JP2002057160A - シリコンウエーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱処理後のアニールウエーハに見られる無欠
陥層の面内バラツキ（すなわち、グローンイン欠陥サイ
ズの面内バラツキ）と、析出熱処理またはデバイス熱処
理等の熱処理後のＢＭＤ密度の面内バラツキを抑えて、
十分な無欠陥層とＢＭＤ密度を面内均一に有するアニー
ルウエーハを作製するために好適なシリコンウエーハを
製造する方法およびそのようなシリコンウエーハを提供
する。 【解決手段】 ＣＺ法により窒素をドープして引上げら
れたシリコン単結晶からシリコンウエーハを作製し、該
シリコンウエーハに熱処理を施すシリコンウエーハの製
造方法において、前記シリコン単結晶を引上げる際の引
上速度V(mm/min)と固液界面の温度勾配G(K/mm) の比V/G
が、引上げ結晶径方向の90% 以上の範囲において0.175
〜0.225mm²/K・minとなる条件で育成するシリコンウエ
ーハの製造方法とその製造方法で作製されたシリコンウ
エーハ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、窒素をドープして
引上げたチョクラルスキー法（ＣＺ法）シリコン単結晶
から作製されたシリコンウエーハに熱処理（アニール）
を施すことにより、ウエーハ表層部に無欠陥層を有し、
バルク部にイントリンシックゲッタリング（ＩＧ、Ｉｎ
ｔｒｉｎｓｉｃ Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）層が形成される
シリコンウエーハ（アニールウエーハ）を製造するのに
好適なシリコンウエーハの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの高集積化・微細化に伴
い、ウエーハ表層の一層の完全性とバルク中のゲッタリ
ング能力の強化が強く要求されている。それに対し、最
近、窒素をドープしたＣＺ法シリコンウエーハに熱処理
を施すことにより、上記の２つの要求を同時に満たした
ウエーハが開発された。

【０００３】すなわち、ＣＺ法シリコン単結晶に窒素を
ドープすることにより、ａｓ−ｇｒｏｗｎ結晶中のグロ
ーンイン（ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥（主に原子空孔の集
合体により形成されるボイド欠陥）のサイズが小さくな
るため、後工程の高温アニールによりウエーハ表層部の
無欠陥化が容易になり、しかもバルク部においては窒素
が有する酸素析出促進効果により、析出熱処理やデバイ
ス熱処理工程を経ることによって、ゲッタリングに寄与
する酸素析出物等の欠陥（以下、ＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍ
ｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）と呼ぶことがある）を高密
度に有するＩＧ層が形成されるというものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＺ法シリ
コンウエーハのバルク部に形成され、ゲッタリングに寄
与するＢＭＤの密度と、表層部の無欠陥層の形成に影響
するグローンイン欠陥のサイズは、通常、面内分布を有
することが知られており、特に、ウエーハの中心付近で
ＢＭＤ密度、グローンイン欠陥サイズともに大きく、ウ
エーハ周辺では両者とも徐々に低下している傾向があ
る。

【０００５】この傾向は窒素ドープ結晶においても同様
で、ＢＭＤ密度やグローンイン欠陥サイズの絶対値は変
化するが、面内分布を持つことには変わりはない。よっ
て、表層部に無欠陥層を形成するための高温アニールを
施した後は、アニールウエーハの中心部分に特にグロー
ンイン欠陥が残り易いことになる。

【０００６】また、バルクのゲッタリング能力を決定す
る析出熱処理後のＢＭＤ密度に関し、ウエーハ周辺部で
ＢＭＤ密度が低下する傾向は、特に窒素ドープウエーハ
に関して顕著であることが、本発明者の調査により明確
になった。

【０００７】このように、アニールウエーハに求められ
るウエーハ表層部に形成される無欠陥層と析出熱処理ま
たはデバイス熱処理後のＢＭＤ密度のいずれの特性も、
現時点では面内で不均一であるという問題を抱えてい
る。

