JP2001102491A - 極薄bgaタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板 - Google Patents
極薄bgaタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板Info
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Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 極薄で剛性率、ボールシェア強度
に優れ、耐熱性、吸湿後の電気絶縁性、耐マイグレーシ
ョン性などに優れたBGAタイプ半導体プラスチックパッ
ケージ用プリント配線板を作成する。 【解決手段】 半導体プラスチックパッケージの
サブストレートとして、厚さ40〜150μmの絶縁層を有す
るガラス布基材片面銅張積層板を用いて回路板を作成
し、表層銅箔側に半導体チップボンディング用端子、ビ
ア孔形成銅箔面にはハンダボール接続用パッドを作成
し、このビア孔にハンダボールを溶融して接着させた極
薄PGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント
配線板。 【効果】 、ボールシェア強度が良好で、作業
性の良好なプリント配線板が得られる。
に優れ、耐熱性、吸湿後の電気絶縁性、耐マイグレーシ
ョン性などに優れたBGAタイプ半導体プラスチックパッ
ケージ用プリント配線板を作成する。 【解決手段】 半導体プラスチックパッケージの
サブストレートとして、厚さ40〜150μmの絶縁層を有す
るガラス布基材片面銅張積層板を用いて回路板を作成
し、表層銅箔側に半導体チップボンディング用端子、ビ
ア孔形成銅箔面にはハンダボール接続用パッドを作成
し、このビア孔にハンダボールを溶融して接着させた極
薄PGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント
配線板。 【効果】 、ボールシェア強度が良好で、作業
性の良好なプリント配線板が得られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを1
個、ほぼ同じ大きさの小型プリント配線板に搭載した形
態の、チップスケールパッケージ用プリント配線板に関
する。得られたプリント配線板は、半導体チップを搭載
し、マイクロコントローラ、ASIC、メモリー等の用途に
使用される。本プリント配線板を使用したパッケージは
ハンダボールを用いてマザーボードプリント配線板に接
続され、電子機器等として使用される。
個、ほぼ同じ大きさの小型プリント配線板に搭載した形
態の、チップスケールパッケージ用プリント配線板に関
する。得られたプリント配線板は、半導体チップを搭載
し、マイクロコントローラ、ASIC、メモリー等の用途に
使用される。本プリント配線板を使用したパッケージは
ハンダボールを用いてマザーボードプリント配線板に接
続され、電子機器等として使用される。
【0002】
【従来の技術】従来、チップスケールパッケージ(CSP)
の基材としては、ガラスエポキシ材、ポリイミドフィル
ム材、セラミック材等の薄い板が主に使用されている。
これらのパッケージ類は、ハンダボール間隔が0.8m
m以上で、薄型、小型、軽量化を図るために近年ますま
すハンダボールピッチ及び回路のライン/スペースが狭
くなって来ており、基板の耐熱性、吸湿後の電気絶縁
性、耐マイグレーション性等が問題となっていた。ま
た、従来のプラスチックボールグリッドアレイ(P-BG
A)、CSP等のハンダボールの基材への密着性は、ハンダ
ボールパッドの面積が小さくなるに従い、弱くなって、
種々の不良を生ずる原因となっていた。
の基材としては、ガラスエポキシ材、ポリイミドフィル
ム材、セラミック材等の薄い板が主に使用されている。
これらのパッケージ類は、ハンダボール間隔が0.8m
m以上で、薄型、小型、軽量化を図るために近年ますま
すハンダボールピッチ及び回路のライン/スペースが狭
くなって来ており、基板の耐熱性、吸湿後の電気絶縁
性、耐マイグレーション性等が問題となっていた。ま
た、従来のプラスチックボールグリッドアレイ(P-BG
A)、CSP等のハンダボールの基材への密着性は、ハンダ
ボールパッドの面積が小さくなるに従い、弱くなって、
種々の不良を生ずる原因となっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を改善したCSP用プリント配線板を提供する。
点を改善したCSP用プリント配線板を提供する。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
スケールパッケージのサブストレートとして、絶縁層厚
さ150μmから40μmのガラス布基材片面銅張積層板を用
い、少なくとも表面銅箔側には半導体チップボンディン
グ用端子、ビア孔底部の銅箔面にはハンダボール接続用
パッドを配置し、基材樹脂面側からはハンダボールを接
続する箇所にビア孔を表面銅箔の裏面に到達するまであ
けた極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プ
リント配線板を提供する。ビア孔形成後、必要によりデ
スミア処理などの液相処理、プラズマ処理などの気相処
理を施してもよい。本発明によれば、ボールシェア強度
が強く、作業性が良好で、安価に極薄のプリント配線板
が提供される。
スケールパッケージのサブストレートとして、絶縁層厚
さ150μmから40μmのガラス布基材片面銅張積層板を用
い、少なくとも表面銅箔側には半導体チップボンディン
グ用端子、ビア孔底部の銅箔面にはハンダボール接続用
パッドを配置し、基材樹脂面側からはハンダボールを接
続する箇所にビア孔を表面銅箔の裏面に到達するまであ
けた極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プ
