JP2003164145A - Dc−dcコンバータ - Google Patents
Dc−dcコンバータInfo
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Abstract
が少ないヒステリシス付き低電圧動作停止回路を備える
DC−DCコンバータを提供する。 【解決手段】 制御回路15で制御されるスイッチング
素子M1でトランスT1の1次巻線の電流をオン、オフ
し、トランスT1の2次巻線の誘起電圧を整流、平滑し
て直流出力を得るDC−DCコンバータであり、入力端
の電圧値が一定値より低くなると制御回路15を介して
スイッチング素子M1のオン、オフ動作を停止させる比
較回路31と、入力直流電圧を分圧して比較回路31の
入力端に検出電圧として印加する入力電圧検出回路40
と、トランスT1に設けられた補助巻線の誘起電圧を整
流、平滑して得たヒステリシス発生用電圧を、前記入力
電圧検出回路に加える電圧重畳回路50とを備える構成
である。
Description
ータに係り、とくに消費電力の少ないヒステリシス付き
低電圧動作停止回路を備えるDC−DCコンバータに関
する。
圧動作停止回路を付加することが行われている。その理
由は、入力電圧が低いときにDC−DCコンバータがス
イッチング動作すると、トランス及びスイッチング素子
の電流定格値を超えてしまい、破損、焼損等を起こす可
能性があるので、ある入力電圧以下ではスイッチング動
作を停止する必要があるからである。
を持たせて、DC−DCコンバータにスイッチング動作
を開始させる動作開始電圧よりも、スイッチング動作を
停止させる動作停止電圧の方を低くすることが必要であ
る。この理由を以下に説明する。
ータの入力端子との間に、インピーダンスが存在する場
合、DC−DCコンバータがスイッチング動作を開始す
ると、入力電流が多く流れ、入力電源とDC−DCコン
バータの入力電圧に電圧差が生じる。
チング動作開始電圧と等しいとき、DC−DCコンバー
タはスイッチング動作を開始するが、入力電流が大きく
流れることによりDC−DCコンバータの入力電圧は低
下する。ヒステリシスが無いと、入力電圧が低下した
際、スイッチング動作を停止する。停止すると再び入力
電圧が上昇し、スイッチング動作を開始する。
ッチング動作の開始、停止を繰り返し安定しない。この
ような不都合を無くすために、ヒステリシスが必要とな
る。
するヒステリシス付き低入力電圧動作停止回路の従来例
であり、この図において、1はDC−DCコンバータの
スイッチング素子の前段に設けられていて、そのオン、
オフ制御を行う制御回路、2は比較回路、R1,R2,
R3,R4,R5は抵抗、Q1はトランジスタ、D1,
D2はダイオードである。比較回路2は比較器(演算増
幅器)3の一方の入力端に基準電圧Vrefを印加し、他
方の入力端は入力直流電圧Vinを分圧した電圧が印加さ
れるようになっている。
圧が動作開始電圧以上になると、抵抗R1,R2の接続
点の電圧値(比較器入力端の電圧値)は基準電圧Vref
以上となり、比較器3の出力はローレベルとなり、制御
回路1の動作が開始し、DC−DCコンバータのスイッ
チング素子のオン、オフ動作が始まる。これとともに、
トランジスタQ1のベース電流が抵抗R4、ダイオード
D1の経路で流れ(R 4には電流iR4が流れ)、トラ
ンジスタQ1がオンする。この結果、制御回路1の動作
開始後は抵抗R1,R2の接続点の電圧値は高くなる方
向に変化し、ヒステリシスを設けることができる。
Vstartと動作停止電圧Vstopを数式で表すと以下の通
りである。
力電圧動作停止回路の従来例では、DC−DCコンバー
タ動作期間中、トランジスタQ1をオンに維持するため
に(入力直流電圧)×(電流iR4)の電力消費が発生
し、とくに入力直流電圧が高いときにはその電力消費が
無視出来なくなる。
ってフライバックコンバータに適用した例を示す。この
図において、Tはトランス、M1はメインスイッチング
