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JP2002057507A - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置 - Google Patents

誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信装置

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JP2002057507A
JP2002057507A JP2000239056A JP2000239056A JP2002057507A JP 2002057507 A JP2002057507 A JP 2002057507A JP 2000239056 A JP2000239056 A JP 2000239056A JP 2000239056 A JP2000239056 A JP 2000239056A JP 2002057507 A JP2002057507 A JP 2002057507A
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Japan
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dielectric
inner conductor
coupling
dielectric block
electrodes
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貴浩 岡田
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甚誠 石原
Hideyuki Kato
英幸 加藤
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】全体に低背化を図った場合でも、隣接共振器間
を大きく、且つ高精度に結合させて、所望のフィルタ特
性を容易に得られるようにした誘電体フィルタ、誘電体
デュプレクサおよびそれらを備えた通信装置を提供す
る。 【解決手段】 内面に内導体を形成した内導体形成孔2
a,2bを誘電体ブロック1の内部に設け、誘電体ブロ
ック1の外面に、内導体に導通する結合用電極3a,3
bを形成するが、この結合用電極3a,3bを内導体形
成孔の開口面の縁端部を経て内導体形成孔2a,2bの
配列方向に平行な側面にまで延出形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体ブロック
に内導体および外導体を形成してなる誘電体フィルタ、
誘電体デュプレクサ、およびそれらを備えた通信装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】誘電体ブロックを用いた従来の誘電体フ
ィルタの例を図9に示す。図9の(A)は誘電体フィル
タの斜視図、(B)は内導体の開放面側から見た図であ
る。図9において1は略直方体形状の誘電体ブロックで
あり、それぞれ内面に内導体を形成した内導体形成孔2
a,2bをその内部に設けていて、その一方の開口面に
は内導体に導通する結合用電極3a,3bを形成してい
る。また誘電体ブロック1の他の五面には外導体4を形
成している。
【0003】このような構造により、誘電体ブロックに
構成した2つの共振器は、結合用電極3a,3bの間に
生じる静電容量を介して結合する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体ブロ
ックに複数の共振器を設けた帯域通過フィルタの通過帯
域を広帯域化するには、共振器間の結合度を高める必要
がある。図9に示したように、内導体の開放面となる誘
電体ブロックの端面に結合用電極を設けた従来の誘電体
フィルタにおいて、共振器間の結合度を高めるには、結
合用電極3a−3b間の間隙gを狭めればよい。ところ
が、内導体の開放面となる誘電体ブロックの端面におい
て、隣接する内導体に導通する結合用電極の間隙を定め
る方法では、電極パターンの形成精度の範囲で最も狭く
しても、結合用電極3a−3b間に得られる静電容量値
は限られる。そこで、図9の(C)に示す例のように、
結合用電極3a,3bの対向する部分を櫛型とすること
によって、限られた面積内に比較的大きな静電容量を生
じさせることもできる。しかし、このような電極パター
ンを形成するには、高精度な電極パターン形成法を採用
しなければならず、結果的に、特性の揃った誘電体フィ
ルタが得にくく、歩留りの低下や、コスト上昇を招く。
【0005】また、このような誘電体ブロックを用いた
誘電体フィルタが用いられる通信装置の小型化の要請に
伴って、部品を低背化する場合に、結合用電極の対向す
る幅(図中のh)を大きくとれなくなり、得られる結合
