JP2001196744A - Method for manufacturing multilayer printed wiring substrate - Google Patents
Method for manufacturing multilayer printed wiring substrateInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板の製造方法に関する。[0001] The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
【0002】[0002]
【従来の技術】いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼
ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等に
より製造されており、コアと呼ばれる0.1〜2.0m
m程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、
銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層す
ることにより作製される。この多層プリント配線板の層
間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。2. Description of the Related Art A multilayer printed wiring board called a so-called multilayer build-up wiring board is manufactured by a semi-additive method or the like.
m on a resin substrate reinforced with glass cloth, etc.
It is manufactured by alternately laminating a conductor circuit made of copper or the like and an interlayer resin insulating layer. The connection between the conductor circuits via the interlayer resin insulation layer of the multilayer printed wiring board is performed by via holes.
【0003】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平9−130050号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。すなわち、まず、銅箔
が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて
無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形
成する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチ
ング処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面に
無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、そ
の粗化面を有する導体回路上に層間樹脂絶縁層を形成し
た後、露光、現像処理を行うか、レーザ処理によりバイ
アホール用開口を形成し、その後、UV硬化、本硬化を
経て層間樹脂絶縁層を形成する。Conventionally, build-up multilayer printed wiring boards have been manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-130050. That is, first, a through hole is formed in the copper-clad laminate to which the copper foil is attached, and then a through hole is formed by performing an electroless copper plating process. Subsequently, the surface of the substrate is etched into a conductor pattern to form a conductor circuit, and a roughened surface is formed on the surface of the conductor circuit by electroless plating, etching, or the like. After forming an interlayer resin insulation layer, an exposure and development process is performed, or a via hole opening is formed by laser processing, and then the interlayer resin insulation layer is formed through UV curing and main curing.
【0004】さらに、層間樹脂絶縁層に粗化形成処理を
施した後、形成された粗化面に薄い無電解めっき膜を形
成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成し
た後、電気めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト
剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイア
ホールにより接続された導体回路を形成する。Further, after a roughening process is performed on the interlayer resin insulating layer, a thin electroless plating film is formed on the roughened surface, and a plating resist is formed on the electroless plating film. Thickening is performed by plating, and etching is performed after the plating resist is stripped to form a conductive circuit connected to the lower conductive circuit by a via hole.
【0005】これを繰り返した後、最外層として導体回
路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ソル
ダーレジスト層に開口を形成し、開口部分の導体層にめ
っき等を施してパッドとした後、半田バンプを形成する
ことにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造す
る。After repeating this, a solder resist layer for protecting the conductor circuit is formed as an outermost layer, an opening is formed in the solder resist layer, and the conductor layer in the opening is plated or the like to form a pad. Then, a build-up multilayer printed wiring board is manufactured by forming solder bumps.
【0006】このような多層プリント配線板の製造方法
において、めっきレジストは、薄い無電解めっき膜等の
薄膜導体層上に直接感光性ドライフィルムを貼り付け、
該感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことに
より形成していた。In such a method of manufacturing a multilayer printed wiring board, a plating resist is formed by directly attaching a photosensitive dry film on a thin conductor layer such as a thin electroless plating film.
The photosensitive dry film was formed by exposing and developing.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このように、表面に薄
膜導体層を有する層間樹脂絶縁層上に直接感光性ドライ
フィルムを貼り付け、露光処理を施すと、図12に示す
ように、光源22から照射した光が、薄膜導体層112
表面で乱反射するため、めっきレジスト非形成部の一部
も露光され(図12(a)参照)、続いて、現像処理を
施すと、形成されるめっきレジスト103の形状が裾引
き形状103aとなってしまう(図12(b)参照)。
そのため、次の工程で、電気めっきを行うことにより、
めっきレジスト非形成部19に電気めっき層113を形
成した後(図12(c)参照)、めっきレジスト103
の剥離と薄膜導体層112のエッチングを行うことよ
り、電気めっき層113と薄膜導体層112とからなる
導体回路105を形成すると、導体回路105の断面の
形状が、アンダーカット形状となってしまう(図12
(d)参照)。図12中で、18は感光性ドライフィル
ムであり、21はマスクであり、102は層間樹脂絶縁
層である。As described above, when a photosensitive dry film is directly adhered to an interlayer resin insulating layer having a thin film conductor layer on its surface and subjected to an exposure treatment, the light source 22 as shown in FIG. From the thin film conductor layer 112
Due to irregular reflection on the surface, a part of the plating resist non-formed portion is also exposed (see FIG. 12A), and subsequently, when a developing process is performed, the shape of the formed plating resist 103 becomes a footed shape 103a. (See FIG. 12B).
Therefore, by performing electroplating in the next step,
After the electroplating layer 113 is formed in the plating resist non-formed portion 19 (see FIG. 12C), the plating resist 103 is formed.
When the conductor circuit 105 composed of the electroplating layer 113 and the thin film conductor layer 112 is formed by peeling off and etching the thin film conductor layer 112, the cross-sectional shape of the conductor circuit 105 becomes an undercut shape ( FIG.
(D)). In FIG. 12, reference numeral 18 denotes a photosensitive dry film, reference numeral 21 denotes a mask, and reference numeral 102 denotes an interlayer resin insulating layer.
【0008】そのため、導体回路と該導体回路を被覆す
る層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生しやすかった。特
に、この現象は、めっきレジスト同士の間隔の狭い部
分、すなわち、幅の狭いめっきレジスト非成形部におい
て、顕著にみられた。[0008] Therefore, peeling is likely to occur between the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer covering the conductor circuit. In particular, this phenomenon was remarkably observed in a portion where the distance between the plating resists was narrow, that is, in a portion where the plating resist was not formed in a narrow width.
【0009】また、図13に示すように、露光処理時に
薄膜導体層112表面で反射する光の量を減少させるた
めに、光源22から照射する光量を減らすと(図13
(a)参照)、めっきレジスト103の形状は裾引き形
状にはならないものの、めっきレジスト103の形状が
アンダーカット形状になる場合がある(図13(b)参
照)。この場合、めっきレジスト非形成部19に形成し
た電気めっき層113が底部の広がった台形状となり
(図13(c)参照)、この後、めっきレジスト103
の剥離と薄膜導体層112のエッチングを行うことよ
り、電気めっき層113と薄膜導体層112とからなる
導体回路105を形成すると、導体回路105の断面の
形状が、底部の広がった台形状となってしまう(図13
(d)参照)。そのため、隣接する導体回路同士の底部
の間隔が狭くなり、隣接する導体回路間で短絡が発生し
やすいという問題点があった。特に、L/S=35/3
5のような幅の狭い導体回路間では、上記のような問題
が起こり易かった。なお、上記L/Sとは、導体配線の
幅と導体配線間の距離との比のことであり、これを本明
細書においては、以下、単にL/Sという。Further, as shown in FIG. 13, in order to reduce the amount of light reflected on the surface of the thin film conductor layer 112 during the exposure processing, the amount of light emitted from the light source 22 is reduced (FIG. 13).
(Refer to FIG. 13A), although the shape of the plating resist 103 does not have a skirted shape, the shape of the plating resist 103 may be an undercut shape (see FIG. 13B). In this case, the electroplating layer 113 formed in the plating resist non-formed portion 19 has a trapezoidal shape with a widened bottom (see FIG. 13C).
When the conductor circuit 105 composed of the electroplating layer 113 and the thin film conductor layer 112 is formed by peeling off and etching the thin film conductor layer 112, the cross-sectional shape of the conductor circuit 105 becomes a trapezoidal shape with an expanded bottom. (Fig. 13
(D)). For this reason, there has been a problem that the interval between the bottoms of the adjacent conductor circuits is reduced, and a short circuit is likely to occur between the adjacent conductor circuits. In particular, L / S = 35/3
The problem described above is likely to occur between conductor circuits having a small width such as 5. Note that the L / S is a ratio between the width of the conductor wiring and the distance between the conductor wirings, and is simply referred to as L / S in this specification.
【0010】さらに、上記薄膜導体層は、その表面の一
部が酸化されている等により変性している場合があり、
この場合、薄膜導体層表面の物性は均一ではなく、その
ため、薄膜導体層上に直接感光性ドライフィルムを貼り
付けた際に、該感光性ドライフィルムに膨れ等が発生し
易かった。そのため、めっきレジストを形成した際に、
この膨れに起因して該めっきレジストの表面が波状とな
って、その底部に空隙が形成される場合があり、この
後、電気めっき等を施すことにより形成する導体回路
は、この空隙部分にも形成されてしまうため、底部が広
がった形状となることがあった。このような形状の導体
回路では、多層プリント配線板のインピーダンスの整合
が図りにくく、信号遅延や信号エラーが発生することが
あった。Further, the above-mentioned thin film conductor layer may be denatured due to oxidation of a part of its surface.
In this case, the physical properties of the surface of the thin film conductor layer are not uniform. Therefore, when the photosensitive dry film is directly adhered on the thin film conductor layer, swelling or the like is easily generated in the photosensitive dry film. Therefore, when forming the plating resist,
Due to this swelling, the surface of the plating resist may be wavy, and a gap may be formed at the bottom, and thereafter, a conductor circuit formed by performing electroplating or the like may have a gap in the gap. Because of the formation, the bottom may have a widened shape. In the conductor circuit having such a shape, it is difficult to match the impedance of the multilayer printed wiring board, and a signal delay or a signal error may occur.
【0011】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、アンダーカット
がなく、表面が平坦なめっきレジストを形成することが
できるため、隣接する導体回路間で短絡の発生するおそ
れがなく、信号遅延や信号エラーが発生せず、導体回路
と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性が充
分であり、ヒートサイクル条件下や高温高湿下におい
て、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが
発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼
性に優れる多層プリント配線板を製造する方法を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a plating resist having no undercut and having a flat surface, so that an adjacent conductor circuit can be formed. There is no danger of short circuit between them, no signal delay or signal error occurs, the adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer or solder resist layer is sufficient, and under heat cycle conditions or high temperature and high humidity It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board which is less likely to crack in an interlayer resin insulating layer or a solder resist layer and which is less likely to cause peeling of a conductor circuit and has excellent connection reliability.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
の実現に向け鋭意研究した結果、薄膜導体層上に被覆層
を形成することにより、露光時に発生する薄膜導体層の
表面での光の反射を防止することができ、膨れ等のない
めっきレジストを形成できることを見いだし、以下に示
す内容を要旨構成とする本発明に想到した。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies for realizing the above object, and as a result, by forming a coating layer on a thin film conductor layer, the surface of the thin film conductor layer generated at the time of exposure is formed. It has been found that the reflection of light can be prevented and a plating resist without swelling or the like can be formed.
