JP2001196229A

JP2001196229A - 複合型磁気素子

Info

Publication number: JP2001196229A
Application number: JP2000007638A
Authority: JP
Inventors: Kiyoto Yamazawa; 清人山沢; Toshiro Sato; 敏郎佐藤; Eiichi Komai; 栄一駒井; Yoshito Sasaki; 義人佐々木; Takashi Hatauchi; 隆史畑内
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2000-01-17
Filing date: 2000-01-17
Publication date: 2001-07-19

Abstract

(57)【要約】【課題】例えばＤＣ−ＤＣコンバータの回路基板上に
おいて、トランスとインダクタとは別々に配置されてお
り、インダクタは工程の薄膜化により面実装面積の狭小
化を図ることが可能であるが、トランスの場合は、イン
ダクタに比べて形成が難しい。このためトランスの面実
装面積を有効に小さくすることはできず、結局、回路基
板を効果的に小さくすることは難しかった。【解決手段】トランス２２上に、磁性基板２０を共有
して薄膜インダクタ２３を形成する。磁性基板２０を共
有させ、前記磁性基板２０の両側に２つの磁気素子を形
成することで、製造工程の簡略化・生産コストの低減を
図ることができると同時に、面実装面積の狭小化を図る
ことが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＤＣ−ＤＣ
コンバータの回路基板上に搭載されるインダクタやトラ
ンス等の磁気素子に係わり、特に２つの前記磁気素子を
同一の磁性基板の両側に設け、製造工程の簡略化と同時
に実装面積の狭小化を図ることが可能な複合型磁気素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１３には、ＤＣ−ＤＣコンバータにお
ける回路基板上の搭載部品が部分斜視図で示されてい
る。

【０００３】図１３に示すように、回路基板１上には、
インダクタ１２やトランス３、およびその他種々の部品
が配置されている。

【０００４】ところでＤＣ−ＤＣコンバータを内臓する
装置の小型化により、前記回路基板１自体の大きさの小
型化が求められており、そのためには前記回路基板１上
に配置される各部品の面実装面積を小さくする必要性が
ある。

【０００５】面実装面積の狭小化は、例えば薄膜形成に
より各部品を形成することにより実効することができ
る。

【０００６】図１４は、図１３に示すインダクタ１２の
部分断面図である。図１４に示すように、回路基板１上
には、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）やガラス材に代表されるセ
ラミック材で形成された基板４の上に、取り出し電極５
が形成される。その上に順次、絶縁膜６、磁性膜７、及
び絶縁膜８が薄膜により積層され、前記絶縁膜８上にス
パイラルコイル状の平面型コイル９がメッキ形成され
る。

【０００７】さらに平面型コイル９を覆う絶縁膜１０が
形成され、絶縁膜１０上に磁性膜１１が形成されてい
る。

【０００８】図１４に示すような、いわゆる平面型磁気
素子の薄膜インダクタであれば、従来のようにバルク材
で形成されたインダクタよりも面実装面積を狭小化する
ことが可能であり、その結果、回路基板１を小さくする
ことができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うな薄膜技術を使用することにより、トランス３をも形
成する試みがなされている。前記トランス３も薄膜トラ
ンスとして形成できれば、トランス３の面実装面積とイ
ンダクタ１２の面実装面積の総合計を、より効果的に小
さくでき、回路基板１の大きさを小さくすることが可能
である。

【００１０】しかしながら前記トランス３を薄膜形成す
ることはインダクタ１２の場合に比べて非常に難しい。

【００１１】その理由はトランス３の場合は、平面型コ
イル９が２層必要となるからであり、図１４と同様に、
磁性膜７，１１、絶縁膜６，８，１０及び２層の平面型
コイル９，９を順に積層して薄膜トランスを形成してい
くと、前記平面型コイル９を覆う絶縁膜１０表面の凹凸
が、前記平面型コイル９を２層積層することで、より激
しくなり、前記平面型コイル９上に形成される磁性膜１
１等を所定形状に薄膜形成できないといった問題が発生
する。

【００１２】このような問題を回避するために、前記２
つの平面型コイル９，９を図１４に示す絶縁膜８上に平
面的（図示Ｘ方向）に並べて形成する方法が考えられる
が、前記２つの平面型コイル９，９を絶縁膜８上に並べ
て形成すると、図示Ｘ方向における薄膜トランスの大き
さが広がり、結局、面実装面積を有効に狭小することは
できず、また生産コストが増大するなどの問題が発生し
好ましくない。

【００１３】以上のように例えばＤＣ−ＤＣコンバータ
における回路基板１のように、トランス３とインダクタ
１２を一組必要とする場合に、双方の実装面積を適切に
狭小化することは難しく、よって前記回路基板１の狭小
化を有効に図ることはできなかった。

【００１４】本発明は上記問題点を解決するためのもの
であり、特に同じ磁性基板を共有すて、前記磁性基板の
両側に２つの磁気素子を形成することで、製造工程の簡
略化と同時に面実装面積の狭小化を図ることができる複
合型磁気素子を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁性基板の両
側に、前記磁性基板を共有した第１の磁気素子と第２の
磁気素子とが設けられ、前記各磁気素子には、前記磁性
基板に磁界を誘導するコイルが設けられ、且つ前記２つ
の磁気素子のうち、少なくとも一方の磁気素子が平面型
コイルを有することを特徴とするものである。

【００１６】従来においては、トランスとインダクタは
別々に形成され、それぞれが回路基板上に配置されてい
た。従ってトランスとインダクタの回路基板に対する実
装面積は、トランスの面実装面積とインダクタの面実装
面積の総合計となる。

【００１７】これに対し本発明では、このような異なる
機能を有する磁気素子、あるいは同じ機能を有する磁気
素子を、同一の磁性基板を用いて、前記磁性基板の両側
にそれぞれ形成している。従って本発明のように、２つ
の磁気素子を１つの磁性基板を共有して形成した複合型
磁気素子において、実装面積は、一方の磁気素子の面実
装面積だけで設定できるため、従来に比べて面実装面積
を小さくすることができる。

【００１８】また磁性基板を共有することで、本来、磁
気素子の構成に必要な一つの磁性体（磁性膜）の形成を
製造工程から省略することができ、製造工程の簡略化を
図ることができる。

【００１９】また本発明では、前記平面型コイルを有す
る前記磁気素子は、前記磁性基板の面と平行な面に沿っ
て形成された平面型コイルと、前記平面型コイルを覆う
磁性膜が設けられていることが好ましい。

