JP2003156836A - フォトマスク構造体、露光方法及び露光装置 - Google Patents
フォトマスク構造体、露光方法及び露光装置Info
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- JP2003156836A JP2003156836A JP2001356454A JP2001356454A JP2003156836A JP 2003156836 A JP2003156836 A JP 2003156836A JP 2001356454 A JP2001356454 A JP 2001356454A JP 2001356454 A JP2001356454 A JP 2001356454A JP 2003156836 A JP2003156836 A JP 2003156836A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １５７ｎｍの光リソグラフィ技術、電子線リ
ソグラフィ技術及びＥＵＶリソグラフィ技術に適用可能
なフォトマスクに対し、フォトマスクを製造した後、納
品時や保管時、ステッパーへの装着時などに異物が露光
パターン領域に付着することを防止し、且つ露光の際に
は露光パターン領域上に遮蔽物が存在しないようにす
る。 【解決手段】 フォトマスク基板１１に露光パターン領
域１２が形成されたフォトマスク本体１０と露光パター
ン領域１２を保護するための保護カバー２０とからなる
フォトマスク構造体において、保護カバー２０をフォト
マスク本体１０に脱着可能に取り付ける。
ソグラフィ技術及びＥＵＶリソグラフィ技術に適用可能
なフォトマスクに対し、フォトマスクを製造した後、納
品時や保管時、ステッパーへの装着時などに異物が露光
パターン領域に付着することを防止し、且つ露光の際に
は露光パターン領域上に遮蔽物が存在しないようにす
る。 【解決手段】 フォトマスク基板１１に露光パターン領
域１２が形成されたフォトマスク本体１０と露光パター
ン領域１２を保護するための保護カバー２０とからなる
フォトマスク構造体において、保護カバー２０をフォト
マスク本体１０に脱着可能に取り付ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や液晶
表示装置などをリソグラフィ技術により製造する際に使
用するフォトマスク、露光方法及び露光装置に関する。
表示装置などをリソグラフィ技術により製造する際に使
用するフォトマスク、露光方法及び露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体パターンをウエハ上に形成
するリソグラフィ技術において、いわゆる光マスク（フ
ォトマスク）と呼ばれる、設計パターンの原版を、光に
よりウエハ上に縮小露光（転写）する方式が主流となっ
ている。縮小率は１／５あるいは１／４となっており、
露光波長はｌ線（３６５ｎｍ）やDeep UV光（２４８ｎ
ｍ、１９３ｎｍ）が採用されており、将来的には１５７
ｎｍといった露光波長も採用されると予想されている
が、半導体素子の大きさはフォトリソグラフィ技術の進
展をはるかに上回るスピードで縮小しており、新たなリ
ソグラフィ技術の実用化も必要となってきている。
するリソグラフィ技術において、いわゆる光マスク（フ
ォトマスク）と呼ばれる、設計パターンの原版を、光に
よりウエハ上に縮小露光（転写）する方式が主流となっ
ている。縮小率は１／５あるいは１／４となっており、
露光波長はｌ線（３６５ｎｍ）やDeep UV光（２４８ｎ
ｍ、１９３ｎｍ）が採用されており、将来的には１５７
ｎｍといった露光波長も採用されると予想されている
が、半導体素子の大きさはフォトリソグラフィ技術の進
展をはるかに上回るスピードで縮小しており、新たなリ
ソグラフィ技術の実用化も必要となってきている。
【０００３】近年、より高解像度のリソグラフィ技術と
して、電子線投影露光技術、例えばＥＰＬ（Electron B
eam Lithography）技術やＬＥＥＰＬ（Low Energy Elec
tronProjection Lithography）技術が注目され始めてい
る。ＥＰＬ技術においては、設計パターンの４倍の大き
さのマスクを用い、１００ＫＶという高い加速電圧で露
光が行われる。また、ＬＥＥＰＬ技術においては、等倍
のマスク倍率で、２ＫＶ程度の低い加速電圧で露光が行
