JP2001168442A - 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 製造に要する時間を短縮することができ、か
つ、加熱による性能劣化を防止することができる半導体
レーザ素子の製造方法、その配設基板および支持基板を
提供する。 【課題手段】 レーザチップ２０、サブマウント３０お
よびヒートシンク４０を重ね合わせて接着することによ
り半導体レーザ素子を形成する。レーザチップ２０は、
結晶基板２１の同一面側にｐ側電極２ａおよびｎ側電極
２ｂを形成してなるものであり、サブマウント３０は、
支持体３１の表裏面に表面半田膜３ａおよび裏面半田膜
３ｂを形成してなるものである。レーザチップ２０、サ
ブマウント３０およびヒートシンク４０を重ね合わせ、
熱および圧力を加えることにより、表面半田膜３ａおよ
び裏面半田膜３ｂが溶融し、レーザチップ２０、サブマ
ウント３０およびヒートシンク４０が一度に貼り合わさ
れる。
つ、加熱による性能劣化を防止することができる半導体
レーザ素子の製造方法、その配設基板および支持基板を
提供する。 【課題手段】 レーザチップ２０、サブマウント３０お
よびヒートシンク４０を重ね合わせて接着することによ
り半導体レーザ素子を形成する。レーザチップ２０は、
結晶基板２１の同一面側にｐ側電極２ａおよびｎ側電極
２ｂを形成してなるものであり、サブマウント３０は、
支持体３１の表裏面に表面半田膜３ａおよび裏面半田膜
３ｂを形成してなるものである。レーザチップ２０、サ
ブマウント３０およびヒートシンク４０を重ね合わせ、
熱および圧力を加えることにより、表面半田膜３ａおよ
び裏面半田膜３ｂが溶融し、レーザチップ２０、サブマ
ウント３０およびヒートシンク４０が一度に貼り合わさ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基体の同一面側に
半導体層および電極膜が形成されたレーザチップを含む
半導体レーザ素子の製造方法、並びにその製造方法にお
いて用いられる配設基板および支持基板に関するもので
ある。
半導体層および電極膜が形成されたレーザチップを含む
半導体レーザ素子の製造方法、並びにその製造方法にお
いて用いられる配設基板および支持基板に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、短波長光の光源として、例えばＧ
ａＮなどの窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子を有
する半導体発光装置が開発されている。一般に、窒化物
半導体を用いた半導体レーザ素子では、サファイア（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）などの基体上に、窒化物半導体からなるｎ型
層、活性層およびｐ型層が順に積層形成されている。半
導体レーザ素子の一対の電極膜のうち、ｐ側電極は半導
体層の最上層であるｐ型層上に形成され、ｎ側電極はｐ
型層および活性層のエッチングにより露出したｎ型層上
に形成される。ここでは、基体、半導体層、ｐ側電極お
よびｎ側電極を合わせてレーザチップと呼ぶ。
ａＮなどの窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子を有
する半導体発光装置が開発されている。一般に、窒化物
半導体を用いた半導体レーザ素子では、サファイア（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）などの基体上に、窒化物半導体からなるｎ型
層、活性層およびｐ型層が順に積層形成されている。半
導体レーザ素子の一対の電極膜のうち、ｐ側電極は半導
体層の最上層であるｐ型層上に形成され、ｎ側電極はｐ
型層および活性層のエッチングにより露出したｎ型層上
に形成される。ここでは、基体、半導体層、ｐ側電極お
よびｎ側電極を合わせてレーザチップと呼ぶ。
【０００３】一般に、レーザチップは、その半導体層が
発生した熱を効率的に放散できるよう、比較的熱伝導率
の大きい金属などからなる支持基板（ヒートシンクとも
呼ばれる。）によって支持されている。また、レーザチ
ップと支持基板との間には、絶縁材料からなる支持体に
リード電極部を形成してなる配設基板（サブマウントと
も呼ばれる。）が設けられている。従来の半導体レーザ
素子の製造方法では、まず、配設基板と支持基板とを半
田により接着し、次いでその配設基板とレーザチップと
を半田により接着するようにしている。
発生した熱を効率的に放散できるよう、比較的熱伝導率
の大きい金属などからなる支持基板（ヒートシンクとも
呼ばれる。）によって支持されている。また、レーザチ
ップと支持基板との間には、絶縁材料からなる支持体に
リード電極部を形成してなる配設基板（サブマウントと
も呼ばれる。）が設けられている。従来の半導体レーザ
素子の製造方法では、まず、配設基板と支持基板とを半
田により接着し、次いでその配設基板とレーザチップと
を半田により接着するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体レーザ素子の製造方法では、２回の接
着工程を経なければならないことから、半導体レーザ素
子の製造に要する時間が長くなるという問題がある。さ
らに、半田を溶融させるための熱処理を２回行わなけれ
ばならないことから、熱処理の繰り返しにより半導体レ
ーザ素子の性能劣化を引き起こすという問題もある。
うな従来の半導体レーザ素子の製造方法では、２回の接
着工程を経なければならないことから、半導体レーザ素
子の製造に要する時間が長くなるという問題がある。さ
らに、半田を溶融させるための熱処理を２回行わなけれ
ばならないことから、熱処理の繰り返しにより半導体レ
ーザ素子の性能劣化を引き起こすという問題もある。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、製造に要する時間を短縮することが
でき、かつ、加熱による性能劣化を抑制することができ
る半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基
板を提供することにある。
ので、その目的は、製造に要する時間を短縮することが
でき、かつ、加熱による性能劣化を抑制することができ
る半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基
板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ素子の製造方法は、レーザチップ、配設基板および支
持基板を一度に貼り合わせる工程を含むことを特徴とす
るものである。
ザ素子の製造方法は、レーザチップ、配設基板および支
持基板を一度に貼り合わせる工程を含むことを特徴とす
るものである。
【０００７】また、本発明による半導体レーザ素子の配
設基板は、基体に半導体層を形成してなるレーザチップ
と貼り合わされて用いられる配設基板であって、支持体
と、この支持体の一対の面にそれぞれ形成された第１の
