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JP2001055447A - アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 - Google Patents

アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子

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JP2001055447A
JP2001055447A JP23424199A JP23424199A JP2001055447A JP 2001055447 A JP2001055447 A JP 2001055447A JP 23424199 A JP23424199 A JP 23424199A JP 23424199 A JP23424199 A JP 23424199A JP 2001055447 A JP2001055447 A JP 2001055447A
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light
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】新規アリールシラン化合物、発光特性が良好な
発光素子およびそれを可能にする発光素子用材料を提供
する。 【解決手段】下記一般式(1)および(2)で表される
繰り返し単位をそれぞれ一つ以上含む化合物、該化合物
から成る発光素子材料、並びに該発光素子材料を含む発
光素子。 【化1】 (R1,R2は置換基を表す。Ar1,Ar2はアリーレン
連結基またはヘテロアリーレン連結基を表す。R3,R4
は水素原子または置換基を表す。R5,R6は置換基を表
す。m,nは0〜3の整数を表す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規シラン化合
物、電気エネルギーを光に変換して発光できる発光素子
用材料および発光素子に関し、表示素子、ディスプレ
イ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、読
み取り光源、標識、看板、インテリア等の分野に好適に
使用できる発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも有機電界発光(有機エレクトロル
ミネッセンス)素子は、低電圧で高輝度の発光を得るこ
とができるため、有望な表示素子として注目されてい
る。例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜を形成す
る発光素子が知られている(アプライド フィジックス
レターズ,51巻,913頁,1987年)。この文献
に記載された発光素子はトリス(8−ヒドロキシキノリ
ナト)アルミニウム錯体(Alq)を電子輸送材料とし
て用い、正孔輸送材料(アミン化合物)と積層させるこ
とにより、従来の単層型素子に比べて発光特性を大幅に
向上させている。
【0003】[有機]発光素子において高輝度発光を実
現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層して
いる素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面積
化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。し
かしながら、従来の塗布方式で作製した素子では特に青
色発光素子では、発光輝度、発光効率の点で蒸着方式で
作製した素子に劣っており、新規青色発光材料の開発が
望まれていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
アリールシラン化合物、発光特性が良好な発光素子およ
びそれを可能にする発光素子用材料の提供にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。 下記一般式(1)で表される繰り返し単位と下記一般
式(2)で表される繰り返し単位をそれぞれ一つ以上含
む化合物。
【0006】
【化2】
【0007】R1,R2は置換基を表す。Ar1,Ar2
アリーレン連結基またはヘテロアリーレン連結基を表
す。R3,R4は水素原子または置換基を表す。R5,R6
は置換基を表す。m,nは0〜3の整数を表す。 ポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜5,
000,000であることを特徴とするに記載の化合
物。 蛍光極大波長λmaxが400〜500nmであるこ
とを特徴とするまたはに記載の化合物。 ,またはのいずれかに記載の化合物から成る発
光素子材料 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有
機化合物薄層を形成した発光素子において、少なくとも
一層がに記載の発光素子材料を少なくとも一種含有す
る層であることを特徴とする発光素子。 に記載の発光素子材料を塗布プロセスで成膜し、か
つ、に記載の発光素子材料を発光層に少なくとも一種
含有するに記載の発光素子。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の化合物は、一般式(1)で表される繰り
返し単位と一般式(2)で表される繰り返し単位をそれ
ぞれ一つ以上含む化合物である。
【0009】
【化3】
【0010】一般式(1)について説明する。R1,R2
は置換基を表す。置換基としては、例えばアルキル基
(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1
〜12、さらに好ましくは炭素数1〜6、例えばメチル
基、t−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基など
が挙げられる)、アルケニル基(好ましくは炭素数2〜
30、より好ましくは炭素数2〜12、さらに好ましく
は炭素数2〜6、例えば、プロペニル基などが挙げられ
る)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、より
好ましくは炭素数2〜12、さらに好ましくは炭素数2
〜6、例えば、エチニル基などが挙げられる)、アリー
ル基(好ましくは炭素数6〜40、より好ましくは炭素
数6〜20、さらに好ましくは炭素数6〜12、例え
ば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などが
挙げられる)、ヘテロアリール基(好ましくは、酸素原
子または硫黄原子または窒素原子を含むものであり、好
ましくは炭素数1〜40、より好ましくは炭素数2〜2
0、さらに好ましくは炭素数3〜12、例えば、ピリジ
ル基、チエニル基、カルバゾリル基などが挙げられ
る)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜30、より
好ましくは炭素数1〜12、さらに好ましくは炭素数1
〜6、例えばメトキシ基、イソプロポキシ基等が挙げら
れる)、アリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜4
0、より好ましくは炭素数6〜20、さらに好ましくは
炭素数6〜12、例えば、フェノキシ基、ナフトキシ
基、ピレニルオキシ基などが挙げられる)、ヘテロ環基
(好ましくは、酸素原子または硫黄原子または窒素原子
を含むものであり、好ましくは炭素数1〜40、より好
ましくは炭素数2〜20、さらに好ましくは炭素数3〜
12、例えば、ピペリジル基、モルホリノ基等が挙げら
れる)、シリル基(好ましくは炭素数1〜30、特に好
ましくは炭素数3〜20、さらに好ましくは炭素数3〜
12、例えばトリメチルシリル基、t−ブチルジメチル
シリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる)な
どが挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有し
ていてもよい。
【0011】R1,R2は、好ましくは、アルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキ
シ基であリ、より好ましくは、アルキル基、アリール
基、ヘテロアリール基であり、さらに好ましくはアリー
ル基、ヘテロアリール基、特に好ましくはアリール基で
ある。
【0012】Ar1,Ar2はそれぞれアリーレン基(好
ましくは炭素数6〜40、より好ましくは炭素数6〜3
0さらに好ましくは炭素数6〜12、例えば、フェニレ
ン、ナフタレン、アントラセニレン、ピレニレンな
ど)、又は、ヘテロアリーレン基(好ましくは、酸素原
子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは
炭素数1〜50、より好ましくは炭素数1〜30、特に
好ましくは炭素数2〜12であり、例えばイミダゾリレ
ン、ピリジレン、ピラジレン、フリレン、ベンズアゾレ
ン(ベンズオキサゾレン、ベンズイミダゾリレン、ベン
ズチアゾリレン好ましくはベンズオキサゾレン、ベンズ
イミダゾリレン、より好ましくは、ベンズイミダゾリレ
ン)、トリアゾリレン基などが挙げられる。)を表す。
【0013】Ar1,Ar2は、好ましくは、アリーレン
基、含窒素ヘテロアリーレン基であり、より好ましくは
アリーレン基であり、さらに好ましくは、フェニレン基
であり、特に好ましくは無置換p−フェニレン基であ
る。
【0014】一般式(2)について説明する。R3,R4
は水素原子または置換基を表す。置換基としては例えば
アルキル基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましく
は炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であ
り、例えばメチル、エチル、iso−プロピル、ter
t−ブチル、n−オクチル、n−デシル、n−ヘキサデ
シル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシ
ルなどが挙げられる。)、アルケニル基(好ましくは炭
素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好
ましくは炭素数2〜10であり、例えばビニル、アリ
ル、2−ブテニル、3−ペンテニルなどが挙げられ
る。)、アルキニル基(好ましくは炭素数2〜30、よ
り好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数2
〜10であり、例えばプロパルギル、3−ペンチニルな
どが挙げられる。)、アリール基(好ましくは炭素数6
〜30、より好ましくは炭素数6〜20、特に好ましく
は炭素数6〜12であり、例えばフェニル、p−メチル
フェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられ
る。)、アミノ基(好ましくは炭素数0〜30、より好
ましくは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜1
0であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルア
ミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。)、アルコキ
シ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素
数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜10であり、例
えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2−エチルヘキシ
ロキシなどが挙げられる。)、アリールオキシ基(好ま
しくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素数6〜2
0、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例えばフェ
ニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ
などが挙げられる。)、ヘテロアリールオキシ基(好ま
しくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜2
0、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばピリ
ジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノ
リルオキシなどが挙げられる。)、アシル基(好ましく
は炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特
に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばアセチル、
ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられ
る。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2
〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましく
は炭素数2〜12であり、例えばメトキシカルボニル、
エトキシカルボニルなどが挙げられる。)、アリールオ
キシカルボニル基(好ましくは炭素数7〜30、より好
ましくは炭素数7〜20、特に好ましくは炭素数7〜1
2であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げ
られる。)、アシルオキシ基(好ましくは炭素数2〜3
0、より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭
素数2〜10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオ
キシなどが挙げられる。)、アシルアミノ基(好ましく
は炭素数2〜30、より好ましくは炭素数2〜20、特
に好ましくは炭素数2〜10であり、例えばアセチルア
ミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。)、アルコ
キシカルボニルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30、
より好ましくは炭素数2〜20、特に好ましくは炭素数
2〜12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなど
が挙げられる。)、アリールオキシカルボニルアミノ基
(好ましくは炭素数7〜30、より好ましくは炭素数7
〜20、特に好ましくは炭素数7〜12であり、例えば
フェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられ
る。)、スルホニルアミノ基(好ましくは炭素数1〜3
0、より好ましくは炭素数1〜20、特に好ましくは炭
素数1〜12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、
ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。)、スル
ファモイル基(好ましくは炭素数0〜30、より好まし
くは炭素数0〜20、特に好ましくは炭素数0〜12で
あり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、
ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなど
が挙げられる。)、カルバモイル基(好ましくは炭素数
1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好まし
くは炭素数1〜12であり、例えばカルバモイル、メチ
ルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカル
バモイルなどが挙げられる。)、アルキルチオ基(好ま
しくは炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜2
0、特に好ましくは炭素数1〜12であり、例えばメチ
ルチオ、エチルチオなどが挙げられる。)、アリールチ
オ基(好ましくは炭素数6〜30、より好ましくは炭素
数6〜20、特に好ましくは炭素数6〜12であり、例
えばフェニルチオなどが挙げられる。)、ヘテロアリー
ルチオ基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは
炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であ
り、例えばピリジルチオ、2−ベンズイミゾリルチオ、
2−ベンズオキサゾリルチオ、2−ベンズチアゾリルチ
オなどが挙げられる。)、スルホニル基(好ましくは炭
素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好
ましくは炭素数1〜12であり、例えばメシル、トシル
などが挙げられる。)、スルフィニル基(好ましくは炭
素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に好
ましくは炭素数1〜12であり、例えばメタンスルフィ
ニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。)、ウ
レイド基(好ましくは炭素数1〜30、より好ましくは
炭素数1〜20、特に好ましくは炭素数1〜12であ
り、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイ
ドなどが挙げられる。)、リン酸アミド基(好ましくは
炭素数1〜30、より好ましくは炭素数1〜20、特に
好ましくは炭素数1〜12であり、例えばジエチルリン
酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられ
る。)、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子
(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子)、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ
基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、
イミノ基、ヘテロ環基(好ましくは炭素数1〜30、よ
り好ましくは炭素数1〜12であり、ヘテロ原子として
は、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には
例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チ
エニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリ
ル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げ
られる。)、シリル基(好ましくは炭素数3〜40、よ
り好ましくは炭素数3〜30、特に好ましくは炭素数3
〜24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニル
シリルなどが挙げられる。)などが挙げられる。これら
の置換基は更に置換されてもよい。
【0015】R3,R4は、好ましくは水素原子、アルキ
ル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基で
あり、より好ましくは水素原子、アルキル基であり、さ
らに好ましくはアルキル基である。
【0016】R5,R6は置換基を表す。置換基としては
例えば前記R3で記載した基が挙げられる。R5,R
6は、好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール
基、ヘテロアリール基、アルコキシ基であり、より好ま
しくはアルキル基、アリール基であり、さらに好ましく
はアルキル基である。
【0017】m,nは0〜3の整数を表す。m,nが2
以上の場合、複数のR5,R6は同じであっても異なって
もよい。m,nは、好ましくは0,1であり、より好ま
しくは0である。
【0018】本発明の化合物は、一般式(1)で表され
る繰り返し単位を2つ以上有することが好ましく、4つ
以上有することがより好ましい。また、一般式(2)で
表される繰り返し単位を2つ以上有することが好まし
く、4つ以上有することがより好ましい。本発明の化合
物は、一般式(1)、(2)の繰り返し単位を主鎖、側
鎖のどちらに有していてもよいが、一般式(1)、
(2)の繰り返し単位を主鎖上に有することが好まし
い。
【0019】本発明の化合物の重量平均分子量(ポリス
チレン換算)は、好ましくは1,000〜5,000,
000、より好ましくは2,000〜1,000,00
0、さらに好ましくは3,000〜100,000であ
る。
【0020】本発明の化合物は、その蛍光スペクトルの
λmax(最大発光波長)が400〜500nmである
ことが好ましく、400〜480nmであることがより
好ましく、400〜460nmであることがさらに好ま
しい。
【0021】次に一般式(1)の化合物例を示すが、本
発明はこれに限定されるものではない。
【0022】
【化4】
【0023】
【化5】
【0024】
【化6】
【0025】
【化7】
【0026】次に、本発明の化合物の製造方法について
述べる。本発明の化合物は、種々の公知の手法で合成可
能であり、例えば、アリールハライドをニッケルまたは
銅誘導体存在下ホモカップリングし炭素炭素結合を生成
する合成(重合)法、アリールハライド誘導体とビニル
ベンゼン誘導体をパラジウム触媒存在下反応させ炭素炭
素結合を生成する合成(重合)法、ホウ酸誘導体または
ホウ酸エステル誘導体とアリールハライド誘導体または
アリールトリフラート誘導体をパラジウム触媒存在下反
応させカップリングさせ炭素炭素結合を生成する重合
法、アルキルハライド誘導体同士を塩基存在下反応さ
せ、炭素炭素結合を生成する合成(重合)法が挙げられ
るが、パラジウム触媒存在下炭素炭素結合を生成する合
成(重合)法好ましい。ホウ酸誘導体とアリールハライ
ド誘導体をパラジウム触媒存在下重合する手法がさらに
好ましい。
【0027】ホウ酸誘導体としては、置換または無置換
のアリールホウ酸誘導体(例えば、1,4−フェニルジ
ホウ酸、4,4′−ビフェニルジホウ酸等が挙げられ
る)、ヘテロアリールホウ酸誘導体(例えばピリジルジ
ホウ酸などが挙げられる)などが挙げられる。ホウ酸エ
ステル誘導体としては、置換または無置換のアリールホ
ウ酸エステル誘導体(例えば、フェニルジホウ酸ピナコ
ールエステル)、ヘテロアリールホウ酸エステル誘導体
(例えばピリジルジホウ酸ピナコールエステル誘導体)
などが挙げられる。
【0028】アリールハライド誘導体のハロゲン原子
は、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であ
り、特に好ましくは臭素原子である。アリールハライド
誘導体としては、例えば、ジブロモベンゼン誘導体、ジ
ブロモビフェニル誘導体等が挙げられる。アリールトリ
フラート誘導体としては、例えば、ジトリフルオロメタ