われる。更に、露光波長が１０〜１５ｎｍ程度と短いＥ
ＵＶ（Extreme-Ultra Violet)リソグラフィ技術にも注
目が集まっている。ＥＵＶリソグラフィ技術において
は、従来の紫外線露光技術に適用されていた屈折光学系
を採用することができないため、反射光学系を採用し、
縮小率が１／４〜１／５の縮小投影露光が行なわれてい
る。
して、電子線投影露光技術、例えばＥＰＬ（Electron B
eam Lithography）技術やＬＥＥＰＬ（Low Energy Elec
tronProjection Lithography）技術が注目され始めてい
る。ＥＰＬ技術においては、設計パターンの４倍の大き
さのマスクを用い、１００ＫＶという高い加速電圧で露
光が行われる。また、ＬＥＥＰＬ技術においては、等倍
のマスク倍率で、２ＫＶ程度の低い加速電圧で露光が行
われる。更に、露光波長が１０〜１５ｎｍ程度と短いＥ
ＵＶ（Extreme-Ultra Violet)リソグラフィ技術にも注
目が集まっている。ＥＵＶリソグラフィ技術において
は、従来の紫外線露光技術に適用されていた屈折光学系
を採用することができないため、反射光学系を採用し、
縮小率が１／４〜１／５の縮小投影露光が行なわれてい
る。
【０００４】ところで、半導体パターンをウエハ上に形
成するリソグラフィ技術において使用するフォトマスク
は半導体回路の原版であるため、例えばフォトマスク保
管時、フォトマスク搬送時、ステッパへのフォトマスク
装着時に、フォトマスクの露光パターン領域に異物が付
着すると、転写パターンの変形が生じて半導体装置の製
造歩留まりが低下するという問題がある。
成するリソグラフィ技術において使用するフォトマスク
は半導体回路の原版であるため、例えばフォトマスク保
管時、フォトマスク搬送時、ステッパへのフォトマスク
装着時に、フォトマスクの露光パターン領域に異物が付
着すると、転写パターンの変形が生じて半導体装置の製
造歩留まりが低下するという問題がある。
【０００５】そこで、フォトマスクの露光パターン領域
に異物が付着することを防止するために、その領域に有
機ポリマーからなるペリクル膜と称される保護フィルム
を装着することが行われている（特公昭５４−２８７１
６号公報等参照）。
に異物が付着することを防止するために、その領域に有
機ポリマーからなるペリクル膜と称される保護フィルム
を装着することが行われている（特公昭５４−２８７１
６号公報等参照）。
【０００６】
【発明が解決すべき課題】しかしながら、露光波長１５
７ｎｍの光リソグラフィ技術や電子線リソグラフィ技
術、ＥＵＶリソグラフィ技術では、前述したようなペリ
クル膜の使用が困難となっている。
７ｎｍの光リソグラフィ技術や電子線リソグラフィ技
術、ＥＵＶリソグラフィ技術では、前述したようなペリ
クル膜の使用が困難となっている。
【０００７】即ち、露光波長１５７ｎｍの光リソグラフ
ィ技術においては、従来の有機ポリマーを用いたペリク
ル膜は、露光光線に対する耐光性がなく、その寿命が極
端に短く、実用的に使用することはできない。また、ペ
リクル膜として、フォトマスク材料と同等のガラス材料
を用いる提案もなされているが、機械的強度の点からペ
リクル膜の厚さが１ｍｍ程度必要であり、自重によるた
わみがパターン転写特性へ及ぼす影響が問題となる。更
に、ペリクル膜厚さの均一性やマスクとの平行度の均一
性が確保されない場合には、パターン転写特性に悪影響
が生ずる。更に、１５７ｎｍの露光波長では、仮に使用
に耐えられるペリクル膜が開発されたとしても、通常の
大気雰囲気では波長１５７ｎｍの光吸収が大きく、酸素
分子や水分を取り除く必要がある。そのため、特開２０
０１−１３３９６１号公報や特開２００１−１３３９６
０号公報に示されるように、フォトマスクとペリクル膜
との間のスペース雰囲気をコントロールする操作が必須
となる。
ィ技術においては、従来の有機ポリマーを用いたペリク
ル膜は、露光光線に対する耐光性がなく、その寿命が極
端に短く、実用的に使用することはできない。また、ペ
リクル膜として、フォトマスク材料と同等のガラス材料
を用いる提案もなされているが、機械的強度の点からペ
リクル膜の厚さが１ｍｍ程度必要であり、自重によるた
わみがパターン転写特性へ及ぼす影響が問題となる。更
に、ペリクル膜厚さの均一性やマスクとの平行度の均一
性が確保されない場合には、パターン転写特性に悪影響
が生ずる。更に、１５７ｎｍの露光波長では、仮に使用
