の領域の周期をｗ2 としたとき、ｗ1 ＝ｎ×
ｗ2 （ただし、ｎは自然数）であることを特徴とする請
求項４記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項７】 上記構造基板の構造は素子の活性領域で
あることを特徴とする請求項１記載の構造基板の製造方
法。 - 【請求項８】 上記構造基板の構造は横方向選択成長に
用いられるマスクパターンであることを特徴とする請求
項１記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項９】 上記複数の第２の領域は六方格子状に周
期的に配列していることを特徴とする請求項３記載の構
造基板の製造方法。 - 【請求項１０】 上記複数の第２の領域は長方形格子状
に周期的に配列していることを特徴とする請求項３記載
の構造基板の製造方法。 - 【請求項１１】 上記複数の第２の領域は正方格子状に
周期的に配列していることを特徴とする請求項３記載の
構造基板の製造方法。 - 【請求項１２】 互いに隣接する二つの上記第２の領域
の間隔は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１
記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項１３】 互いに隣接する二つの上記第２の領域
の間隔は５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１
記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項１４】 互いに隣接する二つの上記第２の領域
の間隔は１００μｍ以上であることを特徴とする請求項
１記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項１５】 上記第２の領域の周期は２０μｍ以上
であることを特徴とする請求項３記載の構造基板の製造
方法。 - 【請求項１６】 上記第２の領域の周期は５０μｍ以上
であることを特徴とする請求項３記載の構造基板の製造
方法。 - 【請求項１７】 上記第２の領域の周期は１００μｍ以
上であることを特徴とする請求項３記載の構造基板の製
造方法。 - 【請求項１８】 上記第２の領域は上記窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体基板を貫通していることを特徴とす
る請求項１記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項１９】 上記第２の領域は不定多角柱状の形状
を有することを特徴とする請求項１記載の構造基板の製
造方法。 - 【請求項２０】 上記第１の領域と上記第２の領域との
間に上記第１の平均転位密度より高く、かつ上記第２の
平均転位密度より低い第３の平均転位密度を有する第３
の領域が設けられていることを特徴とする請求項１記載
の構造基板の製造方法。 - 【請求項２１】 上記第２の領域および上記第３の領域
の上を通らないように上記構造基板の構造を形成するよ
うにしたことを特徴とする請求項２０記載の構造基板の
製造方法。 - 【請求項２２】 上記第２の領域の直径は１０μｍ以上
１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の
構造基板の製造方法。 - 【請求項２３】 上記第２の領域の直径は２０μｍ以上
５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の構
造基板の製造方法。 - 【請求項２４】 上記第３の領域の直径は上記第２の領
域の直径より２０μｍ以上２００μｍ以下大きいことを
特徴とする請求項２０記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項２５】 上記第３の領域の直径は上記第２の領
域の直径より４０μｍ以上１６０μｍ以下大きいことを
特徴とする請求項２０記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項２６】 上記第３の領域の直径は上記第２の領
域の直径より６０μｍ以上１４０μｍ以下大きいことを
特徴とする請求項２０記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項２７】 上記第２の領域の平均転位密度は上記
第１の領域の平均転位密度の５倍以上であることを特徴
とする請求項１記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項２８】 上記第２の領域の平均転位密度は１×
１０8 ｃｍ-2以上であることを特徴とする請求項１記載
の構造基板の製造方法。 - 【請求項２９】 上記第１の領域の平均転位密度は２×
１０6 ｃｍ-2以下、上記第２の領域の平均転位密度は１
×１０8 ｃｍ-2以上であることを特徴とする請求項１記
載の構造基板の製造方法。 - 【請求項３０】 上記第１の領域の平均転位密度は２×
１０6 ｃｍ-2以下、上記第２の領域の平均転位密度は１
×１０8 ｃｍ-2以上、上記第３の領域の平均転位密度は
１×１０8 ｃｍ-2より小さく、２×１０6 ｃｍ-2より大
きいことを特徴とする請求項２０記載の構造基板の製造
方法。 - 【請求項３１】 上記構造基板の構造が上記第２の領域
から１μｍ以上離れていることを特徴とする請求項１記
載の構造基板の製造方法。 - 【請求項３２】 上記構造基板の構造が上記第２の領域
から１０μｍ以上離れていることを特徴とする請求項１
記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項３３】 上記構造基板の構造が上記第２の領域
から１００μｍ以上離れていることを特徴とする請求項
１記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項３４】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長
させたものに上記構造を形成するようにしたことを特徴
とする請求項１記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項３５】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体基板はＡｌX ＢyＧａ1-x-y-z Ｉｎz Ａｓu Ｎ1-u-v
Ｐv （ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、
０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１、０≦ｕ
＋ｖ＜１）からなることを特徴とする請求項１記載の構
造基板の製造方法。 - 【請求項３６】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体基板はＡｌX ＢyＧａ1-x-y-z Ｉｎz Ｎ（ただし、０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜
１）からなることを特徴とする請求項１記載の構造基板
の製造方法。 - 【請求項３７】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体基板はＡｌX Ｇａ 1-x-z Ｉｎz Ｎ（ただし、０≦ｘ≦
１、０≦ｚ≦１）からなることを特徴とする請求項１記
載の構造基板の製造方法。 - 【請求項３８】 上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体基板はＧａＮからなることを特徴とする請求項１記載
の構造基板の製造方法。 - 【請求項３９】 上記第２の領域の間隔および／または
配列が周囲の部分と異なる部分を複数箇所設け、これら
の部分をアライメントマークとして用いてマスク合わせ
を行うようにしたことを特徴とする請求項１記載の構造
基板の製造方法。 - 【請求項４０】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項４１】 上記第２の領域の間隔および／または
配列が周囲の部分と異なる部分を複数箇所設け、これら
の部分をアライメントマークとしたことを特徴とする請
求項４０記載の構造基板。 - 【請求項４２】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方
法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項４３】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項４４】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法
であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項４５】 上記第１の領域は単結晶であり、上記
第２の領域は単結晶、多結晶もしくは非晶質またはこれ
らの二以上が混在したものであることを特徴とする請求
項４４記載の構造基板の製造方法。 - 【請求項４６】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項４７】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いて半導体発光素子を製造するようにした半導体発光
素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項４８】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項４９】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いて半導体発光素子を製造するようにした半導体発光
素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５０】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項５１】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素
子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５２】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項５３】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製
造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項５４】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項５５】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製
造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項５６】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を
用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項５７】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の製造
方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項５８】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用
いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項５９】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いて構造基板を製造するよ
うにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項６０】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項６１】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いて構造基板を製造するよ
うにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項６２】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項６３】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している半導体基板を用いて構造基板を製造するよう
にした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項６４】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している半導体基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項６５】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造
するようにした半導体発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６６】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項６７】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造
するようにした半導体発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６８】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項６９】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体発光素子を製造す
るようにした半導体発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７０】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体発光素子であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項７１】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いて半導体素子を製造する
