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JP2002313935A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JP2002313935A
JP2002313935A JP2001116415A JP2001116415A JP2002313935A JP 2002313935 A JP2002313935 A JP 2002313935A JP 2001116415 A JP2001116415 A JP 2001116415A JP 2001116415 A JP2001116415 A JP 2001116415A JP 2002313935 A JP2002313935 A JP 2002313935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
frequency
oscillation
analog
crystal oscillator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001116415A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Ikeda
毅 池田
Hiroshi Miyagi
弘 宮城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NSC Co Ltd
Original Assignee
Nigata Semitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nigata Semitsu Co Ltd filed Critical Nigata Semitsu Co Ltd
Priority to JP2001116415A priority Critical patent/JP2002313935A/en
Priority to PCT/JP2002/003616 priority patent/WO2002086974A1/en
Publication of JP2002313935A publication Critical patent/JP2002313935A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B15/00Suppression or limitation of noise or interference
    • H04B15/02Reducing interference from electric apparatus by means located at or near the interfering apparatus
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Noise Elimination (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the problem that the quality of an analogue signal is deteriorated by receiving digital noise from a crystal-oscillator circuit when one chip is formed by an analogue circuit and a crystal-oscillator. SOLUTION: A crystal-oscillator circuit 5 generating a digital pulse signal for controlling a frequency changing circuit 3, for example, is disposed at a position that is furthermost from an RF circuit 2 handling high-frequency signals in an IC chip 1. Consequently, a high-frequency wave from the crystal-oscillator circuit 5 is attenuated at a rate of one for square of the distance, thereby preventing the problem that the high-frequency wave is superimposed on an analogue signal processed in the RF circuit 2 as digital noise.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に、アナログ回路と発振回路とが1つの半導体チップ
内あるいは1つのモジュール内に搭載された半導体装置
に用いて好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device,
In particular, the present invention is suitable for use in a semiconductor device in which an analog circuit and an oscillation circuit are mounted in one semiconductor chip or one module.

【0002】[0002]

【従来の技術】ラジオ受信機、携帯電話装置、PDA
(Personal Digital Assistants)などの無線通信端末
の普及を背景に、これら端末の小型化、軽量化などを目
的としてICの高集積化、半導体素子の微細化などが急
速に進められている。このような中、コンデンサなどの
受動部品を含む無線回路をIC化(1チップ化)もしく
は1モジュール化する試みも成されている。
2. Description of the Related Art Radio receivers, portable telephone devices, PDAs
Background of the Invention With the spread of wireless communication terminals such as (Personal Digital Assistants), high integration of ICs and miniaturization of semiconductor elements have been rapidly advanced for the purpose of reducing the size and weight of these terminals. Under such circumstances, an attempt has been made to make a wireless circuit including passive components such as a capacitor into an IC (one chip) or one module.

【0003】また、最近では、アナログ回路とデジタル
回路とを1チップもしくは1モジュールの中に混載した
いという要求が高まっている。例えば、ラジオ受信機、
携帯電話装置、近距離無線データ通信技術のブルートゥ
ース、無線LANなどにおいて、アナログ信号を送受信
するための無線回路(アナログ回路)と、選局用のPL
L(Phase Locked Loop)周波数シンセサイザ回路(デ
ジタル回路)や、送受信する信号をデジタル信号処理す
るためのベースバンド信号処理回路(デジタル回路)と
を1チップ化もしくは1モジュール化する試みが盛んに
行われている。
Recently, there has been an increasing demand for mounting analog circuits and digital circuits in one chip or one module. For example, a radio receiver,
A wireless circuit (analog circuit) for transmitting and receiving an analog signal in a mobile phone device, a short-range wireless data communication technology such as Bluetooth and a wireless LAN, and a PL for channel selection.
Attempts have been actively made to integrate an L (Phase Locked Loop) frequency synthesizer circuit (digital circuit) and a baseband signal processing circuit (digital circuit) for digitally processing signals to be transmitted and received into one chip or one module. ing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】これらのアナログ回路
あるいはデジタル回路を制御するために、水晶発振子の
発振周波数に従ってデジタル制御信号を発生する水晶発
振回路が、アナログ回路やデジタル回路と同じチップ内
あるいは同じモジュール内に設けられることが多い。
In order to control these analog circuits or digital circuits, a crystal oscillation circuit for generating a digital control signal according to the oscillation frequency of the crystal oscillator is provided in the same chip as the analog circuit or the digital circuit. Often provided in the same module.

【0005】しかしながら、アナログ回路と水晶発振回
路とを1つのチップ内あるいは1つのモジュール内に搭
載すると、水晶発振回路から発生されるシステムクロッ
クなどのデジタル制御信号の高調波成分が、デジタルノ
イズとしてアナログ回路に飛び込んでしまい、送受信す
るアナログ信号の特性を劣化させてしまうという問題が
生じる。例えば、音声信号を送受信する場合には、音質
が著しく劣化してしまい、非常に聞きづらくなってしま
う。
However, when an analog circuit and a crystal oscillation circuit are mounted in one chip or one module, harmonic components of a digital control signal such as a system clock generated from the crystal oscillation circuit are converted into analog noise as digital noise. There is a problem that the signal jumps into the circuit and deteriorates the characteristics of the analog signal to be transmitted and received. For example, when transmitting and receiving an audio signal, the sound quality is significantly degraded, making it very difficult to hear.

【0006】例えば図5に示すように、水晶発振子の発
振周波数が10MHzであったとすると、20MHzの
ところに2次高調波、30MHzのところに3次高調
波、…のようにn次の高調波成分が発生する。これらの
高調波は、次数が大きくなっても減衰量は比較的少な
い。
For example, as shown in FIG. 5, if the oscillation frequency of the crystal oscillator is 10 MHz, the second harmonic at 20 MHz, the third harmonic at 30 MHz, and the nth harmonic such as. Wave components are generated. These harmonics have relatively small attenuation even when the order increases.

【0007】一方、FMのラジオ受信機を例にとると、
日本のFM放送信号は、76M〜90MHzの周波数帯
を受信バンドとして使用する。そのため、この場合はF
M放送波帯のRF(Radio Frequency)アナログ信号に
水晶発振回路から発生するシステムクロックの8次高調
波および9次高調波が重畳してしまう。これは、本来受
信すべき信号の感度を低下させてしまう要因となる。
On the other hand, taking an FM radio receiver as an example,
Japanese FM broadcast signals use a frequency band of 76 MHz to 90 MHz as a reception band. Therefore, in this case F
The eighth and ninth harmonics of the system clock generated from the crystal oscillation circuit are superimposed on the RF (Radio Frequency) analog signal in the M broadcast wave band. This causes a reduction in sensitivity of a signal to be originally received.

【0008】このように、RF回路などのアナログ回路
と水晶発振回路とを1チップ化もしくは1モジュール化
した場合には、水晶発振回路から発生するデジタルパル
ス信号のn次高調波の周波数と、RF回路で扱うアナロ
グ信号の周波数とが略同じになると、そのn次高調波が
アナログ信号に対して妨害を与える結果となってしま
い、アナログ信号の品質を劣化させてしまうことにな
る。
As described above, when an analog circuit such as an RF circuit and a crystal oscillation circuit are formed into one chip or one module, the frequency of the n-th harmonic of the digital pulse signal generated from the crystal oscillation circuit and the RF If the frequency of the analog signal handled by the circuit becomes substantially the same, the n-th harmonic will result in interfering with the analog signal, and the quality of the analog signal will be degraded.

