JP2003142981A - 高周波部品 - Google Patents
高周波部品Info
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- JP2003142981A JP2003142981A JP2001336057A JP2001336057A JP2003142981A JP 2003142981 A JP2003142981 A JP 2003142981A JP 2001336057 A JP2001336057 A JP 2001336057A JP 2001336057 A JP2001336057 A JP 2001336057A JP 2003142981 A JP2003142981 A JP 2003142981A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で高性能な弾性表面波フィルタを搭載し
アンテナスイッチ回路を具備したアンテナスイッチ積層
モジュールを提供する。 【解決手段】 絶縁基板に、弾性表面波素子と、該弾性
表面波素子の平衡出力端の近傍で、かつ前記平衡出力端
間に並列に配置されたインダクタを備え、前記弾性表面
波素子と前記インダクタとを前記絶縁基板に形成した接
続線路により接続して弾性表面波フィルタとしたことを
特徴とした。
アンテナスイッチ回路を具備したアンテナスイッチ積層
モジュールを提供する。 【解決手段】 絶縁基板に、弾性表面波素子と、該弾性
表面波素子の平衡出力端の近傍で、かつ前記平衡出力端
間に並列に配置されたインダクタを備え、前記弾性表面
波素子と前記インダクタとを前記絶縁基板に形成した接
続線路により接続して弾性表面波フィルタとしたことを
特徴とした。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器に
用いられる弾性表面波フィルタを有する高周波部品に関
し、特に携帯電話に用いられる弾性表面波フィルタ、分
波器、高周波スイッチモジュール、アンプモジュールな
どの高周波部品に関する。
用いられる弾性表面波フィルタを有する高周波部品に関
し、特に携帯電話に用いられる弾性表面波フィルタ、分
波器、高周波スイッチモジュール、アンプモジュールな
どの高周波部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、セラミックＲＦデバイスは携帯電
話機などの高周波無線機器の小型化に大いに貢献するも
のとして大変注目されている。欧州地域をはじめとして
広く適用されているＥＧＳＭ９００やＤＣＳ１８００等
の携帯機では、最近、雑音指数を下げ、受信感度を上げ
るように、ＲＦ回路に２本の信号端子を持つ平衡型のＲ
Ｆデバイスを用いることが提案されている。平衡型の回
路は不平衡型の回路に比べノイズに強い特長を持つ。図
１０はＥＧＳＭ９００とＤＣＳ１８００のデュアルバン
ド携帯機のＲＦ回路ブロック図であり、分波器５１、高
周波スイッチ５２、５３、ローパスフィルタ５４、５
５、ＲＦ段間フィルタ（弾性表面波フィルタ）５６、５
７、低雑音増幅器（ＬＮＡ）７５、７６、方向性結合器
８１、８２、パワーアンプ（ＰＡ）８３、８４などのＲ
Ｆデバイスを具備するものである。前記のような要請か
ら、最近になり、不平衡入力型のＬＮＡに変わり平衡入
力型のＬＮＡが用いられつつある。この場合、平衡入力
型のＬＮＡ７５、７６と、その前段に配置されるＲＦ段
間フィルタ（弾性表面波フィルタ）５６、５７とを接続
するのに、不平衡型回路と平衡型回路との変換を行う平
衡−不平衡変換トランス７７、７８を用いるのが一般的
であった。そして、これらＲＦデバイスは、それぞれ独
立した個別の部品から構成され、ＲＦデバイスをプリン
ト基板上に実装し、マイクロストリップラインなどの接
続線路を用いて互いに接続していた。
話機などの高周波無線機器の小型化に大いに貢献するも
のとして大変注目されている。欧州地域をはじめとして
広く適用されているＥＧＳＭ９００やＤＣＳ１８００等
の携帯機では、最近、雑音指数を下げ、受信感度を上げ
るように、ＲＦ回路に２本の信号端子を持つ平衡型のＲ
Ｆデバイスを用いることが提案されている。平衡型の回
路は不平衡型の回路に比べノイズに強い特長を持つ。図
１０はＥＧＳＭ９００とＤＣＳ１８００のデュアルバン
ド携帯機のＲＦ回路ブロック図であり、分波器５１、高
周波スイッチ５２、５３、ローパスフィルタ５４、５
５、ＲＦ段間フィルタ（弾性表面波フィルタ）５６、５
７、低雑音増幅器（ＬＮＡ）７５、７６、方向性結合器
８１、８２、パワーアンプ（ＰＡ）８３、８４などのＲ
Ｆデバイスを具備するものである。前記のような要請か
ら、最近になり、不平衡入力型のＬＮＡに変わり平衡入
力型のＬＮＡが用いられつつある。この場合、平衡入力
型のＬＮＡ７５、７６と、その前段に配置されるＲＦ段
間フィルタ（弾性表面波フィルタ）５６、５７とを接続
するのに、不平衡型回路と平衡型回路との変換を行う平
衡−不平衡変換トランス７７、７８を用いるのが一般的
であった。そして、これらＲＦデバイスは、それぞれ独
立した個別の部品から構成され、ＲＦデバイスをプリン
ト基板上に実装し、マイクロストリップラインなどの接
続線路を用いて互いに接続していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら平衡−不
平衡変換トランスを用いると必然的に部品点数が増えて
しまう。例えば、前記ＥＧＳＭ９００方式、ＤＣＳ１８
００方式に対応したデュアルバンド対応の携帯電話にお
いては、それぞれの送受信系に平衡−不平衡変換トラン
スを設けなくてはならず、小型化、低価格化の要請に応
じられないだけでなく、部品点数の増加による実装面積
が増加するという問題があった。平衡−不平衡変換トラ
ンスと接続する弾性表面波フィルタは、所謂パッケージ
（管封止）型の構成であって、ワイヤボンディングの為
のリード線やモールド樹脂のために寄生のインダクタン
ス成分やコンデンサ成分を持つ。また前記の如く、平衡
−不平衡変換トランスとの接続は、プリント基板上の接
続線路を引き回して行われ、これによる寄生のインダク
タンスやコンデンサ成分も生じる。このため、通過帯域
での挿入損失特性の劣化したり、平衡−不平衡変換トラ
ンスからの出力信号において、所望の振幅平衡度、位相
平衡度が得られなくなるといった問題があった。また、
個々のＲＦデバイスをプリント基板上の接続線路により
接続する場合には、損失の増加や、インピーダンスの不