【0013】すなわち、本発明の多層プリント配線板の
製造方法は、1)薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層
上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程、2)上記感
光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことにより
めっきレジストを形成する工程、および、3)めっきレジ
スト非形成部に導体回路を形成する工程を含む多層プリ
ント配線板の製造方法であって、上記1)の工程におい
て、上記薄膜導体層上に被覆層を形成した後、感光性ド
ライフィルムを貼り付けることを特徴とする。That is, the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention comprises the following steps: 1) a step of attaching a photosensitive dry film on an interlayer resin insulating layer having a thin-film conductor layer formed thereon; 2) exposing the photosensitive dry film to light. A step of forming a plating resist by performing a development process, and 3) a method of manufacturing a multilayer printed wiring board including a step of forming a conductor circuit in a plating resist non-formed portion, wherein in the step of 1), After forming the coating layer on the thin film conductor layer, a photosensitive dry film is attached.
【0014】上記多層プリント配線板の製造方法におい
て、上記被覆膜としては、酸化膜が望ましい。In the above method for manufacturing a multilayer printed wiring board, the coating film is preferably an oxide film.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板の製
造方法は、1)薄膜導体層が形成された層間樹脂絶縁層上
に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程、2)上記感光
性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことによりめ
っきレジストを形成する工程、および、3)めっきレジス
ト非形成部に導体回路を形成する工程を含む多層プリン
ト配線板の製造方法であって、上記1)の工程において、
上記薄膜導体層上に被覆層を形成した後、感光性ドライ
フィルムを貼り付けることを特徴とする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention comprises the following steps: 1) a step of attaching a photosensitive dry film on an interlayer resin insulating layer having a thin-film conductor layer formed thereon; Exposing, developing a plating resist by performing a developing process, and 3) a method of manufacturing a multilayer printed wiring board including a step of forming a conductive circuit in a plating resist non-formed portion, wherein the step of 1) At
After forming the coating layer on the thin film conductor layer, a photosensitive dry film is attached.
【0016】このような本発明の多層プリント配線板の
製造方法によれば、薄膜導体層上に被覆層を形成した
後、感光性ドライフィルムを貼り付け、露光、現像処理
を施すため、めっきレジストの形状がアンダーカット形
状にならない充分な光量で露光処理を施しても、薄膜導
体層の表面で光が反射せず、めっきレジストの形状が裾
引き形状になることがなく、所望の形状のめっきレジス
トを形成することができる。According to such a method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, after forming a coating layer on a thin film conductor layer, a photosensitive dry film is attached, and exposure and development are performed. Even if exposure processing is performed with a sufficient amount of light so that the shape of the thin film conductor layer does not become an undercut shape, light does not reflect on the surface of the thin film conductor layer, and the shape of the plating resist does not become a tailed shape, and plating of a desired shape is performed. A resist can be formed.
【0017】そのため、めっきレジストを形成した後、
めっきレジスト非形成部に導体回路を形成すると、その
断面が矩形状の導体回路を形成することができ、導体回
路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性を
充分に確保することができ、ヒートサイクル条件下や高
温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト
層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生し
にくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造す
ることができる。Therefore, after forming a plating resist,
When a conductor circuit is formed in the plating resist non-formed portion, a conductor circuit having a rectangular cross section can be formed, and sufficient adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulating layer or the solder resist layer can be secured. It is possible to manufacture a multilayer printed wiring board having excellent connection reliability in which cracks are less likely to occur in the interlayer resin insulation layer and the solder resist layer under heat cycle conditions and high temperature and high humidity, and peeling of the conductor circuit is less likely to occur. .
【0018】また、薄膜導体層の表面の一部が酸化され
ていること等により、該薄膜導体層表面の物性が均一で
ない場合であっても、薄膜導体層表面に均一な物性を有
する被覆層が形成されているため、薄膜導体層上に感光
性ドライフィルムを貼り付けた際に、該感光性ドライフ
ィルムに膨れ等が発生することがない。そのため、めっ
きレジストを形成した際に、該めっきレジストの表面が
平坦となり、電気めっき等を施すことにより形成する導
体回路の断面が矩形状となり、信号遅延や信号エラーの
発生を防止することができる。In addition, even when the physical properties of the surface of the thin-film conductor layer are not uniform due to the oxidation of a part of the surface of the thin-film conductor layer, a coating layer having uniform physical properties on the surface of the thin-film conductor layer. Is formed, when the photosensitive dry film is stuck on the thin-film conductor layer, the photosensitive dry film does not swell. Therefore, when the plating resist is formed, the surface of the plating resist becomes flat, and the cross section of the conductor circuit formed by performing electroplating or the like becomes rectangular, so that occurrence of signal delay and signal error can be prevented. .
【0019】本発明の製造方法では、薄膜導体層が形成
された層間樹脂絶縁層上に感光性ドライフィルムを貼り
付ける工程において、上記薄膜導体層上に被覆層を形成
した後、感光性ドライフィルムを貼り付ける。In the manufacturing method of the present invention, in the step of sticking a photosensitive dry film on the interlayer resin insulating layer on which the thin film conductor layer is formed, after forming the coating layer on the thin film conductor layer, Paste.
【0020】上記被覆層としては、薄膜導体層表面の光
沢度を低下させ、露光処理時に光の乱反射を防止するこ
とができるものであれば特に限定されず、例えば、金
属、薬剤、フィルム等からなるものが挙げられる。ま
た、薄膜導体層表面に黒化−還元処理を施すことにより
形成される酸化膜等の化学処理を施すことにより形成さ
れるものでもよい。The coating layer is not particularly limited as long as it can reduce the glossiness of the surface of the thin film conductor layer and prevent irregular reflection of light during the exposure treatment. What is. Further, it may be formed by subjecting the surface of the thin film conductor layer to a chemical treatment such as an oxide film formed by performing a blackening-reducing treatment.
【0021】上記金属としては、Sn、Pdが望まし
い。これらの金属は、電気めっき時に用いる前処理液
や、薄膜導体層を除去する際に用いるエッチング液によ
り、除去することができるからである。これらの金属か
らなる被覆層を形成する方法としては、例えば、めっ
き、蒸着等の方法が挙げられる。As the metal, Sn and Pd are desirable. This is because these metals can be removed by a pretreatment liquid used for electroplating or an etching liquid used for removing the thin film conductor layer. Examples of a method for forming a coating layer made of these metals include methods such as plating and vapor deposition.
【0022】上記薬剤としては、例えば、シリコーン樹
脂塗料、艶消し用コーティング剤、トリチオール系防錆
剤等が挙げられる。上記フィルムとしては、例えば、上
記艶消し用コーティング剤を硬化させフィルム状に成形
したもの等が挙げられる。Examples of the above agents include silicone resin paints, matting coating agents, trithiol-based rust preventives and the like. Examples of the film include those obtained by curing the matting coating agent and forming the film into a film shape.
【0023】これらのなかでは、酸やアルカリにより溶
解除去できるものが望ましく、めっきレジスト形成時に
用いる現像液や硫酸により溶解除去することができるも
のがより望ましい。具体的には、黒化−還元処理を施す
ことにより形成される酸化膜が望ましい。これは、現像
液や硫酸により溶解除去することができるうえ、簡単
に、物性の均一な被覆層を形成できるからである。Among these, those which can be dissolved and removed with an acid or alkali are desirable, and those which can be dissolved and removed with a developing solution or sulfuric acid used for forming a plating resist are more desirable. Specifically, an oxide film formed by performing a blackening-reducing treatment is desirable. This is because it can be dissolved and removed with a developing solution or sulfuric acid and a coating layer having uniform physical properties can be easily formed.
【0024】上記被覆層は電気めっき等を行うことによ
り導体回路を形成する前に除去しておくことが望まし
い。これは、被覆層を除去することにより、薄膜導体層
と被覆層と電気めっき層との電気特性の違いに起因する
接続信頼性の低下を回避することができ、特に、ヒート
サイクル条件下における接続信頼性の低下を回避するこ
とができるからである。また、電気めっきにより導体回
路を形成する場合には、めっきリードが必要であるた
め、上記被覆層を絶縁性材料で形成した場合には、電気
めっきを行う前に、被覆層を除去しておく必要がある。It is desirable that the coating layer is removed before forming a conductor circuit by performing electroplating or the like. This is because by removing the coating layer, it is possible to avoid a decrease in connection reliability due to a difference in electrical characteristics between the thin film conductor layer, the coating layer, and the electroplated layer. This is because a decrease in reliability can be avoided. Further, when a conductor circuit is formed by electroplating, a plating lead is necessary. Therefore, when the covering layer is formed of an insulating material, the covering layer is removed before performing the electroplating. There is a need.
【0025】上記被覆層を除去する方法としては、例え
ば、上述した現像液や硫酸による除去以外に、例えば、
塩酸、硝酸等を用いて除去する方法等が挙げられる。こ
れらのなかでは、現像液や硫酸による除去が望ましい。
これは、銅からなる薄膜導体層の上に形成されている被
覆層を溶解除去する場合に、銅のスマットが発生するお
それがないからである。As a method for removing the coating layer, for example, in addition to the above-described removal with a developer or sulfuric acid, for example,
A method of removing using hydrochloric acid, nitric acid, or the like can be given. Of these, removal with a developer or sulfuric acid is desirable.
This is because when the coating layer formed on the thin film conductor layer made of copper is dissolved and removed, there is no possibility that copper smut is generated.
【0026】上記被覆層の厚さとしては特に限定され
ず、露光処理時に薄膜導体層表面での光の乱反射が起こ
らず、現像処理時または現像処理終了後に溶解除去し易
い厚さを適宜選択すれば良い。通常、0.01〜0.5
μmが望ましい。The thickness of the coating layer is not particularly limited, and a thickness that does not cause irregular reflection of light on the surface of the thin film conductor layer during the exposure processing and is easily dissolved and removed at the time of the development processing or after the development processing is appropriately selected. Good. Usually 0.01 to 0.5
μm is desirable.
【0027】図1(a)〜(b)は、本発明の製造方法
に用いた多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断
面図である。このような本発明の多層プリント配線板の
製造方法では、図1に示すように、薄膜導体層112上
に、被覆層23を形成し、さらにその上に感光性ドライ
フィルム18を貼り付けているため、露光処理を施す際
に、光源22からめっきレジスト103の形状がアンダ
ーカット形状にならない充分な光量の光を照射しても、
照射した光は、薄膜導体層112表面で反射しない(図
1(a)参照)。そのため、続いて、現像処理を施すこ
とにより、アンダーカット形状でも、裾引き形状でもな
いめっきレジスト103を形成することができる(図1
(b)参照)。従って、この後、電気めっきを施すと、
薄膜導体層との密着性に優れ、断面が矩形状の電気めっ
き層113を形成することができ(図1(c)参照)、
さらに、めっきレジスト103を剥離し、エッチング処
理により薄膜導体層を除去することにより、隣接する導
体回路間で短絡の発生するおそれがなく、層間樹脂絶縁
層やソルダーレジスト層との密着性に優れる導体回路1
05を形成することができる(図1(d)参照)。FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board used in the manufacturing method of the present invention. In such a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, as shown in FIG. 1, the coating layer 23 is formed on the thin-film conductor layer 112, and the photosensitive dry film 18 is further adhered thereon. Therefore, when performing the exposure process, even if the light source 22 irradiates a sufficient amount of light so that the shape of the plating resist 103 does not become an undercut shape,
The irradiated light does not reflect on the surface of the thin-film conductor layer 112 (see FIG. 1A). Therefore, by subsequently performing the developing process, the plating resist 103 having neither the undercut shape nor the skirted shape can be formed (FIG. 1).