【００２０】また本発明では、他方の磁気素子は、前記
磁性基板に磁気的に接合されるバルクコアと、このバル
クコアに巻かれたコイルとを有することが好ましい。

【００２１】このように本発明における実施例において
は、一方の磁気素子がバルクコアと前記バルクコアに巻
かれたコイルとを有する例えばトランスであり、同一の
磁性基板を共有して、前記トランス上に平面型コイルを
有する例えばインダクタが設けられている。

【００２２】従って従来におけるバルク材で形成された
トランスの体積と、本発明のようにバルク材で形成され
たトランスと前記トランス上に形成された平面型コイル
を有するインダクタが設けられている複合型磁気素子の
体積とを比較しても、前記インダクタの体積は非常に小
さいために、前記複合型磁気素子の体積は、従来のトラ
ンスの体積とさほど変わりがなく、従って前記複合型磁
気素子の回路基板への設置を、従来と同様に良好に行う
ことが可能である。

【００２３】なお本発明では、磁性基板を共有した第１
の磁気素子と第２の磁気素子が共に平面型コイルを有す
るものであってもかまわない。

【００２４】また本発明では、前記一方の磁気素子のコ
イルによって前記磁性基板に誘導される磁界と、他方の
磁気素子のコイルによって前記磁性基板に誘導される磁
界とが、磁性基板内の少なくとも一部において同じ方向
であることが好ましい。

【００２５】具体的には、前記一方の磁気素子は、前記
磁性基板の面と平行な面に沿って平面形コイルが形成さ
れ、他方の磁気素子は、バルクコアと、このバルクコア
に巻かれたコイルとを有し、前記一方の磁気素子の平面
型コイルの導体は、前記他方の磁気素子により誘導され
る前記磁性基板の面方向の磁界と直交した部分を有する
ことが好ましい。

【００２６】上記構成の場合、前記一方の磁気素子の平
面型コイルの導体に流す電流は、前記一方の磁気素子の
前記直交する部分に誘導される磁界と、他方の磁気素子
により誘導される磁界とが、磁性基板内において一致す
る方向に流されることが好ましい。

【００２７】これにより、一方の磁気素子から発生する
磁界と、他方の磁気素子から発生する磁界との相互干渉
を低減させることができ、２つの磁気素子の機能を損な
うことがない。

【００２８】また本発明では、前記他方の磁気素子のバ
ルクコアは、ポットコアであってもよい。上記構成の場
合、２つの磁気素子から発生する磁界の方向は完全に一
致するか、あるいはほぼ一致するので、２つの磁気素子
から発生する磁界の相互干渉の問題を考慮する必要性は
低く、２つの磁気素子の機能を良好に保つことができ
る。

【００２９】また本発明では、前記他方の磁気素子のバ
ルクコアは、前記磁性基板に磁気的に接合される平行な
脚部を有するものであってもよい。

【００３０】上記構成の場合、前記一方の磁気素子は、
前記磁性基板の面と平行な面に沿って形成された平面型
コイルと、前記平面型コイルを覆う磁性膜が設けられ、
前記一方の磁気素子の磁性膜は、前記他方の磁気素子に
より誘導される前記磁性基板の面方向の磁界と平行方向
に磁化困難軸を有することが好ましい。また本発明で
は、前記磁性基板は、フェライトで形成されることが好
ましい。

【００３１】また本発明では、例えば前記複合型磁気素
子は、ＤＣ−ＤＣコンバータの搭載部品として使用され
る。

【００３２】

【発明の実施の形態】図１は本発明における複合型磁気
素子の斜視図、図２は図１に示す２−２線から切断した
前記磁気素子の部分断面図である。

【００３３】図１に示す複合型磁気素子は、トランスと
インダクタが同一の磁性基板を共有して複合された構成
であり、前記トランスはバルク材で形成され、前記トラ
ンスの上に、平面型コイルを有するインダクタが形成さ
れたものである。

【００３４】図１に示す符号２０は磁性基板である。前
記磁性基板２０は、例えばフェライトで形成されている
ことが好ましい。また前記磁性基板２０の膜厚Ｔ１は、
数１００μｍ程度であり、例えば５００μｍ程度で形成
される。

【００３５】図１に示す複合型磁気素子では、前記磁性
基板２０の下側にＥ型のバルクコア２１が接合され、前
記バルクコア２１と磁性基板２０とを有してバルクタイ
プのトランス２２が構成される。すなわちトランス２２
側から見ると前記磁性基板２０はＩ型のコア材として機
能している。

【００３６】そして図１に示すように、Ｅ型のバルクコ
ア２１の中央脚部２１ａには、一次側コイル２４と二次
側コイル２５とが巻回形成されている。

【００３７】また図１に示す複合型磁気素子では、前記
磁性基板２０上に、平面型コイル２６や、磁性膜２７等
が形成されており、前記磁性基板２０から磁性膜２７ま
での各積層膜により、平面型磁気素子である薄膜インダ
クタ２３が構成されている。すなわち薄膜インダクタ２
３側から見ると前記磁性基板２０は下部の磁性膜の代わ
りとして機能している。

【００３８】図１に示す複合型磁気素子は例えば、高さ
寸法Ｈ１が２ｍｍ程度、幅寸法Ｔ３が５ｍｍ程度、長さ
寸法Ｌ１が５ｍｍ程度で形成される。また前記Ｅ型のバ
ルクコア２１の底部の板厚Ｈ２は例えば０．５ｍｍ程
度、脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃの高さ寸法Ｈ３は例え
ば１ｍｍ程度、前記脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃの幅寸
法Ｔ５及び前記脚部間の幅寸法Ｔ５は、それぞれ１ｍｍ
程度で形成されている。

【００３９】図１に示すように、前記平面型コイル２６
からは端子部２６ｂ，２６ｃが、薄膜磁気素子の側面に
露出形成されている。なお磁性基板２０及びバルクコア
２１がＮｉＺｎ系のフェライトで形成されている場合に
は、絶縁層を形成しなくても、前記端子部２６ｂ，２６
ｃを直接、複合型磁気素子の側面に露出形成できるが、
前記磁性基板２０及びバルクコア２１がＭｎＺｒ系のフ
ェライトで形成される場合には、複合型磁気素子の側面
に絶縁層を介して端子部２６ａ，２６ｂを形成すること
になる。

【００４０】以上のように本発明は一つの磁性基板２０
を共有して前記磁性基板２０の両側に、第１の磁気素子
と第２の磁気素子が設けられ、前記各磁気素子には、前
記磁性基板２０に磁界を誘導するコイルが設けられ、且
つ前記２つの磁気素子のうち少なくとも一方の磁気素子
が平面型コイルを有することを特徴としている。なお図
１に示す実施例では一方の磁気素子がトランスとして機
能し、他方の磁気素子がインダクタとして機能してお
り、２つの磁気素子はそれぞれ機能を異にしているが、
機能が同じ磁気素子が一つの磁性基板２０を共有して形
成されていてもかまわない。

