JP2002270716A - ２層配線半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
２層配線半導体装置の製造方法および半導体装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子を搭載する多層インターポーザの
うち、層数が最小である２層配線構造であり、かつ、補
強繊維を含まない樹脂層でありながらリジット性を有
し、搭載面の回路段差が無い水平表面構造によって、半
導体素子の実装時のアンダーフィル注入や樹脂封止工程
におけるマイクロボイドを防ぎ、低コストで優れたハン
ドリング性、実装性、実装後の装置信頼性をもった２層
配線半導体装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】 導電性フレームを電解めっき用リードと
して、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより
形成する工程と、導電性フレームをエッチングにより除
去する工程を含む２層配線半導体装置の製造方法。
うち、層数が最小である２層配線構造であり、かつ、補
強繊維を含まない樹脂層でありながらリジット性を有
し、搭載面の回路段差が無い水平表面構造によって、半
導体素子の実装時のアンダーフィル注入や樹脂封止工程
におけるマイクロボイドを防ぎ、低コストで優れたハン
ドリング性、実装性、実装後の装置信頼性をもった２層
配線半導体装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】 導電性フレームを電解めっき用リードと
して、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより
形成する工程と、導電性フレームをエッチングにより除
去する工程を含む２層配線半導体装置の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及びその方法により得られる半導体装置に関するも
のである。
方法及びその方法により得られる半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実
装化が進んでいる。これらの電子機器に使用される半導
体装置は、小型化かつ多ピン化している。
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実
装化が進んでいる。これらの電子機器に使用される半導
体装置は、小型化かつ多ピン化している。
【０００３】半導体装置は、その小型化に伴って、従来
のようなリードフレームを使用した形態の装置では、小
型化に限界があるため、最近では、半導体搭載用基板上
に半導体素子を実装したものとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａ
ｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といったエリア実装型の新しい
装置方式が、提案されている。これらの半導体装置で
は、半導体素子の電極をエリア型に再配列して、実装基
板の配線端子とピッチを合わせるために、インターポー
ザと呼ばれる半導体搭載用基板上に、半導体素子を搭載
する構造が主流となっている。インターポーザには、フ
レキシブルプリント基板や、ガラスエポキシ樹脂積層板
が用いられる。
のようなリードフレームを使用した形態の装置では、小
型化に限界があるため、最近では、半導体搭載用基板上
に半導体素子を実装したものとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａ
ｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といったエリア実装型の新しい
装置方式が、提案されている。これらの半導体装置で
は、半導体素子の電極をエリア型に再配列して、実装基
板の配線端子とピッチを合わせるために、インターポー
ザと呼ばれる半導体搭載用基板上に、半導体素子を搭載
する構造が主流となっている。インターポーザには、フ
レキシブルプリント基板や、ガラスエポキシ樹脂積層板
が用いられる。
【０００４】これらのインターポーザの配線は高密度化
する傾向にあり、ビルドアップした多層配線構造が採用
されている。多層配線構造を有するインターポーザは、
一般的には絶縁層上に形成した配線層を積み重ねて形成
されるため、最外層の半導体素子の搭載面には導体配線
パターンによる凹凸を形成する。この場合、とくに狭ピ
ッチ化した配線パターンにおいては、フリップチップ接
続の際のアンダーフィル注入や、樹脂による封止工程に
おいて発生するマイクロボイドが半導体装置のパッケー
ジ信頼性、実装信頼性を低下させる不具合が生じる場合
があった。
する傾向にあり、ビルドアップした多層配線構造が採用
されている。多層配線構造を有するインターポーザは、
一般的には絶縁層上に形成した配線層を積み重ねて形成
されるため、最外層の半導体素子の搭載面には導体配線
パターンによる凹凸を形成する。この場合、とくに狭ピ
ッチ化した配線パターンにおいては、フリップチップ接
続の際のアンダーフィル注入や、樹脂による封止工程に
おいて発生するマイクロボイドが半導体装置のパッケー
ジ信頼性、実装信頼性を低下させる不具合が生じる場合
があった。
【０００５】また、配線パターンを形成する方法とし
て、一般的には銅箔をエッチングする手法（サブトラク
ティブ法）、電解銅めっきによる手法（フル・セミアデ
ィティブ法）等がある。サブトラクティブ法では、形成
される回路高さは使用する銅箔の厚みで規定されるとい
う特徴があり、エッチャントの反応特性および使用する
装置の能力に依存する限界が存在するため、一般的には
高密度化には不向きとされている。また、セミアディテ
ィブ法では配線層を形成した後の給電層のフラッシュエ
ッチングによる除去が、ファインパターンでは十分に行
うことが困難な場合があり、回路間のイオンマイグレー
ションによるショートなどの不具合が発生する問題があ
った。一方、フルアディティブ法は、自由な回路設計に
対応できるというメリットから、特に注目され始めてい
る。
て、一般的には銅箔をエッチングする手法（サブトラク
ティブ法）、電解銅めっきによる手法（フル・セミアデ
ィティブ法）等がある。サブトラクティブ法では、形成
される回路高さは使用する銅箔の厚みで規定されるとい
う特徴があり、エッチャントの反応特性および使用する
装置の能力に依存する限界が存在するため、一般的には
高密度化には不向きとされている。また、セミアディテ
ィブ法では配線層を形成した後の給電層のフラッシュエ
ッチングによる除去が、ファインパターンでは十分に行
うことが困難な場合があり、回路間のイオンマイグレー
ションによるショートなどの不具合が発生する問題があ
った。一方、フルアディティブ法は、自由な回路設計に
