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JP2001358175A - Method of mounting electronic component and electronic component mounting unit - Google Patents

Method of mounting electronic component and electronic component mounting unit

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JP2001358175A
JP2001358175A JP2000181618A JP2000181618A JP2001358175A JP 2001358175 A JP2001358175 A JP 2001358175A JP 2000181618 A JP2000181618 A JP 2000181618A JP 2000181618 A JP2000181618 A JP 2000181618A JP 2001358175 A JP2001358175 A JP 2001358175A
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bonding
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chip
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一人 西田
Kazumichi Shimizu
一路 清水
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博之 大谷
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of mounting electronic components and an electronic component mounting unit, which can uniformize distribution, of a bonding material in bonding surfaces of the electronic components with respect to a circuit forming block and enhance the reliability of bonding and sealing. SOLUTION: Electronic components 1, 51 are bonded to circuit-forming blocks 6, 56 via resin-containing bonding materials 5, 55, with bumps 2, 52 on electronic component bonding surfaces making electrically contact electrodes 7, 57 of the circuit form blocks, and they are bonded thermally to cause the bonding materials to harden, while a bonding material flow regulating members 3, 53 on the electronic component bonding surfaces regulate the flow or the bonding materials toward the peripheral parts of the electronic component bonding surfaces.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板などの回路形
成体に半導体素子などの電子部品を少なくとも樹脂を含
む接合材料により接合固定する電子部品の実装方法及び
それにより製造された電子部品実装体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for mounting an electronic component such as a semiconductor element on a circuit formed body such as a substrate by using a bonding material containing at least a resin, and an electronic component mounted body manufactured by the method. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、矩形のICチップの接合面の電極
上に形成されたバンプを回路基板の電極に接触させると
ともに、ICチップと回路基板との間に接合材料を配置
して、接合材料によりICチップを回路基板に接合保持
させるようにしたものがある。
2. Description of the Related Art Conventionally, a bump formed on an electrode on a bonding surface of a rectangular IC chip is brought into contact with an electrode of a circuit board, and a bonding material is arranged between the IC chip and the circuit board. In some cases, an IC chip is bonded and held on a circuit board.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、矩形のICチップの接合面に配列された
バンプ間の配列の大きな隙間、又は、矩形の辺部分にバ
ンプが配列される場合にバンプが配列されていない角部
の隙間などにおいて、ICチップを接合材料を介して回
路基板に接合させるとき、ICチップと回路基板との間
に挟み込まれた接合材料がICチップのバンプ間の上記
隙間を通して ICチップの周囲部分に逃げ出すため、
ICチップの中央部分では接合材料の密度が疎になりや
すく、接合力及び封止力が低下してしまうことがある。
However, in the above-described structure, when the bumps are arranged in a large gap between the bumps arranged on the bonding surface of the rectangular IC chip, or when the bumps are arranged on the sides of the rectangle. When bonding an IC chip to a circuit board via a bonding material in a corner gap where no bumps are arranged, the bonding material sandwiched between the IC chip and the circuit board may cause the bonding material between the bumps of the IC chip. To escape to the surrounding area of the IC chip through the gap,
In the central portion of the IC chip, the density of the bonding material tends to be low, and the bonding force and the sealing force may be reduced.

【0004】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、回路形成体に対する接合時に電子部
品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、接合
及び封止の信頼性を高めることができる電子部品の実装
方法及び電子部品実装体を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to achieve a uniform distribution of a bonding material in a bonding surface of an electronic component at the time of bonding to a circuit forming body, and to perform bonding and sealing. An object of the present invention is to provide an electronic component mounting method and an electronic component mounted body that can enhance reliability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows.

【0006】本発明の第1態様によれば、少なくとも樹
脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する
工程と、上記電子部品の接合面の複数の凸状電極と上記
回路形成体の電極とが電気的に接触可能なように上記接
合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位置
決めする位置決め工程と、加熱及び加圧で上記電子部品
を熱圧着して、上記電子部品の上記凸状電極と上記回路
形成体の上記電極とが電気的に接触した状態で上記電子
部品の上記接合面と上記回路形成体との間の上記接合材
料を硬化させる本圧着工程とを備え、上記本圧着工程に
おいて、上記電子部品の上記接合面に備えられた接合材
料流動規制部材により、上記電子部品の上記接合面の周
辺部側への上記接合材料の流動を規制するようにしたこ
とを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
According to the first aspect of the present invention, a step of supplying a bonding material containing at least a resin to a circuit forming body or an electronic component, and a method of forming a plurality of convex electrodes on a bonding surface of the electronic component and the circuit forming body. A positioning step of positioning the electronic component and the circuit forming body via the bonding material so that the electrodes can be electrically contacted, and thermocompression-bonding the electronic component by heating and pressurizing; Main bonding step of curing the bonding material between the bonding surface of the electronic component and the circuit forming body in a state where the convex electrodes and the electrodes of the circuit forming body are in electrical contact with each other. In the final pressure bonding step, the joining material flow regulating member provided on the joining surface of the electronic component regulates the flow of the joining material toward the periphery of the joining surface of the electronic component. Characterized by To provide a method for mounting components.

【0007】本発明の第2態様によれば、少なくとも樹
脂を含む接合材料を回路形成体又は電子部品に供給する
工程と、上記電子部品の接合面の複数の電極上の複数の
バンプと上記回路形成体の電極とが電気的に接触可能な
ように上記接合材料を介して上記電子部品と上記回路形
成体とを位置決めする位置決め工程と、加熱及び加圧で
上記電子部品を熱圧着して、上記電子部品の上記電極上
の上記バンプと上記回路形成体の上記電極とが電気的に
接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回路形
成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程とを
備え、上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接
合面に備えられた接合材料流動規制部材により、上記電
子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動
を規制するようにしたことを特徴とする電子部品の実装
方法を提供する。
According to a second aspect of the present invention, a step of supplying a bonding material containing at least a resin to a circuit-forming body or an electronic component; A positioning step of positioning the electronic component and the circuit formed body via the bonding material so that the electrodes of the formed body can be electrically contacted, and thermocompression-bonding the electronic component by heating and pressing, A book for curing the bonding material between the bonding surface of the electronic component and the circuit forming body in a state where the bumps on the electrodes of the electronic component and the electrodes of the circuit forming body are in electrical contact with each other. A pressure bonding step, wherein in the final pressure bonding step, a flow of the bonding material toward a peripheral portion side of the bonding surface of the electronic component is controlled by a bonding material flow control member provided on the bonding surface of the electronic component. As Provides a method of mounting an electronic component, characterized in that the.

【0008】本発明の第3態様によれば、上記接合材料
流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バン
プ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間
隔部分に備えられたダミーバンプであり、上記本圧着工
程において、上記ダミーバンプにより、上記広幅間隔部
分における上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上
記接合材料の流動を規制する第2の態様に記載の電子部
品の実装方法を提供する。
According to a third aspect of the present invention, the joining material flow regulating member is provided at a wide interval where the interval between adjacent bumps on the joining surface of the electronic component is larger than the interval between other adjacent bumps. The electronic component according to the second aspect, wherein the dummy bumps are used, and in the final compression bonding step, the dummy bumps restrict the flow of the bonding material to a peripheral portion of the bonding surface of the electronic component in the wide gap portion. Provide an implementation method for.

【0009】本発明の第4態様によれば、上記接合材料
流動規制部材は、上記電子部品の矩形の接合面のうち対
向する2辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成さ
れている場合にバンプが無い他の対向する2辺にそれぞ
れ列状に備えられた上記接合材料流動規制部材としての
複数のダミーバンプであり、上記本圧着工程において、
上記ダミーバンプにより、上記他の対向する2辺におけ
る上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材
料の流動を規制する第2の態様に記載の電子部品の実装
方法を提供する。
According to a fourth aspect of the present invention, the bonding material flow regulating member is provided in a case where the plurality of bumps are formed in a row on two opposing sides of a rectangular bonding surface of the electronic component. There are a plurality of dummy bumps as a bonding material flow control member provided in a row on each of the other two opposite sides without bumps.
The electronic component mounting method according to the second aspect, wherein the dummy bumps restrict the flow of the bonding material toward the peripheral portion of the bonding surface of the electronic component on the other two opposite sides.

【0010】本発明の第5態様によれば、上記接合材料
流動規制部材は、上記電子部品の矩形の接合面のうち対
向する2対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成さ
れている場合にバンプが無いコーナー部に備えられた上
記接合材料流動規制部材としてのダミーバンプであり、
上記本圧着工程において、上記ダミーバンプにより、上
記コーナー部における上記電子部品の上記接合面の周辺
部側への上記接合材料の流動を規制する第1の態様に記
載の電子部品の実装方法を提供する。
According to a fifth aspect of the present invention, the bonding material flow regulating member is provided in a case where the plurality of bumps are formed on each of two opposing sides of a rectangular bonding surface of the electronic component. A dummy bump as a bonding material flow control member provided at a corner portion having no bump,
The electronic component mounting method according to the first aspect, wherein, in the final pressure bonding step, the dummy bumps restrict the flow of the bonding material to a peripheral portion of the bonding surface of the electronic component at the corner portion. .

【0011】本発明の第6態様によれば、上記接合材料
流動規制部材は、上記電子部品の矩形の接合面のうち中
央に一列の上記複数のバンプが形成されている場合にバ
ンプが無いコーナー部に備えられた上記接合材料流動規
制部材としてのダミーバンプであり、上記本圧着工程に
おいて、上記ダミーバンプにより、上記コーナー部にお
ける上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合
材料の流動を規制する第1の態様に記載の電子部品の実
装方法を提供する。
According to a sixth aspect of the present invention, when the plurality of bumps are formed in a row at the center of the rectangular joining surface of the electronic component, the joining material flow regulating member has no bump. A dummy bump as the bonding material flow regulating member provided in the portion, and in the main bonding step, the dummy bump causes the bonding material to flow toward the peripheral portion of the bonding surface of the electronic component at the corner portion. A method for mounting an electronic component according to the first aspect is provided.

【0012】本発明の第7態様によれば、上記接合材料
を上記回路形成体に供給する工程の前に、上記電子部品
の上記接合面に上記複数のバンプを形成する工程を備
え、上記バンプ形成工程において、上記接合材料流動規
制部材として、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ
間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔
部分に、ダミーバンプを備えるように形成する第2〜6
のいずれか1つの態様に記載の電子部品の実装方法を提
供する。
According to a seventh aspect of the present invention, before the step of supplying the bonding material to the circuit forming body, the method further comprises the step of forming the plurality of bumps on the bonding surface of the electronic component. In the forming step, as the bonding material flow regulating member, a second bump formed between the adjacent bumps on the bonding surface of the electronic component at a wide interval portion larger than the interval between other adjacent bumps is provided with a dummy bump. 6
The electronic component mounting method according to any one of the above aspects is provided.

【0013】本発明の第8態様によれば、上記電子部品
の上記バンプ間又は上記バンプと上記ダミーバンプとの
間のピッチのうちの最大ピッチPmaxと最小ピッチP
minとの関係が、αが1〜6の任意の値であるとき、
Pmax≦(Pmin×2α) となるようにダミー
バンプが備えられているようにした第2〜7のいずれか
1つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
According to an eighth aspect of the present invention, the maximum pitch Pmax and the minimum pitch P of the pitches between the bumps of the electronic component or between the bumps and the dummy bumps.
When α is an arbitrary value of 1 to 6,
An electronic component mounting method according to any one of the second to seventh aspects, wherein a dummy bump is provided so that Pmax ≦ (Pmin × 2α).

【0014】本発明の第9態様によれば、上記接合材料
流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部近
傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシベ
ーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接合
面の上記パッシベーション膜が無い部分に備えられた接
合材料流動規制膜であり、上記本圧着工程において、上
記接合材料流動規制膜により、上記電子部品の上記接合
面の上記パッシベーション膜が無い部分での上記接合材
料の流動速度の上昇を規制する第2〜8のいずれか1つ
の態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
According to a ninth aspect of the present invention, the joining material flow regulating member includes a passivation film in a rectangular area inside the row of the plurality of bumps near each side of the joining surface of the electronic component. In the case where the electronic component is provided, the electronic component is a bonding material flow control film provided in a portion where the passivation film is not provided on the bonding surface. The electronic component mounting method according to any one of the second to eighth aspects, wherein an increase in the flow speed of the bonding material in a portion where the passivation film is not provided on the bonding surface is provided.

【0015】本発明の第10態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部
近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシ
ベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接
合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部
分の矩形枠領域に備えられた補助パッシベーション膜で
あり、上記本圧着工程において、上記補助パッシベーシ
ョン膜により、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部
近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩形枠領域で
の上記接合材料の流動速度の上昇を規制する第2〜8の
いずれか1つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供
する。
According to a tenth aspect of the present invention, the joining material flow regulating member includes a passivation film in a rectangular area inside the row of the plurality of bumps near each side of the joining surface of the electronic component. If provided, the electronic component is an auxiliary passivation film provided in a rectangular frame region of a peripheral portion outside the row of bumps near the side of each side of the bonding surface of the electronic component. The auxiliary passivation film restricts an increase in the flow rate of the bonding material in a rectangular frame area around the outer side of the bump row near each side of the bonding surface of the electronic component. The electronic component mounting method according to any one of the above aspects is provided.

【0016】本発明の第11態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部
近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシ
ベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接
合面の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各
コーナー部にのみ備えられた大略矩形の補助パッシベー
ション膜であり、上記本圧着工程において、上記補助パ
ッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の
各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各
コーナー部での上記接合材料の流動速度の上昇を規制す
る第2〜8のいずれか1つの態様に記載の電子部品の実
装方法を提供する。
According to an eleventh aspect of the present invention, the bonding material flow regulating member includes a passivation film in a rectangular area inside the row of the plurality of bumps near each side of the bonding surface of the electronic component. If provided, it is a substantially rectangular auxiliary passivation film provided only at each corner of the outer peripheral portion of the row of bumps near the side of the bonding surface of the electronic component, and in the final pressure bonding step, The auxiliary passivation film regulates the flow rate of the bonding material at each corner of an outer peripheral portion of the row of bumps near the side of each side of the bonding surface of the electronic component. 8 provides a mounting method of the electronic component according to any one of aspects.

【0017】本発明の第12態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部
近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシ
ベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接
合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部
分と、上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から
外側の周辺部分のコーナー部までの領域に備えられた大
略矩形の補助パッシベーション膜であり、上記本圧着工
程において、上記補助パッシベーション膜により、上記
電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの
列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜の領域
のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの領
域での上記接合材料の流動速度の上昇を規制する第2〜
8のいずれか1つの態様に記載の電子部品の実装方法を
提供する。
According to a twelfth aspect of the present invention, the joining material flow regulating member includes a passivation film in a rectangular region inside the row of the plurality of bumps near each side of the joining surface of the electronic component. If provided, a peripheral portion outside the row of bumps in the vicinity of each side of the bonding surface of the electronic component, and a region from a corner portion of the passivation film region to a corner portion of the outer peripheral portion. The auxiliary passivation film of a substantially rectangular shape provided in the, in the main compression bonding step, by the auxiliary passivation film, a peripheral portion outside the row of the bumps near the side of each side of the bonding surface of the electronic component with the electronic component The second to the second to regulate the rise of the flow velocity of the bonding material in the region from the corner of the passivation film region to the corner of the outer peripheral portion.
8 provides a mounting method of the electronic component according to any one of aspects.

【0018】本発明の第13態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の接合面の各辺の辺部
近傍の上記複数のバンプの列の内側の矩形領域にパッシ
ベーション膜を備える場合には、上記電子部品の上記接
合面の上記バンプ以外の領域全てに備えられた補助パッ
シベーション膜であり、上記本圧着工程において、上記
補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記接
合面の上記バンプ以外の領域全てでの上記接合材料の流
動速度の上昇を規制する第2〜8のいずれか1つの態様
に記載の電子部品の実装方法を提供する。
According to a thirteenth aspect of the present invention, the joining material flow regulating member includes a passivation film in a rectangular region inside the row of the plurality of bumps near each side of the joining surface of the electronic component. If provided, it is an auxiliary passivation film provided in all regions other than the bumps on the bonding surface of the electronic component, and in the main compression bonding step, the auxiliary passivation film allows the bonding surface of the electronic component to An electronic component mounting method according to any one of the second to eighth aspects, wherein an increase in the flow rate of the bonding material in all regions other than the bumps is restricted.

【0019】本発明の第14態様によれば、上記接合材
料を上記回路形成体に供給する工程の前に、上記電子部
品の上記接合面に上記パッシベーション膜を形成する工
程を備え、上記パッシベーション膜形成工程において、
上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品の上記
接合面の上記パッシベーション膜が形成されていない領
域に補助パッシベーション膜を形成する第10〜13の
いずれか1つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供
する。
According to a fourteenth aspect of the present invention, before the step of supplying the bonding material to the circuit forming body, the method further comprises the step of forming the passivation film on the bonding surface of the electronic component. In the forming process,
The method for mounting an electronic component according to any one of the tenth to thirteenth aspects, wherein an auxiliary passivation film is formed as a region where the passivation film is not formed on the bonding surface of the electronic component as the bonding material flow regulating member. I will provide a.

【0020】本発明の第15態様によれば、電子部品の
接合面の複数の電極の複数のバンプを回路形成体の電極
に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む接合
材料を介して上記電子部品を上記回路形成体に接合させ
ることにより構成される電子部品実装体であって、上記
電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流
動を規制する接合材料流動規制部材を上記電子部品の上
記接合面に備えることを特徴とする電子部品実装体を提
供する。
According to the fifteenth aspect of the present invention, in a state where the plurality of bumps of the plurality of electrodes on the bonding surface of the electronic component are in electrical contact with the electrodes of the circuit forming body, the bonding is performed via the bonding material containing at least resin. An electronic component mounting body constituted by joining the electronic component to the circuit forming body, wherein a joining material flow regulating member for regulating a flow of the joining material to a peripheral portion side of the joining surface of the electronic component. Is provided on the bonding surface of the electronic component.

【0021】本発明の第16態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バ
ンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅
間隔部分に備えられたダミーバンプである第15の態様
に記載の電子部品実装体を提供する。
According to a sixteenth aspect of the present invention, the joining material flow regulating member is provided at a wide interval where the interval between adjacent bumps on the joining surface of the electronic component is larger than the interval between other adjacent bumps. The electronic component package according to the fifteenth aspect, wherein the electronic component package is a dummy bump.

【0022】本発明の第17態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の矩形の接合面のうち
対向する2辺にそれぞれ上記複数のバンプが列状に形成
されている場合にバンプが無い他の対向する2辺にそれ
ぞれ列状に備えられた上記接合材料流動規制部材として
の複数のダミーバンプである第15の態様に記載の電子
部品実装体を提供する。
According to a seventeenth aspect of the present invention, the bonding material flow regulating member is provided in a case where the plurality of bumps are formed in a row on two opposing sides of a rectangular bonding surface of the electronic component. The electronic component package according to the fifteenth aspect, wherein the plurality of dummy bumps as the bonding material flow control members provided in rows on the other two opposing sides without bumps.

【0023】本発明の第18態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の矩形の接合面のうち
対向する2対の辺のそれぞれに上記複数のバンプが形成
されている場合にバンプが無いコーナー部に備えられた
上記接合材料流動規制部材としてのダミーバンプである
第15の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
According to an eighteenth aspect of the present invention, the bonding material flow restricting member is provided in a case where the plurality of bumps are formed on two opposing sides of a rectangular bonding surface of the electronic component. The electronic component package according to the fifteenth aspect, which is a dummy bump as a bonding material flow control member provided at a corner portion having no bump.

【0024】本発明の第19態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の矩形の接合面のうち
中央に一列の上記複数のバンプが形成されている場合に
バンプが無いコーナー部に備えられた上記接合材料流動
規制部材としてのダミーバンプである第15の態様に記
載の電子部品実装体を提供する。
According to a nineteenth aspect of the present invention, the joining material flow regulating member is a corner having no bump when a row of the plurality of bumps is formed at the center of the rectangular joining surface of the electronic component. The electronic component package according to the fifteenth aspect, wherein the electronic component package is a dummy bump as a bonding material flow regulating member provided in a portion.

【0025】本発明の第20態様によれば、上記接合材
料流動規制部材はダミーバンプであって、上記電子部品
の上記バンプ間又は上記バンプと上記ダミーバンプとの
間のピッチのうちの最大ピッチPmaxと最小ピッチP
minとの関係が、αが1〜6の任意の値であるとき、
Pmax≦(Pmin×2α) となるようにダミー
バンプが備えられる第15〜19のいずれか1つの態様
に記載の電子部品実装体を提供する。
According to a twentieth aspect of the present invention, the bonding material flow regulating member is a dummy bump, and the maximum pitch Pmax of the pitch between the bumps of the electronic component or the pitch between the bump and the dummy bump is equal to the maximum pitch Pmax. Minimum pitch P
When α is an arbitrary value of 1 to 6,
The electronic component package according to any one of the fifteenth to nineteenth aspects, wherein a dummy bump is provided so that Pmax ≦ (Pmin × 2α).

【0026】本発明の第21態様によれば、上記電子部
品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の
内側の矩形領域にパッシベーション膜が備えられるとと
もに、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーショ
ン膜が無い部分に、上記接合材料流動規制部材として、
上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が
無い部分での上記接合材料の流動速度の上昇を規制する
接合材料流動規制膜を備える第15〜20のいずれか1
つの態様に記載の電子部品実装体を提供する。
According to a twenty-first aspect of the present invention, a passivation film is provided in a rectangular area inside the row of the plurality of bumps near the side of each side of the bonding surface of the electronic component, and In a portion of the bonding surface where the passivation film is not provided, as the bonding material flow regulating member,
Any one of the fifteenth to twentieth to the fifteenth to twentieth to the eleventh to twentieth to the eleventh to twentieth having a bonding material flow regulating film for restricting an increase in the flow speed of the bonding material in a portion of the electronic component where the passivation film is not provided.
An electronic component package according to one aspect is provided.

【0027】本発明の第22態様によれば、上記接合材
料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上
記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプ
の列の外側の周辺部分の矩形枠領域に備えられた補助パ
ッシベーション膜である第21の態様に記載の電子部品
実装体を提供する。
According to a twenty-second aspect of the present invention, the bonding material flow control film as the bonding material flow control member is provided outside the bump row near each side of the bonding surface of the electronic component. 21. The electronic component mounted body according to the twenty-first aspect, wherein the electronic component mounted body is an auxiliary passivation film provided in a rectangular frame region of a peripheral portion of the electronic component mounted on the electronic component.

【0028】本発明の第23態様によれば、上記接合材
料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上
記電子部品の上記接合面の辺部近傍の上記バンプの列の
外側の周辺部分の各コーナー部にのみ備えられた大略矩
形の補助パッシベーション膜である第21の態様に記載
の電子部品実装体を提供する。
According to a twenty-third aspect of the present invention, the bonding material flow control film as the bonding material flow control member includes a peripheral portion outside the row of bumps near a side of the bonding surface of the electronic component. 21. The electronic component mounted body according to the twenty-first aspect, wherein the substantially rectangular auxiliary passivation film is provided only at each corner.

【0029】本発明の第24態様によれば、上記接合材
料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上
記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプ
の列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション膜の領
域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部までの
領域に備えられた大略矩形の補助パッシベーション膜で
ある第21の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
According to a twenty-fourth aspect of the present invention, the joining material flow regulating film as the joining material flow regulating member is provided outside the row of bumps near each side of the joining surface of the electronic component. 21. The electronic component package according to the twenty-first aspect, wherein the electronic component mounted body is a substantially rectangular auxiliary passivation film provided in a region from a corner portion of the passivation film region to a corner portion of the outer peripheral portion. .

【0030】本発明の第25態様によれば、上記接合材
料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、上
記電子部品の上記接合面の上記バンプ以外の領域全てに
備えられた補助パッシベーション膜である第21の態様
に記載の電子部品実装体を提供する。
According to a twenty-fifth aspect of the present invention, the bonding material flow control film as the bonding material flow control member is an auxiliary passivation film provided in all regions other than the bumps on the bonding surface of the electronic component. The electronic component package according to the twenty-first aspect is provided.

【0031】本発明の第26態様によれば、上記接合材
料流動規制部材としての上記接合材料流動規制膜は、で
ある第21の態様に記載の電子部品実装体を提供する。
According to a twenty-sixth aspect of the present invention, there is provided the electronic component package according to the twenty-first aspect, wherein the joining material flow regulating film as the joining material flow regulating member is:

【0032】本発明の第27態様によれば、第2〜14
のいずれか1つの態様に記載の電子部品の実装方法によ
り製造された電子部品実装体を提供する。
According to the twenty-seventh aspect of the present invention, the second to fourteenth aspects
An electronic component mounted body manufactured by the electronic component mounting method according to any one of the above aspects.

【0033】本発明の第28態様によれば、接合面の複
数の電極に複数のバンプを備えるとともに、上記接合面
に、上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合
材料の流動を規制する接合材料流動規制部材を備えて、
上記接合面の上記複数の電極の上記複数のバンプを回路
形成体の電極に電気的に接触した状態で、少なくとも樹
脂を含む接合材料を介して上記回路形成体に接合されて
電子部品実装体を構成することを特徴とする電子部品を
提供する。
According to a twenty-eighth aspect of the present invention, a plurality of bumps are provided on the plurality of electrodes on the bonding surface, and the flow of the bonding material toward the peripheral portion of the bonding surface of the electronic component is formed on the bonding surface. With a joining material flow regulating member that regulates
In a state where the plurality of bumps of the plurality of electrodes on the bonding surface are in electrical contact with the electrodes of the circuit forming body, the electronic component mounted body is bonded to the circuit forming body via a bonding material containing at least a resin. Provided is an electronic component characterized by comprising.

【0034】本発明の第29態様によれば、上記接合材
料流動規制部材は、上記電子部品の上記接合面の隣接バ
ンプ間の間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅
間隔部分に備えられたダミーバンプである第28の態様
に記載の電子部品を提供する。
According to a twenty-ninth aspect of the present invention, the joining material flow regulating member is provided at a wide interval where the interval between adjacent bumps on the joining surface of the electronic component is larger than the interval between other adjacent bumps. The electronic component according to the twenty-eighth aspect, wherein the electronic component is a dummy bump.

【0035】本発明の第30態様によれば、上記電子部
品の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプの列の
内側の矩形領域にパッシベーション膜が備えられるとと
もに、上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーショ
ン膜が無い部分に、上記接合材料流動規制部材として、
上記電子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が
無い部分での上記接合材料の流動速度の上昇を規制する
接合材料流動規制膜を備える第28又は29の態様に記
載の電子部品を提供する。
According to the thirtieth aspect of the present invention, a passivation film is provided in a rectangular area inside the row of the plurality of bumps near the side of each side of the bonding surface of the electronic component, and In a portion of the bonding surface where the passivation film is not provided, as the bonding material flow regulating member,
The electronic component according to the twenty-eighth or twenty-ninth aspect, further comprising a bonding material flow control film that controls an increase in a flow speed of the bonding material in a portion of the electronic component where the passivation film does not exist on the bonding surface.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各平面図に
おいて各バンプ及びダミーバンプは、簡略化のため、矩
形で示すが、実際の形状はこれに限られるものではな
い。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In each plan view, each bump and dummy bump are shown as rectangles for simplification, but the actual shape is not limited to this.

【0037】(第1実施形態)本発明の第1実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
1〜図2に基づいて説明する。図1(a)及び(b)は
第1実施形態にかかるICチップの実装方法の接合工程
前の上記ICチップの側面図及び裏面図であり、(c)
は接合工程でのICチップと回路基板と接合材料の側面
図であり、図2は圧着工程での接合材料の流動状態を示
し、ICチップを透視して回路基板上での接合材料の動
きを示す平面図である。また、図3(a)及び(b)は
第1実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品
の実装方法の接合工程前の上記ICチップの側面図及び
裏面図であり、図4(a)は接合工程でのICチップと
回路基板と接合材料の側面図であり、図4(b)は圧着
工程での接合材料の流動状態を示し、ICチップを透視
して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図であ
る。
(First Embodiment) As an example of an electronic component mounting method according to a first embodiment of the present invention and an electronic component mounting body manufactured by the method, an IC chip mounting method and an IC chip manufactured by the method are manufactured. An IC chip mounted body will be described with reference to FIGS. FIGS. 1A and 1B are a side view and a back view of the IC chip before a bonding step of the IC chip mounting method according to the first embodiment, and FIG.
FIG. 2 is a side view of an IC chip, a circuit board, and a bonding material in a bonding process. FIG. 2 shows a flow state of the bonding material in a pressure bonding process, and shows movement of the bonding material on the circuit board through the IC chip. FIG. FIGS. 3A and 3B are a side view and a back view of the IC chip before a bonding step of a method of mounting an electronic component according to a conventional example for explaining the first embodiment. FIG. 4A is a side view of an IC chip, a circuit board, and a bonding material in a bonding step, and FIG. 4B shows a flow state of the bonding material in a pressure bonding step. It is a top view which shows the movement of a joining material.

【0038】上記ICチップの実装方法は、図1及び図
2に示すように、電子部品の一例としての正方形又は矩
形のICチップ1(図1では正方形のICチップ1)の
接合面において、その四隅のコーナー部を除く4辺の各
辺部の端縁近傍部分に辺と大略平行にかつ大略等間隔に
一列のバンプ2,…,2を有するものであって、ICチ
ップ1の接合面の上記辺部近傍のうちのバンプ2の無い
箇所(図1(b)ではICチップ1の4辺のうちの上下
の2辺の辺部近傍のうちのバンプ2の無い箇所)に接合
材料流動規制部材の一例としてのダミーバンプ3を形成
して、ダミーバンプ3により接合材料5の流動規制を行
うものである。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the mounting method of the above-described IC chip is as follows: a bonding surface of a square or rectangular IC chip 1 (square IC chip 1 in FIG. A row of bumps 2,..., 2 in a row near the edge of each of the four sides except for the corners of the four corners, being substantially parallel to the side and at substantially equal intervals. In the vicinity of the above-mentioned side, there is no bump 2 (in FIG. 1B, there is no bump 2 in the vicinity of the upper and lower two sides of the four sides of the IC chip 1), and the flow of the bonding material is restricted. A dummy bump 3 as an example of a member is formed, and the flow of the bonding material 5 is regulated by the dummy bump 3.

【0039】従来では、図3及び図4に示すように、正
方形のICチップ101の対向する2辺(図3(b)で
は上下の2辺)の辺部近傍のそれぞれにおいて、電極1
04,…,104上にバンプ102,…,102が大略
等間隔に配列されている中でバンプ102が欠けている
位置103、言い換えれば、隣接するバンプ102,1
02との間隔が他の間隔より大きく離れている広幅間隔
部分103があると仮定する。このようにバンプ10
2,…,102がICチップ101に配置されている状
態で、接合材料105を回路基板106に供給したの
ち、図4に示すように、接合面の電極104上にバンプ
102が形成されたICチップ101の上記接合面と上
記回路基板106との間に上記接合材料105を介し
て、上記ICチップ101の上記電極104上の上記バ
ンプ102と上記回路基板106の電極107とが電気
的に接触するように接合し、基台110上に上記回路基
板106を載置し、ICチップ101に加熱された押圧
部材108を当接させて加圧することにより、加熱及び
加圧状態で上記ICチップ101を圧着して上記ICチ
ップ101の上記接合面と上記回路基板106との間の
上記接合材料105を硬化させる。このような場合、大
略等間隔に配列されているバンプ102,…,102間
の隙間よりも、バンプ102が欠けている広幅間隔部分
103から接合材料105が上記ICチップ101の上
記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、ICチップ1
01の中央部分では他の部分よりも接合材料105の密
度が疎になり、接合力及び封止力が低下することにな
る。
Conventionally, as shown in FIG. 3 and FIG. 4, the electrode 1 is placed near two opposing sides of the square IC chip 101 (upper and lower sides in FIG. 3B).
, 104 are arranged at substantially equal intervals, the position 103 where the bump 102 is missing, in other words, the adjacent bump 102, 1
It is assumed that there is a wide interval portion 103 in which the interval from the distance 02 is larger than the other intervals. Thus, the bump 10
After the bonding material 105 is supplied to the circuit board 106 in a state where the IC chips 101 are arranged on the IC chip 101, as shown in FIG. The bump 102 on the electrode 104 of the IC chip 101 and the electrode 107 of the circuit board 106 are electrically contacted between the bonding surface of the chip 101 and the circuit board 106 via the bonding material 105. The circuit board 106 is placed on a base 110, and the IC chip 101 is pressed and heated by pressing the heated pressing member 108 against the IC chip 101. Is pressed to cure the bonding material 105 between the bonding surface of the IC chip 101 and the circuit board 106. In such a case, the bonding material 105 is applied to the periphery of the bonding surface of the IC chip 101 from the wide space 103 where the bump 102 is missing, rather than the gap between the bumps 102,... IC chip 1
In the central portion of No. 01, the density of the bonding material 105 is lower than in the other portions, and the bonding force and the sealing force are reduced.

【0040】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第1実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図1(a),(b)に示すように、ICチップ1
の4辺のうちの対向する2辺(図1(b)では上下の2
辺)の辺部近傍のそれぞれにおいて、バンプ2,…,2
が大略等間隔に配列されている中でバンプ2が欠けてい
る広幅間隔部分(図3及び図4の103参照)、言い換
えれば、隣接するバンプ2,2との間隔が他の間隔より
大きく離れている位置にダミーバンプ3を他のバンプ2
と同様に形成して大略等間隔にバンプ2が配列されてい
るようにする。この結果、ICチップ1の上記対向する
2辺(図1(b)では上下の2辺)が、ICチップ1の
対向する別の2辺(図1(b)では左右の2辺)の辺部
近傍のそれぞれにおいてバンプ2が欠けることなくバン
プ2,…,2が大略等間隔に配列されている状態と同様
な状態となる。
In order to prevent such a decrease in the bonding force and the sealing force, in the first embodiment, before the bonding material supplying step, as shown in FIGS. 1
Of the four sides (the upper and lower two sides in FIG.
In each of the neighborhoods of the sides of the (side), the bumps 2,.
Are arranged at substantially equal intervals, and a wide interval portion where the bump 2 is missing (see 103 in FIGS. 3 and 4), in other words, the interval between the adjacent bumps 2 and 2 is larger than other intervals. Place the dummy bump 3 in the other bump 2
And the bumps 2 are arranged at substantially equal intervals. As a result, the two opposite sides of the IC chip 1 (the upper and lower sides in FIG. 1B) are the other two opposite sides of the IC chip 1 (the left and right sides in FIG. 1B). In the vicinity of each part, a state similar to the state in which the bumps 2,.

