JP2002311602A - Pattern forming method by photolithography and pattern forming apparatus - Google Patents
Pattern forming method by photolithography and pattern forming apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィー法を用いたパターン形成方法に関し、例えば、液晶
ディスプレイ等に用いられるカラーフィルタにおいて用
いられる着色パターンの形成方法およびパターン形成装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a pattern using a photolithography method, and more particularly to a method and apparatus for forming a colored pattern used in a color filter used in a liquid crystal display or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、基材上に所望のパターンを形
成する際には、図４に示すように、塗布工程Ｓ１００、
乾燥工程Ｓ１１０、露光工程Ｓ１２０、アルカリ現像工
程Ｓ１３０からなるフォトリソグラフィー法が用いられ
ている。当該フォトリソグラフィー法においては、塗布
工程Ｓ１００において、一旦、基材表面全体にレジスト
塗料を塗布し、その後乾燥工程Ｓ１１０を経て、露光工
程Ｓ１２０により、所望のマスク材の上から露光するこ
とにより、前記基材表面全体に塗布されたレジスト塗料
中の所望の部分のみを硬化させ、最後にアルカリ現像液
を用いて、レジスト塗料中の硬化していない部分、つま
り未露光部分を洗い流すことにより基材上にパターンを
形成する。2. Description of the Related Art Conventionally, when a desired pattern is formed on a base material, as shown in FIG.
A photolithography method including a drying step S110, an exposure step S120, and an alkali developing step S130 is used. In the photolithography method, in the application step S100, a resist paint is first applied to the entire surface of the base material, and then, through a drying step S110, an exposure step S120 is performed to expose the mask material from above a desired mask material. Only the desired portion of the resist coating applied to the entire surface of the base material is cured, and finally, using an alkali developing solution, the uncured portion of the resist coating, that is, the unexposed portion is washed away on the base material. To form a pattern.
【０００３】ここで、前記未露光部分が小さい場合に
は、基材上にレジスト塗料が多く残るということ、つま
り洗い流すレジスト塗料が少ないということであり、塗
布工程において塗布されたレジスト塗料が大量に無駄に
されることもなく、また、現像に用いられるアルカリ現
像液の量も比較的少量で済むため、特に問題は生じてい
ない。Here, when the unexposed portion is small, a large amount of resist paint remains on the substrate, that is, a small amount of resist paint is washed away, and a large amount of resist paint is applied in the coating step. There is no particular problem because it is not wasted and the amount of the alkaline developer used for development is relatively small.
【０００４】しかしながら、未露光部分が大きい場合に
は、基材上に塗布されたレジスト塗料の殆どの部分が洗
い流されるということであり、これは塗布工程において
塗布されたレジスト塗料の大半を無駄にしていることと
なり、また、この際に用いられるアルカリ現像液の量も
大量に必要となることから、資源の節約、これに伴うコ
スト等の観点から改善の余地がある。特に、カラーフィ
ルタにおける着色パターンを形成する際においては、通
常３色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の着色パターンを基材上に形成す
るために、塗布工程と現像工程とが３回繰り返して行わ
れるが、この場合、各色のレジスト塗料中の約２／３
は、現像工程において洗い流されており（残りの１／３
が基材上に残ることとなる）、当該カラーフィルタを用
いた液晶ディスプレイ等の低コスト化を困難とする要因
の一つとなっていた。However, when the unexposed portion is large, most of the resist coating applied on the substrate is washed away, which wastes most of the resist coating applied in the coating process. In addition, since a large amount of the alkali developing solution used at this time is required, there is room for improvement from the viewpoint of resource saving, associated cost, and the like. In particular, when forming a colored pattern in a color filter, the coating step and the developing step are repeated three times in order to form a colored pattern of three colors (R, G, B) on a substrate. However, in this case, about 2/3 in the resist paint of each color
Has been washed away in the developing step (the remaining 1/3
Remains on the substrate), which is one of the factors that make it difficult to reduce the cost of a liquid crystal display or the like using the color filter.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑みなされたものであり、現像工程で除去されていた未
露光部分のレジスト塗料を再利用することにより、当該
フォトレジスト塗料の無駄を小さく抑えるとともに、当
該フォトレジスト塗料を洗い流すために用いられている
アルカリ現像液の消費量も低下させることが可能なフォ
トリソグラフィー法によるパターン形成方法、およびパ
ターン形成装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and by reusing the unexposed portion of the resist paint that has been removed in the developing step, the waste of the photoresist paint can be reduced. It is an object of the present invention to provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus by a photolithography method capable of reducing the consumption of an alkali developing solution used for washing away the photoresist paint while reducing the photoresist paint.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、請求項１において、露光工程とアルカリ現
像工程との間に、溶媒を用いてレジスト塗料を剥離する
レジスト剥離工程を行い、前記レジスト剥離工程で生じ
る廃液中から、レジスト塗料を分離、精製して、塗布工
程において再利用することを特徴とするフォトリソグラ
フィー法によるパターン形成方法を提供する。According to the present invention, in order to achieve the above object, a resist stripping step of stripping a resist paint using a solvent between an exposure step and an alkali developing step is carried out. And a method for forming a pattern by a photolithography method, wherein a resist paint is separated and purified from waste liquid generated in the resist stripping step and reused in a coating step.
【０００７】従来の方法においては、レジスト塗料を基
材上から洗い流すことにより現像を行う際には、アルカ
リ現像液を使用していたためこの際に生じる廃液中から
レジスト塗料を分離することは不可能であった。In the conventional method, when developing by washing away the resist paint from the substrate, an alkaline developer is used, so that it is impossible to separate the resist paint from the waste liquid generated at this time. Met.
【０００８】本発明の方法においては、露光工程後であ
って、前記のアルカリ現像工程を行う前に、予め溶媒を
用いて未露光部分のレジスト塗料を剥離するレジスト剥
離工程を行い、かつ、この際に生じる廃液（溶媒中にレ
ジスト塗料が溶解しているもの）を回収し、当該廃液中
からレジスト塗料のみを分離、精製することにより、前
記従来の方法においてはアルカリ現像液とともに廃棄さ
れていたレジスト塗料を再利用することが可能となる。
前記レジスト剥離工程後においては、従来からのアルカ
リ現像工程が行われる。これは、溶媒を用いたレジスト
剥離工程のみでは、未露光部分のレジスト塗料を完全に
除去することは困難であり、したがって完全な現像をす
ることができない場合があるからである。In the method of the present invention, after the exposure step and before performing the alkali developing step, a resist stripping step of stripping the unexposed portion of the resist paint using a solvent is performed in advance, and In the above-mentioned conventional method, waste liquid (resist paint dissolved in a solvent) generated during the process is collected, and only the resist paint is separated and purified from the waste liquid. The resist paint can be reused.
After the resist stripping step, a conventional alkali developing step is performed. This is because it is difficult to completely remove the unexposed portion of the resist paint only by the resist stripping step using a solvent, and thus it may not be possible to perform complete development.
