JP2003139927A - Reflection plate, liquid crystal display device using the same and photo mask - Google Patents
Reflection plate, liquid crystal display device using the same and photo maskInfo
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- JP2003139927A JP2003139927A JP2001340702A JP2001340702A JP2003139927A JP 2003139927 A JP2003139927 A JP 2003139927A JP 2001340702 A JP2001340702 A JP 2001340702A JP 2001340702 A JP2001340702 A JP 2001340702A JP 2003139927 A JP2003139927 A JP 2003139927A
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置、半透過型液晶表示装置および反射板に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflective liquid crystal display device, a transflective liquid crystal display device, and a reflector.
【0002】[0002]
【従来の技術】外光を利用して表示を行う反射型液晶表
示装置は、反射板で反射される光の光量を制御して表示
を行うものであり、バックライトなしで表示を行うため
消費電力が小さい、直射日光などの強い外光下でも高い
視認性を確保できるなどの特徴を有しており、携帯用の
機器に利用されることが多い。2. Description of the Related Art A reflection type liquid crystal display device for displaying by utilizing external light is for controlling display by controlling the amount of light reflected by a reflector, and for displaying without a backlight, it is consumed. It is characterized by low power consumption and high visibility even under strong external light such as direct sunlight, and is often used in portable devices.
【0003】また、外光による反射光と、バックライト
による透過光の両方で表示を行うことができる半透過型
液晶表示装置は、直射日光下などの強い外光下において
反射表示により高い視認性を確保できる、周囲環境が比
較的明るい場合にはバックライトを消灯して表示を行う
ことができるので消費電力を抑えることができる、周囲
環境が暗い場合にはバックライトを点灯して表示を行う
ことができる、といった特徴を有しており、反射型液晶
表示装置と同様に携帯用の機器に利用されることが多
い。Further, a semi-transmissive liquid crystal display device capable of displaying by both reflected light by external light and transmitted light by a backlight has high visibility due to reflective display under strong external light such as direct sunlight. Can be secured, the backlight can be turned off to display when the ambient environment is relatively bright, and power consumption can be suppressed, and the backlight can be turned on to display when the ambient environment is dark. It has the feature of being capable of being used, and is often used in portable devices like the reflective liquid crystal display device.
【0004】上記のような反射型表示装置および半透過
液晶表示装置では、ともに外光を用いて表示を行うた
め、外光を反射する反射板が必要である。このような反
射板において十分な表示の明るさを確保するためには、
反射板により入射光を拡散させる必要がある。入射光を
拡散させる方法としては、(1)反射板の表面に微細な
凹凸形状を形成する、(2)液晶表示装置の表示を見る
側の面に光を拡散させる拡散フィルムを設けるといった
2つの方法があげられる。これらのうち、前者では、反
射板表面の凹凸形状によって反射板の反射特性が決まる
ため、表面に形成された凹凸形状が液晶表示装置の特性
を決める極めて重要な要素となる。In both the reflection type display device and the semi-transmissive liquid crystal display device as described above, display is performed by using external light, and therefore a reflection plate for reflecting the external light is required. In order to secure sufficient display brightness with such a reflector,
It is necessary to diffuse the incident light with a reflector. There are two methods for diffusing the incident light: (1) forming a fine uneven shape on the surface of the reflecting plate, and (2) providing a diffusing film for diffusing the light on the display viewing side of the liquid crystal display device. There is a method. Among these, in the former case, since the reflection characteristics of the reflection plate are determined by the uneven shape of the surface of the reflection plate, the uneven shape formed on the surface is an extremely important factor that determines the characteristics of the liquid crystal display device.
【0005】このような表面に凹凸形状が形成された反
射板は、例えば、特許第2756206号公報などに開
示されている。A reflector having such an uneven surface is disclosed in, for example, Japanese Patent No. 2756206.
【0006】図5は特許第2756206号公報に開示
された反射板の構成を示す図であり、図5(a)は平面
図、図5(b)は図5(a)のI−I線における断面図
である。図5(a),(b)に示すように、本例の反射
板14においては、平坦な基板15上に離隔して複数の
凸部16が形成されている。この凸部16上および各凸
部16間に露出する基板17上に、凸部16表面と凸部
16間に露出する基板17表面との凹凸を平滑化するた
めのレベリング層18が形成され、レベリング層18上
に反射膜19が形成されている。このようにレベリング
層18を形成することにより、反射膜19の表面がより
滑らかな凹凸形状となり、平坦部の占める割合を小さく
することができる。それにより、正反射方向に鋭いピー
クが現れない良好な光散乱性を確保することが可能とな
り、表示装置において十分な明るさを実現することがで
きる。FIG. 5 is a diagram showing the structure of the reflector disclosed in Japanese Patent No. 2756206, FIG. 5 (a) is a plan view, and FIG. 5 (b) is a line I--I in FIG. 5 (a). FIG. As shown in FIGS. 5A and 5B, in the reflection plate 14 of this example, a plurality of convex portions 16 are formed on a flat substrate 15 so as to be separated from each other. A leveling layer 18 for smoothing unevenness between the surfaces of the convex portions 16 and the surface of the substrate 17 exposed between the convex portions 16 is formed on the convex portions 16 and on the substrate 17 exposed between the convex portions 16. A reflective film 19 is formed on the leveling layer 18. By forming the leveling layer 18 in this manner, the surface of the reflective film 19 has a smoother uneven shape, and the proportion of the flat portion can be reduced. Thereby, it becomes possible to secure a good light scattering property in which a sharp peak does not appear in the regular reflection direction, and it is possible to realize sufficient brightness in the display device.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
量産製造工程では、300mm×300mm程度以上の大
きさのマザーガラス基板上に、上記従来技術に基づき反
射板を製造している。この際に、マザーガラス基板上の
位置によって、反射板の形状が異なり、表示性能を大き
く左右する拡散反射率SCEにバラツキを生じる。この
結果、SCEのマージンが小さくなってしまうといった
課題を見いだした。However, in the actual mass production process, the reflector is manufactured on the mother glass substrate having a size of about 300 mm × 300 mm or more based on the above conventional technique. At this time, the shape of the reflector differs depending on the position on the mother glass substrate, and the diffuse reflectance SCE that greatly affects the display performance varies. As a result, we found a problem that the SCE margin becomes small.
