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JP2001083924A - 電流制御型発光素子の駆動回路および駆動方法 - Google Patents

電流制御型発光素子の駆動回路および駆動方法

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JP2001083924A
JP2001083924A JP25438699A JP25438699A JP2001083924A JP 2001083924 A JP2001083924 A JP 2001083924A JP 25438699 A JP25438699 A JP 25438699A JP 25438699 A JP25438699 A JP 25438699A JP 2001083924 A JP2001083924 A JP 2001083924A
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JP
Japan
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voltage
circuit
light emitting
emitting element
buffer circuit
Prior art date
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JP25438699A
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English (en)
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Yutaka Minamino
裕 南野
Atsuhiro Yamano
敦浩 山野
Takashi Okada
隆史 岡田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アクティブマトリックス型のＥＬ発光装置に
おいては、階調表示を実現するために、１画素内に複数
個のトランジスタを設ける必要があり、トランジスタの
不良確率の増加による歩留まりの低下が生じる。 【解決手段】 発光素子の輝度を制御するための電圧が
データ線より供給されており、走査線により与えられる
走査信号によりデータ線の電圧をスイッチングする第一
の薄膜トランジスタと、発光素子にその出力端子が接続
されており、スイッチング用の薄膜トランジスタの出力
端子とその入力端子が接続されているバッファ回路と、
バッファ回路の入力端子電圧とバッファ回路の出力端子
から出力される電圧との差であるオフセット電圧が補償
される回路がバッファ回路内部に内蔵されているアクテ
ィブマトリクス型の電流制御型発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイに用
いられる発光素子の駆動装置に関し、特に有機及び無機
ＥＬ（エレクトロルミネンス）、又はＬＥＤ（発光ダイ
オード）等のような発光輝度が素子を流れる電流により
制御される電流制御型発光素子の駆動回路の構成ならび
に駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機及び無機ＥＬ、又はＬＥＤ等のよう
な発光素子をアレイ状に組み合わせ、ドットマトリクス
により文字表示を行うディスプレイは、テレビ、携帯端
末等に広く利用されている。
【０００３】特に、自発光素子を用いたこれらのディス
プレイは、液晶を用いたディスプレイと異なり、照明の
ためのバックライトを必要としない、視野角が広い等の
特徴を有し、注目を集めている。
【０００４】中でも、トランジスタ等とこれらの発光素
子とを組み合わせてスタティック駆動を行うアクティブ
マトリクス型と呼ばれるディスプレイは、ダイナミック
駆動を行う単純マトリクス駆動のディスプレイと比較し
て、高輝度、高コントラスト、高精細等の優位性を持っ
ており近年注目されている。
【０００５】この種のディスプレイの従来例として、図