リント配線板を提供する。ビア孔形成後、必要によりデ
スミア処理などの液相処理、プラズマ処理などの気相処
理を施してもよい。本発明によれば、ボールシェア強度
が強く、作業性が良好で、安価に極薄のプリント配線板
が提供される。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明で使用されるガラス布基材
としては、好適には厚さ50±10μm、重量35〜60g/m
2で、且つ通気度25cm3/cm2・sec.以下の織布が使用さ
れる。このような織布の使用により、ガラス織布の剛性
率が向上し、更に樹脂組成物中に無機充填剤を添加する
ことにより、更なる剛性率向上が達成でき、作業時の加
工不良が少なくなる。ハンダボール接続用のビア孔を、
ガラス布基材補強樹脂面側から、レーザー、好ましくは
炭酸ガスレーザーであけ、表層の銅箔面に少なくとも半
導体チップボンディング用端子、裏面側のビア孔底部銅
箔にはハンダボール接続用パッドを作成してから、デス
ミア処理、或いはプラズマ処理等を施し、必要によりメ
ッキレジストで被覆後にニッケルメッキ、金メッキを施
して、プリント配線板とする。
としては、好適には厚さ50±10μm、重量35〜60g/m
2で、且つ通気度25cm3/cm2・sec.以下の織布が使用さ
れる。このような織布の使用により、ガラス織布の剛性
率が向上し、更に樹脂組成物中に無機充填剤を添加する
ことにより、更なる剛性率向上が達成でき、作業時の加
工不良が少なくなる。ハンダボール接続用のビア孔を、
ガラス布基材補強樹脂面側から、レーザー、好ましくは
炭酸ガスレーザーであけ、表層の銅箔面に少なくとも半
導体チップボンディング用端子、裏面側のビア孔底部銅
箔にはハンダボール接続用パッドを作成してから、デス
ミア処理、或いはプラズマ処理等を施し、必要によりメ
ッキレジストで被覆後にニッケルメッキ、金メッキを施
して、プリント配線板とする。
【0006】片面銅張積層板に使用する樹脂として、多
官能性シアン酸エステル及び該シアン酸エステルプレポ
リマーを必須成分とする熱硬化性樹脂組成物が好適に使
用される。この樹脂組成物の使用は、耐熱性、吸湿後の
電気絶縁性、耐マイグレーション性等の特性に優れたCS
P用プリント配線板の提供に寄与する。本発明は、半導
体チップスケールパッケージ用サブストレートとして、
絶縁層厚さ150μmから40μmまでのガラス布基材片面銅
張積層板を用い、樹脂面側からハンダボールパッドを接
続するビア孔を、表面銅箔の裏側に届くようにあけ、必
要によりデスミア処理、気相処理等を行い、表面は、少
なくとも半導体ボンディング用端子、裏面からはハンダ
ボール接続用パッドを形成し、必要によりメッキレジス
トで被覆してからニッケルメッキ、金メッキを施してプ
リント配線板を作成する。
官能性シアン酸エステル及び該シアン酸エステルプレポ
リマーを必須成分とする熱硬化性樹脂組成物が好適に使
用される。この樹脂組成物の使用は、耐熱性、吸湿後の
電気絶縁性、耐マイグレーション性等の特性に優れたCS
P用プリント配線板の提供に寄与する。本発明は、半導
体チップスケールパッケージ用サブストレートとして、
絶縁層厚さ150μmから40μmまでのガラス布基材片面銅
張積層板を用い、樹脂面側からハンダボールパッドを接
続するビア孔を、表面銅箔の裏側に届くようにあけ、必
要によりデスミア処理、気相処理等を行い、表面は、少
なくとも半導体ボンディング用端子、裏面からはハンダ
ボール接続用パッドを形成し、必要によりメッキレジス
トで被覆してからニッケルメッキ、金メッキを施してプ
リント配線板を作成する。
【0007】本発明のプリント配線板は、作成工程が簡
単であり、且つ、ポリイミドフィルム基材等の柔らかい
フィルムに比べて、ガラス布補強基材であるために剛性
率が高く、取り扱いが簡単であり、且つハンダボールを
接着する場合に、接続が簡単であり、加えてハンダボー
ルの接着強度が強く、ハンダボールの剥離強度(ボール
シェア強度)に優れているという利点を有する。
単であり、且つ、ポリイミドフィルム基材等の柔らかい
フィルムに比べて、ガラス布補強基材であるために剛性
率が高く、取り扱いが簡単であり、且つハンダボールを
接着する場合に、接続が簡単であり、加えてハンダボー
ルの接着強度が強く、ハンダボールの剥離強度(ボール
シェア強度)に優れているという利点を有する。
【0008】本発明の片面銅張積層板としては、一般に
公知のガラス布に熱硬化性樹脂を含浸、乾燥して得られ
た片面銅張板が挙げられ、その片面銅張多層板も挙げら
れる。ガラス繊維としては、一般に公知のガラス繊維、
例えばE、N、S、Dなどのガラス繊維の織布が挙げられ、
厚みは一般に30〜150μmが使用される。またこれらの糸
を用いた混抄も使用し得る。基材としては、密度の高い
ものが好ましく、好適には、厚み50±10μm、重量35〜6
0g/m2で、且つ通気度が25cm3/cm2・sec. 以下の織布を
1枚以上、好適には2枚以上使用する。織り方について
は特に限定はないが、平織りが好ましい。この織物を使
用することにより、従来の織物である、通気度が25cm3
/cm2・sec.を超える織物と比べて剛性率が高く、加工
時の屈曲が少なく、作業性が良好となる。又、レーザー
による樹脂付き基材層からのレーザーによるビア孔あけ
において、孔壁が均質になるという利点を有する。
公知のガラス布に熱硬化性樹脂を含浸、乾燥して得られ
た片面銅張板が挙げられ、その片面銅張多層板も挙げら
れる。ガラス繊維としては、一般に公知のガラス繊維、
例えばE、N、S、Dなどのガラス繊維の織布が挙げられ、
厚みは一般に30〜150μmが使用される。またこれらの糸
を用いた混抄も使用し得る。基材としては、密度の高い
ものが好ましく、好適には、厚み50±10μm、重量35〜6
0g/m2で、且つ通気度が25cm3/cm2・sec. 以下の織布を
1枚以上、好適には2枚以上使用する。織り方について
は特に限定はないが、平織りが好ましい。この織物を使