整合の為、良好な高周波特性を有するＲＦ回路を再現性
良く製造することが困難であり、ＲＦデバイス以外にイ
ンピーダンス整合のため、多くの外付け部品を必要と
し、部品点数が多く回路全体が大型化するという欠点を
有していた。そこで本発明の目的は、挿入損失特性、振
幅平衡度、位相平衡度の優れた平衡型弾性表面波フィル
タと、これを用いて他のＲＦデバイス、特には高周波ス
イッチと複合化した高周波スイッチモジュールを提供す
ることを目的とする。
平衡変換トランスを用いると必然的に部品点数が増えて
しまう。例えば、前記ＥＧＳＭ９００方式、ＤＣＳ１８
００方式に対応したデュアルバンド対応の携帯電話にお
いては、それぞれの送受信系に平衡−不平衡変換トラン
スを設けなくてはならず、小型化、低価格化の要請に応
じられないだけでなく、部品点数の増加による実装面積
が増加するという問題があった。平衡−不平衡変換トラ
ンスと接続する弾性表面波フィルタは、所謂パッケージ
（管封止）型の構成であって、ワイヤボンディングの為
のリード線やモールド樹脂のために寄生のインダクタン
ス成分やコンデンサ成分を持つ。また前記の如く、平衡
−不平衡変換トランスとの接続は、プリント基板上の接
続線路を引き回して行われ、これによる寄生のインダク
タンスやコンデンサ成分も生じる。このため、通過帯域
での挿入損失特性の劣化したり、平衡−不平衡変換トラ
ンスからの出力信号において、所望の振幅平衡度、位相
平衡度が得られなくなるといった問題があった。また、
個々のＲＦデバイスをプリント基板上の接続線路により
接続する場合には、損失の増加や、インピーダンスの不
整合の為、良好な高周波特性を有するＲＦ回路を再現性
良く製造することが困難であり、ＲＦデバイス以外にイ
ンピーダンス整合のため、多くの外付け部品を必要と
し、部品点数が多く回路全体が大型化するという欠点を
有していた。そこで本発明の目的は、挿入損失特性、振
幅平衡度、位相平衡度の優れた平衡型弾性表面波フィル
タと、これを用いて他のＲＦデバイス、特には高周波ス
イッチと複合化した高周波スイッチモジュールを提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、絶縁基板
に、弾性表面波素子と、該弾性表面波素子の平衡出力端
の近傍で、かつ前記平衡出力端間に並列に配置されたイ
ンダクタを備え、前記弾性表面波素子と前記インダクタ
とを前記絶縁基板に形成した接続線路により接続して弾
性表面波フィルタとした高周波部品である。本発明にお
いては、前記絶縁基板を複数の誘電体層を積層してなる
積層基板とし、前記接続線路を絶縁基板の外表面に形
成、又は絶縁基板に内蔵するのが好ましい。そして、前
記インダクタを分布定数線路として前記絶縁基板に一体
的に形成する、又はチップインダクタとして前記絶縁基
板に搭載するのも好ましい。前記絶縁基板は、相対向す
る第１および第２の主面と当該主面間を連結する側面を
備えるものである。この絶縁基板に前記弾性表面波素子
がベアチップとして前記第１の主面、又は第２の主面の
少なくとも一方にフェースダウン実装するのも好まし
い。前記弾性表面波素子の入力端及び出力端がＬＧＡ
（Land Grid Array）又はＢＧＡ（Ball Grid Array）で
構成されるのが好ましい。本発明によれば前記弾性表面
波フィルタの帯域内リップルは２．０ｄＢ以下に構成す
ることが出来る。帯域内リップルが２．０ｄＢを超える
と受信信号の品質の劣化と言った問題が生じるので好ま
しくない。また、弾性表面波フィルタが低雑音増幅器に
接続される場合に、その振幅平衡度、位相平衡度が良好
でないと、前記低雑音増幅器に入力される高周波信号が
劣化し、低雑音増幅器は外来ノイズの影響を受けやすく
なり、発振などの不具合が生じるので、振幅平衡度は±
１ｄＢ以内とし、位相平衡度を１８０±１０ｄｅｇ．以
内であるのが好ましい。第２の発明は、通過帯域が異な
る複数の弾性表面波フィルタを備え、該弾性表面波フィ
ルタとして第１のフィルタの不平衡入力・平衡出力型弾
性表面波フィルタを用いて、不平衡端子側を接続して共
通端として分波器とした高周波部品である。第３の発明
は、第１の発明の弾性表面波フィルタと、スイッチング
素子、コンデンサ及び／又はインダクタで構成される高
周波スイッチとを備えた高周波スイッチモジュールであ
る。本発明にいては、前記高周波スイッチを、入力端が
一つで出力端が二つのＳＰＤＴ型のスイッチとし、出力
端の少なくとも一つに第１の発明の弾性表面波フィルタ
を接続するのが好ましい。そして、前記弾性表面波フィ
ルタと、前記高周波スイッチを複数の誘電体層を積層し
てなる積層基板に一体的に形成するのが好ましい。前記
スイッチング素子は、ＰＩＮダイオード又は電解効果型
トランジスタであり、半導体ベアチップとして前記積層
基板にフェースダウン実装されるのがより好ましい。前
記高周波スイッチは、送信回路とアンテナの間に配置さ
れた第1のスイッチング素子と、当該第1のスイッチング
素子の送信回路側を接地する第1の分布定数線路又はイ
ンダクタと、アンテナと受信回路との間に配置された第
２の分布定数線路と、当該第２の分布定数線路の受信回
路側を接地する第２のスイッチング素子を具備し、前記
第２の分布定数線路に第１の発明の平衡出力型弾性表面
波フィルタを接続するように構成するのが好ましい。
に、弾性表面波素子と、該弾性表面波素子の平衡出力端
の近傍で、かつ前記平衡出力端間に並列に配置されたイ
ンダクタを備え、前記弾性表面波素子と前記インダクタ
とを前記絶縁基板に形成した接続線路により接続して弾
性表面波フィルタとした高周波部品である。本発明にお
いては、前記絶縁基板を複数の誘電体層を積層してなる
積層基板とし、前記接続線路を絶縁基板の外表面に形
成、又は絶縁基板に内蔵するのが好ましい。そして、前
記インダクタを分布定数線路として前記絶縁基板に一体
的に形成する、又はチップインダクタとして前記絶縁基
板に搭載するのも好ましい。前記絶縁基板は、相対向す
る第１および第２の主面と当該主面間を連結する側面を
備えるものである。この絶縁基板に前記弾性表面波素子
がベアチップとして前記第１の主面、又は第２の主面の
少なくとも一方にフェースダウン実装するのも好まし
い。前記弾性表面波素子の入力端及び出力端がＬＧＡ
（Land Grid Array）又はＢＧＡ（Ball Grid Array）で
構成されるのが好ましい。本発明によれば前記弾性表面
波フィルタの帯域内リップルは２．０ｄＢ以下に構成す
ることが出来る。帯域内リップルが２．０ｄＢを超える