【０００８】そこで本発明は、このような問題点を解決
するためになされたもので、熱処理後のアニールウエー
ハに見られる無欠陥層の面内バラツキ（すなわち、グロ
ーンイン欠陥サイズの面内バラツキ）と、析出熱処理ま
たはデバイス熱処理等の熱処理後のＢＭＤ密度の面内バ
ラツキを抑えて、十分な無欠陥層とＢＭＤ密度を面内均
一に有するアニールウエーハを作製するために好適なシ
リコンウエーハを製造する方法およびそのようなシリコ
ンウエーハを提供することを主たる目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のシリコンウエーハの製造方法に係る発明は、チョク
ラルスキー法により窒素をドープして引上げられたシリ
コン単結晶からシリコンウエーハを作製し、該シリコン
ウエーハに熱処理を施すシリコンウエーハの製造方法に
おいて、前記シリコン単結晶を引上げる際の引上速度Ｖ
（ｍｍ／ｍｉｎ）と固液界面の温度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）
の比Ｖ／Ｇが、引上げ結晶径方向の９０％以上の範囲に
おいて０．１７５〜０．２２５ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎとな
る条件で育成することを特徴としている（請求項１）。

【００１０】このような条件下で育成された窒素をドー
プしたシリコン単結晶から切り出されたシリコンウエー
ハは、グローンイン欠陥サイズの面内分布もＢＭＤ密度
の面内分布も均一なものとすることができる。従って、
これに高温熱処理を施せば、ウエーハ表層部の無欠陥層
の面内バラツキがなく、バルク部のＢＭＤ密度が面内均
一で高密度なＩＧ能力の高いアニールウエーハを得るこ
とができる。

【００１１】この場合、前記シリコンウエーハ中の窒素
濃度は、１×１０¹³〜５×１０¹⁵個／ｃｍ³ であること
が好ましい（請求項２）。窒素濃度をこのような範囲内
に納めれば、グローンイン欠陥のサイズを小さくする効
果が十分であるとともに、単結晶の育成にも悪影響を及
ぼさないので、後工程の高温アニールによりウエーハ表
層部の無欠陥化が容易になるとともに、バルク部におい
ては窒素が有する酸素析出促進効果により、析出熱処理
やデバイス熱処理を経ることによって、ゲッタリングに
寄与するＢＭＤを高密度に有するＩＧ層を形成すること
ができる。

【００１２】そして本発明によれば、熱処理後のアニー
ルウエーハに見られる無欠陥層の面内バラツキと、析出
熱処理またはデバイス熱処理等の熱処理後のＢＭＤ密度
の面内バラツキを抑えて、十分な無欠陥層とＢＭＤ密度
を面内均一に有するアニールウエーハを得ることのでき
るシリコンウエーハが提供される（請求項３）。

【００１３】以下、本発明についてさらに詳細に説明す
る。本発明者は、十分な無欠陥層とＢＭＤ密度を面内均
一に有するアニールウエーハを作製するためには、シリ
コンウエーハとして、バルク部に形成されるゲッタリン
グに寄与するＢＭＤの密度と、表層部の無欠陥層の形成
に影響するグローンイン欠陥のサイズがともに面内分布
を持たないものを用意する必要があることを知見した。

【００１４】すなわち本発明者は、アニールウエーハ用
として現状製造している窒素ドープされたＣＺ法シリコ
ンウエーハに高温アニールを施した後のウエーハ表層部
のグローンイン欠陥密度と、追加熱理後のＢＭＤ密度に
関して鋭意調査を行った。その結果、ウエーハ中心部で
は残存欠陥数は多く、ＢＭＤ密度も高いが、ウエーハ周
辺部では残存欠陥数は少なく、ＢＭＤ密度も少ないこと
がわかった。また、その中間の位置（以下、Ｒ／２位置
という。Ｒはウエーハ半径）では、残存欠陥も程々に少
なく、ＢＭＤ密度も程々に高くなっていた。

【００１５】これら３箇所の中ではＲ／２位置が、表層
部の完全性とバルク中のゲッタリング能力のバランスが
最も良いことになる。つまり、このＲ／２位置の状態を
ウエーハ面内に拡大できれば、面内均一で高品質なウエ
ーハが得られることになる。そこで、このＲ／２位置の
状態を拡大するため、ＢＭＤやグローンイン欠陥の分布
とＣＺ法シリコン単結晶の引上げ方法との相関関係を調
査した。