【０００９】しかしながら、このような場合であって
も、本発明においては、当該アルカリ現像工程において
洗い流すレジスト塗料は、従来の方法に比べ、極少量の
みで足りる。これは、前記レジスト剥離工程において大
部分のレジスト塗料は溶媒中に溶解済みであり、アルカ
リ現像液で洗い流さなければならないレジスト塗料が微
量しか存在していないからである。したがって、この際
に使用するアルカリ現像液の量は少量で済み、従来の方
法に比べ当該アルカリ現像液を節約することができる。However, even in such a case, in the present invention, only a very small amount of the resist paint is required to be washed away in the alkali developing step as compared with the conventional method. This is because most of the resist paint has already been dissolved in the solvent in the resist stripping step, and there is only a trace amount of the resist paint that must be washed away with an alkali developing solution. Therefore, the amount of the alkali developing solution used at this time is small, and the alkali developing solution can be saved as compared with the conventional method.
【００１０】また、前記請求項１に記載の発明において
は、請求項２に記載するように、前記廃液中から分離し
た溶媒を、前記レジスト剥離工程で再利用することが好
ましい。In the first aspect of the present invention, it is preferable that the solvent separated from the waste liquid is reused in the resist stripping step.
【００１１】本発明の方法における前記レジスト剥離工
程において生じる廃液は、溶媒と、当該溶媒により基材
上から剥離せしめられたレジスト塗料とをその主成分と
している。そして、前記請求項１に記載するように、当
該廃液中からレジスト塗料を分離、精製し再利用した場
合においては、当該廃液中には溶媒が残存することにな
る。本発明においては前記廃液中に残存した溶媒をレジ
スト剥離工程において再利用することにより溶媒の使用
量を減少せしめることができる。The waste liquid generated in the resist stripping step in the method of the present invention has, as its main components, a solvent and a resist paint stripped from the substrate by the solvent. Then, when the resist paint is separated, purified and reused from the waste liquid as described in claim 1, the solvent remains in the waste liquid. In the present invention, the amount of solvent used can be reduced by reusing the solvent remaining in the waste liquid in the resist stripping step.
【００１２】さらに、前記請求項１または請求項２に記
載の発明においては、請求項３に記載するように、前記
レジスト塗料中に含まれている溶媒と、レジスト剥離工
程において用いられる溶媒とが同一の溶媒であることが
好ましい。Further, in the invention described in claim 1 or 2, as described in claim 3, the solvent contained in the resist paint and the solvent used in the resist stripping step are different from each other. Preferably, they are the same solvent.
【００１３】前述のように、本発明の方法においては、
レジスト剥離工程において生じる廃液（レジスト塗料と
溶媒の混合物）から、レジスト塗料を分離、精製するこ
とにより、当該レジスト塗料を再利用することを特徴と
している。ここで、用いられるレジスト塗料中に含まれ
ている溶媒（以下、「レジスト用溶媒」とする場合があ
る。）と、レジスト剥離工程において用いられる溶媒
（以下、「剥離用溶媒」とする場合がある。）とが同一
の溶媒であれば、レジスト塗料の分離、精製をする際に
完全に剥離用溶媒を分離しきれず、分離したレジスト塗
料中に剥離用溶媒が残存する場合であっても、その後レ
ジスト塗料として再利用する際においては、当該残存す
る剥離用溶媒は、もとのレジスト塗料中に含有せしめら
れているレジスト用溶媒と同一の溶媒であるため、再利
用の際に問題が生じることがないからである。As described above, in the method of the present invention,
The resist paint is reused by separating and purifying the resist paint from waste liquid (a mixture of the resist paint and a solvent) generated in the resist peeling step. Here, the solvent contained in the resist paint used (hereinafter sometimes referred to as “resist solvent”) and the solvent used in the resist stripping step (hereinafter referred to as “stripping solvent”) may be used. If the same solvent is used, the separation solvent cannot be completely separated during the separation and purification of the resist coating, and even if the separation solvent remains in the separated resist coating, When subsequently reused as a resist paint, the remaining solvent for stripping is the same solvent as the resist solvent contained in the original resist paint, so that a problem occurs at the time of reuse. Because there is nothing.
【００１４】また、前記請求項１乃至請求項３のいずれ
かの請求項に記載の発明においては、請求項４に記載す
るように、形成されるパターンが、カラーフィルタにお
ける着色パターンであることが好ましい。Further, in the invention described in any one of the first to third aspects, the pattern formed may be a colored pattern in a color filter, as described in the fourth aspect. preferable.
【００１５】カラーフィルタの着色パターンをフォトリ
ソグラフィー法により形成する場合、通常３色の着色パ
ターン（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を形成するために、塗布工程と現
像工程とを３回繰り返す必要があり、それぞれの現像工
程において１／３づつしか基材上に現像されず、残りの
２／３は無駄に洗い流しているため、レジスト塗料の使
用量が多く、コスト面等から問題となっているからであ
る。当該方法をカラーフィルタの着色パターンの形成の
際に用いると、前記のように無駄に洗い流していた２／
３のレジスト塗料を再利用することが可能であり、カラ
ーフィルタ製造時のコストを低減することができる。When the color pattern of the color filter is formed by the photolithography method, it is necessary to repeat the coating step and the developing step three times in order to form the three color patterns (R, G, B). This is because only one-third is developed on the base material in each development step, and the remaining two-thirds are wasted and washed away, so that a large amount of resist paint is used, which is problematic in terms of cost and the like. . If this method is used when forming a color pattern of a color filter, it washes away wastefully as described above.
The resist paint of No. 3 can be reused, and the cost at the time of manufacturing a color filter can be reduced.
【００１６】さらに、本発明は請求項５に記載するよう
に、基材上にレジスト塗料を塗布するための塗布装置
と、基材上に塗布されたレジスト塗料を露光するための
露光装置と、基材上のレジスト塗料中の未露光部分のレ
ジスト塗料を、溶媒を用いて剥離するためのレジスト剥
離装置と、レジスト塗料が剥離された基材をアルカリ現
像液を用いて現像するためのアルカリ現像装置と、を少
なくとも有するパターン形成装置であって、前記レジス
ト剥離装置とアルカリ現像装置とには、それぞれ揺動ロ
ーラーが設けられており、かつレジスト剥離装置には、
廃液回収口が設けられていることを特徴とするパターン
形成装置を提供する。Further, the present invention provides a coating apparatus for applying a resist paint on a substrate, an exposure apparatus for exposing the resist paint applied on the substrate, A resist stripping device for stripping the unexposed portion of the resist paint in the resist paint on the base material using a solvent, and an alkali developing device for developing the base material from which the resist paint has been stripped using an alkali developer. And a pattern forming apparatus having at least an oscillating roller in each of the resist stripping apparatus and the alkali developing apparatus, and the resist stripping apparatus includes:
A pattern forming apparatus provided with a waste liquid recovery port is provided.