に耐えられるペリクル膜が開発されたとしても、通常の
大気雰囲気では波長１５７ｎｍの光吸収が大きく、酸素
分子や水分を取り除く必要がある。そのため、特開２０
０１−１３３９６１号公報や特開２００１−１３３９６
０号公報に示されるように、フォトマスクとペリクル膜
との間のスペース雰囲気をコントロールする操作が必須
となる。
【０００８】また、電子線リソグラフィ技術において
は、ペリクル膜などの遮蔽物があると電子線は透過でき
ないので、従来のペリクル膜を始めとする保護カバーを
採用できない。ＥＵＶリソグラフィ技術においても、露
光波長に対して透明且つ耐性のある材料は知られておら
ず、従来のペリクル膜を始めとする保護カバーを採用で
きない。
は、ペリクル膜などの遮蔽物があると電子線は透過でき
ないので、従来のペリクル膜を始めとする保護カバーを
採用できない。ＥＵＶリソグラフィ技術においても、露
光波長に対して透明且つ耐性のある材料は知られておら
ず、従来のペリクル膜を始めとする保護カバーを採用で
きない。
【０００９】本発明は、１５７ｎｍの光リソグラフィ技
術、電子線リソグラフィ技術及びＥＵＶリソグラフィ技
術に適用可能なフォトマスクに対し、フォトマスクを製
造した後、納品時や保管時、ステッパーへの装着時など
に異物が露光パターン領域に付着することを防止し、且
つ露光の際には露光パターン領域上に遮蔽物が存在しな
いようにすることを目的とする。
術、電子線リソグラフィ技術及びＥＵＶリソグラフィ技
術に適用可能なフォトマスクに対し、フォトマスクを製
造した後、納品時や保管時、ステッパーへの装着時など
に異物が露光パターン領域に付着することを防止し、且
つ露光の際には露光パターン領域上に遮蔽物が存在しな
いようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、フォトマ
スクに設ける保護カバーを脱着可能なものとすることに
より、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を
完成させた。
スクに設ける保護カバーを脱着可能なものとすることに
より、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を
完成させた。
【００１１】即ち、本発明は、フォトマスク基板に露光
パターン領域が形成されたフォトマスク本体と露光パタ
ーン領域を保護するための保護カバーとからなるフォト
マスク構造体であって、保護カバーがフォトマスク本体
に脱着可能に取り付けられているフォトマスク構造体を
提供する。
パターン領域が形成されたフォトマスク本体と露光パタ
ーン領域を保護するための保護カバーとからなるフォト
マスク構造体であって、保護カバーがフォトマスク本体
に脱着可能に取り付けられているフォトマスク構造体を
提供する。
【００１２】保護カバーをフォトマスクに脱着可能に取
り付ける態様の例としては、露光パターン領域の外周に
第１枠を設け、保護カバーに、該第１枠に対応する位置
に第２枠を設け、第１枠と第２枠とを脱着可能とする態
様が挙げられる。より好ましい態様としては、第１枠と
第２枠のいずれか一方に係止凸部を形成し、他方に係止
凹部を形成し、係止凸部と係止凹部とを脱着可能に嵌合
させる態様や、第１枠と第２枠のいずれか一方に磁石を
設け、他方の枠を磁性材料から形成する態様が挙げられ
る。
り付ける態様の例としては、露光パターン領域の外周に
第１枠を設け、保護カバーに、該第１枠に対応する位置
に第２枠を設け、第１枠と第２枠とを脱着可能とする態
様が挙げられる。より好ましい態様としては、第１枠と
第２枠のいずれか一方に係止凸部を形成し、他方に係止
凹部を形成し、係止凸部と係止凹部とを脱着可能に嵌合
させる態様や、第１枠と第２枠のいずれか一方に磁石を
設け、他方の枠を磁性材料から形成する態様が挙げられ
る。
【００１３】また、本発明は、上述のフォトマスク構造
体から保護カバーを外し、フォトマスク本体を被露光体
に位置合わせし、露光パターン領域に露光光線を照射
し、露光終了後に保護カバーをフォトマスク本体に装着
する露光方法を提供する。
体から保護カバーを外し、フォトマスク本体を被露光体
に位置合わせし、露光パターン領域に露光光線を照射
し、露光終了後に保護カバーをフォトマスク本体に装着
する露光方法を提供する。
【００１４】更に、本発明は、前述のフォトマスク構造
体から保護カバーが外されたフォトマスク本体を被露光
体に位置合わせし、露光パターン領域に露光光線を照射
