JP2001215717A

JP2001215717A - 走査露光方法および走査型露光装置

Info

Publication number: JP2001215717A
Application number: JP2000025661A
Authority: JP
Inventors: Seiji Fujitsuka; 清治藤塚
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2000-02-02
Filing date: 2000-02-02
Publication date: 2001-08-10

Abstract

(57)【要約】【課題】マスクと基板とを同期移動させて基板上で分
割パターンをつなぎ合わせて画面合成を行う際に、同期
移動方向で隣り合う分割パターン同士を滑らかにつなぎ
合わせる。【解決手段】露光光の照射に対してマスクと基板Ｐと
を同期移動して、マスクの分割パターン５１〜５４を基
板Ｐに投影し、基板Ｐ上で隣り合う複数の分割パターン
５１〜５４をつなぎ合わせて露光する。同期移動方向に
隣り合う分割パターン同士５１、５２および５３、５４
を互いに一部重複させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクと基板とを
所定方向に同期移動して、マスクに形成されたパターン
を基板に露光する走査露光方法および走査型露光装置に
関し、特に、基板上で隣り合う複数の分割パターンをつ
なぎ合わせて露光する走査露光方法および走査型露光装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、パソコンやテレビ等の表示素子と
しては、薄型化を可能とする液晶表示パネルが多用され
るようになっている。この種の液晶表示パネルは、平面
視矩形状の感光基板上に透明薄膜電極をフォトリソグラ
フィの手法で所望の形状にパターニングすることにより
製造されている。そして、このフォトリソグラフィの装
置として、マスク（レチクル）上に形成されたパターン
を投影光学系を介して感光基板上のフォトレジスト層に
露光する露光装置が用いられている。

【０００３】上記の液晶表示パネルは、画面の見やすさ
から大面積化が進んでいる。この要請に応える露光装置
としては、例えば、特開平７−５７９８６号に開示され
ているように、マスクのパターンを正立像で基板上に投
影する複数の投影光学系を組み合わせ、マスクとガラス
基板とを所定方向に同期移動して、投影光学系に対して
走査することによって、同期移動方向と直交する方向に
大きな露光領域を有する、すなわち、マスクに形成され
たＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌ
ａｙ）等のパターンをガラス基板上の露光領域に順次転
写する走査型露光装置が考案されている。

【０００４】この際、投影領域が大きくても装置を大型
化させず、且つ良好な結像特性を得る投影光学系とし
て、複数の投影光学系を、隣り合う投影領域が走査方向
で所定量変位するように、且つ隣り合う投影領域の端部
同士が走査方向と直交する方向に重複するように配置さ
れたものが使用されている。この場合、各投影光学系の
視野絞りは、例えば台形形状で、走査方向の視野絞りの
開口幅の合計は常に等しくなるように設定されている。
そのため、上記のような走査型露光装置は、隣り合う投
影光学系の継ぎ部が重複して露光され、投影光学系の光
学収差や露光照度が滑らかに変化するという利点を持っ
ている。

【０００５】ところで、近年、液晶表示パネル製造用の
基板として、液晶表示パネルの多面取りによる生産性向
上や、テレビ等を目的とした、より大きな表示領域を有
する液晶表示パネルを製造するために、５０ｃｍ〜７０
ｃｍ□以上の大きなガラス基板を使用することが考えら
れている。このように、表示領域が大きな基板サイズ相
当の液晶表示パネルを露光するためには、基板サイズと
同等の大きさのマスクを使用し一括で走査露光する方法
と、１つの液晶表示パネルのパターンを複数の領域に分
割しパターン合成する方法とが考えられる。前者の方法
では、高速なスループットが得られるが、マスクのコス
トが膨大となり現実的ではない。

【０００６】一方、後者の方法では、パターン継ぎ部に
おいてマスクのパターン描画誤差、投影光学系の光学収
差やガラス基板を移動させるステージの位置決め誤差等
に起因して段差が発生し、デバイスの特性が損なわれた
りする。さらに、パターン合成されたものを多層に重ね
合わせた場合、各層の露光領域の重ね誤差やパターンの
線幅差がパターンの継ぎ目部分で不連続に変化し、液晶
表示パネルを点灯したときに継ぎ目部で色ムラが発生す
る等、デバイスの品質が低下するという問題があった。

【０００７】この問題を解消しつつ、大型のガラス基板
に露光するための走査型露光装置としては、例えば、特
開平１０−６４７８２が提供されている。これは、マス
クを保持するマスクステージおよびガラス基板を保持す
る基板ステージを同期して駆動して走査露光を行った後
に、マスクステージおよび基板ステージを同期移動と直
交する方向に照明領域の幅分の距離だけステップ移動す
る工程を一回または数回繰り返すことにより、複数の分
割パターンをつなぎ合わせて大きなガラス基板上に転写
するものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の走査露光方法および走査型露光装置に
は、以下のような問題が存在する。最近では、液晶表示
パネルの大面積化に対する要求が更に強まり、より大き
なガラス基板に露光する必要が生じている。そのために
は、分割パターンを縦横につなぎ合わせて画面合成する
方法が考えられるが、従来では走査方向（同期移動方
向）に滑らかに分割パターンをつなぎ合わせることがで
きず、非走査方向と同様に走査方向につなぎ合わせて
も、デバイスの品質を維持できる画面合成の方法が望ま
れていた。

【０００９】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、マスクと基板とを同期移動させて基板上で
分割パターンをつなぎ合わせて画面合成を行う際に、同
期移動方向で隣り合う分割パターン同士を滑らかにつな
ぎ合わせることが可能な走査露光方法および走査型露光
装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１９に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明の走査露
光方法は、露光光の照射に対してマスク（Ｍ）と基板
（Ｐ）とを同期移動して、マスク（Ｍ）の分割パターン
（５１〜５４）を基板（Ｐ）に投影し、基板（Ｐ）上で
隣り合う複数の分割パターン（５１〜５４）をつなぎ合
わせて露光する走査露光方法であって、同期移動方向に
隣り合う分割パターン（５１と５２、５３と５４）同士
を互いに一部重複させることを特徴とするものである。

【００１１】また、本発明の走査型露光装置は、露光光
の照射領域に対してマスク（Ｍ）を保持するマスクステ
ージ（４）と基板（Ｐ）を保持する基板ステージ（５）
とを同期移動して、基板（Ｐ）上で隣り合う複数の分割
パターン（５１〜５４）をつなぎ合わせて露光する走査
型露光装置（１）であって、露光光を遮光・開放する遮
光装置（１２）と、同期移動中に照射領域の遮光状態を
変更して、同期移動方向に隣り合う分割パターン（５１
と５２、５３と５４）同士を互いに一部重複させるよう
にマスクステージ（４）、基板ステージ（５）および遮
光装置（１２）を制御する制御装置（１７）とを備える
ことを特徴とするものである。

【００１２】従って、本発明の走査露光方法では、各分
割パターン（５１〜５４）を走査露光する際に、分割パ
ターン（５１と５２、５３と５４）同士の重複部（５１
ａと５２ａ、５３ａと５４ａ）において露光量（露光エ
ネルギ量）を境界へ向けて比例的に減少させることによ
って、重ね合わせて露光した際にこの部分の露光量を非
重複部の露光量と略一致させることができる。そのた
め、同期移動方向で隣り合う分割パターン（５１と５
２、５３と５４）同士は、マスク（Ｍ）のパターン描画
誤差、投影光学系（３）の光学収差や基板を移動させる
ステージ（４、５）の位置決め誤差等が存在しても、重
複部（５１ａ〜５４ａ）で段差が滑らかに変化し、デバ
イス特性が低下することを防止できる。上記露光量の調
整は、マスクステージ（４）と基板ステージ（５）とが
同期移動して、分割パターン（５１〜５４）の重複部
（５１ａ〜５４ａ）が露光光の照射領域（３４ａ〜３４
ｅ）に位置した際に、重複部（５１ａ〜５４ａ）におけ
る露光光の照射を、照射と遮光とに切り換えることで実
行できる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の走査露光方法およ
び走査型露光装置の第１の実施の形態を、図１ないし図
１５を参照して説明する。ここでは、基板として液晶表
示パネル製造に用いられる角形のガラス基板を用い、マ
スクに形成された液晶表示デバイスの回路パターンをガ
ラス基板上に転写する場合の例を用いて説明する。ま
た、ここでは、投影光学系が五つの投影系モジュールか
らなり、四回の走査露光によりガラス基板上に画面合成
する場合の例を用いて説明する。

【００１４】図１は、本発明による走査型露光装置１の
概略的な構成を示す斜視図である。走査型露光装置１
は、照明光学系２と、複数の投影系モジュール３ａ〜３
ｅからなる投影光学系３と、マスク（レチクル）Ｍを保
持するマスクステージ４と、ガラス基板（基板）Ｐを保
持する基板ステージ５とを主体として構成されている。
なお、マスクＭおよびガラス基板ＰがＸＹ平面に沿って
配置され、ＸＹ平面のうち走査方向（同期移動方向）を
Ｘ方向、Ｘ方向と直交する非走査方向をＹ方向とし、Ｘ
Ｙ平面に直交する光軸方向をＺ方向として説明する。