【0041】なお、各バンプ2及び各ダミーバンプ3が
形成される方法は、後述するように図30に示すバンプ
形成方法などがある。
As a method for forming each bump 2 and each dummy bump 3, there is a bump forming method shown in FIG.

【0042】このようにバンプ2,…,2が形成されて
いる状態で、接合材料供給工程において、ICチップ1
の接合面又は回路形成体の一例としての回路基板6のI
Cチップ接合領域6aの少なくともいずれか一方に、少
なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料5を供給
する。接合材料5の供給方法としては、接合材料5が液
体の場合には塗布することにより行い、接合材料5がシ
ート状になどの固体の場合には載置又は貼り付けること
により行う。
With the bumps 2,..., 2 thus formed, in the bonding material supply step, the IC chip 1
Of the circuit board 6 as an example of the bonding surface of
A bonding material 5 containing at least an insulating thermosetting resin is supplied to at least one of the C chip bonding regions 6a. When the bonding material 5 is liquid, it is applied by applying, and when the bonding material 5 is a solid such as a sheet, it is mounted or attached.

【0043】接合材料の一例としては、液体状の場合に
は異方性導電ペースト又は封止樹脂ペーストなどがあ
り、固体状の場合にはシート状の異方性導電膜又は封止
樹脂フィルムなどがある。
Examples of the bonding material include an anisotropic conductive paste or a sealing resin paste in a liquid state, and a sheet-like anisotropic conductive film or a sealing resin film in a solid state. There is.

【0044】なお、この明細書で回路形成体とは、樹脂
基板、紙−フェノール基板、セラミック基板、フィルム
基板、ガラス・エポキシ(ガラエポ)基板、フィルム基
板などの回路基板、単層基板若しくは多層基板などの回
路基板、部品、筐体、又は、フレームなど、回路が形成
されている対象物を意味する。
In this specification, a circuit-formed body is a circuit board such as a resin board, a paper-phenol board, a ceramic board, a film board, a glass epoxy (glass epoxy) board, a film board, a single-layer board or a multilayer board. Means an object on which a circuit is formed, such as a circuit board, a component, a housing, or a frame.

【0045】次いで、接合工程において、接合材料5を
間に挟んで回路基板6のICチップ接合領域6aにIC
チップ1の接合面を重ね合わせて、上記各電極4上にバ
ンプ2が形成されたICチップ1の上記接合面と上記回
路基板6のICチップ接合領域6aとの間に上記接合材
料5を介して、上記ICチップ1の上記各電極4上の上
記バンプ2と上記回路基板6の各電極7とが電気的に接
触するように位置決めしたのち接合する。この接合工程
は、回路基板6が基台10上に載置された状態で行うよ
うにしてもよいし、別の個所で接合材料5を介してIC
チップ1が回路基板6に重ね合わされて接合工程を行っ
たのち、本圧着工程において、接合材料5を介してIC
チップ1が重ね合わされている回路基板6が基台10上
に載置されるようにしてもよい。
Then, in the bonding step, the IC chip bonding region 6a of the circuit board 6 is sandwiched with the bonding material 5 therebetween.
The bonding surfaces of the chip 1 are overlapped, and the bonding material 5 is interposed between the bonding surface of the IC chip 1 having the bumps 2 formed on the electrodes 4 and the IC chip bonding region 6 a of the circuit board 6. Then, the bumps 2 on the electrodes 4 of the IC chip 1 and the electrodes 7 of the circuit board 6 are positioned so as to be in electrical contact with each other and then joined. This bonding step may be performed in a state where the circuit board 6 is mounted on the base 10 or at another place via the bonding material 5 through the IC.
After the chip 1 is superimposed on the circuit board 6 and subjected to the bonding step, in the final pressure bonding step, the IC 1
The circuit board 6 on which the chip 1 is superimposed may be placed on the base 10.

【0046】次いで、本圧着工程において、押圧部材8
をICチップ1に当接させて、接合材料5を介してIC
チップ1が重ね合わされている回路基板6が載置された
基台10に向けて押圧部材8から押圧力を作用させると
ともに、押圧部材8内に内蔵されたヒータの熱を押圧部
材8からICチップ1に伝達する。この結果、所定温度
を加えつつ所定の加圧力を作用させて、ICチップ1の
接合面を回路基板6のICチップ接合領域6aに押圧す
ることにより、ICチップ1の接合面の各電極4上のバ
ンプ2が回路基板6のICチップ接合領域6a内の各電
極7に接合工程時よりもさらに接触する。このとき、上
記ICチップ1の上記接合面と上記回路基板6のICチ
ップ接合領域6aとの間の上記接合材料5を、上記IC
チップ1の上記接合面の中央部から周辺部へ向けて押し
出そうとする。ここで、上記したようにバンプ2が欠け
ている広幅間隔部分にダミーバンプ3が配置されている
結果として、ICチップ1の上記接合面の各辺の辺部近
傍においては、いずれの辺の辺部近傍でも同様にバンプ
2,…,2及びダミーバンプ3が大略等間隔に配置され
ており、図2に矢印で示すように各辺の辺部近傍におい
て同様に接合材料5の中央部から周辺部へ向けての流動
が規制されて、不均一に接合材料5が流動するのを防止
し、少なくともICチップ1の接合面全体において接合
材料5が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化さ
せられてICチップ実装体を製造することができる。す
なわち、上記本圧着工程において、上記ICチップ1に
備えられたダミーバンプ3により、上記ICチップ1の
上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材
料5の不均一な押し出しを規制することができる。
Next, in the final pressing step, the pressing member 8
Is brought into contact with the IC chip 1 and the IC
A pressing force is applied from the pressing member 8 to the base 10 on which the circuit board 6 on which the chip 1 is superimposed is placed, and the heat of the heater built in the pressing member 8 is transferred from the pressing member 8 to the IC chip. Transmit to 1. As a result, by applying a predetermined pressing force while applying a predetermined temperature to press the bonding surface of the IC chip 1 against the IC chip bonding region 6a of the circuit board 6, the bonding surface of the IC chip 1 Bump 2 contacts each electrode 7 in the IC chip bonding area 6a of the circuit board 6 more than in the bonding step. At this time, the bonding material 5 between the bonding surface of the IC chip 1 and the IC chip bonding area 6a of the circuit board 6 is transferred to the IC chip.
An attempt is made to extrude the chip 1 from the center to the periphery of the bonding surface. Here, as described above, as a result of the dummy bumps 3 being arranged in the wide gap portions where the bumps 2 are missing, in the vicinity of the sides of each side of the bonding surface of the IC chip 1, Also in the vicinity, the bumps 2,..., 2 and the dummy bumps 3 are similarly arranged at substantially equal intervals, and similarly from the center to the periphery of the bonding material 5 in the vicinity of each side as shown by arrows in FIG. The flow of the bonding material 5 is regulated to prevent the bonding material 5 from flowing unevenly, and the bonding material 5 is distributed and maintained substantially uniformly over at least the entire bonding surface of the IC chip 1 and is cured by the heat. An IC chip mounted body can be manufactured. That is, in the final press-bonding step, the dummy bumps 3 provided on the IC chip 1 restrict the uneven extrusion of the bonding material 5 when the IC chip 1 is bonded from the central portion to the peripheral portion of the bonding surface. can do.

【0047】上記接合材料流動規制部材の例としての各
ダミーバンプ3の高さは、ICチップ1と回路基板6と
の接合後のICチップ1と回路基板6との間の間隔の1
0%〜30%が好ましく、一例として20%が好まし
い。具体的な数値例として、接合後のICチップ1と回
路基板6との間の間隔の高さ寸法が30μm〜40μm
のとき、ダミーバンプ3の高さは7μm程度とする。
The height of each of the dummy bumps 3 as an example of the above-mentioned bonding material flow control member is one of the distance between the IC chip 1 and the circuit board 6 after the bonding between the IC chip 1 and the circuit board 6.
0% to 30% is preferable, and 20% is preferable as an example. As a specific numerical example, the height of the gap between the IC chip 1 and the circuit board 6 after bonding is 30 μm to 40 μm.
In this case, the height of the dummy bumps 3 is about 7 μm.

【0048】各ダミーバンプ3としては耐熱性を有する
ものが好ましい。耐熱性の一例としては、例えば、リフ
ロー工程が不要な場合には200℃で20秒、リフロー
工程を通過させる場合には250℃で10秒程度の熱に
耐える性質を意味する。
Each of the dummy bumps 3 preferably has heat resistance. As an example of the heat resistance, it means a property of withstanding heat at 200 ° C. for 20 seconds when the reflow step is unnecessary, and at 250 ° C. for about 10 seconds when passing through the reflow step.

【0049】また、接合材料5としては、絶縁性の熱硬
化性樹脂のみから構成するものに限らず、絶縁性樹脂中
に導電性粒子を含む導電性材料を含むようにしてもよい
し、無機フィラーを含むようにしてもよい。このように
接合材料5に、導電性材料又は無機フィラーを含める場
合においても、ダミーバンプ3により、圧着時に樹脂の
流動がICチップ1の接合面内で均一化されて、導電性
材料又は無機フィラーを均一に配置することができる。
これに対して、ダミーバンプ3が無い場合には、無機フ
ィラーが添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流
動が不均一になると無機フィラーが粗密になり、部分的
に樹脂物性が異なることにより品質が劣化しやすい場合
があり、導電性材料が添加された樹脂においては、圧着
時の樹脂の流動が不均一になると、導電性材料が粗密に
なり部分的にショートを生じる場合がある。
Further, the bonding material 5 is not limited to a material composed of only an insulating thermosetting resin, but may include a conductive material containing conductive particles in the insulating resin, or may include an inorganic filler. It may be included. Thus, even when the conductive material or the inorganic filler is included in the bonding material 5, the flow of the resin is uniformized in the bonding surface of the IC chip 1 at the time of the pressure bonding by the dummy bumps 3, and the conductive material or the inorganic filler is removed. They can be arranged uniformly.
On the other hand, in the case where the dummy bump 3 is not provided, in the resin to which the inorganic filler is added, if the flow of the resin at the time of pressure bonding becomes uneven, the inorganic filler becomes coarse and dense, and the resin properties are partially different. The quality may be easily deteriorated, and in the case of a resin to which a conductive material has been added, if the flow of the resin at the time of press bonding becomes uneven, the conductive material may become coarse and dense, causing a partial short circuit.

【0050】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ1の各バンプ2と回路基板6の各電極7
とが接触するように記載したが、これに限られるもので
はなく、接合工程ではICチップ1の各バンプ2と回路
基板6の各電極7とが接触せず、本圧着工程で初めてI
Cチップ1の各バンプ2と回路基板6の各電極7とが接
触するようにしてもよい。
In the above description, in the bonding process, each bump 2 of the IC chip 1 and each electrode 7 of the circuit board 6 are used.
However, the present invention is not limited to this. Each bump 2 of the IC chip 1 does not come into contact with each electrode 7 of the circuit board 6 in the bonding step, and the first pressing is performed in the final pressure bonding step.
Each bump 2 of the C chip 1 and each electrode 7 of the circuit board 6 may be in contact with each other.

【0051】上記第1実施形態によれば、正方形又は矩
形のICチップ1の接合面において、その四隅のコーナ
ー部を除く4辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列の
バンプ2,…,2を有するものであって、ICチップ1
の接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ2の無い箇所に
ダミーバンプ3を形成することによって、バンプ2,
…,2の配列状態をICチップ1の各辺の辺部近傍とも
大略同一にすることができて、上記圧着工程での上記I
Cチップ1の上記接合面と上記回路基板6のICチップ
接合領域6aとの間の上記接合材料5の中央部から周辺
部への接合材料5の流動時にダミーバンプ3が接合材料
流動規制部材として機能し、ICチップ1の各辺の辺部
近傍での上記接合材料5の中央部から周辺部への流動の
大略均一化を図り、かつ、ICチップ1の接合面内での
接合材料5の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接
合及び封止の信頼性を高めることができる。
According to the first embodiment, on the bonding surface of the square or rectangular IC chip 1, one row of bumps 2, , 2 and the IC chip 1
By forming a dummy bump 3 in a portion where the bump 2 does not exist near the side of the above-mentioned side of the bonding surface of the bump 2,
, 2 can be made substantially the same in the vicinity of each side of the IC chip 1, and the I
When the bonding material 5 flows from the central portion to the peripheral portion of the bonding material 5 between the bonding surface of the C chip 1 and the IC chip bonding region 6a of the circuit board 6, the dummy bump 3 functions as a bonding material flow regulating member. The flow of the bonding material 5 from the central portion to the peripheral portion in the vicinity of each side of the IC chip 1 is substantially uniform, and the distribution of the bonding material 5 in the bonding surface of the IC chip 1 Can be achieved, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0052】上記接合材料流動規制部材の一例としての
ダミーバンプは、ICチップ1の接合面での配置位置は
上記対向する一対の辺部近傍に限定されるものではな
く、いずれか1つの辺部近傍のバンプ2,…,2の列に
おいて、隣接するバンプ2,2との間隔が他の間隔より
大きく離れている位置にダミーバンプ3を他のバンプ2
と同様に形成して大略等間隔にバンプ2が配列されてい
るようにすればよい。
The position of the dummy bump as an example of the bonding material flow regulating member on the bonding surface of the IC chip 1 is not limited to the vicinity of the pair of opposing sides, but may be the vicinity of any one of the sides. In the row of bumps 2,... 2, the dummy bump 3 is placed at a position where the distance between the adjacent bumps 2, 2 is larger than the other distance.
And the bumps 2 may be arranged at substantially equal intervals.

【0053】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、以下に示すように、その他種々の態様で
実施できる。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented in various other modes as described below.

【0054】(第2実施形態)本発明の第2実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
5に基づいて説明する。図5(a)及び(b)は第2実
施形態にかかるICチップの実装方法の接合工程前の上
記ICチップの側面図及び裏面図であり、(c)は接合
工程でのICチップと回路基板と接合材料の側面図であ
り、(d)は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、
ICチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを
示す平面図である。また、図6(a)及び(b)は第2
実施形態を説明するための従来例にかかるICチップの
実装方法の接合工程前の上記ICチップの側面図及び裏
面図であり、(c)は接合工程でのICチップと回路基
板と接合材料の側面図であり、(d)は圧着工程での接
合材料の流動状態を示し、ICチップを透視して回路基
板上での接合材料の動きを示す平面図である。
(Second Embodiment) An IC chip mounting method as an example of an electronic component mounting method according to a second embodiment of the present invention and an electronic component mounted body manufactured by the method, and an electronic component mounted body manufactured by the method. An IC chip mounted body will be described with reference to FIG. FIGS. 5A and 5B are a side view and a back view of the IC chip before the bonding step in the method for mounting an IC chip according to the second embodiment, and FIG. 5C shows the IC chip and circuit in the bonding step. It is a side view of a board | substrate and a joining material, (d) shows the flow state of the joining material in a press bonding process,
FIG. 4 is a plan view showing movement of a bonding material on a circuit board through an IC chip. FIGS. 6A and 6B show the second example.
It is a side view and a back view of the above-mentioned IC chip before a joining process of a mounting method of an IC chip concerning a conventional example for explaining an embodiment. It is a side view, (d) is a top view which shows the flow state of the bonding material in a press-fitting process, and shows the movement of the bonding material on a circuit board through an IC chip.

【0055】上記第1実施形態においては、正方形又は
矩形のICチップ1の4辺の各辺の辺部近傍に一列のバ
ンプ2,…,2を有するものであったが、これに限られ
るものではない。例えば、第2実施形態では、図5に示
すように、電子部品の一例としての長方形のICチップ
11の接合面において、4辺のうちの対向する2辺(図
5(b)では左右の2辺)の辺部近傍にのみそれぞれ辺
と大略平行にかつ大略等間隔に一列のバンプ12,…,
12を有するものであって、ICチップ11の接合面の
残りの2辺(図5(b)では上下の2辺)の辺部近傍、
すなわち、バンプ12の無い部分にのみそれぞれ、接合
材料流動規制部材の一例として、辺と大略平行にかつ大
略等間隔に一列のダミーバンプ13,…,13を形成し
て、ダミーバンプ13により接合材料15の流動規制を
行うものである。
In the first embodiment, the bumps 2,..., 2 are arranged in a row near the four sides of the square or rectangular IC chip 1. However, the present invention is not limited to this. is not. For example, in the second embodiment, as shown in FIG. 5, on a bonding surface of a rectangular IC chip 11 as an example of an electronic component, two opposing sides (four left and right sides in FIG. ), A row of bumps 12,...
12 near the remaining two sides (upper and lower sides in FIG. 5B) of the bonding surface of the IC chip 11,
That is, as an example of a bonding material flow control member, a row of dummy bumps 13,..., 13 is formed substantially in parallel with the sides and at substantially equal intervals only at portions where no bumps 12 are provided. It regulates the flow.

【0056】従来では、図6に示すように、長方形のI
Cチップ111の対向する2辺(図6(b)では左右の
2辺)の辺部近傍のそれぞれにおいて電極114,…,
114上にバンプ112,…,112が大略等間隔に配
列されている一方、ICチップ111の接合面の残りの
2辺(図6(b)では上下の2辺)の辺部近傍113,
113にはバンプ112が全く無いと仮定する。このよ
うにバンプ112,…,112がICチップ111に配
置されている状態で、接合材料115を回路基板116
に供給したのち、接合面の電極114上にバンプ112
が形成されたICチップ111の上記接合面と上記回路
基板116との間に上記接合材料115を介して、上記
ICチップ111の上記電極114上の上記バンプ11
2と上記回路基板116の電極117とが電気的に接触
するように接合し、基台120上に上記回路基板116
を載置し、ICチップ111に加熱された押圧部材11
8を当接させて加圧することにより、加熱及び加圧状態
で上記ICチップ111を圧着して上記ICチップ11
1の上記接合面と上記回路基板116との間の上記接合
材料115を硬化させる。このような場合、大略等間隔
に配列されているバンプ112,…,112が配置され
ている辺部近傍よりも、バンプ112が欠けている位置
113の辺部近傍から接合材料115が上記ICチップ
111の上記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、I
Cチップ111の中央部分では接合材料115の密度が
疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
Conventionally, as shown in FIG.
The electrodes 114,..., In the vicinity of two opposing sides (two right and left sides in FIG.
The bumps 112,..., 112 are arranged on the 114 at substantially equal intervals, while the other two sides (the upper and lower sides in FIG.
Assume that 113 has no bumps 112 at all. In a state where the bumps 112,..., 112 are arranged on the IC chip 111, the bonding material 115 is applied to the circuit board 116.
And then the bumps 112 are formed on the electrodes 114 on the bonding surface.
The bump 11 on the electrode 114 of the IC chip 111 is interposed between the bonding surface of the IC chip 111 on which the
2 and the electrodes 117 of the circuit board 116 are joined so as to be in electrical contact with each other.
And the pressing member 11 heated on the IC chip 111
8 is pressed against the IC chip 111 in a heated and pressurized state.
The bonding material 115 between the bonding surface 1 and the circuit board 116 is cured. In such a case, the bonding material 115 is applied to the IC chip from the vicinity of the side of the position 113 where the bump 112 is missing rather than the vicinity of the side where the bumps 112,... 111 flows largely to the periphery of the above-mentioned bonding surface,
In the central portion of the C chip 111, the density of the bonding material 115 becomes low, and the bonding force and the sealing force decrease.

【0057】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第2実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図5(a),(b)に示すように、長方形のIC
チップ11のバンプ12が無い、対向する2辺(図5
(a),(b)では上下の長辺である2辺)の辺部近傍
のそれぞれにおいて、辺部近傍113,113にダミー
バンプ13,…,13を他のバンプ12,…,12が配
列されている短辺の辺部近傍と同様に大略等間隔に一列
に形成する。この結果、長方形のICチップ11の上記
対向する2辺(図5(b)では左右の短辺の2辺)の辺
部近傍と長方形のICチップ11の対向する別の2辺
(図5(b)では上下の長辺の2辺)の辺部近傍のそれ
ぞれにおいてバンプ12が全く無いといったことがな
く、全ての辺部近傍において大略均一にバンプ12,
…,12又はダミーバンプ13,…,13が一列にそれ
ぞれ配列されている状態となる。
In order to prevent such a decrease in the joining force and the sealing force, in the second embodiment, as shown in FIGS. IC
The two opposing sides of the chip 11 without the bumps 12 (FIG. 5)
In (a) and (b), near each side of the upper and lower long sides (near sides), dummy bumps 13,..., And other bumps 12,. As in the vicinity of the short side, which is close to the short side, they are formed in a line at substantially equal intervals. As a result, the vicinity of the two opposing sides of the rectangular IC chip 11 (the two short sides on the left and right in FIG. 5B) and the other two opposing sides of the rectangular IC chip 11 (FIG. In b), there is no absence of the bumps 12 in the vicinity of the upper and lower long sides (two sides).
, 12 or the dummy bumps 13,..., 13 are arranged in a line.

【0058】なお、各バンプ12及び各ダミーバンプ1
3が形成される方法は、第1実施形態と同様である。
Each bump 12 and each dummy bump 1
The method for forming 3 is the same as in the first embodiment.

【0059】このようにバンプ12,…,12又はダミ
ーバンプ13,…,13の列が長方形のICチップ11
の各辺部近傍に形成されている状態で、接合材料供給工
程において、ICチップ11の接合面又は回路形成体の
一例としての回路基板16のICチップ接合領域16a
の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬
化性樹脂を含む接合材料15を供給する。接合材料15
の供給方法は第1実施形態と同様である。
In this manner, the bumps 12,..., 12 or the dummy bumps 13,.
In the bonding material supply step, the IC chip bonding region 16a of the circuit board 16 as an example of the bonding surface of the IC chip 11 or the circuit forming body is formed in the vicinity of each side of the IC chip.
Is supplied with a bonding material 15 containing at least an insulating thermosetting resin. Joining material 15
Is the same as in the first embodiment.

【0060】次いで、接合工程において、接合材料15
を間に挟んで回路基板16のICチップ接合領域16a
にICチップ11の接合面を重ね合わせて、上記各電極
14上にバンプ12が形成されたICチップ11の上記
接合面と上記回路基板16のICチップ接合領域16a
との間に上記接合材料15を介して、上記ICチップ1
1の上記各電極14上の上記バンプ12と上記回路基板
16の各電極17とが電気的に接触するように位置合わ
せしたのち接合する。この接合工程は、回路基板16が
基台20上に載置された状態で行うようにしてもよい
し、別の個所で接合材料15を介してICチップ11が
回路基板16に重ね合わされて接合工程を行ったのち、
本圧着工程において、接合材料15を介してICチップ
11が重ね合わされている回路基板16が基台20上に
載置されるようにしてもよい。
Next, in the joining step, the joining material 15
IC chip bonding area 16a of circuit board 16 with
The bonding surface of the IC chip 11 in which the bumps 12 are formed on the respective electrodes 14 and the IC chip bonding region 16a of the circuit board 16 are overlapped.
And the IC chip 1 via the bonding material 15.
The bumps 12 on each of the electrodes 14 and the electrodes 17 on the circuit board 16 are positioned so as to be in electrical contact with each other, and then joined. This bonding step may be performed in a state where the circuit board 16 is placed on the base 20, or the IC chip 11 is superimposed on the circuit board 16 via a bonding material 15 at another place and bonded. After performing the process,
In the final pressure bonding step, the circuit board 16 on which the IC chip 11 is superimposed via the bonding material 15 may be placed on the base 20.

【0061】次いで、本圧着工程において、押圧部材1
8をICチップ11に当接させて、接合材料15を介し
てICチップ11が重ね合わされている回路基板16が
載置された基台20に向けて押圧部材18から押圧力を
作用させるとともに、押圧部材18内に内蔵されたヒー
タの熱を押圧部材18からICチップ11に伝達する。
この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させ
て、ICチップ11の接合面を回路基板16のICチッ
プ接合領域16aに押圧することにより、ICチップ1
1の接合面の各電極14上のバンプ12が回路基板16
のICチップ接合領域16a内の各電極17に接触す
る。このとき、上記ICチップ11の上記接合面と上記
回路基板16のICチップ接合領域16aとの間の上記
接合材料15を、上記ICチップ11の上記接合面の中
央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上
記したようにバンプ12が欠けている位置にダミーバン
プ13が配置されている結果として、ICチップ11の
上記接合面の各辺の辺部近傍においては、いずれの辺の
辺部近傍でも同様にバンプ12,…,12及びダミーバ
ンプ13が大略等間隔に配置されており、図5(d)に
矢印で示すように各辺の辺部近傍において同様に接合材
料15の中央部から周辺部へ向けての流動が規制され
て、不均一に接合材料15が流動するのを防止し、少な
くともICチップ11の接合面全体において接合材料1
5が大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させら
れてICチップ実装体を製造することができる。すなわ
ち、上記本圧着工程において、上記ICチップ11に備
えたダミーバンプ13,…,13により、上記ICチッ
プ11の上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上
記接合材料15の不均一な押し出しを規制することがで
きる。
Next, in the final pressing step, the pressing member 1
8 is brought into contact with the IC chip 11, and a pressing force is applied from the pressing member 18 to the base 20 on which the circuit board 16 on which the IC chip 11 is superimposed is placed via the bonding material 15, The heat of the heater built in the pressing member 18 is transmitted from the pressing member 18 to the IC chip 11.
As a result, the bonding surface of the IC chip 11 is pressed against the IC chip bonding region 16a of the circuit board 16 by applying a predetermined pressing force while applying a predetermined temperature, so that the IC chip 1
The bump 12 on each electrode 14 on the bonding surface of the first
Contact each electrode 17 in the IC chip bonding region 16a. At this time, the bonding material 15 between the bonding surface of the IC chip 11 and the IC chip bonding region 16a of the circuit board 16 is pushed from the center of the bonding surface of the IC chip 11 to the periphery. Try to get out. Here, as a result of arranging the dummy bumps 13 at the positions where the bumps 12 are missing as described above, the vicinity of each side of the bonding surface of the IC chip 11 is close to the vicinity of any side. Similarly, the bumps 12,..., 12 and the dummy bumps 13 are arranged at substantially equal intervals. Similarly, as shown by arrows in FIG. To prevent the bonding material 15 from flowing non-uniformly, and at least the bonding material 1 on the entire bonding surface of the IC chip 11.
5 are kept substantially uniformly distributed and cured by the above-mentioned heat, so that an IC chip mounted body can be manufactured. That is, in the final press-bonding step, the dummy bumps 13,..., 13 provided on the IC chip 11 cause the bonding material 15 to be uneven when the IC chip 11 is pressed from the central portion to the peripheral portion of the bonding surface. Extrusion can be regulated.

【0062】上記接合材料流動規制部材の例としての各
ダミーバンプ13の高さ、各ダミーバンプ13の耐熱
性、及び、接合材料15の例については、第1実施形態
と同様である。
The height of each dummy bump 13, the heat resistance of each dummy bump 13, and the example of the bonding material 15 as examples of the above-mentioned bonding material flow regulating member are the same as in the first embodiment.

【0063】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ11の各バンプ12と回路基板16の各
電極17とが接触するように記載したが、これに限られ
るものではなく、接合工程ではICチップ11の各バン
プ12と回路基板16の各電極17とが接触せず、本圧
着工程で初めてICチップ11の各バンプ12と回路基
板16の各電極17とが接触するようにしてもよい。
In the above description, each bump 12 of the IC chip 11 and each electrode 17 of the circuit board 16 are described to be in contact with each other in the bonding step. However, the present invention is not limited to this. The bumps 12 of the chip 11 and the electrodes 17 of the circuit board 16 may not be in contact with each other, and the bumps 12 of the IC chip 11 may be in contact with the electrodes 17 of the circuit board 16 for the first time in the final pressing step.

【0064】上記第2実施形態によれば、長方形ICチ
ップ11の接合面において、その四隅のコーナー部を除
く4辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプ1
2,…,12を有するものであって、ICチップ11の
接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ12の無い箇所に
ダミーバンプ13,…,13を形成することによって、
バンプ12,…,12の配列状態をICチップ11の各
辺の辺部近傍とも大略同一にすることができて、上記圧
着工程での上記ICチップ11の上記接合面と上記回路
基板16のICチップ接合領域16aとの間の上記接合
材料15の中央部から周辺部への接合材料15の流動時
にダミーバンプ13が接合材料流動規制部材として機能
し、ICチップ11の各辺の辺部近傍での上記接合材料
15の中央部から周辺部への流動の大略均一化を図り、
かつ、ICチップ11の接合面内での接合材料15の分
布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信
頼性を高めることができる。
According to the second embodiment, on the bonding surface of the rectangular IC chip 11, a row of bumps 1 is provided at approximately equal intervals near the sides of the four sides excluding the four corners.
The dummy bumps 13,..., 13 are formed at positions where there is no bump 12 near the above-mentioned side of the bonding surface of the IC chip 11,
The arrangement state of the bumps 12,..., 12 can be substantially the same in the vicinity of each side of the IC chip 11, and the bonding surface of the IC chip 11 and the IC When the bonding material 15 flows from the central portion to the peripheral portion of the bonding material 15 between the chip bonding region 16a and the peripheral portion, the dummy bump 13 functions as a bonding material flow restricting member. The flow of the joining material 15 from the central portion to the peripheral portion is substantially uniformed,
In addition, the distribution of the bonding material 15 within the bonding surface of the IC chip 11 can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0065】なお、上記ダミーバンプ13,…,13の
配置間隔は、バンプ12,…,12の配置間隔と大略同
一にすれば、4つの辺部近傍において同様にバンプ1
2,…,12が形成されているような状態となり、上記
接合材料15の中央部から周辺部への流動の大略均一化
をより一層図ることができ、かつ、ICチップ11の接
合面内での接合材料15の分布のより一層の均一化を図
ることができる。しかしながら、これに限られるもので
はなく、全く上記ダミーバンプ13,…,13が存在し
ない場合よりも均一性を高めるため、ダミーバンプ1
3,…,13の配置間隔は、バンプ12,…,12の配
置間隔より大きくしてもよい。
The spacing between the dummy bumps 13,..., 13 is substantially the same as the spacing between the bumps 12,.
2,..., 12 are formed, the flow of the bonding material 15 from the central portion to the peripheral portion can be substantially uniformed, and the bonding material 15 can be formed within the bonding surface of the IC chip 11. The distribution of the bonding material 15 can be further uniformized. However, the present invention is not limited to this, and the dummy bumps 1,.
, 13 may be greater than the spacing between the bumps 12,.

【0066】(第3実施形態)本発明の第3実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
7及び図8に基づいて説明する。図7(a)及び(b)
は第3実施形態にかかるICチップの実装方法の接合工
程前の上記ICチップの側面図及び裏面図であり、
(c)は接合工程でのICチップと回路基板と接合材料
の側面図であり、図8は圧着工程での接合材料の流動状
態を示し、ICチップを透視して回路基板上での接合材
料の動きを示す平面図である。また、図9(a)及び
(b)は第3実施形態を説明するための従来例にかかる
ICチップの実装方法の接合工程前の上記ICチップの
側面図及び裏面図であり、(c)は接合工程でのICチ
ップと回路基板と接合材料の側面図であり、(d)は圧
着工程での接合材料の流動状態を示し、ICチップを透
視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図であ
る。
(Third Embodiment) A mounting method of an IC chip as an example of an electronic component mounting method according to a third embodiment of the present invention and an electronic component mounted body manufactured by the method, and a manufacturing method of the IC chip manufactured by the method. An IC chip mounted body will be described with reference to FIGS. FIG. 7 (a) and (b)
FIGS. 7A and 7B are a side view and a back view of the IC chip before a bonding step of the IC chip mounting method according to the third embodiment;
FIG. 8C is a side view of the IC chip, the circuit board, and the bonding material in the bonding step. FIG. 8 shows the flow state of the bonding material in the pressure bonding step, and shows the bonding material on the circuit board through the IC chip. It is a top view which shows the movement of. FIGS. 9A and 9B are a side view and a back view of the IC chip before a bonding step of the IC chip mounting method according to the conventional example for explaining the third embodiment, and FIG. FIG. 3 is a side view of an IC chip, a circuit board, and a bonding material in a bonding step, and FIG. 4D shows a flow state of the bonding material in a pressure bonding step, and shows movement of the bonding material on the circuit board through the IC chip. FIG.

【0067】上記第1実施形態及び第2実施形態におい
ては、正方形又は矩形のICチップ1,11の4辺の各
辺の辺部近傍に一列のバンプ2,…,2;12,…,1
2を有するものであり、その各辺の辺部近傍に一列のバ
ンプの欠けている個所にダミーバンプ3,13を配置す
るものであったが、これに限られるものではない。例え
ば、第3実施形態では、図7(a),(b)に示すよう
に、正方形のICチップ21の接合面において、その四
隅のコーナー部付近を除く4辺の各辺の辺部近傍に一列
のバンプ22,…,22を有するものであって、ICチ
ップ21の接合面の四隅の各コーナー部付近、すなわ
ち、元々バンプの無い部分に、接合材料流動規制部材の
一例としてダミーバンプ23を形成して、ダミーバンプ
23により接合材料25の流動規制を行うものである。
In the first and second embodiments, a row of bumps 2,..., 2; 12,..., 1 near the four sides of the square or rectangular IC chips 1 and 11 is provided.
The dummy bumps 3 and 13 are arranged at positions where a row of bumps are missing near the side of each side, but the present invention is not limited to this. For example, in the third embodiment, as shown in FIGS. 7A and 7B, on the bonding surface of the square IC chip 21, the vicinity of each of the four sides except for the vicinity of the four corners is provided. 22. A dummy bump 23 is formed as an example of a bonding material flow control member in the vicinity of each of the four corners of the bonding surface of the IC chip 21, that is, in a portion having no bumps. Thus, the flow of the bonding material 25 is regulated by the dummy bumps 23.

