JP2002541159A - 複素環式５員環を含む液晶アルケニル化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 式Ｉ 【化１】 ［式中、ＲＪは、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ＣＨ＝ＣＨＣ_ｍＨ_２ｍＺ_１であり、ｎは１〜５であってよく、ｍは０〜５であってよく、ｑは０、１又は２であってよく、Ａ_１、Ａ_２は、独立に、２，５−二置換フラン、２，５−二置換チオフェン、２，５−二置換オキサゾール、２，５−二置換チアゾール、２，５−二置換１，３，４−オキサジアゾール、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾール、１，４−二置換ベンゼン、２，５−二置換ピリミジン、２，５−二置換ピリジン、２，６−二置換ナフタレン、側置換した１，４−二置換ベンゼン、側置換した２，５−二置換ピリミジン、側置換した２，５−二置換ピリジン、側置換した２，６−二置換ナフタレン（但し、側置換基は、独立に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＣＮから選択され、利用可能な置換位置の何れに存在してもよい）から選択され、Ａ_３は、２，５−二置換フラン、２，５−二置換チオフェン、２，５−二置換オキサゾール、２，５−二置換チアゾール、２，５−二置換１，３，４−オキサジアゾール、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾール、１，４−二置換ベンゼン、２，５−二置換ピリミジン、２，５−二置換ピリジン、２，６−二置換ナフタレン、側置換した１，４−二置換ベンゼン、側置換した２，５−二置換ピリミジン、側置換した２，５−二置換ピリジン、側置換した２，６−二置換ナフタレン（但し、側置換基は、独立に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＣＮから選択され、利用可能な置換位置の何れに存在してもよい）、１，４−二置換ビシクロ（２．２．２）オクタン、トランス−１，４−二置換シクロヘキサン、トランス−２，５−二置換ジオキサン、１，４−二置換ピペリジンであってよく、Ｚ_１は、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣであってよく、Ｚ_２、Ｚ_３は、独立に、直接結合、ＣＯＯ、ＯＯＣ、Ｃ _２Ｈ_４、ＣＨ_２Ｏ、ＯＣＨ_２、Ｃ_４Ｈ_８、Ｃ_３Ｈ_６Ｏ、（Ｅ）−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_４、（Ｚ）−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２、（Ｅ）−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｏ、−Ｃ≡Ｃ−から選択され、Ｒは、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルケニルオキシ、アルカノイルオキシ、アルケノイルオキシ又はＯＣ_ｐＦ_２ｐ＋１であってよく、Ｒは１〜２０個の炭素原子を含んでよく、そして分枝鎖又は直鎖であってよく、ｐは１〜２０であり、但し、Ｚ_１がＯであり、ｍが１、３又は５であるとき、ＲＪ中の炭素−炭素二重結合立体配置はＥであり、そしてＺ_１がＯであり、ｍが２又は４であるとき、ＲＪ中の炭素−炭素二重結合立体配置はＺであり、そしてＺ_１がＣＯＯ又はＯＯＣであり、ｍが０、２又は４であるとき、ＲＪ中の炭素−炭素二重結合立体配置はＥであり、そしてＺ_１がＣＯＯ又はＯＯＣであり、ｍが１、３又は５であるとき、ＲＪ中の炭素−炭素二重結合立体配置はＺである］の化合物が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、新規な化合物を記載する。特に、本発明は、液晶混合物で及び液晶
ディスプレイ（ＬＣＤ）で又はとりわけ、ネマチック液晶若しくはキラルネマチ
ック液晶混合物を利用するサーモグラフィーに関する応用で使用するための化合
物を記載する。

【０００２】 マルチプレックスドねじれネマチックＴＮ−ＬＣＤ、超ねじれネマチックＳＴ
Ｎ−ＬＣＤ、超複屈折ＳＢＥ−ＬＣＤ、電圧制御複屈折ＥＣＢ−ＬＣＤ又は撓電
ＬＣＤのようなＬＣＤは、現在、コンピュータモニター、ラップトップ又はノー
トブックコンピュータ、携帯電話、ビデオ電話、パーソナルデジタルアシスタン
ト等々用に使用されているか又は開発されている。このようなディスプレイの、
光学的、電気的及び時間的性能、例えば、コントラスト、しきい及び駆動電圧並
びに応答時間は、決定的に、弾性定数（ｋ_３３、ｋ_２２、ｋ_１１）とセルギャッ
プとの比、ｄに依存している。更に、撓電ＬＣＤは、また、撓電係数の有利な比
を有するネマチック混合物を必要とする。ネマチック混合物の撓電係数を増加さ
せるために、大きなバナナ形状の分子が見出された（１９９８年、第５７頁、Ｐ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ Ｆｒｅｉｂｕｒｇｅｒ Ａｒｂｅｉｔｓｔａｇｕｎｇ
Ｆｌ ｓｓｉｇｋｒｉｓｔａｌｌｅ、Ｆｒｅｉｂｕｒｇ、ドイツ）。しかしなが
ら、その強く非線形の形状並びに芳香族環及び共役結合基の大きな数のために、
これらは非常に粘稠であり比較的不溶性である。これらはまた、高い融点及び異
常なスメクチック相を示し、ネマチック相とのそれらの混和性を制限する。ＳＴ
Ｎ−ＬＣＤのような複雑な高情報含有量ＬＣＤ用に現在市販されているネマチッ
ク混合物には、短い応答時間、高いマルチプレックス速度及び低い駆動電圧のた
めに必要な弾性定数比を作るために、シクロヘキサン環に直接結合した末端アル
ケニル鎖を有するトランス−１，４−二置換シクロヘキシル誘導体が組み込まれ
ている（即ち、炭素−炭素二重結合が組み込まれている）。このような物質は、
価格が高く、１，４−二置換シクロヘキサン環のトランス立体配置の必要性及び
このトランス−１，４−二置換シクロヘキシル中間体から段階的に炭素−炭素二
重結合を合成する必要性のために、合成することが困難である。炭素−炭素二重
結合が両方の炭素原子で置換されている場合、弾性定数の有利な組合せを示し、
許容できるように高いネマチック−等方転移温度（Ｎ−Ｉ）を有するために、こ
れはトランス（Ｅ）立体配置を有しなくてはならない。次いで、トランス立体配
置は、一般的に、先行するウィッティッヒ反応によって生じたシス（Ｚ）形の異
性化によって製造される。これらの物質は、飽和シクロヘキサン環が存在するた
めに、複屈折（Δｎ）の低い又は中間の値を示す。比ｄ、ΔｎがＴＮ−ＬＣＤの
光学特性を決定し、第一又は第二極小に於いてＬＣＤを駆動するために固定され
るので、Δｎのより高い値によって、より小さいセルギャップが可能になること
が明らかである。ＴＮ−ＬＣＤの応答時間、ｔ_ｏｎは、ｄ^２に逆比例するので、
より小さいセルギャップは、ｔ_ｏｎに劇的な影響を有する。ｔ_ｏｎの低い値は、
また、より短いフレーム時間のためにカラー又はカラーのより多い陰（ｍｏｒｅ
ｓｈａｄｅｓ ｏｆ ｃｏｌｏｕｒ）の使用を可能にする。応答時間ｔ_ｏｎ及
び特にｔ_ｏｆｆは、また、ネマチック混合物の粘度の大きさに強く依存するので
、低い粘度と高い複屈折との組合せが、非常に有利であろう。更に、アクティブ
アドレッシングのためのバックプレートとして薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使
用するＴＮ−ＬＣＤは、誘電破壊及び劣ったディスプレイ性能を回避するために
、正誘電異方性（Δ_Ｅ）及び非常に高い抵抗率（保持比≧９８％）を有するネマ
チック液晶混合物を必要とする。末端シアノ基を有する標準的ネマチック液晶は
、これらは、ある程度、配向層及び電極中に存在するイオンを溶媒和するそれら
の能力のために、低い抵抗率値に至るので、ＴＮ−ＴＦＴ−ＬＣＤのために不適
当であることが示された。これによって、末端トリフルオロメトキシ（ＤＥ第３
７３２２８４ Ａ１号）、ジフルオロメチル（ＷＯ第９０／０１０５６号）若し
くはフッ素末端基（ＪＰ第２−２３３６２６号、ＥＰＡ第０ ５６８ ０４０
Ａ１号、ＥＰＡ第０ ５６３ ９８１ Ａ２号）及び／又は数個の側フルオロ置
換基を有する「過フッ素化」ネマチック液晶の広範囲の使用に至った。しかし、
これは一般的に、二環化合物について低いネマチック−等方転移温度（Ｎ−Ｉ）
になる。これは、ネマチック混合物について高粘度になる三環化合物の不均化使
用を必要とする。それで、高い複屈折、低い粘度、弾性定数と撓電係数との有利
な比並びにＮ−Ｉの比較的高い値及び低い融点の、合成的に容易に利用できるネ
マチック液晶についての必要性が存在する。