用することにより、従来の織物である、通気度が25cm3
/cm2・sec.を超える織物と比べて剛性率が高く、加工
時の屈曲が少なく、作業性が良好となる。又、レーザー
による樹脂付き基材層からのレーザーによるビア孔あけ
において、孔壁が均質になるという利点を有する。
【0009】本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の
樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用され
る。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エス
テル樹脂、 多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和
基含有ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられ、1種
或いは2種類以上が組み合わせて使用される。耐熱性、
耐マイグレーション性、吸湿後の電気的特性等の点から
多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が好適である。
樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用され
る。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エス
テル樹脂、 多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和
基含有ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられ、1種
或いは2種類以上が組み合わせて使用される。耐熱性、
耐マイグレーション性、吸湿後の電気的特性等の点から
多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が好適である。
【0010】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。
【0011】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性
シアン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって
形成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性
シアン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって
形成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。
【0012】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によってられるポリグ
リシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或いは2
種類以上が組み合わせて使用され得る。
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によってられるポリグ
リシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或いは2
種類以上が組み合わせて使用され得る。
【0013】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂は、単独でも使用されるが、特性のバランス
を考え、適宜組み合わせて使用するのが良い。
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂は、単独でも使用されるが、特性のバランス
を考え、適宜組み合わせて使用するのが良い。
【0014】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスレン、AS樹
脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴム、ポ
リエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチレン-6-
フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、ポリフ
ェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポリ
フェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若し
くはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、適宜使用
される。また、その他、公知の有機の充填剤、染料、顔
料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、光
増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ性付与剤
等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わせて用い
られる。必要により、反応基を有する化合物は硬化剤、
触媒が適宜配合される。
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスレン、AS樹
脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴム、ポ
リエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチレン-6-
フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、ポリフ
ェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポリ
フェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若し
くはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、適宜使用
される。また、その他、公知の有機の充填剤、染料、顔
料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、光
増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ性付与剤
等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わせて用い
られる。必要により、反応基を有する化合物は硬化剤、
触媒が適宜配合される。
【0015】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。
【0016】樹脂組成物中に無機の充填剤を添加するこ
とにより、更に剛性率を上げることができる。樹脂組成
物なかに無機充填剤混合する方法には特に限定はない
が、例えばビーズミル、ホモミキサー、ボールミル等、
一般に公知の方法が使用できる。無機の絶縁性充填剤と
しては、一般に公知の物が使用できる。具体的には、天
然シリカ、焼成シリカ、アモルファスシリカ等のシリカ
類や、ホワイトカーボン、チタンホワイト、アエロジ
ル、クレー、タルク、ウオラストナイト、天然マイカ、
カオリン、アルミナ、パーライト、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム等が挙げられ、1種或いは2種
以上が組み合わせて使用され得る。添加量は、全組成物
中の10〜80重量%、好ましくは20〜70重量%である。平均
粒子径は1μm以下の粒子が好ましい。
とにより、更に剛性率を上げることができる。樹脂組成
物なかに無機充填剤混合する方法には特に限定はない
が、例えばビーズミル、ホモミキサー、ボールミル等、
一般に公知の方法が使用できる。無機の絶縁性充填剤と
しては、一般に公知の物が使用できる。具体的には、天
然シリカ、焼成シリカ、アモルファスシリカ等のシリカ
類や、ホワイトカーボン、チタンホワイト、アエロジ
ル、クレー、タルク、ウオラストナイト、天然マイカ、
カオリン、アルミナ、パーライト、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム等が挙げられ、1種或いは2種
以上が組み合わせて使用され得る。添加量は、全組成物
中の10〜80重量%、好ましくは20〜70重量%である。平均
粒子径は1μm以下の粒子が好ましい。
【0017】ガラス布基材補強銅張積層板は、まず上記
補強基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてBス
テージとし、プリプレグを作成する。次に、このプリプ
レグの片面に銅箔を配置し、反対面には離型フィルムを
配置し、加熱、加圧、好適には真空下に積層成形し、片
面銅張積層板とする。又、その多層板も使用できる。例
えば、両面銅張積層板の片面に回路を形成し、必要によ
り化学処理を施してから、その回路形成側にプリプレグ
を配置し、その外側に離型フィルムを配置し、加熱、加
圧、真空下に積層成形して作成する。
補強基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてBス
テージとし、プリプレグを作成する。次に、このプリプ
レグの片面に銅箔を配置し、反対面には離型フィルムを
配置し、加熱、加圧、好適には真空下に積層成形し、片
面銅張積層板とする。又、その多層板も使用できる。例
えば、両面銅張積層板の片面に回路を形成し、必要によ
り化学処理を施してから、その回路形成側にプリプレグ
を配置し、その外側に離型フィルムを配置し、加熱、加
圧、真空下に積層成形して作成する。
【0018】使用する銅箔としては特に限定はしない
が、好適には、外層の銅箔は、18〜35μmであり、内層
の銅箔は18〜70μmである。銅箔の表面処理は特に限定
はなく、例えばニッケル、亜鉛などの合金処理が挙げら
れる。
が、好適には、外層の銅箔は、18〜35μmであり、内層
の銅箔は18〜70μmである。銅箔の表面処理は特に限定
はなく、例えばニッケル、亜鉛などの合金処理が挙げら
れる。
【0019】最終的に、絶縁層の厚さ40〜150μmとなる
ように作成したガラス布基材片面銅張積層板は、基材樹
脂面側からビア孔をあけて、表面或いは内層銅箔の裏側
まで到達させる。ビア孔の孔径はハンダボールの径と同
等か、やや小さめとする。一般には孔径200〜800μmで
ある。
ように作成したガラス布基材片面銅張積層板は、基材樹
脂面側からビア孔をあけて、表面或いは内層銅箔の裏側
まで到達させる。ビア孔の孔径はハンダボールの径と同
等か、やや小さめとする。一般には孔径200〜800μmで
ある。
【0020】孔をあける方法は特に限定はなく、例えば
炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、YAGレーザー等
のレーザー類;湿式ブラスト、乾式ブラスト等のブラス
ト類;ルーター、ドリル等の機械類等、一般に公知の方
法が挙げられる。加工速度、その後の制御回路形成など
の点から炭酸ガスレーザーが好ましい。回路の形成は孔
あけ前、孔あけ後のいずれでも良い。孔あけ方法によ
り、適宜選択する。
炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、YAGレーザー等
のレーザー類;湿式ブラスト、乾式ブラスト等のブラス
ト類;ルーター、ドリル等の機械類等、一般に公知の方
法が挙げられる。加工速度、その後の制御回路形成など
の点から炭酸ガスレーザーが好ましい。回路の形成は孔