【００１７】本発明のパターン形成装置によれば、露光
装置により露光されることで露光部分と未露光部分とが
形成されたレジスト塗料をレジスト剥離装置によって溶
媒を用いて剥離することができる。この際、本発明にお
けるレジスト剥離装置には揺動ローラーが設けられてい
るため、レジストを剥離するための溶媒をレジスト塗料
表面へ均一に広げることが可能となる。さらに当該レジ
スト剥離装置には廃液回収口も設けられているため、溶
媒を用いて未露光部分のレジスト塗料を剥離した際に生
じる廃液、つまりレジスト塗料が溶解している溶媒を効
率よく回収することができ、当該廃液中のレジスト塗料
および溶媒を再利用することが可能である。According to the pattern forming apparatus of the present invention, the resist paint on which the exposed portion and the unexposed portion are formed by being exposed by the exposure device can be peeled off by using a solvent by the resist peeling device. At this time, since the resist peeling device of the present invention is provided with the oscillating roller, the solvent for peeling the resist can be uniformly spread on the resist paint surface. Further, since the resist stripping apparatus is provided with a waste liquid collecting port, it is necessary to efficiently collect a waste liquid generated when the resist coating in an unexposed portion is stripped using a solvent, that is, a solvent in which the resist coating is dissolved. Thus, the resist paint and the solvent in the waste liquid can be reused.
【００１８】また、当該パターン形成装置には、アルカ
リ現像装置が設けられているため、前記レジスト剥離装
置において未露光部分のレジスト塗料が剥離された基材
はそのままアルカリ現像液により現像される。この際、
当該アルカリ現像装置内にも前記レジスト剥離装置と同
様に揺動ローラーが設けられているため、基材上へアル
カリ現像液を均一に広げることができる。Further, since the pattern forming apparatus is provided with an alkali developing device, the base material from which the unexposed portion of the resist paint has been stripped by the resist stripping device is developed as is with an alkali developing solution. On this occasion,
Since the oscillating roller is provided in the alkali developing device in the same manner as the resist peeling device, the alkali developing solution can be evenly spread on the base material.
【００１９】さらに、本発明は請求項６に記載するよう
に、基材上にレジスト塗料を塗布するための塗布装置
と、基材上に塗布されたレジスト塗料を露光するための
露光装置と、基材上のレジスト塗料中の未露光部分のレ
ジスト塗料を溶媒を用いて剥離し、さらに、レジスト塗
料が剥離された基材をアルカリ現像液を用いて現像する
ための剥離現像装置と、を有するパターン形成装置であ
って、前記剥離現像装置には、基板を回転させるための
スピンテーブルと、未露光部分のレジスト塗料を溶媒を
用いて剥離する際に生じる廃液を回収することができ、
アルカリ現像液を用いて現像する際に生じる廃液は回収
しない位置へ移動可能な廃液回収トレイと、が設けられ
ていることを特徴とするパターン形成装置を提供する。Further, the present invention provides a coating apparatus for applying a resist coating on a substrate, an exposure apparatus for exposing the resist coating applied on the substrate, A peeling developing device for peeling off the unexposed portion of the resist paint in the resist paint on the substrate using a solvent, and further developing the substrate from which the resist paint has been peeled off using an alkaline developer. In the pattern forming apparatus, the peeling and developing device, a spin table for rotating the substrate, it is possible to collect the waste liquid generated when peeling the unexposed portion of the resist paint using a solvent,
Provided is a pattern forming apparatus, comprising: a waste liquid collecting tray movable to a position where waste liquid generated when developing with an alkaline developer is not collected.
【００２０】当該装置によれば、露光装置により露光さ
れることにより露光部分と未露光部分とが形成されたレ
ジスト塗料を剥離現像装置において、まず溶媒を用いて
剥離し、さらに同一の装置、つまり当該剥離現像装置に
おいて、前記レジスト塗料が剥離された後の基材を、ア
ルカリ現像液を用いて現像せしめることができる。この
際、基材は当該装置内に設けられたスピンテーブルに設
置され、回転せしめられているため、レジスト塗料を剥
離する際に生じる廃液は、遠心力によりスピンテーブル
の周りに飛散することとなるが、当該廃液を回収するこ
とができる位置に廃液回収トレイが設けられているた
め、飛散した廃液を効率よく回収せしめることができ
る。また、レジスト塗料剥離後においては、当該剥離現
像装置内においてアルカリ現像液を噴霧して現像が行わ
れる。この際においても、レジスト剥離後の基材は、前
記スピンテーブル上で回転せしめられているため、前記
溶媒と同様にアルカリ現像液は、周りに飛散することと
なる。しかしながら、当該装置における廃液回収トレイ
は、移動が可能な構造となっているため、当該現像時に
は、前記アルカリ現像液を用いて現像する際に生じる廃
液は回収しない位置へ移動することが可能であり、した
がって、飛散する現像液を回収することはない。According to the apparatus, the resist coating material on which an exposed portion and an unexposed portion are formed by being exposed by the exposing device is firstly peeled off by using a solvent in a peeling and developing device, and further the same device, that is, In the peeling developing device, the base material after the resist paint has been peeled can be developed using an alkali developing solution. At this time, since the base material is installed on a spin table provided in the apparatus and is rotated, waste liquid generated when the resist paint is peeled off scatters around the spin table due to centrifugal force. However, since the waste liquid collecting tray is provided at a position where the waste liquid can be collected, the scattered waste liquid can be efficiently collected. After the resist paint is stripped, development is performed by spraying an alkali developer in the stripping and developing device. Also in this case, since the base material after the resist is stripped is rotated on the spin table, the alkali developing solution scatters around similarly to the solvent. However, since the waste liquid collecting tray in the apparatus has a movable structure, it is possible to move to a position where the waste liquid generated when developing with the alkaline developer is not collected during the development. Therefore, the scattered developer is not collected.
【００２１】つまり、本発明の装置において回収すべき
は、レジスト塗料を剥離する際に生じる廃液（レジスト
塗料が溶解している溶媒）であり、アルカリ現像液を用
いて現像する際に生じる廃液（レジスト塗料が溶解して
いるアルカリ現像液）ではない。したがって、前記本発
明の装置においては、まずスピンテーブルを用いて基材
を回転せしめることにより、当該基材上に噴霧される溶
液を基材上に均一に散布せしめ、かつその際生じる廃液
を遠心力により、当該スピンテーブルの周りへ飛散せし
める。そして、この飛散する廃液が回収すべき廃液（つ
まり、レジスト塗料を剥離する際に生じる廃液）の場合
には、廃液回収トレイが前記スピンテーブルの近傍へ移
動することで、当該廃液を回収することができ、逆に飛
散する廃液が回収する必要のない廃液（つまり、現像す
る際に生じる廃液）の場合には、廃液回収トレイがスピ
ンテーブルから離れることで、当該廃液を廃棄すること
ができる。That is, what should be recovered in the apparatus of the present invention is a waste liquid (solvent in which the resist paint is dissolved) generated when the resist paint is stripped, and a waste liquid (solvent in which the resist paint is dissolved) generated when developing with an alkaline developer. It is not an alkaline developer in which the resist paint is dissolved). Therefore, in the apparatus of the present invention, first, the substrate is rotated using a spin table, so that the solution sprayed on the substrate is uniformly dispersed on the substrate, and the waste liquid generated at that time is centrifuged. The force causes the spin table to fly around. When the scattered waste liquid is a waste liquid to be collected (that is, a waste liquid generated when the resist paint is stripped), the waste liquid is collected by moving the waste liquid collection tray to the vicinity of the spin table. On the contrary, in the case where the scattered waste liquid is a waste liquid that does not need to be collected (that is, a waste liquid generated during development), the waste liquid can be discarded by moving the waste liquid collection tray away from the spin table.