(B)). Therefore, after this, when electroplating is performed,
The electroplating layer 113 having excellent adhesion to the thin film conductor layer and having a rectangular cross section can be formed (see FIG. 1C).
Furthermore, by removing the plating resist 103 and removing the thin film conductor layer by etching, there is no possibility that a short circuit will occur between adjacent conductor circuits, and the conductor having excellent adhesion to the interlayer resin insulating layer and the solder resist layer Circuit 1
05 can be formed (see FIG. 1D).
【0028】また、図1に示すように、現像処理時にめ
っきレジスト非形成部19に存在する被覆層を除去した
場合には、より接続信頼性に優れる導体回路105を形
成することができる。As shown in FIG. 1, when the coating layer existing in the plating resist non-formed portion 19 is removed at the time of the developing process, the conductor circuit 105 having more excellent connection reliability can be formed.
【0029】次に、このような本発明の多層プリント配
線板の製造方法について、工程順に簡単に説明する。Next, a method for manufacturing such a multilayer printed wiring board of the present invention will be briefly described in the order of steps.
【0030】(1) まず、樹脂基板の表面に下層導体回路
を有する配線基板を作製する。樹脂基板としては、無機
繊維を有する樹脂基板が望ましく、具体的には、例え
ば、ガラス布エポキシ基板、ガラス布ポリイミド基板、
ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、ガラス
布フッ素樹脂基板等が挙げられる。また、上記樹脂基板
の両面に銅箔を貼った銅張積層板を用いてもよい。(1) First, a wiring board having a lower conductive circuit on the surface of a resin substrate is manufactured. As the resin substrate, a resin substrate having inorganic fibers is desirable, specifically, for example, a glass cloth epoxy substrate, a glass cloth polyimide substrate,
A glass cloth bismaleimide-triazine resin substrate, a glass cloth fluororesin substrate, and the like can be given. Further, a copper-clad laminate in which copper foil is stuck on both surfaces of the resin substrate may be used.
【0031】通常、この樹脂基板にドリルで貫通孔を設
け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施
してスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅
めっきが好ましい。さらに、銅箔の厚付けのために電気
めっきを行ってもよい。この電気めっきとしては銅めっ
きが好ましい。この後、スルーホール内壁等に粗化処理
を施し、スルーホールを樹脂ペースト等で充填し、その
表面を覆う導電層を無電解めっきもしくは電気めっきに
て形成してもよい。Normally, a through hole is formed in the resin substrate by a drill, and a through hole is formed by applying electroless plating to the wall surface of the through hole and the surface of the copper foil. Copper plating is preferred as the electroless plating. Further, electroplating may be performed for thickening the copper foil. Copper plating is preferred as the electroplating. Thereafter, the inner wall of the through-hole may be subjected to a roughening treatment, the through-hole may be filled with a resin paste or the like, and the conductive layer covering the surface may be formed by electroless plating or electroplating.
【0032】上記粗化処理の方法としては、例えば、黒
化(酸化)−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶
液によるスプレー処理、Cu−Ni−P針状合金めっき
による処理等が挙げられる。上記工程を経て、基板上の
全面に形成された銅のベタパターン上にフォトリソグラ
フィーの手法を用いてエッチングレジストを形成し、続
いて、エッチングを行うことにより、下層導体回路を形
成する。この後、必要に応じて、導体回路の形成によ
り、エッチングされ、凹部となった部分に樹脂等を充填
してもよい。Examples of the method of the roughening treatment include blackening (oxidation) -reduction treatment, spray treatment with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, and treatment with Cu-Ni-P needle-like alloy plating. No. Through the above steps, an etching resist is formed on the solid copper pattern formed on the entire surface of the substrate by using a photolithography technique, and then etching is performed to form a lower conductive circuit. Thereafter, if necessary, a resin or the like may be filled in the recessed portion formed by the formation of the conductor circuit.
【0033】(2) 次に、形成された下層導体回路に、必
要により粗化処理を施す。粗化処理の方法としては、上
記した方法、すなわち、黒化(酸化)−還元処理、有機
酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Cu
−Ni−P針状合金めっきによる処理等が挙げられる。
また、下層導体回路に粗化処理を施さず、下層導体回路
が形成された基板を樹脂成分を溶解した溶液に浸漬する
ことにより、下層導体回路の表面に樹脂からなる層を形
成し、その上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性を確
保してもよい。(2) Next, the formed lower conductor circuit is subjected to a roughening treatment if necessary. As the method of the roughening treatment, the above-mentioned methods, that is, blackening (oxidation) -reduction treatment, spray treatment with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, Cu
-Ni-P needle-like alloy plating.
In addition, without subjecting the lower conductor circuit to a roughening treatment, the substrate on which the lower conductor circuit is formed is immersed in a solution in which a resin component is dissolved to form a resin layer on the surface of the lower conductor circuit. The adhesion to the interlayer resin insulating layer formed on the substrate may be ensured.
【0034】(3) 次に、上記(2) で作製した下層導体回
路を有する配線基板の両面に、層間樹脂絶縁層を形成す
る。上記層間樹脂絶縁層の材料としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹
脂またはこれらの複合樹脂を使用することができる。層
間樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂を塗布して形成してもよ
く、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成して
もよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔な
どの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよ
い。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイア
ホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ光
を照射して開口を設ける。金属層が形成された樹脂フィ
ルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用することができ
る。(3) Next, an interlayer resin insulating layer is formed on both surfaces of the wiring board having the lower conductive circuit manufactured in the above (2). As a material for the interlayer resin insulating layer, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a resin obtained by sensitizing a part of the thermosetting resin, or a composite resin thereof can be used. The interlayer resin insulating layer may be formed by applying an uncured resin, or may be formed by thermocompression bonding an uncured resin film. Further, a resin film in which a metal layer such as a copper foil is formed on one surface of an uncured resin film may be attached. When such a resin film is used, an opening is formed by irradiating a laser beam after etching a metal layer in a via hole forming portion. As the resin film having the metal layer formed thereon, a resin-coated copper foil or the like can be used.
【0035】これらの層間樹脂絶縁層を形成する材料の
具体例としては、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリ
フェニレン系樹脂(PPE、PPO等)、フッ素系樹脂
等が挙げられる。上記ポリオレフィン系樹脂としては、
例えば、上記ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソ
ブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、2−ノル
ボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネン、これら
の樹脂の共重合体等が挙げられ、上記フッ素系樹脂とし
ては、例えば、エチル/テトラフルオロエチレン共重合
樹脂(ETFE)、ポリクロロトリフルオロエチレン
(PCTFE)等が挙げられる。Specific examples of the material for forming these interlayer resin insulating layers include polyolefin resins, polyphenylene resins (PPE, PPO, etc.), and fluorine resins. As the polyolefin resin,
For example, the above-mentioned polyethylene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, 2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, copolymers of these resins, and the like can be mentioned. Examples include tetrafluoroethylene copolymer resin (ETFE) and polychlorotrifluoroethylene (PCTFE).
【0036】また、上記材料以外に、例えば、無電解め
っき用接着剤層も使用することができる。この無電解め
っき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可
溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の
未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適であ
る。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子
が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる
粗化面を形成できるからである。In addition to the above materials, for example, an adhesive layer for electroless plating can also be used. The most suitable adhesive for electroless plating is one in which heat-resistant resin particles soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin hardly soluble in an acid or oxidizing agent. is there. By treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus pot-shaped anchor can be formed on the surface.
【0037】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された上記耐熱性樹脂粒子としては、(a) 平均
粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、(b) 平均粒径が
2μm以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、
(c) 平均粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒
径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(d) 平均
粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径
が2μm以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれ
か少なくとも1種を付着させてなる疑似粒子、(e)平均
粒径が0.1〜0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均
粒径が0.8μmを超え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末
との混合物、(f) 平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱
性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、よ
り複雑なアンカーを形成することができるからである。In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles particularly subjected to the curing treatment include (a) a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and (b) a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less. Aggregated particles obtained by aggregating heat-resistant resin powder,
(c) a mixture of a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less, (d) an average particle diameter on the surface of the heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having a particle size of 2 μm or less, and (e) a heat-resistant powder resin powder having an average particle size of 0.1 to 0.8 μm and an average particle It is desirable to use a mixture with a heat-resistant resin powder having a diameter of more than 0.8 μm and less than 2 μm, and (f) a heat-resistant powder resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 1.0 μm. This is because these can form a more complicated anchor.
【0038】上記酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」または「感光性樹脂および熱可塑性樹脂
からなる樹脂複合体」などが望ましい。前者については
耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用開口をフ
ォトリソグラフィーにより形成できるからである。Examples of the heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent include a “resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” and a “resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin”. desirable. This is because the former has high heat resistance, and the latter can form a via hole opening by photolithography.
【0039】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用
することができる。また、感光化した樹脂としては、メ
タクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反
応させたものが挙げられる。特にエポキシ樹脂をアクリ
レート化したものが最適である。エポキシ樹脂として
は、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。As the thermosetting resin, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. Examples of the photosensitized resin include those obtained by subjecting a thermosetting group to methacrylic acid or acrylic acid to undergo an acrylation reaction. In particular, an acrylated epoxy resin is most suitable. As the epoxy resin, a novolak type epoxy resin such as a phenol novolak type and a cresol novolak type, and an alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene can be used.
【0040】熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエー
テルスルフォン(PES)、ポリスルフォン(PS
F)、ポリフェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェ
ニレンサルファイド(PPES)、ポリフェニルエーテ
ル(PPE)、ポリエーテルイミド(PI)、フッ素樹
脂などを使用することができる。熱硬化性樹脂(感光性
樹脂)と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂(感
光性樹脂)/熱可塑性樹脂=95/5〜50/50が望
ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保で
きるからである。As the thermoplastic resin, for example, polyether sulfone (PES), polysulfone (PS
F), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PPE), polyetherimide (PI), a fluororesin, or the like can be used. The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is preferably thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95/5 to 50/50. This is because a high toughness value can be secured without impairing the heat resistance.
【0041】上記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%が
望ましく、10〜40重量%がさらに望ましい。耐熱性
樹脂粒子は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グ
アナミン樹脂)、エポキシ樹脂などが望ましい。The mixing ratio by weight of the heat-resistant resin particles is preferably from 5 to 50% by weight, more preferably from 10 to 40% by weight, based on the solid content of the heat-resistant resin matrix. As the heat-resistant resin particles, an amino resin (a melamine resin, a urea resin, a guanamine resin), an epoxy resin or the like is desirable.