【００１６】その結果、このようにグローンイン欠陥サ
イズやＢＭＤ密度の面内分布が不均一になる原因は、少
なくとも結晶育成時の引上げ速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）と
シリコンの融点から１４００℃までの範囲における引き
上げ軸方向の固液界面の温度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）の比で
あるＶ／Ｇが面内で分布を持つ、すなわちＶ／Ｇが面内
で変動するためであることがわかってきた。そこでウエ
ーハ面内の位置に関わらずグローンイン欠陥サイズやＢ
ＭＤ密度を所望のものとするために必要な具体的なＶ／
Ｇ値を求めることにした。以下、これについて説明す
る。

【００１７】グローンイン欠陥がＶ／Ｇの影響を受ける
ことは既に良く知られているので、結晶引上げ装置の特
定のホットゾーン（Ｈｏｔ Ｚｏｎｅ、ＨＺ、炉内構
造）を用いて引上げ結晶中に取り込まれる窒素濃度を１
×１０¹³個／ｃｍ³ とし、１．０〜１．４ｍｍ／ｍｉｎ
の範囲から選択された引上げ速度にて複数本の結晶の育
成を行い、それぞれのＶ／Ｇの面内分布とグローンイン
欠陥のサイズとの関係及び８００℃×４時間＋１０００
℃×１６時間の熱処理後のＢＭＤ密度との関係を調査し
た。その結果を図１および図２に示す。

【００１８】図１はウエーハの面内の中央部、Ｒ／２
部、周辺部（ウエーハ外周より１０ｍｍの位置）につい
て測定したＢＭＤ密度の全データとＶ／Ｇとの関係を示
しており、ＢＭＤ密度がＶ／Ｇと直接相関していること
を表している。Ｖ／Ｇが０．１９０ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎ
付近より小さくなるとＢＭＤ密度が急激に低下し、０．
１７５ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎを下回るとゲッタリング能力
が不十分となる１×１０ ⁹ 個／ｃｍ³ 以下に低下するこ
とがわかる。すなわち、高密度のＢＭＤを得るために
は、ウエーハ面内位置にかかわらず、Ｖ／Ｇを０．１７
５ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎ以上とすれば良いことがわかっ
た。

【００１９】一方、図２はＯＰＰ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐ
ｒｅｃｉｐｉｔａｔｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ）によりグロ
ーンイン欠陥のサイズを相対評価し、Ｖ／Ｇとの関係を
調査した結果を示している。図１と同様にウエーハの面
内の中央部、Ｒ／２部、周辺部について測定したＯＰＰ
サイズの全データとＶ／Ｇとの関係を示しており、ＯＰ
ＰサイズがＶ／Ｇと直接相関していることを表してい
る。すなわち、Ｖ／Ｇが０．２２５ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎ
以下ではグローンイン欠陥のサイズが急激に小さくな
り、０．２２５ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎを越えるような範囲
では、グローンイン欠陥のサイズが大きな値で飽和傾向
にあることを新規に発見した。従って、熱処理により消
滅させ易いサイズの小さいグローンイン欠陥とするため
には、ウエーハの面内の位置に関わらず、Ｖ／Ｇを０．
２２５ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎ以下とすればよい。

【００２０】以上、図１および図２の結果から、窒素ド
ープされたＣＺ法シリコン単結晶を引上げる際に、Ｖ／
Ｇを結晶の径方向で０．１７５〜０．２２５ｍｍ² ／Ｋ
・ｍｉｎの範囲内となるように製造すれば、ウエーハ面
内で不均一とはならず、グローンイン欠陥サイズが適度
に小さいためウエーハ全面にわたり十分にグローンイン
欠陥を消滅させ、かつ、適度なＢＭＤ密度が形成される
アニールウエーハが得られることになる。