半田膜および第２の半田膜とを備えたことを特徴とする
ものである。
設基板は、基体に半導体層を形成してなるレーザチップ
と貼り合わされて用いられる配設基板であって、支持体
と、この支持体の一対の面にそれぞれ形成された第１の
半田膜および第２の半田膜とを備えたことを特徴とする
ものである。
【０００８】また、本発明による半導体レーザ素子の支
持基板は、半導体層を含むレーザチップを所定の配設基
板を介して支持する支持基板であって、基板本体の少な
くとも一面に半田膜を備えたことを特徴とするものであ
る。
持基板は、半導体層を含むレーザチップを所定の配設基
板を介して支持する支持基板であって、基板本体の少な
くとも一面に半田膜を備えたことを特徴とするものであ
る。
【０００９】本発明による半導体レーザ素子の製造方法
では、レーザチップ、配設基板および支持基板が一度に
貼り合わされるため、貼り合わせ作業を２回繰り返す必
要が無い。
では、レーザチップ、配設基板および支持基板が一度に
貼り合わされるため、貼り合わせ作業を２回繰り返す必
要が無い。
【００１０】また、本発明による半導体レーザ素子の配
設基板では、この配設基板の一方の側にレーザチップを
重ね合わせ、他方の側に支持基板を重ね合わせることに
より、レーザチップと配設基板とが第１の半田膜により
接着され、同時に、配設基板と支持基板とが第２の半田
膜によ接着される。
設基板では、この配設基板の一方の側にレーザチップを
重ね合わせ、他方の側に支持基板を重ね合わせることに
より、レーザチップと配設基板とが第１の半田膜により
接着され、同時に、配設基板と支持基板とが第２の半田
膜によ接着される。
【００１１】さらに、本発明による半導体レーザ素子の
支持基板では、この支持基板の一方の側に配設基板を重
ね合わせることにより、配設基板と支持基板とが半田膜
により接着される。
支持基板では、この支持基板の一方の側に配設基板を重
ね合わせることにより、配設基板と支持基板とが半田膜
により接着される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】［第１の実施の形態］図１は、第１の実施
の形態に係る半導体レーザ素子１が用いられた半導体発
光装置１００の一例を表す図である。半導体発光装置１
００は、半導体レーザ素子１と、この半導体レーザ素子
１を覆う所定形状のパッケージ１０とを備えて構成され
ている。パッケージ１０は、円板形状の支持ディスク１
１と、この支持ディスク１１に取り付けられる円筒形状
の蓋体１２とを有している。蓋体１２の長手方向一端面
は閉塞されているが、その一端面には半導体レーザ素子
１から射出されたレーザビームをパッケージ１０外に取
り出すための窓１２ａが形成されている。蓋体１２は、
例えば銅（Ｃｕ）または鉄（Ｆｅ）などの金属により構
成されており、窓１２ａは透明なガラスあるいは樹脂に
より構成されている。支持ディスク１１は、銅または鉄
などの金属により構成されており、その表面（図１にお
ける前面）には、半導体レーザ素子１が形成されてい
る。ここで、半導体レーザ素子１は、本発明における
「半導体レーザ素子」に対応する。
の形態に係る半導体レーザ素子１が用いられた半導体発
光装置１００の一例を表す図である。半導体発光装置１
００は、半導体レーザ素子１と、この半導体レーザ素子
１を覆う所定形状のパッケージ１０とを備えて構成され
ている。パッケージ１０は、円板形状の支持ディスク１
１と、この支持ディスク１１に取り付けられる円筒形状
の蓋体１２とを有している。蓋体１２の長手方向一端面
は閉塞されているが、その一端面には半導体レーザ素子
１から射出されたレーザビームをパッケージ１０外に取
り出すための窓１２ａが形成されている。蓋体１２は、
例えば銅（Ｃｕ）または鉄（Ｆｅ）などの金属により構
成されており、窓１２ａは透明なガラスあるいは樹脂に
より構成されている。支持ディスク１１は、銅または鉄
などの金属により構成されており、その表面（図１にお
ける前面）には、半導体レーザ素子１が形成されてい
る。ここで、半導体レーザ素子１は、本発明における
「半導体レーザ素子」に対応する。
【００１４】図２は、半導体レーザ素子の構造を表す断
面図である。半導体レーザ素子１は、半導体層を含むレ
ーザチップ２０と、このレーザチップ２０が載置された
サブマウント３０と、これらを支持するヒートシンク４
０とを備えて構成されている。ヒートシンク４０は、レ
ーザチップ２０の発する熱を放散するためのものであ
り、熱伝導率の大きい金属などにより形成されている。
サブマウント３０は、レーザチップ２０とヒートシンク
４０との間に介在し、レーザチップ２０の後述する電極
２ａ，２ｂに接続されるリード電極層３２，３３を有す
るものである。ここで、レーザチップ２０は、本発明に
おける「レーザチップ」の一具体例に対応する。また、
サブマウント３０は、本発明における「配設基板」の一
具体例に対応し、ヒートシンク４０は、本発明における
「支持基板」の一具体例に対応する。なお、図２および
以下に説明する図３ないし図７では、レーザーチップ２
０、サブマウント３０およびヒートシンク４０は、それ
ぞれ厚さ方向の寸法を誇張して示すようにする。
面図である。半導体レーザ素子１は、半導体層を含むレ
ーザチップ２０と、このレーザチップ２０が載置された
サブマウント３０と、これらを支持するヒートシンク４
０とを備えて構成されている。ヒートシンク４０は、レ
ーザチップ２０の発する熱を放散するためのものであ
り、熱伝導率の大きい金属などにより形成されている。
サブマウント３０は、レーザチップ２０とヒートシンク
４０との間に介在し、レーザチップ２０の後述する電極
２ａ，２ｂに接続されるリード電極層３２，３３を有す
るものである。ここで、レーザチップ２０は、本発明に
おける「レーザチップ」の一具体例に対応する。また、
サブマウント３０は、本発明における「配設基板」の一
具体例に対応し、ヒートシンク４０は、本発明における
「支持基板」の一具体例に対応する。なお、図２および
以下に説明する図３ないし図７では、レーザーチップ２
０、サブマウント３０およびヒートシンク４０は、それ
ぞれ厚さ方向の寸法を誇張して示すようにする。
【００１５】図３は、図２に示した半導体レーザ素子１
のレーザチップ２０の構造を表す断面図である。レーザ
チップ２０は、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる結晶
基板２１を有している。なお、結晶基板２１としては、
サファイアの他、スピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、窒化ガ
リウム（ＧａＮ）、ケイ素（Ｓｉ）あるいは炭化ケイ素
（ＳｉＣ）を用いて形成しても良い。結晶基板２１の表
面には、例えばケイ素などのｎ型不純物をドープされた
ｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層２２が形成されて
いる。ｎ型コンタクト層２２の厚さは、例えば、約４μ
ｍである。ｎ型コンタクト層２２の表面には、ケイ素な