素子としてのMOS−FETであり、トランスTは1次
巻線N1、2次巻線N2を有している。直流入力端子1
0とアース端子11(GND)間に直流電源13からの
入力直流電圧Vinが供給され、前記1次巻線N1及びM
OS−FET M1の直列回路が、それらの直流入力端
子10とアース端子11間に接続されている。また、直
流入力端子10とアース端子11間にコンデンサC11
が接続されている。
御回路15からの駆動信号が印加される。制御回路15
は動作指令端子15aと、動作指令端子15aがローレ
ベルのときにMOS−FET M1をスイッチングする
(オン、オフする)駆動信号を前記ゲートに出力する出
力端子15bと、フィードバック入力端子15cとを有
している。
る整流平滑回路は、2次巻線N2に誘起したフライバッ
ク電圧を整流平滑するものであり、整流用ダイオードD
21、平滑用コンデンサC21から構成されており、コ
ンデンサC21の両端の電圧が直流出力電圧+Voutと
して正側出力端子20、負側出力端子21間に出力され
るようになっている。この出力端子20,21間には負
荷が接続される。また、直流出力電圧+Voutは出力電
圧検出回路22にて検出され、検出結果が制御回路15
のフィードバック入力端子15cに入力(フィードバッ
ク)される。出力電圧安定化制御の場合、直流出力電圧
+Voutが設定値よりも低ければ、制御回路15はMO
S−FET M1のオン期間を長くし、直流出力電圧+
Voutが設定値よりも高ければ、制御回路15はMOS
−FET M1のオン期間を短くなるように制御する。
路構成に加えて図6ではヒステリシス付き低入力電圧動
作停止回路が付加されている。このヒステリシス付き低
入力電圧動作停止回路は図7(A)で説明した回路と実
質的に同じものであり、抵抗R11,R12,R13の
直列回路からなる入力電圧検出回路30と、比較器(演
算増幅器)32の一方の入力端(非反転入力端)に基準
電圧Vrefを印加し、他方の入力端(反転入力端)は入
力直流電圧Vinを分圧した電圧が印加されるように構成
された比較回路31と、ヒステリシス発生用のトランジ
スタQ11と、抵抗R14、ダイオードD1,D2とを
有している。
のDC−DCコンバータでは、図7(A)のヒステリシ
ス付き低入力電圧動作停止回路の動作原理を利用するも
のであり、DC−DCコンバータ動作期間中、トランジ
スタQ11をオンに維持するために(入力直流電圧)×
(トランジスタQ11のベース電流ib)の電力消費が
発生し、とくに入力直流電圧が高いときにはその電力消
費が無視出来なくなる。
が高い場合においても消費電力が少ないヒステリシス付
き低電圧動作停止回路を備えるDC−DCコンバータを
提供することを目的とする。
の実施の形態において明らかにする。
に、本願請求項1の発明は、制御回路で制御されるスイ
ッチング素子でトランスの1次巻線の電流をオン、オフ
し、前記トランスの2次巻線の誘起電圧を整流、平滑し
て直流出力を得るDC−DCコンバータにおいて、入力
端の電圧値が一定値より低くなると前記制御回路を介し
て前記スイッチング素子のオン、オフ動作を停止させる
比較回路と、前記1次巻線と前記スイッチング素子との
直列回路に供給される入力直流電圧を分圧して前記比較
回路の前記入力端に検出電圧として印加する入力電圧検
出回路と、前記トランスに設けられた補助巻線の誘起電
圧を整流、平滑して得たヒステリシス発生用電圧を、前
記入力電圧検出回路に加える電圧重畳回路とを備え、前
記ヒステリシス発生用電圧が前記入力電圧検出回路に加
えられることで、前記スイッチング素子のオン、オフ動
作が開始する前記入力直流電圧における動作開始電圧よ
りも当該オン、オフ動作が停止する動作停止電圧を低く
したことを特徴としている。
て、前記電圧重畳回路は、前記補助巻線の誘起電圧を整
流、平滑した電圧が印加される定電圧ダイオードを有
し、前記入力直流電圧検出回路に加えられるヒステリシ
ス発生用電圧の最大値が前記定電圧ダイオードのツェナ
