JP2002249646A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
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Abstract
射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 [A]アルカリ可溶性樹脂、[B]−C
H2OR1(1)[式中、R1は水素原子またはアルキ
ル基である]で示される基を分子内に有する架橋剤、
[C]感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組
成物であって、[A]アルカリ可溶性樹脂が、1種類の
アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂(a1)と、
当該アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂のTgよ
り少なくとも5℃以上高いTgを持つアルカリ可溶性樹
脂の前駆体、およびアルカリ可溶性環状ポリオレフィン
系樹脂のTgより少なくとも5℃以上高いTgを持つア
ルカリ可溶性樹脂から成る群より選択される1または2
種類以上の化合物(a2)とを含有し、かつ、(a
1):(a2)=95:5〜10:90(重量比)であ
ることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
Description
成物に関する。さらに詳しくは、電子部品に用いられる
保護膜などを形成するための材料、または層間絶縁膜、
特に、液晶表示素子、集積回路素子、固体撮像素子など
の層間絶縁膜を形成するための材料として好適な低誘電
性の感放射線性樹脂組成物に関する。
固体撮像素子などの電子部品には、その劣化や損傷を防
止するための保護膜、素子表面を平坦化するための平坦
化膜、電気絶縁性を保つための絶縁膜などが設けられて
いる。また、薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記
す。)型液晶表示素子や集積回路素子には、層状に配置
される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜が設けられ
ている。
硬化型絶縁膜形成用の材料を用いて層間絶縁膜を形成す
る場合には、必要とするパターン形状の層間絶縁膜を得
るための工程数が多く、しかも十分な平坦性を有する層
間絶縁膜が得られないという問題がある。また、近年、
配線やデバイスの高密度化にともない、これらの材料に
低誘電性が求められるようになってきた。このような要
求に応える絶縁膜形成材料として、アルカリ可溶性環状
ポリオレフィン系樹脂、−CH2OR1(1)で示され
る基を分子内に有する架橋剤、および感放射線性酸発生
剤を含有する感放射線性樹脂組成物が提案されている
(特開平11−52574号公報、特開平10−307
388号公報など)。
れる膜の耐熱温度は、せいぜい250℃程度であり、さ
らに高い耐熱性の要求される多層配線板、集積回路など
の用途への展開においては耐熱性不足による脱ガス、パ
ターンの変形などが問題であった。
と、本発明らは、より高い耐熱性を持つ電子部品を提供
しうる感放射線性樹脂組成物を得るべく鋭意検討した結
果、アルカリ可溶性樹脂成分としてTgの異なる2種類
以上の樹脂を用いると、絶縁性、平坦性、耐熱性、透明
性、耐薬品性などの諸性能に優れたパターンを与える感
放射先生樹脂組成物が得られることを見いだし、本発明
を完成するに到った。
ば、[A]アルカリ可溶性樹脂、[B]−CH2OR1
(1)[式中、R1は水素原子またはアルキル基であ
る]で示される基を分子内に有する架橋剤、[C]感放
射線性酸発生剤(以下、酸発生剤ということがある)を
含有する感放射線性樹脂組成物であって、[A]アルカ
リ可溶性樹脂が、1種類のアルカリ可溶性環状ポリオレ
フィン系樹脂(a1)と、当該アルカリ可溶性環状ポリ
オレフィン系樹脂のTgより少なくとも10℃以上高い
Tgを持つ樹脂を与えるアルカリ可溶性前駆体、および
アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂のTgより少
なくとも10℃以上高いTgを持つアルカリ可溶性樹脂
から成る群より選択される1または2種類以上の化合物
(a2)とを含有し、かつ、(a1):(a2)=9
5:5〜10:90(重量比)であることを特徴とする
感放射線性樹脂組成物が提供され、また当該感放射線性
樹脂組成物を基板に塗布する工程、放射線を照射し、パ
ターンを形成する工程、アルカリ性現像液で現像する工
程、および現像後の基板を加熱処理する工程を有するパ
ターン形成方法が提供される。
性樹脂組成物に含まれる各成分について説明する。な
お、本発明でTgは、示差走査熱量計DSCにより測定
された値である。
樹脂は、1種類のアルカリ可溶性環状ポリオレフィン系
樹脂(a1)と、当該アルカリ可溶性環状ポリオレフィ
ン系樹脂のTgより少なくとも10℃以上高いTgを持
つ樹脂を与えるアルカリ可溶性前駆体、およびアルカリ
可溶性環状ポリオレフィン系樹脂のTgより少なくとも