するための露光装置において、該フォトマスク構造体か
ら保護カバーを外し且つ外された保護カバーをフォトマ
スク本体に装着するための装着システムを有する露光装
置を提供する。
体から保護カバーが外されたフォトマスク本体を被露光
体に位置合わせし、露光パターン領域に露光光線を照射
するための露光装置において、該フォトマスク構造体か
ら保護カバーを外し且つ外された保護カバーをフォトマ
スク本体に装着するための装着システムを有する露光装
置を提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。
ら詳細に説明する。
【００１６】図１（ａ）は、本発明のフォトマスク構造
体１の斜視図である。このフォトマスク構造体１は、フ
ォトマスク本体１０に保護カバー２０が脱着可能に装着
された構造を有する。
体１の斜視図である。このフォトマスク構造体１は、フ
ォトマスク本体１０に保護カバー２０が脱着可能に装着
された構造を有する。
【００１７】フォトマスク本体１０は、図１（ｂ）に示
すように、フォトマスク基板１１の露光パターン領域１
２の周囲に第１枠１３が形成された構造を有し、一方、
保護カバー２０は、図１（ｃ）に示すように、そのフォ
トマスク本体側面に、フォトマスク本体１０の第１枠１
３に対応する位置に第２枠２１が設けられている構造を
有しており、そして、第１枠１３と第２枠２１とは脱着
可能となっている。
すように、フォトマスク基板１１の露光パターン領域１
２の周囲に第１枠１３が形成された構造を有し、一方、
保護カバー２０は、図１（ｃ）に示すように、そのフォ
トマスク本体側面に、フォトマスク本体１０の第１枠１
３に対応する位置に第２枠２１が設けられている構造を
有しており、そして、第１枠１３と第２枠２１とは脱着
可能となっている。
【００１８】ここで、フォトマスク基板１１としては、
従来のフォトマスク基板と同様のガラス基板を好ましく
使用することができる。露光パターン領域１２も、従来
のフォトマスクと同様にクロム薄膜パターンから形成す
ることができる。第１枠１３としては、アルミニウム等
の非磁性金属枠、軟鉄等の磁性金属枠などから形成する
ことができる。
従来のフォトマスク基板と同様のガラス基板を好ましく
使用することができる。露光パターン領域１２も、従来
のフォトマスクと同様にクロム薄膜パターンから形成す
ることができる。第１枠１３としては、アルミニウム等
の非磁性金属枠、軟鉄等の磁性金属枠などから形成する
ことができる。
【００１９】保護カバー２０としては、従来のペリクル
膜と同様な有機ポリマー膜を使用することができるが、
本発明はこれに限定されず、高清浄度が保たれれば、他
の金属材料、樹脂材料を使用することができる。
膜と同様な有機ポリマー膜を使用することができるが、
本発明はこれに限定されず、高清浄度が保たれれば、他
の金属材料、樹脂材料を使用することができる。
【００２０】図２及び図３に、第１枠１３と第２枠２１
との脱着の手法の一例をそれぞれ示す。
との脱着の手法の一例をそれぞれ示す。
【００２１】図２（ａ）には、本発明のフォトマスク構
造体の部分断面図を示す。このフォトマスク構造体１
は、フォトマスク基板１１の露光パターン領域１２の周
囲に、接着剤１４で固定された第１枠１３の係止凹部１
５に、保護カバー２０の第２枠２１に設けられた係止凸
部２２が脱着可能に嵌合している状態を示している。係
止凹部１５は、スリット状に第１枠１３に設けてもよ
く、ホール状に必要な個数を設けてもよい。係止凸部２
２は係止凹部１５に対応して設ければよい。
造体の部分断面図を示す。このフォトマスク構造体１
は、フォトマスク基板１１の露光パターン領域１２の周
囲に、接着剤１４で固定された第１枠１３の係止凹部１
５に、保護カバー２０の第２枠２１に設けられた係止凸
部２２が脱着可能に嵌合している状態を示している。係
止凹部１５は、スリット状に第１枠１３に設けてもよ
く、ホール状に必要な個数を設けてもよい。係止凸部２
２は係止凹部１５に対応して設ければよい。
【００２２】このフォトマスク本体１０から、保護カバ
ー２０を外す場合、例えば、図２（ａ）に示すように、
保護カバー２０の第２枠２１の側面に治具穴２３を設け
ておき、その治具穴２３に保護カバー２０をフォトマス
ク本体１０から引き離すための治具２４を差し込み、フ
ォトマスク本体１０を真空チャック等により固定した状
態で保護カバー２０を上方に移動させればよい（図２