度の大きさも制限され、結果的に所望の帯域幅を有する
誘電体フィルタが得られない。換言すると、結合すべき
2つの共振器間の結合度の条件から、低背化も制限され
てしまうことになる。
【0006】この発明の目的は、全体に低背化を図った
場合でも、隣接共振器間を大きく、且つ高精度に結合さ
せて、所望のフィルタ特性を容易に得られるようにした
誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよびそれらを備
えた通信装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、それぞれの
内面に内導体を形成した複数の内導体形成孔を略直方体
形状の誘電体ブロック内に配列し、当該誘電体ブロック
の外面に、前記内導体に導通する結合用電極と、外導体
とをそれぞれ形成して成る誘電体フィルタにおいて、前
記誘電体ブロックの前記内導体形成孔の少なくとも一方
の開口面と、前記内導体形成孔の配列方向に平行な側面
との交わる縁端部にまで、または当該縁端部を経て前記
側面にまで、前記結合用電極を延出形成することによっ
て、結合用電極間に生じる静電容量を大きく稼ぐ。
【0008】また、この発明は、誘電体ブロックの上記
縁端部または上記側面に対向する他方の側面に内導体の
開放端付近との間で静電容量を生じさせる入出力電極を
形成する。この構造により、入出力電極を、実装すべき
回路基板上の電極に接続した状態で、結合用電極が誘電
体ブロックの上面に位置するようにし、実装基板上の各
種電極パターンが、誘電体ブロック内の共振器間の結合
に影響を与えないようにする。
【0009】また、この発明は、上記の誘電体フィルタ
を送信信号入力用電極、受信信号出力用電極およびアン
テナ接続用電極として、それぞれ入出力電極を設けるこ
とによって誘電体デュプレクサを構成する。
【0010】また、この発明は上記の誘電体フィルタま
たは誘電体デュプレクサを、たとえば高周波回路部にお
ける送信信号または受信信号のフィルタ回路部分に設け
て、通信装置を構成する。
【0011】
【発明の実施の形態】第1の実施形態に係る誘電体フィ
ルタの構成を図1および図2を参照して説明する。図1
において(A)は実装基板への実装状態での斜視図、
(B)は(A)に示した状態から上下を裏返した状態で
の斜視図である。1は略直方体形成の誘電体ブロックで
あり、その内部に、内面に内導体を形成した内導体形成
孔2a,2bを設けている。内導体形成孔2a,2bの
一方の開口面(図における左手前の端面)には、内導体
に導通する結合用電極3a,3bを形成している。また
誘電体ブロック1の内導体形成孔2a,2bの軸に平行
な側面(図1の(A)における上面)にまで、上記結合
用電極3a,3bを延出形成している。
【0012】また、この誘電体フィルタが実装基板に対
向する面(図1の(B)における上面)には、内導体形
成孔2a,2bの内面に形成した内導体の開放端付近と
の間で静電容量で結合する入出力電極5a,5bを形成
している。さらに、誘電体ブロック1の外面(五面)に
は、結合用電極3a,3b、および入出力電極5a,5
bから絶縁状態の外導体4を形成している。
【0013】図2は図1に示した誘電体フィルタの等価
回路図である。ここでRa,Rbは内導体形成孔2a,
2bの内導体と外導体4および誘電体ブロックによる一
端短絡、他端開放の1/4波長共振器である。また、K
abは2つの共振器Ra,Rb間の結合インピーダンス
である。Ca,Cbは内導体の開放端付近と入出力電極
5a,5bとの間の静電容量である。このように2段の
共振器が結合した、帯域通過特性を有するフィルタを構
成する。そして、その通過帯域幅は2つの共振器Ra,
Rbの結合の強さによって定める。結合用電極3a,3
bは内導体形成孔の開口面から側面にかけて延びている
ため、結合用電極間の間隙を極端に狭めることなく、ま
た櫛型電極にすることなく、両者間に生じる静電容量を
大きく稼ぐことができる。そのため、電極パターンの寸
法精度が高くなくてもよく、所望のフィルタ特性を有す
る誘電体フィルタを歩留りよく製造できる。
【0014】図1に示した誘電体フィルタを実装基板に
実装する際、入出力電極5a,5bが実装基板上の電極
パッドに接続され、かつ外導体4が実装基板上のアース
パターンに接続されるように表面実装する。この状態で
結合用電極3a,3bは実装基板上の各種電極から離れ
ることになるので、実装基板上の各種電極が、共振器間
の結合に影響を与えることがない。
【0015】次に、第2の実施形態に係る誘電体フィル
タの斜視図を図3に示す。図3の(A)は実装基板への
実装状態での斜視図、(B)は上下を裏返した状態での
斜視図である。この例では、結合用電極3a,3bを内
導体形成孔の開口面の縁端部にまで延ばすとともに、両
者の対向部分のみを、内導体形成孔の開口面から内導体
形成孔2a,2bの軸に平行な側面に延出形成してい
る。その他の構成は図1に示した誘電体フィルタと同様