あけ前、孔あけ後のいずれでも良い。孔あけ方法によ
り、適宜選択する。
【0021】反対面或いは内層の銅箔に到達するように
孔をあけたビア孔の底部には、孔あけ方法によっては銅
箔の表面に樹脂層が残存する。この樹脂層を除去する方
法としては、プラズマ処理等の気相処理、デスミア処理
等の湿式処理が挙げられる。この処理は、表層に回路を
作成した後に実施するのが好ましい。
孔をあけたビア孔の底部には、孔あけ方法によっては銅
箔の表面に樹脂層が残存する。この樹脂層を除去する方
法としては、プラズマ処理等の気相処理、デスミア処理
等の湿式処理が挙げられる。この処理は、表層に回路を
作成した後に実施するのが好ましい。
【0022】回路形成後に、そのまま全面にニッケルメ
ッキ、金メッキを施すか、或いは、少なくともワイヤボ
ンディング端子を除いて回路上をメッキレジストで被覆
し、その後ニッケルメッキ、金メッキを行う。
ッキ、金メッキを施すか、或いは、少なくともワイヤボ
ンディング端子を除いて回路上をメッキレジストで被覆
し、その後ニッケルメッキ、金メッキを行う。
【0023】ハンダボールはビア孔上部に置き、加熱溶
融してハンダボールをビア孔に流し込むと同時に空気を
抜いて表面銅箔裏側のハンダボール接続用パッドと接合
する。
融してハンダボールをビア孔に流し込むと同時に空気を
抜いて表面銅箔裏側のハンダボール接続用パッドと接合
する。
【0024】
【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。
【0025】実施例1 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃で溶融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ<株>
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業<株>製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、均一撹拌混合してワニスAを得
た。このワニスを厚さ50μm、重量:53g/m2のガラス
織布に含浸し150℃で乾燥して、ゲル化時間(at170℃)12
0秒、樹脂組成物含有量が51重量%のプリプレグBを作成
した。
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃で溶融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ<株>
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業<株>製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、均一撹拌混合してワニスAを得
た。このワニスを厚さ50μm、重量:53g/m2のガラス
織布に含浸し150℃で乾燥して、ゲル化時間(at170℃)12
0秒、樹脂組成物含有量が51重量%のプリプレグBを作成
した。
【0026】厚さ35μmの電解銅箔を、上記プリプレグ
Bの2枚の片面に配置し、反対面には離型フィルムを配
置し、200℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で2時間
積層成形し、 片面銅張積層板を得た(図1(1))。
この樹脂面側から、径300μmの炭酸ガスレーザーを、出
力50μsで6ショット照射して銅箔の裏面に達する孔をあ
け(図1(2))、その後、薬液にて35μm銅箔の厚み
を12μmまでエッチングして薄くし(図1(3))、こ
の銅箔に回路を形成した。ついで、デスミア処理を行っ
てビア孔底部の樹脂残を除去し、半導体チップボンディ
ング用端子(図1、e)を除いてメッキレジストで被覆
し、ニッケルメッキ、金メッキを施してプリント配線板
とした(図1(4))。このプリント配線板の上に半導
体チップを、銀ペーストで接着し、ワイヤボンディング
をしてからエポキシ封止樹脂で樹脂封止した(図1
(5))。樹脂封止後、これを裏返しにして、ビア孔の
上に径400μmのハンダボールを置き、加熱溶融してビア
孔の中にハンダを充填してハンダボールを接続し、プラ
スチックパッケージとした(図1(6))。このプラス
チックパッケージの評価結果を表1に示す。
Bの2枚の片面に配置し、反対面には離型フィルムを配
置し、200℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で2時間
積層成形し、 片面銅張積層板を得た(図1(1))。
この樹脂面側から、径300μmの炭酸ガスレーザーを、出
力50μsで6ショット照射して銅箔の裏面に達する孔をあ
け(図1(2))、その後、薬液にて35μm銅箔の厚み
を12μmまでエッチングして薄くし(図1(3))、こ
の銅箔に回路を形成した。ついで、デスミア処理を行っ
てビア孔底部の樹脂残を除去し、半導体チップボンディ
ング用端子(図1、e)を除いてメッキレジストで被覆
し、ニッケルメッキ、金メッキを施してプリント配線板
とした(図1(4))。このプリント配線板の上に半導
体チップを、銀ペーストで接着し、ワイヤボンディング
をしてからエポキシ封止樹脂で樹脂封止した(図1
(5))。樹脂封止後、これを裏返しにして、ビア孔の
上に径400μmのハンダボールを置き、加熱溶融してビア
孔の中にハンダを充填してハンダボールを接続し、プラ
スチックパッケージとした(図1(6))。このプラス
チックパッケージの評価結果を表1に示す。
【0027】実施例2 実施例1のワニスAに無機充填剤(商品名:タルク、日
本タルク<株>製)を2,000部添加し、均一にホモミキサ
ーで攪拌混合した。これを厚さ35μm、重量41g/
m2,通気度5.3cm3/cm2・secのガラス織布に含浸、乾
燥してゲル化時間110秒、樹脂組成物含有量58重量%のプ
リプレグC、ゲル化時間122秒、樹脂組成物含有量65重量
%のプリプレグDを作成した。このプリプレグC1枚の表