と受信信号の品質の劣化と言った問題が生じるので好ま
しくない。また、弾性表面波フィルタが低雑音増幅器に
接続される場合に、その振幅平衡度、位相平衡度が良好
でないと、前記低雑音増幅器に入力される高周波信号が
劣化し、低雑音増幅器は外来ノイズの影響を受けやすく
なり、発振などの不具合が生じるので、振幅平衡度は±
１ｄＢ以内とし、位相平衡度を１８０±１０ｄｅｇ．以
内であるのが好ましい。第２の発明は、通過帯域が異な
る複数の弾性表面波フィルタを備え、該弾性表面波フィ
ルタとして第１のフィルタの不平衡入力・平衡出力型弾
性表面波フィルタを用いて、不平衡端子側を接続して共
通端として分波器とした高周波部品である。第３の発明
は、第１の発明の弾性表面波フィルタと、スイッチング
素子、コンデンサ及び／又はインダクタで構成される高
周波スイッチとを備えた高周波スイッチモジュールであ
る。本発明にいては、前記高周波スイッチを、入力端が
一つで出力端が二つのＳＰＤＴ型のスイッチとし、出力
端の少なくとも一つに第１の発明の弾性表面波フィルタ
を接続するのが好ましい。そして、前記弾性表面波フィ
ルタと、前記高周波スイッチを複数の誘電体層を積層し
てなる積層基板に一体的に形成するのが好ましい。前記
スイッチング素子は、ＰＩＮダイオード又は電解効果型
トランジスタであり、半導体ベアチップとして前記積層
基板にフェースダウン実装されるのがより好ましい。前
記高周波スイッチは、送信回路とアンテナの間に配置さ
れた第1のスイッチング素子と、当該第1のスイッチング
素子の送信回路側を接地する第1の分布定数線路又はイ
ンダクタと、アンテナと受信回路との間に配置された第
２の分布定数線路と、当該第２の分布定数線路の受信回
路側を接地する第２のスイッチング素子を具備し、前記
第２の分布定数線路に第１の発明の平衡出力型弾性表面
波フィルタを接続するように構成するのが好ましい。
【０００５】
【作用】本発明者等は、ＲＦ回路の複合化、小型化、高
性能化に取り組むなかで、平衡出力弾性表面波フィルタ
を用いて平衡入力型ＬＮＡと接続することで、平衡不平
衡変換トランスを用いることなくＲＦ回路を構成するこ
とを着想した。しかしながら、プリント基板上に接続線
路を形成した場合には、通常引き回しのため少なくとも
３〜５ｍｍの線路を構成する必要があり、これにより発
生する寄生容量や寄生インダクタにより通過帯域内でリ
ップルが発生し、所望の伝送特性が得られないといった
問題があった。そこで寄生容量を相殺するように、イン
ダクタを前記記接続線路に接続して、平衡出力型弾性表
面波フィルタの平衡出力端間に平行配置したが、十分な
リップル改善効果は得られなかった。
性能化に取り組むなかで、平衡出力弾性表面波フィルタ
を用いて平衡入力型ＬＮＡと接続することで、平衡不平
衡変換トランスを用いることなくＲＦ回路を構成するこ
とを着想した。しかしながら、プリント基板上に接続線
路を形成した場合には、通常引き回しのため少なくとも
３〜５ｍｍの線路を構成する必要があり、これにより発
生する寄生容量や寄生インダクタにより通過帯域内でリ
ップルが発生し、所望の伝送特性が得られないといった
問題があった。そこで寄生容量を相殺するように、イン
ダクタを前記記接続線路に接続して、平衡出力型弾性表
面波フィルタの平衡出力端間に平行配置したが、十分な
リップル改善効果は得られなかった。
【０００６】本発明者等は種々検討するなかで、前記並
列配置インダクタの効果を発揮させるには、前記インダ
クタを平衡出力端子の極近傍に配置し、浮遊インピーダ
ンス成分を小さくすれば良いことを知見した。その手段
として絶縁基板に、平衡出力型弾性表面波素子と、該弾
性表面波素子の出力端の近傍に前記出力端間に並列配置
したインダクタとを前記絶縁基板に形成された接続線路
により接続する本発明に想到した。具体的には、例えば
図１に図示するように、平衡型弾性表面波素子１とイン
ダクタ２を一つの基板において直近に配置することによ
り、弾性表面波素子１とインダクタ２とを接続する伝送
線路パターンの長さｗを短く構成して、弾性表面波素子
の出力端４２、４３と並列配置したインダクタ４との間
の浮遊インピーダンス成分を極力小さく構成した。
列配置インダクタの効果を発揮させるには、前記インダ
クタを平衡出力端子の極近傍に配置し、浮遊インピーダ
ンス成分を小さくすれば良いことを知見した。その手段
として絶縁基板に、平衡出力型弾性表面波素子と、該弾
性表面波素子の出力端の近傍に前記出力端間に並列配置
したインダクタとを前記絶縁基板に形成された接続線路
により接続する本発明に想到した。具体的には、例えば
図１に図示するように、平衡型弾性表面波素子１とイン
ダクタ２を一つの基板において直近に配置することによ
り、弾性表面波素子１とインダクタ２とを接続する伝送
線路パターンの長さｗを短く構成して、弾性表面波素子
の出力端４２、４３と並列配置したインダクタ４との間
の浮遊インピーダンス成分を極力小さく構成した。
【０００７】さらに、ＲＦ回路を構成するＲＦデバイス
をそれぞれが独立した個別の部品から構成するよりも、
複数の機能を複合化したＲＦデバイスとすれば、プリン
ト基板上の接続線路により接続する場合の、損失の増加
や、インピーダンスの不整合による高周波特性の劣化な
どの問題を解消でき、またインピーダンス整合などのた
めの外付け部品を必要とせず、ＲＦ回路の部品点数を少
なく構成でき、回路全体を小型化で出来る。そこで、前
記平衡型弾性表面波フィルタを構成する絶縁基板に前記
ＲＦデバイスを複合化することで、小型かつ電気的特性
に優れたＲＦデバイスを構成することが出来る。
をそれぞれが独立した個別の部品から構成するよりも、
複数の機能を複合化したＲＦデバイスとすれば、プリン
ト基板上の接続線路により接続する場合の、損失の増加
や、インピーダンスの不整合による高周波特性の劣化な
どの問題を解消でき、またインピーダンス整合などのた
めの外付け部品を必要とせず、ＲＦ回路の部品点数を少
なく構成でき、回路全体を小型化で出来る。そこで、前
記平衡型弾性表面波フィルタを構成する絶縁基板に前記
ＲＦデバイスを複合化することで、小型かつ電気的特性
に優れたＲＦデバイスを構成することが出来る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図を用いな
がら詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例に係る
平衡出力型弾性表面波フィルタの等価回路である。本発