5℃以上高いTgを持つアルカリ可溶性樹脂から成る群
より選択される1または2種類以上の樹脂(a2)とを
含有する。アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂
(a1;以下、単にa1樹脂と言うことがある)として
は、エステル構造を有する環状ポリオレフィン系樹脂を
加水分解して得られる樹脂や環状ポリオレフィン樹脂に
酸性基または酸誘導体型残基を有する化合物を変性反応
させて得られる樹脂などが挙げられる。
系樹脂を加水分解して得られる樹脂としては、特開平1
0−307388号公報や特開平11−52574号公
報などに詳述された8−メチル−8−メトキシカルボニ
ルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3
−ドデセンなどのエステル構造(−COOR)を有する
エステル構造を有する脂環式単量体(以下、極性脂環式
単量体という)の開環(共)重合体、極性脂環式単量体
と、これと共重合可能な重合性単量体(5−メチル−5
−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−
2−エン、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、
エチレン、プロピレン、ブテンなど)との開環共重合
体、前記開環(共)重合体の水素添加重合体などのエス
テル構造を有する環状ポリオレフィンの加水分解物を挙
げることができる。良好なパターン形状を与える点か
ら、この樹脂のTgは50℃〜250℃、好ましくは1
00℃〜200℃である。
開環重合反応により製造される。具体的には、各単量体
を、芳香族炭化水素などの有機溶剤中、メタセシス触媒
の存在下で反応させる。開環重合反応に際し、1−ブテ
ンや1−ヘキセンなどの分子量調節剤を添加することも
できる。また、得られた開環重合体を、常法に従って、
不均一触媒存在下で水素添加することにより水素添加重
合体を得ることができる。
レフィンを、有機溶剤や水などの溶媒を単独あるいは混
合した媒体中で加水分解することにより、アルカリ可溶
性の環状ポリオレフィン系樹脂を得ることができる。加
水分解の方法には特に制限はなく、通常のアルカリおよ
び酸加水分解が使用できる。重合体の加水分解率は、反
応温度、反応時間、酸、アルカリ量を調整することで任
意に変更することができる。
たは酸誘導体型残基を有する化合物を変性反応させて得
られるアルカリ可溶性脂環式ポリオレフィンは、8−エ
チルテトラシクロ[4.4.12,5.17,10]−
3−ドデセンやトリシクロ[4.3.1.12,5]デ
カ−3,7−ジエンなどの脂環式オレフィンを、または
脂環式オレフィンと、これと共重合可能な単量体(エチ
レン;1−ヘキセンなどのα−オレフィン;1,4−ヘ
キサジエンなどの非共役ジエン;等)とを、重合触媒や
分子量調整剤存在下、開環重合した脂環式オレフィン重
合体を、水素添加し、さらに、無水マレイン酸などの酸
性基または酸誘導体型残基を有する化合物と、ジクミル
パーオキサイドなどのラジカル開始剤存在下、有機溶剤
中で反応させて得られる樹脂である。脂環式オレフィン
重合体はオレフィン由来の繰り返し単位を有し、その割
合は、耐熱性確保の観点から、通常30〜100重量
%、好ましくは50〜100重量%、より好ましくは7
0〜100重量%である。
フィン樹脂(a1)の分子量は、ゲル・パーミエーショ
ン・クロマトグラフィー(GPC)で測定した単分散ポ
リスチレン換算の重量平均分子量(Mw;以下、単に重
量平均分子量という)は2,000〜150,000、
好ましくは5,000〜50,000のものが、良好な
パターン形状を与える点から好適である。本発明に係る
アルカリ可溶性環状ポリオレフィン樹脂(a1)のTg
は、良好なパターン形状を与える点から、Tgが50℃
〜250℃、好ましくは100℃〜200℃のものが好
ましい。
して、上述したアルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹
脂(a1)の他に、当該アルカリ可溶性環状ポリオレフ
ィン系樹脂(a1)のTgより少なくとも10℃以上、
好ましくは20℃以上、より好ましくは40℃以上以
上、特に好ましくは60℃以上高いTgを持つ樹脂を与
えるアルカリ可溶性前駆体(以下、高Tg樹脂前駆体と
いうことがある)、およびアルカリ可溶性環状ポリオレ
フィン系樹脂(a1)のTgより少なくとも10℃以
上、好ましくは20℃以上、より好ましくは40℃以
上、特に好ましくは60℃以上高いTgを持つアルカリ
可溶性樹脂(以下、高Tg樹脂ということがある)から
成る群より選択される化合物(a2;以下、a2樹脂と
いうことがある)を含有することにより、耐熱性を向上
させることができる。高Tg樹脂前駆体は、現像前まで
のパターン形成工程において、加熱により架橋または重
合してアルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂(a
1)より高いTgの樹脂を与える化合物であれば特に制
限されない。このような化合物の具体例としては、ポリ
アミック酸(ポリイミド前駆体)、ポリベンゾオキサゾ