【００２１】ここで、引上げ結晶の外周部においては、
グローンイン欠陥のサイズやＢＭＤ密度を決める点欠陥
が、結晶育成中に外方拡散してしまう。従って、引上げ
結晶の外周端から半径の５％程度までの領域（例えば、
直径２００ｍｍの結晶を引上げた場合には外周端から１
０ｍｍまで）においては、グローンイン欠陥のサイズや
ＢＭＤ密度とＶ／Ｇの相関が弱くなる。すなわち、本発
明におけるＶ／Ｇが適用されるのは、引上げ結晶の径方
向の両外周部５％づつを除く、少なくとも９０％の領域
であり、この領域は引上げ条件により９０〜１００％の
範囲で変動する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。まず、本発明
で使用したＣＺ法による単結晶引上げ装置の構成例を図
６により説明する。図６に示すように、この単結晶引上
げ装置３０は、引上げ室３１と、引上げ室３１中に設け
られたルツボ３２と、ルツボ３２の周囲に配置されたヒ
ータ３４と、ルツボ３２を回転させるルツボ保持軸３３
及びその回転機構（図示せず）と、シリコンの種結晶５
を保持するシードチャック６と、シードチャック６を引
上げるワイヤ７と、ワイヤ７を回転又は巻き取る巻取機
構（図示せず）を備えて構成されている。ルツボ３２
は、その内側のシリコン融液（湯）２を収容する側には
石英ルツボが設けられ、その外側には黒鉛ルツボが設け
られている。また、ヒータ３４の外側周囲には断熱材３
５が配置されている。

【００２３】また、本発明の製造方法に関わる製造条件
として、Ｖ／Ｇの適正な範囲を径方向および軸方向に拡
大する方法は既に良く知られている方法で行えばよい。
即ち、結晶周辺の温度勾配（Ｇｅ）と結晶中心の温度勾
配（Ｇｃ）の差（Ｇｅ−Ｇｃ）を小さくして固液界面温
度勾配Ｇが面内でフラットになるように、例えば結晶の
固液界面の外周に環状の固液界面断熱材８を設け、その
上に上部囲繞断熱材９を配置したＨＺを設置している。
この固液界面断熱材８は、その下端とシリコン融液２の
湯面との間に３〜５ｃｍの隙間１０を設けて設置されて
いる。上部囲繞断熱材９は条件によっては使用しないこ
ともある。さらに、冷却ガスを吹き付けたり、輻射熱を
遮って単結晶を冷却する筒状の冷却装置３６を設けても
よい。

【００２４】別に、最近では引上げ室３１の水平方向の
外側に、図示しない磁石を設置し、シリコン融液２に水
平方向あるいは垂直方向等の磁場を印加することによっ
て、融液の対流を抑制し、単結晶の安定成長をはかる、
いわゆるＭＣＺ法が用いられることも多い。

【００２５】次に、上記の単結晶引上げ装置３０による
単結晶育成方法について説明する。まず、ルツボ３２内
でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０°
Ｃ）以上に加熱して融解する。窒素ドープは、例えば原
料シリコン中に窒化膜付きシリコンウエーハを投入する
ことによって行うことができる。次に、ワイヤ７を巻き
出すことにより融液２の表面略中心部に種結晶５の先端
を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸３３を適
宜の方向に回転させるとともに、ワイヤ７を回転させな
がら巻き取り種結晶５を引上げることにより、単結晶育
成が開始される。以後、引上げ速度と温度を適切に調節
することにより略円柱形状の単結晶棒１を得ることがで
きる。

【００２６】得られた単結晶棒を通常の方法により、ワ
イヤーソー等で切り出し、面取り、ラッピング、エッチ
ング、研磨等を施すことによって、窒素ドープシリコン
ウエーハとすることができる。