どのｎ型不純物をドープされたｎ型ＡｌＧａＮからなる
ｎ型クラッド層２３が形成されている。ｎ型クラッド層
２３の厚さは、例えば、約１．２μｍである。
のレーザチップ２０の構造を表す断面図である。レーザ
チップ２０は、サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる結晶
基板２１を有している。なお、結晶基板２１としては、
サファイアの他、スピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、窒化ガ
リウム（ＧａＮ）、ケイ素（Ｓｉ）あるいは炭化ケイ素
（ＳｉＣ）を用いて形成しても良い。結晶基板２１の表
面には、例えばケイ素などのｎ型不純物をドープされた
ｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層２２が形成されて
いる。ｎ型コンタクト層２２の厚さは、例えば、約４μ
ｍである。ｎ型コンタクト層２２の表面には、ケイ素な
どのｎ型不純物をドープされたｎ型ＡｌＧａＮからなる
ｎ型クラッド層２３が形成されている。ｎ型クラッド層
２３の厚さは、例えば、約１．２μｍである。
【００１６】ｎ型クラッド層２３の表面には、ＩｎＧａ
Ｎにより構成された活性層２４が形成されている。活性
層２４は、例えば光閉じ込め層を有して構成されるもの
で、いわゆる発光層として機能するものである。活性層
２４の表面には、Ｍｇなどのｐ型不純物をドープしたｐ
型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層２５が形成されて
いる。ｐ型クラッド層２５の厚さは、例えば約０．８μ
ｍである。ｐ型クラッド層２５の表面には、例えば、Ｍ
ｇなどのｐ型不純物をドープしたｐ型ＧａＮからなるｐ
型コンタクト層２６が形成されている。ｐ型コンタクト
層２６の厚さは、例えば約０．３μｍである。ｐ型クラ
ッド層２５およびｐ型コンタクト層２６の一部はエッチ
ングにより除去されており、ｐ型クラッド層２５および
ｐ型コンタクト層２６を挟み込むように、酸化ケイ素、
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの絶縁膜からなる狭窄層２
７が設けられている。
Ｎにより構成された活性層２４が形成されている。活性
層２４は、例えば光閉じ込め層を有して構成されるもの
で、いわゆる発光層として機能するものである。活性層
２４の表面には、Ｍｇなどのｐ型不純物をドープしたｐ
型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層２５が形成されて
いる。ｐ型クラッド層２５の厚さは、例えば約０．８μ
ｍである。ｐ型クラッド層２５の表面には、例えば、Ｍ
ｇなどのｐ型不純物をドープしたｐ型ＧａＮからなるｐ
型コンタクト層２６が形成されている。ｐ型コンタクト
層２６の厚さは、例えば約０．３μｍである。ｐ型クラ
ッド層２５およびｐ型コンタクト層２６の一部はエッチ
ングにより除去されており、ｐ型クラッド層２５および
ｐ型コンタクト層２６を挟み込むように、酸化ケイ素、
アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの絶縁膜からなる狭窄層２
７が設けられている。
【００１７】ｐ型コンタクト層２６の表面には、ｐ側電
極２ａが形成されている。ｐ側電極２ａは、例えば、ｐ
型コンタクト層２６の側から順にニッケル（Ｎｉ）層お
よび金（Ａｕ）層を積層して加熱処理により合金化した
ものである。ｎ型コンタクト層２２、ｎ型クラッド層２
３、活性層２４、ｐ型クラッド層２５およびｐ型コンタ
クト層２６は、エッチングにより部分的に除去されてお
り、ｎ型コンタクト層２２の一部が露出している。この
ｎ型コンタクト２２の露出表面にｎ側電極２ｂが形成さ
れている。ｎ側電極２ｂは、例えば、ｎ型コンタクト層
２２の側から順にチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａ
ｌ）層および金層を積層して加熱処理により合金化した
ものである。ｐ側電極２ａおよびｎ側電極２ｂは、いず
れも、図２において紙面に垂直な方向に帯状に長く形成
されている。また、ｐ側電極２ａがｎ側電極２ｂよりも
例えば約３．５μｍ突出している。
極２ａが形成されている。ｐ側電極２ａは、例えば、ｐ
型コンタクト層２６の側から順にニッケル（Ｎｉ）層お
よび金（Ａｕ）層を積層して加熱処理により合金化した
ものである。ｎ型コンタクト層２２、ｎ型クラッド層２
３、活性層２４、ｐ型クラッド層２５およびｐ型コンタ
クト層２６は、エッチングにより部分的に除去されてお
り、ｎ型コンタクト層２２の一部が露出している。この
ｎ型コンタクト２２の露出表面にｎ側電極２ｂが形成さ
れている。ｎ側電極２ｂは、例えば、ｎ型コンタクト層
２２の側から順にチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａ
ｌ）層および金層を積層して加熱処理により合金化した
ものである。ｐ側電極２ａおよびｎ側電極２ｂは、いず
れも、図２において紙面に垂直な方向に帯状に長く形成
されている。また、ｐ側電極２ａがｎ側電極２ｂよりも
例えば約３．５μｍ突出している。
【００１８】ここで、結晶基板２１は、本発明における
「基体」の一具体例に対応する。また、ｎ型コンタクト
層２２からｐ型コンタクト層２６および狭窄層２７まで
の積層体が、本発明における「半導体層」の一具体例に
対応する。加えて、ｐ側電極２ａおよびｎ側電極２ｂ
は、本発明における「一対の電極膜」の一具体例に対応
する。
「基体」の一具体例に対応する。また、ｎ型コンタクト
層２２からｐ型コンタクト層２６および狭窄層２７まで
の積層体が、本発明における「半導体層」の一具体例に
対応する。加えて、ｐ側電極２ａおよびｎ側電極２ｂ
は、本発明における「一対の電極膜」の一具体例に対応
する。
【００１９】レーザチップ２０の紙面に垂直な方向にお
ける両端部には、一対の図示しない反射鏡膜が形成され
ている。この反射鏡膜は、例えば二酸化ケイ素膜と酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ）膜とを交互に積層した構造を有
し、一方の反射鏡膜の反射率が他方の反射鏡の反射率よ
りも低くなるようになっている。活性層２４において発
生した光は、一対の反射鏡膜の間を往復して増幅された
のち、一方の反射鏡膜からレーザビームとして射出され
るようになっている。
ける両端部には、一対の図示しない反射鏡膜が形成され
ている。この反射鏡膜は、例えば二酸化ケイ素膜と酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ）膜とを交互に積層した構造を有
し、一方の反射鏡膜の反射率が他方の反射鏡の反射率よ
りも低くなるようになっている。活性層２４において発
生した光は、一対の反射鏡膜の間を往復して増幅された
のち、一方の反射鏡膜からレーザビームとして射出され
るようになっている。
【００２０】図４は、サブマウント３０の構造を表す断