【0068】従来では、図9に示すように、長方形のI
Cチップ121の接合面の各辺の辺部近傍のそれぞれに
おいて電極124,…,124上にバンプ122,…,
122が大略等間隔に一列に配列されている一方、IC
チップ121の接合面の四隅の各コーナー部付近にはバ
ンプ122が全く無いと仮定する。このようにバンプ1
22,…,122がICチップ121に配置されている
状態で、接合材料125を回路基板126に供給したの
ち、接合面の電極124上にバンプ122が形成された
ICチップ121の上記接合面と上記回路基板126と
の間に上記接合材料125を介して、上記ICチップ1
21の上記電極124上の上記バンプ122と上記回路
基板126の電極127とが電気的に接触するように接
合し、基台130上に上記回路基板126を載置し、I
Cチップ121に加熱された押圧部材128を当接させ
て加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ICチ
ップ121を圧着して上記ICチップ121の上記接合
面と上記回路基板126との間の上記接合材料125を
硬化させる。このような場合、大略等間隔に配列されて
いるバンプ122,…,122が配置されている辺部近
傍よりも、バンプ122が欠けている位置すなわち各コ
ーナー部付近123から接合材料125が上記ICチッ
プ121の上記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、
ICチップ121の中央部分では接合材料125の密度
が疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
Conventionally, as shown in FIG.
, 124 on the electrodes 124,..., 124 near the sides of the bonding surface of the C chip 121, respectively.
122 are arranged in a line at substantially equal intervals,
It is assumed that there are no bumps 122 near the four corners of the bonding surface of the chip 121. In this way, bump 1
After the bonding material 125 is supplied to the circuit board 126 in a state where 22, 22,..., 122 are arranged on the IC chip 121, the bonding surface of the IC chip 121 in which the bumps 122 are formed on the electrodes 124 on the bonding surface. The IC chip 1 is connected to the circuit board 126 via the bonding material 125.
The bumps 122 on the electrodes 124 and the electrodes 127 of the circuit board 126 are joined so as to be in electrical contact with each other, and the circuit board 126 is placed on a
By pressing the heated pressing member 128 against the C chip 121 and pressurizing the same, the IC chip 121 is press-bonded in a heated and pressurized state, and between the bonding surface of the IC chip 121 and the circuit board 126. Is hardened. In such a case, the bonding material 125 is applied to the IC from the position where the bump 122 is missing, that is, near each corner 123, rather than the vicinity of the side where the bumps 122,... In order to largely flow out to the peripheral portion of the bonding surface of the chip 121,
In the central portion of the IC chip 121, the density of the bonding material 125 is reduced, and the bonding force and the sealing force are reduced.

【0069】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第3実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図7(a),(b)に示すように、正方形のIC
チップ21のバンプ22が無い各コーナー部付近123
において、ダミーバンプ23を1個又は複数個配置す
る。ここで、コーナー部付近123にダミーバンプ23
を1個又は複数個配置するとは、図26に示すように上
記ICチップ21の上記接合面の辺部近傍の一列のバン
プ22,…,22の配置列の延長線L1及びL2が大略
90度でICチップ21の上記接合面のコーナー部で交
差するとき、交差領域の外側領域R1内に23A,23
Bのように配置したり、又は、各列の最もコーナー部に
近いバンプ22を通り上記延長線L1,L2とそれぞれ
直交する基準線L3,L4で囲まれた領域R2内に23
A,23B,23Cのように配置することを意味する。
この結果、正方形のICチップ21の各コーナー部付近
においてもバンプが存在することになり、全ての辺部近
傍及びコーナー部付近において大略均一にバンプ22,
…,22又はダミーバンプ23,…,23がそれぞれ配
列されている状態となる。
In order to prevent such a decrease in the joining force and the sealing force, in the third embodiment, before the joining material supplying step, as shown in FIGS. IC
Near each corner portion 123 of the chip 21 where there is no bump 22
, One or more dummy bumps 23 are arranged. Here, the dummy bumps 23 are formed near the corners 123.
26, as shown in FIG. 26, the extension lines L1 and L2 of the row of bumps 22,... At the corner of the bonding surface of the IC chip 21 at 23A, 23A in the outer region R1 of the intersection region.
B, or in a region R2 surrounded by reference lines L3, L4 passing through the bumps 22 closest to the corners of each row and orthogonal to the extended lines L1, L2, respectively.
A, 23B, and 23C.
As a result, the bumps also exist near the corners of the square IC chip 21, and the bumps 22 and the bumps 22 are almost uniformly formed near all sides and near the corners.
, 22 or the dummy bumps 23,..., 23 are arranged.

【0070】なお、各バンプ22及び各ダミーバンプ2
3が形成される方法は、第1実施形態と同様である。
Each bump 22 and each dummy bump 2
The method for forming 3 is the same as in the first embodiment.

【0071】このようにバンプ22,…,22又はダミ
ーバンプ23,…,23の列が正方形のICチップ21
の各辺部近傍に形成されている状態で、接合材料供給工
程において、ICチップ21の接合面又は回路形成体の
一例としての回路基板26のICチップ接合領域26a
の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬
化性樹脂を含む接合材料25を供給する。接合材料25
の供給方法は第1実施形態と同様である。
In this way, the bumps 22,..., 22 or the dummy bumps 23,.
In the bonding material supply step, the IC chip bonding area 26a of the circuit board 26 as an example of the circuit forming body or the bonding surface of the IC chip 21 is formed in the vicinity of each side of the IC chip 21.
Is supplied with a bonding material 25 including at least an insulating thermosetting resin. Joining material 25
Is the same as in the first embodiment.

【0072】次いで、接合工程において、接合材料25
を間に挟んで回路基板26のICチップ接合領域26a
にICチップ21の接合面を重ね合わせて、上記各電極
24上にバンプ22が形成されたICチップ21の上記
接合面と上記回路基板26のICチップ接合領域26a
との間に上記接合材料25を介して、上記ICチップ2
1の上記各電極24上の上記バンプ22と上記回路基板
26の各電極27とが電気的に接触するように位置決め
したのち接合する。この接合工程は、回路基板26が基
台30上に載置された状態で行うようにしてもよいし、
別の個所で接合材料25を介してICチップ21が回路
基板26に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧
着工程において、接合材料25を介してICチップ21
が重ね合わされている回路基板26が基台30上に載置
されるようにしてもよい。
Next, in the joining step, the joining material 25
IC chip joining area 26a of circuit board 26 with
The bonding surface of the IC chip 21 on which the bumps 22 are formed on the respective electrodes 24 and the IC chip bonding region 26a of the circuit board 26 are overlapped.
And the IC chip 2 via the bonding material 25.
The bumps 22 on each of the electrodes 24 and the electrodes 27 on the circuit board 26 are positioned so as to be in electrical contact with each other and then joined. This joining step may be performed in a state where the circuit board 26 is placed on the base 30,
After the IC chip 21 is superimposed on the circuit board 26 via the bonding material 25 at another location and the bonding process is performed, the IC chip 21 is bonded via the bonding material 25 in the final pressing process.
May be mounted on the base 30.

【0073】次いで、本圧着工程において、押圧部材2
8をICチップ21に当接させて、接合材料25を介し
てICチップ21が重ね合わされている回路基板26が
載置された基台30に向けて押圧部材28から押圧力を
作用させるとともに、押圧部材28内に内蔵されたヒー
タの熱を押圧部材28からICチップ21に伝達する。
この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させ
て、ICチップ21の接合面を回路基板26のICチッ
プ接合領域26aに押圧することにより、ICチップ2
1の接合面の各電極24上のバンプ22が回路基板26
のICチップ接合領域26a内の各電極27に接触す
る。このとき、上記ICチップ21の上記接合面と上記
回路基板26のICチップ接合領域26aとの間の上記
接合材料25を、上記ICチップ21の上記接合面の中
央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上
記したようにバンプ22が欠けている位置すなわちコー
ナー部付近にダミーバンプ23が配置されている結果と
して、ICチップ21の上記接合面の各コーナー部付近
においても、いずれの辺の辺部近傍と同様にバンプ2
2,…,22及びダミーバンプ23が大略等間隔に配置
されており、図8に矢印で示すように各辺の辺部近傍及
び各コーナー部付近においても同様に接合材料25の中
央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に
接合材料25が流動するのを防止し、少なくともICチ
ップ21の接合面全体において接合材料25が大略均一
に分布保持されて上記熱により硬化させられてICチッ
プ実装体を製造することができる。すなわち、上記本圧
着工程において、上記ICチップ21に備えたダミーバ
ンプ23,…,23により、上記ICチップ21の上記
接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料2
5の不均一な押し出しを規制することができる。
Next, in the final pressure bonding step, the pressing member 2
8 is brought into contact with the IC chip 21, and a pressing force is applied from the pressing member 28 to the base 30 on which the circuit board 26 on which the IC chip 21 is superimposed is placed via the bonding material 25, The heat of the heater built in the pressing member 28 is transmitted from the pressing member 28 to the IC chip 21.
As a result, the bonding surface of the IC chip 21 is pressed against the IC chip bonding region 26a of the circuit board 26 by applying a predetermined pressing force while applying a predetermined temperature, whereby the IC chip 2
The bump 22 on each electrode 24 on the bonding surface of the first
To each electrode 27 in the IC chip bonding area 26a of the first contact area. At this time, the bonding material 25 between the bonding surface of the IC chip 21 and the IC chip bonding region 26a of the circuit board 26 is pushed from the center of the bonding surface of the IC chip 21 to the periphery. Try to get out. Here, as described above, as a result of the dummy bumps 23 being arranged at the positions where the bumps 22 are missing, that is, near the corners, any of the sides near the corners of the bonding surface of the IC chip 21 are also considered. Bump 2 as in the vicinity
, 22 and the dummy bumps 23 are arranged at substantially equal intervals. Similarly, as indicated by arrows in FIG. The bonding material 25 is prevented from flowing non-uniformly, and the bonding material 25 is substantially uniformly distributed and maintained at least over the entire bonding surface of the IC chip 21 and is cured by the heat. Thus, an IC chip mounted body can be manufactured. That is, in the final press-bonding step, the bonding material 2 at the time of press-bonding from the center to the periphery of the bonding surface of the IC chip 21 by the dummy bumps 23,.
5 can be controlled.

【0074】上記接合材料流動規制部材の例としての各
ダミーバンプ23の高さ、各ダミーバンプ23の耐熱
性、及び、接合材料25の例については、第1実施形態
と同様である。
The height of each dummy bump 23 as an example of the bonding material flow regulating member, the heat resistance of each dummy bump 23, and the example of the bonding material 25 are the same as in the first embodiment.

【0075】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ21の各バンプ22と回路基板26の各
電極27とが接触するように記載したが、これに限られ
るものではなく、接合工程ではICチップ21の各バン
プ22と回路基板26の各電極27とが接触せず、本圧
着工程で初めてICチップ21の各バンプ22と回路基
板26の各電極27とが接触するようにしてもよい。
In the above description, each bump 22 of the IC chip 21 and each electrode 27 of the circuit board 26 are described to be in contact with each other in the bonding step. However, the present invention is not limited to this. The bumps 22 of the chip 21 and the electrodes 27 of the circuit board 26 may not be in contact with each other, and the bumps 22 of the IC chip 21 may be in contact with the electrodes 27 of the circuit board 26 for the first time in the final press bonding step.

【0076】上記第3実施形態によれば、正方形ICチ
ップ21の接合面において、その四隅のコーナー部を除
く4辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプ2
2,…,22を有するものであって、ICチップ21の
接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ22の無い箇所に
ダミーバンプ23,…,23を形成することによって、
バンプ22,…,22の配列状態をICチップ21の各
辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一にする
ことができて、上記圧着工程での上記ICチップ21の
上記接合面と上記回路基板26のICチップ接合領域2
6aとの間の上記接合材料25の中央部から周辺部への
接合材料25の流動時にダミーバンプ23が接合材料流
動規制部材として機能し、ICチップ21の各辺の辺部
近傍及び各コーナー部付近での上記接合材料25の中央
部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、IC
チップ21の接合面内での接合材料25の分布の均一化
が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高め
ることができる。
According to the third embodiment, in the bonding surface of the square IC chip 21, one row of bumps 2 are arranged at substantially equal intervals near the four sides except for the four corners.
, 22 in the vicinity of the above-mentioned side of the bonding surface of the IC chip 21 where the bumps 22 are not formed.
The arrangement state of the bumps 22,..., 22 can be made substantially the same in the vicinity of each side and each corner of the IC chip 21. IC chip bonding area 2 of circuit board 26
When the bonding material 25 flows from the central portion to the peripheral portion of the bonding material 25 between the bonding material 6a and the dummy bump 23, the dummy bump 23 functions as a bonding material flow restricting member, and the vicinity of each side and each corner of the IC chip 21. The flow of the bonding material 25 from the central part to the peripheral part is substantially uniform, and the IC
The distribution of the bonding material 25 within the bonding surface of the chip 21 can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0077】なお、上記コーナー部に配置されたダミー
バンプ23と,そのダミーバンプ23に隣接するバンプ
22,22との配置間隔はバンプ22,…,22の配置
間隔と大略同一にすれば、4つの辺部近傍からコーナー
部にかけて同様にバンプ22,…,22が形成されてい
るような状態となり、上記接合材料25の中央部から周
辺部への流動の大略均一化をより一層図ることができ、
かつ、ICチップ21の接合面内での接合材料25の分
布のより一層の均一化を図ることができる。しかしなが
ら、これに限られるものではなく、全く上記ダミーバン
プ23,…,23が存在しない場合よりも均一性を高め
るため、ダミーバンプ23と,そのダミーバンプ23に
隣接するバンプ22,22との配置間隔は、バンプ2
2,…,22の配置間隔より大きくしてもよい。
The spacing between the dummy bumps 23 arranged at the corners and the bumps 22, 22 adjacent to the dummy bumps 23 is substantially the same as the spacing between the bumps 22,. The bumps 22,..., 22 are similarly formed from the vicinity of the part to the corner part, and the flow of the bonding material 25 from the central part to the peripheral part can be further substantially uniformed.
In addition, the distribution of the bonding material 25 in the bonding surface of the IC chip 21 can be further uniformed. However, the present invention is not limited to this. In order to improve the uniformity as compared with the case where the dummy bumps 23,... Bump 2
, 22 may be larger than the arrangement interval.

【0078】(第4実施形態)本発明の第4実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
10に基づいて説明する。図10(a)及び(b)は第
4実施形態にかかるICチップの実装方法の接合工程前
の上記ICチップの側面図及び裏面図であり、(c)は
接合工程でのICチップと回路基板と接合材料の側面図
であり、(d)は圧着工程での接合材料の流動状態を示
し、ICチップを透視して回路基板上での接合材料の動
きを示す平面図である。また、図11(a)及び(b)
は第4実施形態を説明するための従来例にかかるICチ
ップの実装方法の接合工程前の上記ICチップの側面図
及び裏面図であり、(c)は接合工程でのICチップと
回路基板と接合材料の側面図であり、(d)は圧着工程
での接合材料の流動状態を示し、ICチップを透視して
回路基板上での接合材料の動きを示す平面図である。
(Fourth Embodiment) A mounting method of an IC chip as an example of an electronic component mounting method according to a fourth embodiment of the present invention and an electronic component mounting body manufactured by the method, and an electronic component mounted body manufactured by the method. An IC chip mounted body will be described with reference to FIG. FIGS. 10A and 10B are a side view and a back view of the IC chip before the bonding step of the IC chip mounting method according to the fourth embodiment, and FIG. 10C shows the IC chip and the circuit in the bonding step. It is a side view of a board | substrate and a bonding material, (d) is a top view which shows the flow state of the bonding material in a press-fitting process, and shows movement of the bonding material on a circuit board through an IC chip. Also, FIGS. 11A and 11B
FIGS. 7A and 7B are a side view and a rear view of the IC chip before a bonding step in a method of mounting an IC chip according to a conventional example for explaining the fourth embodiment, and FIG. FIG. 3D is a side view of the bonding material, and FIG. 4D is a plan view illustrating a flow state of the bonding material in a pressure bonding step and showing movement of the bonding material on a circuit board through an IC chip.

【0079】上記第3実施形態においては、正方形のI
Cチップ13の4辺の各コーナー部付近にバンプ13を
有するものであったが、これに限られるものではない。
例えば、第4実施形態では、図10(a),(b)に示
すように、長方形のICチップ31の接合面において、
その四隅のコーナー部付近を除く4辺の各辺の辺部近傍
に一列のバンプ32,…,32を有するものであって、
ICチップ31の接合面の四隅の各コーナー部付近、す
なわち、元々バンプの無い部分に、接合材料流動規制部
材の一例としてダミーバンプ33を形成して、ダミーバ
ンプ33により接合材料35の流動規制を行うものであ
る。
In the third embodiment, the square I
Although the bump 13 is provided near each of the four corners of the C chip 13, the present invention is not limited to this.
For example, in the fourth embodiment, as shown in FIGS. 10A and 10B, at the joining surface of the rectangular IC chip 31,
A row of bumps 32,.
A dummy bump 33 is formed as an example of a bonding material flow control member in the vicinity of each of the four corners of the bonding surface of the IC chip 31, that is, a portion having no bump, and the flow of the bonding material 35 is controlled by the dummy bump 33. It is.

【0080】従来では、図11に示すように、長方形の
ICチップ131の各辺の辺部近傍のそれぞれにおいて
電極134,…,134上にバンプ132,…,132
が大略等間隔に一列に配列されている一方、ICチップ
131の接合面の四隅の各コーナー部付近にはバンプ1
32が全く無いと仮定する。このようにバンプ132,
…,132がICチップ131に配置されている状態
で、接合材料135を回路基板136に供給したのち、
接合面の電極134上にバンプ132が形成されたIC
チップ131の上記接合面と上記回路基板136との間
に上記接合材料135を介して、上記ICチップ131
の上記電極134上の上記バンプ132と上記回路基板
136の電極137とが電気的に接触するように接合
し、基台140上に上記回路基板136を載置し、IC
チップ131に加熱された押圧部材138を当接させて
加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ICチッ
プ131を圧着して上記ICチップ131の上記接合面
と上記回路基板136との間の上記接合材料135を硬
化させる。このような場合、大略等間隔に配列されてい
るバンプ132,…,132が配置されている辺部近傍
よりも、バンプ132が欠けている位置すなわち各コー
ナー部付近133から接合材料135が上記ICチップ
131の上記接合面の周辺部に大きく流れ出すため、I
Cチップ131の中央部分では接合材料135の密度が
疎になり、接合力及び封止力が低下することになる。
Conventionally, as shown in FIG. 11, bumps 132,..., 132 are formed on electrodes 134,.
Are arranged in a line at substantially equal intervals, and bumps 1 are provided near the four corners of the bonding surface of the IC chip 131.
Assume that there is no 32 at all. Thus, the bump 132,
, 132 are arranged on the IC chip 131, and after the bonding material 135 is supplied to the circuit board 136,
IC having bumps 132 formed on electrodes 134 on the bonding surface
The IC chip 131 is provided between the bonding surface of the chip 131 and the circuit board 136 via the bonding material 135.
The bumps 132 on the electrodes 134 and the electrodes 137 on the circuit board 136 are joined so as to be in electrical contact with each other, and the circuit board 136 is mounted on a base 140, and an IC
By pressing the heated pressing member 138 against the chip 131 and pressurizing the same, the IC chip 131 is crimped in a heated and pressurized state, and the gap between the bonding surface of the IC chip 131 and the circuit board 136 is formed. The bonding material 135 is cured. In such a case, the bonding material 135 is removed from the IC 133 at a position where the bump 132 is missing, that is, near each corner 133, rather than near the side where the bumps 132,. Since a large amount flows out to the periphery of the bonding surface of the chip 131,
In the central portion of the C chip 131, the density of the bonding material 135 is reduced, and the bonding force and the sealing force are reduced.

【0081】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第4実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図10(a),(b)に示すように、長方形のI
Cチップ31のバンプ32が無い各コーナー部付近13
3において、ダミーバンプ33を1個又は複数個形成す
る。この結果、長方形のICチップ31の各コーナー部
付近においてもバンプが存在することになり、全ての辺
部近傍及びコーナー部付近において大略均一にバンプ3
2,…,32又はダミーバンプ33,…,33がそれぞ
れ配列されている状態となる。
In order to prevent such a decrease in the joining force and the sealing force, in the fourth embodiment, before the joining material supplying step, as shown in FIGS. I
Near each corner 13 where no bump 32 of C chip 31 exists 13
In 3, one or more dummy bumps 33 are formed. As a result, the bumps also exist near the corners of the rectangular IC chip 31, and the bumps 3 are almost uniformly formed near all sides and near the corners.
, 32 or the dummy bumps 33,..., 33 are arranged respectively.

【0082】なお、各バンプ32及び各ダミーバンプ3
3が形成される方法は、第1実施形態と同様である。
Each bump 32 and each dummy bump 3
The method for forming 3 is the same as in the first embodiment.

【0083】このようにバンプ32,…,32又はダミ
ーバンプ33,…,33の列が長方形のICチップ31
の各辺部近傍に形成されている状態で、接合材料供給工
程において、ICチップ31の接合面又は回路形成体の
一例としての回路基板36のICチップ接合領域36a
の少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬
化性樹脂を含む接合材料35を供給する。接合材料35
の供給方法は第1実施形態と同様である。
In this manner, the bumps 32,..., 32 or the dummy bumps 33,.
In the bonding material supply step, the IC chip bonding region 36a of the circuit board 36 as an example of the circuit forming body is formed in the bonding material supply step.
Is supplied with a bonding material 35 containing at least an insulating thermosetting resin. Joining material 35
Is the same as in the first embodiment.

【0084】次いで、接合工程において、接合材料35
を間に挟んで回路基板36のICチップ接合領域36a
にICチップ31の接合面を重ね合わせて、上記各電極
34上にバンプ32が形成されたICチップ31の上記
接合面と上記回路基板36のICチップ接合領域36a
との間に上記接合材料35を介して、上記ICチップ3
1の上記各電極34上の上記バンプ32と上記回路基板
36の各電極37とが電気的に接触するように位置決め
したのち接合する。この接合工程は、回路基板36が基
台40上に載置された状態で行うようにしてもよいし、
別の個所で接合材料35を介してICチップ31が回路
基板36に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧
着工程において、接合材料35を介してICチップ31
が重ね合わされている回路基板36が基台40上に載置
されるようにしてもよい。
Next, in the joining step, the joining material 35
IC chip bonding area 36a of the circuit board 36 with the
The bonding surface of the IC chip 31 on which the bump 32 is formed on each of the electrodes 34 is overlapped with the bonding surface of the IC chip 31 and the IC chip bonding region 36 a of the circuit board 36.
And the IC chip 3 via the bonding material 35.
The bumps 32 on each of the electrodes 34 and the electrodes 37 on the circuit board 36 are positioned so as to be in electrical contact with each other and then joined. This bonding step may be performed in a state where the circuit board 36 is mounted on the base 40,
At another location, the IC chip 31 is superimposed on the circuit board 36 via the bonding material 35 to perform a bonding process.
May be placed on the base 40.

【0085】次いで、本圧着工程において、押圧部材3
8をICチップ31に当接させて、接合材料35を介し
てICチップ31が重ね合わされている回路基板36が
載置された基台40に向けて押圧部材38から押圧力を
作用させるとともに、押圧部材38内に内蔵されたヒー
タの熱を押圧部材38からICチップ31に伝達する。
この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させ
て、ICチップ31の接合面を回路基板36のICチッ
プ接合領域36aに押圧することにより、ICチップ3
1の接合面の各電極34上のバンプ32が回路基板36
のICチップ接合領域36a内の各電極37に接触す
る。このとき、上記ICチップ31の上記接合面と上記
回路基板36のICチップ接合領域36aとの間の上記
接合材料35を、上記ICチップ31の上記接合面の中
央部から周辺部へ向けて押し出そうとする。ここで、上
記したようにバンプ32が欠けている位置すなわちコー
ナー部付近にダミーバンプ33が配置されている結果と
して、ICチップ31の上記接合面の各コーナー部付近
においても、いずれの辺の辺部近傍と同様にバンプ3
2,…,32及びダミーバンプ33が大略等間隔に配置
されており、図10(d)に矢印で示すように各辺の辺
部近傍及び各コーナー部付近においても同様に接合材料
35の中央部から周辺部へ向けての流動が規制されて、
不均一に接合材料35が流動するのを防止し、少なくと
もICチップ31の接合面全体において接合材料35が
大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられて
ICチップ実装体を製造することができる。すなわち、
上記本圧着工程において、上記ICチップ31に備えた
ダミーバンプ33,…,33により、上記ICチップ3
1の上記接合面の中央部から周辺部への圧着時の上記接
合材料35の不均一な押し出しを規制することができ
る。
Next, in the final pressing step, the pressing member 3
8 is brought into contact with the IC chip 31, and a pressing force is applied from the pressing member 38 toward the base 40 on which the circuit board 36 on which the IC chip 31 is superimposed is placed via the bonding material 35, The heat of the heater built in the pressing member 38 is transmitted from the pressing member 38 to the IC chip 31.
As a result, by applying a predetermined pressing force while applying a predetermined temperature, the bonding surface of the IC chip 31 is pressed against the IC chip bonding region 36a of the circuit board 36, whereby the IC chip 3
The bump 32 on each electrode 34 on the bonding surface of the first
To the respective electrodes 37 in the IC chip bonding area 36a of FIG. At this time, the bonding material 35 between the bonding surface of the IC chip 31 and the IC chip bonding region 36a of the circuit board 36 is pushed from the center of the bonding surface of the IC chip 31 to the peripheral portion. Try to get out. Here, as described above, as a result of the dummy bumps 33 being arranged at the positions where the bumps 32 are missing, that is, near the corners, any of the sides near the corners of the bonding surface of the IC chip 31 is also considered. Bump 3 as in the vicinity
32, and the dummy bumps 33 are arranged at substantially equal intervals. As shown by arrows in FIG. 10D, the center of the bonding material 35 is also similarly formed near the sides of each side and near each corner. The flow from to the periphery is regulated,
It is possible to prevent the bonding material 35 from flowing non-uniformly and to maintain the bonding material 35 in a substantially uniform distribution at least over the entire bonding surface of the IC chip 31 and to cure the bonding material 35 by the heat to manufacture an IC chip mounted body. it can. That is,
In the final press bonding step, the dummy bumps 33,...
(1) Non-uniform extrusion of the bonding material 35 at the time of press bonding from the central portion to the peripheral portion of the bonding surface can be restricted.

【0086】上記接合材料流動規制部材の例としての各
ダミーバンプ33の高さ、各ダミーバンプ33の耐熱
性、及び、接合材料35の例については、第1実施形態
と同様である。
The height of each dummy bump 33 as an example of the bonding material flow control member, the heat resistance of each dummy bump 33, and the example of the bonding material 35 are the same as in the first embodiment.

【0087】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ31の各バンプ32と回路基板36の各
電極37とが接触するように記載したが、これに限られ
るものではなく、接合工程ではICチップ31の各バン
プ32と回路基板36の各電極37とが接触せず、本圧
着工程で初めてICチップ31の各バンプ32と回路基
板36の各電極37とが接触するようにしてもよい。
In the above description, each bump 32 of the IC chip 31 and each electrode 37 of the circuit board 36 are described to be in contact with each other in the bonding step. However, the present invention is not limited to this. The bumps 32 of the chip 31 and the electrodes 37 of the circuit board 36 may not be in contact with each other, and the bumps 32 of the IC chip 31 may be in contact with the electrodes 37 of the circuit board 36 for the first time in the final pressing step.

【0088】上記第4実施形態によれば、長方形ICチ
ップ31の接合面において、その四隅のコーナー部を除
く4辺の各辺の辺部近傍に大略等間隔に一列のバンプ3
2,…,32を有するものであって、ICチップ31の
接合面の上記辺の辺部近傍でのバンプ32の無い箇所に
ダミーバンプ33,…,33を形成することによって、
バンプ32,…,32の配列状態をICチップ31の各
辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一にする
ことができて、上記圧着工程での上記ICチップ31の
上記接合面と上記回路基板36のICチップ接合領域3
6aとの間の上記接合材料35の中央部から周辺部への
接合材料35の流動時にダミーバンプ33が接合材料流
動規制部材として機能し、ICチップ31の各辺の辺部
近傍及び各コーナー部付近での上記接合材料35の中央
部から周辺部への流動の大略均一化を図り、かつ、IC
チップ31の接合面内での接合材料35の分布の均一化
が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高め
ることができる。
According to the fourth embodiment, in the bonding surface of the rectangular IC chip 31, one row of bumps 3 is provided at substantially equal intervals near the four sides except for the four corners.
, 32, and the dummy bumps 33,..., 33 are formed at locations where there is no bump 32 near the above-mentioned side of the bonding surface of the IC chip 31.
The arrangement state of the bumps 32,..., 32 can be made substantially the same in the vicinity of each side and each corner of the IC chip 31. IC chip bonding area 3 of circuit board 36
The dummy bump 33 functions as a bonding material flow regulating member when the bonding material 35 flows from the central portion to the peripheral portion of the bonding material 35 between the IC chip 31 and the vicinity of each side and each corner of the IC chip 31. The flow of the bonding material 35 from the central part to the peripheral part is substantially uniform, and the IC 35
The distribution of the bonding material 35 in the bonding surface of the chip 31 can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0089】なお、上記コーナー部に配置されたダミー
バンプ33と,そのダミーバンプ33に隣接するバンプ
32,32との配置間隔はバンプ32,…,32の配置
間隔と大略同一にすれば、4つの辺部近傍からコーナー
部にかけて同様にバンプ32,…,32が形成されてい
るような状態となり、上記接合材料35の中央部から周
辺部への流動の大略均一化をより一層図ることができ、
かつ、ICチップ31の接合面内での接合材料35の分
布のより一層の均一化を図ることができる。しかしなが
ら、これに限られるものではなく、全く上記ダミーバン
プ33,…,33が存在しない場合よりも均一性を高め
るため、ダミーバンプ33と,そのダミーバンプ33に
隣接するバンプ32,32との配置間隔は、バンプ3
2,…,32の配置間隔より大きくしてもよい。
Incidentally, if the interval between the dummy bumps 33 arranged at the corners and the bumps 32 adjacent to the dummy bumps 33 is substantially the same as the interval between the bumps 32,. The bumps 32,..., 32 are similarly formed from the vicinity of the portion to the corners, so that the flow of the bonding material 35 from the central portion to the peripheral portion can be further substantially uniformed.
In addition, the distribution of the bonding material 35 in the bonding surface of the IC chip 31 can be made even more uniform. However, the present invention is not limited to this. In order to improve the uniformity as compared with the case where the dummy bumps 33,..., 33 do not exist at all, the arrangement interval between the dummy bumps 33 and the bumps 32, 32 adjacent to the dummy bumps 33 is Bump 3
, 32 may be larger than the arrangement interval.

【0090】(第5実施形態)本発明の第5実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
12及び図13に基づいて説明する。図12(a)及び
(b)は第5実施形態にかかるICチップの実装方法の
接合工程前の上記ICチップの側面図及び裏面図であ
り、(c)及び(d)は接合工程でのICチップと回路
基板と接合材料の側面図及び正面図であり、図13は圧
着工程での接合材料の流動状態を示し、ICチップを透
視して回路基板上での接合材料の動きを示す平面図であ
る。また、図14(a)及び(b)は第5実施形態を説
明するための従来例にかかるICチップの実装方法の接
合工程前の上記ICチップの側面図及び裏面図であり、
図14(c)及び図15(a)は接合工程でのICチッ
プと回路基板と接合材料の側面図及び正面図であり、図
15(b)は圧着工程での接合材料の流動状態を示し、
ICチップを透視して回路基板上での接合材料の動きを
示す平面図である。
(Fifth Embodiment) A mounting method of an IC chip as an example of an electronic component mounting method and an electronic component mounting body manufactured by the method according to a fifth embodiment of the present invention, and a manufacturing method of the IC chip. An IC chip mounted body will be described with reference to FIGS. FIGS. 12A and 12B are a side view and a rear view of the IC chip before the bonding step in the method for mounting an IC chip according to the fifth embodiment, and FIGS. FIG. 13 is a side view and a front view of an IC chip, a circuit board, and a bonding material. FIG. 13 is a plan view showing a flow state of the bonding material in a pressure bonding process, showing movement of the bonding material on the circuit board through the IC chip. FIG. FIGS. 14A and 14B are a side view and a back view of the IC chip before a bonding step of an IC chip mounting method according to a conventional example for explaining the fifth embodiment.
FIGS. 14C and 15A are a side view and a front view of an IC chip, a circuit board, and a bonding material in a bonding process, and FIG. 15B shows a flow state of the bonding material in a pressure bonding process. ,
FIG. 4 is a plan view showing movement of a bonding material on a circuit board through an IC chip.

【0091】上記第1実施形態においては、正方形又は
矩形のICチップ1の4辺の各辺の辺部近傍に一列のバ
ンプ2,…,2を有するものであったが、これに限られ
るものではない。例えば、第5実施形態では、図12に
示すように、電子部品の一例としての長方形のICチッ
プ41の接合面において、バンプ42,…,42を有す
るものであって、ICチップ41の接合面の各コーナー
部近傍、すなわち、バンプ42の無い部分にのみ接合材
料流動規制部材の一例としてダミーバンプ43を形成し
て、ダミーバンプ43により接合材料45の流動規制を
行うものである。
In the first embodiment, the bumps 2,..., 2 are arranged in a row near the four sides of the square or rectangular IC chip 1. However, the present invention is not limited to this. is not. For example, in the fifth embodiment, as shown in FIG. 12, a bonding surface of a rectangular IC chip 41 as an example of an electronic component has bumps 42,. The dummy bump 43 is formed as an example of a bonding material flow control member only in the vicinity of each corner portion, that is, only in a portion where the bump 42 is not provided, and the flow of the bonding material 45 is controlled by the dummy bump 43.

