JP2003018039A - Ｒｆ段モジュール - Google Patents
Ｒｆ段モジュールInfo
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- JP2003018039A JP2003018039A JP2002102151A JP2002102151A JP2003018039A JP 2003018039 A JP2003018039 A JP 2003018039A JP 2002102151 A JP2002102151 A JP 2002102151A JP 2002102151 A JP2002102151 A JP 2002102151A JP 2003018039 A JP2003018039 A JP 2003018039A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 部品点数を削減し、高調波の減衰特性に優
れ、かつ低消費電力の小型のＲＦ段モジュールを提供す
る。 【解決手段】 送信回路、受信回路及びアンテナとの間
に配置し、前記送信回路と前記アンテナとの接続、およ
び前記受信回路と前記アンテナとの接続を制御するスイ
ッチ回路と、当該スイッチ回路と前記送信回路との間に
配置する第１の平衡−不平衡回路を具備し、前記第１の
平衡−不平衡回路は第1の伝送線路と当該第1の伝送線路
と電磁結合する第２の伝送線路と第３の伝送線路を備
え、前記第1の伝送線路は一端を不平衡端に接続して他
端を接地又は開放端とし、第２の伝送線路は一端を接地
して他端を第1の平衡端に接続し、第３の伝送線路は一
端を接地して他端を第２の平衡端に接続したバルントラ
ンスを、前記第１の平衡−不平衡回路を構成するバルン
トランスの前記第２、第３の伝送線路の一端同士を接続
しコンデンサを介して接地する。
れ、かつ低消費電力の小型のＲＦ段モジュールを提供す
る。 【解決手段】 送信回路、受信回路及びアンテナとの間
に配置し、前記送信回路と前記アンテナとの接続、およ
び前記受信回路と前記アンテナとの接続を制御するスイ
ッチ回路と、当該スイッチ回路と前記送信回路との間に
配置する第１の平衡−不平衡回路を具備し、前記第１の
平衡−不平衡回路は第1の伝送線路と当該第1の伝送線路
と電磁結合する第２の伝送線路と第３の伝送線路を備
え、前記第1の伝送線路は一端を不平衡端に接続して他
端を接地又は開放端とし、第２の伝送線路は一端を接地
して他端を第1の平衡端に接続し、第３の伝送線路は一
端を接地して他端を第２の平衡端に接続したバルントラ
ンスを、前記第１の平衡−不平衡回路を構成するバルン
トランスの前記第２、第３の伝送線路の一端同士を接続
しコンデンサを介して接地する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種コンピュー
タ、その周辺装置、携帯電話などの移動体通信機に用い
られ、これを相互に接続してデータ通信を行う周波数ホ
ッピング方式使用するブルートゥース等のＲＦ回路に関
し、特に高周波スイッチ回路とその周辺回路を複合一体
化したＲＦ段モジュールに関する。
タ、その周辺装置、携帯電話などの移動体通信機に用い
られ、これを相互に接続してデータ通信を行う周波数ホ
ッピング方式使用するブルートゥース等のＲＦ回路に関
し、特に高周波スイッチ回路とその周辺回路を複合一体
化したＲＦ段モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】２．４ＧＨｚのＩＳＭ（Industrial, Sc
ientific and Medical、産業、科学及び医療）帯域は、
ＤＳＳＳ（Direct Sequence Spread Spectrumダイレ
クト・シーケンス・スペクトル拡散）、無線通信向けの
もの等のＩＥＥＥ８０２．１１規格に準拠する無線ＬＡ
Ｎ（ＷＬＡＮ）通信に利用されている。このような無線
ＬＡＮ（ＷＬＡＮ）と同じ２．４ＧＨｚのＩＳＭ帯域を
利用し、関連し合う電子機器との接続がケーブルを用い
ることなく実現でき極めて利便性の高い技術である近距
離無線規格ブルートゥース（ＢｌｕｅｔｏｏｔｈＴＭ）
が提案されている。このブルートゥースは２．４ＧＨz
の前記ＩＳＭ周波数帯を複数の無線チャンネルに分割し
て使用し、さらに各無線チャンネルを単位時間（１／１
６００秒）ごとに分割してタイムスロットとし、使用す
る無線チャンネルをタイムスロットごとに切り替える耐
ノイズ性に優れた周波数ホッピング方式が採用されてい
る。送受信の切り替えは、ＰＨＳ（PersonalHandy Phon
e System）等と同様に時分割複信（ＴＤＤ;Time Divisi
on Duplex）方式が採用され、このＴＤＤ方式は送信と
受信を同一のキャリア周波数とする方式である。
ientific and Medical、産業、科学及び医療）帯域は、
ＤＳＳＳ（Direct Sequence Spread Spectrumダイレ
クト・シーケンス・スペクトル拡散）、無線通信向けの
もの等のＩＥＥＥ８０２．１１規格に準拠する無線ＬＡ
Ｎ（ＷＬＡＮ）通信に利用されている。このような無線
ＬＡＮ（ＷＬＡＮ）と同じ２．４ＧＨｚのＩＳＭ帯域を
利用し、関連し合う電子機器との接続がケーブルを用い
ることなく実現でき極めて利便性の高い技術である近距
離無線規格ブルートゥース（ＢｌｕｅｔｏｏｔｈＴＭ）
が提案されている。このブルートゥースは２．４ＧＨz
の前記ＩＳＭ周波数帯を複数の無線チャンネルに分割し
て使用し、さらに各無線チャンネルを単位時間（１／１
６００秒）ごとに分割してタイムスロットとし、使用す
る無線チャンネルをタイムスロットごとに切り替える耐
ノイズ性に優れた周波数ホッピング方式が採用されてい
る。送受信の切り替えは、ＰＨＳ（PersonalHandy Phon
e System）等と同様に時分割複信（ＴＤＤ;Time Divisi
on Duplex）方式が採用され、このＴＤＤ方式は送信と
受信を同一のキャリア周波数とする方式である。
【０００３】もともと、ブルートゥースはその利用が同
一敷地内、同一建物内など比較的狭い地域として想定さ
れているので、電波が到達するエリアは１０ｍ程度の距
離範囲であり、送信時で３０ｍＷ、待機時では０．３ｍ
Ｗと省電力に設計されている。このようなブルートゥー
スのＲＦ回路の一例を図１に示す。このブルートゥース
のＲＦ回路は、アンテナＡＮＴの後段に高周波フィルタ
（ＦＩＬＴＥＲ）が配置され、アンテナから入放射する