明の弾性表面波フィルタは、平衡出力型弾性表面波素子
３とその平衡出力端間４２、４３に並列配置されたイン
ダクタ４とが、一つの絶縁基板２に形成された接続線路
５で接続され構成される。図２は、本発明の一実施例に
係る平衡出力型弾性表面波フィルタの構成を説明するた
めの斜視図である。図示した弾性表面波フィルタは、平
衡出力型弾性表面波素子３を管封止の弾性表面波フィル
タとし、絶縁基板２に前記弾性表面波フィルタ３とイン
ダクタ４を実装し、絶縁基板２に形成された接続電極５
（等価回路中、回路機能を有さない電極）により互いに
接続して構成される。
がら詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例に係る
平衡出力型弾性表面波フィルタの等価回路である。本発
明の弾性表面波フィルタは、平衡出力型弾性表面波素子
３とその平衡出力端間４２、４３に並列配置されたイン
ダクタ４とが、一つの絶縁基板２に形成された接続線路
５で接続され構成される。図２は、本発明の一実施例に
係る平衡出力型弾性表面波フィルタの構成を説明するた
めの斜視図である。図示した弾性表面波フィルタは、平
衡出力型弾性表面波素子３を管封止の弾性表面波フィル
タとし、絶縁基板２に前記弾性表面波フィルタ３とイン
ダクタ４を実装し、絶縁基板２に形成された接続電極５
（等価回路中、回路機能を有さない電極）により互いに
接続して構成される。
【０００９】この様な平衡出力型弾性表面波フィルタに
用いる前記絶縁基板２の製造法について以下説明する。
例えばＡｌ２Ｏ３を主成分としＳｉＯ２、ＳｒＯ、Ｃａ
Ｏ、ＰｂＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏを副成分として含む低温
焼結誘電体磁器組成物、Ａｌ２Ｏ３を主成分としＭｇ
Ｏ、ＳｉＯ２、ＧｄＯを副成分として含む低温焼結誘電
体磁器組成物などの誘電体材料や、Ｂｉ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ
３、ＣａＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５を
成分組成として含む磁性体材料をボールミルにて湿式混
合し、得られたスラリーを乾燥した後、７００℃〜８５
０℃の温度で仮焼し、粉砕乾燥して材料粉末を得て、こ
の材料粉末と有機バインダー、可塑材、および、有機溶
剤をボールミルにて混合し、脱泡機で粘度を調整した
後、ドクターブレード法にて３０μｍ〜２５０μｍのセ
ラミックグリーンシートとする。
用いる前記絶縁基板２の製造法について以下説明する。
例えばＡｌ２Ｏ３を主成分としＳｉＯ２、ＳｒＯ、Ｃａ
Ｏ、ＰｂＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏを副成分として含む低温
焼結誘電体磁器組成物、Ａｌ２Ｏ３を主成分としＭｇ
Ｏ、ＳｉＯ２、ＧｄＯを副成分として含む低温焼結誘電
体磁器組成物などの誘電体材料や、Ｂｉ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ
３、ＣａＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５を
成分組成として含む磁性体材料をボールミルにて湿式混
合し、得られたスラリーを乾燥した後、７００℃〜８５
０℃の温度で仮焼し、粉砕乾燥して材料粉末を得て、こ
の材料粉末と有機バインダー、可塑材、および、有機溶
剤をボールミルにて混合し、脱泡機で粘度を調整した
後、ドクターブレード法にて３０μｍ〜２５０μｍのセ
ラミックグリーンシートとする。
【００１０】このグリーンシートに回路素子や接続線路
を構成する電極パターンを導電性ペーストにより印刷形
成し、前記電極パターン間を接続するビアホールを形成
して、さらにグリーンシートを重ねて８０℃に加熱して
１２ＭＰａの圧力で熱圧着して積層体とし、所定の大き
さ、形状となるように、例えばダイシングソーや鋼刃で
前記積層体を切断して９００℃〜１０００℃で、２時間
〜８時間焼成して絶縁基板２を得る。
を構成する電極パターンを導電性ペーストにより印刷形
成し、前記電極パターン間を接続するビアホールを形成
して、さらにグリーンシートを重ねて８０℃に加熱して
１２ＭＰａの圧力で熱圧着して積層体とし、所定の大き
さ、形状となるように、例えばダイシングソーや鋼刃で
前記積層体を切断して９００℃〜１０００℃で、２時間
〜８時間焼成して絶縁基板２を得る。
【００１１】前記絶縁基板２の形状は、例えば矩形状で
あり、弾性表面波素子を搭載する第1の主面と、実装基
板と接続するための接続端子が形成された第２の主面
と、前記切断により形成される側面を備える。絶縁基板
２の第1の主面には、平衡出力型弾性表面波素子３やイ
ンダクタ３を実装するための電極パターンが形成され、
絶縁基板２の内部には前記電極パターンを接続するビア
ホール６や、接続線路５が形成される。本実施例におい
ては、絶縁基板２にパッケージ（管封止）型の弾性表面
波フィルタを第1の主面に実装し、絶縁基板２の第1の主
面に形成された接続線路５により弾性表面波フィルタの
出力端間に並列配置したインダクタと接続する。接続線
路５は、ＣｕやＡｇなどの電極パターンで第1の主面上
に形成されているが、図３に示す様に絶縁基板２に積層
形成しても良い。このように構成することで、プリント
基板に弾性表面波素子と並列配置するインダクタを別々
に実装して、接続線路で電気的に接続する場合よりも、
極めて近接して配置でき、接続線路の寄生のインダクタ
ンス成分やコンデンサ成分を極めて小さく構成できる。
あり、弾性表面波素子を搭載する第1の主面と、実装基
板と接続するための接続端子が形成された第２の主面
と、前記切断により形成される側面を備える。絶縁基板
２の第1の主面には、平衡出力型弾性表面波素子３やイ
ンダクタ３を実装するための電極パターンが形成され、
絶縁基板２の内部には前記電極パターンを接続するビア
ホール６や、接続線路５が形成される。本実施例におい
ては、絶縁基板２にパッケージ（管封止）型の弾性表面
波フィルタを第1の主面に実装し、絶縁基板２の第1の主
面に形成された接続線路５により弾性表面波フィルタの
出力端間に並列配置したインダクタと接続する。接続線
路５は、ＣｕやＡｇなどの電極パターンで第1の主面上
に形成されているが、図３に示す様に絶縁基板２に積層
形成しても良い。このように構成することで、プリント
基板に弾性表面波素子と並列配置するインダクタを別々