【００１５】図２に示すように、照明光学系２は、超高
圧水銀ランプ等の光源６から射出された光束（露光光）
をマスクＭ上に照明するものであって、ダイクロイック
ミラー７、波長選択フィルタ８、ライトガイド９および
投影系モジュール３ａ〜３ｅのそれぞれに対応して配設
された照明系モジュール１０ａ〜１０ｅ（ただし図２に
おいては、便宜上照明光学系１０ａに対応するもののみ
を示している）とから構成されている。

【００１６】そして、光源６から射出した光束は、楕円
鏡６ａで集光された後に、ダイクロイックミラー７に入
射する。ダイクロイックミラー７は、露光に必要な波長
の光束を反射し、その他の波長の光束を透過させるもの
である。ダイクロイックミラー７で反射された光束は、
波長選択フィルタ８に入射し、投影光学系３が露光を行
うのに適した波長（通常は、ｇ、ｈ、ｉ線の内、少なく
とも１つの帯域）の光束となり、ライトガイド９に入射
する。ライトガイド９は、入射した光束を５本に分岐し
て、反射ミラー１１を介して各照明系モジュール１０ａ
〜１０ｅに入射させるものである。

【００１７】各照明系モジュール１０ａ〜１０ｅは、照
明シャッタ（遮光装置）１２とリレーレンズ１３とフラ
イアイレンズ１４とコンデンサレンズ１５とから概略構
成されている。なお、本実施の形態では、この照明系モ
ジュール１０ａと同じ構成の照明系モジュール１０ｂ〜
１０ｅが、Ｘ方向とＹ方向とに一定の間隔をもって配置
されている。そして、各照明系モジュール１０ａ〜１０
ｅからの光束は、マスクＭ上の異なる照明領域を照明す
る構成になっている。

【００１８】照明シャッタ１２は、ライトガイド９の後
方に、光束の光路に対して進退自在に配置されている。
照明シャッタ１２は、光路を遮蔽したときに該光路から
マスクＭおよびガラス基板Ｐへ到る光束を遮光して、光
路を開放したときに光束への遮光を解除して、マスクＭ
およびガラス基板Ｐへ光束を照射させるものである。ま
た、照明シャッタ１２には、該照明シャッタ１２を上記
光路に対して進退移動させるシャッタ駆動部１６が備え
られている。シャッタ駆動部１６は、制御装置１７によ
ってその駆動を制御されている。

【００１９】一方、各照明系モジュール１０ａ〜１０ｅ
には、光量調整機構１８が付設されている。光量調整機
構１８は、光路毎に光束の照度を設定することによっ
て、各光路毎に露光量を調整するものであって、ハーフ
ミラー１９、ディテクタ２０、フィルタ２１およびフィ
ルタ駆動部２２から構成されている。ハーフミラー１９
は、フィルタ２１とリレーレンズ１３との間の光路中に
配置され、フィルタ２１を透過した光束の一部をディテ
クタ２０へ入射させるものである。ディテクタ２０は、
入射した光束の照度を検出し、検出した照度信号を制御
装置１７へ出力するものである。

【００２０】フィルタ２１は、ガラス板上にＣｒ等で簾
状にパターニングされたものであって、透過率がＹ方向
に沿ってある範囲で線形に漸次変化するように形成され
ており、各光路中の照明シャッタ１２とハーフミラー１
９との間に配置されている。これらハーフミラー１９、
ディテクタ２０およびフィルタ２１は、複数の光路毎に
それぞれ配設されている。フィルタ駆動部２２は、制御
装置１７の指示に基づいてフィルタ２１をＹ方向に沿っ
て移動させるものである。

【００２１】従って、ディテクタ２０が検出した光束の
照度に基づいて、制御装置１７がフィルタ駆動部２２を
制御することで、各光路毎にガラス基板Ｐ上での照度が
所定値になるように光路毎の光量を調整することができ
る。

【００２２】光量調整機構１８を透過した光束は、リレ
ーレンズ１３を介してフライアイレンズ１４に達する。
このフライアイレンズ１４の射出面側には、二次光源が
形成され、コンデンサレンズ１５を介してマスクＭの照
明領域を均一な照度で照射することができるようになっ
ている。

【００２３】マスクＭを透過した光束は、投影系モジュ
ール３ａ〜３ｅにそれぞれ入射する。そして、照明領域
のマスクＭのパターンは、所定の結像特性をもって、レ
ジストが塗布されたガラス基板Ｐ上に転写される。各投
影系モジュール３ａ〜３ｅは、図３に示すように、像シ
フト機構２３、二組の反射屈折型光学系２４，２５、視
野絞り２６および倍率調整機構２７から構成されてい
る。

【００２４】マスクＭを透過した光束は、像シフト機構
２３に入射する。像シフト機構２３は、例えば、二枚の
平行平面板ガラスがそれぞれＹ軸周りもしくはＸ軸周り
に回転することで、マスクＭのパターン像をＸ方向もし
くはＹ方向にシフトさせるものである。像シフト機構２
３を透過した光束は、一組目の反射屈折型光学系２４に
入射する。反射屈折型光学系２４は、マスクＭのパター
ンの中間像を形成するものであって、直角プリズム２
８、レンズ２９および凹面鏡３０から構成されている。
直角プリズム２８はＺ軸周りに回転自在とされ、マスク
Ｍのパターン像を回転（ローテーション）させる構成に
なっている。

【００２５】この中間像位置には、視野絞り２６が配置
されている。視野絞り２６は、ガラス基板Ｐ上で台形状
の投影領域を設定するものである。視野絞り２６を透過
した光束は、二組目の反射屈折型光学系２５に入射す
る。反射屈折型光学系２５は、反射屈折型光学系２４と
同様に、直角プリズム３１、レンズ３２および凹面鏡３
３から構成されている。また、直角プリズム３１も、Ｚ
軸周りに回転自在とされ、マスクＭのパターン像を回転
させる構成になっている。

【００２６】反射屈折型光学系２５から出射された光束
は、倍率調整機構２７を通り、ガラス基板Ｐ上にマスク
Ｍのパターン像を正立等倍で結像する。倍率調整機構２
７は、例えば、平凸レンズ、両凸レンズ、平凹レンズの
三枚のレンズから構成され、平凸レンズと平凹レンズと
の間に位置する両凸レンズをＺ軸方向に移動させること
により、マスクＭのパターン像の倍率を変化させるよう
になっている。

【００２７】図４は、ガラス基板Ｐ上での投影系モジュ
ール３ａ〜３ｅの投影領域（イメージフィールド）３４
ａ〜３４ｅの平面図である。この図に示すように、各投
影領域３４ａ〜３４ｅは、台形形状を有しており、投影
領域３４ａ、３４ｃ、３４ｅと投影領域３４ｂ、３４ｄ
とは、短辺側を対向させてＸ方向に間隔をあけて配置さ
れている。さらに、投影領域３４ａ〜３４ｅは、隣り合
う投影領域の端部同士（３５ａと３５ｂ、３５ｃと３５
ｄ、３５ｅと３５ｆ、３５ｇと３５ｈ）が二点鎖線で示
すように、Ｙ方向で重複するように並列配置され、Ｘ方
向の投影領域の幅の総計がほぼ等しくなるように設定さ
れている。すなわち、Ｘ方向に走査露光したときの露光
量が等しくなるようになっている。

【００２８】このように、各投影系モジュール３ａ〜３
ｅによる投影領域３４ａ〜３４ｅが重複する継ぎ部３６
ａ〜３６ｄを設けることにより、継ぎ部３６ａ〜３６ｄ
における光学収差の変化や照度変化を滑らかにすること
ができるようになっている。なお、本実施の形態の投影
領域３４ａ〜３４ｅの形状は、台形であるが、六角形や
菱形、平行四辺形等であっても構わない。

【００２９】マスクステージ４は、マスクＭを保持する
ものであって、一次元の走査露光を行うべくＸ方向に長
いストロークと、走査方向と直交するＹ方向に数ｍｍ程
度の微小量のストロークとを有している。図２に示すよ
うに、マスクステージ４には、該マスクステージ４をＸ
方向およびＹ方向に駆動するマスクステージ駆動部３７
が備えられている。このマスクステージ駆動部３７は、
制御装置１７によって制御されている。

【００３０】図１に示すように、マスクステージ４上の
端縁には、直交する方向に移動鏡３８ａ、３８ｂがそれ
ぞれ設置されている。移動鏡３８ａには、レーザ干渉計
３９ａが対向して配置されている。また、移動鏡３８ｂ
には、レーザ干渉計３９ｂが対向して配置されている。
これらレーザ干渉計３９ａ、３９ｂは、それぞれ移動鏡
３８ａ、３８ｂにレーザ光を射出して当該移動鏡３８
ａ、３８ｂとの間の距離を計測することにより、マスク
ステージ４のＸ方向、Ｙ方向の位置、すなわち、マスク
Ｍの位置を高分解能、高精度に検出することが可能にな
っている。そして、レーザ干渉計３９ａ、３９ｂの検出
結果は、図には示していないが、制御装置１７に出力さ
れる。

【００３１】基板ステージ５は、ガラス基板Ｐを保持す
るものであって、マスクステージ４と同様に、一次元の
走査露光を行うべくＸ方向に長いストロークと、走査方
向と直交するＹ方向にステップ移動するための長いスト
ロークとを有している。また、基板ステージ５には、該
基板ステージ５をＸ方向およびＹ方向に駆動する基板ス
テージ駆動部４０が備えられている。この基板ステージ
駆動部４０は、制御装置１７によって制御されている。
さらに、基板ステージ５は、Ｚ方向にも移動自在になっ
ている。そして、基板ステージ５は、マスクＭのパター
ン面とガラス基板Ｐの露光面のＺ方向の位置を計測する
計測手段（不図示）を備えており、マスクＭのパターン
面とガラス基板Ｐの露光面とが常に所定の間隔になるよ
うに位置制御される。

