JP2001237332A - Package for accommodation of electronic part - Google Patents
Package for accommodation of electronic partInfo
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- JP2001237332A JP2001237332A JP2000043130A JP2000043130A JP2001237332A JP 2001237332 A JP2001237332 A JP 2001237332A JP 2000043130 A JP2000043130 A JP 2000043130A JP 2000043130 A JP2000043130 A JP 2000043130A JP 2001237332 A JP2001237332 A JP 2001237332A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や圧電
振動子、表面弾性波素子等の電子部品を収容するための
電子部品収納用パッケージに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package for accommodating electronic components such as a semiconductor device, a piezoelectric vibrator, and a surface acoustic wave device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体素子や圧電振動子等の電子
部品を収容するための電子部品収納用パッケージは、図
3に断面図で示すように、酸化アルミニウム質焼結体や
窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪
素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−セラミックス
等の電気絶縁材料から成り、その上面中央部に電子部品
15を搭載するための凹状の搭載部11aを有する絶縁基体
11の上面に、搭載部11aを取り囲む枠状のメタライズ層
12を被着させるとともに、このメタライズ層12の上面に
封止用の金属枠体13を銀ろう等のろう材14を介してろう
付けして成り、搭載部11a内に電子部品15を搭載した
後、金属枠体13の上面に略平板状の蓋体16を接合するこ
とによって内部に電子部品15が気密に封止され、これに
より製品としての電子装置となる。2. Description of the Related Art Conventionally, a package for accommodating an electronic component such as a semiconductor element or a piezoelectric vibrator has been known as an aluminum oxide sintered compact or an aluminum nitride sintered package as shown in a sectional view of FIG. It is made of electrically insulating material such as sintered body, mullite sintered body, silicon carbide sintered body, silicon nitride sintered body, glass-ceramic, etc.
Insulating base having concave mounting portion 11a for mounting 15
On the upper surface of 11, a frame-shaped metallization layer surrounding the mounting portion 11a
A metal frame 13 for sealing is brazed on the upper surface of the metallized layer 12 via a brazing material 14 such as silver braze, and an electronic component 15 is mounted in the mounting portion 11a. Thereafter, by joining a substantially flat lid 16 to the upper surface of the metal frame 13, the electronic component 15 is hermetically sealed inside, thereby forming an electronic device as a product.
【0003】なお、この従来の電子部品収納用パッケー
ジにおいては、メタライズ層12を金属枠体13より幅の広
い第一メタライズ層12aと、この第一メタライズ層12a
の中央部上に部分的に盛り上がらせた第二メタライズ層
12bとを積層することにより形成し、これらの第一メタ
ライズ層12aおよび第二メタライズ層12b上に金属枠体
13を銀ろう等のろう材14を介してろう付けすることによ
り第一メタライズ層12aと金属枠体13との間にろう材14
の溜まりを形成するろう付け構造が好適に採用されてい
る。このろう付け構造によれば、第一メタライズ層12a
と金属枠体13との間にろう材14の溜まりが形成されるこ
とから金属枠体13のろう付け強度が高まる。In this conventional package for storing electronic components, the metallized layer 12 is formed of a first metallized layer 12a wider than the metal frame 13 and a first metallized layer 12a.
Second metallized layer partially raised on the center of the
And a metal frame on the first metallized layer 12a and the second metallized layer 12b.
13 is brazed through a brazing material 14 such as silver brazing to form a brazing material 14 between the first metallized layer 12a and the metal frame 13.
The brazing structure which forms the pool of water is suitably adopted. According to this brazing structure, the first metallized layer 12a
Since the pool of the brazing material 14 is formed between the metal frame 13 and the metal frame 13, the brazing strength of the metal frame 13 is increased.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の電子部品収納用パッケージは、近時の電子装置の小
型化の要求に伴い、例えばそのメタライズ層12の幅が0.