に実装して、接続線路で電気的に接続する場合よりも、
極めて近接して配置でき、接続線路の寄生のインダクタ
ンス成分やコンデンサ成分を極めて小さく構成できる。
【００１２】図３は本発明の他の実施例に 係る平衡出
力型弾性表面波フィルタの断面図である。ここでは、平
衡出力型弾性表面波素子３をＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）のベアチップを用い、絶縁基板２に封止金属６０で
気密封止している。そして、絶縁基板２として、複数の
セラミック層が積層されて一体焼成されてなる低温焼結
セラミック積層体とし、これに前記平衡出力型弾性表面
波素子３とインダクタ４を搭載している。前記インダク
タ４のインダクタンス値は、使用される周波数で適宜選
定されるが、例えばＤＣＳ１８００（ DIGITAL CELLULA
R SYSTEM ）では１０ｎＨ程度、８００ＭＨｚ帯のＧＳＭ
（ GLOBAL SYSTEM FORMOBILE COMMUNICATIONS ）では３
０〜６０ｎＨ程度が推奨される。前記インダクタ４は、
チップインダクタとして絶縁基板２に搭載しても良い
し、前記絶縁基板に分布定数線路として形成しても良
い。前記インダクタ４を、積層インダクタとする場合に
は、必要に応じてチップインダクタを交換してインダク
タンス値を微調整できる。また、前記インダクタ４を図
４に示すように絶縁基板２に電極パターンを用いて分布
定数線路４として積層形成すれば、インダクタを実装す
るための実装面積を低減でき、更に小型の弾性表面波フ
ィルタを得ることが出来る。分布定数線路として形成す
る場合には、ミアンダ状、コイル状、スパイラル状等の
パターンでインダクタ４を形成するが、積層基板上に前
記パターンの少なくとも一部を形成すれば、トリミング
によりインダクタンス値を微調整できるので好ましい。
力型弾性表面波フィルタの断面図である。ここでは、平
衡出力型弾性表面波素子３をＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）のベアチップを用い、絶縁基板２に封止金属６０で
気密封止している。そして、絶縁基板２として、複数の
セラミック層が積層されて一体焼成されてなる低温焼結
セラミック積層体とし、これに前記平衡出力型弾性表面
波素子３とインダクタ４を搭載している。前記インダク
タ４のインダクタンス値は、使用される周波数で適宜選
定されるが、例えばＤＣＳ１８００（ DIGITAL CELLULA
R SYSTEM ）では１０ｎＨ程度、８００ＭＨｚ帯のＧＳＭ
（ GLOBAL SYSTEM FORMOBILE COMMUNICATIONS ）では３
０〜６０ｎＨ程度が推奨される。前記インダクタ４は、
チップインダクタとして絶縁基板２に搭載しても良い
し、前記絶縁基板に分布定数線路として形成しても良
い。前記インダクタ４を、積層インダクタとする場合に
は、必要に応じてチップインダクタを交換してインダク
タンス値を微調整できる。また、前記インダクタ４を図
４に示すように絶縁基板２に電極パターンを用いて分布
定数線路４として積層形成すれば、インダクタを実装す
るための実装面積を低減でき、更に小型の弾性表面波フ
ィルタを得ることが出来る。分布定数線路として形成す
る場合には、ミアンダ状、コイル状、スパイラル状等の
パターンでインダクタ４を形成するが、積層基板上に前
記パターンの少なくとも一部を形成すれば、トリミング
によりインダクタンス値を微調整できるので好ましい。
【００１３】前記弾性表面波フィルタを弾性表面波素子
のベアチップとし、バンプ接続すれば、パッケージ型の
弾性表面波フィルタでのワイヤボンディングの為のリー
ド線やモールド樹脂のために寄生のインダクタンスやコ
ンデンサ成分を極めて小さく構成できる。またその封止
は封止金属３で気密封止する方法や、封止樹脂による方
法がある。
のベアチップとし、バンプ接続すれば、パッケージ型の
弾性表面波フィルタでのワイヤボンディングの為のリー
ド線やモールド樹脂のために寄生のインダクタンスやコ
ンデンサ成分を極めて小さく構成できる。またその封止
は封止金属３で気密封止する方法や、封止樹脂による方
法がある。
【００１４】弾性表面波素子のベアチップは、絶縁基板
の第1の主面や第２の主面に形成した凹部（キャビテ
ィ）に配置し、絶縁基板２にフェースダウン実装すれ
ば、第1の主面や第２の主面を平坦にすることが出来、
マウンター等による取り扱いが容易となる。前記の実施
例では平衡出力型弾性表面波素子３をＢＧＡ（BallGrid
Array）のベアチップを用いているが、ＬＧＡ（Land G
rid Array）のベアチップを用いても良い。
の第1の主面や第２の主面に形成した凹部（キャビテ
ィ）に配置し、絶縁基板２にフェースダウン実装すれ
ば、第1の主面や第２の主面を平坦にすることが出来、
マウンター等による取り扱いが容易となる。前記の実施
例では平衡出力型弾性表面波素子３をＢＧＡ（BallGrid
Array）のベアチップを用いているが、ＬＧＡ（Land G
rid Array）のベアチップを用いても良い。
【００１５】
【実施例】（実施例１）本実施例はベアチップ状の弾性
表面波素子をセラミックパッケージに封止した面実装型
弾性表面波素子３とインダクタ４を積層基板２の内部に
形成された接続線路５で接続する弾性表面波フィルタで
ある。前記積層基板は低温焼成が可能なセラミック誘電
体材料からなり、厚さが３０μｍ〜２００μｍのグリー
ンシートを用意し、そのグリーンシート上にＡｇやＣｕ
等の導電ペーストを印刷して所望の電極パターンを形成
し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成される。前
記電極パターンは、グランド電極ＧＮＤや分布定数線路
を構成するライン電極、コンデンサを構成するコンデン
サ電極や、回路素子間を電気的に接続する接続電極５を
構成する。前記セラミック誘電体材料として、Ａｌ２Ｏ
３を主成分としＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｎ
ａ２Ｏ、Ｋ２Ｏを副成分として含む、比誘電率が７の低
温焼結誘電体磁器組成物を用いた。
表面波素子をセラミックパッケージに封止した面実装型
弾性表面波素子３とインダクタ４を積層基板２の内部に
形成された接続線路５で接続する弾性表面波フィルタで
ある。前記積層基板は低温焼成が可能なセラミック誘電
体材料からなり、厚さが３０μｍ〜２００μｍのグリー