【0092】従来では、図14及び図15に示すよう
に、長方形のICチップ141の接合面において、短手
方向の中央部に長手方向沿いに延びる1列にかつ大略等
間隔にバンプ142,…,142を有する一方、ICチ
ップ141の接合面の各コーナー部近傍143にはバン
プ142が全く無いと仮定する。このようにバンプ14
2,…,142がICチップ141に配置されている状
態で、接合材料145を回路基板146に供給したの
ち、接合面の電極144上にバンプ142が形成された
ICチップ141の上記接合面と上記回路基板146と
の間に上記接合材料145を介して、上記ICチップ1
41の上記電極144上の上記バンプ142と上記回路
基板146の電極147とが電気的に接触するように接
合し、基台150上に上記回路基板146を載置し、I
Cチップ141に加熱された押圧部材148を当接させ
て加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ICチ
ップ141を圧着して上記ICチップ141の上記接合
面と上記回路基板146との間の上記接合材料145を
硬化させる。このような場合、短手方向の中央部に長手
方向沿いに延びる1列にかつ大略等間隔に配列されてい
るバンプ142,…,142を中心に、バンプ142,
…,142の列の両側において、図15に示すように長
方形のICチップ141が回路基板146に対して短手
方向すなわち幅方向に1点で支持されているためICチ
ップ141と回路基板146との間での接合力のバラン
スを均等にするのが困難であり、回路基板146に対し
てICチップ141が傾いてバンプ142,…,142
の列の両側においてICチップ141と回路基板146
との間の間隔が不均一になりやすい。その結果、図15
(b)に矢印で示すようにバンプ142,…,142の
列のいずれか一方の側において接合材料145が上記I
Cチップ141の上記接合面の周辺部に大きく流れ出す
ため、上記一方の側において接合材料145の密度が疎
になり、接合力及び封止力が低下することになる。
Conventionally, as shown in FIGS. 14 and 15, on the bonding surface of the rectangular IC chip 141, the bumps 142,... , 142 while no bump 142 exists in the vicinity 143 of each corner of the bonding surface of the IC chip 141. Thus, the bump 14
After the bonding material 145 is supplied to the circuit board 146 in a state where 2, 2,..., 142 are arranged on the IC chip 141, the bonding surface of the IC chip 141 having the bumps 142 formed on the electrodes 144 on the bonding surface. The IC chip 1 is connected to the circuit board 146 via the bonding material 145.
41, the bumps 142 on the electrodes 144 and the electrodes 147 of the circuit board 146 are joined so as to be in electrical contact with each other, and the circuit board 146 is placed on a base 150,
By pressing the heated pressing member 148 against the C chip 141 and pressurizing the same, the IC chip 141 is crimped in a heated and pressurized state, and between the bonding surface of the IC chip 141 and the circuit board 146. Is hardened. In such a case, the bumps 142,..., 142 are arranged in a row at the center in the short direction and arranged at substantially equal intervals in a row extending along the longitudinal direction.
, 142, a rectangular IC chip 141 is supported on the circuit board 146 at one point in the lateral direction, that is, in the width direction, as shown in FIG. It is difficult to equalize the balance of the bonding force between the IC chip 141 and the IC chip 141 inclines with respect to the circuit board 146 and the bumps 142,.
Chip 141 and circuit board 146 on both sides of the row
The gap between them tends to be uneven. As a result, FIG.
As shown by the arrow in FIG. 2B, the bonding material 145 is formed on one side of the row of the bumps 142,.
The large flow to the periphery of the bonding surface of the C chip 141 causes the density of the bonding material 145 to decrease on the one side, thereby lowering the bonding force and the sealing force.

【0093】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第5実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図12(a),(b)に示すように、長方形のI
Cチップ41の接合面の各コーナー部近傍、すなわち、
バンプ42の無い部分にダミーバンプ43を少なくとも
1個形成する。この結果、長方形のICチップ41が回
路基板46に対して短手方向すなわち幅方向に3点で支
持されることになり、バンプ42,…,42の列の両側
において、図12(d)に示すように、ICチップ41
と回路基板46との間での接合力のバランスを大略均等
にすることができ、回路基板46に対するICチップ4
1の傾きを防止してバンプ42,…,42の列の両側に
おいてICチップ41と回路基板46との間の間隔を大
略均一にすることができる。
In order to prevent such a decrease in the joining force and the sealing force, in the fifth embodiment, before the joining material supplying step, as shown in FIGS. I
Near each corner of the bonding surface of the C chip 41, that is,
At least one dummy bump 43 is formed in a portion where no bump 42 exists. As a result, the rectangular IC chip 41 is supported on the circuit board 46 at three points in the short direction, that is, in the width direction, and both sides of the row of the bumps 42,. As shown, the IC chip 41
And the balance of the bonding force between the IC chip 4 and the circuit board 46 can be substantially equalized.
1 can be prevented, and the gap between the IC chip 41 and the circuit board 46 can be made substantially uniform on both sides of the row of the bumps 42,.

【0094】なお、各バンプ42及び各ダミーバンプ4
3が形成される方法は、第1実施形態と同様である。
Each bump 42 and each dummy bump 4
The method for forming 3 is the same as in the first embodiment.

【0095】このようにバンプ42,…,42又はダミ
ーバンプ43,…,43が長方形のICチップ41に形
成されている状態で、接合材料供給工程において、IC
チップ41の接合面又は回路形成体の一例としての回路
基板46のICチップ接合領域46aの少なくともいず
れか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接
合材料45を供給する。接合材料45の供給方法は第1
実施形態と同様である。
In the state in which the bumps 42,..., 42 or the dummy bumps 43,.
A bonding material 45 including at least an insulating thermosetting resin is supplied to at least one of a bonding surface of the chip 41 and an IC chip bonding region 46a of a circuit board 46 as an example of a circuit forming body. The method of supplying the bonding material 45 is the first method.
This is the same as the embodiment.

【0096】次いで、接合工程において、接合材料45
を間に挟んで回路基板46のICチップ接合領域46a
にICチップ41の接合面を重ね合わせて、上記各電極
44上にバンプ42が形成されたICチップ41の上記
接合面と上記回路基板46のICチップ接合領域46a
との間に上記接合材料45を介して、上記ICチップ4
1の上記各電極44上の上記バンプ42と上記回路基板
46の各電極47とが電気的に接触するように位置決め
したのち接合する。この接合工程は、回路基板46が基
台50上に載置された状態で行うようにしてもよいし、
別の個所で接合材料45を介してICチップ41が回路
基板46に重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧
着工程において、接合材料45を介してICチップ41
が重ね合わされている回路基板46が基台50上に載置
されるようにしてもよい。
Next, in the joining step, the joining material 45
IC chip bonding area 46a of the circuit board 46 with the
The bonding surface of the IC chip 41 is overlapped with the bonding surface of the IC chip 41 in which the bumps 42 are formed on the respective electrodes 44 and the IC chip bonding region 46 a of the circuit board 46.
And the IC chip 4 via the bonding material 45.
The bumps 42 on the electrodes 44 and the electrodes 47 on the circuit board 46 are positioned so as to be in electrical contact with each other, and then joined. This joining step may be performed in a state where the circuit board 46 is placed on the base 50,
After the IC chip 41 is superimposed on the circuit board 46 via the bonding material 45 at another place and the bonding process is performed, the IC chip 41 is bonded via the bonding material 45 in the final pressure bonding process.
May be placed on the base 50.

【0097】次いで、本圧着工程において、押圧部材4
8をICチップ41に当接させて、接合材料45を介し
てICチップ41が重ね合わされている回路基板46が
載置された基台50に向けて押圧部材48から押圧力を
作用させるとともに、押圧部材48内に内蔵されたヒー
タの熱を押圧部材48からICチップ41に伝達する。
この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させ
て、ICチップ41の接合面を回路基板46のICチッ
プ接合領域46aに押圧することにより、ICチップ4
1の接合面の各電極44上のバンプ42が回路基板46
のICチップ接合領域46a内の各電極47に接触す
る。このとき、長方形のICチップ41が回路基板46
に対して短手方向すなわち幅方向に3点で支持されるこ
とになり、バンプ42,…,42の列の両側において、
図12(d)に示すように、ICチップ41と回路基板
46との間での接合力のバランスを大略均等にすること
ができ、バンプ142,…,142の列の両側において
ICチップ141と回路基板146との間の間隔を大略
均一にすることができて、図13に矢印で示すように各
辺の辺部近傍において同様に接合材料45の中央部から
周辺部へ向けての流動が規制されて、不均一に接合材料
45が流動するのを防止し、少なくともICチップ41
の接合面全体において接合材料45が大略均一に分布保
持されて上記熱により硬化させられてICチップ実装体
を製造することができる。すなわち、上記本圧着工程に
おいて、上記ICチップ41に備えたダミーバンプ4
3,…,43により、上記ICチップ41の上記接合面
の中央部から周辺部への圧着時の上記接合材料45の不
均一な押し出しを規制することができる。
Next, in the final pressure bonding step, the pressing member 4
8 is brought into contact with the IC chip 41, and a pressing force is applied from the pressing member 48 to the base 50 on which the circuit board 46 on which the IC chip 41 is superimposed is placed via the bonding material 45, The heat of the heater built in the pressing member 48 is transmitted from the pressing member 48 to the IC chip 41.
As a result, by applying a predetermined pressing force while applying a predetermined temperature, the bonding surface of the IC chip 41 is pressed against the IC chip bonding area 46a of the circuit board 46, and thereby the IC chip 4
The bump 42 on each electrode 44 on the bonding surface of the first
To the respective electrodes 47 in the IC chip bonding area 46a of FIG. At this time, the rectangular IC chip 41 is
Are supported at three points in the short direction, that is, in the width direction, and on both sides of the row of bumps 42,.
As shown in FIG. 12D, the balance of the bonding force between the IC chip 41 and the circuit board 46 can be substantially equalized, and the IC chips 141 and the bumps 142 on both sides of the row of bumps 142,. The spacing between the circuit board 146 and the circuit board 146 can be made substantially uniform, and the flow of the bonding material 45 from the center to the periphery in the vicinity of each side as shown by arrows in FIG. It is regulated to prevent the bonding material 45 from flowing non-uniformly, and at least the IC chip 41
The bonding material 45 is distributed and maintained substantially uniformly over the entire bonding surface of the above and is cured by the above-mentioned heat, whereby an IC chip mounted body can be manufactured. That is, in the final press bonding step, the dummy bumps 4 provided on the IC chip 41 are removed.
Due to the use of 3,..., 43, uneven extrusion of the bonding material 45 when the IC chip 41 is pressed from the central portion to the peripheral portion of the bonding surface can be restricted.

【0098】上記接合材料流動規制部材の例としての各
ダミーバンプ43の高さ、各ダミーバンプ43の耐熱
性、及び、接合材料45の例については、第1実施形態
と同様である。
The height of each dummy bump 43 as an example of the bonding material flow regulating member, the heat resistance of each dummy bump 43, and the example of the bonding material 45 are the same as in the first embodiment.

【0099】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ41の各バンプ42と回路基板46の各
電極47とが接触するように記載したが、これに限られ
るものではなく、接合工程ではICチップ41の各バン
プ42と回路基板46の各電極47とが接触せず、本圧
着工程で初めてICチップ41の各バンプ42と回路基
板46の各電極47とが接触するようにしてもよい。
In the above description, the bumps 42 of the IC chip 41 and the electrodes 47 of the circuit board 46 are described to be in contact with each other in the bonding step. However, the present invention is not limited to this. The bumps 42 of the chip 41 and the electrodes 47 of the circuit board 46 may not be in contact with each other, and the bumps 42 of the IC chip 41 may be in contact with the electrodes 47 of the circuit board 46 for the first time in the final pressing step.

【0100】上記第5実施形態によれば、長方形ICチ
ップ41の接合面において、長方形のICチップ41が
回路基板46に対して短手方向すなわち幅方向に3点で
支持されることになり、バンプ42,…,42の列の両
側において、ICチップ41と回路基板46との間での
接合力のバランスを大略均等にすることができ、回路基
板46に対するICチップ41の傾きを防止してバンプ
42,…,42の列の両側においてICチップ41と回
路基板46との間の間隔を大略均一にすることができ
て、上記圧着工程での上記ICチップ41の上記接合面
と上記回路基板46のICチップ接合領域46aとの間
の上記接合材料45の中央部から周辺部への接合材料4
5の流動時にダミーバンプ43が接合材料流動規制部材
として機能し、上記接合材料45の中央部から周辺部へ
の流動の大略均一化を図り、かつ、ICチップ41の接
合面内での接合材料45の分布の均一化が図れ、密着力
が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができ
る。
According to the fifth embodiment, on the joining surface of the rectangular IC chip 41, the rectangular IC chip 41 is supported on the circuit board 46 at three points in the short direction, that is, in the width direction. On both sides of the row of the bumps 42,..., 42, the balance of the bonding force between the IC chip 41 and the circuit board 46 can be made substantially uniform, and the inclination of the IC chip 41 with respect to the circuit board 46 can be prevented. The gap between the IC chip 41 and the circuit board 46 can be made substantially uniform on both sides of the row of the bumps 42,..., 42, and the bonding surface of the IC chip 41 and the circuit board in the crimping step can be formed. Bonding material 4 from the central portion to the peripheral portion of the bonding material 45 between the IC chip bonding region 46a and the IC chip bonding region 46a
5, the dummy bumps 43 function as a bonding material flow restricting member, and the flow of the bonding material 45 from the central portion to the peripheral portion is substantially uniform, and the bonding material 45 in the bonding surface of the IC chip 41 is provided. Distribution can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0101】(第6実施形態)本発明の第6実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
16及び図17に基づいて説明する。図16(a)及び
(b)は第6実施形態にかかるICチップの実装方法の
接合工程前の上記ICチップの側面図及び裏面図であ
り、図17は上記接合工程でのICチップと回路基板と
接合材料の側面図である。また、図18(a)及び
(b)は第6実施形態を説明するための従来例にかかる
ICチップの実装方法の接合工程前の上記ICチップの
側面図及び裏面図であり、図19は上記従来例の接合工
程でのICチップと回路基板と接合材料の側面図であ
る。
Sixth Embodiment A method for mounting an IC chip as an example of an electronic component mounting method according to a sixth embodiment of the present invention and an electronic component mounting body manufactured by the method, and a method for manufacturing an IC component manufactured by the method. An IC chip mounted body will be described with reference to FIGS. 16A and 16B are a side view and a back view of the IC chip before the bonding step in the method for mounting an IC chip according to the sixth embodiment, and FIG. 17 shows the IC chip and the circuit in the bonding step. It is a side view of a board | substrate and a joining material. FIGS. 18A and 18B are a side view and a back view of the IC chip before the bonding step of the IC chip mounting method according to the conventional example for explaining the sixth embodiment, and FIG. It is a side view of an IC chip, a circuit board, and a joining material in the joining process of the above-mentioned conventional example.

【0102】上記各実施形態においては、接合材料流動
規制部材の一例としてダミーバンプをバンプが配置され
ていない位置に配置させるものであるが、これに限られ
るものではない。例えば、ICチップ51の接合面の各
辺の辺部近傍のバンプ52,…,52の列の内側の矩形
領域に、ICチップのアクチィブ面(配線面)を保護す
るパッシベーション膜59を備える場合には、ICチッ
プ51の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ52,…,5
2の列の外側の周辺部分の矩形枠領域に補助パッシベー
ション膜53(図中、梨地領域)を接合材料流動規制部
材の一例の接合材料流動規制膜として備えて、補助パッ
シベーション膜53により接合材料55の流動規制を行
うようにしてもよい。
In each of the above embodiments, the dummy bump is arranged at a position where the bump is not arranged as an example of the bonding material flow regulating member. However, the present invention is not limited to this. For example, in a case where a passivation film 59 for protecting the active surface (wiring surface) of the IC chip is provided in a rectangular area inside the row of bumps 52,..., 52 near each side of the bonding surface of the IC chip 51. Are bumps 52,..., 5 near each side of the bonding surface of the IC chip 51.
An auxiliary passivation film 53 (a satin area in the figure) is provided as a bonding material flow control film as an example of a bonding material flow control member in a rectangular frame region of a peripheral portion outside the second row. May be performed.

【0103】従来では、図18に示すように、正方形の
ICチップ151の接合面の各辺の辺部近傍において1
列にかつ大略等間隔にバンプ152,…,152を有し
かつ4辺のバンプ152,…,152で囲まれた正方形
の領域にパッシベーション膜159(図中、梨地領域)
を配置していると仮定する。このようにパッシベーショ
ン膜159がICチップ151に配置されている状態
で、接合材料155を回路基板156に供給したのち、
接合面の電極154上にバンプ152が形成されたIC
チップ151の上記接合面と上記回路基板156との間
に上記接合材料155を介して、上記ICチップ151
の上記電極154上の上記バンプ152と上記回路基板
156の電極157とが電気的に接触するように接合
し、基台160上に上記回路基板156を載置し、IC
チップ151に加熱された押圧部材158を当接させて
加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ICチッ
プ151を圧着して上記ICチップ151の上記接合面
と上記回路基板156との間の上記接合材料155を硬
化させる。このような場合、パッシベーション膜159
が配置されているICチップ151の上記接合面内で4
辺のバンプ152,…,152で囲まれた正方形の領域
よりも、4辺のバンプ152,…,152間の位置及び
4辺のバンプ152,…,152の外側の位置すなわち
接合面の周囲部分においてパッシベーション膜159が
無いため、当該部分で接合材料155の流れる流動速度
が速くなり、接合材料155の密度が低下することによ
り、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封
止力の低下し、剥離が発生することになる。このよう
に、ICチップ151の接合面の周囲部分で接合材料1
55との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が
入り込み、吸湿によるICチップ151などが腐食など
が生じてしまうことになる。
In the prior art, as shown in FIG. 18, one IC chip 151 is provided near each side of the bonding surface of the IC chip 151.
, 152 in rows and at substantially equal intervals, and a passivation film 159 (in the figure, satin area) in a square area surrounded by the four sides of the bumps 152,.
Is located. After the bonding material 155 is supplied to the circuit board 156 while the passivation film 159 is disposed on the IC chip 151 in this manner,
IC having bumps 152 formed on electrodes 154 on the bonding surface
The IC chip 151 is provided between the bonding surface of the chip 151 and the circuit board 156 via the bonding material 155.
The bumps 152 on the electrodes 154 and the electrodes 157 on the circuit board 156 are joined so as to be in electrical contact with each other, and the circuit board 156 is placed on the base 160, and the IC
By pressing the heated pressing member 158 against the chip 151 and pressurizing the same, the IC chip 151 is crimped in a heated and pressurized state, and a gap between the bonding surface of the IC chip 151 and the circuit board 156 is formed. The bonding material 155 is cured. In such a case, the passivation film 159
Are located within the bonding surface of the IC chip 151 on which
The position between the four sides of the bumps 152,..., 152 and the position outside the four sides of the bumps 152,. Since there is no passivation film 159, the flow speed of the bonding material 155 flowing in the relevant portion is increased, and the density of the bonding material 155 is reduced. And peeling will occur. As described above, the bonding material 1 is formed around the bonding surface of the IC chip 151.
When peeling occurs between the IC chip 151 and the semiconductor chip 55, moisture enters the peeled portion, and the IC chip 151 and the like due to moisture absorption corrode.

【0104】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第6実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図16(a),(b)に示すように、正方形のI
Cチップ51の接合面の各辺の辺部近傍において1列に
かつ大略等間隔に配置されたバンプ52,…,52で囲
まれた正方形の領域にパッシベーション膜59(図中、
梨地領域)を配置するだけでなく、4辺のバンプ52,
…,52の外側の位置すなわち接合面の周囲部分におい
て補助パッシベーション膜53(図中、梨地領域)を配
置する。この結果、パッシベーション膜59が配置され
ているICチップ51の上記接合面内で4辺のバンプ5
2,…,52で囲まれた正方形の領域と、補助パッシベ
ーション膜53が配置されている4辺のバンプ52,
…,52の外側の位置すなわち接合面の周囲部分とでは
接合材料55の流れる流動速度が大略同じになり、接合
材料55の密度の低下を防止することができ、接合面の
周囲部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を
防止することができる。
In order to prevent such a decrease in the joining force and the sealing force, in the sixth embodiment, before the joining material supplying step, as shown in FIGS. I
The passivation film 59 (in the figure, a square area surrounded by bumps 52,..., 52 arranged in a line and at substantially equal intervals in the vicinity of each side of the bonding surface of the C chip 51)
Not only) but also the four side bumps 52,
, 52, that is, an auxiliary passivation film 53 (a satin area in the figure) is disposed at a peripheral portion of the bonding surface. As a result, the four sides of the bumps 5 on the bonding surface of the IC chip 51 on which the passivation film 59 is disposed.
, 52, and four-sided bumps 52 on which the auxiliary passivation film 53 is disposed.
, 52, that is, the flow speed of the bonding material 55 flowing at the outer peripheral portion of the bonding surface is substantially the same, so that the density of the bonding material 55 can be prevented from lowering, and the close contact at the peripheral portion of the bonding surface can be prevented. It is possible to prevent a decrease in the force, that is, the joining force and the sealing force.

【0105】なお、各バンプ52が形成される方法は、
第1実施形態と同様である。また、パッシベーション膜
59及び補助パッシベーション膜53を配置する方法と
しては、パッシベーション膜形成用樹脂を塗布する方法
がある。パッシベーション膜形成用樹脂の塗布は、各バ
ンプ52の形成前又は後でよいが、各バンプ52の形成
前の方がパッシベーション膜形成用樹脂の塗布時にバン
プ52を損傷させることがなく好ましい。補助パッシベ
ーション膜53の材料及び形成方法はパッシベーション
膜59と同様とする。パッシベーション膜59及び補助
パッシベーション膜53のそれぞれの一例としては、有
機材はポリイミド、無機材はSi34であり、基板が樹
脂から構成されて基板側が有機である場合には、パッシ
ベーション膜59及び補助パッシベーション膜53も有
機材を用いて、接着性を保持させることが好ましい。ポ
リイミドは液体状をスピンコートし、フォトリソ法によ
り形成する。
The method for forming each bump 52 is as follows.
This is the same as in the first embodiment. As a method for arranging the passivation film 59 and the auxiliary passivation film 53, there is a method of applying a resin for forming a passivation film. The application of the resin for forming a passivation film may be performed before or after the formation of the bumps 52. However, the application before the formation of the bumps 52 is preferable because the bumps 52 are not damaged when the resin for forming the passivation film is applied. The material and forming method of the auxiliary passivation film 53 are the same as those of the passivation film 59. As an example of each of the passivation film 59 and the auxiliary passivation film 53, the organic material is polyimide, the inorganic material is Si 3 N 4 , and when the substrate is made of resin and the substrate side is organic, the passivation film 59 and It is preferable that the auxiliary passivation film 53 is also made of an organic material to maintain the adhesiveness. Polyimide is formed by spin-coating a liquid and using a photolithography method.

【0106】このようにパッシベーション膜59及び補
助パッシベーション膜53並びにバンプ52,…,52
がICチップ51に形成されている状態で、接合材料供
給工程において、ICチップ51の接合面又は回路形成
体の一例としての回路基板56のICチップ接合領域の
少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化
性樹脂を含む接合材料55を供給する。接合材料55の
供給方法は第1実施形態と同様である。
As described above, the passivation film 59, the auxiliary passivation film 53, and the bumps 52,.
Is formed on the IC chip 51, in the bonding material supply step, at least one of the bonding surface of the IC chip 51 and the IC chip bonding region of the circuit board 56 as an example of a circuit formed body is provided with an insulating material. The bonding material 55 containing the thermosetting resin is supplied. The method of supplying the bonding material 55 is the same as in the first embodiment.

【0107】次いで、接合工程において、接合材料55
を間に挟んで回路基板56のICチップ接合領域にIC
チップ51の接合面を重ね合わせて、上記各電極54上
にバンプ52が形成されたICチップ51の上記接合面
と上記回路基板56のICチップ接合領域との間に上記
接合材料55を介して、上記ICチップ51の上記各電
極54上の上記バンプ52と上記回路基板56の各電極
57とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合
する。この接合工程は、回路基板56が基台60上に載
置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接
合材料55を介してICチップ51が回路基板56に重
ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程におい
て、接合材料55を介してICチップ51が重ね合わさ
れている回路基板56が基台60上に載置されるように
してもよい。
Next, in the joining step, the joining material 55
IC in the IC chip bonding area of the circuit board 56 with the
The bonding surface of the chip 51 is overlapped, and the bonding material 55 is interposed between the bonding surface of the IC chip 51 having the bumps 52 formed on the electrodes 54 and the IC chip bonding region of the circuit board 56. The bumps 52 on the electrodes 54 of the IC chip 51 and the electrodes 57 of the circuit board 56 are positioned so as to be in electrical contact with each other and then joined. This bonding step may be performed in a state where the circuit board 56 is placed on the base 60, or the IC chip 51 is superimposed on the circuit board 56 via a bonding material 55 at another place and bonded. After performing the step, the circuit board 56 on which the IC chip 51 is overlapped via the bonding material 55 may be placed on the base 60 in the final pressure bonding step.

【0108】次いで、本圧着工程において、押圧部材5
8をICチップ51に当接させて、接合材料55を介し
てICチップ51が重ね合わされている回路基板56が
載置された基台60に向けて押圧部材58から押圧力を
作用させるとともに、押圧部材58内に内蔵されたヒー
タの熱を押圧部材58からICチップ51に伝達する。
この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させ
て、ICチップ51の接合面を回路基板56のICチッ
プ接合領域に押圧することにより、ICチップ51の接
合面の各電極54上のバンプ52が回路基板56のIC
チップ接合領域内の各電極57に接触する。このとき、
パッシベーション膜59が配置されているICチップ5
1の上記接合面内で4辺のバンプ52,…,52で囲ま
れた正方形の領域において接合材料55の流れる流動速
度と、補助パッシベーション膜53が配置されている4
辺のバンプ52,…,52の外側の位置すなわち接合面
の周囲部分において接合材料55の流れる流動速度が大
略同じになり、接合面の周囲部分での接合材料55の密
度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分での
密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止すること
ができ、少なくともICチップ51の接合面の大略全体
において接合材料55が大略均一に分布保持されて上記
熱により硬化させられてICチップ実装体を製造するこ
とができる。すなわち、上記本圧着工程において、上記
ICチップ51の接合面の周囲部分に備えた補助パッシ
ベーション膜53により、元々パッシベーション膜59
が配置されている上記接合面内で4辺のバンプ52,
…,52で囲まれた正方形の領域と4辺のバンプ52,
…,52の外側の位置すなわち接合面の周囲部分とでの
接合材料55の流動速度の差を無くし、上記ICチップ
51の上記接合面の周囲部分において接合材料55の流
れる流動速度が速くなるのを防止することができる。
Next, in the final pressure bonding step, the pressing member 5
8 is brought into contact with the IC chip 51, and a pressing force is applied from the pressing member 58 to the base 60 on which the circuit board 56 on which the IC chip 51 is superimposed is placed via the bonding material 55, The heat of the heater built in the pressing member 58 is transmitted from the pressing member 58 to the IC chip 51.
As a result, by applying a predetermined pressing force while applying a predetermined temperature to press the bonding surface of the IC chip 51 against the IC chip bonding region of the circuit board 56, the bonding surface of the IC chip 51 Bump 52 is an IC on circuit board 56
It contacts each electrode 57 in the chip bonding area. At this time,
IC chip 5 on which passivation film 59 is arranged
The flow velocity of the bonding material 55 and the auxiliary passivation film 53 are arranged in a square area surrounded by four side bumps 52,...
The flow velocity of the bonding material 55 at the position outside the side bumps 52,..., 52, that is, at the peripheral portion of the bonding surface becomes substantially the same, thereby preventing the density of the bonding material 55 from decreasing around the bonding surface. It is possible to prevent a decrease in the adhesion force, that is, the bonding force and the sealing force at the peripheral portion of the bonding surface, so that the bonding material 55 is distributed and maintained substantially uniformly over at least substantially the entire bonding surface of the IC chip 51. The composition is cured by the heat to produce an IC chip mounted body. In other words, in the main pressure bonding step, the passivation film 59 originally provided by the auxiliary passivation film 53 provided around the bonding surface of the IC chip 51 is used.
Are arranged on the four sides of the bump 52,
, 52 and a four-sided bump 52,
, 52, that is, the difference in the flow rate of the bonding material 55 between the outer peripheral portion of the bonding surface and the peripheral portion of the bonding surface is eliminated, and the flow speed of the bonding material 55 at the peripheral portion of the bonding surface of the IC chip 51 becomes faster. Can be prevented.

【0109】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ51の各バンプ52と回路基板56の各
電極57とが接触するように記載したが、これに限られ
るものではなく、接合工程ではICチップ51の各バン
プ52と回路基板56の各電極57とが接触せず、本圧
着工程で初めてICチップ51の各バンプ52と回路基
板56の各電極57とが接触するようにしてもよい。
In the above description, each bump 52 of the IC chip 51 and each electrode 57 of the circuit board 56 are described to be in contact with each other in the bonding step. However, the present invention is not limited to this. The bumps 52 of the chip 51 and the electrodes 57 of the circuit board 56 may not be in contact with each other, and the bumps 52 of the IC chip 51 may be in contact with the electrodes 57 of the circuit board 56 for the first time in the final pressing step.

【0110】なお、一例として、バンプ52の高さが5
0〜75μmの場合、パッシベーション膜59及び補助
パッシベーション膜53の厚さは30〜40μmとする
のが好ましい。
As an example, when the height of the bump 52 is 5
When the thickness is 0 to 75 μm, the thickness of the passivation film 59 and the auxiliary passivation film 53 is preferably 30 to 40 μm.

【0111】上記第6実施形態によれば、ICチップ5
1の接合面の各辺の辺部近傍において1列にかつ大略等
間隔に配置されたバンプ52,…,52で囲まれた正方
形の領域にパッシベーション膜59(図中、梨地領域)
を配置するだけでなく、4辺のバンプ52,…,52の
外側の位置すなわち接合面の周囲部分において補助パッ
シベーション膜53(図中、梨地領域)を配置するよう
にしたので、上記正方形の領域と上記周囲部分とで接合
材料55の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料
55の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲
部分での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止
し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵入の結
果として吸湿によるICチップ51などが腐食などが防
止できる。よって、ICチップ51の接合面内での接合
材料55の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合
及び封止の信頼性を高めることができる。
According to the sixth embodiment, the IC chip 5
In the vicinity of the side of each side of the bonding surface of No. 1, a passivation film 59 is formed in a square area surrounded by bumps 52,...
In addition, the auxiliary passivation film 53 (the satin area in the figure) is arranged at positions outside the four sides of the bumps 52,... The flow velocity of the joining material 55 is substantially the same at the peripheral portion and the peripheral portion, so that the density of the joining material 55 can be prevented from lowering. This can prevent the IC chip 51 and the like from corroding due to moisture absorption as a result of intrusion of moisture. Therefore, the distribution of the bonding material 55 within the bonding surface of the IC chip 51 can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0112】(第7実施形態)本発明の第7実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
20及び図21に基づいて説明する。図20(a)及び
(b)は第7実施形態にかかるICチップの実装方法の
接合工程前の上記ICチップの側面図及び裏面図であ
り、図21は上記接合工程でのICチップと回路基板と
接合材料の側面図である。また、図18(a)及び
(b)は第7実施形態を説明するための従来例にかかる
ICチップの実装方法の接合工程前の上記ICチップの
側面図及び裏面図であり、図19は上記従来例の接合工
程でのICチップと回路基板と接合材料の側面図であ
る。
(Seventh Embodiment) An IC chip mounting method as an example of an electronic component mounting method according to a seventh embodiment of the present invention and an electronic component mounting body manufactured by the method, and an IC chip manufactured by the method. An IC chip mounted body will be described with reference to FIGS. 20A and 20B are a side view and a back view of the IC chip before the bonding step in the method for mounting an IC chip according to the seventh embodiment, and FIG. 21 shows the IC chip and the circuit in the bonding step. It is a side view of a board | substrate and a joining material. FIGS. 18A and 18B are a side view and a back view of the IC chip before a bonding step of an IC chip mounting method according to a conventional example for explaining the seventh embodiment. FIG. It is a side view of an IC chip, a circuit board, and a joining material in the joining process of the above-mentioned conventional example.

【0113】上記第6実施形態においては、ICチップ
51の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ52,…,52
の列の外側の周辺部分の矩形枠領域にパッシベーション
膜53(図中、梨地領域)を、接合材料流動規制部材の
一例の接合材料流動規制膜として、備えるようにした
が、これに限られるものではない。例えば、第7実施形
態では、ICチップ61の接合面の各辺の辺部近傍のバ
ンプ62,…,62の列の外側の周辺部分の各コーナー
部にのみ大略矩形の補助パッシベーション膜63(図
中、梨地領域)を接合材料流動規制部材の一例として備
えて、補助パッシベーション膜63,…,63により接
合材料65の流動規制を行うようにしてもよい。
In the sixth embodiment, the bumps 52,..., 52 near the side of each side of the bonding surface of the IC chip 51 are provided.
Is provided with a passivation film 53 (a matte region in the figure) as a bonding material flow control film as an example of a bonding material flow control member in a rectangular frame region of a peripheral portion outside the row of the row, but is not limited thereto. is not. For example, in the seventh embodiment, a substantially rectangular auxiliary passivation film 63 (see FIG. 9) is provided only at each corner of the outer peripheral portion of the row of bumps 62,..., 62 near each side of the bonding surface of the IC chip 61. , 63) may be provided as an example of a bonding material flow control member, and the flow of the bonding material 65 may be controlled by the auxiliary passivation films 63,.

