JP2001311619A - 測距装置及び測距方法 - Google Patents
測距装置及び測距方法Info
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Abstract
を行う場合においても、測距工数の増加を抑制し、測距
時間の短縮を実現した測距装置と測距方法を提供する。 【解決手段】 受光センサRA,RB,RCと、前記各
受光センサに対してそれぞれ被写体像を結像するための
光学系(レンズ)LA,LB,LCと、被写体に対して
光を投光する投光素子(LED)40と、制御手段(C
PU)50を備える。LED40の投光時と、非投光時
にそれぞれ受光センサで受光データを取込み、RAM5
3に格納する。格納した受光データのうち、少なくとも
1つの受光データに基づいてパッシブ測距を行い、2つ
の受光データに基づいてアクティブ測距を行う。最大2
回の受光データの取込みで、パッシブ測距とアクティブ
測距が実行でき、受光データの取り込み、格納工程が削
減でき、測距時間を短縮することが可能になる。
Description
ラ等に用いられて被写体距離を測距するための測距装置
に関し、特にアクティブ測距方式とパッシブ測距方式を
併用した測距装置において測距時間の短縮を図った測距
装置及び測距方法に関する。
ッシブ測距方式とアクティブ測距方式が用いられる。パ
ッシブ測距方式は、同じ光学系をもつ2つの受光センサ
で被写体のコントラストを検知し、各受光センサ上に投
影される被写体の視差から生じる位置のずれ(位相差)
をもとに距離を求める方式である。このパッシブ測距方
式では、外部の光源を利用するため、受光センサで検出
できる被写体の明るさがあれば測距可能であるが、被写
体にコントラストがなかったり、暗い場合には測距精度
が低下してしまう。そのため、近年では発光素子で発光
した光を被写体に投光し、その反射光を受光して行うパ
ッシブ測距方式も提案されている。一方、アクティブ測
距方式は、発光素子で発光した光を被写体に投光し、被
写体で反射した光を受光素子で測光して被写体からの反
射光の重心位置を求め、この重心位置を利用した三角測
量法によって距離を求める方式である。このアクティブ
測距装置では、被写体が光を反射しさえすれば被写体が
暗くても、コントラストがなくても、繰り返しパターン
であっても測距が可能であるが、遠距離の被写体では光
源からの光の光量低下によって高精度の測距が難しくな
る。
測距方式とアクティブ測距方式には一長一短が存在する
ため、カメラにおいて種々の撮影状況に対応して高精度
の測距を実現すべく、パッシブ測距方式とアクティブ測
距方式の両方を備え、かつそれぞれの方式での測距を行
うように構成することが好ましい。しかしながら、アク
ティブ測距方式とパッシブ測距方式のそれぞれの方式の
違いにより、各測距方式を独立したフローで行う必要が
あり、そのために測距時間が長くなるという問題が生じ
る。例えば、アクティブ測距方式では、測距精度を高め
るために、投光を行わない際に受光センサで受光した受
光出力を参照出力とし、この参照出力に基づいて投光時
での受光出力を調整することが行われるが、そのために
は投光時と非投光時のそれぞれにおいて受光センサの受
光出力を取り込む必要がある。一方、パッシブ測距方式
では、前記したように投光時、あるいは非投光時の受光
センサの受光出力に基づいて測距を行うため、いずれの
場合でも受光センサの受光出力を取り込む工程が必要で
ある。そのため、パッシブ測距方式とアクティブ測距方
式をそれぞれ実行する場合には、受光センサの受光出力
を取り込むための工程が重複することになり、結果とし
て測距工数が多くなり、測距時間が長くなるという問題
が生じることになる。
ブ測距の両方の測距を行う場合においても測距工数が増
加することなく、測距時間の短縮を実現した測距装置と
測距方法を提供するものである。
写体に対して投光を行う投光手段と、前記発光手段の投
光時と非投光時に被写体を受光して受光データを出力す
る受光手段と、前記受光手段の受光データに基づいてパ
ッシブ測距動作とアクティブ測距動作を行う制御手段と
を備えており、前記制御手段は、前記受光手段による受
光データの取込みを最大で2回行い、前記受光データに
基づいて前記パッシブ測距動作とアクティブ測距動作を
行うことを特徴とする。この場合、前記制御手段は、前
記投光時の受光データの取込みと、非投光時の受光デー