面図である。サブマウント３０は、直方体形状を有する
板状部材である支持体３１上に、リード電極層３２，３
３および半田膜３ａ，３ｂを形成して構成されたもので
ある。支持体３１は、絶縁性があり熱伝導率の大きい、
例えばダイヤモンド（Ｃ）、酸化ベリリウム（Ｂｅ
Ｏ）、銅−タングステン合金（ＣｕＷ）、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）、ケイ素
（Ｓｉ）あるいは炭化ケイ素（ＳｉＣ）により構成され
ている。支持体３１の寸法は、例えば、厚さが２００μ
ｍであり、幅（図中左右方向の長さ）が０．６ｍｍ、奥
行（図中奥行方向の長さ）は１ｍｍである。
面図である。サブマウント３０は、直方体形状を有する
板状部材である支持体３１上に、リード電極層３２，３
３および半田膜３ａ，３ｂを形成して構成されたもので
ある。支持体３１は、絶縁性があり熱伝導率の大きい、
例えばダイヤモンド（Ｃ）、酸化ベリリウム（Ｂｅ
Ｏ）、銅−タングステン合金（ＣｕＷ）、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）、ケイ素
（Ｓｉ）あるいは炭化ケイ素（ＳｉＣ）により構成され
ている。支持体３１の寸法は、例えば、厚さが２００μ
ｍであり、幅（図中左右方向の長さ）が０．６ｍｍ、奥
行（図中奥行方向の長さ）は１ｍｍである。
【００２１】支持体３１の上面は平滑面となっており、
その平滑面上には、例えば厚さが１０μｍの一対のリー
ド電極層３２，３３が形成されている。リード電極層３
２，３３は、金または金−錫合金（ＡｕＳｎ）などによ
り構成することができる。あるいは、リード電極層３
２，３３は、サブマウント３０側から順にチタン層、白
金層および金層を積層した構造としても良い。このリー
ド電極層３２，３３は、図１に示したように、支持ディ
スク１１（図１）に設けられたピン１７，１８（図１）
にそれぞれワイヤＷを介して電気的に接続されている。
あるいは、リード電極層３２，３３のどちらか一方を、
図示しないリード電極により、裏面半田膜３ｃ（図５）
に電気的に接続するようにしても良い。左右のリード電
極層３２，３３の間には、約５０μｍの間隔が設けられ
ている。ここで、支持体３１は、本発明における「支持
体」の一具体例に対応する。また、リード電極層３２，
３３は、本発明における「一対のリード電極部」の一具
体例に対応する。
その平滑面上には、例えば厚さが１０μｍの一対のリー
ド電極層３２，３３が形成されている。リード電極層３
２，３３は、金または金−錫合金（ＡｕＳｎ）などによ
り構成することができる。あるいは、リード電極層３
２，３３は、サブマウント３０側から順にチタン層、白
金層および金層を積層した構造としても良い。このリー
ド電極層３２，３３は、図１に示したように、支持ディ
スク１１（図１）に設けられたピン１７，１８（図１）
にそれぞれワイヤＷを介して電気的に接続されている。
あるいは、リード電極層３２，３３のどちらか一方を、
図示しないリード電極により、裏面半田膜３ｃ（図５）
に電気的に接続するようにしても良い。左右のリード電
極層３２，３３の間には、約５０μｍの間隔が設けられ
ている。ここで、支持体３１は、本発明における「支持
体」の一具体例に対応する。また、リード電極層３２，
３３は、本発明における「一対のリード電極部」の一具
体例に対応する。
【００２２】サブマウント３０のリード電極層３２，３
３の表面には、表面半田膜３ａ，３ｂがそれぞれ形成さ
れている。表面半田膜３ａ，３ｂは、いずれも、錫（Ｓ
ｎ），金−錫合金，錫−白金合金（ＳｎＰｔ），インジ
ューム−錫合金（ＩｎＳｎ），インジューム（Ｉｎ）な
どの低融点金属により形成されている。図中左側の表面
半田膜３ａの厚さは約３．５μｍであり、図中右側の表
面半田膜３ｂの厚さは７μｍである。すなわち、表面半
田膜３ａの表面と表面半田膜３ｂの表面との間の段差は
３．５μｍになる。ここで、表面半田膜３ａおよび表面
半田膜３ｂは、本発明における「第１の半田膜」の一具
体例にそれぞれ対応する。
３の表面には、表面半田膜３ａ，３ｂがそれぞれ形成さ
れている。表面半田膜３ａ，３ｂは、いずれも、錫（Ｓ
ｎ），金−錫合金，錫−白金合金（ＳｎＰｔ），インジ
ューム−錫合金（ＩｎＳｎ），インジューム（Ｉｎ）な
どの低融点金属により形成されている。図中左側の表面
半田膜３ａの厚さは約３．５μｍであり、図中右側の表
面半田膜３ｂの厚さは７μｍである。すなわち、表面半
田膜３ａの表面と表面半田膜３ｂの表面との間の段差は
３．５μｍになる。ここで、表面半田膜３ａおよび表面
半田膜３ｂは、本発明における「第１の半田膜」の一具
体例にそれぞれ対応する。
【００２３】サブマウント３０における支持体３１の裏
面（すなわち、リード電極層３２，３３が形成された面
と反対側の面）には、裏面半田膜３ｃが形成されてい
る。裏面半田膜３ｃは、表面半田膜３ａ，３ｂと同様
に、錫などの低融点金属により形成されており、その厚
さは約４μｍである。サブマウント３０に裏面半田膜３
ｃを設けるようにしたのは、半田膜をヒートシンク４０
（図５）のような構造物上に形成する場合に比べ、形成
が容易だからである。
面（すなわち、リード電極層３２，３３が形成された面
と反対側の面）には、裏面半田膜３ｃが形成されてい
る。裏面半田膜３ｃは、表面半田膜３ａ，３ｂと同様
に、錫などの低融点金属により形成されており、その厚
さは約４μｍである。サブマウント３０に裏面半田膜３
ｃを設けるようにしたのは、半田膜をヒートシンク４０
（図５）のような構造物上に形成する場合に比べ、形成
が容易だからである。
【００２４】図５は、ヒートシンク４０の形状を表す断
面図である。ヒートシンク４０は、熱伝導性の大きい金
属、例えば銅により構成された基板本体４１の表面に、
メッキ法により金層４２を形成して構成されている。図
５に示した例では、基板本体４１はほぼ台形形状である
が、他の形状であっても良い。なお、ヒートシンク４０
に金層４２を設けるようにしたのは、錫などからなる裏
面半田膜３ｃと金層４２とが合金を形成し易いためであ
る。また、金は安定な金属であり、その表面に不要な酸
化膜が形成されにくいためでもある。
面図である。ヒートシンク４０は、熱伝導性の大きい金
属、例えば銅により構成された基板本体４１の表面に、
メッキ法により金層４２を形成して構成されている。図
５に示した例では、基板本体４１はほぼ台形形状である
が、他の形状であっても良い。なお、ヒートシンク４０
に金層４２を設けるようにしたのは、錫などからなる裏
面半田膜３ｃと金層４２とが合金を形成し易いためであ
る。また、金は安定な金属であり、その表面に不要な酸
化膜が形成されにくいためでもある。
【００２５】［半導体レーザ素子の製造方法］次に、本
実施の形態に係る半導体レーザ素子の製造方法について
説明する。
実施の形態に係る半導体レーザ素子の製造方法について
説明する。
【００２６】まず、図３に示したレーザチップ２０を形
成する。すなわち、例えばサファイアよりなる結晶基板