【００２２】本発明の剥離現像装置を用いることによ
り、フォトリソグラフィー法によりパターンを形成する
ための装置の省スペース化を図ることができる。By using the peeling and developing apparatus of the present invention, the space for the apparatus for forming a pattern by photolithography can be saved.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下に、本発明のフォトリソグラ
フィー法によるパターン形成方法について具体的に説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a pattern forming method by photolithography according to the present invention will be specifically described.
【００２４】本発明のフォトリソグラフィー法によるパ
ターン形成方法は、露光工程とアルカリ現像工程との間
に、溶媒を用いてレジスト塗料を剥離する剥離工程を有
しており、かつ当該剥離工程において生じる廃液中に含
まれるレジスト塗料を分離、精製することにより再度レ
ジスト塗料として利用することに特徴を有している。The pattern forming method by photolithography of the present invention has a stripping step of stripping the resist paint using a solvent between the exposure step and the alkali developing step, and a waste liquid generated in the stripping step. It is characterized in that the resist paint contained therein is separated and purified to be reused as a resist paint.
【００２５】図１は、本発明のフォトリソグラフィー法
によるパターン形成方法の一例を示すフローチャート図
である。FIG. 1 is a flow chart showing an example of a pattern forming method according to the photolithography method of the present invention.
【００２６】図１に示すように、本発明の方法は、まず
所定の基材上にフォトレジスト塗料を塗布するための塗
布工程Ｓ１０が行われ、その後、前記塗布工程Ｓ１０で
塗布されたフォトレジスト塗料を乾燥するための乾燥工
程Ｓ２０が行われる。そして、前記乾燥工程Ｓ２０によ
り乾燥されたフォトレジスト塗料表面を所望のパターン
が形成されたマスク材によりマスクし、露光することに
よって露光された部分の塗料のみ硬化させるための露光
工程Ｓ３０が行われる。As shown in FIG. 1, in the method of the present invention, an application step S10 for applying a photoresist paint on a predetermined substrate is first performed, and then the photoresist applied in the application step S10 is applied. A drying step S20 for drying the paint is performed. Then, an exposure step S30 is performed in which the surface of the photoresist paint dried in the drying step S20 is masked with a mask material on which a desired pattern is formed, and only the exposed portion of the paint is cured by exposure.
【００２７】前記露光工程Ｓ３０までの工程について
は、従来から行われている公知のフォトリソグラフィー
法と何ら変わりなく、本発明において特に限定されるも
のではない。The steps up to the exposure step S30 are not different from the conventional known photolithography method and are not particularly limited in the present invention.
【００２８】次いで、本発明においては、前記露光工程
Ｓ３０において露光されなかった部分、つまり現像に際
し不要なレジスト塗料を、溶媒を用いて基材から剥離す
るためのレジスト剥離工程Ｓ４０が行われる。Next, in the present invention, a resist stripping step S40 for stripping a portion not exposed in the exposure step S30, that is, a resist paint unnecessary for development from the base material using a solvent is performed.
【００２９】当該レジスト剥離工程Ｓ４０において用い
る溶媒については、基材上の未露光部分のレジスト塗料
を溶解せしめることが可能な溶媒であればいかなる溶媒
をも用いることが可能であり、特に限定されるものでは
ない。本発明の方法においては、従来公知の溶媒の中で
も、水、エチルアルコール、プロピルアルコール等のア
ルコール類、飽和脂肪酸モノカルボン酸アルキルエステ
ル類、乳酸エステル類、オキシ酢酸アルキルエステル
類、アルコキシ酢酸アルキルエステル類、モノオキシモ
ノカルボン酸アルキルエステル類、ケトン酸エステル
類、セロソルブアセテート類、エーテル類、カルビトー
ル類、ケトン類、等が好ましく、これらは、単独あるい
は組合せで用いる。この中でも、３−メトキシプロピオ
ン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、２−エ
トキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテー
ト、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、等
が特に好ましい。As the solvent used in the resist stripping step S40, any solvent can be used as long as it can dissolve the resist coating in the unexposed portion on the base material, and is particularly limited. Not something. In the method of the present invention, among the conventionally known solvents, water, alcohols such as ethyl alcohol and propyl alcohol, saturated fatty acid monocarboxylic acid alkyl esters, lactic acid esters, oxyacetic acid alkyl esters, alkoxyacetic acid alkyl esters , Monooxymonocarboxylic acid alkyl esters, ketone esters, cellosolve acetates, ethers, carbitols, ketones, etc., and these are used alone or in combination. Of these, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and cyclohexanone are particularly preferred.
【００３０】また、本発明の方法においては、前記塗布
工程Ｓ１０において用いられるレジスト塗料中に含まれ
るレジスト用溶媒と同一の溶媒を当該レジスト剥離工程
Ｓ４０において用いることが好ましい。同一溶媒を用い
ることにより、以下で詳細に説明するが、レジスト剥離
工程Ｓ４０において生じる廃液（レジスト塗料と溶媒の
混合物）から、レジスト塗料のみを分離、精製すること
により、当該レジスト塗料を再利用する際に完全に剥離
用溶媒を分離しきれず、分離、精製後のレジスト塗料中
に剥離用溶媒が残存した場合であっても、当該剥離用溶
媒がもとのレジスト塗料に含有せしめられているレジス
ト用溶媒と同一の溶媒であれば、再利用の際に特に問題
となることはないからである。In the method of the present invention, it is preferable that the same solvent as the resist solvent contained in the resist coating used in the coating step S10 is used in the resist stripping step S40. As will be described in detail below by using the same solvent, the resist paint is reused by separating and purifying only the resist paint from a waste liquid (a mixture of the resist paint and the solvent) generated in the resist stripping step S40. Even when the stripping solvent cannot be completely separated at the time, and the stripping solvent remains in the separated and purified resist coating, the resist in which the stripping solvent is contained in the original resist coating is used. This is because if the solvent is the same as the solvent for use, there is no particular problem at the time of reuse.
【００３１】このようにレジスト塗料中に含まれるレジ
スト用溶媒とレジスト剥離工程において用いられる剥離
用溶媒とを同一の溶媒とし、本発明の方法によりカラー
フィルタにおける着色パターン（赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）及び青色（Ｂ））を形成する場合においては、そ
れぞれの染料や顔料、樹脂などの含有成分との相性を考
慮して以下に示す溶媒を用いることが好ましい。As described above, the same solvent is used for the resist solvent contained in the resist paint and the stripping solvent used in the resist stripping step, and the color pattern (red (R), green ( In the case of forming G) and blue (B)), it is preferable to use the following solvents in consideration of compatibility with the respective components such as dyes, pigments, and resins.