７に、Society for Information Display発行の1997年
秋期大会予稿集『Asiadisplay '9７』の第216〜219頁
（セイコーエプソン）の発表から引用した、発光素子に
ＥＬを使用したアクティブマトリクス型ディスプレイの
発光素子駆動回路を示す。
【０００６】図７を参照して、この駆動回路での発光原
理を説明する。スイッチング用トランジスタ７１のゲー
トに接続された走査線７２が選択されて活性化される
と、トランジスタ７１がオン状態となり、トランジスタ
７１に接続されたデータ線７３から信号がコンデンサ７
４に書き込まれる。コンデンサ７４は電流制御用トラン
ジスタ７５のゲート・ソース間電圧を決定する。
【０００７】そして、走査線７２が非選択となりトラン
ジスタ７１がオフ状態になると、コンデンサ７４の両端
間の電圧は次の周期に走査線７２が選択されるまで保持
される。
【０００８】コンデンサ７４の両端間の電圧に応じて、
電源電極７６→トランジスタ７５のドレイン−ソース→
ＥＬ素子７７→共通電極７８という経路に沿って電流が
流れ、この電流によりＥＬ素子７７が発光する。
【０００９】一般的にコンピュータの端末、パソコンの
モニタ、テレビ等の動画表示を行うためには、各画素の
輝度が変化する階調表示が出来ることが望ましい。
【００１０】図７の駆動回路において階調表示を行うに
は、トランジスタ７５のゲート・ソース電極間に閾値付
近の電圧を印加する必要がある。
【００１１】しかし、トランジスタのゲート電圧・ソー
ス電流特性に、図８に示すようなばらつきがあると、例
えば図７のトランジスタ７５のゲート電極にゲート電圧
ＶＡを印加した場合、トランジスタ７５に流れる電流は
ＩＡ（実線で示す曲線とＶＡとの交点）とＩＢ（破線で
示す曲線とＶＡとの交点）のように異なるため、ＥＬ素
子７７に流れる電流も変わり、本来ならば同じ輝度であ
るはずの領域の輝度が異なり、このため、例えば輝度む
ら等の画質劣化が生じることになる。
【００１２】ポリシリコンを材料とした薄膜トランジス
タにおいては、結晶シリコンによるトランジスタに比較
して、一般的にこのしきい値のばらつきが大きく、その
値は±０．１Ｖ程度と推察される。
【００１３】しきい値が±０．１Ｖばらついたとすれ
ば、トランジスタ７５を流れる電流は、しきい値が２Ｖ
程度ならばリニア領域で動作させた場合は５％程度、飽
和領域で動作させた場合は１０％程度電流値が変動す
る。図９はＥＬ素子の電流−輝度特性である。電流−輝
度特性は階調表示させる領域Ａにおいてはリニアな特性
であるので、前期電流値のばらつきは、そのまま輝度特
性のばらつきとなって現れる。
【００１４】この問題を解決するため、特開平２−１４
８６８７号公報には、素子の閾値付近でのばらつきがあ
っても、この影響を受けずに階調表示を行うＥＬディス
プレイ装置が提案されている。
【００１５】図１０を参照して、特開平２−１４８６８
７号公報に提案される回路を説明する。図１０は、図７
の点線内の電流制御回路７９に対応する回路部を示して
おり、１６階調表示を行う場合についての例を示すもの
である。階調制御を行うためにデータ線の本数は４本に
増加している。
【００１６】図１０において、９４〜９７は発光素子駆
動用のトランジスタ、９８はカレントミラー回路、９９
は発光素子、１００はトランジスタの各ソース端子及び
発光素子が接続された共通電極の抵抗成分である。トラ
ンジスタ９４〜９７のドレイン電極は共通接続されてカ
レントミラー回路９８の入力端に接続されている。
【００１７】図１０において、４ビット入力より階調に
対応した組み合わせの信号電圧がトランジスタ９４〜９
７のゲート電圧として印加される。そして、トランジス
タ９４〜９７のうちオン状態のトランジスタに流れる電
流の合計値と同一の電流値がカレントミラー回路９８の
出力端から発光素子９９に供給され、その電流値に応じ
て発光素子９９が発光する。
【００１８】例えばトランジスタ９４〜９７がオン時の
電流値の対数をとった値をそれぞれ倍になるようにすれ
ば（即ち、Ｉ２はＩ１の２倍、Ｉ３はＩ２の２倍（＝Ｉ
１の２2倍）、Ｉ４はＩ３の２倍（＝Ｉ１の２3倍）とす
