JP2002196115A - Reflector and liquid crystal display - Google Patents
Reflector and liquid crystal displayInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用の
反射体と、この反射体を備えた液晶表示装置及びこの装
置を用いた携帯型電子情報機器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflector for a liquid crystal display device, a liquid crystal display device provided with the reflector, and a portable electronic information device using this device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、携帯電話などのいわゆる携帯型電
子情報機器においては、消費電力を少なくして長時間の
使用に耐え得るよう、そのディスプレイ部に反射型また
は半透過型の液晶表示装置が広く用いられている。前記
反射型の液晶表示装置においては、表示面側から入射し
た光を反射させる反射体が備えられている。また、前記
半透過型の液晶表示装置においても同様に反射体を備
え、日中など十分な光量が得られる時には前記反射体に
よる反射光のみによって表示を行うとともに、夜間等の
十分な光量が得られない時には光源からの光を透過させ
て表示を行うようにしている。このような反射体におい
て、入射光をより広範囲に効率よく反射させることが、
即ち、視野角の広い反射体の提案が要望されていた。か
かる要望に応えるべく、特開平11−52110号公
報、特開平11−24070号公報、特開平11−38
213号公報、及び特開平11−44804号公報等に
おいて、広範囲の拡散角を有し、反射効率のよい反射体
及びその反射体を用いた反射型液晶表示装置が提案され
ている。また、前記特開平11−52110号公報に記
載の反射体では、反射体の表面に凹凸面を形成し、傾斜
角(凹部内周面が形成する曲線の微分値)を−18乃至
18度の範囲とすることで、全方向にわたって反射効率
を高くして、視野角を広くしようとするものである。2. Description of the Related Art In recent years, in a so-called portable electronic information device such as a portable telephone, a reflective or semi-transmissive liquid crystal display device is provided on a display portion thereof so as to reduce power consumption and withstand long-time use. Widely used. The reflection type liquid crystal display device includes a reflector that reflects light incident from the display surface side. The transflective liquid crystal display device also includes a reflector, and when a sufficient amount of light is obtained, such as during the day, display is performed only by light reflected by the reflector, and a sufficient amount of light is obtained, such as at night. When it is not possible, light from a light source is transmitted to perform display. In such a reflector, it is possible to efficiently reflect the incident light over a wider range,
That is, there has been a demand for a proposal of a reflector having a wide viewing angle. To meet such demands, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 11-52110, 11-24070, and 11-38
In JP-A-213, JP-A-11-44804, etc., a reflector having a wide range of diffusion angles and good reflection efficiency and a reflection type liquid crystal display device using the reflector have been proposed. Further, in the reflector described in JP-A-11-52110, an uneven surface is formed on the surface of the reflector, and the inclination angle (differential value of a curve formed by the inner peripheral surface of the concave portion) is -18 to 18 degrees. By setting the range, the reflection efficiency is increased in all directions, and the viewing angle is widened.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、人体に
対して正対して使用されることが多い携帯電話等のよう
な携帯型電子情報機器に、従来の液晶表示装置用反射体
を使用した場合、視野角を広くしようとして反射光を広
く拡散させていたため、より十分な明るさを得ることが
できなかった。However, when a conventional reflector for a liquid crystal display device is used in a portable electronic information device such as a portable telephone which is often used facing a human body, Since the reflected light was diffused widely in an attempt to widen the viewing angle, sufficient brightness could not be obtained.
【0004】そこで、本発明では、上記の問題点を解決
すべく反射体の凹凸面により反射される光に指向性を持
たせることで、特定の方向に集中して入射光を反射する
反射体、前記反射体を備えた液晶表示装置及び前記液晶
表示装置を備えた携帯型電子情報機器を提供することを
目的とする。Accordingly, in the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the light reflected by the uneven surface of the reflector has directivity, so that the reflector reflects incident light in a specific direction. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device including the reflector and a portable electronic information device including the liquid crystal display device.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置用
反射体は、請求項1記載の通り、表面にランダムな凹凸
面を備える液晶表示装置用反射体であって、前記反射体
による反射光の拡散角θは、 θ(左右方向)<θ(上下方向)、 の関係を有し、 10°≦|θ|≦30° の範囲において、前記反射体の反射強度を標準白色板比
30倍以上の反射光線強度が得られるようフォトリソグ
ラフィー法によって形成したことを特徴とする。また、
請求項2記載の液晶表示装置用反射体は、表面にランダ
ムな凹凸面を備える液晶表示装置用反射体であって、前
記反射体による反射光の拡散角θは、 θ(左右方向)≦θ(斜め方向)≦θ(上下方向)、 の関係を有し、且つ、前記反射体の反射光線の強度をθ
について積分した値を、According to a first aspect of the present invention, there is provided a reflector for a liquid crystal display device having a random uneven surface on a surface thereof. The light diffusion angle θ has the following relationship: θ (left-right direction) <θ (vertical direction) , and in the range of 10 ° ≦ | θ | ≦ 30 °, the reflection intensity of the reflector is set to a standard white plate ratio of 30. It is characterized by being formed by photolithography so as to obtain a reflected light intensity twice or more. Also,