【0009】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたものであり、アナログ回路と水晶発振回路と
を1チップ化もしくは1モジュール化する場合に、水晶
発振回路からデジタルノイズを受けてアナログ信号の品
質が劣化してしまう不都合を抑止できるようにすること
を目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem. When an analog circuit and a crystal oscillation circuit are integrated into one chip or one module, digital noise is received from the crystal oscillation circuit. It is possible to suppress the inconvenience that the quality of the analog signal is deteriorated.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
所望の周波数帯の信号に関する処理を行うアナログ回路
と、上記所望の周波数帯に発振周波数の高調波が存在し
得る信号を発生する発振回路とを1つの半導体チップ内
に備え、上記半導体チップ内で上記発振回路を上記アナ
ログ回路もしくは上記所望の周波数帯の信号の入力回路
から最も遠い位置に配置したことを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising:
An analog circuit that performs processing related to a signal in a desired frequency band, and an oscillation circuit that generates a signal in which a harmonic of an oscillation frequency may exist in the desired frequency band are provided in one semiconductor chip. The oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit or the input circuit for a signal in the desired frequency band.

【0011】本発明の他の態様では、所望の周波数帯の
高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、デジタ
ル回路とを1つの半導体チップに混載した半導体装置で
あって、上記半導体チップは、所定の発振周波数に従っ
てデジタルパルス信号を発生する発振回路を備え、上記
半導体チップ内で上記発振回路を上記アナログ回路から
最も遠い位置に配置したことを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which an analog circuit for performing a process related to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted on one semiconductor chip. An oscillation circuit for generating a digital pulse signal according to an oscillation frequency is provided, and the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit in the semiconductor chip.

【0012】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、所
定のデジタル信号処理を行うデジタル回路と、所定の周
波数で発振する水晶発振子と、上記水晶発振子の発振周
波数に従ってデジタルパルス信号を発生する発振回路と
を備え、上記発振回路を上記アナログ回路から最も遠い
位置に配置したことを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided an analog circuit for processing a high-frequency signal in a desired frequency band, a digital circuit for performing predetermined digital signal processing, a crystal oscillator oscillating at a predetermined frequency, An oscillation circuit for generating a digital pulse signal in accordance with the oscillation frequency of the oscillator, wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit.

【0013】本発明のその他の態様では、上記水晶発振
子を上記発振回路の近傍に配置したことを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, the crystal oscillator is arranged near the oscillation circuit.

【0014】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、デ
ジタル回路とを混載した半導体チップを有する半導体装
置であって、所定の周波数で発振する水晶発振子と、上
記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信号
を発生する上記半導体チップ内の発振回路とを備え、上
記半導体チップ内で上記発振回路を上記アナログ回路か
ら最も遠い位置に配置したことを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a semiconductor chip in which an analog circuit for performing processing relating to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted, wherein a crystal oscillator oscillating at a predetermined frequency is provided. And an oscillation circuit in the semiconductor chip for generating a digital pulse signal according to the oscillation frequency of the crystal oscillator, wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit in the semiconductor chip. And

【0015】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、デ
ジタル回路とを混載した半導体チップを有する半導体装
置であって、所定の周波数で発振する水晶発振子と、上
記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信号
を発生する上記半導体チップ内の発振回路とを備え、上
記半導体チップ内で上記発振回路を上記アナログ回路か
ら最も遠い位置に配置するとともに、上記水晶発振子を
上記発振回路の近傍に配置したことを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a semiconductor chip on which an analog circuit for performing processing relating to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted, wherein a crystal oscillator oscillating at a predetermined frequency is provided. And an oscillation circuit in the semiconductor chip that generates a digital pulse signal according to the oscillation frequency of the crystal oscillator, and the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit in the semiconductor chip, and A crystal oscillator is arranged near the oscillation circuit.

【0016】本発明のその他の態様では、上記アナログ
回路は、アナログ信号を無線で送信および/または受信
するための無線回路であることを特徴とする。
In another aspect of the present invention, the analog circuit is a wireless circuit for transmitting and / or receiving an analog signal wirelessly.

【0017】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号を無線で送信および/または受信するた
めのアナログの高周波回路と、水晶発振子の発振周波数
に従ってデジタルパルス信号を発生する発振回路とを1
つの半導体チップ内に備え、上記半導体チップ内で上記
発振回路を上記高周波回路から最も遠い位置に配置した
ことを特徴とする。
In another aspect of the present invention, an analog high-frequency circuit for wirelessly transmitting and / or receiving a high-frequency signal in a desired frequency band, and an oscillating circuit for generating a digital pulse signal according to the oscillation frequency of a crystal oscillator And 1
Wherein the oscillation circuit is provided at a position farthest from the high-frequency circuit in the semiconductor chip.

【0018】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、デ
ジタル回路とを混載した半導体チップを有する半導体装
置であって、上記高周波信号を無線で送信および/また
は受信するためのアナログの高周波回路と、水晶発振子
の発振周波数に従ってデジタルパルス信号を発生する発
振回路とを備え、上記半導体チップ内で上記発振回路を
上記高周波回路から最も遠い位置に配置したことを特徴
とする。
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device having a semiconductor chip in which an analog circuit for performing processing relating to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted, wherein the high-frequency signal is transmitted wirelessly. And / or an analog high-frequency circuit for receiving, and an oscillation circuit for generating a digital pulse signal according to the oscillation frequency of the crystal oscillator, wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the high-frequency circuit in the semiconductor chip. It is characterized by the following.

【0019】本発明のその他の態様では、上記発振回路
と上記高周波回路とを上記半導体チップの対角に当たる
位置に配置したことを特徴とする。
In another aspect of the present invention, the oscillation circuit and the high-frequency circuit are arranged at diagonal positions of the semiconductor chip.

【0020】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、所
定の周波数で発振する水晶発振子と、上記水晶発振子の
発振周波数に従ってデジタルパルス信号を発生する発振
回路とを1つのモジュール内に備え、上記モジュール内
で上記水晶発振子および上記発振回路を上記アナログ回
路から最も遠い位置に配置したことを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, an analog circuit for processing a high-frequency signal in a desired frequency band, a crystal oscillator oscillating at a predetermined frequency, and a digital pulse signal generated according to the oscillation frequency of the crystal oscillator And an oscillator circuit for performing the operation in a single module, wherein the crystal oscillator and the oscillator circuit are arranged at a position farthest from the analog circuit in the module.

【0021】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、デ
ジタル回路とを1つのモジュールに混載した半導体装置
であって、上記モジュールは、所定の周波数で発振する
水晶発振子と、上記水晶発振子の発振周波数に従ってデ
ジタルパルス信号を発生する発振回路とを備え、上記モ
ジュール内で上記水晶発振子および上記発振回路を上記
アナログ回路から最も遠い位置に配置したことを特徴と
する。
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which an analog circuit for performing processing relating to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted in a single module, wherein the module has a predetermined frequency. A crystal oscillator that oscillates, and an oscillation circuit that generates a digital pulse signal in accordance with the oscillation frequency of the crystal oscillator, wherein the crystal oscillator and the oscillation circuit are arranged at a position farthest from the analog circuit in the module. It is characterized by the following.

【0022】本発明のその他の態様では、上記モジュー
ルは1つ以上の半導体チップを有し、上記アナログ回路
および上記発振回路は同じ半導体チップ内に備えられ、
上記半導体チップ内で上記発振回路は上記アナログ回路
から最も遠い位置に配置されていることを特徴とする。
In another aspect of the present invention, the module has one or more semiconductor chips, the analog circuit and the oscillation circuit are provided in the same semiconductor chip,
The oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit in the semiconductor chip.

【0023】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、所
定の周波数で発振する水晶発振子と、上記水晶発振子の
発振周波数に従ってデジタルパルス信号を発生する発振
回路とを1つのモジュール上に備え、上記アナログ回路
と上記水晶発振子および上記発振回路とをモジュール基
板の両面に分けて配置したことを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, an analog circuit for processing a high-frequency signal in a desired frequency band, a crystal oscillator oscillating at a predetermined frequency, and a digital pulse signal generated according to the oscillation frequency of the crystal oscillator An oscillator circuit for performing the above-described operations is provided on one module, and the analog circuit, the crystal oscillator, and the oscillator circuit are separately arranged on both sides of a module substrate.