【００３２】また、基板ステージ５上の端縁には、直交
する方向に移動鏡４２ａ、４２ｂがそれぞれ設置されて
いる。移動鏡４２ａには、レーザー干渉計４３ａが対向
して配置されている。また、移動鏡４２ｂには、レーザ
ー干渉計４３ｂが対向して配置されている。これらレー
ザー干渉計４３ａ、４３ｂは、それぞれ移動鏡４２ａ、
４２ｂにレーザー光を射出して当該移動鏡４２ａ、４２
ｂとの間の距離を計測することにより、基板ステージ５
のＸ方向、Ｙ方向の位置、すなわち、ガラス基板Ｐの位
置を高分解能、高精度に検出することが可能になってい
る。そして、レーザ干渉計４３ａ、４３ｂの検出結果
は、図には示していないが制御装置１７に出力される。

【００３３】制御装置１７は、レーザ干渉計３９ａ、３
９ｂの出力からマスクステージ４の位置をモニターし、
マスクステージ駆動部３７を制御することでマスクステ
ージ４を所望の位置へ移動させるとともに、レーザ干渉
計４３ａ、４３ｂの出力から基板ステージ５の位置をモ
ニターし、基板ステージ駆動部４０を制御することで基
板ステージ５を所望の位置へ移動させる。すなわち、制
御装置１７は、マスクステージ４および基板ステージ５
の位置をモニターしながら両駆動部３７，４０を制御す
ることにより、マスクＭとガラスプレートＰとを投影系
モジュール３ａ〜３ｅに対して、任意の走査速度（同期
移動速度）でＸ方向に同期移動させるようになってい
る。

【００３４】続いて、本実施の形態の走査露光方法およ
び走査型露光装置で用いられるマスクＭおよびガラス基
板Ｐについて説明する。図５に示すように、ガラス基板
Ｐには、４つの分割パターン５１〜５４が画面合成され
る矩形のＬＣＤパターンＬＰが転写される。ＬＣＤパタ
ーンＬＰは、図示しないものの、画素パターンおよびこ
の画素パターンの周辺に位置する周辺回路パターンとか
ら構成されており、画素パターンには複数のピクセルに
応じた複数の電極が規則正しく繰り返し配列されてい
る。また、周辺回路パターンには、画素パターンの電極
を駆動するためのドライバ回路等が繰り返し配列されて
いる。

【００３５】図６（ａ）に示すように、分割パターン５
１は、Ｘ方向の長さがＬ１１、Ｙ方向の長さがＬ２１の
長方形状を呈している。分割パターン５１の−Ｘ側の領
域には、走査方向で隣り合う分割パターン５２と互いに
一部重複して露光される幅Ｌ１３の重複部５１ａがＹ方
向に延在する帯状に設定されている。また、分割パター
ン５１の−Ｙ側の領域には、非走査方向で隣り合う分割
パターン５４と互いに一部重複して露光される幅Ｌ２３
の重複部５１ｂがＸ方向に延在する帯状に設定されてい
る。さらに、重複部５１ａ、５１ｂが交差する略正方形
状の領域は、分割パターン５１〜５４を露光した際に４
重露光される重複部５１ｃとされている。

【００３６】同様に、図６（ｂ）に示すように、Ｘ方向
の長さがＬ１２、Ｙ方向の長さがＬ２１の分割パターン
５２の＋Ｘ側の領域には、分割パターン５１と互いに一
部重複して露光される重複部５２ａが設定され、分割パ
ターン５２の−Ｙ側の領域には、分割パターン５３と互
いに一部重複して露光される重複部５２ｂが設定され、
重複部５２ａ、５２ｂが交差する領域には４重露光され
る重複部５２ｃが設定される。また、図６（ｃ）に示す
ように、Ｘ方向の長さがＬ１２、Ｙ方向の長さがＬ２２
の分割パターン５３の＋Ｘ側の領域には、分割パターン
５４と互いに一部重複して露光される重複部５３ａが設
定され、分割パターン５３の＋Ｙ側の領域には、分割パ
ターン５２と互いに一部重複して露光される重複部５３
ｂが設定され、重複部５３ａ、５３ｂが交差する領域に
は４重露光される重複部５３ｃが設定される。そして、
図６（ｄ）に示すように、Ｘ方向の長さがＬ１１、Ｙ方
向の長さがＬ２２の分割パターン５４の−Ｘ側の領域に
は、分割パターン５３と互いに一部重複して露光される
重複部５４ａが設定され、分割パターン５４の＋Ｙ側の
領域には、分割パターン５１と互いに一部重複して露光
される重複部５４ｂが設定され、重複部５４ａ、５４ｂ
が交差する領域には４重露光される重複部５４ｃが設定
される。

【００３７】なお、重複部５１ｂ〜５４ｂの幅Ｌ２３
は、図４に示した投影領域（照明領域）３４ａ〜３４ｅ
の三角形状の端部３５ａ〜３５ｈ、３５ｊ、３５ｋのＹ
方向の幅と同一に設定される。また、重複部５１ａ〜５
４ａの幅Ｌ１３は、各投影領域３４ａ〜３４ｅのＸ方向
の幅と同一に設定されている。

【００３８】図７に示すように、マスクＭには、画素パ
ターンおよび周辺回路パターンが繰り返しパターンで構
成されるという特性を用いて、部分的に照明領域を設定
することで分割パターン５１〜５４が切り出されるパタ
ーンＭＰが形成されている。すなわち、パターンＭＰを
Ｘ方向にＬ１１、Ｙ方向にＬ２１の長さで切り出すこと
で分割パターン５１が選択され、Ｘ方向にＬ１２、Ｙ方
向にＬ２１の長さで切り出すことで分割パターン５２が
選択される。同様に、パターンＭＰをＸ方向にＬ１２、
Ｙ方向にＬ２２の長さで切り出すことで分割パターン５
３が選択され、Ｘ方向にＬ１１、Ｙ方向にＬ２２の長さ
で切り出すことで分割パターン５４が選択される。

【００３９】マスクＭのパターンＭＰの周囲には、Ｃｒ
で形成された遮光帯５５が形成されている。遮光帯５５
は、分割パターン５１〜５４を走査露光する際に、重複
部５１ａ〜５４ａ、５１ｂ〜５４ｂと対向する側の投影
領域を遮光することで、この重複部５１ａ〜５４ａ、５
１ｂ〜５４ｂと対向する側の分割パターンにエッジを形
成するものである。

【００４０】マスクＭの上方には、マスクＭに形成され
たマスクアライメントマーク（不図示）とガラス基板Ｐ
に形成された基板アライメントマーク（不図示）とを検
出するアライメント系４９ａ、４９ｂが配設されてい
る。アライメント系４９ａ、４９ｂは、マスクアライメ
ントマークに検知光を照射し、マスクアライメントマー
クの反射光と、マスクアライメントマークおよび外側の
投影系モジュール３ａまたは３ｅを介して得られる基板
アライメントマークの反射光とを受光することにより、
マスクＭとガラス基板Ｐとの位置ずれ量を計測する構成
になっている。なお、図２に示すように、アライメント
系４９ａ、４９ｂの計測結果は、制御装置１７に出力さ
れる。また、アライメント系４９ａ，４９ｂは、Ｘ方向
に移動する駆動機構（不図示）を有しており、走査露光
時には照明領域内から退避可能な構成になっている。

【００４１】上記の構成の走査型露光装置１によりガラ
ス基板Ｐ上に分割パターン５１〜５４をつなぎ合わせ露
光してＬＣＤパターンＬＰを画面合成する手順を説明す
る。ここでは、分割パターン５１、５２、５３、５４の
順に走査露光するものとして説明する。なお、以下にお
いては、マスクステージ４、基板ステージ５の移動およ
び各照明系モジュール１０ａ〜１０ｅにおける照明シャ
ッタ１２の駆動は、マスクステージ駆動部３７、基板ス
テージ駆動部４０およびシャッタ駆動部１６を介して行
われ、それぞれの駆動はそれぞれの駆動部を制御する制
御装置１７の制御に基づいて行われるものとする。

【００４２】まず、アライメント系４９ａ、４９ｂでマ
スクアライメントマークおよび基板アライメントマーク
を計測して、マスクＭとガラス基板Ｐとの位置ずれ量を
求め、この結果からマスクステージ４または基板ステー
ジ５を微動させて位置合わせするとともに、マスクＭと
ガラス基板Ｐとに対する各投影系モジュール３ａ〜３ｅ
毎の相対的なシフト、回転、スケーリング補正量を算出
し、この補正量に基づいて各投影系モジュール３ａ〜３
ｅの像シフト機構２３、倍率調整機構２７、像回転を行
う直角プリズム２８，３１の補正を行う。