3. The reflector for a liquid crystal display device according to claim 2, wherein the surface of the reflector for a liquid crystal display device has a random uneven surface, and the diffusion angle θ of the light reflected by the reflector is θ (lateral direction) ≦ θ. (Oblique direction) ≦ θ (vertical direction) , and the intensity of the reflected light beam of the reflector is θ
The integrated value of
【数2】 として、 10°≦|θ|≦30° の範囲において、前記反射体の反射強度を標準白色板比
30倍以上の反射光線強度が得られるようフォトリソグ
ラフィー法によって形成したことを特徴とする。また、
請求項3記載の液晶表示装置用反射体は、請求項1また
は2に記載の液晶表示装置用反射体において、前記凹凸
面は、露光機のプロキシミィティギャップにより、露光
量に変化を持たせて形成されたものであることを特徴と
する。また、請求項4記載の液晶表示装置用反射体は、
請求項1または2に記載の液晶表示装置用反射体におい
て、前記凹凸面は、ネガまたはポジ配列のフォトマスク
を使用することにより、露光量に変化を持たせて形成し
たことを特徴とする。また、請求項5記載の液晶表示装
置は、請求項1乃至4の何れかに記載の液晶表示装置用
反射体を備えたことを特徴とする。また、請求項6記載
の携帯型電子情報機器は、請求項5に記載の液晶表示装
置の反射体の上下方向を、携帯型電子情報機器に対する
目視方向の上下方向に揃えて設けたことを特徴とする。(Equation 2) In the range of 10 ° ≦ | θ | ≦ 30 °, the reflector is formed by a photolithography method so as to obtain a reflected light intensity that is 30 times or more that of a standard white plate. Also,
The reflector for a liquid crystal display device according to claim 3 is the reflector for a liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein the uneven surface has a change in exposure amount due to a proximity gap of an exposure machine. It is characterized by being formed by. The reflector for a liquid crystal display device according to claim 4 is
3. The reflector for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the uneven surface is formed with a change in exposure amount by using a negative or positive alignment photomask. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including the liquid crystal display device reflector according to any one of the first to fourth aspects. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the portable electronic information device, wherein a vertical direction of the reflector of the liquid crystal display device according to the fifth aspect is aligned with a vertical direction as viewed from the portable electronic information device. And
【0006】上記した通り、本発明の反射体は、多数の
凹凸面をフォトリソグラフィー法により表面に形成した
ものである。かかる反射体の標準白色板比30倍以上の
反射光線強度が得られる拡散角θの範囲を10°≦|θ
|≦30°と制限することで、その拡散角の範囲内に効
率よく反射光を集中して反射させるものである。これに
より、広い視野角が必要とされない携帯型電子情報機器
の液晶表示装置の表示面において、入射光を有効に利用
することができる。上記拡散角の範囲において反射体の
上下方向の拡散角を左右方向の拡散角よりも広くするこ
とで、反射光を左右方向よりも上下方向へ広い範囲で拡
散させることができる。また、上記拡散角の範囲におい
て反射光線強度を拡散角について積分した値を反射体の
上下方向の積分値を斜め方向積分値以上とし、また、斜
め方向の積分値を左右方向の積分値以上することで、反
射体の上下方向の反射光強度は左右方向の反射光強度以
上とすることができる。上記構成の反射板を、携帯型電
子情報機器に対する目視方向の上下方向に揃えて設ける
ことで、上下方向に傾けて使用する場合において広い範
囲の視野角を有し、白色強度の強く見やすい携帯型電子
情報機器の表示面を構成することができる。As described above, the reflector of the present invention has a number of uneven surfaces formed on the surface by photolithography. The range of the diffusion angle θ at which a reflected light intensity of 30 times or more of the standard white plate ratio of such a reflector is obtained is 10 ° ≦ | θ.
By limiting | ≦ 30 °, the reflected light is efficiently concentrated and reflected within the range of the diffusion angle. Thereby, the incident light can be effectively used on the display surface of the liquid crystal display device of the portable electronic information device which does not require a wide viewing angle. By making the vertical diffusion angle of the reflector wider than the horizontal diffusion angle in the range of the diffusion angle, the reflected light can be diffused in the vertical direction wider than the horizontal direction. Further, a value obtained by integrating the reflected light intensity with respect to the diffusion angle in the range of the diffusion angle is set such that the vertical integration value of the reflector is equal to or greater than the diagonal integration value, and the diagonal integration value is equal to or greater than the horizontal integration value. Thus, the reflected light intensity in the vertical direction of the reflector can be equal to or higher than the reflected light intensity in the horizontal direction. By providing the reflecting plate having the above configuration in the vertical direction of the visual direction with respect to the portable electronic information device, the portable type has a wide range of viewing angles when used in the vertical direction, and has a strong white intensity and is easy to see. The display surface of the electronic information device can be configured.