【0024】本発明のその他の態様では、所望の周波数
帯の高周波信号に関する処理を行うアナログ回路と、デ
ジタル回路とを1つのモジュールに混載した半導体装置
であって、上記モジュールは、所定の周波数で発振する
水晶発振子と、上記水晶発振子の発振周波数に従ってデ
ジタルパルス信号を発生する発振回路とを備え、上記ア
ナログ回路と上記水晶発振子および上記発振回路とをモ
ジュール基板の両面に分けて配置したことを特徴とす
る。
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which an analog circuit for performing processing relating to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted in a single module, wherein the module has a predetermined frequency. A crystal oscillator that oscillates, and an oscillation circuit that generates a digital pulse signal according to the oscillation frequency of the crystal oscillator. The analog circuit, the crystal oscillator, and the oscillation circuit are separately arranged on both sides of a module substrate. It is characterized by the following.

【0025】本発明のその他の態様では、上記アナログ
回路は、アナログ信号を無線で送信および/または受信
するための無線回路であることを特徴とする。
In another aspect of the present invention, the analog circuit is a wireless circuit for transmitting and / or receiving an analog signal wirelessly.

【0026】本発明は上記技術手段より成るので、例え
ば高周波信号を扱うアナログ回路とデジタルパルス信号
を発生する発振回路とが1つのチップ内あるいは1つの
モジュール内に搭載された半導体装置において、デジタ
ルパルス信号の高調波の発生源となる発振回路をアナロ
グ回路からできるだけ遠い位置に配置することで、発振
回路からの高調波が距離の2乗分の1の割合で減衰し、
アナログ回路で処理される高周波アナログ信号に発振回
路からの高調波がデジタルノイズとして重畳してしまう
不都合を抑止することが可能となる。
The present invention comprises the above technical means. For example, in a semiconductor device in which an analog circuit for handling a high-frequency signal and an oscillation circuit for generating a digital pulse signal are mounted on one chip or one module, By arranging the oscillation circuit, which is the source of signal harmonics, as far as possible from the analog circuit, the harmonics from the oscillation circuit are attenuated at a ratio of one half of the distance,
It is possible to suppress the inconvenience that the harmonic from the oscillation circuit is superimposed as digital noise on the high-frequency analog signal processed by the analog circuit.

【0027】本発明の他の特徴によれば、例えば高周波
信号を扱うアナログ回路とデジタルパルス信号を発生す
る発振回路とが1つのモジュール上に搭載された半導体
装置において、アナログ回路と、デジタルパルス信号の
高調波の発生源となる発振回路とを異なるモジュール基
板面に配置することにより、アナログ回路に発振回路か
らの高調波が飛び込まないように、モジュール基板面に
よって高調波をシールドすることが可能となる。
According to another feature of the present invention, for example, in a semiconductor device in which an analog circuit for handling a high-frequency signal and an oscillation circuit for generating a digital pulse signal are mounted on one module, the analog circuit and the digital pulse signal By arranging the oscillation circuit that is the source of the harmonics on a different module substrate surface, it is possible to shield the harmonics by the module substrate surface so that the harmonics from the oscillation circuit do not enter the analog circuit. Become.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本発明の半導体装置を実
施した半導体チップ(ICチップ)の構成例を示す図で
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a semiconductor chip (IC chip) implementing a semiconductor device of the present invention.

【0029】図1において、本実施形態のICチップ1
は、アンテナ7を介して高周波信号の送信および/また
は受信に関する処理を行うRF回路2と、信号の周波数
を変換して高周波信号から中間周波信号を生成する周波
数変換回路3と、中間周波信号に関する処理を行うIF
(Intermediate Frequency)回路4と、周波数変換回路
3を制御するデジタルパルス信号を発生する水晶発振回
路5とを備えている。水晶発振回路5には、所定の発振
周波数で発振する水晶発振子6が接続されている。
In FIG. 1, an IC chip 1 according to this embodiment is shown.
Are related to an RF circuit 2 for performing processing relating to transmission and / or reception of a high-frequency signal via an antenna 7, a frequency conversion circuit 3 for converting the frequency of the signal to generate an intermediate frequency signal from the high-frequency signal, and an intermediate frequency signal. IF for processing
(Intermediate Frequency) circuit 4 and a crystal oscillation circuit 5 that generates a digital pulse signal for controlling the frequency conversion circuit 3. A crystal oscillator 6 that oscillates at a predetermined oscillation frequency is connected to the crystal oscillation circuit 5.

【0030】このような構成のICチップ1において、
水晶発振回路5および水晶発振子6は、RF回路2から
最も遠い位置、すなわち、周波数変換回路3およびIF
回路4を挟んでRF回路2の反対側に配置している。こ
のような位置に水晶発振回路5および水晶発振子6を配
置することにより、デジタルパルス信号の高調波を発生
する水晶発振回路5および水晶発振子6を、RF回路2
から極力離して配置することができる。
In the IC chip 1 having such a configuration,
The crystal oscillation circuit 5 and the crystal oscillator 6 are located farthest from the RF circuit 2, that is, the frequency conversion circuit 3 and the IF
It is arranged on the opposite side of the RF circuit 2 with the circuit 4 interposed. By arranging the crystal oscillation circuit 5 and the crystal oscillator 6 at such positions, the crystal oscillation circuit 5 and the crystal oscillator 6 that generate harmonics of the digital pulse signal can be connected to the RF circuit 2.
Can be arranged as far as possible.

【0031】一般に、電磁波はその発生源から距離の2
乗分の1の割合で減衰する。したがって、水晶発振回路
5および水晶発振子6をRF回路2から極力遠い位置に
配置することにより、水晶発振回路5から発生されるデ
ジタルパルス信号の高調波成分をRF回路2に届くまで
に十分に減衰させ、RF回路2で扱うアナログ信号にn
次高調波が重畳することを抑止することができる。これ
により、アナログ信号へのノイズ混入による音質劣化を
抑制することができる。
Generally, an electromagnetic wave is two distances away from its source.
It attenuates at a rate of one power. Therefore, by disposing the crystal oscillation circuit 5 and the crystal oscillator 6 as far as possible from the RF circuit 2, the harmonic components of the digital pulse signal generated from the crystal oscillation circuit 5 can be sufficiently transmitted to reach the RF circuit 2. Attenuate the analog signal handled by the RF circuit 2 to n
The superimposition of the second harmonic can be suppressed. As a result, it is possible to suppress sound quality deterioration due to noise mixing in the analog signal.

【0032】なお、RF回路2にはアンテナ7が接続さ
れるのが通常である。アンテナ7の近傍位置は、RF回
路2の中でも特に電磁波を拾いやすい場所なので、この
アンテナ7から最も遠い位置に水晶発振回路5および水
晶発振子6を配置するのが好ましい。すなわち、例えば
アンテナ7がICチップ1の1角の近傍に設けられる場
合に、図1のようにその対角に当たる位置に水晶発振回
路5および水晶発振子6を配置するのが好ましい。
Incidentally, an antenna 7 is usually connected to the RF circuit 2. Since the position near the antenna 7 is particularly easy to pick up electromagnetic waves in the RF circuit 2, it is preferable to dispose the crystal oscillation circuit 5 and the crystal oscillator 6 farthest from the antenna 7. That is, for example, when the antenna 7 is provided near one corner of the IC chip 1, it is preferable to dispose the crystal oscillation circuit 5 and the crystal oscillator 6 at diagonal positions as shown in FIG.