２１の表面に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chem
icalVapor Deposition ）法により、ｎ型ＧａＮよりな
るｎ側コンタクト層２２、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型
クラッド層２３、ＧａＩｎＮよりなる活性層２４、ｐ型
ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層２５およびｐ型Ｇａ
Ｎよりなるｐ側コンタクト層２６を順次成長させる。
成する。すなわち、例えばサファイアよりなる結晶基板
２１の表面に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chem
icalVapor Deposition ）法により、ｎ型ＧａＮよりな
るｎ側コンタクト層２２、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型
クラッド層２３、ＧａＩｎＮよりなる活性層２４、ｐ型
ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層２５およびｐ型Ｇａ
Ｎよりなるｐ側コンタクト層２６を順次成長させる。
【００２７】ｎ側コンタクト層２２からｐ側コンタクト
層２６までの各層を成長させたのち、リソグラフィ法を
用いてｐ型コンタクト層２６およびｐ型クラッド層２５
を一部エッチング除去し、そこに、例えば絶縁材料から
なる狭窄層２７を形成する。続いて、リソグラフィ法に
より、ｐ側コンタクト層２６、ｐ型クラッド層２５、活
性層２４、およびｎ型クラッド層２３を選択的に除去
し、ｎ側コンタクト層２２を露出させる。そののち、ｎ
側コンタクト層２２の露出部分上にｎ側電極２ｂを選択
的に形成する。ｎ側電極２ｂを形成したのち、ｐ側コン
タクト層２６の上にｐ側電極２ａを選択的に形成する。
層２６までの各層を成長させたのち、リソグラフィ法を
用いてｐ型コンタクト層２６およびｐ型クラッド層２５
を一部エッチング除去し、そこに、例えば絶縁材料から
なる狭窄層２７を形成する。続いて、リソグラフィ法に
より、ｐ側コンタクト層２６、ｐ型クラッド層２５、活
性層２４、およびｎ型クラッド層２３を選択的に除去
し、ｎ側コンタクト層２２を露出させる。そののち、ｎ
側コンタクト層２２の露出部分上にｎ側電極２ｂを選択
的に形成する。ｎ側電極２ｂを形成したのち、ｐ側コン
タクト層２６の上にｐ側電極２ａを選択的に形成する。
【００２８】ｐ側電極２ａおよびｎ側電極２ｂをそれぞ
れ形成したのち、結晶基板２１をｐ側電極２ａの長さ方
向（図３における紙面に直交する方向）に対して垂直に
所定の幅で分割する。そののち、分割した一対の側面
に、一対の反射鏡膜をそれぞれ形成する。各反射鏡膜を
それぞれ形成したのち、結晶基板２１をｐ側電極２ａの
長さ方向と平行に所定の幅で分割する。これにより、レ
ーザチップ２０が形成される。
れ形成したのち、結晶基板２１をｐ側電極２ａの長さ方
向（図３における紙面に直交する方向）に対して垂直に
所定の幅で分割する。そののち、分割した一対の側面
に、一対の反射鏡膜をそれぞれ形成する。各反射鏡膜を
それぞれ形成したのち、結晶基板２１をｐ側電極２ａの
長さ方向と平行に所定の幅で分割する。これにより、レ
ーザチップ２０が形成される。
【００２９】次いて、図４に示したサブマウント３０を
形成する。すなわち、例えばダイヤモンド、酸化ベリリ
ウム、銅−タングステン合金、窒化アルミニウム、ｃＢ
Ｎ、ケイ素あるいは炭化ケイ素により構成された支持体
３１の表面にリード電極層３２，３３をメッキ、スパッ
タ法あるいは蒸着法により形成する。続いて、リード電
極層３２，３３の表面に、低融点金属からなる表面半田
膜３ａ，３ｂを蒸着法などにより形成する。さらに、支
持体３１の裏面に、低融点金属からなる裏面半田膜３ｃ
を蒸着法などにより形成する。これにより、表面半田膜
３ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃを備えたサブマウント
３０が形成される。
形成する。すなわち、例えばダイヤモンド、酸化ベリリ
ウム、銅−タングステン合金、窒化アルミニウム、ｃＢ
Ｎ、ケイ素あるいは炭化ケイ素により構成された支持体
３１の表面にリード電極層３２，３３をメッキ、スパッ
タ法あるいは蒸着法により形成する。続いて、リード電
極層３２，３３の表面に、低融点金属からなる表面半田
膜３ａ，３ｂを蒸着法などにより形成する。さらに、支
持体３１の裏面に、低融点金属からなる裏面半田膜３ｃ
を蒸着法などにより形成する。これにより、表面半田膜
３ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃを備えたサブマウント
３０が形成される。
【００３０】次に、図５に示したヒートシンク４０を形
成する。すなわち、金属からなる基板本体４１の表面
に、例えばメッキにより金層４２を形成する。なお、こ
のヒートシンク４０は、支持ディスク１１（図１）と一
体に形成されているか、予め支持ディスク１１に取り付
けられているものとする。
成する。すなわち、金属からなる基板本体４１の表面
に、例えばメッキにより金層４２を形成する。なお、こ
のヒートシンク４０は、支持ディスク１１（図１）と一
体に形成されているか、予め支持ディスク１１に取り付
けられているものとする。
【００３１】続いて、図６に示したように、レーザチッ
プ２０，サブマウント３０およびヒートシンク４０を貼
り合わせる。このとき、サブマウント３０の表裏面には
表面半田膜３ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃが形成され
ているため、レーザチップ２０とサブマウント３０との
間には表面半田膜３ａ，３ｂが介在し、サブマウント３
０とヒートシンク４０との間には裏面半田膜３ｃが介在
することとなる。この状態で、レーザチップ２０，サブ
マウント３０およびヒートシンク４０を重ね合わせ、加
熱および加圧を行う。加圧時に加える加重は例えば約５
ｇであり、レーザチップ２０の単位面積当たりの圧力に
換算すると、約１．２×１０-4Ｐａとなる。加熱温度
は、表面半田膜３ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃが溶融
するよう、例えば２８０℃程度とする。この加熱・加圧
処理は、半田膜３ａ，３ｂの酸化を防止するために、窒
素ガス（Ｎ2 ）あるいは水素ガス（Ｈ2 ）またはそれら
の混合ガスの雰囲気中において行うことが好ましい。
プ２０，サブマウント３０およびヒートシンク４０を貼
り合わせる。このとき、サブマウント３０の表裏面には
表面半田膜３ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃが形成され
ているため、レーザチップ２０とサブマウント３０との
間には表面半田膜３ａ，３ｂが介在し、サブマウント３
０とヒートシンク４０との間には裏面半田膜３ｃが介在
することとなる。この状態で、レーザチップ２０，サブ