【0007】尚、上記「拡散角」とは、反射体の反射面
全体が水平面をなすと仮定した場合に、前記反射面の法
線と反射光とがなす角度をいい、「視野角」とは、所定
のコントラスト比の得られる、液晶表示装置の表示面の
法線からの角度の最大値。[0007] The "diffusion angle" refers to the angle between the normal of the reflecting surface and the reflected light, assuming that the entire reflecting surface of the reflector forms a horizontal plane. Is the maximum value of the angle from the normal to the display surface of the liquid crystal display device, at which a predetermined contrast ratio can be obtained.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】次に、本発明反射体及び液晶表示
装置の実施の形態につき、必要に応じ、図面に基づき説
明する。図1乃至図3は、本発明反射体の一実施の形態
を示すもので、ガラス板からなる基板の基板面に感光性
レジスト薄膜を設け、このレジスト薄膜にフォトリソグ
ラフィー法によって凹凸面を備えるようにしたものであ
る。詳細には、ガラス基板の基板面にアクリル系レジス
ト、ポリスチレン系レジスト、アジドゴム系レジスト、
イミド系レジスト等の感光性樹脂液をスピンコート法、
スクリーン印刷法、吹きつけ法等の塗布法により塗布す
る。そして、塗布終了後、加熱炉またはホットプレート
等の加熱装置を用いて基板状の感光性樹脂液を例えば8
0乃至120度の温度範囲で1分以上加熱するプリベー
クを行って基板状に感光性樹脂層を形成する。尚、用い
る感光性樹脂の種類によってプリベーク条件は異なるた
め、上記範囲外の温度と時間で処理してもよいことはも
ちろんである。また、ここで形成する感光性樹脂層の膜
圧は2乃至4μmの範囲とすることが好ましい。そし
て、図4に示すような高精細に描画されたフォトマスク
を使用して、露光を行う。このとき、露光時のプロキシ
ミティギャップを80μm乃至200μmの範囲で設定
し、紫外線がフォトマスクの透光部を通過した際の回析
現象を利用して、遮光部にも強度の違う光を入れ込むよ
うにする。このように露光を行うことで、透光部直下の
間の前記レジストにおいて、そのレジストが感光するの
に必要な波長帯域の入射光の強度が最も弱いものとな
り、逆に透光部直下のレジストにおいて最も強いものと
なる。これにより、現像時に透光部直下の前記レジスト
の残存率が高くなり、また、透光部直下の間の前記レジ
ストの残存率が低くなるため、凹凸面を形成することが
できる。尚、前記レジストにはネガ型のレジストを使用
した場合について説明したものであるが、ポジ型のレジ
ストを使用する場合には前記フォトマスクの透光部と遮
光部のパターンを反転すれば、ポジ型レジストであって
も同様に凹凸面を形成することができる。また、紫外線
としては、i線、g線、h線等があるが、感光性樹脂の
種類に応じて適宜選択して使用するものとする。その
後、プリベークで用いたのと同様の加熱炉、ホットプレ
ート等の加熱装置を用いてガラス基板状の感光性樹脂層
を例えば240℃程度で60分間以上加熱するポストベ
ークを行ってガラス基板状の感光性樹脂層を焼成する。
最後に、感光性樹脂層の表面に例えば、アルミニウムを
スパッタリング法によって成膜して凹凸面の表面に沿っ
て反射膜を形成する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the reflector and the liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to the drawings as necessary. 1 to 3 show an embodiment of the reflector of the present invention, in which a photosensitive resist thin film is provided on a substrate surface of a glass plate, and the resist thin film is provided with an uneven surface by photolithography. It was made. In detail, acrylic resist, polystyrene resist, azide rubber resist,
Spin coating a photosensitive resin liquid such as an imide-based resist,
It is applied by a coating method such as a screen printing method or a spraying method. Then, after the coating is completed, the photosensitive resin liquid in the form of a substrate is applied to a heating device such as a heating furnace or a hot plate for 8 hours.
Pre-baking is performed in a temperature range of 0 to 120 ° C. for 1 minute or more to form a photosensitive resin layer on the substrate. Since the pre-bake conditions vary depending on the type of the photosensitive resin used, it is needless to say that the treatment may be performed at a temperature and time outside the above range. Further, the film thickness of the photosensitive resin layer formed here is preferably in the range of 2 to 4 μm. Then, exposure is performed using a photomask drawn with high definition as shown in FIG. At this time, the proximity gap at the time of exposure is set in the range of 80 μm to 200 μm, and light of different intensity is introduced into the light shielding portion by utilizing the diffraction phenomenon when ultraviolet rays pass through the light transmitting portion of the photomask. So that it fits. By performing the exposure in this manner, in the resist immediately below the light-transmitting portion, the intensity of incident light in the wavelength band necessary for the resist to be exposed becomes the weakest, and conversely, the resist immediately below the light-transmitting portion Will be the strongest. Thereby, the residual ratio of the resist immediately below the light transmitting portion during development becomes higher, and the residual ratio of the resist immediately below the light transmitting portion becomes lower, so that an uneven surface can be formed. Although the case where a negative type resist is used as the resist has been described, when a positive type resist is used, if the pattern of the light transmitting part and the light shielding part of the photomask is reversed, a positive type resist is used. A concave / convex surface can be formed in the same manner even with a mold resist. The ultraviolet rays include i-line, g-line, h-line and the like, and they are appropriately selected and used according to the type of the photosensitive resin. Thereafter, the same heating furnace as that used in the pre-bake, using a heating device such as a hot plate, post-baking by heating the photosensitive resin layer in the form of a glass substrate at, for example, about 240 ° C. for 60 minutes or more, and performing the glass substrate-like Baking the photosensitive resin layer;
Finally, for example, aluminum is formed on the surface of the photosensitive resin layer by a sputtering method to form a reflection film along the surface of the uneven surface.