裏に18μmの電解銅箔を配置し、同様に積層成形して両
面銅張積層板を作成した。この両面に回路を形成し、黒
色酸化銅処理を施し、その両外側にプリプレグDを置
き、一方の外側には厚さ35μmの銅キャリア付3μm
の電解銅箔、反対側に離型フィルムを配置し同様に積層
成形した後、離型フィルムおよび35μmのキャリア銅
箔を剥離して3層板を作成した。絶縁層の厚さは全体で
140μmであった。
本タルク<株>製)を2,000部添加し、均一にホモミキサ
ーで攪拌混合した。これを厚さ35μm、重量41g/
m2,通気度5.3cm3/cm2・secのガラス織布に含浸、乾
燥してゲル化時間110秒、樹脂組成物含有量58重量%のプ
リプレグC、ゲル化時間122秒、樹脂組成物含有量65重量
%のプリプレグDを作成した。このプリプレグC1枚の表
裏に18μmの電解銅箔を配置し、同様に積層成形して両
面銅張積層板を作成した。この両面に回路を形成し、黒
色酸化銅処理を施し、その両外側にプリプレグDを置
き、一方の外側には厚さ35μmの銅キャリア付3μm
の電解銅箔、反対側に離型フィルムを配置し同様に積層
成形した後、離型フィルムおよび35μmのキャリア銅
箔を剥離して3層板を作成した。絶縁層の厚さは全体で
140μmであった。
【0028】この3層板の樹脂面側からビーム径250μm
の炭酸ガスレーザーを出力50μsで5ショット照射し
て内層銅箔まで到達するビア孔をあけた。内層銅箔と表
層の銅箔とは孔径200μmのメカニカルドリルで接続
し、銅メッキを15μm施した後、反対面の表層銅箔に
回路を形成後、プラズマ気相処理を施してビア孔底部と
なる内層銅箔の表面の上に付着する樹脂層を除去した。
半導体チップ搭載部及びボンディングパッド部以外にメ
ッキレジストを付着させ、同様にニッケルメッキ、金メ
ッキを施し、プリント配線板とした。このビア孔に径35
0μmのハンダボールを実施例1と同様に接続して半導体
プラスチックパッケージとした。この評価結果を表1に
示す。
の炭酸ガスレーザーを出力50μsで5ショット照射し
て内層銅箔まで到達するビア孔をあけた。内層銅箔と表
層の銅箔とは孔径200μmのメカニカルドリルで接続
し、銅メッキを15μm施した後、反対面の表層銅箔に
回路を形成後、プラズマ気相処理を施してビア孔底部と
なる内層銅箔の表面の上に付着する樹脂層を除去した。
半導体チップ搭載部及びボンディングパッド部以外にメ
ッキレジストを付着させ、同様にニッケルメッキ、金メ
ッキを施し、プリント配線板とした。このビア孔に径35
0μmのハンダボールを実施例1と同様に接続して半導体
プラスチックパッケージとした。この評価結果を表1に
示す。
【0029】実施例3 エポキシ樹脂(商品名:エピコート5045、油化シェルエ
ポキシ<株>)700部、及びエポキシ樹脂(商品名:ESCN2
20F、住友化学工業<株>)300部、ジシアンジアミド35
部、2-エチル-4-メチルイミダゾール1部をメチルエチル
ケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解し、均
一に攪拌、混合してワニスEを得た。これに実施例1の
無機充填剤を1100部を加え、均一に分散した。これを、
厚さ120μm、重量135g/m2、通気度3.3cm3/cm2・sec.の
ガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間151秒、樹脂
組成物含有量57重量%のプリプレグFを作成した。このプ
リプレグFを1枚使用し、片面に厚さ18μmの銅箔を19
0℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形
して片面銅張積層板を作成した。回路を形成後、この絶
縁層面に、ハンダボールパッドに相当する箇所に径400
μmの孔があいた金属板を密着配置し、その上からウエ
ットのサンドブラスト法にて孔を銅箔面裏側に到達する
ように孔をあけ、ビア孔を形成した。この孔の中に残存
するブラスト粉等をソフトエッチングにて除去した後、
全面にニッケルメッキ、金メッキを付着させ、プリント
配線板とした。この上に半導体チップを銀ペーストで付
着させ、ワイヤボンディング後に樹脂封止を行い、その
後これを裏がえして、径500μmのハンダボールを同様に
充填、付着し、半導体プラスチックパッケージとした。
評価結果を表1に示す。
ポキシ<株>)700部、及びエポキシ樹脂(商品名:ESCN2
20F、住友化学工業<株>)300部、ジシアンジアミド35
部、2-エチル-4-メチルイミダゾール1部をメチルエチル
ケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解し、均
一に攪拌、混合してワニスEを得た。これに実施例1の
無機充填剤を1100部を加え、均一に分散した。これを、
厚さ120μm、重量135g/m2、通気度3.3cm3/cm2・sec.の
ガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間151秒、樹脂
組成物含有量57重量%のプリプレグFを作成した。このプ
リプレグFを1枚使用し、片面に厚さ18μmの銅箔を19
0℃、20kgf/cm2、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形
して片面銅張積層板を作成した。回路を形成後、この絶
縁層面に、ハンダボールパッドに相当する箇所に径400
μmの孔があいた金属板を密着配置し、その上からウエ
ットのサンドブラスト法にて孔を銅箔面裏側に到達する
ように孔をあけ、ビア孔を形成した。この孔の中に残存
するブラスト粉等をソフトエッチングにて除去した後、
全面にニッケルメッキ、金メッキを付着させ、プリント
配線板とした。この上に半導体チップを銀ペーストで付
着させ、ワイヤボンディング後に樹脂封止を行い、その
後これを裏がえして、径500μmのハンダボールを同様に