【0008】マザーガラス上に、1)レジストを塗布、
プリベークする工程、2)露光装置によりマスクを用い
てパターンを露光する工程、3)パターンを露光したレ
ジストを現像する工程、4)レジストをアニールによっ
てメルトする工程、の4工程において、各々マザーガラ
ス面内の位置による反射特性のバラツキを生じる要因が
ある。On the mother glass, 1) apply a resist,
In each of the four steps of prebaking, 2) exposing the pattern using a mask with an exposure device, 3) developing the resist with the pattern exposed, 4) melting the resist by annealing, each mother glass surface There is a factor that causes variations in reflection characteristics depending on internal positions.
【0009】1)の工程では、レジストを塗布、プリベ
ークする際のマザーガラス面内でのバラツキの結果、現
像時の膜減り量が面内の中央部と端面で異なる。これ
は、プリベークの際に、供給される熱エネルギーがガラ
ス面内で差異を生じ、この結果、熱エネルギー量が大き
い部分、すなわち、温度の高い部分では、膜減り量が小
さく、熱エネルギー量が小さい部分、すなわち、温度の
低い部分では、膜減り量が大きくなる。この結果、現像
後の凸部の形状が、ガラス面内のプリベーク温度の高い
部分では大きくなり、低い部分では小さくなる。これら
の形状をメルトすることにより、端面部では中央部に比
べて平坦な部分が多く、拡散反射率SCEが低下してし
まう。この結果、反射特性を決める拡散反射率SCEが
ガラス基板面内でバラツキが大きくなってしまう。In the step 1), as a result of variations in the mother glass surface when applying and pre-baking the resist, the amount of film loss during development differs between the central portion and the end surface in the surface. This is because the heat energy supplied during prebaking varies within the glass surface, and as a result, the amount of heat loss is small and the amount of heat energy is small in the part where the amount of heat energy is large, that is, in the part where the temperature is high. In a small portion, that is, a portion where the temperature is low, the amount of film reduction is large. As a result, the shape of the convex portion after development becomes large in a portion where the pre-baking temperature is high in the glass surface and becomes small in a portion where the pre-baking temperature is low. By melting these shapes, the end face portion has more flat portions than the central portion, and the diffuse reflectance SCE decreases. As a result, the diffuse reflectance SCE, which determines the reflection characteristics, varies greatly within the surface of the glass substrate.
【0010】また、3)の現像工程においても、現像液
の吐出部の位置により、現像時間が面内で異なり、この
ため、現像液の吐出部に近いところではでは、凸部の形
状が小さく、吐出部から離れるほど凸部の形状が大きく
なる。現像液の吐出部近傍では膜厚が薄くなり、メルト
性の低下に伴い平坦部が多くなってしまう。吐出部近傍
は吐出部から離れたところに比べて、拡散反射率が低下
する。この結果、ガラス基板面内で拡散反射率SCEが
バラツキを生じる。本発明は、上記課題を解決するため
になされたものであり、より高い歩留りで製造すること
が可能な反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置お
よび反射板を提供することを目的としている。Also in the developing step 3), the developing time varies in-plane depending on the position of the developing solution ejecting portion. Therefore, the shape of the convex portion is small near the developing solution ejecting portion. The shape of the convex portion increases as the distance from the discharge portion increases. The film thickness becomes thin in the vicinity of the developer discharge portion, and the flat portion increases as the melt property deteriorates. The diffuse reflectance in the vicinity of the discharge portion is lower than that in the distance from the discharge portion. As a result, the diffuse reflectance SCE varies within the surface of the glass substrate. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a reflective liquid crystal display device, a transflective liquid crystal display device, and a reflector that can be manufactured with a higher yield. .
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明に係る反射板で
は、マザーガラス基板上に形成された凹凸形状を有する
反射板であって、前記マザーガラス基板面内での凹凸形
状が異なることを特徴としている。A reflector according to the present invention is a reflector having an uneven shape formed on a mother glass substrate, wherein the uneven shape on the mother glass substrate surface is different. I am trying.