【０００３】 ５員複素環式環を有する液晶は公知であり（ＤＥ第３３４６１７５号、ＥＰ第
０ ４６１ ６２０号）、例えば、Ｗｉｓｓ．Ｚ．Ｕｎｉｖ．ＨａｌｌｅＸＸＩ
Ｘ’８０ Ｍ，Ｈ．３、第３５−５５頁で概説されている。これらは一般的に、
スメクチック相形成のための強い傾向によって特徴付けられる（Ｍｏｌ．Ｃｒｙ
ｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、（１９９０年）、第１９１巻、第２２３頁）。２
，５−二置換フラン又は、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾールのような
５員複素環式環を含む二環アルキルベンゾアートが知られている（ＥＰ第０ ４
６１ ６２０号、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、（１９９０年）
、第１９１巻、第２２３頁）。しかしながら、これらは中間相ではないか又はス
メクチック相を示す。炭素−炭素二重結合を有する液晶も公知であり（米国特許
第４，６７６，６０４号、米国特許第４，６２１，９０１号、ＥＰＡ第０１９５
９７４号、ＥＰＡ第０３１５０１４号、ＥＰＡ第０３５５５５２号）、例えば、
Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、（１９９６年）、第２０巻、第４９３頁で概説されてい
る。５員複素環式環を含むアルケニル化合物は開示されていない。上記の応用の
全てのために、強調されている特性の全てを示すことは、単一の化合物について
普通のことではなく、通常、一緒に混合したとき所望の相及び必要な特性を誘導
する、化合物の混合物が使用される。

【０００４】 本発明は、分子の末端基の中の炭素−炭素二重結合と組み合わせて、液晶分子
のコア内に５員複素環式環を含有させることによって、前記の問題点の幾らかを
克服又は軽減しようとしている。

【０００５】 本発明に従って、式Ｉの化合物が提供される。

【０００６】

【化３】 （式中、ＲＪは、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ＣＨ＝ＣＨＣ_ｍＨ_２ｍＺ_１であり、 ｎは１〜５であってよく、 ｍは０〜５であってよく、 ｑは０、１又は２であってよく、 Ａ_１、Ａ_２は、独立に、２，５−二置換フラン、２，５−二置換チオフェン、
２，５−二置換オキサゾール、２，５−二置換チアゾール、２，５−二置換１，
３，４−オキサジアゾール、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾール、１，
４−二置換ベンゼン、２，５−二置換ピリミジン、２，５−二置換ピリジン、２
，６−二置換ナフタレン、側置換した（ｌａｔｅｒａｌｌｙ ｓｕｂｓｔｉｔｕ
ｔｅｄ）１，４−二置換ベンゼン、側置換した２，５−二置換ピリミジン、側置
換した２，５−二置換ピリジン、側置換した２，６−二置換ナフタレン（但し、
側置換基は、独立に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＣＮから選択され、利用可能な置換位
置の何れに存在してもよい）から選択され、 Ａ_３は、２，５−二置換フラン、２，５−二置換チオフェン、２，５−二置換
オキサゾール、２，５−二置換チアゾール、２，５−二置換１，３，４−オキサ
ジアゾール、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾール、１，４−二置換ベン
ゼン、２，５−二置換ピリミジン、２，５−二置換ピリジン、２，６−二置換ナ
フタレン、側置換した１，４−二置換ベンゼン、側置換した２，５−二置換ピリ
ミジン、側置換した２，５−二置換ピリジン、側置換した２，６−二置換ナフタ
レン（但し、側置換基は、独立に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＣＮから選択され、利用
可能な置換位置の何れに存在してもよい）、１，４−二置換ビシクロ（２．２．
２）オクタン、トランス−１，４−二置換シクロヘキサン、トランス−２，５−
二置換ジオキサン、１，４−二置換ピペリジンであってよく、 Ｚ_１は、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣであってよく、 Ｚ_２、Ｚ_３は、独立に、直接結合、ＣＯＯ、ＯＯＣ、Ｃ_２Ｈ_４、ＣＨ_２Ｏ、Ｏ
ＣＨ_２、Ｃ_４Ｈ_８、Ｃ_３Ｈ_６Ｏ、（Ｅ）−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_４、（Ｚ）−ＣＨ_２ ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２、（Ｅ）−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｏ、−Ｃ≡Ｃ−から選択され、 Ｒは、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルケニルオキシ、アルカノイル
オキシ、アルケノイルオキシ又はＯＣ_ｐＦ_２ｐ＋１であってよく、Ｒは１〜２０
個の炭素原子を含んでよく、そして分枝鎖又は直鎖であってよく、 ｐは１〜２０であり、 但し、Ｚ_１がＯであり、ｍが１、３又は５であるとき、ＲＪ中の炭素−炭素二
重結合立体配置はＥであり、そして Ｚ_１がＯであり、ｍが２又は４であるとき、ＲＪ中の炭素−炭素二重結合立体
配置はＺであり、そして Ｚ_１がＣＯＯ又はＯＯＣであり、ｍが０、２又は４であるとき、ＲＪ中の炭素
−炭素二重結合立体配置はＥであり、そして Ｚ_１がＣＯＯ又はＯＯＣであり、ｍが１、３又は５であるとき、ＲＪ中の炭素
−炭素二重結合立体配置はＺである）。

【０００７】 構造及びその他の好ましいものは、とりわけ、望ましい液晶特性、特に、ネマ
チック相に於ける誘電定数と高い抵抗率との有利な組合せ、ネマチック−等方液
体転移温度及び市販の出発物質からの容易な合成を基準にして下記に表され、こ
れらの幾つかは、既に、所望の立体配置及び位置で少なくとも１個の炭素−炭素
二重結合を含んでいてよい。

【０００８】 好ましくは、ｎは１〜３である。 好ましくは、ｍは０〜３である。 好ましくは、ｎ＋ｍは≦６である。 好ましくは、ｐは３〜７である。 好ましくは、ｑは０又は１であり、ｑが０であるとき、Ａ_１及びＡ_３は共に芳
香族である。 好ましくは、Ａ_１は５員複素環式環である。 好ましくは、Ａ_２は１，４−二置換ベンゼンである。 好ましくは、Ｚ_１はＯ又はＣＯＯである。 好ましくは、Ｚ_２及びＺ_３は直接結合である。

【０００９】 式Ｉについての全体の好ましい構造は、下記に列挙するものである。

【００１０】

【化４】

【００１１】 好ましくは、ｑは０又は１であり、ｑが０であるとき、Ａ_３は芳香族である。 好ましくは、Ａ_１、Ａ_２は、２，５−二置換フラン、２，５−二置換チオフェ
ン、２，５−二置換オキサゾール、２，５−二置換チアゾール、２，５−二置換
１，３，４−オキサジアゾール、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾール、
１，４−二置換ベンゼンである。 好ましくは、Ｚ_１はＯ、ＣＯＯである。 好ましくは、Ｚ_２及びＺ_３は直接結合又は−Ｃ≡Ｃ−である。 好ましくは、Ｒは、アルキル、アルコキシ、アルケニル又はアルケニルオキシ
であり、１〜７個の炭素原子を有する。

【００１２】 式Ｉについての特に好ましい構造は、下記に列挙するものである。

【００１３】

【化５】 （式中、Ｒは、アルキル、アルコキシ、アルケニル又はアルケニルオキシであ
り、１〜７個の炭素原子を含有する）

【００１４】 本発明の別の面に従って、液晶混合物は少なくとも１種の式Ｉの化合物を含む
。

【００１５】 本発明の別の面に従って、デバイスは、それぞれ電極構造物を有し、少なくと
も１個の対面表面上で配向層により処理され、液晶物質の層がセル壁の間に取り
囲まれている、２個の間隔を空けた壁を含み、それが式Ｉの化合物を含むことを
特徴とする。

【００１６】 このデバイスには、パッシブデバイス及びアクティブデバイスの両方が含ま
れ、ねじれネマチック（ＴＮ）又は超ねじれネマチック（ＳＴＮ）デバイスであ
ってよい。

【００１７】 本発明の別の面に従って、双安定ネマチック液晶デバイスには、 液晶物質の層を取り囲む２個のセル壁； 両方の壁上の電極構造物； 液晶分子に配向を与える、両方のセル壁の対面表面上の表面配向； 液晶物質のスイッチした状態の間を区別するための手段； 液晶分子が、同じアジマス面内で２個の異なったプレティルト角を採択するこ
とを可能にする、少なくとも１個のセル壁上の表面配向格子； ２種の安定な液晶分子立体配置が、電極に適切な電気信号が印加された後に存
在し得るような配列； が含まれ、液晶物質の層に式Ｉの物質が含まれる。

【００１８】 格子は、対称又は非対称グルーブプロフィールを有することができる。

【００１９】 格子は、９０°より小さい、例えば、５０°〜９０°のプレティルトを誘導す
る非対称グルーブプロフィールを有することができる。非対称プロフィールは、

【００２０】

【数１】 （ｘの全ての値について、Ψは表面を記載する関数である） であるようなｈの値が存在する表面として定義することができる。

【００２１】 格子は、両方のセル壁に適用することができ、各壁に於いて同じ形状又は異な
った形状であってよい。更に、格子プロフィールは、各画素領域内で及び／又は
電極の間の画素間間隙内で変化することができる。片方又は両方のセル壁は、レ
テシン（ｌｅｔｈｅｃｉｎ）のような界面活性剤で被覆することができる。

【００２２】 液晶物質は、一方又は両方の安定な分子立体配置でねじれていなくてもよい。

【００２３】 セル壁は、ガラスのような比較的厚い非可撓性材料から形成することができ又
は片方又は両方のセル壁は、ガラスの薄い層のような可撓性材料若しくは可撓性
プラスチック材料、例えば、ポリオレフィン若しくはポリプロピレンから形成す
ることができる。プラスチックセル壁には、その内側表面にエンボス加工を施し
て、格子を設けることができる。更に、エンボス加工によって、セル壁の正しい
間隔形成の際に助けになるための及びまたセルが曲がったとき液晶物質流動に対
するバリヤーのための小さい支柱（例えば、１〜３μｍの高さ及び５〜５０μｍ
以上の幅）を与えることができる。また、この支柱は、配向層の物質によって形
成することができる。