充填、付着し、半導体プラスチックパッケージとした。
評価結果を表1に示す。
【0030】比較例1 実施例1で使用したのと同じプリプレグBを使用し、こ
のプリプレグBの両面に12μmの電解銅箔を配置し、実施
例1と同様に積層成形して両面銅張積層板を得た。メカ
ニカルドリルで孔径200μmの孔をあけ、全体に厚さ
15μmの銅メッキを施した後に、この表裏面に回路を
形成し、表面には半導体チップワイヤボンディングパッ
ド、回路を、裏面には400μmのボールパッド及びこれを
接続する回路を形成し、表面のワイヤボンディングパッ
ドを除いてメッキレジストを付着させ、ニッケルメッ
キ、金メッキを施し、プリント配線板とした。後は同様
にして裏面に径400μmのハンダボールを接合した半
導体プラスチックパッケージとした。評価結果を表1に
示す。
のプリプレグBの両面に12μmの電解銅箔を配置し、実施
例1と同様に積層成形して両面銅張積層板を得た。メカ
ニカルドリルで孔径200μmの孔をあけ、全体に厚さ
15μmの銅メッキを施した後に、この表裏面に回路を
形成し、表面には半導体チップワイヤボンディングパッ
ド、回路を、裏面には400μmのボールパッド及びこれを
接続する回路を形成し、表面のワイヤボンディングパッ
ドを除いてメッキレジストを付着させ、ニッケルメッ
キ、金メッキを施し、プリント配線板とした。後は同様
にして裏面に径400μmのハンダボールを接合した半
導体プラスチックパッケージとした。評価結果を表1に
示す。
【0031】比較例2 実施例3において、エポキシ樹脂700部と300部の
代わりにエポキシ樹脂(商品名:エピコート5045)1,00
0部を配合した他は実施例3と同様にしてワニスGを作成
した。このワニスには無機充填剤は配合しなかった。こ
のワニスGを厚さ100μm、重量100g/m2、通気度38cm3/c
m2・sec.のガラス織布に含浸、乾燥して樹脂組成物含有
量47重量%、ゲル化時間113秒のプリプレグHを作
成した。このプリプレグ1枚を使用し、その両面に12μ
mの銅箔を配置し、同様に積層成形して両面銅張積層板
を作成した(図2(1))。その他は比較例1と同様に
してプリント配線板を作成し、半導体プラスチックパッ
ケージとした(図2(6))。この評価結果を表1に示
す。
代わりにエポキシ樹脂(商品名:エピコート5045)1,00
0部を配合した他は実施例3と同様にしてワニスGを作成
した。このワニスには無機充填剤は配合しなかった。こ
のワニスGを厚さ100μm、重量100g/m2、通気度38cm3/c
m2・sec.のガラス織布に含浸、乾燥して樹脂組成物含有
量47重量%、ゲル化時間113秒のプリプレグHを作
成した。このプリプレグ1枚を使用し、その両面に12μ
mの銅箔を配置し、同様に積層成形して両面銅張積層板
を作成した(図2(1))。その他は比較例1と同様に
してプリント配線板を作成し、半導体プラスチックパッ
ケージとした(図2(6))。この評価結果を表1に示
す。
【0032】
【表1】
【0033】
【0034】<測定方法> 1)ガラス転移温度 DMA法にて測定した。 2)粘弾性 銅箔をエッチング除去した積層板を用いて、DMAにて測
定した。 3)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値 ライン/スペース=50/50μmの櫛形パターンを作成し、
この上に、それぞれ使用したプリプレグを配置し、積層
成形したものを、121℃・2気圧で所定時間処理した後、
25℃・60%RHで2時間後処理を行い、500VDCを印加60秒後
に、その端子間の絶縁抵抗値を測定した。 4)耐マイグレーション性 上記3)の試験片を85℃・85%RH、50VDC印加して端子間の
絶縁抵抗値を測定した。 5)ボールシェア強度 ボールの横から圧力をかけ、その剥離した時の強度を示
した。 6)回路のショート、切断 ライン/スペース=50/50μmの作成を200個行い、その
ショート、切断数を分子に示した。
定した。 3)プレッシャークッカー処理後の絶縁抵抗値 ライン/スペース=50/50μmの櫛形パターンを作成し、
この上に、それぞれ使用したプリプレグを配置し、積層
成形したものを、121℃・2気圧で所定時間処理した後、
25℃・60%RHで2時間後処理を行い、500VDCを印加60秒後
に、その端子間の絶縁抵抗値を測定した。 4)耐マイグレーション性 上記3)の試験片を85℃・85%RH、50VDC印加して端子間の
絶縁抵抗値を測定した。 5)ボールシェア強度 ボールの横から圧力をかけ、その剥離した時の強度を示
した。 6)回路のショート、切断 ライン/スペース=50/50μmの作成を200個行い、その
ショート、切断数を分子に示した。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば半導体チップスケールパ
ッケージのサブストレートとして、厚さ150μmから40μ
mの絶縁層を有するガラス布基材片面銅張積層板を用い
て、表面には少なくとも半導体チップボンディング用端
子、銅箔裏側面には樹脂面側からビア孔を表面の銅箔裏
側に到達するようにあけたハンダボール接続用パッドを
配置したプリント配線板が提供される。半導体チップを
表面にワイヤボンディングで接続し、封止樹脂で封止し
た後、これを裏返しにしてハンダボールをビア孔に溶融
して流し込んで表面銅箔の裏側のビア孔底部銅箔面と接
続する。本発明のプリント配線板によれば、ハンダボー
ルのボールシェア強度が強く、作業性の点でも良好であ
る。又、ガラス織布として、厚さ50±10μm、重量35〜6
0g/m2,通気度25cm3/cm2・sec. 以下のガラス織布を1
枚以上、好ましくは2枚以上使用することにより剛性率
が高く、作業性が良好となり、更に無機充填剤を添加す
ることにより、更に剛性率を向上できる。加えて熱硬化
性樹脂組成物として多官能性シアン酸エステル、該シア
ン酸エステルプレポリマーを必須成分として用いること
により、耐熱性、プレッシャークッカー処理後の電気絶