（ｂ））。
ー２０を外す場合、例えば、図２（ａ）に示すように、
保護カバー２０の第２枠２１の側面に治具穴２３を設け
ておき、その治具穴２３に保護カバー２０をフォトマス
ク本体１０から引き離すための治具２４を差し込み、フ
ォトマスク本体１０を真空チャック等により固定した状
態で保護カバー２０を上方に移動させればよい（図２
（ｂ））。
【００２３】また、図３には、磁石を利用して、フォト
マスク本体１０に保護カバー２０を装着した例を示す。
この場合、第１枠１３を磁石材料から形成し、第２枠２
１の構成材料を軟鉄などの磁性材料から形成すると、磁
力で互いに保持が可能となる。引き離す場合は、図２
（ｂ）と同様に治具を用いて行えばよい。
マスク本体１０に保護カバー２０を装着した例を示す。
この場合、第１枠１３を磁石材料から形成し、第２枠２
１の構成材料を軟鉄などの磁性材料から形成すると、磁
力で互いに保持が可能となる。引き離す場合は、図２
（ｂ）と同様に治具を用いて行えばよい。
【００２４】なお、フォトマスク本体１０から引き離し
た保護カバー２０を再度、フォトマスク本体１０に装着
する場合には、引き離し操作の逆（即ち、治具２４を用
いて保護カバー２０をフォトマスク本体１０に徐々に近
づけ装着すればよい。
た保護カバー２０を再度、フォトマスク本体１０に装着
する場合には、引き離し操作の逆（即ち、治具２４を用
いて保護カバー２０をフォトマスク本体１０に徐々に近
づけ装着すればよい。
【００２５】なお、保護カバーの脱着の方法は、図２及
び図３に示した方法に限定されるものではなく、発塵が
なく、簡便な方法であれば、他の任意の方法を適用する
ことができる。
び図３に示した方法に限定されるものではなく、発塵が
なく、簡便な方法であれば、他の任意の方法を適用する
ことができる。
【００２６】本発明のフォトマスク構造体で半導体ウエ
ハなどの非露光体に露光を行う場合、フォトマスク構造
体から保護カバーを外し、フォトマスク本体を被露光体
に位置合わせし、露光パターン領域に露光光線（紫外線
露光、電子線露光、ＥＵＶ露光、Ｘ線露光、イオンビー
ム露光等）を照射し、露光終了後に保護カバーをフォト
マスク本体に装着すればよい。このように露光すること
により、露光時にはフォトマスク本体の露光パターン領
域に遮蔽物が存在せず、露光前／露光後の保存時、搬送
時等には、保護カバーで露光パターン領域が保護されて
いるので、異物が露光パターン領域に付着することを防
止することができる。
ハなどの非露光体に露光を行う場合、フォトマスク構造
体から保護カバーを外し、フォトマスク本体を被露光体
に位置合わせし、露光パターン領域に露光光線（紫外線
露光、電子線露光、ＥＵＶ露光、Ｘ線露光、イオンビー
ム露光等）を照射し、露光終了後に保護カバーをフォト
マスク本体に装着すればよい。このように露光すること
により、露光時にはフォトマスク本体の露光パターン領
域に遮蔽物が存在せず、露光前／露光後の保存時、搬送
時等には、保護カバーで露光パターン領域が保護されて
いるので、異物が露光パターン領域に付着することを防
止することができる。
【００２７】この露光方法を実施する露光装置の基本構
成図を図４及び図５に示す。図４の露光装置４０は、露
光装置４０内に、光学系やウエハステージなどを含む露
光エリア４１とウエハを入出力するエリア４２とが存在
する。図４の態様の場合、露光装置４０内に、更に保護
カバーが装着されたフォトマスク構造体をストックする
フォトマスクストッカー４３と、保護カバー脱着システ
ム４４とが設置されている。保護カバー脱着システム４
４は、フォトマスクストッカー４３から搬送されたフォ
トマスク構造体から保護カバーを取り外し、また、露光
エリアで露光処理したフォトマスク本体に保護カバーを
装着するシステムである。また、図５の露光装置４０
は、露光装置４０外にフォトマスクストッカー４３と保
護カバー脱着システム４４とが設置されている例であ
る。
成図を図４及び図５に示す。図４の露光装置４０は、露
光装置４０内に、光学系やウエハステージなどを含む露
光エリア４１とウエハを入出力するエリア４２とが存在
する。図４の態様の場合、露光装置４０内に、更に保護
カバーが装着されたフォトマスク構造体をストックする
フォトマスクストッカー４３と、保護カバー脱着システ
ム４４とが設置されている。保護カバー脱着システム４
４は、フォトマスクストッカー４３から搬送されたフォ
トマスク構造体から保護カバーを取り外し、また、露光