【００４３】次に、マスクステージ４および基板ステー
ジ５を駆動して、分割パターン５１の走査開始位置（分
割パターン５１の露光領域が投影領域３４ａ〜３４ｅの
＋Ｘ側にある位置）にマスクＭおよびガラス基板Ｐを移
動させる。ここでは、マスクＭおよびガラス基板Ｐの走
査方向を−Ｘ方向とする。このとき、図５に示すよう
に、投影領域３４ｅの下端部３５ｋがＹ方向において重
複部５１ｂの位置と一致するようにマスクステージ４お
よび基板ステージ５を駆動する。また、図８（ａ）に示
すように、投影領域３４ａ〜３４ｅは、照明シャッタ１
２が光束の光路を遮蔽することで遮光されている。

【００４４】走査が開始されると、マスクＭとガラス基
板Ｐとが一定速度で−Ｘ方向に同期移動する。そして、
図８（ｂ）に示すように、重複部５１ａの露光領域が投
影領域３４ｂ、３４ｄに位置した際に、当該投影領域３
４ｂ、３４ｄに対応する照明系モジュール３ｂ、３ｄに
おいて照明シャッタ１２を駆動して光束の光路を開放す
る。これにより、投影領域３４ｂ、３４ｄに位置する分
割パターン５１の露光が開始される。なお、照明シャッ
タ１２の駆動タイミング等は、レーザ干渉計３９ａ、３
９ｂおよび４３ａ、４３ｂによるマスクステージ４およ
び基板ステージ５の位置計測結果に基づいて計られてい
る（以下、同様）。

【００４５】同期移動が進行して、図８（ｃ）に示すよ
うに、重複部５１ａの露光領域が投影領域３４ｂ、３４
ｄに続いて投影領域３４ａ、３４ｃ、３４ｅに位置する
と、当該投影領域３４ａ、３４ｃ、３４ｅに対応する照
明系モジュール３ａ、３ｃ、３ｅにおいても照明シャッ
タ１２を駆動して光束の光路を開放する。これにより、
投影領域３４ａ、３４ｃ、３４ｅに位置する分割パター
ン５１の露光も開始され、図８（ｄ）に示すように、全
ての投影領域３４ａ〜３４ｅにおいて露光がなされる。
そして、投影領域３４ａ〜３４ｅが分割パターン５１の
露光領域から外れたところで、図８（ｅ）に示すよう
に、当該投影領域３４ａ〜３４ｅの照明シャッタ１２を
閉じるとともに、マスクＭとガラス基板Ｐとの同期移動
を停止させる。なお、分割パターン５１の＋Ｘ側のエッ
ジは、マスクＭの遮光帯５５により形成される。

【００４６】続いて、分割パターン５２を露光するに
は、まず、マスクステージ４および基板ステージ５を＋
Ｘ方向に駆動して、分割パターン５２の走査開始位置
（分割パターン５２の露光領域が投影領域３４ａ〜３４
ｅの＋Ｘ側にある位置）にマスクＭおよびガラス基板Ｐ
を移動させる。次に、マスクＭとガラス基板Ｐとを−Ｘ
方向に同期移動させるとともに、各投影領域３４ａ〜３
４ｅが分割パターン５２の露光領域に達する前に照明シ
ャッタ１２を開ける。これにより、図９（ａ）に示すよ
うに、投影領域３４ａ〜３４ｅに位置する分割パターン
５２が逐次露光される。なお、分割パターン５２の−Ｘ
側のエッジも、マスクＭの遮光帯５５により形成され
る。

【００４７】走査露光が進み、図９（ｂ）に示すよう
に、重複部５２ａの露光領域が投影領域３４ｂ、３４ｄ
に位置したときに、当該投影領域３４ｂ、３４ｄに対応
する照明シャッタ１２を閉じて光束を遮光する。この
後、図９（ｃ）に示すように、投影領域３４ａ、３４
ｃ、３４ｅに対応する照明シャッタ１２を開いたまま走
査露光を行う。そして、図９（ｄ）に示すように、重複
部５２ａの露光領域が投影領域３４ａ、３４ｃ、３４ｅ
に位置すると、当該投影領域３４ａ、３４ｃ、３４ｅに
対応する照明シャッタ１２も閉じる。この後、図９
（ｅ）に示すように、投影領域３４ａ〜３４ｅが分割パ
ターン５２の露光領域から外れたところでマスクＭとガ
ラス基板Ｐとの同期移動を停止させ、分割パターン５２
の走査露光が終了する。

【００４８】次に、分割パターン５３を露光するには、
マスクステージ４を＋Ｘ方向に駆動するとともに、基板
ステージ５を＋Ｘ方向および＋Ｙ方向に駆動して、分割
パターン５３の走査開始位置（分割パターン５３の露光
領域が投影領域３４ａ〜３４ｅの＋Ｘ側にある位置）に
マスクＭおよびガラス基板Ｐを移動させる。このとき、
図５に示すように、投影領域３４ａの上端部３５ｊが重
複部５３ｂに位置するようにマスクステージ４および基
板ステージ５を駆動する。そして、マスクＭとガラス基
板Ｐとを−Ｘ方向に同期移動させ、分割パターン５２と
同様の手順で照明シャッタ１２を駆動して分割パターン
５３を露光する。

【００４９】同様に、分割パターン５４を露光するに
は、まず、マスクステージ４および基板ステージ５を＋
Ｘ方向に駆動して、分割パターン５４の走査開始位置
（分割パターン５４の露光領域が投影領域３４ａ〜３４
ｅの＋Ｘ側にある位置）にマスクＭおよびガラス基板Ｐ
を移動させる。そして、マスクＭとガラス基板Ｐとを−
Ｘ方向に同期移動させ、分割パターン５１と同様の手順
で照明シャッタ１２を駆動して分割パターン５４を露光
する。つまり、マスクステージ４および基板ステージ５
の駆動と連動して、照明シャッタ１２を駆動することに
より露光を行う。以上の走査露光により、ガラス基板Ｐ
上に分割パターン５１〜５４が、隣り合う分割パターン
同士との重複部５１ａ〜５４ａ、５１ｂ〜５４ｂを重複
させて画面合成されたＬＣＤパターンＬＰが形成され
る。

【００５０】続いて、上記のように露光された分割パタ
ーン５１〜５４における露光量分布を検証する。ここで
は、重複部が０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１の範囲になるよう
に正規化するものとする。また、この範囲における露光
量をｚで示し、非重複部における露光量を１とする。

【００５１】まず、分割パターン５１〜５４において４
重露光される重複部５１ｃ〜５４ｃの露光量分布につい
て説明する。分割パターン５１の露光時に、重複部５１
ｃは投影領域３４ｅの端部３５ｋで露光されるが、この
ときの露光量分布は図１０（ａ）に示すような４角錐状
になり、下式の関数で示される。ｙ≧ｘのとき、ｚ＝ｘｙ＜ｘのとき、ｚ＝ｙ …（１）

【００５２】また、重複部５２ｃは、分割パターン５２
の露光時に投影領域３４ｅの端部３５ｋで露光される
が、このときの露光量分布は図１０（ｂ）に示すような
３角錐状になり、下式の関数で示される。ｙ≧ｘのとき、ｚ＝−ｘ＋ｙｙ＜ｘのとき、ｚ＝０ …（２）

【００５３】そして、重複部５３ｃは、分割パターン５
３の露光時に投影領域３４ａの端部３５ｊで露光される
が、このときの露光量分布は図１０（ｃ）に示すような
３角錐状になり、下式の関数で示される。ｙ≧１−ｘのとき、ｚ＝０ｙ＜１−ｘのとき、ｚ＝１−ｘ−ｙ …（３）

【００５４】また、重複部５４ｃは、分割パターン５４
の露光時に投影領域３４ａの端部３５ｊで露光される
が、このときの露光量分布は図１０（ｄ）に示すような
４角錐状になり、下式の関数で示される。ｙ≧１−ｘのとき、ｚ＝１−ｙｙ＜１−ｘのとき、ｚ＝ｘ …（４）

【００５５】そして、上記の関数（１）〜（４）の総和
が４重露光後の露光量分布になり、これは、ｚ＝１にな
る。すなわち、４重露光されたガラス基板Ｐ上の露光領
域の総露光量は、非重複部と同一になる。つまり、物理
的構造および駆動方法を問わず、関数（１）〜（４）で
表される露光量分布を形成することにより、４重露光部
分の露光量部分を非重複部と同一にすることができる。

【００５６】次に、走査方向であるＸ方向に隣り合う分
割パターン５１と５２、および５３と５４が重複する重
複部５１ａ〜５４ａについて説明する。なお、重複部５
３ａ、５４ａが重複部５１ａ、５２ａと同一の露光量分
布になるため、ここでは重複部５１ａ、５２ａについて
説明する。また、ここでは、図１１に示すように、投影
領域３４ａ〜３４ｃの端部３５ａ〜３５ｄの中、端部３
５ａ、３５ｂで露光される矩形の重複部５１ｅ、５２ｅ
と、端部３５ｃ、３５ｄで露光される矩形の重複部５１
ｆ、５２ｆの露光量分布について説明する。

【００５７】まず、重複部５１ａ内の重複部５１ｅは、
分割パターン５１の露光時に、投影領域３４ａの端部３
５ａによって図１２（ａ）に示す４角錐状の露光量分布
をもって露光されるとともに、投影領域３４ｂの端部３
５ｂによって図１２（ｂ）に示す３角錐状の露光分布を
もって露光される。ここで、端部３５ａで露光された露
光量分布は、上記関数（１）で示され、端部３５ｂで露
光された露光量分布は、下式の関数で示される。ｙ≧ｘのとき、ｚ＝０ｙ＜ｘのとき、ｚ＝ｘ−ｙ …（５）