高周波信号は伝送すべき送受信信号に濾波される。その
後段には送信回路ＴＸと前記アンテナＡＮＴとの接続、
及び受信回路ＲＸと前記アンテナＡＮＴとの接続を切り
替える高周波スイッチＳＷと、この高周波スイッチＳＷ
と前記送信回路間に配置される平衡−不平衡変換回路で
ある第1のバルントランスＢａｌｕｎ１と、前記高周波
スイッチと前記受信回路間に配置される第２のバルント
ランスＢａｌｕｎ２とを有する。前記高周波スイッチＳ
Ｗは、ブルートゥースの通信がＴＤＤ方式で行われるこ
と、送信時の電力が３０ｍＷと極めて省電力であること
がら、ＧａＡｓスイッチが広く用いられている。スイッ
チ回路によりアンテナと受信回路間、送信回路とアンテ
ナ間との接続が切換えられ、高周波信号はそれぞれの回
路に適宜導かれる。ＲＦＩＣのＲＦ段モジュール側の入
出力部は雑音指数をさげ、受信感度を上げるように、そ
れぞれ差動動作する様に２本の信号端子にて構成されて
いる。そして前記ＲＦＩＣの入出力インピーダンスは５
０Ω〜２００Ω程度であるため、各部品の特性インピー
ダンスが異なる場合には、インピーダンス変換回路も必
要となり、スイッチ回路とＲＦＩＣとの間には平衡‐不
平衡回路として前記バルントランスＢａｌｕｎ１，２が
配置されている。
一敷地内、同一建物内など比較的狭い地域として想定さ
れているので、電波が到達するエリアは１０ｍ程度の距
離範囲であり、送信時で３０ｍＷ、待機時では０．３ｍ
Ｗと省電力に設計されている。このようなブルートゥー
スのＲＦ回路の一例を図１に示す。このブルートゥース
のＲＦ回路は、アンテナＡＮＴの後段に高周波フィルタ
（ＦＩＬＴＥＲ）が配置され、アンテナから入放射する
高周波信号は伝送すべき送受信信号に濾波される。その
後段には送信回路ＴＸと前記アンテナＡＮＴとの接続、
及び受信回路ＲＸと前記アンテナＡＮＴとの接続を切り
替える高周波スイッチＳＷと、この高周波スイッチＳＷ
と前記送信回路間に配置される平衡−不平衡変換回路で
ある第1のバルントランスＢａｌｕｎ１と、前記高周波
スイッチと前記受信回路間に配置される第２のバルント
ランスＢａｌｕｎ２とを有する。前記高周波スイッチＳ
Ｗは、ブルートゥースの通信がＴＤＤ方式で行われるこ
と、送信時の電力が３０ｍＷと極めて省電力であること
がら、ＧａＡｓスイッチが広く用いられている。スイッ
チ回路によりアンテナと受信回路間、送信回路とアンテ
ナ間との接続が切換えられ、高周波信号はそれぞれの回
路に適宜導かれる。ＲＦＩＣのＲＦ段モジュール側の入
出力部は雑音指数をさげ、受信感度を上げるように、そ
れぞれ差動動作する様に２本の信号端子にて構成されて
いる。そして前記ＲＦＩＣの入出力インピーダンスは５
０Ω〜２００Ω程度であるため、各部品の特性インピー
ダンスが異なる場合には、インピーダンス変換回路も必
要となり、スイッチ回路とＲＦＩＣとの間には平衡‐不
平衡回路として前記バルントランスＢａｌｕｎ１，２が
配置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなＲＦ段モジ
ュールは、その無線システムのもつ利便性から、用いら
れる機器の小型軽量化されたデザイン等の市場要求に応
じて、ＲＦ段モジュールも小型軽量化が求められ、また
低価格化の要請も強い。前記ＲＦＩＣはパワーアンプ等
の高周波デバイスを含み、これを駆動するのに従来は直
流電圧供給手段からチョークコイルを介して直流電圧を
供給していた。小型軽量化の要求に対して最近のＲＦ段
モジュールにおいては、前記チョークコイルを含む回路
部品の低減が求められていた。また、ＲＦ段モジュール
が用いられる機器は、携帯電話などに複合化されるよう
になってきている。無線ＬＡＮやブルートゥースが利用
するＩＳＭ周波数帯域は、工作機械や電子レンジ等から
の放射ノイズが多い帯域であることから、無線システム
として、もともと通信方式として耐ノイズ性に優れた周
波数ホッピング方式が採用されている。しかしながら、
他の通信機器、例えばＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏ
ｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）たＤＣＳ
（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）
等の携帯電話の高周波信号がごく近傍に存在する場合に
は、その高周波信号がノイズとして作用し、前記周波数
方式であっても少なからず影響を受けてしまう。他方、
通信機器にとっても同様に、ブルートゥースの高周波信
号がノイズとして作用する。このためアンテナから放射
される帯域外の高周波信号は、ブルートゥースでは例え
ば２倍波で３０ｄＢ以上の減衰量が望まれている。しか
しながら前記スイッチ回路としてＧａＡｓスイッチを用
いる場合には、広帯域な挿入損失で帯域外の減衰量も小
さいといった特性から、アンテナトップに配置される高
周波フィルタは、その帯域外減衰量の大きなものが必要
とされるが、大きな帯域外減衰量を得ようとすれば、フ
ィルタを構成する回路素子を増やさざるを得ず、挿入損
失が劣化し、形状も大きくせざるを得ず、更なるＲＦ段
モジュールの小型化には限界があった。また無線ＬＡＮ
やブルートゥースは、携帯電話やノート型コンピュータ
のように、バッテリーで駆動させる機器において使用さ
れる場合が多い。この為更なる低消費電力化も望まれて
いるが、前記の理由から困難な状況にあった。そこで本
発明の目的は、部品点数を削減し、高調波の減衰特性に
優れ、かつた低消費電力である小型のＲＦ段モジュール
を提供することである。
ュールは、その無線システムのもつ利便性から、用いら
れる機器の小型軽量化されたデザイン等の市場要求に応
じて、ＲＦ段モジュールも小型軽量化が求められ、また
低価格化の要請も強い。前記ＲＦＩＣはパワーアンプ等
の高周波デバイスを含み、これを駆動するのに従来は直
流電圧供給手段からチョークコイルを介して直流電圧を
供給していた。小型軽量化の要求に対して最近のＲＦ段
モジュールにおいては、前記チョークコイルを含む回路
部品の低減が求められていた。また、ＲＦ段モジュール
が用いられる機器は、携帯電話などに複合化されるよう
になってきている。無線ＬＡＮやブルートゥースが利用
するＩＳＭ周波数帯域は、工作機械や電子レンジ等から
の放射ノイズが多い帯域であることから、無線システム
として、もともと通信方式として耐ノイズ性に優れた周
波数ホッピング方式が採用されている。しかしながら、
