JP2002314106A - Method of finishing solar cell panel - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、一方の電極層が層
着されている基板に所要の薄膜層を介して他方の電極層
を積層した太陽電池パネルの製造工程において、表側の
電極層と裏側の電極層との短絡を防止するために行なう
太陽電池パネルの仕上加工法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a process for manufacturing a solar cell panel in which one electrode layer is laminated on a substrate on which one electrode layer is layered with a required thin film layer interposed therebetween, and the electrode layer on the front side is formed. The present invention relates to a method of finishing a solar cell panel to prevent a short circuit with a back electrode layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】太陽電池パネルの代表例として、図４に
示すように、透光性を有する絶縁性のガラス基板１上
に、真空蒸着、スパッタリングなどのＰＶＤ法（物理蒸
着法）或いは、減圧・常圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
などのＣＶＤ法（化学気相法）等によりＩＴＯ（インジ
ウム錫酸化物）、ＳｎＯ2 （錫酸化物）などの透明な導
電層である表側電極層２が形成され、その上にＣＶＤ法
などによりSiH4、PH3 、B2H6などのガスを高周波電源に
より加熱して原子状に解離させたうえ基板上に薄膜とし
て析出させることによりｐ型ａ−Ｓｉ（アモルファスシ
リコン）層３、ｉ型ａ−Ｓｉ層４及びｎ型ａ−Ｓｉ層５
からなるａ−Ｓｉ層６が積層されたうえ、さらにアルミ
ニウム等の金属からなる裏側電極層７が順次積層された
ａ−Ｓｉ型太陽電池パネルがある。このような太陽電池
パネルにおいて、光は絶縁性基板１の側から入射し、主
としてｉ型ａ−Ｓｉ層４内で吸収されて直列に配列され
た表側電極層２と裏側電極層７の間で起電力を発生させ
るものである。なお、図は簡単のために一つのセルを図
示したものであって、実際にはこのようなセルが多数直
列に接続されて一枚の太陽電池パネルが構成されてい
る。2. Description of the Related Art As a typical example of a solar cell panel, as shown in FIG. 4, a PVD method (physical vapor deposition method) such as vacuum vapor deposition, sputtering or the like, or a reduced pressure and normal pressure CVD method, CVD method such as plasma CVD (chemical vapor deposition) ITO (indium tin oxide) by such, SnO 2 (tin oxide) front electrode layer 2 is a transparent conductive layer such as the formation Then, a gas such as SiH 4 , PH 3 , B 2 H 6 or the like is heated by a high-frequency power source to dissociate into atoms by CVD or the like, and then deposited as a thin film on a substrate to form p-type a-Si. (Amorphous silicon) layer 3, i-type a-Si layer 4, and n-type a-Si layer 5
There is an a-Si type solar cell panel in which an a-Si layer 6 made of aluminum and a back electrode layer 7 made of a metal such as aluminum are sequentially stacked. In such a solar cell panel, light enters from the side of the insulating substrate 1 and is mainly absorbed in the i-type a-Si layer 4 between the front side electrode layer 2 and the back side electrode layer 7 arranged in series. An electromotive force is generated. It should be noted that the figure shows one cell for simplicity, and in fact, many such cells are connected in series to constitute one solar cell panel.
【０００３】また、太陽電池パネルの別の例として、図
５に示すように、単結晶、或いは多結晶のＳｉ基板１１
にドーピングを施して製造されたものがある。即ち、Ｓ
ｉ基板１１がｐ型のＳｉ基板１１である場合には、ＰＯ
Ｃｌ3 、或いはＰ2 Ｏ5 などを拡散源として９００℃前
後の高温で熱拡散法により処理したり、プラズマＣＶＤ
法などによりリン（Ｐ）をドーピングしてドーピング層
１２をｎ型半導体とする。一方、Ｓｉ基板１１がｎ型の
Ｓｉ基板１１である場合には、ホウ素の塩化物、或いは
臭化物などを拡散源としてホウ素（Ｂ）をドーピングし
てドーピング層１２をｐ型半導体とする。そして、この
ようにして製造したｐｎ型半導体の両面にはアルミニウ
ムなどの表側電極層１３と裏側電極層１４が備えられて
結晶Ｓｉ型太陽電池パネルが構成される。なお、表側電
極層１３が透光性を有するものでない場合には図示のよ
うに表側面の一部のみに備えられてｐｎ型半導体に光が
当たるように構成されている。[0005] As another example of a solar cell panel, as shown in FIG.