【0012】係る構成によれば、プリベーク時のマザー
ガラス基板上の温度の高い部分は、温度の低い部分に比
べて、凸部の形状を小さくすることにより膜厚が薄くて
も平端部の少ない形状を得ることができ、露光現像及び
その他のプロセスを経て反射層を形成することにより得
られた反射板では、SCEのマザーガラス基板内でのバ
ラツキを抑制することができる。According to this structure, the high temperature portion on the mother glass substrate during prebaking has a smaller number of flat ends even if the film thickness is thin by making the shape of the convex portion smaller than that of the low temperature portion. With a reflector that can obtain a shape and is formed by forming a reflective layer through exposure and development and other processes, it is possible to suppress variations in SCE within the mother glass substrate.
【0013】本発明に係るフォトマスクでは、マザーガ
ラス基板上に凹凸形状を形成するためのフォトマスクで
あって、前記マザーガラス基板上の面内で凹凸形状形成
のためのパターンが異なることを特徴としている。The photomask according to the present invention is a photomask for forming an uneven shape on a mother glass substrate, wherein the pattern for forming the uneven shape is different in the plane on the mother glass substrate. I am trying.
【0014】係る構成によれば、基板面内同一パターン
を形成したフォトマスクに比べて、プリベーク時の温度
が高い部分では、凸部パターンを小さく、低い部分では
大きくすることにより、温度差による形状変化に起因し
た拡散反射率SCEのバラツキを抑制することができ
る。According to such a structure, as compared with the photomask in which the same pattern is formed on the substrate surface, the convex pattern is made smaller in the portion where the temperature during pre-baking is higher and larger in the portion where the temperature is lower, so that the shape due to the temperature difference is formed. It is possible to suppress variations in diffuse reflectance SCE due to changes.
【0015】本発明に係るフォトマスクでは、マザーガ
ラス基板上に形成された反射膜のうち、凹凸の間の反射
膜をパターニングするためのパターンが形成されたフォ
トマスクであって、前記マザーガラス基板上の面内で前
記パターンの間隔もしくは面積が異なることを特徴する
としている。The photomask according to the present invention is a photomask in which a pattern for patterning a reflective film between irregularities among the reflective film formed on the mother glass substrate is formed. It is characterized in that the intervals or areas of the patterns are different in the upper surface.
【0016】係る構成によれば、プリベーク温度の低い
部分ではパターン間の幅が狭く、素プリベーク温度が高
い部分ではパターン間の幅を大きくすることにより、面
内でのパターン間で除去される反射膜の面積のバラツキ
を抑制し、拡散反射率SCEのバラツキを抑制すること
ができる。According to this structure, the width between the patterns is narrow in the portion where the pre-baking temperature is low, and the width between the patterns is large in the portion where the raw pre-baking temperature is high. It is possible to suppress variations in the area of the film and variations in the diffuse reflectance SCE.
【0017】本発明に係る液晶表示装置では、マザーガ
ラス基板上に形成された反射板を用いた液晶表示装置で
あって、前記基板面内でのスペーサの径が異なることを
特徴としている。The liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device using a reflection plate formed on a mother glass substrate, and is characterized in that the diameters of the spacers in the substrate surface are different.
【0018】係る構成により、プリベーク温度の低く凹
凸の膜厚の薄い部分ではスペーサの径を大きく、プリベ
ーク温度の高く凹凸形状の膜厚が厚い部分ではスペーサ
の径を小さくすることにより、マザーガラス面内でのセ
ル厚のバラツキを抑制することができる。With such a structure, the diameter of the spacer is increased in a portion where the prebaking temperature is low and the film thickness of the unevenness is thin, and the diameter of the spacer is reduced in a portion where the unevenness shape is high and the prebaking temperature is high. It is possible to suppress variations in cell thickness within the cell.
【0019】本発明に係る液晶表示装置では、マザーガ
ラス基板上に形成された反射板を用いた液晶表示装置で
あって、前記基板面内でのスペーサの散布密度が異なる
ことを特徴としている。The liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device using a reflection plate formed on a mother glass substrate, and is characterized in that the dispersion density of the spacers within the substrate surface is different.
【0020】係る構成により、スペーサの径を制御する
ことと同様の効果を得ることができ、マザーガラス面内
でのセル厚のバラツキを抑制することができる(請求項
10)。With this structure, it is possible to obtain the same effect as controlling the diameter of the spacer, and it is possible to suppress variations in cell thickness within the mother glass surface (claim 10).
【0021】本発明に係る液晶表示装置では、マザーガ
ラス基板上に形成された反射板を用いた液晶表示装置で
あって、前記基板面内での柱スペーサの配置位置が異な
ることを特徴としている。The liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device using a reflection plate formed on a mother glass substrate, and is characterized in that the column spacers are arranged at different positions in the substrate surface. .