3mm以下、金属枠体13の幅が0.25mm以下の極めて狭
いものとなってきている。そして、第二メタライズ層12
bの幅は通常0.05mm以上であることから、メタライズ
層12の内周側および外周側に形成されるろう材14の溜ま
りの幅がそれぞれ0.1mm以下の狭いものとなり、その
ため、搭載部11aに電子部品15を搭載した後、金属枠体
13に例えば金属から成る蓋体16をシームウエルド法等に
より溶接すると、溶接後の冷却過程において金属から成
る蓋体16および金属枠体13の熱収縮によりメタライズ層
12の外周部を内側に引っ張るように印加される熱応力を
ろう材14の溜まりが十分に吸収緩和することができなく
なり、その結果、メタライズ層12の外周部が絶縁基体11
から剥離してしまいやすく、この従来の電子部品収納用
パッケージを用いた電子装置の気密信頼性が大きく損な
われてしまうという問題点を有していた。However, in the conventional package for storing electronic components, the width of the metallized layer 12 is reduced to, for example, 0.
The width is 3 mm or less, and the width of the metal frame 13 is extremely narrow, 0.25 mm or less. And the second metallization layer 12
Since the width of b is usually 0.05 mm or more, the width of the pool of the brazing material 14 formed on the inner peripheral side and the outer peripheral side of the metallized layer 12 is as narrow as 0.1 mm or less, so that the mounting portion 11a After mounting the electronic components 15, the metal frame
For example, when a cover 16 made of metal is welded to the cover 13 by a seam welding method or the like, the metallized layer is formed by heat shrinkage of the cover 16 made of metal and the metal frame 13 in a cooling process after welding.
The pool of the brazing material 14 cannot sufficiently absorb and mitigate the thermal stress applied to pull the outer peripheral portion of the metal substrate 12 inward. As a result, the outer peripheral portion of the metallized layer 12
And the airtight reliability of an electronic device using the conventional electronic component storage package is greatly impaired.
【0005】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
案出されたものであり、その目的は、金属枠体に蓋体を
接合した後、蓋体および金属枠体が熱収縮することによ
って発生する熱応力が印加されてもメタライズ層12が絶
縁基体11から剥離することのない気密信頼性の高い電子
部品収納用パッケージを提供することにある。The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a method in which a lid and a metal frame are thermally contracted after the lid is joined to the metal frame. An object of the present invention is to provide an electronic component housing package having high hermetic reliability, in which the metallized layer 12 does not peel off from the insulating base 11 even when a generated thermal stress is applied.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品収納用
パッケージは、電子部品が搭載される搭載部を有する絶
縁基体の搭載部側の表面に、搭載部を取り囲む枠状の第
一メタライズ層とこの第一メタライズ層上に部分的に盛
り上がらせた第二メタライズ層とを被着させるととも
に、第一および第二メタライズ層上に搭載部を取り囲む
金属枠体をろう付けして成り、金属枠体に蓋体が取着さ
れる電子部品収納用パッケージであって、第二メタライ
ズ層が第一メタライズ層の内周寄りに偏倚して設けられ
ていることを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided an electronic component housing package comprising: a first metallization layer having a frame shape surrounding a mounting portion on a surface of an insulating base having a mounting portion on which an electronic component is mounted; And a second metallized layer partially raised on the first metallized layer, and a metal frame surrounding the mounting portion is brazed on the first and second metallized layers, and the metal frame is formed. An electronic component storage package in which a lid is attached to a body, wherein the second metallized layer is provided so as to be biased toward the inner periphery of the first metallized layer.
【0007】本発明の電子部品収納用パッケージによれ
ば、第二メタライズ層が第一メタライズ層の内周寄りに
偏倚して設けられていることから、金属枠体と第一メタ
ライズ層との間に形成されるろう材の溜まりの幅をメタ
ライズ層の外周側で広いものとすることができ、その結
果、蓋体の溶接後に第一メタライズ層の外周部を内側に
引っ張るように印加される熱応力を幅の広い外周側のろ
う材溜まりで良好に吸収緩和することができる。According to the electronic component housing package of the present invention, since the second metallized layer is provided so as to be deflected toward the inner periphery of the first metallized layer, the gap between the metal frame and the first metallized layer is provided. The width of the pool of brazing material formed on the outer peripheral side of the metallized layer can be made wider, and as a result, heat applied to pull the outer peripheral portion of the first metallized layer inward after welding of the lid body is applied. The stress can be favorably absorbed and alleviated by the brazing material pool on the outer peripheral side having a wide width.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
説明する。Next, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
【0009】図1は、本発明の電子部品収納用パッケー
ジの実施の形態の一例を示す断面図であり、1は絶縁基
体、2は金属枠体、3は蓋体である。そして、主にこれ
らで半導体素子4を気密に収容する容器が構成される。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of an electronic component storage package according to the present invention, wherein 1 is an insulating base, 2 is a metal frame, and 3 is a lid. These mainly constitute a container that hermetically accommodates the semiconductor element 4.