【0042】(4) 次に、層間樹脂絶縁層を硬化する一方
で、その層間樹脂絶縁層に露光および現像処理、もしく
は、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口を
形成する。層間樹脂絶縁層の開口は、無電解めっき用接
着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂、ポリオレフィン
系樹脂、シクロオレフィン系樹脂等の場合は、レーザー
光や酸素プラズマ等を用いて行い、感光性樹脂である場
合には、露光現像処理にて行う。なお、露光現像処理
は、バイアホール用開口形成のための円パターンが描画
されたフォトマスク(ガラス基板がよい)を、円パター
ン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置し
た後、露光し、現像処理液に浸漬するか、現像処理液を
スプレーすることにより行う。充分な凹凸形状の粗化面
を有する導体回路上に形成された層間樹脂絶縁層を硬化
させることにより、導体回路との密着性に優れた層間樹
脂絶縁層を形成することができる。(4) Next, while the interlayer resin insulating layer is cured, the interlayer resin insulating layer is exposed and developed or laser-processed to form a via hole opening. When the resin matrix of the adhesive for electroless plating is a thermosetting resin, a polyolefin-based resin, a cycloolefin-based resin, or the like, the opening of the interlayer resin insulating layer is performed using a laser beam, oxygen plasma, or the like. In some cases, exposure and development are performed. In the exposure and development processing, a photomask (a glass substrate is preferable) on which a circular pattern for forming an opening for a via hole is drawn is placed with the circular pattern side in close contact with the photosensitive interlayer resin insulating layer. After that, exposure is performed, and immersion in a developing solution or spraying of the developing solution is performed. By curing the interlayer resin insulating layer formed on the conductor circuit having a roughened surface with a sufficient unevenness, an interlayer resin insulating layer having excellent adhesion to the conductor circuit can be formed.
【0043】上記レーザ光を用いて、バイアホール用開
口を設ける場合、使用するレーザ光としては、例えば、
炭酸ガス(CO2 )レーザ、紫外線レーザ、エキシマレ
ーザ、YAGレーザ等が挙げられる。これらのなかで
は、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが好ま
しい。When an opening for a via hole is provided by using the above laser light, the laser light to be used is, for example,
Examples include a carbon dioxide (CO 2 ) laser, an ultraviolet laser, an excimer laser, and a YAG laser. Of these, excimer lasers and short-pulse carbon dioxide lasers are preferred.
【0044】エキシマレーザは、後述するように、バイ
ヤホール用開口を形成する部分に貫通光が形成されたマ
スク等を用いることにより、一度に多数のバイヤホール
用開口を形成することができ、また、短パルスの炭酸ガ
スレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹
脂に対するダメージが小さいからである。As will be described later, the excimer laser can form a large number of via hole openings at once by using a mask or the like in which through light is formed in a portion where the via hole openings are formed. This is because the short-pulse carbon dioxide laser has less resin residue in the opening and less damage to the resin around the opening.
【0045】また、エキシマレーザのなかでも、ホログ
ラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホ
ログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レン
ズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射
する方式であり、この方式を用いることにより、一度の
照射で層間樹脂絶縁層に多数の開口を効率的に形成する
ことができる。It is desirable to use a hologram type excimer laser among the excimer lasers. The hologram method is a method of irradiating a laser beam to a target object through a hologram, a condensing lens, a laser mask, a transfer lens, and the like. The opening can be formed efficiently.
【0046】また、炭酸ガスレーザを用いる場合、その
パルス間隔は、10-3〜10-10 秒であることが望まし
い。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間
は、10〜500μ秒であることが望ましい。バイアホ
ール用開孔を形成する部分に貫通孔が形成されたマスク
の貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円にするため
に、真円である必要があり、上記貫通孔の径は、0.0
5〜0.4mm程度が望ましい。When a carbon dioxide laser is used, the pulse interval is desirably 10 −3 to 10 −10 seconds. The time for irradiating the laser for forming the opening is preferably 10 to 500 μsec. The through-hole of the mask in which the through-hole is formed in the portion where the opening for via-hole is formed needs to be a perfect circle in order to make the spot shape of the laser beam a perfect circle, and the diameter of the through-hole is 0.0
About 5 to 0.4 mm is desirable.
【0047】レーザ光にて開口を形成した場合、特に炭
酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うこ
とが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マン
ガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うこと
ができる。また、酸素プラズマ、CF4 と酸素の混合プ
ラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水
銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改
質することもできる。When the opening is formed by a laser beam, particularly when a carbon dioxide laser is used, desmearing is preferably performed. The desmear treatment can be performed using an oxidizing agent composed of an aqueous solution such as chromic acid and permanganate. Alternatively, the treatment may be performed using oxygen plasma, a mixed plasma of CF 4 and oxygen, corona discharge, or the like. The surface can also be modified by irradiating ultraviolet rays using a low-pressure mercury lamp.
【0048】(5) 次に、必要により、バイアホール用開
口を設けた層間樹脂絶縁層の表面を粗化する。無電解め
っき用接着剤を用いて層間樹脂絶縁層を形成した場合、
層間樹脂絶縁層の粗化は、無電解めっき用接着剤層の表
面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除
去することにより行う。酸処理等により形成する粗化面
の高さは、Rmax=0.01〜20μmが望ましい。
導体回路との密着性を確保するためである。特にセミア
ディティブ法では、0.1〜5μmが望ましい。密着性
を確保しつつ、金属層を除去することができるからであ
る。(5) Next, if necessary, the surface of the interlayer resin insulating layer provided with the via hole opening is roughened. When an interlayer resin insulation layer is formed using an electroless plating adhesive,
The roughening of the interlayer resin insulating layer is performed by dissolving and removing the heat-resistant resin particles present on the surface of the adhesive layer for electroless plating with an acid or an oxidizing agent. The height of the roughened surface formed by acid treatment or the like is desirably Rmax = 0.01 to 20 μm.
This is for ensuring adhesion to the conductor circuit. In particular, in the semi-additive method, 0.1 to 5 μm is desirable. This is because the metal layer can be removed while ensuring adhesion.
【0049】上記酸処理を行う際には、リン酸、塩酸、
硫酸、または、蟻酸や酢酸などの有機酸を用いることが
でき、特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化形成処理
した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐
食させにくいからである。上記酸化処理は、クロム酸、
過マンガン酸塩(過マンガン酸カリウム等)を用いるこ
とが望ましい。When performing the above acid treatment, phosphoric acid, hydrochloric acid,
Sulfuric acid or an organic acid such as formic acid or acetic acid can be used, and it is particularly preferable to use an organic acid. This is because, when the roughening process is performed, the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded. The oxidation treatment is performed using chromic acid,
It is desirable to use permanganate (such as potassium permanganate).
【0050】(6) 次に、層間樹脂絶縁層およびバイアホ
ールの開口部の表面にCu、Ni、P、Pd、Coおよ
びW等の金属からなる薄膜導体層を形成する。上記薄膜
導体層は単独の金属からなるものであってもよいし、2
種以上の金属からなるものであってもよい。また、上記
薄膜導体層は、1層であってもよいし、2層以上であっ
てもよい。この薄膜導体層の厚さは、0.1〜5μmが
望ましく、0.5〜2μmがより望ましい。また、上記
薄膜導体層は、スパッタリング、めっき、もしくは、ス
パッタリングおよびめっきを行うことにより形成するこ
とが望ましい。特に、スパッタリングにより薄膜導体層
を形成する場合は、その膜厚は0.5〜2μmであるこ
とが望ましい。(6) Next, a thin film conductor layer made of a metal such as Cu, Ni, P, Pd, Co and W is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer and the opening of the via hole. The thin film conductor layer may be composed of a single metal,
It may be made of more than one kind of metal. Further, the thin film conductor layer may be a single layer, or may be two or more layers. The thickness of this thin-film conductor layer is preferably from 0.1 to 5 μm, more preferably from 0.5 to 2 μm. Further, it is desirable that the thin film conductor layer is formed by performing sputtering, plating, or sputtering and plating. In particular, when the thin film conductor layer is formed by sputtering, the thickness is desirably 0.5 to 2 μm.
【0051】(7) 次に、上記薄膜導体層上に、被覆層を
形成する。上記被覆層は、Sn、Pd等の金属をめっき
やスパッタリングしたり、黒化−還元処理により酸化膜
を形成することにより形成する。(7) Next, a coating layer is formed on the thin film conductor layer. The coating layer is formed by plating or sputtering a metal such as Sn or Pd, or by forming an oxide film by a blackening-reduction treatment.
【0052】(8) 続いて、上記(7) で形成した被覆層上
にめっきレジストを形成する。このめっきレジストは、
感光性ドライフィルムを薄膜導体層上にラミネートした
後、露光、現像処理を施すことにより形成される。上記
現像処理時に用いる現像液によって、現像処理と同時に
被覆層を除去することが最も望ましいが、現像液により
被覆層を除去できなかった場合には、硫酸、塩酸、硝酸
等を用いて被覆層を除去することが望ましい。(8) Subsequently, a plating resist is formed on the coating layer formed in the above (7). This plating resist
It is formed by laminating a photosensitive dry film on a thin film conductor layer, and then performing exposure and development treatments. It is most desirable to remove the coating layer at the same time as the developing process by using the developing solution used in the above-described developing process. It is desirable to remove it.
【0053】(9) 次に、層間樹脂絶縁層上に形成した薄
膜導体層または薄膜導体層上の被覆層をめっきリードと
して電気めっきを行い、導体回路を厚付けする。電気め
っき膜の膜厚は、5〜30μmが好ましい。上記電気め
っきとしては、銅めっきを用いることが望ましい。この
時、バイアホール用開口を電気めっきで充填してフィル
ドビア構造としてもよい。(9) Next, electroplating is performed using the thin-film conductor layer formed on the interlayer resin insulating layer or the coating layer on the thin-film conductor layer as a plating lead to thicken the conductor circuit. The thickness of the electroplated film is preferably 5 to 30 μm. It is desirable to use copper plating as the electroplating. At this time, the via hole opening may be filled with electroplating to form a filled via structure.
【0054】(10)電気めっき膜を形成した後、めっきレ
ジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた被
覆層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立
した導体回路とする。エッチング液としては、例えば、
硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過硫酸
ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩水溶液、塩化
第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸等
が挙げられる。また、前述した第二銅錯体と有機酸とを
含有するエッチング液を用いて、導体回路間のエッチン
グと同時に粗化面を形成してもよい。(10) After forming the electroplating film, the plating resist is peeled off, and the coating layer and the thin film conductor layer existing under the plating resist are removed by etching to form an independent conductor circuit. As an etchant, for example,
Sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution, aqueous solution of persulfate such as ammonium persulfate, sodium persulfate and potassium persulfate, aqueous solution of ferric chloride and cupric chloride, hydrochloric acid, nitric acid, hot dilute sulfuric acid and the like. Alternatively, a roughened surface may be formed simultaneously with etching between conductor circuits using an etching solution containing the above-described cupric complex and an organic acid.