れば）、トランジスタ９４〜９７のオンする組み合わせ
により１６階調の表示を行うことができる。なお、Ｉ１
〜Ｉ４はトランジスタ９４〜９７がオン状態時のソース
電流をそれぞれ表している。
【００１９】このときトランジスタを図８のゲート電圧
ＶＢに対応する電流が飽和した領域の電圧で使用するよ
うにすれば、トランジスタの閾値付近での特性がばらつ
いていても、その影響を受けるがことなく、輝度のばら
つきも生じない。しかしながら階調数が増えた場合カレ
ントミラー回路が増加すると共に、ビットにおおじて信
号線の数が増加し駆動回路が複雑となる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、アクテ
ィブマトリックス型のＥＬ発光装置においては、これま
では階調表示を実現させるために、カレントミラー回路
あるいは低電流回路及び電流制御用トランジスタなどを
１画素内に設ける必要がある。生産等を考慮した場合、
複数個のトランジスタを画素内に設けることは、トラン
ジスタの不良確率の増加による歩留まりの低下が予想さ
れ、高い歩留まりを確保するためには１画素内に少ない
トランジスタで階調表示させる、望ましくは必要最小限
のトランジスタ数で階調表示を実現させることが必要で
ある。加えてトランジスタ数の増加に伴いＥＬ素子の発
光に関わる有効な部分の面積が減少する。このような問
題を解決するためには図７の駆動回路において電流駆動
用のＴＦＴのしきい値電圧のばらつきを補正することが
可能なシンプルな回路構成の提案が必要である。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の電流駆動
素子であるＥＬを外部からの入力信号のレベルに応じて
ムラなく階調制御するための駆動回路を提案するもので
ある。具体的な回路構成は以下の通りである。
【００２２】素子に流れる電流に応じて輝度が変化する
発光素子からなる画素を選択するための走査線と、前記
画素を駆動するための電圧を供給するデータ線とが基板
上にマトリクス状に配設され、前記走査線と前記データ
線との交差部に、発光素子の輝度を制御するための電圧
がデータ線より供給されており、前記走査線により与え
られる走査信号により前記データ線の電圧をスイッチン
グする第一の薄膜トランジスタと、前記発光素子にその
出力端子が接続され、前記スイッチング用の薄膜トラン
ジスタの出力端子とその入力端子が接続されているバッ
ファ素子と該バッファ素子の入力端子電圧と該バッファ
素子の出力端子から出力される電圧の差であるオフセッ
ト電圧が補償される回路がバッファ内部に内蔵されてい
るアクティブマトリクス型の電流制御型発光素子の駆動
回路を提案するものである。
【００２３】一般的には前記バッファ素子が前記発光素
子とソースフォロワ接続されており、ソースフォロワの
用いられる電流制御用薄膜トランジスタのしきい値電圧
のばらつきをキャンセルするための補償コンデンサ及び
該補償コンデンサにしきい値電圧を記憶させるためのス
イッチング回路が組み込まれている構成がシンプルな構
成であると思われる。
【００２４】この構成では３種類の基本的構成が提案で
きる。
【００２５】（１−１）前記バッファ回路が前記発光素
子の入力端子とソースフォロワ接続されているｎ−チャ
ンネル型の薄膜トランジスタ及びから構成される場合、
（１−２）前記バッファ回路が前記発光素子の入力端子
とソースフォロワ接続されているｐ−チャンネル型の薄
膜トランジスタ及びから構成される場合、（１−３）前
記ソースフォロワがｎチャンネルトランジスタとｐチャ
ンネルトランジスタがプッシュプル接続された構成であ
る場合、である。バッファ回路としてソースフォロワ構
成以外の提案として、「前記バッファ素子が差動増幅器
により構成され、該差動増幅器の出力オフセットをキャ
ンセルするための補償コンデンサ及び該補償コンデンサ
にしきい値電圧を記憶させるためのスイッチング回路が
組み込まれている回路」があげられる。
【００２６】以上の回路構成を提案するものである。
【００２７】上記それぞれの構成における各ノードに印
加するタイミングチャートとこれに伴う各トランジスタ