ー電圧で規定されていることを特徴としている。
て、前記電圧重畳回路は、前記補助巻線の誘起電圧を整
流、平滑する整流平滑回路に設けられたチョークコイル
両端の電圧を、整流、平滑して前記ヒステリシス発生用
電圧を作成することを特徴としている。
3において、前記補助巻線の誘起電圧を整流、平滑する
ことで、前記2次巻線側の前記直流出力に略比例する直
流検出出力を得て、出力電圧検出回路を介して前記制御
回路にフィードバックすることを特徴としている。
ンバータの実施の形態を図面に従って説明する。
前に、図7(B)を用いてDC−DCコンバータに付加
された低電圧電圧動作停止回路にヒステリシスを設ける
本発明の原理説明を行う。この図において、1はDC−
DCコンバータのスイッチング素子の前段に設けられて
いて、そのオン、オフ制御を行う制御回路、2は比較回
路、R1,R2は抵抗、5は電圧重畳回路である。比較
回路2は比較器(演算増幅器)3の一方の入力端(非反
転入力端)に基準電圧Vrefを印加し、他方の入力端
(反転入力端)は入力直流電圧Vinを分圧した電圧が印
加されるようになっている。
5はDC−DCコンバータの動作開始前は電圧を発生し
ない(抵抗R1とGND端子間に加算されるヒステリシ
ス発生用電圧V1=0)。このため、当初は入力電圧検
出回路を構成する抵抗R1,R2で分圧された検出電圧
が比較器3に印加される。入力直流電圧が動作開始電圧
以上になると、抵抗R1,R2の接続点の電圧値(比較
器入力端の電圧値)は基準電圧Vref以上になり、比較
器3の出力はローレベルとなり、制御回路1の動作が開
始し、DC−DCコンバータのスイッチング素子のオ
ン、オフ動作が始まる。これとともに、電圧重畳回路5
にヒステリシス発生用電圧V1が発生し、この電圧V1
が抵抗R1,R2を持つ入力電圧検出回路に重畳される
結果、DC−DCコンバータのスイッチング素子のオ
ン、オフ動作が開始する入力直流電圧である動作開始電
圧よりも当該オン、オフ動作が停止する動作停止電圧が
低くなり、低電圧電圧動作停止回路の動作にヒステリシ
スを持たせることができる。
Vstartと動作停止電圧Vstopを数式で表すと以下の通
りである。
の第1の実施の形態であってフライバックコンバータに
適用した例を示す。この図において、T1はトランス、
M1はメインスイッチング素子としてのMOS−FET
であり、トランスT1は1次巻線N1、2次巻線N2及
び補助巻線N3を有している。直流入力端子10とアー
ス端子11(GND)間に直流電源13からの直流電圧
Vinが供給され、前記1次巻線N1及びMOS−FET
M1の直列回路が、それらの直流入力端子10とアー
ス端子11間に接続されている。また、直流入力端子1
0とアース端子11間にコンデンサC11が接続されて
いる。
御回路15からの駆動信号が印加される。制御回路15
は動作指令端子15aと、動作指令端子15aがローレ
ベルのときにMOS−FET M1をスイッチングする
(オン、オフする)駆動信号を前記ゲートに出力する出
力端子15bと、フィードバック入力端子15cとを有
している。
いる整流平滑回路は、2次巻線N2に誘起したフライバ
ック電圧を整流平滑するものであり、整流用ダイオード
D21、平滑用コンデンサC21から構成されており、
コンデンサC21の両端の電圧が直流出力電圧+Vout
として正側出力端子20、負側出力端子21間に出力さ
れるようになっている。この出力端子20,21間には
負荷が接続される。また、直流出力電圧+Voutは出力
電圧検出回路22にて検出され、検出結果が制御回路1
5のフィードバック入力端子15cに入力(フィードバ
ック)される。出力電圧安定化制御の場合、直流出力電
圧+Voutが設定値よりも低ければ、制御回路15はM
OS−FET M1のオン期間を長くし、直流出力電圧
+Voutが設定値よりも高ければ、制御回路15はMO
S−FET M1のオン期間を短くなるように制御す
る。