ール前駆体およびポリベンズチオゾール前駆体などが挙
げられる。中でも、ポリアミック酸は、高いTgと高い
透明性を与えることから好ましい例である。
リイミド前駆体)は、ジアミンとテトラカルボン酸2無
水物との縮合重合反応により得られる。より具体的に
は、特開平8−120080号公報で詳述された通り、
例えば、有機溶媒中にジフェニルエーテル−4,4’−
ジアミンや2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサ
フルオロプロパンなどのジアミンを溶解し、この溶液中
に2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸2無
水物や2,2−ビス(3,4−フタリックアンハイドラ
イド)ヘキサフルオロプロパンなどのテトラカルボン酸
2無水物を添加することで、ポリアミック酸(ポリイミ
ド前駆体)を得ることができる。一般に、用いられる溶
媒としては、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチ
ルピロリドン,γ−ブチルラクトンなどの非プロトン性
極性溶剤である。テトラカルボン酸2無水物添加時は、
0℃付近まで冷却することが好ましい。添加後の反応は
室温から50℃程度で反応を行うことができる。こうし
たポリアミック酸の重量平均分子量(Mw)は1,00
0〜150,000、好ましくは5,000〜100,
000のものが、良好なパターン形状を与える点から好
適である。また、ポリアミック酸は、加熱によりポリイ
ミド樹脂となる。このポリイミドのTgは、良好な耐熱
性を与える点から、100℃以上、好ましくは250℃
以上である。
ル前駆体は、特開平4−31860号公報や特開平8−
123034号公報で詳述されている通り、ジカルボン
酸クロライドとビス(オルトアミノフェノール)誘導体
との反応により得られる。例えば有機溶媒中に2,2−
ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパンや
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパンなどのビス(オルトアミノフェ
ノール)誘導体を溶解し、この溶液中にジフェニルエー
テル−4,4’−ジカルボン酸クロライドなどのジカル
ボン酸クロライドを添加することで、ポリベンゾオキサ
ゾール前駆体を得ることができる。一般に、用いられる
溶媒としては、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メ
チルピロリドン,γ−ブチルラクトンなどの非プロトン
性極性溶剤である。反応の条件としては、ジカルボン酸
クロライド添加時は、0℃付近まで冷却することが好ま
しい。添加後の反応は室温から50℃程度で反応を行う
ことができる。こうしたポリベンゾオキサゾール前駆体
の重量平均分子量(Mw)が、1,000〜150,0
00、好ましくは5,000〜100,000である
と、良好なパターン形状を与える点から好適である。ま
た、ポリベンゾオキサゾール前駆体から加熱処理によっ
て誘導されるポリベンゾオキサゾールのTgは、良好な
耐熱性を与える点から、100℃以上、好ましくは25
0℃以上である。
か、芳香族単量体と、これと共重合可能な単量体との共
重合体であって、水酸基、カルボキシル基、スルホニル
基又はチオール基のような酸性残基を有する樹脂でも良
い。
は、組成物中での溶解性、膜としての耐熱性や透明性な
どが良好なため、好ましい。こうした高Tg樹脂の重量
平均分子量(Mw)が1,000〜150,000、好
ましくは2,000〜100,000のものは、良好な
パターン形状を与える点から好適である。また、高Tg
樹脂のTgは、良好な耐熱性を与える点から、100℃
以上、好ましくは250℃以上である。高Tg樹脂は、
Tgが上述の規定に合うものであれば、上述したアルカ
リ可溶性環状ポリオレフィンの中から選択することもで
きる。組成物中にアルカリ可溶性環状ポリオレフィンが
2以上含有する場合、樹脂として最もTgの低いものが
a1樹脂であり、当該a1樹脂に対して上述のTgの条
件を満たすものがa2樹脂であると判断する。
物中での比率(重量比)は、膜の特性と現像性のバラン
スからa1樹脂:a2樹脂=95:5〜10:90であ
り、より好ましくは、90:10〜20:80であり、
さらに好ましくは、90:10〜50:50である。
[式中、R1は水素原子またはアルキル基である]で示
される基を分子中に有する化合物である。アルキル基の
炭素数は好ましくは1〜6、より好ましくは1〜4であ
る。架橋剤は好ましくは上記式(1)の基を分子中に少
なくとも2個有する。好ましい化合物は上記式(1)の
基が窒素原子に結合する化合物、すなわちN−メチロー
ル基および/またはN−アルコキシメチル基を含有する
化合物である。一分子中に式(1)の有機基が2以上あ
るときは、それらの基のR1は同一でも異なってもよ
い。本発明の組成物において、上記式(1)で示される
有機基は、酸発生剤に由来する酸の存在下、[A]アル
カリ可溶性樹脂が有する酸性基と反応し、架橋構造を形
成する。
88号公報や特開平11−52574号公報に詳述され