の動作を説明する。
【００２８】まずソースフォロワーの動作を説明する。
ここでは電流制御用のトランジスタがｎチャンネル型の
場合を説明する。
【００２９】（１）入力電圧Ｖｉｎがゲート電圧に印可
されると、トランジスタがＯＮし、最初は大きなドレイ
ン電流が流れて負荷を充電するが、負荷の電圧が上昇す
るとトランジスタのソース電圧が上昇し、ゲート−ソー
ス間電圧が徐々に小さくなるのでドレイン電流が小さく
なり、ゲート−ソース間電圧がしきい値電圧Ｖｔになる
まで負荷が充電されるとトランジスタはＯＦＦし充電は
ストップする。
【００３０】（２）ソースフォロワのゲートに入力電圧
Ｖｉｎを印可した場合、負荷はＶｉｎ−Ｖｔまで充電さ
れることになりしきい値電圧Ｖｔがばらつくと出力電圧
はそのまま出力偏差となって現れる。
【００３１】現状のポリシリコンではしきい値電圧のば
らつきは±０．５Ｖ程度の範囲であるためにこのままで
はしきい値電圧のばらつきが輝度のばらつきとなって現
れる。次にオフセットキャンセラー付きのソースフォロ
ワの動作を図１を用いて説明する。動作は大きく３ステ
ップに分けられる。
【００３２】＜第一ステップ＞スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ
３がオンしゲートにはしきい値検出用電圧Ｖｏｆがゲー
トに印可され、ソースはグランドに設置されるのでソー
スフォロワのトランジスタはオンする。同時にスイッチ
Ｓ５をオンすることによって、負荷の電荷を放電させ
る。負荷をリセットする理由はＮｃｈソースフォロワの
場合負荷を充電することは出来るが、負荷に蓄えられて
いる電荷を放電できないためである。
【００３３】＜第二ステップ＞スイッチＳ３をオフする
事によりトランジスタを流れる電流をゼロにする。これ
によりトランジスタのソース電圧はゲート−ソース間電
圧がしきい値電圧Ｖｔに等しくなるまで上昇する。その
結果しきい値検出用容量にはしきい値に等しい値が保持
される。
【００３４】＜第三ステップ＞スイッチＳ１、Ｓ２がオ
フされスイッチＳ０がオンされることによりトランジス
タのゲートにはしきい値検出用容量を通して入力電圧Ｖ
ｉｎ＋しきい値電圧Ｖｔが印可される。従ってトランジ
スタのソース電圧は、ゲート電圧からしきい値電圧を引
いた値であるＶｉｎとなりスイッチＳ５をオフしてスイ
ッチＳ４をオンする事により負荷はＶｉｎの電圧まで充
電されることになる。
【００３５】以上の動作により、オフセットキャンセラ
ーを付けない場合は、負荷の充電電圧はＶｉｎ−Ｖｔで
あるので、しきい値電圧Ｖｔがばらつくと出力偏差とな
って現れるが、オフセットキャンセラーを付けると、負
荷の充電電圧は入力電圧Ｖｉｎと等しくなり、基本的に
しきい値電圧Ｖｔのばらつきの影響を受けない。
【００３６】図２はオフセットキャンセラー付きソース
フォロワのシミュレーション結果である。シミュレーシ
ョン条件は （１）しきい値電圧ばらつきは±０．５Ｖを想定 （２）しきい値検出用容量は０．５ｐＦ、しきい値検出
用電圧Ｖｏｆ＝７．５Ｖ （３）入力電圧＝８．０Ｖ （４）１水平時間＝３０μｓｅｃ である。
【００３７】第一ステップでは、ソースフォロワのトラ
ンジスタがオンされるが、スイッチＳ３のオン抵抗のた
め出力電圧（ソース電圧）は完全にゼロにならない。第
二ステップでは、しきい値ばらつきの影響により、出力
電圧がばらついていることが解る。しきい値検出用電圧
Ｖｏｆと出力電圧の差がしきい値電圧Ｖｔに等しく、こ
の値がしきい値検出用容量に記憶される。第三ステップ
では入力電圧Ｖｉｎにしきい値電圧Ｖｔを加えた値がゲ
ートに印可されるので、出力電圧はしきい値電圧に関係
なく、ほぼ入力電圧Ｖｉｎに等しくなっている。オフセ
ットキャンセル能力は図３の下の図に示す拡大図より、
しきい値ばらつき０．５Ｖに対して、出力偏差は±１０
ｍＶまで抑制することが可能である。
【００３８】以上は電流制御用トランジスタがｎチャン
ネルの場合であるが、トランジスタがｐチャンネルタイ
プの場合も想定される。
【００３９】本回路構成を図４に示す。ｐチャンネルト
ランジスタはｎチャンネルトランジスタに比較して電流