対応できるというメリットから、特に注目され始めてい
る。
【０００６】層間の接続においては、従来のメカニカル
ドリルによるスルーホール加工にかわって、レーザー、
フォト法によるブラインドビア形成によって小径化、導
電体によるビア充填によるビアオンビア、ビアオンパッ
ド構造により、高密度化を達成できる。
ドリルによるスルーホール加工にかわって、レーザー、
フォト法によるブラインドビア形成によって小径化、導
電体によるビア充填によるビアオンビア、ビアオンパッ
ド構造により、高密度化を達成できる。
【０００７】また、このような多層配線構造の半導体装
置では、通常は非常に多ピンとなる場合が多く、インタ
ーポーザが半導体素子よりも大きくなる。したがって、
ハンドリングの観点および半導体素子の実装時の基板反
りの問題より、インターポーザにリジット性が求められ
るのが一般的で、ＦＲ−４などのガラスエポキシ基板を
コアとして用いて両面に積層、半導体素子の実装・封止
を行うのが現状である。しかし、層数が必要以上に増え
る場合もあり、歩留まりの低下、製造コストの増加を招
くだけではなく、補強のために用いられているガラス繊
維と樹脂との界面での絶縁破壊を生じることもあり、絶
縁信頼性に課題を有する。
置では、通常は非常に多ピンとなる場合が多く、インタ
ーポーザが半導体素子よりも大きくなる。したがって、
ハンドリングの観点および半導体素子の実装時の基板反
りの問題より、インターポーザにリジット性が求められ
るのが一般的で、ＦＲ−４などのガラスエポキシ基板を
コアとして用いて両面に積層、半導体素子の実装・封止
を行うのが現状である。しかし、層数が必要以上に増え
る場合もあり、歩留まりの低下、製造コストの増加を招
くだけではなく、補強のために用いられているガラス繊
維と樹脂との界面での絶縁破壊を生じることもあり、絶
縁信頼性に課題を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体素子
を搭載する多層インターポーザのうち、層数が最小であ
る２層配線構造であり、かつ、補強繊維を含まない樹脂
層でありながらリジット性を有し、搭載面の回路段差が
無い水平表面構造によって、半導体素子の実装時のアン
ダーフィル注入や樹脂封止工程におけるマイクロボイド
を防ぎ、低コストで優れたハンドリング性、実装性、実
装後の装置信頼性をもった２層配線半導体装置を提供す
ることを目的とする。
を搭載する多層インターポーザのうち、層数が最小であ
る２層配線構造であり、かつ、補強繊維を含まない樹脂
層でありながらリジット性を有し、搭載面の回路段差が
無い水平表面構造によって、半導体素子の実装時のアン
ダーフィル注入や樹脂封止工程におけるマイクロボイド
を防ぎ、低コストで優れたハンドリング性、実装性、実
装後の装置信頼性をもった２層配線半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性フレー
ムを電解めっき用リードとして、バリア金属および導体
配線層を電解めっきにより形成する工程と、導電性フレ
ームをエッチングにより除去する工程を含む２層配線半
導体装置の製造方法に関するものである。
ムを電解めっき用リードとして、バリア金属および導体
配線層を電解めっきにより形成する工程と、導電性フレ
ームをエッチングにより除去する工程を含む２層配線半
導体装置の製造方法に関するものである。
【００１０】本発明の２層配線半導体装置の製造方法
は、導電性フレームを電解めっき用リードとして、バリ
ア金属および導体配線層を電解めっきにより形成する工
程と、該導体配線層上に絶縁樹脂層を形成する工程と、
該導体配線層の一部が露出するように該絶縁樹脂層にビ
アを形成する工程と、該導電性フレームを電解めっき用
リードとして、導体ポストを電解めっきにより形成する
工程と、該導体ポストの表面または前記同様に形成され
た導電性フレーム付被接続層の被接続部の表面の少なく
とも一方に接合用金属層を形成する工程と、該絶縁樹脂
層の表面または該被接続層の表面の少なくとも一方に接
着剤層を形成する工程と、該導体ポストと該被接合部と
を該接着剤層と該接合用金属層を介して接合し、該絶縁
樹脂層と該被接続層とを該接着剤層により接着する工程
と、半導体素子を搭載する側の該導電性フレームをエッ
チングにより除去する工程と、半導体素子を実装・封止
する工程と、裏面の該導電性フレームをエッチングによ
り除去する工程と、露出した裏面の該バリア金属の外部
接続用パッド以外の表面にソルダーレジスト層を形成す
る工程と、外部接続用パッド上に半田ボールをリフロー
搭載する工程からなることが好ましい。さらに、裏面の
導電性フレームを部分的にエッチング除去し、外部接続
用ランドを形成することもできる。
は、導電性フレームを電解めっき用リードとして、バリ
ア金属および導体配線層を電解めっきにより形成する工
程と、該導体配線層上に絶縁樹脂層を形成する工程と、
該導体配線層の一部が露出するように該絶縁樹脂層にビ
アを形成する工程と、該導電性フレームを電解めっき用
リードとして、導体ポストを電解めっきにより形成する
工程と、該導体ポストの表面または前記同様に形成され
た導電性フレーム付被接続層の被接続部の表面の少なく
とも一方に接合用金属層を形成する工程と、該絶縁樹脂
層の表面または該被接続層の表面の少なくとも一方に接
着剤層を形成する工程と、該導体ポストと該被接合部と
を該接着剤層と該接合用金属層を介して接合し、該絶縁
樹脂層と該被接続層とを該接着剤層により接着する工程
と、半導体素子を搭載する側の該導電性フレームをエッ
チングにより除去する工程と、半導体素子を実装・封止
する工程と、裏面の該導電性フレームをエッチングによ
り除去する工程と、露出した裏面の該バリア金属の外部
接続用パッド以外の表面にソルダーレジスト層を形成す
る工程と、外部接続用パッド上に半田ボールをリフロー
搭載する工程からなることが好ましい。さらに、裏面の
導電性フレームを部分的にエッチング除去し、外部接続
用ランドを形成することもできる。
【００１１】更に、本発明は、前記２層配線半導体装置
の製造方法により得られ、半導体素子が搭載される導体
回路表面と絶縁樹脂層表面とが水平平面構造であり、即
ち半導体素子搭載面に回路段差が無く、水平な構造を有
することを特徴とする２層配線半導体装置である。
の製造方法により得られ、半導体素子が搭載される導体
回路表面と絶縁樹脂層表面とが水平平面構造であり、即
ち半導体素子搭載面に回路段差が無く、水平な構造を有
することを特徴とする２層配線半導体装置である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
実施形態について説明するが、本発明はこれによって何
ら限定されるものではない。
実施形態について説明するが、本発明はこれによって何
ら限定されるものではない。
【００１３】図１（ａ）〜図４（ｒ−２）は、本発明の
実施形態である２層配線半導体装置の製造方法の一例を
説明するための図である。