マウント３０およびヒートシンク４０を重ね合わせ、加
熱および加圧を行う。加圧時に加える加重は例えば約５
ｇであり、レーザチップ２０の単位面積当たりの圧力に
換算すると、約１．２×１０-4Ｐａとなる。加熱温度
は、表面半田膜３ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃが溶融
するよう、例えば２８０℃程度とする。この加熱・加圧
処理は、半田膜３ａ，３ｂの酸化を防止するために、窒
素ガス（Ｎ2 ）あるいは水素ガス（Ｈ2 ）またはそれら
の混合ガスの雰囲気中において行うことが好ましい。
【００３２】これにより、図２に示したように、レーザ
チップ２０とサブマウント３０とが表面半田膜３ａ，３
ｂにより接着され、同時に、サブマウント３０とヒート
シンク４０とが裏面半田膜３ｃにより接着される。ま
た、レーザチップ２０のｐ側電極２ａおよびｎ側電極２
ｂが、それぞれサブマウント３０のリード電極層３ａお
よびリード電極層３ｂに電気的に接続される。このよう
に、レーザチップ２０，サブマウント３０およびヒート
シンク４０を一度に貼り合わせ、一体化することができ
る。続いて、サブマウント３０のリード電極層３２，３
３を図示しないワイヤなどを介して、支持ディスク１１
（図１）に取り付けられたピン１７，１８（図１）に接
続する。これにより、図１に示した半導体発光装置１０
０が製造される。
チップ２０とサブマウント３０とが表面半田膜３ａ，３
ｂにより接着され、同時に、サブマウント３０とヒート
シンク４０とが裏面半田膜３ｃにより接着される。ま
た、レーザチップ２０のｐ側電極２ａおよびｎ側電極２
ｂが、それぞれサブマウント３０のリード電極層３ａお
よびリード電極層３ｂに電気的に接続される。このよう
に、レーザチップ２０，サブマウント３０およびヒート
シンク４０を一度に貼り合わせ、一体化することができ
る。続いて、サブマウント３０のリード電極層３２，３
３を図示しないワイヤなどを介して、支持ディスク１１
（図１）に取り付けられたピン１７，１８（図１）に接
続する。これにより、図１に示した半導体発光装置１０
０が製造される。
【００３３】［実施の形態の効果］次に、本実施の形態
の効果について説明する。図６に示したように、レーザ
チップ２０，サブマウント３０およびヒートシンク４０
を一度に貼り合わせるようにしたため、レーザチップ２
０とサブマウント３０とを接着する工程と、サブマウン
ト３０とヒートシンク４０とを接着する工程を別々に行
う場合と比較して、製造に要する時間を短縮することが
できる。また、加熱処理が一度で済むため、加熱処理の
繰り返しに起因するレーザチップ２０の性能劣化を抑え
ることもできる。
の効果について説明する。図６に示したように、レーザ
チップ２０，サブマウント３０およびヒートシンク４０
を一度に貼り合わせるようにしたため、レーザチップ２
０とサブマウント３０とを接着する工程と、サブマウン
ト３０とヒートシンク４０とを接着する工程を別々に行
う場合と比較して、製造に要する時間を短縮することが
できる。また、加熱処理が一度で済むため、加熱処理の
繰り返しに起因するレーザチップ２０の性能劣化を抑え
ることもできる。
【００３４】さらに、サブマウント３０の表裏面に表面
半田膜３ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃを設けるように
したため、レーザチップ２０，サブマウント３０および
ヒートシンク４０を重ね合わせて加熱・加圧するだけで
これらを一体化することができ、製造工程が簡単にな
る。また、酸化し易い半田膜（表面半田膜３ａ，３ｂお
よび裏面半田膜３ｃ）を全てサブマウント３０に設ける
ようにしたため、酸化防止のための管理が必要な部品は
サブマウント３０だけになり、従って、部品の保管など
が簡単になる。
半田膜３ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃを設けるように
したため、レーザチップ２０，サブマウント３０および
ヒートシンク４０を重ね合わせて加熱・加圧するだけで
これらを一体化することができ、製造工程が簡単にな
る。また、酸化し易い半田膜（表面半田膜３ａ，３ｂお
よび裏面半田膜３ｃ）を全てサブマウント３０に設ける
ようにしたため、酸化防止のための管理が必要な部品は
サブマウント３０だけになり、従って、部品の保管など
が簡単になる。
【００３５】本実施の形態では、レーザチップ２０，サ
ブマウント３０およびヒートシンク４０を重ね合わせた
のち例えば５ｇの加圧力で加圧するようにしたが、この
加圧による効果について説明する。すなわち、本実施の
形態により製造した半導体レーザ素子１について熱抵抗
を測定したところ、測定値は１２Ｋ／Ｗであった。これ
は、１Ｗの熱量投入に対して１２Ｋの温度上昇を示すこ
とを意味する。一方、レーザチップ２０，サブマウント
３０およびヒートシンク４０を加圧せずに貼り合わせて
半導体レーザ素子を形成し、その熱抵抗を測定したとこ
ろ、熱抵抗は２８Ｋ／Ｗであった。この測定結果から、
レーザチップ２０，サブマウント３０およびヒートシン
ク３０を加圧すると、加圧しない場合よりも熱抵抗を小
さくする（すなわち、一定の投入熱量に対する温度上昇
を小さくする）ことが分かった。このように、本実施の
形態による半導体レーザ素子の製造方法によれば、熱抵
抗を小さいくすることにより、半導体素子の寿命を長く
し、さらに、一定の性能を長期間に亘って維持すること
が可能になる。
ブマウント３０およびヒートシンク４０を重ね合わせた
のち例えば５ｇの加圧力で加圧するようにしたが、この
加圧による効果について説明する。すなわち、本実施の
形態により製造した半導体レーザ素子１について熱抵抗
を測定したところ、測定値は１２Ｋ／Ｗであった。これ
は、１Ｗの熱量投入に対して１２Ｋの温度上昇を示すこ
とを意味する。一方、レーザチップ２０，サブマウント
３０およびヒートシンク４０を加圧せずに貼り合わせて
半導体レーザ素子を形成し、その熱抵抗を測定したとこ
ろ、熱抵抗は２８Ｋ／Ｗであった。この測定結果から、
レーザチップ２０，サブマウント３０およびヒートシン
ク３０を加圧すると、加圧しない場合よりも熱抵抗を小
さくする（すなわち、一定の投入熱量に対する温度上昇
を小さくする）ことが分かった。このように、本実施の
形態による半導体レーザ素子の製造方法によれば、熱抵
抗を小さいくすることにより、半導体素子の寿命を長く
し、さらに、一定の性能を長期間に亘って維持すること
が可能になる。
【００３６】なお、本実施の形態により製造した半導体
レーザ素子１と、加圧処理を行わずに製造した半導体レ
ーザ素子のそれぞれについて寿命を測定したところ、本
実施の形態により製造した半導体レーザ素子１は、加圧
処理を行わずに製造した半導体レーザ素子の２．５倍の
寿命を示すことが分かった。
レーザ素子１と、加圧処理を行わずに製造した半導体レ
ーザ素子のそれぞれについて寿命を測定したところ、本
実施の形態により製造した半導体レーザ素子１は、加圧
処理を行わずに製造した半導体レーザ素子の２．５倍の
寿命を示すことが分かった。