【0009】前記のようにして形成された凹凸面は、液
晶表示装置の性能を低めることなく、拡散角である|θ
|≦30°となるようにするためには、凹凸面の頂部−
頂部間の周期は30μm以下(より好ましくは10乃至
30μm)または凹凸面の頂部−低部間の間隔は2.5
μm以下とすることが好ましい。前記周期が30μmを
超えた凹凸面を形成しようとすると、膜厚を厚くしない
と凹面底部がほぼ平坦な面に形成されることになり、正
反射方向の光の占める割合が高くなるためである。ま
た、10μm未満の凹凸面を形成しようとすると、露光
装置及び感光性レジストの性能が影響し、感光性樹脂層
の表面全部が露光される等して所望の凹凸面を形成する
ことができないためである。The uneven surface formed as described above has a diffusion angle | θ without deteriorating the performance of the liquid crystal display device.
In order to satisfy | ≦ 30 °, the top of the uneven surface is required.
The period between the tops is 30 μm or less (more preferably 10 to 30 μm), or the distance between the top and bottom of the uneven surface is 2.5.
It is preferable that the thickness be not more than μm. This is because, if an irregular surface having a period exceeding 30 μm is to be formed, the concave bottom will be formed on a substantially flat surface unless the film thickness is increased, and the proportion of light in the regular reflection direction will increase. . Also, if an attempt is made to form an uneven surface of less than 10 μm, the performance of the exposure apparatus and the photosensitive resist is affected, and the entire surface of the photosensitive resin layer is exposed, and the desired uneven surface cannot be formed. It is.
【0010】また、前記凹凸面の頂部−底部間の間隔を
2.5μm以下とすることが好ましい。2.5μmを超
えると、平坦化膜を厚くする必要が生じ、反射率の低
下、反射体表面へのカラーフィルタの分布ムラ、或い
は、液晶パネル組立時に封止材付近での信頼性が落ちる
事等があるためである。また、この条件の反射体を半透
過型液晶表示装置に用いると、拡散膜及び平坦化膜の厚
くする必要が生じ、透過率が低下するとともに透過時の
明るさが低下するためである。そして、凹凸面の頂部−
頂部間の周期の範囲において|θ|≦30°となるよう
な凹凸面を形成することができなくなるためである。It is preferable that the distance between the top and bottom of the uneven surface is 2.5 μm or less. If the thickness exceeds 2.5 μm, the thickness of the flattening film needs to be increased, and the reflectance is reduced, the distribution of the color filter on the reflector surface is uneven, or the reliability near the sealing material is reduced at the time of assembling the liquid crystal panel. It is because there is. Further, when the reflector under this condition is used in a transflective liquid crystal display device, it is necessary to increase the thickness of the diffusion film and the flattening film, so that the transmittance and the brightness at the time of transmission are reduced. And the top of the uneven surface-
This is because it becomes impossible to form an uneven surface such that | θ | ≦ 30 ° in the range of the period between the tops.
【0011】次に、前記反射体を使用した液晶表示装置
の実施の形態につき説明する。図5は反射型の液晶表示
装置の一実施の形態を示すもので、STN方式の反射型
液晶表示装置に、本発明の反射体を用いた場合について
説明する。この反射型液晶表示装置は、上下に対向配置
された一対のガラス基板1,2と、それらの間に封止剤
3により封入された液晶層4と、上のガラス基板1の上
面側に上から順に設けられた偏光板6と、位相差板7,
8とを具備して構成されている。そして、ガラス基板2
の上面側の樹脂層10は表面を凹凸に形成されるととも
にその表面にはアルミニウム薄膜などの金属薄膜11が
形成されている。反射体12はガラス基板2、樹脂層1
0、及び金属薄膜11から構成されている。ガラス基板
1の下面側にはITO(インジウムスズ酸化物)等から
なる電極層15とトップコート層16と配向膜17が積
層され、金属薄膜11の上面側にはカラー表示構造の場
合に必要なカラーフィルタ18を介してオーバーコート
層19と電極層20と配向膜21とが積層されている。Next, an embodiment of a liquid crystal display device using the reflector will be described. FIG. 5 shows an embodiment of a reflection type liquid crystal display device, and a case where the reflector of the present invention is used in an STN type reflection type liquid crystal display device will be described. This reflection type liquid crystal display device has a pair of glass substrates 1 and 2 vertically arranged opposite to each other, a liquid crystal layer 4 sealed between them by a sealing agent 3, and an upper surface of the upper glass substrate 1. , And a retardation plate 7,
8 is provided. And the glass substrate 2
The upper surface side of the resin layer 10 has an uneven surface, and a metal thin film 11 such as an aluminum thin film is formed on the surface. The reflector 12 includes the glass substrate 2 and the resin layer 1
0 and the metal thin film 11. An electrode layer 15 made of ITO (indium tin oxide) and the like, a top coat layer 16 and an alignment film 17 are laminated on the lower surface of the glass substrate 1, and the upper surface of the metal thin film 11 is required for a color display structure. The overcoat layer 19, the electrode layer 20, and the alignment film 21 are laminated via the color filter 18.