路構成に加えて図1ではヒステリシス付き低入力電圧動
作停止回路が付加されている。このヒステリシス付き低
入力電圧動作停止回路は図7(B)で説明した動作原理
のものであり、抵抗R11,R12の直列回路からなる
入力電圧検出回路40と、比較器(演算増幅器)32の
一方の入力端(非反転入力端)に基準電圧Vrefを印加
し、他方の入力端(反転入力端)は入力直流電圧Vinを
分圧した入力電圧検出回路40の検出電圧が印加される
ように構成された比較回路31とを有している。さら
に、低電圧動作停止回路にヒステリシス特性を持たせる
ために、補助巻線N3に誘起した電圧をダイオードD3
1及びコンデンサC31で整流、平滑して抵抗R31の
両端にヒステリシス発生用電圧V1として重畳する電圧
重畳回路50を設けている。
C−DCコンバータが動作開始前は、ヒステリシス発生
用電圧V1は発生しておらず、入力電圧検出回路40の
所定の抵抗分圧比で分圧された検出電圧が比較器32に
印加され、入力直流電圧が動作開始電圧以上になると、
前記検出電圧は基準電圧Vref以上になり、比較器32
の出力はローレベルとなり、制御回路15の動作が開始
し、DC−DCコンバータのメインスイッチング素子M
1のオン、オフ動作が始まる。すると、補助巻線N3に
電圧が誘起し、電圧重畳回路50にヒステリシス発生用
電圧V1が発生し、この電圧V1が抵抗R11,R12
を持つ入力電圧検出回路40の一部(抵抗R11とアー
ス端子11間)に重畳される結果、メインスイッチング
素子M1のオン、オフ動作が開始する入力直流電圧であ
る動作開始電圧よりも当該オン、オフ動作が停止する動
作停止電圧が低くなり、低電圧電圧動作停止回路の動作
にヒステリシスを持たせることができる。
検出回路40の各抵抗R11,R12の抵抗値を十分高
くすることで、電源電圧、つまり直流入力電圧Vinが高
くとも消費電力を低く抑えることが可能である。
この場合、電圧重畳回路51は補助巻線N3に誘起した
電圧をダイオードD31及びコンデンサC31で整流、
平滑した電圧を抵抗R31,R32を用いて分圧し、分
圧後の電圧をヒステリシス発生用電圧V1として入力電
圧検出回路40の抵抗R11とアース端子11間に重畳
している。なお、その他の構成は前述の第1の実施の形
態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付して
説明を省略する。
1,R32の抵抗値を変えることで(分圧比を変えるこ
とで)、ヒステリシス発生用電圧V1を任意の値に設定
できる利点がある。
て、フォワードコンバータに適用した例を示す。この場
合、トランスT1の2次巻線N2に接続されている整流
平滑回路は、2次巻線N2の誘起電圧を整流平滑する整
流用ダイオードD21,D22、平滑用チョークコイル
L21、平滑用コンデンサC21から構成されており、
コンデンサC21の両端の電圧が直流出力電圧+Vout
として正側出力端子20、負側出力端子21間に出力さ
れるようになっている。
特性を持たせるための電圧重畳回路52はトランス2次
側の整流平滑回路と同様の回路構成となっており、補助
巻線N3に誘起した電圧をダイオードD31,32、チ
ョークコイルL31及びコンデンサC31で整流、平滑
して抵抗R31の両端にヒステリシス発生用電圧V1と
して重畳するようにしている。なお、その他の構成は前
述の第1の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分
に同一符号を付して説明を省略する。
ドコンバータの場合にも第1の実施の形態と同様にメイ
ンスイッチング素子M1のオン、オフ動作が開始する入
力直流電圧である動作開始電圧よりも当該オン、オフ動
作が停止する動作停止電圧を低く設定でき、低電圧電圧
動作停止回路の動作にヒステリシスを持たせることがで
きる。
て、フォワードコンバータに適用した例を示す。この場
合、入力電圧検出回路40は抵抗R11,R12の直列
回路からなり、抵抗R11,R12の接続点の電圧が検