【００４１】次に図２を用いて複合型磁気素子を構成す
る各部材（各積層膜）について説明する。

【００４２】上記したように、磁性基板２０の図示下側
には、Ｅ型のバルクコア２１が前記磁性基板２０の下面
側に接合されて、バルクタイプのトランス２２が構成さ
れる。

【００４３】図２に示すように、前記バルクコア２１の
３つの脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃの端面は、例えばガ
ラス（ＳｉＯ₂）などの非導電材料によって形成された
薄い電気絶縁層２８を介して磁性基板２０の下面に接合
されていてもよい。なお前記電気絶縁層２８の膜厚は、
数十μｍ〜数百μｍ程度である。

【００４４】前記電気絶縁層２８の介在により、コア２
１と磁性基板２０間での渦電流損を抑制でき、コア損失
を低減できる。

【００４５】また図２に示すように、前記バルクコア２
１の３つの脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃのうち中央脚部
２１ａには、一次側コイル２４と二次側コイル２５とが
巻回されている。

【００４６】また一次側コイル２４と二次側コイル２５
との巻き数は異なっており、これにより高電圧・小電流
の交流電力を、低電圧・大電流の交流電力に、またはそ
の逆の変換を行うことができるようになっている。

【００４７】なお、前記バルクコア２１は、磁性基板２
０と同じ材質で形成されていてもよいが、異なる材質で
形成されていてもよい。なお前記バルクコア２１は、フ
ェライトなどで形成されることが好ましい。

【００４８】また本発明では、バルクコア２１の形状は
Ｅ型である必要性はなく、例えば脚部が２本で構成され
る「コ」の字型の形状であってもよい。要は、Ｉ型コア
として機能する磁性基板２０との間で磁路が形成できれ
ば、バルクコア２１の形状は、如何なる形状であっても
かまわない。

【００４９】次に上記したように、前記磁性基板２０上
には、平面型コイル及び磁性膜等が形成され、前記磁性
基板２０を含む各積層膜により薄膜インダクタ２３が構
成されている。

【００５０】図２に示すように前記磁性基板２０上に
は、絶縁膜２９がスパッタ法等の既存の薄膜技術を用い
て形成されている。前記絶縁膜２９には、ＳｉＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃等の無機絶縁材料を使用することが好ましい。ま
た前記絶縁膜２９は、ポリイミドやレジスト等の有機絶
縁材料により形成されてもよい。この場合、塗布形成に
より前記絶縁層２９を磁性基板２０上に形成することが
できる。また前記絶縁膜２９に有機絶縁材料を使用する
ことで、平面型コイル２６と磁性基板２０間の磁気的絶
縁性をより向上させることができるという利点もある。

【００５１】また図２に示すように、前記絶縁膜２９の
上には、平面型コイル２６がパターン形成されている。
前記平面型コイル２６は、例えばスパイラル状の平面型
コイルであり、製法としては、前記絶縁膜２９上にレジ
スト層（図示しない）を形成した後、前記レジスト層に
平面型コイル２６のパターンを露光現像により形成し、
前記パターン内に銅等の電気導電性の高い材質をメッキ
形成することにより、前記平面型コイル２６を形成する
ことが可能である。

【００５２】なお前記平面型コイル２６は、銅の他に、
銀、金、アルミニウムあるいはこれらの合金などの良導
電性金属材料から成り、インダクタンス、直流重畳特
性、サイズなどに応じて、電気的に直列に、または並列
に、さらに縦にあるいは横に絶縁膜を介して適宜配置す
ることができる。

【００５３】また前記平面型コイル２６の形状は、上記
したスパイラル形状に限らず、例えばミアンダ形状等で
あってもよい。

【００５４】図２に示すように、前記平面型コイル２６
の各導体部のピッチ間には絶縁膜３０が埋められ、さら
に前記絶縁膜３０は前記平面型コイル２６上を覆ってい
る。

【００５５】前記絶縁膜３０は、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃等
の無機絶縁材料により形成されてもよいが、ポリイミド
やレジスト等の有機絶縁材料により形成される方がより
好ましい。

【００５６】その理由は、前記平面型コイル２６の各導
体部の高さは非常に高いために、前記各導体部のピッチ
間を、例えば無機絶縁材料を用いてスパッタ法等で埋め
ることは非常に困難だからである。従ってポリイミド等
の有機絶縁材料を用いる方が、塗布形成により平面型コ
イル２６の各導体部のピッチ間を適切に埋めることが可
能であり、前記ピッチ間に例えば絶縁材料により埋めら
れない空洞部等の欠陥が生じる不具合は発生しにくくな
る。

【００５７】次に図２に示すように前記絶縁膜３０上に
は、磁性膜２７が例えばスパッタ法や蒸着法等を用いて
形成される。

【００５８】前記磁性膜２７は、実効透磁率の高い高周
波特性に優れた軟磁性膜で形成されることが好ましく、
例えば、特開平６−３１６７４８号公報に記載されてい
るＦｅ−Ｍ−Ｏ系軟磁性材料（但し、Ｍは、Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，
Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種
あるいは２種以上の元素）あるいは特開平１０−２５５
３０号公報に記載されているＣｏ−Ｆｅ−Ｅ−Ｏ系軟磁
性材料（但し、元素Ｅは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｇａ，
Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元
素）や、Ｃｏ−Ｔａ−Ｈｆ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｈｆ−Ｐｄ、
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ、あるいはＣｏ−
Ｈｆ−Ｎｂ等により形成される。

【００５９】図２に示す薄膜インダクタ２３では、磁性
膜２７が上部の磁性膜として機能するが、下部の磁性膜
として機能する磁性基板２０は、上記したようにフェラ
イトで形成され、前記磁性基板２０の膜厚Ｔ１は、数１
００μｍ程度の厚い膜厚で形成される。

【００６０】従来においてインダクタンスを稼ぐため
に、なるべく実効透磁率の高い磁性材料を使用し、しか
も前記磁性膜の膜厚を厚く形成する必要性があったが、
本発明においては磁性基板２０を下部の磁性膜として機
能させており、前記磁性基板２０は元々膜厚が厚く、前
記磁性基板２０がフェライトで形成されている場合に
は、前記磁性基板２０の膜厚を数百μｍ程度にすること
で、実効透磁率を６００程度にまで向上できることが確
認されている。