Some of them are manufactured by doping. That is, S
When the i-substrate 11 is a p-type Si substrate 11, PO
Using a diffusion source such as Cl 3 or P 2 O 5 at a high temperature of about 900 ° C. by a thermal diffusion method or plasma CVD.
The doping layer 12 is made an n-type semiconductor by doping phosphorus (P) by a method or the like. On the other hand, when the Si substrate 11 is an n-type Si substrate 11, boron (B) is doped using boron chloride or bromide as a diffusion source to make the doping layer 12 a p-type semiconductor. Then, a front side electrode layer 13 of aluminum or the like and a back side electrode layer 14 are provided on both surfaces of the pn-type semiconductor manufactured in this manner, thereby forming a crystalline Si type solar cell panel. When the front-side electrode layer 13 does not have a light-transmitting property, it is provided on only a part of the front side surface as shown in the drawing, and is configured to shine light on the pn-type semiconductor.
【０００４】上記したように、太陽電池パネルの製造に
当たっては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、熱拡散法などの薄膜
層形成方法が広く用いられている。しかしながら、ａ−
Ｓｉ型太陽電池パネルにおいては、前記したように、所
要成分を有するガスや原子状に解離させたりＩＴＯなど
をスパッタリングして基板上に析出させて表側電極層
２、ａ−Ｓｉ層６、裏側電極層７の積層を行うため、こ
れらの表側電極層２、ａ−Ｓｉ層６、裏側電極層７が、
図６に示すように、ガラス基板１の側面に不規則に堆積
されたりして、特に表側電極層２と裏側電極層７とが一
部でも接触した場合においてはその間が短絡して太陽電
池としての機能が損なわれるという問題があった。As described above, in the production of a solar cell panel, a thin film layer forming method such as a PVD method, a CVD method, and a thermal diffusion method is widely used. However, a-
In the Si-type solar cell panel, as described above, the gas having the required components and the gas are dissociated into atoms, or ITO or the like is sputtered and deposited on the substrate to form the front electrode layer 2, the a-Si layer 6, the back electrode. In order to laminate the layer 7, the front electrode layer 2, the a-Si layer 6, and the rear electrode layer 7
As shown in FIG. 6, when the front electrode layer 2 and the back electrode layer 7 partially contact with each other due to irregular deposition on the side surface of the glass substrate 1, a short circuit occurs between them and the solar cell is used. There is a problem that the function of is lost.
【０００５】また、同様に結晶Ｓｉ型太陽電池パネルに
おいても、ドーピング成分がＳｉ基板１１の側面にもド
ーピングされる結果、図７に示すように、表側電極層１
３と裏側電極層１４とがドーピング層１２により短絡し
てその間にｐｎ接合状態を確保することができず、やは
り太陽電池としての機能が損なわれてしまうという問題
があった。従って、何れの太陽電池パネルにおいても、
目的とする薄膜層を形成したあとに太陽電池パネルの側
面や端部の薄膜層を除去して短絡を除去する必要があっ
た。Similarly, in a crystalline Si type solar cell panel, a doping component is also doped on the side surface of the Si substrate 11, and as a result, as shown in FIG.
3 and the back electrode layer 14 are short-circuited by the doping layer 12, and a pn junction state cannot be secured between them, which also has a problem that the function as a solar cell is impaired. Therefore, in any solar cell panel,
After forming the target thin film layer, it was necessary to remove the thin film layer on the side face and the end of the solar cell panel to remove the short circuit.