ようにした半導体素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項７２】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項７３】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いて半導体素子を製造する
ようにした半導体素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項７４】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している半導体基板を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項７５】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している半導体基板を用いて半導体素子を製造するよ
うにした半導体素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項７６】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している半導体基板を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項７７】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している基板を用いて構造基板を製造するようにし
た構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項７８】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項７９】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している基板を用いて構造基板を製造するようにし
た構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項８０】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項８１】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している基板を用いて構造基板を製造するようにした
構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項８２】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項８３】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している基板を用いて素子を製造するようにした素
子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域を形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方
法。 - 【請求項８４】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している基板を用いた素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。 - 【請求項８５】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している基板を用いて素子を製造するようにした素
子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の発光領
域を形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方
法。 - 【請求項８６】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が規則的に
配列している基板を用いた素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。 - 【請求項８７】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している基板を用いて素子を製造するようにした素子
の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域を形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方
法。 - 【請求項８８】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が規則的に配
列している基板を用いた素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。 - 【請求項８９】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体基板を用いて構造基板を製造するようにした構造
基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項９０】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項９１】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体基板を用いて構造基板を製造するようにした構造
基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項９２】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項９３】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向
に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直交
する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間隔
で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体基板を用いて構造基板を製造するようにした構造基
板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項９４】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方向
に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直交
する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間隔
で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体基板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項９５】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造す
るようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項９６】 第１の平均転位密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第
２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項９７】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造す
るようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項９８】 第１の平均欠陥密度を有する結晶から
なる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い第
２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項９９】 結晶からなる第１の領域中にこの第１
の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２の
領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて構造基板を製造する
ようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１００】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた構造基板であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１０１】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造するように
した半導体発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１０２】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板を用いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１０３】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板を用いて半導体発光素子を製造するように
した半導体発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１０４】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板を用いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１０５】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２５領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体基板を用いて半導体発光素子を製造するようにし
た半導体発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１０６】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体基板を用いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１０７】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子
を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１０８】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子
であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１０９】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子
を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１１０】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子
であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１１１】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体発光素子を
製造するようにした半導体発光素子の製造方法であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１１２】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体発光素子で
あって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１１３】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板を用いて半導体素子を製造するようにした
半導体素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１１４】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１１５】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板を用いて半導体素子を製造するようにした
半導体素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１１６】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体基板を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１１７】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体基板を用いて半導体素子を製造するようにした半
導体発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１１８】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体基板を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１１９】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製
造するようにした半導体素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１２０】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であ
って、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１２１】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製
造するようにした半導体素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１２２】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均２陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であ