【0010】絶縁基体1は、その上面中央部に電子部品
4を搭載するための凹状の搭載部1aが設けてあり、こ
の搭載部1a には電子部品4が搭載固定される。The insulating substrate 1 has a concave mounting portion 1a for mounting the electronic component 4 at the center of the upper surface, and the electronic component 4 is mounted and fixed on the mounting portion 1a.
【0011】このような絶縁基体1は、酸化アルミニウ
ム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼
結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−
セラミックス等の電気絶縁材料から成り、例えば酸化ア
ルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミ
ニウム・酸化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム
等の原料粉末に適当なバインダー・溶剤を添加混合して
泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレー
ド法等を採用してシート状となすことによって複数枚の
セラミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセ
ラミックグリーンシートの各々に適当な打ち抜き加工を
施すとともにこれらを上下に積層し、約1600℃の温度で
焼成することによって製作される。Such an insulating substrate 1 is made of a sintered body of aluminum oxide, a sintered body of aluminum nitride, a sintered body of mullite, a sintered body of silicon carbide, a sintered body of silicon nitride or glass.
If it is made of an electrically insulating material such as ceramics, and is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, a suitable binder or solvent is added to and mixed with raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, calcium oxide, or magnesium oxide. A plurality of ceramic green sheets are obtained by forming a sheet and adopting a conventionally known doctor blade method or the like to form a sheet. Thereafter, each of these ceramic green sheets is subjected to an appropriate punching process. It is manufactured by laminating these on top and bottom and firing at a temperature of about 1600 ° C.
【0012】また、絶縁基体1には、搭載部1a底面か
ら側面を介して下面に導出する複数のメタライズ配線導
体5が被着形成されている。メタライズ配線導体5は、
搭載部1aに搭載される電子部品4の各電極を外部の電
気回路に電気的に接続するための導電路として機能し、
その搭載部1a底面部位には電子部品子4の各電極が半
田や導電性樹脂等の導電性接合材6を介して電気的に接
続され、また絶縁基体1の下面に導出した部位は半田等
の電気的接続手段を介して外部電気回路に接続される。A plurality of metallized wiring conductors 5 extending from the bottom surface of the mounting portion 1a to the lower surface via the side surface are formed on the insulating base 1. Metallized wiring conductor 5
Functions as a conductive path for electrically connecting each electrode of the electronic component 4 mounted on the mounting portion 1a to an external electric circuit,
Each electrode of the electronic component 4 is electrically connected to a bottom portion of the mounting portion 1a via a conductive bonding material 6 such as solder or a conductive resin. Is connected to an external electric circuit through the electric connection means.
【0013】このようなメタライズ配線導体5は、タン
グステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズ
から成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バイ
ンダー・溶剤を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基
体1となるセラミックグリーンシートにスクリーン印刷
法により所定パターンに印刷塗布し、これを絶縁基体1
となるセラミックグリーンシート積層体とともに焼成す
ることによって絶縁基体1の搭載部1a底面から側面を
介して下面に導出するように被着形成される。The metallized wiring conductor 5 is made of metallized metal powder such as tungsten, molybdenum, copper, silver, etc., and insulates a metal paste obtained by adding a suitable organic binder and solvent to a metal powder such as tungsten. A ceramic green sheet serving as the base 1 is printed and applied in a predetermined pattern by a screen printing method, and this is applied to the insulating base 1.
By firing together with the ceramic green sheet laminate to be formed, the insulating base 1 is formed so as to be led out from the bottom surface of the mounting portion 1a to the lower surface via the side surface.