たN,N,N’,N’,N’’,N’’−(ヘキサアルコキ
シメチル)メラミンの如きアルコキシメチル化メラミン
やN,N’,N’’,N’’’−(テトラアルコキシメチ
ル)グリコールウリルの如きアルコキシメチル化グリコ
ールウリルが好ましい例として挙げられる。また、光架
橋性、耐熱性および耐溶剤性のバランスに優れ、低誘電
率の硬化物が得られる点から、アルコキシメチル化メラ
ミン(I)とアルコキシメチル化グリコールウリル(I
I)とを混合して用いるのも特に好ましく、この場合、
重量比[(I)/(II)]で5/95〜95/5、よ
り好ましくは10/90〜90/10で混合されたもの
である。
リ可溶性樹脂100重量部に対して、通常、3〜50重
量部であり、好ましくは5〜50重量部、特に好ましく
は10〜40重量部である。架橋剤が少なすぎると、組
成物から得られる硬化物の架橋密度が十分でなくなり、
その結果、形成されるパターンが膨潤し、解像度が低下
したり、耐溶剤性および耐耐熱性に劣るものとなる場合
がある。逆に、多すぎると、放射線の未照射部分におい
ても架橋反応が進行し、形成されるパターン性状が悪化
する場合がある。
ばジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルフォニ
ウム塩、フェニルジアゾニウム塩などのオニウム化合
物、イミドスルフォネート誘導体、トシラート化合物、
ベンジル誘導体のカルボナート化合物、ならびにトリア
ジン誘導体のハロゲン化物など、一般的な酸発生剤が挙
げられ、なかでも、トリアジン誘導体のハロゲン化物が
好ましい。このようなトリアジン誘導体のハロゲン化物
としては、例えばトリス(2,4,6−トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン、2−フェニル−ビス(4,6−
トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−クロ
ロフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s
−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−ビス
(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
(3−メチルチオフェニル)−ビス(4,6−トリクロ
ロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシナフ
チル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリ
アジン、2−(4−メトキシ−β−スチリル)−ビス
(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
ピペロニル−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−
トリアジンなどが挙げられる。
カリ可溶性樹脂100重量部に対して、通常、0.5〜
20重量部であり、好ましくは1〜15重量部、特に好
ましくは1〜10重量部である。酸発生剤が少なすぎる
と、放射線照射による硬化が不十分となる場合があり、
その結果、形成されるパターンが溶解してしまう場合が
ある。逆に、酸発生剤が多すぎると、放射線未照射部で
も架橋反応が進行し、その結果、形成されるパターンが
現像できなくなる場合がある。
ストリエーション防止や現像性の向上などの目的で、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテルなどのノニオン系;
メガファックF172(大日本インキ化学工業製)など
のフッ素系;オルガノシロキサンポリマーなどのシリコ
ン系;などの界面活性剤を配合することもできる。界面
活性剤は、感放射線性樹脂組成物の固形分100重量部
に対して、2重量部以下、好ましくは1重量部以下の量
で必要に応じて用いられる。更に、本発明の感放射線性
樹脂組成物は、耐熱性、耐溶剤性を向上する目的で潜在
性酸発生剤を配合することもできる。本発明で用いられ
る潜在性酸発生剤は、加熱により酸を発生するカチオン
重合触媒であり、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム
塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩などのオニウム塩
が用いられる。中でも、スルホニウム塩およびベンゾチ
アゾリウム塩が好ましい。
は、基板との密着性を向上させる目的で、密着助剤を含
んでいてもよい。このような密着助剤としては、官能性
シランカップリング剤などが挙げられる。該官能性シラ
ンカップリング剤の具体例としては、トリメトキシシリ
ル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメト
キシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルト
リメトキシシランなどが挙げられる。当該密着助剤の使
用割合は、[A]アルカリ可溶性樹脂100重量部に対