タの取込みを行う構成とする。また、取込んだ受光デー
タは記憶手段に記憶し、当該記憶手段から読み出して前
記測距動作を行うように構成することが好ましい。
した第1の受光データを得る工程と、前記被写体に投光
を行って受光した第2の受光データを得る工程と、前記
第1、第2の受光データの少なくとも一方の受光データ
でパッシブ測距を行う工程と、前記第1及び第2の受光
データでアクティブ測距を行う工程とを含んでいる。こ
こで、前記アクティブ測距は、前記投光時の受光データ
と、非投光時の受光データとに基づいて演算を行って被
写体像の重心位置を検出し、当該重心位置に基づいて被
写体距離を演算する。この場合、取込んだ受光データは
記憶手段に記憶し、当該記憶手段から読み出して前記測
距動作を行う工程を含むことが好ましい。
ば、パッシブ測距、またはアクティブ測距により信頼性
のある測距データが得られたときには、直ちに測距動作
が完了され、また先行する測距動作で信頼性のある測距
データが得られない場合には、後続する測距動作を行う
ことで、信頼性の高い測距データを得る確率が高いもの
になる。そして、このように、パッシブ測距とアクティ
ブ測距を行なう場合でも、投光時と非投光時のそれぞれ
において得られた受光データをRAMに格納した上で、
この格納した受光データを利用して各測距動作を行うた
め、受光データを得るための工程、得た受光データを格
納する工程を最大でも2回に制限することができ、これ
により測距工数を低減し、測距時間を短縮することが可
能になる。
参照して説明する。図1は本発明の測距装置を備えた小
型カメラの外観図であり、カメラボディ10の上面に各
種スイッチ11、LCD表示部12、レリーズボタン1
3が配設されており、かつ前面には撮影レンズ14が配
設されるとともに、前記撮影レンズ14の上側領域には
ファインダ窓15、ストロボ16が配設され、さらに前
記ファインダ窓15と並んで測距装置17が配設され
る。前記測距装置17は、複数のレンズが一体に形成さ
れた複合レンズ20と、前記レンズ20によって結像さ
れた被写体像を受光するCCDからなるラインセンサ3
0と、発光したときに測距対象となる被写体に向けて光
を投光する投光素子としてのLED(発光ダイオード)
40とを備えている。
合レンズ20、前記ラインセンサ30、前記LED40
の構成を説明するための平面配置図である。前記ライン
センサ30は、周知のように多数個の受光素子を含むC
CD素子が直線状に配置された受光部31を有してお
り、前記受光部31において受光した光を受光素子(フ
ォトダイオード)で光電変換して電荷を蓄積し、この蓄
積した電荷をラインに沿って転送し、その端部に設けら
れた出力部32から電圧信号として出力することで、前
記受光部31において受光した光の光強度を検出するこ
とが可能とされるものである。そして、ここでは、前記
ラインセンサ30の受光部31を互いに重なることがな
い領域で中央及び両側の3つの領域に区画し、一方から
他方に向けて受光センサRA,RB,RCとして構成し
ている。また、前記複合レンズ20は前記ラインセンサ
30の3つの受光センサRA,RB,RCに対応するレ
ンズLA,LB,LCと、前記LEDに対応する集光レ
ンズLDが配置され、これらのレンズが水平方向に所要
の間隔で配置されかつ一体に成形されている。この複合
レンズ20は例えば透明樹脂を一体成形して形成するこ
とが可能である。
ンサ30はCCD駆動回路51を介してCPU50に接
続されるとともに、ラインセンサ30の出力部32から
の出力信号が前記CPU50に入力される。前記LED
40はLED駆動回路52を介して前記CPU50に接
続される。そして、前記CPU50は、後述するように
カメラにおける測距動作時に、前記LED40を所要の
タイミングで発光して被写体に対して投光し、また前記
LED40により投光することなく、それぞれ前記ライ
ンセンサ30からの出力を取り込み、かつ被写体距離の
演算を行なって測距を実現するように機能する。また、
前記CPU50にはRAM53が接続されており、前記
受光センサRA,RB,RCの各受光出力を記憶するこ
とが可能とされている。
測距動作を簡単に説明する。図3に模式図を示すよう
に、測距対象となる被写体を両側の2つのレンズLA,
LCによって前記ラインセンサ30の両側の受光センサ
RA,RCに結像する。ここで2つのレンズLA,LC