実施形態である２層配線半導体装置の製造方法の一例を
説明するための図である。
【００１４】本発明の２層配線半導体装置の製造方法と
しては、まず、導電性フレーム１０１上にパターンニン
グされためっきレジスト１０２を形成する。（図１
（ａ））。導電性フレーム１０１の材質は、電解めっき
時のリード（カソード電極）としての機能と、使用され
る薬品に対する耐性とを有し、最終的にエッチング除去
できるものであればどのようなものでも使用できるが、
例としては、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄等が
挙げられる。また、めっきレジスト１０２は、例えば、
導電性フレーム１０１上に紫外線感光性のドライフィル
ムレジストをラミネートし、露光マスクなどを用いてパ
ターン感光し、その後現像することにより形成できる。
しては、まず、導電性フレーム１０１上にパターンニン
グされためっきレジスト１０２を形成する。（図１
（ａ））。導電性フレーム１０１の材質は、電解めっき
時のリード（カソード電極）としての機能と、使用され
る薬品に対する耐性とを有し、最終的にエッチング除去
できるものであればどのようなものでも使用できるが、
例としては、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄等が
挙げられる。また、めっきレジスト１０２は、例えば、
導電性フレーム１０１上に紫外線感光性のドライフィル
ムレジストをラミネートし、露光マスクなどを用いてパ
ターン感光し、その後現像することにより形成できる。
【００１５】次に、導電性フレーム１０１を電解めっき
用リードとして、めっきレジスト１０２が形成されてい
ない部分に、バリア金属１０３を電解めっきにより形成
する（図１（ｂ））。バリア金属１０３の材質は、最終
的に導電性フレーム１０１をエッチングにより除去する
際に使用するエッチャントに対して耐性を有する金属で
あれば使用できる。例としては、ニッケル、金、錫、
銀、錫−銀系半田、共晶半田、パラジウム、等が挙げら
れる。なお、導電性フレーム１０１をエッチング除去す
る際に使用するエッチャントに対して、図１（ｃ）に示
す配線層１０４が耐性をもつ場合は、バリア金属１０３
は不要である。
用リードとして、めっきレジスト１０２が形成されてい
ない部分に、バリア金属１０３を電解めっきにより形成
する（図１（ｂ））。バリア金属１０３の材質は、最終
的に導電性フレーム１０１をエッチングにより除去する
際に使用するエッチャントに対して耐性を有する金属で
あれば使用できる。例としては、ニッケル、金、錫、
銀、錫−銀系半田、共晶半田、パラジウム、等が挙げら
れる。なお、導電性フレーム１０１をエッチング除去す
る際に使用するエッチャントに対して、図１（ｃ）に示
す配線層１０４が耐性をもつ場合は、バリア金属１０３
は不要である。
【００１６】次に、導電性フレーム１０１を電解めっき
用リードとして、配線層１０４を電解めっきにより形成
する（図１（ｃ））。この電解めっきにより、導電性フ
レーム１０１上のめっきレジスト１０２が形成されてい
ない部分に、配線層１０４が形成され、これにより、バ
リア金属と配線層からなる導体回路が形成される。配線
層１０４の材質は、例えば銅、ニッケル、金、錫、銀、
パラジウムなどが挙げられるが、導通特性に優れた銅を
もちいることが好ましい。
用リードとして、配線層１０４を電解めっきにより形成
する（図１（ｃ））。この電解めっきにより、導電性フ
レーム１０１上のめっきレジスト１０２が形成されてい
ない部分に、配線層１０４が形成され、これにより、バ
リア金属と配線層からなる導体回路が形成される。配線
層１０４の材質は、例えば銅、ニッケル、金、錫、銀、
パラジウムなどが挙げられるが、導通特性に優れた銅を
もちいることが好ましい。
【００１７】次に、めっきレジスト１０２を除去し（図
１（ｄ））、形成した配線層１０４上に絶縁樹脂層１０
５を形成する（図１（ｅ））。絶縁樹脂層１０５を構成
する樹脂は、この製造方法に適するものであればどのよ
うなものでも使用できる。エポキシ、フェノール、ビス
マレイミド、ビスマレイミドトリアジン、トリアゾー
ル、ポリシアヌレート、ポリイソシアヌレート、ベンゾ
シクロブテン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルフィド、
ポリキノリン、ポリノルボルネン、ポリベンゾオキサゾ
ール、ポリベンゾイミダゾールなどが使用できる。これ
らの樹脂は単独で使用しても良く、複数を混合して使用
しても良い。特に、ガラスクロスなどの補強繊維を含ま
ず、樹脂のみで絶縁樹脂層１０５を形成する方が良い。
また、絶縁樹脂層１０５の形成方法は、使用する樹脂形
態に適した方法で良く、樹脂ワニスを印刷、コート等の
方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプであれば
常圧もしくは真空ラミネート、熱プレス、真空プレス等
の方法で積層する方法が挙げられる。
１（ｄ））、形成した配線層１０４上に絶縁樹脂層１０
５を形成する（図１（ｅ））。絶縁樹脂層１０５を構成
する樹脂は、この製造方法に適するものであればどのよ
うなものでも使用できる。エポキシ、フェノール、ビス
マレイミド、ビスマレイミドトリアジン、トリアゾー
ル、ポリシアヌレート、ポリイソシアヌレート、ベンゾ
シクロブテン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルフィド、
ポリキノリン、ポリノルボルネン、ポリベンゾオキサゾ
ール、ポリベンゾイミダゾールなどが使用できる。これ
らの樹脂は単独で使用しても良く、複数を混合して使用
しても良い。特に、ガラスクロスなどの補強繊維を含ま
ず、樹脂のみで絶縁樹脂層１０５を形成する方が良い。
また、絶縁樹脂層１０５の形成方法は、使用する樹脂形
態に適した方法で良く、樹脂ワニスを印刷、コート等の
方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプであれば
常圧もしくは真空ラミネート、熱プレス、真空プレス等
の方法で積層する方法が挙げられる。
【００１８】次に、形成した絶縁樹脂層１０５にビア１
０６を形成する（図１（ｆ））。ビア１０６の形成方法
は、この製造方法に適した方法であれば良く、レーザー
又はプラズマ等によるドライエッチング、あるいは感光
パターンニングしケミカルエッチングで形成することも
できる。
０６を形成する（図１（ｆ））。ビア１０６の形成方法
は、この製造方法に適した方法であれば良く、レーザー
又はプラズマ等によるドライエッチング、あるいは感光
パターンニングしケミカルエッチングで形成することも
できる。
【００１９】次に、導電性フレーム１０１を電解めっき
用のリードとして、導体ポスト２０１を電解めっきによ
り形成する（図２（ｇ））。この電解めっきにより、絶
縁樹脂層１０５のビア１０６が形成されている部分に、