【００３２】赤色パターンに用いる溶媒の例としては、
３−メトキシプロピオン酸エチル又は３−エトキシプロ
ピオン酸エチルが挙げられ、緑色パターンに用いる溶媒
の例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート又は３−エトキシプロピオン酸エチルが挙
げられる。さらに、青色パターンに用いる溶媒の例とし
ては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート又は３−エトキシプロピオン酸エチルが挙げられ
る。Examples of the solvent used for the red pattern include:
Examples include ethyl 3-methoxypropionate or ethyl 3-ethoxypropionate, and examples of the solvent used for the green pattern include propylene glycol monomethyl ether acetate or ethyl 3-ethoxypropionate. Further, examples of the solvent used for the blue pattern include propylene glycol monomethyl ether acetate or ethyl 3-ethoxypropionate.
【００３３】前記レジスト剥離工程Ｓ４０を行うことに
より基材上の未露光部分に塗布されたレジスト塗料の殆
どが溶媒中に溶解され、当該レジスト剥離工程Ｓ４０に
おいて用いられた溶媒は、一旦廃液となる。By performing the resist stripping step S40, most of the resist coating applied to the unexposed portions on the base material is dissolved in the solvent, and the solvent used in the resist stripping step S40 becomes a waste liquid once. .
【００３４】なお、本発明の方法において、上記レジス
ト剥離工程Ｓ４０がされた基材は、従来のフォトリソグ
ラフィー法と同様、アルカリ現像工程Ｓ５０により、完
全に現像される。つまり、本発明における上記レジスト
剥離工程Ｓ４０のみでは、未露光部分のレジスト塗料を
完全に除去することは困難であるため、本発明の方法に
おいては、当該アルカリ現像工程Ｓ５０が必要となる。
しかしながら、従来の方法におけるアルカリ現像工程で
使用するアルカリ現像液の使用量と比べ、本発明のアル
カリ現像工程で使用するアルカリ現像液の使用量は、少
量で済み（上記レジスト剥離工程Ｓ４０において、既に
殆どのレジスト塗料を溶解除去しているから）、当該ア
ルカリ現像液を節約することができる。In the method of the present invention, the substrate subjected to the resist stripping step S40 is completely developed in an alkali developing step S50, as in the conventional photolithography method. That is, it is difficult to completely remove the unexposed resist paint only by the resist stripping step S40 in the present invention, and thus the alkali developing step S50 is required in the method of the present invention.
However, compared with the amount of the alkali developing solution used in the alkali developing step in the conventional method, the amount of the alkali developing solution used in the alkali developing step of the present invention may be small (the resist stripping step S40 has already Since most of the resist paint is dissolved and removed), the alkali developer can be saved.
【００３５】前記レジスト剥離工程Ｓ４０を行うことに
より生じた廃液、つまり未露光部分のレジスト塗料が溶
解している溶媒は、分離工程Ｓ６０においてレジスト塗
料部分と、溶媒とに分離される。The waste liquid generated by performing the resist stripping step S40, that is, the solvent in which the unexposed portion of the resist paint is dissolved is separated into a resist paint portion and a solvent in a separation step S60.
【００３６】本発明における分離工程Ｓ６０としては、
溶媒部分を蒸気として分離する蒸留法や、限外フィルタ
濾過法や、遠心分離法等の公知の分離工程を用いること
ができる。As the separation step S60 in the present invention,
Known separation steps such as a distillation method for separating the solvent portion as vapor, an ultrafiltration method, and a centrifugal separation method can be used.
【００３７】当該分離工程Ｓ６０においてレジスト塗料
部分と分離された溶媒は、図１に示すように、上述した
レジスト剥離工程Ｓ４０において未露光部分のレジスト
塗料を溶解するための溶媒として再利用される。As shown in FIG. 1, the solvent separated from the resist paint portion in the separation step S60 is reused as a solvent for dissolving the resist paint in the unexposed portion in the above-described resist stripping step S40.
【００３８】一方、当該分離工程Ｓ６０において分離さ
れたレジスト塗料部分は、前記塗布工程Ｓ１０において
用いられるレジスト塗料として再利用するための精製工
程Ｓ７０により精製される。On the other hand, the resist paint portion separated in the separation step S60 is purified in a refining step S70 for reuse as a resist paint used in the coating step S10.
【００３９】本発明の方法において、当該精製工程Ｓ７
０とは、前述してきたレジスト剥離工程Ｓ４０により一
旦溶媒中に溶解し、分離工程Ｓ５０により再度溶媒と分
離されたレジスト塗料部分に対して、前記塗布工程Ｓ１
０において用いられるレジスト塗料として再利用するた
めに行われる全ての工程をいい、特に限定されるもので
はない。In the method of the present invention, the purification step S7
0 means that the resist coating portion which was once dissolved in the solvent in the above-described resist stripping step S40 and separated from the solvent again in the separation step S50 was subjected to the coating step S1.
0 means all steps performed for reuse as a resist coating used in the present invention, and is not particularly limited.
【００４０】例えば、図１に示すように、前記分離工程
Ｓ６０により溶媒と分離されたレジスト塗料部分は、分
離工程により完全に溶媒と分離されていない場合があ
り、この場合、基材上に塗布されていた段階のレジスト
塗料にくらべ若干希釈されているため、濃縮工程Ｓ７２
を行ってもよい。当該濃縮工程Ｓ７２としては、蒸留
法、フィルタ濾過法、遠心分離法、等を用いることがで
きる。For example, as shown in FIG. 1, the resist coating portion separated from the solvent in the separation step S60 may not be completely separated from the solvent in the separation step. Since the resist coating is slightly diluted compared to the resist coating at the stage of the concentration, the concentration step S72
May be performed. As the concentration step S72, a distillation method, a filter filtration method, a centrifugal separation method, or the like can be used.
【００４１】また、前記濃縮工程Ｓ７２を行った後に、
粘度調整工程Ｓ７４を行ってもよい。当該粘度調整工程
Ｓ７４とは、分離工程Ｓ６０により溶媒中から分離さ
れ、濃縮工程Ｓ７２により濃縮されたレジスト塗料部分
を前記塗布工程Ｓ１０において用いられるレジスト塗料
として好適な程度の粘度とする工程をいう。After performing the concentration step S72,
The viscosity adjusting step S74 may be performed. The viscosity adjusting step S74 is a step in which the resist paint portion separated from the solvent in the separation step S60 and concentrated in the concentration step S72 is adjusted to a viscosity suitable for the resist paint used in the application step S10.
【００４２】さらに、前記粘度調整工程Ｓ７４を行った
後に、最終工程として不純物除去工程Ｓ７６を行っても
よい。当該不純物除去工程Ｓ７６とは、前記粘度調整工
程Ｓ７４において塗布工程において用いることが可能な
程度にまで粘度が調整されたレジスト塗料部分から最終
的に不純物を除去してレジスト塗料とする工程をいい、
例えば、遠心分離法や、フィルター濾過法等の公知の方
法を用いることができる。Further, after performing the viscosity adjusting step S74, an impurity removing step S76 may be performed as a final step. The impurity removing step S76 refers to a step of finally removing impurities from the resist paint portion whose viscosity has been adjusted to such an extent that it can be used in the application step in the viscosity adjusting step S74 to obtain a resist paint,
For example, a known method such as a centrifugal separation method or a filter filtration method can be used.