【0022】係る構成によれば、凹凸形状の膜厚の薄い
部分では膜厚の高い部分に柱スペーサを配置し、凹凸形
状の膜厚の厚い部分では膜厚の薄い部分に柱スペーサを
配置し、マザーガラス面内でのセル厚のバラツキを抑制
することができる。According to this structure, the column spacers are arranged in the thick portion of the uneven shape and the thin film portion, and the column spacers are arranged in the thin portion of the uneven shape of the thick film portion. It is possible to suppress the variation in cell thickness within the mother glass surface.
【0023】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0024】(実施の形態1)図1は、本発明に関する
反射板とマザーガラス基板との概略を示したものであ
る。通常反射型液晶表示装置に用いられる反射板は、3
00mm×300mm以上のマザーガラス基板1上に、
フォトリソグラフィーを用いて、多面取りの形式で製造
される。マザーガラス基板1上を加熱すると、基板加熱
面とその反対側との温度差により、基板が上面に反ると
いう現象が生じる。このため、チップ2では基板加熱面
から離れ、そのためにマザーガラス基板上の温度が低く
なる。一方、基板中央部のチップ3では、基板加熱面と
の距離が小さくなるため、マザーガラス基板上のチップ
3の部分での温度は高くなってしまう。この結果、マザ
ーガラス基板面内のチップ2とチップ3とでは大きな温
度差を生じる事となる。(Embodiment 1) FIG. 1 schematically shows a reflector and a mother glass substrate according to the present invention. The reflector used in a normal reflective liquid crystal display device is 3
On a mother glass substrate 1 of 00 mm x 300 mm or more,
It is manufactured in the form of multiplex using photolithography. When the mother glass substrate 1 is heated, a phenomenon occurs in which the substrate is warped due to the temperature difference between the substrate heating surface and the opposite side. Therefore, the chip 2 moves away from the substrate heating surface, which lowers the temperature on the mother glass substrate. On the other hand, in the chip 3 in the central portion of the substrate, the distance from the substrate heating surface is small, so that the temperature of the chip 3 on the mother glass substrate becomes high. As a result, a large temperature difference occurs between the chip 2 and the chip 3 on the mother glass substrate surface.
【0025】ポジ型レジストPC403(JSR株式会
社製)を、前記マザーガラス基板1上に膜厚2.5umと
なるようにスピンコータにより塗布し、プリベークを9
0℃、120秒行った。その後、図2示すように各画素
に対応する部分4毎に径15umの円形遮光パターン5が
ランダムに配置されたフォトマスク6を介して露光を行
い、0.4%TMAH(テトラメチルアンモニウムハイ
ドライド)を含む現像液にて、120秒間静置現像を行
った。次にホットプレート上で180℃、120秒間メ
ルトフローさせた。さらに、このあと、220℃、12
0分間オーブンにて本硬化したのち反射膜としてAlを
スパッタにより成膜した。その後、拡散反射率SCEを
測定したところ、中央部のチップ3の部分は39.8%
であったが、端面に近い部分チップ2では、34.9%
と5%も低くなった。現像後の形状を測定したところ、
パターンの径は、中央部では径14um、端面部では1
3umと部位による大きな差はなかったが、膜厚は、温
度の高い中央部のチップ3では、膜厚2.1umであっ
たが、温度の低い端面部のチップ2では、膜厚1.8u
mと0.3umも薄くなっていた。膜厚が薄いとレジス
トのメルトフローによる変形量は小さくなり、平坦部が
増えるために、拡散反射率が低下する。この結果、中央
部と端面部とで拡散反射率SCEのバラツキを生じた。A positive resist PC403 (manufactured by JSR Corporation) is applied on the mother glass substrate 1 by a spin coater so as to have a film thickness of 2.5 μm and prebaked to 9 μm.
It was carried out at 0 ° C. for 120 seconds. Then, as shown in FIG. 2, exposure is performed through a photomask 6 in which circular light-shielding patterns 5 having a diameter of 15 μm are randomly arranged for each portion 4 corresponding to each pixel, and 0.4% TMAH (tetramethylammonium hydride) is used. Static development was carried out for 120 seconds with a developing solution containing. Next, it was melt-flowed on a hot plate at 180 ° C. for 120 seconds. Furthermore, after this, 220 ℃, 12
After main curing in an oven for 0 minutes, Al was formed as a reflective film by sputtering. After that, when the diffuse reflectance SCE was measured, the central portion of the chip 3 was 39.8%.
However, with the partial chip 2 near the end face, 34.9%
That was 5% lower. When the shape after development was measured,
The diameter of the pattern is 14um at the center and 1 at the end face.
The thickness of the chip 3 at the central portion having a high temperature was 2.1 μm, while the thickness of the chip 2 at the end portion having a low temperature was 1.8 μm.
It was as thin as m and 0.3 um. If the film thickness is thin, the amount of deformation of the resist due to melt flow is small, and the flat portion is increased, so that the diffuse reflectance is lowered. As a result, the diffuse reflectance SCE varied between the central portion and the end face portion.
【0026】これを是正するため、端面部のチップ3の
部分は径12umとなるように全体を縮小したパターン
としたマスクを用いて、同様の工程を経た反射板を作製
した。In order to rectify this, a mask having a pattern in which the entire tip 3 of the chip 3 has a diameter of 12 μm is reduced is used to fabricate a reflector through the same steps.