【0055】(11)必要により、(3) 〜(9) の工程を繰り
返し、さらに、必要により、最上層の導体回路に上記
(3) の工程と同様の条件で無電解めっきやエッチング等
を施し、最上層の導体回路上に粗化層または粗化面を形
成する。(11) If necessary, repeat the steps (3) to (9).
Electroless plating, etching, or the like is performed under the same conditions as in step (3) to form a roughened layer or a roughened surface on the uppermost conductive circuit.
【0056】次に、最上層の導体回路を含む基板面にロ
ールコータ法等によりソルダーレジスト樹脂組成物を塗
布し、レーザ処理、露光、現像処理等による開口処理を
行い、硬化処理等を行うことにより、ソルダーレジスト
層を形成する。そしてこの後、ソルダーレジスト層の開
口部分に半田バンプを形成することによりプリント配線
板の製造を終了する。Next, a solder resist resin composition is applied to the surface of the substrate including the uppermost conductive circuit by a roll coater method or the like, and an opening process such as a laser process, an exposure process, and a developing process is performed, and a curing process is performed. Thus, a solder resist layer is formed. Then, after this, the manufacture of the printed wiring board is completed by forming solder bumps in the openings of the solder resist layer.
【0057】また、この工程で、製品認識文字などを形
成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質
のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時
行ってもよい。以上の方法は、セミアディティブ法によ
るものであるが、フルアディティブ法を採用してもよ
い。In this step, a plasma treatment with oxygen, carbon tetrachloride, or the like may be performed as needed in order to perform a character printing step for forming product recognition characters or the like or to modify a solder resist layer. Although the above method is based on the semi-additive method, a full additive method may be employed.
【0058】[0058]
【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。The present invention will be described in more detail below.
【0059】(実施例1) A.ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルム
の作製 (i) 500mlのn−ヘプタン中に、スチレン104g
およびブチルリチウム10.8gを溶解させ、70℃で
3時間加熱した。 (ii)上記処理を行った溶液中に、エチレン:ブタジエン
の容量比が3:1の混合ガスを吹き込みながら、70℃
で5時間放置した。Example 1 A. Preparation of resin film made of polyolefin resin composition (i) 104 g of styrene in 500 ml of n-heptane
And 10.8 g of butyllithium were dissolved and heated at 70 ° C. for 3 hours. (ii) 70 ° C. while blowing a mixed gas having a volume ratio of ethylene: butadiene of 3: 1 into the solution subjected to the above treatment.
For 5 hours.
【0060】(iii) この後、さらにI2 を添加し、10
0℃で1時間放置することにより、n−ヘプタンを除去
した。 (iv) 残った生成物をアセトンにて洗浄し、未反応物お
よびLiIを除去した。その後、粒径が0.1μmで球
状のメラニンと粒径が0.05μmの球状のメラニンを
2:1の割合で配合し、凝集せずに分散するように混合
した。(Iii) Thereafter, I 2 was further added, and 10
The n-heptane was removed by leaving at 0 ° C. for 1 hour. (iv) The remaining product was washed with acetone to remove unreacted substances and LiI. Thereafter, spherical melanin having a particle size of 0.1 μm and spherical melanin having a particle size of 0.05 μm were mixed at a ratio of 2: 1 and mixed so as to be dispersed without aggregation.
【0061】(v) (iv)の工程で得られた混合物のうち、
50gを再度500mlのn−ヘプタンに溶解させ、さ
らに1gの過酸化ベンゾイルを溶かした後、この溶液を
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に薄く広げ、こ
のフィルム状物を50℃まで加熱した後、さらに1℃/
分でゆっくりと加熱し、100℃に達した後、30分放
置することにより溶剤を除去した。このようにして、4
0μmの厚さの半硬化状態のポリオレフィンオリゴマー
からなる樹脂フィルムが得られた。(V) Of the mixture obtained in the step (iv),
After dissolving 50 g again in 500 ml of n-heptane and further dissolving 1 g of benzoyl peroxide, the solution was spread thinly on a polyethylene terephthalate film, and the film was heated to 50 ° C. and further heated at 1 ° C. /
After slowly heating for 100 minutes and reaching 100 ° C., the solvent was removed by allowing to stand for 30 minutes. Thus, 4
A resin film made of a semi-cured polyolefin oligomer having a thickness of 0 μm was obtained.
【0062】B.樹脂充填材の調製 (i) ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
社製、分子量:310、YL983U)100重量部、
表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均
粒径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下の
SiO2 球状粒子(アドマテックス社製、CRS 11
01−CE)170重量部およびレベリング剤(サンノ
プコ社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にと
り、攪拌混合することにより、その粘度が23±1℃で
40〜50Pa・sの樹脂充填材を調製した。なお、硬
化剤として、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E
4MZ−CN)6.5重量部を用いた。B. Preparation of resin filler (i) 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U),
SiO 2 spherical particles having an average particle diameter of 1.6 μm and a maximum particle diameter of 15 μm or less (manufactured by Admatechs, CRS 11)
01-CE) 170 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco) are placed in a container and mixed by stirring to obtain a resin filler having a viscosity of 23 ± 1 ° C. and 40 to 50 Pa · s. Prepared. As a curing agent, an imidazole curing agent (2E, manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
4MZ-CN) 6.5 parts by weight.
【0063】C.プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビス
マレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に1
8μmの銅箔8がラミネートされている銅張積層板を出
発材料とした(図2(a)参照)。まず、この銅張積層
板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン
状にエッチングすることにより、基板1の両面に下層導
体回路4とスルーホール9を形成した。C. Manufacturing method of printed wiring board (1) 1 mm thick glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin
A copper-clad laminate on which an 8 μm copper foil 8 was laminated was used as a starting material (see FIG. 2A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.
【0064】(2) スルーホール9および下層導体回路4
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(1
0g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO
4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする
黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH
4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全表
面に粗化面4a、9aを形成した(図2(b)参照)。(2) Through-hole 9 and lower conductor circuit 4
After the substrate on which was formed was washed with water and dried, NaOH (1
0 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO
4 A blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), NaBH
4 A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reducing bath, and roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 2 (b)). .
【0065】(3) 上記Bに記載した樹脂充填材を調製し
た後、下記の方法により調製後24時間以内にスルホー
ル9内、および、基板1の片面の導体回路非成形部と導
体回路4の外縁部とに樹脂充填材10の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹
脂充填材を押しこんだ後、100℃、20分の条件で乾
燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開
口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて、凹
部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材10の層
を形成し、100℃、20分の条件で乾燥させた(図2
(c)参照)。(3) After preparing the resin filler described in the above B, within 24 hours after the preparation by the following method, the inside of the through hole 9 and the conductive circuit non-molded portion on one side of the substrate 1 and the conductive circuit 4 A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge.
That is, first, the resin filler was pressed into the through holes using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the concave conductive circuit non-forming portion using a squeegee, It was dried at 100 ° C. for 20 minutes (FIG. 2).
(C)).
【0066】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、#600のベルト研磨紙(三共理化学社製)を用い
たベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成さ
れた樹脂充填材10の層や導体回路非形成部に形成され
た樹脂充填材10の層の上部を研磨し、ついで、上記ベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を
行った。このような一連の研磨を基板の他方の面につい
ても同様に行った。なお、必要に応じて、研摩の前後に
エッチングを行い、スルーホール9のランド9aおよび
下層導体回路4に形成された粗化面4aを平坦化しても
よい。この後、100℃で1時間、150℃で1時間の
加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。(4) One side of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to fill the resin formed on the outer edge of the conductor circuit. The upper portion of the layer of the material 10 and the layer of the resin filler 10 formed on the portion where the conductive circuit was not formed were polished, and then buffing was performed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. If necessary, the lands 9a of the through holes 9 and the roughened surface 4a formed in the lower conductor circuit 4 may be planarized by etching before and after polishing. Thereafter, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to completely cure the resin filler layer.
【0067】このようにして、スルーホール9や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材10の表層部および
下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材10と下
層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材10
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
(図2(d)参照)。In this way, the surface portion of the resin filler 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surface of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 2D).
【0068】(5) 次に、上記(4) の処理を終えた基板の
両面に、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチン
グ液をスプレーで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体
回路4の表面とスルーホール9のランド表面とをエッチ
ングすることにより、下層導体回路4の全表面に粗化面
4a、9aを形成した(図3(a)参照)。(5) Next, the same etching solution as that used in the above (2) is sprayed on both surfaces of the substrate after the treatment in the above (4) to spray the lower conductor circuit once flattened. By etching the surface of the lower conductor circuit 4 and the land surface of the through-hole 9, roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductive circuit 4 (see FIG. 3A).
【0069】(6) 次に、基板の両面に、上記Aにおいて
作製した厚さ40μmのポリオレフィン系樹脂組成物か
らなるフィルムを温度160℃、圧力10kg/cm2
で圧着、積層し、上記ポリオレフィン系樹脂組成物から
なる層間樹脂絶縁層2を形成した(図3(b)参照)。
形成された層間樹脂絶縁層の厚さは、30μmであっ
た。(6) Next, the film made of the polyolefin resin composition having a thickness of 40 μm prepared in the above A was applied to both surfaces of the substrate at a temperature of 160 ° C. and a pressure of 10 kg / cm 2.
To form an interlayer resin insulating layer 2 made of the polyolefin resin composition (see FIG. 3B).
The thickness of the formed interlayer resin insulating layer was 30 μm.
【0070】(7) 次に、波長0.248μmのエキシマ
レーザにて、ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間
樹脂絶縁層2に直径80μmのバイアホール用開口6を
設けた(図3(c)参照)。この後、酸素プラズマを用
いてデスミア処理を行った。(7) Next, a via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was formed in the interlayer resin insulating layer 2 made of a polyolefin resin composition by an excimer laser having a wavelength of 0.248 μm (see FIG. 3C). ). Thereafter, a desmear treatment was performed using oxygen plasma.
【0071】(8) 次に、日本真空技術株式会社製のSV
−4540を用い、Niをターゲットにしたスパッタリ
ングを、気圧0.6Pa、温度80℃、電力200W、
時間5分間の条件で行い、Ni金属層12aを層間樹脂
絶縁層2の表面に形成した(図3(d)参照)。このと
き、形成されたNi金属層12aの厚さは0.1μmで
あった。(8) Next, SV manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.
Using −4540, sputtering with Ni as the target was performed at a pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C., a power of 200 W,
This was performed under the conditions of a time of 5 minutes to form the Ni metal layer 12a on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 (see FIG. 3D). At this time, the thickness of the formed Ni metal layer 12a was 0.1 μm.