【0012】[0012]
【実施例】次に、より具体的な実施例を説明する。 (実施例1)本実施例では、ガラス板からなる基板の基
板面に感光性レジスト薄膜を設け、このレジスト薄膜を
凹凸面を備えるようにした。詳細には、まず、ガラス基
板の基板面にアクリル系レジストの感光性樹脂液をスピ
ンコート法により塗布した。そして、塗布終了後、加熱
炉を用いて基板状の感光性樹脂液を80乃至120度の
温度範囲で60分以上加熱するプリベークを行って基板
状に感光性樹脂層を形成した。尚、ここで形成する感光
性樹脂層の膜圧は2乃至4μmの範囲とすることが好ま
しい。そして、前記ガラス基板の基板面に、フォトリソ
グラフィー法によってランダムな凹凸面を形成した。フ
ォトリソグラフィー法によりランダムな凹凸面を形成す
るのに本実施例では、フォトマスクとして、図4に示す
ような円形のパターンを中心間の距離t1=21乃至2
2μmとして横方向に隣接させ、縦方向に同じパターン
をt2=22μmの間隔で隣接させるようにして形成し
たものを使用した。そして、露光時のプロキシミティギ
ャップを80乃至200μmに設定し、紫外線がフォト
マスクの透光部を通過した際の回析現象を利用して、遮
光部にも強度の違う光を入れ込むようにして、隣接する
透光部直下の前記レジストには、そのレジストが感光す
るのに必要な波長帯域の入射光の強度が最も強くして、
逆に透光部直下の間の入射光を最も弱くすることで、現
像時に前記レジスト表面に凹凸面を形成した。尚、前記
レジストにはネガ型のレジストを使用した場合について
説明したものであるが、ポジ型のレジストを使用する場
合には前記フォトマスクの透光部と遮光部のパターンを
反転すれば、ポジ型レジストであっても同様に凹凸面を
形成することができる。その後、加熱炉を用いてガラス
基板状の感光性樹脂層を、240℃程度で60分間以上
加熱するポストベークを行ってガラス基板状の感光性樹
脂層を焼成した。最後に、感光性樹脂層の表面にアルミ
ニウムをスパッタリング法等によって成膜して凹凸面の
表面に沿って反射膜を形成するようにしてランダムな凹
凸面を有する反射体とした。この反射体の凹凸面は、図
1(b)乃至(d)に示すように、左右方向の頂部−頂
部(a−a)間の平均周期は21.5μm、上下方向の
頂部−頂部(b−b)間の平均周期で22μmとなり、
頂部−底部(a−c及びb−d)間の平均間隔は1.7
μmであった。Next, a more specific embodiment will be described. (Example 1) In this example, a photosensitive resist thin film was provided on the substrate surface of a glass plate, and this resist thin film was provided with an uneven surface. Specifically, first, a photosensitive resin liquid of an acrylic resist was applied to a substrate surface of a glass substrate by a spin coating method. After completion of the coating, the substrate-shaped photosensitive resin liquid was prebaked in a heating furnace at a temperature of 80 to 120 ° C. for 60 minutes or more to form a photosensitive resin layer on the substrate. Incidentally, the film thickness of the photosensitive resin layer formed here is preferably in the range of 2 to 4 μm. Then, a random uneven surface was formed on the substrate surface of the glass substrate by a photolithography method. In order to form a random uneven surface by a photolithography method, in this embodiment, a circular pattern as shown in FIG.
2 μm was used so that it was adjacent in the horizontal direction and the same pattern was formed in the vertical direction so as to be adjacent at intervals of t2 = 22 μm. Then, the proximity gap at the time of exposure is set to 80 to 200 μm, and by utilizing the diffraction phenomenon when ultraviolet rays pass through the light-transmitting portion of the photomask, light of different intensity is introduced into the light-shielding portion, In the resist immediately below the adjacent light-transmitting portion, the intensity of incident light in the wavelength band necessary for the resist to be exposed is the strongest,
Conversely, by making the incident light immediately below the translucent part the weakest, an uneven surface was formed on the resist surface during development. Although the case where a negative type resist is used as the resist has been described, when a positive type resist is used, if the pattern of the light transmitting part and the light shielding part of the photomask is reversed, a positive type resist is used. A concave / convex surface can be formed in the same manner even with a mold resist. After that, the glass substrate-shaped photosensitive resin layer was baked by heating the glass substrate-shaped photosensitive resin layer at about 240 ° C. for 60 minutes or more using a heating furnace. Finally, aluminum was formed on the surface of the photosensitive resin layer by a sputtering method or the like to form a reflective film along the surface of the uneven surface to obtain a reflector having a random uneven surface. As shown in FIGS. 1B to 1D, the concave-convex surface of this reflector has an average period of 21.5 μm between the top and the bottom (aa) in the left-right direction and the top and bottom (b) in the vertical direction. -B) with an average period of 22 μm,
The average distance between the top and bottom (ac and bd) is 1.7
μm.