して、通常、20重量部以下、好ましくは0.05〜1
0重量部、特に好ましくは1〜10重量部である。また
本発明に係る感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて帯
電防止剤、保存安定剤、消泡剤、顔料、染料などを含ん
でいてもよい。
各成分を均一に混合することによって容易に調製するこ
とができ、通常、適当な溶媒に溶解されて溶液状態で用
いられる。例えば、[A]アルカリ可溶性樹脂を溶媒に
溶解し、この溶液に[B]架橋剤、および[C]酸発生
剤および必要に応じて他の成分を所定の割合で混合する
ことにより、溶液状態の感放射線性樹脂組成物を調製す
ることができる。
エーテル類;セロソルブエステル類、グリコールエーテ
ル類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテー
ト類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類、非プ
ロトン性極性溶媒、アミド類、ラクトン類、アルキレン
カルボナート類など、感光性樹脂組成物に用いられる一
般的な溶媒が挙げられる。N−メチルホルムアミド、
N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニ
リド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシ
ド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ア
セトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル
酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアル
コール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエ
チル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸
エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテ
ートなどの溶媒を用いることもできる。
形成のしやすさから、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、2−ヘプタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル
−2−ペンタノンなどのケトン類およびエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルなどのグリコールエーテル類、N−メチル
ホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メ
チルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなど
のアミド類が好ましく用いられる。
濃度が好ましくは10〜40重量%となるように溶媒に
溶解された溶液として被塗布物に塗布される。また、上
記のように調製された感放射線性樹脂組成物溶液は、孔
径が0.5μm程度のフィルタなどを用いて濾過した
後、使用に供することが好ましい。このように調製され
た感放射線性樹脂組成物溶液は、長期間の貯蔵安定性に
も優れる。
表面に塗布され、加熱により溶媒を除去され、次いで露
光前加熱(プリベーク)される。基板表面への感放射性
樹脂組成物溶液の塗布方法としては、例えばスプレー
法、ロールコート法、回転塗布法などの各種の方法を採
用することができる。プリベークにより残留する少量の
溶剤も揮発し、流動性のない塗膜が得られる。プリベー
ク条件は、各成分の種類、配合割合などによっても異な
るが、通常60〜120℃で10〜600秒間程度であ
る。
を介して放射線を照射した後、現像液により現像する。
放射線としては、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分
子線、γ線、プロトンビーム線、シンクロトロン放射線
などが挙げられる。現像液としては、例えば水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナト
リウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無
機アルカリ類;エチルアミン、n−プロピルアミンなど
の第一級アミン類;ジエチルアミン、ジ−n−プロピル
アミンなどの第二級アミン類;トリエチルアミン、メチ
ルジエチルアミン、N−メチルピロリドンなどの第三級
アミン類;ジメチルエタノールアミン、トリエタノール
アミンなどのアルコールアミン類;テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド、コリンなどの第四級アンモニウム塩;ピロー
ル、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]
−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.