【0014】なお、メタライズ配線導体5の表面には、
メタライズ配線導体5が酸化腐食するのを有効に防止す
るとともにメタライズ配線導体5と導電性接合材6およ
び半田等の電気的接続手段との接続性を良好なものとす
るために、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッ
ケルめっき層および厚みが0.1〜3.0μm程度の金めっき
層が従来周知の電解めっき法や無電解めっき法により順
次被着されている。Note that the surface of the metallized wiring conductor 5
In order to effectively prevent the metallized wiring conductor 5 from being oxidized and corroded, and to improve the connectivity between the metallized wiring conductor 5 and the electrical connection means such as the conductive bonding material 6 and solder, it is usual that A nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 [mu] m and a gold plating layer having a thickness of about 0.1 to 3.0 [mu] m are sequentially applied by a conventionally known electrolytic plating method or electroless plating method.
【0015】さらに、絶縁基体1の上面には、搭載部1
aを取り囲むようにしてタングステンやモリブデン・銅
・銀等の金属粉末メタライズから成る枠状のメタライズ
層7が被着形成されている。メタライズ層7は、絶縁基
体1に金属枠体2を接合するための下地金属として機能
し、これに接合される金属枠体2の幅より広い幅を有す
る第一メタライズ層7aと、この第一メタライズ層7a
上に部分的に盛り上がらせて積層され、金属枠体2の幅
より狭い幅を有する第二メタライズ層7bとから構成さ
れている。そして、これらの第一メタライズ層7aおよ
び第二メタライズ層7bの上面には、搭載部1aを取り
囲む金属枠体2が銀ろう等のろう材8を介してろう付け
されており、金属枠体2と第一メタライズ層7aとの間
には第二メタライズ層7bの高さに対応した厚みのろう
材8の溜まりが形成されている。Further, the mounting portion 1 is provided on the upper surface of the insulating base 1.
A frame-shaped metallized layer 7 made of metallized metal powder of tungsten, molybdenum, copper, silver or the like is formed so as to surround a. The metallized layer 7 functions as a base metal for joining the metal frame 2 to the insulating base 1, and has a first metallized layer 7 a having a width larger than the width of the metal frame 2 joined thereto, Metallized layer 7a
And a second metallized layer 7b having a width narrower than the width of the metal frame 2 and partially laminated on the upper side. On the upper surfaces of the first metallized layer 7a and the second metallized layer 7b, a metal frame 2 surrounding the mounting portion 1a is brazed via a brazing material 8 such as silver braze. A pool of the brazing material 8 having a thickness corresponding to the height of the second metallized layer 7b is formed between the first metallized layer 7a and the first metallized layer 7a.
【0016】そして、本発明の電子部品収納用パッケー
ジにおいては、第二メタライズ層7bが第一メタライズ
層7aの内周寄りに偏倚して設けられていることが重要
である。第二メタライズ層7bが第一メタライズ層7a
の内周寄りに偏倚して設けられていることによって、例
えばメタライズ層7の幅が0.3mm以下の狭いものであ
っても、メタライズ層7の外周側において金属枠体2と
第一メタライズ層7aとの間に形成されるろう材8の溜
まりの幅を0.1mmを超える広いものとすることができ
る。このように、金属枠体2と第一メタライズ層7aと
の間に形成されるろう材8の溜まりの幅をメタライズ層
7の外周側において0.1mmを超える広いものとするこ
とによって、金属枠体2の上面に例えば金属から成る蓋
体3をシームウエルド法等により溶接した後、金属枠体
2および蓋体3によりメタライズ層7の外周部を内側に
引っ張る熱応力が印加されたとしても、その熱応力はメ
タライズ層7の外周側に形成された幅が0.1mmを超え
るろう材8の溜まりによって良好に吸収分散され、メタ
ライズ層7が絶縁基体1から剥離するのを有効に防止す
ることができる。したがって、本発明の電子部品収納用
パッケージによれば、容器の気密封止は常に維持され、
それにより内部に収容する電子部品4を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができる。In the electronic component housing package of the present invention, it is important that the second metallized layer 7b is provided so as to be deflected toward the inner periphery of the first metallized layer 7a. Second metallized layer 7b is first metallized layer 7a
The metal frame 2 and the first metallized layer 7a are provided on the outer peripheral side of the metallized layer 7 even if the width of the metallized layer 7 is narrow, for example, 0.3 mm or less. And the width of the pool of the brazing material 8 formed between them can be made wider than 0.1 mm. As described above, by making the width of the pool of the brazing material 8 formed between the metal frame 2 and the first metallized layer 7a wider than 0.1 mm on the outer peripheral side of the metallized layer 7, the metal frame is formed. After welding the lid 3 made of, for example, a metal to the upper surface of the metallization layer 7 by a seam welding method or the like, even if a thermal stress that pulls the outer peripheral portion of the metallized layer 7 inward by the metal frame 2 and the lid 3 is applied, The thermal stress is well absorbed and dispersed by the accumulation of the brazing material 8 having a width exceeding 0.1 mm formed on the outer peripheral side of the metallized layer 7, so that the metallized layer 7 can be effectively prevented from peeling off from the insulating base 1. . Therefore, according to the electronic component storage package of the present invention, the hermetic sealing of the container is always maintained,
Thereby, the electronic component 4 housed therein can be operated normally and stably for a long period of time.