導体ポスト２０１が充填形成される。電解めっきにより
導体ポスト２０１を充填形成すれば、導電性ペーストの
印刷等と比べ、比較的容易に導体ポスト２０１の先端形
状を自由に制御できる。導体ポスト２０１の材質として
は、この製造方法に適するものであればどのようなもの
でも良く、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジ
ウム、ビスマス、あるいはこれらの金属種の複合系が挙
げられる。特に、銅を適用することで、抵抗特性に優れ
た導体ポスト２０１が得られる。
用のリードとして、導体ポスト２０１を電解めっきによ
り形成する（図２（ｇ））。この電解めっきにより、絶
縁樹脂層１０５のビア１０６が形成されている部分に、
導体ポスト２０１が充填形成される。電解めっきにより
導体ポスト２０１を充填形成すれば、導電性ペーストの
印刷等と比べ、比較的容易に導体ポスト２０１の先端形
状を自由に制御できる。導体ポスト２０１の材質として
は、この製造方法に適するものであればどのようなもの
でも良く、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジ
ウム、ビスマス、あるいはこれらの金属種の複合系が挙
げられる。特に、銅を適用することで、抵抗特性に優れ
た導体ポスト２０１が得られる。
【００２０】次に、導体ポスト２０１の表面に（先端）
に、接合用金属層２０２を形成する（図２（ｈ））。接
合用金属層２０２の形成方法としては、導電性フレーム
１０１を電解めっき用リードとして電解めっきにより形
成する方法、無電解めっきにより形成する方法、ペース
ト印刷による方法が挙げられる。印刷による方法では、
印刷用のスクリーンマスクを導体ポスト２０１に対して
精度良く位置あわせする必要があるが、めっき法では導
体ポスト２０１の表面以外に接合用金属層２０２が形成
されることがないため、導体ポスト２０１の微細化・高
密度化にも対応が容易である。特に、電解めっきによる
方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能
な金属が多種多様であり、また薬液の管理も比較的容易
であるため、好適である。接合用金属層２０２の材質と
しては、図２（ｊ）に示す被接合部２０６と合金化接合
可能なものであればどのようなものでも良く、半田など
比較的低温領域で液化するものが適する。半田の中で
も、鉛、錫、銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、金
の少なくとも２種からなる半田を使用することが好まし
い。近年では特に、環境面での配慮から鉛フリー半田の
使用が非常に好適と思われる。なお、図２（ｈ）では、
導体ポスト２０１の表面に接合用金属層２０２を形成す
る例を示したが、接合用金属層２０２は導体ポスト２０
１と被接合部２０６とを接合させることが目的であるた
め、被接合部２０６側に接合用金属層２０２を形成して
も良い。また、さらに、導体ポスト２０１と被接合部２
０６の両表面に接合用金属層２０２を形成しても構わな
い。
に、接合用金属層２０２を形成する（図２（ｈ））。接
合用金属層２０２の形成方法としては、導電性フレーム
１０１を電解めっき用リードとして電解めっきにより形
成する方法、無電解めっきにより形成する方法、ペース
ト印刷による方法が挙げられる。印刷による方法では、
印刷用のスクリーンマスクを導体ポスト２０１に対して
精度良く位置あわせする必要があるが、めっき法では導
体ポスト２０１の表面以外に接合用金属層２０２が形成
されることがないため、導体ポスト２０１の微細化・高
密度化にも対応が容易である。特に、電解めっきによる
方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能
な金属が多種多様であり、また薬液の管理も比較的容易
であるため、好適である。接合用金属層２０２の材質と
しては、図２（ｊ）に示す被接合部２０６と合金化接合
可能なものであればどのようなものでも良く、半田など
比較的低温領域で液化するものが適する。半田の中で
も、鉛、錫、銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、金
の少なくとも２種からなる半田を使用することが好まし
い。近年では特に、環境面での配慮から鉛フリー半田の
使用が非常に好適と思われる。なお、図２（ｈ）では、
導体ポスト２０１の表面に接合用金属層２０２を形成す
る例を示したが、接合用金属層２０２は導体ポスト２０
１と被接合部２０６とを接合させることが目的であるた
め、被接合部２０６側に接合用金属層２０２を形成して
も良い。また、さらに、導体ポスト２０１と被接合部２
０６の両表面に接合用金属層２０２を形成しても構わな
い。
【００２１】次に、絶縁樹脂層１０５の表面に、接着剤
層２０３を形成する（図２（ｉ））。接着剤層２０３
は、適用する接着剤樹脂の形態に適した方法で形成さ
れ、樹脂インクを印刷、コートなどの方法で直接塗布し
たり、ドライフィルムタイプの樹脂をラミネート、プレ
ス（常圧、真空）等の方法で形成できる。なお、図２
（ｉ）では、絶縁樹脂層１０５の表面に接着剤層２０３
を形成する例を示したが、接着剤層２０３は被接続層２
０５と絶縁樹脂層１０５を接着することが目的であるた
め、被接続層２０５の表面に接着剤層２０３を形成して
も良い。また、さらには、絶縁樹脂層１０５と被接続層
２０５の両表面に形成しても構わない。なお、被接続層
２０５は図１（ａ）〜図１（ｄ）に示した工程と同様に
して形成できる。
層２０３を形成する（図２（ｉ））。接着剤層２０３
は、適用する接着剤樹脂の形態に適した方法で形成さ
れ、樹脂インクを印刷、コートなどの方法で直接塗布し
たり、ドライフィルムタイプの樹脂をラミネート、プレ
ス（常圧、真空）等の方法で形成できる。なお、図２
（ｉ）では、絶縁樹脂層１０５の表面に接着剤層２０３
を形成する例を示したが、接着剤層２０３は被接続層２
０５と絶縁樹脂層１０５を接着することが目的であるた
め、被接続層２０５の表面に接着剤層２０３を形成して
も良い。また、さらには、絶縁樹脂層１０５と被接続層
２０５の両表面に形成しても構わない。なお、被接続層
２０５は図１（ａ）〜図１（ｄ）に示した工程と同様に
して形成できる。
【００２２】以上の工程によって得られた接続層２０４
と被接続層２０５とを位置合わせを（図２（ｊ））す
る。位置合わせは、接続層２０４および被接続層２０５
に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装
置により、読みとり位置を合わせる方法、接続層２０４
および被接続層２０５に、予め形成されているガイド穴
に対して、位置合わせ用のガイドピンを挿入すること
で、機械的に位置合わせする方法等を用いることが出来
る。
と被接続層２０５とを位置合わせを（図２（ｊ））す
る。位置合わせは、接続層２０４および被接続層２０５