【００３７】［変形例］図７は、本実施の形態における
半導体レーザ素子の製造方法の変形例を表す図である。
この変形例では、サブマウント３０Ａの表裏面に半田膜
を形成する代わりに、サブマウント３０Ａの表面とヒー
トシンク４０Ａの表面にそれぞれ半田膜を形成するよう
にしている。以下、第１の実施の形態と同一の構成要素
には同一の符号を付し、その詳細説明は省略する。
半導体レーザ素子の製造方法の変形例を表す図である。
この変形例では、サブマウント３０Ａの表裏面に半田膜
を形成する代わりに、サブマウント３０Ａの表面とヒー
トシンク４０Ａの表面にそれぞれ半田膜を形成するよう
にしている。以下、第１の実施の形態と同一の構成要素
には同一の符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００３８】図７に示したように、サブマウント３０Ａ
の支持体３１の表面（リード電極層３２，３３の上）に
は表面半田膜３ａ，３ｂが形成されているが、サブマウ
ント３０Ａの裏面には、第１の実施の形態のような裏面
半田膜３ｃ（図４）は形成されていない。一方、ヒート
シンク４０Ａの金層４２の表面には、錫などの低融点金
属からなるヒートシンク側半田膜４ａが形成されてい
る。レーザチップ２０は、第１の実施の形態と全く同様
に構成されている。ここで、ヒートシンク側半田膜４ａ
は、本発明における「第２の半田膜」の一具体例に対応
する。
の支持体３１の表面（リード電極層３２，３３の上）に
は表面半田膜３ａ，３ｂが形成されているが、サブマウ
ント３０Ａの裏面には、第１の実施の形態のような裏面
半田膜３ｃ（図４）は形成されていない。一方、ヒート
シンク４０Ａの金層４２の表面には、錫などの低融点金
属からなるヒートシンク側半田膜４ａが形成されてい
る。レーザチップ２０は、第１の実施の形態と全く同様
に構成されている。ここで、ヒートシンク側半田膜４ａ
は、本発明における「第２の半田膜」の一具体例に対応
する。
【００３９】このように構成されたレーザチップ２０，
サブマウント３０Ａおよびヒートシンク４０Ａを重ね合
わせ、第１の実施の形態と同様に加熱・加圧すると、レ
ーザチップ２０とサブマウント３０Ａとは表面半田膜３
ａにより接着され、サブマウント３０Ａとヒートシンク
４０Ａとはヒートシンク側半田膜４ａにより接着され
る。従って、この変形例によれば、第１の実施の形態と
同様に、レーザチップ２０，サブマウント３０Ａおよび
ヒートシンク４０Ａを一度に貼り合わせることが可能に
なり、製造に要する時間を短縮することができる。ま
た、加熱の繰り返しが不要になるため、熱によるレーザ
チップ２０の性能の劣化が抑制される。
サブマウント３０Ａおよびヒートシンク４０Ａを重ね合
わせ、第１の実施の形態と同様に加熱・加圧すると、レ
ーザチップ２０とサブマウント３０Ａとは表面半田膜３
ａにより接着され、サブマウント３０Ａとヒートシンク
４０Ａとはヒートシンク側半田膜４ａにより接着され
る。従って、この変形例によれば、第１の実施の形態と
同様に、レーザチップ２０，サブマウント３０Ａおよび
ヒートシンク４０Ａを一度に貼り合わせることが可能に
なり、製造に要する時間を短縮することができる。ま
た、加熱の繰り返しが不要になるため、熱によるレーザ
チップ２０の性能の劣化が抑制される。
【００４０】以上、実施の形態および変形例を挙げて本
発明を説明したが、本発明は、これらの実施の形態およ
び変形例に限定されるものではなく、種々の変形が可能
である。例えば、第１の実施の形態では、表面半田膜３
ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃを配設基板３０の表裏面
に形成したが、表面半田膜３ａ，３ｂあるいは裏面半田
膜３ｃを箔形状に形成し、この箔を、レーザチップと配
設基板との間、および配設基板と支持基板との間にそれ
ぞれ挿入するようにしても良い。また、半導体発光素子
１００の構造としては、図１に示したものの他に、種々
の構造が可能である。
発明を説明したが、本発明は、これらの実施の形態およ
び変形例に限定されるものではなく、種々の変形が可能
である。例えば、第１の実施の形態では、表面半田膜３
ａ，３ｂおよび裏面半田膜３ｃを配設基板３０の表裏面
に形成したが、表面半田膜３ａ，３ｂあるいは裏面半田
膜３ｃを箔形状に形成し、この箔を、レーザチップと配
設基板との間、および配設基板と支持基板との間にそれ
ぞれ挿入するようにしても良い。また、半導体発光素子
１００の構造としては、図１に示したものの他に、種々
の構造が可能である。
【００４１】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１ないし
請求項１１記載の半導体レーザ素子の製造方法によれ
ば、レーザチップ、配設基板および支持基板を一度に貼
り合わせるようにしたので、配設基板と支持基板とを貼
り合わせてからレーザチップと配設基板とを貼り合わせ
る場合と比較して、製造工程を短縮することができると
いう効果を奏する。また、貼り合わせの際に加熱が伴う
場合であっても、繰り返し加熱を行う必要が無いため、
熱によるレーザチップの性能劣化が抑制される。
請求項１１記載の半導体レーザ素子の製造方法によれ
ば、レーザチップ、配設基板および支持基板を一度に貼
り合わせるようにしたので、配設基板と支持基板とを貼
り合わせてからレーザチップと配設基板とを貼り合わせ
る場合と比較して、製造工程を短縮することができると
いう効果を奏する。また、貼り合わせの際に加熱が伴う
場合であっても、繰り返し加熱を行う必要が無いため、
熱によるレーザチップの性能劣化が抑制される。
【００４２】特に、請求項２記載の半導体レーザ素子の
製造方法によれば、レーザチップと配設基板との間に第
１の半田膜を介在させ、配設基板と支持基板との間に第
２の半田膜を介在させるようにしたので、簡単な方法
で、レーザチップ、配設基板および支持基板を一度に貼
り合わせることができる。
製造方法によれば、レーザチップと配設基板との間に第
１の半田膜を介在させ、配設基板と支持基板との間に第
２の半田膜を介在させるようにしたので、簡単な方法
で、レーザチップ、配設基板および支持基板を一度に貼
り合わせることができる。
【００４３】さらに、請求項１２ないし請求項１５のい
ずれか１に記載の半導体レーザ素子の配設基板によれ
ば、一対の面にそれぞれ第１の半田膜および第２の半田
膜を備えるようにしたので、この配設基板の一方の面側
にレーザチップを重ね合わせ、他方の面側に支持基板を
重ね合わせることにより、簡単に、半導体レーザ素子を
形成することができる。
ずれか１に記載の半導体レーザ素子の配設基板によれ
ば、一対の面にそれぞれ第１の半田膜および第２の半田
膜を備えるようにしたので、この配設基板の一方の面側
にレーザチップを重ね合わせ、他方の面側に支持基板を
重ね合わせることにより、簡単に、半導体レーザ素子を
形成することができる。
【００４４】さらに、請求項１６または請求項１７に記
載の半導体レーザ素子の支持基板によれば、少なくとも
一面に半田膜を備えるようにしたので、この支持基板上