【0013】(実施例2)前記実施例1と同じガラス基
板及びレジストを用いて、また、フォトマスクパターン
は実施例1と同じマスクを用いてプロキシミティギャッ
プを、80乃至200μmの間で調整を行い凹凸面を形
成した以外は前記実施例1と同じ方法により反射体2を
得た。この反射体の凹凸面は、図2(b)乃至(d)に
示すように、凹凸面の左右方向の頂部−頂部(a−a)
間の平均周期は15μm、上下方向の頂部−頂部(b−
b)間の平均周期で14.5μmとなり、頂部−底部
(a−c及びb−d)間の平均間隔は0.7μmであっ
た。(Embodiment 2) Using the same glass substrate and resist as in Embodiment 1 above, and adjusting the proximity gap between 80 and 200 μm for the photomask pattern using the same mask as in Embodiment 1. A reflector 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the uneven surface was formed. As shown in FIGS. 2B to 2D, the uneven surface of the reflector has a top-to-top (aa) in the left-right direction of the uneven surface.
The average period between them is 15 μm, and the top-to-top (b-
The average period between b) was 14.5 μm, and the average interval between the top and bottom (ac and bd) was 0.7 μm.
【0014】(実施例3)前記実施例1と同じガラス基
板及びレジストを用いて、フォトマスクパターンを変更
して形成した以外は前記実施例1と同じ方法により反射
体3を得た。この反射体の凹凸面は、図3(b)乃至
(d)に示すように、凹凸面の左右方向の頂部−頂部
(a−a)間の平均周期は14.5μm、上下方向の頂
部−頂部(b−b)間の平均周期で27μmとなり、頂
部−底部(a−c及びb−d)間の平均間隔は0.8μ
mであった。Example 3 A reflector 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the same glass substrate and resist as in Example 1 were used and the photomask pattern was changed. As shown in FIGS. 3 (b) to 3 (d), the uneven period of the reflector has an average period between the top and bottom (aa) in the left-right direction of the uneven surface is 14.5 μm, and the top in the vertical direction. The average period between the top (bb) is 27 μm, and the average interval between the top and bottom (ac and bd) is 0.8 μm.
m.
【0015】次に、前記実施例による反射体を用いて、
反射体の法線方向に対して30°の角度で照射し、その
反射光の拡散角0°、45°及び90°において反射強
度を測定した。その結果を表1及び表2、並びに図6乃
至図8に示す。Next, using the reflector according to the above embodiment,
Irradiation was performed at an angle of 30 ° with respect to the normal direction of the reflector, and the reflection intensity was measured at diffusion angles of 0 °, 45 °, and 90 ° of the reflected light. The results are shown in Tables 1 and 2, and FIGS. 6 to 8.
【0016】[0016]
【表1】 [Table 1]
【0017】[0017]
【表2】 [Table 2]
【0018】尚、有効な反射光線の強度を、標準白色板
比30倍として、この反射光線の強度が得られる拡散角
を測定したものである。この測定方法は、半導体レーザ
0.7mVの光源を用いて、波長543.5nm・ビー
ム径φ3mmのレーザを入射し、反射体で拡散反射され
た光を受光体(径φ5mm)で受け、その時の反射強度
を測定した。The effective angle of the reflected light is 30 times that of the standard white plate, and the diffusion angle at which the intensity of the reflected light is obtained is measured. In this measurement method, a laser having a wavelength of 543.5 nm and a beam diameter of φ3 mm is incident using a light source of a semiconductor laser of 0.7 mV, and light diffusely reflected by a reflector is received by a light receiver (diameter of φ5 mm). The reflection intensity was measured.
【0019】前記表1及び表2から明らかなように、本
実施例の反射体によれば上下方向に、強度の強い指向性
を有する反射光を得ることができた。また、前記実施例
の反射体を備えた液晶表示装置を携帯型電子情報機器に
対する目視方向の上下方向に合わせて設けるようにすれ
ば、携帯型電子情報機器の使用時に人体に正対する方向
で強い反射光が得られるので、表示面が極めて明るい携
帯型電子情報機器とすることができる。As is clear from Tables 1 and 2, according to the reflector of this embodiment, reflected light having high directivity was obtained in the vertical direction. Further, if the liquid crystal display device including the reflector of the above embodiment is provided so as to be vertically aligned with the portable electronic information device in the viewing direction, the liquid crystal display device is strong in the direction directly facing the human body when using the portable electronic information device. Since reflected light is obtained, a portable electronic information device having an extremely bright display surface can be obtained.