【００４３】上記のような工程を順次行うことにより、
レジスト剥離工程において生じる廃液中から、再利用可
能なレジスト塗料と、溶媒とを効率よく分離、精製する
ことができ、また当該方法により、アルカリ現像工程Ｓ
５０において用いられるアルカリ現像液の使用量を低減
することも可能である。By sequentially performing the above steps,
The reusable resist paint and the solvent can be efficiently separated and purified from the waste liquid generated in the resist stripping step, and the alkali developing step S
It is also possible to reduce the amount of the alkaline developer used in 50.
【００４４】次に、上述してきた本発明の方法を利用し
たパターン形成装置について図面を用いて具体的に説明
する。Next, a pattern forming apparatus using the above-described method of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
【００４５】図２は、レジスト剥離工程、及びアルカリ
現像工程を行うためのレジスト剥離装置２とアルカリ現
像装置３を示す概略断面図である。ここで、本発明のパ
ターン形成装置には、図２に示すレジスト剥離装置２と
アルカリ現像装置３の他に、基材上にレジスト塗料を塗
布するための塗布装置、基材上に塗布されたレジスト塗
料を露光するための露光装置とが設けられているが、こ
れらの装置については従来公知の装置を用いることが可
能であり、したがってここでの説明は省略する。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a resist stripping device 2 and an alkali developing device 3 for performing a resist stripping step and an alkali developing step. Here, in addition to the resist stripping device 2 and the alkali developing device 3 shown in FIG. 2, the pattern forming device of the present invention is a coating device for applying a resist paint on a substrate, and a coating device is applied on the substrate. Although an exposure device for exposing the resist paint is provided, a conventionally known device can be used for these devices, and therefore, description thereof is omitted here.
【００４６】本発明のパターン形成装置においては、ま
ず図中に示すＡの方向から露光装置により露光工程が行
われた後の基板４がレジスト剥離装置２中に設けられた
揺動ローラー５上に配置される。ここで前記揺動ローラ
ー５とは、正逆両方の回転が可能なローラーのことをい
い、公知の揺動ローラーの全てを用いることが可能であ
る。当該レジスト剥離装置２中の前記揺動ローラー５の
上方には、溶媒噴霧口６が設けられており、当該溶媒噴
霧口６により、揺動ローラー上で揺動せしめられている
基板４上へ溶媒が噴霧される。このように、レジスト剥
離装置２において揺動ローラー５を用いることにより、
基材上のレジスト塗料上に噴霧された溶媒を均一状態と
することができる。In the pattern forming apparatus of the present invention, first, the substrate 4 after the exposure process is performed by the exposure device from the direction A shown in the figure is placed on the oscillating roller 5 provided in the resist peeling device 2. Be placed. Here, the oscillating roller 5 refers to a roller that can rotate in both forward and reverse directions, and all known oscillating rollers can be used. A solvent spray port 6 is provided above the rocking roller 5 in the resist stripping device 2, and the solvent spray port 6 allows the solvent to be sprayed onto the substrate 4 oscillated on the rocking roller. Is sprayed. As described above, by using the swing roller 5 in the resist peeling device 2,
The solvent sprayed on the resist paint on the base material can be in a uniform state.
【００４７】基板上のレジスト塗料の中、露光により硬
化しなかった部分、つまり未露光部分は当該噴霧された
溶媒に溶解し、ここで廃液が生じる。そして、当該廃液
（レジスト塗料が溶解した溶媒）は、前記揺動ローラー
５の下方に設置された廃液回収口７から回収される。The portion of the resist coating on the substrate that has not been cured by exposure, that is, the unexposed portion, is dissolved in the sprayed solvent, and a waste liquid is generated. Then, the waste liquid (the solvent in which the resist paint is dissolved) is recovered from a waste liquid recovery port 7 provided below the swing roller 5.
【００４８】ここで、当該廃液回収口７とは、レジスト
剥離装置においてレジスト塗料を溶媒を用いて剥離した
際に生じる廃液を回収するためのものをいい、形状等を
特に限定されるものではない。Here, the waste liquid collecting port 7 is for collecting a waste liquid generated when the resist paint is stripped using a solvent in a resist stripping apparatus, and is not particularly limited in shape and the like. .
【００４９】当該廃液回収口７により回収された廃液
は、上述したように、レジスト塗料部分と溶媒とに分離
され、それぞれ再利用がされる。The waste liquid recovered by the waste liquid recovery port 7 is separated into a resist paint portion and a solvent as described above, and is reused.
【００５０】前記レジスト剥離装置２内において未露光
部分のレジスト塗料が殆ど剥離された状態の基板４は、
当該レジスト剥離装置２に隣接して設けられたアルカリ
現像装置３内へ搬入される。The substrate 4 in a state where the resist paint in the unexposed portion is almost removed in the resist removal device 2 is
It is carried into an alkali developing device 3 provided adjacent to the resist stripping device 2.
【００５１】そして、当該アルカリ現像装置内において
も、前記レジスト剥離装置２の場合と同様に基板４は揺
動せしめられながら、当該揺動ローラー５上方に設けら
れたアルカリ現像液噴出口８から噴霧されるアルカリ現
像液により、前記レジスト剥離装置２内で溶解しきらな
かった未露光部分のレジスト塗料が洗い流される。Also in the alkali developing device, the substrate 4 is swung while being sprayed from the alkali developing solution jetting port 8 provided above the oscillating roller 5 as in the case of the resist stripping device 2. The unexposed portion of the resist paint that has not been completely dissolved in the resist stripping device 2 is washed away by the alkali developing solution.
【００５２】前記レジスト剥離装置２、およびアルカリ
現像装置３を通過することにより現像された基板４は、
図示しない純水洗浄装置へ搬入され純水により洗浄され
る。The substrate 4 developed by passing through the resist stripping device 2 and the alkali developing device 3 is
It is carried into a pure water cleaning device (not shown) and washed with pure water.
【００５３】上述したようなレジスト剥離装置２、およ
びアルカリ現像装置３が設けられたパターン形成装置を
用いることにより一連の流れの中でレジスト剥離工程、
及びアルカリ現像工程を行うことができ好ましい。By using the pattern forming apparatus provided with the resist stripping device 2 and the alkali developing device 3 as described above, the resist stripping process can be performed in a series of flows.
And an alkali developing step.
【００５４】なお、上記の各装置において用いられる各
構成部分（例えば、溶媒噴霧口６等）については、特に
限定されるものではなく、当該作用を奏する公知のもの
を全て使用することが可能である。The components (for example, the solvent spraying port 6) used in each of the above-described apparatuses are not particularly limited, and any known components having the above-described functions can be used. is there.
【００５５】図３は、前記図２に示す装置とは異なり、
レジスト剥離工程、及びアルカリ現像工程を同一の空間
で行うことができる剥離現像装置１０を示す概略断面図
である。FIG. 3 is different from the apparatus shown in FIG.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a peeling and developing apparatus 10 capable of performing a resist peeling step and an alkali developing step in the same space.