【0072】(9) 次に、上記SV−4540を用いて、
Cuをターゲットにしたスパッタリングを、気圧0.8
Pa、温度80℃、電力4500W、時間2分間の条件
で行い、Ni金属層12aの表面に厚さ0.2μmのC
u金属層12bを形成した。(図4(a)参照)。(9) Next, using the above SV-4540,
Sputtering with Cu as the target is performed at a pressure of 0.8
Pa, temperature 80 ° C., power 4500 W, time 2 minutes, and a 0.2 μm thick C
The u metal layer 12b was formed. (See FIG. 4A).
【0073】(10) 続いて、Cu金属層12bに以下の
方法を用いて黒化−還元処理を施すことにより、Cu金
属層12bの表面に厚さ0.1μmの酸化膜(図示せ
ず)を形成した。すなわち、NaOH(10g/l)、
NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/
l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、
および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/
l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、Cu
金属層12bの表面に酸化膜を形成した。(10) Subsequently, a 0.1 μm-thick oxide film (not shown) is formed on the surface of the Cu metal layer 12 b by subjecting the Cu metal layer 12 b to a blackening-reduction treatment using the following method. Was formed. That is, NaOH (10 g / l),
NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l)
a blackening treatment using an aqueous solution containing l) as a blackening bath (oxidizing bath);
And NaOH (10 g / l), NaBH 4 (6 g / l
l) is subjected to a reduction treatment using an aqueous solution containing
An oxide film was formed on the surface of the metal layer 12b.
【0074】(11)市販の感光性ドライフィルムを酸化膜
の表面に貼り付け、マスクを載置して、100mJ/c
m2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処
理を行うことより、厚さ15μmのめっきレジスト3を
設けた(図4(b)参照)。また、この現像処理の後、
10体積%の硫酸溶液を用いた酸処理を行うことによ
り、上記(10) で形成した酸化膜のうちめっきレジスト
非形成部の酸化膜を溶解除去した。(11) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the surface of the oxide film, a mask is placed thereon, and 100 mJ / c
Exposure was performed with m 2 , and a development treatment was performed with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 3 having a thickness of 15 μm (see FIG. 4B). After this development process,
By performing an acid treatment using a 10% by volume sulfuric acid solution, the oxide film in the plating resist non-formed portion of the oxide film formed in the above (10) was dissolved and removed.
【0075】(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条
件で電気銅めっきを施し、厚さ15μmの電気銅めっき
膜13を形成した(図4(c)参照)。 〔電気めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電気めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃(12) Next, the copper-free copper plating film 13 having a thickness of 15 μm was formed on the resist non-formed portion under the following conditions (see FIG. 4C). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃
【0076】(13)さらにめっきレジストを5%KOH水
溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の酸化膜
および無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエ
ッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路5
(バイアホール7を含む)とした(図4(d)参照)。(13) After the plating resist is peeled off with a 5% KOH aqueous solution, the oxide film and the electroless plating film under the plating resist are dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Independent upper layer conductor circuit 5
(Including the via hole 7) (see FIG. 4D).
【0077】(14)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を繰り
返すことにより、さらに上層の導体回路を形成した(図
5(a)〜図6(a)参照)。さらに、上記した工程
(5) で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用い
て、導体回路(バイアホール7を含む)5の表面をエッ
チングすることにより導体回路(バイアホール7を含
む)5の表面に粗化面を形成した(図6(b)参照)。(14) Subsequently, the above steps (5) to (13) were repeated to form a further upper layer conductor circuit (see FIGS. 5A to 6A). In addition, the steps described above
The surface of the conductor circuit (including the via hole 7) 5 is etched by using the same etching solution as that used in (5) to roughen the surface of the conductor circuit (including the via hole 7). Was formed (see FIG. 6B).
【0078】(15)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日
本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.67重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品
名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール硬
化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)1.
6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマ
ー(日本化薬社製、商品名:R604)3重量部、同じ
く多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:DP
E6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ社
製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化学社
製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25℃
で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト樹脂組成
物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器社
製、DVL−B型)で60rpmの場合はローターN
o.4、6rpmの場合はローターNo.3によった。(15) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) to a concentration of 60% by weight was used. 46.67 parts by weight of an oligomer for imparting property (molecular weight: 4000), 15 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) dissolved in methyl ethyl ketone, and 15 parts by weight of an imidazole curing agent ( (Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-CN)
6 parts by weight, 3 parts by weight of polyfunctional acrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is a photosensitive monomer, and polyvalent acrylic monomer (trade name: DP, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.)
E6A) 1.5 parts by weight and 0.71 part by weight of a dispersion antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) in a container,
A mixed composition was prepared by stirring and mixing, and 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photopolymerization initiator and Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to the mixed composition. Add 0.2 parts by weight and adjust viscosity to 25 ° C
To obtain a solder resist resin composition adjusted to 2.0 Pa · s. The viscosity was measured using a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) at 60 rpm with rotor N.
o. In the case of 4, 6 rpm, the rotor No. According to 3.
【0079】(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DM
TG溶液で現像処理し、200μmの直径の開口を形成
した。そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1
時間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそ
れぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化さ
せ、半田パッド部分が開口した、その厚さが20μmの
ソルダーレジスト層(有機層間樹脂絶縁層)14を形成
した。(16) Next, the above-mentioned solder resist composition is applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm.
After performing a drying process under the conditions of 20 ° C. for 20 minutes and 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a pattern of the opening of the solder resist is drawn is brought into close contact with the solder resist layer, and an ultraviolet ray of 1000 mJ / cm 2 is applied. Exposure with DM
Development was performed with a TG solution to form an opening having a diameter of 200 μm. Then, at 80 ° C. for 1 hour, and at 100 ° C. for 1 hour.
The solder resist layer is cured by performing heat treatment under the conditions of 120 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 3 hours, and the solder pad portion is opened, and the solder resist layer having a thickness of 20 μm (organic interlayer resin insulation) Layer 14 was formed.
【0080】(17)次に、ソルダーレジスト層(有機層間
樹脂絶縁層)14を形成した基板を、塩化ニッケル
(2.3×10-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム
(2.8×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム
(1.6×10-1mol/l)を含むpH=4.5の無
電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚
さ5μmのニッケルめっき層15を形成した。さらに、
その基板をシアン化金カリウム(7.6×10-3mol
/l)、塩化アンモニウム(1.9×10-1mol/
l)、クエン酸ナトリウム(1.2×10-1mol/
l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×10-1mol/
l)を含む無電解めっき液に80℃の条件で7.5分間
浸漬して、ニッケルめっき層15上に、厚さ0.03μ
mの金めっき層16を形成した。(17) Next, the substrate on which the solder resist layer (organic interlayer resin insulating layer) 14 is formed is coated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / l) and sodium hypophosphite (2.8). × 10 -1 mol / l) and an electroless nickel plating solution of pH = 4.5 containing sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol / l) for 20 minutes, and a thickness of 5 μm at the opening. Was formed. further,
The substrate was washed with potassium cyanide (7.6 × 10 −3 mol)
/ L), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol /
l), sodium citrate (1.2 × 10 −1 mol /
l), sodium hypophosphite (1.7 × 10 −1 mol /
1) is immersed for 7.5 minutes at 80 ° C. in an electroless plating solution containing
m of the gold plating layer 16 was formed.
【0081】(18)この後、ソルダーレジスト層14の開
口に半田ペーストを印刷して、200℃でリフローする
ことにより半田バンプ17を形成し、半田バンプ17を
有する多層配線プリント基板を製造した(図6(c)参
照)。(18) Thereafter, a solder paste is printed in the openings of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form the solder bumps 17, thereby producing a multilayer wiring printed board having the solder bumps 17 ( FIG. 6C).
【0082】(実施例2) A.ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルム
の作製、および、樹脂充填材の調製を実施例1と同様に
行った。Example 2 A. Production of a resin film made of a polyolefin-based resin composition and preparation of a resin filler were performed in the same manner as in Example 1.
【0083】B.プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビス
マレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に1
8μmの銅箔8がラミネートされている銅張積層板を出
発材料とした(図7(a)参照)。まず、この銅張積層
板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン
状にエッチングすることにより、基板1の両面に下層導
体回路4とスルーホール9を形成した。B. Manufacturing method of printed wiring board (1) 1 mm thick glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin
A copper-clad laminate on which an 8 μm copper foil 8 was laminated was used as a starting material (see FIG. 7A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1.
【0084】(2) スルーホール9および下層導体回路4
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH(1
0g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3 PO
4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする
黒化処理、および、NaOH(10g/l)、NaBH
4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の全表
面に粗化面4a、9aを形成した(図7(b)参照)。(2) Through-hole 9 and lower conductor circuit 4
After the substrate on which was formed was washed with water and dried, NaOH (1
0 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO
4 A blackening treatment using an aqueous solution containing (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), NaBH
4 A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing (6 g / l) as a reduction bath, and roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9 (see FIG. 7B). .
【0085】(3) 上記Bに記載した樹脂充填材を調製し
た後、下記の方法により調製後24時間以内にスルホー
ル9内、および、基板1の片面の導体回路非成形部と導
体回路4の外縁部とに樹脂充填材10の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹
脂充填材を押しこんだ後、100℃、20分の条件で乾
燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開
口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて、凹
部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材10の層
を形成し、100℃、20分の条件で乾燥させた(図7
(c)参照)。(3) After preparing the resin filler described in the above B, within 24 hours after the preparation by the following method, the inside of the through hole 9 and the conductive circuit non-molded portion on one side of the substrate 1 and the conductive circuit 4 A layer of the resin filler 10 was formed on the outer edge.
That is, first, the resin filler was pressed into the through holes using a squeegee, and then dried at 100 ° C. for 20 minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the conductive circuit non-forming portion is placed on the substrate, and a layer of the resin filler 10 is formed in the concave conductive circuit non-forming portion using a squeegee, It was dried at 100 ° C. for 20 minutes (FIG. 7).
(C)).
【0086】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、#600のベルト研磨紙(三共理化学社製)を用い
たベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成さ
れた樹脂充填材10の層や導体回路非形成部に形成され
た樹脂充填材10の層の上部を研磨し、ついで、上記ベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を
行った。このような一連の研磨を基板の他方の面につい
ても同様に行った。なお、必要に応じて、研摩の前後に
エッチングを行い、スルーホール9のランド9aおよび
下層導体回路4に形成された粗化面4aを平坦化しても
よい。この後、100℃で1時間、150℃で1時間の
加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。(4) One side of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sanding using # 600 belt abrasive paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to fill the resin formed on the outer edge of the conductor circuit. The upper portion of the layer of the material 10 and the layer of the resin filler 10 formed on the portion where the conductive circuit was not formed were polished, and then buffing was performed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. If necessary, the lands 9a of the through holes 9 and the roughened surface 4a formed in the lower conductor circuit 4 may be planarized by etching before and after polishing. Thereafter, a heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to completely cure the resin filler layer.