【0114】従来では、図18に示すように、正方形の
ICチップ151の接合面の各辺の辺部近傍において1
列にかつ大略等間隔にバンプ152,…,152を有し
かつ4辺のバンプ152,…,152で囲まれた正方形
の領域にパッシベーション膜159(図中、梨地領域)
を配置していると仮定する。このようにパッシベーショ
ン膜159がICチップ151に配置されている状態
で、接合材料155を回路基板156に供給したのち、
接合面の電極154上にバンプ152が形成されたIC
チップ151の上記接合面と上記回路基板156との間
に上記接合材料155を介して、上記ICチップ151
の上記電極154上の上記バンプ152と上記回路基板
156の電極157とが電気的に接触するように接合
し、基台170上に上記回路基板156を載置し、IC
チップ151に加熱された押圧部材158を当接させて
加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ICチッ
プ151を圧着して上記ICチップ151の上記接合面
と上記回路基板156との間の上記接合材料155を硬
化させる。このような場合、パッシベーション膜159
が配置されているICチップ151の上記接合面内で4
辺のバンプ152,…,152で囲まれた正方形の領域
よりも、4辺のバンプ152,…,152間の位置及び
4辺のバンプ152,…,152の外側の位置すなわち
接合面の周囲部分においてパッシベーション膜159が
無いため、当該部分で接合材料155の流れる流動速度
が速くなり、接合材料155の密度が低下することによ
り、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封
止力の低下し、剥離が発生することになる。このよう
に、ICチップ151の接合面の周囲部分で接合材料1
55との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が
入り込み、吸湿によるICチップ151などが腐食など
が生じてしまうことになる。
In the prior art, as shown in FIG.
, 152 in rows and at substantially equal intervals, and a passivation film 159 (in the figure, satin area) in a square area surrounded by the four sides of the bumps 152,.
Is located. After the bonding material 155 is supplied to the circuit board 156 while the passivation film 159 is disposed on the IC chip 151 in this manner,
IC having bumps 152 formed on electrodes 154 on the bonding surface
The IC chip 151 is provided between the bonding surface of the chip 151 and the circuit board 156 via the bonding material 155.
The bumps 152 on the electrodes 154 and the electrodes 157 on the circuit board 156 are joined so as to be in electrical contact with each other, and the circuit board 156 is mounted on the base 170, and the IC
By pressing the heated pressing member 158 against the chip 151 and pressurizing the same, the IC chip 151 is crimped in a heated and pressurized state, and a gap between the bonding surface of the IC chip 151 and the circuit board 156 is formed. The bonding material 155 is cured. In such a case, the passivation film 159
Are located within the bonding surface of the IC chip 151 on which
The position between the four sides of the bumps 152,..., 152 and the position outside the four sides of the bumps 152,. Since there is no passivation film 159, the flow speed of the bonding material 155 flowing in the relevant portion is increased, and the density of the bonding material 155 is reduced. And peeling will occur. As described above, the bonding material 1 is formed around the bonding surface of the IC chip 151.
When peeling occurs between the IC chip 151 and the semiconductor chip 55, moisture enters the peeled portion, and the IC chip 151 and the like due to moisture absorption corrode.

【0115】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第7実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図20(a),(b)に示すように、正方形のI
Cチップ61の接合面の各辺の辺部近傍において1列に
かつ大略等間隔に配置されたバンプ62,…,62で囲
まれた正方形の領域にパッシベーション膜69(図中、
梨地領域)を配置するだけでなく、正方形の領域から4
辺のバンプ62,…,62の外側の位置すなわち接合面
の周囲部分のコーナー部にかけての領域において、パッ
シベーション膜69から連続した補助パッシベーション
膜63,…,63(図中、梨地領域)を配置する。接合
面の周囲部分のコーナー部に配置する理由は、この接合
面のコーナー部付近でのバンプ62,…,62の配置間
隔が他の部分より大きく、接合材料65が流出しやすく
なっており、接合面の周囲部分のコーナー部での流動速
度が他の部分よりも大きくなりやすいため、この周囲部
分のコーナー部に補助パッシベーション膜63,…,6
3を配置して接合材料65の流動規制を行うためであ
る。この結果、パッシベーション膜69が配置されてい
るICチップ61の上記接合面内で4辺のバンプ62,
…,62で囲まれた正方形の領域と、補助パッシベーシ
ョン膜63,…,63が配置されている4辺のバンプ6
2,…,62の外側の位置すなわち接合面の周囲部分の
コーナー部とでは接合材料65の流れる流動速度が大略
同じになり、接合材料65の密度の低下を防止すること
ができ、接合面の周囲部分のコーナー部での密着力すな
わち接合力及び封止力の低下を防止することができる。
In order to prevent such a decrease in the joining force and the sealing force, in the seventh embodiment, as shown in FIGS. I
In the vicinity of the side of each side of the bonding surface of the C chip 61, a passivation film 69 (in the figure, a square region surrounded by bumps 62,...
Not only place pearskin area) but also
At the position outside the side bumps 62,..., 62, that is, in the region extending to the corners around the bonding surface, auxiliary passivation films 63,. . The reason that the bumps 62,..., 62 are arranged at the corners of the peripheral portion of the joining surface near the corners of the joining surface is larger than the other portions, so that the joining material 65 easily flows out. Since the flow velocity at the corner of the peripheral portion of the joining surface is more likely to be higher than at other portions, the auxiliary passivation films 63,.
3 is provided to regulate the flow of the bonding material 65. As a result, the four-sided bumps 62, 4 on the bonding surface of the IC chip 61 on which the passivation film 69 is disposed.
, 62 and the four-sided bumps 6 on which the auxiliary passivation films 63,.
The flow velocity of the joining material 65 is substantially the same at the positions outside of the joints 2, that is, at the corners around the joining surface, so that the density of the joining material 65 can be prevented from lowering. It is possible to prevent a decrease in the adhesion, that is, the bonding force and the sealing force at the corners of the peripheral portion.

【0116】なお、各バンプ62が形成される方法は、
第1実施形態と同様である。また、パッシベーション膜
69及び補助パッシベーション膜63,…,63を配置
する方法としては、パッシベーション膜形成用樹脂を塗
布する方法がある。パッシベーション膜形成用樹脂の塗
布は、各バンプ62の形成前又は後でよいが、各バンプ
62の形成前の方がパッシベーション膜形成用樹脂の塗
布時にバンプ62を損傷させることがなく好ましい。補
助パッシベーション膜63,…,63の材料及び形成方
法はパッシベーション膜69と同様とする。パッシベー
ション膜69及び補助パッシベーション膜63のそれぞ
れの一例としては、有機材はポリイミド、無機材はSi
34であり、基板が樹脂から構成されて基板側が有機で
ある場合には、パッシベーション膜69及び補助パッシ
ベーション膜63も有機材を用いて、接着性を保持させ
ることが好ましい。ポリイミドは液体状をスピンコート
し、フォトリソ法により形成する。
The method for forming each bump 62 is as follows.
This is the same as in the first embodiment. Further, as a method of disposing the passivation film 69 and the auxiliary passivation films 63,..., 63, there is a method of applying a resin for forming a passivation film. The application of the resin for forming a passivation film may be performed before or after the formation of the bumps 62, but is preferably performed before the formation of the bumps 62 without damaging the bumps 62 when the resin for forming the passivation film is applied. The material and forming method of the auxiliary passivation films 63 are the same as those of the passivation film 69. As an example of each of the passivation film 69 and the auxiliary passivation film 63, the organic material is polyimide, and the inorganic material is Si.
3 N is 4, when the substrate-side substrate is composed of a resin is organic, the passivation film 69 and the auxiliary passivation layer 63 include an organic material, it is preferable to hold the adhesive. Polyimide is formed by spin-coating a liquid and using a photolithography method.

【0117】このようにパッシベーション膜69及び補
助パッシベーション膜63,…,63並びにバンプ6
2,…,62がICチップ61に形成されている状態
で、接合材料供給工程において、ICチップ61の接合
面又は回路形成体の一例としての回路基板66のICチ
ップ接合領域の少なくともいずれか一方に、少なくとも
絶縁性の熱硬化性樹脂を含む接合材料65を供給する。
接合材料65の供給方法は第1実施形態と同様である。
As described above, the passivation film 69, the auxiliary passivation films 63,.
In a state where the IC chips 61 are formed on the IC chip 61, in the bonding material supply step, at least one of the bonding surface of the IC chip 61 and the IC chip bonding region of the circuit board 66 as an example of a circuit forming body. , A bonding material 65 containing at least an insulating thermosetting resin is supplied.
The method of supplying the bonding material 65 is the same as in the first embodiment.

【0118】次いで、接合工程において、接合材料65
を間に挟んで回路基板66のICチップ接合領域にIC
チップ61の接合面を重ね合わせて、上記各電極64上
にバンプ62が形成されたICチップ61の上記接合面
と上記回路基板66のICチップ接合領域との間に上記
接合材料65を介して、上記ICチップ61の上記各電
極64上の上記バンプ62と上記回路基板66の各電極
67とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合
する。この接合工程は、回路基板66が基台70上に載
置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接
合材料65を介してICチップ61が回路基板66に重
ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程におい
て、接合材料65を介してICチップ61が重ね合わさ
れている回路基板66が基台70上に載置されるように
してもよい。
Next, in the joining step, the joining material 65 is used.
IC in the IC chip bonding area of the circuit board 66 with the
The bonding surfaces of the chip 61 are overlapped, and the bonding material 65 is interposed between the bonding surface of the IC chip 61 having the bumps 62 formed on the electrodes 64 and the IC chip bonding region of the circuit board 66. The bumps 62 on the electrodes 64 of the IC chip 61 and the electrodes 67 of the circuit board 66 are positioned so as to be in electrical contact with each other and then joined. This bonding step may be performed in a state where the circuit board 66 is placed on the base 70, or the IC chip 61 is superimposed on the circuit board 66 via a bonding material 65 at another place and bonded. After performing the step, the circuit board 66 on which the IC chip 61 is overlaid via the bonding material 65 may be placed on the base 70 in the final pressure bonding step.

【0119】次いで、本圧着工程において、押圧部材6
8をICチップ61に当接させて、接合材料65を介し
てICチップ61が重ね合わされている回路基板66が
載置された基台70に向けて押圧部材68から押圧力を
作用させるとともに、押圧部材68内に内蔵されたヒー
タの熱を押圧部材68からICチップ61に伝達する。
この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させ
て、ICチップ61の接合面を回路基板66のICチッ
プ接合領域に押圧することにより、ICチップ61の接
合面の各電極64上のバンプ62が回路基板66のIC
チップ接合領域内の各電極67に接触する。このとき、
パッシベーション膜69が配置されているICチップ6
1の上記接合面内で4辺のバンプ62,…,62で囲ま
れた正方形の領域において接合材料65の流れる流動速
度と、パッシベーション膜69から連続した補助パッシ
ベーション膜63,…,63が配置されている上記正方
形の領域のコーナー部から4辺のバンプ62,…,62
の外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部に
かけての領域において接合材料65の流れる流動速度が
大略同じになり、接合面の周囲部分のコーナー部での接
合材料65の密度の低下を防止することができ、接合面
の周囲部分のコーナー部での密着力すなわち接合力及び
封止力の低下を防止することができ、少なくともICチ
ップ61の接合面の大略全体において接合材料65が大
略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられてI
Cチップ実装体を製造することができる。すなわち、上
記本圧着工程において、上記ICチップ61の接合面の
周囲部分のコーナー部に備えた補助パッシベーション膜
63,…,63により、元々パッシベーション膜69が
配置されている上記接合面内で4辺のバンプ62,…,
62で囲まれた正方形の領域と4辺のバンプ62,…,
62の外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー
部とでの接合材料65の流動速度の差を無くし、上記I
Cチップ61の上記接合面の周囲部分のコーナー部にお
いて接合材料65の流れる流動速度が速くなるのを防止
することができる。
Next, in the final pressure bonding step, the pressing member 6
8 is brought into contact with the IC chip 61, and a pressing force is applied from the pressing member 68 to the base 70 on which the circuit board 66 on which the IC chip 61 is superimposed is placed via the bonding material 65, The heat of the heater built in the pressing member 68 is transmitted from the pressing member 68 to the IC chip 61.
As a result, by applying a predetermined pressing force while applying a predetermined temperature to press the bonding surface of the IC chip 61 against the IC chip bonding region of the circuit board 66, the bonding surface of the IC chip 61 on each electrode 64 Bump 62 is an IC on circuit board 66
It contacts each electrode 67 in the chip bonding area. At this time,
IC chip 6 on which passivation film 69 is arranged
, 63, the flow speed of the bonding material 65 flowing in the square area surrounded by the four sides of the bumps 62,..., And the auxiliary passivation films 63,. , 62 on the four sides from the corner of the square area
The flow velocity of the bonding material 65 at the outer portion of the bonding material, that is, in the region extending to the corners of the peripheral portion of the bonding surface becomes substantially the same, thereby preventing the density of the bonding material 65 from decreasing at the corners of the peripheral portion of the bonding surface. It is possible to prevent a decrease in the adhesion, that is, the bonding force and the sealing force at the corners of the peripheral portion of the bonding surface, and to make the bonding material 65 substantially uniform over at least substantially the entire bonding surface of the IC chip 61. The distribution is maintained and cured by the above-mentioned heat to obtain I
A C-chip mounted body can be manufactured. That is, in the final pressure bonding step, the auxiliary passivation films 63,..., 63 provided at the corners around the bonding surface of the IC chip 61 provide four sides within the bonding surface where the passivation film 69 is originally disposed. Bumps 62, ...,
A square area surrounded by 62 and four-sided bumps 62,.
The difference in the flow velocity of the bonding material 65 between the position outside the outer periphery 62, that is, the corner portion of the peripheral portion of the bonding surface, is eliminated.
It is possible to prevent the flow speed of the joining material 65 from increasing at the corners around the joining surface of the C chip 61.

【0120】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ61の各バンプ62と回路基板66の各
電極67とが接触するように記載したが、これに限られ
るものではなく、接合工程ではICチップ61の各バン
プ62と回路基板66の各電極67とが接触せず、本圧
着工程で初めてICチップ61の各バンプ62と回路基
板66の各電極67とが接触するようにしてもよい。
In the above description, each bump 62 of the IC chip 61 and each electrode 67 of the circuit board 66 are described to be in contact with each other in the bonding step. However, the present invention is not limited to this. The bumps 62 of the chip 61 and the electrodes 67 of the circuit board 66 may not be in contact with each other, and the bumps 62 of the IC chip 61 may be in contact with the electrodes 67 of the circuit board 66 for the first time in the final pressure bonding step.

【0121】なお、一例として、バンプ62の高さが5
0〜75μmの場合、パッシベーション膜69及び補助
パッシベーション膜63の厚さは30〜40μmとする
のが好ましい。
As an example, the height of the bump 62 is 5
In the case of 0 to 75 μm, the thickness of the passivation film 69 and the auxiliary passivation film 63 is preferably 30 to 40 μm.

【0122】上記第7実施形態によれば、ICチップ6
1の接合面の各辺の辺部近傍において1列にかつ大略等
間隔に配置されたバンプ62,…,62で囲まれた正方
形の領域にパッシベーション膜69(図中、梨地領域)
を配置するだけでなく、4辺のバンプ62,…,62の
外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部にお
いて大略矩形の補助パッシベーション膜63,…,63
(図中、梨地領域)を配置するようにしたので、上記正
方形の領域と上記周囲部分のコーナー部とで接合材料6
5の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料65の
密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分の
コーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下
を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵
入の結果として吸湿によるICチップ61などが腐食な
どが防止できる。よって、ICチップ61の接合面内で
の接合材料65の分布の均一化が図れ、密着力が向上
し、接合及び封止の信頼性を高めることができる。
According to the seventh embodiment, the IC chip 6
In the vicinity of the side of each side of the bonding surface of No. 1, a passivation film 69 is formed in a square area surrounded by bumps 62,...
, And a substantially rectangular auxiliary passivation film 63,..., 63 at positions outside the four sides of the bumps 62,.
(The satin area in the figure) is arranged, so that the joining material 6 is formed between the square area and the corner of the peripheral part.
5, the flow speed of the flowing material 5 is substantially the same, and a decrease in the density of the bonding material 65 can be prevented. The occurrence of peeling can be prevented, and corrosion of the IC chip 61 and the like due to moisture absorption as a result of intrusion of moisture can be prevented. Accordingly, the distribution of the bonding material 65 within the bonding surface of the IC chip 61 can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0123】(第8実施形態)本発明の第8実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
22及び図23に基づいて説明する。図22(a)及び
(b)は第8実施形態にかかるICチップの実装方法の
接合工程前の上記ICチップの側面図及び裏面図であ
り、図23は上記接合工程でのICチップと回路基板と
接合材料の側面図である。また、図18(a)及び
(b)は第8実施形態を説明するための従来例にかかる
ICチップの実装方法の接合工程前の上記ICチップの
側面図及び裏面図であり、図19は上記従来例の接合工
程でのICチップと回路基板と接合材料の側面図であ
る。
(Eighth Embodiment) A mounting method of an IC chip as an example of an electronic component mounting method according to an eighth embodiment of the present invention and an electronic component mounted body manufactured by the method, and an electronic component mounted body manufactured by the method. An IC chip mounted body will be described with reference to FIGS. FIGS. 22A and 22B are a side view and a back view of the IC chip before the bonding step in the method for mounting an IC chip according to the eighth embodiment, and FIG. 23 shows the IC chip and the circuit in the bonding step. It is a side view of a board | substrate and a joining material. FIGS. 18A and 18B are a side view and a back view of the IC chip before a bonding step of a method of mounting the IC chip according to a conventional example for explaining the eighth embodiment. FIG. It is a side view of an IC chip, a circuit board, and a joining material in the joining process of the conventional example.

【0124】上記第6実施形態においては、ICチップ
51の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ52,…,52
の列の外側の周辺部分の矩形枠領域に補助パッシベーシ
ョン膜53(図中、梨地領域)を、接合材料流動規制部
材の一例の接合材料流動規制膜として、備えるようにし
たが、これに限られるものではない。例えば、第8実施
形態では、第6実施形態と第7実施形態とを組み合わせ
たものであって、ICチップ81の接合面の各辺の辺部
近傍のバンプ82,…,82の列の外側の周辺部分と、
上記パッシベーション膜59の正方形の領域のコーナー
部から外側の周辺部分のコーナー部までの領域すなわち
接合面の周囲部分及びそのコーナー部付近にかけての領
域において、補助パッシベーション膜83(図中、梨地
領域)を接合材料流動規制部材の一例として備えて、補
助パッシベーション膜83により接合材料85の流動規
制を行うようにしてもよい。
In the sixth embodiment, the bumps 52,..., 52 near the sides of the bonding surface of the IC chip 51 are provided.
The auxiliary passivation film 53 (in the figure, satin area) is provided as a bonding material flow control film as an example of a bonding material flow control member in the rectangular frame region of the outer peripheral portion of the row, but is not limited thereto. Not something. For example, in the eighth embodiment, the sixth embodiment is combined with the seventh embodiment, and the outer side of the row of bumps 82,... Around the
In the region from the corner of the square region of the passivation film 59 to the corner of the outer peripheral portion, that is, the region around the bonding surface and the vicinity of the corner, the auxiliary passivation film 83 (in the figure, satin region) is formed. The auxiliary passivation film 83 may be used to control the flow of the bonding material 85 provided as an example of a bonding material flow restricting member.

【0125】従来では、図18に示すように、正方形の
ICチップ151の接合面の各辺の辺部近傍において1
列にかつ大略等間隔にバンプ152,…,152を有し
かつ4辺のバンプ152,…,152で囲まれた正方形
の領域にパッシベーション膜159(図中、梨地領域)
を配置していると仮定する。このようにパッシベーショ
ン膜159がICチップ151に配置されている状態
で、接合材料155を回路基板156に供給したのち、
接合面の電極154上にバンプ152が形成されたIC
チップ151の上記接合面と上記回路基板156との間
に上記接合材料155を介して、上記ICチップ151
の上記電極154上の上記バンプ152と上記回路基板
156の電極157とが電気的に接触するように接合
し、基台180上に上記回路基板156を載置し、IC
チップ151に加熱された押圧部材158を当接させて
加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ICチッ
プ151を圧着して上記ICチップ151の上記接合面
と上記回路基板156との間の上記接合材料155を硬
化させる。このような場合、パッシベーション膜159
が配置されているICチップ151の上記接合面内で4
辺のバンプ152,…,152で囲まれた正方形の領域
よりも、4辺のバンプ152,…,152間の位置及び
4辺のバンプ152,…,152の外側の位置すなわち
接合面の周囲部分においてパッシベーション膜159が
無いため、当該部分で接合材料155の流れる流動速度
が速くなり、接合材料155の密度が低下することによ
り、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封
止力の低下し、剥離が発生することになる。このよう
に、ICチップ151の接合面の周囲部分で接合材料1
55との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が
入り込み、吸湿によるICチップ151などが腐食など
が生じてしまうことになる。
In the prior art, as shown in FIG.
, 152 in rows and at substantially equal intervals, and a passivation film 159 (in the figure, satin area) in a square area surrounded by the four sides of the bumps 152,.
Is located. After the bonding material 155 is supplied to the circuit board 156 while the passivation film 159 is disposed on the IC chip 151 in this manner,
IC having bumps 152 formed on electrodes 154 on the bonding surface
The IC chip 151 is provided between the bonding surface of the chip 151 and the circuit board 156 via the bonding material 155.
The bumps 152 on the electrodes 154 and the electrodes 157 on the circuit board 156 are joined so as to be in electrical contact with each other, and the circuit board 156 is mounted on the
By pressing the heated pressing member 158 against the chip 151 and pressurizing the same, the IC chip 151 is crimped in a heated and pressurized state, and a gap between the bonding surface of the IC chip 151 and the circuit board 156 is formed. The bonding material 155 is cured. In such a case, the passivation film 159
Are located within the bonding surface of the IC chip 151 on which
The position between the four sides of the bumps 152,..., 152 and the position outside the four sides of the bumps 152,. Since there is no passivation film 159, the flow speed of the bonding material 155 flowing in the relevant portion is increased, and the density of the bonding material 155 is reduced. And peeling will occur. As described above, the bonding material 1 is formed around the bonding surface of the IC chip 151.
When peeling occurs between the IC chip 151 and the semiconductor chip 55, moisture enters the peeled portion, and the IC chip 151 and the like due to moisture absorption corrode.

【0126】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第8実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図22(a),(b)に示すように、正方形のI
Cチップ81の接合面の各辺の辺部近傍において1列に
かつ大略等間隔に配置されたバンプ82,…,82で囲
まれた正方形の領域にパッシベーション膜89(図中、
梨地領域)を配置するだけでなく、4辺のバンプ82,
…,82の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそ
のコーナー部において補助パッシベーション膜83(図
中、梨地領域)を配置する。接合面の周囲部分及びその
コーナー部に配置する理由は、第6実施形態及び第7実
施形態の両方の作用効果を同時的に奏するためである。
この結果、パッシベーション膜89が配置されているI
Cチップ81の上記接合面内で4辺のバンプ82,…,
82で囲まれた正方形の領域と、補助パッシベーション
膜83が配置されている4辺のバンプ82,…,82の
外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー
部とでは接合材料85の流れる流動速度が大略同じにな
り、接合材料85の密度の低下を防止することができ、
接合面の周囲部分及びそのコーナー部での密着力すなわ
ち接合力及び封止力の低下を防止することができる。
In order to prevent such a decrease in the bonding force and the sealing force, in the eighth embodiment, as shown in FIGS. I
In the vicinity of the side of each side of the bonding surface of the C chip 81, a passivation film 89 (in the figure, a square area surrounded by bumps 82,...
Not only) but also bumps 82 on four sides,
, 82, that is, an auxiliary passivation film 83 (a satin area in the figure) is disposed at a peripheral portion of the bonding surface and a corner thereof. The reason for arranging it at the peripheral portion of the joining surface and at the corner thereof is to simultaneously achieve the functions and effects of both the sixth embodiment and the seventh embodiment.
As a result, I where the passivation film 89 is disposed
Within the bonding surface of the C chip 81, four bumps 82,.
The flow of the bonding material 85 flows between the square area surrounded by 82 and the positions outside the four sides of the bumps 82,... The speeds are substantially the same, and a decrease in the density of the bonding material 85 can be prevented.
It is possible to prevent a decrease in the adhesive force at the peripheral portion of the joining surface and at the corner thereof, that is, the joining force and the sealing force.

【0127】なお、各バンプ82が形成される方法は、
第1実施形態と同様である。また、パッシベーション膜
89及び補助パッシベーション膜83を配置する方法と
しては、パッシベーション膜形成用樹脂を塗布する方法
がある。パッシベーション膜形成用樹脂の塗布は、各バ
ンプ82の形成前又は後でよいが、各バンプ82の形成
前の方がパッシベーション膜形成用樹脂の塗布時にバン
プ82を損傷させることがなく好ましい。補助パッシベ
ーション膜83の材料及び形成方法はパッシベーション
膜89と同様とする。パッシベーション膜89及び補助
パッシベーション膜83のそれぞれの一例としては、有
機材はポリイミド、無機材はSi34であり、基板が樹
脂から構成されて基板側が有機である場合には、パッシ
ベーション膜89及び補助パッシベーション膜83も有
機材を用いて、接着性を保持させることが好ましい。ポ
リイミドは液体状をスピンコートし、フォトリソ法によ
り形成する。
The method for forming each bump 82 is as follows.
This is the same as in the first embodiment. As a method for arranging the passivation film 89 and the auxiliary passivation film 83, there is a method of applying a resin for forming a passivation film. The application of the resin for forming a passivation film may be performed before or after the formation of the bumps 82, but is preferably performed before the formation of the bumps 82 without damaging the bumps 82 when the resin for forming the passivation film is applied. The material and forming method of the auxiliary passivation film 83 are the same as those of the passivation film 89. As an example of each of the passivation film 89 and the auxiliary passivation film 83, the organic material is polyimide, the inorganic material is Si 3 N 4 , and when the substrate is made of resin and the substrate side is organic, the passivation film 89 and the It is preferable that the auxiliary passivation film 83 is also made of an organic material to maintain the adhesiveness. Polyimide is formed by spin-coating a liquid and using a photolithography method.

【0128】このようにパッシベーション膜89及び補
助パッシベーション膜83並びにバンプ82,…,82
がICチップ81に形成されている状態で、接合材料供
給工程において、ICチップ81の接合面又は回路形成
体の一例としての回路基板86のICチップ接合領域の
少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化
性樹脂を含む接合材料85を供給する。接合材料85の
供給方法は第1実施形態と同様である。
As described above, the passivation film 89, the auxiliary passivation film 83, and the bumps 82,.
Is formed on the IC chip 81, in the bonding material supplying step, at least one of the bonding surface of the IC chip 81 and the IC chip bonding region of the circuit board 86 as an example of a circuit forming body is provided with an insulating material. The bonding material 85 containing the thermosetting resin is supplied. The method of supplying the bonding material 85 is the same as in the first embodiment.

【0129】次いで、接合工程において、接合材料85
を間に挟んで回路基板86のICチップ接合領域にIC
チップ81の接合面を重ね合わせて、上記各電極84上
にバンプ82が形成されたICチップ81の上記接合面
と上記回路基板86のICチップ接合領域との間に上記
接合材料85を介して、上記ICチップ81の上記各電
極84上の上記バンプ82と上記回路基板86の各電極
87とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合
する。この接合工程は、回路基板86が基台90上に載
置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で接
合材料85を介してICチップ81が回路基板86に重
ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程におい
て、接合材料85を介してICチップ81が重ね合わさ
れている回路基板86が基台90上に載置されるように
してもよい。
Next, in the joining step, the joining material 85 is formed.
IC in the IC chip bonding area of the circuit board 86 with the
The bonding surface of the chip 81 is overlapped, and the bonding material 85 is interposed between the bonding surface of the IC chip 81 having the bumps 82 formed on the electrodes 84 and the IC chip bonding region of the circuit board 86. The bumps 82 on the electrodes 84 of the IC chip 81 and the electrodes 87 of the circuit board 86 are positioned so as to be in electrical contact with each other, and then joined. This bonding step may be performed in a state where the circuit board 86 is placed on the base 90, or the IC chip 81 is superimposed on the circuit board 86 via a bonding material 85 at another place and bonded. After performing the step, the circuit board 86 on which the IC chip 81 is overlapped via the bonding material 85 may be placed on the base 90 in the final pressure bonding step.

【0130】次いで、本圧着工程において、押圧部材8
8をICチップ81に当接させて、接合材料85を介し
てICチップ81が重ね合わされている回路基板86が
載置された基台90に向けて押圧部材88から押圧力を
作用させるとともに、押圧部材88内に内蔵されたヒー
タの熱を押圧部材88からICチップ81に伝達する。
この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用させ
て、ICチップ81の接合面を回路基板86のICチッ
プ接合領域に押圧することにより、ICチップ81の接
合面の各電極84上のバンプ82が回路基板86のIC
チップ接合領域内の各電極87に接触する。このとき、
パッシベーション膜89が配置されているICチップ8
1の上記接合面内で4辺のバンプ82,…,82で囲ま
れた正方形の領域において接合材料85の流れる流動速
度と、補助パッシベーション膜83が配置されている4
辺のバンプ82,…,82の外側の位置すなわち接合面
の周囲部分及びそのコーナー部において接合材料85の
流れる流動速度が大略同じになり、接合面の周囲部分及
びそのコーナー部での接合材料85の密度の低下を防止
することができ、接合面の周囲部分及びそのコーナー部
での密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止する
ことができ、少なくともICチップ81の接合面の大略
全体において接合材料85が大略均一に分布保持されて
上記熱により硬化させられてICチップ実装体を製造す
ることができる。すなわち、上記本圧着工程において、
上記ICチップ81の接合面の周囲部分及びそのコーナ
ー部に備えた補助パッシベーション膜83により、元々
パッシベーション膜89が配置されている上記接合面内
で4辺のバンプ82,…,82で囲まれた正方形の領域
と4辺のバンプ82,…,82の外側の位置すなわち接
合面の周囲部分及びそのコーナー部とでの接合材料85
の流動速度の差を無くし、上記ICチップ81の上記接
合面の周囲部分及びそのコーナー部において接合材料8
5の流れる流動速度が速くなるのを防止することができ
る。
Next, in the final pressure bonding step, the pressing member 8
8 is brought into contact with the IC chip 81, and a pressing force is applied from the pressing member 88 to the base 90 on which the circuit board 86 on which the IC chip 81 is superimposed is placed via the bonding material 85. The heat of the heater built in the pressing member 88 is transmitted from the pressing member 88 to the IC chip 81.
As a result, by applying a predetermined pressing force while applying a predetermined temperature to press the bonding surface of the IC chip 81 against the IC chip bonding region of the circuit board 86, the bonding surface of the IC chip 81 The bump 82 is an IC of the circuit board 86
It contacts each electrode 87 in the chip bonding area. At this time,
IC chip 8 on which passivation film 89 is arranged
The flow velocity of the bonding material 85 and the auxiliary passivation film 83 are arranged in a square area surrounded by four bumps 82,...
The flow velocity of the bonding material 85 at the position outside the side bumps 82,... 82, that is, the peripheral portion of the bonding surface and the corner thereof becomes substantially the same, and the bonding material 85 at the peripheral portion of the bonding surface and the corner thereof. Of the IC chip 81 can be prevented, and the adhesive force at the peripheral portion of the bonding surface and the corner thereof, that is, the bonding force and the sealing force can be prevented from lowering. In this case, the bonding material 85 is substantially uniformly distributed and maintained, and is cured by the heat, whereby an IC chip mounted body can be manufactured. That is, in the above-mentioned final pressure bonding step,
The auxiliary passivation film 83 provided on the periphery and the corner of the bonding surface of the IC chip 81 is surrounded by four sides of bumps 82,..., 82 within the bonding surface on which the passivation film 89 is originally arranged. .., 82, that is, the bonding material 85 at the positions outside the four sides of the bumps 82,...
Of the bonding material 8 at the peripheral portion of the bonding surface of the IC chip 81 and at the corner thereof.
5 can be prevented from increasing the flowing velocity.

【0131】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ81の各バンプ82と回路基板86の各
電極87とが接触するように記載したが、これに限られ
るものではなく、接合工程ではICチップ81の各バン
プ82と回路基板86の各電極87とが接触せず、本圧
着工程で初めてICチップ81の各バンプ82と回路基
板86の各電極87とが接触するようにしてもよい。
In the above description, each bump 82 of the IC chip 81 and each electrode 87 of the circuit board 86 are in contact with each other in the bonding step. However, the present invention is not limited to this. The bumps 82 of the chip 81 and the electrodes 87 of the circuit board 86 may not be in contact with each other, and the bumps 82 of the IC chip 81 may be in contact with the electrodes 87 of the circuit board 86 for the first time in the final pressing step.

【0132】なお、一例として、バンプ82の高さが5
0〜75μmの場合、パッシベーション膜89及び補助
パッシベーション膜83の厚さは30〜40μmとする
のが好ましい。
As an example, the height of the bump 82 is 5
When the thickness is 0 to 75 μm, the thickness of the passivation film 89 and the auxiliary passivation film 83 is preferably 30 to 40 μm.

【0133】上記第8実施形態によれば、ICチップ8
1の接合面の各辺の辺部近傍において1列にかつ大略等
間隔に配置されたバンプ82,…,82で囲まれた正方
形の領域にパッシベーション膜89(図中、梨地領域)
を配置するだけでなく、4辺のバンプ82,…,82の
外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー
部において大略矩形の補助パッシベーション膜83(図
中、梨地領域)を配置するようにしたので、上記正方形
の領域と上記周囲部分及びそのコーナー部とで接合材料
85の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料85
の密度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分
及びそのコーナー部での密着力すなわち接合力及び封止
力の低下を防止し、剥離の発生を防止することができ、
水分の侵入の結果として吸湿によるICチップ81など
が腐食などが防止できる。よって、ICチップ81の接
合面内での接合材料85の分布の均一化が図れ、密着力
が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることができ
る。
According to the eighth embodiment, the IC chip 8
In the vicinity of the side of each side of the bonding surface of No. 1, a passivation film 89 is formed in a square area surrounded by bumps 82,...
, And a substantially rectangular auxiliary passivation film 83 (a satin area in the figure) at positions outside the four sides of the bumps 82,... Therefore, the flow speed of the joining material 85 in the square area and the peripheral portion and the corner thereof becomes substantially the same, and the joining material 85
Can be prevented, the adhesion at the peripheral portion of the joining surface and the corner thereof, that is, the joining force and the sealing force can be prevented from decreasing, and the occurrence of peeling can be prevented.
Corrosion of the IC chip 81 and the like due to moisture absorption as a result of intrusion of moisture can be prevented. Therefore, the distribution of the bonding material 85 in the bonding surface of the IC chip 81 can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0134】(第9実施形態)本発明の第9実施形態に
かかる電子部品の実装方法及びその方法により製造され
る電子部品実装体の一例としての、ICチップの実装方
法及びその方法により製造されるICチップ実装体を図
24及び図25に基づいて説明する。図24(a)及び
(b)は第9実施形態にかかるICチップの実装方法の
接合工程前の上記ICチップの側面図及び裏面図であ
り、図25は上記接合工程でのICチップと回路基板と
接合材料の側面図である。また、図18(a)及び
(b)は第9実施形態を説明するための従来例にかかる
ICチップの実装方法の接合工程前の上記ICチップの
側面図及び裏面図であり、図19は上記従来例の接合工
程でのICチップと回路基板と接合材料の側面図であ
る。
(Ninth Embodiment) An IC chip mounting method as an example of an electronic component mounting method according to a ninth embodiment of the present invention and an electronic component mounting body manufactured by the method, and an IC chip manufactured by the method. An IC chip mounted body will be described with reference to FIGS. 24 and 25. FIGS. 24A and 24B are a side view and a back view of the IC chip before the bonding step in the IC chip mounting method according to the ninth embodiment, and FIG. 25 shows the IC chip and the circuit in the bonding step. It is a side view of a board | substrate and a joining material. FIGS. 18A and 18B are a side view and a back view of the IC chip before a bonding step of a method of mounting the IC chip according to the conventional example for explaining the ninth embodiment, and FIG. It is a side view of an IC chip, a circuit board, and a joining material in the joining process of the conventional example.