【００５６】なお、本発明のパターン形成装置において
は、当該剥離現像装置１０の他に基材上にレジスト塗料
を塗布するための塗布装置、基材上に塗布されたレジス
ト塗料を露光するための露光装置とが設けられており、
これらの装置については前述したように、公知の装置を
用いることができるのでここでの説明は省略する。In the pattern forming apparatus of the present invention, in addition to the peeling and developing apparatus 10, a coating apparatus for applying a resist paint on a substrate, and an exposure apparatus for exposing the resist paint applied on the substrate. An exposure device is provided,
As for these devices, as described above, known devices can be used, and thus description thereof will be omitted.
【００５７】当該剥離現像装置１０においては、図３
（ａ）に示すように、スピンテーブル１１上に図示しな
い露光装置により露光された後の基板１２が設置され
る。ここで前記スピンテーブル１１は、図中に示す矢印
の方向に回転するように、図示されないモーターに接続
されている。In the peeling and developing apparatus 10, FIG.
As shown in (a), a substrate 12 after being exposed by an exposure device (not shown) is placed on a spin table 11. Here, the spin table 11 is connected to a motor (not shown) so as to rotate in the direction of the arrow shown in the figure.
【００５８】前記スピンテーブル１１の上方にはノズル
１３が設けられており、当該ノズル１３により、スピン
テーブル上に設置され回転せしめられている基板１２上
へ溶媒が噴霧される。基板上のレジスト塗料中露光によ
り硬化しなかった部分、つまり未露光部分は、当該噴霧
された溶媒に溶解し、その廃液（レジスト塗料が溶解し
た溶媒）は、遠心力によりスピンテーブルの周りに飛散
することとなる。A nozzle 13 is provided above the spin table 11, and the nozzle 13 sprays a solvent onto the substrate 12 which is placed on the spin table and rotated. The portion of the resist coating on the substrate that was not cured by exposure, ie, the unexposed portion, was dissolved in the sprayed solvent, and the waste liquid (solvent in which the resist coating was dissolved) was scattered around the spin table by centrifugal force. Will be done.
【００５９】ここで、当該剥離現像装置１０には、スピ
ンテーブル１１の周囲に当該スピンテーブルの軸方向に
移動可能な廃液回収トレイ１４が設けられており、当該
剥離現像装置１０でレジスト剥離工程を行う際には、前
記回収トレイ１４はスピンテーブル１１の近傍にセッテ
ィングされているため（スピンテーブルの軸方向へ移動
している）、前記遠心力により飛散する廃液の殆どは当
該廃液回収トレイ１４により回収される（図３（ａ）参
照）。Here, the stripping / developing apparatus 10 is provided with a waste liquid collecting tray 14 which is movable around the spin table 11 in the axial direction of the spin table. When performing, since the collection tray 14 is set near the spin table 11 (moves in the axial direction of the spin table), most of the waste liquid scattered by the centrifugal force is collected by the waste liquid collection tray 14. It is collected (see FIG. 3A).
【００６０】そして、回収された廃液は上述したよう
に、レジスト塗料部分と溶媒とに分離され、それぞれ再
利用がされる。Then, the collected waste liquid is separated into a resist coating portion and a solvent, as described above, and each is reused.
【００６１】前記レジスト剥離工程において、未露光部
分のレジスト塗料が殆ど剥離された状態の基板１２に
は、図３（ｂ）に示すように、そのまま前記ノズル１３
からアルカリ現像液を噴霧することによりアルカリ現像
工程が行われる。なお、アルカリ現像液を噴霧するため
に用いられるノズルは、前記レジスト剥離工程において
溶媒を噴霧するために用いられたノズルを洗浄して用い
てもよいし、当該装置内にそれぞれ別のノズルを設けて
もよい。In the resist peeling step, as shown in FIG. 3 (b), the nozzle 13 is left on the substrate 12 in a state where the resist paint on the unexposed portion is almost peeled off.
The alkali developing step is performed by spraying an alkali developing solution from the above. The nozzle used for spraying the alkali developer may be used by washing the nozzle used for spraying the solvent in the resist stripping step, or another nozzle may be provided in the apparatus. You may.
【００６２】この際、スピンテーブル１１は回転し続け
ているため、アルカリ現像液も前記溶媒と同様に飛散す
ることとなるが、前述したように本装置に設けられてい
る廃液回収トレイ１４はスピンテーブルの軸方向に移動
が可能なため、スピンテーブル１１から一定の距離（ア
ルカリ現像液がトレイ内に侵入しない距離）にセッティ
ングされている状態とすることができ、従って飛散した
アルカリ現像液を回収することはない。At this time, since the spin table 11 continues to rotate, the alkali developing solution also scatters in the same manner as the solvent, but the waste liquid collecting tray 14 provided in the present apparatus has the Since the table can be moved in the axial direction of the table, the table can be set at a certain distance from the spin table 11 (a distance at which the alkali developer does not enter the tray). I will not do it.
【００６３】本発明の方法において回収し再利用するの
はレジスト剥離工程において生じる廃液であり、したが
って、アルカリ現像工程において生じる廃液（つまり、
アルカリ現像液とレジスト塗料の混合物）は回収する必
要がない。このように廃液回収トレイ１４を移動可能と
することにより、前記２種類の廃液を選択して回収せし
めることができる。In the method of the present invention, what is collected and reused is the waste liquid generated in the resist stripping step.
It is not necessary to collect the alkali developer and the resist coating). By making the waste liquid collecting tray 14 movable, the two types of waste liquid can be selectively collected.
【００６４】当該剥離現像装置１０を用いることによ
り、本発明の方法の特徴であるレジスト剥離工程とアル
カリ現像工程とを同一の空間で行うことができ、装置の
省スペース化を実現することが可能となる。また、当該
剥離現像装置１０は、廃液回収トレイ１４が移動可能で
あることに特徴を有しており、このようにすることで廃
液の分別回収、つまりレジスト剥離工程において生じる
廃液のみを回収することができる。By using the peeling and developing apparatus 10, the resist peeling step and the alkaline developing step, which are features of the method of the present invention, can be performed in the same space, and the space of the apparatus can be saved. Becomes Further, the stripping / developing device 10 is characterized in that the waste liquid collecting tray 14 is movable, so that the waste liquid is separated and collected, that is, only the waste liquid generated in the resist stripping step is collected. Can be.
【００６５】なお、当該装置１０における各構成部分に
ついては、本発明の方法は特に限定するものではなく、
公知の構成部分を全て使用することが可能である。Note that the method of the present invention is not particularly limited with respect to each component in the apparatus 10.
All known components can be used.