に配設基板を重ね合わせると共に、配設基板にレーザチ
ップを（半田膜などを介して）重ね合わせ、必要に応じ
て熱・圧力を加えることにより、簡単に、半導体レーザ
素子を形成することができる。
載の半導体レーザ素子の支持基板によれば、少なくとも
一面に半田膜を備えるようにしたので、この支持基板上
に配設基板を重ね合わせると共に、配設基板にレーザチ
ップを（半田膜などを介して）重ね合わせ、必要に応じ
て熱・圧力を加えることにより、簡単に、半導体レーザ
素子を形成することができる。
【図１】本発明の実施の形態の半導体レーザ素子が用い
られた半導体発光装置の構造を表す斜視図である。
られた半導体発光装置の構造を表す斜視図である。
【図２】図１に示した半導体発光装置における半導体レ
ーザ素子の構造を表す断面図である。
ーザ素子の構造を表す断面図である。
【図３】図１に示した半導体レーザ素子のレーザチップ
の構造を表す断面図である。
の構造を表す断面図である。
【図４】図２に示した半導体レーザ素子の配設基板の構
造を表す断面図である。
造を表す断面図である。
【図５】図２に示した半導体レーザ素子の支持基板の構
造を表す断面図である。
造を表す断面図である。
【図６】図２に示した半導体レーザ素子の製造方法にお
ける貼り合わせ工程を表す断面図である。
ける貼り合わせ工程を表す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態の変形例に係る半導体レー
ザ素子の製造方法を説明するための断面図である。
ザ素子の製造方法を説明するための断面図である。
１…半導体レーザ素子、２ａ…ｐ側電極、２ｂ…ｎ側電
極、３ａ，３ｂ…表面半田膜、３ｃ…裏面半田膜、４ａ
…ヒートシンク側半田膜、２０…レーザチップ、２１…
結晶基板、２２…ｎ型コンタクト層、２３…ｎ型クラッ
ド層、２４…活性層、２５…ｐ型クラッド層、２６…ｐ
型コンタクト層、３０…配設基板、３２，３３…リード
電極層、４０…支持基板、１００…半導体発光装置。
極、３ａ，３ｂ…表面半田膜、３ｃ…裏面半田膜、４ａ
…ヒートシンク側半田膜、２０…レーザチップ、２１…
結晶基板、２２…ｎ型コンタクト層、２３…ｎ型クラッ
ド層、２４…活性層、２５…ｐ型クラッド層、２６…ｐ
型コンタクト層、３０…配設基板、３２，３３…リード
電極層、４０…支持基板、１００…半導体発光装置。
Claims (17)
- 【請求項１】 基体に半導体層を形成してなるレーザチ
ップと、前記レーザチップを支持する支持基板と、これ
らの間に設けられた配設基板とを備えた半導体レーザ素
子の製造方法であって、 前記レーザチップ、前記配設基板および支持基板を一度
に貼り合わせる工程を含むことを特徴とする半導体レー
ザ素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記貼り合わせ工程において、 前記レーザチップと前記配設基板との間に第１の半田膜
が存在するようにし、かつ、前記配設基板と前記支持基
板との間に第２の半田膜が存在するようにしたことを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記貼り合わせ工程は、 前記レーザチップ、前記配設基板および前記支持基板を
重ね合わせて加熱し、前記第１の半田膜および前記第２
の半田膜を溶融させる工程を含むことを特徴とする請求
項２記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記加熱工程において、前記レーザチッ
プ、前記配設基板および前記支持基板を加圧するように
したことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ素子
の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１の半田膜および前記第２の半田
膜を、前記配設基板の一対の面にそれぞれ形成するよう
にしたことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ素
子の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１の半田膜を前記配設基板の一面
に形成し、前記第２の半田膜を前記支持基板の一面に形
成するようにしたことを特徴とする請求項２記載の半導
体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１の半田膜および前記第２の半田
膜を、互いに同一の材質により構成するようにしたこと
を特徴とする請求項２記載の半導体レーザ素子の製造方
法。 - 【請求項８】 前記貼り合わせ工程では、前記レーザチ
ップにおいて前記半導体層の形成された側の面を、前記
配設基板に貼り合わせるようにしたことを特徴とする請
求項１記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記レーザチップにおいて、前記半導体
層の形成された側の面に、一対の電極膜を設けるように
したことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子
の製造方法。 - 【請求項１０】 前記配設基板において、前記レーザチ
ップが貼り合わせられる面に、前記一対の電極膜に接続
される一対のリード電極部を設けるようにしたことを特
徴とする請求項９記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記レーザチップにおいて、前記半導
体層が窒化物半導体からなる層を含むようにしたことを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子の製造方
法。 - 【請求項１２】 半導体レーザ素子において、基体に半
導体層を形成してなるレーザチップと貼り合わされて用
いられる配設基板であって、 一対の面を有する支持体と、 この支持体の一対の面にそれぞれ形成された第１の半田
膜および第２の半田膜とを備えたことを特徴とする半導
体レーザ素子の配設基板。 - 【請求項１３】 前記支持体は、絶縁材料により構成さ
れていることを特徴とする請求項１２記載の半導体レー
ザ素子の配設基板。 - 【請求項１４】 前記配設基板は、前記レーザチップに
形成された一対の電極に接続されるリード電極部を備え
たことを特徴とする請求項１２記載の半導体レーザ素子
の配設基板。 - 【請求項１５】 前記第１の半田膜は、前記リード電極
部の表面に形成されていることを特徴とする請求項１４
記載の半導体レーザ素子の配設基板。 - 【請求項１６】 半導体レーザ素子において、半導体層
を含むレーザチップを所定の配設基板を介して支持する
支持基板であって、 基板本体の少なくとも一面に半田膜を備えたことを特徴
とする半導体レーザ素子の支持基板。 - 【請求項１７】 前記支持基板は金属により構成されて
いることを特徴とする請求項１６に記載の半導体レーザ
素子の支持基板。
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