【００２４】 格子は、写真平板法によって形成された光重合体のプロフィール化層であって
もよい。例えば、Ｍ Ｃ Ｈｕｔｌｅｙ著、回折格子（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ
Ｇｒａｔｉｎｇｓ）（アカデミック・プレス（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ
）、ロンドン、１９８２年刊）、第９５−１２５頁及びＦ Ｈｏｒｎ、Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ Ｗｏｒｌｄ、第３３頁（１９９３年３月）。また、二格子をエンボス加
工；Ｍ Ｔ Ｇａｌｅ、Ｊ Ｋａｎｅ及びＫ Ｋｎｏｐ、Ｊ．Ａｐｐ．Ｐｈｏｔ
ｏ Ｅｎｇ．、４，２，４１（１９７８年）若しくはルーリング（ｒｕｌｉｎｇ
）；Ｅ Ｇ Ｌｏｅｗｅｎ及びＲ Ｓ Ｗｉｌｅｙ、Ｐｒｏｃ ＳＰＩＥ、８８
（１９８７年）により又はキャリヤー層からの転写により形成することができる
。

【００２５】 電極は、一連の行及び列電極並びにアドレス可能要素又はディスプレイ画素の
ｘ、ｙマトリックスとして形成することができる。典型的に、電極は、２０μｍ
離れた間隔で２００μｍ幅である。

【００２６】 また、電極は、他のディスプレイフォーマット、例えば、ｒ−θマトリックス
又は７若しくは８バーディスプレイで配置することができる。

【００２７】 本発明の物質は、また、平面内スイッチングを使用するデバイスに使用するこ
とができ、これは電極が基板の１個又は２個の上に存在してよいことを意味する
。

【００２８】 式Ｉの化合物は、種々の経路によって製造することができる。典型的に、芳香
族複素環は、炭酸ナトリウム水溶液のような塩基、テトラキス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム（０）のような触媒及びテトラヒドロフラン又は１，２−
ジメトキシエタンのような適切な溶媒の存在下で、芳香族ボロン酸（ｂｏｒｏｎ
ｉｃ ａｃｉｄ）と芳香族ハロゲン化物とのスズキアリール−アリール交差カッ
プリング反応（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．、（１９９５年）第９５巻、第２４５７頁）
によって製造することができる。また、これらは、テトラキス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム（０）のような触媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド又
は１，２−ジメトキシエタンのような適切な溶媒の存在下で、アリールスタンナ
ンとハロゲン化アリールとのスチル（Ｓｔｉｌｌｅ）カップリングによって合成
することができる（Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．、（１９８６年）第９８巻、第５０
４頁）。別のアプローチは、閉環反応の使用である。例えば、２，５−二置換フ
ラン及び２，５−二置換チオフェン誘導体は、ピリジンのような適切な溶媒中で
の、１，４−二置換ブタンジオンの、それぞれオキシ塩化リン又は五硫化リンに
よる処理によって製造することができる（Ｚ．Ｃｈｅｍ．、（１９７５年）第１
５巻、第２２２頁）。２，５−二置換オキサゾール及び２，５−二置換チアゾー
ル誘導体は、ピリジンのような適切な溶媒中での、対応する４−アルコキシ−ω
−アミノ−アセトフェノン塩酸塩及び４−置換ベンゾイルクロリドから一ポット
反応で生成された、適切なＮ−ベンゾイル−ω−アミノ−アセトフェノン誘導体
の、それぞれオキシ塩化リン又は五硫化リンによる処理によって製造することが
できる（Ｊ．ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．、（１９７９年）第３２１巻、第６４３頁
）。２，５−二置換−１，３，４−オキサジアゾール及び２，５−二置換−１，
３，４−チアジアゾール誘導体は、ピリジンのような適切な溶媒中での、ビスヒ
ドラジド誘導体の、それぞれオキシ塩化リン又は五硫化リンによる処理によって
製造することができる（Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、（１９５５年）第
７７巻、第１８５０頁；Ｊ．ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．、（１９８０年）第３２２
巻、第９３３頁）。典型的に、エーテルは、トリフェニルホスフィン、アゾジカ
ルボン酸ジエチルのような脱水剤及びテトラヒドロフラン又はＮ，Ｎ′−ジメチ
ルホルムアミドのような適切な溶媒の存在下で、フェノールとアルコール又はア
ルケノールとのミツノブ反応（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、（１９８１年）第１頁）に
より製造することができる。また、これらは、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドの
ような適切な塩基及びｔｅｒｔ−ブチル−メチルエーテル又は１，２−ジメトキ
シエタンのような適切な溶媒の存在下での、第二級アルコールの、臭化アルキル
若しくはアルケニル又は適切なアルコール若しくはアルケノールのトシラートに
よるアルキル化によって合成することができる（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．、
（１９９４年）第４巻、第１６７３頁）。また、これらは、ウイリアムソンのエ
ーテル合成に於いて、炭酸カリウムのような適切な塩基及びエチルメチルケトン
又はシクロヘキサノンのような適切な溶媒の存在下での、フェノールの、臭化ア
ルキル若しくはアルケニル又は適切なアルコール若しくはアルケノールのトシラ
ートによるアルキル化によって合成することができる。１，２−二置換アセチレ
ン及びトランは、トリエチルアミンのような適切な塩基並びにテトラキス（トリ
フェニルホスフィン）パラジウム（０）及びヨウ化銅（Ｉ）又は酢酸パラジウム
（ＩＩ）及びトリオルトトルイルホスフィン配位子のような適切な金属ベースの
触媒の存在下での、一置換アセチレンの、アリール及びシクロヘキシルハライド
又はトリフラートによる金属触媒作用交差カップリング反応により製造すること
ができる（Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、（１９９０年）第１４
８巻、第１９３頁；Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、（１９９５年
）第２６０巻、第９３頁）。エステルは、４−（ジメチルアミノ）ピリジン、Ｎ
，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミドのような脱水剤及びジクロロメタン又
はＮ，Ｎ′−ジメチルホルムアミドのような適切な溶媒の存在下での、適切なフ
ェノール又は第二級アルコールの、アルカン酸又はアルケン酸によるエステル化
（Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ Ｃｈｅｍｉｅ、（１９７８年）第９０巻、第５５６頁
）により製造することができる。また、これらは、ピリジン又はトリエチルアミ
ンのような塩基及びトルエン又はジクロロメタンのような適切な溶媒の存在下で
の、適切なフェノール又は第二級アルコールの、アルカン酸又はアルケン酸クロ
リド（例えば、塩化チオニル又は塩化オキサリルの作用により、対応するアルカ
ン酸又はアルケン酸から製造される）によるエステル化により合成することがで
きる。

【００２９】 本発明を、下記の実施例及び図表を参照して、実施例のみの方法により説明す
る。

【００３０】 図１は、マトリックスマルチプレックスアドレスド（ｍａｔｒｉｘ ｍｕｌｔ
ｉｐｌｅｘ ａｄｄｒｅｓｓｅｄ）液晶ディスプレイの平面図である。 図２は、透過方式で使用される、図１のようなディスプレイの断面図である。 図３は、図２と同様であるが、反射方式で作動される。

【００３１】 下記の実施例に於いて、Ｋは結晶性状態を指し、Ｎはネマチック相を指し、Ｓ
ｍＡはスメクチックＡ相を指し、ＳｍＢはスメクチックＢ相を指し、ＳｍＣはス
メクチックＣ相を指し、そしてＳｍＸは不明確な液晶スメクチック相を指す。大
括弧［ ］内に含まれる値は、個々の化合物と市販（メルク社（Ｍｅｒｃｋ）、
ダルムスタット（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ））のネマチック混合物ＺＬＩ ３０８６
との混合物から推測したネマチック−等方転移温度である。

【００３２】 実施例１． ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）
−５−ペンチルチオフェンの製造； ジシクロヘキシルカルボジイミド（０．２ｇ）を、２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−５−ペンチルチオフェン（０．２５ｇ）、（Ｅ）−ヘキス−２−エノン
酸（０．１ｇ）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン（０．０５ｇ）及びジクロロ
メタン（２０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で添加した。この反応混
合物を一晩室温で攪拌し、濾過して無機物質を除去し、そして濾液を蒸発させた
。残渣を、溶離剤としてヘキサン／酢酸エチル（９／１ｖ／ｖ）を使用するシリ
カゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、ヘキサンから再結晶して
、０．１７ｇの２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）
−５−ペンチルチオフェン、Ｋ４７℃、［Ｎ４６℃］、Ｉを得た。

【００３３】 出発物質として必要な２−（４−ヒドロキシフェニル）−５−ペンチルチオフ
ェンは、下記のようにして製造することができた。

【００３４】 ２−ペンチルチオフェン（２５．２ｇ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド（２５．
５ｇ）及び１：１クロロホルム−酢酸混合物（１００ｃｍ^３）の溶液を、還流下
で１時間加熱した。水（１０ｃｍ^３）を添加し、得られた溶液を１０分間窒素の
雰囲気下で攪拌した。有機層を分離除去し、水層をジエチルエーテル（２×５０
ｃｍ^３）で抽出した。一緒にした有機層を食塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し
、乾燥させ（ＭｇＳＯ_４）、濾過し、次いで蒸発させた。残渣を蒸留（Ｂｐ：１
５〜２０ｍｍＨｇで１３２〜１３４℃）により精製して、３２．６ｇの２−ブロ
モ−５−ペンチルチオフェンを得た。