【０００６】この太陽電池パネルの側面や端部に形成さ
れた不必要な薄膜層を除去して電極間の短絡を防止する
方法として、従来は非除去部分に合成樹脂フィルムなど
によりマスキングを施したうえ、酸などの化学研磨液を
用いて溶解除去する湿式処理法が採用されてきた。しか
し、このような湿式処理法はマスキングの形成、酸によ
る溶解除去、その後の洗浄、乾燥と多くの手間がかかる
ものであって太陽電池パネルのコスト高を招くのみなら
ず、廃酸処理も必要となって環境衛生上も問題のあるも
のであった。As a method of removing an unnecessary thin film layer formed on the side surface or the end of the solar cell panel to prevent a short circuit between electrodes, conventionally, a non-removed portion is masked with a synthetic resin film or the like. In addition, a wet processing method of dissolving and removing using a chemical polishing liquid such as an acid has been adopted. However, such a wet treatment method requires a lot of labor such as formation of masking, dissolution and removal by acid, subsequent washing and drying, and thus not only increases the cost of the solar cell panel but also requires waste acid treatment. As a result, there was a problem with environmental hygiene.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した従来
の問題点を解決し、乾式処理法により環境衛生上の問題
もなく、しかも簡単に電極間の短絡を除去することので
きる太陽電池パネルの仕上げ加工法を提供するためにな
されたものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and has no environmental health problem by a dry treatment method and can easily remove a short circuit between electrodes. It has been made to provide a finishing method.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めになされた本発明は、一方の電極層が層着されている
基板に所要の薄膜層を介して他方の電極層を積層した太
陽電池パネルを製造する工程において、他方の電極層を
形成後にパネル端縁を圧縮空気による微細な砥粒の吹き
付けによって剥除することにより、両電極層間の短絡を
除去するようにしたことを特徴とする太陽電池パネルの
仕上加工法を請求項１に係る発明とし、太陽電池パネル
が、ガラス基板に層着されている一方の電極層にａ−Ｓ
ｉ層を介して他方の電極層を積層したａ−Ｓｉ型太陽電
池パネルであって、他方の電極層を形成後に、一方の電
極層の端縁部分をリード接続部として残して、前記した
他方の電極層とａ−Ｓｉ層の端縁部分を剥除することに
より、両電極層間の短絡を除去するようにしたことを特
徴とする請求項１に記載の太陽電池パネルの仕上加工法
を請求項２に係る発明とし、太陽電池パネルが、裏側に
一方の電極層が層着されている単結晶または多結晶Ｓｉ
基板の表面にＰ又はＢのドーピング層とこのドーピング
層を部分的に覆う他方の電極層とを積層した結晶Ｓｉ型
太陽電池パネルであって、他方の電極層を形成後に前記
したドーピング層の端縁部分を剥除することにより、ド
ーピング層による両電極層間の短絡を除去するようにし
たことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池パネルの
仕上加工法を請求項３に係る発明とし、平均粒径が５０
μｍ以下の微細な砥粒を噴射圧力０．２〜２．５ＭＰａ
でノズルから噴射する請求項１または２または３に記載
の太陽電池パネルの仕上加工法を請求項４に係る発明と
する。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a solar cell in which one electrode layer is laminated on the other electrode layer via a required thin film layer on a substrate. In the process of manufacturing the battery panel, the edge of the panel is peeled off by spraying fine abrasive grains with compressed air after forming the other electrode layer, so that a short circuit between both electrode layers is removed. A method for finishing a solar cell panel according to claim 1, wherein the solar cell panel is provided with a-S on one electrode layer layered on a glass substrate.
An a-Si solar cell panel in which the other electrode layer is laminated via an i-layer, wherein the other electrode layer is formed, and the edge portion of the one electrode layer is left as a lead connection portion. 2. A method for finishing a solar cell panel according to claim 1, wherein a short circuit between both electrode layers is removed by peeling off the edge portions of the electrode layer and the a-Si layer. Item 2 is an invention according to Item 2, wherein the solar cell panel is a single-crystal or polycrystalline Si having one electrode layer deposited on the back side.
A crystalline Si solar cell panel in which a P or B doping layer and another electrode layer partially covering the doping layer are laminated on a surface of a substrate, and an end of the doping layer is formed after forming the other electrode layer. The method according to claim 3, wherein the edge portion is stripped to remove a short circuit between the two electrode layers due to the doping layer. Average particle size of 50
Injection pressure of 0.2 to 2.5 MPa
The method for finishing a solar cell panel according to the first, second or third aspect of the present invention, in which the nozzle is sprayed from a nozzle, is defined as an invention according to a fourth aspect.