【００６６】[0066]
【発明の効果】本発明の方法においては、露光工程後で
あって、前記のアルカリ現像工程を行う前に、予め溶媒
を用いて未露光部分のレジスト塗料を剥離するレジスト
剥離工程を行い、かつ、この際に生じる廃液（溶媒中に
レジスト塗料が溶解しているもの）を回収し、当該廃液
中からレジスト塗料のみを分離、精製することにより、
前記従来の方法においてはアルカリ現像液とともに廃棄
されていたレジスト塗料を再利用することが可能とな
る。In the method of the present invention, after the exposure step and before performing the alkali developing step, a resist stripping step of stripping the unexposed portion of the resist paint using a solvent is performed in advance, and By collecting the waste liquid (resist paint dissolved in the solvent) generated at this time, separating and purifying only the resist paint from the waste liquid,
In the above-described conventional method, it is possible to reuse the resist paint that has been discarded together with the alkaline developer.
【００６７】また、前記のように、一度レジスト剥離工
程においてレジスト塗料を剥離しているため、アルカリ
現像工程において洗い流すレジスト塗料は、従来の方法
に比べ極少量でありしたがって使用するアルカリ現像液
も少量で済む。Further, as described above, since the resist paint is once peeled off in the resist peeling step, the amount of resist paint washed out in the alkali developing step is extremely small as compared with the conventional method, and therefore a small amount of the alkali developing solution is used. Only needs to be done.
【００６８】さらに、本発明においては、前記廃液中に
含まれる溶媒についてもレジスト剥離工程において再利
用が可能である。Further, in the present invention, the solvent contained in the waste liquid can be reused in the resist stripping step.
【図１】本発明のフォトリソグラフィー法によるパター
ン形成方法の一例を示すフローチャート図である。FIG. 1 is a flowchart illustrating an example of a pattern forming method using a photolithography method according to the present invention.
【図２】本発明のパターン形成装置に用いられるレジス
ト剥離装置、およびアルカリ現像装置の概略断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic sectional view of a resist stripping device and an alkali developing device used in the pattern forming apparatus of the present invention.
【図３】本発明のパターン形成装置に用いられる剥離現
像装置の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of a peeling and developing device used in the pattern forming apparatus of the present invention.
【図４】従来のパターン形成方法の一例を示すフローチ
ャート図である。FIG. 4 is a flowchart illustrating an example of a conventional pattern forming method.
２…レジスト剥離装置 ３…アルカリ現像装置 ５…揺動ローラー ７…廃液回収口 １０…剥離現像装置 １４…回収トレイ 2 ... Resist stripping device 3 ... Alkaline developing device 5 ... Swing roller 7 ... Waste liquid recovery port 10 ... Peeling developing device 14 ... Recovery tray
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６２ Ｆターム(参考） 2H048 BA43 BA45 BB42 2H096 AA00 AA28 EA00 FA10 GA08 GA29 JA03 LA25 5F046 MA10 MA18 MA19 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/30 562 F-term (Reference) 2H048 BA43 BA45 BB42 2H096 AA00 AA28 EA00 FA10 GA08 GA29 JA03 LA25 5F046 MA10 MA18 MA19
Claims (6)
溶媒を用いてレジスト塗料を剥離するレジスト剥離工程
を行い、 前記レジスト剥離工程で生じる廃液中から、レジスト塗
料を分離、精製して、塗布工程において再利用すること
を特徴とするフォトリソグラフィー法によるパターン形
成方法。1. A method according to claim 1, further comprising the steps of:
Performing a resist stripping step of stripping the resist coating using a solvent, separating and purifying the resist coating from the waste liquid generated in the resist stripping step, and re-using in the coating step a pattern by a photolithography method Forming method.
ジスト剥離工程で再利用することを特徴とする請求項１
に記載のフォトリソグラフィー法によるパターン形成方
法。2. The method according to claim 1, wherein the solvent separated from the waste liquid is reused in the resist stripping step.
4. A pattern forming method by the photolithography method according to 1.
レジスト剥離工程において用いられる溶媒とが同一の溶
媒であることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のフォトリソグラフィー法によるパターン形成方法。3. A solvent contained in the resist paint,
3. The pattern forming method according to claim 1, wherein the solvent used in the resist stripping step is the same solvent.
において用いられる着色パターンであることを特徴とす
る請求項１乃至請求項３のいずれかの請求項に記載のフ
ォトリソグラフィー法によるパターン形成方法。4. The pattern forming method according to claim 1, wherein the pattern to be formed is a colored pattern used in a color filter.
塗布装置と、 基材上に塗布されたレジスト塗料を露光するための露光
装置と、 基材上のレジスト塗料中の未露光部分のレジスト塗料を
溶媒を用いて剥離するためのレジスト剥離装置と、 レジスト塗料が剥離された基材を、アルカリ現像液を用
いて現像するためのアルカリ現像装置と、を少なくとも
有するパターン形成装置であって、 前記レジスト剥離装置とアルカリ現像装置とには、それ
ぞれ揺動ローラーが設けられており、かつレジスト剥離
装置には、廃液回収口が設けられていることを特徴とす
るパターン形成装置。5. An application device for applying a resist paint on a substrate, an exposure device for exposing the resist paint applied on the substrate, and an unexposed portion of the resist paint on the substrate. A pattern forming apparatus having at least a resist peeling device for peeling a resist paint using a solvent, and an alkali developing device for developing a substrate from which the resist paint has been peeled using an alkali developer. A pattern forming apparatus, wherein the resist stripping device and the alkali developing device are provided with swinging rollers, respectively, and the resist stripping device is provided with a waste liquid recovery port.
塗布装置と、 基材上に塗布されたレジスト塗料を露光するための露光
装置と、 基材上のレジスト塗料中の未露光部分のレジスト塗料を
溶媒を用いて剥離し、さらに、レジスト塗料が剥離され
た基材を、アルカリ現像液を用いて現像するための剥離
現像装置と、を有するパターン形成装置であって、 前記剥離現像装置には、基板を回転させるためのスピン
テーブルと、未露光部分のレジスト塗料を溶媒を用いて
剥離する際に生じる廃液を回収することができ、アルカ
リ現像液を用いて現像する際に生じる廃液は回収しない
位置へ移動可能な廃液回収トレイと、が設けられている
ことを特徴とするパターン形成装置。6. An application device for applying a resist paint on a substrate, an exposure device for exposing the resist paint applied on the substrate, and an unexposed portion of the resist paint on the substrate. A resist developing device that peels off the resist paint using a solvent, and further, a peeling developing device for developing the base material from which the resist paint has been peeled off using an alkaline developer; The spin table for rotating the substrate and the waste liquid generated when the unexposed portion of the resist paint is peeled off using a solvent can be collected, and the waste liquid generated when developing with an alkali developer is A waste liquid collecting tray movable to a position where the liquid is not collected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001115778A JP4503876B2 (en) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | Pattern forming method by photolithography method and pattern forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001115778A JP4503876B2 (en) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | Pattern forming method by photolithography method and pattern forming apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002311602A true JP2002311602A (en) | 2002-10-23 |
| JP4503876B2 JP4503876B2 (en) | 2010-07-14 |
Family
ID=18966622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001115778A Expired - Fee Related JP4503876B2 (en) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | Pattern forming method by photolithography method and pattern forming apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4503876B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2001-04-13 JP JP2001115778A patent/JP4503876B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4503876B2 (en) | 2010-07-14 |
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