【００３５】 ２−ブロモ−５−ペンチルチオフェン（１０．０ｇ）、４−メトキシフェニル
ボロン酸（７．９ｇ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１５０ｃｍ^３）、２．３ｇ
のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）及びジメトキシエタ
ン（１００ｃｍ^３）の溶液を、還流下で６時間加熱した。２０％塩酸（２００ｃ
ｍ^３）を、この冷却した反応混合物に添加し、得られた混合物をジエチルエーテ
ル（５×１００ｃｍ^３）で抽出した。一緒にした有機層を、２０％塩酸（１×１
００ｃｍ^３）、食塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し、次いで乾燥させ（ＭｇＳ
Ｏ_４）、濾過し、そして蒸発させた。残渣を、溶離剤として４：１ヘキサン／ジ
クロロメタン混合物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーによ
り精製し、エタノールから再結晶して、８．７ｇの２−（４−メトキシフェニル
）−５−ペンチルチオフェン、Ｋ ５８〜６０℃、Ｉを得た。

【００３６】 三臭化ホウ素（３．２ｃｍ^３）及びジクロロメタン（３０ｃｍ^３）の溶液を、
２−（４−メトキシフェニル）−５−ペンチルチオフェン（１０．０ｇ）及びジ
クロロメタン（７０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で滴下により添加
した。この反応溶液を、一晩室温で攪拌し、そして水（１００ｃｍ^３）を添加し
た。有機層を分離除去し、水層をジクロロメタン（２×１００ｃｍ^３）で抽出し
た。一緒にした有機層を食塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し、次いで乾燥させ
（ＭｇＳＯ_４）、濾過し、そして蒸発させた。残渣を、溶離剤として４：１ヘキ
サン／ジクロロメタン混合物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフ
ィーにより精製し、ヘキサンから再結晶して、７．７ｇの２−（４−ヒドロキシ
フェニル）−５−ペンチルチオフェン、Ｋ １００〜１０２℃、Ｉを得た。

【００３７】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チオフェン、Ｋ、３７℃、Ｎ４７℃、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチオフェン、Ｋ、３２℃、［Ｎ１７℃］、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチオフェン、Ｋ、１６℃、Ｎ４２℃、Ｉ； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチオフェン、Ｋ、３８℃、Ｎ； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチオフェン、Ｋ、４４℃； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチオフェン、Ｋ、１７℃、Ｎ２９℃、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチオフェン、Ｋ、２１℃、Ｎ４２℃、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル）
−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル
）−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル
）−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル
）−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル
）−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］−３−フルオロフェニル）
−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
チオフェン、Ｋ、６６℃、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ルチオフェン、Ｋ、６４℃、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ルチオフェン、Ｋ、３７℃、［Ｎ３６℃］、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ルチオフェン、Ｋ、４４℃、Ｎ４９℃、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル）
−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル
）−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル
）−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル
）−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］−２−フルオロフェニル
）−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］−３−フルオロフェニル）
−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチル
チオフェン、Ｋ、８７℃； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチル
チオフェン、Ｋ、４３℃、Ｎ４４℃、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ブチル
チオフェン、Ｋ、３９℃、［Ｎ３７℃］、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ヘキシ
ルチオフェン、Ｋ、５７℃、［Ｎ４２℃］、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ヘプチ
ルチオフェン、Ｋ、５９℃、［Ｎ４９℃］、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−オクチ
ルチオフェン、Ｋ、６５℃、［Ｎ４７℃］、Ｉ； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−メチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−エチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ブチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ヘキシルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ヘプチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−オクチルチオフェン。

【００３８】 実施例２． ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−
５−ペンチルチオフェンの製造； トリフェニルホスフィン（０．５３ｇ）を、乾燥テトラヒドロフラン（１５ｃ
ｍ^３）中の（Ｅ）−ヘキス−２−エン−１−オール（０．２０ｇ）、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−５−ペンチルチオフェン（０．５０ｇ）、ジエチルアゾ
ジカルボキシラート（０．３５ｇ）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で少量ずつ
添加した。この反応混合物を室温で一晩攪拌した。溶媒を減圧下で除去し、粗製
生成物を、溶離剤として４：１石油エーテル（４０〜６０℃）／酢酸エチル混合
物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、続いて
エタノールから再結晶して、０．１０ｇの２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エ
ニルオキシ］フェニル）−５−ペンチルチオフェン、Ｋ、８２℃、Ｉを得た。

【００３９】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チオフェン； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチルチオ
フェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチルチオ
フェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ブチルチ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ヘキシル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ヘプチル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−オクチル
チオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−メチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−エチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ブチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ヘキシルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ヘプチルチオフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−オクチルチオフェン。

【００４０】 実施例３． ２−シアノ−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フ
ェニル）チオフェンの製造； ジシクロヘキシルカルボジイミド（０．２３ｇ）を、２−シアノ−５−（４−
ヒドロキシフェニル）チオフェン（０．２０ｇ）、（Ｅ）−ヘキス−２−エノン
酸（０．１１ｇ）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン（０．０２ｇ）及びジクロ
ロメタン（４０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で添加した。この反応
混合物を一晩室温で攪拌し、濾過して無機物質を除去し、濾液を蒸発させた。残
渣を、溶離液としてジクロロメタンを使用するシリカゲル上でのカラムクロマト
グラフィーにより精製し、エタノールから再結晶して、０．０４ｇの２−シアノ
−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）チオフェン、Ｋ８
３℃、［Ｎ８２℃］、Ｉを得た。

【００４１】 出発物質として必要な２−シアノ−５−（４−ヒドロキシフェニル）チオフェ
ンは、下記のようにして製造することができた。

【００４２】 ２−シアノチオフェン（３０．０ｇ）、無水ピリジン臭化水素塩（１００ｃｍ ^３ ）及びニトロエタン（１３．５ｇ）の溶液を、還流下で１時間窒素の雰囲気下
で加熱した。冷却した反応混合物を、クロロホルム（３００ｃｍ^３）及び０．１
Ｍ塩酸（３００ｃｍ^３）の混合物の上に注いだ。有機層を分離除去し、水層をジ
クロロメタン（２×５０ｃｍ^３）で抽出した。一緒にした有機層を食塩水（２×
１００ｃｍ^３）で洗浄し、乾燥させ（ＭｇＳＯ_４）、濾過し、次いで蒸発させた
。残渣を、溶離液として１：１ヘキサン／ジクロロメタン混合物を使用するシリ
カゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製して、１２．８ｇの２−ブロ
モ−５−シアノチオフェンを油として得た。

【００４３】 ２−ブロモ−５−シアノチオフェン（４．９ｇ）、４−メトキシフェニルボロ
ン酸（４．７ｇ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（８０ｃｍ^３）、テトラキス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．４ｇ）及びジメトキシエタン（
８０ｃｍ^３）の溶液を、還流下で窒素の雰囲気下で６時間加熱した。２０％塩酸
（２００ｃｍ^３）を添加し、得られた混合物をジエチルエーテル（５×１００ｃ
ｍ^３）で抽出した。一緒にした有機層を、２０％塩酸（１×１００ｃｍ^３）、食
塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し、次いで乾燥させ（ＭｇＳＯ_４）、濾過し、
そして蒸発させた。残渣を、溶離剤として９：１ヘキサン／酢酸エチル混合物を
使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、エタノール
から再結晶して、４．５ｇの２−シアノ−５−（４−メトキシフェニル）チオフ
ェン、Ｋ ５８〜６０℃、Ｉを得た。

【００４４】 ジクロロメタン中の三臭化ホウ素の１Ｍ溶液（５５ｃｍ^３）を、２−シアノ−
５−（４−メトキシフェニル）チオフェン（２．３ｇ）及びジクロロメタン（８
０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で滴下により添加した。この反応溶
液を、一晩攪拌し、そして水（１００ｃｍ^３）を添加した。有機層を分離除去し
、水層をジクロロメタン（２×１００ｃｍ^３）で抽出した。一緒にした有機層を
食塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し、次いで乾燥させ（ＭｇＳＯ_４）、濾過し
、そして蒸発させた。残渣を、溶離剤として９：１ヘキサン／酢酸エチル混合物
を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、エタノー
ルから再結晶して、１．４ｇの２−シアノ−５−（４−ヒドロキシフェニル）チ
オフェンを得た。

【００４５】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−シアノチ
オフェン ２−シアノ−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン； ２−シアノ−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン、Ｋ、５３℃、Ｉ； ２−シアノ−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン、Ｋ、７４℃、［Ｎ３９℃］、Ｉ； ２−シアノ−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン； ２−シアノ−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−シアノチオフェン ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］ビフェニル
−４’−オイル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］ビフェニル
−４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］ビフェニル
−４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン。

【００４６】 実施例４． ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］
フェニル）チオフェンの製造； トリフェニルホスフィン（０．９５ｇ）を、乾燥テトラヒドロフラン（４０ｃ
ｍ^３）中の（Ｅ）−ヘキス−２−エン−１−オール（０．４０ｇ）、２−シアノ
−５−（４−ヒドロキシフェニル）チオフェン（０．７１ｇ）、ジエチルアゾジ
カルボキシラート（０．６３ｇ）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で少しずつ添
加した。この反応混合物を室温で一晩攪拌した。溶媒を減圧下で除去し、粗製生
成物を、溶離剤として４：１石油エーテル（４０〜６０℃）／酢酸エチル混合物
を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、続いてエ
タノールから再結晶して、０．１９ｇの２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘキ
ス−２−エニルオキシ］フェニル）チオフェンを得た。