【０００９】[0009]
【作用】本発明の太陽電池パネルの仕上げ加工法は、太
陽電池パネルの端縁に微細な砥粒を圧縮空気とともに噴
射して電極層、ａ−Ｓｉ層やドーピング層などの薄膜層
を剥除することにより、乾式法にて表側電極層と裏側電
極層との間の短絡を除去することができる。According to the method of finishing a solar cell panel of the present invention, fine abrasive grains are sprayed onto the edge of the solar cell panel together with compressed air to remove thin film layers such as an electrode layer, an a-Si layer and a doping layer. By doing so, a short circuit between the front electrode layer and the back electrode layer can be removed by a dry method.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下に図面を参照しつつ本発明の
好ましい実施形態を示す。図１はａ−Ｓｉ型太陽電池パ
ネル電池に本発明方法を適用して端部の薄膜層を剥除し
た状態を示す図であって、２１はノズルである。このノ
ズル２１から圧縮空気とともにアルミナ粒子などの砥粒
２２を噴射することにより、表側電極層２、ａ−Ｓｉ層
６、裏側電極層７の薄膜層が形成された太陽電池パネル
の周縁部を研掃して、ａ−Ｓｉ層６と裏側電極層７を剥
除する。これによって、図２に示すように、太陽電池パ
ネルの全周に表側電極層７が露出された研掃ゾーン２３
を形成することができて、表側電極層２と裏側電極層７
との間の短絡を除去することができる。そして、ガラス
基板１側から光が照射された場合に表側電極層２と裏側
電極層７との間のａ−Ｓｉ層において光電効果を利用し
て太陽電池パネルの光エネルギーを電気エネルギーに変
換することができる。なお、裏側電極層７のみを除去し
ても表側電極層２と裏側電極層７との間の短絡を除去す
ることができるが、太陽電池パネルに導線などを接続し
て他の太陽電池パネルとの導通を取りやすくするために
は図１の如く表側電極層２を残すのが好ましい。Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram showing a state in which a thin film layer at an end is removed by applying the method of the present invention to an a-Si type solar cell panel battery, and 21 is a nozzle. By spraying abrasive grains 22 such as alumina particles together with compressed air from the nozzle 21, the periphery of the solar cell panel on which the thin film layers of the front electrode layer 2, the a-Si layer 6, and the back electrode layer 7 are formed is ground. Then, the a-Si layer 6 and the back electrode layer 7 are stripped. As a result, as shown in FIG. 2, the polishing zone 23 where the front electrode layer 7 is exposed all around the solar cell panel.
Can be formed, and the front electrode layer 2 and the back electrode layer 7 can be formed.
Can be removed. Then, when light is irradiated from the glass substrate 1 side, the light energy of the solar cell panel is converted into electric energy by utilizing the photoelectric effect in the a-Si layer between the front electrode layer 2 and the back electrode layer 7. be able to. The short circuit between the front side electrode layer 2 and the back side electrode layer 7 can be removed by removing only the back side electrode layer 7. It is preferable to leave the front electrode layer 2 as shown in FIG.
【００１１】また、図３は結晶Ｓｉ型太陽電池パネル電
池に本発明方法を適用して端部のドーピング層１２を剥
除した状態を示す図である。この場合においてもノズル
２１から圧縮空気とともに砥粒２２を噴射することによ
り、ドーピング層１２が形成された太陽電池パネルの周
縁部を剥除することにより、表側電極層２と裏側電極層
７との間のドーピング層１２による短絡を除去すること
ができる。なお表側電極層２が太陽電池パネルの周縁部
にまで形成されている場合には、この表側電極層２とド
ーピング層１２を除去することによって表側電極層２と
裏側電極層７との間の短絡を除去することができる。FIG. 3 is a view showing a state in which the doping layer 12 at the end is stripped off by applying the method of the present invention to a crystalline Si type solar cell panel battery. Also in this case, the abrasive grains 22 are sprayed from the nozzle 21 together with the compressed air to peel off the peripheral portion of the solar cell panel on which the doping layer 12 is formed, so that the front electrode layer 2 and the back electrode layer 7 The short circuit caused by the doping layer 12 between them can be removed. When the front electrode layer 2 is formed up to the periphery of the solar cell panel, the short circuit between the front electrode layer 2 and the back electrode layer 7 is achieved by removing the front electrode layer 2 and the doping layer 12. Can be removed.