【００５８】従って、分割パターン５１の露光時に、端
部３５ａ、３５ｂで露光された重複部５１ｅの露光量分
布は、図１３（ａ）に示すように、関数（１）、（５）
の総和であるｚ＝ｘの関数で示される。

【００５９】同様に、重複部５１ｆは、分割パターン５
１の露光時に、投影領域３４ｃの端部３５ｄによって図
１２（ｃ）に示す４角錐状の露光量分布をもって露光さ
れるとともに、投影領域３４ｂの端部３５ｃによって図
１２（ｄ）に示す３角錐状の露光分布をもって露光され
る。ここで、端部３５ｄで露光された露光量分布は、上
記関数（４）で示され、端部３５ｃで露光された露光量
分布は、下式の関数で示される。ｙ≧１−ｘのとき、ｚ＝ｘ＋ｙ−１ｙ＜１−ｘのとき、ｚ＝０ …（６）

【００６０】従って、分割パターン５１の露光時に、端
部３５ｄ、３５ｃで露光された重複部５１ｆの露光量分
布も、図１３（ａ）に示すように、関数（４）、（６）
の総和であるｚ＝ｘの関数で示される。

【００６１】一方、各投影領域において端部を除いた矩
形部分で露光される重複部については、例えば、図１１
に示すように、重複部５１ａの中、重複部５１ｅ、５１
ｆで挟まれた重複部５１ｇは、投影領域３４ｂの矩形の
中央部４１によって、図１３（ａ）に示すｚ＝ｘの露光
量分布で露光される。これは、他の投影領域３４ａ、３
４ｃ〜３４ｅの矩形部分で露光される重複部においても
同様である。上記の結果、分割パターン５１における重
複部５１ａは、図１４（ａ）に示すように、ｚ＝ｘの関
数で表される滑らかな傾斜を有する露光量分布で露光さ
れる。

【００６２】次に、重複部５２ａ内の重複部５２ｅは、
分割パターン５２の露光時に、投影領域３４ａの端部３
５ａによって図１５（ａ）に示す３角錐状の露光量分布
をもって露光されるとともに、投影領域３４ｂの端部３
５ｂによって図１５（ｂ）に示す４角錐状の露光分布を
もって露光される。ここで、端部３５ａで露光された露
光量分布は、上記関数（２）で示され、端部３５ｂで露
光された露光量分布は、下式の関数で示される。ｙ≧ｘのとき、ｚ＝１−ｙｙ＜ｘのとき、ｚ＝０ …（７）

【００６３】従って、分割パターン５２の露光時に、端
部３５ａ、３５ｂで露光された重複部５２ｅの露光量分
布は、図１３（ｂ）に示すように、関数（２）、（７）
の総和であるｚ＝１−ｘの関数で示される。

【００６４】同様に、重複部５２ｆは、分割パターン５
２の露光時に、投影領域３４ｃの端部３５ｄによって図
１５（ｃ）に示す３角錐状の露光量分布をもって露光さ
れるとともに、投影領域３４ｂの端部３５ｃによって図
１５（ｄ）に示す４角錐状の露光分布をもって露光され
る。ここで、端部３５ｄで露光された露光量分布は、上
記関数（３）で示され、端部３５ｃで露光された露光量
分布は、下式の関数で示される。ｙ≧１−ｘのとき、ｚ＝１−ｘｙ＜１−ｘのとき、ｚ＝ｙ …（８）

【００６５】従って、分割パターン５２の露光時に、端
部３５ｄ、３５ｃで露光された重複部５２ｆの露光量分
布は、図１３（ｂ）に示すように、関数（３）、（８）
の総和であるｚ＝１−ｘの関数で示される。また、重複
部５２ａの中、図１１に示す重複部５２ｅ、５２ｆで挟
まれた重複部５２ｇも、中央部４１によって、図１３
（ｂ）に示すｚ＝１−ｘの露光量分布で露光される。こ
れは、他の投影領域３４ａ、３４ｃ〜３４ｅの矩形部分
で露光される重複部においても同様である。上記の結
果、分割パターン５２における重複部５２ａは、図１４
（ｂ）に示すように、ｚ＝１−ｘで示される滑らかな傾
斜を有する露光量分布で露光される。

【００６６】以上のことから、同期移動方向で隣り合う
分割パターン５１、５２を露光することにより、重複部
５１ａ、５２ａの露光領域における総露光量はｚ＝１と
なり、非重複部と同一になる。これは、分割パターン５
３、５４同士が重複する５３ａ、５４ａについても同様
である。

【００６７】続いて、非走査方向であるＹ方向に隣り合
う分割パターン５１と５４、および５２と５３とが重複
する重複部５１ｂ〜５４ｂについて説明する。この場
合、重複部５１ｂ、５２ｂは、投影領域３４ｅの端部３
５ｋで露光されるが、端部３５ｋが−Ｙ方向に向けて漸
次縮径しているため、図１４（ｃ）に示すように、ｚ＝
ｙの関数で表される露光量分布で露光される。同様に、
重複部５３ｂ、５４ｂは、投影領域３４ａの端部３５ｊ
で露光されるが、端部３５ｊが＋Ｙ方向に向けて漸次縮
径しているため、図１４（ｄ）に示すように、ｚ＝１−
ｙの関数で表される露光量分布で露光される。

【００６８】以上のことから、分割パターン５１〜５４
を露光することにより、重複部５１ｂと５４ｂ、５２ｂ
と５３ｂがそれぞれ重複する露光領域の総露光量はｚ＝
１となる。従って、分割パターン５１〜５４をＸ方向お
よびＹ方向に一部重複させてつなぎ合わせても、ｚ＝１
の均一な露光量分布で露光することができる。

【００６９】以上説明したように、本実施の形態の走査
露光方法および走査型露光装置では、マスクＭとガラス
基板Ｐとの同期移動方向でも分割パターン同士を滑らか
な露光量分布をもって一部重複させているので、これら
分割パターンを滑らかにつなぎ合わせることが可能にな
り、品質を低下させることなく液晶表示パネルの大面積
化に容易に対応することができる。特に、本実施の形態
では、投影光学系３がＹ方向で投影領域が重複する複数
の投影系モジュール３ａ〜３ｅで構成されているため、
非走査方向においても、より長い液晶表示パネルの製造
が可能であり、より大面積のパネルを得ることができ
る。また、本実施の形態では、これら分割パターンの重
複部における露光量を、露光光の照射、遮光を切り換え
るという簡単な動作で制御しているので、装置の大型化
および高価格化も防ぐことができる。

【００７０】図１６および図１７は、本発明の走査露光
方法および走査型露光装置の第２の実施の形態を示す図
である。この図において、図１ないし図１５に示す第１
の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符
号を付し、その説明を省略する。第２の実施の形態と上
記の第１の実施の形態とが異なる点は、照明シャッタ１
２の駆動タイミングを、マスクステージ４および基板ス
テージ５の位置計測結果に基づいてではなく、つなぎ合
わせ用のマークを検出して計っていること、および分割
パターン５１〜５４の露光順序を最適化したことであ
る。

【００７１】図１６に示すように、マスクＭの遮光帯５
５の外側には、Ｘ方向に沿った両側縁中央（すなわち、
マスクＭのＹ方向両端側の中央）の近傍に位置してアラ
イメントマーク５６ａ、５６ｂと、上記両側縁にＸ方向
に沿って直線上に配置されたアライメントマーク５７ａ
〜６０ａ、５７ｂ〜６０ｂとがそれぞれ形成されてい
る。アライメントマーク５６ａ、５６ｂは、マスクＭの
プリアライメントの際に用いられるものであり、アライ
メントマーク５７ａ〜６０ａ、５７ｂ〜６０ｂはマスク
Ｍのアライメントの際の各種補正量算出に用いられるも
のであり、Ｃｒ等により十字形状に形成されている。

【００７２】また、アライメントマーク５７ａ〜６０
ａ、５７ｂ〜６０ｂは、分割パターン５１〜５４の重複
部５１ａ〜５４ａが投影領域３４ａ〜３４ｅに位置した
際に、照明シャッタ１２による光束の照射・遮光を切り
換える際の指標としても用いられる。具体的には、投影
領域３４ａ〜３４ｅの中、Ｙ方向に３個並ぶ投影領域３
４ａ、３４ｃ、３４ｅを投影領域群３４ｍ、Ｙ方向に２
個並ぶ投影領域３４ｂ、３４ｄを投影領域群３４ｎとす
ると、アライメントマーク５７ａは、分割パターン５１
を走査露光する際に、重複部５１ａが投影領域群３４ｎ
に位置したときにアライメント系４９ａで検出される位
置に形成され、アライメントマーク５８ａは重複部５１
ａが投影領域群３４ｍに位置したときにアライメント系
４９ａで検出される位置に形成される。また、これらア
ライメントマーク５７ａ、５８ｂは、各アライメントマ
ークが検出される際に露光されている分割パターン５１
の近傍に配置されている。