【００６１】よって本発明では、従来のようにセラミッ
ク材等の基板上に、下部の磁性膜を形成する必要性がな
いばかりか、磁性基板２０の材質と膜厚を適宜選択し、
そのように選択された磁性基板２０を使用するだけで、
必要な実効透磁率を得ることができるから、従来に比べ
て、製造工程を簡略化できると同時に、インダクタンス
の良好な薄膜インダクタを容易に製造をすることができ
る。

【００６２】なお図２に示す実施例では、上部の磁性膜
２７の中央に形成された穴部２７ａから平面型コイル２
６の巻き中心部２６ａが、前記磁性膜２７表面と同一高
さまで延びて形成され、前記巻き中心部２６ａ上から
は、前記磁性膜２７上に絶縁膜３１を介して取り出し電
極３２が延びて形成されている。

【００６３】例えば図１及び図２に示すバルクタイプの
トランス２２と薄膜のインダクタ２３とが設けられた複
合型磁気素子は、ＤＣ−ＤＣコンバータの回路基板上に
配置され、前記複合型磁気素子の面実装面は、例えばト
ランス２２を構成するバルクコア２１の下面２１ｄの面
積となっている。

【００６４】従って本発明における複合型磁気素子であ
れば、トランス２２と薄膜インダクタ２３とが別々に形
成され、それぞれが回路基板上に配置される場合に比べ
て、前記薄膜インダクタ２３の面実装面積を省略するこ
とが可能であり、面実装面積の狭小化を図ることができ
る。これにより前記回路基板を小さくすることができ、
ひいては前記回路基板を内臓する装置の小型化を図るこ
とが可能である。

【００６５】また本発明では、図１及び図２に示す複合
型磁気素子を構成するトランス２２及びインダクタ２３
は、１つの磁性基板２０を共有して構成されており、ト
ランス２２側から見れば前記磁性基板２０はＩ型コアと
して機能し、インダクタ２３側から見れば前記磁性基板
２０は下部の磁性膜として機能する。

【００６６】すなわち本発明では、トランス２２の構成
に必要なＩ型コア、およびインダクタ２３の構成に必要
な下部の磁性膜を、それぞれ形成することなく、一つの
磁性基板２０を互いに共有し、Ｉ型コア及び下部の磁性
膜として使用することで、２つの磁気素子を複合させて
形成する場合に必要な部材数（積層膜数）を減少させる
ことができ、製造工程を簡略化することができる。

【００６７】また図２に示す薄膜インダクタ２３を構成
する磁性基板２０上の絶縁膜２９から取り出し電極３２
までの高さ寸法Ｔ２は、せいぜい１００μｍ程度である
ので、バルクタイプのトランス２２単体の場合に比べ
て、図２に示す複合型磁気素子の高さ寸法は、それほど
大きくなることはなく、従って前記複合型磁気素子の体
積も、トランス２２単体の体積とさほど変わりがなく、
よって前記複合型磁気素子の回路基板への設置を、従来
と同様に良好に行うことが可能である。

【００６８】なお図１及び図２に示す実施例では、一方
の磁気素子側に平面型コイル２６と磁性膜２７とが設け
られているが、前記磁性膜２７が設けられていなくても
かまわない。

【００６９】ところで図１及び図２に示すように、一つ
の磁性基板２０を共有させて前記磁性基板２０の両側に
トランス２２と薄膜インダクタ２３を設けた場合、薄膜
インダクタ２３側から出る磁界と、トランス２２側から
出る磁界とが、磁性基板２０の部分において、互いに影
響を及ぼし合うのではないかとの心配があるが、以下に
説明するように、本発明における複合型薄膜素子では、
そのような問題は起こらない構造となっている。

【００７０】すなわち各磁気素子から出る磁界は、主に
磁性基板２０の表皮部分を通ると考えられるので、前記
磁性基板２０の膜厚がある程度厚く形成されていれば、
２つの磁気素子から出る磁界の相互干渉の影響を考慮す
る必要はないのである。

【００７１】なお上記のように２つの磁気素子から出る
磁界の相互干渉の問題が発生しない場合には、前記薄膜
インダクタ２３を構成する磁界発生手段としての平面型
コイル２６の形状は、どのようなものであってもよい。

【００７２】例えば前記平面型コイル２６は、スパイラ
ル形状、ミアンダ形状、あるいはそれ以外の形状であっ
ても、薄膜インダクタ２３及びトランス２２の各磁気素
子の機能が損なわれることはない。

【００７３】ただし２つの磁気素子から出る磁界が互い
に干渉し合うほど、前記磁性基板２０の膜厚が薄く形成
される場合には、各磁気素子から磁性基板内に発生する
磁界の方向が問題となる。

【００７４】そこで本発明では、一方の磁気素子のコイ
ルによって前記磁性基板に誘導される磁界と、他方の磁
気素子のコイルによって前記磁性基板に誘導される磁界
とが、磁性基板内において少なくとも一部において同じ
方向となるようにし、各磁気素子から発生する磁界の相
互干渉を低減させている。

【００７５】上記構成を達成するために、本発明では、
薄膜形成された一方の磁気素子には、少なくとも磁性基
板２０の面と平行な面に沿って巻回形成された平面型コ
イル２６が設けられ、他方の磁気素子は、バルクコア２
１と、このバルクコアに巻かれたコイル２４，２５とを
有する場合には、前記一方の磁気素子の平面型コイル２
６の導体は、前記他方の磁気素子により誘導される前記
磁性基板２０の面方向の磁界と直交した部分を有する構
成としている。

【００７６】そして、前記一方の磁気素子の平面型コイ
ル２６の導体に流す電流は、前記一方の磁気素子の前記
直交する部分に誘導される磁界と、他方の磁気素子によ
り誘導される磁界とが、磁性基板２０内において一致す
る方向に流されるようにしている。

【００７７】上記した構成により、一方の磁気素子の平
面型コイル２６によって前記磁性基板に誘導される磁界
と、他方の磁気素子のコイルによって前記磁性基板に誘
導される磁界とを、磁性基板２０内において少なくとも
一部において同じ方向にでき、各磁気素子から発生する
磁界の相互干渉を低減させることが可能になるのであ
る。

【００７８】上記した構成の具体的な複合型磁気素子の
構造を図３、４を用いて以下に説明する。

【００７９】図３は図１に示す複合型薄膜素子の断面を
模式図的に示したものであり、図４は、図１に示す複合
型磁気素子の部分平面図である。

【００８０】図４に示すように、トランス２２を構成す
るバルクコア２１の各脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃは、
互いにＹ方向に平行に延びて磁性基板２０に磁気的に接
続されている。