他の通信機器、例えばＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏ
ｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）たＤＣＳ
（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｅｌｌｕｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍ）
等の携帯電話の高周波信号がごく近傍に存在する場合に
は、その高周波信号がノイズとして作用し、前記周波数
方式であっても少なからず影響を受けてしまう。他方、
通信機器にとっても同様に、ブルートゥースの高周波信
号がノイズとして作用する。このためアンテナから放射
される帯域外の高周波信号は、ブルートゥースでは例え
ば２倍波で３０ｄＢ以上の減衰量が望まれている。しか
しながら前記スイッチ回路としてＧａＡｓスイッチを用
いる場合には、広帯域な挿入損失で帯域外の減衰量も小
さいといった特性から、アンテナトップに配置される高
周波フィルタは、その帯域外減衰量の大きなものが必要
とされるが、大きな帯域外減衰量を得ようとすれば、フ
ィルタを構成する回路素子を増やさざるを得ず、挿入損
失が劣化し、形状も大きくせざるを得ず、更なるＲＦ段
モジュールの小型化には限界があった。また無線ＬＡＮ
やブルートゥースは、携帯電話やノート型コンピュータ
のように、バッテリーで駆動させる機器において使用さ
れる場合が多い。この為更なる低消費電力化も望まれて
いるが、前記の理由から困難な状況にあった。そこで本
発明の目的は、部品点数を削減し、高調波の減衰特性に
優れ、かつた低消費電力である小型のＲＦ段モジュール
を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、送信回路、受
信回路及びアンテナとの間に配置され、前記送信回路と
前記アンテナとの接続、および前記受信回路と前記アン
テナとの接続を制御するスイッチ回路と、当該スイッチ
回路と前記送信回路との間に配置される第１の平衡−不
平衡回路を具備し、前記第１の平衡−不平衡回路は第1
の伝送線路と当該第1の伝送線路と電磁結合する第２の
伝送線路と第３の伝送線路を備え、前記第1の伝送線路
は一端が不平衡端に接続され他端が接地又は開放端とな
り、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第1の平衡
端に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され他端が
第２の平衡端に接続されるバルントランスであって、前
記第１の平衡−不平衡回路を構成するバルントランスの
前記第２、第３の伝送線路の一端同士が接続しコンデン
サを介して接地されるＲＦ段モジュールである。本発明
において、前記スイッチ回路と前記受信回路との間に配
置される第２の平衡−不平衡回路を具備し、前記第２の
平衡−不平衡回路は第４の伝送線路と当該第４の伝送線
路と電磁結合する第５の伝送線路と第６の伝送線路を備
え、前記第４の伝送線路は一端が不平衡端に接続され他
端が接地又は開放端となり、第５の伝送線路は一端が接
地され他端が第３の平衡端に接続され、第６の伝送線路
は一端が接地され他端が第４の平衡端に接続されるバル
ントランスとするのが好ましい。本発明のＲＦ段モジュ
ールでは、前記コンデンサのホット側から前記第２、第
３の伝送線路に直流電圧を供給し、第１及び第２の平衡
端子から直流電圧を出力するようになした。この直流電
圧により、ＲＦＩＣのパワーアンプを動作させている。
アンテナとスイッチ回路との間に、フィルタ回路を配置
するのが好ましい。さらに、送信回路からアンテナの間
に、前記送信回路からの高周波信号からの高周波信号に
含まれる他の無線通信システム周波数帯の周波数成分を
選択的に減衰させるように、インダクタとコンデンサと
の直列共振回路により減衰極を形成するのが好ましい。
そして、前記スイッチ回路と、前記第１、第２の平衡−
不平衡回路とを複数の誘電体層を積層してなる積層体に
一体化するのが好ましく、さらに誘電体アンテナを具備
し、該誘電体アンテナを前記積層体に一体化してもよ
い。
信回路及びアンテナとの間に配置され、前記送信回路と
前記アンテナとの接続、および前記受信回路と前記アン
テナとの接続を制御するスイッチ回路と、当該スイッチ
回路と前記送信回路との間に配置される第１の平衡−不
平衡回路を具備し、前記第１の平衡−不平衡回路は第1
の伝送線路と当該第1の伝送線路と電磁結合する第２の
伝送線路と第３の伝送線路を備え、前記第1の伝送線路
は一端が不平衡端に接続され他端が接地又は開放端とな
り、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第1の平衡
端に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され他端が
第２の平衡端に接続されるバルントランスであって、前
記第１の平衡−不平衡回路を構成するバルントランスの
前記第２、第３の伝送線路の一端同士が接続しコンデン
サを介して接地されるＲＦ段モジュールである。本発明
において、前記スイッチ回路と前記受信回路との間に配
置される第２の平衡−不平衡回路を具備し、前記第２の
平衡−不平衡回路は第４の伝送線路と当該第４の伝送線
路と電磁結合する第５の伝送線路と第６の伝送線路を備
え、前記第４の伝送線路は一端が不平衡端に接続され他
端が接地又は開放端となり、第５の伝送線路は一端が接
地され他端が第３の平衡端に接続され、第６の伝送線路
は一端が接地され他端が第４の平衡端に接続されるバル
ントランスとするのが好ましい。本発明のＲＦ段モジュ
ールでは、前記コンデンサのホット側から前記第２、第
３の伝送線路に直流電圧を供給し、第１及び第２の平衡
端子から直流電圧を出力するようになした。この直流電
圧により、ＲＦＩＣのパワーアンプを動作させている。
アンテナとスイッチ回路との間に、フィルタ回路を配置
するのが好ましい。さらに、送信回路からアンテナの間
に、前記送信回路からの高周波信号からの高周波信号に
含まれる他の無線通信システム周波数帯の周波数成分を
選択的に減衰させるように、インダクタとコンデンサと
の直列共振回路により減衰極を形成するのが好ましい。
そして、前記スイッチ回路と、前記第１、第２の平衡−
不平衡回路とを複数の誘電体層を積層してなる積層体に
一体化するのが好ましく、さらに誘電体アンテナを具備