である。
【0016】結合用電極間の静電容量に寄与する部分
は、両者の対向する間隙部分の領域であるので、このよ
うな形状であっても、図1に示したものと同様の特性が
得られる。
【0017】次に、第3の実施形態に係る誘電体フィル
タの斜視図を図4に示す。(A)は実装状態での斜視
図、(B)はそれを裏返した状態での斜視図である。全
体の構造は図3に示したものと類似しているが、2つの
結合用電極3a,3b間に、外導体4′を形成してい
る。したがってこの例では、結合用電極3a,3bと外
導体4,4′との間に生じる静電容量が、先端容量とし
て共振器の開放端に付加された構造となる。この構造に
より、共振器間は誘導性結合する。また、先端容量を付
与することによって共振周波数が下がる。上記先端容量
は、結合用電極3a,3bの一部を誘電体ブロック1の
側面にまで延出形成したことにより、大きくすることが
でき、その分、共振器長すなわち内導体形成孔2a,2
bの軸長を短縮化でき、全体に小型化が図れる。
【0018】次に、第4の実施形態に係る誘電体フィル
タの斜視図を図5に示す。この例では、結合用電極3
a,3bを、内導体形成孔2a,2bの開口面の縁端部
にまで延出形成している。これに伴い、外導体4がこの
縁端部にまで延出した結合用電極3a,3bに導通しな
いように、誘電体ブロックの側面において上記縁端部と
の間に間隙を設けている。その他の構成は図1に示した
ものと同様である。
【0019】このように、結合用電極3a,3bを誘電
体ブロックの側面にまで延ばさない構造では、図1に示
した誘電体フィルタに比べて、結合用電極間に得られる
静電容量は小さくなるが、従来の誘電体フィルタより共
振器間の結合を高めることができる。
【0020】なお、結合用電極3a,3bの対向部分を
図9の(C)に示したように櫛型に形成してもよい。但
し、2つの結合用電極3a,3bの対向面積を十分に確
保できるので、従来の場合より高精度な電極パターンを
形成する必要がなく、特性ばらつきの少ない誘電体フィ
ルタを、歩留りよく製造できる。
【0021】次に、第5の実施形態に係る誘電体フィル
タの四面図を図6に示す。ここで(A)は上面図、
(B)は正面図、(C)は底面図、(D)は背面図であ
る。この例では、略直方体形状の誘電体ブロック1の内
部に、内面に内導体を形成した内導体形成孔2a,2b
を設け、その一方の開口面から側面にかけて結合用電極
3a,3bを形成し、他方の開口面に結合用電極3
a′,3b′をそれぞれ形成している。誘電体ブロック
1の下面(実装基板への実装面となる面)には入出力電
極5a,5bを形成している。また、誘電体ブロック1
の外面(四面)には、結合用電極3a,3bおよび入出
力電極5a,5bを避ける位置に外導体4を形成してい
る。
【0022】図6に示した誘電体フィルタは、両端開放
の半波長共振器を容量結合させた誘電体フィルタとして
作用する。この例では、誘電体ブロックの内導体形成孔
の一方の開口面から側面にかけて結合用電極3a,3b
を形成したが、両方の開口面から側面にかけて結合用電
極をそれぞれ延出形成してもよい。このように2つの開
放端において結合用電極を形成すれば、結合範囲を広範
囲にわたって設定できるようになる。
【0023】次に、第6の実施形態に係る誘電体デュプ
レクサの三面図を図7に示す。ここで(A)は上面図、
(B)は正面図、(C)は底面図である。略直方体形状
の誘電体ブロック1には、内面にそれぞれ内導体を形成
した内導体形成孔2a〜2gを設けている。これらの内
導体形成孔の正面側の開口面には、それらの内導体に導
通する結合用電極3a〜3gを形成している。またこれ
らの結合用電極のうち3b,3c,3e,3fについて
は、誘電体ブロックの上面(内導体形成孔の軸に平行な
側面)にまで延出形成している。また、上記内導体形成
孔の開口面から誘電体ブロックの下面にかけて、入出力
電極5a,5b,5cを形成している。さらにこの内導
体形成孔の開口面には、外導体4′を結合用電極3bと
3cとの間に形成している。これらの結合用電極3a〜
3gを形成した誘電体ブロック1の端面以外の外面(五
面)には外導体4を形成している。
【0024】図7に示した内導体形成孔2a,2bによ
る共振器間は、結合用電極3a−3b間の静電容量によ
り容量結合し、内導体形成孔2b,2cによる2つの共
振器間は、結合用電極3b−3c間に外導体4′を配置
したことにより誘導結合する。内導体形成孔2d〜2g
による4つの共振器は、結合用電極3d〜3gのそれぞ
れの隣接する電極間に生じる静電容量により容量結合す
る。また、入出力電極5a−結合用電極3a間に生じる
静電容量により、入出力電極5aと内導体形成孔2aに
よる共振器とは容量結合する。同様に入出力電極5cは
内導体形成孔2gによる共振器と容量結合する。さらに
入出力電極5bは内導体形成孔2c,2dによるそれぞ
れの共振器と容量結合する。
【0025】ここで、内導体形成孔2a〜2cによる3