【0017】なお、第一メタライズ層7aの外周から第
二メタライズ層7bまでの幅が0.13mm未満では、メタ
ライズ層7の外周側で金属枠体2と第一メタライズ層7
aとの間に形成されるろう材8の溜まりの幅を0.1mm
を超える広いものとすることができず、そのため、金属
枠体2に蓋体3をろう付けした後、金属枠体2および蓋
体3により印加されるメタライズ層7の外周部を内側に
引っ張る熱応力を良好に吸収分散することが困難となる
傾向にある。したがって、第一メタライズ層7aの外周
から第二メタライズ層7bまでの幅は0.13mm以上であ
ることが好ましい。他方、メタライズ層7の内周側にお
いては、メタライズ層7を絶縁基体1から引き剥がすよ
うな応力が大きく印加されることはないので、この内周
側に形成されるろう材8の溜まりの幅は狭いものであっ
てもよい。そのため第一メタライズ層7aの内周から第
二メタライズ層7bまでの幅は0.13mm未満でもかまわ
ないが、メタライズ層7と金属枠体2とを強固に接合す
るためには0.05mm以上あることが好ましい。If the width from the outer periphery of the first metallized layer 7a to the second metallized layer 7b is less than 0.13 mm, the metal frame 2 and the first metallized layer 7
a width of the pool of the brazing material 8 formed between
Therefore, after the cover 3 is brazed to the metal frame 2, heat applied by the metal frame 2 and the cover 3 to pull the outer peripheral portion of the metallized layer 7 inward is applied. It tends to be difficult to absorb and disperse the stress well. Therefore, the width from the outer periphery of the first metallized layer 7a to the second metallized layer 7b is preferably 0.13 mm or more. On the other hand, on the inner peripheral side of the metallized layer 7, a large stress is not applied so as to peel the metallized layer 7 from the insulating base 1, so that the width of the pool of the brazing material 8 formed on the inner peripheral side is not increased. May be narrow. Therefore, the width from the inner periphery of the first metallized layer 7a to the second metallized layer 7b may be less than 0.13 mm, but may be 0.05 mm or more in order to firmly join the metallized layer 7 and the metal frame 2. preferable.