【0033】図2は、ICチップ1の他の構成例を示す
図であり、ここではアナログ回路とデジタル回路との混
載回路を示している。図2に示すICチップ10は、ア
ナログ信号を処理するアナログ回路11と、デジタル信
号を処理するデジタル回路12と、アナログ回路11も
しくはデジタル回路12を制御するシステムクロック
(デジタルパルス信号)を発生する水晶発振回路13と
を備えている。水晶発振回路13には、所定の周波数で
発振する水晶発振子14が接続されている。
FIG. 2 is a diagram showing another example of the configuration of the IC chip 1, in which a mixed circuit of an analog circuit and a digital circuit is shown. An IC chip 10 shown in FIG. 2 includes an analog circuit 11 for processing an analog signal, a digital circuit 12 for processing a digital signal, and a crystal for generating a system clock (digital pulse signal) for controlling the analog circuit 11 or the digital circuit 12. An oscillation circuit 13 is provided. A crystal oscillator 14 that oscillates at a predetermined frequency is connected to the crystal oscillation circuit 13.

【0034】上記ICチップ10がラジオ受信機、携帯
電話装置、無線LAN、ブルートゥースインタフェース
などの機能を実装したものである場合、アナログ回路1
1は、アンテナ15を介してアナログ信号を送信および
/または受信するための無線回路(RF回路やIF回路
など)で構成される。また、デジタル回路12は、上記
アナログ回路11において送受信する信号をデジタル信
号処理するためのベースバンド信号処理回路などで構成
される。
When the IC chip 10 has a function such as a radio receiver, a mobile phone, a wireless LAN, a Bluetooth interface, etc., the analog circuit 1
1 includes a wireless circuit (RF circuit, IF circuit, or the like) for transmitting and / or receiving an analog signal via the antenna 15. The digital circuit 12 includes a baseband signal processing circuit for digitally processing signals transmitted and received by the analog circuit 11.

【0035】本実施形態では、図2に示すように、アナ
ログ回路11とデジタル回路12とをICチップ10内
で物理的に2つの領域に分けて配置する。図2(a)の
例では、ICチップ10を縦方向(あるいは横方向)に
領域分割し、一方の領域にアナログ回路11を配置し、
他方の領域にデジタル回路12を配置している。アナロ
グ回路11とデジタル回路12とで配置面積が異なって
いるのは、内蔵する回路規模の違いによるものである。
In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the analog circuit 11 and the digital circuit 12 are physically divided into two regions in the IC chip 10. In the example of FIG. 2A, the IC chip 10 is divided into regions in the vertical direction (or the horizontal direction), and the analog circuit 11 is arranged in one region.
The digital circuit 12 is arranged in the other area. The difference in the layout area between the analog circuit 11 and the digital circuit 12 is due to the difference in the scale of the built-in circuit.

【0036】このようなアナログ回路11とデジタル回
路12の配置において、水晶発振回路13および水晶発
振子14は、アナログ回路11から最も遠い位置、すな
わち、デジタル回路12を挟んでアナログ回路11の反
対側に配置している。このような位置に水晶発振回路1
3および水晶発振子14を配置することにより、システ
ムクロックの高調波を発生する水晶発振回路13および
水晶発振子14を、アナログ回路11から極力離して配
置することができる。
In such an arrangement of the analog circuit 11 and the digital circuit 12, the crystal oscillation circuit 13 and the crystal oscillator 14 are located farthest from the analog circuit 11, that is, on the opposite side of the analog circuit 11 with respect to the digital circuit 12. Has been placed. In such a position, the crystal oscillation circuit 1
By arranging the crystal oscillator 3 and the crystal oscillator 14, the crystal oscillation circuit 13 and the crystal oscillator 14 that generate harmonics of the system clock can be arranged as far away from the analog circuit 11 as possible.

【0037】したがって、水晶発振回路13から発生さ
れるデジタルパルス信号の高調波成分をアナログ回路1
1に届くまでに十分に減衰させ、アナログ回路11で扱
うアナログ信号にn次高調波が重畳することを抑止する
ことができる。これにより、アナログ信号へのノイズ混
入による音質劣化を抑制することができる。
Therefore, the harmonic component of the digital pulse signal generated from the crystal oscillation circuit 13 is
In this case, the signal is sufficiently attenuated until the signal reaches 1 and the superimposition of the nth harmonic on the analog signal handled by the analog circuit 11 can be suppressed. As a result, it is possible to suppress sound quality deterioration due to noise mixing in the analog signal.

【0038】なお、上述したようにアナログ回路11が
無線回路で構成される場合、これにはアンテナ15が接
続されるのが通常である。アンテナ15の近傍位置は、
アナログ回路11の中でも特に電磁波を拾いやすい場所
なので、このアンテナ15から最も遠い位置に水晶発振
回路13および水晶発振子14を配置するのが好まし
い。すなわち、例えばアンテナ15がICチップ10の
1角の近傍に設けられる場合に、図2(a)のようにそ
の対角に当たる位置に水晶発振回路13および水晶発振
子14を配置するのが好ましい。
When the analog circuit 11 is constituted by a radio circuit as described above, it is usual that the antenna 15 is connected to this. The position near the antenna 15 is
Since the electromagnetic wave is particularly easily picked up in the analog circuit 11, it is preferable to dispose the crystal oscillation circuit 13 and the crystal oscillator 14 farthest from the antenna 15. That is, for example, when the antenna 15 is provided near one corner of the IC chip 10, it is preferable to dispose the crystal oscillation circuit 13 and the crystal oscillator 14 at diagonally opposite positions as shown in FIG.

【0039】図2(b)は、ICチップ10内のアナロ
グ回路11とデジタル回路12に関する他の配置例を示
す図である。図2(b)の例では、アナログ回路11を
ICチップ10の1つのコーナー付近の領域に配置し、
デジタル回路12を残りの領域(この場合はアナログ回
路11の周囲を囲むようなL字型の領域)に配置してい
る。そして、水晶発振回路13および水晶発振子14
を、アナログ回路11から最も遠い位置、すなわち、ア
ナログ回路11の領域に対して対角に当たる位置に配置
する。
FIG. 2B is a diagram showing another example of the arrangement of the analog circuit 11 and the digital circuit 12 in the IC chip 10. In the example of FIG. 2B, the analog circuit 11 is arranged in a region near one corner of the IC chip 10,
The digital circuit 12 is arranged in the remaining area (in this case, an L-shaped area surrounding the analog circuit 11). The crystal oscillation circuit 13 and the crystal oscillator 14
Is disposed at a position farthest from the analog circuit 11, that is, at a position diagonally opposite to the area of the analog circuit 11.

【0040】このように配置することにより、水晶発振
回路13および水晶発振子14をアナログ回路11から
極力離して配置することができる。これにより、水晶発
振回路13から発生されるデジタルパルス信号の高調波
が、アナログ回路11で扱うアナログ信号に重畳するこ
とを抑止することができ、デジタルノイズを減少させる
ことができる。特に、アンテナ15と、水晶発振回路1
3および水晶発振子14とをICチップ10の対角上に
配置してこれらの距離が最も大きくなるようにすること
により、アナログ信号への妨害を効率よく抑制すること
ができる。
With this arrangement, the crystal oscillation circuit 13 and the crystal oscillator 14 can be arranged as far away from the analog circuit 11 as possible. Thus, it is possible to prevent harmonics of the digital pulse signal generated from the crystal oscillation circuit 13 from being superimposed on the analog signal handled by the analog circuit 11, thereby reducing digital noise. In particular, the antenna 15 and the crystal oscillation circuit 1
By arranging the crystal resonator 3 and the crystal oscillator 14 on the diagonal of the IC chip 10 so that the distance between them is maximized, it is possible to efficiently suppress interference with analog signals.

【0041】図3は、アナログ回路とデジタル回路とを
混載したICチップの具体例を示す図である。この図3
は、ラジオ受信機の機能を1チップ化した例を示してい
る。図3に示すICチップ20は、アナログ回路とし
て、RFアンプ21、ミキサ22、局部発振器(OS
C)23、IFアンプ24、検波回路25、オーディオ
アンプ26、PLL回路27などを備えている。
FIG. 3 is a diagram showing a specific example of an IC chip in which an analog circuit and a digital circuit are mounted together. This figure 3
Shows an example in which the function of the radio receiver is integrated into one chip. The IC chip 20 shown in FIG. 3 includes an RF amplifier 21, a mixer 22, and a local oscillator (OS
C) 23, an IF amplifier 24, a detection circuit 25, an audio amplifier 26, a PLL circuit 27, and the like.