【００２７】次に、本発明では、得られたシリコンウエ
ーハに熱処理を施す。これによって表面に面内均一に無
欠陥層が形成され、バルク部には高密度にＢＭＤが発生
する。具体的な熱処理条件としては、通常のヒータ式の
バッチ炉を用い、アルゴン等の不活性ガス、水素ガス、
またはこれらの混合雰囲気下で、１０００〜１３５０℃
で１時間以上の熱処理（例えば、１２００℃・１時間、
または１１５０℃・４時間等）を行う。また、ランプ加
熱等によるＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎ
ｎｅａｌｉｎｇ）装置を用いて、急速加熱・急速冷却に
よる熱処理を行ったり、バッチ炉とＲＴＡ装置を併用し
た熱処理とすることもできる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明の実施例と比較例を挙げて本発
明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定される
ものではない。 （実施例１）実施例１として、結晶中心温度勾配Ｇｃ＝
３．５４３［Ｋ／ｍｍ］、結晶周辺温度勾配Ｇｅ＝３．
９３３［Ｋ／ｍｍ］、Ｇｅ−Ｇｃ＝０．３９０［Ｋ／ｍ
ｍ］と比較的Ｇｅ−Ｇｃの小さいＨＺを有する単結晶引
上げ装置を用い、引上げ速度を約０．７４ｍｍ／ｍｉｎ
に調整して、直径６インチの窒素ドープシリコン単結晶
を引上げた。窒素ドープは、原料シリコン中に窒化膜付
きシリコンウエーハを投入し、引上げ結晶の肩の位置で
の窒素濃度（計算値）が２×１０¹³／ｃｍ³ となるよう
にした。また、酸素濃度は１４〜１５ｐｐｍａ（ＪＥＩ
ＤＡ（日本電子工業振興協会）規格）となるように調整
した。

【００２９】図３に結晶引上げ時のＶ／Ｇの結晶径方向
の分布を示した。Ｖ／Ｇは径方向全体が約０．１８０〜
０．２２３ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎの範囲に入っていた。

【００３０】引上げられた結晶からシリコンウエーハを
作製し、ＯＰＰ法によりグローンイン欠陥のサイズを測
定した後、８００℃、４時間＋１０００℃、１６時間の
析出熱処理を加えてＢＭＤを形成し、ＯＰＰ法によりＢ
ＭＤ密度を測定した。グローンイン欠陥のサイズの測定
結果を図４に、ＢＭＤ密度の測定結果を図５に示した。

【００３１】グローンイン欠陥は、１２００℃、１時間
のアルゴン雰囲気により十分に消滅させることができる
サイズ（１．５以下）であり（図４）、面内分布も小さ
かった。また、ＢＭＤ密度は、ウエーハ面内いずれの位
置においても、ほぼ２〜５×１０⁹/ｃｍ³ であり、高密
度でかつ均一な面内分布が得られた（図５）。

【００３２】（比較例１、比較例２）比較例１、２とし
て、Ｇｃ＝３．７７８［Ｋ／ｍｍ］、Ｇｅ＝４．９０４
［Ｋ／ｍｍ］、Ｇｅ−Ｇｃ＝１．１２６［Ｋ／ｍｍ］と
比較的Ｇｅ−Ｇｃの大きいＨＺを有する単結晶引上げ装
置を用い、比較例１では引上速度を約０．８４ｍｍ／ｍ
ｉｎ、比較例２では約０．８７ｍｍ／ｍｉｎに調整し
て、直径６インチの窒素ドープシリコン単結晶を引上げ
た。窒素ドープは、原料シリコン中に窒化膜付きシリコ
ンウエーハを投入し、引上げ結晶の肩の位置での窒素濃
度（計算値）が２×１０¹³／ｃｍ³ となるようにした。
また、酸素濃度は１４〜１５ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）と
なるように調整した。

【００３３】比較例１、比較例２の結晶引上げ時のＶ／
Ｇの結晶径方向の分布を図３に併記した。比較例１でＶ
／Ｇが０．１７５〜０．２２５ｍｍ² ／Ｋ・ｍｉｎの範
囲に入っていたのは、結晶の中心から約６２ｍｍの範囲
までの約８３％であり、比較例２の場合は、結晶の中心
から外周方向に約３０ｍｍの位置から約６６ｍｍの位置
までの約４８％であった。

【００３４】引上げられた結晶からシリコンウエーハを
作製し、ＯＰＰ法によりグローンイン欠陥のサイズを測
定した後、８００℃、４時間＋１０００℃、１６時間の
析出熱処理を加えてＢＭＤを形成し、ＯＰＰ法によりＢ
ＭＤ密度を測定した。グローンイン欠陥のサイズの測定
結果を図４に、ＢＭＤ密度の測定結果を図５に併記し
た。