の光軸間間隔をDとし、また両レンズLA,LCから各
受光センサRA,RCまでの光軸距離をdとする。そし
て、各受光センサRA,RCにそれぞれ結像された各被
写体像の特定箇所、例えば水平方向の中心となるポイン
ト位置からそれぞれのレンズLA,LCの光軸までの距
離をX1,X2とする。そして、カメラの測距基準から
被写体までの距離をLとすると、三角法により次の関係
式が成立する。 (L+d)/L=(D+X1+X2)/D …(1) これから、 L=(D・d)/(X1+X2) …(2) が求められる。
明するための模式図であり、LED40を発光し、集光
レンズLDで集光して被写体に投光する。そして、被写
体において拡散反射した光を中央のレンズLBにより中
央の受光センサRBに結像し、この受光センサRBでは
結像された被写体像の重心を検出する。この重心は、被
写体像が結像された受光センサRBを構成する複数個の
CCD素子のうち、最も光強度の高いCCD素子の位置
として検出すれば、被写体からの拡散反射光の光軸中心
が検出でき、この光軸中心を被写体像の重心位置とす
る。そして、被写体距離をLとし、LED40からレン
ズLBの光軸までの距離をD1、レンズLBと受光セン
サRBとの距離をd、検出した被写体像の重心位置から
前記光軸までの距離をX3とすると、 (L+d)/L=(D1+X3)/D1 …(3) これから、 L=(D1・d)/X3 …(4) が求められる。
重心位置を求める際に、LEDの非投光時での受光セン
サRBの受光出力を参照出力としてLEDの投光時での
受光センサRBの出力を演算し、外部光の影響の少ない
高精度な重心位置を得ている。すなわち、図5を参照す
ると、LEDを投光したときの受光センサRBの受光出
力には、(a1)のように、LEDの反射光に外光が含
まれている。そこで、なるべく大きな受光出力を得るた
めに、受光センサRBを構成するCCDは光量制御を行
い、そのレベルがなるべく大きくなるようにする。この
設定状態で、LEDの非投光時に被写体を受光すると、
(a2)のような受光出力が得られる。そこで、(b
1),(b2)のように、投光時、非投光時のそれぞれ
の受光センサRBの受光データDB1,DB2をRAM
に記憶し、測距域外の同じ10個のCCD素子の出力の
平均レベルを算出する。例えば、同図において、平均レ
ベルの比が(DB1):(DB2)=1:2ならば、
(DB2)×1/2とすることにより、(b1)と(b
2)の各受光データのうちの外光分の受光出力を理論上
等しくすることができ、各受光出力を(c1),(c
2)のようにする。しかる上で、(c1)−(c2)の
演算を行うことで、外光分が相殺され、(d)のよう
に、LEDで発光した被写体反射光のみの出力DBを得
ることが可能になる。この出力DBのピークを与える位
置を重心位置とする。
距が行われる本発明の測距装置による測距方法を説明す
る。図6は本発明の第1の実施形態の測距動作のフロー
チャートである。先ず、カメラ側からCPU50に測距
指令が入力されると、CPU50はCCD駆動回路51
に積分開始命令を出力し、これを受けてラインセンサ3
0は積分を開始し、電荷蓄積終了命令とともに積分を終
了する(S101)。そして、ラインセンサ30では、
各受光センサRA,RB,RCにおいて蓄積した電荷が
クロックに同期して転送され出力部32からA/D変換
された電流又は電圧のCCDデータとして取り込まれる
(S102)。このCCDデータは前記各受光センサR
A,RB,RCに対応する非投光時の受光データDA
2,DB2,DC2としてRAM53に格納する(S1
03)。そして、CPU50はRAM53に格納された
前記受光データDA2,DB2,DC2から、受光デー
タDA2,DC2を読み出し、これらのデータに基づい
て、図3で説明したパッシブ測距方式に基づく第1のパ
ッシブ測距演算を行い、被写体の測距データを算出する
(S104)。
信頼性を判定し(S105)、信頼性のある測距データ
であると判定したときには、この測距データを採用し、
測距動作を終了する(S106)。測距データが信頼性
に欠けると判定された場合には、CPU50に再度測距
指令が入力され、CPU50はLED40を発光して被
写体に対して発光光を投光し(S107)、続いてライ
ンセンサ30を駆動し(S108)、LED40の発光
を停止した上で(S109)、被写体で反射されたLE
D光を受光センサRA,RB,RCで受光して投光時の