【００８１】そして図３に示すように、トランス２２で
は、一次側コイル２４及び二次側コイル２５に電流が流
れると、脚部２１ａから脚部２１ｂにかけて磁界Ｃが流
れ、前記磁界Ｃは、磁性基板２０内を図示左方向に流れ
ている。

【００８２】一方、脚部２１ｃから脚部２１ａにかけて
は磁界Ｄが流れ、前記磁界Ｄは、磁性基板２０内を図示
右方向に流れている。

【００８３】また薄膜形成された薄膜インダクタ２３で
は、平面型コイル２６が前記磁性基板２０の面と平行な
面に沿って巻回形成されており、前記平面型コイル２６
は、バルクコア２１の脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃの並
び方向と平行な方向（図示Ｙ方向）に延びる部分を有し
ている。

【００８４】そして薄膜インダクタ２３の平面型コイル
２６のうち、図示右側の平面型コイル２６ｄには、紙面
垂直下方向に電流が流れるようにし、一方、前記平面型
コイル２６のうち図示左側の平面型コイル２６ｅには、
紙面垂直上方向に電流が流れるようにすると、前記平面
型コイル２６ｄから出る磁界Ａは、磁性基板２０内を図
示左方向に流れる。

【００８５】一方、前記平面型コイル２６ｅから出る磁
界Ｂは、磁性基板２０内を図示右方向に流れる。

【００８６】上記した磁界Ａと磁界Ｃ、及び磁界Ｂと磁
界Ｄは、磁性基板２０内において、互いに干渉し合う関
係にあるが、図３に示すように、前記磁界Ａと磁界Ｃ、
及び磁界Ｂと磁界Ｄは、磁性基板２０内を同一方向に流
れており、干渉し合う磁界同士によって各磁界Ａないし
Ｄが打ち消されてしまうという心配はない。

【００８７】すなわち図３に示す複合型磁気素子では、
バルクコア２１は、前記磁性基板２０に磁気的に接合さ
れる平行な脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃを有し、前記平
面型コイル２６は前記脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃの並
び方向と平行に延びる部分を有する構造となっている。
前記平行に延びる平面型コイル２６の部分は、他方の磁
気素子により誘導される磁性基板２０の面方向の磁界と
直交した部分に相当し、前記平面型コイル２６に流す電
流を適正な方向に流すことにより、少なくとも前記バル
クコア２１の脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃから磁性基板
２０に発生する磁界の方向と、前記平面型コイル２６の
うち、前記脚部２１a，２１ｂ，２１ｃの並び方向と平
行に延びる部分から磁性基板２０に発生する磁界の方向
とを一致させることができ、２つの磁気素子から発生す
る磁界の相互干渉を低減させることができ、２つの磁気
素子の機能を適正に保つことができる。

【００８８】なお上記したように、一方の磁気素子の平
面型コイルの導体は、前記他方の磁気素子により誘導さ
れる前記磁性基板の面方向の磁界と直交した部分を有し
ていればよいので、前記平面型コイル２６は、方形状の
スパイラル形状でなくてもよい。例えば、図示Ｘ方向に
延びる平面型コイル２６の部分は、図示Ｘ方向に直線的
に延びて形成されていなくてもよく、曲線状に形成され
ていてもよい。また前記平面型コイル２６は、円形状の
スパイラル形状であっても、一方の磁気素子から出る磁
界と、他方の磁気素子から出る磁界とを一部で一致させ
ることが可能である。

【００８９】また本発明では、前記一方の磁気素子は、
前記磁性基板２０の面と平行な面に沿って形成された平
面型コイル２６と、前記平面型コイル２６を覆う磁性膜
２７が設けられ、また他方の磁気素子のバルクコア２１
が、脚部２１ａ，２１ｂ，２１ｃを有する場合には、前
記一方の磁気素子の磁性膜２７は、前記他方の磁気素子
により誘導される前記磁性基板２０の面方向の磁界と平
行方向に磁化困難軸を有することが好ましい。

【００９０】すなわち図４で言えば、図示Ｘ方向が磁化
困難軸となるようにすることが好ましい。

【００９１】図示Ｘ方向は、バルクコアの脚部２１ａ，
２１ｂ，２１ｃから発生する磁界の方向と、平面型コイ
ル２６から発生する磁界の方向とが磁性基板２０内にお
いて、一部一致する方向であり、一部一致する磁界方向
を磁化困難軸にすれば、前記磁界方向の透磁率を向上さ
せることができ、インダクタンス等の諸特性を適正に向
上させることができる。

【００９２】図５、６は、本発明における別の実施形態
の複合型磁気素子の斜視図である。図５では、バルクコ
ア６０は、磁性基板２０に磁気的に接続される角筒形状
の脚部６１と前記脚部６１内に棒状の脚部５２とを有し
て形成された、いわゆるポットコア形状で形成されてい
る。そして前記脚部５２にコイル（図示しない）が巻回
されている。なお前記棒状の脚部５２は、角型形状であ
ることが好ましい。

【００９３】一方、前記磁性基板２０上に形成された薄
膜磁気素子には、磁性基板２０の面と平行な面に沿って
巻回された平面型コイル５３と、前記平面型コイル５３
を覆う磁性膜５４が設けられている。

【００９４】このタイプの複合型磁気素子では、バルク
コア６０の脚部６１，５２間から磁性基板２０には図示
Ｙ方向と同一方向に磁界Ｅ，Ｆが発生し、図示Ｘ方向と
同一方向に磁界Ｇ，Ｈが発生している。

【００９５】一方、薄膜形成された磁気素子の平面型コ
イル５３は、図５に示すように、図示Ｘ方向及びＹ方向
に沿って方形の螺旋状で巻回形成されているために、図
示Ｘ方向に延びる平面型コイル５３からは図示Ｙ方向に
磁界が発生し、図示Ｙ方向に延びる平面型コイル５３か
らは図示Ｘ方向に磁界が発生している。

【００９６】すなわち図５に示す複合型磁気素子では、
平面型コイル５３に流される電流を適正な方向に流せ
ば、前記平面型コイル５３の巻き方向の全周において、
前記バルクコア６０の脚部６１，５２間から前記磁性基
板２０に誘導される磁界の方向と、前記平面型コイル５
３から前記磁性基板２０に誘導される磁界の方向とを完
全に一致させることが可能であり、２つの磁気素子の各
機能を適正に保つことが可能である。

【００９７】言い換えればこの実施例においては、一方
の磁気素子の平面型コイル５３の導体を、前記他方の磁
気素子により誘導される前記磁性基板２０の面方向の磁
界に対し完全に直交して形成することが可能なのであ
る。