【００４７】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−シアノチオ
フェン ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）チ
オフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）チ
オフェン、Ｋ、５３℃、Ｉ； ２−シアノ−５−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］フェニル）チ
オフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］フェニル）チ
オフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）チ
オフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）チ
オフェン； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−シアノチオフェン ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン； ２−シアノ−５−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］ビフェニル−
４’−イル）チオフェン。

【００４８】 実施例５． ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）
−５−オクチルチアゾールの製造； ジシクロヘキシルカルボジイミド（０．２ｇ）を、２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−５−オクチルチアゾール（０．２５ｇ）、（Ｅ）−ヘキス−２−エノン
酸（０．１ｇ）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン（０．０５ｇ）及びジクロロ
メタン（２０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で添加する。この反応混
合物を一晩室温で攪拌し、濾過して無機物質を除去し、そして濾液を蒸発させる
。残渣を、溶離剤としてヘキサン／酢酸エチル（９／１ｖ／ｖ）を使用するシリ
カゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、ヘキサンから再結晶して
、０．１５ｇの２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）
−５−オクチルチアゾールを得る。

【００４９】 出発物質として必要な２−（４−ヒドロキシフェニル）−５−オクチルチアゾ
ールは、下記のようにして製造することができた。

【００５０】 ジクロロメタン中の三臭化ホウ素の１Ｍ溶液（５０ｃｍ^３）を、２−（４−エ
トキシフェニル）−５−オクチルチアゾール［Ｊ．ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．、（
１９７９年）第３２１巻、第６４３頁］（２．０ｇ）及びジクロロメタン（５０
ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で滴下により添加する。この反応溶液
を、一晩攪拌し、そして水（１００ｃｍ^３）を添加する。有機層を分離除去し、
水層をジクロロメタン（２×１００ｃｍ^３）で抽出する。一緒にした有機層を食
塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し、次いで乾燥させ（ＭｇＳＯ_４）、濾過し、
そして蒸発させる。残渣を、溶離剤として９：１ヘキサン／酢酸エチル混合物を
使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、エタノール
から再結晶して、１．０ｇの２−（４−ヒドロキシフェニル）−５−オクチルチ
アゾールを得る。

【００５１】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ブチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ヘキシ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ヘプチ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−オクチ
ルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ブチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ヘキシルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ヘプチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−オクチルチアゾール。

【００５２】 実施例６． ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−
５−オクチルチアゾールの製造； トリフェニルホスフィン（０．９５ｇ）を、乾燥テトラヒドロフラン（４０ｃ
ｍ^３）中の（Ｅ）−ヘキス−２−エン−１−オール（０．４０ｇ）、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−５−オクチルチアゾール（０．７０ｇ）、ジエチルアゾ
ジカルボキシラート（０．６０ｇ）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で少しずつ
添加する。この反応混合物を室温で一晩攪拌する。溶媒を減圧下で除去し、粗製
生成物を、溶離剤として４：１石油エーテル（４０〜６０℃）／酢酸エチル混合
物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、続いて
エタノールから再結晶して、０．１５ｇの２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エ
ニルオキシ］フェニル）−５−オクチルチアゾールを得た。

【００５３】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチルチア
ゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチルチア
ゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ブチルチ
アゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ヘキシル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ヘプチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−オクチル
チアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ブチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ヘキシルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ヘプチルチアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−オクチルチアゾール。

【００５４】 実施例７． ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）
−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾールの製造； ジシクロヘキシルカルボジイミド（０．２ｇ）を、２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール［Ｍｏｌ．Ｃｙｓｔ．Ｌｉ
ｑ．Ｃｒｙｓｔ．、（１９９０年）第１９１巻、第２２３頁］（０．２５ｇ）、
（Ｅ）−ヘキス−２−エノン酸（０．１ｇ）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン
（０．０５ｇ）及びジクロロメタン（２０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲
気下で添加する。この反応混合物を一晩室温で攪拌し、濾過して無機物質を除去
し、そして濾液を蒸発させる。残渣を、溶離剤としてヘキサン／酢酸エチル（９
／１ｖ／ｖ）を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製
し、ヘキサンから再結晶して、０．１７ｇの２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−
エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾールを得
る。

【００５５】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−プロピ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ペンチ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−メチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−エチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ブチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ヘキシ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−ヘプチ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）−５−オクチ
ル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ブチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル
）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ヘキシル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ヘプチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−オクチル−１，３，４−チアジアゾール。

【００５６】 実施例８． ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−
５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾールの製造； トリフェニルホスフィン（０．９５ｇ）を、乾燥テトラヒドロフラン（４０ｃ
ｍ^３）中の（Ｅ）−ヘキス−２−エン−１−オール（０．４０ｇ）、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール（０．７１
ｇ）、ジエチルアゾジカルボキシラート（０．６３ｇ）の溶液に、０℃で窒素の
雰囲気下で少しずつ添加する。この反応混合物を室温で一晩攪拌する。溶媒を減
圧下で除去し、粗製生成物を、溶離剤として４：１石油エーテル（４０〜６０℃
）／酢酸エチル混合物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーに
より精製し、続いてエタノールから再結晶して、０．１９ｇの２−（４−［（Ｅ
）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル−１，３，４−チア
ジアゾールを得た。

【００５７】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−プロピル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ペンチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチル−１
，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−メチル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチル−１
，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−エチル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ブチル−
１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ヘキシル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−ヘプチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−５−オクチル
−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−プロピル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ブチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）
−５−ペンチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ヘキシル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−ヘプチル−１，３，４−チアジアゾール； ２−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］ビフェニル−４’−イル）−
５−オクチル−１，３，４−チアジアゾール。

【００５８】 実施例９． ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フ
ェニル）−１，３，４−チアジアゾールの製造； ジシクロヘキシルカルボジイミド（０．４ｇ）を、２，５−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１，３，４−チアジアゾール（０．２５ｇ）、（Ｅ）−ヘキス
−２−エノン酸（０．２ｇ）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン（０．１０ｇ）
及びジクロロメタン（５０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で添加する
。この反応混合物を一晩室温で攪拌し、濾過して無機物質を除去し、そして濾液
を蒸発させる。残渣を、溶離剤としてヘキサン／酢酸エチル（９／１ｖ／ｖ）を
使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、ヘキサンか
ら再結晶して、０．１６ｇの２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイ
ルオキシ］フェニル）−１，３，４−チアジアゾールを得る。

【００５９】 出発物質として必要な２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，４
−チアゾールは、下記のようにして製造することができた。

【００６０】 ジクロロメタン中の三臭化ホウ素の１Ｍ溶液（１００ｃｍ^３）を、２，５−ビ
ス（４−メトキシフェニル）−１，３，４−チアゾール［Ｊ．ｐｒａｋｔ．Ｃｈ
ｅｍ．、（１９８０年）第３２２巻、第９３３頁］（２．０ｇ）及びジクロロメ
タン（５０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で滴下により添加する。こ
の反応溶液を、一晩攪拌し、そして水（１００ｃｍ^３）を添加する。有機層を分
離除去し、水層をジクロロメタン（２×１００ｃｍ^３）で抽出する。一緒にした
有機層を食塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し、次いで乾燥させ（ＭｇＳＯ_４）
、濾過し、そして蒸発させる。残渣を、溶離剤として９：１ヘキサン／酢酸エチ
ル混合物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、
エタノールから再結晶して、１．０ｇの２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）−１，３，４−チアゾールを得る。

【００６１】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−１，
３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）チアゾ
ール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）チア
ゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）チア
アゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）チア
ゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）チア
ゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）チオフ
ェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）チオ
フェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）オキサ
ゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）オキ
サゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）オキ
サアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）オキ
サゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）オキ
サゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］フェニル）フラン
； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］フェニル）フラ
ン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］フェニル）フラ
ン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］フェニル）フラ
ン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］フェニル）フラ
ン。

【００６２】 実施例１０． ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フ
ェニル）−１，３，４−チアジアゾールの製造； トリフェニルホスフィン（２．０ｇ）を、乾燥テトラヒドロフラン（１００ｃ
ｍ^３）中の（Ｅ）−ヘキス−２−エン−１−オール（０．８０ｇ）、２，５−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，４−チアジアゾール（０．７０ｇ）、
ジエチルアゾジカルボキシラート（１．２０ｇ）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気
下で少しずつ添加する。この反応混合物を室温で一晩攪拌する。溶媒を減圧下で
除去し、粗製生成物を、溶離剤として４：１石油エーテル（４０〜６０℃）／酢
酸エチル混合物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精
製し、続いてエタノールから再結晶して、０．１２ｇの２，５−ビス（４−［（
Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−１，３，４−チアジアゾールを
得た。

【００６３】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−１，３
，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−チアジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）チアゾー
ル； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）チアゾ
ール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）チアア
ゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）チアゾ
ール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）チアゾ
ール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）チオフェ
ン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）チオフ
ェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）チオフ
ェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）チオフ
ェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）チオフ
ェン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−１，３
，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｚ）−ヘキス−３−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−４−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）オキサゾ
ール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）オキサ
ゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）オキサ
アゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）オキサ
ゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）オキサ
ゾール； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）フラン； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）フラン
； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）フラン
； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）フラン
； ２，５−ビス（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）フラン
。