【0042】RFアンプ21は、FMあるいはAM放送
波帯のラジオ信号(高周波信号)をアンテナ40および
アンテナフィルタ41を介して受信し、これを増幅する
ものである。ミキサ22は、RFアンプ21から出力さ
れる高周波信号と、局部発振器23から出力される局部
発振周波数の信号とを混合することによって中間周波数
(IF)信号を生成し、次段のIFアンプ24に出力す
る。
The RF amplifier 21 receives a radio signal (high frequency signal) in the FM or AM broadcast wave band via the antenna 40 and the antenna filter 41 and amplifies the radio signal. The mixer 22 generates an intermediate frequency (IF) signal by mixing a high frequency signal output from the RF amplifier 21 and a signal having a local oscillation frequency output from the local oscillator 23, and supplies the intermediate frequency (IF) signal to the IF amplifier 24 in the next stage. Output.

【0043】局部発振器23は、設定された希望受信周
波数に応じてPLL回路27により制御される局部発振
周波数に従って、当該周波数の信号を発生してミキサ2
2に供給する。PLL回路27で局部発振周波数を作る
元となる基準周波数は、水晶発振子31の発振周波数に
より定められる。
The local oscillator 23 generates a signal of the frequency according to the local oscillation frequency controlled by the PLL circuit 27 according to the set desired reception frequency, and
Feed to 2. The reference frequency from which the local oscillation frequency is generated by the PLL circuit 27 is determined by the oscillation frequency of the crystal oscillator 31.

【0044】IFアンプ24は、ミキサ22より出力さ
れたIF信号に対して増幅など所定の処理を行い、次段
の検波回路25に出力する。検波回路25は、IFアン
プ24から出力されるIF信号の検波を行い、その結果
をオーディオアンプ26に出力する。オーディオアンプ
26は、検波回路25からの検波出力を増幅して出力す
る。
The IF amplifier 24 performs predetermined processing such as amplification on the IF signal output from the mixer 22 and outputs the result to a detection circuit 25 at the next stage. The detection circuit 25 detects the IF signal output from the IF amplifier 24 and outputs the result to the audio amplifier 26. The audio amplifier 26 amplifies and outputs the detection output from the detection circuit 25.

【0045】また、図3に示すICチップ20は、デジ
タル回路として、例えば水晶発振回路32、デジタルカ
ウンタ33、デジタルコントローラ34、DARC(Da
ta Radio Channel:FMデータ放送)用のデコーダ35
などを備えている。水晶発振回路32は、所定の周波数
で発振する水晶発振子31を用いて、アナログ回路やデ
ジタル回路全体を制御するためのシステムクロック(デ
ジタルパルス信号)を発生する。
The IC chip 20 shown in FIG. 3 has, as digital circuits, for example, a crystal oscillation circuit 32, a digital counter 33, a digital controller 34, and a DARC (Da
Decoder 35 for ta Radio Channel (FM data broadcasting)
And so on. The crystal oscillation circuit 32 uses the crystal oscillator 31 that oscillates at a predetermined frequency to generate a system clock (digital pulse signal) for controlling the entire analog circuit and digital circuit.

【0046】デジタルカウンタ33は、水晶発振回路3
2より発生されるシステムクロックをカウントするもの
であり、そのカウント値が例えばデジタルコントローラ
34に供給されて、デジタル回路を制御するために用い
られる。デジタルコントローラ34は、DARCデコー
ダ35を含むデジタル回路の全体を制御するためのもの
である。
The digital counter 33 includes the crystal oscillation circuit 3
The system clock is counted by the system controller 2 and the count value is supplied to, for example, the digital controller 34 and used to control a digital circuit. The digital controller 34 controls the entire digital circuit including the DARC decoder 35.

【0047】DARCデコーダ35は、FMデータ放送
(移動体FM多重放送)にて送信されるデータを受信し
てデコードする処理を行う。ここでは、伝送データ中に
含まれるエラー訂正符号に基づく受信データのエラー訂
正などの処理も行う。
The DARC decoder 35 receives and decodes data transmitted by FM data broadcasting (mobile FM multiplex broadcasting). Here, processing such as error correction of received data based on the error correction code included in the transmission data is also performed.

【0048】なお、ここに示したICチップ20内の構
成は単なる例示に過ぎず、これらの構成を必ずしも全て
備えている必要はない。また、図3に示した構成の他
に、選局(受信周波数の選択)を行うためのシンセサイ
ザや音量の調節を行うボリューム回路など、アンテナ4
0で受信したラジオ放送信号を処理するのに必要な他の
回路を備えていても良い。
It should be noted that the configuration inside the IC chip 20 shown here is merely an example, and it is not always necessary to provide all of these configurations. In addition to the configuration shown in FIG. 3, the antenna 4 includes a synthesizer for selecting a channel (selection of a reception frequency) and a volume circuit for adjusting a volume.
Other circuits necessary for processing the radio broadcast signal received at 0 may be provided.

【0049】以上のようにアナログ回路とデジタル回路
とを混載して成るラジオ受信機のICチップ20におい
て、水晶発振子31および水晶発振回路32は、アナロ
グ回路の中でも特に電磁波を拾いやすいRFアンプ21
から最も遠い位置、すなわち、RFアンプ21から見て
ICチップ20の対角に当たる位置に配置している。
As described above, in the IC chip 20 of the radio receiver in which the analog circuit and the digital circuit are mixedly mounted, the crystal oscillator 31 and the crystal oscillation circuit 32 are the RF amplifiers 21 which are particularly easy to pick up electromagnetic waves among the analog circuits.
, That is, the diagonal position of the IC chip 20 when viewed from the RF amplifier 21.

【0050】このような位置に水晶発振子31および水
晶発振回路32を配置することにより、ノイズの原因と
なる高調波の発生源をRFアンプ21から極力離して配
置することができる。これにより、水晶発振回路32か
ら発生されるデジタルパルス信号の高調波が、RFアン
プ21で送受信される高周波信号に重畳してしまう不都
合を抑止でき、ノイズを低減して音質劣化を抑制するこ
とができる。
By arranging the crystal oscillator 31 and the crystal oscillation circuit 32 at such positions, it is possible to arrange a source of a harmonic that causes noise as far away from the RF amplifier 21 as possible. As a result, it is possible to suppress the inconvenience that the harmonic of the digital pulse signal generated from the crystal oscillation circuit 32 is superimposed on the high-frequency signal transmitted and received by the RF amplifier 21, and it is possible to reduce noise and suppress sound quality deterioration. it can.

【0051】なお、図3の例では、RFアンプ21と、
水晶発振子31および水晶発振回路32とをそれぞれI
Cチップ20の対角位置に配置しているが、本発明はこ
の例に限定されるものではない。例えば、RFアンプ2
1がICチップ20の1辺に沿って配置される場合は、
それと反対側の1辺(対辺)に沿って水晶発振子31お
よび水晶発振回路32を配置すれば良い。要は、ICチ
ップ20内でRFアンプ21から可能な限り遠い位置に
水晶発振回路32を配置するものであれば、本発明に含
まれる。
In the example of FIG. 3, the RF amplifier 21 and
The crystal oscillator 31 and the crystal oscillation circuit 32
Although arranged at diagonal positions of the C chip 20, the present invention is not limited to this example. For example, RF amplifier 2
When 1 is arranged along one side of the IC chip 20,
The crystal oscillator 31 and the crystal oscillation circuit 32 may be arranged along one side (opposite side) on the opposite side. In short, the present invention is included in a case where the crystal oscillation circuit 32 is arranged at a position as far as possible from the RF amplifier 21 in the IC chip 20.