し、該誘電体アンテナを前記積層体に一体化してもよ
い。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明について、以下詳細に説明
する。図１は本発明の一実施例に係るＲＦ段モジュール
の回路ブロックの一例であり、図２乃至５は前記ＲＦ段
モジュールに用いるバルントランスＢａｌｕｎ１、２の
等価回路である。このＲＦ段モジュールは、不要な高周
波信号を減衰させる高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）
と、送信信号と受信信号を切り換える高周波スイッチ
（ＳＷ）、平衡−不平衡変換回路としてのバルントラン
スＢａｌｕｎ１、Ｂａｌｕｎ２を備える。図２に送信側
に用いるバルントランスの一例を示す。送信側（ＴＸ）
のバルントランスＢａｌｕｎ１は、第1の伝送線路Ｌ１
とこの第1の伝送線路Ｌ１と電磁結合する第２の伝送線
路Ｌ２と第３の伝送線路Ｌ３を備え、前記第1の伝送線
路Ｌ１は一端が不平衡端１０１に接続され他端が接地さ
れ、第２の伝送線路Ｌ２は一端が接地され他端が第1の
平衡端１０２に接続され、第３の伝送線路Ｌ３は一端が
接地され他端が第２の平衡端１０３に接続される。前記
第１の平衡−不平衡回路を構成するバルントランスの前
記第１、第２の伝送線路の一端同士が接続してコンデン
サＣ１を介して接地されるとともに、前記コンデンサの
ホット側から第２の伝送線路Ｌ２と第３の伝送線路Ｌ３
に直流電圧を供給できるように電圧供給端Ｖｄｄが形成
されている。この電圧供給端Ｖｄｄからみて、前記第２
の伝送線路Ｌ２と前記第３の伝送線路Ｌ３はほぼ等しい
線路長を有しおり、前記電圧供給端Ｖｄｄから直流電圧
が供給されると、第２の伝送線路Ｌ２と前記第３の伝送
線路Ｌ３には、ほぼ同じ大きさの電流が逆方向に流れ、
第1の平衡端１０２と第2の平衡端１０３には略等しい直
流電圧が出力される。前記第1の平衡端１０２と第２の
平衡端１０３はＲＦＩＣの送信側出力部に接続されてお
り、電圧供給端Ｖｄｄから直流電圧を印加した場合にＲ
ＦＩＣの送信出力部の２本の平衡端子に、同時にほぼ等
しい直流電圧を印加できる。このため従来必要であった
チョークコイルを準備する必要がない。本発明のＲＦ段
モジュールによれば、従来電圧供給のために必要であっ
た複数のディスクリート部品を削減することが出来るた
め、ＲＦ段モジュールを小型かつ軽量化出来、価格も低
廉化出来る。また、前記コンデンサＣ１は第1の平衡端
１０２と第2の平衡端１０３に入力される高周波信号の
位相差を調整するように機能させることも出来る。
する。図１は本発明の一実施例に係るＲＦ段モジュール
の回路ブロックの一例であり、図２乃至５は前記ＲＦ段
モジュールに用いるバルントランスＢａｌｕｎ１、２の
等価回路である。このＲＦ段モジュールは、不要な高周
波信号を減衰させる高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）
と、送信信号と受信信号を切り換える高周波スイッチ
（ＳＷ）、平衡−不平衡変換回路としてのバルントラン
スＢａｌｕｎ１、Ｂａｌｕｎ２を備える。図２に送信側
に用いるバルントランスの一例を示す。送信側（ＴＸ）
のバルントランスＢａｌｕｎ１は、第1の伝送線路Ｌ１
とこの第1の伝送線路Ｌ１と電磁結合する第２の伝送線
路Ｌ２と第３の伝送線路Ｌ３を備え、前記第1の伝送線
路Ｌ１は一端が不平衡端１０１に接続され他端が接地さ
れ、第２の伝送線路Ｌ２は一端が接地され他端が第1の
平衡端１０２に接続され、第３の伝送線路Ｌ３は一端が
接地され他端が第２の平衡端１０３に接続される。前記
第１の平衡−不平衡回路を構成するバルントランスの前
記第１、第２の伝送線路の一端同士が接続してコンデン
サＣ１を介して接地されるとともに、前記コンデンサの
ホット側から第２の伝送線路Ｌ２と第３の伝送線路Ｌ３
に直流電圧を供給できるように電圧供給端Ｖｄｄが形成
されている。この電圧供給端Ｖｄｄからみて、前記第２
の伝送線路Ｌ２と前記第３の伝送線路Ｌ３はほぼ等しい
線路長を有しおり、前記電圧供給端Ｖｄｄから直流電圧
が供給されると、第２の伝送線路Ｌ２と前記第３の伝送
線路Ｌ３には、ほぼ同じ大きさの電流が逆方向に流れ、
第1の平衡端１０２と第2の平衡端１０３には略等しい直
流電圧が出力される。前記第1の平衡端１０２と第２の
平衡端１０３はＲＦＩＣの送信側出力部に接続されてお
り、電圧供給端Ｖｄｄから直流電圧を印加した場合にＲ
ＦＩＣの送信出力部の２本の平衡端子に、同時にほぼ等
しい直流電圧を印加できる。このため従来必要であった
チョークコイルを準備する必要がない。本発明のＲＦ段
モジュールによれば、従来電圧供給のために必要であっ
た複数のディスクリート部品を削減することが出来るた
め、ＲＦ段モジュールを小型かつ軽量化出来、価格も低
廉化出来る。また、前記コンデンサＣ１は第1の平衡端
１０２と第2の平衡端１０３に入力される高周波信号の
位相差を調整するように機能させることも出来る。
【０００７】図３はバルントランスの他の例を示す等価
回路であり、このバルントランスの場合は、前記第1の
伝送線路は一端が不平衡端に接続され他端が開放端とな
り、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第1の平衡
端に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され、他端
が第２の平衡端に接続される。この場合も前記第１の平
衡−不平衡回路を構成するバルントランスの前記第１、
第２の伝送線路の一端同士が接続しコンデンサＣ１を介
して接地されるとともに、前記コンデンサのホット側か
ら直流電圧を供給できるように電圧供給端Ｖｄｄが形成
されており、図２に開示したバルントランスと同様に第
２の伝送線路Ｌ２と前記第３の伝送線路Ｌ３には、ほぼ
同じ大きさの電流が逆方向に流れ、第1の平衡端１０２
と第2の平衡端１０３には略等しい直流電圧が出力され
る。したがって別途チョークコイルを準備する必要がな
く、従来電圧供給のために必要であった複数のディスク
リート部品を削減することが出来るため、ＲＦ段モジュ
ールを小型かつ軽量化出来、価格も低廉なものに出来
る。また、このバルントランスは図１４に示すように、
２．４ＧＨｚの２倍波帯域で減衰極をもつ。バルントラ
ンス単体でも不要な高周波信号を減衰させることがで
き、前段に配置される高周波フィルタに求められる帯域
外減衰量、特に通過帯域よりも高周波側の減衰量は、そ