【0135】上記第6実施形態においては、ICチップ
51の接合面の各辺の辺部近傍のバンプ52,…,52
の列の外側の周辺部分の矩形枠領域に補助パッシベーシ
ョン膜53(図中、梨地領域)を、接合材料流動規制部
材の一例の接合材料流動規制膜として、備えるようにし
たが、これに限られるものではない。例えば、第9実施
形態では、第6実施形態と第7実施形態とを組み合わせ
た第8実施形態に加えて、さらに、ICチップ91の接
合面の各辺の辺部近傍のバンプ92,…,92間の隙間
の部分にも補助パッシベーション膜93(図中、梨地領
域)を接合材料流動規制部材の一例として備えて、補助
パッシベーション膜93により接合材料95の流動規制
を行うようにしてもよい。すなわち、言い換えれば、I
Cチップ91の接合面のバンプ92,…,92以外の領
域全てに、補助パッシベーション膜93(図中、梨地領
域)を接合材料流動規制部材の一例として備えて、補助
パッシベーション膜93により接合材料95の流動規制
を行うようにしてもよい。
In the sixth embodiment, the bumps 52,..., 52 near the sides of each side of the bonding surface of the IC chip 51 are provided.
The auxiliary passivation film 53 (in the figure, satin area) is provided as a bonding material flow control film as an example of a bonding material flow control member in the rectangular frame region of the outer peripheral portion of the row, but is not limited thereto. Not something. For example, in the ninth embodiment, in addition to the eighth embodiment in which the sixth embodiment and the seventh embodiment are combined, bumps 92,... An auxiliary passivation film 93 (a satin area in the figure) may be provided as an example of a bonding material flow control member also in the gap between the 92, and the flow of the bonding material 95 may be controlled by the auxiliary passivation film 93. That is, in other words, I
An auxiliary passivation film 93 (a satin area in the figure) is provided as an example of a bonding material flow regulating member in all regions other than the bumps 92,..., 92 on the bonding surface of the C chip 91, and the bonding material 95 is formed by the auxiliary passivation film 93. May be performed.

【0136】従来では、図18に示すように、正方形の
ICチップ151の接合面の各辺の辺部近傍において1
列にかつ大略等間隔にバンプ152,…,152を有し
かつ4辺のバンプ152,…,152で囲まれた正方形
の領域にパッシベーション膜159(図中、梨地領域)
を配置していると仮定する。このようにパッシベーショ
ン膜159がICチップ151に配置されている状態
で、接合材料155を回路基板156に供給したのち、
接合面の電極154上にバンプ152が形成されたIC
チップ151の上記接合面と上記回路基板156との間
に上記接合材料155を介して、上記ICチップ151
の上記電極154上の上記バンプ152と上記回路基板
156の電極157とが電気的に接触するように接合
し、基台180上に上記回路基板156を載置し、IC
チップ151に加熱された押圧部材158を当接させて
加圧することにより、加熱及び加圧状態で上記ICチッ
プ151を圧着して上記ICチップ151の上記接合面
と上記回路基板156との間の上記接合材料155を硬
化させる。このような場合、パッシベーション膜159
が配置されているICチップ151の上記接合面内で4
辺のバンプ152,…,152で囲まれた正方形の領域
よりも、4辺のバンプ152,…,152間の位置及び
4辺のバンプ152,…,152の外側の位置すなわち
接合面の周囲部分においてパッシベーション膜159が
無いため、当該部分で接合材料155の流れる流動速度
が速くなり、接合材料155の密度が低下することによ
り、接合面の周囲部分での密着力すなわち接合力及び封
止力の低下し、剥離が発生することになる。このよう
に、ICチップ151の接合面の周囲部分で接合材料1
55との間で剥離が発生すると、その剥離部分に水分が
入り込み、吸湿によるICチップ151などが腐食など
が生じてしまうことになる。
In the prior art, as shown in FIG. 18, one IC chip 151 is formed in the vicinity of each side of the bonding surface of the IC chip 151.
, 152 in rows and at substantially equal intervals, and a passivation film 159 (in the figure, satin area) in a square area surrounded by the four sides of the bumps 152,.
Is located. After the bonding material 155 is supplied to the circuit board 156 while the passivation film 159 is disposed on the IC chip 151 in this manner,
IC having bumps 152 formed on electrodes 154 on the bonding surface
The IC chip 151 is provided between the bonding surface of the chip 151 and the circuit board 156 via the bonding material 155.
The bumps 152 on the electrodes 154 and the electrodes 157 on the circuit board 156 are joined so as to be in electrical contact with each other, and the circuit board 156 is mounted on the
By pressing the heated pressing member 158 against the chip 151 and pressurizing the same, the IC chip 151 is crimped in a heated and pressurized state, and a gap between the bonding surface of the IC chip 151 and the circuit board 156 is formed. The bonding material 155 is cured. In such a case, the passivation film 159
Are located within the bonding surface of the IC chip 151 on which
The position between the four sides of the bumps 152,..., 152 and the position outside the four sides of the bumps 152,. Since there is no passivation film 159, the flow speed of the bonding material 155 flowing in the relevant portion is increased, and the density of the bonding material 155 is reduced. And peeling will occur. As described above, the bonding material 1 is formed around the bonding surface of the IC chip 151.
When peeling occurs between the IC chip 151 and the semiconductor chip 55, moisture enters the peeled portion, and the IC chip 151 and the like due to moisture absorption corrode.

【0137】このような接合力及び封止力の低下を防止
するため、第9実施形態では、上記接合材料供給工程の
前に、図24(a),(b)に示すように、正方形のI
Cチップ91の接合面の各辺の辺部近傍において1列に
かつ大略等間隔に配置されたバンプ92,…,92で囲
まれた正方形の領域にパッシベーション膜99(図中、
梨地領域)を配置するだけでなく、4辺のバンプ92,
…,92の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそ
のコーナー部及び隣接するバンプ92,92との間の部
分に、補助パッシベーション膜93(図中、梨地領域)
を配置する。接合面の周囲部分及びそのコーナー部に加
えて隣接するバンプ92,92との間の部分にも配置す
る理由は、第6実施形態及び第7実施形態の両方の作用
効果を同時的に奏する上に、隣接するバンプ92,92
との間の部分と反れ以外の部分との間でも接合材料95
の流動速度を同じにするためである。この結果、パッシ
ベーション膜99が配置されているICチップ91の上
記接合面内でバンプ92,…,92が配置されている部
分以外の領域で接合材料95の流れる流動速度が大略同
じになり、接合材料95の密度の低下を防止することが
でき、接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接す
るバンプ92,92との間の部分での密着力すなわち接
合力及び封止力の低下を防止することができる。
In order to prevent such a decrease in the bonding force and the sealing force, in the ninth embodiment, before the bonding material supply step, as shown in FIGS. I
In the vicinity of the side of each side of the bonding surface of the C chip 91, a passivation film 99 (in the figure, a square area surrounded by bumps 92,...
Not only) but also the four-sided bumps 92,
, 92, that is, the auxiliary passivation film 93 (patterned area in the figure) is provided at the peripheral portion of the bonding surface and at the corner thereof and the portion between the adjacent bumps 92, 92.
Place. The reason for arranging it in the peripheral portion of the joining surface and its corners and also in the portion between the adjacent bumps 92, 92 is that the effects of both the sixth embodiment and the seventh embodiment are simultaneously exhibited. And adjacent bumps 92, 92
The joining material 95 is also provided between the portion between
This is to make the flow speeds of the same the same. As a result, the flow speed of the bonding material 95 in the region other than the portion where the bumps 92,..., 92 are disposed in the bonding surface of the IC chip 91 on which the passivation film 99 is disposed becomes substantially the same. A decrease in the density of the material 95 can be prevented, and a decrease in the adhesion force, that is, the bonding force and the sealing force, at the peripheral portion of the bonding surface and at the corner thereof and at the portion between the adjacent bumps 92, 92 can be prevented. be able to.

【0138】なお、各バンプ92が形成される方法は、
第1実施形態と同様である。また、パッシベーション膜
99及び補助パッシベーション膜93を配置する方法と
しては、パッシベーション膜形成用樹脂を塗布する方法
がある。パッシベーション膜形成用樹脂の塗布は、各バ
ンプ92の形成前又は後でよいが、各バンプ92の形成
前の方がパッシベーション膜形成用樹脂の塗布時にバン
プ92を損傷させることがなく好ましい。補助パッシベ
ーション膜93の材料及び形成方法はパッシベーション
膜99と同様とする。一例として、ポリイミド又はポリ
ベンザオキサゾール(PBO)などの有機膜を例えば厚
さ3〜7μm程度だけスピンコートしてICチップ91
の接合面の全面に塗布する。その後、バンプ92の形成
に必要な電極94を点状に除去して電極94を露出させ
る。
The method for forming each bump 92 is as follows.
This is the same as in the first embodiment. As a method for arranging the passivation film 99 and the auxiliary passivation film 93, there is a method of applying a resin for forming a passivation film. The application of the resin for forming a passivation film may be performed before or after the formation of each of the bumps 92. However, the application before the formation of each of the bumps 92 is preferable because the bumps 92 are not damaged when the resin for forming the passivation film is applied. The material and forming method of the auxiliary passivation film 93 are the same as those of the passivation film 99. As an example, an organic film such as polyimide or polybenzoxazole (PBO) is spin-coated to a thickness of, for example, about 3 to 7 μm to form an IC chip 91.
Is applied over the entire surface of the joint. After that, the electrodes 94 necessary for forming the bumps 92 are removed in a dot-like manner to expose the electrodes 94.

【0139】このようにパッシベーション膜99及び補
助パッシベーション膜93並びにバンプ92,…,92
がICチップ91に形成されている状態で、接合材料供
給工程において、ICチップ91の接合面又は回路形成
体の一例としての回路基板96のICチップ接合領域の
少なくともいずれか一方に、少なくとも絶縁性の熱硬化
性樹脂を含む接合材料95を供給する。接合材料95の
供給方法は第1実施形態と同様である。
As described above, the passivation film 99, the auxiliary passivation film 93, and the bumps 92,.
Is formed on the IC chip 91, in the bonding material supplying step, at least one of the bonding surface of the IC chip 91 and the IC chip bonding region of the circuit board 96 as an example of a circuit forming body is provided with an insulating material. The bonding material 95 containing the thermosetting resin is supplied. The method of supplying the bonding material 95 is the same as in the first embodiment.

【0140】次いで、接合工程において、接合材料95
を間に挟んで回路基板96のICチップ接合領域にIC
チップ91の接合面を重ね合わせて、上記各電極94上
にバンプ92が形成されたICチップ91の上記接合面
と上記回路基板96のICチップ接合領域との間に上記
接合材料95を介して、上記ICチップ91の上記各電
極94上の上記バンプ92と上記回路基板96の各電極
97とが電気的に接触するように位置決めしたのち接合
する。この接合工程は、回路基板96が基台100上に
載置された状態で行うようにしてもよいし、別の個所で
接合材料95を介してICチップ91が回路基板96に
重ね合わされて接合工程を行ったのち、本圧着工程にお
いて、接合材料95を介してICチップ91が重ね合わ
されている回路基板96が基台100上に載置されるよ
うにしてもよい。
Next, in the joining step, the joining material 95
IC is bonded to the IC chip bonding area of the circuit board 96 with the
The bonding surfaces of the chip 91 are overlapped, and the bonding material 95 is interposed between the bonding surface of the IC chip 91 having the bumps 92 formed on the electrodes 94 and the IC chip bonding region of the circuit board 96. The bumps 92 on the electrodes 94 of the IC chip 91 and the electrodes 97 of the circuit board 96 are positioned so as to be in electrical contact with each other, and then joined. This bonding step may be performed in a state where the circuit board 96 is placed on the base 100, or the IC chip 91 is superimposed on the circuit board 96 via a bonding material 95 at another place and bonded. After performing the step, the circuit board 96 on which the IC chip 91 is superimposed may be placed on the base 100 via the bonding material 95 in the final pressure bonding step.

【0141】次いで、本圧着工程において、押圧部材9
8をICチップ91に当接させて、接合材料95を介し
てICチップ91が重ね合わされている回路基板96が
載置された基台100に向けて押圧部材98から押圧力
を作用させるとともに、押圧部材98内に内蔵されたヒ
ータの熱を押圧部材98からICチップ91に伝達す
る。この結果、所定温度を加えつつ所定の加圧力を作用
させて、ICチップ91の接合面を回路基板96のIC
チップ接合領域に押圧することにより、ICチップ91
の接合面の各電極94上のバンプ92が回路基板96の
ICチップ接合領域内の各電極97に接触する。このと
き、パッシベーション膜99が配置されているICチッ
プ91の上記接合面内で4辺のバンプ92,…,92で
囲まれた正方形の領域において接合材料95の流れる流
動速度と、補助パッシベーション膜93が配置されてい
る4辺のバンプ92,…,92の外側の位置すなわち接
合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバンプ
92,92との間の部分において接合材料95の流れる
流動速度が大略同じになり、接合面の周囲部分及びその
コーナー部及び隣接するバンプ92,92との間の部分
での接合材料95の密度の低下を防止することができ、
接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接するバン
プ92,92との間の部分での密着力すなわち接合力及
び封止力の低下を防止することができ、少なくともIC
チップ91の接合面の大略全体において接合材料95が
大略均一に分布保持されて上記熱により硬化させられて
ICチップ実装体を製造することができる。すなわち、
上記本圧着工程において、上記ICチップ91の接合面
の周囲部分及びそのコーナー部に備えた補助パッシベー
ション膜93により、元々パッシベーション膜99が配
置されている上記接合面内で4辺のバンプ92,…,9
2で囲まれた正方形の領域と4辺のバンプ92,…,9
2の外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコー
ナー部及び隣接するバンプ92,92との間の部分とで
の接合材料95の流動速度の差を無くし、上記ICチッ
プ91の上記接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び
隣接するバンプ92,92との間の部分において接合材
料95の流れる流動速度が速くなるのを防止することが
できる。
Next, in the final pressure bonding step, the pressing member 9
8 is brought into contact with the IC chip 91, and a pressing force is applied from the pressing member 98 to the base 100 on which the circuit board 96 on which the IC chip 91 is superimposed is mounted via the bonding material 95, The heat of the heater built in the pressing member 98 is transmitted from the pressing member 98 to the IC chip 91. As a result, by applying a predetermined pressure while applying a predetermined temperature, the bonding surface of the IC chip 91 is moved to the IC surface of the circuit board 96.
By pressing against the chip bonding region, the IC chip 91 is pressed.
The bumps 92 on the respective electrodes 94 on the bonding surface of the above contact the respective electrodes 97 in the IC chip bonding area of the circuit board 96. At this time, the flow speed of the bonding material 95 in the square area surrounded by the four bumps 92,..., 92 in the bonding surface of the IC chip 91 on which the passivation film 99 is disposed, and the auxiliary passivation film 93 The flow velocity of the bonding material 95 at the position outside the four sides of the bumps 92,..., 92, that is, at the peripheral portion of the bonding surface and at the corner thereof and between the adjacent bumps 92, 92 is approximately As a result, it is possible to prevent a decrease in the density of the bonding material 95 in a peripheral portion of the bonding surface, a corner thereof, and a portion between the adjacent bumps 92, 92,
It is possible to prevent a decrease in adhesion, that is, a bonding force and a sealing force in a peripheral portion of the bonding surface, a corner thereof, and a portion between the adjacent bumps 92, 92.
The bonding material 95 is substantially uniformly distributed and maintained over substantially the entire bonding surface of the chip 91, and is cured by the above-described heat, whereby an IC chip mounted body can be manufactured. That is,
In the main bonding step, the auxiliary passivation film 93 provided around the bonding surface of the IC chip 91 and the corner thereof provides four bumps 92 on the bonding surface where the passivation film 99 is originally disposed. , 9
Square area surrounded by 2 and bumps 92 on four sides, ..., 9
2, that is, the difference in the flow rate of the bonding material 95 between the peripheral portion of the bonding surface and the corner thereof and the portion between the adjacent bumps 92, 92 is eliminated, and the bonding surface of the IC chip 91 is removed. It is possible to prevent the flow velocity of the bonding material 95 from increasing at the peripheral portion, the corner portion thereof, and the portion between the adjacent bumps 92, 92.

【0142】なお、上記説明においては、接合工程にお
いてICチップ91の各バンプ92と回路基板96の各
電極97とが接触するように記載したが、これに限られ
るものではなく、接合工程ではICチップ91の各バン
プ92と回路基板96の各電極97とが接触せず、本圧
着工程で初めてICチップ91の各バンプ92と回路基
板96の各電極97とが接触するようにしてもよい。
In the above description, the bumps 92 of the IC chip 91 and the electrodes 97 of the circuit board 96 are described to be in contact with each other in the joining step. However, the present invention is not limited to this. The bumps 92 of the chip 91 and the electrodes 97 of the circuit board 96 may not be in contact with each other, and the bumps 92 of the IC chip 91 may be in contact with the electrodes 97 of the circuit board 96 for the first time in the final pressing step.

【0143】なお、一例として、バンプ92の高さが5
0〜75μmの場合、パッシベーション膜99及び補助
パッシベーション膜93の厚さは30〜40μmとする
のが好ましい。
As an example, the height of the bump 92 is 5
In the case of 0 to 75 μm, the thickness of the passivation film 99 and the auxiliary passivation film 93 is preferably 30 to 40 μm.

【0144】上記第9実施形態によれば、ICチップ9
1の接合面の各辺の辺部近傍において1列にかつ大略等
間隔に配置されたバンプ92,…,92で囲まれた正方
形の領域にパッシベーション膜99(図中、梨地領域)
を配置するだけでなく、4辺のバンプ92,…,92の
外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー
部及び隣接するバンプ92,92との間の部分において
補助パッシベーション膜93(図中、梨地領域)を配置
するようにしたので、上記正方形の領域と上記周囲部分
及びそのコーナー部及び隣接するバンプ92,92との
間の部分とで接合材料95の流れる流動速度が大略同じ
になり、接合材料95の密度の低下を防止することがで
き、接合面の周囲部分及びそのコーナー部及び隣接する
バンプ92,92との間の部分での密着力すなわち接合
力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生を防止するこ
とができ、水分の侵入の結果として吸湿によるICチッ
プ91などが腐食などが防止できる。よって、ICチッ
プ91の接合面内での接合材料95の分布の均一化が図
れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めるこ
とができる。
According to the ninth embodiment, the IC chip 9
In the vicinity of the side of each side of the bonding surface of No. 1, a passivation film 99 (a matte area in the figure) is arranged in a square area surrounded by bumps 92,...
, The auxiliary passivation film 93 (in the figure, at the position outside the four sides of the bumps 92,... , Satin areas), the flow rate of the joining material 95 in the square area and the peripheral area, the corners thereof, and the area between the adjacent bumps 92, 92 is substantially the same. In addition, a reduction in the density of the bonding material 95 can be prevented, and a reduction in the adhesion force, that is, the bonding force and the sealing force at the peripheral portion of the bonding surface and at the corners thereof and at the portion between the adjacent bumps 92, 92 can be prevented. It is possible to prevent the peeling, and prevent the IC chip 91 and the like from being corroded due to moisture absorption as a result of intrusion of moisture. Therefore, the distribution of the bonding material 95 in the bonding surface of the IC chip 91 can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0145】上記した第1〜第9実施形態において、接
合材料に、導電性材料又は無機フィラーを含める場合に
おいても、ダミーバンプにより、圧着時に樹脂の流動が
ICチップの接合面内で均一化されて、導電性材料又は
無機フィラーを均一に配置することができ、品質及び信
頼性を安定化させることができる。これに対して、ダミ
ーバンプが無い場合には、無機フィラーが添加された樹
脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均一になると無
機フィラーが粗密になり、部分的に樹脂物性が異なるこ
とにより品質が劣化しやすい場合があり、導電性材料が
添加された樹脂においては、圧着時の樹脂の流動が不均
一になると、導電性材料が粗密になり部分的にショート
を生じる場合がある。
In the first to ninth embodiments described above, even when the bonding material contains a conductive material or an inorganic filler, the flow of the resin is uniformized in the bonding surface of the IC chip by the dummy bumps at the time of pressure bonding. In addition, the conductive material or the inorganic filler can be uniformly arranged, and the quality and reliability can be stabilized. On the other hand, when there is no dummy bump, in the case of the resin to which the inorganic filler is added, if the flow of the resin at the time of press bonding becomes uneven, the inorganic filler becomes coarse and dense, and the quality of the resin is partially changed due to the difference in the resin properties. May be easily deteriorated, and in a resin to which a conductive material is added, if the flow of the resin at the time of pressure bonding becomes uneven, the conductive material may become coarse and dense, causing a partial short circuit.

【0146】また、上記した第1〜第9実施形態におい
て、上記各バンプ2,12,22,32,42,52,
62,82,92は予めレベリングして高さを揃えたの
ち回路基板の各電極に接触させるものの他、予めレベリ
ングを行うことなく、各バンプを回路基板の各電極に接
触させて各電極でレベリングを行ういわゆるノンスタッ
ドバンプ(NSD)形式の実装方法を採用することもで
きる。このノンスタッドバンプ(NSD)形式の実装方
法について以下に説明する。
In the first to ninth embodiments, each of the bumps 2, 12, 22, 32, 42, 52,
Reference numerals 62, 82, and 92 indicate that the bumps are brought into contact with the respective electrodes of the circuit board without performing leveling in advance, and the bumps are leveled with the respective electrodes without performing leveling in advance. , A so-called non-stud bump (NSD) type mounting method can be adopted. The non-stud bump (NSD) type mounting method will be described below.

【0147】上記各実施形態における回路基板(以下で
は代表的に406で示す。)へのICチップ(以下では
代表的に401で示す。)の実装方法を図27(A)〜
図31(C)を用いて説明する。
The mounting method of an IC chip (hereinafter, typically indicated by 401) on a circuit board (hereinafter, typically indicated by 406) in each of the above embodiments is shown in FIGS.
This will be described with reference to FIG.

【0148】図27(A)のICチップ401において
ICチップ401のAlパッド電極404にワイヤボン
ディング装置により図30(A)〜図30(F)のごと
き動作によりバンプ(突起電極)402を形成する。す
なわち、図30(A)でホルダ193から突出したワイ
ヤ195の下端にボール196を形成し、図30(B)
でワイヤ195を保持するホルダ193を下降させ、ボ
ール193をICチップ401の電極404に接合して
大略バンプ402の形状を形成し、図30(C)でワイ
ヤ195を下方に送りつつホルダ193の上昇を開始
し、図30(D)に示すような大略矩形のループ199
にホルダ193を移動させて図30(E)に示すように
バンプ402の上部に湾曲部198を形成し、引きちぎ
ることにより図30(F)に示すようなバンプ402を
形成する。あるいは、図30(B)でワイヤ195をホ
ルダ193でクランプして、ホルダ193を上昇させて
上方に引き上げることにより、金ワイヤ195を引きち
ぎり、図30(G)のようなバンプ402の形状を形成
するようにしてもよい。このように、ICチップ401
の各電極404にバンプ402を形成した状態を図27
(B)に示す。一例としては、上記各ダミーバンプも上
記バンプ402と同様に形成する。
In the IC chip 401 of FIG. 27A, bumps (protruding electrodes) 402 are formed on the Al pad electrodes 404 of the IC chip 401 by the operation shown in FIGS. 30A to 30F using a wire bonding apparatus. . That is, a ball 196 is formed at the lower end of the wire 195 protruding from the holder 193 in FIG.
Then, the holder 193 holding the wire 195 is lowered, and the ball 193 is joined to the electrode 404 of the IC chip 401 to substantially form the shape of the bump 402. In FIG. Ascending starts, and a substantially rectangular loop 199 as shown in FIG.
Then, the holder 193 is moved to form a curved portion 198 above the bump 402 as shown in FIG. 30 (E), and the bump 402 is formed as shown in FIG. 30 (F) by tearing. Alternatively, the wire 195 is clamped by the holder 193 in FIG. 30B, and the gold wire 195 is torn off by raising the holder 193 and pulling it upward, so that the shape of the bump 402 as shown in FIG. It may be formed. Thus, the IC chip 401
FIG. 27 shows a state in which the bump 402 is formed on each electrode 404 of FIG.
It is shown in (B). As an example, each of the dummy bumps is formed similarly to the bump 402.

【0149】次に、図27(C)に示す回路基板406
の電極407上に、図27(D)に示すように、ICチ
ップ401の大きさより若干大きな寸法にてカットされ
た熱硬化性樹脂シート405を配置し、例えば80〜1
20℃に熱せられた貼付けツール408Aにより、例え
ば49〜98N(5〜10kgf/cm2)程度の圧力
で上記接合材料の具体例としての熱硬化性樹脂シート4
05を基板406の電極407上に貼り付ける。この
後、熱硬化性樹脂シート405のツール408A側に取
り外し可能に配置されたセパレータ405aを剥がすこ
とにより、基板406の準備工程が完了する。このセパ
レータ405aは、ツ−ル408Aに熱硬化性樹脂シー
ト405が貼り付くのを防止するためのものである。こ
こで、熱硬化性樹脂シート405は、シリカなどの無機
系フィラーを入れたもの(例えば、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂、ポリイミドなど)、無機系フィラーを全く
入れないもの(例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミドなど)が好ましいとともに、後工程のリ
フロー工程での高温に耐えうる程度の耐熱性(例えば、
240℃に10秒間耐えうる程度の耐熱性)を有するこ
とが好ましい。
Next, the circuit board 406 shown in FIG.
27D, a thermosetting resin sheet 405 cut to a size slightly larger than the size of the IC chip 401 is arranged as shown in FIG.
The thermosetting resin sheet 4 as a specific example of the above-mentioned bonding material is applied at a pressure of, for example, about 49 to 98 N (5 to 10 kgf / cm 2) by the attaching tool 408A heated to 20 ° C.
05 is attached on the electrode 407 of the substrate 406. After that, the separator 405a detachably disposed on the tool 408A side of the thermosetting resin sheet 405 is peeled off, thereby completing the step of preparing the substrate 406. The separator 405a is for preventing the thermosetting resin sheet 405 from sticking to the tool 408A. Here, the thermosetting resin sheet 405 is a sheet containing an inorganic filler such as silica (eg, epoxy resin, phenol resin, polyimide, etc.), or a sheet containing no inorganic filler (eg, epoxy resin, phenol resin). , Polyimide, etc.) is preferable, and heat resistance enough to withstand high temperatures in a reflow process in a later process (for example,
(A heat resistance enough to withstand 240 ° C. for 10 seconds).

【0150】次に、図27(E)及び図28(F)に示
すように、熱せられた接合ツール408により、上記前
工程でバンプ402が電極404上に形成されたICチ
ップ401を、上記前工程で準備された基板406のI
Cチップ401の電極404に対応する電極407上に
位置決めしたのち押圧する。このとき、バンプ402
は、その頭部402aが、基板406の電極407上で
図31(A)から図31(B)に示すように変形されな
がら押しつけられていく、このときICチップ401を
介してバンプ402側に印加する荷重は、バンプ402
の径により異なるが、折れ曲がって重なり合うようにな
っているバンプ402の頭部402aが、必ず図31
(C)のように変形する程度の荷重を加えることが必要
である。この荷重は最低でも196mN(20gf)を
必要とする。荷重の上限は、ICチップ401、バンプ
402、回路基板406などが損傷しない程度とする。
場合によって、その最大荷重は980mN(100g
f)を越えることもある。なお、405m及び405s
は熱硬化性樹脂シート405が接合ツール408の熱に
より溶融した溶融中の熱硬化性樹脂及び溶融後に熱硬化
された樹脂である。
Next, as shown in FIGS. 27 (E) and 28 (F), the IC chip 401 having the bumps 402 formed on the electrodes 404 in the preceding process is heated by the heated joining tool 408. I of substrate 406 prepared in the previous process
Pressing is performed after positioning on the electrode 407 corresponding to the electrode 404 of the C chip 401. At this time, the bump 402
The head 402a is pressed while being deformed on the electrode 407 of the substrate 406 as shown in FIG. 31 (A) to FIG. 31 (B). At this time, the head 402a faces the bump 402 via the IC chip 401. The load to be applied is
31a, the head 402a of the bump 402, which is bent and overlapped, depends on the diameter of FIG.
It is necessary to apply a load that is deformable as shown in FIG. This load requires at least 196 mN (20 gf). The upper limit of the load is such that the IC chip 401, the bump 402, the circuit board 406, and the like are not damaged.
In some cases, the maximum load is 980 mN (100 g
f) may be exceeded. In addition, 405m and 405s
Is a thermosetting resin being melted in which the thermosetting resin sheet 405 is melted by the heat of the joining tool 408 and a resin thermoset after being melted.

【0151】なお、セラミックヒータ又はパルスヒータ
などの内蔵するヒータにより熱せられた接合ツール40
8により、上記前工程でバンプ402が電極404上に
形成されたICチップ401を、上記前工程で準備され
た基板406のICチップ401の電極404に対応す
る電極407上に位置決めする位置決め工程と、位置決
めしたのち押圧接合する工程とを1つの位置決め兼押圧
接合装置で行うようにしてもよい。しかしながら、別々
の装置、例えば、多数の基板を連続生産する場合におい
て位置決め作業と押圧接合作業とを同時的に行うことに
より生産性を向上させるため、位置決め工程は位置決め
装置で行い、押圧接合工程は接合装置で行うようにして
もよい。
The joining tool 40 heated by a built-in heater such as a ceramic heater or a pulse heater.
8, a positioning step of positioning the IC chip 401 having the bumps 402 formed on the electrodes 404 in the preceding step on the electrodes 407 corresponding to the electrodes 404 of the IC chip 401 on the substrate 406 prepared in the preceding step. And the step of pressing and joining after positioning may be performed by one positioning and pressing joining apparatus. However, in order to improve productivity by simultaneously performing the positioning operation and the press-joining operation in the case of continuously producing a large number of substrates using separate devices, the positioning process is performed by the positioning device, and the press-joining process is performed. You may make it perform with a joining apparatus.

【0152】このとき、一例として、回路基板406
は、ガラス布積層エポキシ基板(ガラエポ基板)やガラ
ス布積層ポリイミド樹脂基板などが用いられる。これら
の基板406は、熱履歴や、裁断、加工により反りやう
ねりを生じており、必ずしも完全な平面ではないため、
適宜、回路基板406の反りが矯正された状態で、例え
ば140〜230℃の熱が、ICチップ401と回路基
板406の間の熱硬化性樹脂シート405に例えば数秒
〜20秒程度印加され、この熱硬化性樹脂シート405
が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂シート4
05を構成する熱硬化性樹脂が流れてICチップ401
のエッヂまで封止する。また、樹脂であるため、加熱さ
れたとき、当初は自然に軟化するためこのようにエッヂ
まで流れるような流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積
はICチップ401と回路基板との間の空間の体積より
大きくすることにより、この空間からはみ出すように流
れ出て、封止効果を奏することができる。このとき、上
記した各実施形態の接合材料流動規制部材により適宜流
動規制が行われる。
At this time, as an example, the circuit board 406
A glass cloth laminated epoxy substrate (glass epoxy substrate), a glass cloth laminated polyimide resin substrate, or the like is used. These substrates 406 are warped or undulated due to heat history, cutting, and processing, and are not necessarily perfect planes.
In a state where the warpage of the circuit board 406 is corrected, for example, heat at 140 to 230 ° C. is applied to the thermosetting resin sheet 405 between the IC chip 401 and the circuit board 406 for, for example, several seconds to 20 seconds. Thermosetting resin sheet 405
Is cured. At this time, first, the thermosetting resin sheet 4
The thermosetting resin constituting the IC chip 401 flows and the IC chip 401
And seal up to the edge. In addition, since the resin is a resin, when heated, it initially softens spontaneously, and thus has such a fluidity as to flow to the edge. By setting the volume of the thermosetting resin to be larger than the volume of the space between the IC chip 401 and the circuit board, the thermosetting resin flows out of this space to achieve a sealing effect. At this time, the flow control is appropriately performed by the bonding material flow control member of each embodiment described above.

【0153】この後、加熱されたツール408が上昇す
ることにより、加熱源がなくなるためICチップ401
と熱硬化性樹脂シート405の温度が急激に低下して、
熱硬化性樹脂シート405は流動性を失い、図28
(G)及び図31(C)に示すように、ICチップ40
1は硬化した熱硬化性樹脂405sにより回路基板40
6上に固定される。また、回路基板406側をステージ
410により加熱しておくと、接合ツール408の温度
をより低く設定することができる。
Thereafter, as the heated tool 408 rises, there is no longer a heating source.
And the temperature of the thermosetting resin sheet 405 drops rapidly,
The thermosetting resin sheet 405 loses fluidity, and FIG.
(G) and FIG. 31 (C), the IC chip 40
1 is a circuit board 40 made of a cured thermosetting resin 405s.
6 fixed on. Further, if the circuit board 406 side is heated by the stage 410, the temperature of the joining tool 408 can be set lower.

【0154】また、熱硬化性樹脂シート405を貼り付
ける代わりに、図29(H)に示すように熱硬化性接着
剤405bを回路基板406上に、ディスペンスなどに
よる塗布、又は印刷、又は転写するようにしてもよい。
熱硬化性接着剤405bを使用する場合は、基本的には
上記した熱硬化性樹脂シート405を用いる工程と同一
の工程を行う。熱硬化性樹脂シート405を使用する場
合には、固体ゆえに取り扱いやすいとともに、液体成分
が無いため高分子で形成することができ、ガラス転移点
の高いものを形成しやすいといった利点がある。これに
対して、熱硬化性接着剤405bを使用する場合には、
基板406の任意の位置に任意の大きさに塗布、印刷、
又は転写することができる。
Further, instead of attaching the thermosetting resin sheet 405, a thermosetting adhesive 405b is applied onto the circuit board 406 by dispensing or the like, or printed or transferred, as shown in FIG. You may do so.
When the thermosetting adhesive 405b is used, basically the same process as the process using the thermosetting resin sheet 405 described above is performed. When the thermosetting resin sheet 405 is used, there is an advantage that it is easy to handle because it is solid, and it can be formed of a polymer because there is no liquid component, and it is easy to form a material having a high glass transition point. On the other hand, when the thermosetting adhesive 405b is used,
Applying, printing,
Or it can be transcribed.