【0052】また、図1〜図3の例では、水晶発振子を
ICチップの外付け部品として示しているが、水晶発振
子もICチップ内に内蔵するようにしても良い。また、
発振子および発振回路は、必ずしも水晶によるものでな
くても良い。
Although the crystal oscillator is shown as an external component of the IC chip in the examples of FIGS. 1 to 3, the crystal oscillator may be built in the IC chip. Also,
The oscillator and the oscillation circuit need not necessarily be made of quartz.

【0053】図4は、本発明の半導体装置を実施したモ
ジュールの構成例を示す図である。図4に示すモジュー
ル(1つのプリント回路基板上に実装されたラジオ受信
機、携帯電話、無線LAN、ブルートゥースインタフェ
ースなどの機能モジュール)50は、高周波信号の送信
および/または受信を行うアナログの無線回路(RFア
ンプやIFアンプなどを含む)51と、当該無線回路5
1で送受信する信号に対してデジタル信号処理を行うデ
ジタル信号処理回路(例えばベースバンド信号処理回路
など)52と、水晶発振子53と、水晶発振回路54と
を備えている。
FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of a module implementing the semiconductor device of the present invention. A module (a functional module such as a radio receiver, a mobile phone, a wireless LAN, and a Bluetooth interface) 50 mounted on one printed circuit board is an analog wireless circuit that transmits and / or receives a high-frequency signal. (Including an RF amplifier and an IF amplifier) 51 and the wireless circuit 5
1 includes a digital signal processing circuit (for example, a baseband signal processing circuit or the like) 52 for performing digital signal processing on a signal transmitted / received in 1, a crystal oscillator 53, and a crystal oscillation circuit 54.

【0054】このうち無線回路51は、アンテナ55の
近傍に配置される。また、デジタル信号処理回路52
は、無線回路51に隣接する領域に配置される。さら
に、水晶発振子53および水晶発振回路54は、モジュ
ール50内でアナログの無線回路51(特にRFアン
プ)から最も遠い位置、すなわち、デジタル信号処理回
路52を挟んで無線回路51の反対側に配置している。
上述のように、アンテナ55は無線回路51の近傍に配
置されるので、水晶発振子53および水晶発振回路54
は、アンテナ55からも最も遠い位置に配置されること
になる。
The wireless circuit 51 is disposed near the antenna 55. Also, the digital signal processing circuit 52
Are arranged in an area adjacent to the wireless circuit 51. Further, the crystal oscillator 53 and the crystal oscillation circuit 54 are arranged in the module 50 at the position farthest from the analog radio circuit 51 (particularly, the RF amplifier), that is, on the opposite side of the radio circuit 51 with the digital signal processing circuit 52 interposed therebetween. are doing.
As described above, since the antenna 55 is disposed near the radio circuit 51, the crystal oscillator 53 and the crystal oscillation circuit 54
Is arranged at a position farthest from the antenna 55.

【0055】これにより、アナログ信号に妨害を与える
原因となる高調波の発生源である水晶発振子53および
水晶発振回路54を、電磁波を拾いやすい無線回路51
から極力離して配置することができる。このように、水
晶発振子53および水晶発振回路54を無線回路51か
ら極力遠い位置に配置することにより、水晶発振回路5
4から発生されるデジタルパルス信号の高調波が、無線
回路51で送受信するアナログ信号に重畳することを抑
止して、ノイズを減少させることができる。
As a result, the crystal oscillator 53 and the crystal oscillation circuit 54, which are the sources of harmonics that cause interference with the analog signal, are replaced with the radio circuit 51 that easily picks up electromagnetic waves.
Can be arranged as far as possible. By arranging the crystal oscillator 53 and the crystal oscillation circuit 54 as far as possible from the wireless circuit 51 as described above, the crystal oscillation circuit 5
4 can be prevented from being superimposed on the analog signal transmitted and received by the wireless circuit 51, thereby reducing noise.

【0056】なお、上記図4の例では、水晶発振子53
および水晶発振回路54を、モジュール50内でアナロ
グの無線回路51から最も遠い位置に配置する例につい
て示したが、モジュール50のプリント回路基板の両面
を利用して回路を配置するようにし、無線回路51と水
晶発振子53および水晶発振回路54とを互いに異なる
面に配置するようにしても良い。このようにすれば、プ
リント回路基板の配置パターン(PCBパターン)によ
って水晶発振回路54から生じる高調波(電磁波)をシ
ールドし、無線回路51に届かないようにすることがで
きる。
In the example of FIG. 4, the crystal oscillator 53
Although the example in which the crystal oscillation circuit 54 is arranged at the position farthest from the analog wireless circuit 51 in the module 50 has been described, the circuit is arranged by using both sides of the printed circuit board of the module 50, The 51, the crystal oscillator 53, and the crystal oscillation circuit 54 may be arranged on different surfaces. By doing so, the harmonics (electromagnetic waves) generated from the crystal oscillation circuit 54 can be shielded by the arrangement pattern (PCB pattern) of the printed circuit board, and can be prevented from reaching the wireless circuit 51.

【0057】このように無線回路51と水晶発振子53
および水晶発振回路54とを異なる面に配置する場合で
も、無線回路51と水晶発振子53および水晶発振回路
54とは、できるだけ遠い位置に配置するのが好まし
い。このようにすれば、水晶発振回路54から発生され
るデジタルパルス信号の高調波が、無線回路51で送受
信するアナログ信号に重畳することをより確実に抑止す
ることができる。
As described above, the radio circuit 51 and the crystal oscillator 53
Even when the crystal oscillation circuit 54 and the crystal oscillation circuit 54 are arranged on different surfaces, it is preferable that the radio circuit 51 and the crystal oscillator 53 and the crystal oscillation circuit 54 are arranged at positions as far as possible. By doing so, it is possible to more reliably prevent the harmonics of the digital pulse signal generated from the crystal oscillation circuit 54 from being superimposed on the analog signal transmitted and received by the wireless circuit 51.

【0058】なお、この図4では、アナログ回路(無線
回路51)とデジタル回路(デジタル信号処理回路5
2)とを1つのモジュール50上に混載した例について
説明したが、図1に示したICチップ1と同様に、アナ
ログ回路のみを搭載したモジュール上において、そのア
ナログ回路から最も遠い位置に水晶発振子および水晶発
振回路を配置するようにしても良い。
In FIG. 4, an analog circuit (wireless circuit 51) and a digital circuit (digital signal processing circuit 5) are shown.
2) has been described on a single module 50. However, as in the case of the IC chip 1 shown in FIG. 1, on a module on which only an analog circuit is mounted, a crystal oscillation is provided at a position farthest from the analog circuit. A crystal and a crystal oscillation circuit may be arranged.

【0059】上記実施形態では、ICチップ1,10,
20内のアナログ回路あるいはモジュール50内のアナ
ログ回路が無線回路である場合について説明したが、本
発明は特にこの例に限定されるものではない。すなわ
ち、電磁波を拾いやすい回路を含むアナログ回路であれ
ば、いずれにも本発明を適用することが可能である。
In the above embodiment, the IC chips 1, 10,
Although the case where the analog circuit in the module 20 or the analog circuit in the module 50 is a wireless circuit has been described, the present invention is not particularly limited to this example. That is, the present invention can be applied to any analog circuit including a circuit that easily picks up electromagnetic waves.

【0060】また、上記実施形態では、アナログ回路と
デジタル回路とを物理的に領域分割して配置する例を示
したが、少なくとも電磁波を拾いやすい回路を水晶発振
子および水晶発振回路から極力遠い位置に配置するもの
であれば、アナログ回路とデジタル回路とは混在してい
ても良い。
In the above-described embodiment, an example has been described in which the analog circuit and the digital circuit are physically divided into regions and arranged. However, at least a circuit that easily picks up electromagnetic waves is located at a position far from the crystal oscillator and the crystal oscillation circuit as far as possible. , An analog circuit and a digital circuit may be mixed.