駆動能力は劣るが、トランジスタ信頼性の面ではｎチャ
ンネルトランジスタよりも安定である。基本的にはｐチ
ャンネルタイプの場合も同様なオフセットキャンセル動
作は可能であるが、ｐチャンネルソースフォロワは負荷
に対して放電しかできないので負荷を予め電源電圧まで
充電するプリチャージ回路が必要である。
【００４０】そのほかにｎ−チャンネルとｐ−チャンネ
ルをプッシュプル接続した回路が提案できる。プッシュ
プルは負荷に対して充電、放電共に出来るのでチャージ
ング回路は必要ない。プッシュプル回路を用いた場合の
構成を図５に示す。
【００４１】次にバッファ構成として、差動増幅回路を
用いることは可能である。差動増幅回路はソースフォロ
ワ回路に比較して負帰還がかかるので、しきい値電圧ば
らつきに起因するオフセットを含めたすべてのオフセッ
トの原因如何に関わらずＶｉｎとＶｏｕｔの差を検出す
る事が出来る。
【００４２】オフセットキャンセラー付き差動増幅回路
の動作を図６を使って説明する。
【００４３】＜第一ステップ＞２個のスイッチＡがオン
し差動増幅器の反転入力端子と非反転入力端子間に検出
用容量が接続されたバッファ回路となる。差動増幅器の
非反転入力端子に入力電圧Ｖｉｎが印可され、出力電圧
がＶｏｕｔ＝Ｖｉｎ＋ΔＶとなっているとする。バッフ
ァ回路を構成しているので、反転入力端子の電圧もＶｉ
ｎ＋ΔＶになる。従って検出用容量には非反転入力端子
の入力電圧Ｖｉｎと、反転入力端子の出力電圧Ｖｉｎ＋
ΔＶの差であるΔＶが検出され保持される。
【００４４】＜第二ステップ＞スイッチＡがＯＦＦされ
スイッチＢがＯＮされるので、出力電圧は検出用容量を
通して反転入力端子にフィードバックされる。非反転入
力端子には第一ステップ同様入力電圧Ｖｉｎが印可され
ているので差動増幅器の内部回路は同じ状態を保つため
に反転入力端子の電圧はＶｉｎ＋ΔＶにならなければな
らない。出力端子と反転入力端子間には、ΔＶの電位差
を持った検出用容量が接続されているので、反転入力端
子の電圧がＶｉｎ＋ΔＶになるためには、出力電圧はＶ
ｏｕｔ＝Ｖｉｎにならなければならない。
【００４５】以上の動作により差動増幅回路にオフセッ
トキャンセラーを付けることで、様々な要因で発生する
出力偏差ΔＶを抑制する事が出来る。出力電圧は常に入
力電圧Ｖｉｎに等しい。
【００４６】図１１はオフセットキャンセラー付きオペ
アンプのシミュレーション結果である。シミュレーショ
ン条件としては （１）差動増幅回路のバッファ部はプッシュプル型 （２）出力偏差検出用容量＝１．０ｐＦ （３）入力電圧＝７．０Ｖ （４）負荷抵抗＝１．０ｋΩ、負荷容量＝２０ｐＦ （５）１水平時間＝３０μｓｅｃ を仮定し、しきい値ばらつきが±０．５Ｖの結果を図１
２に示す。
【００４７】第一ステップでは、しきい値ばらつきによ
り、入力電圧に対して出力電圧が大きくばらついている
が、この差を出力偏差検出用容量で検出し補正すること
により、第二ステップではしきい値ばらつきに影響され
ることなく、出力電圧は入力電圧にほぼ等しくなってい
る。オフセットキャンセル能力は図１２の下の拡大図よ
り、しきい値ばらつき±０．５Ｖに対して、出力偏差±
５ｍＶまで抑制できることが出来る。
【００４８】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施例
を以下に説明する。
【００４９】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
の回路図であり、発光素子として電荷注入型の有機薄膜
ＥＬ素子（以下「有機薄膜ＥＬ素子」と略記する）を用
いた場合のものである。
【００５０】図１において、１５は発光素子である有機
薄膜ＥＬ素子、１２は有機薄膜ＥＬ素子１５に流れる電
流を制御する抵抗素子、１４は有機ＥＬ素子に電流を流
し続けるコンデンサ、１３はコンデンサ１４に信号電圧
を供給するスイッチングトランジスタ、１６はスイッチ
ングトランジスタ１３を選択する走査信号を供給する走
査線、１７は走査線１６がオンとされ選択されたスイッ
チングトランジスタ１３を介してコンデンサ１４に電荷