【0155】また、熱硬化性樹脂に代えて異方性導電膜
(ACF)を用いてもよく、さらに、異方性導電膜に含
まれる導電粒子として、ニッケル粉に金メッキを施した
ものを用いることにより、電極407とバンプ402と
の間での接続抵抗値を低下せしめることができて尚好適
である。
An anisotropic conductive film (ACF) may be used in place of the thermosetting resin. Further, as conductive particles contained in the anisotropic conductive film, nickel powder plated with gold is used. This is preferable because the connection resistance between the electrode 407 and the bump 402 can be reduced.

【0156】なお、図27(A)から図27(G)には
熱硬化性樹脂シート405を回路基板406側に形成す
ることについて説明し、図29(H)には熱硬化性接着
剤405bを回路基板406側に形成することについて
説明したが、これに限定されるものではなく、図29
(I)又は図29(J)に示すように、ICチップ40
1側に形成するようにしてもよい。この場合、特に、熱
硬化性樹脂シート405の場合には、熱硬化性樹脂シー
ト405の回路基板側に取り外し可能に配置されたセパ
レータ405aとともにゴムなどの弾性体117にIC
チップ401を押し付けて、バンプ402の形状に沿っ
て熱硬化性樹脂シート405がICチップ401に貼り
付けられるようにしてもよい。
FIGS. 27A to 27G illustrate the formation of the thermosetting resin sheet 405 on the circuit board 406 side, and FIG. 29H illustrates the thermosetting adhesive 405b. Has been described on the circuit board 406 side, but the present invention is not limited to this.
(I) or as shown in FIG.
It may be formed on one side. In this case, in particular, in the case of the thermosetting resin sheet 405, the IC is attached to the elastic body 117 such as rubber together with the separator 405a detachably disposed on the circuit board side of the thermosetting resin sheet 405.
The chip 401 may be pressed so that the thermosetting resin sheet 405 is attached to the IC chip 401 along the shape of the bump 402.

【0157】このようなノンスタッドバンプ(NSD)
形式の実装方法では、各バンプの先端部分を回路基板の
各電極上で潰すため回路基板に対するICチップの押し
込み量(押圧量)が大きくなる。すると、接合材料をI
Cチップの接合面の周辺部側に流動させる力が大きくな
り、上記ダミーバンプによる接合材料の流動規制機能が
より効果的に働くことになり、NSB(ノンスタッドバ
ンプ)ではより規制効果が大きくなる。
[0157] Such a non-stud bump (NSD)
In the mounting method of the type, since the tip of each bump is crushed on each electrode of the circuit board, the amount of pushing (the amount of pressing) of the IC chip into the circuit board becomes large. Then, the joining material is changed to I
The force flowing to the peripheral portion side of the bonding surface of the C chip is increased, and the function of restricting the flow of the bonding material by the dummy bumps works more effectively. In the case of NSB (non-stud bump), the restriction effect is further increased.

【0158】一例として、ノンスタッドバンプ(NS
D)形式の実装方法では、例えば、直径75μmのバン
プにおいて回路基板の電極に対して押し付けて潰すこと
により電気的接合を得るとき高さにおいて35μmだけ
短くなるようにバンプを潰すようにしている。このと
き、ICチップを回路基板に向けて押し付けるとき両者
の間から接合材料が大きく押し出されるため、上記接合
材料流動規制部材により上記接合材料の流出を規制し規
制することにより、ICチップ中央部分での接合材料の
密度の低下を効果的に防止することができる。よって、
このようなノンスタッドバンプ形式の実装方法では、接
合材料の流出に対する抑制力が大きく期待できる。
As an example, non-stud bumps (NS
In the mounting method of the D) type, for example, a bump having a diameter of 75 μm is crushed by pressing against an electrode of a circuit board so as to reduce the height by 35 μm when electrical connection is obtained. At this time, when the IC chip is pressed toward the circuit board, the bonding material is largely extruded from between the two. Therefore, the outflow of the bonding material is restricted and regulated by the bonding material flow regulating member. Can be effectively prevented from lowering the density of the bonding material. Therefore,
In such a non-stud bump type mounting method, a large suppressing effect on the outflow of the bonding material can be expected.

【0159】なお、上記第1〜第5実施形態において、
バンプとダミーバンプとの形状は大略同一であることが
接合材料の流動規制を大略均一に行うためには好ましい
が、これに限られるものではなく、許容される範囲内で
異なる形状や高さとしてもよい。また、バンプとダミー
バンプとの材質は異なるものにしてもよい。
In the first to fifth embodiments,
It is preferable that the shapes of the bumps and the dummy bumps are substantially the same in order to substantially uniformly regulate the flow of the bonding material, but the present invention is not limited to this, and may have different shapes and heights within an allowable range. Good. Further, the material of the bump and the material of the dummy bump may be different.

【0160】また、上記第1〜第5実施形態において、
バンプとバンプの間隔、又はバンプとダミーバンプとの
間隔、ダミーバンプとダミーバンプの間隔は大略均一で
ある場合を中心として説明したが、これに限られるもの
ではなく、許容される範囲内で不均一な間隔となってい
てもよい。この場合、許容される範囲外の部分にダミー
バンプを配置することになる。
In the first to fifth embodiments,
Although the description has been made mainly on the case where the distance between the bumps, the distance between the bumps and the dummy bumps, and the distance between the dummy bumps and the dummy bumps are substantially uniform, the present invention is not limited to this. It may be. In this case, the dummy bumps are arranged in portions outside the allowable range.

【0161】上記実施形態においては、接合材料流動規
制部材として、ICチップの電極上にダミーバンプを形
成する例について説明したが、本発明はこれに限られる
ものではなく、図32,33に示すように、樹脂ペース
トの印刷又はディペンスなどにより、上記ICチップに
直接的にダミーバンプと大略同等の高さのダミーバンプ
状の突部23Aを形成するようにしてもよい。
In the above embodiment, the example in which the dummy bump is formed on the electrode of the IC chip as the bonding material flow regulating member has been described. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIGS. Alternatively, a dummy bump-shaped protrusion 23A having a height substantially equal to that of the dummy bump may be directly formed on the IC chip by printing or dispensing a resin paste.

【0162】また、上記電子部品の接合面の電極上にバ
ンプを形成するようにしているが、上記電子部品の接合
面に電極上に突出して凸状電極を形成するようにしても
よい。
Although bumps are formed on the electrodes on the joint surface of the electronic component, a convex electrode may be formed on the joint surface of the electronic component so as to protrude above the electrodes.

【0163】なお、上記第6〜第9実施形態において、
パッシベーション膜と補助パッシベーション膜との厚さ
は大略同一にするほうが接合材料の流れる流動速度を大
略均一にするためには好ましいが、これに限られるもの
ではなく、許容される範囲内で異なる厚さとしてもよ
い。また、パッシベーション膜と補助パッシベーション
膜との材質は異なるものにしてもよいとともに、各膜
は、1層に限らず、複数層にしてもよい。
In the sixth to ninth embodiments,
It is preferable to make the thicknesses of the passivation film and the auxiliary passivation film substantially the same in order to make the flow velocity of the bonding material substantially uniform. However, the thickness is not limited to this, and different thicknesses are allowed within an allowable range. It may be. Further, the material of the passivation film and the material of the auxiliary passivation film may be different, and each film is not limited to one layer but may be a plurality of layers.

【0164】また、上記第6〜第9実施形態において、
上記接合材料流動規制部材としては、補助パッシベーシ
ョン膜の代わりに他の機能を有する膜を1層又は複数層
形成するようにしてもよい。
In the sixth to ninth embodiments,
As the bonding material flow regulating member, one or more layers having another function may be formed instead of the auxiliary passivation film.

【0165】また、上記接合材料流動規制部材例えばダ
ミーバンプ又は補助パッシベーション膜を配置すること
により、ICチップと基板とを接合するときにICチッ
プと基板との間からはみ出てICチップの各側面に盛り
上がる接合材料が、上記接合材料流動規制部材により流
動規制又は流動速度の上昇規制を受けるため、ICチッ
プと基板との間からはみ出る接合材料が、上記接合材料
流動規制部材を配置している部分とバンプ又はパッシベ
ーション膜が配置されている部分と同様な流動規制又は
流動速度の上昇規制を受けることになり、ICチップの
側面に対する盛り上がり部分であるフィレットを大きく
することができて、ICチップの側面をその厚みにおい
て基板側から半分程度まで覆うように盛り上げることが
できる。すなわち、従来では、バンプ又はパッシベーシ
ョン膜が配置されている部分では流動規制又は流動速度
の上昇規制を受けるが、バンプ又はパッシベーション膜
が配置されていない部分ではそのような規制を受けない
ため、フィレットを大きくすることができず、例えば、
ICチップの厚さが0.4mmのとき0.1mm程度し
かフィレットを形成することができなかった。しかしな
がら、上記各実施形態では、上記したように上記規制を
受けるため、例えば、ICチップの厚さが0.4mmの
とき0.2〜0.3mmの高さまでフィレットが形成さ
れることになり、フィレットを大きくすることができ
る。この結果、フィレットが小さい場合には、ICチッ
プと接合材料と又は基板と接合材料との界面に水分の侵
入経路が形成されやすく、また、その経路も短いもので
あり、耐湿信頼性に劣るものであり、かつ、ヒートサイ
クル時に基板のソリに対して弱いものであった。しかし
ながら、フィレットが大きくなる結果、ICチップと接
合材料と又は基板と接合材料との界面に水分の侵入経路
が形成されにくくなり、また、その経路も長くすること
ができて、耐湿信頼性に優れたものとなり、かつ、例え
ば−65℃〜150℃までのヒートサイクル時での熱に
よる基板のソリに対して強いものとなる。
Further, by disposing the bonding material flow restricting member, for example, a dummy bump or an auxiliary passivation film, when bonding the IC chip and the substrate, it protrudes from between the IC chip and the substrate and rises on each side surface of the IC chip. Since the bonding material is subjected to flow control or flow rate increase control by the bonding material flow control member, the bonding material protruding from between the IC chip and the substrate is bumped from the portion where the bonding material flow control member is disposed. Alternatively, the same flow regulation or flow velocity increase regulation as that of the portion where the passivation film is arranged is applied, so that the fillet which is a swelling portion with respect to the side surface of the IC chip can be enlarged, and the side surface of the IC chip is It can be raised to cover about half of the thickness from the substrate side. That is, conventionally, the flow control or the flow rate increase control is performed in the portion where the bump or the passivation film is disposed, but the fillet is not controlled in the portion where the bump or the passivation film is not disposed. Can not be enlarged, for example,
When the thickness of the IC chip was 0.4 mm, a fillet could be formed only about 0.1 mm. However, in each of the above-described embodiments, since the above-described regulation is applied as described above, for example, when the thickness of the IC chip is 0.4 mm, the fillet is formed to a height of 0.2 to 0.3 mm, Fillets can be large. As a result, when the fillet is small, a moisture intrusion path is easily formed at the interface between the IC chip and the bonding material or between the substrate and the bonding material, and the path is short, resulting in poor moisture resistance reliability. And was weak against warpage of the substrate during the heat cycle. However, as a result of the large fillet, it is difficult to form a moisture intrusion path at the interface between the IC chip and the bonding material or between the substrate and the bonding material, and the path can be lengthened, resulting in excellent moisture resistance reliability. And is resistant to warping of the substrate due to heat during a heat cycle of, for example, -65 ° C to 150 ° C.

【0166】なお、上記様々な実施形態のうちの任意の
実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有
する効果を奏するようにすることができる。
It is to be noted that by appropriately combining any of the above-described various embodiments, the effects of the respective embodiments can be exhibited.

【0167】[0167]

【発明の効果】本発明は、ICチップなどの電子部品を
回路基板などの回路形成性体に押圧力により押し付けて
接合材料を介して両者を接合するものにおいて、隣接す
るバンプ間の隙間から流出する接合材料の量が許容量を
越える部分に、上記接合材料流動規制部材を配置するよ
うにしたので、上記電子部品を上記回路形成体に接合す
るとき両者の間の上記接合材料の流動が上記接合材料流
動規制部材により規制され、上記接合材料流動規制部材
と隣接するバンプ間の隙間から流出する接合材料の量が
許容量以下となることにより、全体として、電子部品の
隣接するバンプ間の隙間から流出する接合材料の量を大
略均一化させることができる。よって、上記電子部品の
接合面の中央部から周辺部への上記接合材料の流動の大
略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材
料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封
止の信頼性を高めることができる。
According to the present invention, an electronic component such as an IC chip is pressed against a circuit-forming body such as a circuit board by a pressing force to join the two via a bonding material. Since the joining material flow restricting member is arranged in a portion where the amount of joining material exceeds the allowable amount, when the electronic component is joined to the circuit forming body, the flow of the joining material between the two components is as described above. The amount of the bonding material flowing out of the gap between the joining material flow regulating member and the adjacent bump is regulated by the joining material flow regulating member and is equal to or less than the allowable amount. The amount of the bonding material flowing out of the substrate can be made substantially uniform. Therefore, the flow of the bonding material from the central part to the peripheral part of the bonding surface of the electronic component can be substantially uniform, and the distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component can be uniform, and the adhesion force can be improved. And the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0168】本発明の1つの態様によれば、正方形又は
矩形のICチップなどの電子部品の接合面において、そ
の四隅のコーナー部を除く4辺の各辺の辺部近傍に一列
のバンプを有するものであって、電子部品の接合面の上
記辺の辺部近傍でのバンプの無い箇所に、接合材料流動
規制部材例えばダミーバンプを配置する場合には、バン
プの配列状態を電子部品の各辺の辺部近傍とも大略同一
にすることができて、上記圧着工程での上記電子部品の
上記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間
の上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動
時に上記ダミーバンプが接合材料流動規制部材として機
能し、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略
均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料
の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止
の信頼性を高めることができる。
According to one aspect of the present invention, a single row of bumps is provided in the vicinity of each of the four sides except for the corners of the four corners on the joining surface of an electronic component such as a square or rectangular IC chip. In the case where a bonding material flow restricting member, for example, a dummy bump is disposed at a position where there is no bump near the side of the side of the bonding surface of the electronic component, the arrangement state of the bumps is set to each side of the electronic component. The vicinity of the side portion can also be made substantially the same, and from the central portion to the peripheral portion of the joining material between the joining surface of the electronic component and the electronic component joining region of the circuit forming body in the crimping step When the bonding material flows, the dummy bump functions as a bonding material flow restricting member to substantially equalize the flow of the bonding material from the central portion to the peripheral portion, and to distribute the bonding material in the bonding surface of the electronic component. Uniformity Is to improve adhesive force, it is possible to enhance the reliability of the bonding and sealing.

【0169】また、本発明の別の態様によれば、長方形
のICチップなどの電子部品の接合面において、その四
隅のコーナー部を除く4辺の辺部近傍に一列のバンプを
有するものであって、電子部品の接合面の上記辺の辺部
近傍でのバンプの無い箇所に、接合材料流動規制部材例
えばダミーバンプを一列に形成する場合には、バンプの
配列状態を電子部品の各辺の辺部近傍とも大略同一にす
ることができて、上記圧着工程での上記電子部品の上記
接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の上
記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時に
上記ダミーバンプが接合材料流動規制部材として機能
し、上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均
一化を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の
分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の
信頼性を高めることができる。
According to another aspect of the present invention, a row of bumps is provided near the four sides except for the four corners on the joining surface of an electronic component such as a rectangular IC chip. In the case where a bonding material flow restricting member, for example, a dummy bump is formed in a row at a location where there is no bump near the side of the side of the bonding surface of the electronic component, the arrangement state of the bumps is determined by the side of each side of the electronic component. The vicinity of the portion can be substantially the same, and the joining material is joined from the central portion to the peripheral portion between the joining surface of the electronic component and the electronic component joining region of the circuit forming body in the crimping step. During the flow of the material, the dummy bump functions as a bonding material flow restricting member, and the flow of the bonding material from the central portion to the peripheral portion is substantially uniform, and the distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component is controlled. Achieve uniformity Adhesion is improved, it is possible to improve the reliability of the bonding and sealing.

【0170】また、本発明の別の態様によれば、正方形
電子部品の接合面において、その四隅のコーナー部を除
く4辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプを有するもので
あって、電子部品の接合面の上記辺の辺部近傍でのバン
プの無い箇所に、接合材料流動規制部材例えばダミーバ
ンプを形成する場合には、バンプの配列状態を電子部品
の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一に
することができて、上記圧着工程での上記電子部品の上
記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の
上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時
にダミーバンプが接合材料流動規制部材として機能し、
上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化
を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布
の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼
性を高めることができる。
According to another aspect of the present invention, a square-shaped electronic component has a row of bumps near the sides of each of the four sides excluding the corners of the four corners on the joint surface, In the case where a bonding material flow regulating member, for example, a dummy bump is formed at a place where there is no bump near the side of the side of the bonding surface of the electronic component, the arrangement state of the bumps is changed to the vicinity of the side of each side of the electronic component and to each The vicinity of the corner can be substantially the same, and the bonding material between the bonding surface of the electronic component and the bonding area of the electronic component in the circuit forming body from the central portion to the peripheral portion in the crimping step When the bonding material flows, the dummy bump functions as a bonding material flow regulating member,
The flow of the bonding material from the central part to the peripheral part is substantially uniform, and the distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component can be uniform, the adhesion is improved, and the bonding and sealing are improved. Reliability can be improved.

【0171】また、本発明の別の態様によれば、長方形
電子部品の接合面において、その四隅のコーナー部を除
く4辺の各辺の辺部近傍に一列のバンプを有するもので
あって、電子部品の接合面の上記辺の辺部近傍でのバン
プの無い箇所に、接合材料流動規制部材例えばダミーバ
ンプを形成する場合には、バンプの配列状態を電子部品
の各辺の辺部近傍及び各コーナー部付近とも大略同一に
することができて、上記圧着工程での上記電子部品の上
記接合面と上記回路形成体の電子部品接合領域との間の
上記接合材料の中央部から周辺部への接合材料の流動時
にダミーバンプが接合材料流動規制部材として機能し、
上記接合材料の中央部から周辺部への流動の大略均一化
を図り、かつ、電子部品の接合面内での接合材料の分布
の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼
性を高めることができる。
According to another aspect of the present invention, the rectangular electronic component has a row of bumps in the vicinity of each of the four sides except for the four corners on the joint surface of the rectangular electronic component, In the case where a bonding material flow regulating member, for example, a dummy bump is formed at a place where there is no bump near the side of the side of the bonding surface of the electronic component, the arrangement state of the bumps is changed to the vicinity of the side of each side of the electronic component and to each The vicinity of the corner can be substantially the same, and the bonding material between the bonding surface of the electronic component and the bonding area of the electronic component in the circuit forming body from the central portion to the peripheral portion in the crimping step When the bonding material flows, the dummy bump functions as a bonding material flow regulating member,
The flow of the bonding material from the central part to the peripheral part is substantially uniform, and the distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component can be uniform, the adhesion is improved, and the bonding and sealing are improved. Reliability can be improved.

【0172】また、本発明の別の態様によれば、上記電
子部品の上記矩形の接合面のうち中央に一列の上記複数
のバンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー
部に備えられた上記接合材料流動規制部材としてのダミ
ーバンプを配置する場合には、電子部品が回路形成体に
対して短手方向すなわち幅方向に3点で支持されること
になり、バンプの列の両側において、電子部品と回路形
成体との間での接合力のバランスを大略均等にすること
ができ、回路形成体に対する電子部品の傾きを防止して
バンプの列の両側において電子部品と回路形成体との間
の間隔を大略均一にすることができて、上記圧着工程で
の上記電子部品の上記接合面と上記回路形成体の電子部
品接合領域との間の上記接合材料の中央部から周辺部へ
の接合材料の流動時にダミーバンプが接合材料流動規制
部材として機能し、上記接合材料の中央部から周辺部へ
の流動の大略均一化を図り、かつ、電子部品の接合面内
での接合材料の分布の均一化が図れ、密着力が向上し、
接合及び封止の信頼性を高めることができる。
Further, according to another aspect of the present invention, when the plurality of bumps are formed in a row at the center of the rectangular joining surface of the electronic component, the electronic component is provided at a corner where there is no bump. When the dummy bumps as the bonding material flow regulating members are arranged, the electronic components are supported at three points in the short direction, that is, in the width direction, with respect to the circuit forming body. The balance of the joining force between the component and the circuit-forming body can be substantially equalized, and the inclination of the electronic component with respect to the circuit-forming body can be prevented, so that the electronic component and the circuit-forming body can be positioned on both sides of the row of bumps. Can be substantially uniform, and the joining material can be joined from the central portion to the peripheral portion between the joining surface of the electronic component and the electronic component joining region of the circuit forming body in the crimping step. Material flow In addition, the dummy bumps function as a bonding material flow regulating member, and the flow of the bonding material from the central portion to the peripheral portion can be substantially uniform, and the distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component can be uniform. , The adhesion is improved,
The reliability of joining and sealing can be improved.

【0173】また、本発明の別の態様によれば、電子部
品の接合面の各辺の辺部近傍において1列にかつ大略等
間隔に配置されたバンプで囲まれた正方形の領域にパッ
シベーション膜を配置するだけでなく、4辺のバンプの
外側の位置すなわち接合面の周囲部分において、接合材
料流動規制部材例えば補助パッシベーション膜を配置す
る場合には、上記正方形の領域と上記周囲部分とで接合
材料の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料の密
度の低下を防止することができ、接合面の周囲部分での
密着力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離
の発生を防止することができ、水分の侵入の結果として
吸湿によるICチップなどが腐食などが防止できる。よ
って、電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化
が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高め
ることができる。
According to another aspect of the present invention, a passivation film is formed in a square area surrounded by bumps arranged in a line and at substantially equal intervals in the vicinity of each side of the bonding surface of the electronic component. In addition, when a bonding material flow regulating member, for example, an auxiliary passivation film is provided at a position outside the four sides of the bumps, that is, at a peripheral portion of the bonding surface, bonding is performed between the square region and the peripheral portion. The flow speed of the material becomes substantially the same, and it is possible to prevent a decrease in the density of the joining material, prevent a decrease in the adhesion force at the peripheral portion of the joining surface, that is, a joining force and a sealing force, and prevent the occurrence of peeling. Thus, the IC chip and the like due to moisture absorption as a result of intrusion of moisture can be prevented from corroding. Therefore, the distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0174】また、バンプが欠けている広幅間隔部分、
言い換えれば、隣接バンプ間の間隔が他の隣接バンプ間
の間隔より大きい広幅間隔部分に、ダミーバンプを形成
する場合、隣接バンプ間の間隔が間隔が必ずしも大略均
一ではない場合には、隣接バンプ間の間隔が許容値を越
えている部分にのみダミーバンプを形成するようにすれ
ばよい。具体的には、電子部品のバンプ間又はバンプと
ダミーバンプとの間のピッチのうちの最大ピッチPma
xと最小ピッチPminとの関係が、 Pmax≦(P
min×2α) [ここで、αは1〜6の任意の値であ
る。]となるようにダミーバンプを配置するようにする
ことにより、上記と同様な効果を奏することができる。
Also, a wide interval portion where a bump is missing,
In other words, when a dummy bump is formed in a wide interval where the interval between adjacent bumps is larger than the interval between other adjacent bumps, if the interval between adjacent bumps is not substantially uniform, Dummy bumps may be formed only in portions where the interval exceeds the allowable value. Specifically, the maximum pitch Pma of the pitches between the bumps of the electronic component or between the bumps and the dummy bumps
x and the minimum pitch Pmin are expressed as follows: Pmax ≦ (P
min × 2α) [where α is an arbitrary value of 1 to 6. ], The same effect as described above can be obtained.

【0175】また、本発明の別の態様によれば、電子部
品の接合面の各辺の辺部近傍において1列にかつ大略等
間隔に配置されたバンプで囲まれた正方形の領域にパッ
シベーション膜を配置するだけでなく、4辺のバンプの
外側の位置すなわち接合面の周囲部分のコーナー部にお
いて、接合材料流動規制部材例えば大略矩形の補助パッ
シベーション膜を配置する場合には、上記正方形の領域
と上記周囲部分のコーナー部とで接合材料の流れる流動
速度が大略同じになり、接合材料の密度の低下を防止す
ることができ、接合面の周囲部分のコーナー部での密着
力すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発
生を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿
による電子部品などが腐食などが防止できる。よって、
電子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図
れ、密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めるこ
とができる。
According to another aspect of the present invention, the passivation film is formed in a square area surrounded by bumps arranged in a line and at substantially equal intervals in the vicinity of each side of the bonding surface of the electronic component. In addition, when a bonding material flow control member, for example, a substantially rectangular auxiliary passivation film is provided at a position outside the four-sided bumps, that is, at a corner around the bonding surface, the square region is The flow velocity of the joining material at the corners of the peripheral portion is substantially the same, so that the density of the joining material can be prevented from lowering. It is possible to prevent a decrease in stopping power, prevent the occurrence of peeling, and prevent corrosion and the like of electronic components and the like due to moisture absorption as a result of moisture intrusion. Therefore,
The distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0176】また、本発明の別の態様によれば、電子部
品の接合面の各辺の辺部近傍において1列にかつ大略等
間隔に配置されたバンプで囲まれた正方形の領域にパッ
シベーション膜を配置するだけでなく、4辺のバンプの
外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー
部において、接合材料流動規制部材例えば大略矩形の補
助パッシベーション膜を配置する場合には、上記正方形
の領域と上記周囲部分及びそのコーナー部とで接合材料
の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料の密度の
低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びその
コーナー部での密着力すなわち接合力及び封止力の低下
を防止し、剥離の発生を防止することができ、水分の侵
入の結果として吸湿による電子部品などが腐食などが防
止できる。よって、電子部品の接合面内での接合材料の
分布の均一化が図れ、密着力が向上し、接合及び封止の
信頼性を高めることができる。
According to another aspect of the present invention, the passivation film is formed in a square region surrounded by bumps arranged in a line and at substantially equal intervals in the vicinity of each side of the bonding surface of the electronic component. When a bonding material flow control member, for example, a substantially rectangular auxiliary passivation film is provided at positions outside the four-sided bumps, that is, at a peripheral portion of the bonding surface and at a corner thereof, the square region The flow velocity of the joining material at the peripheral portion and the corner thereof is substantially the same, and it is possible to prevent a decrease in the density of the joining material. It is possible to prevent a decrease in force and sealing force, prevent the occurrence of peeling, and prevent corrosion of electronic components and the like due to moisture absorption as a result of intrusion of moisture. Therefore, the distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component can be made uniform, the adhesion can be improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【0177】また、本発明の別の態様によれば、電子部
品の接合面の各辺の辺部近傍において1列にかつ大略等
間隔に配置されたバンプで囲まれた正方形の領域にパッ
シベーション膜を配置するだけでなく、4辺のバンプの
外側の位置すなわち接合面の周囲部分及びそのコーナー
部及び隣接するバンプとの間の部分において、接合材料
流動規制部材例えば補助パッシベーション膜を配置する
場合には、上記正方形の領域と上記周囲部分及びそのコ
ーナー部及び隣接するバンプとの間の部分とで接合材料
の流れる流動速度が大略同じになり、接合材料の密度の
低下を防止することができ、接合面の周囲部分及びその
コーナー部及び隣接するバンプとの間の部分での密着力
すなわち接合力及び封止力の低下を防止し、剥離の発生
を防止することができ、水分の侵入の結果として吸湿に
よる電子部品などが腐食などが防止できる。よって、電
子部品の接合面内での接合材料の分布の均一化が図れ、
密着力が向上し、接合及び封止の信頼性を高めることが
できる。
According to another aspect of the present invention, the passivation film is formed in a square area surrounded by bumps arranged in a line and at substantially equal intervals in the vicinity of each side of the bonding surface of the electronic component. In addition to the case where a bonding material flow regulating member, for example, an auxiliary passivation film is disposed at positions outside the four side bumps, that is, at a peripheral portion of the bonding surface and at a corner thereof and a portion between adjacent bumps, The flow rate of the joining material in the square region and the peripheral portion and the corner portion thereof and the portion between the adjacent bumps are substantially the same, and it is possible to prevent a decrease in the density of the joining material, It is possible to prevent a decrease in adhesion force, that is, a bonding force and a sealing force in a peripheral portion of a bonding surface and a corner portion thereof and a portion between adjacent bumps, and to prevent peeling. Can, electronic components due to moisture absorption as a result of moisture penetration can be prevented and corrosion. Therefore, the distribution of the bonding material within the bonding surface of the electronic component can be made uniform,
The adhesion is improved, and the reliability of bonding and sealing can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明の
第1実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明
するための説明図である。
FIGS. 1 (a), 1 (b) and 1 (c) are explanatory views for explaining steps of an electronic component mounting method according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1に続く、本発明の第1実施形態にかかる
電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であ
り、上記電子部品の実装方法により実装されるときの電
子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透
視的平面図である。
FIG. 2 is an explanatory view following FIG. 1 for explaining steps of an electronic component mounting method according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between the circuit board and the circuit board.

【図3】 (a),(b)はそれぞれ本発明の第1実施
形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方
法の工程を説明するための説明図である。
FIGS. 3A and 3B are explanatory views for explaining steps of a method of mounting an electronic component according to a conventional example for explaining the first embodiment of the present invention.

【図4】 (a),(b)はそれぞれ、図3に続く、従
来例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するため
の説明図であり、上記電子部品の実装方法により実装さ
れるときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動
状態を示す透視的平面図である。
4 (a) and 4 (b) are explanatory views subsequent to FIG. 3 for explaining steps of a conventional method of mounting an electronic component, and are mounted by the above-described method of mounting an electronic component. FIG. 9 is a perspective plan view showing a flowing state of a bonding material between the electronic component and the circuit board at the time.

【図5】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明の
第2実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明
するための説明図であり、(d)は上記電子部品の実装
方法により実装されるときの電子部品と回路基板との間
の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
FIGS. 5A, 5B, and 5C are explanatory diagrams for describing steps of a method for mounting an electronic component according to a second embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between an electronic component and a circuit board when mounted by the mounting method of FIG.

【図6】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明の
第2実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品
の実装方法の工程を説明するための説明図であり、
(d)は上記電子部品の実装方法により実装されるとき
の電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示
す透視的平面図である。
FIGS. 6 (a), (b), and (c) are explanatory views for explaining steps of an electronic component mounting method according to a conventional example for describing a second embodiment of the present invention, respectively.
(D) is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board when mounted by the mounting method of the electronic component.

【図7】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明の
第3実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明
するための説明図である。
FIGS. 7A, 7B, and 7C are explanatory views for explaining steps of a method for mounting an electronic component according to a third embodiment of the present invention.

【図8】 図7に続く、本発明の第3実施形態にかかる
電子部品の実装方法の工程を説明するための説明図であ
り、上記電子部品の実装方法により実装されるときの電
子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透
視的平面図である。
FIG. 8 is an explanatory view following FIG. 7 for explaining steps of an electronic component mounting method according to a third embodiment of the present invention. FIG. 3 is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between the circuit board and the circuit board.

【図9】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明の
第3実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品
の実装方法の工程を説明するための説明図であり、
(d)は上記電子部品の実装方法により実装されるとき
の電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示
す透視的平面図である。
FIGS. 9A, 9B, and 9C are explanatory views for explaining steps of a method of mounting an electronic component according to a conventional example for explaining a third embodiment of the present invention, respectively.
(D) is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board when mounted by the mounting method of the electronic component.

【図10】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明
の第4実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説
明するための説明図であり、(d)は上記電子部品の実
装方法により実装されるときの電子部品と回路基板との
間の接合材料の流動状態を示す透視的平面図である。
FIGS. 10A, 10B, and 10C are explanatory views for explaining steps of a method for mounting an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 10D is a view illustrating the electronic component. FIG. 4 is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between an electronic component and a circuit board when mounted by the mounting method of FIG.

【図11】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明
の第4実施形態を説明するための従来例にかかる電子部
品の実装方法の工程を説明するための説明図であり、
(d)は上記電子部品の実装方法により実装されるとき
の電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示
す透視的平面図である。
FIGS. 11 (a), (b), and (c) are explanatory views for explaining steps of an electronic component mounting method according to a conventional example for describing a fourth embodiment of the present invention;
(D) is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board when mounted by the mounting method of the electronic component.

【図12】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明
の第5実施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説
明するための説明図であり、(d)は図12の(c)の
状態において(c)とは90度異なる方向から見た工程
を説明するための説明図である。
FIGS. 12A, 12B, and 12C are explanatory views for explaining steps of a method for mounting an electronic component according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. It is an explanatory view for explaining a process seen from a direction different by 90 degrees from (c) in a state of (c).

【図13】 図12に続く、本発明の第5実施形態にか
かる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電
子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透
視的平面図である。
FIG. 13 is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board when mounted by the mounting method of the electronic component according to the fifth embodiment of the present invention, following FIG. It is.

【図14】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明
の第5実施形態を説明するための従来例にかかる電子部
品の実装方法の工程を説明するための説明図である。
14 (a), (b), and (c) are explanatory views for explaining steps of an electronic component mounting method according to a conventional example for describing a fifth embodiment of the present invention.

【図15】 (a)は図14に続く、本発明の第5実施
形態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方
法の工程を説明するための説明図であり、(b)は上記
電子部品の実装方法により実装されるときの電子部品と
回路基板との間の接合材料の流動状態を示す透視的平面
図である。
FIG. 15A is an explanatory view following FIG. 14 for explaining steps of an electronic component mounting method according to a conventional example for describing a fifth embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a perspective plan view showing a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board when mounted by the mounting method of the electronic component.

【図16】 (a),(b)はそれぞれ本発明の第6実
施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するた
めの説明図である。
FIGS. 16 (a) and (b) are explanatory views for explaining steps of a method of mounting an electronic component according to a sixth embodiment of the present invention.