0]−5−ノナンなどの環状アミン類のアルカリ類から
なるアルカリ水溶液を用いることができる。また上記ア
ルカリ水溶液に、メタノール、エタノールなどの水溶性
有機溶媒、界面活性剤などを適当量添加した水溶液を現
像液として使用することもできる。
る。また現像方法は液盛り法、パドル法、ディップ法な
どのいずれでもよい。現像後、流水洗浄を30〜90秒
間行い、圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによっ
て、基板上の水分を除去し、パターン状薄膜が形成され
る。その後、このパターン状被膜に、高圧水銀灯などに
よる放射線を全面照射し、パターン状被膜中に残存する
1,2−キノンジアジド化合物を完全に分解させる。続
いて、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置によ
り、所定温度、例えば150〜300℃で、所定時間、
例えばホットプレート上なら5〜30分間、オーブン中
では30〜90分間加熱処理(ポストベーク)をするこ
とによって、パターン状架橋薄膜を得ることができる。
本発明はこれらによって何ら制限されるものではない。
実施例中「部」は「重量部」を意味する。
(A−1)の製造 8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ
[4.4.0.12,5.17 ,10]−3−ドデセン25
0部、1−ヘキセン180部およびトルエン750部
を、窒素置換した反応容器に仕込み、60℃に加熱し
た。これに、トリエチルアルミニウム(1.5モル/リ
ットル)のトルエン溶液0.62部、tert−C 4H
5OH/CH3OHで変性(tert−C4H9OH/
CH3OH/W=0.35/0.3/1;モル比)したW
Cl6溶液(濃度0.05モル/l)3.7部を加え、8
0℃で3時間加熱攪拌して、開環重合体溶液を得た。こ
の重合反応における重合転化率は90%であり、重合体
の重量平均分子量は17,000であった。
クレーブに入れ、これにRuHCl(CO)[P(C6
H5)3]30.48部を加え、水素ガス圧を100K
g/cm2反応温度165℃の条件で3時間加熱攪拌し
た。得られた反応溶液を冷却した後、水素ガスを放圧
し、水素添加重合体溶液(b)を得た。こうして得られ
た水素添加重合体を大量のメタノール中に注いで、重合
体を凝固させた。得られた水素添加重合体の水素化率は
実質上100%であった。次いで、得られた水素添加重
合体100部、N−メチルピロリドン100部、プロピ
レングリコール500部、水酸化カリウム(85%)8
4.5部を反応器に仕込み190℃で4.5時間加熱撹拌
した。得られた反応溶液を大量の水、テトラヒドロフラ
ンおよび塩酸の混合溶液に注いで加水分解物を凝固させ
た。凝固物を水洗、乾燥して環状ポリオレフィン樹脂
(A−1)を得た。得られた樹脂の加水分解率は95%
であった。樹脂の重量平均分子量は、GPC(ゲルパー
ミエイションクロマトグラフィ)(東ソー(株)製HL
C−8020)を用いて測定したポリスチレン換算分子
量である。
−2)樹脂の製造 六塩化タングステン、トリイソブチルアルミニウム及び
イソブチルアルコールからなる開環重合触媒と分子量調
整剤としての1−ヘキセンとを用い、公知の方法により
8−エチルテトラシクロ[4.4.12,5.1
7,10]−3−ドデセン(以下、ETDという)を開
環重合した。得られた開環重合体を、ニッケルアセチル
アセトナートとトリイソブチルアルミニウムの水素添加
触媒を用いて水素化し、水素化率が99%以上の開環重
合体水素添加物を得た。次いで、オートクレーブ中で開
環重合体水素添加物100部、無水マレイン酸200
部、及びt−ブチルベンゼン400部とアニソール50
0部との混合溶媒中に投入、混合し、135℃に昇温し
た。この反応容器に、ジクミルパーオキシド20部を1
2分間隔で10回に分けて逐次添加した後、更に3時間
反応させた。引き続き、反応容器中に400部の水を添
加し、10時間反応させた。反応液を大量のイソプロパ
ノール中に滴下、凝固、乾燥し、マレイン酸変性率82
%(1H−NMRによる測定)の変性ポリマーを得た。
この変性ポリマーの重量平均分子量は1.2×104、
加水分解率は100%(FT−IRにより測定)であっ
た。
の製造 攪拌機と乾燥ガス導入管を装備した反応器にジフェニル
エーテル−4,4’−ジアミン54.06部(0.27
0モル)、アニリン5.58部(0.06モル)および
N,N−ジメチルアセトアミド3042部を仕込み、2
3℃で攪拌溶解した。10℃以下に冷却後、この溶液に
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水
物67.2部(0.300モル)、を加え、氷冷攪拌3
時間、室温攪拌24時間した。反応終了後、蒸留水8l
に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥することに
よってポリイミド前駆体(A−3)を得た。
体(A−4)樹脂の製造 ジカルボン酸クロライドの合成ジフェニルエーテル−
4,4’−ジカルボン酸50.10部(0.194モ
ル)をN−メチル−2−ピロリドン(以下NMPとい
う)150.0部に溶解した後、ピリジン76.73部
(0.970モル)を加える。反応系を0〜5℃にし、
NMP 100部に溶かした塩化チオニル69.24部