受光データDA1,DBA,DC1を取込み(S11
0)、当該受光データDA1,DB1,DC1をRAM
53に格納する(S111)。
データのうち、受光センサRBの受光データ、すなわち
LED40の投光時と非投光時の各受光データDB1,
DB2を用いた測距演算を行う(S112)。この測距
演算は、図9にフローを示すように、RAMから前記各
受光データDB1,DB2を読み出し(S401)、こ
れらの受光データに基づいて図5に示したような重心位
置の検出を行う。すなわち、重心位置を与える出力DB
を求める演算、DB=DB1−DB2×1/Kを行う
(1/Kは、発光時と未発光時の外光の出力比である)
(S402)。その上で、前記出力DBから重心位置を
検出し、かつこの検出した重心位置に基づいて図4に示
したアクティブ測距の演算を行なう(S403)。この
ようなアクティブ測距を行った後、算出された測距デー
タについて、その信頼性を判定し(S113)、信頼性
のある測距データであると判定したときには、この測距
データを採用し、測距動作を終了する(S114)。一
方、信頼性に欠けると判定された場合には、RAM53
から受光センサRA,RCの投光時の受光データDA
1,DC1を読み出し、これらの受光データに基づいて
図3に示したパッシブ測距の演算を行う(S115)。
ータDA1,DC1は、被写体で反射したLEDの反射
光を受光センサRA,RCで受光した受光出力に基づく
受光データであるため、高い受光出力を得ることがで
き、ステップS104で行った第1のパッシブ測距演算
よりもより高い信頼性の測距データを得ることができ
る。そして、算出された測距データについて、その信頼
性を判定し(S116)、信頼性のある測距データであ
ると判定したときには、この測距データを採用し、測距
動作を終了する(S117)。一方、信頼性に欠けると
判定された場合には、測距データを予め設定してあるデ
フォルト値に設定する(S118)。このデフォルト値
は、通常2〜3mに設定しておく。すなわち、カメラで
撮影する場合の被写体の距離は2〜3m程度の場合が多
いため、測距データに信頼性が得られない場合には、こ
のデフォルト値を測距値とすれば、撮影レンズによる被
写界深度とあいまって、ある程度焦点のあった写真を撮
影する確率が高くなることに基づいている。
は、第1のパッシブ測距により信頼性のある測距データ
が得られたときには、直ちに測距動作が完了されること
になる。また、第1のパッシブ測距で信頼性のある測距
データが得られない場合には、アクティブ測距を行うこ
とで、信頼性の高い測距データを得る確率が高いものに
なる。さらに、アクティブ測距においても信頼性のある
測距データが得られないときには、第2のパッシブ測距
を行うことで、さらに信頼性の高い測距データを得る確
率を高めることが可能になる。そして、このように、第
1及び第2のパッシブ測距とアクティブ測距を行った場
合でも、LEDを投光したときと、非投光のときの2回
の測光で得られた受光データをRAMに格納した上で、
この格納した受光データを利用して前記各測距を行うた
め、受光データを取り込んでRAMに格納する工程を最
大でも2回の工程数に制限することができ、これにより
測距工数を低減し、測距時間を短縮することが可能にな
る。
2〜S114のアクティブ測距動作と、ステップS11
5〜S117の第2のパッシブ測距動作の順序を入れ換
えてもよい。
のフローチャートである。カメラ側からCPU50に測
距指令が入力されると、CPU50は先ずLED40を
発光して被写体に投光する(S201)。次いで、CP
U50はCCD駆動回路51に積分開始命令を出力し、
これを受けてラインセンサ30は積分を開始し、電荷蓄
積終了命令とともに積分を終了する(S202)。そし
て、LED40の発光を停止した上で(S203)、各
受光センサRA,RB,RCにおいて受光した受光デー
タDA1,DB1,DC1をRAM53に格納する(S
205)。そして、CPU50はRAM53に格納され
た前記投光時の受光データDA1,DB1,DC1か
ら、受光データDA1,DC1を読み出し、これらのデ
ータに基づいて、図3で説明したパッシブ測距方式に基
づくパッシブ測距演算を行い、被写体の測距データを算
出する(S206)。
信頼性を判定し(S207)、信頼性のある測距データ
であると判定したときには、この測距データを採用し、