【００９８】また図６においては、バルクコア５５は、
円筒状の脚部５６と、前記脚部５６内に棒状の脚部５７
を有して形成された、いわゆるポットコア形状の別の構
造を示したものである。

【００９９】そして前記脚部５７にコイル（図示しな
い）が巻回形成されている。なお前記棒状の脚部５７は
円柱状で形成されていることが好ましい。

【０１００】一方、磁性基板２０上には、平面型コイル
５８と前記平面型コイル５８を覆う磁性膜５９が設けら
れており、前記平面型コイル５８は、円形の螺旋状に巻
回形成されている。

【０１０１】そしてこの実施例においても図５と同様
に、前記バルクコア５５の脚部５６，５７間から前記磁
性基板２０に誘導される磁界の方向と、前記平面型コイ
ル５８から前記磁性基板２０に誘導される磁界の方向と
を、前記平面型コイル５８の巻き方向の全周において完
全に一致させることができ、２つの磁気素子の各機能を
適正に保つことができる。

【０１０２】言い換えればこの実施例においても、一方
の磁気素子の平面型コイル５３の導体を、前記他方の磁
気素子により誘導される前記磁性基板２０の面方向の磁
界に対し完全に直交して形成することが可能なのであ
る。

【０１０３】なお、例えば図５に示す角筒状のバルクコ
ア（ポットコア）６０上に、例えば円形のスパイラル形
状の平面型コイル５３を形成した場合においても、一方
の磁気素子の平面型コイル５３の導体は、前記他方の磁
気素子により誘導される前記磁性基板２０の面方向の磁
界と直交した部分を有するため、前記平面型コイル５３
に流す電流を適切な方向に流せば、各磁気素子から発生
する磁界の相互干渉の影響を低減させることが可能にな
る。

【０１０４】図７は、本発明における別の実施形態の複
合型磁気素子の部分断面図である。図７は、一つの磁性
基板２０を共有して、片側に薄膜インダクタ３３が形成
され、もう一方の側にも薄膜インダクタ３４が形成され
ている実施例である。すなわち図７では、２つの磁気素
子が共に薄膜形成されており、しかも前記２つの磁気素
子は同じ機能を有するものとなっている。

【０１０５】薄膜インダクタ３３及び３４は、共に、図
２に示す薄膜インダクタ２３と同じ膜構成で形成されて
いる。

【０１０６】すなわち磁性基板２０の上及び下には、絶
縁膜２９、平面型コイル２６、絶縁膜３０、絶縁膜３
１、および取り出し電極３２が順に積層されている。

【０１０７】この実施例においては、一つの磁性基板２
０を共有して２つの薄膜インダクタ３３，３４が設けら
れているので、回路基板上に２つ（あるいは偶数）のイ
ンダクタを必要とする場合に、図７に示す複合型磁気素
子を使用することが最適である。

【０１０８】またこの実施例においては、２つの薄膜イ
ンダクタ３３，３４を別々に形成する場合に比べて、２
つの薄膜インダクタ３３，３４を複合して形成すること
で、面実装面積を半分にすることができ、面実装面積の
狭小化を図ることができる。

【０１０９】さらに、一つの磁性基板２０を共有して、
前記磁性基板２０の両側に薄膜インダクタ３３，３４を
形成することで、前記磁性基板２０を各薄膜インダクタ
３３，３４の下部の磁性膜として機能させることがで
き、このため各薄膜インダクタ３３，３４の構成に必要
な下部の磁性膜の形成を行う必要性が無くなることで、
積層膜の総数を減らすことができ、製造工程の簡略化・
製造コストの低減を図ることが可能である。

【０１１０】また双方の磁気素子が共に薄膜形成されて
いることで、２つのインダクタ３３，３４を有する複合
型磁気素子自体の大きさを非常に小さくすることがで
き、今後の回路基板の狭小化に対応可能な磁気素子の製
造を行うことが可能である。

【０１１１】なお図７に示す複合型磁気素子の製造方法
であるが、まず磁性基板２０上に一方の薄膜インダクタ
３３を形成した後、前記磁性基板２０をひっくり返し、
前記磁性基板２０のもう一方の表面に、他方の薄膜イン
ダクタ３４を薄膜形成することで、図７に示す複合型磁
気素子を製造することができる。

【０１１２】図８は、他の実施形態の複合型磁気素子の
構造を示す部分断面図である。この実施例では、一つの
磁性基板２０の一方側に形成されたインダクタ３５が設
けられており、前記磁性基板２０の他方側に形成された
トランス３６が設けられている。

【０１１３】図８に示す薄膜インダクタ３５の膜構成
は、図２及び図７に示す薄膜インダクタ２３，３３，３
４と全く同じである。

【０１１４】すなわち磁性基板２０下には、絶縁膜２
９、平面型コイル２６、絶縁膜３０、磁性膜２７、絶縁
膜３１及び取り出し電極３２が、順に積層され、前記磁
性基板２０から取り出し電極３２における各積層膜によ
り、薄膜インダクタ３５が構成されている。

【０１１５】図８に示すように、前記磁性基板２０の上
には、２層の平面型コイル３８，４０が積層され、前記
磁性基板２０から磁性膜４２までの各積層膜により、薄
膜トランス３６が構成される。

【０１１６】図８に示すように、磁性基板２０の上に
は、絶縁膜３７を介して一次側平面型コイル３８がスパ
イラル状に平面的に形成されている。前記一次側平面型
コイル３８は、絶縁膜３９によって覆われ、さらに前記
絶縁膜３９上には、二次側平面型コイル４０が、スパイ
ラル状に平面的に形成されている。

【０１１７】前記二次側平面型コイル４０は絶縁膜４１
によって覆われ、さらに前記絶縁膜４１上には、磁性膜
４２が形成されている。

【０１１８】なお、絶縁膜３７は、薄膜インダクタ３５
側における絶縁膜２９と同様に、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃等
の無機絶縁材料で形成されていてもよいし、ポリイミド
やレジスト等の有機絶縁材料により形成されていてもよ
い。

【０１１９】また平面型コイル３８，４０は、レジスト
を用いて前記レジストに露光現像により平面型コイル３
８，４０と同じパターンを形成し、前記パターン内に銅
等の電気導電性に優れた電気導電性材料をメッキ成長さ
せて形成することができる。

【０１２０】また絶縁膜３９，４１は、ポリイミドやレ
ジスト等の有機絶縁材料で形成されることが無機絶縁材
料で形成されるよりも、ピンホール等の発生が少なく、
前記平面型コイル３８，４０の各導体部のピッチ間を適
切に埋めることができて好ましい。