【0087】このようにして、スルーホール9や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材10の表層部および
下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材10と下
層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材10
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
(図7(d)参照)。In this way, the surface layer of the resin filler 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened, and the resin filler 10 and the side surfaces of the lower conductor circuit 4 are flattened. 4a is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler 10
Was firmly adhered through the roughened surface to obtain an insulating substrate (see FIG. 7D).
【0088】(5) 次に、上記(4) の処理を終えた基板の
両面に、上記(2) で用いたエッチング液と同じエッチン
グ液をスプレーで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体
回路4の表面とスルーホール9のランド表面とをエッチ
ングすることにより、下層導体回路4の全表面に粗化面
4a、9aを形成した(図8(a)参照)。(5) Next, the same etching solution as that used in the above (2) is sprayed on both surfaces of the substrate after the treatment in the above (4) by spraying, and the lower conductor circuit once flattened is sprayed. By etching the surface of the lower conductor circuit 4 and the land surface of the through hole 9, roughened surfaces 4a and 9a were formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 (see FIG. 8A).
【0089】(6) 次に、基板の両面に、上記Aにおいて
作製した厚さ40μmのポリオレフィン系樹脂組成物か
らなるフィルムを温度160℃、圧力10kg/cm2
で圧着、積層し、上記ポリオレフィン系樹脂組成物から
なる層間樹脂絶縁層2を形成した(図8(b)参照)。
形成された層間樹脂絶縁層の厚さは、30μmであっ
た。(6) Next, the film made of the polyolefin resin composition having a thickness of 40 μm prepared in the above A was applied to both surfaces of the substrate at a temperature of 160 ° C. and a pressure of 10 kg / cm 2.
To form an interlayer resin insulating layer 2 made of the above polyolefin-based resin composition (see FIG. 8B).
The thickness of the formed interlayer resin insulating layer was 30 μm.
【0090】(7) 次に、波長0.248μmのエキシマ
レーザにて、ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間
樹脂絶縁層2に直径80μmのバイアホール用開口6を
設けた(図8(c)参照)。この後、酸素プラズマを用
いてデスミア処理を行った。(7) Next, a via hole opening 6 having a diameter of 80 μm was formed in the interlayer resin insulation layer 2 made of a polyolefin resin composition by an excimer laser having a wavelength of 0.248 μm (see FIG. 8C). ). Thereafter, a desmear treatment was performed using oxygen plasma.
【0091】(8) 次に、日本真空技術株式会社製のSV
−4540を用い、Niをターゲットにしたスパッタリ
ングを、気圧0.6Pa、温度80℃、電力200W、
時間5分間の条件で行い、Ni金属層12aを層間樹脂
絶縁層2の表面に形成した(図8(d)参照)。このと
き、形成されたNi金属層12aの厚さは0.1μmで
あった。(8) Next, SV manufactured by Japan Vacuum Engineering Co., Ltd.
Using −4540, sputtering with Ni as the target was performed at a pressure of 0.6 Pa, a temperature of 80 ° C., a power of 200 W,
This was performed under the condition of a time of 5 minutes to form the Ni metal layer 12a on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 (see FIG. 8D). At this time, the thickness of the formed Ni metal layer 12a was 0.1 μm.
【0092】(9) 次に、上記SV−4540を用いて、
Cuをターゲットにしたスパッタリングを、気圧0.8
Pa、温度80℃、電力4500W、時間2分間の条件
で行い、Ni金属層12aの表面に厚さ0.2μmのC
u金属層12bを形成した。(図9(a)参照)。(9) Next, using the above SV-4540,
Sputtering with Cu as the target is performed at a pressure of 0.8
Pa, temperature 80 ° C., power 4500 W, time 2 minutes, and a 0.2 μm thick C
The u metal layer 12b was formed. (See FIG. 9A).
【0093】(10) 続いて、Cu金属層12bに以下の
条件で無電解スズめっきを行うことにより、厚さ0.0
1μmのスズめっき膜(図示せず)を形成した。 〔無電解スズめっき水溶液〕 ホウフッ化スズ 0.50mol/l チオ尿素 0.37mol/l PEG 1.00 g/l 次亜リン酸ナトリウム 20.0 g/l 〔めっき条件〕 温度 25℃ 時間 1分(10) Subsequently, the Cu metal layer 12b is subjected to electroless tin plating under the following conditions so that the Cu metal layer 12b has a thickness of 0.0
A 1 μm tin plating film (not shown) was formed. [Electroless tin plating aqueous solution] Tin borofluoride 0.50 mol / l Thiourea 0.37 mol / l PEG 1.00 g / l Sodium hypophosphite 20.0 g / l [Plating conditions] Temperature 25 ° C Time 1 minute
【0094】(11)市販の感光性ドライフィルムをスズめ
っき膜の表面に貼り付け、マスクを載置して、100m
J/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水溶液で
現像処理を行うことより、厚さ25μmのめっきレジス
ト3を設けた(図9(b)参照)。さらに、現像処理終
了後、めっきレジスト非形成部のスズめっき膜を10体
積%の過酸化水素−硝酸水溶液で溶解除去した。(11) A commercially available photosensitive dry film was stuck on the surface of the tin plating film, a mask was placed thereon, and a 100 m
Exposure was performed at J / cm 2 , and a development treatment was performed with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution to provide a plating resist 3 having a thickness of 25 μm (see FIG. 9B). Further, after the completion of the developing treatment, the tin plating film in the portion where the plating resist was not formed was dissolved and removed with a 10% by volume aqueous solution of hydrogen peroxide-nitric acid.
【0095】(12)ついで、レジスト非形成部に以下の条
件で電気銅めっきを施し、厚さ15μmの電気銅めっき
膜13を形成した(図9(c)参照)。 〔電気めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドHL) 〔電気めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃(12) Next, the copper-free copper plating film 13 having a thickness of 15 μm was formed on the non-resist-formed portion under the following conditions (see FIG. 9C). [Electroplating aqueous solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, capparaside HL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃
【0096】(13)さらにめっきレジストを5%KOH水
溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の電気パ
ラジウムめっき膜および無電解めっき膜を硫酸と過酸化
水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の
上層導体回路5(バイアホール7を含む)とした(図9
(d)参照)。 (14)続いて、上記(5) 〜(13)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の導体回路を形成した(図10(a)〜
図11(a)参照)。さらに、上記した工程(5)で用い
たエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回
路(バイアホール7を含む)5の表面をエッチングする
ことにより導体回路(バイアホール7を含む)5の表面
に粗化面を形成した(図11(b)参照)。(13) Further, after the plating resist is stripped and removed with a 5% KOH aqueous solution, the electropalladium plating film and the electroless plating film under the plating resist are dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. As a result, an independent upper-layer conductor circuit 5 (including a via hole 7) was formed (FIG. 9).
(D)). (14) Subsequently, the above steps (5) to (13) were repeated to form a further upper-layer conductor circuit (FIGS. 10A to 10C).
FIG. 11A). Further, the surface of the conductor circuit (including the via hole 7) 5 is etched by using the same etching solution as that used in the above step (5) to form the conductor circuit (including the via hole 7) 5. A roughened surface was formed on the surface (see FIG. 11B).
【0097】(15)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日
本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.67重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、商品
名:エピコート1001)15重量部、イミダゾール硬
化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−CN)1.
6重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマ
ー(日本化薬社製、商品名:R604)3重量部、同じ
く多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商品名:DP
E6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ社
製、商品名:S−65)0.71重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化学社
製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
(関東化学社製)0.2重量部を加えて、粘度を25℃
で2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト樹脂組成
物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器社
製、DVL−B型)で60rpmの場合はローターN
o.4、6rpmの場合はローターNo.3によった。(15) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) to a concentration of 60% by weight was used. 46.67 parts by weight of an oligomer for imparting property (molecular weight: 4000), 15 parts by weight of a bisphenol A type epoxy resin (trade name: Epicoat 1001 manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.) dissolved in methyl ethyl ketone, and 15 parts by weight of an imidazole curing agent ( (Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-CN)
6 parts by weight, 3 parts by weight of polyfunctional acrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is a photosensitive monomer, and polyvalent acrylic monomer (trade name: DP, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.)
E6A) 1.5 parts by weight and 0.71 part by weight of a dispersion antifoaming agent (manufactured by San Nopco, trade name: S-65) in a container,
A mixed composition was prepared by stirring and mixing, and 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photopolymerization initiator and Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to the mixed composition. Add 0.2 parts by weight and adjust viscosity to 25 ° C
To obtain a solder resist resin composition adjusted to 2.0 Pa · s. The viscosity was measured using a B-type viscometer (DVL-B type, manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.) at 60 rpm with rotor N.
o. In the case of 4, 6 rpm, the rotor No. According to 3.
【0098】(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、70
℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ5mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密
着させて1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DM
TG溶液で現像処理し、200μmの直径の開口を形成
した。そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1
時間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそ
れぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化さ
せ、半田パッド部分が開口した、その厚さが20μmの
ソルダーレジスト層(有機層間樹脂絶縁層)14を形成
した。(16) Next, the solder resist composition is applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm.
After performing a drying process under the conditions of 20 ° C. for 20 minutes and 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which a pattern of the opening of the solder resist is drawn is brought into close contact with the solder resist layer, and an ultraviolet ray of 1000 mJ / cm 2 is applied. Exposure with DM
Development was performed with a TG solution to form an opening having a diameter of 200 μm. Then, at 80 ° C. for 1 hour, and at 100 ° C. for 1 hour.
The solder resist layer is cured by performing heat treatment under the conditions of 120 ° C. for 1 hour and 150 ° C. for 3 hours, and the solder pad portion is opened, and the solder resist layer having a thickness of 20 μm (organic interlayer resin insulation) Layer 14 was formed.
【0099】(17)次に、ソルダーレジスト層(有機層間
樹脂絶縁層)14を形成した基板を、塩化ニッケル
(2.3×10-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム
(2.8×10-1mol/l)、クエン酸ナトリウム
(1.6×10-1mol/l)を含むpH=4.5の無
電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部に厚
さ5μmのニッケルめっき層15を形成した。さらに、
その基板をシアン化金カリウム(7.6×10-3mol
/l)、塩化アンモニウム(1.9×10-1mol/
l)、クエン酸ナトリウム(1.2×10-1mol/
l)、次亜リン酸ナトリウム(1.7×10-1mol/
l)を含む無電解めっき液に80℃の条件で7.5分間
浸漬して、ニッケルめっき層15上に、厚さ0.03μ
mの金めっき層16を形成した。(17) Next, the substrate on which the solder resist layer (organic interlayer resin insulating layer) 14 was formed was coated with nickel chloride (2.3 × 10 -1 mol / l) and sodium hypophosphite (2.8). × 10 -1 mol / l) and an electroless nickel plating solution of pH = 4.5 containing sodium citrate (1.6 × 10 -1 mol / l) for 20 minutes, and a thickness of 5 μm at the opening. Was formed. further,
The substrate was washed with potassium cyanide (7.6 × 10 −3 mol)
/ L), ammonium chloride (1.9 × 10 -1 mol /
l), sodium citrate (1.2 × 10 −1 mol /
l), sodium hypophosphite (1.7 × 10 −1 mol /
1) is immersed for 7.5 minutes at 80 ° C. in an electroless plating solution containing
m of the gold plating layer 16 was formed.