【００３５】比較例１ではウエーハ中心側においてグロ
ーンイン欠陥サイズがある程度小さく、ウエーハ周辺部
では極めて小さくなっており、欠陥サイズの面内分布こ
そ大きいが、全体的にアニールにより消え易いサイズの
欠陥であった。しかしながら、析出熱処理後のＢＭＤ密
度に関してはＶ／Ｇの値が低いウエーハ周辺部において
ＢＭＤ密度が２×１０⁸/ｃｍ³ 程度と低くなっており、
周辺部でゲッタリング能力の小さい、面内分布が大きい
ものであることがわかった。

【００３６】比較例２では、ＢＭＤ密度に関しては面内
でほぼ１×１０⁹/ｃｍ³ 以上が得られたが、グローンイ
ン欠陥サイズの面内分布が大きく、特にウエーハ中心側
のサイズがかなり大きいため、１２００℃、１時間のア
ルゴン雰囲気によるアニールを行っても中心部分のグロ
ーンイン欠陥が一部残留することを確認した。

【００３７】これらの結果より、比較例１、２で使用し
た結晶引上げ装置のＨＺの場合、グローンイン欠陥のサ
イズとＢＭＤ密度の双方を面内均一にするためには、た
とえ引上げ速度を０．８４〜０．８７ｍｍ／ｍｉｎの限
られた範囲に制御したとしても極めて困難であることが
わかる。

【００３８】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００３９】例えば、上記実施形態においては、直径６
インチのシリコン単結晶を育成する場合につき例を挙げ
て説明したが、本発明はこれには限定されず、直径８〜
１６インチあるいはそれ以上のシリコン単結晶にも適用
できる。また、本発明は、シリコン融液に水平磁場、縦
磁場、カスプ磁場等を印加するいわゆるＭＣＺ法にも適
用できることは言うまでもない。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、グローンイン欠陥サイ
ズの面内分布もＢＭＤ密度の面内分布も均一な窒素をド
ープしたシリコンウエーハを形成することができる。従
って、これに高温熱処理を施せば、ウエーハ表層部の無
欠陥層の面内バラツキがなく、バルク部にＢＭＤ密度が
面内均一なＩＧ層を有するアニールウエーハを製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるＶ／ＧとＢＭＤ密度との関係を
示す図である。

【図２】本発明におけるＶ／Ｇとグローンイン欠陥サイ
ズとの関係を示す図である。

【図３】実施例１、比較例１、比較例２に関し、結晶引
上げ時の結晶径方向におけるＶ／Ｇの分布図である。

【図４】実施例１、比較例１、比較例２に関し、引上げ
結晶の結晶径方向におけるグローンイン欠陥サイズの分
布図である。

【図５】実施例１、比較例１、比較例２に関し、引上げ
結晶の結晶径方向におけるＢＭＤ密度の分布図である。

【図６】本発明で使用したＣＺ法による単結晶引上げ装
置の概略説明図である。

【符号の説明】

１…成長単結晶棒、 ２…シリコン融液、 ３…湯面、
４…固液界面、５…種結晶、 ６…シードチャック、
７…ワイヤ、８…固液界面断熱材、 ９…上部囲繞断
熱材、１０…湯面と固液界面断熱材下端との隙間、３０
…単結晶引上げ装置、 ３１…引上げ室、 ３２…ルツ
ボ、３３…ルツボ保持軸、 ３４…ヒータ、 ３５…断
熱材、 ３６…冷却装置。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チョクラルスキー法により窒素をドープ
   して引上げられたシリコン単結晶からシリコンウエーハ
   を作製し、該シリコンウエーハに熱処理を施すシリコン
   ウエーハの製造方法において、前記シリコン単結晶を引
   上げる際の引上速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）と固液界面の温
   度勾配Ｇ（Ｋ／ｍｍ）の比Ｖ／Ｇが、引上げ結晶径方向
   の９０％以上の範囲において０．１７５〜０．２２５ｍ
   ｍ² ／Ｋ・ｍｉｎとなる条件で育成することを特徴とす
   るシリコンウエーハの製造方法。
2. 【請求項２】 前記シリコンウエーハ中の窒素濃度が１
   ×１０¹³〜５×１０¹⁵個／ｃｍ³ であることを特徴とす
   る請求項１に記載したシリコンウエーハの製造方法。
3. 【請求項３】 前記請求項１または請求項２に記載した
   製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンウ
   エーハ。