ンスルホニルベンゼン誘導体等が挙げられる。
【0029】パラジウム触媒としては、特に限定しない
が、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフ
ィン、パラジウムカーボン、酢酸パラジウム、パラジウ
ムジクロライド(dppf)(dppf:1,1’−ビ
スジフェニルホスフィノフェロセン)などが挙げられ
る。トリフェニルホスフィンなどの配位子を同時に添加
しても良い。
【0030】本反応は、塩基を用いたほうが好ましい。
用いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナ
トリウム、酢酸ナトリウム、トリエチルアミンなどが挙
げられる。用いる塩基の量は特に限定しないが、ホウ酸
(エステル)部位に対して、好ましくは0.1〜20当
量、特に好ましくは1〜10当量である。
【0031】本反応は溶媒を用いた方が好ましい。用い
る溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、
エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トル
エン、テトラヒドロフラン及びそれらの混合溶媒を用い
ることができる。
【0032】次に、本発明の化合物を含有する発光素子
に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合
物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形
態など特に問わないが、本発明の化合物からの発光を利
用するもの、または本化合物を電荷輸送材料として利用
する物が好ましい。代表的な発光素子として有機エレク
トロルミネッセンス(EL)素子を挙げることができ
る。
【0033】本発明の化合物を含有する発光素子の有機
層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗
加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、
コーティング法、インクジェット法などの方法が用いら
れ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法が
好ましく、コーティング法がより好ましい。
【0034】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。
【0035】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が4eV以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは
100nm〜500nmである。
【0036】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常0.2mm以上、好ましく
は0.7mm以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばITOの場
合、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。
【0037】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属(例えばL
i、Na、K等)及びそのフッ化物、アルカリ土類金属
(例えばMg、Ca等)及びそのフッ化物、金、銀、
鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそ
れらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそ
れらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの
混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属
等が挙げられ、好ましくは仕事関数が4eV以下の材料
であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アル
ミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−
銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記
化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及
び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜
厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜
5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50n
m〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜1μm
である。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング
法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用い
られ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時
に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に
蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあ
らかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰
極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以下が
好ましい。
【0038】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾ
イミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリ
ルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブ
タジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナ
フタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導
体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダ
ジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘
導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン
誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン
誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘
導体、芳香族ジメチリディン化合物、8−キノリノール
誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯
体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレ
ンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体、本
発明の化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定
されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のも