ンシートを用意し、そのグリーンシート上にＡｇやＣｕ
等の導電ペーストを印刷して所望の電極パターンを形成
し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成される。前
記電極パターンは、グランド電極ＧＮＤや分布定数線路
を構成するライン電極、コンデンサを構成するコンデン
サ電極や、回路素子間を電気的に接続する接続電極５を
構成する。前記セラミック誘電体材料として、Ａｌ２Ｏ
３を主成分としＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｎ
ａ２Ｏ、Ｋ２Ｏを副成分として含む、比誘電率が７の低
温焼結誘電体磁器組成物を用いた。
【００１６】前記積層基板の第１の主面には、面実装型
弾性表面波素子３とチップインダクタを搭載している。
面実装型弾性表面波素子３とチップインダクタ４は、絶
縁基板２の第1の主面に形成された接続線路５で互いに
電気的に接続され、その距離は凡そ０．２ｍｍとなる様
に形成されている。このように構成した高周波部品（弾
性表面波フィルタ）の挿入損失特性及び通過帯域内リッ
プル、フェイズバランス（位相平衡度）、アンプリチュ
ードバランス（振幅平衡度）を評価した結果を表１及び
図４、図５に示す。
弾性表面波素子３とチップインダクタを搭載している。
面実装型弾性表面波素子３とチップインダクタ４は、絶
縁基板２の第1の主面に形成された接続線路５で互いに
電気的に接続され、その距離は凡そ０．２ｍｍとなる様
に形成されている。このように構成した高周波部品（弾
性表面波フィルタ）の挿入損失特性及び通過帯域内リッ
プル、フェイズバランス（位相平衡度）、アンプリチュ
ードバランス（振幅平衡度）を評価した結果を表１及び
図４、図５に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】本発明の如く構成することで、帯域内での
リップ量を２．０ｄB以下に調整することが出来る。平
衡出力端に並列接続されるインダクタの位置が前記出力
端から離間することにより挿入損失特性が劣化するとと
もにリップル量も増加する。これを改善するにはインダ
クタンス値を大きくすれば良いが、アンプリチュードバ
ランスや、フェイズバランスも変化することから、前記
インダクタの配置位置とそのインダクタンス値は、挿入
損失特性、リップル量、アンプリチュードバランス、フ
ェイズバランスの各特性を勘案しながら決定するのが好
ましい。
リップ量を２．０ｄB以下に調整することが出来る。平
衡出力端に並列接続されるインダクタの位置が前記出力
端から離間することにより挿入損失特性が劣化するとと
もにリップル量も増加する。これを改善するにはインダ
クタンス値を大きくすれば良いが、アンプリチュードバ
ランスや、フェイズバランスも変化することから、前記
インダクタの配置位置とそのインダクタンス値は、挿入
損失特性、リップル量、アンプリチュードバランス、フ
ェイズバランスの各特性を勘案しながら決定するのが好
ましい。
【００１９】（実施例２）実施例１の弾性表面波フィル
タを組み合わせて異なる２周波ｆ１、ｆ２の分波器を作
製した。図５に前記分波器のブロック図を示す。この分
波器は、例えばＤＣＳ（ｆ１）とＰＣＳ（ｆ２）の受信
信号を分波するためのものであり、共用の端子２０に接
続された第１の位相器３０と、その後段に配置された第
１の弾性表面波フィルタ１ａと、同じく共用の端子２０
に接続された第２の位相器３１と、その後段に配置され
た第２の弾性表面波フィルタ１ｂとからなる。位相器３
０，３１は、伝送線路からなり、それぞれ周波数帯域ｆ
１、ｆ２で実際の線路長がλ／１０〜λ／３となるよう
に構成されている。第１の弾性表面波フィルタ１ａは、
ｆ１の受信周波数帯でほぼ５０Ωとなり、ｆ２の受信周
波数帯でほぼショートするような入力インピーダンス特
性を有する弾性表面波フィルタであり、また第２の弾性
表面波フィルタ１ｂはｆ２の受信周波数帯でほぼ５０Ω
となり、ｆ１の受信周波数帯でほぼショートするような
入力インピーダンス特性を有する弾性表面波フィルタで
ある。
タを組み合わせて異なる２周波ｆ１、ｆ２の分波器を作
製した。図５に前記分波器のブロック図を示す。この分
波器は、例えばＤＣＳ（ｆ１）とＰＣＳ（ｆ２）の受信
信号を分波するためのものであり、共用の端子２０に接
続された第１の位相器３０と、その後段に配置された第
１の弾性表面波フィルタ１ａと、同じく共用の端子２０
に接続された第２の位相器３１と、その後段に配置され
た第２の弾性表面波フィルタ１ｂとからなる。位相器３
０，３１は、伝送線路からなり、それぞれ周波数帯域ｆ
１、ｆ２で実際の線路長がλ／１０〜λ／３となるよう
に構成されている。第１の弾性表面波フィルタ１ａは、
ｆ１の受信周波数帯でほぼ５０Ωとなり、ｆ２の受信周
波数帯でほぼショートするような入力インピーダンス特
性を有する弾性表面波フィルタであり、また第２の弾性
表面波フィルタ１ｂはｆ２の受信周波数帯でほぼ５０Ω
となり、ｆ１の受信周波数帯でほぼショートするような
入力インピーダンス特性を有する弾性表面波フィルタで
ある。
【００２０】そして、第１の弾性表面波フィルタの前段
に第１の位相器を配置し、ｆ２の受信帯域で、前記共用
の端子２０から見たインピーダンス特性がほぼ開放の状
態となし、他方第２の弾性表面波フィルタの前段に第２
の位相器を配置し、ｆ１の受信帯域で、前記共用の端子
２０から見たインピーダンス特性がほぼ開放の状態とし
ている。ここで、「ほぼ開放状態」とは、インピーダンス
ＺをＺ＝Ｒ＋ｊＸで表すときの実装部Ｒを１５０Ω以上
に調整した場合、及び虚数部Ｘの絶対値を１００Ω以上
に調整した場合である。また、「ほぼショート状態」と
は、同様に実装部Ｒを１５Ω以下に調整した場合、及び
虚数部Ｘの絶対値を１５Ω以下に調整した場合である。
上記のように構成した分波器は、帯域内リップル、振幅
平衡度、位相平衡度に優れた弾性表面波フィルタを用い
たので、分波器としても優れた特性を得ることが出来
る。
に第１の位相器を配置し、ｆ２の受信帯域で、前記共用
の端子２０から見たインピーダンス特性がほぼ開放の状
態となし、他方第２の弾性表面波フィルタの前段に第２
の位相器を配置し、ｆ１の受信帯域で、前記共用の端子
２０から見たインピーダンス特性がほぼ開放の状態とし
ている。ここで、「ほぼ開放状態」とは、インピーダンス
ＺをＺ＝Ｒ＋ｊＸで表すときの実装部Ｒを１５０Ω以上
に調整した場合、及び虚数部Ｘの絶対値を１００Ω以上