に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装
置により、読みとり位置を合わせる方法、接続層２０４
および被接続層２０５に、予め形成されているガイド穴
に対して、位置合わせ用のガイドピンを挿入すること
で、機械的に位置合わせする方法等を用いることが出来
る。
【００２３】次に、接続層２０４および被接続層２０５
とを積層する（図２（ｋ））。積層方法としては、例え
ば、真空プレスを用いて、導体ポスト２０１が、接着剤
層２０３を介して、接合用金属層２０２により被接合部
２０６と接合するまで加圧し、更に加熱して、接着剤層
１０９を熱硬化させて、接続層２０４と被接続層２０５
を接着することが出来る。
とを積層する（図２（ｋ））。積層方法としては、例え
ば、真空プレスを用いて、導体ポスト２０１が、接着剤
層２０３を介して、接合用金属層２０２により被接合部
２０６と接合するまで加圧し、更に加熱して、接着剤層
１０９を熱硬化させて、接続層２０４と被接続層２０５
を接着することが出来る。
【００２４】次に、接続層２０４側の導電性フレーム１
０１をエッチングにより除去する。図では、接続層２０
４側に半導体素子を実装する例を示したが、被接続層２
０５側に半導体素子との接続パッドを形成した場合は、
被接続層２０５の導電性フレーム２０７をまず、除去す
ることになる。接続層２０４側の導電性フレーム１０１
をエッチングにより除去するとき、バリア金属１０３
は、使用するエッチャントに対して耐性を有するため、
配線層１０４は浸食・腐食されることはない。導電性フ
レーム１０１の材質が銅、バリア金属１０３の材質がニ
ッケル、錫、または各種半田の場合、市販のアンモニア
系エッチャントを使用することができる。また、導電性
フレーム１０１の材質が銅、バリア金属１０３の材質が
金、銀の場合、塩化鉄や塩化銅系のほとんどの市販エッ
チャントを使用することができる。バリア金属１０３は
半導体素子の実装表面にもなることを考慮すると、表面
の清浄性、安定性、実装信頼性から金であることがもっ
とも好ましい。
０１をエッチングにより除去する。図では、接続層２０
４側に半導体素子を実装する例を示したが、被接続層２
０５側に半導体素子との接続パッドを形成した場合は、
被接続層２０５の導電性フレーム２０７をまず、除去す
ることになる。接続層２０４側の導電性フレーム１０１
をエッチングにより除去するとき、バリア金属１０３
は、使用するエッチャントに対して耐性を有するため、
配線層１０４は浸食・腐食されることはない。導電性フ
レーム１０１の材質が銅、バリア金属１０３の材質がニ
ッケル、錫、または各種半田の場合、市販のアンモニア
系エッチャントを使用することができる。また、導電性
フレーム１０１の材質が銅、バリア金属１０３の材質が
金、銀の場合、塩化鉄や塩化銅系のほとんどの市販エッ
チャントを使用することができる。バリア金属１０３は
半導体素子の実装表面にもなることを考慮すると、表面
の清浄性、安定性、実装信頼性から金であることがもっ
とも好ましい。
【００２５】さらに、このように得られた半導体搭載用
基板３０１（図３（ｌ））においては、被接続層２０５
側の導電性フレーム２０７の剛性によって、基板のリジ
ット性を確保しているため、絶縁樹脂層１０５が補強繊
維等を含んでいなくても、半導体実装時の基板の反りな
どの問題が無く、実装歩留まりの面からは非常に好都合
である。
基板３０１（図３（ｌ））においては、被接続層２０５
側の導電性フレーム２０７の剛性によって、基板のリジ
ット性を確保しているため、絶縁樹脂層１０５が補強繊
維等を含んでいなくても、半導体実装時の基板の反りな
どの問題が無く、実装歩留まりの面からは非常に好都合
である。
【００２６】次に、半導体素子３０２を実装する（図３
（ｍ））。実装方式としては、金線、アルミ線などによ
るワイヤーボンディング方式、金スタッドバンプや半田
バンプあるいは銅ポストなどの導体バンプ３０３を介し
たフリップチップの一括ボンディングがともに適用でき
る。ここで、配線層１０４が銅である場合、バリア金属
１０３を金、ニッケルの２層構成にしておけば、半導体
素子の実装面の金が配線層１０４の銅に拡散することを
防止することが可能である。また、実装表面の硬度を上
げることができ、ボンディング圧力の確保がなされ、実
装信頼性の向上が期待できる。フリップチップ接続を行
った場合は、通常、アンダーフィル３０４を半導体素子
３０２と半導体搭載用基板３０１の間に充填するが、半
導体搭載用基板３０１の表面は回路による段差が一切存
在しないため、アンダーフィル３０４の充填信頼性に非
常に有利である。他方、予め、半導体素子３０２の搭載
面にアンダーフィル３０４を形成しておく工程を採用し
ても良い。
（ｍ））。実装方式としては、金線、アルミ線などによ
るワイヤーボンディング方式、金スタッドバンプや半田
バンプあるいは銅ポストなどの導体バンプ３０３を介し
たフリップチップの一括ボンディングがともに適用でき
る。ここで、配線層１０４が銅である場合、バリア金属
１０３を金、ニッケルの２層構成にしておけば、半導体
素子の実装面の金が配線層１０４の銅に拡散することを
防止することが可能である。また、実装表面の硬度を上
げることができ、ボンディング圧力の確保がなされ、実
装信頼性の向上が期待できる。フリップチップ接続を行
った場合は、通常、アンダーフィル３０４を半導体素子
３０２と半導体搭載用基板３０１の間に充填するが、半
導体搭載用基板３０１の表面は回路による段差が一切存
在しないため、アンダーフィル３０４の充填信頼性に非
常に有利である。他方、予め、半導体素子３０２の搭載
面にアンダーフィル３０４を形成しておく工程を採用し
ても良い。
【００２７】次に、半導体素子３０２を封止樹脂３０５
で封止する（図３（ｎ））。封止の方法としては、金型
等を用いて樹脂充填するか、あるいはポッティングによ
り封止することもできる。また、半導体素子３０２の全
面を封止しても良いが、放熱特性を考慮し、半導体素子
３０２の側面のみを封止することもできる。
で封止する（図３（ｎ））。封止の方法としては、金型
等を用いて樹脂充填するか、あるいはポッティングによ
り封止することもできる。また、半導体素子３０２の全
面を封止しても良いが、放熱特性を考慮し、半導体素子
３０２の側面のみを封止することもできる。
【００２８】次に、被接続層２０５側の導電性フレーム
２０７をエッチングにより除去する（図３（ｏ−
１））。前記同様にして、被接続層２０５側にもエッチ
ャントの浸食・腐食を防ぐためのバリア金属３０６が形
成されている。これにより、外部との電気的接続を行う
ためのパッドおよび、配線パターンが露出する。配線層
が銅のとき、バリア金属３０６表面が、半田ボール搭載
パッドとして利用されることを考慮して、バリア金属３
０６を予め、金、ニッケルの２層構成にしておけば、半
田ボールの塗れ性と金の配線層への拡散防止を両立でき
非常に好適である。このとき、封止樹脂３０５がリジッ