のが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、
更に好ましくは10nm〜500nmである。発光層の
形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱
蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コー
ティング法(スピンコート法、キャスト法、ディップコ
ート法など)、インクジェット法、LB法などの方法が
用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法で
ある。
【0039】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ(N−ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、本発明の化
合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は
特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの
範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μm
であり、更に好ましくは10nm〜500nmである。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の1種または2
種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成ま
たは異種組成の複数層からなる多層構造であってもよ
い。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空
蒸着法やLB法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解また
は分散させてコーティングする方法(スピンコート法、
キャスト法、ディップコート法など)、インクジェット
法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共
に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例
えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレ
ート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポ
リアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂など
が挙げられる。
【0040】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ア
ントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン
ジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニ
リデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ
タレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ
タロシアニン誘導体、8−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げ
られる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定され
るものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが
好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に
好ましくは10nm〜500nmである。電子注入層、
電子輸送層は上述した材料の1種または2種以上からな
る単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成
の複数層からなる多層構造であってもよい。電子注入
層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB
法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させて
コーティングする方法(スピンコート法、キャスト法、
ディップコート法など)、インクジェット法などが用い
られる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解ま
たは分散することができ、樹脂成分としては例えば、正
孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【0041】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、N
i等の金属、MgO、SiO、SiO2、Al23、G
eO、NiO、CaO、BaO、Fe23、Y23、T
iO2等の金属酸化物、MgF2、LiF、AlF3、C
aF2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレ
ア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフル
オロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロ
ロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレン
との共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも1
種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて
得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フ
ッ素共重合体、吸水率1%以上の吸水性物質、吸水率
0.1%以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形
成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE
(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、
イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起
イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザ
ーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーテ
ィング法を適用できる。
【0042】
【実施例】以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本
発明の実施の態様はこれらに限定されない。 (1−1)の合成 ビスブロモフェニルジフェニルシランa0.87g、ビ
スボリックアシッドピナコールエステル誘導体b1.0
g、炭酸ナトリウム0.75g、トリフェニルホスフィ
ン0.14g、パラジウムカーボン0.05gにジエチ
レングリコールジメチルエーテル20mlを加え還流攪
拌した。8時間後、反応溶液をクロロホルム200m
l、水200mlで希釈し、セライトろ過した。有機層
を水200mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を濃縮し、残さにメタノール300mlを加
え、析出した固体を濾別した。白色固体(1−1)1.