【0018】さらに、第一メタライズ層7aは、その厚
みが10μm未満であると第一メタライズ層7aの絶縁基
体1への被着強度が弱いものとなる傾向にあり、他方、
その厚みが20μmを超えると第一メタライズ層7aの上
面に第二メタライズ層7bを強固に積層することが困難
となる傾向にある。したがって、第一メタライズ層7a
の厚みは、10〜20μmの範囲であることが好ましい。ま
た、第二メタライズ層7bは、その厚みが10μm未満で
あると、金属枠体2と第一メタライズ層7aとの間に十
分な厚みのろう材8の溜まりを形成することができなく
なり、他方、その厚みが50μmを超えると、第二メタラ
イズ層7b上面部の強度が弱いものとなり、金属枠体2
をメタライズ層7に強固にろう付けすることが困難とな
る傾向にある。したがって、第二メタライズ層7bの厚
みは、10〜50μmの範囲であることが好ましい。また、
第二メタライズ層7bは、その幅が0.05mm未満では、
これを所定の安定した形状で形成することが困難となる
傾向にあり、他方、0.15mmを超えると、金属枠体2と
第一メタライズ層7aとの間に十分な幅のろう材8の溜
まりを形成することが困難となる傾向にある。したがっ
て、第二メタライズ層7bの幅は0.05〜0.15mmの範囲
であることが好ましい。Further, if the thickness of the first metallized layer 7a is less than 10 μm, the adhesion strength of the first metallized layer 7a to the insulating base 1 tends to be weak, while
If the thickness exceeds 20 μm, it tends to be difficult to firmly laminate the second metallized layer 7b on the upper surface of the first metallized layer 7a. Therefore, the first metallized layer 7a
Is preferably in the range of 10 to 20 μm. If the thickness of the second metallized layer 7b is less than 10 μm, it becomes impossible to form a pool of the brazing material 8 having a sufficient thickness between the metal frame 2 and the first metallized layer 7a. If the thickness exceeds 50 μm, the strength of the upper surface of the second metallized layer 7b becomes weak, and the metal frame 2
Tends to be difficult to braze firmly to the metallized layer 7. Therefore, the thickness of the second metallized layer 7b is preferably in the range of 10 to 50 μm. Also,
When the width of the second metallized layer 7b is less than 0.05 mm,
It tends to be difficult to form this in a predetermined stable shape. On the other hand, if it exceeds 0.15 mm, the accumulation of the brazing material 8 having a sufficient width between the metal frame 2 and the first metallized layer 7a. Tends to be difficult to form. Therefore, the width of the second metallized layer 7b is preferably in the range of 0.05 to 0.15 mm.
【0019】このようなメタライズ層7は、タングステ
ン等の金属粉末に適当なバインダー・溶剤を添加混合し
て得た金属ペーストを絶縁基体1となるセラミックグリ
ーンシート上に従来周知のスクリーン印刷法を採用して
第一メタライズ層7a用のパターンと第二メタライズ層
7b用のパターンとの2回にわけて印刷塗布し、これら
を絶縁基体1となるセラミックグリーンシート積層体と
同時に焼成することによって絶縁基体1の上面に搭載部
1aを取り囲むように所定の形状に被着される。The metallized layer 7 is formed by applying a well-known screen printing method on a ceramic green sheet serving as the insulating substrate 1 by adding a metal paste obtained by adding a suitable binder and solvent to a metal powder such as tungsten. Then, the pattern for the first metallized layer 7a and the pattern for the second metallized layer 7b are printed and applied in two parts, and are fired at the same time as the ceramic green sheet laminate to be the insulating base 1. 1 is attached in a predetermined shape so as to surround the mounting portion 1a.
【0020】なお、メタライズ層7の表面には、メタラ
イズ層7が酸化腐食するのを有効に防止するとともにメ
タライズ層7とろう材8との接合を良好なものとするた
めに、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケル
めっき層が従来周知の電解めっき法や無電解めっき法に
より順次被着されている。In order to effectively prevent the metallized layer 7 from being oxidized and corroded and to improve the bonding between the metallized layer 7 and the brazing material 8, the surface of the metallized layer 7 is usually placed on the surface. A nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm is sequentially applied by a conventionally known electrolytic plating method or electroless plating method.
【0021】また、メタライズ層7に銀ろう等のろう材
8を介してろう付けされた金属枠体2は、例えば鉄−ニ
ッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から
成り、蓋体3を絶縁基体1に接合するための下地金属部
材として機能する。そして、金属枠体2上に蓋体3を載
置するとともに、例えば蓋体3が金属から成る場合であ
ればこれらをシームウエルド法により溶接することによ
って蓋体3が金属枠体2に接合される。このような金属
枠体2は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト
合金等から成る板材を所定の枠状に打ち抜くことによっ
て形成され、そして、金属枠体2をメタライズ層7の上
に例えば箔状のろう材を挟んで載置し、しかる後、ろう
材を加熱溶融させることによってメタライズ層7上にろ
う材8を介してろう付けされる。The metal frame 2 brazed to the metallized layer 7 via a brazing material 8 such as silver brazing is made of a metal such as an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy. Functions as a base metal member for bonding the substrate to the insulating base 1. Then, the lid 3 is placed on the metal frame 2 and, for example, when the lid 3 is made of metal, the lid 3 is joined to the metal frame 2 by welding them by a seam welding method. You. Such a metal frame 2 is formed by punching a plate material made of an iron-nickel alloy, an iron-nickel-cobalt alloy, or the like into a predetermined frame shape. The foil-like brazing material is interposed and then brazed on the metallized layer 7 via the brazing material 8 by heating and melting the brazing material.