ト性を付与する機能を有するため、以後の工程中でのハ
ンドリング性は確保されるので、導電性フレームを完全
にエッチングしてもいっこうに構わない。さらに、導電
性フレーム２０７の一部を外部接続用の導体端子３０７
（図３（ｏ−２））として残すことも可能である。この
場合、２層配線半導体装置の実装信頼性の向上が期待で
きる。
２０７をエッチングにより除去する（図３（ｏ−
１））。前記同様にして、被接続層２０５側にもエッチ
ャントの浸食・腐食を防ぐためのバリア金属３０６が形
成されている。これにより、外部との電気的接続を行う
ためのパッドおよび、配線パターンが露出する。配線層
が銅のとき、バリア金属３０６表面が、半田ボール搭載
パッドとして利用されることを考慮して、バリア金属３
０６を予め、金、ニッケルの２層構成にしておけば、半
田ボールの塗れ性と金の配線層への拡散防止を両立でき
非常に好適である。このとき、封止樹脂３０５がリジッ
ト性を付与する機能を有するため、以後の工程中でのハ
ンドリング性は確保されるので、導電性フレームを完全
にエッチングしてもいっこうに構わない。さらに、導電
性フレーム２０７の一部を外部接続用の導体端子３０７
（図３（ｏ−２））として残すことも可能である。この
場合、２層配線半導体装置の実装信頼性の向上が期待で
きる。
【００２９】次に、露出した配線パターンの外部接続用
部以外の表面にソルダーレジスト層４０１を形成する
（図４（ｐ−１，２））。ソルダーレジスト層４０１の
形成方法としては、この製造方法に適するものであれ
ば、適用可能である。例えば、ソルダーレジスト用液状
樹脂を印刷あるいはコートによって直接塗布し、ソルダ
ーレジスト層を形成しても良いし、ドライフィルムタイ
プであれば、ソルダーレジスト層形成面に積層し、常圧
もしくは真空ラミネート、真空プレスなどを使用して圧
着することができる。適用するソルダーレジストが感光
性であれば、感光パターンニング、現像を経て外部接続
用パッド４０２を得ることも出来る。適用するソルダー
レジストが非感光であっても、印刷マスクやレーザー開
孔等の手法で外部接続用パッド４０２が形成できる。
部以外の表面にソルダーレジスト層４０１を形成する
（図４（ｐ−１，２））。ソルダーレジスト層４０１の
形成方法としては、この製造方法に適するものであれ
ば、適用可能である。例えば、ソルダーレジスト用液状
樹脂を印刷あるいはコートによって直接塗布し、ソルダ
ーレジスト層を形成しても良いし、ドライフィルムタイ
プであれば、ソルダーレジスト層形成面に積層し、常圧
もしくは真空ラミネート、真空プレスなどを使用して圧
着することができる。適用するソルダーレジストが感光
性であれば、感光パターンニング、現像を経て外部接続
用パッド４０２を得ることも出来る。適用するソルダー
レジストが非感光であっても、印刷マスクやレーザー開
孔等の手法で外部接続用パッド４０２が形成できる。
【００３０】次いで、外部接続用パッド４０２に半田ボ
ール４０３をリフロー搭載し、本発明の２層配線半導体
装置４０４（図４（ｒ−１，２））を得ることができ
る。
ール４０３をリフロー搭載し、本発明の２層配線半導体
装置４０４（図４（ｒ−１，２））を得ることができ
る。
【００３１】本発明による２層配線半導体装置の製造方
法および製造された２層配線半導体装置の特徴は、次に
示すとおりである。 （１）露出した配線パターン、特に半導体素子の搭載表
面に回路段差が存在しない水平構造であるため、フリッ
プチップ接続の際のアンダーフィル注入が容易であり、
かつ樹脂封止の際の埋め込み問題が発生しない。 （２）半導体素子搭載の際には、被接続層２０５側の導
電性フレーム２０７がリジット性を付与するために、絶
縁樹脂層１０５がガラスクロスなどの補強繊維を含まな
い場合でも基板の反り等の問題がなく、実装歩留まりが
向上する。 （３）導電性フレーム２０７を部分的にエッチングし、
外部接続用の導体端子３０７を形成することも可能であ
り、応力緩和機能により実装信頼性の向上が期待でき
る。 （４）外部接続用パッド４０２への半田ボール４０３の
搭載の際には、封止樹脂３０５が装置のリジット性を付
与しているため、搭載が比較的容易であり、実装歩留ま
りが向上する。
法および製造された２層配線半導体装置の特徴は、次に
示すとおりである。 （１）露出した配線パターン、特に半導体素子の搭載表
面に回路段差が存在しない水平構造であるため、フリッ
プチップ接続の際のアンダーフィル注入が容易であり、
かつ樹脂封止の際の埋め込み問題が発生しない。 （２）半導体素子搭載の際には、被接続層２０５側の導
電性フレーム２０７がリジット性を付与するために、絶
縁樹脂層１０５がガラスクロスなどの補強繊維を含まな
い場合でも基板の反り等の問題がなく、実装歩留まりが
向上する。 （３）導電性フレーム２０７を部分的にエッチングし、
外部接続用の導体端子３０７を形成することも可能であ
り、応力緩和機能により実装信頼性の向上が期待でき
る。 （４）外部接続用パッド４０２への半田ボール４０３の
搭載の際には、封止樹脂３０５が装置のリジット性を付
与しているため、搭載が比較的容易であり、実装歩留ま
りが向上する。
【００３２】
【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。
【００３３】接着剤の調合例ｍ，ｐ−クレゾールノボラ
ック樹脂（日本化薬（株）製、ＰＡＳ−１：商品名）１
００ｇと、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬
（株）製、ＲＥ−４０４Ｓ：商品名）１４０ｇをシクロ
ヘキサン６０ｇに溶解し、硬化触媒としてトリフェニル
フォスフィン（北興化学工業（株）製）０．２ｇを添加
し、接着剤ワニスを調合した。
ック樹脂（日本化薬（株）製、ＰＡＳ−１：商品名）１
００ｇと、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬
（株）製、ＲＥ−４０４Ｓ：商品名）１４０ｇをシクロ
ヘキサン６０ｇに溶解し、硬化触媒としてトリフェニル
フォスフィン（北興化学工業（株）製）０．２ｇを添加
し、接着剤ワニスを調合した。
【００３４】２層配線半導体装置の製造方法例 導電性フレームとして７０μｍ厚の電解銅箔（三井金属
鉱業（株）製、３ＥＣ−ＶＬＰ：商品名）を用い、表面
の粗化処理を行った後、ドライフィルムレジスト（ニチ
ゴー・モートン（株）製、ＮＩＴ１０１５：商品名）を
ラミネートにより貼り合わせ、所定のネガパターンニン
グマスクを用いて露光・現像し、配線層１０４の形成に
必要なめっきレジストを形成した。次に、電解銅箔を電
解めっき用リードとして、バリア金属を電解金めっき、
電解ニッケルめっきの２層構成となるように連続で行
い、さらに電解銅めっきにより配線層を形成した。配線
層は最小部分で線幅／線間／厚み＝１５／１５／１０μ
ｍとした。次に、ドライフィルム状の樹脂（住友ベーク
ライト（株）製、ＣＦＰ−１１２２：商品名）に真空ラ