れほど大きなものを用いなくてもよい。この為、高周波
フィルタを少ない回路素子で構成出来るので小型化で
き、また低挿入損失となるので低消費電力化も実現する
ことができる。それほど大きな帯域外減衰量が必要とさ
れない場合に、前記高周波フィルタとして積層ＬＣフィ
ルタ、弾性表面波フィルタを用いることができ、これら
は共に安価に構成できるので、その結果としてＲＦ段モ
ジュールも安価に提供することが出来る。
回路であり、このバルントランスの場合は、前記第1の
伝送線路は一端が不平衡端に接続され他端が開放端とな
り、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第1の平衡
端に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され、他端
が第２の平衡端に接続される。この場合も前記第１の平
衡−不平衡回路を構成するバルントランスの前記第１、
第２の伝送線路の一端同士が接続しコンデンサＣ１を介
して接地されるとともに、前記コンデンサのホット側か
ら直流電圧を供給できるように電圧供給端Ｖｄｄが形成
されており、図２に開示したバルントランスと同様に第
２の伝送線路Ｌ２と前記第３の伝送線路Ｌ３には、ほぼ
同じ大きさの電流が逆方向に流れ、第1の平衡端１０２
と第2の平衡端１０３には略等しい直流電圧が出力され
る。したがって別途チョークコイルを準備する必要がな
く、従来電圧供給のために必要であった複数のディスク
リート部品を削減することが出来るため、ＲＦ段モジュ
ールを小型かつ軽量化出来、価格も低廉なものに出来
る。また、このバルントランスは図１４に示すように、
２．４ＧＨｚの２倍波帯域で減衰極をもつ。バルントラ
ンス単体でも不要な高周波信号を減衰させることがで
き、前段に配置される高周波フィルタに求められる帯域
外減衰量、特に通過帯域よりも高周波側の減衰量は、そ
れほど大きなものを用いなくてもよい。この為、高周波
フィルタを少ない回路素子で構成出来るので小型化で
き、また低挿入損失となるので低消費電力化も実現する
ことができる。それほど大きな帯域外減衰量が必要とさ
れない場合に、前記高周波フィルタとして積層ＬＣフィ
ルタ、弾性表面波フィルタを用いることができ、これら
は共に安価に構成できるので、その結果としてＲＦ段モ
ジュールも安価に提供することが出来る。
【０００８】受信側（ＲＸ）に用いられるバルントラン
スＢａｌｕｎ２の一例を図４、５に示す。例えば図４の
バルントランスＢａｌｕｎ２は、第４の伝送線路Ｌ４と
この第４の伝送線路Ｌ４と電磁結合する第５の伝送線路
Ｌ５と第６の伝送線路Ｌ６を備え、前記第４の伝送線路
Ｌ４は一端が不平衡端１０５に接続され他端が接地さ
れ、第５の伝送線路Ｌ５は一端が接地され他端が第３の
平衡端１０６に接続され、第６の伝送線路Ｌ６は一端が
接地され他端が第４の平衡端１０７に接続される。前記
第１の平衡−不平衡回路を構成するバルントランスの前
記第５、第６の伝送線路の一端同士が接続して接地され
る。その基本的な回路構成は送信側（ＴＸ）に用いられ
るバルントランスＢａｌｕｎ１と比較し、電圧供給端Ｖ
ｄｄを有さない点以外は同じである。図５に示したバル
ントランスＢａｌｕｎ２も同様であり、その説明を省
く。
スＢａｌｕｎ２の一例を図４、５に示す。例えば図４の
バルントランスＢａｌｕｎ２は、第４の伝送線路Ｌ４と
この第４の伝送線路Ｌ４と電磁結合する第５の伝送線路
Ｌ５と第６の伝送線路Ｌ６を備え、前記第４の伝送線路
Ｌ４は一端が不平衡端１０５に接続され他端が接地さ
れ、第５の伝送線路Ｌ５は一端が接地され他端が第３の
平衡端１０６に接続され、第６の伝送線路Ｌ６は一端が
接地され他端が第４の平衡端１０７に接続される。前記
第１の平衡−不平衡回路を構成するバルントランスの前
記第５、第６の伝送線路の一端同士が接続して接地され
る。その基本的な回路構成は送信側（ＴＸ）に用いられ
るバルントランスＢａｌｕｎ１と比較し、電圧供給端Ｖ
ｄｄを有さない点以外は同じである。図５に示したバル
ントランスＢａｌｕｎ２も同様であり、その説明を省
く。
【０００９】図６、７は、図１に示すＲＦ段モジュール
を構成する高周波スイッチ（ＳＷ）の等価回路である。
例えば図６に示すダイオードスイッチは、ダイオードＤ
１、Ｄ２と、伝送線路Ｌ１０、Ｌ１１及びコンデンサＣ
１０を主要素子として構成される。また図７に示すＧａ
Ａｓスイッチは、電界効果トランジスタＦＥＴ１〜ＦＥ
Ｔ４、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ１、Ｒ２を主要素子と
して構成される。これらの高周波スイッチではＤＣカッ
ト用のコンデンサが必要に応じて配置される。
を構成する高周波スイッチ（ＳＷ）の等価回路である。
例えば図６に示すダイオードスイッチは、ダイオードＤ
１、Ｄ２と、伝送線路Ｌ１０、Ｌ１１及びコンデンサＣ
１０を主要素子として構成される。また図７に示すＧａ
Ａｓスイッチは、電界効果トランジスタＦＥＴ１〜ＦＥ
Ｔ４、コンデンサＣ１１、抵抗Ｒ１、Ｒ２を主要素子と
して構成される。これらの高周波スイッチではＤＣカッ
ト用のコンデンサが必要に応じて配置される。
【００１０】図８乃至１０は、図１に示すＲＦ段モジュ
ールを構成する高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）の等価
回路である。例えば図８の帯域通過フィルタは、コンデ
ンサＣ１００〜Ｃ１０６と、伝送線路Ｌ１００，Ｌ１０
１を主要素子として構成される。また図９示す低域通過
フィルタは、コンデンサＣ１１０〜Ｃ１１２と伝送線路
Ｌ１１０を主要素子として構成される。図１０に示す低
域通過フィルタは、コンデンサＣ１１０〜Ｃ１１２と伝
送線路Ｌ１１０、Ｌ１１１を主要素子として構成される
この低域通過フィルタは伝送線路Ｌ１１１とコンデンサ
Ｃ１１２を有し、この直列共振回路はグランドに接続さ
れる。この直列共振回路の伝送線路Ｌ１１１のインダク
タとコンデンサＣ１１２の適宜選定することにより、他
の通信機器の高周波信号を選択的に減衰することが出来
る。また、前記直列共振回路は信号経路に直列に配置さ
れていないので、本来通過させるべき高周波信号の挿入
損失特性を損なうことがない。
ールを構成する高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）の等価
回路である。例えば図８の帯域通過フィルタは、コンデ
ンサＣ１００〜Ｃ１０６と、伝送線路Ｌ１００，Ｌ１０