【０１２１】また磁性膜４２は、実効透磁率の高い高周
波特性に優れた軟磁性膜で形成されることが好ましく、
例えば、特開平６−３１６７４８号公報に記載されてい
るＦｅ−Ｍ−Ｏ系軟磁性材料（但し、Ｍは、Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，
Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種
あるいは２種以上の元素）あるいは特開平１０−２５５
３０号公報に記載されているＣｏ−Ｆｅ−Ｅ−Ｏ系軟磁
性材料（但し、元素Ｅは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｃ，Ｂ，Ｇａ，
Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元
素）や、Ｃｏ−Ｔａ−Ｈｆ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｈｆ−Ｐｄ、
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｔａ、あるいはＣｏ−
Ｈｆ−Ｎｂ等により形成される。

【０１２２】なお図８では、薄膜トランス３６に、取り
出し電極が図示されていないが、一次側平面型コイル３
８及び二次側平面型コイル４０共に、磁性膜４２に形成
された穴部（図示しない）等から前記一次側平面型コイ
ル３８及び二次側平面型コイル４０の巻き中心部と接合
する取り出し電極が、薄膜トランス３６の外部に延びて
形成されている。

【０１２３】この実施例では、一つの磁性基板２０を共
有して、２つの磁気素子が共に薄膜形成されており、し
かも一方の磁気素子と他方の磁気素子とは機能を異にし
ている。

【０１２４】図８に示す薄膜トランス３６は、平面型コ
イル３８，４０を２層形成しなければいけないことか
ら、前記一次側平面型コイル３８を形成し、前記一次側
平面型コイル３８を覆う絶縁膜３９を形成した後、一旦
前記絶縁膜３９表面を平坦化する必要性がある。

【０１２５】それは前記絶縁膜３９の表面に凹凸がある
場合には、前記絶縁膜３９上に形成される二次側平面型
コイル４０をパターン形成しづらくなるからであり、従
って前記絶縁膜３９の表面を平坦化した後、前記絶縁膜
３９上に二次側平面型コイル４０をパターン形成する。

【０１２６】従って薄膜トランス３６では、平面型コイ
ル３８，４０を図８に示すように、図示上下に積層した
場合には、上記した絶縁層等の表面の凹凸の問題が顕著
になり、実際の製造において、薄膜インダクタ３５より
も所定形状で薄膜トランス３６を形成することは難しい
と思われる。

【０１２７】従って例えば薄膜トランス３６を構成する
２つの平面型コイル３８，４０を、絶縁膜３７上に平面
的（図示Ｘ方向）に並べて形成することにより、上記し
た問題を解決することができる。

【０１２８】この場合、磁性基板２０の図示Ｘ方向にお
ける長さ寸法をさらに長く延ばして形成する必要がある
ため、面実装面積は図８に示す薄膜トランス３６の平面
型コイル３８，４０を図示上下に積層した複合型磁気素
子に比べて大きくなるが、薄膜トランス３６と薄膜イン
ダクタ３５とを別々に形成して、それぞれを回路基板上
に設置する場合に比べれば、面実装面積を効果的に小さ
くすることができるから、今後の回路基板の狭小化に十
分対応可能な複合型磁気素子を製造することができるも
のと考えられる。

【０１２９】この実施例においても、一つの磁性基板２
０を共有して、前記磁性基板２０の両側に第１の磁気素
子と第２の磁気素子が設けられており、前記磁性基板２
０は、薄膜インダクタ３５及び薄膜トランス３６の下部
の磁性膜として機能している。

【０１３０】従って図８に示す実施例では、前記薄膜イ
ンダクタ３５の下部の磁性膜、および薄膜トランス３６
の下部の磁性膜を形成する必要性が無くなり、積層膜の
総数を減らすことができて、製造工程を簡略化すること
が可能である。

【０１３１】また双方の磁気素子を薄膜で形成すること
で、複合型磁気素子自体の大きさを非常に小さくするこ
とができる。特に図８においては、複合型磁気素子にト
ランス３６とインダクタ３５が含まれており、図２に示
す複合型磁気素子と同様の機能を果すと同時に、図２に
示す複合型磁気素子よりも十分に小型化された複合型磁
気素子を提供することが可能になっている。

【０１３２】なお製造方法としては、図７に示す複合型
磁気素子と同様に、まず磁性基板２０上に例えば薄膜ト
ランス３６を形成した後、前記磁性基板２０をひっくり
返して、前記磁性基板の他方の表面に薄膜インダクタ３
５を形成することにより、図８に示す複合型磁気素子を
製造することができる。

【０１３３】また図８に示す薄膜トランス３６の積層構
造を用いて、磁性基板２０の両側に、一つずつ薄膜トラ
ンス３６を形成した複合型磁気素子を製造することも可
能である。

【０１３４】また本発明における複合型磁気素子は上記
した方法以外の方法によっても製造でき、その別の方法
で製造された複合型磁気素子の構造が、図９及び図１０
に示されている。

【０１３５】すなわち図９に示す複合型磁気素子は、磁
性基板５０上に薄膜トランス３６を形成した磁気素子
と、磁性基板５１上に薄膜インダクタ３５を形成した磁
気素子を製造し、各磁性基板５０，５１の裏面同士を接
着等により接合することで、形成されている。

【０１３６】また図１０に示す複合型磁気素子は、まず
ガラス等の基板５２上に、薄膜インダクタ３５を形成
し、さらに磁性基板２０上に薄膜トランス３６を積層形
成することによって形成されている。

【０１３７】図２や図１０に示すトランスとインダクタ
が一体に形成された複合型磁気素子は、図１１および図
１２に示すＤＣ−ＤＣコンバータの回路に使用すること
ができる。

【０１３８】ＤＣ−ＤＣコンバータでは、出力電圧（直
流）をトランジスタでスイッチングさせて交流に変換
し、さらにトランスＴを介して前記交流を昇圧または降
圧して２次側に伝達する。２次側では昇圧または降圧後
の電圧を、ダイオードにより整流し、インダクタＬおよ
びコンデンサＣからなる平滑回路に供給する。そして前
記平滑回路では、ダイオードの出力を平滑して直流電圧
を生成するようになっている。

【０１３９】なお本発明における複合型磁気素子は、Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ以外の電源回路、あるいはその他の
回路にも使用可能である。