【0020】[0020]
【発明の効果】このように本発明の液晶表示装置用反射
体によれば、反射光に指向性を持たせることで限られた
入射光を効率よく活用することができる。これにより、
視野角白色度に優れた液晶表示装置用反射体とすること
ができる。また、かかる反射体はフォトリソグラフィー
法によって極めて簡単に製造することができる。また、
フォトリソグラフィー法によってパターン形状及び配列
にバリエーションを持たせることができる。また、従来
のプレス成形に比べ、高精細に且つ高密度でコントロー
ルされた拡散角を有するパターン形成ができるため、単
位面積当たりの凹凸面も密になり、このことにより、光
の利用効率が数段アップすることになり、より明るく、
より白い特性を有する反射体となる。また、本発明の反
射体の上下方向を携帯型電子情報機器に対する目視方向
の上下方向に揃えて設けるようにすれば、目視方向に対
して水平方向に反射光を少なくし、目視方向に対して強
度の強い反射光が得られることができ、入射光をより有
効に活用することができる。As described above, according to the reflector for a liquid crystal display device of the present invention, limited incident light can be efficiently used by giving directivity to reflected light. This allows
A reflector for a liquid crystal display device having excellent viewing angle whiteness can be obtained. Further, such a reflector can be very easily manufactured by a photolithography method. Also,
The pattern shape and arrangement can be varied by photolithography. Further, compared to conventional press molding, a pattern having a controlled diffusion angle can be formed with high definition and high density, so that the uneven surface per unit area becomes denser, which results in a light utilization efficiency of several times. It will be step up, brighter,
A reflector having whiter characteristics is obtained. Further, if the vertical direction of the reflector of the present invention is provided so as to be aligned with the vertical direction of the viewing direction with respect to the portable electronic information device, reflected light is reduced in the horizontal direction with respect to the viewing direction, and Strong reflected light can be obtained, and incident light can be more effectively utilized.
【図1】(a)本発明の一実施例である反射体のAFM
による説明写真(b)同実施例の反射体のAFMによる
上面からの写真(c)同実施例の反射体の左右方向のX
−X線断面図(d)同実施例の反射体の上下方向のY−
Y線断面図FIG. 1 (a) AFM of a reflector according to one embodiment of the present invention
(B) A photograph of the reflector of the embodiment from the top view by AFM (c) X in the horizontal direction of the reflector of the embodiment
-X-ray sectional view (d) Y- in the vertical direction of the reflector of the embodiment
Y-line sectional view
【図2】(a)本発明の他の実施例である反射体のAF
Mによる説明写真(b)同実施例の反射体のAFMによ
る上面からの写真(c)同実施例の反射体の左右方向の
X−X線断面図(d)同実施例の反射体の上下方向のY
−Y線断面図FIG. 2 (a) AF of reflector according to another embodiment of the present invention
(B) A photograph of the reflector of the embodiment from the top view by AFM (c) Cross-sectional view of the reflector of the embodiment in the left-right direction (d) Top and bottom of the reflector of the embodiment Direction Y
-Y line sectional view
【図3】(a)本発明の他の実施例である反射体のAF
Mによる説明写真(b)同実施例の反射体のAFMによ
る上面からの写真(c)同実施例の反射体の左右方向の
X−X線断面図(d)同実施例の反射体の上下方向のY
−Y線断面図FIG. 3 (a) AF of reflector according to another embodiment of the present invention
(B) A photograph of the reflector of the embodiment from the top view by AFM (c) Cross-sectional view of the reflector of the embodiment in the left-right direction (d) Top and bottom of the reflector of the embodiment Direction Y
-Y line sectional view
【図4】フォトマスクを説明するための説明図FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a photomask.
【図5】反射型液晶表示装置の説明断面図FIG. 5 is an explanatory sectional view of a reflection type liquid crystal display device.
【図6】実施例1に記載の反射体の拡散角と反射強度と
の関係を説明するための説明図FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a relationship between a diffusion angle and a reflection intensity of the reflector described in the first embodiment.
【図7】実施例2に記載の反射体の拡散角と反射強度と
の関係を説明するための説明図FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the relationship between the diffusion angle and the reflection intensity of the reflector described in Example 2.
【図8】実施例3に記載の反射体の拡散角と反射強度と
の関係を説明するための説明図FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining a relationship between a diffusion angle and a reflection intensity of the reflector described in the third embodiment.