ミネートを用いることで配線層の凹凸を埋め込み、２５
μｍ厚の絶縁樹脂層を形成した。次に、絶縁樹脂層の表
面にＵＶ−ＹＡＧレーザーを照射して直径４０μｍのビ
アを形成した。次に、電解銅箔を電解めっき用リードと
して、電解銅めっきによりビアを充填し、銅ポストを形
成した。さらに得られた銅ポストの表面にＳｎ／２．５
Ａｇ半田からなる接合用金属層を電解めっきにより形成
した。一方、表面を粗化処理した１５０μｍ厚の圧延銅
板（古河電工（株）製、ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ：商品名）
を導電性フレームとして、前記同様な工程にて金めっき
／ニッケルめっきによりバリア金属を形成し、さらに連
続して電解銅めっきにより配線層を形成し、パッドを有
する被接続層を得た。次に、バーコーターにより、上記
で得た接着剤ワニスを塗布し、８０℃で２０分間乾燥
し、接着剤層を形成した。接続層と被接続層に予め形成
されている位置決めマークを、画像認識装置により読み
とり、両者を位置合わせし、１００℃の温度で仮圧着
後、真空プレスにより２２０℃の温度で加熱加圧するこ
とで、銅ポストが接着剤を貫通してパッドと半田接合
し、接着剤により接続層と被接続層が接着した。次に、
塩化第二鉄系エッチャントを用いて、接続層側の電解銅
箔を除去し、露出した半導体搭載面に金スタッドバンプ
を介してフリップチップを搭載した。搭載したチップと
半導体搭載面の間隙にアンダーフィル（住友ベークライ
ト（株）製、ＣＲＰ−４０５５：商品名）を充填し、封
止樹脂（住友ベークライト（株）製、ＥＭＥ−６３０
０：商品名）成形の後、被接続層側の圧延銅板をエッチ
ングにより除去し、露出した外部接続用端子以外の部分
にソルダーレジスト（太陽インキ（株）製、ＰＳＲ−４
０００：商品名）を形成した。次に、外部接続用端子に
共晶半田ボールをリフロー搭載し、２層配線半導体装置
を得ることができた。
鉱業（株）製、３ＥＣ−ＶＬＰ：商品名）を用い、表面
の粗化処理を行った後、ドライフィルムレジスト（ニチ
ゴー・モートン（株）製、ＮＩＴ１０１５：商品名）を
ラミネートにより貼り合わせ、所定のネガパターンニン
グマスクを用いて露光・現像し、配線層１０４の形成に
必要なめっきレジストを形成した。次に、電解銅箔を電
解めっき用リードとして、バリア金属を電解金めっき、
電解ニッケルめっきの２層構成となるように連続で行
い、さらに電解銅めっきにより配線層を形成した。配線
層は最小部分で線幅／線間／厚み＝１５／１５／１０μ
ｍとした。次に、ドライフィルム状の樹脂（住友ベーク
ライト（株）製、ＣＦＰ−１１２２：商品名）に真空ラ
ミネートを用いることで配線層の凹凸を埋め込み、２５
μｍ厚の絶縁樹脂層を形成した。次に、絶縁樹脂層の表
面にＵＶ−ＹＡＧレーザーを照射して直径４０μｍのビ
アを形成した。次に、電解銅箔を電解めっき用リードと
して、電解銅めっきによりビアを充填し、銅ポストを形
成した。さらに得られた銅ポストの表面にＳｎ／２．５
Ａｇ半田からなる接合用金属層を電解めっきにより形成
した。一方、表面を粗化処理した１５０μｍ厚の圧延銅
板（古河電工（株）製、ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ：商品名）
を導電性フレームとして、前記同様な工程にて金めっき
／ニッケルめっきによりバリア金属を形成し、さらに連
続して電解銅めっきにより配線層を形成し、パッドを有
する被接続層を得た。次に、バーコーターにより、上記
で得た接着剤ワニスを塗布し、８０℃で２０分間乾燥
し、接着剤層を形成した。接続層と被接続層に予め形成
されている位置決めマークを、画像認識装置により読み
とり、両者を位置合わせし、１００℃の温度で仮圧着
後、真空プレスにより２２０℃の温度で加熱加圧するこ
とで、銅ポストが接着剤を貫通してパッドと半田接合
し、接着剤により接続層と被接続層が接着した。次に、
塩化第二鉄系エッチャントを用いて、接続層側の電解銅
箔を除去し、露出した半導体搭載面に金スタッドバンプ
を介してフリップチップを搭載した。搭載したチップと
半導体搭載面の間隙にアンダーフィル（住友ベークライ
ト（株）製、ＣＲＰ−４０５５：商品名）を充填し、封
止樹脂（住友ベークライト（株）製、ＥＭＥ−６３０
０：商品名）成形の後、被接続層側の圧延銅板をエッチ
ングにより除去し、露出した外部接続用端子以外の部分
にソルダーレジスト（太陽インキ（株）製、ＰＳＲ−４
０００：商品名）を形成した。次に、外部接続用端子に
共晶半田ボールをリフロー搭載し、２層配線半導体装置
を得ることができた。
【００３５】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、半導体素子
搭載面に回路段差のない水平構造が得られ、アンダーフ
ィや封止樹脂の埋め込み不良を避けることができる。さ
らに、製造工程中は常に基板のリジット性が確保されて
いるため、半導体搭載時や半田ボール実装時のハンドリ
ング性、および工程歩留まりを向上することができる。
また、配線層および導体ポストを電解めっきで形成する
ため、配線ルールの高密度化にも適用が容易であり、層
数の減少によって、工程の短縮、製造コストの低減が期
待できる。
搭載面に回路段差のない水平構造が得られ、アンダーフ
ィや封止樹脂の埋め込み不良を避けることができる。さ
らに、製造工程中は常に基板のリジット性が確保されて
いるため、半導体搭載時や半田ボール実装時のハンドリ
ング性、および工程歩留まりを向上することができる。
また、配線層および導体ポストを電解めっきで形成する
ため、配線ルールの高密度化にも適用が容易であり、層
数の減少によって、工程の短縮、製造コストの低減が期
待できる。
【図１】本発明の２層配線半導体装置の製造方法の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の２層配線半導体装置の製造方法の一例
を示す断面図（図１の続き）である。
を示す断面図（図１の続き）である。
【図３】本発明の２層配線半導体装置の製造方法の一例
を示す断面図（図２の続き）である。
を示す断面図（図２の続き）である。
【図４】本発明の２層配線半導体装置の製造方法の一例
を示す断面図（図３の続き）と得られた２層配線半導体
装置の構造断面図である。
を示す断面図（図３の続き）と得られた２層配線半導体
装置の構造断面図である。
１０１、２０７ 導電性フレーム １０２ メッキレジスト層 １０３、３０５ バリア金属 １０４ 配線層 １０５ 絶縁樹脂層 １０６ ビア ２０１ 導体ポスト ２０２ 接合用金属層 ２０３ 接着剤層 ２０４ 接続層 ２０５ 被接続層 ２０６ 被接続部 ３０１ 半導体搭載用基板 ３０２ 半導体素子 ３０３ バンプ ３０４ アンダーフィル ３０５ 封止樹脂 ３０６、３０７ 外部接続用端子 ４０１ ソルダーレジスト層 ４０２ 外部接続用パッド ４０３ 半田ボール ４０４ 本発明の製造方法により得られる２層