【0027】反射板の形状を端面部のチップ2と中央部
のチップ3とで比較したところ、チップ2では、径1
0.5um、膜厚1.9um、チップ3では径14.0
um、膜厚2.1umとなった。各々部分について、拡散
反射率を測定したところ、端面部のチップ2では38.
8%、中央部のチップ3では39.6%と、全面同一パ
ターンのマスクを用いた時と比べて、そのバラツキは小
さくなった。When the shape of the reflector is compared between the tip 2 at the end face and the tip 3 at the center, the tip 2 has a diameter of 1
0.5um, film thickness 1.9um, diameter of chip 3 is 14.0
um, film thickness 2.1 um. When the diffuse reflectance of each part was measured, it was 38.
8%, and 39.6% for the chip 3 in the central portion, which is smaller than when using a mask having the same pattern on the entire surface.
【0028】本発明による反射板を用いて、反射型液晶
表示装置を構成したところ、拡散反射率SCEが、中央
部では21.5%、端面部では20.8%となった。こ
れに対して、全面同一マスクでAlをパターニングした
半透過型反射板を用いた液晶表示装置では、中央部が2
1.4%にたいして、端面部が19.0%となった。When a reflection type liquid crystal display device was constructed using the reflection plate according to the present invention, the diffuse reflectance SCE was 21.5% in the central portion and 20.8% in the end face portion. On the other hand, in a liquid crystal display device using a semi-transmissive reflective plate in which Al is patterned with the same mask on the entire surface, the central portion is 2
The end face portion was 19.0% compared to 1.4%.
【0029】なお、本実施の形態では、凸部について述
べたが、凹部に関しても、端面部と中央部でのパターン
を異ならせることにより同様に実施可能である。また、
本実施の形態では、樹脂層を1層により製造した反射板
について述べたが、第一の樹脂層で凸部もしくは凹部を
成膜したのち、第二の樹脂層でレベリングする方式の反
射板についても同様に実施可能である。また、本実施の
形態では、端面と中央部での拡散反射率の比較を行った
が、プリベーク時の温度バラツキが大きいその他の部分
でも同様に実施可能である。さらには、本実施の形態で
は、プリベーク工程について着目したが、その他樹脂の
形状を決める、メルトベーク工程などでも、その基板上
温度分布に応じてパターンを変更することにより同様に
実施可能である。また、本発明では全面露光タイプのフ
ォトマスクについて述べたが、例えば縮小露光タイプの
レチクルでも中央部と端面部などで異なるパターンの形
成された複数のレチクルを用いることにより同様な効果
を得ることができる。In the present embodiment, the convex portion is described, but the concave portion can be similarly implemented by making the end face portion and the central portion have different patterns. Also,
In this embodiment, the reflector having a single resin layer is described. However, a reflector having a method in which a convex portion or a concave portion is formed in the first resin layer and then the second resin layer is leveled Can be similarly implemented. Further, in the present embodiment, the diffuse reflectances at the end face and the central portion are compared, but the same can be done at other portions where the temperature variation during prebaking is large. Further, in the present embodiment, the pre-baking process is focused on, but other processes such as the melt baking process for determining the shape of the resin can be similarly performed by changing the pattern according to the temperature distribution on the substrate. Further, although the present invention describes the whole-exposure-type photomask, for example, a reduction-exposure-type reticle can also obtain similar effects by using a plurality of reticles having different patterns at the central portion and the end face portion. it can.
【0030】(実施の形態2)図3に本発明に関するフ
ォトマスクについて示す。実施の形態1で述べた工程と
同様の工程に基づき、反射板を作製した。このとき、凸
部間の平坦な部分の間隔は、基板中央部は狭く、端面部
は広くなっていた。この反射板が形成されたマザーガラ
ス基板について、半透過型反射板を得るために、反射板
のうち凸部のうち平坦な部分の反射膜をパターニングし
た。この際、ポジ型レジストOFPR5000(東京応
化工業(株)製)を膜厚2.0umとなるように、スピ
ンコートにより塗布した。塗布後、90℃、90秒間プ
リベークを行った。次に、図3に示したフォトマスク1
3を用いて露光する。フォトマスク13は、中央部が画
素に対応する部分7内に径12umの円形遮光パターン
8がランダムに配置されたものと、端面部での画素10
内が径15umの円形遮光パターン11となるように、
円形パターンを位置関係はそのままで縮小したものとか
らなる。このとき、凸部間の反射膜をパターニングする
部分のうち、ある間隔が中央部9で6um、端面部12
を4.5umとしてマスク設計をした。このマスク13
を用いて、レジストを露光現像し、さらに反射膜である
Alをパターニングした。さらに、Al上面に透明電極
膜ITOを成膜したのち、その散乱反射率SCEを測定
したところ、中央部では21.4%、端面部では20.