1 ガラス基板 2 ガラス基板 3 封止剤 4 液晶層 6 偏光板 7 位相差板 8 位相差板 10 樹脂層 11 金属薄膜 12 反射体 15 電極層 16 トップコート層 17 配向膜 18 カラーフィルタ 19 オーバーコート層 20 電極層 21 配向膜 22 フォトマスク 23 円形パターン t1 円形パターンの中心間の距離 t2 円形パターンの中心間の距離 a (凹凸面の上下方向の)頂部 b (凹凸面の左右方向の)頂部 c (凹凸面の上下方向の)底部 d (凹凸面の左右方向の)底部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Glass substrate 3 Sealant 4 Liquid crystal layer 6 Polarizer 7 Retardation plate 8 Retardation plate 10 Resin layer 11 Metal thin film 12 Reflector 15 Electrode layer 16 Top coat layer 17 Orientation film 18 Color filter 19 Overcoat layer Reference Signs List 20 electrode layer 21 alignment film 22 photomask 23 circular pattern t1 distance between centers of circular patterns t2 distance between centers of circular patterns a top (in the vertical direction of the uneven surface) b top (in the horizontal direction of the uneven surface) c ( The bottom d (in the vertical direction of the uneven surface) d the bottom (in the horizontal direction of the uneven surface)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邊 英春 福島県いわき市内郷高坂町四方木田145番 1 株式会社アンデスインテック内 (72)発明者 千尋 大輔 福島県いわき市内郷高坂町四方木田145番 1 株式会社アンデスインテック内 (72)発明者 菊池 宏美 福島県いわき市内郷高坂町四方木田145番 1 株式会社アンデスインテック内 Fターム(参考) 2H042 BA03 BA14 BA20 DA02 DC02 DE04 2H091 FA14Z GA01 MA10 5C094 AA07 BA43 CA19 EB04 ED11 ED13 HA08 JA09 JA11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hideharu Watanabe No. 145, Yokatakida, Kosaka-cho, Iwaki City, Fukushima Prefecture 1 Inside Andes Intec Co., Ltd. (72) Daisuke Chihiro No. 145, Yokatakita, Takasaka-cho, Iwaki City, Fukushima Prefecture 1 Andean Intec Co., Ltd. (72) Inventor Hiromi Kikuchi No. 145, Yokatagida, Kosaka-cho, Iwaki City, Fukushima Prefecture 1 Andean Intec Co., Ltd. F-term (reference) 2H042 BA03 BA14 BA20 DA02 DC02 DE04 2H091 FA14Z GA01 MA10 5C094 AA07 BA43 CA19 EB04 ED11 ED13 HA08 JA09 JA11
Claims (6)
示装置用反射体であって、前記反射体による反射光の拡
散角θは、 θ(左右方向)<θ(上下方向)、 の関係を有し、 10°≦|θ|≦30° の範囲において、前記反射体の反射強度を標準白色板比
30倍以上の反射光線強度が得られるようフォトリソグ
ラフィー法によって形成したことを特徴とする液晶表示
装置用反射体。1. A reflector for a liquid crystal display device having a random uneven surface on the surface, wherein a diffusion angle θ of light reflected by the reflector has a relationship of θ (left-right direction) <θ (vertical direction) . A liquid crystal formed by a photolithography method such that the reflection intensity of the reflector is 30 times or more that of a standard white plate in the range of 10 ° ≦ | θ | ≦ 30 °. Reflectors for display devices.
示装置用反射体であって、前記反射体による反射光の拡
散角θは、 θ(左右方向)≦θ(斜め方向)≦θ(上下方向)、 の関係を有し、且つ、前記反射体の反射光線の強度をθ
について積分した値を、 【数1】 として、 10°≦|θ|≦30° の範囲において、前記反射体の反射強度を標準白色板比
30倍以上の反射光線強度が得られるようフォトリソグ
ラフィー法によって形成したことを特徴とする液晶表示
装置用反射体。2. A reflector for a liquid crystal display device having a random uneven surface on its surface, wherein a diffusion angle θ of light reflected by the reflector is θ (lateral direction) ≦ θ (oblique direction) ≦ θ (up and down ) Direction) , and the intensity of the reflected light beam of the reflector is θ
The value integrated with respect to A liquid crystal display formed by a photolithography method so that the reflection intensity of the reflector is 30 times or more that of a standard white plate in a range of 10 ° ≦ | θ | ≦ 30 °. Reflector for equipment.
ィギャップにより、露光量に変化を持たせて形成された
ものであることを特徴とする請求項1または2に記載の
液晶表示装置用反射体。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the uneven surface is formed by changing an exposure amount by a proximity gap of an exposure machine. Reflector.
ォトマスクを使用することにより、露光量に変化を持た
せて形成したことを特徴とする請求項1または2に記載
の液晶表示装置用反射体。4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the uneven surface is formed by changing the exposure amount by using a negative or positive alignment photomask. Reflector.
示装置用反射体を備えたことを特徴とする液晶表示装
置。5. A liquid crystal display device comprising the reflector for a liquid crystal display device according to claim 1.
の上下方向を、携帯型電子情報機器に対する目視方向の
上下方向に揃えて設けたことを特徴とする携帯型電子情
報機器。6. A portable electronic information device according to claim 5, wherein a vertical direction of the reflector of the liquid crystal display device according to claim 5 is aligned with a vertical direction as viewed from the portable electronic information device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000390603A JP2002196115A (en) | 2000-12-22 | 2000-12-22 | Reflector and liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Country | Link |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101120386B1 (en) | 2003-11-05 | 2012-02-24 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | Anti-glare Film and Display Device |
-
2000
- 2000-12-22 JP JP2000390603A patent/JP2002196115A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101120386B1 (en) | 2003-11-05 | 2012-02-24 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | Anti-glare Film and Display Device |
KR101189305B1 (en) | 2003-11-05 | 2012-10-09 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | Method for Manufacturing Anti-glare Film |
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