【００６４】 実施例１１． ２−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］−５−（４’−
ヘキシルビフェニル−４−イル）チオフェンの製造； ジシクロヘキシルカルボジイミド（０．４ｇ）を、２−ヒドロキシ−５−（４
’−ヘキシルビフェニル−４−イル）チオフェン（０．２５ｇ）、（Ｅ）−ヘキ
ス−２−エノン酸（０．２ｇ）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン（０．１０ｇ
）及びジクロロメタン（５０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で添加す
る。この反応混合物を一晩室温で攪拌し、濾過して無機物質を除去し、そして濾
液を蒸発させる。残渣を、溶離剤としてヘキサン／酢酸エチル（９／１ｖ／ｖ）
を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、ヘキサン
から再結晶して、０．１６ｇの２−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］−
５−（４’−ヘキシルビフェニル−４−イル）チオフェンを得る。

【００６５】 出発物質として必要な２−ヒドロキシ−５−（４’−ヘキシルビフェニル−４
−イル）チオフェンは、下記のようにして製造することができた。

【００６６】 ジクロロメタン中の三臭化ホウ素の１Ｍ溶液（５０ｃｍ^３）を、２−プロピル
オキシ−５−（４’−ヘキシルビフェニル−４−イル）チオフェン［Ｚｈ．Ｏｒ
ｇ．Ｋｈｉｍ．、（１９７９年）第４９巻、第４７６頁］（１．０ｇ）及びジク
ロロメタン（５０ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で滴下により添加す
る。この反応溶液を、一晩攪拌し、そして水（１００ｃｍ^３）を添加する。有機
層を分離除去し、水層をジクロロメタン（２×１００ｃｍ^３）で抽出する。一緒
にした有機層を食塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し、次いで乾燥させ（ＭｇＳ
Ｏ_４）、濾過し、そして蒸発させる。残渣を、溶離剤として９：１ヘキサン／酢
酸エチル混合物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精
製し、エタノールから再結晶して、０．４ｇの２−ヒドロキシ−５−（４’−ヘ
キシルビフェニル−４−イル）チオフェンを得る。

【００６７】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェ
ニル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェ
ニル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェ
ニル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェ
ニル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ブト−２−エノイルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ペント−２−エノイルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェ
ニル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ヘキス−２−エノイルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェ
ニル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ヘプト−２−エノイルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェ
ニル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−オクト−２−エノイルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェ
ニル−４−イル）チオフェン。

【００６８】 実施例１２． ２−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］−５−（４’−ヘ
キシルビフェニル−４−イル）チオフェンの製造； トリフェニルホスフィン（１．４ｇ）を、乾燥テトラヒドロフラン（１００ｃ
ｍ^３）中の（Ｅ）−ヘキス−２−エン−１−オール（０．６０ｇ）、２−ヒドロ
キシ−５−（４’−ヘキシルビフェニル−４−イル）チオフェン（０．５０ｇ）
、ジエチルアゾジカルボキシラート（０．８０ｇ）の溶液に、０℃で窒素の雰囲
気下で少しずつ添加する。この反応混合物を室温で一晩攪拌する。溶媒を減圧下
で除去し、粗製生成物を、溶離剤として４：１石油エーテル（４０〜６０℃）／
酢酸エチル混合物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより
精製し、続いてエタノールから再結晶して、０．１２ｇの２−［（Ｅ）−ヘキス
−２−エニルオキシ］−５−（４’−ヘキシルビフェニル−４−イル）チオフェ
ンを得る。

【００６９】 下記の化合物を同様にして得ることができた； ２−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェニル
−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］−５−（４’−プロピルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェニル
−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン； ２−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］−５−（４’−ペンチルビフェニ
ル−４−イル）チオフェン。

【００７０】 実施例１３． １−（４−［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）
−２−（２−シアノチオフェン−５−イル）アセチレンの製造； ジクロロメタン（１０ｃｍ^３）中のＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド
（０．２２ｇ）の溶液を、氷浴（０℃）中で冷却した、ジクロロメタン（２０ｃ
ｍ^３）中の（Ｅ）−ヘキス−２−エノン酸（０．１０ｇ）、１−（４−ヒドロキ
シフェニル）−２−（２−シアノチオフェン−５−イル）アセチレン（０．３２
ｇ）、４−（ジメチルアミノ）ピリジン（０．０４ｇ）の溶液に、窒素の雰囲気
下で添加する。この反応混合物を一晩攪拌し、濾過して沈殿した物質を除去し、
そして濾液を減圧下で蒸発させる。粗製生成物を、溶離剤として９：１石油エー
テル（４０〜６０℃）／酢酸エチル混合物を使用するシリカゲル上でのカラムク
ロマトグラフィーにより精製し、続いてエタノールから再結晶して、１−（４−
［（Ｅ）−ヘキス−２−エニルオキシ］フェニル）−２−（２−シアノチオフェ
ン−５−イル）アセチレン（０．２６ｇ）を得る。

【００７１】 出発物質として必要な１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（２−シアノチ
オフェン−５−イル）アセチレンは、下記のようにして製造することができた。

【００７２】 ナトリウムエトキシド（０．７ｇ）、１−（４−メトキシフェニル）アセチレ
ン（０．５ｇ）及びトルエン（４０ｃｍ^３）の混合物を２時間攪拌し、２−ブロ
モ−５−シアノチオフェン（０．７ｇ）を添加し、得られた混合物を還流下で３
時間加熱する。この反応混合物を水（５００ｃｍ^３）の中に注ぎ、有機層を分離
除去する。次いで、水層をトルエン（２×５０ｃｍ^３）で抽出する。一緒にした
有機層を水（２×２００ｃｍ^３）で洗浄し、乾燥させ（ＭｇＳＯ_４）、濾過し、
次いで蒸発させる。残渣を、溶離剤として９５：５ヘキサン／酢酸エチル混合物
を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製し、エタノー
ルから再結晶して、０．３ｇの１−（４−メトキシフェニル）−２−（２−シア
ノチオフェン−５−イル）アセチレンを得る。

【００７３】 ジクロロメタン中の三臭化ホウ素の１Ｍ溶液（７５ｃｍ^３）を、１−（４−メ
トキシフェニル）−２−（２−シアノチオフェン−５−イル）アセチレン（３．
０ｇ）及びジクロロメタン（１００ｃｍ^３）の溶液に、０℃で窒素の雰囲気下で
滴下により添加する。この反応溶液を、一晩攪拌し、そして水（１００ｃｍ^３）
を添加する。有機層を分離除去し、水層をジクロロメタン（２×１００ｃｍ^３）
で抽出する。一緒にした有機層を食塩水（２×１００ｃｍ^３）で洗浄し、次いで
乾燥させ（ＭｇＳＯ_４）、濾過し、そして蒸発させる。残渣を、溶離剤として９
：１ヘキサン／酢酸エチル混合物を使用するシリカゲル上でのカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し、エタノールから再結晶して、１．８ｇの１−（４−ヒド
ロキシフェニル）−２−（２−シアノチオフェン−５−イル）アセチレンを得る
。

【００７４】 下記の化合物を同様にして得ることができた； １−（４−［（Ｅ）−ブト−２−エニルオキシ］フェニル）−２−（２−シア
ノチオフェン−５−イル）アセチレン； １−（４−［（Ｅ）−ペント−２−エニルオキシ］フェニル）−２−（２−シ
アノチオフェン−５−イル）アセチレン； １−（４−［（Ｅ）−ヘプト−２−エニルオキシ］フェニル）−２−（２−シ
アノチオフェン−５−イル）アセチレン； １−（４−［（Ｅ）−オクト−２−エニルオキシ］フェニル）−２−（２−シ
アノチオフェン−５−イル）アセチレン。

【００７５】 本発明により記載した化合物の幾つかを、アルキルシクロヘキシル−ＣＯＯ−
フェニルＯＲ及びアルキルシクロヘキシルフェニルＣＮの混合物である、ホスト
混合物ＤＯＰ−０１７中で研究した。

【００７６】 化合物を、個々に、ホストの中に１０％ドープし、澄明点を決定した。化合物
の構造及び混合物の相挙動を表１に詳記する。

【００７７】

【表１】

【００７８】 混合物の複屈折及び屈折率を決定し、その結果を比較のためのＤＯＰ−０１７
と共に表２に示す。

【００７９】

【表２】

【００８０】 本発明の物質を含有させることができる一つの公知のデバイスは、ガラススラ
イドの間のネマチック物質の薄い層を使用するねじれネマチック（ＴＮ）デバイ
スである。このスライドは、一方向にラビングされ、ラビング方向を直交させて
組み立てられている。ラビングによって、液晶分子に対して表面配向が与えられ
、層に亘ってプログレッシブ９０°ねじれになる。ラビング方向に対して垂直又
は平行なそれらの光学軸で偏光子の間に置かれたとき、デバイスは、そのＯＦＦ
状態で偏光の面を回転させ、ＯＮ状態で回転無しに透過させる。少量の、コレス
テリックであるか又はなくてよいキラル物質をネマチック物質に添加して、９０
°ねじれが、デバイスの全領域に亘って、英国特許第１，４７２，２４７号及び
同第１，４７８，５９２号で説明されているのと同じ意味のものであることを確
実にする。