【0022】なお、金属枠体2は、打ち抜き加工により
一方の主面と内外側面との間の角部に通常であれば曲率
半径が5〜50μm程度の丸みが形成されるので、この丸
みの側がメタライズ層7と対向するようにろう付けする
と、この丸みによってろう材8の溜まりをさらに大きな
ものとすることが可能となる。したがって、金属枠体2
は、打ち抜き加工により形成される丸みの側がメタライ
ズ層7と対向するようにろう付けすることが好ましい。
また、金属枠体2およびろう材8の露出表面には、金属
枠体2やろう材8が酸化腐食するのを防止するために、
厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層および厚みが
0.1〜3.0μm程度の金めっき層が、通常であればろう付
け後に、従来周知の電解めっき法や無電解めっき法によ
り順次被着されている。The metal frame 2 is usually formed with a radius of curvature of about 5 to 50 μm at the corner between one main surface and the inner and outer surfaces by punching. If the brazing is performed so that the side faces the metallized layer 7, the roundness allows the pool of the brazing material 8 to be further increased. Therefore, the metal frame 2
It is preferable that brazing is performed so that a rounded side formed by punching faces the metallized layer 7.
In addition, on the exposed surfaces of the metal frame 2 and the brazing material 8, in order to prevent the metal frame 2 and the brazing material 8 from being oxidized and corroded,
Nickel plating layer with thickness of about 1 to 10 μm and thickness
A gold plating layer having a thickness of about 0.1 to 3.0 μm is usually sequentially applied after brazing, usually by a known electroplating method or electroless plating method.
【0023】他方、蓋体3は、例えば鉄−ニッケル合金
や鉄−ニッケル−コバルト合金から成る厚みが0.1mm
程度の平板であり、鉄−ニッケル合金板や鉄−ニッケル
−コバルト合金板を打ち抜き金型により所定の形状に製
作される。On the other hand, the lid 3 is made of, for example, an iron-nickel alloy or an iron-nickel-cobalt alloy having a thickness of 0.1 mm.
It is a flat plate of a degree, and is manufactured in a predetermined shape by a punching die of an iron-nickel alloy plate or an iron-nickel-cobalt alloy plate.
【0024】かくして、本発明の電子部品収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体1の搭載部1a に電子部品4を
その各電極がメタライズ配線導体5に電気的に接続され
るようにして導電性接合材6を介して搭載固定した後、
絶縁基体1にろう付けされた金属枠体2に蓋体3をシー
ムウエルド法等により溶接し、内部に電子部品4を気密
に封止することによって気密信頼性に優れた電子装置を
提供することができる。Thus, according to the electronic component housing package of the present invention, the electronic component 4 is mounted on the mounting portion 1a of the insulating base 1 by electrically connecting each electrode to the metallized wiring conductor 5. After mounting and fixing via material 6,
To provide an electronic device having excellent hermetic reliability by welding a lid body to a metal frame body brazed to an insulating base body by a seam welding method or the like and hermetically sealing an electronic component therein. Can be.
【0025】なお、本発明は、上述の実施の形態例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施形
態例では、金属枠体2をメタライズ層7の略中央部にろ
う付けしたが、図2に断面図で示すように、金属枠体2
をメタライズ層7の内周寄りに偏倚してろう付けするこ
とによってメタライズ層7の外周から金属枠体2までの
幅を広いものとし、これにより金属枠体2の側面とメタ
ライズ層7との間にもろう材8の溜まりを設け、金属枠
体2をメタライズ層7にさらに強固にろう付けするよう
にしてもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, The metal frame 2 was brazed to a substantially central portion of the metallized layer 7, but as shown in the sectional view of FIG.
Is biased toward the inner periphery of the metallized layer 7 so as to increase the width from the outer periphery of the metallized layer 7 to the metal frame 2, thereby providing a space between the side surface of the metal frame 2 and the metallized layer 7. Alternatively, a pool of the brazing material 8 may be provided to further braze the metal frame 2 to the metallized layer 7 more firmly.