１を主要素子として構成される。また図９示す低域通過
フィルタは、コンデンサＣ１１０〜Ｃ１１２と伝送線路
Ｌ１１０を主要素子として構成される。図１０に示す低
域通過フィルタは、コンデンサＣ１１０〜Ｃ１１２と伝
送線路Ｌ１１０、Ｌ１１１を主要素子として構成される
この低域通過フィルタは伝送線路Ｌ１１１とコンデンサ
Ｃ１１２を有し、この直列共振回路はグランドに接続さ
れる。この直列共振回路の伝送線路Ｌ１１１のインダク
タとコンデンサＣ１１２の適宜選定することにより、他
の通信機器の高周波信号を選択的に減衰することが出来
る。また、前記直列共振回路は信号経路に直列に配置さ
れていないので、本来通過させるべき高周波信号の挿入
損失特性を損なうことがない。
【００１１】図１１乃至１３は、他の回路ブロックのＲ
Ｆ段モジュールである。例えば図１１に回路ブロックと
して示すＲＦ段モジュールは、アンテナ（ＡＮＴ）と高
周波スイッチ（ＳＷ）間に配置される高周波フィルタ
（ＦＩＬＴＥＲ）を低域通過フィルタとし、前記高周波
スイッチＳＷと受信側（ＲＸ）のバルントランスＢａｌ
ｕｎ２との間に高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）を配置
して構成される。このように構成すれば、アンテナ（Ａ
ＮＴ）と高周波スイッチ（ＳＷ）間に配置される高周波
フィルタの帯域内挿入損失を、図１に示すように前記高
周波フィルタを帯域通過フィルタのみで構成する場合よ
りも小さくすることができる、送信側（ＴＸ）の挿入損
失を図１の回路ブロックに示すＲＦ段モジュールより小
さくすることができる。また、高周波スイッチＳＷと受
信側（ＲＸ）のバルントランスＢａｌｕｎ２との間に配
置される高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）も、前記低域
通過フィルタにより、高周波フィルタに求められる帯域
外減衰量、特に通過帯域よりも高周波側の減衰量は、そ
れほど大きなものを用いなくてもよい。この為、高周波
フィルタを少ない回路素子で構成出来るので小型化で
き、そして低消費電力化も実現することができる。また
図１２に示す回路ブロックのように、高周波スイッチＳ
Ｗと送信側（ＴＸ）のバルントランスＢａｌｕｎ１との
間に高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）を配置し、これを
低域通過フィルタとしても良く、この場合には送信側
（ＴＸ）の挿入損失を図１の回路ブロックに示すＲＦ段
モジュールよりも小さくすることが出来る。図１３は、
受信側（ＲＸ）の平衡−不平衡変換回路として入力が平
衡端で、出力が平衡端の弾性表面波フィルタを用いて構
成したＲＦ段モジュールである。この場合には、平衡−
不平衡変換回路と高周波フィルタを一つの弾性表面波フ
ィルタで構成できるので、ＲＦ段モジュールを小型化す
ることが出来る。
Ｆ段モジュールである。例えば図１１に回路ブロックと
して示すＲＦ段モジュールは、アンテナ（ＡＮＴ）と高
周波スイッチ（ＳＷ）間に配置される高周波フィルタ
（ＦＩＬＴＥＲ）を低域通過フィルタとし、前記高周波
スイッチＳＷと受信側（ＲＸ）のバルントランスＢａｌ
ｕｎ２との間に高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）を配置
して構成される。このように構成すれば、アンテナ（Ａ
ＮＴ）と高周波スイッチ（ＳＷ）間に配置される高周波
フィルタの帯域内挿入損失を、図１に示すように前記高
周波フィルタを帯域通過フィルタのみで構成する場合よ
りも小さくすることができる、送信側（ＴＸ）の挿入損
失を図１の回路ブロックに示すＲＦ段モジュールより小
さくすることができる。また、高周波スイッチＳＷと受
信側（ＲＸ）のバルントランスＢａｌｕｎ２との間に配
置される高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）も、前記低域
通過フィルタにより、高周波フィルタに求められる帯域
外減衰量、特に通過帯域よりも高周波側の減衰量は、そ
れほど大きなものを用いなくてもよい。この為、高周波
フィルタを少ない回路素子で構成出来るので小型化で
き、そして低消費電力化も実現することができる。また
図１２に示す回路ブロックのように、高周波スイッチＳ
Ｗと送信側（ＴＸ）のバルントランスＢａｌｕｎ１との
間に高周波フィルタ（ＦＩＬＴＥＲ）を配置し、これを
低域通過フィルタとしても良く、この場合には送信側
（ＴＸ）の挿入損失を図１の回路ブロックに示すＲＦ段
モジュールよりも小さくすることが出来る。図１３は、
受信側（ＲＸ）の平衡−不平衡変換回路として入力が平
衡端で、出力が平衡端の弾性表面波フィルタを用いて構
成したＲＦ段モジュールである。この場合には、平衡−
不平衡変換回路と高周波フィルタを一つの弾性表面波フ
ィルタで構成できるので、ＲＦ段モジュールを小型化す
ることが出来る。
【００１２】図８に示すバンドパスフィルタをアンテナ
と高周波スイッチとの間に配置し、図６に示すダイオー
ドスイッチを前記高周波スイッチとし、送信側の平衡−
不平衡変換回路を図３に示すバルントランスとし、受信
側の平衡−不平衡変換回路を図５に示すバルントランス
として図１に示すＲＦ段モジュールを構成した。このＲ
Ｆ段モジュールは、送信時にはダイオードスイッチの制
御端子ＶＣ１に正の電圧が与えられ、ダイオードＤ１，
Ｄ２をＯＮ状態にするとともに、送信側のバルントラン
スＢａｌｕｎ１の電圧供給端Ｖｄｄから直流電圧が印加
される。また受信時にはダイオードスイッチの制御端子
ＶＣ１に０の電圧を与え、ダイオードＤ１，Ｄ２をＯＦ
Ｆ状態にするとともに、送信側のバルントランスＢａｌ
ｕｎ１の電圧供給端Ｖｄｄに直流電圧を印加しないよう
に制御される。このように制御することで、ＲＦ段モジ
ュールを省電力なものとしている。
と高周波スイッチとの間に配置し、図６に示すダイオー
ドスイッチを前記高周波スイッチとし、送信側の平衡−
不平衡変換回路を図３に示すバルントランスとし、受信
側の平衡−不平衡変換回路を図５に示すバルントランス
として図１に示すＲＦ段モジュールを構成した。このＲ
Ｆ段モジュールは、送信時にはダイオードスイッチの制
御端子ＶＣ１に正の電圧が与えられ、ダイオードＤ１，
Ｄ２をＯＮ状態にするとともに、送信側のバルントラン
スＢａｌｕｎ１の電圧供給端Ｖｄｄから直流電圧が印加
される。また受信時にはダイオードスイッチの制御端子
ＶＣ１に０の電圧を与え、ダイオードＤ１，Ｄ２をＯＦ