5%となった。これに対して、画素パターン7を全面配
置したフォトマスクでレジストをパターニングした後、
Alを除去し、ITOを成膜した反射板について、拡散
反射率SCEを測定したところ、中央部では21.3
%、端面部では18.2%となった。(Second Embodiment) FIG. 3 shows a photomask according to the present invention. A reflector plate was manufactured based on the same steps as those described in the first embodiment. At this time, the distance between the flat portions between the convex portions was narrow in the central portion of the substrate and wide in the end face portion. With respect to the mother glass substrate on which this reflection plate was formed, the reflection film on the flat portion of the convex portion of the reflection plate was patterned in order to obtain a semi-transmissive reflection plate. At this time, a positive resist OFPR5000 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied by spin coating so as to have a film thickness of 2.0 μm. After application, prebaking was performed at 90 ° C. for 90 seconds. Next, the photomask 1 shown in FIG.
3 is used for exposure. In the photomask 13, a circular light-shielding pattern 8 having a diameter of 12 um is randomly arranged in a portion 7 having a central portion corresponding to a pixel, and a pixel 10 at an end face portion.
So that the inside becomes a circular light-shielding pattern 11 with a diameter of 15 um,
It consists of a circular pattern reduced in position. At this time, among the portions for patterning the reflection film between the convex portions, a certain interval is 6 μm in the central portion 9, and the end face portion 12
Was designed to be 4.5 um. This mask 13
Using, the resist was exposed and developed, and Al, which is a reflective film, was patterned. Furthermore, when a transparent electrode film ITO was formed on the upper surface of Al and the scattering reflectance SCE thereof was measured, it was 21.4% in the central portion and 20.
It became 5%. On the other hand, after patterning the resist with a photomask on which the pixel pattern 7 is entirely arranged,
When the diffuse reflectance SCE was measured for the reflection plate with Al removed and the ITO film formed, it was 21.3 at the center.
% And 18.2% at the end face.
【0031】凸部間の平坦な部分の間隔が大きくなれ
ば、レジストの塗布膜厚が薄くなり、見かけ上凸部上の
膜厚が薄くなって、遮光パターンより遙かに小さくレジ
ストパターンが残ることとなる。中央部と端面部での反
射膜のパターニング後の形状を均一にするために、反射
膜のパターニングに用いるフォトマスクの中央部と端面
部とで平坦部の間隔を異なる構成にしておくことによ
り、凸部の形状に起因する拡散反射率のバラツキを抑制
することができる。Alの除去後の半透過型反射板にで
もマザーガラス基板面内で均一な拡散反射率を得ること
ができた。If the distance between the flat portions between the convex portions becomes large, the coating film thickness of the resist becomes thin and the film thickness on the convex portions becomes apparently thin, and the resist pattern remains much smaller than the light shielding pattern. It will be. In order to make the shape of the reflective film after patterning uniform in the central portion and the end surface portion, by making the interval of the flat portion different between the central portion and the end surface portion of the photomask used for patterning the reflective film, It is possible to suppress variations in diffuse reflectance due to the shape of the convex portion. Even with the semi-transmissive reflection plate after the removal of Al, uniform diffuse reflectance could be obtained in the plane of the mother glass substrate.
【0032】本発明による半透過型反射板を用いて、液
晶表示装置を構成したところ、拡散反射率SCEが、中
央部では8.56%、端面部では8.2%となった。こ
れに対して、全面同一マスクでAlをパターニングした
半透過型反射板を用いた液晶表示装置では、中央部が
8.52%にたいして、端面部が7.28%となった。When a liquid crystal display device was constructed using the semi-transmissive reflector according to the present invention, the diffuse reflectance SCE was 8.56% in the central portion and 8.2% in the end face portion. On the other hand, in the liquid crystal display device using the semi-transmissive reflection plate in which Al was patterned with the same mask all over, the central portion was 8.52% and the end face portion was 7.28%.
【0033】尚、本実施の形態では、凸部について述べ
たが、凹部に関しても、端面部と中央部での反射層パタ
ーニングのためフォトマスクパターンを異ならせること
により同様に実施可能である。また、本実施の形態で
は、樹脂層を1層により製造した反射板について述べた
が、第一の樹脂層で凸部もしくは凹部を成膜したのち、
第二の樹脂層でレベリングする方式の反射板についても
同様に実施可能である。In this embodiment, the convex portion is described, but the concave portion can be similarly formed by changing the photomask pattern for patterning the reflective layer at the end face portion and the central portion. Further, in the present embodiment, the reflection plate in which the resin layer is manufactured by one layer has been described, but after the convex portion or the concave portion is formed by the first resin layer,
The same can be applied to the reflection plate of the type in which the leveling is performed with the second resin layer.
【0034】また、本実施の形態では、端面と中央部で
の凸部形状の比較を行ったが、その他の部分でも凸部間
の間隔が異なる部分についても同様に実施可能である。
また、本発明では全面露光タイプのフォトマスクについ
て述べたが、例えば縮小露光タイプのレチクルでも中央
部と端面部などで異なるパターンの形成された複数のレ
チクルを用いることにより同様な効果を得ることができ
る。Further, in the present embodiment, the shapes of the convex portions on the end face and the central portion are compared, but the same can be applied to other portions where the intervals between the convex portions are different.