【0061】その他、上記に示した実施形態は、本発明
を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過
ぎず、これによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈
されてはならないものである。すなわち、本発明はその
精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様
々な形で実施することができる。
In addition, the above-described embodiment is merely an example of the embodiment for carrying out the present invention, and the technical scope of the present invention should not be interpreted in a limited manner. It is. That is, the present invention can be embodied in various forms without departing from the spirit or main features thereof.

【0062】[0062]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アナログ回路と発振回路とが1つのチップ内あるいは1
つのモジュール内に搭載された半導体装置において、デ
ジタルパルス信号の高調波の発生源となる発振回路をア
ナログ回路からできるだけ遠い位置に配置することが可
能となる。これにより、ノイズ防止用に特別な部材を設
けなくても、アナログ回路で処理されるアナログ信号に
発振回路からの高調波がデジタルノイズとして重畳して
しまう不都合を抑止することができる。例えば、アナロ
グ信号として音声信号を取り扱う場合には、その音質を
向上させることができる。
As described above, according to the present invention,
Analog circuit and oscillation circuit in one chip or one
In a semiconductor device mounted in one module, an oscillation circuit serving as a source of generation of harmonics of a digital pulse signal can be arranged as far as possible from an analog circuit. As a result, it is possible to suppress the inconvenience that harmonics from the oscillation circuit are superimposed as digital noise on an analog signal processed by the analog circuit without providing a special member for preventing noise. For example, when a voice signal is handled as an analog signal, the sound quality can be improved.

【0063】本発明の他の特徴によれば、アナログ回路
と発振回路とが1つのモジュール内に搭載された半導体
装置において、アナログ回路と、デジタルパルス信号の
高調波の発生源となる発振回路とを異なるモジュール基
板面に配置することにより、アナログ回路に発振回路か
らの高調波が飛び込まないように、モジュール基板面に
よって高調波をシールドすることが可能となる。これに
より、ノイズ防止用に特別な部材を設けなくても、アナ
ログ回路で処理されるアナログ信号に発振回路からの高
調波がデジタルノイズとして重畳してしまう不都合を抑
止することができる。この場合、アナログ回路からでき
るだけ遠い位置の裏面に発振回路を配置することによ
り、発振回路から発生される高調波が、アナログ回路で
処理されるアナログ信号に重畳することをより確実に抑
止することができるようになる。
According to another feature of the present invention, in a semiconductor device in which an analog circuit and an oscillation circuit are mounted in one module, an analog circuit and an oscillation circuit serving as a generation source of a harmonic of a digital pulse signal are provided. By arranging on a different module substrate surface, it is possible to shield harmonics by the module substrate surface so that harmonics from the oscillation circuit do not jump into the analog circuit. As a result, it is possible to suppress the inconvenience that harmonics from the oscillation circuit are superimposed as digital noise on an analog signal processed by the analog circuit without providing a special member for preventing noise. In this case, by arranging the oscillation circuit on the back surface as far as possible from the analog circuit, it is possible to more reliably prevent the harmonics generated from the oscillation circuit from being superimposed on the analog signal processed by the analog circuit. become able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体装置を実施したICチップ内の
回路配置例を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a circuit arrangement in an IC chip implementing a semiconductor device of the present invention.

【図2】本発明の半導体装置を実施したICチップの他
の構成例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing another configuration example of an IC chip implementing the semiconductor device of the present invention.

【図3】本発明の半導体装置を実施したラジオ受信機の
ICチップ内の回路配置例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a circuit arrangement in an IC chip of a radio receiver implementing the semiconductor device of the present invention.

【図4】本発明の半導体装置を実施したモジュール内の
回路配置例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a circuit arrangement in a module implementing the semiconductor device of the present invention.

【図5】従来の問題点を説明するための周波数スペクト
ラムを示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a frequency spectrum for explaining a conventional problem.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ICチップ 2 RF回路 3 周波数変換回路 4 IF回路 5 水晶発振回路 6 水晶発振子 7 アンテナ 10 ICチップ 11 アナログ回路 12 デジタル回路 13 水晶発振回路 14 水晶発振子 15 アンテナ 20 ICチップ 21 RFアンプ 22 ミキサ 23 局部発振器 24 IFアンプ 25 検波回路 26 オーディオアンプ 27 PLL回路 31 水晶発振子 32 水晶発振回路 33 デジタルカウンタ 34 デジタルコントローラ 35 DARCデコーダ 40 アンテナ 41 アンテナフィルタ 50 モジュール(プリント回路基板) 51 無線回路 52 デジタル信号処理回路 53 水晶発振子 54 水晶発振回路 55 アンテナ REFERENCE SIGNS LIST 1 IC chip 2 RF circuit 3 Frequency conversion circuit 4 IF circuit 5 Crystal oscillator circuit 6 Crystal oscillator 7 Antenna 10 IC chip 11 Analog circuit 12 Digital circuit 13 Crystal oscillator circuit 14 Crystal oscillator 15 Antenna 20 IC chip 21 RF amplifier 22 Mixer Reference Signs List 23 Local oscillator 24 IF amplifier 25 Detection circuit 26 Audio amplifier 27 PLL circuit 31 Crystal oscillator 32 Crystal oscillation circuit 33 Digital counter 34 Digital controller 35 DARC decoder 40 Antenna 41 Antenna filter 50 Module (printed circuit board) 51 Radio circuit 52 Digital signal Processing circuit 53 Crystal oscillator 54 Crystal oscillation circuit 55 Antenna