Ｆ状態にするとともに、送信側のバルントランスＢａｌ
ｕｎ１の電圧供給端Ｖｄｄに直流電圧を印加しないよう
に制御される。このように制御することで、ＲＦ段モジ
ュールを省電力なものとしている。
【００１３】このＲＦ段モジュールでは、前記フィル
タ、スイッチ回路、バルントランスの伝送線路やコンデ
ンサを誘電体からなる積層体に内蔵するようにし、積層
体に内蔵出来なかった受動素子や、ダイオード、ＧａＡ
ｓＦＥＴ、ＲＦＩＣ等の能動素子を前記積層体に搭載す
るように構成することで、図１５に示す小型のＲＦ段モ
ジュール２００を構成することが出来た。前記誘電体
は、例えばＡｌ２Ｏ３を主成分としＳｉＯ２、ＳｒＯ、
ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏを副成分として含
む、比誘電率が８の低温焼成が可能なセラミック誘電体
材料を用い、これをドクターブレード法などの公知のシ
ート成形方法によって、厚さが３０μｍ〜２００μｍの
グリーンシートとし、そのグリーンシート上にＡｇやＣ
ｕ等の導電ペーストを印刷して高周波フィルタやバルン
トランス、高周波スイッチを構成する伝送線路、コンデ
ンサやグランド電極を構成する電極パターンを形成し、
それを適宜積層し、一体焼成して構成される。さらに、
前記積層体に誘電体アンテナを積層して構成するなどし
て一体的に構成することも出来るし、面実装タイプの誘
電体アンテナを前記積層体に実装してもよい。また、前
記積層体をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術を
用いて、誘電体をＡｌ２Ｏ３とし伝送線路等をタングス
テンやモリブデンとして構成してもよいし、基板に回路
素子を実装して構成することも出来る。
タ、スイッチ回路、バルントランスの伝送線路やコンデ
ンサを誘電体からなる積層体に内蔵するようにし、積層
体に内蔵出来なかった受動素子や、ダイオード、ＧａＡ
ｓＦＥＴ、ＲＦＩＣ等の能動素子を前記積層体に搭載す
るように構成することで、図１５に示す小型のＲＦ段モ
ジュール２００を構成することが出来た。前記誘電体
は、例えばＡｌ２Ｏ３を主成分としＳｉＯ２、ＳｒＯ、
ＣａＯ、ＰｂＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏを副成分として含
む、比誘電率が８の低温焼成が可能なセラミック誘電体
材料を用い、これをドクターブレード法などの公知のシ
ート成形方法によって、厚さが３０μｍ〜２００μｍの
グリーンシートとし、そのグリーンシート上にＡｇやＣ
ｕ等の導電ペーストを印刷して高周波フィルタやバルン
トランス、高周波スイッチを構成する伝送線路、コンデ
ンサやグランド電極を構成する電極パターンを形成し、
それを適宜積層し、一体焼成して構成される。さらに、
前記積層体に誘電体アンテナを積層して構成するなどし
て一体的に構成することも出来るし、面実装タイプの誘
電体アンテナを前記積層体に実装してもよい。また、前
記積層体をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術を
用いて、誘電体をＡｌ２Ｏ３とし伝送線路等をタングス
テンやモリブデンとして構成してもよいし、基板に回路
素子を実装して構成することも出来る。
【００１４】本発明のジュールとしては、上述したよう
な様々な回路ブロックのＲＦ段モジュールがあるが、前
記の如く、前記電圧供給端Ｖｄｄから直流電圧を供給
し、第２の伝送線路Ｌ２と前記第３の伝送線路Ｌ３に、
ほぼ同じ大きさの電流が逆方向に流れるようにし、第1
の平衡端１０２と第2の平衡端１０３には略等しい直流
電圧が出力するように構成してあれば本発明の範囲内と
いえる。
な様々な回路ブロックのＲＦ段モジュールがあるが、前
記の如く、前記電圧供給端Ｖｄｄから直流電圧を供給
し、第２の伝送線路Ｌ２と前記第３の伝送線路Ｌ３に、
ほぼ同じ大きさの電流が逆方向に流れるようにし、第1
の平衡端１０２と第2の平衡端１０３には略等しい直流
電圧が出力するように構成してあれば本発明の範囲内と
いえる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、部品点数を削減し、高
調波の減衰特性に優れ、かつ低消費電力の小型のＲＦ段
モジュールを提供することが出来る。
調波の減衰特性に優れ、かつ低消費電力の小型のＲＦ段
モジュールを提供することが出来る。
【図１】 本発明の一実施例に係るＲＦ段モジュールの
回路ブロック図である。
回路ブロック図である。
【図２】 本発明のＲＦ段モジュールの送信側に用いる
バルントランスの一例を示す等価回路図である。
バルントランスの一例を示す等価回路図である。
【図３】 本発明のＲＦ段モジュールの送信側に用いる
バルントランスの他の例を示す等価回路図である。
バルントランスの他の例を示す等価回路図である。
【図４】 本発明のＲＦ段モジュールの受信側に用いる
バルントランスの一例を示す等価回路図である。
バルントランスの一例を示す等価回路図である。
【図５】 本発明のＲＦ段モジュールの受信側に用いる
バルントランスの他の例を示す等価回路図である。
バルントランスの他の例を示す等価回路図である。
【図６】 本発明のＲＦ段モジュールに用いる高周波ス
イッチの一例を示す等価回路図である。
イッチの一例を示す等価回路図である。
【図７】 本発明のＲＦ段モジュールに用いる高周波ス
イッチの他の例を示す等価回路図である。
イッチの他の例を示す等価回路図である。
【図８】 本発明のＲＦ段モジュールに用いる高周波フ
ィルタの一例を示す等価回路図である。
ィルタの一例を示す等価回路図である。
【図９】 本発明のＲＦ段モジュールに用いる高周波フ
ィルタの他の例を示す等価回路図である。
ィルタの他の例を示す等価回路図である。
【図１０】 本発明のＲＦ段モジュールに用いる高周波
フィルタの他の例を示す等価回路図である。
フィルタの他の例を示す等価回路図である。
【図１１】 本発明の他の実施例に係るＲＦ段モジュー
ルの回路ブロック図である。
ルの回路ブロック図である。
【図１２】 本発明の他の実施例に係るＲＦ段モジュー
ルの回路ブロック図である。
ルの回路ブロック図である。
【図１３】 本発明の他の実施例に係るＲＦ段モジュー
ルの回路ブロック図である。
ルの回路ブロック図である。
【図１４】 本発明のＲＦ段モジュールに用いるバルン
トランスの挿入損失特性の一例を示す特性図である。
トランスの挿入損失特性の一例を示す特性図である。
【図１５】 本発明の一実施例に係るＲＦ段モジュール