【図17】 図16に続く、本発明の第6実施形態にか
かる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電
子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側
面図である。
FIG. 17 is a side view showing a flow state of a bonding material between an electronic component and a circuit board when mounted by the electronic component mounting method according to the sixth embodiment of the present invention, following FIG. 16; .

【図18】 (a),(b)はそれぞれ本発明の第6〜
第9実施形態を説明するための従来例にかかる電子部品
の実装方法の工程を説明するための説明図である。
FIGS. 18 (a) and (b) are sixth to sixth embodiments of the present invention, respectively.
It is explanatory drawing for demonstrating the process of the mounting method of the electronic component concerning the prior art example for demonstrating 9th Embodiment.

【図19】 図18に続く、本発明の第6〜第9実施形
態を説明するための従来例にかかる電子部品の実装方法
により実装されるときの電子部品と回路基板との間の接
合材料の流動状態を示す側面図である。
FIG. 19 is a joining material between an electronic component and a circuit board when mounted by a conventional electronic component mounting method for describing sixth to ninth embodiments of the present invention following FIG. 18; It is a side view which shows the flowing state of.

【図20】 (a),(b)はそれぞれ本発明の第7実
施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するた
めの説明図である。
FIGS. 20A and 20B are explanatory views for explaining steps of a method of mounting an electronic component according to a seventh embodiment of the present invention.

【図21】 図20に続く、本発明の第7実施形態にか
かる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電
子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側
面図である。
FIG. 21 is a side view showing a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board when mounted by the mounting method of the electronic component according to the seventh embodiment of the present invention, following FIG. 20; .

【図22】 (a),(b)はそれぞれ本発明の第8実
施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するた
めの説明図である。
FIGS. 22A and 22B are explanatory diagrams for explaining steps of a method for mounting an electronic component according to the eighth embodiment of the present invention.

【図23】 図22に続く、本発明の第8実施形態にか
かる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電
子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側
面図である。
FIG. 23 is a side view following FIG. 22 showing a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board when mounted by the mounting method of the electronic component according to the eighth embodiment of the present invention. .

【図24】 (a),(b)はそれぞれ本発明の第9実
施形態にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するた
めの説明図である。
FIGS. 24A and 24B are explanatory views for explaining steps of an electronic component mounting method according to a ninth embodiment of the present invention.

【図25】 図24に続く、本発明の第9実施形態にか
かる上記電子部品の実装方法により実装されるときの電
子部品と回路基板との間の接合材料の流動状態を示す側
面図である。
FIG. 25 is a side view following FIG. 24, illustrating a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board when mounted by the mounting method of the electronic component according to the ninth embodiment of the present invention. .

【図26】 上記実施形態においてダミーバンプの配置
箇所を説明するための説明図である。
FIG. 26 is an explanatory diagram for describing a location of a dummy bump in the embodiment.

【図27】 (A),(B),(C),(D),(E)
はそれぞれ上記実施形態においてICチップの実装方法
の一例としてノンスタッドバンプ(NSD)形式の実装
方法を仕様する場合を示す説明図である。
FIG. 27 (A), (B), (C), (D), (E)
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a case where a non-stud bump (NSD) type mounting method is specified as an example of an IC chip mounting method in each of the above embodiments.

【図28】 (F),(G)はそれぞれ図27に続く上
記実施形態においてICチップの実装方法を示す説明図
である。
FIGS. 28 (F) and 28 (G) are explanatory views each showing a method of mounting an IC chip in the embodiment following FIG. 27;

【図29】 (H),(I),(J)はそれぞれ図28
に続く上記実施形態においてICチップの実装方法を示
す説明図である。
FIGS. 29 (H), (I) and (J) each show FIG.
It is explanatory drawing which shows the mounting method of an IC chip in the said embodiment following the above.

【図30】 (A),(B),(C),(D),
(E),(F),(G)はそれぞれ上記実施形態におけ
る実装方法において、ワイヤボンダーを用いたICチッ
プのバンプ形成工程を示す説明図である。
FIG. 30 (A), (B), (C), (D),
(E), (F), (G) is an explanatory view showing a bump forming step of an IC chip using a wire bonder in the mounting method in the above embodiment.

【図31】 (A),(B),(C)はそれぞれ上記実
施形態にかかる実装方法において、回路基板とICチッ
プの接合工程を示す説明図である。
FIGS. 31 (A), (B), and (C) are explanatory views each showing a bonding step of a circuit board and an IC chip in the mounting method according to the embodiment.

【図32】 (a),(b),(c)はそれぞれ本発明
の第2実施形態の変形例にかかる電子部品の実装方法の
工程を説明するための説明図である。
FIGS. 32 (a), (b) and (c) are explanatory views for explaining steps of a method of mounting an electronic component according to a modification of the second embodiment of the present invention.

【図33】 図1に続く、本発明の第2実施形態の変形
例にかかる電子部品の実装方法の工程を説明するための
説明図であり、上記電子部品の実装方法により実装され
るときの電子部品と回路基板との間の接合材料の流動状
態を示す透視的平面図である。
FIG. 33 is an explanatory view following FIG. 1 for explaining steps of a method of mounting an electronic component according to a modification of the second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective plan view illustrating a flow state of a bonding material between the electronic component and the circuit board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,21,31,41,51,61,81,91…IC
チップ、 2,22,32,42,52,62,82,92…バン
プ、 3,23,33,43…ダミーバンプ、 4,24,34,44,54,64,84,94…IC
チップの電極、 5,25,35,45,55,65,85,95…接合
材料、 6,26,36,46,56,66,86,96…回路
基板、 6a,26a,36a,46a…回路基板のICチップ
接合領域、 7,27,37,47,57,67,87,97…回路
基板の電極、 8,28,38,48,58,68,88,98…押圧
部材、 10,20,30,40,50,60,70,90,1
00…基台、 23A…ダミーバンプ状の突部、 53,63,83,93…補助パッシベーション膜、 59,69,89,99…パッシベーション膜。
1,21,31,41,51,61,81,91 ... IC
Chip, 2, 22, 32, 42, 52, 62, 82, 92 ... bump, 3, 23, 33, 43 ... dummy bump, 4, 24, 34, 44, 54, 64, 84, 94 ... IC
Chip electrodes, 5, 25, 35, 45, 55, 65, 85, 95 ... joining materials, 6, 26, 36, 46, 56, 66, 86, 96 ... circuit boards, 6a, 26a, 36a, 46a ... IC chip bonding area of circuit board 7, 27, 37, 47, 57, 67, 87, 97 ... electrode of circuit board 8, 28, 38, 48, 58, 68, 88, 98 ... pressing member 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 90, 1
00: base, 23A: dummy bump-shaped protrusion, 53, 63, 83, 93: auxiliary passivation film, 59, 69, 89, 99: passivation film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 一路 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大谷 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4M109 AA01 BA03 CA06 DB17 5E319 AA03 AB05 BB20 CC01 CD04 5E336 AA04 BB00 BB01 BC36 CC34 CC55 CC58 DD22 EE08 GG05 GG11 GG16 5F044 LL07 LL09 LL11 QQ02 RR19 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Ichimizu Shimizu, 1006 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Hiroyuki Otani 1006, Kadoma, Kadoma, Kadoma, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Term (reference) 4M109 AA01 BA03 CA06 DB17 5E319 AA03 AB05 BB20 CC01 CD04 5E336 AA04 BB00 BB01 BC36 CC34 CC55 CC58 DD22 EE08 GG05 GG11 GG16 5F044 LL07 LL09 LL11 QQ02 RR19

Claims (30)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも樹脂を含む接合材料(5,1
5,25,35,45,55,65,85,95)を回
路形成体(6,16,26,36,46,56,66,
86,96)又は電子部品(1,11,21,31,4
1,51,61,81,91)に供給する工程と、 上記電子部品の接合面の複数の凸状電極(4,14,2
4,34,44,54,64,84,94,2,12,
22,32,42,52,62,82,92)と上記回
路形成体の電極(7,17,27,37,47,57,
67,87,97)とが電気的に接触可能なように上記
接合材料を介して上記電子部品と上記回路形成体とを位
置決めする位置決め工程と、 加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部
品の上記凸状電極と上記回路形成体の上記電極とが電気
的に接触した状態で上記電子部品の上記接合面と上記回
路形成体との間の上記接合材料を硬化させる本圧着工程
とを備え、 上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に
備えられた接合材料流動規制部材(3,13,23,2
3A,33,43,53,63,83,93)により、
上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料
の流動を規制するようにしたことを特徴とする電子部品
の実装方法。
1. A bonding material (5, 1) containing at least a resin.
5, 25, 35, 45, 55, 65, 85, 95) to the circuit forming bodies (6, 16, 26, 36, 46, 56, 66,
86, 96) or electronic components (1, 11, 21, 31, 31, 4)
1, 51, 61, 81, 91) and a plurality of convex electrodes (4, 14, 2) on the joint surface of the electronic component.
4,34,44,54,64,84,94,2,12,
22, 32, 42, 52, 62, 82, 92) and the electrodes (7, 17, 27, 37, 47, 57, 57,
67, 87, 97), a positioning step of positioning the electronic component and the circuit forming body via the bonding material such that the electronic component can be electrically contacted, and the electronic component is thermocompression-bonded by heating and pressing. A step of curing the bonding material between the bonding surface of the electronic component and the circuit forming body in a state where the convex electrode of the electronic component and the electrode of the circuit forming body are in electrical contact with each other. And a bonding material flow regulating member (3, 13, 23, 2) provided on the bonding surface of the electronic component in the main bonding step.
3A, 33, 43, 53, 63, 83, 93)
A method of mounting an electronic component, wherein a flow of the bonding material to a peripheral portion of the bonding surface of the electronic component is regulated.
【請求項2】 少なくとも樹脂を含む接合材料(5,1
5,25,35,45,55,65,85,95)を回
路形成体(6,16,26,36,46,56,66,
86,96)又は電子部品(1,11,21,31,4
1,51,61,81,91)に供給する工程と、 上記電子部品の接合面の複数の電極(4,14,24,
34,44,54,64,84,94)上の複数のバン
プ(2,12,22,32,42,52,62,82,
92)と上記回路形成体の電極(7,17,27,3
7,47,57,67,87,97)とが電気的に接触
可能なように上記接合材料を介して上記電子部品と上記
回路形成体とを位置決めする位置決め工程と、 加熱及び加圧で上記電子部品を熱圧着して、上記電子部
品の上記電極上の上記バンプと上記回路形成体の上記電
極とが電気的に接触した状態で上記電子部品の上記接合
面と上記回路形成体との間の上記接合材料を硬化させる
本圧着工程とを備え、 上記本圧着工程において、上記電子部品の上記接合面に
備えられた接合材料流動規制部材(3,13,23,2
3A,33,43,53,63,83,93)により、
上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料
の流動を規制するようにしたことを特徴とする電子部品
の実装方法。
2. A bonding material (5, 1) containing at least a resin.
5, 25, 35, 45, 55, 65, 85, 95) to the circuit forming bodies (6, 16, 26, 36, 46, 56, 66,
86, 96) or electronic components (1, 11, 21, 31, 31, 4)
1, 51, 61, 81, 91), and a plurality of electrodes (4, 14, 24,
34, 44, 54, 64, 84, 94) on the plurality of bumps (2, 12, 22, 32, 42, 52, 62, 82,
92) and the electrodes (7, 17, 27, 3) of the circuit forming body
7, 47, 57, 67, 87, 97), a positioning step of positioning the electronic component and the circuit forming body via the bonding material so as to be able to make electrical contact therewith, When the electronic component is thermocompression-bonded, the bump on the electrode of the electronic component and the electrode of the circuit forming body are electrically connected to each other between the bonding surface of the electronic component and the circuit forming body. And a final pressure bonding step of curing the bonding material. In the final pressure bonding step, the bonding material flow regulating members (3, 13, 23, 2) provided on the bonding surface of the electronic component are provided.
3A, 33, 43, 53, 63, 83, 93)
A method of mounting an electronic component, wherein a flow of the bonding material to a peripheral portion of the bonding surface of the electronic component is regulated.
【請求項3】 上記接合材料流動規制部材は、上記電子
部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バン
プ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミー
バンプ(3,13,23,23A,43)であり、上記
本圧着工程において、上記ダミーバンプにより、上記広
幅間隔部分における上記電子部品の上記接合面の周辺部
側への上記接合材料の流動を規制する請求項2に記載の
電子部品の実装方法。
3. The bonding material flow control member according to claim 1, wherein the gap between adjacent bumps on the bonding surface of the electronic component is larger than the gap between other adjacent bumps. 23A, 43), wherein, in the final pressure bonding step, the dummy bumps regulate the flow of the bonding material to the peripheral side of the bonding surface of the electronic component in the wide gap portion. How to mount electronic components.
【請求項4】 上記接合材料流動規制部材は、上記電子
部品の矩形の接合面のうち対向する2辺にそれぞれ上記
複数のバンプが列状に形成されている場合にバンプが無
い他の対向する2辺にそれぞれ列状に備えられた上記接
合材料流動規制部材としての複数のダミーバンプ(1
3)であり、上記本圧着工程において、上記ダミーバン
プにより、上記他の対向する2辺における上記電子部品
の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制
する請求項2に記載の電子部品の実装方法。
4. The bonding material flow regulating member, wherein when the plurality of bumps are formed in a row on two opposing sides of a rectangular bonding surface of the electronic component, the other opposing no bumps. A plurality of dummy bumps (1
3) The method according to claim 2, wherein, in the final pressure bonding step, the dummy bumps restrict the flow of the bonding material toward the peripheral portion of the bonding surface of the electronic component on the other two opposite sides. How to mount electronic components.
【請求項5】 上記接合材料流動規制部材は、上記電子
部品の矩形の接合面のうち対向する2対の辺のそれぞれ
に上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが無
いコーナー部に備えられた上記接合材料流動規制部材と
してのダミーバンプ(23,23A,33)であり、上
記本圧着工程において、上記ダミーバンプにより、上記
コーナー部における上記電子部品の上記接合面の周辺部
側への上記接合材料の流動を規制する請求項1に記載の
電子部品の実装方法。
5. The joining material flow regulating member is provided at a corner portion where there is no bump when the plurality of bumps are formed on two opposing sides of a rectangular joining surface of the electronic component. A dummy bump (23, 23A, 33) as a bonding material flow regulating member that has been provided, and in the final press-bonding step, the dummy bump is used to bond the electronic component to a peripheral side of the bonding surface of the electronic component at the corner. 2. The method for mounting an electronic component according to claim 1, wherein the flow of the material is regulated.
【請求項6】 上記接合材料流動規制部材は、上記電子
部品の矩形の接合面のうち中央に一列の上記複数のバン
プが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に備
えられた上記接合材料流動規制部材としてのダミーバン
プ(43)であり、上記本圧着工程において、上記ダミ
ーバンプにより、上記コーナー部における上記電子部品
の上記接合面の周辺部側への上記接合材料の流動を規制
する請求項1に記載の電子部品の実装方法。
6. The bonding material flow regulating member, wherein when the plurality of bumps are formed in a row at the center of the rectangular bonding surface of the electronic component, the bonding material is provided at a corner where there is no bump. The dummy bump (43) as a flow restricting member, wherein the dummy bump restricts the flow of the bonding material to a peripheral portion of the bonding surface of the electronic component at the corner in the main bonding step. The electronic component mounting method described in the above.
【請求項7】 上記接合材料を上記回路形成体に供給す
る工程の前に、上記電子部品の上記接合面に上記複数の
バンプを形成する工程を備え、 上記バンプ形成工程において、上記接合材料流動規制部
材として、上記電子部品の上記接合面の隣接バンプ間の
間隔が他の隣接バンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分
に、ダミーバンプ(3,13,23,23A,43)を
備えるように形成する請求項2〜6のいずれか1つに記
載の電子部品の実装方法。
7. A step of forming the plurality of bumps on the bonding surface of the electronic component before the step of supplying the bonding material to the circuit forming body, wherein the bonding material flow is performed in the bump forming step. As the restricting member, dummy bumps (3, 13, 23, 23A, 43) are formed at wide-width portions where the distance between adjacent bumps on the bonding surface of the electronic component is larger than the distance between other adjacent bumps. A method for mounting the electronic component according to claim 2.
【請求項8】 上記電子部品の上記バンプ間又は上記バ
ンプと上記ダミーバンプとの間のピッチのうちの最大ピ
ッチPmaxと最小ピッチPminとの関係が、αが1
〜6の任意の値であるとき、 Pmax≦(Pmin×
2α) となるようにダミーバンプが備えられているよ
うにした請求項2〜7のいずれか1つに記載の電子部品
の実装方法。
8. The relationship between the maximum pitch Pmax and the minimum pitch Pmin of the pitches between the bumps or between the bumps and the dummy bumps of the electronic component is such that α is 1
Pmax ≦ (Pmin ×
The electronic component mounting method according to any one of claims 2 to 7, wherein a dummy bump is provided so as to satisfy 2α).
【請求項9】 上記接合材料流動規制部材は、上記電子
部品(51,61,81,91)の接合面の各辺の辺部
近傍の上記複数のバンプ(52)の列の内側の矩形領域
にパッシベーション膜(59,69,89,99)を備
える場合には、上記電子部品の上記接合面の上記パッシ
ベーション膜が無い部分に備えられた接合材料流動規制
膜(53,63,83,93)であり、上記本圧着工程
において、上記接合材料流動規制膜により、上記電子部
品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分で
の上記接合材料の流動速度の上昇を規制する請求項2〜
8のいずれか1つに記載の電子部品の実装方法。
9. The bonding material flow regulating member is a rectangular area inside a row of the plurality of bumps (52) near a side of each side of a bonding surface of the electronic component (51, 61, 81, 91). In the case where a passivation film (59, 69, 89, 99) is provided on the surface of the electronic component, a bonding material flow control film (53, 63, 83, 93) provided on a portion of the bonding surface of the electronic component where the passivation film is not provided. In the final pressure bonding step, the bonding material flow control film controls an increase in the flow rate of the bonding material in a portion where the passivation film does not exist on the bonding surface of the electronic component.
8. The method for mounting an electronic component according to any one of items 8 to 8.
【請求項10】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品(51)の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数の
バンプ(52)の列の内側の矩形領域にパッシベーショ
ン膜(59)を備える場合には、上記電子部品の上記接
合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部
分の矩形枠領域に備えられた補助パッシベーション膜
(53)であり、上記本圧着工程において、上記補助パ
ッシベーション膜により、上記電子部品の上記接合面の
各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩
形枠領域での上記接合材料の流動速度の上昇を規制する
請求項2〜8のいずれか1つに記載の電子部品の実装方
法。
10. A passivation film (59) in a rectangular area inside a row of the plurality of bumps (52) near a side of each side of a joining surface of the electronic component (51). And the auxiliary passivation film (53) provided in a rectangular frame area around the outer side of the bump row near the side of each side of the bonding surface of the electronic component. In the step, the auxiliary passivation film regulates an increase in the flow rate of the bonding material in a rectangular frame region around a side of each side of the bonding surface of the electronic component and a peripheral portion outside the row of bumps near the side. A method for mounting the electronic component according to claim 2.
【請求項11】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品(61)の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数の
バンプ(62)の列の内側の矩形領域にパッシベーショ
ン膜(69)を備える場合には、上記電子部品の上記接
合面の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各
コーナー部にのみ備えられた大略矩形の補助パッシベー
ション膜(63)であり、上記本圧着工程において、上
記補助パッシベーション膜により、上記電子部品の上記
接合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺
部分の各コーナー部での上記接合材料の流動速度の上昇
を規制する請求項2〜8のいずれか1つに記載の電子部
品の実装方法。
11. A passivation film (69) in a rectangular area inside a row of the plurality of bumps (62) near a side of each side of a joining surface of the electronic component (61). And a substantially rectangular auxiliary passivation film (63) provided only at each corner of the outer peripheral part of the row of bumps near the side of the bonding surface of the electronic component. In the pressure bonding step, the auxiliary passivation film regulates an increase in the flow rate of the bonding material at each corner of the outer peripheral portion of the bump row near each side of the bonding surface of the electronic component. The mounting method of the electronic component according to claim 2.
【請求項12】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品(81)の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数の
バンプ(82)の列の内側の矩形領域にパッシベーショ
ン膜(89)を備える場合には、上記電子部品の上記接
合面の各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部
分と、上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から
外側の周辺部分のコーナー部までの領域に備えられた大
略矩形の補助パッシベーション膜(83)であり、上記
本圧着工程において、上記補助パッシベーション膜によ
り、上記電子部品の上記接合面の各辺の辺部近傍の上記
バンプの列の外側の周辺部分と、上記パッシベーション
膜の領域のコーナー部から外側の周辺部分のコーナー部
までの領域での上記接合材料の流動速度の上昇を規制す
る請求項2〜8のいずれか1つに記載の電子部品の実装
方法。
12. A passivation film (89) in a rectangular area inside a row of the plurality of bumps (82) near a side of each side of a bonding surface of the electronic component (81). In the case of including the outer peripheral portion of the row of bumps in the vicinity of the side of each side of the bonding surface of the electronic component, and from the corner of the passivation film region to the corner of the outer peripheral portion A substantially rectangular auxiliary passivation film (83) provided in a region, wherein in the main compression bonding step, the auxiliary passivation film forms an outer side of the bump row near each side of the bonding surface of the electronic component by the auxiliary passivation film; 9. The method according to claim 2, wherein the flow rate of the bonding material in the peripheral portion from the corner portion of the passivation film to the corner portion of the outer peripheral portion is prevented from increasing. The electronic component mounting method according to any one of the above.
【請求項13】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品(91)の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数の
バンプ(92)の列の内側の矩形領域にパッシベーショ
ン膜(99)を備える場合には、上記電子部品の上記接
合面の上記バンプ(92)以外の領域全てに備えられた
補助パッシベーション膜(93)であり、上記本圧着工
程において、上記補助パッシベーション膜により、上記
電子部品の上記接合面の上記バンプ(92)以外の領域
全てでの上記接合材料の流動速度の上昇を規制する請求
項2〜8のいずれか1つに記載の電子部品の実装方法。
13. A passivation film (99) in a rectangular region inside a row of the plurality of bumps (92) near a side of each side of a joining surface of the electronic component (91). In the case where the electronic component is provided, the auxiliary passivation film (93) is provided in all regions except the bumps (92) on the bonding surface of the electronic component. The method of mounting an electronic component according to any one of claims 2 to 8, wherein an increase in the flow rate of the bonding material in all regions other than the bumps (92) on the bonding surface of the component is regulated.
【請求項14】 上記接合材料を上記回路形成体に供給
する工程の前に、上記電子部品の上記接合面に上記パッ
シベーション膜を形成する工程を備え、 上記パッシベーション膜形成工程において、上記接合材
料流動規制部材として、上記電子部品の上記接合面の上
記パッシベーション膜が形成されていない領域に補助パ
ッシベーション膜(53,63,83,93)を形成す
る請求項10〜13のいずれか1つに記載の電子部品の
実装方法。
14. The method according to claim 14, further comprising, before the step of supplying the bonding material to the circuit forming body, the step of forming the passivation film on the bonding surface of the electronic component. The auxiliary passivation film (53, 63, 83, 93) is formed as a regulating member in a region where the passivation film is not formed on the bonding surface of the electronic component. How to mount electronic components.
【請求項15】 電子部品(1,11,21,31,4
1,51,61,81,91)の接合面の複数の電極
(4,14,24,34,44,54,64,84,9
4)の複数のバンプ(2,12,22,32,42,5
2,62,82,92)を回路形成体(6,16,2
6,36,46,56,66,86,96)の電極
(7,17,27,37,47,57,67,87,9
7)に電気的に接触した状態で、少なくとも樹脂を含む
接合材料(5,15,25,35,45,55,65,
85,95)を介して上記電子部品を上記回路形成体に
接合させることにより構成される電子部品実装体であっ
て、 上記電子部品の上記接合面の周辺部側への上記接合材料
の流動を規制する接合材料流動規制部材(3,13,2
3,23A,33,43,53,63,83,93)を
上記電子部品の上記接合面に備えることを特徴とする電
子部品実装体。
15. An electronic component (1, 11, 21, 31, 4)
1, 51, 61, 81, 91) at a plurality of electrodes (4, 14, 24, 34, 44, 54, 64, 84, 9).
4) A plurality of bumps (2, 12, 22, 32, 42, 5)
2, 62, 82, 92) to the circuit forming body (6, 16, 2)
6, 36, 46, 56, 66, 86, 96) (7, 17, 27, 37, 47, 57, 67, 87, 9)
7) in a state of being in electrical contact with the bonding material (5, 15, 25, 35, 45, 55, 65,
85, 95), the electronic component being mounted on the circuit-formed body via the electronic component mounting body, wherein the flow of the bonding material to the peripheral side of the bonding surface of the electronic component is prevented. Bonding material flow control member (3,13,2)
3, 23A, 33, 43, 53, 63, 83, 93) on the joint surface of the electronic component.
【請求項16】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バ
ンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミ
ーバンプ(3,13,23,23A,43)である請求
項15に記載の電子部品実装体。
16. The bonding material flow regulating member, wherein the dummy bumps (3,13,23) provided at a wide interval between the adjacent bumps on the bonding surface of the electronic component are larger than the intervals between other adjacent bumps. , 23A, 43).
【請求項17】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品の矩形の接合面のうち対向する2辺にそれぞれ上
記複数のバンプが列状に形成されている場合にバンプが
無い他の対向する2辺にそれぞれ列状に備えられた上記
接合材料流動規制部材としての複数のダミーバンプ(1
3)である請求項15に記載の電子部品実装体。
17. The bonding material flow regulating member, wherein when the plurality of bumps are formed in a row on two opposing sides of the rectangular bonding surface of the electronic component, the other opposing opposing bumps are not provided. A plurality of dummy bumps (1
The electronic component package according to claim 15, which is 3).
【請求項18】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品の矩形の接合面のうち対向する2対の辺のそれぞ
れに上記複数のバンプが形成されている場合にバンプが
無いコーナー部に備えられた上記接合材料流動規制部材
としてのダミーバンプ(23,23A,33)である請
求項15に記載の電子部品実装体。
18. The bonding material flow restricting member is provided at a corner where there is no bump when the plurality of bumps are formed on two opposing sides of a rectangular bonding surface of the electronic component. The electronic component package according to claim 15, wherein the dummy bumps (23, 23 </ b> A, 33) serve as the bonding material flow control member.
【請求項19】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品の矩形の接合面のうち中央に一列の上記複数のバ
ンプが形成されている場合にバンプが無いコーナー部に
備えられた上記接合材料流動規制部材としてのダミーバ
ンプ(43)である請求項15に記載の電子部品実装
体。
19. The bonding material flow regulating member, wherein when the plurality of bumps are formed in a row at the center of the rectangular bonding surface of the electronic component, the bonding material is provided at a corner where there is no bump. The electronic component package according to claim 15, which is a dummy bump (43) serving as a flow restricting member.
【請求項20】 上記接合材料流動規制部材はダミーバ
ンプであって、上記電子部品の上記バンプ間又は上記バ
ンプと上記ダミーバンプとの間のピッチのうちの最大ピ
ッチPmaxと最小ピッチPminとの関係が、αが1
〜6の任意の値であるとき、 Pmax≦(Pmin×
2α) となるようにダミーバンプが備えられる請求項
15〜19のいずれか1つに記載の電子部品実装体。
20. The bonding material flow regulating member is a dummy bump, and a relationship between a maximum pitch Pmax and a minimum pitch Pmin of the pitch between the bumps of the electronic component or between the bump and the dummy bump is as follows. α is 1
Pmax ≦ (Pmin ×
20. The electronic component mounted body according to any one of claims 15 to 19, wherein a dummy bump is provided so as to satisfy 2α).
【請求項21】 上記電子部品(51,61,81,9
1)の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプ(5
2)の列の内側の矩形領域にパッシベーション膜(5
9,69,89,99)が備えられるとともに、上記電
子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部
分に、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品
の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分での
上記接合材料の流動速度の上昇を規制する接合材料流動
規制膜(53,63,83,93)を備える請求項15
〜20のいずれか1つに記載の電子部品実装体。
21. The electronic component (51, 61, 81, 9).
The plurality of bumps (5) in the vicinity of the side of each side of the bonding surface of 1).
The passivation film (5) is formed in the rectangular area inside the row of (2).
9, 69, 89, 99), and in the portion of the electronic component where the passivation film does not have the passivation film as the bonding material flow control member, the passivation film of the electronic component has no passivation film. 16. A bonding material flow regulating film (53, 63, 83, 93) for restricting an increase in the flow speed of the bonding material at a portion.
21. The electronic component package according to any one of Items 20 to 20.
【請求項22】 上記接合材料流動規制部材としての上
記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の
各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の矩
形枠領域に備えられた補助パッシベーション膜(53)
である請求項21に記載の電子部品実装体。
22. The bonding material flow control film as the bonding material flow control member is provided in a rectangular frame area in a peripheral portion outside the row of bumps near each side of the bonding surface of the electronic component. Provided auxiliary passivation film (53)
22. The electronic component package according to claim 21, wherein
【請求項23】 上記接合材料流動規制部材としての上
記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の
辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分の各コーナ
ー部にのみ備えられた大略矩形の補助パッシベーション
膜(63)である請求項21に記載の電子部品実装体。
23. The bonding material flow control film as the bonding material flow control member is provided only at each corner of a peripheral portion outside the row of bumps near a side of the bonding surface of the electronic component. 22. The electronic component package according to claim 21, wherein the auxiliary passivation film is a substantially rectangular auxiliary passivation film.
【請求項24】 上記接合材料流動規制部材としての上
記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の
各辺の辺部近傍の上記バンプの列の外側の周辺部分と、
上記パッシベーション膜の領域のコーナー部から外側の
周辺部分のコーナー部までの領域に備えられた大略矩形
の補助パッシベーション膜(83)である請求項21に
記載の電子部品実装体。
24. A bonding material flow control film as the bonding material flow control member, comprising: a peripheral portion outside the row of bumps near a side of each side of the bonding surface of the electronic component;
22. The electronic component package according to claim 21, which is a substantially rectangular auxiliary passivation film (83) provided in a region from a corner of the region of the passivation film to a corner of an outer peripheral portion.
【請求項25】 上記接合材料流動規制部材としての上
記接合材料流動規制膜は、上記電子部品の上記接合面の
上記バンプ(92)以外の領域全てに備えられた補助パ
ッシベーション膜(93)である請求項21に記載の電
子部品実装体。
25. The bonding material flow control film serving as the bonding material flow control member is an auxiliary passivation film (93) provided in all regions other than the bumps (92) on the bonding surface of the electronic component. An electronic component package according to claim 21.
【請求項26】 上記接合材料流動規制部材としての上
記接合材料流動規制膜は、である請求項21に記載の電
子部品実装体。
26. The electronic component package according to claim 21, wherein the bonding material flow control film as the bonding material flow control member is:
【請求項27】 請求項2〜14のいずれか1つに記載
の電子部品の実装方法により製造された電子部品実装
体。
27. An electronic component mounted body manufactured by the electronic component mounting method according to claim 2. Description:
【請求項28】 接合面の複数の電極(4,14,2
4,34,44,54,64,84,94)に複数のバ
ンプ(2,12,22,32,42,52,62,8
2,92)を備えるとともに、 上記接合面に、上記電子部品の上記接合面の周辺部側へ
の上記接合材料の流動を規制する接合材料流動規制部材
(3,13,23,23A,33,43,53,63,
83,93)を備えて、 上記接合面の上記複数の電極の上記複数のバンプを回路
形成体(6,16,26,36,46,56,66,8
6,96)の電極(7,17,27,37,47,5
7,67,87,97)に電気的に接触した状態で、少
なくとも樹脂を含む接合材料(5,15,25,35,
45,55,65,85,95)を介して上記回路形成
体に接合されて電子部品実装体を構成することを特徴と
する電子部品。
28. A plurality of electrodes (4, 14, 2) on a bonding surface.
4, 34, 44, 54, 64, 84, 94) and a plurality of bumps (2, 12, 22, 32, 42, 52, 62, 8).
(2, 92), and a joining material flow regulating member (3, 13, 23, 23A, 33, 33, 33) on the joining surface for regulating the flow of the joining material toward the periphery of the joining surface of the electronic component. 43, 53, 63,
83, 93), and the plurality of bumps of the plurality of electrodes on the bonding surface are connected to the circuit forming body (6, 16, 26, 36, 46, 56, 66, 8).
6,96) electrodes (7,17,27,37,47,5)
7, 67, 87, 97) and a bonding material (5, 15, 25, 35, 35,
45, 55, 65, 85, 95), which are joined to the circuit forming body to form an electronic component mounting body.
【請求項29】 上記接合材料流動規制部材は、上記電
子部品の上記接合面の隣接バンプ間の間隔が他の隣接バ
ンプ間の間隔より大きい広幅間隔部分に備えられたダミ
ーバンプ(3,13,23,23A,43)である請求
項28に記載の電子部品。
29. The bonding material flow restricting member, wherein the dummy bumps (3, 13, 23, 23) provided at a wide interval between the adjacent bumps on the bonding surface of the electronic component are larger than the intervals between other adjacent bumps. 29. The electronic component according to claim 28, wherein the electronic component is an electronic component.
【請求項30】 上記電子部品(51,61,81,9
1)の接合面の各辺の辺部近傍の上記複数のバンプ(5
2)の列の内側の矩形領域にパッシベーション膜(5
9,69,89,99)が備えられるとともに、上記電
子部品の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部
分に、上記接合材料流動規制部材として、上記電子部品
の上記接合面の上記パッシベーション膜が無い部分での
上記接合材料の流動速度の上昇を規制する接合材料流動
規制膜(53,63,83,93)を備える請求項28
又は29に記載の電子部品。
30. The electronic component (51, 61, 81, 9).
The plurality of bumps (5) in the vicinity of the side of each side of the bonding surface of 1).
The passivation film (5) is formed in the rectangular area inside the row of (2).
9, 69, 89, 99), and in the portion of the electronic component where the passivation film does not have the passivation film as the bonding material flow control member, the passivation film of the electronic component has no passivation film. 29. A joining material flow regulating film (53, 63, 83, 93) for regulating an increase in the flow speed of the joining material at a portion.
Or the electronic component according to 29.
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