Further, although the present invention describes the whole-exposure-type photomask, for example, a reduction-exposure-type reticle can also obtain similar effects by using a plurality of reticles having different patterns at the central portion and the end face portion. it can.
【0035】(実施の形態3)実施の形態1と同様の工
程により、反射板を作製した。この反射板を用いて、反
射型液晶表示装置を構成する際に、中央部では凸形状の
高さが2.1um、端面部が1.8umであるため、中
央部と端面部とで各々平均径が2.9umと3.2um
のスペーサを散布した。この液晶表示装置について、拡
散反射率を測定したところ、中央部が21.0%、端面
部が20.5%となった。一方、同一工程を介して作製
した反射板を用い、平均径3.2umのスペーサのみ散
布したところ、中央部では19.5%、端面部では2
0.8%と、マザーガラス基板面内でのバラツキが大き
くなった。(Third Embodiment) A reflector is manufactured by the same steps as in the first embodiment. When a reflective liquid crystal display device is constructed using this reflector, the height of the convex shape is 2.1 μm and the end face is 1.8 μm at the center, so that the center and the end face each have an average height. Diameter is 2.9um and 3.2um
Sprinkled with spacers. When the diffuse reflectance of this liquid crystal display device was measured, it was 21.0% at the central portion and 20.5% at the end face portions. On the other hand, when only the spacers having an average diameter of 3.2 um were scattered using the reflector manufactured through the same process, 19.5% was formed in the central portion and 2 was formed in the end face portion.
The variation within the mother glass substrate surface was as large as 0.8%.
【0036】これは、図4に示すように最適セル厚に対
して、それより大きくても小さくても反射率が低下する
ことが公知である。反射型液晶表示装置では、反射板の
凹凸形状の高さによりセル厚が決まるので、凸部形状の
高さがマザーガラス基板面内でばらつくときには、スペ
ーサにより補正する必要がある。It is known that the reflectance decreases with respect to the optimum cell thickness as shown in FIG. In the reflective liquid crystal display device, the cell thickness is determined by the height of the uneven shape of the reflection plate. Therefore, when the height of the convex shape varies within the mother glass substrate surface, it is necessary to correct it by the spacer.
【0037】本発明では、凹凸形状の高さの面内でバラ
ツキによるセル厚のバラツキをスペーサの径により補正
することにより、面内での拡散反射率のバラツキを抑制
している。In the present invention, the variation of the cell thickness due to the variation in the surface of the uneven shape is corrected by the diameter of the spacer to suppress the variation of the diffuse reflectance within the surface.
【0038】尚、本発明では、平均径の異なるスペーサ
を散布することにより拡散反射率を抑制しているが、そ
の他、散布密度を変えることによってセル厚を補正して
も同様に実施可能である。また、散布型のスペーサの代
わりに柱スペーサなどを用いても、高さや径、形成密度
を適切に設定することにより同様に実施可能である。ま
た、柱スペーサを用いる場合には、その配置位置をマザ
ーガラス基板面内で変えることによってもセル厚を補正
することが可能である。すなわち、凸部形状が高い中央
部では画素内の膜厚の厚い場所に柱スペーサを配置し、
膜厚の薄い端面部では、画素内の膜厚の薄い場所に柱ス
ペーサを配置すれば、同様にセル厚のバラツキを補正す
ることができる。In the present invention, the diffuse reflectance is suppressed by scattering the spacers having different average diameters. However, the same can be done by correcting the cell thickness by changing the scattering density. . Further, even if a column spacer or the like is used instead of the scatter type spacer, it can be similarly carried out by appropriately setting the height, diameter, and formation density. Further, when the pillar spacer is used, the cell thickness can be corrected by changing the arrangement position within the mother glass substrate surface. That is, in the central portion where the shape of the convex portion is high, the column spacer is arranged in a place where the film thickness in the pixel is large,
If the column spacers are arranged at locations where the film thickness is small in the pixel at the end face portion where the film thickness is thin, the variation in the cell thickness can be similarly corrected.
【0039】[0039]
【発明の効果】上記構成により、マザーガラス基板面内
での拡散反射率のバラツキの小さい反射板、ならびに、
これを製造するためのフォトマスク、さらに反射板を用
いた液晶表示装置を提供できた。EFFECT OF THE INVENTION With the above structure, a reflector having a small variation in diffuse reflectance in the plane of the mother glass substrate, and
It was possible to provide a liquid crystal display device using a photomask and a reflector for manufacturing the same.
【図1】反射板とマザーガラス基板との概略を示す図FIG. 1 is a diagram showing an outline of a reflector and a mother glass substrate.
【図2】フォトマスクを示す図FIG. 2 is a diagram showing a photomask.
【図3】フォトマスクを示す図FIG. 3 is a diagram showing a photomask.
【図4】セル厚と反射率との相関を示す図FIG. 4 is a diagram showing a correlation between cell thickness and reflectance.
【図5】従来例を示す図FIG. 5 is a diagram showing a conventional example.