【００１２】本発明の太陽電池パネルの仕上げ加工に
は、小孔の設けられたノズル２１より、アルミナ等の砥
粒２２を圧縮空気とともに噴射するブラスト加工を用い
るものとする。このブラスト加工において、砥粒２２と
して平均粒径が５０μｍ以下のアルミナ、ＳｉＣ、珪砂
などの粉末を用いるのが望ましい。５０μｍを超えるよ
うな大きな粒径の砥粒２２では高精度に薄膜層の研掃除
去ができないからである。また、砥粒２２の平均粒径は
３μｍ以上とするのが研掃性能の低下を抑えるうえから
望ましい。In the finishing of the solar cell panel of the present invention, blasting in which abrasive grains 22 such as alumina are injected together with compressed air from a nozzle 21 having small holes is used. In this blasting, it is desirable to use a powder of alumina, SiC, silica sand or the like having an average particle diameter of 50 μm or less as the abrasive grains 22. This is because the abrasive grains 22 having a large particle size exceeding 50 μm cannot remove the thin film layer by polishing with high accuracy. Further, it is desirable that the average particle size of the abrasive grains 22 be 3 μm or more from the viewpoint of suppressing a decrease in the polishing performance.
【００１３】また、砥粒２２が０．２〜２．５ＭＰａの
圧力の圧縮空気により噴射されるようにしておくことが
好ましい。その理由は、圧力が２．５ＭＰａを超えると
砥粒２２の跳ね返り、散乱の程度が強くなって、太陽電
池パネルの被加工部位の損傷が酷くなるからであり、一
方、０．２ＭＰａ未満では十分な研掃性能が得られない
からである。噴射量は５００ｇ／ｍｉｎを超える量を噴
射しても研掃性能の大幅な向上は認められないので５０
０ｇ／ｍｉｎ以下で十分である。It is preferable that the abrasive grains 22 are jetted by compressed air having a pressure of 0.2 to 2.5 MPa. The reason is that if the pressure exceeds 2.5 MPa, the abrasive grains 22 rebound and the degree of scattering increases, and the damage to the processed part of the solar cell panel becomes severe. This is because a good cleaning performance cannot be obtained. Even if the injection amount exceeds 500 g / min, no significant improvement in the cleaning performance is observed.
0 g / min or less is sufficient.
【００１４】また、ノズル２１として０．２〜５ｍｍの
口径のものを用いて、被加工部位から０．２〜１０ｍｍ
離間させて砥粒２２を噴射するのが望ましい。ノズル２
１の口径が５ｍｍを超えるような大きなものでは加工精
度が劣るからであり、一方、口径が０．２ｍｍ未満では
砥粒２２の噴射量が少なくなって研掃性能が低下するか
らである。また、ノズル２１の被加工部位からの離間距
離が０．２ｍｍ未満では砥粒２２の散乱が酷くなるから
であり、一方、１０ｍｍを超えると研掃性能が低下する
からである。The nozzle 21 has a diameter of 0.2 to 5 mm, and is 0.2 to 10 mm from the portion to be processed.
It is desirable that the abrasive grains 22 be ejected at a distance. Nozzle 2
This is because the processing accuracy is inferior if the diameter of 1 is larger than 5 mm, whereas if the diameter is smaller than 0.2 mm, the injection amount of the abrasive grains 22 is reduced and the polishing performance is reduced. Also, if the distance of the nozzle 21 from the part to be processed is less than 0.2 mm, the scattering of the abrasive grains 22 becomes severe, while if it exceeds 10 mm, the polishing performance is reduced.