出電圧として比較器32に印加されている。また、補助
巻線N3に誘起した電圧をダイオードD31及びコンデ
ンサC31で整流、平滑して抵抗R33を通して定電圧
ダイオードDZ31両端にヒステリシス発生用電圧V1
を発生する電圧重畳回路53を設けている。その他の構
成は前述の第3の実施の形態と同様であり、同一又は相
当部分に同一符号を付して説明を省略する。
Cコンバータが動作開始前は、補助巻線N3の誘起電圧
は無く、入力電圧検出回路41内の抵抗R11,R12
を高い抵抗値に設定しておくことで、定電圧ダイオード
DZ31両端の電圧はそのツェナー電圧よりも十分に低
い。そして、入力電圧検出回路41で分圧された検出電
圧が比較器32に印加され、入力直流電圧が動作開始電
圧以上になると、前記検出電圧は基準電圧Vref以上に
なり、比較器32の出力はローレベルとなり、制御回路
15の動作が開始し、DC−DCコンバータのメインス
イッチング素子M1のオン、オフ動作が始まる。する
と、補助巻線N3に電圧が誘起し、その整流平滑出力に
より定電圧ダイオードDZ31に電流が流れ、定電圧ダ
イオードDZ31両端の電圧はツェナー電圧となり、こ
のツェナー電圧で最大値が規定されるヒステリシス発生
用電圧V1が発生し、この電圧V1が入力電圧検出回路
40に重畳される結果、メインスイッチング素子M1の
オン、オフ動作が開始する入力直流電圧である動作開始
電圧よりも当該オン、オフ動作が停止する動作停止電圧
が低くなり、低電圧電圧動作停止回路の動作にヒステリ
シスを持たせることができる。
て、フォワードコンバータに適用した例を示す。フォワ
ードコンバータの基本回路構成に付加されたヒステリシ
ス付き低入力電圧動作停止回路は、抵抗R11,R12
の直列回路からなる入力電圧検出回路40と、トランジ
スタQ12と定電圧ダイオードDZ11と抵抗R15か
らなる比較回路35と、抵抗R13とMOS−FET
M2と抵抗R14の直列回路を有している。該直列回路
はトランジスタQ12のコレクタと直流入力端子10と
を接続している。また、入力電圧検出回路40の検出電
圧はMOS−FET M2のゲートに印加されるととも
に定電圧ダイオードDZ11を通してトランジスタQ1
2のベースに印加されている。補助巻線N3側の整流平
滑回路はトランス2次側の整流平滑回路と同様の回路構
成となっており、補助巻線N3に誘起した電圧をダイオ
ードD31,D32、チョークコイルL31及びコンデ
ンサC31で整流、平滑して出力電圧検出回路22に供
給している。また、低電圧動作停止回路にヒステリシス
特性を持たせるための電圧重畳回路54はチョークコイ
ルL31の両端の電圧をダイオードD33及びコンデン
サC32で整流平滑した電圧を抵抗R35,R36で分
圧した抵抗R35の両端の電圧をヒステリシス発生用電
圧V1として入力電圧検出回路40に重畳するようにし
ている。
平滑して出力電圧検出回路22に供給するのは、その電
圧の変動がトランスT1の2次巻線N2側の直流出力電
圧の変動に略比例しているからであり、この場合にも直
流出力電圧の安定化制御が可能である。また、補助巻線
N3の誘起電圧を整流平滑した直流電圧は制御回路15
の電源Vddとして電源端子15dに供給されるようにな
っている。さらに、制御回路15の電源端子15dは抵
抗13とMOS−FET M2の直列回路を介して直流
入力端子10に接続されている。
形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付し
て説明を省略する。
Cコンバータが動作開始前は、ヒステリシス発生用電圧
V1は発生しておらず、入力電圧検出回路40の所定の
抵抗分圧比で分圧された検出電圧が比較回路35に印加
されている。入力直流電圧が動作開始電圧(定電圧ダイ
オードDZ11のツェナー電圧によりほぼ定まる)以上
となると、定電圧ダイオードDZ11が降伏状態とな
り、トランジスタQ12がオンとなり、このコレクタに