を供給するデータ線、１８は有機薄膜ＥＬ素子１４に電
流を供給する電源電極、１９はデータ線１７との間の電
位差でトランジスタの動作点を決定する共通電極であ
る。
【００５１】上述の駆動回路のよる発光原理は先に述べ
た通りである。
【００５２】ポリシリコンは気相成長法によりアモルフ
ァスシリコンを堆積しレーザーアニールする事で溶融再
結晶化しポリシリコンとなる。前記ポリシリコン中にイ
オンドーピング法によりリンイオンを打ち込みトランジ
スタのソース及びドレイン電極部を作成する。抵抗素子
１２は前記トランジスタのソース及びドレイン領域とな
る部分と同一のプロセスで作成されている。本実施例１
では電流制御用トランジスタをｎチャンネル型としてい
る。従ってスイッチング回路として負荷を放電させるこ
とが出来ないので負荷の電荷をリセットさせる回路を設
けた。
【００５３】（実施例２）実施例２における回路構成を
図４に示す。本実施例は電流制御トランジスタをｐチャ
ンネルタイプとしたものである。この駆動回路の発光原
理は基本的に実施例１と同様であるが、ｐチャンネルト
ラジスタは負荷に対して放電しかできないので、負荷を
予め電源電圧まで充電するプリチャージ回路を負荷し
た。
【００５４】（実施例３）実施例３はソースフォロワの
構成をｎチャンネル、ｐチャンネルのプッシュプル構成
としたものである。回路構成は図５に示す回路と同一で
ある。プッシュプル構成は負荷に対して充電、放電共に
出来るが回路規模が大きくなることと、定常電流が流れ
るので消費電力が比較的大きくなる。
【００５５】（実施例４）実施例４はバッファの構成を
差動増幅器をもちいて構成したものである。回路構成は
図６に示す回路と同一である。差動増幅器を用いた構成
にした場合は、前述のソースフォロワ構成に比較して回
路構成がやや複雑になるが回路自身にフィードバック作
用があるためにキャンセル出来るオフセット電圧のレベ
ルが高くなる特徴がある。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光素子の輝度をトランジスタのしきい値電圧のばらつき
などに起因するオフセット電圧を補償する回路が内蔵さ
れており、比較的少ないトランジスタ数で良好な画像特
性を得られるアクティブマトリクス型の電流制御型発光
素子の駆動回路を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す回路図
【図２】オフセットキャンセラー付きソースフォロワの
シミュレーション結果を示す図
【図３】図２の結果の拡大図
【図４】電流制御用トランジスタがｐチャンネルタイプ
の場合のオフセットキャンセラー付きソースフォロワの
回路構成を示す図
【図５】ソースフォロワ回路としてプッシュプル回路の
構成とした場合を示す図
【図６】オフセットキャンセラー付き差動増幅回路を示
す図
【図７】従来のアクティブマトリックス型ＥＬディスプ
レイの駆動回路を示す図
【図８】ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート電圧−
ソース電流特性を示す図
【図９】ＥＬ素子の電流−電圧特性を示す図
【図１０】従来例による４ビット相当の階調表示のため
のＥＬ駆動回路を示す図
【図１１】オフセットキャンセラー付き差動増幅回路の
シミュレーション結果を示す図
【図１２】図１１の結果の拡大図
【符号の説明】
１２ 抵抗素子 １３ スイッチングトランジスタ １４ コンデンサ １５ 有機薄膜ＥＬ素子 １６ 走査線 １７ データ線 １８ 電源電極 １９ 共通電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 隆史 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C080 AA06 AA07 BB05 DD05 DD22 DD25 DD28 EE19 EE29 FF11 JJ03 JJ04 JJ05 KK43

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】素子に流れる電流に応じて輝度が変化する