(0.582モル)を30分かけて滴下する。反応系を
室温に戻し、室温で5時間攪拌した後、減圧下50℃に
て過剰の塩化チオニルを除去した。次のポリベンゾオキ
サゾール前駆体の反応には、ジフェニルエーテル−4,
4’−ジカルボン酸クロリドは単離せずにNMP溶液に
まま用いた。ポリアミドの合成2,2−ビス(3−アミ
ノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
54.94部(0.150モル)、1,3−ビス(3−
アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシ
ロキサン6.58部(0.026モル)を乾燥したN,
N−ジメチルアセトアミド200.0部に溶解した。乾
燥窒素気流下で先に合成したジフェニルエーテル−4,
4’−ジカルボン酸クロリドのNMP溶液を0〜5℃に
冷却しながら30分かけて滴下し、滴下終了後、室温ま
で戻し、5時間攪拌を続ける。反応終了後蒸留水800
0部に滴下し、沈殿物を濾別して集め、減圧乾燥するこ
とによってポリベンゾオキサゾール前駆体(A−4)を
得た。
脂100部に溶剤としてN,N−ジメチルアセトアミド
400部溶解させた後、孔径0.45μmのミリポアフ
ィルタで濾過して樹脂溶液を調製した。塗膜の形成シリ
コン基板上にスピンナーを用いて、組成物溶液1を塗布
した後、90℃て120秒間ホットプレート上でプリベ
ークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。その後、窒
素ガス雰囲気下にて250℃で2時間キュアを行った。
その後、塗膜を剥がして集め、DSC分析を行うことで
Tgを求めた。以下に合成した樹脂A−1、A−2、A
−3、およびA−4のTgは、それぞれ、180℃、1
20℃、260℃、および270℃であった。
して(A−1)80部と、ポリイミド前駆体(A−3)
20部、[B]架橋剤としてサイメル300(三井サイ
テック社製;ヘキサメトキシメイルメラミン)、20部
と、[C]酸発生剤として2−ピペロニル−ビス(4,
6−トリクロロメチル)−s−トリアジン5部と、界面
活性剤としてメガファックF172(大日本インキ化学
工業(株)製)0.05部をN,N−ジメチルアセトア
ミド480部中で混合し、溶解させた後、孔径0.45
μmのミリポアフィルタで濾過して感放射線性樹脂組成
物溶液1を調製した。得られた溶液をシリコン基板上
(誘電率測定、寸法安定性および現像性評価用)、1μ
mの段差を有するシリコン酸化膜基板上(平坦性評価
用)、および2枚のガラス基板上(透明性、変色性評価
用と耐溶剤性評価用)に、それぞれスピンナーを用いて
塗布した後、90℃、120秒間ホットプレート上でプ
リベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。
基板上に、それぞれ所定のパターンを有するマスクを置
き、波長365nm、光強度5mW/cm2の紫外線を
空気中で100mJ/cm2のエネルギー量となるよう
に照射した。照射後、110℃のホットプレート上で、
ポストベークを2分間行った。次いで、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド0.3重量%水溶液を用いて、
25℃×60秒間の現像処理を行った。その後、超純水
でリンス処理を1分間行った。こうして、ネガ型のパタ
ーンを有するパターン状薄膜を形成した。
基板をホットプレート上で、250℃、30分間加熱す
ることにより、パターンのポストベークを行い、パター
ン状架橋薄膜を形成したシリコン基板を得た。
を行った。 ・誘電率測定 JIS C6481に準じて、1MHz(室温)での誘
電率(ε)を測定した。 ・寸法安定性の評価 このパターン状架橋薄膜を形成したシリコン基板を30
0℃のオーブンを用いて60分間加熱した後、パターン
状架橋薄膜の膜厚変化を測定した。加熱後の膜厚が、加
熱前の膜厚の95%を超える場合を○、90〜95%の
範囲にある場合を△、90%未満の場合を×とした。結
果を表1に示す。
差を有するシリコン酸化膜基板を用いたこと以外は、上
記と同様にしてパターン状架橋薄膜を形成した。接触式
の膜厚測定器を用いて、パターン状架橋薄膜の段差を測
定し、段差の最大値が5%未満である場合を○とし、5
%以上である場合を×とした。結果を表1に示す。
9(コーニング社製)」を用いた以外は上記と同様にし
てパターン状架橋薄膜を形成したガラス基板を得た。次
いで、得られたガラス基板の透過率を分光光度計「15
0−20型ダブルビーム(日立製作所製)」を用いて4
00〜800nmの波長で測定した。このとき最低透過
率が90%以上の場合を○、90%未満である場合を×
とした。結果を表1に示す。
たガラス基板を300℃のオーブンで60分間加熱した
後、このガラス基板の透過率を分光光度計「150−2
0型ダブルビーム」を用いて400〜800nmの波長
で測定し、加熱処理後における透過率の変化を求めた。
変化率が5%未満の場合を○、5〜10%の範囲にある
場合を△、10%を超える場合を×とした。結果を表1
に示す。
ジメチルスルホキシド中に15分浸漬し、膜厚変化を測
定し、10%以下の膜厚変化を○、10%を越える場合
を△、膨潤が大きく、基板から剥がれてしまう状態を×
とした。結果を表1に示す。