エリアで露光処理したフォトマスク本体に保護カバーを
装着するシステムである。また、図５の露光装置４０
は、露光装置４０外にフォトマスクストッカー４３と保
護カバー脱着システム４４とが設置されている例であ
る。
【００２８】なお、図４及び図５において、フォトマス
ク構造体は実線矢印に沿って搬送され、一方、ウエハは
点線矢印に沿って搬送される。例えば、図４の態様の場
合、フォトマスクストッカー４３からフォトマスク構造
体が保護カバー脱着システム４４に搬送され、そこで保
護カバーをフォトマスク本体から取り去る。保護カバー
が取り去られたフォトマスク本体は露光エリア４１に搬
送される。次に、これに同調するように、ウエハ入出力
エリア４２から露光エリア４１に搬送されたウエハとフ
ォトマスク本体とを露光エリア４１内で位置合わせした
後に露光処理する。露光処理後、フォトマスク本体は、
露光エリア４１から保護カバー脱着システム４４に搬送
され、そこで保護カバーが装着され、フォトマスク構造
体とされ、更にフォトマスクストッカー４３に搬送され
る。一方、露光処理されたウエハは露光エリア４１から
ウエハ入出力エリア４２に搬送され、次の処理に供され
ることになる。図５の態様の場合も図４の処理の流れと
基本的に同一である。
ク構造体は実線矢印に沿って搬送され、一方、ウエハは
点線矢印に沿って搬送される。例えば、図４の態様の場
合、フォトマスクストッカー４３からフォトマスク構造
体が保護カバー脱着システム４４に搬送され、そこで保
護カバーをフォトマスク本体から取り去る。保護カバー
が取り去られたフォトマスク本体は露光エリア４１に搬
送される。次に、これに同調するように、ウエハ入出力
エリア４２から露光エリア４１に搬送されたウエハとフ
ォトマスク本体とを露光エリア４１内で位置合わせした
後に露光処理する。露光処理後、フォトマスク本体は、
露光エリア４１から保護カバー脱着システム４４に搬送
され、そこで保護カバーが装着され、フォトマスク構造
体とされ、更にフォトマスクストッカー４３に搬送され
る。一方、露光処理されたウエハは露光エリア４１から
ウエハ入出力エリア４２に搬送され、次の処理に供され
ることになる。図５の態様の場合も図４の処理の流れと
基本的に同一である。
【００２９】なお、図４及び図５の露光装置においてフ
ォトマスク構造体の搬送、露光、保護カバー脱着の際に
は、露光パターン領域に異物が付着しないように、高清
浄度の雰囲気下で行うことが好ましい。
ォトマスク構造体の搬送、露光、保護カバー脱着の際に
は、露光パターン領域に異物が付着しないように、高清
浄度の雰囲気下で行うことが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、露光時のみ、マスクカ
バーを取り外すことができるので、リソグラフィ工程に
おけるマスク上への異物付着による歩留り低下を回避す
ることができる。
バーを取り外すことができるので、リソグラフィ工程に
おけるマスク上への異物付着による歩留り低下を回避す
ることができる。
【図１】本発明のフォトマスク構造体の斜視図（同図
（ａ））、フォトマスク本体の平面図（同図（ｂ））及
び保護カバーの平面図（同図（ｃ））である。
（ａ））、フォトマスク本体の平面図（同図（ｂ））及
び保護カバーの平面図（同図（ｃ））である。
【図２】本発明のフォトマスク構造体の部分断面図（同
図（ａ））、及びフォトマスク構造体から保護カバーを
外した様子を示す説明図（同図（ｂ））である。
図（ａ））、及びフォトマスク構造体から保護カバーを
外した様子を示す説明図（同図（ｂ））である。
【図３】本発明のフォトマスク構造体の別の態様の部分
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明の露光装置の基本構成図である。
【図５】本発明の露光装置の基本構成図である。
１ フォトマスク構造体、１０ フォトマスク本体、１
１ フォトマスク基板、１２ 露光パターン領域、１３
第１枠、１４ 接着剤、１５ 係止凹部１５、２０
保護カバー、２１ 第２枠、２２ 係止凸部、２３ 治
具穴、２４ 治具、４０ 露光装置、４１ 露光エリ
ア、４２ ウエハを入出力するエリア、４３ フォトマ
スクストッカー、４４ 保護カバー脱着システム
１ フォトマスク基板、１２ 露光パターン領域、１３
第１枠、１４ 接着剤、１５ 係止凹部１５、２０
保護カバー、２１ 第２枠、２２ 係止凸部、２３ 治