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Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所望の周波数帯の信号に関する処理を行
うアナログ回路と、 上記所望の周波数帯に発振周波数の高調波が存在し得る
信号を発生する発振回路とを1つの半導体チップ内に備
え、 上記半導体チップ内で上記発振回路を上記アナログ回路
もしくは上記所望の周波数帯の信号の入力回路から最も
遠い位置に配置したことを特徴とする半導体装置。
An analog circuit for performing processing relating to a signal in a desired frequency band, and an oscillating circuit for generating a signal in which a harmonic of an oscillating frequency may exist in the desired frequency band are provided in a single semiconductor chip. A semiconductor device, wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit or the input circuit for a signal in a desired frequency band in the semiconductor chip.
【請求項2】 所望の周波数帯の高周波信号に関する処
理を行うアナログ回路と、デジタル回路とを1つの半導
体チップに混載した半導体装置であって、 上記半導体チップは、所定の発振周波数に従ってデジタ
ルパルス信号を発生する発振回路を備え、 上記半導体チップ内で上記発振回路を上記アナログ回路
から最も遠い位置に配置したことを特徴とする半導体装
置。
2. A semiconductor device in which an analog circuit for performing a process related to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted on one semiconductor chip, wherein the semiconductor chip has a digital pulse signal according to a predetermined oscillation frequency. A semiconductor device, comprising: an oscillation circuit that generates the signal; and arranging the oscillation circuit at a position farthest from the analog circuit in the semiconductor chip.
【請求項3】 所望の周波数帯の高周波信号に関する処
理を行うアナログ回路と、 所定のデジタル信号処理を行うデジタル回路と、 所定の周波数で発振する水晶発振子と、 上記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信
号を発生する発振回路とを備え、 上記発振回路を上記アナログ回路から最も遠い位置に配
置したことを特徴とする半導体装置。
3. An analog circuit for processing a high-frequency signal in a desired frequency band, a digital circuit for performing predetermined digital signal processing, a crystal oscillator oscillating at a predetermined frequency, and an oscillation frequency of the crystal oscillator An oscillation circuit for generating a digital pulse signal, wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit.
【請求項4】 上記水晶発振子を上記発振回路の近傍に
配置したことを特徴とする請求項3に記載の半導体装
置。
4. The semiconductor device according to claim 3, wherein said crystal oscillator is arranged near said oscillation circuit.
【請求項5】 所望の周波数帯の高周波信号に関する処
理を行うアナログ回路と、デジタル回路とを混載した半
導体チップを有する半導体装置であって、 所定の周波数で発振する水晶発振子と、 上記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信
号を発生する上記半導体チップ内の発振回路とを備え、 上記半導体チップ内で上記発振回路を上記アナログ回路
から最も遠い位置に配置したことを特徴とする半導体装
置。
5. A semiconductor device having a semiconductor chip in which an analog circuit for processing a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted, wherein the crystal oscillator oscillates at a predetermined frequency; An oscillation circuit in the semiconductor chip for generating a digital pulse signal in accordance with the oscillation frequency of the element, wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit in the semiconductor chip.
【請求項6】 所望の周波数帯の高周波信号に関する処
理を行うアナログ回路と、デジタル回路とを混載した半
導体チップを有する半導体装置であって、 所定の周波数で発振する水晶発振子と、 上記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信
号を発生する上記半導体チップ内の発振回路とを備え、 上記半導体チップ内で上記発振回路を上記アナログ回路
から最も遠い位置に配置するとともに、上記水晶発振子
を上記発振回路の近傍に配置したことを特徴とする半導
体装置。
6. A semiconductor device having a semiconductor chip on which an analog circuit for performing processing relating to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted, wherein the crystal oscillator oscillates at a predetermined frequency; An oscillation circuit in the semiconductor chip for generating a digital pulse signal in accordance with the oscillation frequency of the oscillator, wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the analog circuit in the semiconductor chip, and the crystal oscillator is A semiconductor device which is arranged near a circuit.
【請求項7】 上記アナログ回路は、アナログ信号を無
線で送信および/または受信するための無線回路である
ことを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半
導体装置。
7. The semiconductor device according to claim 1, wherein the analog circuit is a wireless circuit for transmitting and / or receiving an analog signal wirelessly.
【請求項8】 所望の周波数帯の高周波信号を無線で送
信および/または受信するためのアナログの高周波回路
と、 水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信号を
発生する発振回路とを1つの半導体チップ内に備え、 上記半導体チップ内で上記発振回路を上記高周波回路か
ら最も遠い位置に配置したことを特徴とする半導体装
置。
8. A semiconductor chip comprising: an analog high-frequency circuit for wirelessly transmitting and / or receiving a high-frequency signal in a desired frequency band; and an oscillation circuit for generating a digital pulse signal according to the oscillation frequency of a crystal oscillator. Wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the high-frequency circuit in the semiconductor chip.
【請求項9】 所望の周波数帯の高周波信号に関する処
理を行うアナログ回路と、デジタル回路とを混載した半
導体チップを有する半導体装置であって、 上記高周波信号を無線で送信および/または受信するた
めのアナログの高周波回路と、 水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信号を
発生する発振回路とを備え、 上記半導体チップ内で上記発振回路を上記高周波回路か
ら最も遠い位置に配置したことを特徴とする半導体装
置。
9. A semiconductor device having a semiconductor chip on which an analog circuit for performing a process related to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted, wherein the semiconductor device is configured to wirelessly transmit and / or receive the high-frequency signal. A semiconductor, comprising: an analog high-frequency circuit; and an oscillation circuit that generates a digital pulse signal in accordance with the oscillation frequency of the crystal oscillator, wherein the oscillation circuit is arranged at a position farthest from the high-frequency circuit in the semiconductor chip. apparatus.
【請求項10】 上記発振回路と上記高周波回路とを上
記半導体チップの対角に当たる位置に配置したことを特
徴とする請求項8または9に記載の半導体装置。
10. The semiconductor device according to claim 8, wherein said oscillation circuit and said high-frequency circuit are arranged at diagonal positions of said semiconductor chip.
【請求項11】 所望の周波数帯の高周波信号に関する
処理を行うアナログ回路と、 所定の周波数で発振する水晶発振子と、 上記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信
号を発生する発振回路とを1つのモジュール内に備え、 上記モジュール内で上記水晶発振子および上記発振回路
を上記アナログ回路から最も遠い位置に配置したことを
特徴とする半導体装置。
11. An analog circuit that performs a process related to a high-frequency signal in a desired frequency band, a crystal oscillator that oscillates at a predetermined frequency, and an oscillation circuit that generates a digital pulse signal according to the oscillation frequency of the crystal oscillator. A semiconductor device provided in one module, wherein the crystal oscillator and the oscillation circuit are arranged at a position farthest from the analog circuit in the module.
【請求項12】 所望の周波数帯の高周波信号に関する
処理を行うアナログ回路と、デジタル回路とを1つのモ
ジュールに混載した半導体装置であって、 上記モジュールは、所定の周波数で発振する水晶発振子
と、 上記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信
号を発生する発振回路とを備え、 上記モジュール内で上記水晶発振子および上記発振回路
を上記アナログ回路から最も遠い位置に配置したことを
特徴とする半導体装置。
12. A semiconductor device in which an analog circuit for performing processing relating to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted in one module, wherein the module includes a crystal oscillator that oscillates at a predetermined frequency. An oscillation circuit that generates a digital pulse signal in accordance with the oscillation frequency of the crystal oscillator, wherein the crystal oscillator and the oscillation circuit are arranged at a position farthest from the analog circuit in the module. apparatus.
【請求項13】 上記モジュールは1つ以上の半導体チ
ップを有し、上記アナログ回路および上記発振回路は同
じ半導体チップ内に備えられ、上記半導体チップ内で上
記発振回路は上記アナログ回路から最も遠い位置に配置
されていることを特徴とする請求項11または12に記
載の半導体装置。
13. The module has one or more semiconductor chips, wherein the analog circuit and the oscillation circuit are provided in the same semiconductor chip, wherein the oscillation circuit is located farthest from the analog circuit in the semiconductor chip. The semiconductor device according to claim 11, wherein the semiconductor device is arranged in a semiconductor device.
【請求項14】 所望の周波数帯の高周波信号に関する
処理を行うアナログ回路と、 所定の周波数で発振する水晶発振子と、 上記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信
号を発生する発振回路とを1つのモジュール上に備え、 上記アナログ回路と上記水晶発振子および上記発振回路
とをモジュール基板の両面に分けて配置したことを特徴
とする半導体装置。
14. An analog circuit for processing a high-frequency signal in a desired frequency band, a crystal oscillator oscillating at a predetermined frequency, and an oscillator circuit for generating a digital pulse signal according to the oscillation frequency of the crystal oscillator. A semiconductor device provided on one module, wherein the analog circuit, the crystal oscillator, and the oscillation circuit are separately arranged on both sides of a module substrate.
【請求項15】 所望の周波数帯の高周波信号に関する
処理を行うアナログ回路と、デジタル回路とを1つのモ
ジュールに混載した半導体装置であって、 上記モジュールは、所定の周波数で発振する水晶発振子
と、 上記水晶発振子の発振周波数に従ってデジタルパルス信
号を発生する発振回路とを備え、 上記アナログ回路と上記水晶発振子および上記発振回路
とをモジュール基板の両面に分けて配置したことを特徴
とする半導体装置。
15. A semiconductor device in which an analog circuit for performing processing related to a high-frequency signal in a desired frequency band and a digital circuit are mounted in one module, wherein the module includes a crystal oscillator that oscillates at a predetermined frequency. A semiconductor circuit comprising: an oscillation circuit that generates a digital pulse signal in accordance with the oscillation frequency of the crystal oscillator; wherein the analog circuit, the crystal oscillator, and the oscillation circuit are separately arranged on both sides of a module substrate. apparatus.
【請求項16】 上記アナログ回路は、アナログ信号を
無線で送信および/または受信するための無線回路であ
ることを特徴とする請求項11〜15の何れか1項に記
載の半導体装置。
16. The semiconductor device according to claim 11, wherein said analog circuit is a wireless circuit for transmitting and / or receiving an analog signal wirelessly.
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