【０１４０】すなわち、図２や図１０に示すようなイン
ダクタとトランスが一体となった複合型磁気素子は、回
路内にインダクタとトランスが組として必要な場合に使
用することができるし、また図７に示すような２つのイ
ンダクタが一体となった複合型磁気素子は、回路内にイ
ンダクタを偶数個必要な場合に使用することができる。
同様に、２つのトランスが一体となった複合型磁気素子
は、回路内にトランスを偶数個必要な場合に使用するこ
とが可能である。

【０１４１】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、磁性基板
の両側に、前記磁性基板を共有した第１の磁気素子と第
２の磁気素子を設け、前記２つの磁気素子のうち一方の
磁気素子を薄膜形成した複合型磁気素子を回路基板上に
配置することで、面実装面積の狭小化を図ることがで
き、よって回路基板の狭小化、ひいては前記回路基板を
有する装置の小型化を図ることが可能である。

【０１４２】また本発明では、第１の磁気素子と第２の
磁気素子とが、一つの磁性基板を共有し、前記磁性基板
を各磁気素子の構成部材として使用することで、本来磁
気素子の構成に必要な磁性体（磁性膜）の形成を一部省
略することができ、製造工程の簡略化・生産コストの低
減を図ることが可能である。

【０１４３】また本発明における複合型磁気素子の具体
的な構成は、例えばバルク材で形成された磁気素子上に
磁性基板を共有して薄膜の磁気素子が形成された構成で
あり、このように本発明では、少なくとも一方の磁気素
子が薄膜形成されていることで、複合型磁気素子の体積
は、バルク材で形成された磁気素子単体の体積に比べて
さほど大きくはならず、２素子分の面積が１素子分で足
り、実装面積を小さくすることができる。

【０１４４】また本発明では、２つの磁気素子のうち、
薄膜形成された磁気素子を構成する平面型コイルの形
状、及び他方のバルクコアの形状を適正な形状で形成す
ることにより、２つの磁気素子から発生する磁界を、磁
性基板内において少なくとも一部一致させることがで
き、各磁気素子の機能を良好に保つことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における複合型磁気素子の構造を示す斜
視図、

【図２】図１に示す複合型磁気素子を２−２線から切断
した部分断面図、

【図３】図１に示す複合型磁気素子の断面を模式図的に
示した図、

【図４】図１に示す複合型磁気素子の部分平面図、

【図５】本発明における他の実施形態の複合型磁気素子
の構造を示す斜視図、

【図６】本発明における他の実施形態の複合型磁気素子
の構造を示す斜視図、

【図７】本発明における他の実施形態の複合型磁気素子
の構造を示す部分断面図、

【図８】本発明における他の実施形態の複合型磁気素子
の構造を示す部分断面図、

【図９】本発明における他の実施形態の複合型磁気素子
の構造を示す部分断面図、

【図１０】本発明における他の実施形態の複合型磁気素
子の構造を示す部分断面図、

【図１１】本発明の複合型磁気素子を使用可能なＤＣ−
ＤＣコンバータの回路図、

【図１２】本発明の複合型磁気素子を使用可能なＤＣ−
ＤＣコンバータの回路図、

【図１３】従来におけるＤＣ−ＤＣコンバータの回路基
板上の搭載部品を示す斜視図、

【図１４】インダクタを薄膜形成した際の構造を示す部
分断面図、

【符号の説明】

２０、５０、５１磁性基板２１バルクコア２２トランス２３、３３、３４、３５薄膜インダクタ２４一次側コイル２５二次側コイル２６平面型コイル２７、４２磁性膜３６薄膜トランス３８一次側平面型コイル４０二次側平面型コイル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐々木義人東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者畑内隆史東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内Ｆターム(参考） 5E043 AA01 AA08 5E070 AA05 AA11 BA06 BA08 BA11 BB01 CB13 CB16 5H730 AA15 BB23 BB25 DD02 EE02 EE03 EE08 EE10 ZZ16 ZZ17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性基板の両側に、前記磁性基板を共有
した第１の磁気素子と第２の磁気素子とが設けられ、前
記各磁気素子には、前記磁性基板に磁界を誘導するコイ
ルが設けられ、且つ前記２つの磁気素子のうち、少なく
とも一方の磁気素子が平面型コイルを有することを特徴
とする複合型磁気素子。
【請求項２】前記平面型コイルを有する前記磁気素子
は、前記磁性基板の面と平行な面に沿って形成された平
面型コイルと、前記平面型コイルを覆う磁性膜が設けら
れている請求項１記載の複合型磁気素子。
【請求項３】他方の磁気素子は、前記磁性基板に磁気
的に接合されるバルクコアと、このバルクコアに巻かれ
たコイルとを有する請求項１または２に記載の複合型磁
気素子。
【請求項４】前記一方の磁気素子のコイルによって前
記磁性基板に誘導される磁界と、他方の磁気素子のコイ
ルによって前記磁性基板に誘導される磁界とが、磁性基
板内の少なくとも一部において同じ方向である請求項１
記載の複合型磁気素子。
【請求項５】前記一方の磁気素子は、前記磁性基板の
面と平行な面に沿って平面形コイルが形成され、他方の磁気素子は、バルクコアと、このバルクコアに巻
かれたコイルとを有し、前記一方の磁気素子の平面型コイルの導体は、前記他方
の磁気素子により誘導される前記磁性基板の面方向の磁
界と直交した部分を有する請求項４記載の複合型磁気素
子。
【請求項６】前記一方の磁気素子の平面型コイルの導
体に流す電流は、前記一方の磁気素子の前記直交する部
分に誘導される磁界と、他方の磁気素子により誘導され
る磁界とが、磁性基板内において一致する方向に流され
る請求項５記載の複合型磁気素子。
【請求項７】前記他方の磁気素子のバルクコアは、ポ
ットコアである請求項５または６に記載の複合型磁気素
子。
【請求項８】前記他方の磁気素子のバルクコアは、前
記磁性基板に磁気的に接合される平行な脚部を有する請
求項５または６に記載の複合型磁気素子。
【請求項９】前記一方の磁気素子は、前記磁性基板の
面と平行な面に沿って形成された平面型コイルと、前記
平面型コイルを覆う磁性膜が設けられ、前記一方の磁気素子の磁性膜は、前記他方の磁気素子に
より誘導される前記磁性基板の面方向の磁界と平行方向
に磁化困難軸を有する請求項８記載の複合型磁気素子。
【請求項１０】前記磁性基板は、フェライトで形成さ
れる請求項１ないし９のいずれかに記載の複合型磁気素
子。
【請求項１１】前記複合型磁気素子は、ＤＣ−ＤＣコ
ンバータの搭載部品として使用される請求項１ないし１
０のいずれかに記載の複合型磁気素子。