に調整した場合である。また、「ほぼショート状態」と
は、同様に実装部Ｒを１５Ω以下に調整した場合、及び
虚数部Ｘの絶対値を１５Ω以下に調整した場合である。
上記のように構成した分波器は、帯域内リップル、振幅
平衡度、位相平衡度に優れた弾性表面波フィルタを用い
たので、分波器としても優れた特性を得ることが出来
る。
【００２１】（実施例３）実施例２の異なる２周波ｆ
１、ｆ２の分波器を用いて高周波スイッチモジュールを
作製した。図６に本発明の一実施例に係る前記高周波ス
イッチモジュールの断面図と、図７に本発明の一実施例
に係る高周波スイッチモジュールの等価回路を示す。こ
の高周波スイッチモジュールは、アンテナＡＮＴに対し
てＤＣＳ（ｆ１）／ＰＣＳ（ｆ２）の送信回路ＴＸとｆ
１又はｆ２の受信回路ＲＸを切り換えるものである。第
１のスイッチ回路ＳＷ１はダイオードと伝送線路を主要
素子とし、ダイオード２０２のカソードは入出力端子１
０に接続され、アノードはｆ１、ｆ２共用の送信系端子
ＴＸにコンデンサ３０３を介して接続され、またコンデ
ンサ３０４を介してアースに接続される伝送線路４０２
に接続されている。また伝送線路４０２とコンデンサ３
０４の間にダイオード制御用の電圧コントロール回路Ｖ
Ｃ２がある。アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間に伝
送線路４０１が接続され、受信側にアノードが接続され
たダイオード２０１が接続され、ダイオード２０１のカ
ソードにはアースとの間にコンデンサ３０２が接続さ
れ、ダイオード２０１とコンデンサ３０２の間にダイオ
ード制御用の電圧コントロール回路ＶＣ１が接続され、
前記ダイオード２０１のアノードとｆ１／ｆ２の各受信
回路ＲＸとの間に、前記実施例２の分波器を挿入配置し
た。前記分波器を構成する弾性表面波素子３は、絶縁基
板２に形成された凹部にフェースダウン実装され、樹脂
封止されている。そして、弾性表面波素子３の平衡出力
端にはビアホールで形成される接続線路５を介して分布
定数線路で形成されたインダクタが接続される。また、
絶縁基板２には回路素子の一部のコンデンサパターン、
分布定数線路が積層形成される。上記のように構成した
高周波スイッチモジュールは、帯域内リップル、振幅平
衡度、位相平衡度に優れた弾性表面波フィルタ で構成
した分波器を用いたので、高周波スイッチモジュールと
しても優れた特性を得ることが出来る。
１、ｆ２の分波器を用いて高周波スイッチモジュールを
作製した。図６に本発明の一実施例に係る前記高周波ス
イッチモジュールの断面図と、図７に本発明の一実施例
に係る高周波スイッチモジュールの等価回路を示す。こ
の高周波スイッチモジュールは、アンテナＡＮＴに対し
てＤＣＳ（ｆ１）／ＰＣＳ（ｆ２）の送信回路ＴＸとｆ
１又はｆ２の受信回路ＲＸを切り換えるものである。第
１のスイッチ回路ＳＷ１はダイオードと伝送線路を主要
素子とし、ダイオード２０２のカソードは入出力端子１
０に接続され、アノードはｆ１、ｆ２共用の送信系端子
ＴＸにコンデンサ３０３を介して接続され、またコンデ
ンサ３０４を介してアースに接続される伝送線路４０２
に接続されている。また伝送線路４０２とコンデンサ３
０４の間にダイオード制御用の電圧コントロール回路Ｖ
Ｃ２がある。アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間に伝
送線路４０１が接続され、受信側にアノードが接続され
たダイオード２０１が接続され、ダイオード２０１のカ
ソードにはアースとの間にコンデンサ３０２が接続さ
れ、ダイオード２０１とコンデンサ３０２の間にダイオ
ード制御用の電圧コントロール回路ＶＣ１が接続され、
前記ダイオード２０１のアノードとｆ１／ｆ２の各受信
回路ＲＸとの間に、前記実施例２の分波器を挿入配置し
た。前記分波器を構成する弾性表面波素子３は、絶縁基
板２に形成された凹部にフェースダウン実装され、樹脂
封止されている。そして、弾性表面波素子３の平衡出力
端にはビアホールで形成される接続線路５を介して分布
定数線路で形成されたインダクタが接続される。また、
絶縁基板２には回路素子の一部のコンデンサパターン、
分布定数線路が積層形成される。上記のように構成した
高周波スイッチモジュールは、帯域内リップル、振幅平
衡度、位相平衡度に優れた弾性表面波フィルタ で構成
した分波器を用いたので、高周波スイッチモジュールと
しても優れた特性を得ることが出来る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る平衡
出力型の弾性表面波フィルタと、該弾性表面波フィルタ
の出力に近接配置した並列インダクタとでなるバンドパ
スフィルタ回路によると、小型で高性能な弾性表面波フ
ィルタを搭載しアンテナスイッチ回路を具備したアンテ
ナスイッチ積層モジュールが提供できる。
出力型の弾性表面波フィルタと、該弾性表面波フィルタ
の出力に近接配置した並列インダクタとでなるバンドパ
スフィルタ回路によると、小型で高性能な弾性表面波フ
ィルタを搭載しアンテナスイッチ回路を具備したアンテ
ナスイッチ積層モジュールが提供できる。
【図１】 本発明の一実施例に係る弾性表面波フィルタ
の回路ブロック図である。
の回路ブロック図である。
【図２】 本発明の一実施例に係る弾性表面波フィルタ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図３】 本発明の一実施例に係る弾性表面波フィルタ
の断面図である。
の断面図である。
【図４】 本発明の他の実施例に係る弾性表面波フィル
タの断面図である。
タの断面図である。
【図５】 本発明の一実施例に係る分波器の回路ブロッ
ク図である。
ク図である。
【図６】 本発明の一実施例に係る高周波スイッチモジ
ュールの断面図である。
ュールの断面図である。
【図７】 本発明の一実施例に係る高周波スイッチモジ
ュールの等価回路図である。
ュールの等価回路図である。
【図８】 本発明の一実施例に係る弾性表面波フィルタ
の電気的特性図である。
の電気的特性図である。
【図９】 従来の弾性表面波フィルタの電気的特性図で
ある。
ある。
【図１０】 デュアルバンド携帯機のＲＦ回路ブロック
図である。
図である。
１ 弾性表面波フィルタ（高周波部品）
２ 絶縁基板
３ 弾性表面波素子
４ 並列インダクタ
５ 接続線路
フロントページの続き
(72)発明者 横内 智
鳥取県鳥取市南栄町70番地２号日立金属株
式会社鳥取工場内
(72)発明者 深町 啓介