2gが得られた。GPCを測定したところ、ポリスチレ
ン換算分子量Mw=6900であった。また、(1−
1)40mgをジクロロエタン3mlに溶解し、200
0rpm,10秒でスピンコートし作製した薄膜の膜蛍
光極大波長λmaxは403nmであった。
【0043】
【化8】
【0044】比較例1 洗浄したITO基板上に、Baytron P(PED
OT−PSS溶液(ポリジオキシエチレンチエニレン−
ポリスチレンスルホン酸ドープ体)/バイエル社製)を
2000rpm、60秒でスピンコートした後、100
℃で1時間真空乾燥し、ホール輸送性膜を作製した(膜
厚約40nm)。化合物c(Mw=6300)40mg
をジクロロエタン3mlに溶解し、先に作製したPED
OT−PSS層上にスピンコートした(2000rp
m,20秒)。有機薄膜上にパターニングしたマスク
(発光面積が4mm×5mmとなるマスク)を設置し、
蒸着装置内でマグネシウム:銀=10:1を50nm共
蒸着した後、銀50nmを蒸着した。東陽テクニカ製ソ
ースメジャーユニット2400型を用いて、直流定電圧
をEL素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の
輝度計BM−8、発光波長を浜松フォトニクス社製スペ
クトルアナライザーPMA−11を用いて測定した。そ
の結果、色度値(0.19,0.22)の青緑色発光が
得られ、11Vで122cd/m2 の輝度が得られた。
【0045】
【化9】
【0046】実施例1 化合物cの代わりに、本発明の化合物(1−1)を用
い、比較例1と同様に素子作製評価した。その結果、色
度値(0.14,0.10)の色純度の高い青色発光が
得られ、13Vで310cd/m2 の輝度が得られた。
【0047】実施例2 化合物cの代わりに、本発明の化合物(1−11)を用
い、比較例1と同様に素子作製評価した。その結果、色
度値(0.15,0.15)の色純度の高い青色発光が
得られ、13Vで660cd/m2 の輝度が得られた。
【0048】実施例3 ポリ(N−ビニルカルバゾール)40mg、(1−1
2)12mgを1,2−ジクロロエタン4mlに溶解
し、洗浄したITO基板上にスピンコートした。生成し
た有機薄膜の膜厚は、約70nmであった。この上に、
化合物dを40nm蒸着し、比較例1と同様に陰極を蒸
着した。比較例1と同様に評価し、その結果、色度値
(0.15,0.16)の青色発光が得られ、10Vで
1090cd/m2 の輝度が得られた。
【0049】
【化10】
【0050】同様に、本発明の化合物含有EL素子を作
製・評価したところ、本発明の化合物がEL素子材料と
して機能することが確認できた。特に、色純度の高い青
色発光素子を作製できることが分かった。
【0051】
【発明の効果】本発明の化合物は有機EL用材料として
使用可能であり、本発明の化合物を含有する素子は色相
などのEL特性に優れる。また、本発明の化合物は医療
用途、蛍光増白剤、写真用材料、UV吸収材料、レーザ
ー色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等
にも適用可能である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/06 660 C09K 11/06 660 680 680 H05B 33/10 H05B 33/10 33/14 33/14 B 33/22 33/22 D

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1)で表される繰り返し単
    位と下記一般式(2)で表される繰り返し単位をそれぞ
    れ一つ以上含む化合物。 【化1】 1,R2は置換基を表す。Ar1,Ar2はアリーレン連
    結基またはヘテロアリーレン連結基を表す。R3,R4
    水素原子または置換基を表す。R5,R6は置換基を表
    す。m,nは0〜3の整数を表す。
  2. 【請求項2】 ポリスチレン換算重量平均分子量が1,
    000〜5,000,000であることを特徴とする請
    求項1に記載の化合物。
  3. 【請求項3】 蛍光極大波長λmaxが400〜500
    nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の
    化合物。
  4. 【請求項4】 請求項1,2または3のいずれかに記載
    の化合物から成る発光素子材料。
  5. 【請求項5】 一対の電極間に発光層もしくは発光層を
    含む複数の有機化合物薄層を形成した発光素子におい
    て、少なくとも一層が請求項4に記載の発光素子材料を
    少なくとも一種含有する層であることを特徴とする発光
    素子。
  6. 【請求項6】 請求項4に記載の発光素子材料を塗布プ
    ロセスで成膜し、かつ、請求項4に記載の発光素子材料
    を発光層に少なくとも一種含有する請求項5に記載の発
    光素子。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005019374A1 (ja) * 2003-08-21 2005-03-03 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
US7135242B2 (en) 2002-10-15 2006-11-14 Sony Corporation Electroluminescent polymer, bisfluorenylsilane compound and organic electroluminescent element
JP2007277558A (ja) * 2001-03-27 2007-10-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子発光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2007537311A (ja) * 2004-05-11 2007-12-20 メルク パテント ゲーエムベーハー エレクトロルミネセンスポリマー
US7318964B2 (en) 2001-05-22 2008-01-15 Korea Institute Of Science And Technology Fluorene compounds containing various functional groups, polymers thereof and EL element using the same