【００７３】同様に、アライメントマーク５９ａは、分
割パターン５２を走査露光する際に、重複部５２ａが投
影領域群３４ｎに位置したときにアライメント系４９ａ
で検出される位置に形成され、アライメントマーク６０
ａは重複部５２ａが投影領域群３４ｍに位置したときに
アライメント系４９ａで検出される位置に形成される。
また、アライメントマーク５７ｂは、分割パターン５４
を走査露光する際に、重複部５４ａが投影領域群３４ｎ
に位置したときにアライメント系４９ｂで検出される位
置に形成され、アライメントマーク５８ｂは、重複部５
４ａが投影領域群３４ｍに位置したときにアライメント
系４９ｂで検出される位置に形成される。さらに、アラ
イメントマーク５９ｂは、分割パターン５３を走査露光
する際に、重複部５３ａが投影領域群３４ｎに位置した
ときにアライメント系４９ｂで検出される位置に形成さ
れ、アライメントマーク６０ｂは、重複部５３ａが投影
領域群３４ｍに位置したときにアライメント系４９ｂで
検出される位置に形成される。

【００７４】そして、アライメントマーク５９ａ、６０
ａ、５７ｂ〜６０ｂも、各アライメントマークが検出さ
れる際に露光されている分割パターンの近傍にそれぞれ
配置されている。

【００７５】このマスクＭを用いて走査露光する際に
は、まずアライメント系４９ａ、４９ｂでアライメント
マーク５６ａ、５６ｂをそれぞれ計測してプリアライメ
ントを行った後に、アライメントマーク５７ａ〜６０
ａ、５７ｂ〜６０ｂを計測して、結像特性を補正するた
めの各種補正量を算出する。そして、この補正量に基づ
いて投影系モジュール３ａ〜３ｅの結像特性を調整した
後に、分割パターン５１を走査露光する。

【００７６】ここでは、まず、図１７（ａ）に示すよう
に、分割パターン５１の露光領域が投影領域群３４ｍ、
３４ｎの＋Ｘ側にある走査開始位置からマスクステージ
４および基板ステージ５を駆動して、マスクＭおよびガ
ラス基板Ｐを−Ｘ方向に同期移動させる。このとき、照
明シャッタ１２により光束の光路を遮光しておく。そし
て、同期移動中にアライメント系４９ａがアライメント
マーク５７ａを検出すると、即ち重複部５１ａが投影領
域群３４ｎに位置すると、直ちにこの投影領域群３４ｎ
に対応する照明シャッタ１２を開いて光束の光路を開放
する。

【００７７】また、同期移動が進行して、アライメント
系４９ａがアライメントマーク５８ａを検出すると、即
ち重複部５１ａが投影領域群３４ｍに位置すると、直ち
にこの投影領域群３４ｍに対応する照明シャッタ１２を
開いて光束の光路を開放する。そして、図１７（ｂ）に
示すように、分割パターン５１の露光領域が投影領域群
３４ｍ、３４ｎの−Ｘ側に到達して分割パターン５１の
露光が完了する。

【００７８】続いて、分割パターン５４を露光するため
に、マスクＭおよびガラス基板Ｐを＋Ｙ方向へステップ
移動させる（ただし、ガラス基板Ｐが長さＬ２２移動す
るのに対して、マスクＭは図１６に示す長さＬ２４のみ
移動する）。これにより、図１７（ｃ）に示すように、
分割パターン５４の露光領域が投影領域群３４ｍ、３４
ｎの−Ｘ側に位置する。そして、照明シャッタ１２によ
り光束の光路を遮光した状態でマスクＭおよびガラス基
板Ｐを＋Ｘ方向に同期移動させ、分割パターン５４が各
投影領域群３４ｍ、３４ｎに到達する前に、投影領域群
３４ｍ、３４ｎに対応する照明シャッタ１２を開いて光
束の光路を開放する。同期移動中に、アライメント系４
９ｂがアライメントマーク５８ｂを検出すると、直ちに
投影領域群３４ｍに対応する照明シャッタ１２を閉じて
光束の光路を遮光する。

【００７９】さらに、同期移動が進行して、アライメン
ト系４９ｂがアライメントマーク５７ｂを検出すると、
直ちにこの投影領域群３４ｎに対応する照明シャッタ１
２を閉じて光束の光路を遮光する。そして、図１７
（ｄ）に示すように、分割パターン５４の露光領域が投
影領域群３４ｍ、３４ｎより＋Ｘ側に到達して分割パタ
ーン５４の露光が完了する。

【００８０】続いて、分割パターン５３を露光するにあ
たって、一旦マスクＭおよびガラス基板Ｐを−Ｘ方向に
空送りして、図１７（ｅ）に示すように、分割パターン
５３の露光領域を投影領域群３４ｍ、３４ｎの−Ｘ側に
位置させる（ただし、上記と同様に、マスクＭとガラス
基板Ｐとの空送り量は異なる）。このとき、光束の光路
は遮光状態である。そして、マスクＭとガラス基板Ｐと
を＋Ｘ方向に同期移動させ、上記と同様に、アライメン
ト系４９ｂがアライメントマーク６０ｂを検出して重複
部５３ａが投影領域群３４ｍに位置すると、直ちにこの
投影領域群３４ｍに対応する照明シャッタ１２を開き、
アライメント系４９ｂがアライメントマーク５９ｂを検
出して重複部５３ａが投影領域群３４ｎに位置すると、
直ちにこの投影領域群３４ｎに対応する照明シャッタ１
２を開いて各光路を開放する。これにより、ガラス基板
Ｐ上に分割パターン５３が逐次転写され、図１７（ｆ）
に示すように、分割パターン５３の露光領域が投影領域
群３４ｍ、３４ｎの＋Ｘ側に到達して分割パターン５３
の露光が完了する。

【００８１】次に、分割パターン５２を露光するため
に、マスクＭを長さＬ２４、ガラス基板Ｐを長さＬ２
１、それぞれ−Ｙ方向へステップ移動させる。これによ
り、図１７（ｇ）に示すように、分割パターン５２の露
光領域が投影領域群３４ｍ、３４ｎの＋Ｘ側に位置す
る。そして、照明シャッタ１２により光束の光路を遮光
した状態でマスクＭおよびガラス基板Ｐを−Ｘ方向に同
期移動させ、分割パターン５２が各投影領域群３４ｍ、
３４ｎに到達する前に、投影領域群３４ｍ、３４ｎに対
応する照明シャッタ１２を開いて光束の光路を開放す
る。同期移動中に、アライメント系４９ａがアライメン
トマーク５９ａを検出すると、直ちに投影領域群３４ｎ
に対応する照明シャッタ１２を閉じ、アライメント系４
９ａがアライメントマーク６０ａを検出すると、直ちに
投影領域群３４ｍに対応する照明シャッタ１２を閉じ各
光路を遮光する。これにより、ガラス基板Ｐ上に分割パ
ターン５２が転写され、ＬＣＤパターンＬＰが合成され
る。

【００８２】本実施の形態の走査露光方法および走査型
露光装置では、上記第１の実施の形態と同様の効果が得
られることに加えて、各分割パターンの走査露光終了毎
に次の走査露光開始位置にマスクＭおよびガラス基板Ｐ
を空送りする第１の実施の形態に比較して空送りが少な
いため、先の分割パターンの走査露光終了位置から後の
分割パターンの露光開始位置までのマスクＭおよびガラ
ス基板Ｐの移動距離が短くなり、スループットが向上す
る。また、本実施の形態では、マスクＭの分割パターン
と同時に形成されたアライメントマーク５７ａ〜６０
ａ、５７ｂ〜６０ｂを検出することで、照明シャッタ１
２による投影領域群３４ｍ、３４ｎへの光束の遮光・照
射を切り換えているため、マスクステージ４および基板
ステージ５の位置を検出する場合に比較して、照明シャ
ッタ１２の駆動タイミングをより高精度にできる。

【００８３】なお、上記実施の形態において、つなぎ合
わせ用マークと結像特性補正用のアライメントマークと
を兼用する構成としたが、これに限られるものではな
く、それぞれ専用のマークを個別に形成してもよい。ま
た、分割パターンの重複部の位置をアライメントマーク
などを用いて検出して露光するものについて説明した
が、レーザ干渉系３９、４３でそれぞれのステージの位
置と、ステージに対するマスク、基板の位置とから、露
光開始、終了を制御するようにしてもよい。

【００８４】また、第１の実施の形態では同期移動方向
をすべて同方向としたが、第２の実施の形態のように、
同期移動方向で隣り合う分割パターン５１、５２および
５３、５４同士のみ同方向であったり、さらに、各分割
パターン毎に個別に同期移動方向を設定してもよい。い
ずれの場合も、同期移動方向で隣り合う分割パターン同
士の重複部が当該分割パターンの同期移動方向前方側に
配置されたときには、重複部が投影領域に位置したとき
に露光光を開放し、重複部が当該分割パターンの同期移
動方向後方側に配置されたときには、重複部が投影領域
に位置したときに露光光を遮光すれば、同期移動方向に
依存せずに、第１の実施の形態で説明したように重複部
５１ａ〜５４ａ、５１ｂ〜５４ｂ、５１ｃ〜５４ｃと、
非重複部との露光量分布が同一になるため、マスクＭや
ガラス基板Ｐの移動距離が最も短い露光順序を選択する
等、最適化された露光順序に応じて同期移動方向を設定
すればよい。