って、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体発光
素子。 - 【請求項１２３】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いて半導体素子を製造
するようにした半導体素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１２４】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延４する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用いた半導体素子であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１２５】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いて構造基
板を製造するようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１２６】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いた構造基
板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１２７】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いて構造基
板を製造するようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１２８】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いた構造基
板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１２９】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している半導体基板を用いて構造基板
を製造するようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１３０】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している半導体基板を用いた構造基板
であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１３１】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製
造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１３２】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１３３】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製
造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１３４】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１３５】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板
を用いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造
方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１３６】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板
を用いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１３７】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いて半導体
発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方
法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１３８】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いた半導体
発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１３９】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いて半導体
発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方
法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１４０】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いた半導体
発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１４１】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している半導体基板を用いて半導体発
光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法
であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１４２】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している半導体基板を用いた半導体発
光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１４３】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いて半導体発光素子を製造するようにした半導体
発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１４４】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１４５】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いて半導体発光素子を製造するようにした半導体
発光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１４６】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１４７】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板
を用いて半導体発光素子を製造するようにした半導体発
光素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域を形成するようにしたことを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項１４８】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板
を用いた半導体発光素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体発光素
子の発光領域が形成されていることを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項１４９】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いて半導体
素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１５０】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いた半導体
素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１５１】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いて半導体
素子を製造するようにした半導体素子の製造方法であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１５２】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している半導体基板を用いた半導体
素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１５３】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している半導体基板を用いて半導体素
子を製造するようにした半導体素子の製造方法であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１５４】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している半導体基板を用いた半導体素
子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１５５】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子
の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１５６】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１５７】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子
の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１５８】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基
板を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１５９】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板
を用いて半導体素子を製造するようにした半導体素子の
製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域を形成するようにしたことを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項１６０】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している半導体基板
を用いた半導体素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記半導体素子の
活性領域が形成されていることを特徴とする半導体素
子。 - 【請求項１６１】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している基板を用いて構造基板を製
造するようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１６２】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している基板を用いた構造基板であ
って、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１６３】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している基板を用いて構造基板を製
造するようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１６４】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している基板を用いた構造基板であ
って、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１６５】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している基板を用いて構造基板を製造
するようにした構造基板の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１６６】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している基板を用いた構造基板であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１６７】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用
いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法
であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１６８】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用
いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１６９】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用
いて構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法
であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１７０】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用
いた構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１７１】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用い
て構造基板を製造するようにした構造基板の製造方法で
あって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造を形成するようにしたことを特徴とする構造基板の製
造方法。 - 【請求項１７２】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用い
た構造基板であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記構造基板の構