配線半導体装置
配線半導体装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 仁 東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 中村 謙介 東京都品川区東品川２丁目５番８号 住友 ベークライト株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 導電性フレームを電解めっき用リードと
して、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより
形成する工程と、該導電性フレームをエッチングにより
除去する工程を含むことを特徴とする２層配線半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 導電性フレームを電解めっき用リードと
して、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより
形成する工程と、該導体配線層上に絶縁樹脂層を形成す
る工程と、該導体配線層の一部が露出するように該絶縁
樹脂層にビアを形成する工程と、該導電性フレームを電
解めっき用リードとして、導体ポストを電解めっきによ
り形成する工程と、該導体ポストの表面または前記同様
に形成された導電性フレーム付被接続層の被接続部の表
面の少なくとも一方に接合用金属層を形成する工程と、
該絶縁樹脂層の表面または該被接続層の表面の少なくと
も一方に接着剤層を形成する工程と、該導体ポストと該
被接合部とを該接着剤層と該接合用金属層を介して接合
し、該絶縁樹脂層と該被接続層とを該接着剤層により接
着する工程と、半導体素子を搭載する側の該導電性フレ
ームをエッチングにより除去する工程と、半導体素子を
実装・封止する工程と、裏面の該導電性フレームをエッ
チングにより除去する工程と、露出した裏面の該バリア
金属の外部接続用パッド以外の表面にソルダーレジスト
層を形成する工程と、該外部接続用パッド上に半田ボー
ルをリフロー搭載する工程からなることを特徴とする２
層配線半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 導電性フレームを電解めっき用リードと
して、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより
形成する工程と、該導体配線層上に絶縁樹脂層を形成す
る工程と、該導体配線層の一部が露出するように該絶縁
樹脂層にビアを形成する工程と、該導電性フレームを電
解めっき用リードとして、導体ポストを電解めっきによ
り形成する工程と、該導体ポストの表面または前記同様
に形成された導電性フレーム付被接続層の被接続部の表
面の少なくとも一方に接合用金属層を形成する工程と、
該絶縁樹脂層の表面または該被接続層の表面の少なくと
も一方に接着剤層を形成する工程と、該導体ポストと該
被接合部とを該接着剤層と該接合用金属層を介して接合
し、該絶縁樹脂層と該被接続層とを該接着剤層により接
着する工程と、半導体素子を搭載する側の該導電性フレ
ームをエッチングにより除去する工程と、半導体素子を
実装・封止する工程と、裏面の該導電性フレームを部分
的にエッチング除去し、外部接続用のランドを形成する
工程と、該外部接続用ランド以外の表面にソルダーレジ
スト層を形成する工程と、該外部接続用ランド上に接合
用金属層を形成する工程からなることを特徴とする２層
配線半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 該絶縁樹脂層が補強繊維未使用であるこ
とを特徴とする請求項２又は３記載の２層配線半導体装
置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載の２層配
線半導体装置の製造方法により得られ、半導体素子が搭
載される導体回路表面と絶縁樹脂層表面とが水平平面構
造となることを特徴とする２層配線半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001067605A JP3929251B2 (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | ２層配線半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001067605A JP3929251B2 (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | ２層配線半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270716A true JP2002270716A (ja) | 2002-09-20 |
| JP3929251B2 JP3929251B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=18925931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001067605A Expired - Lifetime JP3929251B2 (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | ２層配線半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3929251B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165194A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008028361A (ja) * | 2006-06-19 | 2008-02-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
-
2001
- 2001-03-09 JP JP2001067605A patent/JP3929251B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165194A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008028361A (ja) * | 2006-06-19 | 2008-02-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
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|---|---|
| JP3929251B2 (ja) | 2007-06-13 |
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