埼玉県熊谷市三ヶ尻5200番地日立金属株式
会社先端エレクトロニクス研究所内
Ｆターム(参考） 5J097 AA12 AA15 AA29 BB11 BB15
JJ01 KK10 LL01 LL08
5K011 DA22 DA27 FA01 JA01 KA05
Claims (9)
- 【請求項１】 絶縁基板に、弾性表面波素子と、該弾性
表面波素子の平衡出力端の近傍で、かつ前記平衡出力端
間に並列に配置されたインダクタを備え、前記弾性表面
波素子と前記インダクタとを前記絶縁基板に形成した接
続線路により接続して弾性表面波フィルタとしたことを
特徴とする高周波部品。 - 【請求項２】 前記絶縁基板が、複数の誘電体層を積層
してなる積層基板であり、前記接続線路を絶縁基板の外
表面に形成、又は絶縁基板に内蔵することを特徴とする
請求項１に記載の高周波部品。 - 【請求項３】 前記インダクタを分布定数線路として前
記絶縁基板に一体的に形成する、又はチップインダクタ
として前記絶縁基板に搭載することを特徴とする請求項
１又は２に記載の高周波部品。 - 【請求項４】 前記絶縁基板は、相対向する第１および
第２の主面と当該主面間を連結する側面を備え、前記弾
性表面波素子がベアチップとして前記第１の主面、又は
第２の主面の少なくとも一方にフェースダウン実装され
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
高周波部品。 - 【請求項５】 前記弾性表面波フィルタの帯域内リップ
ルが２ｄＢ以下であることを特徴とする請求項１乃至４
の何れかに記載の高周波部品。 - 【請求項６】 通過帯域が異なる複数の弾性表面波フィ
ルタを備え、該弾性表面波フィルタは請求項１乃至５の
いずれかに記載の不平衡入力・平衡出力型弾性表面波フ
ィルタであり、不平衡端子側を接続して共通端として分
波器とすることを特徴とする高周波部品。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性
表面波フィルタと、スイッチング素子、コンデンサ及び
／又はインダクタで構成される高周波スイッチとを前記
絶縁基板に一体化して高周波スイッチモジュールとする
ことを特徴とする高周波部品。 - 【請求項８】 前記高周波スイッチは、入力端が一つで
出力端が二つのＳＰＤＴ型のスイッチであり、前記出力
端の少なくとも一つに請求項１乃至５のいずれかに記載
の弾性表面波フィルタを接続することを特徴とする請求
項８に記載の高周波部品。 - 【請求項９】 前記高周波スイッチは、送信回路とアン
テナの間に配置された第1のスイッチング素子と、当該
第1のスイッチング素子の送信回路側を接地する第1の分
布定数線路又はインダクタと、アンテナと受信回路との
間に配置された第２の分布定数線路と、当該第２の分布
定数線路の受信回路側を接地する第２のスイッチング素
子を具備し、前記第２の分布定数線路に請求項１乃至５
の何れかに記載の平衡出力型弾性表面波フィルタを接続
することを特徴とする請求項７又は８のいずれかに記載
の高周波部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001336057A JP3729396B2 (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | 高周波部品 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001336057A JP3729396B2 (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | 高周波部品 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142981A true JP2003142981A (ja) | 2003-05-16 |
| JP2003142981A5 JP2003142981A5 (ja) | 2005-06-02 |
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ID=19150951
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001336057A Expired - Fee Related JP3729396B2 (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | 高周波部品 |
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|---|---|
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Cited By (11)
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|---|---|---|---|---|
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| WO2006070616A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 平衡－不平衡型フィルタモジュールおよび通信装置 |
| JP2007027949A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Kyocera Corp | フィルタ装置とこれを用いたマルチバンドフィルタ、分波器及び通信装置 |
| EP1772964A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-11 | Fujitsu Ltd. | High-frequency switch circuit |
| WO2008023510A1 (fr) | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module à haute fréquence |
| DE102008016168A1 (de) | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Tdk Corp. | Hochfrequenzmodul |
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