【００８５】さらに、上記実施の形態では、重複部５１
ｂ〜５４ｂおよび重複部５１ｃ〜５４ｃを投影領域３４
ｅの端部３５ｋと投影領域３４ａの端部３５ｊで重複露
光する構成としたが、ＬＣＤパターンＬＰのＹ方向の長
さに応じて、重複露光に用いる投影領域を適宜変更して
もよい。例えば、重複部５１ｂ、５２ｂ、５１ｃ、５２
ｃに関しては投影領域３４ｅの端部３５ｋで露光し、重
複部５３ｂ、５４ｂ、５３ｃ、５４ｃに関しては投影領
域３４ｂの端部３５ｂで露光してもよい。この場合、重
複部５３ｂ、５４ｂ、５３ｃ、５４ｃを露光する際に、
投影領域３４ａに対応する照明シャッタ１２を露光中に
閉じておけばよい。これは、端部３５ｇと端部３５ｊと
で重複露光する場合も同様である。このように、Ｙ方向
に隣り合う分割パターン同士の重複部の露光に関して
は、投影領域の端部形状に依存することなく、重複部と
非重複部との露光量分布を同一にすることが可能であ
る。また、上述したように、この場合でも、同期移動方
向は限定されることなく、各分割パターン毎に個別に設
定可能である。

【００８６】また、上記実施の形態では、投影光学系３
が複数の投影系モジュール３ａ〜３ｅから構成され、投
影領域３４ａ〜３４ｅが複数並列する構成としたが、こ
れに限られるものではなく、図１８に示すように、単一
の投影領域３４ｆを有する投影光学系を用いてもよい。
この場合、投影領域３４ｆの幅は、重複部５１ａ〜５４
ａの幅と同一の長さＬ１３に設定される。また、投影領
域３４ｆの端部３５ｍ、３５ｎのＹ方向の幅は、重複部
５１ｂ〜５４ｂの幅と同一の長さＬ２３に設定される。

【００８７】そして、上記実施の形態では、同期移動方
向の投影領域の幅が重複部５１ａ〜５４ａ、５１ｃ〜５
４ｃのＸ方向の幅Ｌ１３とほぼ一致することになるが、
視野絞り２６に関して投影領域の大きさを可変とするこ
とで、重複部５１ａ〜５４ａ、５１ｃ〜５４ｃの幅を任
意に設定できる。この場合、投影領域の大きさが変わる
ことで、Ｙ方向で隣り合う投影領域３４ａ〜３４ｅにお
いて端部３５ａ〜３５ｈの位置が一致しなくなるため、
投影領域の変更に応じて投影系モジュール３ａ〜３ｅを
移動させるか、像シフト機構２３を調整して各投影領域
３４ａ〜３４ｅの位置をＹ方向に（場合によってはＸ方
向も）シフトさせればよい。

【００８８】さらに、図１９に示すように、投影領域の
大きさを変更するときに、各投影領域３ａ〜３ｅにおい
て、例えば＋Ｘ側の辺（投影領域群３４ｍは短辺、投影
領域群３４ｎは長辺）を同じ方向に長さＬ１４だけ移動
させれば、Ｙ方向で隣り合う端部３５ａ〜３５ｈのＹ方
向の位置が一致するため、各投影領域３４ａ〜３４ｅの
位置をシフトさせる必要がなくなる。従って、重複部５
１ａ〜５４ａ、５１ｃ〜５４ｃの幅はＬ１３＋Ｌ１４に
なり、任意の値に設定できる。これは、＋Ｘ側の辺を−
Ｘ方向に移動させても、−Ｘ側の辺を移動させても同様
である。

【００８９】また、上記実施の形態では、四回の走査露
光によりガラス基板Ｐ上にＬＣＤパターンＬＰを画面合
成する構成としたが、これに限られるものではなく、例
えば３回以下の走査露光によりガラス基板Ｐ上で画面合
成したり、５回以上の走査露光で画面合成するような構
成であってもよい。さらに、光源６を一つではなく、各
光路毎に設けたり、複数の光源を設け、ライトガイド等
を用いて複数の光源（または一つ）からの光を一つに合
成し、再び各光路毎に光を分岐させる構成であってもよ
い。この場合、光源の光量のバラツキによる悪影響を排
除できるとともに、光源の一つが消えても全体の光量が
低下するだけであり、露光されたデバイスが使用不能に
なってしまうことを防止できる。

【００９０】また、投影系モジュール３ａ〜３ｅを介す
る光路を照明シャッタ１２で遮光する構成としたが、こ
れに限られるものではなく、例えば、フィルタ２１に透
過率零の透過不能部を設け、光路を遮光する場合には透
過不能部を光路に位置させるような構成であってもよ
い。

【００９１】なお、本実施の形態の基板としては、液晶
表示デバイス用のガラス基板Ｐのみならず、半導体デバ
イス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラミッ
クウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたは
レチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用
される。

【００９２】走査型露光装置１の種類としては、ガラス
基板Ｐに液晶表示デバイスパターンを露光する液晶表示
デバイス製造用の露光装置に限られず、ウエハに半導体
デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用の露
光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるい
はレチクルなどを製造するための露光装置などにも広く
適用できる。

【００９３】また、光源６として、超高圧水銀ランプか
ら発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．
７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレー
ザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎ
ｍ）、Ｆ₂レーザ（１５７ｎｍ）を用いることができ
る。

【００９４】投影系モジュール３ａ〜３ｅの倍率は、等
倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。
また、投影系モジュール３ａ〜３ｅとしては、エキシマ
レーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や
蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ₂レーザ
やＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系
（マスクＭも反射型タイプのものを用いる）を用いれば
よい。また、投影系モジュール３ａ〜３ｅを用いること
なく、マスクＭとガラス基板Ｐとを密接させてマスクＭ
のパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも適用
可能である。

【００９５】基板ステージ５やマスクステージ４にリニ
アモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用
いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型および
ローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型
のどちらを用いてもよい。また、各ステージ４、５は、
ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設け
ないガイドレスタイプであってもよい。

【００９６】各ステージ４、５の駆動機構３７、４０と
しては、二次元に磁石を配置した磁石ユニット（永久磁
石）と、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを
対向させ電磁力により各ステージ４、５を駆動する平面
モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機
子ユニットとのいずれか一方をステージ４、５に接続
し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方を各ステー
ジ４、５の移動面側（ベース）に設ければよい。

【００９７】基板ステージ５の移動により発生する反力
は、投影光学系３に伝わらないように、特開平８−１６
６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているよう
に、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がし
てもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置に
おいても適用可能である。マスクステージ４の移動によ
り発生する反力は、投影光学系３に伝わらないように、
特開平８−３３０２２４号公報（US S/N 08/416,558）
に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的
に床（大地）に逃がしてもよい。本発明はこのような構
造を備えた露光装置においても適用可能である。

【００９８】以上のように、本願実施形態の基板処理装
置である走査型露光装置１は、本願特許請求の範囲に挙
げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の
機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組
み立てることで製造される。これら各種精度を確保する
ために、この組み立ての前後には、各種光学系について
は光学的精度を達成するための調整、各種機械系につい
ては機械的精度を達成するための調整、各種電気系につ
いては電気的精度を達成するための調整が行われる。各
種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種
サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接
続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシ
ステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシ
ステム個々の組み立て工程があることはいうまでもな
い。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終
了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各
種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およ
びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うこと
が望ましい。

【００９９】液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデ
バイスは、図２０に示すように、液晶表示デバイス等の
機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステッ
プに基づいたマスクＭ（レチクル）を製作するステップ
２０２、石英等からガラス基板Ｐ、またはシリコン材料
からウエハを製作するステップ２０３、前述した実施の
形態の走査型露光装置１によりマスクＭのパターンをガ
ラス基板Ｐ（またはウエハ）に露光するステップ２０
４、液晶表示デバイス等を組み立てるステップ（ウエハ
の場合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケー
ジ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製
造される。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る走
査露光方法は、同期移動方向に隣り合う分割パターン同
士を互いに一部重複させる手順となっている。これによ
り、この走査露光方法では、これら分割パターンを滑ら
かにつなぎ合わせることが可能になり、品質を低下させ
ることなく液晶表示パネルの大面積化に容易に対応でき
るという効果が得られる。

【０１０１】請求項２に係る走査露光方法は、露光光の
照射が分割パターン同士の重複部において、マスクの分
割パターンを基板に露光する照射と露光しない遮光とを
切り換える手順となっている。これにより、この走査露
光方法では、重複部において露光光の照射と遮光とを切
り換えることで重複部と非重複部との露光量分布が同一
になり、同期移動方向で隣り合う分割パターン同士を滑
らかにつなぎ合わせることができるという効果が得られ
る。また、露光光の照射、遮光を切り換えるという簡単
な動作で露光量分布を制御しているので、装置の大型化
および高価格化も防ぐことができる。

【０１０２】請求項３に係る走査露光方法は、重複部が
分割パターンの同期移動方向前方側に配置されたときに
は照射領域に重複部が位置した際に露光光を開放し、重
複部が分割パターンの同期移動方向後方側に配置された
ときには照射領域に重複部が位置した際に露光光を遮光
する手順となっている。これにより、この走査露光方法
では、重複部を重複露光したときに、重複部と非重複部
との露光量分布が同一になり、同期移動方向で隣り合う
分割パターン同士を滑らかにつなぎ合わせることができ
るという効果が得られる。