測距動作を終了する(S208)。測距データが信頼性
に欠けると判定された場合には、CPU50に再度測距
指令が入力され、CPU50はLED40を発光するこ
となく、ラインセンサ30を駆動し(S209)、受光
センサRA,RB,RCで受光した非投光時の受光デー
タDA2,DB2,DC2を取込み(S210)、かつ
RAMに格納する(S211)。
センサRBの受光データ、すなわちLED40の投光時
と非投光時の各受光データDB1,DB2に基づいて、
図4に示したアクティブ測距の演算を行なう(S21
2)。このアクティブ測距の動作は図9に示したフロー
と同じである。そして、算出された測距データについ
て、その信頼性を判定し(S213)、信頼性のある測
距データであると判定したときには、この測距データを
採用し、測距動作を終了する(S214)。一方、信頼
性に欠けると判定された場合には、測距データを予め設
定してあるデフォルト値に設定する(S215)。
は、パッシブ測距により信頼性のある測距データが得ら
れたときには、直ちに測距動作が完了されることにな
る。また、パッシブ測距で信頼性のある測距データが得
られない場合には、アクティブ測距を行うことで、信頼
性の高い測距データを得る確率が高いものになる。そし
て、このように、パッシブ測距とアクティブ測距を行っ
た場合でも、最大で2回の受光データの取込み及びRA
Mに格納した上で、この格納した受光データを利用して
前記各測距を行うため、受光データを取り込んでRAM
に格納する工程を最大で2回に制限することができ、こ
れにより測距工数を低減し、測距時間を短縮することが
可能になる。
のフローチャートである。カメラ側からCPU50に測
距指令が入力されると、CPU50は先ずLED40を
発光して被写体に投光する(S301)。次いで、CP
U50はCCD駆動回路51に積分開始命令を出力し、
これを受けてラインセンサ30は積分を開始し、電荷蓄
積終了命令とともに積分を終了する(S302)。そし
て、LED40の発光を停止した上で(S303)、各
受光センサRA,RB,RCにおいて受光した投光時の
受光データDA1,DB1,DC1を取り込み(S30
4)、かつこれをRAM53に格納する(S305)。
続いて、CPU50に再度測距指令が入力され、今度は
CPU50はLED40を発光することなく、ラインセ
ンサ30を駆動し(S306)、受光センサRA,R
B,RCで受光した非投光時の受光データDA2,DB
2,DC2を取り込み(S307)、かつこれをRAM
に格納する(S308)。
納された前記各受光データのうち、LED40の投光時
の受光データDA1,DB1,DC1から、受光データ
DA1,DC1を読み出し、これらの受光データに基づ
いて、図3で説明したパッシブ測距方式に基づくパッシ
ブ測距演算を行い、被写体の測距データを算出する(S
309)。そして、得られた測距データについて、その
信頼性を判定し(S310)、信頼性のある測距データ
であると判定したときには、この測距データを採用し、
測距動作を終了する(S311)。
場合には、RAM53に格納された受光センサRBの受
光データ、すなわちLEDの投光時と非投光時の各受光
データDB1,DB2を読み出し、これらの受光データ
に基づいて図4に示したアクティブ測距の演算を行なう
(S312)。このアクティブ測距の動作は図9に示し
たフローと同様である。そして、算出された測距データ
について、その信頼性を判定し(S313)、信頼性の
ある測距データであると判定したときには、この測距デ
ータを採用し、測距動作を終了する(S314)。一
方、信頼性に欠けると判定された場合には、測距データ
を予め設定してあるデフォルト値に設定する(S31
5)。
は、最初にLED投光時と非投光時の各受光センサの受
光データをRAMに格納しておくため、その後はパッシ
ブ測距、アクティブ測距を任意に行うことが可能とな
り、いずれかの測距動作によって信頼性のある測距デー
タが得られたときには、直ちに測距動作が完了されるこ
とになる。また、両測距を行うことで、より信頼性の高
い測距データを得る確率が高いものになる。この実施形
態の場合でも、受光データを取り込んでRAMに格納す
る工程を最小限の工程数に制限することができ、これに
より測距工数を低減し、測距時間を短縮することが可能
になる。
1〜S305の受光データの取り込み格納動作と、ステ
ップS306〜S308の受光データの取り込み格納動