具穴、２４ 治具、４０ 露光装置、４１ 露光エリ
ア、４２ ウエハを入出力するエリア、４３ フォトマ
スクストッカー、４４ 保護カバー脱着システム
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｍ
５４１Ｓ
Claims (6)
- 【請求項１】 フォトマスク基板に露光パターン領域が
形成されたフォトマスク本体と露光パターン領域を保護
するための保護カバーとからなるフォトマスク構造体で
あって、保護カバーがフォトマスク本体に脱着可能に取
り付けられているフォトマスク構造体。 - 【請求項２】 露光パターン領域の外周に第１枠が設け
られており、保護カバーには、該第１枠に対応する位置
に第２枠が設けられており、第１枠と第２枠とが脱着可
能となっている請求項１記載のフォトマスク構造体。 - 【請求項３】 第１枠と第２枠のいずれか一方に係止凸
部が形成され、他方に係止凹部が形成され、該係止凸部
と係止凹部とが脱着可能に嵌合している請求項１又は２
記載のフォトマスク構造体。 - 【請求項４】 第１枠と第２枠のいずれか一方に磁石が
設けられ、他方の枠が磁性材料から形成されている請求
項１又は２記載のフォトマスク構造体。 - 【請求項５】 請求項１のフォトマスク構造体から保護
カバーを外し、フォトマスク本体を被露光体に位置合わ
せし、露光パターン領域に露光光線を照射し、露光終了
後に保護カバーをフォトマスク本体に装着する露光方
法。 - 【請求項６】 請求項１のフォトマスク構造体から保護
カバーが外されたフォトマスク本体を被露光体に位置合
わせし、露光パターン領域に露光光線を照射するための
露光装置において、該フォトマスク構造体から保護カバ
ーを外し且つ外された保護カバーをフォトマスク本体に
装着するための装着システムを有する露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001356454A JP2003156836A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | フォトマスク構造体、露光方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001356454A JP2003156836A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | フォトマスク構造体、露光方法及び露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003156836A true JP2003156836A (ja) | 2003-05-30 |
Family
ID=19167969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001356454A Pending JP2003156836A (ja) | 2001-11-21 | 2001-11-21 | フォトマスク構造体、露光方法及び露光装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003156836A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-11-21 JP JP2001356454A patent/JP2003156836A/ja active Pending
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| JP7037606B2 (ja) | 2014-11-17 | 2022-03-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | マスクアセンブリ |
| JP2022066392A (ja) * | 2014-11-17 | 2022-04-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | マスクアセンブリ |
| JP7318040B2 (ja) | 2014-11-17 | 2023-07-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | マスクアセンブリ |
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