のパターンを有するマスクを置き、波長365nm、光
強度5mW/cm2の紫外線を空気中で100mJ/c
m2のエネルギー量となるように照射した。照射後、1
10℃のホットプレート上で、ポストベークを2分間行
った。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
0.3重量%水溶液を用いて、25℃×60秒間の現像
処理を行った。その後、超純水でリンス処理を1分間行
った。こうして、ネガ型のパターンを有するパターン状
薄膜を形成した。形成したパターンを光学顕微鏡および
走査型電子顕微鏡で観察し、パターン間に残渣がない場
合を○、残渣がある場合を×とした。結果を表1に示す
樹脂をポリベンゾオキサゾール前駆体(A−4)に代え
た以外は、実施例1と同様にして感放射線性樹脂組成物
溶液を調製し、パターン状架橋薄膜を得、評価を行った
結果を表1に示す。 (実施例3)加水分解重合体(A−1)100部を40
部に代え、さらにポリイミド前駆体(A−3)樹脂20
部を60部に代えた以外は、実施例1と同様にして感放
射線性樹脂組成物溶液を調製し、パターン状架橋薄膜を
得、評価を行った結果を表1に示す。
00部を10部に代え、さらにポリイミド前駆体(A−
3)樹脂20部を90部に代えた以外は、実施例1と同
様にして感放射線性樹脂組成物溶液を調製し、パターン
状架橋薄膜を得、評価を行った結果を表1に示す。
−1)80部を環状ポリオレフィン樹脂(A−2)60
部に代え、ポリイミド前駆体(A−3)20部をポリイ
ミド前駆体(A−3)40部に代えた以外は、実施例1
と同様にして感放射線性樹脂組成物溶液を調製し、パタ
ーン状架橋薄膜を得、評価を行った結果を表1に示す。
樹脂20部を添加しない以外は、実施例1と同様にして
感放射線性樹脂組成物溶液を調製し、パターン状架橋薄
膜を得、評価を行った結果を表1に示す。
300℃でも形状変化のない耐熱性に優れたパターンが
得られることがわかる。このパターンは、平坦性、透明
性、変色性、耐溶剤性、現像性にも優れる。
Claims (2)
- 【請求項1】 [A]アルカリ可溶性樹脂、[B]−C
H2OR1(1)[式中、R1は水素原子またはアルキ
ル基である]で示される基を分子内に有する架橋剤、
[C]感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組
成物であって、[A]アルカリ可溶性樹脂が、1種類の
アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂(a1)と、
当該アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂のTgよ
り少なくとも10℃以上高いTgを持つアルカリ可溶性
樹脂を与えるアルカリ可溶性前駆体、およびアルカリ可
溶性環状ポリオレフィン系樹脂のTgより少なくとも1
0℃以上高いTgを持つアルカリ可溶性樹脂から成る群
より選択される1または2種類以上の化合物(a2)と
を含有し、かつ、(a1):(a2)=95:5〜1
0:90(重量比)であることを特徴とする感放射線性
樹脂組成物。 - 【請求項2】 [A]アルカリ可溶性樹脂、[B]−C
H2OR1(1)[式中、R1は水素原子またはアルキ
ル基である]で示される基を分子内に有する架橋剤、
[C]感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組
成物であって、[A]アルカリ可溶性樹脂が、1種類の
アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂(a1)と、
当該アルカリ可溶性環状ポリオレフィン系樹脂のTgよ
り少なくとも10℃以上高いTgを持つアルカリ可溶性
樹脂を与えるアルカリ可溶性前駆体、およびアルカリ可
溶性環状ポリオレフィン系樹脂のTgより少なくとも1
0℃以上高いTgを持つアルカリ可溶性樹脂から成る群
より選択される1または2種類以上の化合物(a2)と
を含有し、かつ、(a1):(a2)=95:5〜1
0:90(重量比)である感放射線性樹脂組成物を基板
に塗布して得られた塗膜する工程、放射線を照射し、パ
ターンを形成する工程、アルカリ性現像液で現像する工
程、および現像後の基板を加熱処理する工程を有するパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002249646A true JP2002249646A (ja) | 2002-09-06 |
JP4211225B2 JP4211225B2 (ja) | 2009-01-21 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP4211225B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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-
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080904 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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