【０１０３】請求項４に係る走査露光方法は、隣り合う
照射領域が同期移動方向と直交する方向で互いに一部を
重複させて複数並列される構成となっている。これによ
り、この走査露光方法では、同期移動方向と直交する方
向においても、より長い液晶表示パネルの製造が可能で
あり、より大面積のパネルが得られるという効果を奏す
る。

【０１０４】請求項５に係る走査露光方法は、同期移動
方向で隣り合う分割パターン同士で同期移動方向を互い
に同方向にする構成となっている。これにより、この走
査露光方法では、同期移動方向が異なることで発生する
誤差要因を排除することができ、高精度の露光が実施で
きるという効果が得られる。

【０１０５】請求項６に係る走査露光方法は、同期移動
方向に隣り合う分割パターン同士を露光した後に、同期
移動方向と直交する方向に隣り合う分割パターン同士を
互いに一部重複させる手順となっている。これにより、
この走査露光方法では、分割パターンを同期移動方向お
よびこれと直交する方向の双方に滑らかにつなぎ合わせ
ることができ、より大面積のパネルが得られるという効
果を奏する。

【０１０６】請求項７に係る走査露光方法は、分割パタ
ーンの近傍に形成されたつなぎ合わせマークを用いて先
の分割パターンに後の分割パターンをつなぎ合わせる手
順となっている。これにより、この走査露光方法では、
マスクステージおよび基板ステージの位置を検出する場
合に比較して、露光光の照射・遮光を切り換えるタイミ
ングをより正確にできるため、高精度のつなぎ合わせが
可能になるという効果が得られる。

【０１０７】請求項８に係る走査露光方法は、先の分割
パターンの露光終了位置から後の分割パターンの露光開
始位置までのマスクの移動距離に基づいて、分割パター
ンの露光順序を決定する手順となっている。これによ
り、この走査露光方法では、露光に係る時間が短くな
り、スループットが向上するという効果が得られる。

【０１０８】請求項９に係る走査型露光装置は、同期移
動中に照射領域の遮光状態を変更して、同期移動方向に
隣り合う分割パターン同士を互いに一部重複させるよう
に、制御装置がマスクステージ、基板ステージおよび遮
光装置を制御する構成となっている。これにより、この
走査型露光装置では、分割パターン同士を滑らかにつな
ぎ合わせることが可能になり、品質を低下させることな
く液晶表示パネルの大面積化に容易に対応できるという
効果が得られる。

【０１０９】請求項１０に係る走査型露光装置は、同期
移動方向と直交する方向に一部を重複させて並列された
複数の照射領域に対して、遮光装置が照射領域毎に配設
される構成となっている。これにより、この走査型露光
装置では、同期移動方向と直交する方向においても、よ
り長い液晶表示パネルの製造が可能であり、より大面積
のパネルが得られるという効果を奏する。また、パネル
の長さに応じて任意の照射領域を遮光しておくことも可
能になり、より汎用性が高まるという効果も得られる。

【０１１０】請求項１１に係る走査型露光装置は、分割
パターン同士の重なり幅が照射領域の同期移動方向の幅
とほぼ一致する構成となっている。これにより、この走
査型露光装置では、照射領域における露光光の照射・遮
光を切り換えることで、重複部と非重複部との露光量分
布が同一になり、同期移動方向で隣り合う分割パターン
同士を滑らかにつなぎ合わせることができるという効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、走
査型露光装置の概略的な構成を示す外観斜視図である。

【図２】同走査型露光装置の概略構成図である。

【図３】本発明の走査型露光装置を構成する投影系
モジュールの概略構成図である。

【図４】本発明の実施の形態を示す図であって、投
影系モジュールで設定される投影領域の平面図である。

【図５】本発明の実施の形態を示す図であって、ガ
ラス基板と投影領域との関係を示す平面図である。

【図６】ガラス基板上に画面合成される各分割パタ
ーンの概略平面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態の走査露光に用
いられるマスクの平面図である。

【図８】分割パターンを走査露光する手順を説明す
る説明図であって、（ａ）は分割パターンが走査露光開
始位置にあり、（ｂ）および（ｃ）は重複部が投影領域
に位置したときに露光光を照射し、（ｄ）は分割パター
ンを露光中、（ｅ）は走査露光が終了したそれぞれ平面
図である。

【図９】分割パターンを走査露光する手順を説明す
る説明図であって、（ａ）および（ｃ）は走査露光中、
（ｂ）および（ｄ）は重複部が投影領域に位置したとき
に露光光を遮光し、（ｅ）は走査露光が終了したそれぞ
れ平面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ重複部５１
ｃ〜５４ｃの露光量分布を示す分布図である。

【図１１】投影領域と分割パターンの重複部との位
置関係を示す平面図である。

【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、いずれも投影領域端
部による重複部の露光量分布を示す分布図である。

【図１３】（ａ）、（ｂ）は、いずれも２つの投影
領域端部より露光された重複部の露光量分布を示す分布
図である。

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ重複部の露
光量分布を示す分布図である。

【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、いずれも投影領域端
部による重複部の露光量分布を示す分布図である。

【図１６】本発明の第２の実施の形態の走査露光に
用いられるマスクの平面図である。

【図１７】（ａ）〜（ｇ）は、いずれも走査露光の
手順を示すための平面図である。

【図１８】本発明の別の実施の形態を示す図であっ
て、単一の投影領域とガラス基板との位置関係を示す平
面図である。

【図１９】投影領域の大きさを変更する方法を示す
平面図である。

【図２０】液晶表示デバイスの製造工程の一例を示
すフローチャート図である。

【符号の説明】

Ｍマスク（レチクル）Ｐガラス基板（基板）１走査型露光装置４マスクステージ５基板ステージ１２照明シャッタ（遮光装置）１７制御装置３４ａ〜３４ｅ投影領域（照射領域）５１〜５４分割パターン５１ａ〜５４ａ、５１ｃ〜５４ｃ重複部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光光の照射に対してマスクと基板と
を同期移動して、前記マスクの分割パターンを前記基板
に投影し、前記基板上で隣り合う複数の分割パターンを
つなぎ合わせて露光する走査露光方法であって、前記同期移動方向に隣り合う前記分割パターン同士を互
いに一部重複させることを特徴とする走査露光方法。
【請求項２】請求項１記載の走査露光方法におい
て、前記露光光の照射は、前記同期移動方向に隣り合う前記
分割パターン同士の重複部において、前記マスクの分割
パターンを基板に露光する照射と露光しない遮光とを切
り換えることを特徴とする走査露光方法。
【請求項３】請求項２記載の走査露光方法におい
て、前記重複部が前記分割パターンの前記同期移動方向前方
側に配置されるときには、該分割パターンに対する前記
同期移動中に前記重複部が前記照射領域に位置した際に
前記露光光を開放し、前記重複部が前記分割パターンの前記同期移動方向後方
側に配置されるときには、該分割パターンに対する前記
同期移動中に前記重複部が前記照射領域に位置した際に
前記露光光を遮光することを特徴とする走査露光方法。
【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載の走
査露光方法において、前記照射領域は、隣り合う照射領域が前記同期移動方向
と直交する方向で互いに一部を重複させて複数並列され
ることを特徴とする走査露光方法。
【請求項５】請求項１から４のいずれかに記載の走
査露光方法において、前記同期移動方向に隣り合う分割パターン同士で該同期
移動方向を互いに同方向にすることを特徴とする走査露
光方法。
【請求項６】請求項１から５のいずれかに記載の走
査露光方法において、前記同期移動方向に隣り合う前記分割パターン同士を露
光した後に、前記マスクと前記基板とを前記同期移動方
向と直交する方向に移動し、該直交する方向に隣り合う分割パターン同士を互いに一
部重複させることを特徴とする走査露光方法。
【請求項７】請求項１から６のいずれかに記載の走
査露光方法において、前記マスクは、前記隣り合う分割パターンの近傍につな
ぎ合わせマークを有し、該つなぎ合わせマークを用いて
先の分割パターンに後の分割パターンをつなぎ合わせる
ことを特徴とする走査露光方法。
【請求項８】請求項１から７のいずれかに記載の走
査露光方法において、前記複数の分割パターンの露光順序を、先の分割パター
ンの露光終了位置から後の分割パターンの露光開始位置
までの前記マスクの移動距離に基づいて決定することを
特徴とする走査露光方法。
【請求項９】露光光の照射領域に対してマスクを保
持するマスクステージと基板を保持する基板ステージと
を同期移動して、前記基板上で隣り合う複数の分割パタ
ーンをつなぎ合わせて露光する走査型露光装置であっ
て、前記露光光を遮光・開放する遮光装置と、前記同期移動中に前記照射領域の遮光状態を変更して、
前記同期移動方向に隣り合う分割パターン同士を互いに
一部重複させるように前記マスクステージ、基板ステー
ジおよび遮光装置を制御する制御装置とを備えることを
特徴とする走査型露光装置。
【請求項１０】請求項９記載の走査型露光装置にお
いて、前記照射領域は、隣り合う照射領域が前記同期移動方向
と直交する方向で互いに一部を重複させて複数並列さ
れ、前記遮光装置は、前記複数の照射領域毎に配設されるこ
とを特徴とする走査型露光装置。
【請求項１１】請求項９または１０記載の走査型露
光装置において、前記隣り合う分割パターン同士を互いに一部重複させる
前記同期移動方向の重なり幅は、前記照射領域の前記同
期移動方向の幅とほぼ一致することを特徴とする走査型
露光装置。