【００８１】 １９８２年に、１８０°〜２７０°の範囲内のねじれ角を有するネマチックＬ
Ｃ層の透過の電圧依存性が無限に急勾配になり得ることが観察されたとき、大き
く複雑なネマチックＬＣＤの性能に於ける改良がなされた。Ｃ．Ｍ． Ｗａｔｅ
ｒｓ、Ｖ． Ｂｒｉｍｍｅｌｌ及びＥ．Ｐ． Ｒａｙｎｅｓ、Ｐｒｏｃ． ３ｒ
ｄ Ｉｎｔ． Ｄｉｓｐｌａｙ Ｒｅｓ． Ｃｏｎｆ．、日本、神戸、１９８３
年、３９６参照。大きなねじれ角は、表面配向と、少量のキラルねじり剤を添加
することによってネマチック混合物を長いピッチのコレステリックにすることと
の組合せによって作られる。増加するねじれ角は、それが２７０°ねじれのため
に双安定性になるまで、透過／電圧曲線を急勾配にし、２２５°と２７０°の間
の特別のねじれ角のために、この曲線は無限に急勾配になり、マルチプレックス
化によく適合した。より大きいねじれ角の存在は、これらのＬＣＤのためによく
知られた超ねじれネマチック（ＳＴＮ）になる。本発明の物質は、このようなデ
バイスに於いて使用することもできる。

【００８２】 ＳＴＮの使用を示す液晶デバイスは、特許出願ＧＢ第８２１８８２１号に記載
されており、米国特許第４５９６４４６号を含む許可された特許になっている。

【００８３】 ＳＩＤ Ｍ６／１−３７第１巻セミナー講義ノート、１９９８年５月には、本
発明の物質を含有させることができるアクティブ及びパッシブＳＴＮの両方が記
載されている。

【００８４】 デバイスの二つの種類が、パッシブマトリックス及びアクティブマトリックス
液晶デバイスとして一般的に知られている。

【００８５】 図１及び図２のディスプレイには、ガラス壁３、４の間に含まれたネマチック
又はコレステリック液晶物質の層２によって形成された液晶セル１が含まれてい
る。スペーサーリング５は、壁を典型的に６μｍ離して維持する。パッシブマト
リックスデバイスについて、例えば、ＳｎＯ_２の細片状の行電極６_１〜６_ｍが、
一方の壁３上に形成され、同様の列電極７_１〜７_ｎが他方の壁４上に形成されて
いる。ｍ個の行電極及びｎ個の列電極により、これはアドレス可能な要素のｍｘ
ｎマトリックスを形成する。各要素は、行及び列電極の相互作用によって形成さ
れる。アクティブマトリックスデバイスについて、分離した非線形のデバイス、
例えば、トランジスタ又はダイオードが、各画素に付属している。

【００８６】 パッシブマトリックスデバイスについて、行ドライバは各行電極６に電圧を供
給する。同様に、列ドライバ９は各列電極７に電圧を供給する。印加する電圧の
制御は、電圧源１１から電力を受け取り、クロック１２からタイミングを受け取
るコントロールロジック１０からである。

【００８７】 アクティブデバイス、例えば、薄膜トランジスタアクティブマトリックス液晶
デバイス（ＴＦＴ ＡＭＬＣＤ）について、３種の電極、即ち、画素電極、走査
電極及び信号電極並びに液晶の反対側上の共通電極が存在する。コントロール電
極は、信号電極上の電圧が関連する画素電極に印加されるように、ゲートを作動
させる。

【００８８】 本発明を具体化する物質及びデバイスの使用の例を、図２を参照して説明する
。

【００８９】 液晶デバイスは、例えば、ガラスから作られた２枚の透明板３及び４からなり
、アクティブマトリックスデバイスの場合に、これらは通常、しばしばＳｉＯ_２ のパッシベーション層を有するアルミノケイ酸塩（アルカリ無し）ガラスのもの
であろう。アクティブマトリックスディスプレイのために、アクティブデバイス
、例えば、薄膜トランジスタが製作され、フルカラーディスプレイのためにカラ
ーフィルター層が加えられる。これらの板には、その内側表面上に、透明通電電
極６及び７、しばしば写真平板技術を使用してパターン化されているＩＴＯが被
覆されている。配向層が、セルの内側表面上に導入され、液晶物質を構成する分
子の平面配向がガラス板３及び４に対してほぼ並行になっているであろう。これ
は、ガラス板３、４を、通電電極で完全に被覆することによって行われ、各列及
び行電極の間の交差点が、アドレス可能な要素又は画素のｘ、ｙマトリックスを
形成する。ディスプレイの幾つかの種類について、配向方向は直交である。セル
の構成の前に、配向層を、布（例えば、ベルベットから作られたもの）内に覆わ
れたローラで所定の方向にラビングし、ラビング方向を、セルの構成に並行（同
じ又は反対方向）に整列させる。例えば、ポリメタクリル酸メチルのスペーサー
５によって、ガラス板３及び４が、適切な距離、例えば２〜７ミクロン、好まし
くは４〜６ミクロンまで離されている。液晶物質２が、ガラス板３及び４の間に
、それらの間の空間を充填することによって導入されている。これは、標準的な
技術を使用してセルを流動充填することによって行うことができる。スペーサー
５は、現存する技術を使用して、接着剤で真空中でシールされている。偏光子１
３をセルの前又は後ろに配置することができる。

【００９０】 配向層を、ラビング、斜め蒸発のような標準的表面処理技術の１種若しくは２
種以上又は前記のようにポリマー配向層の使用によって、セル壁の１個又は２個
以上の上に導入することができる。

【００９１】 別の態様に於いて、その上に配向層を有する基板を加熱し、ずらして配向を誘
導し、また、配向層を有する基板を、ガラス転移温度よりも上で、適用される分
野と組み合わせて液晶の等方相転移よりも下で熱的にアニールする。別の態様に
は、これらの配向技術の組合せが含まれる。これらの組合せの幾つかで、配向層
は必要でないかもしれない。本発明に記載されたパッシブ及びアクティブデバイ
スの両方に於いて、所謂非接触配向層を使用することも可能である。

【００９２】 デバイスは、透過方式又は反射方式で操作することができる。前者に於いて、
例えば、タングステン電球からのデバイスを通過する光は、選択的に透過するか
又は遮断されて、所望の表示を形成する。反射方式に於いて、鏡又は拡散反射器
１６が第二偏光子１３の後ろに置かれ、セル及び２個の偏光子を通過する環境背
光を反射する。鏡を部分的に反射するように作ることによって、デバイスを透過
方式及び反射方式の両方で操作することができる。

【００９３】 配向層は、二つの機能、即ち、接触する液晶分子を好ましい方向に配向させる
一つの機能と、これらの分子に、数度、典型的に約４°又は５°の傾き、所謂表
面傾きを与える他の機能を有する。配向層は、数滴のポリイミドをセル壁の上に
置き、均一な厚さが得られるまで壁をスピニングすることによって形成すること
ができる。次いで、ポリイミドを、所定の温度に所定の時間加熱することによっ
て硬化させ、続いて、ナイロン布で覆ったロールで一方向にラビングする。別の
態様に於いて、１個の偏光子と染料物質とを組み合わせることができる。本発明
の物質を、能動的にアドレスされるマトリックス、例えば、薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ−ＬＣＤ）又は受動的にアドレスされるマトリックス、例えば、デュアル
スキャンＳＴＮを有するＬＣＤに使用することもできる。ＳＩＤ Ｍ３／１−５
２第１巻セミナー講義ノート、１９９８年５月には、本発明の物質を含有させる
ことができる典型的なＡＭＬＣＤが記載されている。本発明の物質は、例えば、
ＰＣＴ／ＧＢ第９６／０２４６３号（この内容は、ここに参照して組み込まれる
）に記載されているようなネマチック液晶物質を使用する双安定デバイスに於い
て撓電効果を利用するこれらのデバイスで使用することができる。ＰＣＴ／ＧＢ
第９６／０２４６３号に記載されたデバイスに使用するために、本発明の物質は
、とりわけ、下記の特性、即ち、速いスイッチング時間、主として大きい撓電係
数に起因する低いスイッチング電圧及び低い粘度の１個又は２個以上に起因する
特別の用途のものである。同様に、本発明の物質は、ＰＣＴ／ＧＢ第９５／００
１７９号（この内容は、ここに参照して組み込まれる）に記載され、特許請求さ
れている双安定デバイスに使用することもできる。

【００９４】 双安定ネマチックデバイスのために、図１〜３を参照して、セル１の両側は、
お互いに対して実質的に交差するそれらの偏光軸で、もしあれば、隣接する壁３
、４上の配向方向に対して実質的に４５°の角度で配置された偏光子１３である
。更に、例えば、延伸ポリマーの光学的補償層（図示せず）を、セル壁と偏光子
との間で液晶層２に隣接させて追加することができる。

【００９５】 部分的反射鏡１６を、鏡の後ろの光源（図示せず）と共に、（図３に示すよう
に）セル１の後ろに配置することができる。これによってディスプレイを反射で
見ることが可能になり、鈍い環境照明内で後ろから照明することが可能になる。
透過デバイスのために、鏡１６を省略することができる。

【００９６】 組み立てる前に、セル壁３、４の少なくとも一方を、配向格子で処理して、双
安定プレティルトを与えることができる。他の表面は、プラナー（即ち、配向方
向有りでゼロ又は数度のプレティルト）若しくは垂直配向単安定表面又は縮退プ
ラナー表面（即ち、配向方向無しでゼロ又は数度のプレティルト）で処理するこ
とができる。最後に、セルに、本発明に記載したような物質を含む混合物を充填
する。格子表面の製作は、ＰＣＴ／ＧＢ第９６／０２４６３号及びその中の文献
に記載されている。