【0026】[0026]
【発明の効果】本発明の電子部品収納用パッケージによ
れば、第二メタライズ層が第一メタライズ層の内周寄り
に偏倚して設けられていることから、これらの上にろう
付けされた金属枠体と第一メタライズ層との間に形成さ
れるろう材の溜まりの幅をメタライズ層の外周側で広い
ものとすることができ、その結果、金属枠体に蓋体を接
合した後、金属枠体および蓋体により第一メタライズ層
の外周部を内側に引っ張るよう熱応力が印加されたとし
ても、その応力はメタライズ層の外周側に形成された幅
の広いろう材の溜まりで良好に吸収緩和され、その結
果、メタライズ層に剥離が発生するようなことはなく、
気密信頼性に優れた電子部品収納用パッケージを提供す
ることができる。According to the electronic component housing package of the present invention, since the second metallized layer is provided so as to be deviated toward the inner periphery of the first metallized layer, a metal brazed thereon is provided. The width of the pool of the brazing material formed between the frame and the first metallized layer can be increased on the outer peripheral side of the metallized layer, and as a result, after joining the lid to the metal frame, Even if thermal stress is applied by the frame and lid to pull the outer peripheral portion of the first metallized layer inward, the stress is well absorbed by the pool of the wide brazing material formed on the outer peripheral side of the metallized layer. The metallized layer does not peel off as a result,
An electronic component storage package having excellent airtight reliability can be provided.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of an electronic component storage package according to the present invention.
【図2】本発明の電子部品収納用パッケージの実施の形
態の他の例を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing another example of the embodiment of the electronic component storage package of the present invention.
【図3】従来の電子部品収納用パッケージを示す断面図
である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional electronic component housing package.
1・・・・絶縁基体 1a・・・搭載部 2・・・・金属枠体 3・・・・蓋体 4・・・・電子部品 7・・・・メタライズ層 7a ・・・第一メタライズ層 7b ・・・第二メタライズ層 8・・・・ろう材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating base 1a ... Mounting part 2 ... Metal frame 3 ... Lid 4 ... Electronic components 7 ... Metallized layer 7a ... First metallized layer 7b ... second metallized layer 8 ... brazing material
Claims (2)
縁基体の前記搭載部側の表面に、該搭載部を取り囲む枠
状の第一メタライズ層と該第一メタライズ層上に部分的
に盛り上がらせた第二メタライズ層とを被着させるとと
もに、該第一および第二メタライズ層上に前記搭載部を
取り囲む金属枠体をろう付けして成り、該金属枠体に蓋
体が取着される電子部品収納用パッケージであって、前
記第二メタライズ層が前記第一メタライズ層の内周寄り
に偏倚して設けられていることを特徴とする電子部品収
納用パッケージ。A first metallization layer having a frame shape surrounding the mounting portion, and a portion protruding over the first metallization layer on a surface of the insulating base having a mounting portion on which the electronic component is mounted, on the mounting portion side. And a metal frame surrounding the mounting portion is brazed on the first and second metalized layers, and a lid is attached to the metal frame. An electronic component storage package, wherein the second metallized layer is provided so as to be biased toward an inner periphery of the first metallized layer.
二メタライズ層の外周までの間隔が0.13mm以上で
あることを特徴とする請求項1記載の電子部品収納用パ
ッケージ。2. The electronic component storage package according to claim 1, wherein a distance from an outer periphery of the first metallized layer to an outer periphery of the second metallized layer is 0.13 mm or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000043130A JP2001237332A (en) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | Package for accommodation of electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000043130A JP2001237332A (en) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | Package for accommodation of electronic part |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001237332A true JP2001237332A (en) | 2001-08-31 |
Family
ID=18566095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000043130A Pending JP2001237332A (en) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | Package for accommodation of electronic part |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001237332A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225717A (en) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Kyocera Corp | Package for housing electronic component |
JP2013239555A (en) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc | Package for housing electronic component element and manufacturing method of the same |
JP2014033132A (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc | Multi-cavity molding wiring board |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000043130A patent/JP2001237332A/en active Pending
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JP2013239555A (en) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc | Package for housing electronic component element and manufacturing method of the same |
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