【００１５】[0015]
【実施例１】図６に示したような、透明なガラス基板１
の上にＰＶＤ法、ＣＶＤ法などによりＩＴＯである表側
電極層２、ａ−Ｓｉ層６、裏側電極層７が形成されてい
るうえに、これらの薄膜層がガラス基板１の側面に不規
則に堆積されて表側電極層２と裏側電極層７とが短絡し
てしている大きさ８００×８００ｍｍの太陽電池パネル
の周縁部にサンドブラスト加工を施した。サンドブラス
ト条件は、噴射圧力：０．５ＭＰａ、ノズル口径：３ｍ
ｍ、噴射量２５０ｇ／ｍｉｎ、ノズル２１と被加工部位
との離間距離：２ｍｍとして＃６００のアルミナを噴射
させつつノズル２１を所定速度にて太陽電池パネルの外
周を走行させて薄膜層を剥除した。その結果、図１に示
したように、ａ−Ｓｉ層６と裏側電極層７とが除去され
てガラス基板１に表側電極層２をリード接続部として残
した幅５ｍｍの研掃ゾーン２３を形成することによっ
て、表側電極層２と裏側電極層７の間の短絡を完全に除
去することができた。Embodiment 1 A transparent glass substrate 1 as shown in FIG.
The front side electrode layer 2, the a-Si layer 6, and the back side electrode layer 7, which are made of ITO, are formed on the glass substrate 1 by a PVD method, a CVD method, or the like. Sandblasting was applied to the periphery of a 800 × 800 mm solar cell panel that was deposited and short-circuited between the front electrode layer 2 and the back electrode layer 7. Sand blast conditions are: injection pressure: 0.5 MPa, nozzle diameter: 3 m
m, the spray amount 250 g / min, the separation distance between the nozzle 21 and the part to be processed: 2 mm, the nozzle 21 is run around the outer periphery of the solar cell panel at a predetermined speed while spraying alumina of # 600, and the thin film layer is removed. did. As a result, as shown in FIG. 1, the a-Si layer 6 and the back electrode layer 7 are removed, and a 5-mm-wide polishing zone 23 is formed on the glass substrate 1 leaving the front electrode layer 2 as a lead connection portion. As a result, the short circuit between the front electrode layer 2 and the back electrode layer 7 could be completely removed.
【００１６】[0016]
【実施例２】また、図７に示したような、Ｓｉ基板１１
の側面にもドーピング層１２が形成されて表側電極層１
３と裏側電極層１４とがドーピング層１２により短絡し
ている大きさ１５０×１５０ｍｍの太陽電池パネルの外
周部にサンドブラスト加工を施した。サンドブラスト条
件は、噴射圧力：１．０ＭＰａ、ノズル口径：０．６ｍ
ｍ、噴射量１０ｇ／ｍｉｎ、ノズル２１と被加工部位と
の離間距離：０．５ｍｍとして＃６００のアルミナを噴
射させつつノズル２１を所定速度にて太陽電池パネルの
外周を走行させてドーピング層を剥除した。その結果、
図３に示したように、ドーピング層１２が除去され太陽
電池パネルの外周に幅１ｍｍの研掃ゾーン２３を形成す
ることによって、表側電極層２と裏側電極層７の間の短
絡を完全に除去することができた。Embodiment 2 In addition, as shown in FIG.