の斜視図である。
の斜視図である。
Ｌ１ 第1の伝送線路
Ｌ２ 第２の伝送線路
Ｌ３ 第３の伝送線路
Ｃ１ コンデンサ
１０１ 不平衡端
１０２ 第1の平衡端
１０３ 第２の平衡端
Ｖｄｄ 電圧供給端
Claims (7)
- 【請求項１】 送信回路、受信回路及びアンテナとの間
に配置され、前記送信回路と前記アンテナとの接続、お
よび前記受信回路と前記アンテナとの接続を制御するス
イッチ回路と、当該スイッチ回路と前記送信回路との間
に配置される第１の平衡−不平衡回路を具備し、前記第
１の平衡−不平衡回路は第1の伝送線路と当該第1の伝送
線路と電磁結合する第２の伝送線路と第３の伝送線路を
備え、前記第1の伝送線路は一端が不平衡端に接続され
他端が接地又は開放端となり、第２の伝送線路は一端が
接地され他端が第1の平衡端に接続され、第３の伝送線
路は一端が接地され他端が第２の平衡端に接続されるバ
ルントランスであって、前記第１の平衡−不平衡回路を
構成するバルントランスの前記第２、第３の伝送線路の
一端同士が接続しコンデンサを介して接地されることを
特徴とするＲＦ段モジュール。 - 【請求項２】 前記スイッチ回路と前記受信回路との間
に配置される第２の平衡−不平衡回路を具備し、前記第
２の平衡−不平衡回路は第４の伝送線路と当該第４の伝
送線路と電磁結合する第５の伝送線路と第６の伝送線路
を備え、前記第４の伝送線路は一端が不平衡端に接続さ
れ他端が接地又は開放端となり、第５の伝送線路は一端
が接地され他端が第３の平衡端に接続され、第６の伝送
線路は一端が接地され他端が第４の平衡端に接続される
バルントランスであることを特徴とする請求項１に記載
のＲＦ段モジュール。 - 【請求項３】 前記コンデンサのホット側から前記第
２、第３の伝送線路に直流電圧を供給し、第１及び第２
の平衡端子から直流電圧を出力するようになしたことを
特徴とする請求項１又は２に記載のＲＦ段モジュール。 - 【請求項４】 アンテナとスイッチ回路との間に、フィ
ルタ回路を有することを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれかに記載のＲＦ段モジュール。 - 【請求項５】 送信回路からアンテナの間に、前記送信
回路からの高周波信号からの高周波信号に含まれる他の
無線通信システム周波数帯の周波数成分を選択的に減衰
させる手段を有し、前記手段がインダクタとコンデンサ
との直列共振回路による減衰極の形成であることを特徴
とする請求項４に記載のＲＦ段モジュール。 - 【請求項６】 前記スイッチ回路と、前記第１、第２の
平衡−不平衡回路とを複数の誘電体層を積層してなる積
層体に一体化することを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれかに記載のＲＦ段モジュール。 - 【請求項７】 誘電体アンテナを具備し、該誘電体アン
テナを前記積層体に一体化することを特徴とする請求項
６に記載のＲＦ段モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002102151A JP3758157B2 (ja) | 2001-04-04 | 2002-04-04 | Ｒｆ段モジュール |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-105378 | 2001-04-04 | ||
| JP2001105378 | 2001-04-04 | ||
| JP2002102151A JP3758157B2 (ja) | 2001-04-04 | 2002-04-04 | Ｒｆ段モジュール |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005260713A Division JP4143976B2 (ja) | 2001-04-04 | 2005-09-08 | モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003018039A true JP2003018039A (ja) | 2003-01-17 |
| JP3758157B2 JP3758157B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=26613054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002102151A Expired - Fee Related JP3758157B2 (ja) | 2001-04-04 | 2002-04-04 | Ｒｆ段モジュール |
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|---|---|
| JP (1) | JP3758157B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079856A1 (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Sony Corporation | バラン |
| JP2005184245A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 結合装置及び高周波モジュール |
| JP2005184244A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 結合装置及び高周波モジュール |
| JP2005333012A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Hitachi Metals Ltd | 積層型バラントランス及びそれを用いた高周波スイッチモジュール |
| JP2005333011A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Hitachi Metals Ltd | 積層型バラントランス及びそれを用いた高周波スイッチモジュール |
| JP2005348054A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Murata Mfg Co Ltd | 平衡型クロック信号出力回路およびこれを用いた高周波発振器 |
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