縁性、耐マイグレーション性などに優れた半導体プラス
チックパッケージ用プリント配線板を得ることができ
た。
ッケージのサブストレートとして、厚さ150μmから40μ
mの絶縁層を有するガラス布基材片面銅張積層板を用い
て、表面には少なくとも半導体チップボンディング用端
子、銅箔裏側面には樹脂面側からビア孔を表面の銅箔裏
側に到達するようにあけたハンダボール接続用パッドを
配置したプリント配線板が提供される。半導体チップを
表面にワイヤボンディングで接続し、封止樹脂で封止し
た後、これを裏返しにしてハンダボールをビア孔に溶融
して流し込んで表面銅箔の裏側のビア孔底部銅箔面と接
続する。本発明のプリント配線板によれば、ハンダボー
ルのボールシェア強度が強く、作業性の点でも良好であ
る。又、ガラス織布として、厚さ50±10μm、重量35〜6
0g/m2,通気度25cm3/cm2・sec. 以下のガラス織布を1
枚以上、好ましくは2枚以上使用することにより剛性率
が高く、作業性が良好となり、更に無機充填剤を添加す
ることにより、更に剛性率を向上できる。加えて熱硬化
性樹脂組成物として多官能性シアン酸エステル、該シア
ン酸エステルプレポリマーを必須成分として用いること
により、耐熱性、プレッシャークッカー処理後の電気絶
縁性、耐マイグレーション性などに優れた半導体プラス
チックパッケージ用プリント配線板を得ることができ
た。
【図1】実施例1のプリント配線板及び半導体プラスチ
ックパッケージの製造工程図である。
ックパッケージの製造工程図である。
【図2】比較例2のプリント配線板及び半導体プラスチ
ックパッケージの製造工程図である。
ックパッケージの製造工程図である。
a 銅箔 b ガラス布基材樹脂層 c 絶縁層からあけたビア孔 d エッチングして薄くした銅箔 e ワイヤボンディングパッド部 f メッキレジスト g ボンディングワイヤ h 封止樹脂 i 半導体チップ j 銀ペースト k ハンダボール l 銅メッキされた銅箔 m スルーホ−ル用貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E336 AA04 BB16 BC12 BC15 BC34 CC32 CC36 GG12
Claims (5)
- 【請求項1】 絶縁層厚さ150μmから40μmのガラス布
基材片面銅張積層板を用いて、基材樹脂面側からハンダ
ボールを接続するビア孔を次の層の銅箔の裏面に達する
ように形成し、表層銅箔側には少なくとも半導体チップ
ボンディング用端子、裏面のビア孔銅箔形成面にはハン
ダボール接続用パッドを配置してなることを特徴とする
極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリン
ト配線板。 - 【請求項2】 ガラス布基材片面銅張積層板に使用する
ガラス布が、厚み50±10μm、重量35〜60g/m2で、且つ
通気度25cm3/cm2・sec.以下の織布を1枚以上組み合わ
せたガラス織布であることを特徴とする請求項1記載の
極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリン
ト配線板。 - 【請求項3】 基材樹脂面側から形成するビア孔が、ガ
ラス布、熱硬化性樹脂組成物をレーザーにて除去して製
造されることを特徴とする請求項1又は2記載の極薄BG
Aタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線
板。 - 【請求項4】 片面銅張積層板の熱硬化性樹脂組成物
が、多官能性シアン酸エステル化合物、該シアン酸エス
テルプレポリマーを必須成分とする熱硬化性樹脂組成物
である請求項1、2又は3記載の極薄BGAタイプ半導体
プラスチックパッケージ用プリント配線板。 - 【請求項5】 片面銅張積層板の樹脂組成物が、絶縁性
無機充填剤を10〜80重量%含有する請求項1.2.3又
は4記載の極薄BGAタイプ半導体プラスチックパッケー
ジ用プリント配線板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27313099A JP2001102491A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 極薄bgaタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP27313099A JP2001102491A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 極薄bgaタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板 |
Publications (1)
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---|---|
JP2001102491A true JP2001102491A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17523553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP27313099A Pending JP2001102491A (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | 極薄bgaタイプ半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001102491A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-09-27 JP JP27313099A patent/JP2001102491A/ja active Pending
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