接続された制御回路15の動作指令端子15aがローレ
ベルとなるとともにMOS−FET M2がオンとな
り、直流電圧Vinを抵抗13及び抵抗R14で分圧した
電圧が制御回路15の電源端子15dに供給され、制御
回路15の動作が開始し、DC−DCコンバータのメイ
ンスイッチング素子M1のオン、オフ動作が始まる。す
ると、補助巻線N3に電圧が誘起し、電圧重畳回路54
にヒステリシス発生用電圧V1が発生し、この電圧V1
が抵抗R11,R12を持つ入力電圧検出回路40に重
畳される結果、メインスイッチング素子M1のオン、オ
フ動作が開始する入力直流電圧である動作開始電圧より
も当該オン、オフ動作が停止する動作停止電圧が低くな
り、低電圧電圧動作停止回路の動作にヒステリシスを持
たせることができる。
圧が立ち上がると、MOS−FETM2はオフとなり、
補助巻線N3の誘起電圧を整流平滑した電圧を電源(V
dd)として制御回路15が駆動されることになる。
ドコンバータにおける、定電圧ダイオードDZ31両端
にヒステリシス発生用電圧V1を発生させる回路構成
は、フライバックコンバータの場合にも適用可能である
ことは明らかである。
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
入力直流電圧が高い場合においても消費電力が少ないヒ
ステリシス付き低電圧動作停止回路を備えるDC−DC
コンバータを実現できる。
施の形態を示す回路図である。
る。
る。
る。
る。
ある。
停止回路であって、(A)は従来の場合、(B)は本発
明の場合の動作説明用回路図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 制御回路で制御されるスイッチング素子
でトランスの1次巻線の電流をオン、オフし、前記トラ
ンスの2次巻線の誘起電圧を整流、平滑して直流出力を
得るDC−DCコンバータにおいて、 入力端の電圧値が一定値より低くなると前記制御回路を
介して前記スイッチング素子のオン、オフ動作を停止さ
せる比較回路と、 前記1次巻線と前記スイッチング素子との直列回路に供
給される入力直流電圧を分圧して前記比較回路の前記入
力端に検出電圧として印加する入力電圧検出回路と、 前記トランスに設けられた補助巻線の誘起電圧を整流、
平滑して得たヒステリシス発生用電圧を、前記入力電圧
検出回路に加える電圧重畳回路とを備え、 前記ヒステリシス発生用電圧が前記入力電圧検出回路に
加えられることで、前記スイッチング素子のオン、オフ
動作が開始する前記入力直流電圧における動作開始電圧
よりも当該オン、オフ動作が停止する動作停止電圧を低
くしたことを特徴とするDC−DCコンバータ。 - 【請求項2】 前記電圧重畳回路は、前記補助巻線の誘
起電圧を整流、平滑した電圧が印加される定電圧ダイオ
ードを有し、前記入力直流電圧検出回路に加えられるヒ
ステリシス発生用電圧の最大値が前記定電圧ダイオード
のツェナー電圧で規定されている請求項1記載のDC−
DCコンバータ。 - 【請求項3】 前記電圧重畳回路は、前記補助巻線の誘
起電圧を整流、平滑する整流平滑回路に設けられたチョ
ークコイル両端の電圧を、整流、平滑して前記ヒステリ
シス発生用電圧を作成する請求項1記載のDC−DCコ
ンバータ。 - 【請求項4】 前記補助巻線の誘起電圧を整流、平滑す
ることで、前記2次巻線側の前記直流出力に略比例する
直流検出出力を得て、出力電圧検出回路を介して前記制
御回路にフィードバックする請求項1,2又は3記載の
DC−DCコンバータ。
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---|---|---|---|
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Publications (2)
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