【図面の簡単な説明】

【図１】 マトリックスマルチプレックスアドレスド液晶ディスプレイの平面図である。

【図２】 透過方式で使用される、図１のようなディスプレイの断面図である。

【図３】 反射方式で作動される、図１のようなディスプレイの断面図である。。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 307/42 Ｃ０７Ｄ 333/32 ４Ｈ０２７ 333/32 333/38 333/38 Ｃ０９Ｋ 19/12 Ｃ０９Ｋ 19/12 19/14 19/14 19/20 19/20 19/30 19/30 19/32 19/32 19/34 19/34 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｃ０７Ｄ 285/12 Ａ (72)発明者 ケリイ，ステイーブン・マルコム イギリス国、ハル・エイチ・ユー・６・ ７・アール・エツクス、ユニバーシテイ・ オブ・ハル、スクール・オブ・ケミストリ ー (72)発明者 キヤンベル，ニール イギリス国、ハル・エイチ・ユー・６・ ７・アール・エツクス、ユニバーシテイ・ オブ・ハル、スクール・オブ・ケミストリ ー (72)発明者 ダフイ，ウオレン・リー イギリス国、ハル・エイチ・ユー・６・ ７・アール・エツクス、ユニバーシテイ・ オブ・ハル、スクール・オブ・ケミストリ ー (72)発明者 ワイルド，ジヤニン・ヘレン イギリス国、ハル・エイチ・ユー・６・ ７・アール・エツクス、ユニバーシテイ・ オブ・ハル、スクール・オブ・ケミストリ ー Ｆターム(参考） 4C023 BA07 FA03 HA02 4C033 AD03 AD16 AD17 4C036 AD08 AD16 AD17 AD27 4C037 HA08 4C056 AA01 AB01 AB02 AC02 AC07 AD01 AE03 BA08 BB01 BC01 FA11 FB01 FC01 4H027 BA01 BA02 BB03 BB04 BC04 BD13 DH01 DH02 DH03 DJ01 DJ02 DJ03 DJ05 【要約の続き】 ＯＣ、Ｃ _２Ｈ_４、ＣＨ_２Ｏ、ＯＣＨ_２、Ｃ_４Ｈ_８、Ｃ_３ Ｈ_６Ｏ、（Ｅ）−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_４、（Ｚ）−ＣＨ_２ ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２、（Ｅ）−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｏ、−Ｃ ≡Ｃ−から選択され、Ｒは、アルキル、アルコキシ、ア ルケニル、アルケニルオキシ、アルカノイルオキシ、ア ルケノイルオキシ又はＯＣ_ｐＦ_２ｐ＋１であってよく、 Ｒは１〜２０個の炭素原子を含んでよく、そして分枝鎖 又は直鎖であってよく、ｐは１〜２０であり、但し、Ｚ_１ がＯであり、ｍが１、３又は５であるとき、ＲＪ中の 炭素−炭素二重結合立体配置はＥであり、そしてＺ_１が Ｏであり、ｍが２又は４であるとき、ＲＪ中の炭素−炭 素二重結合立体配置はＺであり、そしてＺ_１がＣＯＯ又 はＯＯＣであり、ｍが０、２又は４であるとき、ＲＪ中 の炭素−炭素二重結合立体配置はＥであり、そしてＺ_１ がＣＯＯ又はＯＯＣであり、ｍが１、３又は５であると き、ＲＪ中の炭素−炭素二重結合立体配置はＺである］ の化合物が提供される。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 式Ｉ： 【化１】 ［式中、ＲＪは、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ＣＨ＝ＣＨＣ_ｍＨ_２ｍＺ_１であり、 ｎは１〜５であってよく、 ｍは０〜５であってよく、 ｑは０、１又は２であってよく、 Ａ_１、Ａ_２は、独立に、２，５−二置換フラン、２，５−二置換チオフェン、
   ２，５−二置換オキサゾール、２，５−二置換チアゾール、２，５−二置換１，
   ３，４−オキサジアゾール、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾール、１，
   ４−二置換ベンゼン、２，５−二置換ピリミジン、２，５−二置換ピリジン、２
   ，６−二置換ナフタレン、側置換した１，４−二置換ベンゼン、側置換した２，
   ５−二置換ピリミジン、側置換した２，５−二置換ピリジン、側置換した２，６
   −二置換ナフタレン（但し、側置換基は、独立に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＣＮから
   選択され、利用可能な置換位置の何れに存在してもよい）から選択され、 Ａ_３は、２，５−二置換フラン、２，５−二置換チオフェン、２，５−二置換
   オキサゾール、２，５−二置換チアゾール、２，５−二置換１，３，４−オキサ
   ジアゾール、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾール、１，４−二置換ベン
   ゼン、２，５−二置換ピリミジン、２，５−二置換ピリジン、２，６−二置換ナ
   フタレン、側置換した１，４−二置換ベンゼン、側置換した２，５−二置換ピリ
   ミジン、側置換した２，５−二置換ピリジン、側置換した２，６−二置換ナフタ
   レン（但し、側置換基は、独立に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＣＮから選択され、利用
   可能な置換位置の何れに存在してもよい）、１，４−二置換ビシクロ（２．２．
   ２）オクタン、トランス−１，４−二置換シクロヘキサン、トランス−２，５−
   二置換ジオキサン、１，４−二置換ピペリジンであってよく、 Ｚ_１は、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣであってよく、 Ｚ_２、Ｚ_３は、独立に、直接結合、ＣＯＯ、ＯＯＣ、Ｃ_２Ｈ_４、ＣＨ_２Ｏ、Ｏ
   ＣＨ_２、Ｃ_４Ｈ_８、Ｃ_３Ｈ_６Ｏ、（Ｅ）−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_４、（Ｚ）−ＣＨ_２ ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２、（Ｅ）−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｏ、−Ｃ≡Ｃ−から選択され、 Ｒは、アルキル、アルコキシ、アルケニル、アルケニルオキシ、アルカノイル
   オキシ、アルケノイルオキシ又はＯＣ_ｐＦ_２ｐ＋１であってよく、Ｒは１〜２０
   個の炭素原子を含んでよく、そして分枝鎖又は直鎖であってよく、 ｐは１〜２０であり、 但し、Ｚ_１がＯであり、ｍが１、３又は５であるとき、ＲＪ中の炭素−炭素二
   重結合立体配置はＥであり、そして Ｚ_１がＯであり、ｍが２又は４であるとき、ＲＪ中の炭素−炭素二重結合立体
   配置はＺであり、そして Ｚ_１がＣＯＯ又はＯＯＣであり、ｍが０、２又は４であるとき、ＲＪ中の炭素
   −炭素二重結合立体配置はＥであり、そして Ｚ_１がＣＯＯ又はＯＯＣであり、ｍが１、３又は５であるとき、ＲＪ中の炭素
   −炭素二重結合立体配置はＺである］ の化合物。
2. 【請求項２】 化合物を下記のもの： 【化２】 （式中、ｑは０又は１であり、ｑが０であるとき、Ａ_３は芳香族であり、 Ａ_１、Ａ_２は、２，５−二置換フラン、２，５−二置換チオフェン、２，５−
   二置換オキサゾール、２，５−二置換チアゾール、２，５−二置換１，３，４−
   オキサジアゾール、２，５−二置換１，３，４−チアジアゾール、１，４−二置
   換ベンゼンであり、 Ｚ_１はＯ、ＣＯＯであり、 Ｚ_２及びＺ_３は直接結合又は−Ｃ≡Ｃ−であり、 Ｒは、アルキル、アルコキシ、アルケニル又はアルケニルオキシであって、１
   〜７個の炭素原子を有する） から選択することができる、請求項１記載の化合物。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の化合物の少なくとも１種を含
   む液晶混合物。
4. 【請求項４】 間隔をあけた２つのセル壁を含むデバイスにおいて、それぞ
   れのセル壁が電極構造物を有し且つ少なくとも１の対面表面上で配向層により処
   理され、液晶物質の層が前記セル壁の間に取り囲まれているデバイスであって、
   請求項１又は２に記載の化合物を含むことを特徴とするデバイス。
5. 【請求項５】 間隔をあけた２つのセル壁を含むデバイスにおいて、それぞ
   れのセル壁が電極構造物を有し且つ少なくとも１の対面表面上で配向層により処
   理され、液晶混合物の層が前記セル壁の間に取り囲まれているデバイスであって
   、請求項３に記載の液晶混合物を含むことを特徴とするデバイス。
6. 【請求項６】 デバイスがアクティブマトリックスデバイスである、請求項
   ４又は５に記載の液晶デバイス。
7. 【請求項７】 デバイスがＳＴＮデバイスである、請求項４、５及び６の何
   れか１項に記載の液晶デバイス。
8. 【請求項８】 デバイスがＴＮデバイスである、請求項４、５及び６の何れ
   か１項に記載の液晶デバイス。
9. 【請求項９】 液晶物質の層を取り囲む２個のセル壁； 両方の壁上の電極構造物； 液晶分子に配向を与える、両方のセル壁の対面表面上の表面配向； 液晶物質のスイッチした状態の間を区別するための手段； 液晶分子が、同じアジマス面内で２個の異なったプレティルト角を採択するこ
   とを可能にする、少なくとも１個のセル壁上の表面配向格子； ２種の安定な液晶分子立体配置が、電極に適切な電気信号が印加された後に存
   在し得るような配列； が含まれる双安定ネマチック液晶デバイスであって、液晶物質の層に式Ｉの物
   質が含まれるデバイス。
10. 【請求項１０】 格子に、そのグルーブ深さ及びピッチ比が双安定配向を与
    える単一非対称モジュレーションが含まれる、請求項９記載のデバイス。
11. 【請求項１１】 格子に、そのグルーブ深さ及びピッチ比が双安定配向を与
    える単一対称モジュレーションが含まれる、請求項９記載のデバイス。