Doping layer 12 is also formed on the side surface of
Sandblasting was performed on the outer peripheral portion of a solar cell panel having a size of 150 × 150 mm where 3 and the back electrode layer 14 were short-circuited by the doping layer 12. Sand blast conditions are: injection pressure: 1.0 MPa, nozzle diameter: 0.6 m
m, the injection amount is 10 g / min, the separation distance between the nozzle 21 and the processing target portion is 0.5 mm, and the nozzle 21 is caused to travel around the outer periphery of the solar cell panel at a predetermined speed while injecting # 600 alumina, thereby forming the doping layer. Exfoliated. as a result,
As shown in FIG. 3, by removing the doping layer 12 and forming a polishing zone 23 having a width of 1 mm on the outer periphery of the solar cell panel, a short circuit between the front electrode layer 2 and the back electrode layer 7 is completely removed. We were able to.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の太陽電
池パネルの仕上げ加工法は、太陽電池パネルの端縁に微
細な砥粒を圧縮空気とともに噴射して電極層、ａ−Ｓｉ
層やドーピング層などの薄膜層を剥除することにより、
乾式法にて表側電極層と裏側電極層との間の短絡を除去
することができる。即ち、太陽電池パネルがａ−Ｓｉ型
のものである場合には裏側電極層とａ−Ｓｉ層を剥除し
て太陽電池パネルの周縁部に表側電極層を残した研掃ゾ
ーンを形成することにより、他のパネルとの導通を取り
易くして表側電極層と裏側電極層との間の短絡を除去す
ることができる。また、太陽電池パネルが結晶Ｓｉ型の
ものである場合には、ドーピング層を除去してＳｉ基板
の露出した研掃ゾーンを形成することにより、表側電極
層と裏側電極層の間のドーピング層による短絡を除去す
ることができる。また、本発明の太陽電池パネルの仕上
げ加工方法は、被加工部位に砥粒を噴射して剥除する乾
式法であって、従来の湿式法のように、非除去部分にマ
スキングを施す必要がない。また、酸による溶解除去後
の洗浄、乾燥や廃酸処理を行う必要がなくなって、太陽
電池パネルの製造コストを大幅に低減することができる
うえに環境衛生上もたいへん好ましいものであって、本
発明は工業的価値大なものである。As described above, in the method for finishing a solar cell panel according to the present invention, fine abrasive grains are jetted together with compressed air onto the edge of the solar cell panel to form an electrode layer, a-Si.
By stripping thin layers such as layers and doping layers,
The short circuit between the front electrode layer and the back electrode layer can be removed by a dry method. That is, when the solar cell panel is of the a-Si type, the back electrode layer and the a-Si layer are peeled off to form a cleaning zone in which the front electrode layer is left at the periphery of the solar cell panel. Thereby, it is possible to easily conduct with another panel and to remove a short circuit between the front electrode layer and the back electrode layer. When the solar cell panel is of a crystalline Si type, the doping layer is removed to form an exposed cleaning zone of the Si substrate, so that the doping layer between the front side electrode layer and the back side electrode layer is removed. Short circuits can be eliminated. In addition, the method of finishing a solar cell panel of the present invention is a dry method in which abrasive grains are sprayed to a processed portion and stripped, and it is necessary to perform masking on a non-removed portion as in a conventional wet method. Absent. In addition, since there is no need to perform washing, drying and waste acid treatment after dissolving and removing with an acid, it is possible to greatly reduce the manufacturing cost of the solar cell panel, and it is very preferable in terms of environmental hygiene. The invention is of great industrial value.
【図１】 本発明方法により短絡を除去したａ−Ｓｉ型
太陽電池パネルの断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an a-Si solar cell panel from which a short circuit has been removed by the method of the present invention.
【図２】 周縁部に研掃ゾーンを形成した太陽電池パネ
ルの平面図である。FIG. 2 is a plan view of a solar cell panel in which a polishing zone is formed on a peripheral portion.
【図３】 本発明方法によりドーピング層による短絡を
除去した結晶Ｓｉ型太陽電池パネルの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a crystalline Si solar cell panel from which a short circuit caused by a doping layer has been removed by the method of the present invention.
【図４】 ａ−Ｓｉ型太陽電池パネルの構造を示す斜視
図である。FIG. 4 is a perspective view showing the structure of an a-Si type solar cell panel.
【図５】 結晶Ｓｉ型太陽電池パネルの構造を示す斜視
図である。FIG. 5 is a perspective view showing a structure of a crystalline Si solar cell panel.
【図６】 ａ−Ｓｉ型太陽電池パネルの表側電極層と裏
側電極層とが短絡した状態を説明する断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a state in which the front electrode layer and the back electrode layer of the a-Si solar cell panel are short-circuited.
【図７】 結晶Ｓｉ型太陽電池パネルの表側電極層と裏
側電極層とがドーピング層により短絡した状態を説明す
る断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a state in which a front electrode layer and a back electrode layer of a crystalline Si solar cell panel are short-circuited by a doping layer.