【0100】(18)この後、ソルダーレジスト層14の開
口に半田ペーストを印刷して、200℃でリフローする
ことにより半田バンプ17を形成し、半田バンプ17を
有する多層配線プリント基板を製造した(図11(c)
参照)。(18) Thereafter, a solder paste is printed in the openings of the solder resist layer 14 and reflowed at 200 ° C. to form the solder bumps 17, thereby manufacturing a multilayer wiring printed board having the solder bumps 17. FIG. 11 (c)
reference).
【0101】(比較例1)上記(10)の工程において、酸
化膜を形成しなかった以外は実施例1と同様にして多層
プリント配線板を製造した。なお、感光性ドライフィル
ムを露光、現像処理した後、めっきレジスト3の設けら
れた基板の断面を顕微鏡で観察したところ、めっきレジ
ストの形状は、裾引き形状であった。Comparative Example 1 A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the oxide film was not formed in the step (10). After exposing and developing the photosensitive dry film, the cross section of the substrate provided with the plating resist 3 was observed with a microscope, and the shape of the plating resist was a skirt shape.
【0102】実施例1、2および比較例1で得られた多
層プリント配線板について、該多層プリント配線板をカ
ッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察したところ、
実施例1、2の多層プリント配線板では、断面がアンダ
ーカット形状の導体回路はみられなかったのに対し、比
較例1の多層プリント配線板では、一部に断面がアンダ
ーカット形状の導体回路がみられた。With respect to the multilayer printed wiring boards obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, the multilayer printed wiring boards were cut with a cutter, and their cross sections were observed with a microscope.
In the multilayer printed wiring boards of Examples 1 and 2, no conductive circuit having an undercut cross section was found, whereas in the multilayer printed wiring board of Comparative Example 1, a part of the conductive circuit having an undercut shape was partially observed. Was seen.
【0103】さらに、実施例1、2および比較例1で得
られた多層プリント配線板について、−55℃で30分
間保持した後、125℃で30分間保持するヒートサイ
クルを1000回繰り返すヒートサイクル試験を実施し
た後、多層プリント配線板をカッターで切断し、その断
面を顕微鏡で観察した。その結果、実施例1、2の多層
プリント配線板では、導体回路の剥離はなく、層間樹脂
絶縁層にクラックの発生もみられなかったの対し、比較
例1の多層プリント配線板では、一部に剥離している導
体回路が見られ、また、層間樹脂絶縁層の一部にクラッ
クの発生がみられた。Further, with respect to the multilayer printed wiring boards obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, a heat cycle in which a heat cycle of holding at −55 ° C. for 30 minutes and then holding at 125 ° C. for 30 minutes is repeated 1,000 times. Was performed, the multilayer printed wiring board was cut with a cutter, and the cross section was observed with a microscope. As a result, in the multilayer printed wiring boards of Examples 1 and 2, there was no peeling of the conductor circuit, and no crack was observed in the interlayer resin insulating layer, whereas in the multilayer printed wiring board of Comparative Example 1, there was a part. A peeled conductor circuit was observed, and cracks were observed in a part of the interlayer resin insulating layer.
【0104】さらに、実施例1、2および比較例1で得
られた多層プリント配線板について、ヒートサイクル試
験を実施した後、導通試験を行ったところ、実施例1、
2の多層プリント配線板では、導通不良が発生していな
かったのに対し、比較例1の多層プリント配線板では、
一部に導通不良が発生していた。Further, the multilayer printed wiring boards obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 were subjected to a heat cycle test and then to a conduction test.
In the multilayer printed wiring board of Comparative Example 1, no conduction failure occurred, whereas in the multilayer printed wiring board of Comparative Example 1,
In some cases, conduction failure occurred.
【0105】[0105]
【発明の効果】以上説明したように本発明の多層プリン
ト配線板の製造方法によれば、アンダーカット形状や裾
引き形状でなく、表面が平坦なめっきレジストを形成す
ることができるため、隣接する導体回路間で短絡の発生
するおそれがなく、信号遅延や信号エラーが発生せず、
導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密
着性が充分であり、ヒートサイクル条件下や高温高湿下
において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラ
ックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接
続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造することが
できる。As described above, according to the method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, a plating resist having a flat surface can be formed without having an undercut shape or a skirted shape. There is no risk of short circuit between the conductor circuits, no signal delay or signal error,
Adhesion between the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer or solder resist layer is sufficient. Under heat cycle conditions or high temperature and high humidity, cracks are less likely to occur in the interlayer resin insulation layer or solder resist layer, and the conductor circuit peels off. It is possible to manufacture a multilayer printed wiring board which is excellent in connection reliability in which the occurrence of blemishes is difficult.
【図1】(a)〜(d)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 1A to 1D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図2】(a)〜(d)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図3】(a)〜(d)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 3A to 3D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図4】(a)〜(d)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図5】(a)〜(c)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図6】(a)〜(c)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図7】(a)〜(d)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 7A to 7D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図8】(a)〜(d)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図9】(a)〜(d)は、本発明の製造方法を用いた
多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図であ
る。FIGS. 9A to 9D are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図10】(a)〜(c)は、本発明の製造方法を用い
た多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図で
ある。FIGS. 10A to 10C are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図11】(a)〜(c)は、本発明の製造方法を用い
た多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図で
ある。FIGS. 11A to 11C are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a multilayer printed wiring board using the manufacturing method of the present invention.
【図12】(a)〜(d)は、従来の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。12 (a) to 12 (d) are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a conventional multilayer printed wiring board.
【図13】(a)〜(d)は、従来の多層プリント配線
板の製造工程の一部を示す断面図である。13 (a) to 13 (d) are cross-sectional views showing a part of a manufacturing process of a conventional multilayer printed wiring board.
1 基板 2、102 層間樹脂絶縁層 3 めっきレジスト 4 下層導体回路 4a 粗化面 5 上層導体回路 6 バイアホール用開口 7 バイアホール 8 銅箔 9 スルーホール 9a 粗化面 10 樹脂充填材 12a Ni金属層 12b Cu金属層 13、113 電気めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき膜 16 金めっき膜 17 はんだバンプ 18 感光性ドライフィルム 19 めっきレジスト非形成部 20 感光性ドライフィルムの残留物 21 マスク 22 光源 23 被覆層 105 導体回路 112 薄膜導体層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2, 102 Interlayer resin insulation layer 3 Plating resist 4 Lower conductor circuit 4a Roughened surface 5 Upper conductor circuit 6 Via hole opening 7 Via hole 8 Copper foil 9 Through hole 9a Roughened surface 10 Resin filler 12a Ni metal layer 12b Cu metal layer 13, 113 Electroplating film 14 Solder resist layer 15 Nickel plating film 16 Gold plating film 17 Solder bump 18 Photosensitive dry film 19 Plating resist non-formed part 20 Residue of photosensitive dry film 21 Mask 22 Light source 23 Coating Layer 105 Conductor circuit 112 Thin film conductor layer
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Claims (2)
層上に感光性ドライフィルムを貼り付ける工程、2)前記
感光性ドライフィルムに露光、現像処理を施すことによ
りめっきレジストを形成する工程、および、3)めっきレ
ジスト非形成部に導体回路を形成する工程を含む多層プ
リント配線板の製造方法であって、前記1)の工程におい
て、前記薄膜導体層上に被覆層を形成した後、感光性ド
ライフィルムを貼り付けることを特徴とする多層プリン
ト配線板の製造方法。1. A step of attaching a photosensitive dry film on an interlayer resin insulating layer having a thin film conductor layer formed thereon, 2) forming a plating resist by subjecting the photosensitive dry film to exposure and development. A method of manufacturing a multilayer printed wiring board including a step of forming a conductive circuit in a plating resist non-formed portion, and a step of forming a coating layer on the thin film conductive layer in the step of 1). A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising attaching a photosensitive dry film.
記載の多層プリント配線板の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the coating layer is an oxide film.
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006201434A (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | Photomask for exposure of solder resist and wiring substrate exposed using the same or method for producing the same |
JPWO2005015966A1 (en) * | 2003-08-12 | 2006-10-12 | 株式会社フジクラ | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
KR101079394B1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | Manufacturing method of circuit board |
JP2017118036A (en) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing wiring circuit board |
US9778098B2 (en) | 2012-12-10 | 2017-10-03 | Bando Chemical Industries, Ltd. | Natural-frequency measurement device |
JP2021007174A (en) * | 2020-10-08 | 2021-01-21 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing wiring circuit board |
CN114501805A (en) * | 2021-12-08 | 2022-05-13 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | Manufacturing process of microphone carrier plate with integrally metalized edge sealing |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6016494A (en) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | 株式会社日立製作所 | Method of producing printed circuit board |
JPH03227589A (en) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Fujitsu Ltd | Manufacture of printed wiring board |
JPH06138664A (en) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern forming method |
JPH06260740A (en) * | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Method of forming thick film circuit |
JPH0794865A (en) * | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Ibiden Co Ltd | Manufacture of multilayered board |
JPH0918143A (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | Production of multilayer printed wiring board |
-
2000
- 2000-01-07 JP JP2000001964A patent/JP4497614B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6016494A (en) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | 株式会社日立製作所 | Method of producing printed circuit board |
JPH03227589A (en) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Fujitsu Ltd | Manufacture of printed wiring board |
JPH06138664A (en) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern forming method |
JPH06260740A (en) * | 1993-03-02 | 1994-09-16 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Method of forming thick film circuit |
JPH0794865A (en) * | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Ibiden Co Ltd | Manufacture of multilayered board |
JPH0918143A (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | Production of multilayer printed wiring board |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2005015966A1 (en) * | 2003-08-12 | 2006-10-12 | 株式会社フジクラ | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
US7776199B2 (en) | 2003-08-12 | 2010-08-17 | Fujikura Ltd. | Printed wiring board and production method thereof |
JP2006201434A (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | Photomask for exposure of solder resist and wiring substrate exposed using the same or method for producing the same |
KR101079394B1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | Manufacturing method of circuit board |
US9778098B2 (en) | 2012-12-10 | 2017-10-03 | Bando Chemical Industries, Ltd. | Natural-frequency measurement device |
JP2017118036A (en) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing wiring circuit board |
JP2021007174A (en) * | 2020-10-08 | 2021-01-21 | 日東電工株式会社 | Method for manufacturing wiring circuit board |
CN114501805A (en) * | 2021-12-08 | 2022-05-13 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | Manufacturing process of microphone carrier plate with integrally metalized edge sealing |
CN114501805B (en) * | 2021-12-08 | 2024-02-02 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | Manufacturing process of integral metallized edge-sealed microphone carrier plate |
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Publication number | Publication date |
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