    発光素子からなる画素を選択するための走査線と、前記
    画素を駆動するための電圧を供給するデータ線とが基板
    上にマトリクス状に配設され、前記走査線と前記データ
    線との交差部に、発光素子の輝度を制御するための電圧
    がデータ線より供給されており、前記走査線により与え
    られる走査信号により前記データ線の電圧をスイッチン
    グする第一の薄膜トランジスタと、前記発光素子にその
    出力端子が接続されており、前記スイッチング用の薄膜
    トランジスタの出力端子とその入力端子が接続されてい
    るバッファ回路と該バッファ回路の入力端子電圧と該バ
    ッファ回路の出力端子から出力される電圧の差であるオ
    フセット電圧が補償される回路がバッファ回路内部に内
    蔵されているアクティブマトリクス型の電流制御型発光
    素子の駆動回路。
  2. 【請求項２】バッファ回路が発光素子の入力端子とソー
    スフォロワ接続されている薄膜トランジスタからなり、
    ソースフォロワ接続されている電流制御用薄膜トランジ
    スタのしきい値電圧のばらつきをキャンセルするための
    補償コンデンサ及び該補償コンデンサにしきい値電圧を
    記憶させるためのスイッチング回路が前記バッファ回路
    に組み込まれている請求項１記載のアクティブマトリク
    ス型の電流制御型発光素子の駆動回路。
  3. 【請求項３】バッファ回路が発光素子の入力端子とソー
    スフォロワ接続されているｎ−チャンネル型の薄膜トラ
    ンジスタ及びから構成されており、スイッチング回路に
    より補償コンデンサにしきい値電圧が書き込まれる前に
    負荷に予め蓄えられている電荷を放電することを特徴と
    するアクティブマトリクス型の電流制御型発光素子の駆
    動方法。
  4. 【請求項４】バッファ回路が発光素子の入力端子とソー
    スフォロワ接続されているｐ−チャンネル型の薄膜トラ
    ンジスタ及びから構成されており、スイッチング回路に
    より補償コンデンサにしきい値電圧が書き込まれる前に
    負荷を予め電源電圧まで充電するプリチャージすること
    を特徴とするアクティブマトリクス型の電流制御型発光
    素子の駆動方法。
  5. 【請求項５】ソースフォロワ接続されるトランジスタが
    ｎチャンネルトランジスタとｐチャンネルトランジスタ
    がプッシュプル接続されていることを特徴とする請求項
    ２記載のアクティブマトリクス型の電流制御型発光素子
    の駆動回路。
  6. 【請求項６】バッファ回路が差動増幅器により構成さ
    れ、該差動増幅器の出力オフセットをキャンセルするた
    めの補償コンデンサ及び該補償コンデンサにしきい値電
    圧を記憶させるためのスイッチング回路が組み込まれて
    いる請求項１記載のアクティブマトリクス型の電流制御
    型発光素子の駆動回路。
  7. 【請求項７】素子に流れる電流に応じて輝度が変化する
    発光素子からなる画素を選択するための走査線と、前記
    画素を駆動するための電圧を供給するデータ線とが基板
    上にマトリクス状に配設され、前記走査線と前記データ
    線との交差部に、発光素子の輝度を制御するための電圧
    がデータ線より供給されており、前記走査線により与え
    られる走査信号により前記データ線の電圧をスイッチン
    グする薄膜トランジスタと、前記発光素子にその出力端
    子が接続されており、前記スイッチング用の薄膜トラン
    ジスタの出力端子とその入力端子が接続されているバッ
    ファ回路と該バッファ回路の入力端子電圧と該バッファ
    回路の出力端子から出力される電圧の差であるオフセッ
    ト電圧が補償される補償回路とを有する電流制御型発光
    素子であって、前記補償回路が前記バッファ回路に内蔵
    されていることを特徴とする電流制御型発光素子。
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