段の共振器は送信フィルタ、内導体形成孔2d〜2gよ
る4段の共振器は受信フィルタとし、入出力電極5aは
送信信号入力端子、5bはアンテナ端子、5cは受信信
号出力端子としてそれぞれ用いる。
【0026】次に第7の実施形態に係る通信装置の構成
を図8を参照して説明する。図8においてANTは送受
信アンテナ、DPXはデュプレクサ、BPFa,BPF
bはそれぞれ帯域通過フィルタ、AMPa,AMPbは
それぞれ増幅回路、MIXa,MIXbはそれぞれミキ
サ、OSCはオシレータ、SYNは周波数シンセサイザ
である。
【0027】MIXaは変調信号とSYNから出力され
た信号とを混合し、BPFaはMIXaからの混合出力
信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、AMPaは
これを電力増幅してDPXを介しANTより送信する。
AMPbはDPXから取り出した受信信号を増幅する。
BPFbはAMPbから出力される受信信号のうち受信
周波数帯域のみを通過させる。MIXbは、SYNから
出力された周波数信号と受信信号とをミキシングして中
間周波信号IFを出力する。
【0028】図8に示したデュプレクサDPX部分に
は、図7に示した構造のデュプレクサを用いる。また帯
域通過フィルタBPFa,BPFb,BPFcには図1
〜図6に示した構造の誘電体フィルタを用いる。
【0029】
【発明の効果】この発明によれば、結合用電極間に生じ
る静電容量が大きく稼げるので、全体に低背化を図った
場合でも、隣接共振器間を大きく、且つ高精度に結合さ
せて、所望のフィルタ特性が容易に得られるようにな
る。
【0030】また、誘電体ブロックの縁端部または側面
に対向する他方の側面に内導体の開放端付近との間で静
電容量を生じさせる入出力電極を形成する構造により、
入出力電極を、実装すべき回路基板上の電極に接続した
状態で、実装基板上の各種電極パターンが、誘電体ブロ
ック内の共振器間の結合に影響を与えないので、実装後
も、所定のフィルタ特性を維持することができる。
【0031】また、小型化した誘電体フィルタまたは誘
電体デュプレクサを備えたことにより、全体に小型化を
図った通信装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視
【図2】 同誘電体フィルタの等価回路図
【図3】 第2の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視
【図4】 第3の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視
【図5】 第4の実施形態に係る誘電体フィルタの斜視
【図6】 第5の実施形態に係る誘電体フィルタの四面
【図7】 第6の実施形態に係る誘電体デュプレクサの
三面図
【図8】 第7の実施形態に係る通信装置の構成を示す
ブロック図
【図9】 従来の誘電体フィルタの構成例を示す斜視図
【符号の説明】
1−誘電体ブロック 2−内導体形成孔 3−結合用電極 4,4′−外導体 5−入出力電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5J006 HA04 HA11 HA19 HA33 JA01 KA01 LA05 LA12 LA21 LA28 NA04 NB07 NC02 NC03 NF03

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれの内面に内導体を形成した複数
    の内導体形成孔を略直方体形状の誘電体ブロック内に配
    列し、当該誘電体ブロックの外面に、前記内導体に導通
    する結合用電極と、外導体とをそれぞれ形成して成る誘
    電体フィルタにおいて、 前記誘電体ブロックの前記内導体形成孔の少なくとも一
    方の開口面と、前記内導体形成孔の配列方向に平行な側
    面との交わる縁端部にまで、または当該縁端部を経て前
    記側面にまで、前記結合用電極を延出形成して成る誘電
    体フィルタ。
  2. 【請求項2】 前記縁端部または前記側面に対向する前
    記誘電体ブロックの他方の側面に、前記内導体の開放端
    付近との間で静電容量を生じさせる入出力電極を形成し
    た請求項1に記載の誘電体フィルタ。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の誘電体フィル
    タにおける入出力電極を、送信信号入力用電極、受信信
    号出力用電極、およびアンテナ接続用電極として設けて
    成る誘電体デュプレクサ。
  4. 【請求項4】 請求項1もしくは2に記載の誘電体フィ
    ルタまたは請求項3に記載の誘電体デュプレクサを備え
    て成る通信装置。
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