１ ガラス基板 ２ 表側電極層 ３ ｐ型ａ−Ｓｉ層 ４ ｉ型ａ−Ｓｉ層 ５ ｎ型ａ−Ｓｉ層 ６ ａ−Ｓｉ層 ７ 裏側電極層 １１ Ｓｉ基板 １２ ドーピング層 １３ 表側電極層 １４ 裏側電極層 ２１ ノズル ２２ 砥粒 ２３ 研掃ゾーン Reference Signs List 1 glass substrate 2 front electrode layer 3 p-type a-Si layer 4 i-type a-Si layer 5 n-type a-Si layer 6 a-Si layer 7 back electrode layer 11 Si substrate 12 doping layer 13 front electrode layer 14 back electrode Layer 21 Nozzle 22 Abrasive 23 Polishing Zone
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 裕之 愛知県西春日井郡西春町大字宇福寺字神明 51番地 新東ブレーター株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 AA02 AA03 AA05 BA11 CB30 EA20 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Hiroyuki Takeda 51, Shinmei, Ufukuji, Nishiharucho, Nishi-Kasugai-gun, Aichi Prefecture F-term (reference) 5F051 AA02 AA03 AA05 BA11 CB30 EA20
Claims (4)
要の薄膜層を介して他方の電極層を積層した太陽電池パ
ネルを製造する工程において、他方の電極層を形成後に
パネル端縁を圧縮空気による微細な砥粒の吹き付けによ
って剥除することにより、両電極層間の短絡を除去する
ようにしたことを特徴とする太陽電池パネルの仕上加工
法。In a process of manufacturing a solar cell panel in which one electrode layer is laminated on a substrate on which one electrode layer is laminated via a required thin film layer, a panel edge is formed after the other electrode layer is formed. A method for finishing a solar cell panel, wherein a short circuit between both electrode layers is removed by spraying fine abrasive grains with compressed air.
れている一方の電極層にａ−Ｓｉ層を介して他方の電極
層を積層したａ−Ｓｉ型太陽電池パネルであって、他方
の電極層を形成後に、一方の電極層の端縁部分をリード
接続部として残して、前記した他方の電極層とａ−Ｓｉ
層の端縁部分を剥除することにより、両電極層間の短絡
を除去するようにしたことを特徴とする請求項１に記載
の太陽電池パネルの仕上加工法。2. An a-Si type solar cell panel in which a solar cell panel is formed by laminating one electrode layer laminated on a glass substrate to another electrode layer via an a-Si layer. After forming the electrode layer, the other electrode layer and the a-Si
2. The method for finishing a solar cell panel according to claim 1, wherein a short circuit between both electrode layers is removed by stripping an edge portion of the layer.
が層着されている単結晶または多結晶Ｓｉ基板の表面に
Ｐ又はＢのドーピング層とこのドーピング層を部分的に
覆う他方の電極層とを積層した結晶Ｓｉ型太陽電池パネ
ルであって、他方の電極層を形成後に前記したドーピン
グ層の端縁部分を剥除することにより、ドーピング層に
よる両電極層間の短絡を除去するようにしたことを特徴
とする請求項１に記載の太陽電池パネルの仕上加工法。3. A solar cell panel comprising a P- or B-doped layer on the surface of a single-crystal or polycrystalline Si substrate having one electrode layer deposited on the back side, and the other electrode partially covering the doped layer. A crystalline Si solar panel in which the layers are stacked, and by removing the edge of the doping layer after forming the other electrode layer, a short circuit between the two electrode layers due to the doping layer is removed. The method of finishing a solar cell panel according to claim 1, wherein:
噴射圧力０．２〜２．５ＭＰａでノズルから噴射する請
求項１または２または３に記載の太陽電池パネルの仕上
加工法。4. The method for finishing a solar cell panel according to claim 1, wherein fine abrasive grains having an average particle diameter of 50 μm or less are sprayed from a nozzle at a spray pressure of 0.2 to 2.5 MPa.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001110254A JP2002314106A (en) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | Method of finishing solar cell panel |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JP2002314106A true JP2002314106A (en) | 2002-10-25 |
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