作の順序を入れ換えてもよい。また、ステップS309
〜S311のパッシブ測距動作と、ステップS312〜
S314のアクティブ測距動作の順序を入れ換えてもよ
い。さらに、ステップS309〜S311のパッシブ測
距動作は、非投光時の受光データに基づいて行うように
してもよい。また、使用する受光データは、被写体の明
るさに応じて選択してもよい。
とアクティブセンサをCCD素子からなる1つのライン
センサで構成しているが、それぞれ独立したCCDアレ
イ素子、あるいはCCDラインセンサで構成してもよ
い。このように独立したセンサを用いた場合には、特に
パッシブ測距装置とアクティブ測距装置の各センサを前
記実施形態のように一列に配置する必要はなく、二列配
置の構成としてもよい。また、このように、各センサを
独立構成としたときには、各センサを同期して或いは独
立して駆動制御することも可能である。さらに、各レン
ズについてもそれぞれ独立した構成としてもよく、かつ
その配置も各センサの配置に対応して適切な配置構成と
してもよい。
を用いるカメラの測距装置としての適用はもとより、デ
ジタルカメラ、ビデオカメラ等の種々のカメラへの適用
が可能である。また、本発明の測距装置をAF装置と組
み合わせることにより、極めて高精度のAF撮影が実現
できることになる。
対して投光を行い、あるいは投光を行なわない状態での
受光手段による受光データの取込みを最大で2回行い、
この受光データに基づいてパッシブ測距動作とアクティ
ブ測距動作を行う構成としているので、パッシブ測距と
アクティブ測距を共に行なう場合でも、受光データを取
り込んでRAM等に格納するための工程を最大でも2回
に制限することができる。これにより本発明では、信頼
性の高い測距データを得ることができる一方で、測距工
数を低減し、測距時間を短縮することが可能になる。
の斜視図である。
の演算方法を説明するための模式構成図である。
タの演算方法を説明するための模式構成図である。
説明するための受光出力の特性図である。
ャートである。
ャートである。
ャートである。
のフローチャートである。
Claims (7)
- 【請求項1】 被写体に対して投光を行う投光手段と、
前記投光手段の投光時と非投光時に被写体を受光して受
光データを出力する受光手段と、前記受光手段の受光デ
ータに基づいてパッシブ測距動作とアクティブ測距動作
を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、前記受光手
段による受光データの取込みを最大で2回行い、前記受
光データに基づいて前記パッシブ測距動作とアクティブ
測距動作を行う構成であることを特徴とする測距装置。 - 【請求項2】 前記制御手段は、前記投光時の受光デー
タの取込みと、非投光時の受光データの取込みを行い測
距演算を行う構成であることを特徴とする請求項1に記
載の測距装置。 - 【請求項3】 前記制御手段は前記取込んだ受光データ
を記憶手段に記憶し、前記記憶手段から読み出して前記
測距演算を行う構成であることを特徴とする請求項2に
記載の測距装置。 - 【請求項4】 前記制御手段は、2つの受光センサの投
光時または非投光時の受光データに基づいて前記バッシ
ブ測距動作を行い、一つの受光センサの投光時及び非投
光時の受光データに基づいてアクティブ測距動作を行う
構成であることを特徴とする請求項2または3に記載の
測距装置。 - 【請求項5】 被写体を受光した第1の受光データを得
る工程と、前記被写体に投光を行って受光した第2の受
光データを得る工程と、前記第1、第2の受光データの
少なくとも一方の受光データでパッシブ測距動作を行う
工程と、前記第1及び第2の受光データでアクティブ測
距動作を行う工程とを含むことを特徴とする測距方法。 - 【請求項6】 前記第1及び第2の受光データを記憶手
段に記憶する工程と、前記記憶した受光データを前記記
憶手段から読み出して前記各測距動作を行う構成である
ことを特徴とする請求項5に記載の測距方法。 - 【請求項7】 前記アクティブ測距動作は、前記投光時
の受光データと、非投光時の受光データとに基づいて演
算を行って被写体像の重心位置を検出し、当該重心位置
に基づいて被写体距離を演算することを特徴とする請求
項5または6に記載の測距方法。
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