JP2008019443A (ja) * 2001-03-27 2008-01-31 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子発光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2010109374A (ja) * 2000-09-26 2010-05-13 Cambridge Display Technol Ltd ねじれを持つポリマー、その使用方法、およびランダムコポリマーの製造方法
KR101145686B1 (ko) 2009-10-29 2012-05-24 경상대학교산학협력단 청색 인광용 호스트 물질 및 이를 포함하는 유기 전기 발광 소자

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377575B1 (ko) * 2000-10-17 2003-03-26 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 청색 발광 화합물 및 이를 사용한유기 전계 발광 소자
KR100438888B1 (ko) * 2001-09-07 2004-07-02 한국전자통신연구원 정공 수송/주입 능력이 있는 화합물과 이를 포함하는분자자기조립막을 갖춘 유기 전기발광 소자
US6852474B2 (en) * 2002-04-30 2005-02-08 Brewer Science Inc. Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
US20040209116A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Xiaofan Ren Organic light emitting devices with wide gap host materials
WO2005010012A1 (ja) * 2003-07-28 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 発光性有機化合物およびそれを用いた発光素子
US20070207406A1 (en) * 2004-04-29 2007-09-06 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
US20050255410A1 (en) 2004-04-29 2005-11-17 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
US7914974B2 (en) 2006-08-18 2011-03-29 Brewer Science Inc. Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
TWI441898B (zh) * 2007-09-28 2014-06-21 Idemitsu Kosan Co 有機el元件
EP2245512B1 (en) 2008-01-29 2019-09-11 Brewer Science, Inc. On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures
TWI478624B (zh) * 2008-03-27 2015-03-21 Nippon Steel & Sumikin Chem Co Organic electroluminescent elements
WO2010031480A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Merck Patent Gmbh Polymers derived from benzobis(silolothiophene) and their use as organic semiconductors
US9640396B2 (en) 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography
WO2011046166A1 (ja) * 2009-10-14 2011-04-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびこれを用いた照明装置
RU2466156C2 (ru) * 2010-08-11 2012-11-10 Учреждение Российской академии наук Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН (ИСПМ РАН) Дендронизованные полиарилсиланы и способ их получения

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08125249A (ja) * 1994-10-27 1996-05-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機光伝導体および素子
JPH1081754A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Rikagaku Kenkyusho 金属錯体ポリマー
JP2000021575A (ja) * 1998-04-30 2000-01-21 Fuji Photo Film Co Ltd 特定のビニルシラン化合物およびそれを含有する有機発光素子、および、ビニルシラン化合物の製造方法。
JP2000143558A (ja) * 1998-11-12 2000-05-23 Samsung Sdi Co Ltd 発光化合物及びこれを発色材料として採用している表示素子
JP2000351966A (ja) * 1999-04-07 2000-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd 特定のシラン化合物及びそれらからなる発光素子材料、及び、それを含有する発光素子。

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06234968A (ja) 1993-02-09 1994-08-23 Mitsui Petrochem Ind Ltd 有機ケイ素、ゲルマニウム電界発光材料および素子
JPH09255949A (ja) 1996-03-21 1997-09-30 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR0176331B1 (ko) * 1996-05-16 1999-04-01 박원훈 전계 발광 소자용 플로렌계 교대 공중합체 및 이를 발광재료로 사용한 전계 발광 소자
KR0176336B1 (ko) * 1996-12-31 1999-04-01 박원훈 아세틸렌기를 함유한 플로렌계 교대 공중합체 및 이를 이용한 전계발광소자
JPH10265773A (ja) 1997-03-24 1998-10-06 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔注入材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3518255B2 (ja) 1997-06-12 2004-04-12 凸版印刷株式会社 有機薄膜el素子
JP3775911B2 (ja) * 1998-01-14 2006-05-17 大阪瓦斯株式会社 ポリカーボネート重合体及びその製造方法
JP2000290284A (ja) 1999-04-07 2000-10-17 Fuji Photo Film Co Ltd 特定のシラン化合物、合成法、及びそれらからなる発光素子材料、及び、それを含有する発光素子。

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08125249A (ja) * 1994-10-27 1996-05-17 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機光伝導体および素子
JPH1081754A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Rikagaku Kenkyusho 金属錯体ポリマー
JP2000021575A (ja) * 1998-04-30 2000-01-21 Fuji Photo Film Co Ltd 特定のビニルシラン化合物およびそれを含有する有機発光素子、および、ビニルシラン化合物の製造方法。
JP2000143558A (ja) * 1998-11-12 2000-05-23 Samsung Sdi Co Ltd 発光化合物及びこれを発色材料として採用している表示素子
JP2000351966A (ja) * 1999-04-07 2000-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd 特定のシラン化合物及びそれらからなる発光素子材料、及び、それを含有する発光素子。

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6008017733, "Thermally stable poly(fluorene)coporymers for blue−light emission", MCLC S&T,Section B:Nonlinear Optics, 19990507, Vol.20,No.1−4,, P269−P295 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010109374A (ja) * 2000-09-26 2010-05-13 Cambridge Display Technol Ltd ねじれを持つポリマー、その使用方法、およびランダムコポリマーの製造方法
JP2007277558A (ja) * 2001-03-27 2007-10-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子発光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2008019443A (ja) * 2001-03-27 2008-01-31 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子発光体およびそれを用いた高分子発光素子
US7318964B2 (en) 2001-05-22 2008-01-15 Korea Institute Of Science And Technology Fluorene compounds containing various functional groups, polymers thereof and EL element using the same
US7135242B2 (en) 2002-10-15 2006-11-14 Sony Corporation Electroluminescent polymer, bisfluorenylsilane compound and organic electroluminescent element
EP1553119A4 (en) * 2002-10-15 2011-05-25 Sony Chem & Inf Device Corp ELECTROLUMINESCENT POLYMERS, BISFLUORENYLSILANE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES
WO2005019374A1 (ja) * 2003-08-21 2005-03-03 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置
JP2007537311A (ja) * 2004-05-11 2007-12-20 メルク パテント ゲーエムベーハー エレクトロルミネセンスポリマー
KR101145686B1 (ko) 2009-10-29 2012-05-24 경상대학교산학협력단 청색 인광용 호스트 물질 및 이를 포함하는 유기 전기 발광 소자

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