1 マザーガラス基板 2 チップ(基板端面) 3 チップ(基板中央部) 4 画素に対応する部分 5 円形遮光パターン 6 フォトマスク 7 画素に対応する部分 8 円形遮光パターン 9 凸部の間隔(中央部) 10 円形遮光パターン 11 円形遮光パターン 12 凸部の間隔(端面部) 13 フォトマスク 14 反射板 15 基板 16 凸部 17 基板 18 レベリング層 19 反射膜 1 mother glass substrate 2 chips (substrate end face) 3 chips (center of substrate) Portion corresponding to 4 pixels 5 circular shading pattern 6 Photo mask Portion corresponding to 7 pixels 8 circular shading pattern 9 Distance between convex parts (center part) 10 circular shading pattern 11 circular shading pattern 12 Distance between convex parts (end face part) 13 Photomask 14 Reflector 15 substrates 16 convex 17 board 18 Leveling layer 19 Reflective film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 1/08 G03F 1/08 D G09F 9/30 310 G09F 9/30 310 9/35 9/35 Fターム(参考) 2H042 BA03 BA15 BA20 DA12 DC08 DE00 2H089 LA20 NA09 QA12 TA02 TA17 2H091 FA14Y GA08 KA10 LA12 LA16 2H095 BA12 BB02 BB36 BC09 5C094 AA03 BA43 EB04 FA04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) G03F 1/08 G03F 1/08 D G09F 9/30 310 G09F 9/30 310 9/35 9/35 F term (Reference) 2H042 BA03 BA15 BA20 DA12 DC08 DE00 2H089 LA20 NA09 QA12 TA02 TA17 2H091 FA14Y GA08 KA10 LA12 LA16 2H095 BA12 BB02 BB36 BC09 5C094 AA03 BA43 EB04 FA04
Claims (11)
脂からなる凹凸形状を有する反射板であって、前記反射
板の拡散反射率を基板面内で均一化するために前記マザ
ーガラス基板面内での凹凸形状を異ならせたことを特徴
とする反射板。1. A reflector having an uneven shape made of a photosensitive resin formed on a mother glass substrate, wherein the mother glass substrate surface is provided to make the diffuse reflectance of the reflector uniform within the substrate surface. A reflector characterized by having different uneven shapes inside.
高さ、もしくは、径、もしくは、体積であることを特徴
とする請求項1記載の反射板。2. The reflector according to claim 1, wherein the different shape is a height, a diameter, or a volume of the convex portion or the concave portion.
ためのフォトマスクであって、前記マザーガラス基板上
の面内で凹凸形状形成のためのパターンが異なることを
特徴するフォトマスク。3. A photomask for forming an uneven shape on a mother glass substrate, wherein the pattern for forming the uneven shape is different in a plane on the mother glass substrate.
うち、凹凸間の反射膜をパターニングするためのパター
ンが形成されたフォトマスクであって、前記マザーガラ
ス基板上の面内で前記パターンの間隔もしくは面積が異
なることを特徴するフォトマスク。4. A photomask having a pattern for patterning a reflection film between irregularities among reflection films formed on a mother glass substrate, wherein the pattern is formed within a plane on the mother glass substrate. Photomasks characterized by different intervals or areas.
備えていることを特徴とする反射型液晶表示装置。5. A reflection type liquid crystal display device, comprising the reflection plate according to claim 1 or 2.
を備えていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。6. A semi-transmissive liquid crystal display device comprising the reflection plate according to claim 1 or 2.
したことを特徴とする反射型液晶表示装置。7. A reflective liquid crystal display device manufactured by using the photomask according to claim 3.
したことを特徴とする半透過型液晶表示装置。8. A semi-transmissive liquid crystal display device manufactured using the photomask according to claim 4.
用いた液晶表示装置であって、前記基板面内でのスペー
サの径が異なることを特徴とする液晶表示装置。9. A liquid crystal display device using a reflection plate formed on a mother glass substrate, wherein the diameters of the spacers in the substrate surface are different.
を用いた液晶表示装置であって、前記基板面内でのスペ
ーサの分散密度が異なることを特徴とする液晶表示装
置。10. A liquid crystal display device using a reflection plate formed on a mother glass substrate, wherein the dispersion densities of spacers in the substrate surface are different.
を用いた液晶表示装置であって、前記基板面内での柱ス
ペーサの配置位置が異なることを特徴とする液晶表示装
置。11. A liquid crystal display device using a reflection plate formed on a mother glass substrate, wherein the column spacers are arranged at different positions in the substrate surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001340702A JP2003139927A (en) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | Reflection plate, liquid crystal display device using the same and photo mask |
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JP2001340702A JP2003139927A (en) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | Reflection plate, liquid crystal display device using the same and photo mask |
Publications (1)
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JP2003139927A true JP2003139927A (en) | 2003-05-14 |
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ID=19154856
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JP2001340702A Pending JP2003139927A (en) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | Reflection plate, liquid crystal display device using the same and photo mask |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2003139927A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009037317A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Panasonic Corp | MEMORY CONTROLLER, NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME, AND NONVOLATILE MEMORY SYSTEM |
-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001340702A patent/JP2003139927A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009037317A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Panasonic Corp | MEMORY CONTROLLER, NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME, AND NONVOLATILE MEMORY SYSTEM |
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