造が形成されていることを特徴とする構造基板。 - 【請求項１７３】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している基板を用いて素子を製造す
るようにした素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域を形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方
法。 - 【請求項１７４】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している基板を用いた素子であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。 - 【請求項１７５】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している基板を用いて素子を製造す
るようにした素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域を形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方
法。 - 【請求項１７６】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する複数の第２の領域が第１の
方向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と
直交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の
間隔で規則的に配列している基板を用いた半導体素子で
あって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。 - 【請求項１７７】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している基板を用いて素子を製造する
ようにした素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域を形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方
法。 - 【請求項１７８】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い複数の第２の領域が第１の方
向に第１の間隔で規則的に配列し、上記第１の方向と直
交する第２の方向に上記第１の間隔より小さい第２の間
隔で規則的に配列している基板を用いた素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。 - 【請求項１７９】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用
いて素子を製造するようにした素子の製造方法であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域を形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方
法。 - 【請求項１８０】 第１の平均転位密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い
第２の平均転位密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用
いた素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。 - 【請求項１８１】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用
いて素子を製造するようにした素子の製造方法であっ
て、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域を形成するようにしたことを特徴とする半導体の製造
方法。 - 【請求項１８２】 第１の平均欠陥密度を有する結晶か
らなる第１の領域中に上記第１の平均欠陥密度より高い
第２の平均欠陥密度を有する直線状に延在する複数の第
２の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用
いた素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。 - 【請求項１８３】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用い
て素子を製造するようにした素子の製造方法であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域を形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方
法。 - 【請求項１８４】 結晶からなる第１の領域中にこの第
１の領域より結晶性が悪い直線状に延在する複数の第２
の領域が互いに平行に規則的に配列している基板を用い
た素子であって、 上記第２の領域の上を通らないように上記素子の活性領
域が形成されていることを特徴とする素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001315705A JP4920152B2 (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 構造基板の製造方法および半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001315705A JP4920152B2 (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 構造基板の製造方法および半導体素子の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124115A true JP2003124115A (ja) | 2003-04-25 |
| JP2003124115A5 JP2003124115A5 (ja) | 2005-06-23 |
| JP4920152B2 JP4920152B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=19133828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001315705A Expired - Lifetime JP4920152B2 (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 構造基板の製造方法および半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4920152B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007001098A1 (en) * | 2005-06-25 | 2007-01-04 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Nanostructure having a nitride-based quantum well and light emitting diode employing the same |
| JP2007043037A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-02-15 | Toshiba Corp | 半導体層堆積用基板、電界効果型半導体装置及び電界効果型半導体装置の製造方法。 |
| US7190004B2 (en) | 2003-12-03 | 2007-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting device |
| US7202509B2 (en) | 2003-08-26 | 2007-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting apparatus |
| US7327770B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device |
| WO2008018220A1 (fr) | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Élément de laser à émission par la surface et son procédé de fabrication, et réseau de lasers à émission par la surface et son procédé de fabrication |
| US7387678B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-06-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN substrate and method of fabricating the same, nitride semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7462882B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus |
| US7622318B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-11-24 | Sony Corporation | Method for producing structured substrate, structured substrate, method for producing semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device, method for producing semiconductor device, semiconductor device, method for producing device, and device |
| US7834423B2 (en) | 2005-09-05 | 2010-11-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing a nitride semiconductor device and nitride semiconductor device |
| JP2011134804A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法および半導体積層基板 |
| JP2011139084A (ja) * | 2004-09-01 | 2011-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板および半導体素子 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999023693A1 (fr) * | 1997-10-30 | 1999-05-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE GaN ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE |
| WO1999044224A1 (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby |
| JP2001068786A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-03-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2001102307A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 |
| JP2001257193A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-09-21 | Xerox Corp | Ｌｅｄ及びレーザダイオードの成長のため大面積で低欠陥密度の膜を分離する方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2002009004A (ja) * | 1999-11-15 | 2002-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2002252423A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Sony Corp | 半導体素子の作製方法 |
| JP2003124572A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子 |
| JP2003124573A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法 |
| JP2003165799A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 |
| JP2003183100A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-07-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法 |
-
2001
- 2001-10-12 JP JP2001315705A patent/JP4920152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999023693A1 (fr) * | 1997-10-30 | 1999-05-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE GaN ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE |
| WO1999044224A1 (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | North Carolina State University | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby |
| JP2001068786A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-03-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2001102307A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板 |
| JP2002009004A (ja) * | 1999-11-15 | 2002-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2001257193A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-09-21 | Xerox Corp | Ｌｅｄ及びレーザダイオードの成長のため大面積で低欠陥密度の膜を分離する方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2002252423A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Sony Corp | 半導体素子の作製方法 |
| JP2003165799A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 |
| JP2003183100A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-07-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法 |
| JP2003124572A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子 |
| JP2003124573A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7579627B2 (en) | 2003-04-24 | 2009-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus |
| US7327770B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device |
| US7462882B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus |
| US7858992B2 (en) | 2003-04-24 | 2010-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus |
| US7387678B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-06-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN substrate and method of fabricating the same, nitride semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7687822B2 (en) | 2003-08-26 | 2010-03-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting apparatus |
| US7202509B2 (en) | 2003-08-26 | 2007-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting apparatus |
| US7190004B2 (en) | 2003-12-03 | 2007-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting device |
| US7622318B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-11-24 | Sony Corporation | Method for producing structured substrate, structured substrate, method for producing semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device, method for producing semiconductor device, semiconductor device, method for producing device, and device |
| US7893454B2 (en) | 2004-03-30 | 2011-02-22 | Sony Corporation | Method for producing structured substrate, structured substrate, method for producing semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device, method for producing semiconductor device, semiconductor device, method for producing device, and device |
| JP2011139084A (ja) * | 2004-09-01 | 2011-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エピタキシャル基板および半導体素子 |
| US8330173B2 (en) | 2005-06-25 | 2012-12-11 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Nanostructure having a nitride-based quantum well and light emitting diode employing the same |
| KR101186683B1 (ko) | 2005-06-25 | 2012-09-28 | 서울옵토디바이스주식회사 | 질화물 양자웰을 갖는 나노 구조체 및 그것을 채택한발광다이오드 |
| WO2007001098A1 (en) * | 2005-06-25 | 2007-01-04 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Nanostructure having a nitride-based quantum well and light emitting diode employing the same |
| JP2007043037A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-02-15 | Toshiba Corp | 半導体層堆積用基板、電界効果型半導体装置及び電界効果型半導体装置の製造方法。 |
| US7834423B2 (en) | 2005-09-05 | 2010-11-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing a nitride semiconductor device and nitride semiconductor device |
| WO2008018220A1 (fr) | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Élément de laser à émission par la surface et son procédé de fabrication, et réseau de lasers à émission par la surface et son procédé de fabrication |
| US8274088B2 (en) | 2006-08-11 | 2012-09-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface-emitting laser element, fabrication method thereof, surface-emitting laser array, and fabrication method thereof |
| JP2011134804A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法および半導体積層基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4920152B2 (ja) | 2012-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1441426B1 (en) | Method for fabricating semiconductor light emitting element | |
| JP4388720B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP4032538B2 (ja) | 半導体薄膜および半導体素子の製造方法 | |
| JP3571641B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| US20060286695A1 (en) | Method for producing semiconductor light emitting device, method for producing semiconductor device, method for producing device, method for growing nitride type iii-v group compound semiconductor layer, method for growing semiconductor layer, and method for growing layer | |
| JP2000223417A (ja) | 半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP2003124115A (ja) | 構造基板の製造方法、構造基板、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子 | |
| US7893454B2 (en) | Method for producing structured substrate, structured substrate, method for producing semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting device, method for producing semiconductor device, semiconductor device, method for producing device, and device | |
| JP4608731B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| US6855571B1 (en) | Method of producing GaN-based semiconductor laser device and semiconductor substrate used therefor | |
| JP4679867B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子、及びその製造方法 | |
| JP4802220B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2004128521A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2004007009A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP4890755B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3950471B2 (ja) | 窒化物半導体構造とその製造方法および発光素子 | |
| JP5679699B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JP2006013547A (ja) | 半導体薄膜および半導体素子の製造方法 | |
| JP2001237492A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041004 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041004 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041224 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050111 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050210 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050216 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080513 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090501 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091124 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100223 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100303 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100430 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120201 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4920152 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150210 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |